TW202335131A - 基板蝕刻處理裝置及基板邊緣的蝕刻控制方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於基板蝕刻處理裝置及基板邊緣的蝕刻控制方法，上述基板蝕刻處理裝置包括：基板支撐裝置，包括吸盤底座和吸盤銷，上述吸盤底座以能夠水準旋轉的方式配置，上述吸盤銷設置在上述吸盤底座的上部，用於支撐基板，在上述基板支撐裝置形成有從上述吸盤底座的底部面中心沿著上下方向朝向上述吸盤底座的內部延伸的吹掃氣體流入孔，並形成有從上述吹掃氣體流入孔沿著半徑方向延伸並向上方延伸來貫通上述吸盤底座的上部面的吹掃氣體排出孔；吹掃氣體供給組裝體，用於向上述吹掃氣體流入孔供給吹掃氣體；藥液供給單元，用於向上述基板的上部供給藥液；碗組裝體，包括以包圍上述基板支撐裝置的周圍並能夠升降的方式設置的碗；以及風扇過濾單元，在上述基板支撐裝置的上部隔開配置，從而具有如下的優點，即，可在吸盤底座上下顛倒配置基板來使其在形成電路形成層的工序處理面朝下的狀態下進行旋轉，向上部面供給藥液，在下方供給N2等吹掃氣體並進行蝕刻來維持規定的蝕刻量。

Description

基板蝕刻處理裝置及基板邊緣的蝕刻控制方法
本發明關於基板蝕刻處理裝置及基板邊緣的蝕刻控制方法，更詳細地，關於如下的基板蝕刻處理裝置及基板邊緣的蝕刻控制方法，即，在形成有電路的基板的工序處理面朝下的狀態下，用於在利用藥液來蝕刻基板的周圍邊緣的基板蝕刻處理裝置中調節蝕刻量等。
通常，基板的電路形成工序包括在基板的一面執行的氧化、光刻、蝕刻、蒸鍍及金屬配線等多種作業。
經過這種作業，各種異物將附著在基板的邊緣部分並形成層。
因此，無法使用基板的邊緣部分，且不會形成實際電路。
但是，為了進行作業，當吸盤把持上述基板的邊緣部分時，在所附著的異物部分發生龜裂並向內側傳播，或者產生顆粒並進入到基板的內側，從而很難形成電路。
為了解決這種問題，需要預先蝕刻基板周圍邊緣的異物層來去除，圖1簡要示出基板的蝕刻工序。
另一方面，這種邊緣蝕刻大體分為濕式蝕刻方法和乾式蝕刻方法。
作為代表性的濕式蝕刻方法，為如下方式，即，在基板的上部面中，在通過光罩保護非蝕刻部分之後，將其浸泡在裝有藥液（蝕刻液）的槽（bath）來蝕刻基板的邊緣蝕刻部分。
而且，乾式蝕刻方法為如下方式，即，產生等離子並激勵反應氣體來蝕刻基板的邊緣。
在此情況下，在蝕刻基板的邊緣的情況下，若沿著周圍方向處理成過大的寬度，則實際電路使用部分變少，效率低下，若處理成較小的寬度，則當通過吸盤把持時，依然存在部分破損的憂慮，因此需要維持在適當範圍。
現有的濕式蝕刻方法具有通過光罩保護形成有圖案部的部分的過程和在進行蝕刻後再次去除的過程，因此，作業時間較長且結構複雜。
進而，在調節蝕刻部分的寬度的情況下，需要將上述光罩蝕刻變更成其他直徑的光罩，因此，變得麻煩且需要更長的作業時間。
[習知技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：韓國授權專利公報第10-1359402號（2014年01月29日）。
[發明所欲解決之問題] 本發明為了解決上述習知技術的問題而提出，本發明的目的在於，提供如下的基板蝕刻處理裝置及基板邊緣的蝕刻控制方法，即，可在吸盤底座上下顛倒配置基板來使其在形成有電路的工序處理面朝下的狀態下進行旋轉並執行蝕刻作業，向上部面供給藥液，在下方供給N2等吹掃氣體並進行蝕刻來維持規定的蝕刻量。
[解決問題之技術手段] 為了實現上述目的，本發明的基板邊緣的蝕刻裝置的特徵在於，包括：基板支撐裝置、藥液供給單元、碗組裝體以及風扇過濾單元。基板支撐裝置包括吸盤底座和吸盤銷。上述吸盤底座以能夠水準旋轉的方式配置。上述吸盤銷設置在上述吸盤底座的上部，上述吸盤銷用於支撐基板。在上述基板支撐裝置形成有從上述吸盤底座的底部面中心沿著上下方向朝向上述吸盤底座的內部延伸的吹掃氣體流入孔，並形成有從上述吹掃氣體流入孔沿著半徑方向延伸並向上方延伸來貫通上述吸盤底座的上部面的吹掃氣體排出孔。吹掃氣體供給組裝體用於向上述吹掃氣體流入孔供給吹掃氣體。藥液供給單元用於向上述基板的上部供給藥液。碗組裝體包括以包圍上述基板支撐裝置的周圍並能夠升降的方式設置的碗。風扇過濾單元在上述基板支撐裝置的上部隔開配置。
對在本發明的基板蝕刻處理裝置中的基板邊緣進行的蝕刻控制方法的特徵在於，通過調節上述基板支撐裝置的轉速、從上述吹掃氣體供給組裝體供給的吹掃氣體的流量、從上述藥液供給單元供給的藥液的流量及上述碗的高度中的一個以上來調節蝕刻量。
本發明的特徵在於，當蝕刻量未達到規定的基準值時，減少基板支撐裝置的轉速。當蝕刻量超出基準值時，增加基板支撐裝置的轉速，從而使蝕刻量符合基準值。
本發明的特徵在於，當蝕刻量未達到規定的基準值時，減少吹掃氣體的流量。當蝕刻量超出基準值時，增加吹掃氣體的流量，從而使蝕刻量符合基準值。
本發明的特徵在於，當蝕刻量未達到規定的基準值時，增加藥液的流量。當蝕刻量超出基準值時，減少藥液的流量，從而使蝕刻量符合基準值。
本發明的特徵在於，當蝕刻量未達到規定的基準值時，增加碗的高度來減少經過碗與基板邊緣之間的空氣的流速。當蝕刻量超出基準值時，減少碗的高度來提高上述空氣的流速，從而使蝕刻量符合基準值。
本發明的特徵在於，通過調節上述基板支撐裝置的轉速、從上述吹掃氣體供給組裝體供給的吹掃氣體的流量、從上述藥液供給單元供給的藥液的流量及上述碗的高度中的一個以上來調節基板下部面邊緣的不均勻的侵入蝕刻部數量。
本發明的特徵在於，上述侵入蝕刻部數量被調節成2個以下。
[對照先前技術之功效] 根據上述結構的本發明，本發明包括：基板支撐裝置、吹掃氣體供給組裝體、碗組裝體以及風扇過濾單元。基板支撐裝置包括吸盤底座和吸盤銷的基板支撐裝置。上述吸盤底座以可水準旋轉的方式配置。上述吸盤銷設置在上述吸盤底座的上部，上述吸盤銷用於支撐基板。在上述基板支撐裝置形成有從上述吸盤底座的底部中心沿著上下方向朝向上述吸盤底座的內部延伸的吹掃氣體流入孔，並形成有從上述吹掃氣體流入孔沿著半徑方向延伸並向上方延伸來貫通上述吸盤底座的上部面的吹掃氣體排出孔。吹掃氣體供給組裝體向上述吹掃氣體流入孔供給吹掃氣體。藥液供給單元向上述基板的上部供給藥液。碗組裝體包括以包圍上述基板支撐裝置的周圍並可升降移動的方式設置的碗。風扇過濾單元在上述基板支撐裝置的上部隔開配置。在吸盤底座上下顛倒配置基板來使其在形成有電路的基板的工序處理面朝下的狀態下進行旋轉，向上部面供給藥液，在下方供給N2等吹掃氣體並進行蝕刻，從而可以在基板的邊緣面維持規定的蝕刻量。
並且，根據本發明，本發明具有如下優點，即，可通過調節基板支撐裝置的轉速、從吹掃氣體供給組裝體供給的吹掃氣體的流量、從藥液供給單元供給的藥液的流量及碗的高度中的一個以上來調節蝕刻量，因此，結構變得簡單且操作輕鬆。
並且，根據本發明，本發明具有如下優點，即，可通過調節基板支撐裝置的轉速、從吹掃氣體供給組裝體供給的吹掃氣體的流量、從藥液供給單元供給的藥液的流量及碗的高度中的一個以上來調節基板下部面邊緣的不均勻的侵入蝕刻部數量。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
以下，參照附圖，詳細說明本發明的較佳實施例。
如圖2和圖3所示，本發明的基板邊緣蝕刻裝置1000包括：基板支撐裝置100、吹掃氣體供給組裝體300、藥液供給單元600、碗組裝體700以及風扇過濾單元（未圖示）。基板支撐裝置100包括吸盤底座110和吸盤銷120。上述吸盤底座110以可水準旋轉的方式配置。上述吸盤銷120設置在上述吸盤底座110的上部，吸盤銷120用於支撐基板W。在上述基板支撐裝置100形成有從上述吸盤底座110的底部面中心沿著上下方向朝向上述吸盤底座110的內部延伸的吹掃氣體流入孔111，並形成有從上述吹掃氣體流入孔111沿著半徑方向延伸並向上方延伸來貫通上述吸盤底座110的上部面的吹掃氣體排出孔112。吹掃氣體供給組裝體300用於向上述吹掃氣體流入孔111供給吹掃氣體。藥液供給單元600用於向上述基板W的上部供給藥液。碗組裝體700包括以包圍上述基板支撐裝置100的周圍並以可升降移動的方式設置的碗710。上述風扇過濾單元，在上述基板支撐裝置100的上部隔開配置。
根據上述結構，在吸盤底座110上下顛倒配置基板W來使其在形成電路形成層W1的工序處理面朝下的狀態下進行旋轉，通過藥液供給單元600向基板W的上部面（即，背面）供給藥液，在下部面（即，工序處理面），從吹掃氣體供給組裝體300供給N2等吹掃氣體來防止藥液從基板W的邊緣向內側流入。
上述吹掃氣體從上述吹掃氣體流入孔111流入並經過吹掃氣體排出孔112來通過上述基板W和吸盤底座110的上部面之間的空間排出。
若向基板W的上部面供給藥液，則在基板W的邊緣中，通過藥液的表面張力稍微進入到基板W的半徑方向內側並通過多種因素再次向外部脫離並排出，以此乾淨地蝕刻邊緣。
如上所述，上述吹掃氣體是為了防止空氣中的顆粒等從基板的邊緣流入到電路形成層W1側而供給的氣體，代表性地，可以採用N2等惰性氣體。
上述碗組裝體700為接收從旋轉的上述基板W和吸盤底座110飛散的藥液來排出的結構要素，包括上述碗710和驅動單元720，上述驅動單元720為用於使上述碗710升降移動的馬達或壓力氣缸等。
並且，上述碗組裝體700的碗710可形成多個，以沿著半徑方向重疊的方式配置，通過與各個碗710連接的額外的驅動單元720單獨升降移動。
上述風扇過濾單元設置在收容基板蝕刻處理裝置1000的腔室（未圖示）的上部，用於向內部供給經過濾的外部空氣。
以下，參照圖2和圖3，說明以上未說明的結構要素。如上所述，後述的吹掃氣體供給組裝體300僅為一實施例，可具有此外的多種變形。
上述吹掃氣體供給組裝體300包括：吹掃氣體引導管310以及中空管形態的吹掃氣體引導管支撐軸320。當從俯視圖觀察時，吹掃氣體引導管310以沿著半徑方向隔開的狀態包圍上述吹掃氣體流入孔111的周圍。當從側面觀察時，吹掃氣體引導管310沿著上下方向貫通形成中孔311。中空管形態的吹掃氣體引導管支撐軸320以從上述吹掃氣體引導管310的上端沿著半徑方向外側隔開的狀態重疊連接，為了旋轉支撐上述驅動軸210而設置軸承400。
根據這種結構，在N2等吹掃氣體通過上述吹掃氣體引導管310流入之後，一部分通過吹掃氣體流入孔111來通過形成在吸盤底座110的吹掃氣體排出孔112排向基板W與吸盤底座110的上部面之間來執行吹掃功能，同時，剩餘一部分通過上述吹掃氣體流入孔111與吹掃氣體引導管310之間的通路和軸承400沿著遠離基板W的方向排向外部，因此，可以防止外部的顆粒通過軸承400流入到基板W。
尤其，若吹掃氣體導入管113以與上述吹掃氣體流入孔111連通的方式從上述吸盤底座110的底部向下方延伸形成，且上述吹掃氣體導入管113與吹掃氣體引導管310之間沿著半徑方向隔開配置，則可以預先明確區分上述剩餘一部分氣體所經過的通路，從而，吹掃氣體的流量可以比較準確地分割並流入。
根據這種結構，上述吹掃氣體導入管113與吹掃氣體引導管310之間的通路P1、上述吸盤底座110的底部與吹掃氣體引導管310的上端之間的通路P2、上述吹掃氣體引導管支撐軸320與驅動軸210之間的通路P3形成吹掃氣體的第一排出管路EX1。
吹掃氣體通過上述第一排出管路EX1向外部排出，外部氣流無法通過軸承400進入到吹掃區域，因此，可以避免形成有電路的基板W的電路形成層W1受損的情況，不僅如此，通過驅動軸210和吸盤底座110的連接部170流入的顆粒也可輕鬆向外部排出。
上述軸承400也可以採用滾動軸承或磁軸承等非接觸式軸承。
並且，在上述吹掃氣體引導管310的上部，沿著周圍方向相互隔開形成有多個連通孔312，從而，上述吹掃氣體引導管310與吹掃氣體導入管113之間的通路P1、上述連通孔312、上述吹掃氣體引導管310與吹掃氣體引導管支撐軸320之間的通路P4可以形成吹掃氣體的第二排出管路EX2。
根據這種結構，在進入到上述吹掃氣體引導管310與吹掃氣體導入管113之間的通路P1的吹掃氣體中，除通過第一排出管路EX1的一部分之外的剩餘部分通過上述第二排出管路EX2排出，因此，可以完全排出上述吹掃氣體引導管310與吹掃氣體引導管支撐軸320之間的剩餘異物。
即，當吸盤底座110旋轉時，上述吹掃氣體引導管310與吹掃氣體引導管支撐軸320之間的連接部周邊的壓力將下降，從而可以防止顆粒通過上述吹掃氣體引導管310與吹掃氣體引導管支撐軸320之間的組裝結構之間的微細的縫隙從外部氣流流入。
並且，當從俯視圖觀察時，在上述吸盤底座110的上部面中心形成與上述吹掃氣體排出孔112連通的旁通通路114，從而可以防止在吸盤底座110與基板W之間的空間S發生負壓，以防止基板W朝向吸盤底座110的上部面下垂或外部的顆粒聚集在上述空間。
並且，當從縱向剖視圖觀察上述吸盤底座110時，較佳地，以上述吹掃氣體排出孔112為中心形成在內側的內側部115的高度低於形成在外側的外側部116的高度（參照圖3的附圖標記「t」），從而防止因上述基板W下垂而接觸吸盤底座110的內側部115的上部面。
在構成上述吹掃氣體供給組裝體300的吹掃氣體引導管310的下端開口連接用於連接設置品質流量計390（MFC）的管道370的管接頭380。
以下，參照圖4至圖7說明在上述基板蝕刻處理裝置1000中用於調節蝕刻量（蝕刻部的寬度）的蝕刻控制方法的實施例。
圖4至圖7為示出通過實際實驗導出的數值的圖表，各個條件如表所示。
並且，虛線為將蝕刻量的個別值線性化處理來示出整體蝕刻量的趨勢的線圖。
第一，可通過調節上述基板支撐裝置100的轉速來調節蝕刻量。
例如，如圖4所示，呈現出基板支撐裝置100的轉速越增加，蝕刻量越減少的傾向。
這是因為當基板W的轉速增加時，作用於粘結在基板W的下部面的藥液的離心力也將一同增加，從而輕鬆克服對於基板W的藥液的表面張力並脫離。
作為參考，為了獲得基板支撐裝置100的轉速與蝕刻量之間的關係，吹掃氣體的流量為180 LPM，藥液的流量為1300 cc/min，相對於基板W的碗710上端的高度h為12 mm。
由此，當蝕刻量未達到規定的基準值時，可減少基板支撐裝置100的轉速，當超出基準值時，增加基板支撐裝置100的轉速來使蝕刻量輕鬆符合基準值。
第二，可通過調節從上述吹掃氣體供給單元300供給的吹掃氣體的流量來調節蝕刻量。
例如，如圖5所示，呈現出吹掃氣體的流量越增加，蝕刻量越減少的傾向。
這是因為當從上述吹掃氣體供給單元300供給的吹掃氣體的流量增加時，通過基板W與吸盤底座110的上部面之間的吹掃氣體的流量也將增加，因所通過的吹掃氣體，粘結在基板W的藥液被捲入，從而輕鬆克服對於基板W的藥液的表面張力並脫離。
作為參考，為了獲得吹掃氣體的流量與蝕刻量之間的關係，基板支撐裝置100的轉速為1800 RPM，藥液的流量為1300 cc/min，相對於基板W的碗710上端的高度為12 mm。
由此，當蝕刻量未達到規定基準值時，減少吹掃氣體的流量，當超出基準值時，增加吹掃氣體的流量來使蝕刻量輕鬆符合基準值。
第三，可通過調節從上述藥液供給單元供給的藥液的流量來調節蝕刻量。
例如，如圖6所示，呈現出藥液的流量越增加，蝕刻量越增加的傾向，但可知存在適當的閾值。
這是因為當從上述藥液供給單元600供給的藥液的流量增加，朝向基板W的中心的藥液的流動量變多，從而通過表面張力發生向內側進一步移動的動力，因此，當藥液的流量超出規定閾值時，超出其閾值以上部分起到剩餘部分的作用，且不再起到用於向基板W內側移動的動力的作用。
作為參考，為了獲得藥液的流量與蝕刻量之間的關係，基板支撐裝置100的轉速為1800 RPM，吹掃氣體的流量為200 LPM，相對於基板W的碗710上端的高度為12 mm。
由此，在藥液的流量與蝕刻量之間存在關係的範圍內，當蝕刻量未達到規定基準值時，可以試圖增加藥液的流量。當蝕刻量超出基準值時，通過試圖減少藥液的流量來使蝕刻量輕鬆符合基準值。
第四，可通過調節上述碗710的高度h來調節上述碗710與基板W邊緣之間的間隔來調節蝕刻量。
例如，如圖7所示，呈現出上述間隔越減少，蝕刻量越減少的傾向。
這是因為當上述碗710與基板W邊緣之間的間隔減少時，從配置在基板W的上方的風扇過濾單元供給的空氣的速度將增加，局部壓力降低，因此，粘結在基板W的藥液將捲入，從而輕鬆克服對於基板W的藥液的表面張力並脫離。
如圖2所示，可通過調節相對於基板W的碗710的高度來調節上述碗710與基板W邊緣之間的間隔，例如，上述碗710的高度越增加，上述間隔將變寬。
作為參考，為了獲得上述碗710的高度與蝕刻量之間的關係，基板支撐裝置100的轉速為1800 RPM，吹掃氣體的流量為200 LPM，藥液的流量為1300 cc。
由此，當蝕刻量未達到規定的基準值時，增加碗710的高度來減少空氣的流速。當蝕刻量超出基準值時，降低碗710的高度來提高空氣的流速，由此，可以使蝕刻量輕鬆符合基準值。
另一方面，在圖4至圖7中，侵入蝕刻部數量為如下部位的數量，即，未實現藥液脫離的力與表面張力之間的完全均衡，從而沿著基板下部面的周圍，蝕刻部的邊界無法形成圓形，而是向半徑方向內側侵入的部位的數量，如在其線圖中所示，當需要脫離的藥液的動力不足時發生多個。
較佳地，滿足蝕刻量並使侵入蝕刻部數量維持在0（沒有的狀態），但在不可避免的情況下，最大為2個。
本發明的實施例僅為例示性實施例，所屬領域具通常知識者將理解，在所附申請專利範圍內，多種變形及等同的其他實施例是可行的。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:基板支撐裝置 110:吸盤底座 111:吹掃氣體流入孔 112:吹掃氣體排出孔 113:吹掃氣體導入管 114:旁通通路 115:內側部 116:外側部 120:吸盤銷 170:連接部 200:旋轉馬達 210:驅動軸 300:吹掃氣體供給組裝體 310:吹掃氣體引導管 311:中孔 312:連通孔 320:吹掃氣體引導管支撐軸 370:管道 380:管接頭 390:品質流量計 400:軸承 600:藥液供給單元 700:碗組裝體 710:碗 720:驅動單元 1000:基板蝕刻處理裝置 EX1:第一排出管路 EX2:第二排出管路 h:高度 P1、P2、P3、P4:通路 S:空間 t:高度 W:基板 W1:電路形成層
圖1為示出在基板中的邊緣蝕刻工序的圖。 圖2為示出本發明的基板蝕刻處理裝置的結構的縱向剖視圖。 圖3為示出圖2中的基板支撐裝置和吹掃氣體供給組裝體的結構的縱向剖視圖。 圖4為示出本發明的基板支撐裝置的轉速與蝕刻量之間的關係的圖表。 圖5為示出本發明的吹掃氣體的流量與蝕刻量之間的關係的圖表。 圖6為示出本發明的供給的藥液的流量與蝕刻量之間的關係的圖表。 圖7為示出本發明的碗的高度與蝕刻量之間的關係的圖表。
100:基板支撐裝置
110:吸盤底座
111:吹掃氣體流入孔
112:吹掃氣體排出孔
113:吹掃氣體導入管
114:旁通通路
115:內側部
116:外側部
120:吸盤銷
170:連接部
200:旋轉馬達
210:驅動軸
300:吹掃氣體供給組裝體
310:吹掃氣體引導管
311:中孔
320:吹掃氣體引導管支撐軸
370:管道
380:管接頭
390:品質流量計
400:軸承
600:藥液供給單元
700:碗組裝體
710:碗
720:驅動單元
1000:基板蝕刻處理裝置
EX1:第一排出管路
EX2:第二排出管路
h:高度
P1、P2、P3、P4:通路
S:空間
t:高度
W:基板
W1:電路形成層

Claims (8)

  1. 一種基板蝕刻處理裝置，包括： 基板支撐裝置，包括吸盤底座和吸盤銷，上述吸盤底座以能夠水準旋轉的方式配置，上述吸盤銷設置在上述吸盤底座的上部，上述吸盤銷用於支撐基板，在上述基板支撐裝置形成有從上述吸盤底座的底部面中心沿著上下方向朝向上述吸盤底座的內部延伸的吹掃氣體流入孔，並形成有從上述吹掃氣體流入孔沿著半徑方向延伸並向上方延伸來貫通上述吸盤底座的上部面的吹掃氣體排出孔； 吹掃氣體供給組裝體，用於向上述吹掃氣體流入孔供給吹掃氣體； 藥液供給單元，用於向上述基板的上部供給藥液； 碗組裝體，包括以包圍上述基板支撐裝置的周圍並能夠升降的方式設置的碗；以及 風扇過濾單元，在上述基板支撐裝置的上部隔開配置。
  2. 一種基板邊緣的蝕刻控制方法，作為對根據請求項1所述之基板蝕刻處理裝置中的基板邊緣進行的蝕刻控制方法，其中，通過調節上述基板支撐裝置的轉速、從上述吹掃氣體供給組裝體供給的吹掃氣體的流量、從上述藥液供給單元供給的藥液的流量及上述碗的高度中的一個以上來調節蝕刻量。
  3. 如請求項2所述之基板邊緣的蝕刻控制方法，其中，當上述蝕刻量未達到規定的基準值時，減少上述基板支撐裝置的轉速，當上述蝕刻量超出上述基準值時，增加上述基板支撐裝置的轉速，從而使上述蝕刻量符合上述基準值。
  4. 如請求項2所述之基板邊緣的蝕刻控制方法，其中，當上述蝕刻量未達到規定的基準值時，減少上述吹掃氣體的流量，當上述蝕刻量超出上述基準值時，增加上述吹掃氣體的流量，從而使上述蝕刻量符合上述基準值。
  5. 如請求項2所述之基板邊緣的蝕刻控制方法，其中，當上述蝕刻量未達到規定的基準值時，增加上述藥液的流量，當上述蝕刻量超出上述基準值時，減少上述藥液的流量，從而使上述蝕刻量符合上述基準值。
  6. 如請求項2所述之基板邊緣的蝕刻控制方法，其中，當上述蝕刻量未達到規定的基準值時，增加上述碗的高度來減少經過上述碗與上述基板邊緣之間的空氣的流速，當上述蝕刻量超出上述基準值時，減少上述碗的高度來提高上述空氣的流速，從而使上述蝕刻量符合上述基準值。
  7. 如請求項2至6中任一項所述之基板邊緣的蝕刻控制方法，其中，通過調節上述基板支撐裝置的轉速、從上述吹掃氣體供給組裝體供給的上述吹掃氣體的流量、從上述藥液供給單元供給的上述藥液的流量及上述碗的高度中的一個以上來調節基板下部面邊緣的不均勻的侵入蝕刻部數量。
  8. 如請求項7所述之基板邊緣的蝕刻控制方法，其中，上述侵入蝕刻部數量被調節成2個以下。
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