TW202331885A - 具有減緩氧化的隔離環境的內部軸桿區域的基板支撐組件 - Google Patents

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Abstract

基板支撐組件包括軸桿主體、附接至軸桿主體之上部的板、和附接至軸桿主體之下部的插塞或帽蓋。軸桿主體、板、和插塞或帽蓋界定內部軸桿區域,該內部軸桿區域具有隔離環境。內部軸桿區域為真空環境或包含惰性氣體。

Description

具有減緩氧化的隔離環境的內部軸桿區域的基板支撐組件
本發明的實施例大致上關於基板處理,且特定而言,關於具有減緩氧化的隔離內部軸桿區域的基板支撐組件。
電子元件製造設備能夠包括多個腔室,例如處理腔室和裝載閘(load lock)腔室。這種電子元件製造設備能夠在移送腔室中運用機器人設備,該機器人設備配置成在多個腔室之間傳送基板。在一些情況中,多個基板被一起移送。可於電子元件製造設備中使用處理腔室,以在基板上執行一個或多個製程,例如沉積製程和蝕刻製程。
在一些實施例中,提供基板支撐組件。基板支撐組件包括軸桿主體、附接至軸桿主體之上部的板、以及附接至軸桿主體之下部的插塞或帽蓋。軸桿主體、板和插塞或帽蓋界定內部軸桿區域,該內部軸桿區域具有隔離環境。內部軸桿區域為真空環境。
在一些實施例中,提供一種基板支撐組件。基板支撐組件包括軸桿主體、附接至軸桿主體之上部的板、以及附接至軸桿主體之下部的插塞或帽蓋。軸桿主體、板和插塞或帽蓋界定內部軸桿區域,該內部軸桿區域具有隔離環境。內部軸桿區域包含惰性氣體。
在一些實施例中,提供處理腔室。處理腔室包括基板支撐組件。基板支撐組件包括軸桿主體、附接至軸桿主體之上部的板、以及附接至軸桿主體之下部的插塞或帽蓋。軸桿主體、板和插塞或帽蓋界定內部軸桿區域,該內部軸桿區域具有隔離環境。內部軸桿區域為真空環境。
根據本案揭示內容的這些和其他實施例提供了許多其他態樣和特徵。由下文的詳細描述、申請專利範圍及伴隨的圖式,會更為明瞭本案揭示內容的實施例的其他特徵和態樣。
本文描述的是吸盤(chuck)(例如,靜電吸盤)和加熱器的實施例,該吸盤與加熱器具有內部軸桿區域,該內部軸桿區域有隔離環境。吸盤及/或加熱器的內部軸桿區域的隔離環境保持在真空下或填充有惰性氣體,以防止氧化及/或板變形。
基板支撐組件(例如用於處理腔室(例如,沉積腔室、蝕刻腔室等)的吸盤(例如,靜電吸盤)和加熱器)通常在吸盤或加熱器的底部具有軸桿。在傳統上,軸桿的內表面暴露於空氣。軸桿的內表面對空氣(例如,氧氣)的暴露引發軸桿的至少一部分隨時間而被氧化。此外,加熱器和吸盤在處理期間經常被加熱,引發軸桿的長度改變。這能夠至少部分地歸因於內部軸桿區域內及/或介於內部軸桿區域與環繞軸桿的外部環境之間的溫度梯度及/或壓力梯度。例如,內部軸桿區域中可能存在溫度差,其中內部軸桿區域之頂部的溫度高於內部軸桿區域之底部的溫度,並且內部軸桿區域與外部環境之間可能存在壓力差。再者,板變形(例如,板(例如加熱器板)的膨脹、彎曲及/或拉伸)可能會發生,這是由於處理腔室內的環境條件(例如,高溫及/或壓力條件)所致,此為長時間暴露於高層級的應力的結果,該高層級的應力仍低於材料的降伏強度。長時間受熱的材料中可能會有更嚴重的板變形,特別是當材料接近其熔點並且軟化時。例如,由諸如鋁(Al)之金屬材料製成的板在溫度超過350°C時能特別容易因壓力差而變形。
為了解決至少上述缺點,本文所述的實施例提供具有內部軸桿區域的基板支撐組件(例如靜電吸盤或加熱器),該內部軸桿區域具有隔離環境。隔離環境保持在真空下,或是填充有惰性氣體。藉由將軸桿內部的隔離環境保持在真空下或填充有惰性氣體,能夠防止或減緩軸桿內部的氧化及/或軸桿內部的板變形。例如,對於具有由可能經受變形的材料製成的板(例如鋁板)的加熱器而言,內部軸桿區域能夠保持在真空條件,以減少或消除內部軸桿區域內的板變形和氧化(例如銅焊氧化(braze oxidation)),至少這是因為真空為不良的導熱體且缺乏空氣會防止內部軸桿區域內發生氧化。作為另一範例,對於具有由可能對變形不敏感的材料(例如,陶瓷材料)製成的板的靜電吸盤而言,能夠在內部軸桿區域中保持惰性氣體,以減少或消除內部軸桿區域中的氧化。
圖1是其中設置有基板支撐組件148的處理腔室100的一個實施例的剖視圖。處理腔室100包括腔室主體102和蓋104,該腔室主體102與蓋104包圍內部空間106。腔室主體102可以由鋁、不鏽鋼或其他合適的材料製造。腔室主體102一般包括側壁108和底部110。外襯墊116可設置成鄰近側壁108以保護腔室主體102。可用抗電漿或含鹵素氣體的材料製造及/或塗佈外襯墊116。在一個實施例中,外襯墊116由氧化鋁製造。在另一實施例中,外襯墊116由氧化釔、釔合金或上述各項之氧化物製造或塗佈。
排放通口126可界定於腔室主體102中,並且可以將內部空間106耦接泵系統128。泵系統128可包括一個或多個泵和節流閥,用於排空和調節處理腔室100的內部空間106的壓力。
可將蓋104支撐在腔室主體102的側壁108上。蓋104可開啟以容許進出處理腔室100的內部空間106,並且可在關閉時為處理腔室100提供密封。氣體控制盤(gas panel)158可耦接處理腔室100,以透過作為蓋104的一部分的氣體分配組件130將處理氣體及/或清潔氣體提供到內部空間106。處理氣體的範例可用於處理腔室中的製程,該處理氣體包括含鹵素氣體,特別是例如C 2F 6、SF 6、SiCl 4、HBr、NF 3、CF 4、CHF 3、CH 2F 3、Cl 2和SiF 4,以及其他氣體,例如O 2或N 2O。載氣的範例包括N 2、He、Ar和其他對處理氣體惰性的氣體(例如非反應性氣體)。氣體分配組件130可在氣體分配組件130的下游表面上具有多個隙縫132,以將氣流引導至基板144的表面。此外,氣體分配組件130能夠具有中心孔洞,在該處氣體透過陶瓷氣體噴嘴饋送。氣體分配組件130可由諸如碳化矽、氧化釔等的陶瓷材料製造及/或塗佈,以提供對含鹵素化學物質的抵抗力,而防止氣體分配組件130腐蝕。
基板支撐組件148設置在氣體分配組件130下方的處理腔室100的內部空間106中。基板支撐組件148在處理期間撐托基板144。可將內襯墊118塗佈在基板支撐組件148的周邊上。內襯墊118可為抗含鹵素氣體的材料,例如參考外襯墊116所討論的那些材料。在一個實施例中,內襯墊118可由與外襯墊116相同的材料製造。
在一個實施例中,基板支撐組件148包括安裝板162,該安裝板162支撐軸桿152,該軸桿152連接到靜電吸盤150。靜電吸盤150可包括或可不包括導熱基座164,該導熱基座164透過黏接件138黏接到陶瓷主體(稱作靜電圓盤(puck)166或陶瓷圓盤)。靜電圓盤166可由諸如氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al 2O 3)的陶瓷材料製造。安裝板162可耦接至腔室主體102的底部110,並且可以包括通道,以於將公用設施(例如,流體、電源線、感測器導線等)拉線(route)至導熱基座164和靜電圓盤166。在一個實施例中,安裝板162包括塑膠板、設施板及/或陰極底板。
導熱基座164及/或靜電圓盤166可包括一或多個視情況任選的嵌入式加熱元件176、嵌入式熱隔離器174及/或導管168、170,以控制基板支撐組件148的橫向溫度分佈曲線。如圖所示,熱隔離器174(也稱為斷熱器)從導熱基座164的上表面朝向導熱基座164的下表面延伸。導管168、170可流體耦接至流體源172,該流體源172使溫度調節流體循環通過導管168、170。
在一個實施例中,嵌入式熱隔離器174可設置在導管168、170之間。加熱器176是由加熱器電源178所調控。導管168、170和加熱器176可用於控制導熱基座164的溫度,藉此加熱及/或冷卻靜電圓盤166和正受處理的基板(例如,晶圓)。靜電圓盤166和導熱基座164的溫度可透過使用複數個溫度感測器190、192進行監視,該等溫度感器190、192可透過使用控制器195進行監視。
靜電圓盤166可進一步包括多個氣體通道,例如溝槽、台面(mesa)和其他表面特徵,該等氣體通道可形成在靜電圓盤166的上表面中。氣體通道可透過圓盤166中鑽出的孔洞流體耦接至導熱氣體(諸如氦氣)源。在操作中,可在受控的壓力下將氣體提供到氣體通道中,以增強靜電圓盤166和基板144之間的熱傳遞。
靜電圓盤166包括由吸附電源182控制的至少一個夾持(clamping)電極180。夾持電極180(或設置在靜電圓盤166或導熱基座164中的其他電極)可進一步透過匹配電路188耦接至一或多個RF電源184、186,以用於保持處理腔室100內由處理氣體及/或其他氣體形成的電漿。源184、186通常能夠產生頻率為約50kHz至約3GHz、功率為多達約10,000瓦的RF訊號。
軸桿152可藉由黏接、銅焊或焊接而黏接靜電吸盤150。如圖所示,一或多條纜線(例如,用於連接到嵌入式加熱元件176、溫度感測器190、192、夾持電極180等)可運行穿過軸桿152的內部。軸桿152的內部也稱為內部軸桿區域,該軸桿152的內部具有在處理腔室100執行的處理運行期間及/或之間所保持的隔離環境。在一些實施例中,隔離環境是真空環境。在一些實施例中,隔離環境包括一或多種惰性氣體。例如,一種或多種惰性氣體能夠包括惰性氣體混合物。真空環境或惰性氣體可防止軸桿152的內部(例如,軸桿152的內部內的暴露的銅焊)被氧化及/或可防止軸桿152的內部及/或靜電吸盤150不會變形,如下文更詳細地討論。
圖2A描繪根據一些實施例的用於處理腔室內的基板支撐組件200的剖視圖。圖2B描繪基板支撐組件200的底部部分的透視圖(未顯示板)。例如,基板支撐組件200可用於圖1的處理腔室100中。在一些實施例中,基板支撐組件200包括加熱器。在一些實施例中,基板支撐組件200包括靜電吸盤,該靜電吸盤可包括一或多個嵌入式加熱元件。
如圖所示,基板支撐組件200包括板210。板210配置為接收基板或晶圓。例如,板210能夠具有從上向下的視角觀察呈現圓形的形狀以用於接收圓形基板。板210能夠包括嵌入式加熱器。根據本文所述的實施例,板210能夠由任何合適的材料形成。在一些實施例中,板210包括金屬材料。例如,板210能夠包括鋁(Al)或鋁合金或由鋁(Al)或鋁合金所組成。在一些實施例中,板210包括陶瓷材料。例如,板210能夠包括下述各者或由下述各者組成:氮化鋁(例如AlN)、氧化鋁(例如Al 2O 3)及/或另一種陶瓷。在一些實施例中,板210是加熱器板,該加熱器板包括加熱器的一個或多個加熱電極。在這樣的實施例中,板210可以是金屬板,例如鋁板。在一個實施例中,加熱器板是一個大的加熱器電極。在一些實施例中,板210是吸盤(諸如靜電吸盤)的陶瓷板。在這樣的實施例中,板210可包括一或多個吸附電極、一或多個用於保持電漿製程的RF場的RF電極、及/或一個或多個加熱器電極。
板210附接軸桿主體215。更特定而言,板210能夠焊接或銅焊至軸桿主體215(例如,至軸桿主體215的腿部或側壁217)。在實施例中,軸桿主體215(例如,軸桿主體215的腿部或側壁217)能夠焊接或銅焊到凸緣(該凸緣可形成軸桿主體215的基底部分219)。例如,軸桿主體215能夠具有從上向下的視角觀察呈現圓形的形狀。軸桿主體215能夠由任何合適的材料形成。例如,軸桿主體215能夠由金屬材料(例如Al或Al合金)形成。
軸桿主體215的底部接觸插塞220,該插塞220形成於軸桿主體215的側壁或腿部217與軸桿主體215的基底部分219之間。或者,帽蓋可以形成於軸桿主體 215 的側壁或腿部217上方。插塞220(或帽蓋)能夠銅焊或焊接至軸桿主體215的腿部或側壁217。在一個實施例中,插塞 220(或帽蓋)黏接(例如,銅焊或焊接)至基底部分219。板210、軸桿主體215和插塞220(或帽蓋)一起形成具有自身隔離環境的內部軸桿區域230。如將在下面進一步詳細描述,插塞220或帽蓋將內部軸桿區域230與周圍大氣隔開,使內部軸桿區域230成為隔離環境。
在內部軸桿區域230內,數個電連接器240-1和240-2及/或熱電偶250可附接至板210並且形成為穿過插塞220或帽蓋。在多個實施例中,電連接器240-1、240-2及/或熱電偶250可以連接到板210內的電極。電連接器240-1和240-2可提供電力至板210(例如,嵌入式加熱器)及/或提供電力至板210內的電極。熱電偶250可實現用於測量板210之溫度的回饋迴圈,以控制板210的溫度。電連接器240-1和240-2能夠由導電(例如金屬)棒或管形成,該導電棒或管能夠由絕緣材料(例如陶瓷材料)所包覆。電連接器240-1和240-2以及熱電偶250各者能夠由實心或非空心桿或管形成。電連接器240-1和240-2以及熱電偶240能夠透過使用合適的銅焊材料(例如,銅焊合金)銅焊於板210。
電連接器240-1和240-2之至少一者及/或熱電偶250能夠形成為具有可撓連接,以實現可調整的長度。如在內部軸桿區域230內進一步所示,提供數個連接件260-1至260-3,每一連接件對應於電連接器240-1和240-2以及熱電偶250中的各別一者。例如,連接件260-1至260-3能夠是類似彈簧的物體,以接收電連接器240-1和240-2以及熱電偶250,並且相對於基板支撐組件200的運動膨脹和收縮。一些實施例中,連接件260-1至260-3是多點式(multilam)連接件。
在基板支撐組件200的操作期間,操作溫度可能非常高(例如,超過400°C)。若是板210是由在這種較高溫度下易於變形的材料(舉例而言,諸如鋁的金屬)形成,則內部軸桿區域230內及/或介於內部軸桿區域230與外部軸桿區域(及/或包括基板支撐組件200的處理腔室內部)之間的壓力差及/或溫度差能夠引起板210變形。為了解決這種情況,內部軸桿區域230能夠保持在足夠低的壓力環境中(稱為真空環境),以防止板210在操作期間變形。內部軸桿區域230的壓力可保持在與其中安裝有基板支撐組件200的處理腔室內所保持的壓力相同或相似的壓力。這可以減緩內部軸桿區域和處理腔室內部之間的壓力差。例如,如下文將參照圖3更詳細地描述,基板支撐組件200能夠在操作上耦接真空泵以保持內部軸桿區域230內的真空。插塞220或帽蓋可包括經由導管耦接真空泵的通道或泵送通口。透過泵送通口,真空泵可將內部軸桿區域230泵抽降壓(pump down)至目標壓力(例如,目標真空壓力)。或者,內部軸桿區域230可由插塞220或帽蓋氣密式密封,並且可在氣密式密封之前已被泵抽降壓至真空或接近真空的壓力位凖。在一些實施例中,內部軸桿區域230內的壓力能夠是從約0毫托耳(mTorr)到約3mTorr。
此外,在基板支撐組件200的操作期間,由於內部軸桿區域230內存在大氣氣體而造成的氧化作用能腐蝕內部軸桿區域230內的一或多個部件。例如,針對用於將電連接器240-1和240-2及/或熱電偶250連接到板210的銅焊連接,可能會發生銅焊的氧化。上文所述將內部軸桿區域230保持在足夠低的壓力環境(例如,真空環境)能夠進一步防止氧化,這是藉由從內部軸桿區域230移除大量的大氣氣體,以防止這些氣體與內部軸桿區域230上的銅焊交互作用。
或者,不在內部軸桿區域230內保持足夠低的壓力環境,而是使內部軸桿區域230能夠填充有至少一種不會隨時間腐蝕銅焊連接的惰性氣體。例如,至少一種惰性氣體能夠是包括多種惰性氣體的惰性氣體混合物。更特定而言,惰性氣體能夠是缺乏氧氣及/或鹵素的氣體。惰性氣體的範例包括氮氣(N 2)、稀有氣體如氬氣(Ar)、氖氣(Ne)、氪氣(Kr)、氙氣(Xe)、氡氣(Rn)等。使用惰性氣體或惰性氣體混合物而不是保持足夠低的壓力環境在板變形非受關注的情況下(例如,較低溫的環境)或是對於在高溫不易變形的板材料(例如,若板210由陶瓷材料形成)而言可為特別有用。在一些實施例中,在內部軸桿區域230內產生低壓或真空環境之後(例如,在抽真空之後),內部軸桿區域230以惰性氣體混合物回填。
插塞220(或帽蓋)能夠形成為封住內部軸桿區域230以防止大氣氣體進入內部軸桿區域230及/或防止惰性氣體混合物離開內部軸桿區域230。此外,將穿孔(對應於穿過插塞220(或帽蓋)形成電連接器240-1和240-2及熱電偶250)封住,以防止大氣氣體進入內部軸桿區域230及/或防止惰性氣體混合物離開內部軸桿區域230。例如,能夠將內部軸桿區域230製造成包括永久性的真空。
圖3是根據一些實施例的用於保持真空的系統300。如圖所示,系統300包括基板支撐組件200,該基板支撐組件200具有圖2的內部軸桿區域230。如進一步所示,系統包括真空泵320。真空泵320能夠包括耦接基板支撐組件200的泵送通口的軟管,以在內部軸桿區域230內保持足夠低的壓力環境。在一些實施例中,如圖進一步所示,系統300能夠進一步包括壓力感測器330,該壓力感測器能夠在操作上耦接基板支撐組件200和真空泵320。壓力感測器330能夠獲得內部軸桿區域230內的壓力測量值,確定壓力測量值是否超過閾值壓力測量值,並且回應於確定壓力測量值超過閾值壓力測量值而觸發真空泵將空氣泵送出內部軸桿區域230。能夠選擇閾值壓力測量值以作為用於防止氧化及/或板變形的最大容許壓力。在一些實施例中,閾值壓力測量值在約0mTorr至約3mTorr的範圍內選擇。例如,閾值壓力測量能夠是1mTorr,使得回應壓力感測器330確定測量值超過1mTorr而觸發(例如,開啟)真空。
圖4描繪根據一些實施例的用於保持真空的示範方法400的流程圖。例如,方法400能夠由壓力感測器執行,諸如上文參照圖3描述的壓力感測器330。
在方塊410,獲得內部軸桿區域內的壓力測量值。更特定而言,能夠藉由壓力感測器監視內部軸桿區域內的壓力以獲得壓力測量值。
在方塊420,確定壓力測量值是否超過閾值壓力測量值。能夠選擇閾值壓力測量值作為用於防止氧化及/或板變形的最大容許壓力。在一些實施例中,閾值壓力測量值在約0mTorr至約3mTorr的範圍內選擇。例如,閾值壓力測量值能夠是1mTorr。
如果壓力測量值沒有超過閾值壓力測量值(例如,壓力測量值小於或等於閾值壓力測量值),這意味著壓力測量值沒有超過用於防止氧化及/或板變形的最大容許壓力。因此,該程序能夠返回方塊410,以繼續監視內部軸桿區域內的壓力。
相反地,如果壓力測量值超過閾值壓力測量值(例如,壓力測量值大於閾值壓力測量值),這意味著存在氧化及/或板變形的風險。為了降低內部軸桿區域內的壓力,在方塊430,能夠觸發真空泵以將空氣泵送出內部軸桿區域。真空泵能夠包括耦接基板支撐組件的泵送通口的軟管,以在內部軸桿區域內保持足夠低的壓力環境。更特定而言,真空泵能夠將內部軸桿區域的壓力降低到目標壓力(例如,目標真空壓力)。在內部軸桿區域中的壓力降低之後,壓力監測程序能夠在方塊410處重新開始。
前文的描述提出許多特定細節,例如特定系統、部件、方法等的範例,以便提供對本發明的若干實施例的良好理解。然而,對於本領域中熟悉技術者而言顯而易見的是,可在沒有這些特定細節的情況下實施本發明的至少一些實施例。在其他情況下,已知的部件或方法未被詳細地描述或是以簡單的方塊圖格式呈現,以避免非必要地混淆了本發明。因此,所提出的特定細節僅僅是示範性的。特定的實施方式可與這些示範性細節有所不同,且仍被認為在本發明的範疇內。
此說明書全文中對「一個實施例」或「一實施例」的參照意味著結合該實施例描述的特定特徵、結構或特性是包括在至少一個實施例中。因此,此說明書全文各處出現的詞彙「在一個實施例中」或「在一實施例中」不一定都是指相同的實施例。此外,希望術語「或」意味包含性的「或」而不是排他性的「或」。當本文使用術語「約」或「近似」時,是希望所表示的標稱值精確到±25%以內。
儘管本文的方法之操作是以特定的順序顯示及描述,但是每一方法之操作的順序可改變而使得某些操作可以依照相反的順序執行,或者使得某些操作可至少部分地與其他操作同步執行。在另一個實施例中,不同操作的指令或子操作可以是間歇及/或交替的方式。
應理解,希望上文的描述是說明性的,而不是限制性的。在閱讀和理解上文的描述後,許多其他實施例對於本領域中熟悉技術者而言是顯而易見的。因此,本發明的範疇應參照所附之申請專利範圍以及請求項所賦予的等效例的全部範疇來決定。
100:處理腔室 102:腔室主體 104:蓋 106:內部空間 108:側壁 110:底部 116:外襯墊 118:內襯墊 126:排放通口 128:泵送系統 130:氣體分配組件 132:孔隙 138:黏接件 144:基板 148:基板支撐組件 150:靜電吸盤 152:軸桿 158:氣體控制盤 162:安裝板 164:導熱基座 166:靜電圓盤 168:導管 170:導管 172:流體源 174:熱隔離器 176:加熱器 178:加熱器電源 180:夾持電極 182:吸附電源 184:RF電源 186:RF電源 188:匹配電路 190:溫度感測器 192:溫度感測器 195:控制器 200:基板支撐組件 210:板 215:軸桿主體 217:側壁 219:基底部分 220:插塞 230:內部軸桿區域 240-1,214-2:電連接器 260:連接件 260-1,260-2,260-3:連接件 300:系統 320:真空泵 330:壓力感測器 400:方法 410,420,430:方塊
本發明以示範方式而非限制方式在伴隨的圖式的圖中進行說明,在圖式中,類似的元件符號表示相似的元件。應注意,在本案揭示內容中對「一」或「一個」實施例的不同參照不必然是指相同的實施例,並且這樣的參照表示至少一個。
圖1描繪處理腔室的一個實施例的剖視圖。
圖2A和2B描繪根據一些實施例的用於處理腔室內的基板支撐組件的視圖。
圖3描繪根據一些實施例的用於保持真空的系統的方塊圖。
圖4描繪根據一些實施例的用於保持真空的示範性方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:基板支撐組件
210:板
215:軸桿主體
217:側壁
219:基底部分
220:插塞
230:內部軸桿區域
240-1,214-2:電連接器
260-1,260-2,260-3:連接件

Claims (20)

  1. 一種基板支撐組件,包括: 一軸桿主體; 一板,附接至該軸桿主體之一上部;以及 一插塞或帽蓋,附接至該軸桿主體之一下部; 其中該軸桿主體、該板和該插塞或帽蓋界定一內部軸桿區域,該內部軸桿區域具有一隔離環境;且 其中該隔離環境為一真空環境。
  2. 如請求項1所述之基板支撐組件,其中該板是一靜電吸盤(chuck)。
  3. 如請求項1所述之基板支撐組件,其中該板是一加熱器板。
  4. 如請求項1所述之基板支撐組件,其中該板包括一金屬材料或一陶瓷材料之至少一者。
  5. 如請求項1所述之基板支撐組件,進一步包括: 一電連接器,銅焊(braze)至該板且形成為穿過該插塞或帽蓋;及 一熱電偶,銅焊至該板且形成為穿過該插塞或帽蓋; 其中該真空環境減少銅焊氧化。
  6. 如請求項1所述之基板支撐組件,其中該內部軸桿區域氣密式密封而保持該真空環境。
  7. 如請求項1所述之基板支撐組件,其中該內部軸桿區域配置成連接一真空泵而保持該真空環境。
  8. 一種基板支撐組件,包括: 一軸桿主體; 一板,附接至該軸桿主體之一上部;以及 一插塞或帽蓋,附接至該軸桿主體之一下部; 其中該軸桿主體、該板和該插塞或帽蓋界定一內部軸桿區域,該內部軸桿區域具有一隔離環境;且 其中該隔離環境包括一惰性氣體。
  9. 如請求項8所述之基板支撐組件,其中該板是一靜電吸盤。
  10. 如請求項8所述之基板支撐組件,其中該板是一加熱器板。
  11. 如請求項8所述之基板支撐組件,其中該板包括一金屬材料或一陶瓷材料之至少一者。
  12. 如請求項8所述之基板支撐組件,其中該內部軸桿區域氣密式密封而保持該隔離環境內的該惰性氣體。
  13. 如請求項8所述之基板支撐組件,進一步包括: 一電連接器,銅焊至該板且形成為穿過該插塞或帽蓋;及 一熱電偶,銅焊至該板且形成為穿過該插塞或帽蓋; 其中該惰性氣體減少銅焊氧化。
  14. 如請求項13所述之基板支撐組件,進一步包括: 一第一連接件,位在該內部軸桿區域內,連接至該電連接器;及 一第二連接件,位在該內部軸桿區域內,連接至該熱電偶。
  15. 一種處理腔室,包括: 一基板支撐組件,該基板支撐組件包括: 一軸桿主體; 一板,附接至該軸桿主體之一上部;以及 一插塞或帽蓋,附接至該軸桿主體之一下部; 其中該軸桿主體、該板和該插塞或帽蓋界定一內部軸桿區域,該內部軸桿區域具有一隔離環境;且 其中該隔離環境為一真空環境。
  16. 如請求項15所述之處理腔室,其中該板是一靜電吸盤或一加熱器板。
  17. 如請求項15所述之處理腔室,其中該板包括一金屬材料或一陶瓷材料之至少一者。
  18. 如請求項15所述之處理腔室,進一步包括: 一電連接器,附接至該板且形成為穿過該插塞或帽蓋;及 一熱電偶,附接至該板且形成為穿過該插塞或帽蓋; 其中該惰性氣體或真空環境減少銅焊氧化。
  19. 如請求項15所述之處理腔室,其中該內部軸桿區域氣密式密封而保持該真空環境。
  20. 如請求項15所述之處理腔室,進一步包括: 一真空泵,在操作上耦接該基板支撐組件;及 一壓力感測器,在操作上耦接該真空泵與該基板支撐組件,其中該壓力感測器進行: 獲得該內部軸桿區域內的一壓力測量值; 確定該壓力測量值是否超過一閾值壓力測量值;及 回應於確定該壓力測量值超過該閾值壓力測量值,而觸發該真空泵將空氣泵送出該內部軸桿區域。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4736564B2 (ja) * 2005-06-23 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 載置台装置の取付構造及び処理装置
US20100184290A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Applied Materials, Inc. Substrate support with gas introduction openings
KR20120019620A (ko) * 2010-08-26 2012-03-07 (주)티티에스 서셉터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US9644796B2 (en) * 2011-09-29 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
KR102446229B1 (ko) * 2018-04-12 2022-09-22 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치

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