TW202328778A - 附相位差層之偏光板及使用其之圖像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有較高之耐光性及耐久性之附相位差層之偏光板。 本發明之實施方式之附相位差層之偏光板具有包含偏光元件之偏光板及相位差層，且為矩形。該附相位差層之偏光板之長邊方向與該相位差層之慢軸方向平行。

Description

附相位差層之偏光板及使用其之圖像顯示裝置
本發明係關於一種附相位差層之偏光板及使用其之圖像顯示裝置。
近年來，以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如，有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)為代表之圖像顯示裝置正在急速普及。於圖像顯示裝置中，代表性地使用有偏光板及相位差板。於實用上，廣泛使用有將偏光板與相位差板一體化而成之附相位差層之偏光板(例如，專利文獻1)。伴隨著對圖像顯示裝置之薄型化之期望增強，對於附相位差層之偏光板，薄型化之期望亦在增強。以附相位差層之偏光板之薄型化為目的，相位差膜之薄型化不斷推進。又，為了評價相位差膜之耐久性，所製作之相位差膜被供於各種評價試驗。就薄型之相位差膜而言，有時耐久性(例如，耐光性)之降低成為問題。因此，要求具備較高之耐光性及耐久性之附相位差層之偏光板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3325560號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述先前之問題而完成者，其主要目的在於提供一種具有較高之耐光性及耐久性之薄型附相位差層之偏光板。 [解決問題之技術手段]
本發明之附相位差層之偏光板係具有包含偏光元件之偏光板及相位差層且為矩形者，該附相位差層之偏光板之長邊方向與該相位差層之慢軸方向平行。 於一個實施方式中，上述偏光元件之硼酸含量為25重量%以下。 於一個實施方式中，上述偏光元件之吸收軸與上述附相位差層之偏光板之長邊方向所成之角度為35°～55°。 於一個實施方式中，上述附相位差層之偏光板之長邊之長度與短邊之長度之比為1.1～2.2。 於一個實施方式中，上述相位差層為具有圓偏光功能或橢圓偏光功能之液晶化合物之配向固化層。 於一個實施方式中，上附相位差層之偏光板於50℃、50%RH條件下照射100小時氙光時之短邊方向之尺寸收縮率為0.076%以上。 於一個實施方式中，上述附相位差層之偏光板之總厚度為60 μm以下。 於本發明之另一態樣中，提供一種圖像顯示裝置。該圖像顯示裝置具備上述附相位差層之偏光板。 於一個實施方式中，上述圖像顯示裝置為有機電致發光顯示裝置或無機電致發光顯示裝置。 [發明之效果]
根據本發明之實施方式，能夠提供一種具有較高之耐光性及耐久性之薄型之附相位差層之偏光板。
以下，對本發明之實施方式進行說明，但本發明並不限定於該等實施方式。
(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內之折射率成為最大之方向(即慢軸方向)之折射率，「ny」係於面內與慢軸正交之方向(即快軸方向)之折射率，「nz」係厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係23℃下之由波長λnm之光測定所得之面內相位差。例如，「Re(550)」係23℃下之由波長550 nm之光測定所得之面內相位差。於將層(膜)之厚度設定為d(nm)時，Re(λ)藉由式：Re(λ)＝(nx－ny)×d來求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係23℃下之由波長λnm之光測定所得之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係23℃下之由波長550 nm之光測定所得之厚度方向之相位差。於將層(膜)之厚度設定為d(nm)時，Rth(λ)藉由式：Rth(λ)＝(nx－nz)×d來求出。 (4)Nz係數 Nz係數藉由Nz＝Rth/Re來求出。 (5)角度 本說明書中於言及角度時，該角度包含相對於基準方向為順時針方向及逆時針方向這兩者。因此，例如「45°」係指±45°。
A.附相位差層之偏光板之整體構成 圖1係本發明之一個實施方式之附相位差層之偏光板之概略剖視圖。圖示例之附相位差層之偏光板100自視認側起依序具有偏光板10、相位差層20及黏著劑層30。偏光板10代表性地包含偏光元件11及配置於偏光元件11之視認側之保護層12。根據目的，亦可於偏光元件11之與視認側相反之側(偏光元件11之未積層保護層12之面)設置另一保護層(未圖示)。相位差層20代表性地為具有圓偏光功能或橢圓偏光功能之液晶化合物之配向固化層(以下，有時簡稱為液晶配向固化層)。附相位差層之偏光板設置有黏著劑層30作為最外層，被製成可貼附於圖像顯示裝置(實質上為圖像顯示單元)。於實用上，較佳為於黏著劑層30之表面暫時黏貼有剝離襯墊直至偏光板被供於使用為止。藉由暫時黏貼剝離襯墊，能夠適宜地保護黏著劑層。
本發明之實施方式之附相位差層之偏光板為矩形，具有短邊及長邊。附相位差層之偏光板之長邊之長度與短邊之長度之比(長邊之長度/短邊之長度)例如為超過1之值，較佳為1.1～3.0，更佳為1.3～2.7，進而較佳為1.5～2.5。藉由附相位差層之偏光板之長邊之長度與短邊之長度之比為上述範圍，能夠抑制因太陽光而引起之相位差之降低等劣化，提供具有較高之耐光性及耐久性之附相位差層之偏光板。
於本發明之實施方式中，附相位差層之偏光板100之長邊方向與相位差層20之慢軸方向平行。如上所述，附相位差層之偏光板於氙光照射試驗之條件下可能產生附相位差層之偏光板之尺寸收縮。該尺寸收縮存在於短邊方向上變得更大之傾向，伴隨著收縮，相位差層亦可能於短邊方向上更大地收縮。因此，有相位差降低、可靠性降低之虞。藉由附相位差層之偏光板100之長邊方向與相位差層20之慢軸方向平行，伴隨著附相位差層之偏光板之收縮，相位差層向單軸性上升之方向進行收縮，相位差可上升。因此，因尺寸收縮而引起之相位差之降低與伴隨單軸性之上升之相位差之提高可取得均衡。其結果為，能夠抑制因氙光照射試驗而引起之相位差之降低等劣化，提供具有較高之耐光性及耐久性之附相位差層之偏光板。本說明書中「平行」不僅包含完全平行之情況，還包含附相位差層之偏光板之長邊方向與相位差層之慢軸方向所成之角度大致平行、例如為-5°～5°之情況。
偏光元件11之吸收軸與附相位差層之偏光板100之長邊方向所成之角度較佳為35°～55°，更佳為40°～50°，進而較佳為42°～48°，尤佳為約45°。藉由偏光元件11之吸收軸與附相位差層之偏光板100之長邊方向所成之角度為上述範圍，能夠進一步抑制因太陽光而引起之相位差之降低等劣化，提供具有較高之耐光性及耐久性之附相位差層之偏光板。
附相位差層之偏光板於55℃、50%RH條件下照射100小時氙光時之短邊方向之尺寸收縮率較佳為0.076%以上，更佳為0.090%以上，進而較佳為0.12%以上。短邊方向之尺寸收縮例如為0.16%以下。藉由短邊方向之尺寸收縮為上述範圍，因尺寸收縮而引起之相位差之降低與伴隨單軸性之上升之相位差之提高可取得均衡。其結果為，能夠抑制因氙光照射試驗而引起之相位差之降低等劣化，提供具有較高之耐光性及耐久性之附相位差層之偏光板。本說明書中，所謂短邊方向之尺寸收縮率係指相對於附相位差層之偏光板，於黑面板溫度55℃、濕度55%RH之條件下照射100小時氙光後用XY測長機測定附相位差層之偏光板之短邊方向之收縮距離(mm)，使用該收縮距離由下述式算出之氙光照射試驗前後之附相位差層之偏光板之短邊方向之收縮率。 短邊方向之收縮率＝(短邊方向之收縮距離)/(氙光照射前之短邊之長度)×100
相位差層20較佳為液晶配向固化層。相位差層20可為單層，亦可具有第1液晶配向固化層與第2液晶配向固化層之積層結構。
附相位差層之偏光板亦可進而設置不同於相位差層20之另一相位差層及/或導電層或附導電層之各向同性基材(均未圖示)。另一相位差層代表性地設置於相位差層20與黏著劑層30之間(即相位差層20之外側)。另一相位差層代表性地折射率特性顯示出nz＞nx＝ny之關係。導電層或附導電層之各向同性基材代表性地設置於相位差層20與黏著劑層30之間。另一相位差層以及導電層或附導電層之各向同性基材代表性地自相位差層20側起依序設置。另一相位差層以及導電層或附導電層之各向同性基材係根據需要而設置之任意之層，亦可省略任一者或兩者。於設置導電層或附導電層之各向同性基材之情形時，附相位差層之偏光板可應用於在圖像顯示單元(例如，有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂之內嵌式觸控面板型輸入顯示裝置。
另一相位差層之光學特性(例如，折射率特性、面內相位差、Nz係數、光彈性模數)、厚度、配置位置等可根據目的而適宜設定。
附相位差層之偏光板之總厚度較佳為100 μm以下，更佳為60 μm以下，進而較佳為55 μm以下，進一步更佳為50 μm以下，尤佳為40 μm以下。總厚度例如可為28 μm以上。根據本發明之實施方式，能夠實現如此極薄之附相位差層之偏光板。又，此種附相位差層之偏光板可具有極優異之可撓性及彎折耐久性。因此，此種附相位差層之偏光板可特別適宜應用於彎曲之圖像顯示裝置及/或可彎折或摺疊之圖像顯示裝置。再者，附相位差層之偏光板之總厚度係指偏光板、相位差層(於存在另一相位差層之情形時，相位差層及另一相位差層)及用於將該等積層之接著劑層或黏著劑層之厚度之合計(即附相位差層之偏光板之總厚度不包含導電層或附導電層之各向同性基材、以及黏著劑層30及可暫時黏貼於其表面之剝離襯墊之厚度)。
以下，對附相位差層之偏光板之構成要素更詳細地進行說明。
B.偏光板 B-1.偏光元件 偏光元件代表性地由包含二色性物質之聚乙烯醇(PVA)系樹脂膜構成。偏光元件之厚度較佳為1 μm～8 μm，更佳為1 μm～7 μm，進而較佳為2 μm～5 μm。若偏光元件之厚度為此種範圍，則可大大有助於附相位差層之偏光板之薄型化。進而，於使用此種偏光元件之薄型之附相位差層之偏光板中，本發明之效果顯著。
偏光元件之硼酸含量較佳為25重量%以下，更佳為11重量%～25重量%，進而較佳為12重量%～25重量%。若偏光元件之硼酸含量為此種範圍，則能夠抑制因氙光照射試驗而引起之相位差之降低等劣化，能夠提供具有較高之耐光性及耐久性之附相位差層之偏光板。又，能夠良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲曲，並且改善加熱時之外觀耐久性。硼酸含量例如可由中和法使用下述式作為每單位重量之偏光元件中所含之硼酸量來算出。 [數1]
偏光元件之碘含量較佳為2重量%以上，更佳為2重量%～10重量%。若偏光元件之碘含量為此種範圍，則藉由與上述之硼酸含量之協同效應，能夠良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲曲，並且改善加熱時之外觀耐久性。本說明書中所謂「碘含量」係指偏光元件(PVA系樹脂膜)中所含之全部之碘之量。更具體而言，於偏光元件中碘以碘離子(I -)、碘分子(I 2)、多碘離子(I 3 -、I 5 -)等形態存在，本說明書中之碘含量係指包含該等全部形態之碘之量。碘含量例如可藉由螢光X射線分析之標準曲線法來算出。再者，多碘離子於偏光元件中以形成PVA-碘錯合物之狀態存在。藉由形成此種錯合物，於可見光之波長範圍內可表現出吸收二色性。具體而言，PVA與三碘化物離子之錯合物(PVA･I 3 -)於470 nm附近具有吸光峰，PVA與五碘化物離子之錯合物(PVA･I 5 -)於600 nm附近具有吸光峰。結果為，多碘離子根據其形態於可見光之廣泛之範圍內可吸收光。另一方面，碘離子(I -)於230 nm附近具有吸光峰，實質上不參與可見光之吸收。因此，以與PVA之錯合物之狀態存在之多碘離子可主要參與偏光元件之吸收性能。
偏光元件較佳為於波長380 nm～780 nm之任一波長下顯示出吸收二色性。偏光元件之單體透過率Ts較佳為40%～48%，更佳為41%～46%。偏光元件之偏光度P較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。上述單體透過率代表性地使用紫外可見分光光度計進行測定且進行了視感度修正之Y值。上述偏光度代表性地基於使用紫外可見分光光度計進行測定並進行了視感度修正之平行透過率Tp及正交透過率Tc，藉由下述式來求出。 偏光度(%)＝{(Tp－Tc)/(Tp＋Tc)} 1/2×100
偏光元件代表性地可使用兩層以上之積層體來製作。作為使用積層體而獲得之偏光元件之具體例，可例舉使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件例如可藉由以下方式來製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材上並使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；將該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光元件。延伸代表性地包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中進行延伸。進而，延伸根據需要可進而包含於硼酸水溶液中之延伸之前將積層體於高溫(例如，95℃以上)下進行空中延伸。所獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即，亦可將樹脂基材作為偏光元件之保護層)，亦可將樹脂基材自樹脂基材/偏光元件之積層體剝離，並於該剝離面積層與目的相應之任意適當之保護層來使用。此種偏光元件之製造方法之詳細情況例如記載於日本專利特開2012-73580號公報、日本專利第6470455號中。該等公報之整體之記載作為參考被援引於本說明書中。
偏光元件之製造方法代表性地包含：於長條狀之熱塑性樹脂基材之單側形成包含鹵化物及聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層而製成積層體；以及對上述積層體依序實施空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及藉由一面沿長度方向進行搬送一面進行加熱而沿寬度方向收縮2%以上之乾燥收縮處理。藉此，可提供非常薄型、具有優異之光學特性並且光學特性之不均得到抑制之偏光元件。即，藉由導入輔助延伸，即便於熱塑性樹脂上塗佈PVA之情形時，亦能夠提高PVA之結晶性，能夠達成較高之光學特性。又，藉由同時於事先提高PVA之配向性，從而於之後之染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時，能夠防止PVA之配向性之降低或溶解等問題，能夠達成較高之光學特性。進而，於將PVA系樹脂層浸漬於液體中之情形時，與PVA系樹脂層不含鹵化物之情況相比，可抑制聚乙烯醇分子之配向之紊亂、及配向性之降低。藉此，可提高經由染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中進行之處理步驟而獲得之偏光元件之光學特性。進而，藉由利用乾燥收縮處理使積層體沿寬度方向收縮，能夠提高光學特性。
B-2.保護層 保護層12由可作為偏光元件之保護層使用之任意適當之膜形成。作為成為該膜之主要成分之材料之具體例，可例舉三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等透明樹脂等。又，亦可例舉(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、矽酮系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。除此以外，例如亦可例舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有於側鏈上具有經取代或未經取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂及於側鏈上具有經取代或未經取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂之樹脂組合物，例如可例舉具有包含異丁烯及N-甲基馬來醯亞胺之交替共聚物及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。
附相位差層之偏光板如下所述代表性地配置於圖像顯示裝置之視認側，保護層12代表性地配置於其視認側。因此，對於保護層12，根據需要亦可實施硬塗處理、抗反射處理、抗黏連處理、防眩處理等表面處理。進而/或者，對於保護層12，根據需要亦可實施改善隔著偏光太陽眼鏡來視認之情形時之視認性之處理(代表性地，賦予(楕)圓偏光功能、賦予超高相位差)。藉由實施此種處理，即便隔著偏光太陽鏡等偏光透鏡來視認顯示畫面之情形時，亦能夠實現優異之視認性。因此，附相位差層之偏光板亦可適宜應用於可於屋外使用之圖像顯示裝置。
保護層之厚度較佳為10 μm～50 μm，更佳為10 μm～30 μm。再者，於實施表面處理之情形時，外側保護層之厚度為包含表面處理層之厚度在內之厚度。
C.相位差層 如上所述，相位差層20代表性地具有圓偏光功能或橢圓偏光功能。相位差層代表性地折射率特性顯示出nx＞ny＝nz之關係。相位差層代表性地為了對偏光板賦予抗反射特性而設置，於相位差層為單層之情形時可作為λ/4板發揮功能。該情形時，相位差層之面內相位差Re(550)較佳為100 nm～190 nm，更佳為110 nm～170 nm，進而較佳為130 nm～160 nm。再者，此處，「ny＝nz」不僅包含ny與nz完全相等之情況，亦包含實質上相等之情況。因此，於不損害本發明之效果之範圍內，有時可成為ny＞nz或ny＜nz。相位差層較佳為具有圓偏光功能或橢圓偏光功能之液晶化合物之配向固化層。
於相位差層20由單層構成之情形時，其厚度較佳為0.5 μm～7 μm，更佳為1 μm～5 μm。藉由使用液晶化合物，能夠以相較於樹脂膜格外薄之厚度實現與樹脂膜同等之面內相位差。
相位差層之Nz係數較佳為0.9～1.5，更佳為0.9～1.3。藉由滿足此種關係，於將所獲得之附相位差層之偏光板用於圖像顯示裝置之情形時，可達成非常優異之反射色相。
相位差層可顯示出相位差值根據測定光之波長變大之逆分散波長特性，亦可顯示出相位差值根據測定光之波長變小之正波長分散特性，還可顯示出相位差值根據測定光之波長基本不變化之平坦之波長分散特性。於一個實施方式中，相位差層顯示出逆分散波長特性。該情形時，相位差層之Re(450)/Re(550)較佳為0.8以上且未達1，更佳為0.8～0.95。若為此種構成，則能夠實現非常優異之抗反射特性。
相位差層20之慢軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度θ較佳為40°～50°，更佳為42°～48°，進而較佳為約45°。若角度θ為此種範圍，則如上所述藉由將相位差層製成λ/4板，可獲得具有非常優異之圓偏光特性(結果為非常優異之抗反射特性)之附相位差層之偏光板。
於另一實施方式中，相位差層20可具有第1液晶配向固化層與第2液晶配向固化層之積層結構。該情形時，可使第1液晶配向固化層及第2液晶配向固化層中之任一者作為λ/4板發揮功能，另一者作為λ/2板發揮功能。因此，第1液晶配向固化層及第2液晶配向固化層之厚度可按照獲得λ/4板或λ/2板之所期望之面內相位差之方式來調整。例如於第1液晶配向固化層作為λ/2板發揮功能、第2液晶配向固化層作為λ/4板發揮功能之情形時，第1液晶配向固化層之厚度例如為2.0 μm～3.0 μm，第2液晶配向固化層之厚度例如為1.0 μm～2.0 μm。該情形時，第1液晶配向固化層之面內相位差Re(550)較佳為200 nm～300 nm，更佳為230 nm～290 nm，進而較佳為250 nm～280 nm。第2液晶配向固化層之面內相位差Re(550)關於單層如上述說明。
第1液晶配向固化層之慢軸與偏光元件之吸收軸所成之角度較佳為10°～20°，更佳為12°～18°，進而較佳為約15°。第2液晶配向固化層之慢軸與偏光元件之吸收軸所成之角度較佳為70°～80°，更佳為72°～78°，進而較佳為約75°。若為此種構成，則能夠獲得接近理想之逆波長分散特性之特性，結果為，能夠實現非常優異之抗反射特性。
如上所述，相位差層20較佳為液晶化合物之配向固化層。藉由使用液晶化合物，能夠與非液晶材料相比格外增大所獲得之相位差層之nx與ny之差，因此能夠格外減小用於獲得所期望之面內相位差之相位差層之厚度。其結果為，能夠實現附相位差層之偏光板之進一步薄型化。本說明書中所謂「液晶配向固化層」係指液晶化合物於層內沿特定之方向配向且其配向狀態被固定之層。再者，「配向固化層」係包含如下所述使液晶單體硬化而獲得之配向硬化層之概念。
液晶化合物之配向固化層即相位差層可使用包含聚合性液晶化合物之組合物來形成。本說明書中組合物中所含之聚合性液晶化合物係指具有聚合性基且具有液晶性之化合物。聚合性基係指參與聚合反應之基，較佳為光聚合性基。此處，所謂光聚合性基係指藉由由光聚合起始劑產生之活性自由基或酸等可參與聚合反應之基。
液晶性之表現可為熱致型，亦可為溶致型。又，作為液晶相之構成，可為向列液晶，亦可為層列(smectic)液晶。就製造之容易性之觀點而言，液晶性較佳為熱致型之向列液晶。
於一個實施方式中，作為單層之相位差層使用包含下述式(1)所表示之液晶化合物之組合物來形成。 L 1-SP 1-A 1-D 3-G 1-D 1-Ar-D 2-G 2-D 4-A 2-SP 2-L 2(1)
L 1及L 2分別獨立地表示1價之有機基，L 1及L 2中之至少一者表示聚合性基。作為1價之有機基，包含任意適當之基。作為L 1及L 2中之至少一者所表示之聚合性基，可例舉自由基聚合性基(可自由基聚合之基)。作為自由基聚合性基，可使用任意適當之自由基聚合性基。較佳為丙烯醯基或甲基丙烯醯基。就聚合速度較快，生產性提高之觀點而言，較佳為丙烯醯基。甲基丙烯醯基亦可作為高雙折射性液晶之聚合性基同樣地使用。
SP 1及SP 2分別獨立地表示單鍵、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或構成碳數1～14之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基的1個以上-CH 2-被-O-取代所得之2價之連結基。作為碳數1～14之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，較佳可例舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基及伸己基。
A 1及A 2分別獨立地表示脂環式烴基或芳香族環取代基。A 1及A 2較佳為碳數6以上之芳香族環取代基或碳數6以上之環伸烷基環。
D 1、D 2、D 3及D 4分別獨立地表示單鍵或二價之連結基。具體而言，D 1、D 2、D 3及D 4表示單鍵、-O-CO-、-C(=S)O-、-CR 1R 2-、-CR 1R 2-CR 3R 4-、-O-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CR 3R 4-、-CO-O-CR 1R 2-、-O-CO-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CO-CR 3R 4-、-CR 1R 2-CO-O-CR 3R 4-、-NR 1-CR 2R 3-、或-CO-NR 1-。其中，D 1、D 2、D 3及D 4中之至少一者表示-O-CO-。其中，D 3較佳為-O-CO-，D 3及D 4更佳為-O-CO-。D 1及D 2較佳為單鍵。R 1、R 2、R 3及R 4分別獨立地表示氫原子、氟原子、或碳數1～4之烷基。
G 1及G 2分別獨立地表示單鍵或脂環式烴基。具體而言，G 1及G 2亦可表示未經取代或經取代之碳數5～8之2價之脂環式烴基。又，構成脂環式烴基之1個以上-CH 2-亦可被-O-、-S-或-NH-取代。G 1及G 2較佳為表示單鍵。
Ar表示芳香族烴環或芳香族雜環。Ar例如表示選自由下述式(Ar-1)～(Ar-6)所表示之基所組成之群中之芳香族環。再者，下述式(Ar-1)～(Ar-6)中，*1表示與D 1之鍵結位置，*2表示與D 2之鍵結位置。 [化1]
式(Ar-1)中，Q 1表示N或CH，Q 2表示-S-、-O-、或-N(R 5)-。R 5表示氫原子或碳數1～6之烷基。
式(Ar-1)～(Ar-6)中，Z 1、Z 2及Z 3分別獨立地表示氫原子、碳數1～20之1價之脂肪族烴基、碳數3～20之1價之脂環式烴基、碳數6～20之1價之芳香族烴基、鹵素原子、氰基、硝基、-NR 6R 7、或-SR 8。R 6～R 8分別獨立地表示氫原子或碳數1～6之烷基，Z 1及Z 2亦可彼此鍵結而形成環。環可為脂環式、雜環、及芳香族環中之任一者，較佳為芳香環。於所形成之環上，亦可取代有取代基。
式(Ar-2)及(Ar-3)中，A 3及A 4分別獨立地表示選自由-O-、-N(R 9)-、-S-、及-CO-所組成之群中之基，R 9表示氫原子或取代基。作為R 9所表示之取代基，可例舉與上述式(Ar-1)中之Y 1可具有之取代基相同者。
式(Ar-2)中，X表示氫原子或者未經取代或具有取代基之第14族～第16族之非金屬原子。作為X所表示之第14族～第16族之非金屬原子，例如可例舉氧原子、硫原子、未經取代或具有取代基之氮原子、未經取代或具有取代基之碳原子。作為取代基，可例舉與上述式(Ar-1)中之Y 1可具有之取代基相同者。
式(Ar-3)中，D 5及D 6分別獨立地表示單鍵、-O-CO-、-C(=S)O-、-CR 1R 2-、-CR 1R 2-CR 3R 4-、-O-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CR 3R 4-、-CO-O-CR 1R 2-、-O-CO-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CO-CR 3R 4-、-CR 1R 2-CO-O-CR 3R 4-、-NR 1-CR 2R 3-、或-CO-NR 1-。R 1、R 2、R 3及R 4如上所述。
式(Ar-3)中，SP 3及SP 4分別獨立地表示單鍵、碳數1～12之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或構成碳數1～12之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基的1個以上-CH 2-被-O-、-S-、-NH-、-N(Q)-、或-CO-取代所得之2價之連結基，Q表示聚合性基。
式(Ar-3)中，L 3及L 4分別獨立地表示1價之有機基，L 3及L 4以及上述式(1)中之L 1及L 2中之至少1個表示聚合性基。
式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ax表示具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環所組成之群中之至少1個芳香族環之碳數2～30之有機基。式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ax較佳為具有芳香族雜環，更佳為具有苯并噻唑環。式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ay表示氫原子、未經取代或可具有取代基之碳數1～6之烷基、或具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環所組成之群中之至少1個芳香族環之碳數2～30之有機基。式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ay較佳為表示氫原子。
式(Ar-4)～(Ar-6)中，Q 3表示氫原子、或未經取代或可具有取代基之碳數1～6之烷基。式(Ar-4)～(Ar-6)中，Q 3較佳為表示氫原子。
此種Ar中較佳可例舉上述式(Ar-4)或上述式(Ar-6)所表示之基(原子團)。
式(1)所表示之液晶化合物之具體例被揭示於國際公開第2018/123551號公報中。該公報之記載作為參考被援引於本說明書中。該等化合物可僅使用1種，亦可將2種以上組合使用。
包含液晶化合物之組合物較佳為包含聚合起始劑。作為聚合起始劑，可使用任意適當之聚合劑。較佳為藉由紫外線照射能夠起始聚合反應之光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可例舉α-羰基化合物(美國專利第2367661號、美國專利第2367670號之說明書記載)、偶姻醚(美國專利第2448828號說明書記載)、α-烴取代芳香族偶姻化合物(美國專利第2722512號說明書記載)、多核醌化合物(美國專利第3046127號、美國專利第2951758號之說明書記載)、三芳基咪唑二聚物與對胺基苯基酮之組合(美國專利第3549367號說明書記載)、㗁二唑化合物(美國專利第4212970號說明書記載)、及醯基氧化膦化合物(日本專利特公昭63-40799號公報、日本專利特公平5-29234號公報、日本專利特開平10-95788號公報、日本專利特開平10-29997號公報記載)。該公報之記載作為參考被援引於本說明書中。聚合起始劑可僅使用1種，亦可將2種以上組合使用。
就形成相位差層之作業性之觀點而言，包含液晶化合物之組合物較佳為包含溶劑。作為溶劑，可使用任意適當之溶劑，較佳為使用有機溶劑。
包含液晶化合物之組合物進而包含任意適當之其他成分。例如可例舉酚系抗氧化劑等抗氧化劑、上述以外之液晶化合物、調平劑、界面活性劑、傾角控制劑、配向助劑、塑化劑、及交聯劑等。
液晶配向固化層可藉由對特定之基材之表面實施配向處理，於該表面塗敷包含液晶化合物之組合物(塗敷液)並使該液晶化合物沿與上述配向處理相對應之方向配向，將該配向狀態固定來形成。於一個實施方式中，基材為任意適當之樹脂膜，形成於該基材上之液晶配向固化層可轉印至偏光板之表面。
作為上述配向處理，可採用任意適當之配向處理。具體而言，可例舉機械配向處理、物理配向處理、化學配向處理。作為機械配向處理之具體例，可例舉摩擦處理、延伸處理。作為物理配向處理之具體例，可例舉磁場配向處理、電場配向處理。作為化學配向處理之具體例，可例舉斜向蒸鍍法、光配向處理。各種配向處理之處理條件可根據目的而採用任意適當之條件。
液晶化合物之配向藉由根據液晶化合物之種類以顯示出液晶相之溫度進行處理來進行。藉由進行此種溫度處理，液晶化合物採取液晶狀態，該液晶化合物與基材表面之配向處理方向相應地發生配向。
配向狀態之固定於一個實施方式中藉由將如上所述配向之液晶化合物冷卻來進行。於液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體之情形時，配向狀態之固定藉由對如上所述配向之液晶化合物實施聚合處理或交聯處理來進行。
配向固化層之形成方法之詳細情況記載於日本專利特開2006-163343號公報中。該公報之記載作為參考被援引於本說明書中。
D.另一相位差層 另一相位差層如上所述可為折射率特性顯示出nz＞nx＝ny之關係之所謂之正C板。藉由使用正C板作為另一相位差層，能夠良好地防止傾斜方向之反射，能夠實現抗反射功能之廣視野角化。該情形時，另一相位差層之厚度方向之相位差Rth(550)較佳為-50 nm～-300 nm，更佳為-70 nm～-250 nm，進而較佳為-90 nm～-200 nm，尤佳為-100 nm～-180 nm。此處，「nx＝ny」不僅包含nx與ny嚴格相等之情況，亦包含nx與ny實質上相等之情況。即，另一相位差層之面內相位差Re(550)可為未達10 nm。
具有nz＞nx＝ny之折射率特性之另一相位差層可由任意適當之材料來形成。另一相位差層較佳為包含含有被固定為垂直配向之液晶材料之膜。能夠垂直配向之液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。作為該液晶化合物及該相位差層之形成方法之具體例，可例舉日本專利特開2002-333642號公報之[0020]～[0028]中記載之液晶化合物及該相位差層之形成方法。該情形時，另一相位差層之厚度較佳為0.5 μm～10 μm，更佳為0.5 μm～8 μm，進而較佳為0.5 μm～5 μm。
E.黏著劑層 作為構成黏著劑層30之黏著劑，可使用任意適當之黏著劑。作為黏著劑，可例舉橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚乙烯醇系黏著劑、聚乙烯基吡咯啶酮系黏著劑、聚丙烯醯胺系黏著劑、纖維素系黏著劑等。該等黏著劑中，較佳為使用光學透明性優異、顯示出適宜之潤濕性及凝聚性及接著性之黏著特性、耐候性及耐熱性等優異之黏著劑。作為顯示出此種特徵之黏著劑，較佳為使用丙烯酸系黏著劑。
F.導電層或附導電層之各向同性基材 導電層可藉由任意適當之成膜方法(例如，真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沈積)法、離子鍍覆法、噴霧法等)，於任意適當之基材上成膜金屬氧化物膜而形成。作為金屬氧化物，例如可例舉氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物。其中較佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。
於導電層包含金屬氧化物之情形時，該導電層之厚度較佳為50 nm以下，更佳為35 nm以下。導電層之厚度之下限較佳為10 nm。
導電層可自上述基材被轉印至相位差層(於存在之情形時為另一相位差層)以導電層單獨被製成附相位差層之偏光板之構成層，亦可以與基材之積層體(附導電層之基材)之形式積層於相位差層(於存在之情形時為另一相位差層)。較佳為上述基材於光學上為各向同性，因此導電層可以附導電層之各向同性基材之形式用於附相位差層之偏光板。
作為於光學上為各向同性之基材(各向同性基材)，可採用任意適當之各向同性基材。作為構成各向同性基材之材料，例如可例舉以降𦯉烯系樹脂或烯烴系樹脂等不具有共軛系之樹脂作為主骨架之材料、於丙烯酸系樹脂之主鏈中具有內酯環或戊二醯亞胺環等環狀結構之材料等。若使用此種材料，則於形成各向同性基材時，能夠將伴隨分子鏈之配向之相位差之表現抑制得較小。各向同性基材之厚度較佳為50 μm以下，更佳為35 μm以下。各向同性基材之厚度之下限例如為20 μm。
上述導電層及/或上述附導電層之各向同性基材之導電層可根據需要被圖案化。藉由圖案化，可形成導通部及絕緣部。結果為，可形成電極。電極可作為感知對觸控面板之接觸之觸控感測器電極發揮功能。作為圖案化方法，可採用任意適當之方法。作為圖案化方法之具體例，可例舉濕式蝕刻法、網版印刷法。
G.附相位差層之偏光板之製造方法 本發明之實施方式之附相位差層之偏光板可藉由任意適當之方法來製造。於一個實施方式中，附相位差層之偏光板可藉由下述方式來製作：將切斷成設計之尺寸之矩形之偏光板及相位差層按照該矩形之長邊方向與相位差層之慢軸方向平行之方式經由任意適當之接著劑進行積層。於將偏光板與相位差層積層時，可按照偏光元件之吸收軸與相位差層之慢軸成為特定之角度之方式積層。
於一個實施方式中，附相位差層之偏光板可藉由下述方式來製作：將大形(例如，長條狀)之偏光板及相位差層按照偏光元件之吸收軸與相位差層之慢軸成為特定之角度之方式經由任意適當之接著劑進行積層，繼而按照所獲得之附相位差層之偏光板之長邊方向與相位差層之慢軸平行之方式切斷成設計之尺寸之矩形。
H.圖像顯示裝置 上述A項至F項中記載之附相位差層之偏光板可應用於圖像顯示裝置。因此，本發明之實施方式包含使用此種附相位差層之偏光板之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可例舉液晶顯示裝置、電致發光(EL)顯示裝置(例如，有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)。本發明之實施方式之圖像顯示裝置於其視認側具備上述A項至F項中記載之附相位差層之偏光板。附相位差層之偏光板按照相位差層成為圖像顯示單元(例如，液晶單元、有機EL單元、無機EL單元)側之方式(偏光元件成為視認側之方式)積層。於一個實施方式中，圖像顯示裝置具有彎曲之形狀(實質上彎曲之顯示畫面)，及/或可彎折或摺疊。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明不受該等實施例之限定。各特性之測定方法如下所述。再者，只要無特別明確記載，則實施例及比較例中之「份」及「%」為重量基準。
(1)厚度 10 μm以下之厚度使用干涉膜厚計(大塚電子公司製造，製品名「MCPD-3000」)進行測定。超過10 μm之厚度使用數位測微計(ANRITSU公司製造，製品名「KC-351C」)進行測定。
(2)相位差降低 將實施例及比較例中獲得之附相位差層之偏光板之黏著劑層貼合於厚度為0.5 mm之玻璃板(80 mm×150 mm)而進行積層，利用相位差測定裝置(王子計測機器公司製造，製品名：KOBRA)測定相位差值(初始相位差值)。繼而，使用氙耐候性試驗機(東洋精機製作所公司製造，製品名：Atlas･Weather-Ometer Ci4400，內側濾光器：硼矽酸鹽 S型，外側濾光器：鹼石灰(soda lime))，於BP(黑面板)溫度55℃、濕度55%RH之條件下，於波長420 nm下以0.8 W/m 2之條件照射100小時氙。繼而，同樣地測定附相位差層之偏光板之相位差值，算出與初始相位差值之差，設定為相位差降低量。
(3)尺寸收縮 將實施例及比較例中獲得之附相位差層之偏光板之黏著劑層貼合於厚度為0.5 mm之玻璃板(80 mm×150 mm)而進行積層。繼而，使用氙耐候性試驗機(東洋精機製作所公司製造，製品名：Atlas･Weather-Ometer Ci4400，內側濾光器：硼矽酸鹽 S型，外側濾光器：鹼石灰)，於BP(黑面板)溫度55℃、濕度55%RH之條件下，於波長420 nm下以0.8 W/m 2之條件照射100小時氙。繼而，使用XY測長機(Mitutoyo公司製造，製品名：圖像測定機QVA1517-PRO AEIM(SP))測定附相位差層之偏光板之短邊側之尺寸收縮。將收縮量最大之部分設定為附相位差層之偏光板之尺寸收縮量。又，由所測定之尺寸收縮量使用下述式來算出收縮率。 短邊方向之收縮率＝(短邊方向之收縮距離)/(氙光照射前之短邊之長度)×100
[實施例1] [製造例1：偏光板之製作] 1.偏光元件之製作 作為熱塑性樹脂基材，使用長條狀、吸水率0.75%、Tg約75℃之非晶質之間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：100 μm)。對樹脂基材之單面實施電暈處理。 將於將聚乙烯醇(聚合度4200、皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改性PVA(日本合成化學工業公司製造，商品名「GOHSEFIMER Z410」)以9：1混合而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份所得者溶解於水中，製備PVA水溶液(塗佈液)。 藉由於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並於60℃下進行乾燥，形成厚度為13 μm之PVA系樹脂層，製作積層體。 將所獲得之積層體於130℃之烘箱內於圓周速度不同之輥間沿縱向(長度方向)進行自由端單軸延伸至2.4倍(空中輔助延伸處理)。 繼而，將積層體於液溫40℃之不溶化浴(相對於水100重量份調配4重量份硼酸而獲得之硼酸水溶液)中浸漬30秒鐘(不溶化處理)。 繼而，於液溫30℃之染色浴(相對於水100重量份將碘與碘化鉀以1：7之重量比調配而獲得之碘水溶液)中，一面按照最終獲得之偏光元件之單體透過率(Ts)成為43.0%以上之方式調整濃度一面浸漬60秒鐘(染色處理)。 繼而，於液溫40℃之交聯浴(相對於水100重量份調配3重量份碘化鉀、調配5重量份硼酸而獲得之硼酸水溶液)中浸漬30秒鐘(交聯處理)。 之後，將積層體一面於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度3.7重量%、碘化鉀濃度5重量%)中浸漬，一面於圓周速度不同之輥間沿縱向(長度方向)按照總延伸倍率成為5.5倍之方式進行單軸延伸(水中延伸處理)。 之後，將積層體浸漬於液溫20℃之洗淨浴(相對於水100重量份調配4重量份碘化鉀而獲得之水溶液)中(洗淨處理)。 之後，一面於保持為90℃之烘箱中進行乾燥，一面與表面溫度保持於75℃之SUS製之加熱輥接觸約2秒(乾燥收縮處理)。利用乾燥收縮處理之積層體之寬度方向之收縮率為5.2%。 如此，於樹脂基材上形成厚度5 μm之偏光元件(硼酸含量20重量%)。
2.偏光板之製作 於上述獲得之偏光元件之表面(與樹脂基材為相反側之面)，經由紫外線硬化型接著劑貼合HC-COP膜作為保護層。具體而言，按照硬化型接著劑之總厚度成為1.0 μm之方式進行塗敷，使用滾壓機進行貼合。之後，自保護層側照射UV光線使接著劑硬化。再者，HC-COP膜係於環烯烴(COP)膜(Nippon Zeon公司製造，製品名「ZF12」，厚度25 μm)形成有硬塗(HC)層(厚度2 μm)之膜，按照COP膜成為偏光元件側之方式進行貼合。繼而，將樹脂基材剝離，獲得具有保護層(HC層/COP膜)/接著劑層/偏光元件之構成之偏光板。
[製造例2：相位差層之製作] 將式(I)所示之化合物55重量份、式(II)所示之化合物25重量份及式(III)所示之化合物20重量份添加至環戊酮(CPN)400重量份中之後，加溫至60℃，攪拌而使其溶解。之後，將上述之化合物之溶液恢復至室溫，於上述之化合物之溶液中加入Irgacure 907(BASF Japan公司製造)3重量份、Megafac F-554(DIC公司製造)0.2重量份及對甲氧基苯酚(MEHQ)0.1重量份，進一步進行攪拌。攪拌後之溶液透明且均勻。將所獲得之溶液利用0.20 μm之膜濾器進行過濾，獲得聚合性組合物。 又，使用旋塗法將配向膜用聚醯亞胺溶液塗佈於厚度為0.7 mm之玻璃基材，於100℃下乾燥10分鐘後，於200℃下進行60分鐘焙燒，藉此獲得塗膜。藉由市售之摩擦裝置將所獲得之塗膜進行摩擦處理，形成配向膜。 繼而，藉由旋塗法於基材(實質上為配向膜)塗佈上述獲得之聚合性組合物，於100℃下乾燥2分鐘。將所獲得之塗佈膜冷卻至室溫後，使用高壓水銀燈，以30 mW/cm 2之強度照射30秒鐘紫外線，獲得液晶化合物之配向固化層即相位差層。相位差層之面內相位差Re(550)為130 nm。又，相位差層之Re(450)/Re(550)為0.851，顯示出逆分散波長特性。相位差層可作為λ/4板發揮功能。 [化2] [化3]
[製造例3：另一相位差層之製作] 將下述化學式(式中之數字65及35表示單體單元之莫耳%，為了方便起見以嵌段聚合物體表示：重量平均分子量5000)所示之側鏈型液晶聚合物20重量份、顯示出向列液晶相之聚合性液晶(BASF公司製造：商品名Paliocolor LC242)80重量份及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製造：商品名Irgacure 907)5重量份溶解於環戊酮200重量份中來製備液晶塗敷液。然後，藉由棒塗機於實施了垂直配向處理之PET基材塗敷該塗敷液後，於80℃下進行4分鐘加熱乾燥，藉此使液晶配向。對該液晶層照射紫外線，使液晶層硬化，藉此於基材上形成顯示出nz＞nx＝ny之折射率特性之第2相位差層(厚度3 μm)。 [化4]
於製造例1中獲得之偏光板之偏光元件表面，依序轉印製造例2中獲得之相位差層及製造例3中獲得之另一相位差層。此時，按照偏光元件之吸收軸與製造例2中獲得之相位差層之慢軸所成之角度成為45°之方式進行轉印(貼合)。再者，各個轉印(貼合)經由製造例1中使用之紫外線硬化型接著劑(厚度1.0 μm)來進行。如此，製作具有保護層(HC層/COP膜)/接著劑層/偏光元件/接著劑層/相位差層/接著劑層/另一相位差層之構成之積層體。繼而，按照附相位差層之偏光板之長邊方向與相位差層之慢軸平行之方式，將積層體切斷成長邊130 mm、短邊66 mm之矩形。
繼而，於另一相位差層表面設置黏著劑層(厚度5 μm)，獲得具有保護層(HC層/COP膜)/接著劑層/偏光元件/保護層(三乙醯纖維素膜)/接著劑層/相位差層/接著劑層/另一相位差層/黏著劑層之構成之附相位差層之偏光板。所獲得之附相位差層之偏光板之總厚度為100 μm。將所獲得之附相位差層之偏光板供於上述(2)及(3)之評價。將結果示於表1中。
[實施例2～4] 於偏光元件之製作步驟中，變更交聯處理步驟中使用之硼酸水溶液之濃度，獲得表1中記載之硼酸含量之偏光元件，除此以外，與實施例1同樣地製作附相位差層之偏光板。將所獲得之附相位差層之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1中。
(比較例1) 與實施例1同樣地，製作具有保護層(HC層/COP膜)/接著劑層/偏光元件/接著劑層/相位差層(相位差層/接著劑層/另一相位差層)之構成之積層體。繼而，按照附相位差層之偏光板之長邊方向與相位差層之慢軸正交之方式，將積層體切斷成長邊130 mm、短邊66 mm之矩形。
繼而，於另一相位差層表面設置黏著劑層(厚度15 μm)，獲得具有保護層(HC層/COP膜)/接著劑層/偏光元件/接著劑層/相位差層/接著劑層/另一相位差層/黏著劑層之構成之附相位差層之偏光板。所獲得之附相位差層之偏光板之總厚度為39.5 μm。將所獲得之附相位差層之偏光板供於上述(2)及(3)之評價。將結果示於表1中。
(比較例2～6) 於偏光元件之製作步驟中，變更交聯處理步驟中使用之硼酸水溶液之濃度，獲得表1中記載之硼酸含量之偏光元件，除此以外，與比較例1同樣地製作附相位差層之偏光板。將所獲得之附相位差層之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1中。
[表1]
   附相位差層之偏光板之長邊方向與相位差層之慢軸之角度 短邊側收縮量 (mm) 短邊側收縮率 (%) 偏光元件之硼酸濃度 (重量%) 相位差降低量 (nm)
實施例1 平行(0°) 0.1 0.15 20 -0.4
實施例2 0.08 0.12 18 -0.7
實施例3 0.06 0.09 16 -1.0
實施例4 0.05 0.08 13 -1.2
比較例1 正交(90°) 0.02 0.03 10 -2.1
比較例2 0.1 0.15 20 -1.8
比較例3 0.08 0.12 18 -1.6
比較例4 0.06 0.09 16 -1.5
比較例5 0.05 0.08 13 -1.4
比較例6 0.02 0.03 10 -1.3
[評價] 如由表1可明確，本發明之實施例之附相位差層之偏光板即便於被供於耐候性試驗之情形時亦可抑制相位差之降低，具有較高之耐光性及耐久性。 [產業上之可利用性]
本發明之附相位差層之偏光板可適宜作為液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置用之圓偏光板來使用。
10:偏光板 11:偏光元件 12:保護層 20:相位差層 30:黏著劑層 100:附相位差層之偏光板
圖1係本發明之一個實施方式之附相位差層之偏光板之概略剖視圖。
10:偏光板
11:偏光元件
12:保護層
20:相位差層
30:黏著劑層
100:附相位差層之偏光板

Claims (9)

  1. 一種附相位差層之偏光板，其係具有包含偏光元件之偏光板及相位差層且為矩形者， 該附相位差層之偏光板之長邊方向與該相位差層之慢軸方向平行。
  2. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述偏光元件之硼酸含量為25重量%以下。
  3. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述偏光元件之吸收軸與上述附相位差層之偏光板之長邊方向所成之角度為35°～55°。
  4. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述附相位差層之偏光板之長邊之長度與短邊之長度之比為1.1～3.0。
  5. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述相位差層為具有圓偏光功能或橢圓偏光功能之液晶化合物之配向固化層。
  6. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述附相位差層之偏光板於55℃、50%RH條件下照射100小時氙光時之短邊方向之尺寸收縮率為0.076%以上。
  7. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其總厚度為60 μm以下。
  8. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1之附相位差層之偏光板。
  9. 如請求項8之圖像顯示裝置，其為有機電致發光顯示裝置或無機電致發光顯示裝置。
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