TW202327178A

TW202327178A - 天線結構

Info

Publication number: TW202327178A
Application number: TW110147348A
Authority: TW
Inventors: 江啟名
Original assignee: 耀登科技股份有限公司
Priority date: 2021-12-17
Filing date: 2021-12-17
Publication date: 2023-07-01
Also published as: TWI805133B; JP7364731B2; JP2023090605A; US20230198154A1

Abstract

本發明公開一種天線結構，其包含一絕緣座、設置於絕緣座上的一第一天線與一第二天線、及電性耦接所述第一天線及第二天線的兩個饋入點。第一天線包含一第一本體部、及連接第一本體部的多個第一延伸部。各第一延伸部不平行第一本體部。第二天線包含一第二本體部、及連接第二本體部的多個第二延伸部。第二本體部與第一本體部間隔配置。各第二延伸部不平行第二本體部。多個第二延伸部與多個第一延伸部彼此間隔一預定距離，以共同產生電容效應。據此，能有效減少被設置於元件上時所佔的面積。

Description

天線結構

本發明涉及一種天線結構，尤其涉及一種立體式的天線結構。

現有天線結構大多設計為平面的片狀結構。然而，當現有天線結構被設置於元件（例如：手機的基板）上時，其於前述元件上會佔據相當多的面積，導致最終產品的體積無法下降。舉例來說，當現有天線結構的邊長被設計為1/2λ、且被應用於特高頻無線射頻辨識（UHF RFID）時，其於902~928MHz頻段的邊長勢必超過16公分以上。

於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種天線結構。

本發明實施例公開一種天線結構，包括：一絕緣座；一第一天線，設置於所述絕緣座上，所述第一天線包含：一第一本體部，具有四個側邊；及多個第一延伸部，連接所述第一本體部的四個所述側邊，各所述第一延伸部不平行所述第一本體部；一第二天線，設置於所述絕緣座上，所述第二天線包含：一第二本體部，與所述第一本體部間隔配置，所述第二本體部具有四個側邊；及多個第二延伸部，連接所述第二本體部的四個所述側邊，各所述第二延伸部不平行所述第二本體部，並且多個所述第二延伸部與多個所述第一延伸部彼此間隔一預定距離，使多個所述第二延伸部與多個所述第一延伸部能共同產生電容效應；以及兩個饋入點，電性耦接所述第一天線與所述第二天線。

綜上所述，本發明實施例所公開的天線結構，能通過“各所述第一延伸部不平行所述第一本體部，各所述第二延伸部不平行所述第二本體部，多個所述第二延伸部的位置對應多個所述第一延伸部的位置”以及“多個所述第二延伸部與多個所述第一延伸部彼此間隔一預定距離，使多個所述第二延伸部與多個所述第一延伸部能共同產生電容效應”的設計，所述天線結構能呈立體式的結構，並且能與具有相同增益的平面天線結構更有效減少被設置於元件上時所佔的面積。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“天線結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

另外，於以下說明中，如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示，其僅是用以強調於後續說明中，所述的相關內容大部份出現於該特定圖式中，但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。

[第一實施例]

參閱圖1及圖8所示，本實施例提供一種天線結構100A，所述天線結構100A的極化方式為線性極化，亦即任何非採用線性極化的天線結構不適合用來比對本實施例的所述天線結構100A。

配合圖1及圖2所示，所述天線結構100A包含一絕緣座1、設置於所述絕緣座1上的一第一天線2與一第二天線3、以及電性耦接所述第一天線2及所述第二天線3的兩個饋入點4與兩個接地件5。

配合圖3及圖4所示，所述絕緣座1於本實施例中可以是絕緣材料製成，並且所述絕緣座1具有一框體11及連接所述框體11的四個固定臂12。詳細地說，所述框體11呈矩形，並且具有相反的一第一側及一第二側。其中，所述第一側於本實施例為圖3的所述框體11的上方側，所述第二側於本實施例為圖3的所述框體11的下方側，但本發明不受限於此。

所述框體11開設有多個設置孔H11，多個所述設置孔H11連通所述第一側及所述第二側，並且多個所述設置孔H11能供所述第一天線2及所述第二天線3設置。

四個所述固定臂12自所述框體11的四個端角一體延伸形成，各所述固定臂12具有一固定孔H12，並且多個所述固定臂12的所述固定孔H12分別能用來供多個固定件（例如：螺絲）固定於一電子元件（例如：手機的基板）上，但本發明的所述絕緣座1不受限於此。舉例來說，本發明於其他未繪示的實施例中，所述絕緣座1可以省略四個所述固定臂12。

配合圖2及圖3所示，所述第一天線2於本實施例中為金屬材料製成，並且包含一第一本體部21及連接所述第一本體部21的多個第一延伸部22。接著，以下詳細地介紹所述第一天線2的各元件。

所述第一本體部21於本實施例中為正方形的片狀結構並具有四個側邊。多個所述第一延伸部22於本實施例中為矩形的片狀結構，多個所述第一延伸部22連接所述第一本體部21的四個所述側邊並不平行所述第一本體部21。於實際應用中，多個所述第一延伸部22自所述第一本體部21的四個所述側邊一體延伸所形成，並且所述第一本體部21的每個所述側邊具有彼此間隔的兩個所述第一延伸部22，亦即所述第一天線2包含八個所述第一延伸部22。

較佳地，每個所述第一延伸部22可以是垂直所述第一本體部21，並且各所述第一延伸部22的面積不超過所述第一本體部的面積的30％，但本發明不受限於此。

需特別說明的是，多個所述第一延伸部22連接所述第一本體部21的各個所述側邊的數量、以及多個所述第一延伸部22與所述第一本體部之間的角度可以依據設計者需求做調整。舉例來說，所述第一本體部21的每個所述側邊可以是具有一個所述第一延伸部22，又或者是具有彼此間隔的三個所述第一延伸部22，並且所述第一延伸部22與所述第一本體部21之間的角度為120度。

另外，實務上，所述第一天線2能由所述第二側朝所述第一側的方向設置於所述絕緣座1上，使多個所述第一延伸部22穿設於所述框體11的部分所述設置孔H11內，並且讓所述第一天線2固定於所述絕緣座1上。

復參圖1及圖4所示，所述第二天線3於本實施例中為金屬材料製成，並且包含一第二本體部31、及連接所述第二本體部31的多個第二延伸部32與兩個連接部33。接著，以下詳細地介紹所述第二天線3的各元件。

所述第二本體部31於本實施例中為正方形的片狀結構並具有四個側邊，並且所述第二本體部31的面積不等於所述第一本體部21的面積，例如：所述第二本體部31的面積大於所述第一本體部21的面積。較佳地，所述第一本體部21的面積及所述第二本體部31的面積之間相差不大於5％。

配合圖5所示，所述第二本體部31具有兩個中心線ML，兩個所述中心線ML通過所述第二本體部31的一中心位置P3，並且兩個所述中心線ML分別平行所述第二本體部31相鄰的其中兩個所述側邊（例如：圖5中位於上方及左方的側邊、或位於下方及右方的側邊），使兩個所述中心線ML相互垂直。

復參圖4所示，多個所述第二延伸部32於本實施例中為矩形的片狀結構，多個所述第二延伸部32連接所述第二本體部31的四個所述側邊並不平行所述第二本體部31。於實際應用中，多個所述第二延伸部32自所述第二本體部31的四個所述側邊一體延伸所形成，並且所述第二本體部31的每個所述側邊具有彼此間隔的兩個所述第二延伸部32，亦即所述第二天線3包含八個所述第二延伸部32。

較佳地，每個所述第二延伸部32可以是垂直所述第二本體部31，並且各所述第二延伸部32的面積不超過所述第二本體部31的面積的30％。此外，多個所述第二延伸部32的面積於本實施例中是小於多個所述第一延伸部22的面積，但本發明不受限於此。

需特別說明的是，多個所述第二延伸部32連接所述第二本體部31的各個所述側邊的數量、以及多個所述第二延伸部32與所述第二本體部之間的角度可以依據設計者需求做調整。舉例來說，所述第二本體部31的每個所述側邊可以是具有一個所述第二延伸部，又或者是具有彼此間隔的三個所述第二延伸部32，並且所述第二延伸部32與所述第二本體部31之間的角度為120度。

實務上，所述第二天線3能由所述第一側朝所述第二側的方向設置於所述絕緣座1上，使多個所述第二延伸部32穿設於所述框體11的另一部分所述設置孔H11內，並且讓所述第二天線3固定於所述絕緣座1上。

換句話說，當所述第一天線2及所述第二天線3設置於所述絕緣座1時，所述第一本體部21位於所述框體11的所述第二側，所述第二本體部31位於所述框體11的所述第一側，並且所述第一本體部21及所述第二本體部31彼此相互平行，但本發明不受限於此。

另外，配合圖1及圖2所示，當所述第一天線2及所述第二天線3設置於所述絕緣座1時，多個所述第一延伸部22自所述第一本體部21朝所述第二本體部31延伸，多個所述第二延伸部32自所述第二本體部31朝所述第一本體部21延伸，並且多個所述第一延伸部22的位置分別對應多個所述第二延伸部32的位置。據此，所述第一天線2及所述第二天線3能共同大致形成為長方體的立體結構。

需額外說明的是，本發明於其他未繪示的實施中，所述第一天線2的所述第一延伸部22的數量與所述第二天線3的所述第二延伸部32的數量也可以是不一致，亦即多個所述第一延伸部22的位置不分別對應多個所述第二延伸部32的位置。舉例來說，所述第一天線2的所述第一延伸部22的數量為四個，所述第二天線3的所述第二延伸部32的數量為十二個，並且每個所述第一延伸部22的位置對應三個所述第二延伸部32的位置。

復參圖1、圖4及圖5所示，兩個所述連接部33於本實施例中為矩形的片狀結構。兩個所述連接部33分別連接所述第二本體部31相鄰的其中兩個所述側邊（例如：圖5中位於上方及右方的側邊），並且每個所述連接部33位於對應的所述側邊上的兩個所述第二延伸部32之間。其中，兩個所述連接部33分別通過兩個所述中心線ML，亦即兩個所述連接部33相較於所述第二本體部31的所述中心位置P3具有90度夾角。

另外，兩個所述連接部33於本實施例中是自所述第二本體部31朝所述第一本體部21延伸形成，並垂直所述第二本體部31且穿經所述框體11，從而讓兩個所述連接部33能連接所述第一本體部21。據此，兩個所述連接部33能電性耦接所述第一本體部21，並且兩個所述連接部33與所述第一本體部21的連接處能形成兩個所述饋入點4（如圖6所示）。實務上，兩個所述連接部33可是分別通過焊錫方式連接或電性耦接。

值得注意的是，兩個所述饋入點4正投影於所述第二本體部31（的延伸平面）時各具有一正投影點，兩個所述正投影點的位置能分別通過兩個所述中心線ML（如圖5所示）。

復參圖1及圖5所示，兩個所述接地件5連接所述第一本體部21及所述第二本體部31，並且兩個所述接地件5正投影於所述第二本體部31的位置能分別通過兩個所述中心線ML，使所述第一本體部21及所述第二本體部31其中一者能作為接地元件（Ground），而另一者作為發射元件。據此，所述接地元件與所述發射元件的尺寸能相近（即，所述第一本體部21的面積及所述第二本體部31的面積之間相差不大於5％）。其中，兩個所述接地件5於本實施例中是自所述第二本體部31朝所述第一本體部21一體延伸所形成，但本發明不受限於此。舉例來說，兩個所述接地件5也可以是自所述第一本體部21朝所述第二本體部31一體延伸所形成。

配合圖7及圖8所示，圖7中為本實施例的所述天線結構100A所產生的一場型，圖8中為所述場型的輻射方向圖（radiation pattern）。其中，圖7中的佈點密度越低表示增益值越高；圖8中的輻射方向圖具有五個線條G1~G5，所述線條G1為總增益值（gain total）、所述線條G2為θ方向的增益值（gain theta）、所述線條G3為ɸ方向的增益值（gain phi）、所述線條G4為左側方向的增益值（gain left）、所述線條G5為右側方向的增益值（gain right）。由圖7至圖8可以得知道，所述天線結構100A基於所述接地元件與所述發射元件的尺寸能相近，所以其增益值（Gain值）前後比相近。

需特別說明的是，本發明於其他未繪示的實施例中，其中一個所述接地件5的位置及其中一個所述饋入點4的位置能被設計在所述第二本體部31的其中一對角線上，另一個所述接地件5的位置及另一個所述饋入點4的位置能被設計在所述第二本體部31的另一對角線上。據此，此未繪示的實施例的所述天線結構也能具有第一實施例的所述天線結構100A的效果。

[第二實施例]

如圖9至圖10所示，其為本發明的第二實施例，本實施例的天線結構100B類似於上述第一實施例的天線結構100A，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的天線結構100B與第一實施例的差異主要在於：

所述天線結構100B更包含一反射件6，所述反射件6設置於所述第一天線2遠離所述第二天線3的一側，並且所述反射件6的面積大於所述第一本體部21的面積及所述第二本體部31的面積。據此，所述反射件6能反射所述第一天線2及所述第二天線3的電波。

配合圖9所示，於一實施例中，所述反射件6可以具有一底板61及設置於所述底板61上的一反射層62，所述底板61設置於所述第一天線2上，並且所述底板61與所述第一本體部21平行。所述反射層62於實務上可以是金屬材料，並且位於所述底板61面朝所述第二本體部31的一側面上。

於另一未繪示的實施例中，所述反射件6可以是由所述接地元件所延伸形成。舉例來說，所述第一本體部21的四個所述側邊向外延伸形成多個延展部，並且多個所述延展部可以是平行所述第一本體部21，使多個所述延展部（及所述第一本體部21）能共同形成所述反射件6。

配合圖10所示，圖10中為本實施例的所述天線結構100B所產生的一場型。其中，圖10中的佈點密度越低表示增益值越高。由圖10可以得知道，本實施例的所述天線結構100B相較於第一實施例的所述天線結構100B能更具有指向性及較高的增益值。

[第三實施例]

如圖11至圖14所示，其為本發明的第三實施例，本實施例的天線結構100C類似於上述第一實施例的天線結構100A，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的天線結構100C與第一實施例的差異主要在於：此實施例的所述天線結構100C的極化方式為圓極化。換句話說，任何非採用圓極化的天線結構不適合用來比對本實施例的所述天線結構100C。

具體來說，配合圖11至圖13所示，本實施例中的所述第二天線3的所述第二本體部31具有一對角線DL3，所述對角線DL3通過其中兩個所述側邊的連接處以及另外兩個所述側邊的連接處，並且所述對角線DL3能通過所述第二本體部31的所述中心位置P3。

另外，於本實施例中，所述第二本體部31的每個所述側邊連接至少兩個所述第二延伸部。於所述第二本體部31的每個所述側邊中，鄰近所述對角線DL3的所述第二延伸部32’的長度小於其他的所述第二延伸部32的長度。

於實際應用中，多個所述第二延伸部32的數量與多個所述第一延伸部22的數量不一致。進一步地說，所述第二本體部31的每個所述側邊可以是連接四個所述第二延伸部，所述第一本體部21的每個所述側邊可以是連接兩個所述第一延伸部22，並且每兩個所述第二延伸部的位置對應一個所述第一延伸部22的位置。

進一步地說，所述第二本體部31的多個所述側邊定義為一第一側邊S311、一第二側邊S312、一第三側邊S313及一第四側邊S314。所述第一側邊S311的位置及所述第三側邊S313的位置彼此相反，所述第二側邊S312的位置及所述第四側邊S314的位置彼此相反。所述第二本體部31的所述對角線DL3通過所述第一側邊S311與所述第二側邊S312的連接處、及所述第三側邊S313及所述第四側邊S314的連接處。當面朝所述第一側邊S311或所述第三側邊S313的多個所述第二延伸部觀之時，位於最右側位置的所述第二延伸部32’的長度小於其他的所述第二延伸部32的長度。當面朝所述第二側邊S312或所述第四側邊S314的多個所述第二延伸部觀之，位於最左側位置的所述第二延伸部32’的長度小於其他的所述第二延伸部32的長度。

配合圖14所示，圖14中為所述述天線結構100C所產生的一場型的輻射方向圖（radiation pattern）。其中，圖14中的輻射方向圖具有五個線條G1~G5，所述線條G1為總增益值（gain total）、所述線條G2為θ方向的增益值（gain theta）、所述線條G3為ɸ方向的增益值（gain phi）、所述線條G4為左側方向的增益值（gain left）、所述線條G5為右側方向的增益值（gain right）。

由圖14可以得知道，所述第一天線2的頻率與所述第二天線3的頻率能通過“鄰近所述對角線DL3的所述第二延伸部32’的長度與其他所述第二延伸部32的長度之間的差異”發生不一致，從而讓本實施例的所述天線結構100C的場型呈圓形，亦即圓極化。

另外，本實施例的所述第二本體部31的所述連接部33數量為一個（如圖13所示），所述連接部33是自所述第二本體部31朝所述第一本體部21延伸形成，並垂直所述第二本體部31且穿經所述框體11，從而讓所述連接部33能連接所述第一本體部21，以形成通過其中一個所述中心線ML的一個饋入點4，亦即所述天線結構100C於本實施例中的饋入點數量為一個。

當然，本實施例的所述天線結構100C也可以依據設計者需求設置第二實施例的所述反射件6，於此則不特別介紹。

[第四實施例]

如圖15至圖17所示，其為本發明的第四實施例，本實施例的天線結構100D類似於上述第一實施例的天線結構100D，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的天線結構100D與第一實施例的差異主要在於：此實施例的所述天線結構100D的極化方式為圓極化。換句話說，任何非採用圓極化的天線結構不適合用來比對本實施例的所述天線結構100D。

具體來說，本實施例中的所述第一天線2的所述第一本體部21具有一對角線DL2，所述對角線DL2通過其中兩個所述側邊的連接處以及另外兩個所述側邊的連接處，並且所述對角線DL2能通過所述第一本體部21的一中心位置P2。

另外，於本實施例中，所述第一本體部21的每個所述側邊連接至少兩個所述第一延伸部。於所述第一本體部21的每個所述側邊中，鄰近所述對角線DL2的所述第一延伸部22’的長度小於其他的所述第一延伸部22的長度。

於實際應用中，多個所述第一延伸部的數量與多個所述第二延伸部32的數量不一致。進一步地說，所述第一本體部21的每個所述側邊可以是連接四個所述第一延伸部，所述第二本體部31的每個所述側邊可以是連接兩個所述第二延伸部32，並且每兩個所述第一延伸部的位置對應一個所述第二延伸部32的位置。

進一步地說，所述第一本體部21的多個所述側邊定義為一第一側邊S211、一第二側邊S212、一第三側邊S213及一第四側邊S214。所述第一側邊S211的位置及所述第三側邊S213的位置彼此相反，所述第二側邊S212的位置及所述第四側邊S214的位置彼此相反。所述第一本體部21的所述對角線DL2通過所述第一側邊S211與所述第二側邊S212的連接處、及所述第三側邊S213及所述第四側邊S214的連接處。當面朝所述第一側邊S211或所述第三側邊S213的多個所述第一延伸部觀之時，位於最右側位置的所述第一延伸部22’的長度小於其他的所述第一延伸部22的長度。當面朝所述第二側邊S212或所述第四側邊S214的多個所述第一延伸部觀之時，位於最左側位置的所述第一延伸部22’的長度小於其他的所述第一延伸部22的長度。

需特別說明的是，由上述內容可知，第四實施例的所述天線結構100D是將第三實施例的第二天線的技術特徵應用於第一天線中，所以本實施例的所述天線結構100D所產生的一場型的輻射方向圖（radiation pattern）與第三實施例大致相同（如圖14所示）。也就是說，所述第一天線2的頻率與所述第二天線3的頻率能通過“鄰近所述對角線DL2的所述第一延伸部22’的長度與其他所述第一延伸部22的長度之間的差異”發生不一致，從而讓本實施例的所述天線結構100D的場型呈圓形，亦即圓極化。

另外，本實施例的所述第二本體部31的連接部數量為一個，所述連接部33是自所述第二本體部31朝所述第一本體部21延伸形成，並垂直所述第二本體部31且穿經所述框體11，從而讓所述連接部33能連接所述第一本體部21，以形成通過其中一個所述中心線ML的一個饋入點4，亦即所述天線結構100D於本實施例中的饋入點數量為一個。

當然，本實施例的所述天線結構100D也可以依據設計者需求設置第二實施例的所述反射件6，於此則不特別介紹。

[第五實施例]

如圖19至圖21所示，其為本發明的第五實施例，本實施例的天線結構100E類似於上述第一實施例的天線結構100A，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的天線結構100E與第一實施例的差異主要在於：此實施例的所述天線結構100E的極化方式為圓極化。換句話說，任何非採用圓極化的天線結構不適合用來比對本實施例的所述天線結構100E。

具體來說，配合圖19及圖20所示，本實施例的所述天線結構100E更包含一絕緣板7以及一微帶線8。所述絕緣板7設置於所述第一天線2上，並且所述絕緣板7可以是平行所述第一本體部21。

所述微帶線8設置所述絕緣板7遠離所述第一本體部21的一側面上，並且所述微帶線8具有兩個接點81及一阻抗轉換點82。兩個所述接點81電性耦接所述第一天線2與所述第二天線3，並且兩個所述接點81的相位差為90度，所述阻抗轉換點82電性耦接兩個所述接點81。

詳細地說，所述微帶線8的兩個部分正投影於所述絕緣板7的位置重疊所述第二天線3的兩個所述連接部33正投影於所述絕緣板7的位置，並且所述微帶線8的兩個所述部分通過所述絕緣板7並分別電性耦接兩個所述連接部33，使所述微帶線8的兩個所述部分與兩個所述連接部33之間的電性耦接處形成兩個所述接點81。

另外，如圖20所示，兩個所述接點81正投影於所述絕緣板7時各具有一第一投影點A1，所述第二本體部31的所述中心位置P3正投影於所述絕緣板具有一第二投影點A2，所述第二投影點A2與其中一個所述第一投影點A1被一第一假想線ML1通過，所述第二投影點A2與另一個所述第一投影點A1被一第二假想線ML2通過，並且所述第一假想線ML1與所述第二假想線ML2相互垂直。

另外，所述阻抗轉換點82正投影於所述第二本體部31的位置鄰近所述第二本體部31的所述第二投影點A2。所述阻抗轉換點82能用來對所述第一天線2及所述第二天線3進行阻抗轉換。

再者，於本實施例中，所述天線結構100E具有一饋入點4，所述饋入點4電性耦接所述微帶線8，並且所述饋入點4正投影於所述絕緣板7的投影點A3的位置位於所述第一假想線ML1上。此外，兩個所述接地件5正投影於所述絕緣板7的位置分別位於所述第一假想線ML1及所述第二假想線ML2上。

配合圖21所示，圖21中為所述述天線結構100E所產生的一場型的輻射方向圖（radiation pattern）。其中，圖21中的輻射方向圖具有五個線條G1~G5，所述線條G1為總增益值（gain total）、所述線條G2為θ方向的增益值（gain theta）、所述線條G3為ɸ方向的增益值（gain phi）、所述線條G4為左側方向的增益值（gain left）、所述線條G5為右側方向的增益值（gain right）。由圖21可以得知道，所述第一天線2的頻率與所述第二天線3的頻率能通過“兩個接點之間的相位差為90度”發生不一致，從而讓本實施例的所述天線結構100E的場型呈圓形，亦即圓極化。

[本發明實施例的技術效果]

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

100A、100B、100C、100D、100E:天線結構 1:絕緣座 11:框體 H11:設置孔 12:固定臂 H12:固定孔 2:第一天線 21:第一本體部 S211:第一側邊 S212:第二側邊 S213:第三側邊 S214:第四側邊 22、22’:第一延伸部 3:第二天線 31:第二本體部 S311:第一側邊 S312:第二側邊 S313:第三側邊 S314:第四側邊 32、32’:第二延伸部 33:連接部 4:饋入點 5:接地件 6:反射件 61:底板 62:反射層 7:絕緣板 8:微帶線 81:接點 82:阻抗轉換點 ML:中心線 DL2、DL3:對角線 ML1:第一假想線 ML2:第二假想線 A1:第一投影點 A2:第二投影點 A3:投影點 P2、P3:中心位置 G1～G5:線條

圖1為本發明第一實施例的天線結構的立體示意圖。

圖2為本發明第一實施例的天線結構的另一立體示意圖。

圖3為本發明第一實施例的天線結構的分解示意圖。

圖4為本發明第一實施例的天線結構的另一分解示意圖。

圖5為本發明第一實施例的天線結構的俯視示意圖。

圖6為本發明第一實施例的天線結構的仰視示意圖。

圖7為本發明第一實施例的天線結構所產生的場型的立體示意圖。

圖8為本發明第一實施例的天線結構所產生的場型的輻射方向示意圖。

圖9為本發明第二實施例的天線結構的立體示意圖。

圖10為本發明第二實施例的天線結構所產生的場型的立體示意圖。

圖11為本發明第三實施例的天線結構的立體示意圖。

圖12為本發明第三實施例的天線結構的分解示意圖。

圖13為本發明第三實施例的天線結構的另一分解示意圖。

圖14為本發明第三實施例的天線結構所產生的場型的輻射方向示意圖。

圖15為本發明第四實施例的天線結構的立體示意圖。

圖16為本發明第四實施例的天線結構的分解示意圖。

圖17為本發明第四實施例的天線結構的另一分解示意圖。

圖18為本發明第五實施例的天線結構的立體示意圖。

圖19為本發明第五實施例的天線結構的另一立體示意圖。

圖20為本發明第五實施例的天線結構的仰視示意圖。

圖21為本發明第五實施例的天線結構所產生的場型的輻射方向示意圖。

100A:天線結構

1:絕緣座

11:框體

12:固定臂

H12:固定孔

2:第一天線

21:第一本體部

22:第一延伸部

3:第二天線

31:第二本體部

32:第二延伸部

33:連接部

4:饋入點

5:接地件

Claims

一種天線結構，包括：一絕緣座；一第一天線，設置於所述絕緣座上，所述第一天線包含：一第一本體部，具有四個側邊；及多個第一延伸部，連接所述第一本體部的四個所述側邊，各所述第一延伸部不平行所述第一本體部；一第二天線，設置於所述絕緣座上，所述第二天線包含：一第二本體部，與所述第一本體部間隔配置，所述第二本體部具有四個側邊；及多個第二延伸部，連接所述第二本體部的四個所述側邊，各所述第二延伸部不平行所述第二本體部，並且多個所述第二延伸部與多個所述第一延伸部彼此間隔一預定距離，使多個所述第二延伸部與多個所述第一延伸部能共同產生電容效應；以及兩個饋入點，電性耦接所述第一天線與所述第二天線。
如請求項1所述的天線結構，其中，所述天線結構更包含一反射件，所述反射件設置於所述第一天線遠離所述第二天線的一側，並且所述反射件的面積大於所述第一天線的面積及所述第二天線的面積。
如請求項1所述的天線結構，其中，所述第一本體部及所述第二本體部各為正方形，並且所述第一本體部的面積及所述第二本體部的面積之間相差不大於5％。
如請求項3所述的天線結構，其中，所述第一本體部與多個第一延伸部相互垂直，所述第二本體部與多個所述第二延伸部相互垂直，所述第一本體部及所述第二本體部相互平行。
如請求項1所述的天線結構，其中，多個所述第一延伸部分別自所述第一本體部朝所述第二本體部延伸，多個所述第二延伸部分別自所述第二本體部朝所述第一本體部延伸。
如請求項1所述的天線結構，其中，所述第一本體部及所述第二本體部各為正方形，多個所述第一延伸部的數量及多個所述第二延伸部的數量各為八個；所述第一本體部的每個所述側邊連接間隔配置的兩個所述第一延伸部，所述第二本體部的每個所述側邊連接間隔配置的兩個所述第二延伸部。
如請求項6所述的天線結構，其中，每個所述第一延伸部的面積不超過所述第一本體部的面積的30％，每個所述第二延伸部的面積不超過所述第二本體部的面積的30％。
如請求項6所述的天線結構，其中，所述第二天線更包含自所述第二本體部朝所述第一本體部延伸形成的兩個連接部，兩個所述連接部分別位於所述第二本體部相鄰的其中兩個所述側邊上，並且每個所述連接部位於對應的所述側邊上的兩個所述第二延伸部之間，兩個所述連接部連接所述第一本體部以形成兩個所述饋入點。
如請求項1所述的天線結構，其中，兩個所述饋入點正投影於所述第二本體部時各具有一正投影點，兩個所述正投影點的位置能分別通過所述第二本體部的彼此垂直的兩個中心線。
如請求項9所述的天線結構，其中，兩個所述接地件正投影於所述第二本體部的位置能分別通過兩個所述中心線。