TWM612200U

TWM612200U - 串接式天線結構

Info

Publication number: TWM612200U
Application number: TW109217333U
Authority: TW
Inventors: 江啟名
Original assignee: 耀登科技股份有限公司
Priority date: 2020-12-30
Filing date: 2020-12-30
Publication date: 2021-05-21
Also published as: US11502397B2; JP2022106263A; US20220209398A1; JP7098023B1

Abstract

本創作公開一種串接式天線結構。串接式天線結構具有一絕緣基板、一第一連接線、兩個第一天線、一第二連接線、兩個第二天線及一饋入點。第一連接線及兩個第一天線設置於絕緣基板的一板面。第二連接線及兩個第二天線設置於絕緣基板的另一板面。每個第一天線及每個第二天線為相同的對稱形狀。兩個第二天線正投影於第一板面的區域相對於對應的一參考位置而與兩個第一天線呈180度旋轉對稱。饋入點電性耦接第一連接線及第二連接線。據此，串接式天線結構能使其高、低頻的場型最大值分別位於水平面上。

Description

串接式天線結構

本創作涉及一種天線結構，尤其涉及一種串接式天線結構。

現有天線結構為了能具有全向性及高增益，因此大多採用偶極天線進行串接來實現。具體來說，現有天線結構於製作電路板時，會使用連接線作為串接使用，但若現有天線結構僅作單側時，其場型因為受地影響而無法達到全向性要求，因此現有天線結構大多採用左右兩側對稱方式製作。然而，現有天線兩側的場型於相互影響後，會導致兩側的場型產生頻率偏移而無法位於水平面的問題。

於是，本創作人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本創作。

本創作所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種串接式天線結構，能有效地改善現有的天線結構所可能產生的缺陷。

本創作實施例公開一種串接式天線結構，其包括：一絕緣基板，具有相反的一第一板面及一第二板面；一第一連接線，設置於所述第一板面；兩個第一天線，彼此間隔地設置於所述第一板面，每個所述第一天線具有兩個第一子天線，並且每個所述第一子天線具有相反的一第一自由端及一第一連接端；兩個所述第一天線的兩個所述第一子天線分別以其所述第一連接端電性耦接所述第一連接線，並且兩個所述第一子天線共同形成對稱形狀；一第二連接線，設置於所述第二板面；兩個第二天線，彼此間隔地設置於所述第二板面，每個所述第二天線具有兩個第二子天線，並且每個所述第二子天線具有相反的一第二自由端及一第二連接端；兩個所述第一天線的兩個所述第二子天線分別以其所述第二連接端電性耦接所述第二連接線，並且兩個所述第二子天線共同形成對稱形狀；其中，所述絕緣基板於兩個所述第一天線分別與所述第一連接線之間電性耦接處具有一參考位置，並且兩個所述第二天線正投影於所述第一板面的區域相對於對應的所述參考位置而與兩個所述第一天線呈180度旋轉對稱（2-fold rotational symmetry）；一饋入點，電性耦接於兩個所述參考位置之間的所述第一連接線以及兩個所述參考位置朝所述第二板面正投影的區域之間的所述第二連接線。

綜上所述，本創作實施例所公開的串接式天線結構，能通過“兩個所述第一天線分別與兩個所述第二天線呈相同的對稱形狀，並且兩個所述第二天線正投影於所述第一板面的區域相對於對應的所述參考位置而與兩個所述第一天線呈180度旋轉對稱”及“所述饋入點電性耦接於兩個所述參考位置之間的所述第一連接線以及兩個所述參考位置朝所述第二板面正投影的區域之間的所述第二連接線”的設計，使串接式天線結構能實現其高、低頻的場型最大值分別位於水平面上的效果。

為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本創作加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“串接式天線結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[第一實施例]

參閱圖1至圖4所示，本實施例提供一種串接式天線結構100A，其適用於一傳輸頻段。參閱圖1及圖2所示，於本實施例中，所述串接式天線結構100A包含一絕緣基板110、位於所述絕緣基板110一側的一第一連接線120與兩個第一天線130、位於所述絕緣基板110另一側的一第二連接線140與兩個第二天線150、以及電性耦接所述第一連接線120與所述第二連接線140的一饋入點160。接著，以下將詳細介紹所述串接式天線結構100A的各個元件及各元件彼此之間的連接關係。

配合圖1及圖2所示，所述絕緣基板110呈長形並具有一長度方向LD，並且所述絕緣基板110具有垂直所述長度方向LD的一寬度方向WD。於本實施例中，所述絕緣基板110是以長方形為例。然而，所述絕緣基板110的外型不限制是長方形，且所述絕緣基板110的外型及尺寸皆可依據需求變化。另外，上述長方形的長邊是平行於所述長度方向LD，並且長方形的短邊是平行於所述寬度方向WD。

於本實施例中，所述絕緣基板110包含有位於相反兩側的一第一板面111與一第二板面112，並且所述絕緣基板110於所述長度方向LD上的兩端分別定義為一第一端113與一第二端114。所述第一板面111是朝向圖2中的上方，且所述第二板面112是朝向圖2中的下方。為了方便說明，所述絕緣基板110位於圖2中左側的一端定義為所述第一端113，且所述絕緣基板110位於圖2中右側的一端定義為所述第二端114。

另外，如圖3及圖4所示，所述第一板面111與所述第二板面112分別沿著所述長度方向LD具有一中心線CL。也就是說，所述第一板面111具有一個所述中心線CL，而所述第二板面112也具有一個所述中心線CL，並且所述第一板面111的中心線CL朝所述第二板面112的正投影與所述第二板面112的中心線疊合。

所述第一連接線120設置於所述第一板面111上，並且所述第一連接線120於本實施例中大致沿著所述第一板面111上的中心線CL配置，但本創作不受限於此。舉例來說，本創作於其他未繪示的實施例中，所述第一連接線120可以是沿著所述長度方向LD的任一位置的假想線。

配合圖3所示，兩個所述第一天線130彼此間隔地設置於所述第一板面111。於本實施例中，每個所述第一天線130具有兩個第一子天線131，並且每個所述第一子天線131具有相反的一第一自由端1311及一第一連接端1312。兩個所述第一天線130的兩個所述第一子天線131分別以其所述第一連接端1312電性耦接所述第一連接線120，並且兩個所述第一子天線131共同形成對稱形狀。

具體來說，兩個所述第一天線130於本實施例中分別大致呈U字狀，並且所述第一板面111的中心線CL為兩個所述第一天線130共同的對稱線。每個所述第一天線130的兩個所述第一子天線131分別位於所述對稱線（所述中心線CL）的兩側，並且每個所述第一子天線131的兩個所述第一自由端1311是朝向所述第一端113。

需注意的是，兩個所述第一天線130及所述第一連接線120於本實施例中是一體連接所形成，但本創作不受限於此。舉例來說：兩個所述第一天線130及所述第一連接線120也可以各是單一構件，並且彼此電性耦接所形成。

接著參閱圖4所示，所述第二連接線140設置於所述第二板面112上，並且所述第二連接線140於本實施例中大致沿著所述第二板面112上的中心線CL配置，但本創作不受限於此。舉例來說，本創作於其他未繪示的實施例中，所述第二連接線140可以是沿著所述長度方向LD的任一位置的假想線。需注意的是，於實務上，所述第二連接線140朝所述第一板面111的正投影需要疊合於所述第一連接線120（如圖1所示）。

兩個所述第二天線150彼此間隔地設置於所述第二板面112，並且兩個所述第二天線150的位置大致對應兩個所述第一天線130的位置。於本實施例中，每個所述第二天線150具有兩個第二子天線151，並且每個所述第二子天線151具有相反的一第二自由端1511及一第二連接端1512。兩個所述第二天線150的兩個所述第二子天線151分別以其所述第二連接端1512電性耦接所述第二連接線140，並且兩個所述第二子天線151共同形成對稱形狀。

於本實施例中，兩個所述第二天線150的形狀與兩個所述第一天線形狀相同，也就是兩個所述第二天線150也分別大致呈U字狀，並且所述第二板面112的中心線CL為兩個所述第二天線150共同的對稱線。每個所述第二天線150的兩個所述第二子天線151分別位於所述對稱線（所述中心線CL）的兩側，並且每個所述第二天線150的兩個所述第二自由端1511與每個所述第一天線130的兩個所述第一自由端1311朝向彼此相反的方向。也就是說，每個所述第二子天線151的兩個所述第二自由端1511是朝向所述第二端114。

需注意的是，兩個所述第二天線150及所述第二連接線140於本實施例中是一體連接所形成，但本創作不受限於此。舉例來說：兩個所述第二天線150及所述第二連接線140也可以各是單一構件，並且彼此電性耦接所形成。

另外，兩個所述第一天線130及兩個所述第二天線150雖然於本實施例中為U字狀，但本創作於其他未繪示的實施例中，兩個所述第一天線130及兩個所述第二天線150也可以是其他對稱形狀，例如：“一”字狀、“H”字狀等。

復參圖1及圖3所示，所述絕緣基板110於兩個所述第一天線130分別與所述第一連接線120之間電性耦接處具有一參考位置RP，也就是所述第一連接線120上有兩個所述參考位置RP。兩個所述第二天線150正投影於所述第一板面111的區域相對於對應的所述參考位置RP而與兩個所述第一天線130呈180度旋轉對稱（2-fold rotational symmetry）。

配合圖2至圖4所示，所述饋入點160電性耦接於兩個所述參考位置RP之間的所述第一連接線120以及兩個所述參考位置RP朝所述第二板面112正投影的區域之間的所述第二連接線140。

於本實施例中，所述饋入點160是沿著所述絕緣基板110的一厚度方向TD貫穿所述絕緣基板110，並且所述饋入點160的兩端面分別裸露於所述第一板面111及所述第二板面112，使所述饋入點160的兩端能電性耦接所述第一連接線120及所述第二連接線140。也就是說，所述饋入點160於第一板面111的端面朝所述第二板面112的正投影會疊合所述饋入點160於第二板面112的端面。

值得注意的是，所述饋入點160相距兩個所述參考位置RP的比為1：1。也就是說，所述饋入點160於第一板面111的端面分別至兩個所述第一天線130的兩個第一最短距離D1彼此相等，所述饋入點160於第二板面112的端面分別至兩個所述第二天線150的兩個第二最短距離D2也彼此相等，並且任一個所述第一最短距離D1與任一個所述第二最短距離D2相等。

進一步地說，於實務上兩個所述第一最短距離D1的總長或兩個所述第二最短距離D2的總長為所述傳輸頻段的一中心頻率所對應的波長的0.5至1.5倍，也可以理解為兩個所述參考位置RP之間的距離為所述中心頻率所對應的波長的0.5至1.5倍，其中較佳距離為等於所述中心頻率所對應的波長，但本創作不受限於此。所述串接式天線結構100A於通過上述結構，使所述第一板面111上的兩個所述第一天線130及所述第二板面112上的兩個所述第二天線150相互影響後，其高、低頻的場型最大值都能分別位於水平面上，之後將於第三實施例舉一範例。

換句話說，任何不是“饋入點的兩端面設計於位於其中一側面上的兩個天線間的連接線及另一側面上的兩個天線間的連接線”的天線結構，非本案所指的串接式天線結構100A。

[第二實施例]

如圖5至圖7所示，其為本創作的另一實施例的串接式天線結構100B，本實施例類似於上述實施例的串接式天線結構100A，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的串接式天線結構100B相較於第一實施例的差異主要在於：

於本實施例中，兩個所述第一天線130不朝向相同的方向，並且兩個所述第二天線150也不朝向相同的方向。具體來說，於其中一個所述第一天線130（也就是圖6下方的所述第一天線130）及位置對應的所述第二天線150（也就是圖7下方的所述第二天線150）中，所述第一天線130的兩個所述第一自由端1311朝向所述第一端113，所述第二天線150的兩個所述第二自由端1511朝向所述第二端114。此外，於另一個所述第一天線130（也就是圖6上方的所述第一天線130）及位置對應的所述第二天線150（也就是圖7上方的所述第二天線150）中，所述第一天線130的兩個所述第一自由端1311朝向所述第二端114，所述第二天線150的兩個所述第二自由端1511朝向所述第一端113。也就是說，於本實施例中，兩個所述第一天線130朝向彼此的方向（如圖6所示），兩個所述第二天線150朝向遠離彼此的方向（如圖7所示），並且兩個所述第二天線150正投影於所述第一板面111的區域相對於對應的所述參考位置RP與兩個所述第一天線130仍維持180度旋轉對稱關係。

需注意的是，基於本實施例的兩個所述第一天線130及兩個所述第二天線150的方向變化，所述饋入點160的位置需要進一步地調整，讓所述饋入點160相距兩個所述參考位置的比為1：3。詳細地說，配合圖6及圖7所示，於本實施例中，於第一板面111的端面分別至兩個所述第一天線130的兩個所述第一最短距離D1’的比為1：3，所述饋入點160於第二板面112的端面分別至兩個所述第二天線150的兩個所述第二最短距離D2的比也為1：3。所述串接式天線結構100B於通過上述結構調整後，其高、低頻的場型最大值也能與第一實施例的所述串接式天線結構100A一樣能分別位於水平面上。

[第三實施例]

如圖8及圖9所示，其為本創作的另一實施例的串接式天線結構100A’、100B’，本實施例類似於上述第一實施例及第二實施例的串接式天線結構100A、100B，第三實施例與其他實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的串接式天線結構100A’、100B’相較於第一實施例及第二實施例的差異主要在於：

於本實施例中，所述串接式天線結構100A’、100B’更包含多個第一輔助天線170及多個第二輔助天線180，並且每個所述第一輔助天線170相當於所述第一天線130，而每個所述第二輔助天線180相當於所述第二天線150。

具體來說，多個所述第一輔助天線170於本實施例中是等量地設置於所述第一板面111，並且多個所述第一輔助天線170電性耦接所述第一連接線120，每個所述第一輔助天線170與所述第一天線130的形狀相同。多個所述第二輔助天線180於本實施例中是等量地設置於所述第二板面112，並且多個所述第二輔助天線180電性耦接所述第二連接線140，每個所述第二輔助天線180與所述第二天線150的形狀相同，並且多個所述第二輔助天線180的數量與多個所述第一輔助天線170相同。

此外，所述絕緣基板110於每個所述第一輔助天線170與所述第一連接線120之間電性耦接處具有一輔助參考位置XP，並且兩個所述第二輔助天線180正投影於所述第一板面111的區域相對於對應的所述輔助參考位置XP而與兩個所述第一輔助天線170呈180度旋轉對稱（2-fold rotational symmetry）。

由此可知，每個所述第一輔助天線170設置於所述絕緣基板110的方向及設置方式大致與所述第一天線130相同，每個所述第二輔助天線180設置於所述絕緣基板110的方向及設置方式大致與所述第二天線150相同。

需注意的是，所述第一連接線120於相鄰的任兩個所述一輔助天線170之間、及任一個所述第一天線130與其相鄰的所述第一輔助天線170之間分別具有等長的一第一最短距離D4。所述第二連接線140於相鄰的任兩個所述二輔助天線之間、及任一個所述第二天線150與其相鄰的所述第二輔助天線180之間分別具有等長的一第二最短距離D5。於實務上，每個所述第一最短距離D4及每個所述第二最短距離D5分別等於所述傳輸頻段的所述中心頻率所對應的波長。

另外，於圖8及圖9中，多個所述第一輔助天線170及多個所述第二輔助天線180雖然分別是偶數個（各4個），並且等量地配置於所述第一板面111及第二板面112上，但實務上，多個所述第一輔助天線170及多個所述第二輔助天線180也可以是奇數個（例如：3個），並且不等量地配置於所述第一板面111及第二板面112上。

本實施例的串接式天線結構100A’、100B’相比於第一實施例及第二實施例，本實施例的所述串接式天線結構100A’、100B’更能依據使用者需求增加所述場型的強度。

具體來說，以串接式天線結構100A’為例，配合圖10至圖12所示，圖10中為本實施例的所述串接式天線結構100A所產生的一場型。圖11為所述場型於H平面（H-plane）時的輻射方向圖（radiation pattern），圖12為所述場型於E平面（E-plane）時的輻射方向圖（radiation pattern）。由圖10至圖12可以明顯知道，所述串接式天線結構100A’於通過上述結構，使所述第一板面111上的兩個所述第一天線130與多個所述第一輔助天線170及所述第二板面112上的兩個所述第二天線150與多個所述第二輔助天線180相互影響後，其高、低頻的場型最大值都能分別位於水平面上。

[第四實施例]

如圖13至圖15所示，其為本創作的另一實施例的串接式天線結構200A，本實施例類似於上述實施例的串接式天線結構100A，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的串接式天線結構200A相較於第一實施例的差異主要在於：

參閱圖13至圖15所示，於本實施例中，所述第一連接線220具有一第一主段221及連接所述第一主段221的兩個第一子段222。所述第一主段221配置於所述第一板面211的一側（也就是靠近第二端214的一側），兩個所述第一子段222彼此間隔地配置於所述第一板面211的另一側（也就是靠近第一端213的一側），使所述第一連接線220大致呈“Y”字狀。

此外，所述第二連接線240與所述第一連接線220相同。換句話說，所述第二連接線240也是大致呈“Y”字狀，並且具有一第二主段241及連接所述第二主段241的兩個第二子段242。所述第二主段241配置於所述第二板面212的一側，兩個所述第二子段242彼此間隔地配置於所述第二板面211的另一側。值得注意的是，兩個所述第二子段242朝所述第一板面211的正投影及所述第二主段241朝所述第一板面211的正投影分別疊合兩個所述第一子段222及所述第一主段221。

換個方式說，如圖14及圖15所示，所述第一板面211於兩個所述第一子段222與所述第一主段221電性耦接處區分為兩側，使所述第一板面211位於相反兩側的一第一區域A1及一第二區域A2。所述第二板面212於兩個所述第二子段242與所述第二主段241電性耦接處區分為兩側，使所述第二板面212具有位於相反兩側的一第三區域A3及一第四區域A4。其中，所述第一區域A1的位置對應所述第三區域A3的位置，所述第二區域A2的位置對應所述第四區域A4的位置。所述第一主段221位於所述第一區域A1，兩個所述第一子段222分別位於所述第二區域A2，所述第二主段241位於所述第三區域A3，兩個所述第二子段242分別位於所述第四區域A4。

基於本實施例的所述第一連接線220及所述第二連接線240的變化，兩個所述第一天線230A、230B及兩個所述第二天線250A、250B也不同於第一實施例。具體來說，兩個所述第一天線230A、230B分別位於所述第一區域A1及所述第二區域A2。位於所述第一區域A1的所述第一天線230A的兩個所述第一連接端2312電性耦接所述第一主段221，並且兩個所述第一子天線231共同形成一第一對稱形狀（U字狀）。位於所述第二區域A2的所述第一天線230B的兩個所述第一子天線231分別以其所述第一連接端2312電性耦接兩個所述第一子段222，並且兩個所述第一子天線231共同形成一第二對稱形狀。

換句話說，兩個所述第一天線230A、230B於本實施例中分別呈不相同的兩個對稱形狀（也就是上述第一對稱形狀及第二對稱形狀），並且所述第一板面211的中心線CL仍為兩個所述第一天線230共同的對稱線。需注意的是，兩個所述第一天線230A、230B的兩個所述第一自由端2311於本實施例中是分別朝向所述第一端213（如圖14所示）。

接著參閱圖15所示，兩個所述第二天線250A、250B分別位於所述第三區域A3及所述第四區域A4。位於所述第三區域A3的所述第二天線250A的兩個所述第二子天線251分別以其所述第二連接端2512電性耦接所述第二主段241，並且兩個所述第二子天線251共同形成所述第一對稱形狀。位於所述第四區域A4的所述第二天線250B的兩個所述第二子天線251分別以其所述第二連接端2512電性耦接兩個所述第二子段242，並且兩個所述第二子天線251共同形成所述第二對稱形狀。

需注意的是，復參圖13至圖15所示，位於所述第三區域A3的所述第二天線250A（為所述第一對稱形狀）正投影於所述第一板面211的區域的形狀與位於所述第一區域A1的所述第一天線230A（為所述第一對稱形狀）的形狀呈鏡像關係。位於所述第四區域A4的所述第二天線250B（為所述第二對稱形狀）正投影於所述第一板面211的區域的形狀與位於所述第二區域A2的所述第一天線230B（為所述第二對稱形狀）的形狀呈鏡像關係。當然，本實施例中的兩個所述第一天線230A、230B及兩個所述第二天線250A、250B之間的鏡像關係也可以理解為與第一實施例的兩個所述第一天線130及所述第二天線150之間的180度旋轉對稱關係。

另外，兩個所述第二天線250A、250B的兩個所述第二自由端2511於本實施例中是分別朝向所述第二端214（如圖15所示），也就是兩個所述第二天線250A、250B的方向相反於兩個所述第一天線230A、230B的方向。

此外，本實施例的所述饋入點260的位置大致與所述第一實施例的所述饋入點160類似。具體來說，參閱圖14所示，所述第一主段221與兩個所述第一連接端2312電性耦接處定義為一參考位置RP’，兩個所述第一子段222分別與兩個所述第一連接端2312電性耦接處具有一參考線XL，所述饋入點260至所述參考線XL的一第三最短距離D3及所述饋入點260至所述參考位置RP’的一第三最短距離D3之間的比為1：1，且所述參考線XL至所述參考位置RP’的最短距離（也就是兩倍的所述第三最短距離D3）也為所述傳輸頻段的所述中心頻率所對應的波長的0.5至1.5倍，但本創作不受限於此。舉例來說，本創作於其他實施例的實施例中，所述饋入點260也可以是直接電性耦接於所述第一連接線220及所述第二連接線240的末端。

所述串接式天線結構200A通過上述結構，不僅具有第一實施例的優點，更能讓場型於水平面的最大值及最小值的差值縮小至約0.5dBi內，使所述串接式天線結構200A的場型FTE於H平面（H-plane）上更趨近於圓形（也就是提高真圓度），之後將於第六實施例舉一範例。

[第五實施例]

如圖16至圖18所示，其為本創作的另一實施例的串接式天線結構200B，本實施例類似於上述實施例的串接式天線結構200A，兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的串接式天線結構200B相較於第四實施例的差異主要在於：

於本實施例中，兩個所述第一天線230A、230B不朝向相同的方向，並且兩個所述第二天線250A、250B也不朝向相同的方向。具體來說，為所述第二對稱形狀的所述第一天線230B的兩個所述第一自由端2311及為所述第一對稱形狀的所述第二天線250A的兩個所述第二自由端2511分別朝向所述第二端214。為所述第二對稱形狀的所述第二天線250B的兩個所述第二自由端2511及為所述第一對稱形狀的所述第一天線230A的兩個所述第一自由端2311分別朝向所述第一端213。

換句話說，於本實施例中，兩個所述第一天線230A、230B朝向彼此的方向，兩個所述第二天線250A、250B朝向彼此遠離的方向，並且兩個所述第二天線250A、250B正投影於所述第一板面211的區域相對於對應的所述參考位置RP’與兩個所述第一天線230A、230B仍維持180度旋轉對稱關係。

也就是說，配合圖17所示，本實施例是基於第四實施例的基礎下加入第二實施例的特徵。因此，所述饋入點260的兩端面至所述參考線XL的一第一最短距離D6及所述饋入點260至所述參考位置RP’的第二最短距離D6’之間的比當然也與第二實施例相同，也就是1：3。

[第六實施例]

如圖19至圖27所示，其為本創作的另一實施例的串接式天線結構200A’、200B’，本實施例類似於上述第四實施例及第五實施例的串接式天線結構200A、200B，第六實施例與其他實施例的相同處則不再加以贅述，而本實施例的串接式天線結構200A’、200B’相較於第四實施例及第五實施例的差異主要在於：

於本實施例中，配合圖19及圖21所示，所述串接式天線結構200A’、200B’更包含多個第一輔助天線270A、270B及多個第二輔助天線280A、280B。具體來說，多個所述第一輔助天線270A、270B等量地（也就是位於所述饋入點260兩側的數量相等）設置於所述第一板面211。另配合圖20及圖22所示，每個所述第一輔助天線270A、270B分別具有兩個第一輔助子天線271，並且每個所述第一輔助子天線271具有相反的一第一自由端2711及一第一連接端2712。位於所述第一板面211具有所述第一主段221的一側的每個所述第一輔助天線270A的兩個所述第一輔助子天線271分別以其所述第一連接端2712電性耦接所述第一主段221，並且兩個所述第一輔助子天線271共同形成所述第一對稱形狀（U字狀）。位於所述第一板面211具有兩個所述第一子段222的一側的每個所述第一輔助天線270B的兩個所述第一輔助子天線271分別以其所述第一連接端2712電性耦接兩個所述第一子段222，並且兩個所述第一輔助子天線271共同形成所述第二對稱形狀。

進一步地說，每個所述第一輔助天線270A的兩個所述第一自由端2311與每個所述第一天線230A的兩個所述第一自由端2311朝向相同的方向。另外，每個所述第一輔助天線270B的兩個所述第一自由端2311與每個所述第一天線230B的兩個所述第一自由端2311朝向相同的方向。也就是說，位於所述饋入點260的任一側中，每個所述第一輔助天線的方向與形狀相當於對應一側的所述第一天線。

此外，多個所述第二輔助天線280A、280B的數量與多個所述第一輔助天線270A、270B相同。多個所述第二輔助天線280A、280B等量地（也就是位於所述饋入點260兩側的數量相等）設置於所述第二板面212，並且多個所述第二輔助天線280A、280B位置對應多個所述第一輔助天線270A、270B位置。

每個所述第二輔助天線280A、280B分別具有兩個第二輔助子天線281，並且每個所述第二輔助子天線281具有相反的一第二自由端2811及一第二連接端2812。位於所述第二板面212具有所述第二主段241的一側的每個所述第二輔助天線280A的兩個所述第二輔助子天線281分別以其所述第二連接端2812電性耦接所述第二主段241，並且兩個所述第二輔助子天線281共同形成所述第一對稱形狀（U字狀）。位於所述第二板面212具有兩個所述第二子段242的一側的的每個所述第二輔助天線280B的兩個所述第二輔助子天線281分別以其所述第二連接端2812電性耦接兩個所述第二子段222，並且兩個所述第二輔助子天線281共同形成第二對稱形狀。

進一步地，位於所述饋入點260的其中一側的每個所述第二輔助天線280A的兩個所述第二自由端2511與每個所述第二天線250A的兩個所述第二自由端2511朝向相同的方向。另外，位於所述饋入點260的另一側的每個所述第二輔助天線280B的兩個所述第二自由端2511與每個所述第二天線250B的兩個所述第二自由端2511朝向相同的方向。

由此可知，任一個所述第一輔助天線270A、270B設置於所述絕緣基板210的方向及設置方式大致與其位於相同一側（相同區域）的所述第一天線230A、230B相同，任一個所述第二輔助天線280A、280B設置於所述絕緣基板210的方向及設置方式大致與其位於相同一側（相同區域）的所述第二天線250A、250B相同。

需注意的是，復參圖20及圖21所示，所述第一連接線220於相鄰的任兩個所述一輔助天線之間（也就是相鄰的兩個所述參考線XL或相鄰的兩個所述輔助參考位置XP之間）、及任一個所述第一天線與其相鄰的所述第一輔助天線之間（也就是相鄰的所述參考位置RP’與所述參考線XL之間）分別具有等長的一第一最短距離D4’。此外，所述第二連接線240於相鄰的任兩個所述二輔助天線之間、及任一個所述第二天線與其相鄰的所述第二輔助天線之間分別具有等長的一第二最短距離D5’。其中，每個所述第一最短距離D4’及每個所述第二最短距離D5’較佳等於所述傳輸頻段的所述中心頻率所對應的波長。

另外，於圖20及圖22中，多個所述第一輔助天線270及多個所述第二輔助天線280雖然分別是偶數個（各4個），並且等量地配置於所述第一板面211及第二板面212上，但實務上，多個所述第一輔助天線270及多個所述第二輔助天線280也可以是奇數個（例如：3個），並且不等量地配置於所述第一板面211及第二板面212上。

本實施例的串接式天線結構200A’、200B’相比於第四實施例及第五實施例，本實施例的所述串接式天線結構200A’、200B’更能依據使用者需求增加所述場型的強度。

具體來說，以串接式天線結構200A’為例，配合圖23至圖27所示，圖23及圖24所示為本實施例的所述串接式天線結構200A於所產生的一最終場型FTE，圖25中為位於所述第一區域A1的所述第一天線230A及位於所述第三區域A3的所述第二天線250A共同所形成的一第一場型FT1，圖26中為位於所述第二區域A2的所述第一天線230B及位於所述第四區域A4的所述第二天線250B共同所形成的一第二場型FT2。具體來說，當兩個所述第一天線230A、230B及兩個所述第二天線250A、250B串接（也就是第一場型FT1及第二場型FT2結合）時，會形成圖23及圖24中的所述最終場型FTE。

由圖23及圖24中的最終場型FTE可以明顯知道，所述串接式天線結構200A通過兩個所述第一場型FT1及所述第二場型FT2相互彌補後，不僅具有第一實施例的優點，更能讓所述最終場型FET於水平面的最大值及最小值的差值縮小至約0.5dBi內，使所述串接式天線結構200A的最終場型FTE於H平面（H-plane）上更趨近於圓形（也就是提高真圓度），也就是如圖27所示。

[本創作實施例的技術效果]

綜上所述，本創作實施例所公開的串接式天線結構，能通過“兩個所述第一天線130分別與兩個所述第二天線150呈相同的對稱形狀，並且兩個所述第二天線150正投影於所述第一板面111的區域相對於對應的所述參考位置RP而與兩個所述第一天線130呈180度旋轉對稱”及“所述饋入點160電性耦接於兩個所述參考位置RP之間的所述第一連接線120以及兩個所述參考位置RP朝所述第二板面112正投影的區域之間的所述第二連接線140”的設計，使所述串接式天線結構能實現其高、低頻的場型最大值分別位於水平面上的效果。

以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的申請專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的申請專利範圍內。

100A、100B、100A’、100B’、200A、200A’、200B、200B’:串接式天線結構 110、210:絕緣基板 111、211:第一板面 112、212:第二板面 113、213:第一端 114、214:第二端 120、220:第一連接線 221:第一主段 222:第一子段 130、230A、230B:第一天線 131、231:第一子天線 1311、2311:第一自由端 1312、2312:第一連接端 140、240:第二連接線 241:第二主段 242:第二子段 150、250A、250B:第二天線 151、251:第二子天線 1511、2511:第二自由端 1512、2512:第二連接端 160、260:饋入點 170、270A、270B:第一輔助天線 271:第一輔助子天線 2711:第一自由端 2712:第一連接端 180、280A、280B:第二輔助天線 281:第二輔助子天線 2811:第二自由端 2812:第二連接端 LD:長度方向 WD:寬度方向 TD:厚度方向 CL:中心線 RP、RP’:參考位置 XP:輔助參考位置 XL:參考線 D1、D1’、D4、D4’、D6:第一最短距離 D2、D2’、D5、D5’、D6’:第二最短距離 D3:第三最短距離 A1:第一區域 A2:第二區域 A3:第三區域 A4:第四區域 FTE:最終場型 FT1:第一場型 FT2:第二場型

圖1為本創作第一實施例的串接式天線結構的平面示意圖。

圖2為本創作第一實施例的串接式天線結構的側視示意圖。

圖3為本創作第一實施例的串接式天線結構於朝第一板面俯視時的平面示意圖。

圖4為本創作第一實施例的串接式天線結構於朝第二板面俯視時的平面示意圖。

圖5為本創作第二實施例的串接式天線結構的平面示意圖。

圖6為本創作第二實施例的串接式天線結構於朝第一板面俯視時的平面示意圖。

圖7為本創作第二實施例的串接式天線結構於朝第二板面俯視時的平面示意圖。

圖8為本創作第三實施例的串接式天線結構（一）的平面示意圖。

圖9為本創作第三實施例的串接式天線結構（二）的平面示意圖。

圖10為本創作第三實施例的串接式天線結構（一）的場型示意圖。

圖11為本創作第三實施例的串接式天線結構（一）於H平面（H-plane）上的場型示意圖。

圖12為本創作第三實施例的串接式天線結構（一）於E平面（E-plane）上的場型示意圖。

圖13為本創作第四實施例的串接式天線結構的平面示意圖。

圖14為本創作第四實施例的串接式天線結構於朝第一板面俯視時的平面示意圖。

圖15為本創作第四實施例的串接式天線結構於朝第二板面俯視時的平面示意圖。

圖16為本創作第五實施例的串接式天線結構的平面示意圖。

圖17為本創作第五實施例的串接式天線結構於朝第一板面俯視時的平面示意圖。

圖18為本創作第五實施例的串接式天線結構於朝第二板面俯視時的平面示意圖。

圖19為本創作第六實施例的串接式天線結構（一）的平面示意圖。

圖20為本創作第六實施例的部份的串接式天線結構（一）的平面示意圖。

圖21為本創作第六實施例的串接式天線結構（二）的平面示意圖。

圖22為本創作第六實施例的部份的串接式天線結構（二）的平面示意圖。

圖23為本創作第六實施例的串接式天線結構（一）的最終場型側視示意圖。

圖24為本創作第六實施例的串接式天線結構（一）的最終場型俯視示意圖。

圖25為本創作第六實施例的串接式天線結構（一）的第一場型示意圖。

圖26為本創作第六實施例的串接式天線結構（一）的第二場型示意圖。

圖27為本創作第六實施例的串接式天線結構（一）於H平面（H-plane）上的最終場型示意圖。

100A:串接式天線結構

110:絕緣基板

111:第一板面

113:第一端

114:第二端

120:第一連接線

130:第一天線

150:第二天線

160:饋入點

LD:長度方向

WD:寬度方向

RP:參考位置

Claims

一種串接式天線結構，其包括：一絕緣基板，具有相反的一第一板面及一第二板面；一第一連接線，設置於所述第一板面；兩個第一天線，彼此間隔地設置於所述第一板面，每個所述第一天線具有兩個第一子天線，並且每個所述第一子天線具有相反的一第一自由端及一第一連接端；兩個所述第一天線的兩個所述第一子天線分別以其所述第一連接端電性耦接所述第一連接線，並且兩個所述第一子天線共同形成對稱形狀；一第二連接線，設置於所述第二板面；兩個第二天線，彼此間隔地設置於所述第二板面，每個所述第二天線具有兩個第二子天線，並且每個所述第二子天線具有相反的一第二自由端及一第二連接端；兩個所述第一天線的兩個所述第二子天線分別以其所述第二連接端電性耦接所述第二連接線，並且兩個所述第二子天線共同形成對稱形狀；其中，所述絕緣基板於兩個所述第一天線分別與所述第一連接線之間電性耦接處具有一參考位置，並且兩個所述第二天線正投影於所述第一板面的區域相對於對應的所述參考位置而與兩個所述第一天線呈180度旋轉對稱（2-fold rotational symmetry）；一饋入點，電性耦接於兩個所述參考位置之間的所述第一連接線以及兩個所述參考位置朝所述第二板面正投影的區域之間的所述第二連接線。
如請求項1所述的串接式天線結構，其中，每個所述第二天線的兩個所述第二自由端與每個所述第一天線的兩個所述第一自由端朝向彼此相反的方向；所述饋入點貫穿所述絕緣基板，而電性耦接所述第一連接線及所述第二連接線，所述饋入點相距兩個所述參考位置的比為1：1。
如請求項1所述的串接式天線結構，其中，兩個所述第一天線的兩個所述第一自由端朝向遠離彼此的方向，兩個所述第二天線的兩個所述第二自由端朝向彼此的方向；所述饋入點貫穿所述絕緣基板，而電性耦接所述第一連接線及所述第二連接線，所述饋入點相距兩個所述參考位置的比為1：3。
如請求項1所述的串接式天線結構，其中，所述串接式天線結構適用於一傳輸頻段，兩個所述參考位置之間的距離為所述傳輸頻段的一中心頻率所對應的波長的0.5至1.5倍。
如請求項1所述的串接式天線結構，其中，所述串接式天線結構更包含：多個第一輔助天線，設置於所述第一板面，多個所述第一輔助天線電性耦接所述第一連接線，每個所述第一輔助天線與所述第一天線的形狀相同；多個第二輔助天線，設置於所述第二板面，多個所述第二輔助天線電性耦接所述第二連接線，每個所述第二輔助天線與所述第二天線的形狀相同；其中，所述絕緣基板於每個所述第一輔助天線與所述第一連接線之間電性耦接處具有一輔助參考位置，並且兩個所述第二輔助天線正投影於所述第一板面的區域相對於對應的所述輔助參考位置而與兩個所述第一輔助天線呈180度旋轉對稱（2-fold rotational symmetry）。
如請求項5所述的串接式天線結構，其中，所述第一連接線於相鄰的任兩個所述一輔助天線之間、及任一個所述第一天線與其相鄰的所述第一輔助天線之間分別具有等長的一第一距離；所述第二連接線於相鄰的任兩個所述二輔助天線之間、及任一個所述第二天線與其相鄰的所述第二輔助天線之間分別具有等長的一第二距離。
如請求項6所述的串接式天線結構，其中，所述串接式天線結構適用於一傳輸頻段，每個所述第一距離及每個所述第二距離分別等於所述傳輸頻段的所述中心頻率所對應的波長，兩個所述參考位置之間的距離為所述傳輸頻段的一中心頻率所對應的波長的0.5至1.5倍。
如請求項5所述的串接式天線結構，其中，多個所述第一輔助天線及多個所述第二輔助天線的數量為偶數個。
如請求項1所述的串接式天線結構，其中，兩個所述第一天線及兩個所述第二天線分別為U字狀。
如請求項1所述的串接式天線結構，其中，所述第二連接線正投影於所述第一板面的區域與所述第一連接線疊合，並且兩個所述第二天線的位置分別對應兩個所述第一天線的位置。