TW202326889A - 基座接地檢測裝置和方法 - Google Patents

Abstract

一種基座接地檢測裝置，該基座設置於半導體設備中用於進行半導體製程的製程腔室內。該基座用於承載待加工的晶圓，該裝置包括電壓信號採集單元、電壓檢測單元和控制單元。該電壓信號採集單元用於採集基座的電壓信號；該電壓檢測單元用於接收來自該電壓信號採集單元的該電壓信號，並根據該電壓信號和預設電壓信號以確定該基座是否接地，並在該基座接地時，將第一信號作為輸出信號發送給該控制單元，該第一信號指示該基座接地；該控制單元用於在該半導體設備執行製程過程中接收到該第一信號時，指示該半導體設備停止執行製程並發出報警信號。

Description

基座接地檢測裝置和方法

本申請涉及半導體製造領域，特別涉及基座接地檢測裝置和方法。

磁控濺射製程是一項廣泛應用於半導體製造領域的技術，典型的磁控濺射製程是在如圖1所示的高真空腔室內完成的。腔室主體結構包括：腔室壁9、靶材1、內襯2、壓環3、基座4。這些結構主要構成了磁控濺射製程所需的密閉環境。在進行磁控濺射製程之前，先要將晶圓7放置在基座4上，然後由真空泵5將腔室抽真空至真空狀態。當腔室內達到指定的真空度後，基座4會上升並將壓環3頂起，使壓環3與內襯2分離，基座4和壓環3懸空(即，不接地)。

當基座4到達製程位元後，控制系統通過進氣口10向腔室內通入規定量的氬氣作為製程氣體，此時可以開始磁控濺射製程。參考圖2，濺射電源8在腔室壁9和靶材1之間施加規定的電壓，使腔室內的氬氣電離，同時在旋轉的磁控管6對電子的束縛作用下，被離化的氬離子受到電場力的作用朝著靶材1(陰極)的方向運動，靶材1的下表面會形成穩定的等離子體。在電場和磁場的作用下被離化的氬離子持續轟擊靶材1的表面，使靶材原子被濺射出來並落在置於基座4上的晶圓7表面，從而實現在晶圓7表面的鍍膜製程。

同時，上述磁控濺射製程過程中，自由電子朝著內襯2(陽極)的方向運動，其中也有部分自由電子會落在電位懸浮的基座4上。電位懸浮的基座4上會累積一定量的自由電子，使得基座4與大地之間形成電勢差。製程過程中的功率越大，基座4上累積的自由電子就越多。

在執行製程的過程中，如果基座4與腔室壁9或內襯2短接，例如腔室內出現異物使基座4與腔室壁9或內襯2短接，或者在基座4和壓環3還未徹底脫離內襯2時就錯判基座4到達製程位而開始執行磁控濺射製程，此時基座4與腔室壁9和內襯2短接，基座4上累積的自由電子就會迅速被大地吸收，使基座4與大地等電位，而腔室壁9又與大地導通，相當於基座4成為了陽極，導致基座4與靶材1(陰極)之間形成電流回路，電流從置於基座4上的晶圓7流過，會致使晶圓7上的元器件被電流擊穿，嚴重影響晶圓的電學性能，影響產品品質。現有技術中，在執行製程中難以及時發現基座4與腔室壁9或內襯2短接的情況，因此無法及時發現基座異常接地而及時停止執行製程，影響了晶圓的品質。

本申請的目的是提供能夠方便準確地進行基座接地檢測的方法和裝置。

本申請一方面，提供了一種基座接地檢測裝置，用於半導體設備中，該基座設置於該半導體設備中用於進行半導體製程的製程腔室內，且該基座用於承載待加工的晶圓，該基座接地檢測裝置包括電壓信號採集單元、電壓檢測單元和控制單元；其中：該電壓信號採集單元用於採集基座的電壓信號；該電壓檢測單元用於接收來自該電壓信號採集單元的該電壓信號，並根據該電壓信號和預設電壓信號，確定該基座是否接地，並在該基座接地時，將第一信號作為輸出信號發送給該控制單元，該第一信號指示該基座接地；該控制單元用於在該半導體設備執行製程過程中接收到該第一信號時，指示該半導體設備停止執行製程並發出報警信號。

可選地，該電壓檢測單元具體用於：接收該電壓信號，並將該電壓信號和該預設電壓信號進行對比，如果該電壓信號的絕對值小於該預設電壓信號，則確定該基座接地，並將該第一信號作為該輸出信號。

可選地，該電壓檢測單元還用於：如果該電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號，則確定該基座未接地，並將第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。

可選地，該基座接地檢測裝置還包括加壓單元，該加壓單元用於在該基座無電壓信號的情況下，向該電壓檢測單元提供一基準電壓信號，該電壓檢測單元用於將該基準電壓信號與該預設電壓信號進行對比，並在該基準電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號時，確定該基座未接地，並將第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。

可選地，該控制單元還用於在接收到該輸出信號從該第二信號變為該第一信號以及接著從該第一信號變為該第二信號時，對該基座的位置分別記錄為第一位置和第二位置，且比較該第一位置和該第二位置，並在該第一位置低於該第二位置時，確定該第二位置為最低製程位置。

本申請的另一方面，還提供了一種基座接地檢測方法，用於半導體設備中，該方法包括：S1、採集基座的電壓信號；S2、根據該電壓信號與預設電壓信號，確定該基座是否接地，並在該基座接地時，將第一信號作為輸出信號，該第一信號指示該基座接地；S3、在執行製程過程中，如果該輸出信號為該第一信號，停止執行製程並發出報警信號。

可選地，步驟S2具體包括：將該電壓信號和該預設電壓信號進行對比，如果該電壓信號的絕對值小於該預設電壓信號，則確定該基座接地，並將該第一信號作為該輸出信號。

可選地，步驟S2還包括：如果該電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號，確定該基座未接地，並將第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。

可選地，該方法還包括：在該基座無電壓信號的情況下，提供一基準電壓信號，並將該基準電壓信號與該預設電壓信號進行對比，並在該基準電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號時，確定該基座未接地，並將第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。

可選地，該方法還包括：在接收到該輸出信號從該第二信號變為該第一信號以及接著從該第一信號變為該第二信號時，對該基座的位置分別記錄為第一位置和第二位置，且比較該第一位置和該第二位置，並在該第一位置低於該第二位置時，確定該第二位置為最低製程位置。

本申請的技術方案，通過電壓信號採集單元採集基座的電壓信號，由電壓檢測單元根據電壓信號和預設電壓信號，確定基座是否未接地，並在基座接地時，將指示基座接地的第一信號作為輸出信號，在執行製程時，控制單元一旦接收到該第一信號則立即指示半導體設備停止執行製程並發出報警信號，從而可以及時發現基座與腔室壁或內襯短接等導致的接地情況，避免發生待加工晶圓被電流擊穿進而嚴重影響晶圓的電學性能、影響產品品質的事故。

以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。

此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。

儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。

請參考圖3。圖3顯示根據本申請實施例的基座接地檢測裝置的結構框圖。該裝置用於半導體設備中，基座設置於半導體設備中用於進行半導體製程的製程腔室內，且基座用於承載待加工的晶圓。如圖3所示，該基座接地檢測裝置包括電壓信號採集單元302、電壓檢測單元304和控制單元306。

電壓信號採集單元302用於採集基座的電壓信號。可選地，電壓信號採集單元302可以通過與基座9暴露於腔室外的部分電連接，採集基座的電壓信號。在正式開始執行磁控濺射製程前，基座9會從初始位置逐步上升直至到達製程位。上述基座“暴露於腔室外的部分”，指基座9上在運行過程中始終暴露於腔室外、不會升入腔室的部分。電壓信號採集單元302可以是電壓信號採集導線，可通過螺釘等方式連接至基座。

電壓檢測單元304用於接收來自電壓信號採集單元302的電壓信號，並根據電壓信號和預設電壓信號，確定是否是否將第一信號作為輸出信號發送給控制單元，該第一信號指示基座接地。在一些示例中，可以對電壓信號進行進一步處理，例如，為滿足控制系統對電信號範圍要求等，可通過分壓電路對電壓信號進行分壓，和/或根據需要對其幅值進行縮放，和/或對其進行反相處理等，然後根據處理結果和上述預設電壓信號來確定基座是否接地，並在基座接地時，將第一信號作為輸出信號發送給控制單元，在此不作限定。

在一些可能的實施方式中，電壓檢測單元306具體用於接收電壓信號，並將電壓信號和預設電壓信號進行對比，如果電壓信號的絕對值小於預設電壓信號，則確定基座接地，並將第一信號作為輸出信號。

在一些可能的實施方式中，電壓檢測單元306還用於如果電壓信號的絕對值大於預設電壓信號，則確定基座未接地，並將第二信號作為輸出信號，該第二信號指示基座未接地。

控制單元306用於在半導體設備執行製程過程中接收到第一信號時，指示該半導體設備停止執行製程並發出報警信號。

本領域技術人員可根據實際需求、模擬實驗等選擇合適的預設電壓信號。

上述實施例中，通過電壓信號採集單元採集基座的電壓信號，由電壓檢測單元根據電壓信號和預設電壓信號，確定基座是否接地，並在基座接地時，將指示基座接地的第一信號作為輸出信號，在執行製程時，控制單元一旦接收到該第一信號則立即指示半導體設備停止執行製程並發出報警信號，從而可及時發現基座與腔室壁或內襯短接等導致的接地情況，避免發生晶圓被電流擊穿進而嚴重影響晶圓的電學性能、影響產品品質的事故。

上述術語“第一信號”、“第二信號”用於區分表徵不同資訊的信號。在一個示例中，第一信號指幅值為第一電平的電信號，第二信號指幅值為第二電平的電信號，例如，可以設第一電平為高電平，第二電平為低電平，或反之，設第一電平為低電平，第二電平為高電平，可方便簡明地指示基座是否接地，且便於後續使用。

圖4顯示根據本申請示例性實施例的基座接地檢測裝置的結構框圖。如圖4所示，該裝置還包括加壓單元308，加壓單元308用於在基座無電壓信號的情況下，向電壓檢測單元304提供一基準電壓信號，該電壓檢測單元304還用於將該基準電壓信號與該預設電壓信號進行對比，並在該基準電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號時，確定基座未接地，並將第二信號作為輸出信號，該第二信號指示基座未接地。

在上述基座無電壓信號的情況下，上述基準電壓信號將作為替代電壓信號在後續步驟中被比對，從而使得在基座懸空且無累積電荷等情況下，電壓檢測單元304也可輸出第二信號，與指示基座接地的第一信號明確區分，確保後續控制單元306可發出正確的報警信號。

電壓檢測單元304和加壓單元308可以由電路實現，其可以集成在同一塊電路板上，本領域技術人員也可以通過其他認為適用的硬體和/或軟體方式實現上述各個單元，本申請對此不做限定。

在半導體設備的製程腔室執行製程時，需要將基座升降到合適的製程位，這個位置的高度應滿足：基座將壓環頂起，使壓環與內襯脫離。這樣就需要確定一個執行製程時基座的最低位置即基座的最低製程位置，如何確定恰當的最低製程位置，也是本領域的一個技術難題。最低製程位置指達到執行製程條件所允許的基座最低位置，我們通常把壓環3與內襯2剛剛分離、基座4與壓環3剛好處於懸空狀態時基座4的位置作為執行磁控濺射製程的腔室的最低製程位置。如果最低製程位置定的太低，無法正常執行製程；如果最低製程位偏高，留給基座4在執行不同製程時的可調整空間就顯著變小，而可調整空間越大，後續能夠實現的製程就越多，相應地，可調整空間小，則會顯著限制後續製程執行。現有技術中需要打開腔室，用萬用表的表筆一端連接在基座4上，另外一端連接在腔室壁9上，並通過手動升降基座4，人工監控基座與腔室壁間的導通情況，來確定最低製程位置。這種方法實現起來比較繁瑣，而且會對腔室產生一定干擾。

根據本申請的一些實施方式，控制單元還用於在接收到輸出信號從第二信號變為第一信號以及接著從第一信號變為第二信號時，對基座的位置分別記錄為第一位置和第二位置，且比較第一位置和第二位置，並在第一位置低於第二位置時，確定第二位置為最低製程位置。

在一個示例中，可以採用基座與初始位置間的距離來表徵基座的位置。

在一個示例中，可以通過基座的驅動電機的運行信息獲取基座的位置，例如，可通過驅動電機的運行資訊獲取基座的上升距離。

根據本申請的上述示例性實施例，可以快速精准地確定最低製程位置，且對腔室無干擾。

以下結合圖5(a)、圖5(b)和圖5(c)對根據本申請示例性實施例的基座接地檢測裝置在不同狀態下的輸出進行分析。

發明人對執行製程前基座從初始位置上升至製程位、製程執行過程以及製程完成後基座從製程位下降到初始位置的整個過程進行了深入細緻的分析，並考慮了製程執行中基座與腔室壁或內襯短接的異常情況，根據基座的電壓狀態對這些情況進行了分類：

(1)基座處於懸浮狀態，且基座上無累積電荷；

(2)基座處於懸浮狀態，且基座上有累積負電荷；

(3)基座處於接地狀態。

基座上升階段，與壓環接觸前以及頂起壓環並使壓環與內襯脫離後，均屬於上述情況(1)；基座下降階段，將壓環放置到內襯上並與壓環脫離後，也屬於上述情況(1)。

製程執行中，屬於上述情況(2)；基座下降階段，且壓環未與內襯接觸前，也屬於上述情況(2)。

基座上升階段，與壓環接觸直至壓環與內襯脫離，這一過程屬於情況(3)；基座下降階段，壓環與內襯接觸直至基座脫離壓環，這一過程屬於情況(3)；製程執行過程中，出現異物導致基座與腔室壁或內襯短接，也屬於情況(3)。

此處先對情況(1)進行分析。圖5(a)以基座上升階段、與壓環接觸前的狀態圖為例對情況(1)進行了分析，其他符合情況(1)的狀態與之類似。當磁控濺射腔室內沒有進行磁控濺射製程時，除基座上升過程中基座頂起壓環的瞬間，其他情況下基座均處於懸浮狀態，且基座上沒有累積的負電荷。這種狀態下，由於電壓信號採集單元的採集電壓輸入端無電壓信號，而電壓檢測單元是通過電壓信號採集單元採集的電壓信號來進行判斷基座是否接地的，那麼沒有採集到基座的電壓信號，電壓檢測單元就無法與設置的預設電壓信號進行對比，因此，加壓單元308提供一基準電壓信號。電壓檢測單元304基於加壓單元308提供的基準電壓信號進行檢測，並將基準電壓信號與預設電壓信號進行對比。基準電壓信號的設置原則即為其絕對值大於預設電壓信號。因此，電壓檢測單元304將第二信號作為輸出信號發送給控制單元306，第二信號指示基座未接地。這樣能夠使基座無電壓信號時能夠正常與設置的對比電壓進行對比判斷。在一個示例中，可設定預設電壓信號為0.5V(伏)，基準電壓信號為15V。

對情況(2)進行分析。圖5(b)以製程執行中為例對情況(2)進行了分析，其他符合情況(2)的狀態與之類似。此時，腔室內執行磁控濺射製程，如前文所述，懸浮的基座上會累積負電荷，懸浮的基座處於負電壓狀態，電壓信號採集單元302採集得到該負電壓信號。在實際磁控濺射製程中，這是一個幅值較大的負電壓，電壓檢測單元304對比該電壓信號與預設電壓信號，該電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號。此時，電壓檢測單元304將第二信號發送給控制單元306，以指示基座未接地。

對情況(3)進行分析。圖5(c)以基座上升階段、基座與壓環接觸且壓環未與內襯脫離的狀態為例對情況(3)進行了分析，其他符合情況(3)的狀態與之類似。當磁控濺射腔室內沒有進行磁控濺射製程時，而基座正處在上升過程中，基座上升到與壓環接觸並將壓環頂起於內襯脫離的瞬間，此時，基座通過壓環與內襯之間的接觸與大地導通；同樣的，當製程完成後，基座要從製程位置下降，並將壓環恢復到原來的位置，這時當基座與壓環脫離，並將壓環放置在內襯上的瞬間，基座通過壓環與內襯的接觸與大地導通；或者，當基座應該處於懸浮狀態，但由於其他異常情況導致與大地導通時，例如，磁控濺射製程出現了異常情況(比如：當出現基座與腔室壁之間有異物，該異物將基座與腔室壁短接的情況；或者當基座處於比較低的製程位時，基座與內襯的間距比較近，如果有異物掉落到內襯與基座中間，就會出現基座與內襯短接的情況)，這些情況下基座上的累積負電荷會被釋放，基座的電位與大地相等，電壓信號採集單元302採集到基座的電壓信號為0，電壓檢測單元304將該電壓信號與預設電壓信號(0.5V)進行對比，其絕對值小於預設電壓信號，因此輸出第一信號作為輸出信號發送給控制單元306，第一信號指示基座接地。

圖6(a)和圖6(b)顯示根據本申請示例性實施例的確定最低製程位置的示意圖，為便於描述，設第一信號為低電平信號，第二信號為高電平信號。如果沒有異常情況導致基座與大地導通的狀態時，基座只有在如圖5(c)的位置才與大地呈現導通狀態。由於壓環與內襯接觸，內襯與大地連接，基座接觸到壓環則基座接地。在確定最低製程位置時，必須要保證基座由下向上運動，因為我們需要的是基座與壓環脫離內襯的位置。

圖6(a)顯示執行製程前基座上升過程的示意圖。如圖6(a)所示，基座由初始位置開始運動，當基座運動到t1秒時，基座與壓環接觸，根據上文分析，此時由於基座接地，電壓檢測單元304的輸出信號從第二信號(高電平)變為第一信號(低電平)，此時基座的位置為第一位置(基座接觸壓環的位置)。隨著基座頂起壓環並繼續向上運動，當基座運動到t2秒時，基座頂起壓環使其與內襯完全脫離，壓環與內襯的連接點斷開，此時基座未接地，電壓檢測單元304的輸出信號從第一信號(低電平)變為第二信號(高電平)，此時基座的位置為第二位置(基座與壓環脫離內襯的位置)。發明人對這一過程進行了深入研究，上述過程中，t2時刻，當電壓檢測單元304的輸出信號從第一信號(低電平)變為第二信號(高電平)時，基座和壓環已完全與內襯脫離，並且基座和壓環剛剛與內襯脫離，因此，可將上述第二位置確定為最低製程位置。

圖6(b)顯示執行製程完成後基座下降過程的示意圖。基座從製程位開始向初始位置運動，即基座由上往下運動，這是基座將頂起的壓環放回到內襯、再回到初始位置的過程。當基座運動到t3秒時，基座與壓環接觸到內襯，電壓檢測單元304的輸出信號由第二信號(高電平)變為第一信號(低電平)。當基座運動到t4秒時，壓環完全落到內襯上，並且基座與壓環脫離，電壓檢測單元304的生成信號由第一信號(低電平)變為第二信號(高電平)。圖6(b)中電壓檢測單元304的輸出信號與圖6(a)看似類似，但是仔細分析後可發現，在上述生成信號變化的t3時刻，基座和壓環已經與內襯接觸，即基座剛剛向下越過了理論上的最低製程位置，因此，t3時刻基座的位置不適合作為最低製程位置。

圖7顯示根據本申請實施例的基座接地檢測方法的流程圖。如圖7所示，該方法包括步驟S1～S3。

S1，採集基座的電壓信號；

S2，根據電壓信號與預設電壓信號，確定基座是否接地，並在基座接地時，將第一信號作為輸出信號，第一信號指示基座接地；

S3，在執行製程過程中，如果輸出信號為第一信號，停止執行製程並發出報警信號。

在一些可能的實施方式中，步驟S2具體還包括：

將電壓信號和預設電壓信號進行對比，如果電壓信號的絕對值小於預設電壓信號，則確定基座接地，並將第一信號作為輸出信號。

在一些可能的實施方式中，步驟S2還包括：

如果電壓信號的絕對值大於預設電壓信號，確定基座未接地，並將第二信號作為輸出信號，第二信號指示基座未接地。

在一些可能的實施方式中，方法還包括：

在基座無電壓信號的情況下，提供一基準電壓信號，並將基準電壓信號與預設電壓信號進行對比，並在基準電壓信號的絕對值大於預設電壓信號時，確定基座未接地，並將第二信號作為輸出信號，第二信號指示基座未接地。

在一些可能的實施方式中，方法還包括：

在接收到輸出信號從第二信號變為第一信號以及接著從第一信號變為第二信號時，對基座的位置分別記錄為第一位置和第二位置，且比較第一位置和第二位置，並在第一位置低於第二位置時，確定第二位置為最低製程位置。

前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文仲介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。

1:靶材 2:記憶體 3:壓環 4:基座 5:真空系統 6:磁控管 7:晶圓 8:濺射電源 9:腔室壁 10:氬氣 302:電壓信號採集單元 304:電壓檢測單元 306:控制單元 308:加壓單元

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1顯示典型的執行磁控濺射製程的高真空腔室示意圖。 圖2顯示在腔室中執行磁控濺射製程的示意圖。 圖3顯示根據本申請實施例的基座接地檢測裝置的結構框圖。 圖4顯示根據本申請示例性實施例的基座接地檢測裝置的結構框圖。 圖5(a)、(b)和(c)顯示根據本申請示例性實施例的基座接地檢測裝置對應不同狀態的輸出示意圖。 圖6(a)和(b)顯示根據本申請示例性實施例的確定最低製程位置的分析示意圖。 圖7顯示根據本申請實施例的基座接地檢測方法的流程圖。

9:基座

302:電壓信號採集單元

304:電壓檢測單元

306:控制單元

Claims (10)

1. 一種基座接地檢測裝置，用於一半導體設備中，該基座設置於該半導體設備中用於進行一半導體製程的一製程腔室內，且該基座用於承載待加工的晶圓，其中，該基座接地檢測裝置包括一電壓信號採集單元、一電壓檢測單元和一控制單元；其中： 該電壓信號採集單元用於採集該基座的一電壓信號； 該電壓檢測單元用於接收來自該電壓信號採集單元的該電壓信號，並根據該電壓信號和一預設電壓信號，確定該基座是否接地，並在該基座接地時，將一第一信號作為輸出信號發送給該控制單元，該第一信號指示該基座接地； 該控制單元用於在該半導體設備執行製程過程中接收到該第一信號時，指示該半導體設備停止執行製程並發出報警信號。
2. 如請求項1所述的基座接地檢測裝置，其中，該電壓檢測單元具體用於： 接收該電壓信號，並將該電壓信號和該預設電壓信號進行對比，如果該電壓信號的絕對值小於該預設電壓信號，則確定該基座接地，並將該第一信號作為該輸出信號。
3. 如請求項2所述的基座接地檢測裝置，其中，該電壓檢測單元還用於： 如果該電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號，則確定該基座未接地，並將第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。
4. 如請求項1所述的基座接地檢測裝置，其中，該基座接地檢測裝置還包括一加壓單元，該加壓單元用於在該基座無電壓信號的情況下，向該電壓檢測單元提供一基準電壓信號，該電壓檢測單元用於將該基準電壓信號與該預設電壓信號進行對比，並在確定該基準電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號時，確定該基座未接地，並將一第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。
5. 如請求項3或4所述的基座接地檢測裝置，其中，該控制單元還用於在接收到該輸出信號從該第二信號變為該第一信號以及接著從該第一信號變為該第二信號時，對該基座的位置分別記錄為第一位置和第二位置，且比較該第一位置和該第二位置，並在該第一位置低於該第二位置時，確定該第二位置為最低製程位置。
6. 一種基座接地檢測方法，用於一半導體設備中，其中，該方法包括： S1、採集一基座的一電壓信號； S2、根據該電壓信號與預設電壓信號，確定該基座是否接地，並在該基座接地時，將一第一信號作為一輸出信號，該第一信號指示該基座接地； S3、在執行製程過程中，如果該輸出信號為該第一信號，停止執行製程並發出報警信號。
7. 如請求項6所述的方法，其中，步驟S2具體包括： 將該電壓信號和該預設電壓信號進行對比，如果該電壓信號的絕對值小於該預設電壓信號，則確定該基座接地，並將該第一信號作為該輸出信號。
8. 如請求項7所述的方法，其中，步驟S2還包括： 如果該電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號，確定該基座未接地，並將第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。
9. 如請求項6所述的方法，其中，該方法還包括： 在該基座無電壓信號的情況下，提供一基準電壓信號，並將該基準電壓信號與該預設電壓信號進行對比，並在該基準電壓信號的絕對值大於該預設電壓信號時，確定該基座未接地，並將一第二信號作為該輸出信號，該第二信號指示該基座未接地。
10. 如請求項8或9所述的方法，其中，該方法還包括： 在接收到該輸出信號從該第二信號變為該第一信號以及接著從該第一信號變為該第二信號時，對該基座的位置分別記錄為第一位置和第二位置，且比較該第一位置和該第二位置，並在該第一位置低於該第二位置時，確定該第二位置為最低製程位置。