TW202325102A - 電漿處理裝置及蝕刻方法 - Google Patents

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鳥井夏実
永海幸一
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種電漿處理裝置及蝕刻方法，於電漿處理中，適當地控制電漿中的離子之對於基板的邊緣區域之入射角度。該電漿處理裝置，具備：基板支持體，包含下部電極、靜電吸盤、及邊緣環；驅動裝置，使邊緣環沿縱向移動；上部電極，配置於基板支持體之上方；來源射頻電源，對上部電極或下部電極供給來源射頻電力；偏壓射頻電源，對下部電極供給偏壓射頻電力；至少一導體，和邊緣環接觸；直流電源，經由至少一導體而對邊緣環施加負極性的直流電壓；射頻濾波器，在至少一導體與直流電源之間電性連接，包括至少一可變被動元件；以及控制部，控制驅動裝置及至少一可變被動元件，調整電漿中的離子之對於基板的邊緣區域之入射角度。

Description

電漿處理裝置及蝕刻方法
本發明係關於電漿處理装置及蝕刻方法。
於專利文獻1，揭露用於在電漿腔室內控制邊緣區域中的離子束之方向性的系統。該系統，包含構成為產生射頻訊號之射頻產生器、接收射頻訊號而產生修正射頻訊號之阻抗匹配電路、及電漿腔室。電漿腔室，包含邊緣環、及接收修正射頻訊號之耦合環。耦合環，包含接收修正射頻訊號之電極、及在與邊緣環之間產生電容而控制離子束的方向性之電極。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
專利文獻1：日本特開2017-228526號公報
［本發明所欲解決的問題］
本發明所揭露之技術，於電漿處理中適當地控制電漿中的離子之對於基板的邊緣區域之入射角度。 ［解決問題之技術手段］
本發明的一態樣之電漿處理裝置，包含：電漿處理腔室；基板支持體，配置於該電漿處理腔室內，該基板支持體包括下部電極、靜電吸盤、及包圍著該靜電吸盤上所載置之基板而配置的邊緣環；驅動裝置，使該邊緣環朝縱向移動；上部電極，配置於該基板支持體之上方；來源射頻電源，為了由該電漿處理腔室內之氣體產生電漿而對該上部電極或該下部電極供給來源射頻電力；偏壓射頻電源，對該下部電極供給偏壓射頻電力；至少一導體，和該邊緣環接觸；直流電源，經由該至少一導體而對該邊緣環施加負極性的直流電壓；射頻濾波器，電性連接在該至少一導體與該直流電源之間，包括至少一可變被動元件（variable passive component）；以及控制部，控制該驅動裝置及該至少一可變被動元件，調整該電漿中之離子對於載置在該靜電吸盤上之基板的邊緣區域之入射角度。 ［本發明之效果］
依本發明，則可於電漿處理中適當地控制電漿中的離子之對於基板的邊緣區域之入射角度。
在半導體裝置之製程中，對半導體晶圓（下稱「晶圓」）施行蝕刻等電漿處理。在電漿處理，藉由激發處理氣體而產生電漿，藉由該電漿處理晶圓。
電漿處理，在電漿處理裝置施行。電漿處理裝置，一般而言，具備腔室、平台、及射頻（Radio Frequency：RF）電源。在一例中，射頻電源，具備第1射頻電源及第2射頻電源。第1射頻電源，為了產生腔室內之氣體的電漿，而供給第1射頻電力。第2射頻電源，為了將離子導入至晶圓，而對下部電極供給偏壓用之第2射頻電力。平台，設置於腔室內。平台，具備下部電極及靜電吸盤。在一例中，於靜電吸盤上，以包圍該靜電吸盤上所載置之晶圓的方式配置邊緣環。邊緣環係為了改善電漿處理之對於晶圓的均一性而設置。
邊緣環伴隨實施電漿處理之時間的經過而消耗，邊緣環之厚度減少。若邊緣環之厚度減少，則於邊緣環及晶圓的邊緣區域之上方中，鞘層之形狀有所變化。若鞘層之形狀如此地變化，則晶圓之邊緣區域中的離子之入射方向對縱向傾斜。其結果，使形成在晶圓的邊緣區域之凹部，對晶圓的厚度方向傾斜。
為了於晶圓的邊緣區域中形成沿晶圓的厚度方向延伸之凹部，必須調整離子之往晶圓的邊緣區域之入射方向的傾斜。因而，為了控制離子的往邊緣區域之入射方向（離子束之方向性），例如在專利文獻1中如同上述地提議，於耦合環的電極與邊緣環之間產生電容。
然而，即便試圖僅藉由產生上述電容而控制入射角度，其控制範圍仍具有極限。此外，雖期望抑制伴隨消耗的邊緣環之更換頻率，但僅藉由上述電容的產生，有無法充分地控制離子之入射角度的情況，此一情況，無法改善邊緣環之更換頻率。
本發明所揭露之技術，藉由在蝕刻中於基板的邊緣區域使離子垂直地入射，而適當地控制傾斜角度。
以下，參考圖式，並針對本實施形態之作為電漿處理裝置的蝕刻裝置及蝕刻方法予以說明。另，於本說明書及圖式中，在實質上具有同一功能構成的要素中給予同一符號，藉此將重複說明省略。
＜蝕刻裝置＞ 首先，針對本實施形態之蝕刻裝置予以說明。圖1係顯示蝕刻裝置1的構成之概略的縱剖面圖。圖2A及圖2B，各自為顯示邊緣環周邊的構成之概略的縱剖面圖。蝕刻裝置1為電容耦合型之蝕刻裝置。在蝕刻裝置1，對於作為基板之晶圓W施行蝕刻。
如圖1所示，蝕刻裝置1，具有略圓筒形之作為電漿處理腔室的腔室10。腔室10，於其內部中區畫電漿產生之處理空間S。腔室10，例如由鋁構成。將腔室10連接至接地電位。
於腔室10之內部，收納有載置晶圓W的作為基板支持體之平台11。平台11，具備下部電極12、靜電吸盤13、及邊緣環14。另，亦可於下部電極12之底面側，例如設置由鋁構成的電極板（未圖示）。
下部電極12，係以導電性材料，例如鋁等金屬構成，具有略圓板形狀。
另，平台11亦可包含調溫模組，該調溫模組構成為將靜電吸盤13、邊緣環14、及晶圓W中之至少一者調節為期望的溫度。調溫模組，亦可包含加熱器、流路、或其等的組合。使冷媒、熱傳氣體等調溫媒體，於流路流通。
在一例中，於下部電極12之內部形成流路15a。從設置於腔室10之外部的急冷器單元（未圖示），經由入口配管15b而對流路15a供給調溫媒體。供給至流路15a之調溫媒體，經由出口流路15c而返回急冷器單元。於流路15a之中，藉由使調溫媒體，例如冷卻水等冷媒循環，而可將靜電吸盤13、邊緣環14、及晶圓W冷卻至期望的溫度。
靜電吸盤13，設置於下部電極12上。在一例中，靜電吸盤13，可將晶圓W與邊緣環14雙方藉由靜電力吸附固持的構件。靜電吸盤13，相較於邊緣部之頂面，將中央部之頂面形成為較高。靜電吸盤13的中央部之頂面，成為載置晶圓W之晶圓載置面；在一例中，靜電吸盤13的邊緣部之頂面，成為載置邊緣環14之邊緣環載置面。
在一例中，於靜電吸盤13之內部中，在中央部設置用於將晶圓W吸附固持的第1電極16a。於靜電吸盤13之內部中，在邊緣部設置用於將邊緣環14吸附固持的第2電極16b。靜電吸盤13，具有將電極16a、16b夾入至由絕緣材料構成的絕緣材之間的構成。
對第1電極16a，施加來自直流電源（未圖示）的直流電壓。藉由藉此產生之靜電力，將晶圓W吸附固持在靜電吸盤13的中央部之頂面。同樣地，對第2電極16b，施加來自直流電源（未圖示）的直流電壓。在一例中，藉由藉此產生之靜電力，將邊緣環14吸附固持在靜電吸盤13的邊緣部之頂面。
另，本實施形態中，靜電吸盤13的設置第1電極16a之中央部，與設置第2電極16b之邊緣部成為一體，但此等中央部與邊緣部亦可為分開的構件。此外，第1電極16a及第2電極16b，皆可為單極或雙極。
此外，本實施形態中，藉由對第2電極16b施加直流電壓而將邊緣環14在靜電吸盤13靜電吸附，但邊緣環14之固持方法並未限定於此一形態。例如，亦可利用吸附片將邊緣環14吸附固持，或亦可將邊緣環14夾持固持。抑或，亦可藉由邊緣環14之自體重量而將邊緣環14固持。
邊緣環14係配置為將靜電吸盤13的中央部之頂面所載置之晶圓W包圍的環狀構件。邊緣環14係為了改善蝕刻的均一性而設置。因此，邊緣環14，由配合蝕刻而適宜選擇之材料構成，具有導電性，例如可由Si或SiC構成。
將如同上述地構成的平台11，栓扣在設置於腔室10之底部的略圓筒狀之支持構件17。支持構件17，例如由陶瓷或石英等絶緣體構成。
於平台11之上方，以與平台11相對向的方式設置噴淋頭20。噴淋頭20，具備面向處理空間S而配置的電極板21、及設置於電極板21之上方的電極支持體22。電極板21，作為與下部電極12成為一對的上部電極而作用。如同後述，將第1射頻電源50與下部電極12電性耦合之情況，噴淋頭20連接至接地電位。另，噴淋頭20，經由絕緣性遮蔽構件23，支持在腔室10之上部（頂棚面）。
於電極板21，形成用於將從後述氣體擴散室22a送出之處理氣體往處理空間S供給的複數氣體噴出口21a。電極板21，例如由產生之焦耳熱少的具有低電阻率之導電體或半導體構成。
電極支持體22，將電極板21以可任意裝卸的方式支持。電極支持體22，例如具有在鋁等導電性材料之表面形成有具有耐電漿性的膜之構成。該膜，可為藉由陽極氧化處理而形成的膜、或氧化釔等陶瓷製的膜。於電極支持體22之內部，形成氣體擴散室22a。從氣體擴散室22a起，形成與氣體噴出口21a連通的複數氣體流通孔22b。此外，於氣體擴散室22a，形成和後述氣體供給管33連接的氣體導入孔22c。
此外，將往氣體擴散室22a供給處理氣體之氣體供給源群30，經由流量控制機器群31、閥群32、氣體供給管33、及氣體導入孔22c而連接至電極支持體22。
氣體供給源群30，具備蝕刻所需之複數種氣體供給源。流量控制機器群31包含複數流量控制器，閥群32包含複數閥。流量控制機器群31之複數流量控制器，各自為質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。於蝕刻裝置1中，將來自從氣體供給源群30選出的一個以上之氣體供給源的處理氣體，經由流量控制機器群31、閥群32、氣體供給管33、及氣體導入孔22c而往氣體擴散室22a供給。而後，將供給至氣體擴散室22a的處理氣體，經由氣體流通孔22b及氣體噴出口21a，往處理空間S內呈噴淋狀地分散供給。
於腔室10之底部，且係腔室10的內壁與支持構件17之間，設置擋板40。擋板40，例如藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁材而構成。於擋板40，形成複數貫通孔。處理空間S，經由該擋板40而與排氣口41連通。例如將真空泵等排氣裝置42連接至排氣口41，藉由該排氣裝置42可將處理空間S內減壓。
此外，於腔室10之側壁形成晶圓W的搬出入口43，該搬入出口43成為可藉由閘閥44開閉。
如圖1及圖2所示，蝕刻裝置1，更具備作為來源射頻電源之第1射頻電源50、作為偏壓射頻電源之第2射頻電源51、及匹配器52。第1射頻電源50與第2射頻電源51，經由匹配器52而與下部電極12耦合。
第1射頻電源50，產生係電漿產生用之來源射頻電力的射頻電力HF，對下部電極12供給該射頻電力HF。射頻電力HF，可為27MHz～100MHz的範圍內之頻率，在一例中為40MHz。第1射頻電源50，經由匹配器52的第1匹配電路53而與下部電極12耦合。第1匹配電路53，係用於將第1射頻電源50的輸出阻抗與負載側（下部電極12側）的輸入阻抗匹配之電路。另，第1射頻電源50，亦可不與下部電極12電性耦合，亦可經由第1匹配電路53而與係上部電極之噴淋頭20耦合。此外，亦可取代第1射頻電源50，使用構成為對下部電極12施加射頻電力以外的脈衝電壓之脈衝電源。此脈衝電源，與後述取代第2射頻電源51而使用之脈衝電源相同。
第2射頻電源51，產生係用於將離子導入至晶圓W之偏壓射頻電力的射頻電力LF，對下部電極12供給該射頻電力LF。射頻電力LF，可為400kHz～13.56MHz的範圍內之頻率，在一例中為400kHz。第2射頻電源51，經由匹配器52的第2匹配電路54而與下部電極12耦合。第2匹配電路54，係用於將第2射頻電源51的輸出阻抗與負載側（下部電極12側）的輸入阻抗匹配之電路。另，亦可取代第2射頻電源51，使用構成為對下部電極12施加射頻電力以外的脈衝電壓之脈衝電源。此處，脈衝電壓，為周期性地改變電壓之大小的脈衝狀電壓。脈衝電源，亦可為直流電源。脈衝電源，可構成為電源本身施加脈衝電壓，亦可構成為在下游側具備將電壓脈衝化之裝置。在一例中，對下部電極12施加脈衝電壓俾於晶圓W產生負電位。脈衝電壓，可為矩形波，亦可為三角波，亦可為脈衝波（impulse），或亦可具有其他波形。脈衝電壓之頻率（脈衝頻率），亦可為100kHz～2MHz的範圍內之頻率。另，上述射頻電力LF或脈衝電壓，亦可對設置於靜電吸盤13之內部的偏壓電極供給或施加。
蝕刻裝置1，更具備第1可變被動元件60與第2可變被動元件61。從邊緣環14側起，依序配置第1可變被動元件60與第2可變被動元件61。第2可變被動元件61，連接至接地電位。亦即，第2可變被動元件61，並未和第1射頻電源50與第2射頻電源51各別地連接。
於一例中，第1可變被動元件60與第2可變被動元件61之至少一方，阻抗可變。第1可變被動元件60與第2可變被動元件61，例如可為線圈（inductor）或電容器（capacitor）之任一者。此外，不限於線圈、電容器，若為二極體等元件等之可變阻抗元件，則為何種構成皆可達成同樣的功能。所屬技術領域中具有通常知識者，亦可適宜設計第1可變被動元件60與第2可變被動元件61之數量與位置。進一步，無須使元件本身為可變，例如亦可具備複數個阻抗為固定值之元件，利用切換電路切換固定值之元件的組合，藉以使阻抗可變。另，所屬技術領域中具有通常知識者，可分別適宜設計此等第1可變被動元件60與第2可變被動元件61之電路構成。
如圖1、圖2A及圖2B所示，蝕刻裝置1，更具備使邊緣環14縱向移動之驅動裝置70。驅動裝置70，具備支持邊緣環14而縱向移動之升降銷71、及使升降銷71縱向移動之驅動源72。
升降銷71，從邊緣環14之底面起沿縱向延伸，貫通靜電吸盤13、下部電極12、支持構件17、及腔室10之底部而設置。為了將腔室10之內部密閉，而將升降銷71與腔室10之間密封。升降銷71，至少其表面可以絕緣材料形成。
驅動源72，設置於腔室10之外部。驅動源72，例如內建有馬達，使升降銷71縱向移動。亦即，藉由驅動裝置70，而使邊緣環14構成為在如圖2A所示地載置於靜電吸盤13的狀態、與如圖2B所示地和靜電吸盤13分離的狀態之間，可朝縱向任意移動。
於上述蝕刻裝置1，設置控制部100。控制部100，例如為具備CPU（中央處理單元）與記憶體等的電腦，具備程式收納部（未圖示）。於程式收納部，收納有控制蝕刻裝置1之蝕刻的程式。另，上述程式，亦可記錄在電腦可讀取之記錄媒體，由該記錄媒體安裝至控制部100。此外，上述記錄媒體，可為暫態性，亦可為非暫態性。
＜蝕刻方法＞ 接著，針對利用如同上述地構成之蝕刻裝置1施行的蝕刻予以說明。
首先，往腔室10之內部搬入晶圓W，將晶圓W載置於靜電吸盤13上。其後，藉由對靜電吸盤13之第1電極16a施加直流電壓，而將晶圓W以庫侖力在靜電吸盤13靜電吸附，予以固持。此外，於晶圓W的搬入後，藉由排氣裝置42將腔室10之內部減壓至期望的真空度。
接著，從氣體供給源群30經由噴淋頭20往處理空間S供給處理氣體。此外，藉由第1射頻電源50對下部電極12供給電漿產生用之射頻電力HF，激發處理氣體，產生電漿。此時，亦可藉由第2射頻電源51供給離子導入用之射頻電力LF。而後，藉由產生的電漿之作用，對晶圓W施行蝕刻。
於蝕刻結束時，首先，停止來自第1射頻電源50的射頻電力HF之供給、及以氣體供給源群30進行的處理氣體之供給。此外，在蝕刻中供給射頻電力LF的情況，亦停止該射頻電力LF之供給。接著，停止熱傳氣體之往晶圓W的背面之供給，停止以靜電吸盤13進行的晶圓W之吸附固持。
其後，從腔室10將晶圓W搬出，結束對於晶圓W之一連串的蝕刻。
另，於蝕刻中，亦有並未使用來自第1射頻電源50的射頻電力HF，僅使用來自第2射頻電源51的射頻電力LF產生電漿之情況。
＜傾斜角度控制方法＞ 接著，針對在上述蝕刻中控制傾斜角度之方法予以說明。傾斜角度，係於晶圓W的邊緣區域中，由蝕刻形成之凹部的相對於晶圓W之厚度方向的傾斜度（角度）。傾斜角度，與離子之往晶圓W的邊緣區域之入射方向的相對朝縱向之傾斜度（離子之入射角度）成為幾乎相同的角度。另，下述說明中，相對於晶圓W之厚度方向（縱向），將徑向內側（中心側）之方向稱作內方側；相對於晶圓W之厚度方向，將徑向外側之方向稱作外方側。
圖3A及圖3B係顯示因邊緣環之消耗所造成的鞘層之形狀的變化及離子之入射方向的傾斜之發生的說明圖。圖3A中以實線顯示的邊緣環14，顯示無該消耗之狀態的邊緣環14。以虛線顯示的邊緣環14，顯示該消耗發生而厚度減少的邊緣環14。此外，圖3A中以實線顯示的鞘層SH，顯示處於邊緣環14未消耗之狀態時的鞘層SH之形狀。以虛線顯示的鞘層SH，顯示邊緣環14有所消耗之狀態時的鞘層SH之形狀。進一步，於圖3A中，箭頭表示邊緣環14有所消耗之狀態時的離子之入射方向。
如圖3A所示，在一例中，處於邊緣環14未消耗之狀態的情況，鞘層SH之形狀，在晶圓W及邊緣環14之上方中保持為平坦。因此，離子沿略垂直方向（縱向）往晶圓W之全表面射入。因此，傾斜角度成為0（零）度。
另一方面，若邊緣環14消耗，其厚度減少，則在晶圓W的邊緣區域及邊緣環14之上方中，鞘層SH之厚度變小，使該鞘層SH之形狀改變為往下凸出之形狀。其結果，使離子之對於晶圓W的邊緣區域之入射方向，對縱向傾斜。下述說明中，將在離子之入射方向相對朝縱向往徑向內側（中心側）傾斜的情況，由蝕刻形成之凹部往內方側傾斜的現象，稱作向內傾斜（Inner Tilt）。在圖3B中，離子之入射方向往內方側傾斜角度θ1，凹部亦往內方側傾斜θ1。向內傾斜發生的原因，並未限定於上述邊緣環14之消耗。例如，在邊緣環14產生的偏電壓較晶圓W側的電壓更低之情況，在初始狀態即成為向內傾斜。此外，例如，亦有在邊緣環14之初始狀態中刻意地調整成為向內傾斜，藉由後述驅動裝置70的驅動量之調整而修正傾斜角度的情況。
另，如圖4A及圖4B所示，亦可能有相對於晶圓W的中央區域，在晶圓W的邊緣區域及邊緣環14之上方中，鞘層SH之厚度變大，使該鞘層SH之形狀成為往上凸出之形狀的情況。例如，在邊緣環14產生之偏電壓高的情況，鞘層SH之形狀可能成為往上凸出之形狀。於圖4A中，箭頭表示離子之入射方向。下述說明中，將在離子之入射方向相對朝縱向往徑向外側傾斜的情況，由蝕刻形成之凹部往外方側傾斜的現象，稱作向外傾斜（Outer Tilt）。在圖4B中，離子之入射方向往外方側傾斜角度θ2，凹部亦往外方側傾斜θ2。
在本實施形態之蝕刻裝置1，控制傾斜角度。具體而言，至少調整驅動裝置70之驅動源72的驅動量（邊緣環14的驅動量）、或第2可變被動元件61的阻抗，控制離子之入射角度，藉以施行傾斜角度之控制。另，在下述實施形態，雖針對調整第2可變被動元件61的阻抗之情況予以說明，但亦可調整第1可變被動元件60的阻抗，或亦可調整可變被動元件60、61雙方的阻抗。
［驅動量之調整］ 首先，針對調整驅動裝置70的驅動量之情況予以說明。圖5係顯示驅動裝置70的驅動量與傾斜角度的修正角度（下稱「傾斜修正角度」）之關係的說明圖。圖5之縱軸顯示傾斜修正角度，橫軸顯示驅動裝置70的驅動量。如圖5所示，若將驅動裝置70的驅動量增大，則傾斜修正角度變大。
控制部100，例如利用預先決定之函數或表格，由從蝕刻的製程條件（例如處理時間）推定之邊緣環14的消耗量（從邊緣環14之厚度的初始值算起之減少量），設定驅動裝置70的驅動量。亦即，控制部100，藉由將邊緣環14的消耗量輸入至上述函數，或利用邊緣環14的消耗量參考上述表格，而決定驅動裝置70的驅動量。
另，亦可依據晶圓W的蝕刻時間、晶圓W的處理片數、藉由測定器測定出之邊緣環14的厚度、藉由測定器測定出之邊緣環14的質量之變化、藉由測定器測定出之邊緣環14的周邊電氣特性（例如邊緣環14之周邊任意點的電壓、電流值）之變化、或藉由測定器測定出之邊緣環14的電氣特性（例如邊緣環14的電阻值）之變化等，推定邊緣環14的消耗量。此外，亦可與邊緣環14的消耗量無關聯性地，依晶圓W的蝕刻時間、晶圓W的處理片數，將驅動裝置70的驅動量增大。進一步，亦可依藉由射頻電力加上權重之晶圓W的蝕刻時間、晶圓W的處理片數，將驅動裝置70的驅動量增大。
針對如同上述地調整驅動裝置70的驅動量以控制傾斜角度之具體方法予以說明。首先，將邊緣環14設置於靜電吸盤13上。此時，例如於晶圓W的邊緣區域及邊緣環14之上方中，使鞘層形狀呈平坦，傾斜角度成為0（零）度。
接著，對晶圓W施行蝕刻。邊緣環14伴隨實施蝕刻之時間的經過而消耗，其厚度減少。如此一來，則如圖3A所示，於晶圓W的邊緣區域及邊緣環14之上方中，鞘層SH之厚度變小，傾斜角度往內方側改變。
因而，調整驅動裝置70的驅動量。具體而言，依邊緣環14的消耗量，將驅動裝置70的驅動量之增大，使邊緣環14上升。如此一來，則如圖5所示，可使傾斜修正角度變大，使往內方側傾斜之傾斜角度往外方側改變。亦即，控制邊緣環14及晶圓W的邊緣區域之上方的鞘層之形狀，減少離子之往晶圓W的邊緣區域之入射方向的傾斜，控制傾斜角度。而後，若如同上述地依據以控制部100設定的驅動量使邊緣環14上升，則可將傾斜修正角度調整為目標角度θ3，將該傾斜角度修正為0（零）度。其結果，涵蓋晶圓W的全區域，形成和該晶圓W之厚度方向呈略平行的凹部。
［阻抗之調整］ 接著，針對調整第2可變被動元件61的阻抗之情況予以說明。圖6係顯示第2可變被動元件61的阻抗與傾斜修正角度之關係的說明圖。圖6之縱軸顯示傾斜修正角度，橫軸顯示第2可變被動元件61的阻抗。如圖6所示，若將第2可變被動元件61的阻抗增大，則傾斜修正角度變大。另，在圖6所示的例子中，藉由將阻抗增大，而將傾斜修正角度增大，但依第2可變被動元件61之構成，亦可藉由將阻抗增大，而將傾斜修正角度減小。阻抗與傾斜修正角度之關係性，取決於第2可變被動元件61之設計，因而並未限定。
控制部100，與上述驅動裝置70的驅動量之設定同樣地，由邊緣環14的消耗量，設定第2可變被動元件61的阻抗。而控制部100，藉由變更第2可變被動元件61的阻抗，而變更在邊緣環14產生的電壓。
在蝕刻裝置1，若邊緣環14消耗，則將第2可變被動元件61控制為以控制部100設定的阻抗。藉此，控制邊緣環14及晶圓W的邊緣區域之上方的鞘層之形狀，減少離子之往晶圓W的邊緣區域之入射方向的傾斜，控制傾斜角度。如此一來，則如同圖6，可將傾斜修正角度調整為目標角度θ3，使傾斜角度成為0（零）度。
［驅動量與阻抗之調整］ 接著，針對將驅動裝置70的驅動量與第2可變被動元件61的阻抗組合調整之情況予以說明。圖7係顯示驅動裝置70的驅動量、第2可變被動元件61的阻抗、及傾斜修正角度之關係的說明圖。圖7之縱軸顯示傾斜修正角度，橫軸顯示第2可變被動元件61的阻抗。
如圖7所示，首先，調整第2可變被動元件61的阻抗，修正傾斜角度。接著，若阻抗達到預先決定之值，例如上限值，則調整驅動裝置70的驅動量，將傾斜修正角度調整為目標角度θ3，使傾斜角度成為0（零）度。此一情況，可將阻抗之調整與驅動量之調整的次數減少，可使傾斜角度控制的運用單純化。
此處，阻抗之調整所產生的傾斜角度修正之解析度、及驅動量之調整所產生的傾斜角度修正之解析度，分別取決於第2可變被動元件61與驅動裝置70的性能等。傾斜角度修正之解析度，係在阻抗或驅動量之一次調整中的傾斜角度之修正量。此外，例如在第2可變被動元件61之解析度較驅動裝置70之解析度更高的情況，在本實施形態，可使全體的傾斜角度修正之解析度，改善調整第2可變被動元件61的阻抗而修正傾斜角度的份。
如同上述，依本實施形態，則藉由施行第2可變被動元件61的阻抗之調整、及驅動裝置70的驅動量之調整，而可將傾斜角度之調整範圍增大。因此，可適當地控制傾斜角度，亦即，可適當地調整離子之入射方向，故可均一地施行蝕刻。
此外，例如在試圖僅藉由第2可變被動元件61的阻抗控制傾斜角度之情況，若阻抗達到可變被動元件61的控制範圍之上限，則必須更換邊緣環14。關於此點，在本實施形態中，藉由施行驅動裝置70的驅動量之調整，而能夠不更換邊緣環14地將傾斜角度的調整範圍增大。因此，可使邊緣環14之更換間隔拉長，抑制其更換頻率。
且依本實施形態，可使傾斜角度控制的運用單純化，並改善傾斜角度修正之解析度。此外，可增加傾斜角度控制的運用之變化性。
另，於圖7所示的例子中，雖將阻抗之調整與驅動量之調整分別施行一次，將傾斜修正角度調整為目標角度θ3，但此等阻抗之調整與驅動量之調整的次數並未限定於此一形態。例如亦可如圖8所示，將阻抗之調整與驅動量之調整分別施行複數次。在此一情況，亦可獲得與本實施形態同樣之效果。
此外，於圖7及圖8所示的例子中，雖於第2可變被動元件61的阻抗之調整後，施行驅動裝置70的驅動量之調整，但此順序亦可相反。此一情況，首先，調整驅動裝置70的驅動量，修正傾斜角度。此時，若驅動裝置70的驅動量過大，則在晶圓W與邊緣環14之間產生放電。因此，驅動裝置70的驅動量具有限制。因而，接著，若驅動量達到預先決定之值，例如上限值，則調整第2可變被動元件61的阻抗，將傾斜修正角度調整為目標角度θ3，使傾斜角度成為0（零）度。在此一情況，亦可獲得與本實施形態同樣之效果。
此外，在上述實施形態，雖個別地施行第2可變被動元件61的阻抗之調整、及驅動裝置70的驅動量之調整，但亦可將阻抗之調整與驅動量之調整同時施行。
＜另一實施形態＞ 此處，如同上述，從第2射頻電源51供給的射頻電力（偏壓射頻電力）LF之頻率為400kHz～13.56MHz，但更宜為5MHz以下。施行蝕刻時，在對晶圓W施行高的寬高比之蝕刻的情況，為了實現蝕刻後之圖案的垂直形狀，必須具有高的離子能量。因而，在本案發明人等屢次精心檢討之結果，得知藉由使射頻電力LF之頻率為5MHz以下，而提高離子之對於射頻電場的變化之追蹤性，改善離子能量之控制性。
另一方面，若使射頻電力LF之頻率為5MHz以下的低頻率，則有使第2可變被動元件61的阻抗為可變之效果降低的情況。亦即，有第2可變被動元件61的阻抗之調整所產生的傾斜角度之控制性降低的情況。例如於圖2A及圖2B中，在邊緣環14與第2可變被動元件61的電性連接為非接觸式或電容耦合之情況，即便調整第2可變被動元件61的阻抗，仍無法適當地控制傾斜角度。因而，在本實施形態，將邊緣環14與第2可變被動元件61直接電性連接。
將邊緣環14，經由連接部而與第2可變被動元件61直接電性連接。邊緣環14與連接部接觸，使直流電流在該連接部導通。以下，針對連接部的構造（下稱「接觸構造」）之一例予以說明。
如圖9所示，作為導體之連接部200，具備導電性構造201與導電性彈性構件202。導電性構造201，經由導電性彈性構件202，而將邊緣環14與第2可變被動元件61連接。具體而言，導電性構造201，使其一端連接至第2可變被動元件61，另一端於下部電極12之頂面露出，和導電性彈性構件202接觸。
導電性彈性構件202，例如設置於在邊緣環14與靜電吸盤13之間形成的空間。導電性彈性構件202，和導電性構造201與邊緣環14之底面分別接觸。此外，導電性彈性構件202，例如由金屬等導體構成。導電性彈性構件202之構成並無特別限定，於圖10A～圖10F分別顯示一例。另，圖10A～圖10C，作為導電性彈性構件202，為使用彈性體之例子。
如圖10A所示，於導電性彈性構件202，可使用往縱向偏壓的板彈簧。如圖10B所示，於導電性彈性構件202，可使用呈螺旋狀地捲繞並在水平方向延伸的螺旋彈簧。如圖10C所示，於導電性彈性構件202，可使用呈螺旋狀地捲繞並在縱向延伸的彈簧。而此等導電性彈性構件202為彈性體，其彈力在縱向作用。藉由此彈力，導電性彈性構件202以期望的接觸壓力分別和導電性構造201與邊緣環14之底面密接，將導電性構造201與邊緣環14電性連接。
如圖10D所示，於導電性彈性構件202，可使用藉由驅動機構（未圖示）在縱向移動的銷。此一情況，藉由使導電性彈性構件202上升，而使導電性彈性構件202分別和導電性構造201與邊緣環14之底面密接。而後，藉由調整導電性彈性構件202之在縱向移動時作用的壓力，而使導電性彈性構件202以期望的接觸壓力分別和導電性構造201與邊緣環14之底面密接。
如圖10E所示，於導電性彈性構件202，可使用將導電性構造201與邊緣環14連接的引線。引線，使其一端接合至導電性構造201，另一端接合至邊緣環14之底面。此引線的接合，可成為和導電性構造201或邊緣環14之底面歐姆接觸，作為一例，將引線熔接或壓接。而在如此地於導電性彈性構件202使用引線的情況，導電性彈性構件202分別和導電性構造201與邊緣環14之底面接觸，將導電性構造201與邊緣環14電性連接。
以上，在使用圖10A～圖10E所示之任一導電性彈性構件202的情況，皆可如圖9所示地經由連接部200將邊緣環14與第2可變被動元件61直接電性連接。因此，可使射頻電力LF之頻率為5MHz以下的低頻，可改善離子能量之控制性。
此外，在調整驅動裝置70的驅動量以控制傾斜角度之情況，可將調整的驅動量減小連接部200的設置份。其結果，可抑制在晶圓W與邊緣環14之間產生放電的情形。進一步，如同上述，藉由調整驅動裝置70的驅動量與第2可變被動元件61的阻抗，而可將傾斜角度之調整範圍增大，將傾斜角度控制為期望的值。
另，在上述實施形態，作為導電性彈性構件202，雖例示圖10A所示的板彈簧、圖10B所示的螺旋彈簧、圖10C所示的彈簧、圖10D所示的銷、及圖10E所示的引線，但亦可將其等組合使用。
另，於上述實施形態之連接部200中，亦可如圖10F所示，於連接部200的導電性彈性構件202與邊緣環14之間，設置導電膜203。於導電膜203，例如使用金屬膜。導電膜203，於邊緣環14之底面中，至少設置在導電性彈性構件202接觸的部分。導電膜203，亦可於邊緣環14之底面全面設置，或亦可將複數導電膜203全體設置為接近環狀的形狀。在任一情況，皆可藉由導電膜203，抑制因導電性彈性構件202的接觸而產生之電阻，可將邊緣環14與第2可變被動元件61適當地連接。
上述實施形態之連接部200，宜具有在藉由驅動裝置70使邊緣環14上升時，保護導電性彈性構件202使其免受電漿影響的構成。圖11A～圖11G，分別顯示導電性彈性構件202的電漿對策之一例。
亦可如圖11A所示，於邊緣環14之底面，設置從該底面往下方突起的突起部14a、14b。於圖示之例子中，突起部14a設置於導電性彈性構件202的徑向內側，突起部14b設置於導電性彈性構件202的徑向外側。亦即，導電性彈性構件202，設置在由突起部14a、14b形成之凹部。此一情況，藉由突起部14a、14b，可抑制電漿迴繞至導電性彈性構件202，可保護導電性彈性構件202。
另，於圖11A之例子中，雖在邊緣環14之底面設置突起部14a、14b，但抑制電漿的迴繞之形狀並未限定於此一形態，依蝕刻裝置1而決定即可。此外，以可藉由驅動裝置70使邊緣環14適當地在縱向移動的方式，決定邊緣環14之形狀即可。
亦可如圖11B所示，於邊緣環14與靜電吸盤13之間中，在導電性彈性構件202之內側設置追加邊緣環210。追加邊緣環210，以絕緣材料形成。追加邊緣環210，設置為與下部電極12分開的構件，例如具有圓環狀。此一情況，藉由追加邊緣環210，可抑制電漿迴繞至導電性彈性構件202，可保護導電性彈性構件202。
亦可如圖11C所示，設置圖11A所示之邊緣環14的突起部14a、及圖11B所示之追加邊緣環210兩者。此一情況，藉由突起部14a與追加邊緣環210，可進一步抑制電漿的迴繞，可保護導電性彈性構件202。
亦可如圖11D所示，設置圖11A所示之邊緣環14的突起部14a及14b、與圖11B所示之追加邊緣環210兩者。導電性彈性構件202，和突起部14b接觸。此外，追加邊緣環210，設置於突起部14a、14b之間。此一情況，藉由突起部14a及14b、與追加邊緣環210，形成曲徑構造，可進一步抑制電漿的迴繞，可保護導電性彈性構件202。
亦可如圖11E所示，將邊緣環14，分割為上部邊緣環140與下部邊緣環141。上部邊緣環140相當於本發明所揭露之邊緣環，下部邊緣環141相當於本發明所揭露之追加邊緣環。上部邊緣環140，可藉由驅動裝置70在縱向任意移動。下部邊緣環141並未沿縱向移動。導電性彈性構件202，和上部邊緣環140之底面與下部邊緣環141之頂面接觸而設置。導電性構造201，和下部邊緣環141相連接。此一情況，上部邊緣環140，經由導電性彈性構件202、下部邊緣環141、及導電性構造201而與第2可變被動元件61直接電性連接。
於上部邊緣環140之底面中，在最外周部，設置從該底面往下方突起的突起部140a。於下部邊緣環141之頂面中，在最內周部，設置從該頂面往上方突起的突起部141a。此一情況，藉由突起部140a、141a，可抑制電漿迴繞至導電性彈性構件202，可保護導電性彈性構件202。
圖11F為圖11E的變形例。在圖11E所示的例子中，導電性構造201連接至下部邊緣環141，但在圖11F所示的例子中，導電性構造201之一端於下部電極12之頂面露出，和導電性彈性構件220接觸。導電性彈性構件220，於靜電吸盤13之徑向外側，設置形成在下部邊緣環141之底面與下部電極12之頂面間的空間。亦即，導電性彈性構件220，和下部邊緣環141之底面與導電性構造201接觸。此一情況，上部邊緣環140，經由導電性彈性構件202、下部邊緣環141、導電性彈性構件220、及導電性構造201而與第2可變被動元件61直接電性連接。而於本例中，藉由突起部140a、141a，亦可抑制電漿迴繞至導電性彈性構件202，可保護導電性彈性構件202。
圖11G為圖11E的變形例。在圖11E所示的例子中，導電性彈性構件202設置於下部邊緣環141之頂面，但在圖11G所示的例子中，導電性彈性構件202設置於下部電極12之頂面。導電性彈性構件202，和上部邊緣環140之底面與導電性構造201接觸。導電性構造201，其一端於靜電吸盤13之頂面露出，和導電性彈性構件202接觸。此一情況，上部邊緣環140，經由導電性彈性構件202及導電性構造201而與第2可變被動元件61直接電性連接。而於本例中，藉由突起部140a、141a，亦可抑制電漿迴繞至導電性彈性構件202，可保護導電性彈性構件202。
另，上述實施形態中，亦可將圖11A～圖11G所示之構成組合使用。此外，亦可於連接部200中，在導電性彈性構件202之表面的除了和邊緣環14接觸之部分以外，施行耐電漿塗布。此一情況，可保護導電性彈性構件202使其免受電漿影響。
接著，針對導電性彈性構件202的俯視之配置予以說明。圖12A～圖12C，分別顯示導電性彈性構件202的平面配置之一例。如圖12A及圖12B所示，連接部200亦可具備複數導電性彈性構件202；複數導電性彈性構件202，在與邊緣環14同心的圓上等間隔地設置。於圖12A的例子中，導電性彈性構件202設置於8處；於圖12B中，導電性彈性構件202設置於24處。此外，亦可如圖12C所示，導電性彈性構件202，亦可在與邊緣環14同心的圓上設置為環狀。
從均一地施行蝕刻以使鞘層之形狀均一化的觀點（處理均一化的觀點）來看，宜如圖12C所示，對邊緣環14將導電性彈性構件202設置為環狀，在圓周上均一地施行對於邊緣環14的接觸。此外，從相同之處理均一化的觀點來看，在如圖12A及圖12B所示設置複數導電性彈性構件202之情況，亦宜將此等複數導電性彈性構件202於邊緣環14之周向等間隔地配置，將對於邊緣環14的接觸點呈點對稱地設置。再者，相較於圖12A的例子，如同圖12B的例子般地將導電性彈性構件202之數量增多、如圖12C所示地接近環狀者較佳。另，導電性彈性構件202之數量並無特別限定，為了確保對稱性，宜為3個以上，例如可為3個～36個。
然則，在裝置構成上，為了避免與其他構件的干涉，有難以使導電性彈性構件202呈環狀、難以將導電性彈性構件202之數量增多的情況。因此，導電性彈性構件202之平面配置，亦可鑒於處理均一化的條件、裝置構成上的限制條件等而適宜設定。
接著，針對連接部200、第1可變被動元件60及第2可變被動元件61的關係予以說明。圖13A～圖13C，分別示意連接部200、第1可變被動元件60及第2可變被動元件61的構成之一例。
如圖13A所示，例如在對於8個導電性彈性構件202，將第1可變被動元件60與第2可變被動元件61分別設置1個的情況，亦可使連接部200更具備中繼構件230。另，在圖13A，雖圖示於圖12A所示之連接部200中設置中繼構件230的情況，但亦可於圖12B或圖12C的任一者所示之連接部200中亦設置中繼構件230。此外，亦可設置複數個中繼構件230。
中繼構件230，於導電性彈性構件202與第2可變被動元件61之間的導電性構造201中，在與邊緣環14同心的圓上呈環狀地設置。中繼構件230，藉由導電性彈性構件202而與導電性構造201a連接。亦即，從中繼構件230起，使8根導電性構造201a於俯視時呈放射狀地延伸，分別連接至8個導電性彈性構件202。此外，中繼構件230，藉由導電性構造201b，經由第1可變被動元件60而與第2可變被動元件61連接。
此一情況，例如在並未將第2可變被動元件61配置於邊緣環14之中心的情況，仍可將中繼構件230的電氣特性（任意電壓、電流值）在圓周上均一地施行，進一步可使對於8個導電性彈性構件202各自的電氣特性均一化。其結果，可均一地施行蝕刻，可使鞘層之形狀均一化。
如圖13B所示，例如亦可對於8個導電性彈性構件202，設置複數個例如8個第1可變被動元件60，並設置1個第2可變被動元件61。如此地，可對於導電性彈性構件202之數量，適宜設定第1可變被動元件60之個數。另，於圖13B的例子中，亦可亦設置中繼構件230。
如圖13C所示，例如亦可對於8個導電性彈性構件202，設置複數個例如8個第1可變被動元件60，並設置複數個例如8個第2可變被動元件61。如此地，可對於導電性彈性構件202之數量，適宜設定阻抗可變的第2可變被動元件61之個數。於圖13C的例子中，亦可亦設置中繼構件230。
另，藉由將阻抗可變的第2可變被動元件61設置複數個，而可對於複數導電性彈性構件202，個別獨立地控制電氣特性。其結果，可使對於各複數導電性彈性構件202之電氣特性均一化，可改善處理的均一性。
接著，作為對於邊緣環14的接觸構造，針對上述圖9、圖10A～圖10F所示之例子以外的例子予以說明。圖14A～圖14D、圖15A～圖15D，分別顯示連接部之構成的其他例。
圖14A～圖14D，分別為以絕緣材料形成驅動裝置70的升降銷300，於該升降銷300之內部設置作為導體的連接部310之例子。
如圖14A所示，驅動裝置70，亦可取代上述實施形態之升降銷71，具備升降銷300。升降銷300，從邊緣環14之底面起沿縱向延伸，貫通靜電吸盤13、下部電極12、支持構件17、及腔室10之底部而設置。為了將腔室10之內部密閉，而將升降銷300與腔室10之間密封。升降銷300，以絕緣材料形成。此外，升降銷300，藉由設置於腔室10之外部的驅動源72而可朝縱向任意移動。
於升降銷300之內部，設置沿縱向延伸的導電性引線，即連接部310。連接部310，將邊緣環14與升降銷300直接連接，將邊緣環14與第2可變被動元件61連接。具體而言，連接部310，使其一端連接至第2可變被動元件61，另一端於升降銷300之頂面露出，和邊緣環14之底面接觸。
如圖14B及圖14C所示，設置於升降銷300之內部的連接部310，亦可具備導電性構造311與導電性彈性構件312。導電性構造311，經由導電性彈性構件312而將邊緣環14與第2可變被動元件61連接。具體而言，導電性構造311，使其一端連接至第2可變被動元件61，另一端於升降銷300之內部的上部空間露出，和導電性彈性構件312接觸。
導電性彈性構件312，設置於升降銷300之內部的上部空間。導電性彈性構件312，分別和導電性構造311與邊緣環14之底面接觸。此外，導電性彈性構件312，例如由金屬等導體構成。導電性彈性構件312之構成並無特別限定，例如亦可如圖14B所示地使用往縱向偏壓的具有彈性之板彈簧，亦可如圖14C所示地使用將導電性構造311與邊緣環14連接之引線。抑或，亦可於導電性彈性構件312，使用如圖10B所示的螺旋彈簧、圖10C所示的彈簧、圖10D所示的銷等。此等情況，將邊緣環14，經由導電性彈性構件312及導電性構造311而與第2可變被動元件61直接電性連接。
如圖14D所示，亦可使升降銷300具有使頂面與底面開口之中空的圓筒形狀，使設置於該升降銷300之內部的連接部310，除了具備導電性構造（第1導電性構造）311與導電性彈性構件312之外，更具備另一導電性構造（第2導電性構造）313。導電性構造313，設置於升降銷300之內側面。導電性構造313，例如可為金屬膜，亦可為金屬製圓筒。
導電性構造311，和導電性構造313之下端連接。導電性彈性構件312，和導電性構造313之上端連接。此一情況，邊緣環14，經由導電性彈性構件312、導電性構造313、及導電性構造311而與第2可變被動元件61直接電性連接。
以上，在使用圖14A～圖14D所示之任一連接部310的情況，皆可經由連接部310，將邊緣環14與第2可變被動元件61直接電性連接。因此，可使射頻電力LF之頻率為5MHz以下的低頻，可改善離子能量之控制性。
另，上述實施形態之連接部310，設置於以絕緣材料形成的升降銷300之內部，因而亦可不具有保護使其免受電漿影響的構成。
圖15A～圖15D，分別為以導電材料形成驅動裝置70的升降銷400，使該升降銷400本身構成連接部之例子。
如圖15A所示，驅動裝置70，亦可取代上述實施形態之升降銷71、300，具備升降銷400。升降銷400，從邊緣環14之底面起沿縱向延伸，貫通靜電吸盤13、下部電極12、支持構件17、及腔室10之底部而設置。為了將腔室10之內部密閉，而將升降銷400與腔室10之間密封。升降銷400，以導電材料形成。此外，升降銷400，藉由設置於腔室10之外部的驅動源72而可朝縱向任意移動。
於升降銷400之下端，連接導電性構造410。導電性構造410，連接至第2可變被動元件61。此一情況，邊緣環14，經由升降銷400及導電性構造410而與第2可變被動元件61直接電性連接。
上述升降銷400，宜具有在藉由驅動裝置70使邊緣環14上升時，保護使其免受電漿影響的構成。圖15B～圖15C，分別顯示升降銷400的電漿對策之一例。
如圖15B所示，亦可於靜電吸盤13之頂面中，在升降銷400的內側，設置圖11B所示之追加邊緣環210。此一情況，藉由追加邊緣環210，可抑制電漿迴繞至升降銷400側，可保護升降銷400。另，抑制電漿之迴繞的構成，並未限定於此一形態，亦可應用圖11A、圖11C～圖11G之任一構成。
如圖15C所示，亦可於升降銷400之外側面，設置具有耐電漿性的絕緣構件401。絕緣構件401，例如亦可為絶緣體的膜，或亦可為絶緣體製的圓筒。此一情況，藉由絕緣構件401，可保護升降銷400使其免受電漿影響。另，亦可於圖15B之構成，進一步設置圖15C所示之絕緣構件401。
以上，在圖15A～圖15C所示之任一情況，皆可經由升降銷400，將邊緣環14與第2可變被動元件61直接電性連接。因此，可使射頻電力LF之頻率為5MHz以下的低頻，可改善離子能量之控制性。
另，在圖15A～15C雖使升降銷400本身構成連接部，但亦可如圖15D所示，於升降銷400之內部，進一步設置作為導體的連接部420。連接部420，亦可具備導電性構造421與導電性彈性構件422。導電性構造421，經由導電性彈性構件422而將邊緣環14與第2可變被動元件61連接。具體而言，導電性構造421，使其一端連接至第2可變被動元件61，另一端於升降銷400之內部的上部空間露出，和導電性彈性構件422接觸。另，上述導電性構造410，包含於導電性構造421。
導電性彈性構件422，設置於升降銷400之內部的上部空間。導電性彈性構件422，分別和導電性構造421與邊緣環14之底面接觸。此外，導電性彈性構件422，例如由金屬等導體構成。導電性彈性構件422之構成並無特別限定，例如亦可使用圖10A所示之往縱向偏壓的板彈簧。抑或，亦可使用圖10B所示的螺旋彈簧、圖10C所示的彈簧、圖10D所示的銷、圖10E所示的引線等。此等情況，邊緣環14與第2可變被動元件61，除了經由升降銷400之外，更經由導電性彈性構件422與導電性構造421而直接電性連接。此外，可抑制因升降銷400與導電性彈性構件422之接觸而產生的電阻，故可更適當地連接邊緣環14與第2可變被動元件61。
＜另一實施形態＞ 於上述實施形態之蝕刻裝置1中，亦可如圖16所示，進一步設置直流（DC：Direct Current）電源62、切換單元63、第1射頻濾波器64、及第2射頻濾波器65。第1射頻濾波器64與第2射頻濾波器65，各自取代第1可變被動元件60與第2可變被動元件61而設置。從邊緣環14側起，依序配置第1射頻濾波器64、第2射頻濾波器65、切換單元63、及直流電源62。亦即，直流電源62，經由切換單元63、第2射頻濾波器65、及第1射頻濾波器64，而與邊緣環14電性連接。另，在本實施形態，將直流電源62連接至接地電位。
直流電源62，係產生對邊緣環14施加之負極性的直流電壓之電源。此外，直流電源62為可變直流電源，可調整直流電壓之高低。
切換單元63，可停止來自直流電源62的直流電壓之對於邊緣環14的施加。另，所屬技術領域中具有通常知識者，可適宜設計切換單元63之電路構成。
第1射頻濾波器64與第2射頻濾波器65，分別為使射頻電力衰減的濾波器。第1射頻濾波器64，例如使來自第1射頻電源50之40MHz的射頻電力衰減。第2射頻濾波器65，例如使來自第2射頻電源51之400kHz的射頻電力衰減。
於一例中，第2射頻濾波器65，阻抗可變。亦即，第2射頻濾波器65包含至少一個可變被動元件，成為阻抗可變。可變被動元件，例如可為線圈（inductor）或電容器（capacitor）之任一者。此外，不限於線圈、電容器，若為二極體等元件等之可變阻抗元件，則為何種構成皆可達成同樣的功能。所屬技術領域中具有通常知識者，亦可適宜設計可變被動元件之數量與位置。進一步，無須使元件本身為可變，例如亦可具備複數個阻抗為固定值之元件，利用切換電路切換固定值之元件的組合，藉以使阻抗可變。另，所屬技術領域中具有通常知識者，可分別適宜設計此第2射頻濾波器65及上述第1射頻濾波器64之電路構成。
此外，蝕刻裝置1，亦可進一步具備測定邊緣環14之自偏電壓（或下部電極12或晶圓W的自偏電壓）的測定器（未圖示）。另，所屬技術領域中具有通常知識者，可適宜設計測定器之構成。
接著，針對利用本實施形態之蝕刻裝置1控制傾斜角度的方法予以說明。在本實施形態，除了上述實施形態的驅動裝置70的驅動量之調整與第2射頻濾波器65的阻抗之調整以外，調整來自直流電源62的直流電壓。亦即，至少調整從由驅動裝置70的驅動量、第2射頻濾波器65的阻抗及來自直流電源62的直流電壓所構成之族群中選出的兩種，控制傾斜角度。圖17與圖18，分別顯示本實施形態之傾斜角度的控制方法之一例。
於圖17所示的例子中，首先，調整第2射頻濾波器65的阻抗，修正傾斜角度。接著，若阻抗達到預先決定之值，例如上限值，則調整來自直流電源62的直流電壓，將傾斜修正角度調整為目標角度θ3，使傾斜角度成為0（零）度。
在直流電源62，將對邊緣環14施加的直流電壓，設定為將自偏電壓Vdc之絕對值與設定值ΔV的和作為其絕對值之負極性的電壓，亦即，設定為-（｜Vdc｜＋ΔV）。自偏電壓Vdc為晶圓W的自偏電壓，供給一方或雙方的射頻電力，且為未對下部電極12施加來自直流電源62的直流電壓時之下部電極12的自偏電壓。設定值ΔV，係由控制部100給予。
控制部100，與上述實施形態中之驅動裝置70的驅動量之設定、第2射頻濾波器65的阻抗之設定同樣地，由邊緣環14的消耗量，設定第2射頻濾波器65的阻抗。決定設定值ΔV。
控制部100，在設定值ΔV的決定中，亦可將邊緣環14之初始厚度，與例如利用雷射測定器或相機等測定器所實測出的邊緣環14之厚度的差，作為邊緣環14的消耗量而使用。此外，例如亦可從藉由質量計等測定器測定出之邊緣環14的質量之變化，推定邊緣環14的消耗量。抑或，控制部100，亦可為了決定設定值ΔV，而利用預先決定之另外的函數或表格，由特定參數推定邊緣環14的消耗量。該特定參數，可為自偏電壓Vdc、射頻電力HF或射頻電力LF之波高值Vpp、負載阻抗、邊緣環14或邊緣環14之周邊電氣特性等中的任一者。邊緣環14或邊緣環14之周邊電氣特性，可為邊緣環14或邊緣環14之周邊任意處的電壓、電流值、包含邊緣環14的電阻值等中之任一種。另外的函數或表格，以決定特定參數與邊緣環14的消耗量之關係的方式預先決定。為了推定邊緣環14的消耗量，於實際之蝕刻實行前或蝕刻裝置1之維修時，在用於推定消耗量的測定條件，即射頻電力HF、射頻電力LF、處理空間S內之壓力、及往處理空間S供給之處理氣體的流量等之設定下，使蝕刻裝置1動作。而後，取得上述特定參數，藉由將此該特定參數輸入至上述另外的函數，或藉由使用該特定參數參考上述表格，而指明邊緣環14的消耗量。
在蝕刻裝置1，於蝕刻中，亦即，於供給射頻電力HF及射頻電力LF中之一方或雙方的射頻電力之期間中，從直流電源62對邊緣環14施加直流電壓。藉此，控制邊緣環14及晶圓W的邊緣區域之上方的鞘層之形狀，減少離子之往晶圓W的邊緣區域之入射方向的傾斜，控制傾斜角度。其結果，涵蓋晶圓W的全區域，形成和該晶圓W之厚度方向呈略平行的凹部。
更詳而言之，於蝕刻中，藉由測定器（未圖示）測定自偏電壓Vdc。此外，從直流電源62對邊緣環14施加直流電壓。對邊緣環14施加的直流電壓之值，如同上述為-（｜Vdc｜＋ΔV）。｜Vdc｜為緊接其前藉由測定器取得之自偏電壓Vdc的測定值之絕對值；ΔV為藉由控制部100決定之設定值。如此地由在蝕刻中測定出的自偏電壓Vdc，決定對邊緣環14施加的直流電壓。如此一來，即便自偏電壓Vdc發生變化，仍修正由直流電源62產生的直流電壓，適當地修正傾斜角度。
此外，於圖17所示的例子中，亦可取代第2射頻濾波器65的阻抗，調整驅動裝置70的驅動量。亦即，亦可調整驅動裝置70的驅動量與來自直流電源62的直流電壓，修正傾斜角度。
於圖18所示的例子中，首先，調整第2射頻濾波器65的阻抗，修正傾斜角度。接著，若阻抗達到預先決定之值，例如上限值，則調整來自直流電源62的直流電壓，修正傾斜角度。
此處，若直流電壓之絕對值過高，則在晶圓W與邊緣環14之間產生放電。因此，在可對邊緣環14施加的直流電壓具有限制，即便試圖僅藉由直流電壓之調整而控制傾斜角度，其控制範圍仍具有極限。
因而，若直流電壓的絕對值達到預先決定之值，例如上限值，則調整驅動裝置70的驅動量，將傾斜修正角度調整為目標角度θ3，使傾斜角度成為0（零）度。
如同上述，依本實施形態，則除了施行第2射頻濾波器65的阻抗之調整、驅動裝置70的驅動量之調整以外，藉由施行來自直流電源62的直流電壓之調整，而可將傾斜角度之調整範圍增大。因此，可適當地控制傾斜角度，亦即，可適當地調整離子之入射方向，故可均一地施行蝕刻。
另，控制傾斜角度時，可任意設計第2射頻濾波器65的阻抗之調整、驅動裝置70的驅動量之調整、來自直流電源62的直流電壓之組合。
此外，雖分別將第2射頻濾波器65的阻抗之調整、驅動裝置70的驅動量之調整、來自直流電源62的直流電壓之調整個別地施行，但亦可將此等調整同時施行。
在上述實施形態，直流電源62，經由切換單元63、第2射頻濾波器65、及第1射頻濾波器64而與邊緣環14連接，但對邊緣環14施加直流電壓之電源系統並未限定於此一形態。例如，直流電源62，亦可經由切換單元63、第2射頻濾波器65、第1射頻濾波器64、及下部電極12，而與邊緣環14電性連接。此一情況，下部電極12與邊緣環14為直接電性耦合，邊緣環14之自偏電壓成為與下部電極12之自偏電壓相同。
此處，將下部電極12與邊緣環14直接電性耦合的情況，例如因以硬體構造決定的邊緣環14下之電容等，而無法調整邊緣環14上之鞘層厚度，即便未施加直流電壓仍可能發生向外傾斜的狀態。關於此點，在本發明中，可調整來自直流電源62的直流電壓、第2射頻濾波器65的阻抗、驅動裝置70的驅動量，而控制傾斜角度，故藉由使該傾斜角度往內方側改變，而可將傾斜角度調整為0（零）度。
另，在上述實施形態，雖使第2射頻濾波器65為阻抗可變，但亦可使第1射頻濾波器64為阻抗可變，或亦可使射頻濾波器64、65雙方為阻抗可變。此一情況，第1射頻濾波器64，至少包含一個可變被動元件。此外，在上述實施形態，雖對直流電源62設置2個射頻濾波器64、65，但射頻濾波器之數量並未限定於此一形態，例如亦可為1個。此外，在上述實施形態，雖使第2射頻濾波器65（第1射頻濾波器64）至少包含一個可變被動元件藉以成為阻抗可變，但使阻抗可變的構成並未限定於此一形態。例如，亦可於阻抗可變或阻抗固定的射頻濾波器，連接可使該射頻濾波器的阻抗成為可變之裝置。亦即，亦可使阻抗可變的射頻濾波器，由射頻濾波器、及與此射頻濾波器連接而可使該射頻濾波器的阻抗成為可變之裝置構成。此外，雖使射頻濾波器包含至少一個可變被動元件藉以成為阻抗可變，但亦可於射頻濾波器使用阻抗不可變者，於射頻濾波器之外部設置可變被動元件。
＜另一實施形態＞ 在上述實施形態，依邊緣環14的消耗量，施行驅動裝置70的驅動量之調整、第2可變被動元件61（第2射頻濾波器65）的阻抗之調整、及來自直流電源62的直流電壓之調整，但驅動量、阻抗、直流電壓之調整時序並未限定於此一形態。例如亦可依晶圓W的處理時間，施行驅動量、阻抗、直流電壓之調整。抑或，例如亦可將晶圓W的處理時間、與例如射頻電力等預先決定的參數組合，而判斷驅動量、阻抗、直流電壓之調整時序。
＜另一實施形態＞ 上述實施形態之蝕刻裝置1為電容耦合型之蝕刻裝置，但本發明應用之蝕刻裝置並未限定於此一形態。例如蝕刻裝置，亦可為電感耦合型之蝕刻裝置。
應考慮本次揭露之實施形態，其全部的點僅為例示，而非用於限制本發明。上述實施形態，亦可在不脫離添附之發明申請專利範圍及其主旨的範疇，以各式各樣之形態進行省略、置換、變更。
本發明之實施形態，更包含以下態樣。
（附註1） 一種電漿處理裝置，包含： 電漿處理腔室； 基板支持體，配置於該電漿處理腔室內，該基板支持體包括下部電極、靜電吸盤、及包圍著該靜電吸盤上所載置之基板而配置的邊緣環； 驅動裝置，使該邊緣環朝縱向移動； 上部電極，配置於該基板支持體之上方； 來源射頻電源，為了由該電漿處理腔室內之氣體產生電漿而對該上部電極或該下部電極供給來源射頻電力； 偏壓射頻電源，對該下部電極供給偏壓射頻電力； 至少一導體，和該邊緣環接觸； 直流電源，經由該至少一導體而對該邊緣環施加負極性的直流電壓； 射頻濾波器，電性連接在該至少一導體與該直流電源之間，包括至少一可變被動元件；以及 控制部，控制該驅動裝置及該至少一可變被動元件，調整該電漿中之離子對於載置在該靜電吸盤上之基板的邊緣區域之入射角度。
（附註2） 如附註1記載之電漿處理裝置，其中， 該驅動裝置包含： 升降銷，支持該邊緣環；以及 驅動源，使該升降銷朝縱向移動。
（附註3） 如附註2記載之電漿處理裝置，其中， 該升降銷，至少其表面係以絕緣材料形成。
（附註4） 如附註3記載之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含在該升降銷內沿縱向延伸的導電性引線； 該導電性引線之一端，和該邊緣環接觸。
（附註5） 如附註3記載之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含和該邊緣環接觸的導電性彈性構件。
（附註6） 如附註5記載之電漿處理裝置，其中， 該導電性彈性構件，配置於該升降銷內。
（附註7） 如附註5記載之電漿處理裝置，其中， 該導電性彈性構件，配置於該邊緣環與該靜電吸盤之間。
（附註8） 如附註7記載之電漿處理裝置，其中， 更具備追加的邊緣環，其配置於該邊緣環與該靜電吸盤之間。
（附註9） 如附註8記載之電漿處理裝置，其中， 該追加的邊緣環，以絕緣材料形成，配置於較該導電性彈性構件更為內側。
（附註10） 如附註9記載之電漿處理裝置，其中， 該邊緣環，於其底面具有突起部。
（附註11） 如附註8記載之電漿處理裝置，其中， 該追加的邊緣環，以導電性材料形成； 該導電性彈性構件，配置於該邊緣環與該追加的邊緣環之間。
（附註12） 如附註1至附註11中任一項記載之電漿處理裝置，其中， 該邊緣環，具有和該至少一導體接觸的至少一導電膜。
（附註13） 如附註1至附註11中任一項記載之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含俯視時沿著該邊緣環之周向等間隔地配置的複數導體。
（附註14） 如附註1至附註11中任一項記載之電漿處理裝置，其中， 該邊緣環具有導電性。
（附註15） 一種電漿處理裝置，包含： 電漿處理腔室； 基板支持體，配置於該電漿處理腔室內，該基板支持體包括靜電吸盤、及包圍著該靜電吸盤上所載置之基板而配置的邊緣環； 驅動裝置，使該邊緣環朝縱向移動； 射頻電源，為了由該電漿處理腔室內之氣體產生電漿而產生射頻電力； 至少一導體，和該邊緣環接觸； 至少一可變被動元件，和該至少一導體電性連接；以及 控制部，控制該驅動裝置及該至少一可變被動元件，調整該電漿中之離子對於載置在該靜電吸盤上之基板的邊緣區域之入射角度。
（附註16） 如附註15記載之電漿處理裝置，其中， 該驅動裝置包含： 升降銷，支持該邊緣環；以及 驅動源，使該升降銷朝縱向移動。
（附註17） 如附註16記載之電漿處理裝置，其中， 該升降銷，至少其表面係以絕緣材料形成。
（附註18） 如附註17記載之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含在該升降銷內沿縱向延伸的導電性引線； 該導電性引線之一端，和該邊緣環電性連接且物理性連接。
（附註19） 一種利用電漿處理裝置之蝕刻方法， 該電漿處理裝置包含： 電漿處理腔室； 基板支持體，配置於該電漿處理腔室內，該基板支持體包括靜電吸盤、及包圍著該靜電吸盤上所載置之基板而配置的邊緣環； 至少一導體，和該邊緣環電性連接且物理性連接；以及 至少一可變被動元件，和該至少一導體電性連接； 該蝕刻方法包含如下步驟： （a）將基板載置於該靜電吸盤上； （b）由該電漿處理腔室內之氣體產生電漿； （c）以產生的電漿蝕刻該基板；以及 （d）調整該電漿中的離子對於該基板的邊緣區域之入射角度； 該調整步驟包含如下步驟： （d1）使該邊緣環朝縱向移動；以及 （d2）調整該至少一可變被動元件。
1:蝕刻裝置 10:腔室 11:平台 12:下部電極 13:靜電吸盤 14,210:邊緣環 14a,14b,140a,141a:突起部 15a:流路 15b:入口配管 15c:出口流路 16a:第1電極 16b:第2電極 17:支持構件 20:噴淋頭 21:電極板 21a:氣體噴出口 22:電極支持體 22a:氣體擴散室 22b:氣體流通孔 22c:氣體導入孔 23:絕緣性遮蔽構件 30:氣體供給源群 31:流量控制機器群 32:閥群 33:氣體供給管 40:擋板 41:排氣口 42:排氣裝置 43:搬出入口 44:閘閥 50:第1射頻電源 51:第2射頻電源 52:匹配器 53:第1匹配電路 54:第2匹配電路 60:第1可變被動元件 61:第2可變被動元件 62:直流電源 63:切換單元 64:第1射頻濾波器 65:第2射頻濾波器 70:驅動裝置 71,300,400:升降銷 72:驅動源 100:控制部 140:上部邊緣環 141:下部邊緣環 200,310,420:連接部 201,201a,201b,311,313,410,421:導電性構造 202,220,312,422:導電性彈性構件 203:導電膜 230:中繼構件 401:絕緣構件 S:處理空間 SH:鞘層 W:晶圓
圖1係顯示本實施形態之蝕刻裝置的構成之概略的縱剖面圖。 圖2A係顯示本實施形態之邊緣環周邊的構成之概略的縱剖面圖。 圖2B係顯示本實施形態之邊緣環周邊的構成之概略的縱剖面圖。 圖3A係顯示因邊緣環之消耗所造成的鞘層之形狀的變化及離子之入射方向的傾斜之發生的說明圖。 圖3B係顯示因邊緣環之消耗所造成的鞘層之形狀的變化及離子之入射方向的傾斜之發生的說明圖。 圖4A係顯示鞘層之形狀的變化及離子之入射方向的傾斜之發生的說明圖。 圖4B係顯示鞘層之形狀的變化及離子之入射方向的傾斜之發生的說明圖。 圖5係顯示傾斜角度的控制方法之一例的說明圖。 圖6係顯示傾斜角度的控制方法之一例的說明圖。 圖7係顯示傾斜角度的控制方法之一例的說明圖。 圖8係顯示傾斜角度的控制方法之一例的說明圖。 圖9係顯示另一實施形態之邊緣環周邊的構成之概略的縱剖面圖。 圖10A係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖10B係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖10C係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖10D係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖10E係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖10F係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖11A係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖11B係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖11C係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖11D係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖11E係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖11F係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖11G係顯示連接部的構成之一例的縱剖面圖。 圖12A係顯示連接部的構成之一例的俯視圖。 圖12B係顯示連接部的構成之一例的俯視圖。 圖12C係顯示連接部的構成之一例的俯視圖。 圖13A係示意連接部與可變被動元件的構成之一例的說明圖。 圖13B係示意連接部與可變被動元件的構成之一例的說明圖。 圖13C係示意連接部與可變被動元件的構成之一例的說明圖。 圖14A係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖14B係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖14C係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖14D係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖15A係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖15B係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖15C係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖15D係顯示連接部與驅動裝置的構成之一例的縱剖面圖。 圖16係顯示另一實施形態之邊緣環周邊的構成之概略的縱剖面圖。 圖17係顯示傾斜角度的控制方法之一例的說明圖。 圖18係顯示傾斜角度的控制方法之一例的說明圖。
12:下部電極
13:靜電吸盤
14:邊緣環
16a:第1電極
16b:第2電極
17:支持構件
50:第1射頻電源
51:第2射頻電源
52:匹配器
53:第1匹配電路
54:第2匹配電路
62:直流電源
63:切換單元
64:第1射頻濾波器
65:第2射頻濾波器
71:升降銷

Claims (19)

  1. 一種電漿處理裝置，包含； 電漿處理腔室； 基板支持體，配置於該電漿處理腔室內，該基板支持體包括下部電極、靜電吸盤、及包圍著該靜電吸盤上所載置之基板而配置的邊緣環； 驅動裝置，使該邊緣環朝縱向移動； 上部電極，配置於該基板支持體之上方； 來源射頻電源，為了由該電漿處理腔室內之氣體產生電漿而對該上部電極或該下部電極供給來源射頻電力； 偏壓射頻電源，對該下部電極供給偏壓射頻電力； 至少一導體，和該邊緣環接觸； 直流電源，經由該至少一導體而對該邊緣環施加負極性的直流電壓； 射頻濾波器，電性連接在該至少一導體與該直流電源之間，包括至少一可變被動元件；以及 控制部，控制該驅動裝置及該至少一可變被動元件，調整該電漿中之離子對於載置在該靜電吸盤上之基板的邊緣區域之入射角度。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中， 該驅動裝置包含： 升降銷，支持該邊緣環；以及 驅動源，使該升降銷朝縱向移動。
  3. 如請求項2之電漿處理裝置，其中， 該升降銷，至少其表面係以絕緣材料形成。
  4. 如請求項3之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含在該升降銷內沿縱向延伸的導電性引線； 該導電性引線之一端，和該邊緣環接觸。
  5. 如請求項3之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含與該邊緣環接觸的導電性彈性構件。
  6. 如請求項5之電漿處理裝置，其中， 該導電性彈性構件，配置於該升降銷內。
  7. 如請求項5之電漿處理裝置，其中， 該導電性彈性構件，配置於該邊緣環與該靜電吸盤之間。
  8. 如請求項7之電漿處理裝置，其中， 更包含追加的邊緣環，其配置於該邊緣環與該靜電吸盤之間。
  9. 如請求項8之電漿處理裝置，其中， 該追加的邊緣環，係以絕緣材料形成，配置於較該導電性彈性構件更為內側。
  10. 如請求項9之電漿處理裝置，其中， 該邊緣環，於其底面具有突起部。
  11. 如請求項8之電漿處理裝置，其中， 該追加的邊緣環，係以導電性材料形成； 該導電性彈性構件，配置於該邊緣環與該追加的邊緣環之間。
  12. 如請求項1至11中任一項之電漿處理裝置，其中， 該邊緣環，具有和該至少一導體接觸的至少一導電膜。
  13. 如請求項1至11中任一項之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含俯視時沿著該邊緣環之周向等間隔地配置的複數導體。
  14. 如請求項1至11中任一項之電漿處理裝置，其中， 該邊緣環具有導電性。
  15. 一種電漿處理裝置，包含； 電漿處理腔室； 基板支持體，配置於該電漿處理腔室內，該基板支持體包括靜電吸盤、及包圍著該靜電吸盤上所載置之基板而配置的邊緣環； 驅動裝置，使該邊緣環朝縱向移動； 射頻電源，為了由該電漿處理腔室內之氣體產生電漿而產生射頻電力； 至少一導體，和該邊緣環接觸； 至少一可變被動元件，和該至少一導體電性連接；以及 控制部，控制該驅動裝置及該至少一可變被動元件，調整該電漿中之離子對於載置在該靜電吸盤上之基板的邊緣區域之入射角度。
  16. 如請求項15之電漿處理裝置，其中， 該驅動裝置包含： 升降銷，支持該邊緣環；以及 驅動源，使該升降銷朝縱向移動。
  17. 如請求項16之電漿處理裝置，其中， 該升降銷，至少其表面係以絕緣材料形成。
  18. 如請求項17之電漿處理裝置，其中， 該至少一導體，包含在該升降銷內沿縱向延伸的導電性引線； 該導電性引線之一端，和該邊緣環電性連接且物理性連接。
  19. 一種蝕刻方法，利用電漿處理裝置； 該電漿處理裝置包含： 電漿處理腔室； 基板支持體，配置於該電漿處理腔室內，該基板支持體包括靜電吸盤、及包圍著該靜電吸盤上所載置之基板而配置的邊緣環； 至少一導體，和該邊緣環電性連接且物理性連接；以及 至少一可變被動元件，和該至少一導體電性連接； 該蝕刻方法包含如下步驟： （a）將基板載置於該靜電吸盤上； （b）由該電漿處理腔室內之氣體產生電漿； （c）以產生的電漿蝕刻該基板；以及 （d）調整該電漿中的離子對於該基板的邊緣區域之入射角度； 該調整步驟包含如下步驟： （d1）使該邊緣環朝縱向移動；以及 （d2）調整該至少一可變被動元件。
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