TW202321478A - 一種燒結釹鐵硼磁體材料及其製備方法和應用 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種燒結釹鐵硼磁體材料及其製備方法和應用。本發明公開的製備方法包括：將原料經熔煉、鑄造、粉碎、成型、燒結和時效處理；鑄造採用速凝鑄片法；其中銅錕轉速為2 m/s~4 m/s，冷卻水溫度為5℃~15℃；燒結釹鐵硼磁體材料的原料包括：B，0.88 %~0.93 %；X，0.05 %~0.45 %，X為Zr和/或Ti；Ga，0.3 %~0.7 %；Y，28 %~31 %，Y為Pr和/或Nd；Z，0 %~2 %，Z為Dy和/或Tb；Cu，0.2 %~1 %；Co，0 %~1 %；Al，0 %~1 %；Fe，餘量。該燒結釹鐵硼磁體材料機械強度高，能夠降低其在機加工時的不良率，從而減少其加工成本。

Description

一種燒結釹鐵硼磁體材料及其製備方法和應用
本發明涉及一種燒結釹鐵硼磁體材料及其製備方法和應用。
隨著近年來新能源汽車在全世界範圍的大力推廣，鋰電池、永磁同步電機等的需求量也隨之日益劇增。在這之中，燒結釹鐵硼磁體材料作為當之無愧的“磁王”，在永磁同步電機中扮演著十分重要的角色。
然而，燒結釹鐵硼磁體材料的機械力學性能很差，在機加工時容易發生斷裂，不良率較高，特別是對於微小產品的加工，成品率更低。因此，對燒結釹鐵硼磁體材料的機械力學性能進行改善，提高其機械強度，能夠有效降低燒結釹鐵硼磁體材料在機加工時由於不良率高而導致的高昂的成本。
實際上，燒結釹鐵硼磁體材料是一種本征脆性材料，其典型的微觀組織結構為富釹晶界相包裹著四方主相。其中，四方相為典型的金屬間化合物，晶體結構十分複雜，沒有滑移系，因而缺乏塑性，但是強度和硬度均較高；而富釹相具有一定的塑性，但強度和硬度遠低於脆性的四方相。正是這樣的結構特點，使得釹鐵硼在斷裂時，裂紋將不可避免地沿著薄弱的富釹相擴展，使最終的斷口表現為沿晶斷裂，從而導致燒結釹鐵硼磁體材料的機械強度很差。因此，如果能夠使釹鐵硼磁體材料在斷裂時，裂紋在強度較高的四方相內部擴展，那麼將很大程度上改善燒結釹鐵硼磁體材料的機械強度。
然而，雖然目前已有大量關於提高燒結釹鐵硼磁體材料機械強度的方法，但是都沒能從本質上對燒結釹鐵硼磁體材料脆性較高的原因進行改良。實際上，各種合金元素雖然能夠在一定程度上使釹鐵硼磁體材料的機械強度得到改善，但都難以使裂紋擴展的行為產生改變，也就難以從根本上提高燒結釹鐵硼磁體材料的機械強度。
因此，開發出一種從根本上提高燒結釹鐵硼磁體材料機械強度的方法，降低燒結釹鐵硼磁體材料在機加工時的不良率，減少燒結釹鐵硼磁體材料的加工成本成為亟待解決的問題。
本發明所要解決的技術問題是為了克服現有技術中燒結釹鐵硼磁體材料機械強度低，在機加工時不良率高的問題，而提供了一種釹鐵硼磁體材料及其製備方法和應用。本發明的燒結釹鐵硼磁體材料機械強度高，能夠降低燒結釹鐵硼磁體材料在機加工時的不良率，從而減少燒結釹鐵硼磁體材料的加工成本。
本發明主要是通過以下技術手段解決上述技術問題的。
本發明提供了一種燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法，其包括以下步驟：將燒結釹鐵硼磁體材料的原料混合物依次經熔煉、鑄造、粉碎、成型、燒結和時效處理，製得燒結釹鐵硼磁體材料；
其中，所述鑄造採用速凝鑄片法；所述速凝鑄片法中，銅錕轉速為2 m/s~4 m/s，冷卻水溫度為5℃~15℃；
所述燒結釹鐵硼磁體材料，其原料包括以下組分：
B，0.88%~0.93%；
X，0.05%~0.45%，所述X為Zr和Ti中的一種或兩種；
Ga，0.3%~0.7%；
Y，28%~31%，所述Y為Pr和Nd中的一種或兩種；
Z，0%~2%，所述Z為Dy和Tb中的一種或兩種；
Cu，0.2%~1%；
Co，0%~1%；
Al，0%~1%；
Fe，餘量；
其中，%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比；各組分的質量百分比之和為100%。
本發明中，所述速凝鑄片法中，所述速凝片厚度較佳地為0.1 mm~0.25 mm；例如為0.1 mm~0.2 mm。
本發明中，所述速凝鑄片法中，所述銅錕轉速較佳地為2.5 m/s~3.5 m/s，例如2.5 m/s。
本發明中，所述速凝鑄片法中，所述冷卻水溫度較佳地為5℃~10℃，例如8℃。
本發明中，所述B的含量較佳地為0.9%~0.92%，例如0.91%~0.92%；%是指B的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比。
本發明中，所述X的含量較佳地為0.15%~0.35%，例如0.2%~0.35%；%是指X佔所述燒結釹鐵硼磁體材料原料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Ga的含量較佳地為0.4%~0.6%，例如0.5%~0.6%；%是指Ga佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Y的含量較佳地為29.8%~30.5%；%是指Y佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比。優選地，Y為Nd。
本發明中，所述Co的含量較佳地為0.3%~0.5%；%是指Co佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Cu的含量較佳地為0.5%~0.7%；%是指Cu佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Al的含量較佳地為0~0.5%；%是指Al佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Fe的含量為61.92%~70.57%；較佳地為65.93%~67.45%；%是指Fe佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比。
本發明某一較佳實施例中，所述燒結釹鐵硼磁體材料，其原料包括以下組分：0.91%的B、0.2%的Ti、0.5%的Ga、29.8%的Nd、0.5%的Co、0.5%的Cu、0.5%的Al和67.09%的Fe；其中%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料原料總質量的質量百分比（各組分的質量百分比之和為100%）。
本發明某一較佳實施例中，所述燒結釹鐵硼磁體材料，其原料包括以下組分：0.92%的B、0.35%的Zr、0.6%的Ga、30.5%的Nd、0.3%的Co、0.7%的Cu和66.63%的Fe；其中%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料原料總質量的質量百分比（各組分的質量百分比之和為100%）。
較佳地，所述燒結釹鐵硼磁體材料的原料由以下組分組成：所述的B、所述的X、所述的Ga、所述的Y、所述的Z、所述的Cu、所述的Co、所述的Al和所述的Fe。
本發明中，所述熔煉的工藝可為本領域常規。
其中，所述熔煉的真空度例如為5×10 -2Pa。
所述熔煉的溫度例如在1550℃以下，例如1540℃。
本發明中，所述鑄造的溫度可為1390~1460℃，例如1410℃。
本發明中，所述粉碎的工藝可為本領域常規。
其中，所述粉碎一般包括氫破粉碎和氣流磨粉碎。
所述氫破粉碎的工藝一般可為依次經吸氫、脫氫和冷卻處理。
所述吸氫可在氫氣壓力0.085MPa的條件下進行。
所述脫氫可在邊抽真空邊升溫的條件下進行。所述脫氫的溫度可為480~520℃，例如500℃。
本發明中，所述氣流磨粉碎時的氣體氛圍可為氧化氣體含量在100ppm以下，所述氧化氣體含量是指氧氣和/或水分的含量。
所述氣流磨粉碎後，一般還可添加潤滑劑，例如硬脂酸鋅。所述潤滑劑的添加量可為所述氣流磨粉碎後得到的粉體質量的0.05~0.15%，例如0.12%。
本發明中，所述成型可採用磁場成型法。
所述磁場成型例如在1.8~2.5T的磁場強度下進行。
本發明中，所述燒結的工藝可為本領域常規。
其中，所述燒結的真空度例如為5×10 -3Pa。
所述燒結的溫度可為1000~1100℃，例如1080℃。
所述燒結的時間可為4~8h，例如6h。
本發明中，所述時效處理包括二級時效處理；其中，第一級時效溫度可為880℃~920℃，例如880℃；第二級時效溫度可為440℃~520℃，例如490℃。
本發明中，所述第一級時效處理的時間較佳地為2~4h，例如3h。
本發明中，所述第二級時效處理的時間較佳地為1~4h，例如3h。
本發明還提供了一種燒結釹鐵硼磁體材料，其採用上述的製備方法製得。
本發明還提供了一種燒結釹鐵硼磁體材料，其原料包括以下組分：
B，0.88%~0.93%；
X，0.05%~0.45%，所述X為Zr和Ti中的一種或兩種；
Ga，0.3%~0.7%；
Y，28%~31%，所述Y為Pr和Nd中的一種或兩種；
Z，0%~2%，所述Z為Dy和Tb中的一種或兩種；
Cu，0.2%~1%；
Co，0%~1%；
Al，0%~1%；
Fe，餘量；
其中，%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比；各組分的質量百分比之和為100%；優選地，原料中各組分的含量均同燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法中所述。
本發明中，所述燒結釹鐵硼磁體材料可包括富Nd相、四方相、富Fe相和XB 2相。
本發明中，所述富Fe相中，所述Fe以質量百分比計的含量較佳地為35%~55%；例如，所述Fe以質量百分比計的含量約為44%。
本發明中，所述富Fe相中，所述Y以質量百分比計的含量較佳地為40%~60%；例如，所述Nd以質量百分比計的含量約為50%。
本發明中，所述富Fe相中較佳地還包括Ga、Al和Cu，或者Ga和Cu等金屬元素；例如，Ga以質量百分比計的含量約為4.5%，Cu以質量百分比計的含量約為0.5%。
本發明中，所述燒結釹鐵硼磁體材料在製備過程中可能會發生氧化反應，所述富Fe相還可包括以質量百分比計的含量為0%~2%的O元素；例如，所述O以質量百分比計的含量約為1%。
本發明中，所述富Nd相的面積佔比可為5%~25%，例如為6%。
本發明中，所述四方相的面積佔比可為70%~93%，例如為90%。
本發明中，所述富Fe相的面積佔比可為2%~25%，例如為4%。
本發明中，所述XB 2相較佳地以彌散小點相分佈於富釹相中和/或四方相邊緣處。
本發明中，所述面積佔比一般是指BSE檢測時，所述燒結釹鐵硼磁體材料的垂直取向面中不同組成相所佔的面積。
本發明中，所述燒結釹鐵硼磁體材料中，所述四方相晶粒表面較佳地存在晶格缺陷。
本發明還提供了一種上述燒結釹鐵硼磁體材料作為電子元器件的應用。
在不違背本領域常識的基礎上，上述各優選條件，可任意組合，即得本發明各較佳實例。
本發明所用試劑和原料均市售可得。
本發明的積極進步效果在於：本發明通過對燒結釹鐵硼磁體材料原料組分中的B含量以及燒結釹鐵硼磁體材料製備過程中的速凝鑄片工藝進行控制，在燒結釹鐵硼磁體材料的四方相晶粒表面引入晶格缺陷，其原理在於：通過對B含量的控制使磁體處於缺B的狀態，磁體中的B元素僅夠四方相形成，而不會有多餘的B富餘。並且，通過速凝工藝的控制使Ti和/或Zr以原子的形式均勻分佈在速凝片的富Nd相中，利用Ti和/或Zr對B元素的化學親和性，使Ti和/或Zr在後續燒結時消耗富Nd相以及附近四方相晶粒表面的B元素。由於對B含量進行了調控，富Nd相中已無多餘的B，因此Ti和/或Zr將主要消耗四方相晶粒表面的B元素。也就是說，通過上述限定條件，使得TiB 2和/或ZrB 2在形成時對四方相晶粒表面的晶格完整度造成一定的破壞，從而在四方相晶粒的表面引入空位等晶格缺陷。
引入晶格缺陷的作用在於：材料在受力時將在四方相表面的晶格缺陷處發生應力集中，使微裂紋在四方相而非富Nd相中產生。為了使微裂紋能夠在形成之後繼續在四方相晶粒的內部擴展而引入了Ga元素，其作用在於：Ga能極大幅度地提高燒結釹鐵硼磁體材料中富釹相的流動性以及潤濕性，使富釹相和四方相的結合力大大提高，避免微裂紋在後續擴展時回到富Nd相中。
本發明的以上設計迫使燒結釹鐵硼磁體材料斷裂時的裂紋在機械強度較高的四方相晶粒內部擴展，使燒結釹鐵硼磁體材料的斷裂方式從常見的沿晶斷裂轉變為穿晶斷裂，從而實現燒結釹鐵硼磁體材料機械強度的大幅度提高。本發明通過合理巧妙的設計，從根本上增強了燒結釹鐵硼磁體材料的機械強度，降低了燒結釹鐵硼磁體材料在機加工時的不良率，從而減少燒結釹鐵硼磁體材料的加工成本。
下面通過實施例的方式進一步說明本發明，但並不因此將本發明限制在所述的實施例範圍之中。下列實施例中未註明具體條件的實驗方法，按照常規方法和條件，或按照商品說明書選擇。
如無特殊說明，下述BSE圖和EPMA均為採用日本電子的JXA-8530F測試所得。
如無特殊說明，下述SEM圖均為採用日立的S-4800II測試所得。
實施例1：
（1）配料：0.91%的B、0.2%的Ti、0.5%的Ga、29.8%的Nd、0.5%的Co、0.5%的Cu、0.5%的Al和67.09%的Fe；%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
（2）熔煉：將步驟（1）中的燒結釹鐵硼磁體材料的原料混合物放入真空度為5×10 -2Pa的高頻真空感應熔煉爐中，在1540℃下熔煉成熔融液。
（3）鑄造：採用速凝鑄片法將熔煉所得熔融液進行鑄造，製得速凝片，速凝鑄片法中，使用的冷卻水溫度為8℃，銅錕轉速為2.5 m/s，製得的速凝片厚度為0.1 mm~0.2 mm。
（4）粉碎：依次進行氫破粉碎和氣流磨粉碎。
氫破粉碎為經吸氫、脫氫、冷卻處理。吸氫在氫氣壓力0.085MPa的條件下進行。脫氫在邊抽真空邊升溫的條件下進行，脫氫溫度為500℃。
氣流磨粉碎為在氧化氣體含量100ppm以下進行，粉碎得到的粒徑為4.2μm，氧化氣體是指氧氣或水分含量。氣流磨粉碎的研磨室壓力為0.68MPa。粉碎後，添加潤滑劑硬脂酸鋅，添加量為混合後粉末重量的0.12%。
（5）磁場成型：在1.8~2.5T的磁場強度和氮氣氣氛保護下進行。
（6）燒結：在5×10 -3Pa真空條件下，經燒結、冷卻。在1080℃下燒結6h；冷卻前可通入Ar氣體使氣壓達到0.05MPa。
（7）時效處理：一級時效溫度為880℃，時間為3h；二級時效溫度為490℃，時間為3h，製得燒結釹鐵硼磁體材料。
實施例2：
（1）配料：0.92%的B、0.35%的Zr、0.6%的Ga、30.5%的Nd、0.3%的Co、0.7%的Cu和66.63%的Fe；%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
其餘步驟按照實施例1步驟（2）~（7）進行，製得燒結釹鐵硼磁體材料。
對比例1：
（1）配料：1%的B、0.2%的Ti、0.5%的Ga、29.8%的Nd、0.5%的Co、0.5%的Cu、0.5%的Al和67%的Fe；%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
其餘步驟按照實施例1步驟（2）~（7）進行，製得燒結釹鐵硼磁體材料。
對比例2：
（1）配料：0.91%的B、0.2%的Ti、0.5%的Ga、29.8%的Nd、0.5%的Co、0.5%的Cu、0.5%的Al和67.09%的Fe；%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
（2）按照實施例1步驟（2）進行熔煉。
（3）鑄造：採用速凝鑄片法將熔煉所得熔融液進行鑄造，製得速凝片，速凝鑄片法中，使用的冷卻水溫度為25℃，銅錕轉速為1 m/s，製得的速凝片厚度為0.3 mm~0.35 mm。
其餘步驟按照實施例1步驟（4）~（7）進行，製得燒結釹鐵硼磁體材料。
效果實施例1：
取實施例1中的速凝片，其BSE圖和Ti元素分佈圖如圖1所示。從圖1可以看出，實施例1的速凝片中，Ti元素以原子的形式主要分佈在富Nd相中，並且沒有與其他元素結合形成化合物。
取實施例1中的燒結釹鐵硼磁體材料，其BSE圖如圖2所示。從圖2可以看出，實施例1的燒結釹鐵硼磁體材料存在四種相，A為四方相，B為富Nd相，C為富Fe相，D為分佈在富Nd相以及四方相邊緣的TiB 2相。
通過EPMA對富Fe相中的組分進行半定量分析，其中，Fe以質量百分比計的含量約為44%，Nd以質量百分比計的含量約為50%，Ga以質量百分比計的含量約為4.5%，Cu以質量百分比計的含量約為0.5%，O以質量百分比計的含量約為1%。
通過軟體ImageJ對各相的面積佔比進行分析，其中，富Nd相的面積佔比為6%，四方相的面積佔比為90%，富Fe相的面積佔比為4%，XB 2相以彌散小點相分佈於富釹相中和/或四方相邊緣處。
取實施例1中的燒結釹鐵硼磁體材料，其斷口的SEM圖如圖3所示。從圖3可以看出，實施例1的燒結釹鐵硼磁體材料在斷裂時，其裂紋主要在四方相內部擴展，斷裂方式以穿晶斷裂為主。
效果實施例2
取實施例2中的速凝片，其BSE圖和Zr元素分佈圖如圖4所示。從圖4可以看出，實施例2的速凝片中，Zr元素以原子的形式主要分佈在富Nd相中，並且沒有與其他元素結合形成化合物。
效果對比例1
取對比例1中的燒結釹鐵硼磁體材料，其斷口的SEM圖如圖5所示。從圖5可以看出，對於常規磁體材料（非本發明提供的製備方法製得，即對比例1的燒結釹鐵硼磁體材料），其在斷裂時，裂紋主要沿著富Nd相擴展，斷裂方式以沿晶斷裂為主。這種斷裂方式下，磁體的抗彎強度顯著低於本發明的穿晶斷裂模式。
對上述實施例1，實施例2，對比例1，對比例2的燒結釹鐵硼磁體材料進行抗彎強度測試，試樣尺寸以及測試方法按照《GB/T 31967.2-2015》進行，測試時樣品的取向方向平行於加載方向。測定的抗彎強度值如表1所示。
表1. 抗彎曲強度值（單位：MPa）
試樣編號 實施例1 實施例2 對比例1 對比例2
1 396.3217 400.481 246.4395 298.0194
2 383.0488 399.3388 274.1872 307.9202
3 416.1029 423.9381 236.3146 314.8314
4 382.7532 367.1292 285.9856 282.9635
5 370.1536 422.1069 272.328 332.9502
從表1數據可得，本發明的燒結釹鐵硼磁體材料（實施例1和實施例2），其典型的抗彎強度值為360 Mpa~430 Mpa。而對比例1和對比例2典型的抗彎強度值為240 Mpa~340 MPa。典型的抗彎強度值對比的結果表明，通過本發明的燒結釹鐵硼磁體材料，具有更好的機械強度。
無。
圖1為實施例1中速凝片的BSE（背散射）圖及對應的Ti元素掃描圖。
圖2為實施例1中燒結釹鐵硼磁體材料的BSE圖；其中A為四方相，B為富Nd相，C為富Fe相，D為分佈在富Nd相以及四方相邊緣的TiB 2相。
圖3為實施例1中燒結釹鐵硼磁體材料的斷口SEM（掃描電子顯微鏡）圖。
圖4為實施例2中速凝片的BSE圖及對應的Zr元素掃描圖。
圖5為對比例1中燒結釹鐵硼磁體材料的斷口SEM圖。

Claims (10)

  1. 一種燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法，其特徵在於，其包括以下步驟：將燒結釹鐵硼磁體材料的原料混合物依次經熔煉、鑄造、粉碎、成型、燒結和時效處理，製得燒結釹鐵硼磁體材料； 其中，所述鑄造採用速凝鑄片法；所述速凝鑄片法中，銅錕轉速為2 m/s~4 m/s，冷卻水溫度為5℃~15℃； 所述燒結釹鐵硼磁體材料，其原料包括以下組分： B，0.88%~0.93%； X，0.05%~0.45%，所述X為Zr和Ti中的一種或兩種； Ga，0.3%~0.7%； Y，28%~31%，所述Y為Pr和Nd中的一種或兩種； Z，0%~2%，所述Z為Dy和Tb中的一種或兩種； Cu，0.2%~1%； Co，0%~1%； Al，0%~1%； Fe，餘量； 其中，%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比；各組分的質量百分比之和為100%。
  2. 如請求項1所述的燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法，其特徵在於，所述速凝鑄片法中，速凝片厚度為0.1 mm~0.25 mm； 和/或，所述速凝鑄片法中，所述銅錕轉速為2.5 m/s~3.5 m/s； 和/或，所述速凝鑄片法中，所述冷卻水溫度為5℃~10℃； 和/或，所述熔煉的真空度為5×10 -2Pa； 和/或，所述熔煉的溫度在1550℃以下； 和/或，所述鑄造的溫度為1390~1460℃； 和/或，所述粉碎包括氫破粉碎和氣流磨粉碎； 和/或，所述成型採用磁場成型法； 和/或，所述燒結的真空度為5×10 -3Pa； 和/或，所述燒結的溫度為1000~1100℃； 和/或，所述燒結的時間為4~8h； 和/或，所述時效處理包括二級時效處理。
  3. 如請求項2所述的燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法，其特徵在於，所述速凝鑄片法中，所述速凝片厚度為0.1 mm~0.2 mm； 和/或，所述速凝鑄片法中，所述銅錕轉速為2.5 m/s； 和/或，所述速凝鑄片法中，所述冷卻水溫度為8℃； 和/或，所述熔煉的溫度為1540℃； 和/或，所述鑄造的溫度為1410℃； 和/或，所述氫破粉碎的工藝為依次經吸氫、脫氫和冷卻處理；所述吸氫在氫氣壓力0.085MPa的條件下進行；所述脫氫在邊抽真空邊升溫的條件下進行；所述脫氫的溫度為480~520℃，例如500℃； 和/或，所述氣流磨粉碎時的氣體氛圍為氧化氣體含量在100ppm以下，所述氧化氣體含量是指氧氣和/或水分的含量； 和/或，所述磁場成型法的強度為1.8~2.5T； 和/或，所述燒結的溫度為1080℃； 和/或，所述燒結的時間為6h； 和/或，所述二級時效處理，其中，第一級時效溫度為880℃~920℃，例如880℃；第二級時效溫度為440℃~520℃，例如490℃；所述第一級時效處理的時間為2~4h，例如3h；所述第二級時效處理的時間為1~4h，例如3h。
  4. 如請求項1所述的燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法，其特徵在於，所述B的含量為0.9%~0.92%，例如0.91%~0.92%； 和/或，所述X的含量為0.15%~0.35%，例如0.2%~0.35%； 和/或，所述Ga的含量為0.4%~0.6%，例如0.5%~0.6%； 和/或，所述Y的含量為29.8%~30.5%； 和/或，Y為Nd； 和/或，所述Co的含量為0.3%~0.5%； 和/或，所述Cu的含量為0.5%~0.7%； 和/或，所述Al的含量為0~0.5%。
  5. 如請求項1-4任一項所述的燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法，其特徵在於，所述燒結釹鐵硼磁體材料的原料包括以下組分：0.91%的B、0.2%的Ti、0.5%的Ga、29.8%的Nd、0.5%的Co、0.5%的Cu、0.5%的Al和67.09%的Fe；其中%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料原料總質量的質量百分比，各組分的質量百分比之和為100%； 或者，所述燒結釹鐵硼磁體材料的原料包括以下組分：0.92%的B、0.35%的Zr、0.6%的Ga、30.5%的Nd、0.3%的Co、0.7%的Cu和66.63%的Fe；其中%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料原料總質量的質量百分比，各組分的質量百分比之和為100%。
  6. 如請求項1-5任一項所述的燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法，其特徵在於，所述燒結釹鐵硼磁體材料的原料由以下組分組成：所述的B、所述的X、所述的Ga、所述的Y、所述的Z、所述的Cu、所述的Co、所述的Al和所述的Fe。
  7. 一種燒結釹鐵硼磁體材料，其採用如請求項1-6任一項所述的燒結釹鐵硼磁體材料製備方法製得。
  8. 一種燒結釹鐵硼磁體材料，其特徵在於，其原料包括以下組分： B，0.88%~0.93%； X，0.05%~0.45%，所述X為Zr和Ti中的一種或兩種； Ga，0.3%~0.7%； Y，28%~31%，所述Y為Pr和Nd中的一種或兩種； Z，0%~2%，所述Z為Dy和Tb中的一種或兩種； Cu，0.2%~1%； Co，0%~1%； Al，0%~1%； Fe，餘量； 其中，%是指各組分的質量佔所述燒結釹鐵硼磁體材料所有原料總質量的質量百分比；各組分的質量百分比之和為100%；優選地，其原料中各組分的含量均同如請求項4-6中任一項所述的燒結釹鐵硼磁體材料的製備方法中所述。
  9. 如請求項7或8所述的燒結釹鐵硼磁體材料，其特徵在於，所述燒結釹鐵硼磁體材料包括富Nd相、四方相、富Fe相和XB 2相；其中， 優選地，所述富Fe相中，所述Fe以質量百分比計的含量為35%~55%，例如44%； 優選地，所述富Fe相中，所述Y以質量百分比計的含量為40%~60%，例如50%； 優選地，所述富Nd相的面積佔比為5%~25%，例如6%； 優選地，所述四方相的面積佔比為70%~93%，例如90%； 優選地，所述富Fe相的面積佔比為2%~25%，例如4%； 優選地，所述XB 2相以彌散小點相分佈於富釹相中和/或四方相邊緣處； 優選地，所述四方相晶粒表面存在晶格缺陷。
  10. 一種如請求項7-9任一項所述的燒結釹鐵硼磁體材料作為電子元器件的應用。
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