TW202314913A - 改變晶圓之溫度用的裝置 - Google Patents

Abstract

一種用於改變晶圓之溫度之裝置，包括：一表面，用以支撐晶圓並且與晶圓交換熱；及一空間，用以容納一末端執行器之至少一末端部分，當該末端執行器用於使晶圓下降至該表面上時，該末端部分係用以從下方支撐晶圓，其中該空間係從該裝置之一側延伸或延伸至該裝置之一側，及其中該空間係配置為使得該末端執行器之該至少一末端部分可從該裝置之該側而從該空間抽出。

Description

改變晶圓之溫度用的裝置

本發明關於用於改變晶圓溫度之裝置，且關於包括這類裝置之晶圓質量計量設備。

使用各種技術在半導體（例如，矽）晶圓上製造微電子元件，各種技術，例如，包括沉積技術（CVD、PECVD、PVD等）及移除技術（例如，化學蝕刻、CMP等）。可以改變半導體晶圓之質量之方式進一步處理半導體晶圓，例如藉由清潔、離子植入、微影及類似者。

取決於所製造之元件，各半導體晶圓可依序通過數以百計的不同處理步驟，以建立及∕或移除其最終運作所需之層及材料。實際上，各半導體晶圓係通過一生產線。

生產完整的矽晶圓所需之處理步驟之成本及複雜性、連同到達生產線之終點（可適當評估其運作之處）所花之時間，已經導致了監控生產線上之設備之操作以及在整個處理中受處理晶圓之品質之需求，俾使可確保對於最終晶圓之效能及良率之信心。

晶圓處理技術通常造成半導體晶圓之質量之變化。半導體晶圓之變化之組態通常對於元件之功能至關重要，所以為了品質控制目的，期望在生產期間評估晶圓，以便判定它們是否具有正確的組態。

測量處理步驟任一方面之晶圓質量之變化是實現產品晶圓計量之一種有吸引力的方法。其成本相對較低、速度快、並且可自動適應不同的晶圓電路圖案。此外，它通常可提供比替代技術更高之準確性。在所關注的處理步驟之前及之後，對所討論的晶圓進行秤重。質量之變化與生產設備之效能及∕或晶圓之期望性質相關。

在半導體晶圓上執行之處理步驟可能導致半導體晶圓質量之非常小的變化，這可能需要高準確度之測量。例如，從半導體晶圓之表面移除少量材料可能使半導體晶圓之質量減小數毫克，可能希望以±100 μg或更佳等級之分辨率來測量該變化。

在這些高測量準確度水平下，由被測量的半導體晶圓之溫度變動及∕或測量設備之溫度所引起之測量輸出之誤差可能變得顯著。

例如，如果半導體晶圓之溫度高於測量設備之測量腔室，則在測量腔室之空氣中可能產生氣流（例如，對流），而可能影響測量輸出。此外，可加熱測量腔室之空氣、改變其密度及壓力及因此改變由空氣施加在半導體晶圓上之浮力。此亦可能影響測量輸出。

在半導體晶圓剛在生產線中被處理完，它的溫度可能是400-500℃ 或更高。在處理之後，可將半導體晶圓裝載至前開式晶圓傳送盒（FOUP）中，與其它最近處理的半導體晶圓一起，以在生產線之不同處理位置之間進行運輸。當FOUP到達用於秤半導體晶圓重量之秤重裝置時，半導體晶圓溫度可能仍然是高的，例如70℃ 或更高。相對地，秤重裝置之溫度可能為約20℃。因此，在半導體晶圓與秤重裝置之間可能有明顯的溫度差。

WO02/03449描述了半導體晶圓質量計量方法，其旨在減少由測量天平或被測量的半導體晶圓之溫度變動所引起之測量輸出之誤差。在WO02/03449所述之方法中，將半導體晶圓自FOUP移出並且放置在被動式熱傳遞板上，在被放置在秤重設備之測量區域上之前，被動式熱傳遞板已熱耦合至秤重設備之腔室。被動式熱傳遞板會使半導體晶圓溫度與腔室之溫度均等而落在±0.1℃ 之內。

WO2015/082874揭示，在WO02/03449所述之方法中在秤重設備之腔室上可能有顯著的熱負荷。熱負荷可能造成秤重設備之溫度（例如，秤重設備之天平之溫度）增加或變得不均勻，其可能造成由秤重設備所執行之重量測量上之相應誤差，如以上所討論。

WO2015/082874揭示，在使用熱傳遞板以使半導體晶圓溫度與秤重設備之溫度均等之前，先自半導體晶圓移除大部分的熱負荷，以減少秤重設備上之熱負荷。

在WO2015/082874所揭示之實施例中，使用主動式熱傳遞板（其中使用熱電裝置以主動地驅散熱負荷）從半導體晶圓移除大部分熱負荷，接著使用被動式熱傳遞板使半導體晶圓溫度與測量腔室之溫度均等，被動式熱傳遞板係安裝在測量腔室之上表面上並且與測量腔室處於熱平衡。

通常，具有合適的末端執行器（例如，雙叉末端執行器）之機械臂係用於將晶圓傳送至熱傳遞板及傳送出熱傳遞板，例如在熱傳遞板與測量腔室之間。具體而言，末端執行器係接觸晶圓之下側，以從晶圓下方支撐晶圓。

申請人先前所使用之熱傳遞板具有複數致動器銷，用於從機械臂之末端執行器接收晶圓、從下方支撐晶圓、並且用於將晶圓降低至熱傳遞板之熱傳遞表面上。

具體而言，複數致動器銷其中每一者可在晶圓接收位置（此時，致動器銷突出在熱傳遞板之熱傳遞表面上方）與縮回位置（此時，致動器銷縮回在熱傳遞板中，並且不突出在熱傳遞表面之上）之間移動。

當將晶圓裝載至熱傳遞板上時，機械臂之末端執行器用於使晶圓朝向熱傳遞板之熱傳遞表面而下降，複數致動器銷係位於晶圓接收位置。

當末端執行器位於在熱傳遞板之熱傳遞表面上方一預定距離時，晶圓之下側與複數致動器銷接觸。因此，當末端執行器在熱傳遞板之熱傳遞表面上方而小於該預定距離時，晶圓係完全由複數致動器銷所支撐，且不再由末端執行器支撐。接著，使末端執行器相對於熱傳遞板及晶圓橫向地移動，俾使末端執行器不再位於晶圓下方。

隨後，使複數致動器銷移動至縮回位置，俾使晶圓被放置在熱傳遞板之熱傳遞表面上，且由熱傳遞板之熱傳遞表面所支撐。

熱傳遞板具有真空夾具，一旦晶圓被放置在熱傳遞表面上，則真空夾具用於將晶圓夾持在熱傳遞板之熱傳遞表面上。例如，熱傳遞表面可具有一或更多開口，一或更多泵係透過開口而抽吸空氣，以便在熱傳遞表面與晶圓之間產生低壓，以便將晶圓夾持至熱傳遞表面。

晶圓係夾持至熱傳遞板之熱傳遞表面足夠的時間期間以達到期望的晶圓溫度，例如使晶圓溫度實質上等於熱傳遞板之溫度之時間期間、及∕或一預定時間期間。

隨後，停止對晶圓之真空夾持，並且使複數致動器銷移動至晶圓接收位置，此時晶圓被支撐在熱傳遞板之熱傳遞表面上方一預定距離處。

接著，使機械臂之末端執行器相對於晶圓及熱傳遞板橫向地移動，俾使末端執行器位於晶圓下方，接著使用末端執行器以將晶圓抬起而離開熱傳遞板。

儘管用於將晶圓放置在熱傳遞板上之此配置足以用於許多應用，但是本案發明人已經意識到，此配置在某些情況中可能導致潛在的問題。

例如，本案發明人已經意識到，用於從機械臂之末端執行器接收晶圓並隨後使晶圓下降至熱傳遞表面上之致動器銷或其它類似的中間機構會佔用熱傳遞板中之空間，其可能會影響熱傳遞板內之熱傳遞。例如，在熱傳遞板中用於致動器銷之孔洞可能成為熱傳遞板中之熱隔斷。這樣的熱隔斷可能對熱傳遞板內之熱傳遞有負面影響，因而存在橫跨熱傳遞板之溫度差異、及∕或使得熱傳遞板不具有期望的溫度。

額外地或替代地，本案發明人已經意識到，用於從機械臂之末端執行器接收晶圓並隨後使晶圓下降至表面上之致動器銷或其它類似的中間機構可能產生熱，其可能在熱傳遞板中導致非期望的溫度變化及∕或溫度變動，其可能在當晶圓被傳遞至秤重設備時導致隨後的測量誤差。

此外，本案發明人已經意識到，該等致動器銷其中一或多者之故障可能導致晶圓在熱傳遞板上呈現一角度，使得晶圓傾斜。此可能由於在晶圓與熱傳遞板表面之間之接觸不良而導致晶圓之熱化不良。此亦可能在當移動末端執行器以將晶圓抬起而離開熱傳遞板之表面時導致晶圓破裂或晶圓損壞。

本發明可解決一或更多這些問題。

最一般地，本發明關於提供一空間，當末端執行器用於使晶圓下降至熱傳遞表面上時，該空間係用以容納從下方支撐著晶圓之末端執行器。 因此，末端執行器可用於直接將晶圓放置在熱傳遞表面上，當晶圓被放置在熱傳遞表面上時，末端執行器係容納在該空間中。 因此，不需要提供致動器銷、或其它類似的中間機構以從末端執行器接收晶圓、且隨後使晶圓下降至表面上，如上所述。

根據本發明之第一態樣，提出一種用於改變晶圓之溫度之裝置，包括： 表面，用以支撐該晶圓並且與該晶圓交換熱，及 空間，用以容納末端執行器之至少一末端部分，當該末端執行器用於使該晶圓下降至該表面上時，該末端部分係用以從下方支撐該晶圓， 其中該空間從該裝置之一側或邊緣延伸或延伸至該側或邊緣，及 其中該空間係配置為俾使該末端執行器之該至少一末端部分可從該裝置之該側或邊緣而從該空間抽出。

在根據本發明之第一態樣之該裝置中，當該末端執行器用於使晶圓下降至該表面上時，該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中。因此，該末端執行器可用於直接使晶圓下降至該表面上，且不需要提供致動器銷或其它類似的中間機構以從該末端執行器接收晶圓、且隨後使晶圓下降至該表面上，如上所述。

此外，不提供致動器銷或其它類似的中間機構以從該末端執行器接收晶圓且隨後使晶圓下降至該表面上，此可能意味著，裝置可能比包括這些組件時更薄。

此外，該空間從該裝置之一側或邊緣延伸或延伸至一側或邊緣，且該空間係配置為使得該末端執行器之該至少一末端部分可從該裝置之該側或邊緣而從該空間抽出。

這意味著，在使晶圓下降至該表面上之後且當晶圓由該表面所支撐時，該末端執行器可從該裝置之該側或邊緣抽出。隨後，可將不同的末端執行器從該裝置之該側或邊緣插入該空間中，並且用於從該表面拾取晶圓。

使用不同的末端執行器以使晶圓下降至該表面上以及從該表面拾取晶圓可最小化由末端執行器所引起之晶圓溫度變化。

例如，在末端執行器將熱的晶圓裝載至用於冷卻之表面上之情況下，該末端執行器可能被熱的晶圓所加熱。如果使用相同的末端執行器來拾取冷卻後之晶圓，則該末端執行器之溫度會高於晶圓，並且可能會加熱晶圓。

反之，如果使用不同的末端執行器來從該表面拾取冷卻後之晶圓，則該不同的末端執行器之溫度可能更接近冷卻後之晶圓之溫度，因此可能對晶圓溫度有較小的影響。

根據本發明之第一態樣之該裝置可包括以下任選的特徵其中任一者、或在相容的情況下之任何組合。

將該末端執行器之該至少一末端部分從該裝置之該側而從該空間抽出可包括，將該末端執行器之該至少一末端部分從該裝置之該側而從該裝置中抽出。

例如，該裝置之該側可為或可包括該裝置之外圍側或邊緣、或該裝置之邊界側或邊緣、或該裝置之周邊側或邊緣。

改變晶圓之溫度可包括冷卻晶圓。

改變晶圓之溫度可包括降低晶圓之溫度。

晶圓可為半導體晶圓。

晶圓可具有200 mm、300 mm或450 mm之直徑。

該裝置可用於改變具有預定直徑之晶圓之溫度、或配置以改變具有預定直徑之晶圓之溫度。預定直徑可為200 mm、300 mm或450 mm。

該裝置可配置或適用於改變晶圓之溫度。

用於支撐晶圓之表面可意味著，該表面係用於支撐晶圓之部分或全部重量。

用於支撐晶圓之表面可意味著，該表面係配置以接觸晶圓。

用於與晶圓交換熱之表面可意味著，當晶圓由該表面所支撐時，如果在表面與晶圓之間具有溫度差，則表面與晶圓將進行熱交換。

與晶圓進行熱交換可包括，執行與晶圓之熱傳遞或與晶圓傳遞熱。

與晶圓進行熱交換可包括，從晶圓接收熱。

與晶圓進行熱交換可包括，與晶圓交換熱能。

與晶圓進行熱交換可包括，從晶圓接收熱能。

與晶圓進行熱交換可包括，在表面與晶圓之間之熱傳導。

與晶圓進行熱交換可包括，從晶圓至表面之熱傳導。

該表面可為該裝置之主體之表面。因此，該裝置可包括具有該表面之主體。

該表面可為該裝置之該主體之頂表面。

該表面可包括導熱材料。

該表面可包括鋁。

該主體可包括鋁。

術語空間可意味著，例如，切口、凹陷、間隙或開口。

該空間可為或包括，例如，切口、凹陷、間隙或開口。

通常，該空間為三維空間。

包含空間之裝置可意味著，該裝置界定一空間、或提供一空間、或限制一空間、或形成一空間、或包圍一空間。

該空間具有預先界定或預定的形狀及∕或預先界定或預定的尺寸。

當該末端執行器用於使晶圓下降至該表面上時，該空間係配置（例如，定位及∕或成形及∕或按尺寸製做）以容納該末端執行器之至少該末端部分。

該末端執行器之至少該末端部分可意味著，該末端執行器之至少一末端。

該末端執行器之該末端部分可意味著，包括該末端執行器之末端之該末端執行器之一部分。

該末端執行器之該末端可意味著，該末端執行器之與該末端執行器之連接或附接至機械臂之一端相反之相反端。

該末端執行器之該末端可為該末端執行器之自由端。

該末端執行器之該末端可為該末端執行器之縱長端。

通常，當該末端執行器用於從下方支撐晶圓時，該末端執行器之該末端係該末端執行器之位於晶圓下方之一端。

該末端執行器之該末端部分可為該末端執行器之縱長末端部分。

該末端執行器之該末端部分可意味著，當該末端執行器用於從下方支撐晶圓時，該末端執行器在晶圓下方（例如，直接在下方）之部分。

當該末端執行器用於從下方支撐晶圓時，該空間可用以容納該末端執行器在晶圓下方（例如，直接在下方）之該部分。

該末端執行器之該末端部分可為該末端執行器之縱向長度之末端部分。

該末端部分可為該末端執行器之末端部或末端長度。

該空間可用以容納該末端執行器。因此，除非會不相容，否則本文中關於「該末端執行器之至少該末端部分」之任何指稱可替換為「該末端執行器」，反之亦然。類似地，除非會不相容，否則本文中關於「末端執行器之至少一末端部分」之任何指稱可替換為「末端執行器」，反之亦然。

該空間可用以容納該末端執行器之大部分長度。

該空間可用以實質上容納該末端執行器之整個長度。

該空間可用以容納該末端執行器之整個長度。

當該末端執行器用於使晶圓下降至該表面上時，該空間可適用於容納該末端執行器之至少該末端部分。

容納該末端執行器之至少該末端部分係意味著，該末端執行器之至少該末端部分係位於該空間內。

當該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中時，該末端執行器之至少該末端部分可完全包含在該空間內。

通常，該空間位於該表面下方，使得當該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中時，該末端執行器之至少該末端部分位於該表面下方。

通常，當該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中時，整個該末端執行器位於該表面下方。

位於該表面下方之該空間可意味著，該空間在裝置中之位置低於該表面、及∕或在裝置中之高度低於該表面。

該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中可意味著，該末端執行器之至少該末端部分之整個厚度或整個高度或整個深度（垂直於晶圓之主平面及∕或垂直於該末端執行器之主平面）被容納在該空間中，例如使得該末端執行器之該末端部分不會向上突出到該空間之外。

該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中可意味著，該末端執行器之至少該末端部分之整個厚度或整個高度或整個深度（垂直於晶圓之主平面及∕或垂直於該末端執行器之主平面）係在該表面下方、或低於該表面。

該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中可意味著，整個該末端執行器係在該表面之下或低於該表面。

通常，該空間之深度係大於該末端執行器之至少該末端部分之深度。

該末端執行器從下方支撐晶圓。該末端執行器可配置以從下方支撐晶圓、或用於從下方支撐晶圓。

該末端執行器從下方支撐晶圓。因此，當晶圓由該末端執行器所支撐時，該末端執行器位於晶圓下方。因此，當該末端執行器使晶圓下降至該表面上時，該末端執行器位於晶圓下方。

該末端執行器可為含有臂部（例如，機械臂）之末端執行器。

該末端執行器可為機器人末端執行器、或機器人臂末端執行器、或機械臂末端執行器。

該末端執行器可連接至、附接至或安裝在機械臂上。

該末端執行器可在該末端執行器之與該末端執行器之該末端部分相反端處連接至、或附接至或安裝在機械臂上。

該末端執行器可具有用於從下方支撐晶圓之一或更多分支或分叉。一或更多分叉可位於或提供在該末端執行器之該末端處。

該空間可用以，藉由將該末端執行器之至少該末端部分下降至該空間中，而容納該末端執行器之至少該末端部分。具體而言，該末端執行器之至少該末端部分可從上方下降至該空間中。

換言之，該空間為從上方可進入及∕或開放給該末端執行器，使得該末端執行器之至少該末端部分可下降至該空間中。

該空間可形成在該裝置之頂表面或上表面或主面中。

該空間可形成在該表面中、或與該表面相鄰。

通常，當該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中時，該末端執行器之至少該末端部分係在該表面下方。

因此，當該末端執行器用於使晶圓下降至該表面上時，該空間可用以容納該末端執行器之至少該末端部分在該表面下方。

該空間可用以容納該末端執行器之至少該末端部分，其中該末端執行器之至少該末端部分係位於或定位在該表面下方、或低於該表面。

在這樣的配置中，該末端執行器之至少該末端部分可不突出在該表面上方，並且可不接觸該表面上之晶圓。

該空間可被配置為使得該末端執行器之至少該末端部分之高度或厚度或深度（垂直於晶圓之主平面及∕或垂直於末端執行器之主平面）可完全容納在該空間中。

通常，該空間係用以容納該末端執行器之至少該末端部分，使得該末端執行器不再與放置在該表面上之晶圓接觸。

通常，該空間係用以容納該末端執行器之至少該末端部分，使得該末端執行器不再從下方支撐放置在該表面上之晶圓。

當藉由該末端執行器而將晶圓下降至該表面上時，該末端執行器之至少該末端部分可下降至該空間中。

該空間可從該表面延伸至裝置中。

該空間在該表面處可為開放的、及∕或在該表面處為可進入的。

該空間可為從上方開放的、及∕或從上方可進入的。

該空間可具有開口在該表面中或該表面上、或靠近或鄰近該表面。

因此，該末端執行器之至少該末端部分可從該裝置上方下降至該空間中。

該空間從該裝置之一側或側邊或邊緣而延伸、或延伸至該裝置之一側或側邊或邊緣。

該裝置可具有主面或主表面以及一或更多側。

該裝置可具有頂面或頂表面以及一或更多側。

主面、或主表面、或頂面、或頂表面可包括該表面。

主面、或主表面、或頂面、或頂表面可為實質水平的或水平的。

該一或更多側可為實質垂直的或垂直的。

該空間在該裝置之該側或側邊或邊緣處可為開放的。

該空間在該裝置之該側或側邊或邊緣處可具有開口側。

該空間在該裝置之頂部處可具有開口側。

該空間在該裝置之該側或側邊或邊緣處為可進入的。

該末端執行器可從該裝置之該側或側邊或邊緣、從該空間移除。

該末端執行器可從該裝置之該側或側邊或邊緣插入至該空間中。

該空間係配置為使得該末端執行器可從該裝置之該側或側邊或邊緣、從該空間移除。

藉由相對於該裝置而橫向或水平地移動該末端執行器，該末端執行器之該至少一末端部分可從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出。

因此，該末端執行器之該至少一末端部分可從該空間之頂部下降至該空間中，接著從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出。

該末端執行器之該至少一末端部分可沿著實質上垂直的（或垂直的）方向而下降至該空間中，接著沿著實質上水平的（或水平的）方向而從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出。

藉由沿著該末端執行器之縱長方向而移動該末端執行器，該末端執行器之該至少一末端部分可從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出。

該裝置之該側可實質上垂直於、或垂直於該表面。

藉由平行於該表面及∕或平行於由該表面所支撐之晶圓而移動該末端執行器，該末端執行器之該至少一末端部分可從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出。

該空間可被成形及∕或按尺寸製做，使得該末端執行器之該至少一末端部分可從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出。

該末端執行器之一部分長度可從該裝置之該側或側邊或邊緣而延伸到該空間之外。

當該末端執行器之至少該末端部分被容納在該空間中時，該末端執行器之一部分縱向長度可從該裝置之該側或側邊或邊緣、從該裝置突出。換言之，該末端執行器之一部分縱向長度可能不會被容納在該空間中。或者，附接至該末端執行器之機械臂之一部分可從該裝置之該側突出。

該空間可形成在該裝置之頂表面或上表面或主面中，並且可延伸至該裝置之一側或側邊。

對於該末端執行器，該空間可在或從該裝置之頂表面或上表面、以及在或從該裝置之該側或側邊為開放的及∕或可進入的。

該空間之最小寬度（平行於晶圓之平面及∕或該裝置之平面）可大於該末端執行器之至少該末端部分之最大寬度。這可能意味著，即使該末端執行器之該末端是該末端執行器之最寬部分，該末端執行器仍可，例如，透過該裝置之該側而從該空間橫向抽出。

寬度係垂直於該空間及∕或該末端執行器之縱長方向。

該空間之上部開口之形狀可對應於、及∕或匹配該末端執行器之至少該末端部分之形狀。

該表面可在該空間之一部分之上及∕或上方延伸。

這可最大化該表面之表面積，並因此最大化與晶圓之熱交換。

當該末端執行器之該至少一末端部分從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出時，該末端執行器之該至少一末端部分之一部分可因此在該表面下方通過，其中該表面係在該空間之一部分之上及∕或上方延伸。

凹槽或通道或溝槽可形成在該表面在該空間之一部分之上及∕或上方延伸之處。

當該末端執行器之該至少一末端部分從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出時，該末端執行器之該至少一末端部分可沿著凹槽或通道或溝槽而移動。

這可使該末端執行器能夠從該空間橫向地移除，同時最大化該表面之表面積。

該表面可在該空間之縱長側之一部分之上及∕或上方延伸。

該空間之縱長側可意味著，平行於該末端執行器之縱向長度之一側。

因此，凹槽或通道或溝槽可形成在該空間之縱長側之一部分處。

該空間之縱長側之該部分可位在、或鄰近於、或接近於該裝置之該側。

該空間之縱長側之該部分可位在、或鄰近於、或接近於該空間之近端或邊緣。

該表面可延伸在該空間之二縱長側之一部分上方。

因此，凹槽或通道或溝槽可形成在該空間之二縱長側之一部分處。

該空間之最小外寬度可大於該末端執行器之該至少一末端部分之最大外寬度。

這可使該末端執行器能夠從該裝置之該側或邊緣、從該空間抽出。

該寬度可平行於該表面及∕或平行於由該表面所支撐之晶圓。

該末端執行器之該至少一末端部分之更末端部分可具有比該末端執行器之該至少一末端部分之更近端部分更大的寬度。

例如，該末端執行器可具有較寬的分支或分叉部分在該末端執行器之末端處。

該空間可具有均勻或實質上均勻的外寬度。

該空間之最小外寬度可大於該末端執行器在其末端處之分支部分或分叉部分之寬度。

在該裝置之該表面或頂表面中之該空間之開口可具有比該空間在該表面或頂表面下方之主要部分更小的面積。

這可允許該末端執行器從該空間而橫向地移除，即使該末端執行器之末端為該末端執行器之最寬部分，例如該末端執行器之末端部分是分叉的。

該裝置可用於被動地冷卻晶圓。

被動地冷卻可意味著，該裝置不包括任何供電的冷卻手段∕裝置，例如熱電冷卻裝置，例如珀耳帖（Peltier）。

被動地冷卻可意味著，裝置不會主動地散熱。

或者，該裝置可用於主動地冷卻晶圓。

主動地冷卻可意味著，該裝置包括供電的冷卻裝置，例如熱電冷卻裝置，例如珀耳帖。

該裝置可包括一或更多熱電模組。

一或更多熱電模組可用於直接或間接地冷卻該表面。

該裝置可包括板體或塊體，例如材料板體或塊體。

該表面可為板體或塊體之表面。

板體或塊體可包括該表面。

板體或塊體可包括該空間。

該空間可形成在板體或塊體中。

該空間可形成在板體或塊體之上表面中。

該空間可形成在該表面中。

該空間可為形成在板體或塊體中之切口或凹陷。因此，板體或塊體可包括切口或凹陷。

該裝置可包括熱板、熱傳遞板、或熱化板。

該表面可為熱板、熱傳遞板、或熱化板之表面。

熱板、熱傳遞板、或熱化板可包括該表面。

熱板、熱傳遞板、或熱化板可包括該空間。

該空間可形成在熱板、熱傳遞板、或熱化板中。

該空間可形成在熱板、熱傳遞板、或熱化板之上表面中。

該空間可形成在該表面中。

該空間可為形成在熱板、熱傳遞板、或熱化板中之切口或凹陷。因此，熱板、熱傳遞板、或熱化板可包括切口或凹陷。

該裝置可包括真空夾具，用於將晶圓真空夾持至該裝置。

該裝置可包括真空夾持配置或機構，用於將晶圓真空夾持至該裝置。

該裝置可包括一或更多開口或孔洞或凹槽或通道（或一凹槽或通道）在該表面中，可對其施加低壓或真空、或可在其中產生低壓或真空，以便將晶圓夾持至該表面及∕或將晶圓固持於該表面。

該裝置可包括一或更多開口或孔洞或通路或管路（或一開口或孔洞或通路或管路），其連接至一或更多凹槽或通道、或流體連接至一或更多凹槽或通道、或與一或更多凹槽或通道流體連通，空氣可透過該一或更多凹槽或通道而從該一或更多凹槽或通道（例如，藉由一或更多泵）抽吸，以便在該一或更多凹槽或通道中產生低壓。

一或更多凹槽或通道可為拱形的。

一或更多凹槽或通道可為環形的、或實質上環形的、或環之一段。

可能具有超過一凹槽，例如二凹槽。

當具有多個凹槽時，該等凹槽可連接在一起。

一或更多凹槽可為或包括雙重凹槽。

一或更多凹槽可為或包括拱形環路或彎曲環路。

凹槽可具有內凹槽部分及外凹槽部分。內及外凹槽部分皆可為拱形的。內及外凹槽部分可連接在一起，以形成環路或連續路徑。內凹槽部分可為徑向內側凹槽部分，外凹槽部分可為徑向外側凹槽部分。

一或更多凹槽可包括內凹槽及外凹槽。內及外凹槽皆可為拱形的。內及外凹槽可連接在一起，以形成環路或連續路徑。內凹槽可為徑向內側凹槽，外凹槽可為徑向外側凹槽。

提供內及外凹槽或凹槽部分兩者可容許更大範圍之彎曲或弓形晶圓之成功真空夾持。具體而言，內凹槽或凹槽部分可允許對正弓形晶圓（晶圓係彎曲朝上而遠離該表面）進行真空夾持，而外凹槽或凹槽部分可允許對負弓形晶圓（晶圓係彎曲朝下而朝向該表面）進行真空夾持。因此，提供內及外凹槽或凹槽部分兩者可允許大範圍之正及負弓形晶圓兩者之成功真空夾持。

該裝置可包括底板、以及附接至底板之頂板。

頂板與底板為可分離的。

頂板可藉由一或更多螺釘或螺栓而附接至底板。

將頂板附接至底板之優點為，為了不同的應用，可提供由不同材料所製成之不同頂板，例如取決於晶圓之特性。例如，可基於性質（例如，材料是否導電及∕或具化學抗性）、及∕或基於材料之磨損特性、及∕或基於材料成本而選擇頂板之材料。

底板可包括該空間。

例如，該空間可形成在底板中，例如在底板之頂表面中。

例如，底板可包括切口或凹陷。

當該末端執行器用於使晶圓下降至該表面上時，該末端執行器之至少該末端部分可被容納在底板中之該空間中。

頂板可包括對應於該空間、或形成該空間之一部分之切口或間隙或開口，使得該末端執行器之至少該末端部分可下降至在底板中之該空間、或該空間之該部分中。

頂板可包括該表面。例如，該表面可為頂板之頂表面。

頂板可比底板薄。此可減少頂板之加工時間，並且需要較少的頂板材料，其可降低頂板之成本。

頂板可由與底板不同的材料所製成。

各種不同的材料可使用於頂板，取決於各種不同的選擇標準。例如，用於頂板之材料之選擇標準可包括下列一或多者：低表面粗糙度（以降低微粒產生之風險）；耐磨（以確保頂板之長壽命）；微粒產生之風險低（以防止微粒累積在晶圓上）；低金屬含量（以防止晶圓背側之污染）；導熱（以允許晶圓冷卻）；及導電（以允許頂板接地並且防止電荷累積）。

頂板可包括單一材料或由單一材料所製成。例如，頂板可包括均質材料。或者，頂板可包括多於一材料或由多於一材料所製成。例如，頂板可包括第一材料，第一材料之至少一部分係塗覆有第二材料。可選擇材料或塗層以適合不同的應用。

例如，合適的低磨損、乾淨塗層包括陽極處理、類鑽石塗層（其具有來自不同製造商之大量專有塗層）、矽、矽氧化物、鈦氮化物及矽碳化物。

通常，由於鋁之高導熱性，鋁做為頂板主體之材料是有利的。然而，可使用其它材料來代替鋁。

因此，頂板可包括鋁。

可將表面塗層施加至頂板之頂表面（例如，鋁頂板之頂表面），以普遍地改善表面磨損行為（例如DLC、SiC、TiN）。

通常，頂板之下側沒有塗層，以確保與底板及∕或在頂板與底板之間之熱界面材料之良好熱接觸。例如，頂板之下側可因此為裸鋁。

通常，底板亦包括具有高導熱性之材料，例如鋁。

底板可因此包括鋁或由鋁所製成。

因為底板通常不與晶圓直接接觸，所以底板材料對晶圓之污染可能受到較少關注。因此，可能沒有必要施加塗層至底板。

例如，底板之頂表面可為經陽極處理的鋁。

底板之底表面可為無塗層的，例如裸鋁，以確保良好的熱接觸。

底板可具有比頂板更大的熱質量。

該裝置可包括熱界面材料在底板與頂板之間。

這可改善在底板與頂板之間之熱傳遞。

熱界面材料可為膜之形式。

熱界面材料可包括石墨或矽氧樹脂、及∕或基於石墨或矽氧樹脂。

熱界面材料可為導電的。此可防止電荷累積在頂板中。

該裝置可包括熱隔斷在底板與該裝置之另一部分之間。

該裝置可包括複數熱隔斷在底板與該裝置之一或更多其它部分之間。

例如，一或更多熱隔斷可位於圍繞底板邊緣之至少一部分、在底板與該裝置之外殼或外罩之間。

一或更多熱隔斷可包括氣隙。

一或更多熱隔斷可包括絕熱材料。

該裝置可包括複數限制元件或部件，該等限制元件或部件係用以限制晶圓相對於該表面之橫向移動。

例如，該裝置可包括複數凸塊或突起，用於限制晶圓相對於該表面之橫向移動。

例如，限制元件或部件可抬升於該表面之上、或者延伸或突出在該表面之上。

如果晶圓相對於該表面被橫向移位，則限制元件或部件可被定位及∕或配置成接觸晶圓之徑向外邊緣。

限制元件或部件可定位或設置為圍繞該表面之周緣或外邊緣。

限制元件或部件可位於該表面中。

每一限制元件可位於距該表面之中心為距離X處，其中X大於裝置所容納之晶圓之半徑。例如，對於具有150 mm半徑之晶圓，每一限制元件可位於距該表面之中心為超過150 mm之距離處。

在該裝置包括如上所述之頂板及底板之情況下，限制元件或部件可設置在連接至或附接至底板之柱體或桿體或銷之頂部處。

柱體或桿體或銷可穿過頂板中之孔洞。

一或更多凹槽或通道可設置在頂板與底板之間，例如夾設在頂板與底板之間，以例如形成密封的管道或通路或通道在頂板與底板之間。

可提供管道或通路或通道在頂板與底板之間。

一或更多孔洞可設置成從頂板之該表面穿過頂板到一或更多凹槽或通道或管道或通路。

例如，一或更多凹槽或通道或管道或通路可為環或環之一段之形式。一或更多孔洞可因此在頂板之該表面上配置成環或環之一段之形狀。

可在一或更多凹槽或通道或管道或通路中提供孔洞或開口，空氣可透過其而從一或更多凹槽或通道被抽吸，以便在一或更多凹槽或通道中產生低壓。此低壓亦將施加至透過頂板而提供之孔洞，以吸引或固持晶圓至該裝置。

根據本發明之第二態樣，提出一種用於改變晶圓溫度之裝置，該裝置包括底板、以及附接至底板之頂板，其中頂板包括用以支撐晶圓並且與晶圓進行熱傳遞之表面。

根據本發明第二態樣之裝置可包括本發明第一態樣之任何特徵，除非其與本發明第二態樣之特徵不相容。

頂板可能比底板薄。

頂板可包括與底板不同的材料。

底板可具有比頂板更大的熱質量。

該裝置可包括熱界面材料在底板與頂板之間。

該裝置可包括熱隔斷在底板與該裝置之另一部分之間。

頂板可具有本發明第一態樣中之頂板之任何特徵，除非不相容。例如，頂板之該表面可具有上述之表面之任何特徵。

底板可具有本發明第一態樣中之底板之任何特徵，除非不相容。例如，底板可包括上述之該空間。

根據本發明之第三態樣，提出一種質量計量設備，包括： 根據本發明之第一或第二態樣之該裝置； 測量腔室；及 測量腔室內之秤重裝置。

根據本發明第三態樣之設備可包括本發明之第一或第二態樣之任何特徵，除非與本發明第三態樣之特徵不相容。

質量計量設備可用於測量晶圓之質量、或可配置以測量晶圓之質量。

測量腔室可為秤重腔室。

秤重裝置可用於執行晶圓之重量測量、或配置以執行晶圓之重量測量。

秤重裝置可用於產生測量輸出、或配置以產生測量輸出，測量輸出係指示裝載在秤重裝置上之晶圓之重量。

秤重裝置可包括用於支撐晶圓之盤，例如秤重盤或天平盤。

該裝置可熱耦接至測量腔室。

該裝置可熱耦接至測量腔室之外側。

該裝置可安裝在測量腔室上，例如安裝在測量腔室之外側。

該裝置可附接至測量腔室，例如附接至測量腔室之外側。

相較於包括致動器銷或其它類似的中間機構（用於從末端執行器接收晶圓且隨後使晶圓下降至該表面上），本發明之裝置可較薄，所以在本發明中，該表面可更靠近測量腔室。這可使該表面之溫度與測量腔室之溫度更緊密地匹配。

該設備可更包括機械臂，其具有用於傳送晶圓之末端執行器。

當該末端執行器用於傳送晶圓時，末端執行器可用以從下方支撐晶圓。

末端執行器可具有上述之末端執行器之任何特徵。

當末端執行器用於使晶圓下降至該表面上時，該裝置中之該空間係用以至少容納機械臂之末端執行器之末端部分。

該設備可包括： 具有第一末端執行器之第一機械臂；及 具有第二末端執行器之第二機械臂， 其中該設備係配置為使用第一末端執行器以使晶圓下降至該裝置之該表面上，及 其中該設備係配置為使用第二末端執行器以從該裝置之該表面拾取晶圓。

該設備可包括： 具有第一末端執行器及第二末端執行器之機械臂， 其中該設備係配置為使用第一末端執行器以使晶圓下降至該裝置之該表面上，及 其中該設備係配置為使用第二末端執行器以從該裝置之該表面拾取晶圓。

根據本發明之第四態樣，提出一種設備，該設備包括根據本發明第一態樣之該裝置及該末端執行器。

根據本發明第四態樣之設備可包括本發明之第一、第二或第三態樣之任何特徵，除非其與本發明之第四態樣之特徵不相容。

該設備可包括機器人臂或機械臂，其具有或包括該末端執行器。

該設備可包括測量腔室及在測量腔室內之秤重裝置。

本發明包括所述之態樣及較佳特徵之組合，除非這樣的組合是明顯不允許的或明確應避免的。

現在將參考隨附圖式而討論本發明之態樣及實施例。對於熟悉此項技藝者來說，進一步的態樣及實施例將是顯而易見的。本文中所述之所有文件係納入本文中做為參考。

圖1顯示根據本發明第一實施例之半導體晶圓質量計量設備1。

半導體晶圓質量計量設備1係用以測量晶圓之質量、或晶圓質量之變化。

半導體晶圓質量計量設備1包括秤重裝置3，秤重裝置3具有秤重盤5，在秤重裝置3對晶圓執行重量測量期間，秤重盤5用於接收半導體晶圓並且用於支撐晶圓。秤重裝置3係用以提供測量輸出，其指示裝載在秤重盤5上之晶圓之重量。例如，秤重裝置3可測量裝載在秤重盤5上之晶圓之重量、或晶圓重量之變化、或在晶圓重量與參考重量之間之差異。

秤重裝置3位於秤重室7內，秤重室7在秤重裝置3周圍形成一封閉環境。例如，秤重室7可維持在秤重裝置3周圍之空氣之空氣密度、空氣壓力及空氣溫度為實質上一致。秤重室7具有一開口（未顯示），例如在秤重室7之側壁中之適當尺寸的狹槽，以允許晶圓藉由機械臂之末端執行器而傳送至秤重室7中、並且放置在秤重盤5上。當不使用時，開口可被可開啟的門或蓋體（未顯示）覆蓋，以當使用秤重裝置3來執行測量時允許秤重室7為實質上關閉或密封的。

用於改變晶圓溫度之溫度改變部件9係位於秤重室7之頂部上。

溫度改變部件9可包括板體或塊體。板體或塊體可由具有良好導熱性之材料所製成、或包括具有良好導熱性之材料，例如Al。

溫度改變部件9較佳為具有高的熱質量俾使其被供給熱能時其溫度變化緩慢且很小，及∕或具有良好的橫向導熱性俾使其在整個上表面保持實質均勻的溫度。

溫度改變部件9可包括或可為熱傳遞板、或熱板、或熱化板。

溫度改變部件9係直接位於秤重室7之頂部上，俾使在溫度改變部件9與秤重室7之間具有良好的熱接觸。溫度改變部件9與秤重室7係直接物理接觸。溫度改變部件9可附接或固定至秤重室7，例如使用一或更多螺栓（未顯示）及∕或導熱接合層（未顯示）。

由於在溫度改變部件9與秤重室7之間之良好熱接觸，溫度改變部件9可與秤重室7實質上處於熱平衡，因此可具有與秤重室7實質上相同的溫度（當溫度改變部件9上之熱負荷為低）。秤重裝置3亦可與秤重室7處於熱平衡，因此亦可具有與秤重室7實質上相同的溫度。因此，溫度改變部件9可與秤重裝置3實質上處於熱平衡，因此可具有與秤重裝置3實質上相同的溫度（當溫度改變部件9上之熱負荷為低）。

使用時，首先將待測晶圓放置在溫度改變部件9上以降低其溫度。可提供真空夾持機構，以將晶圓真空夾持至溫度改變部件9，以便在溫度改變部件9與晶圓之間達成良好的熱接觸。因此，溫度改變部件9可包括用於將晶圓夾持至溫度改變部件9之真空夾具。在晶圓與溫度改變部件9之間之熱平衡可在短時間內實現，例如在溫度改變部件9與晶圓之間之低於0.01℃ 之溫度差異係在20秒內實現。

可將晶圓放置在溫度改變部件9上一預定時間期間，而足以在晶圓與溫度改變部件9之間達成熱平衡。通常溫度改變部件9與秤重室7彼此處於熱平衡（當溫度改變部件9上之熱負荷為低），俾使晶圓處於與秤重室7之溫度相同的溫度。

通常，晶圓之溫度高於溫度改變部件9之溫度及秤重室7之溫度，因此通常溫度改變部件9係冷卻晶圓（降低晶圓之溫度）。

在晶圓被溫度改變部件9冷卻之後，將它從溫度改變部件9傳送至秤重室7中、並且放置在秤重裝置3之秤重盤5上以進行測量。

秤重裝置3係用於執行晶圓之重量測量。例如，秤重裝置3可測量晶圓之重量。

設備1係用以執行計算，以基於重量測量之結果來計算晶圓之質量。該計算可包括執行浮力校正，以校正秤重室7中之空氣對晶圓之浮力。例如，秤重室7可包括一或更多感測器，用於偵測在秤重室7中之溫度及∕或壓力及∕或空氣之濕度，以便計算在晶圓上之浮力。

當然，在其它實施例中，溫度改變部件9可位於相對於秤重室7而與圖1所示之不同位置。例如，在另一實施例中，溫度改變部件9可不安裝在秤重室7上，而是可位於秤重室7之一側及∕或與秤重室7分開放置。在這樣的替代實施例中，溫度改變部件9可不與秤重室7熱耦合，因此可能不與秤重室7實質上處於熱平衡。

溫度改變部件9可包括或具有溫度感測器，用於感測溫度改變部件9之溫度。

第一實施例之其它特徵將討論於下，在討論本發明之第二實施例之後。

圖2顯示根據本發明第二實施例之半導體晶圓質量計量設備11。

圖2之半導體晶圓質量計量設備11係不同於圖1之半導體晶圓質量計量設備1，因為其更包括第二溫度改變部件13。

第二溫度改變部件13可包括板體或塊體。板體或塊體可由具有良好導熱性之材料所製成（例如，Al）、或包括具有良好導熱性之材料。

第二溫度改變部件13可更包括複數珀耳帖（Peltier）裝置15，其附接在板體或塊體之底側、及∕或與板體或塊體之底側接觸。每一珀耳帖裝置15具有附接至其之散熱器17，例如在其底側上。可在板體或塊體之底側下方之區域21中提供空氣流19，以便從珀耳帖裝置15以及從散熱器17去除熱。當然，空氣流之配置可不同於圖2中所示。例如，可藉由風扇將空氣從區域21之底部吹出。或者，在其它實施例中，可不提供空氣流。此外，一些珀耳帖裝置15及∕或散熱器17可不同於圖2中所示之。

第二溫度改變部件13可包括或具有溫度感測器，用於感測第二溫度改變部件13之溫度。可控制第二溫度改變部件13之溫度，俾使其等於目標溫度、或在目標溫度之預定範圍內。例如，可操作或控制複數珀耳帖裝置15，俾使所感測的溫度等於目標溫度、或在目標溫度之預定範圍內。

在圖2中，第二溫度改變部件13係顯示為位於秤重室7之右側。然而，在其它實施例中，第二溫度改變部件13可位於不同處，例如位於不同側、及∕或在秤重室7上方或下方、或比圖2中所示更靠近或更遠離秤重室7。在其它實施例中，第二溫度改變部件13可直接或間接地附接或連接至溫度改變部件9及∕或秤重室7。

在使用中，晶圓傳送器（例如，設備前端模組（EFEM）之機械臂之末端執行器）係用於從前開式晶圓傳送盒（FOUP）（未顯示）或替代地從另一處理設備（未顯示）移除晶圓，以及將晶圓傳送至第二溫度改變部件13並且將晶圓放置在第二溫度改變部件13上。當晶圓從FOUP（或其它處理設備）移除時，其可具有大約70°C 之溫度。例如，晶圓可能已經在半導體元件生產線之處理站被處理，在晶圓被裝載至FOUP之前，處理站可能已經將晶圓加熱至400至500℃ 之溫度。

當晶圓被放置在第二溫度改變部件13上時，熱從晶圓傳導至第二溫度改變部件13，俾使晶圓之溫度降低。取決於晶圓在第二溫度改變部件13上放置多久，晶圓與第二溫度改變部件13可達成熱平衡（例如，使得它們具有實質相同的溫度）。為了防止第二溫度改變部件13之溫度由於來自晶圓之熱負荷而升高，珀耳帖裝置15是可操作的以主動地消散由第二溫度改變部件13從晶圓所移除之熱負荷。換言之，提供電力至珀耳帖裝置15，以使它們充當主動式熱泵，將熱從它們與板體或塊體接觸之上表面傳遞至它們與散熱器17附接之下表面。珀耳帖裝置15或可稱為熱電模組。

提供空氣流19在板體或塊體下方之區域21中（珀耳帖裝置15及散熱器17係位於該區域21中），以便從珀耳帖裝置15及散熱器17去除熱。因此，使用第二溫度改變部件13而從晶圓去除之熱會藉由空氣流19而傳送並消散離開晶圓質量計量設備11之秤重室7，俾使該熱對於秤重室7之溫度沒有影響。換言之，主動地使熱從第二溫度改變部件13消散。

操作第二溫度改變部件13以去除來自晶圓之大部分熱負荷，俾使晶圓之溫度下降為接近當晶圓被放置在秤重盤5上時之期望的晶圓溫度。

通常，當晶圓裝載在秤重盤5上時，希望使晶圓之溫度與秤重室7之溫度實質上匹配，俾使晶圓與秤重室7之間實質上沒有溫度差（因此，晶圓與秤重裝置3之間實質上沒有溫度差）。在此實施例中，第二溫度改變部件13可將晶圓冷卻至秤重室7之溫度之 ±1℃ 以內。例如，在秤重室中，當秤重室7之溫度為20℃ 時，第二溫度改變部件13可將晶圓冷卻至（20±1）℃ 之溫度。然而，在其它實施例中，由第二溫度改變部件13所提供之冷卻量可能與此不同。

一旦已經使用第二溫度改變部件13將晶圓之溫度冷卻至接近期望溫度，則使用晶圓傳送器以將晶圓傳送至溫度改變部件9，晶圓傳送器包括具有末端執行器之機械臂以用於支撐晶圓。

溫度改變部件9可被稱為第一溫度改變部件。

如上所述，當晶圓位於溫度改變部件9上時，在晶圓與溫度改變部件9之間具有良好的熱接觸。因此，透過將熱從晶圓傳導至溫度改變部件9，晶圓被冷卻。取決於晶圓放置在溫度改變部件9上之時間長度，晶圓與溫度改變部件9可變為實質上處於熱平衡，使得它們具有實質上相同的溫度。在此實施例中，晶圓可在溫度改變部件9上放置足以達成熱平衡之時間，例如60秒。在此實施例中，第二溫度改變部件13可將晶圓冷卻至秤重室7之溫度之 ±0.1℃ 以內。

在晶圓被放置在溫度改變部件9上之前，它已經被第二溫度改變部件13去除了大部分熱負荷。因此，在溫度均等化期間，在溫度改變部件9上之熱負荷非常低，因此，溫度改變部件9及秤重室7（具有高熱質量）之溫度可在溫度均等化期間保持實質上恆定（當溫度改變部件9上之熱負荷為低）。此外，相當少的熱必須被交換以使晶圓與溫度改變部件9處於熱平衡。

因此，利用本實施例，可能更準確∕精確地將晶圓之溫度均等化至期望的溫度，因為從晶圓去除大部分熱負荷以及使晶圓之溫度均等化之步驟已經分開。

當晶圓之溫度與溫度改變部件9之溫度實質上相等時（例如，當晶圓已經在溫度改變部件9上一預定時間期間），晶圓藉由晶圓傳送器（包括具有末端執行器之機械臂）從溫度改變部件9傳送至秤重盤5。接著，秤重裝置3用於提供測量輸出，測量輸出係指示晶圓重量。

圖1及2中所示之配置僅為說明性配置，秤重室及∕或溫度改變部件之其它配置在本發明中是可能的，且根據以上揭示內容及以下揭示內容，其對於熟悉此項技術者來說是顯而易見的。

例如，在上述之第二實施例之修改版本中，可省略溫度改變部件9，俾使僅使用第二溫度改變部件13來改變晶圓之溫度。

在上述之第一或第二實施例中，溫度改變部件9及第二溫度改變部件13其中一者或兩者為根據本發明之用於改變晶圓溫度之裝置。

圖3係根據本發明第三實施例之用於改變晶圓溫度之裝置23之範例。例如，本實施例之裝置23可使用做為上述實施例1及2中、或者其它半導體晶圓質量計量設備中之溫度改變部件9。

裝置23係用於被動地冷卻晶圓。換言之，裝置23不包括任何供電的冷卻手段∕裝置，例如珀耳帖裝置。

裝置23包括板體或塊體24。板體或塊體24由具有高熱質量及高導熱性之材料所製成或包括其。板體或塊體24可由金屬（例如，鋁）所製成或包括其。

如圖3所示，板體或塊體24具有表面25，當晶圓被放置在板體或塊體24之表面25上時，表面25係用以支撐晶圓。表面25為板體或塊體24之上表面，因此為裝置23之上表面。

表面25係用以接觸晶圓以支撐晶圓，並且與晶圓交換熱或熱能以改變晶圓之溫度。換言之，表面25用於執行與晶圓之熱傳遞以改變晶圓溫度。

表面25可被稱為板體或塊體24或裝置23之熱傳遞表面。

裝置23可用於改變具有預定直徑（例如，200 mm、300 mm或450 mm）之晶圓之溫度。因此，表面25可用以支撐具有預定直徑之晶圓。

如圖3所示，板體或塊體24包括切口27，當末端執行器29用於從下方支撐晶圓、同時使晶圓下降至表面25上時，切口27係用以容納機械臂之末端執行器29。

切口27係形成在熱傳遞板23之板體或塊體24之頂表面，例如表面25，俾使當末端執行器29用於從下方支撐晶圓、同時使晶圓下降至表面25上時，末端執行器29可從頂表面下降到切口27中。

當末端執行器29用於使晶圓下降至表面25上時，切口27係配置（例如，定位及∕或成形及∕或按尺寸製做）以容納末端執行器29。

具體而言，切口27在板體或塊體24中係低於表面25，俾使當使晶圓下降至表面25上時，末端執行器29可下降至切口27中，從而當晶圓放置在表面25上時，末端執行器29被容納在切口27中。

具體而言，切口27位於板體或塊體24中之表面25下方。

切口27從表面25延伸至板體或塊體24中，並且為從表面25可進入及∕或開放給末端執行器29。

切口27具有開口側在裝置23之一側。

切口27亦延伸至板體或塊體24之一側，並且在板體或塊體24之該側為可進入及∕或開放給末端執行器29。

如圖3所示，表面25在切口27之二縱長側之部分上或上方延伸，俾使凹槽或溝槽28沿著切口27之二縱長側之部分而形成。

這意味著，形成在表面25中之切口27之開口之面積係小於在表面25下方之切口27之主體之面積。

即使末端執行器29之末端為末端執行器之最寬部分，凹槽或溝槽28仍允許末端執行器29經由切口27之開放側而從切口27橫向地抽出。

在表面25下方之切口27之主要部分之最小寬度係大於容納在切口27中之末端執行器29之最大寬度。這使得末端執行器29能夠從切口27橫向地抽出。

當末端執行器29容納在切口27中時，末端執行器29在表面25下方。換言之，當末端執行器29容納在切口27中時，末端執行器29在板體或塊體24中低於表面25。在這樣的配置中，末端執行器29不突出於表面25之上，並且不接觸在表面25上之晶圓。

當末端執行器29容納在切口27中時，整個末端執行器29在表面25下方、或低於表面25。

切口27係配置為使得末端執行器29可下降至切口27中。例如，切口27之外形可用以容納末端執行器29之外形。

切口27係配置為使得當使用末端執行器29將晶圓放置在表面25上時，末端執行器29之整個厚度或高度或深度（垂直於晶圓之主平面及∕或垂直於末端執行器29之主平面）可完全容納在切口中，俾使晶圓完全由表面25所支撐並且不再與末端執行器29接觸。換言之，切口27係配置為使得當晶圓被放置在表面25上時，末端執行器之厚度或高度或深度可完全被容納或包含或儲藏在表面25下方之切口27中。

此可藉由切口27從表面25延伸至裝置23中之距離大於末端執行器29之厚度而達成（該厚度係垂直於末端執行器29之主面及∕或垂直於晶圓之主平面）。

切口27係配置（例如，成形及∕或定位）使得一旦末端執行器29已經被容納在切口27中，則末端執行器29可從裝置23橫向地抽出，同時晶圓由表面25所支撐。

這樣的末端執行器29之一範例係繪示在圖4中。如圖4所示，末端執行器29包括二分支或分叉31，用以接觸晶圓之底側以從下方支撐晶圓之重量。因此，晶圓可由末端執行器29承載。

末端執行器29之在二分支或分叉31對面之端部33係配置為附接至機械臂，俾使末端執行器29可被機械臂移動以移動晶圓。

如圖4所示，末端執行器29之末端係比末端執行器29之近端寬。

當然，可使用不同的末端執行器，以代替圖4中所繪示之末端執行器29。例如，分支或分叉之數量可能不同於圖4中所繪示之，例如一或更多分支或分叉。

裝置23可更包括或設置有真空夾具，用於將晶圓夾持至裝置23。例如，裝置23可包括凹槽或通道35在表面25中，空氣可以從凹槽或通道35被抽吸，例如藉由一或更多泵，以便在裝置23及∕或裝置23之表面35與晶圓之間產生低壓，以便將晶圓夾持至表面25。

裝置23可更包括連接至凹槽或通道35之通路，空氣可透過通路而從凹槽或通道35中被抽吸，例如藉由泵，以便在凹槽或通道35中產生低壓。

凹槽或通道35是拱形的、或環形的、或形狀像環之一段。

如圖3所示，表面25包括位於凹槽或通道35徑向外側之另外的凹槽或通道36。

另外的凹槽或通道36是拱形的、或環形的。另外的凹槽或通道36與凹槽或通道35為同心，並且具有更大的直徑。

另外的凹槽或通道36係用以容納可能形成在晶圓周緣附近之晶圓表面上之突出邊緣珠。這樣的邊緣珠可能在晶圓處理期間透過沉積而形成在晶圓邊緣周圍之晶圓表面上。在沒有另外的凹槽或通道36之情況下，此邊緣珠可能妨礙在表面25與晶圓表面之間形成良好的接觸。

另外的凹槽或通道36之半徑可略小於容納於裝置23之晶圓之半徑。例如，另外的凹槽或通道36之半徑可比容納於裝置23之晶圓小1 mm到8 mm。

例如，裝置可用以容納直徑為300 mm之晶圓，因此半徑為150 mm。另外的凹槽或通道36可因此具有在142 mm至149 mm範圍內之半徑，較佳為在144 mm至148 mm範圍內。

或者，當在邊緣珠之預期位置在表面25上徑向朝外移動時，可具有階部在表面25中朝下，以代替另外的凹槽或通道36。換言之，表面25之徑向外部可相對於表面25之徑向內部而縮進或凹陷，俾使在表面25之徑向內部與徑向外部之間具有階部朝下。

朝下階部可為拱形的或環形的。

關於另外的凹槽或通道36，朝下階部之半徑可略小於容納於裝置23之晶圓之半徑。例如，另外的凹槽或通道之半徑可比容納於裝置23之晶圓小1 mm到8 mm。

當使用在半導體晶圓質量計量設備中時，例如在圖1及2中所示，裝置23可設置在秤重室7之外表面上、或與秤重室7之外表面為一體成形、或安裝在秤重室7之外表面上、或附接至秤重室7之外表面。例如，裝置23可附接或固定或栓緊至秤重室7之外表面，例如使用具有高導熱性之螺栓。

具體而言，板體或塊體24可設置在秤重室7之外表面上、或與秤重室7之外表面為一體成形、或安裝在秤重室7之外表面上、或附接至秤重室7之外表面。

在這樣的配置中，裝置23可與秤重室7實質上處於熱平衡，俾使裝置23具有與秤重室7實質上相同的溫度。

板體或塊體24可為熱板、熱傳遞板或熱化板。

在其它實施例中，裝置23可包括附接至板體或塊體24或安裝在板體或塊體24上之一或更多熱電模組（例如，珀耳帖裝置），用以改變表面之溫度。換言之，在其它實施例中，該裝置可為主動式冷卻裝置。這樣的主動式冷卻裝置可使用做為例如上述實施例2中、或用於其它半導體晶圓質量計量設備中之第二溫度改變部件。

圖5至7顯示根據本發明第四實施例之用於改變晶圓溫度之裝置37。

裝置37包括底板39以及頂板41，頂板41係藉由例如一或更多螺栓或螺釘而附接至底板39。

圖6顯示出移除了頂板41之裝置37。如圖6所示，裝置37包括在頂板41與底板39之間之熱界面材料43，以改善在頂板41與底板39之間之熱傳遞。當然，在其它實施例中，可省略熱界面材料43。

圖7顯示出移除了頂板41及熱界面材料43兩者之裝置37。如圖7所示，在此實施例中，熱界面材料43係容納在底板39之頂表面中之凹陷中。然而，在其它實施例中，可省略這樣的凹陷，且熱界面材料可位於沒有這樣的凹陷之底板39之頂表面上，並且在底板39之頂表面之上延伸。

頂板41包括表面45，表面45係用以當晶圓被放置在裝置37上之表面45上時支撐晶圓。表面45係裝置37之上表面。

如圖5所示，例如，裝置37可包括一或更多凸塊或突起42，其抬升於表面45之上並且位於表面45之周緣或外邊緣周圍。凸塊或突起42可限制晶圓在表面45上之橫向移動，例如當對晶圓施加真空夾持或鬆開真空夾持時。具體而言，如果晶圓橫向移位而離開表面45上之中心位置，則凸塊或突起42可用以與晶圓之徑向外邊緣接觸，以便限制晶圓之橫向移動。

如圖6所示，例如，凸塊或突起42係設置在穿過頂板41中之貫孔之柱體或桿體之頂部處。因此，凸塊或突起42可被稱為，例如，凸塊柱。

柱體或桿體係連接至或附接至底板39。

在此實施例中，具有以正方形配置之四個凸塊或突起42。當然，在其它實施例中，可具有不同數量之凸塊或突起，例如三或更多。

表面45係用以接觸晶圓，以支撐晶圓並且與晶圓交換熱能以改變晶圓之溫度。換言之，表面45係用於與晶圓進行熱傳遞以改變晶圓之溫度。

表面45可稱為裝置37之熱傳遞表面。

在可相容的情況下，表面45可具有上述之表面25之任一特徵。

裝置37可包括凹槽或通道46在表面45中，空氣可以從凹槽或通道46被抽吸，例如藉由一或更多泵，以便在頂板41及∕或頂板41之表面35與晶圓之間產生低壓，以將晶圓夾持至表面45。

裝置37可更包括連接至凹槽或通道46之通路，空氣可透過該通路而從凹槽或通道46被抽吸，例如藉由泵，以在凹槽或通道46中產生低壓。

在此實施例中，凹槽或通道46是雙凹槽或通道，包括徑向內側凹槽或凹槽部分46a及徑向外側凹槽或凹槽部分46b。如上所述，徑向內側及徑向外側凹槽部分46a及46b允許成功地真空夾持大範圍之彎曲或弓形晶圓。

徑向內側及徑向外側凹槽部分46a及46b皆為拱形的並且連接在一起以形成環路或連續路徑。

如圖5所示，表面45包括位於凹槽或通道46之徑向外側之另外的凹槽或通道50。

另外的凹槽或通道50可對應於圖3中之另外的凹槽或通道36，並且可具有上述之另外的凹槽或通道36之任一特徵。此外，另外的凹槽或通道50亦可被替換為以上所述之用於另外的凹槽或通道36之朝下階部，並且可具有以上所述之朝下階部之任一特徵。

凸塊或突起42係與另外的凹槽或通道50相鄰，且在另外的凹槽或通道50之徑向外側。

如圖5至7所示，切口47係形成在底板39中。

當末端執行器29用於從下方支撐晶圓、同時使晶圓下降至表面45上時，切口47係配置（例如，成形及∕或按尺寸製做及∕或定位）以容納機械臂之末端執行器29。

切口47係形成在底板39之頂表面中，俾使當末端執行器29用於從下方支撐晶圓、同時使晶圓下降至表面45上時，末端執行器29可從頂表面下降至切口47中。

切口47為從上方可進入或開放給末端執行器29。

頂板41包括間隙或開口49在底板39中之切口47上方，俾使末端執行器29可通過間隙或開口49而進入切口47。

切口47之位置在裝置37中係低於表面45，俾使當使晶圓下降至表面45上時，末端執行器29可下降至切口47中，俾使末端執行器29係容納在切口中47。

切口47係延伸至裝置37之邊緣。切口47在裝置37之邊緣處是開放或可進入的。

切口47在裝置37之一側具有開放側。

當末端執行器29係容納在切口47中時，末端執行器29係低於表面45。換言之，當末端執行器29係容納在切口47中時，末端執行器29在裝置37中係低於表面45。

當末端執行器29係容納在切口47中時，整個末端執行器29係在表面45下方。

切口47之深度係大於末端執行器29之深度。

切口47係配置為使得末端執行器29能夠下降至切口47中。具體而言，切口47之外形用以容納末端執行器29之外形。

切口47係配置為使得當末端執行器29用於將晶圓放置在表面45上時，末端執行器29之深度或厚度或高度可完全容納在切口47中，使得晶圓完全由表面45所支撐並且不再與末端執行器29接觸。換言之，切口47係配置為使得當晶圓係放置在表面45上時，末端執行器29之深度或厚度或高度可完全容納、或包含或貯存在表面45下方之切口47中。

這可藉由使切口47延伸至底板39中之距離大於末端執行器29之厚度來實現（厚度係垂直於末端執行器29之主面）。

切口47係配置（例如，成形及∕或定位）為使得一旦末端執行器29已經被容納在切口47中，則末端執行器29可從裝置37橫向地抽出，同時晶圓由表面45所支撐。

如圖5所示，頂板41在底板39中之切口47之二縱長側之部分上或上方延伸，俾使凹槽或溝槽48沿著切口47之二縱長側之部分而形成。

此意味著，形成在頂板41中之間隙或開口49之面積係小於在底板39中之切口47之面積。

即使末端執行器29之末端是末端執行器29之最寬部分，凹槽或溝槽48仍允許末端執行器29經由切口47之開放側而從切口47橫向地抽出。

切口47之最小寬度係大於容納在切口47中之末端執行器29之最大寬度。這使得末端執行器29能夠從切口47橫向地抽出。

裝置37可用於被動地冷卻晶圓。

底板39可由與頂板41不同的材料所製成。

底板39比頂板41厚。

底板39可具有比頂板41更大的熱質量。

例如，裝置37可使用做為在第一或第二實施例中之溫度改變部件9。

圖8至12顯示根據本發明第四實施例之用於改變晶圓溫度之裝置51。

如圖8至12所示，裝置51包括底板53及頂板55，頂板55係藉由，例如，一或更多螺栓或螺釘而附接至底板53。

圖9顯示出移除了頂板55之裝置51。如圖9所示，裝置51包括在頂板55與底板53之間之熱界面材料57，以改善在頂板55與底板53之間之熱傳遞。當然，在其它實施例中，可省略熱界面材料57。

圖10顯示出移除了頂板55及熱界面材料57兩者之裝置51。如圖10所示，在此實施例中，熱界面材料57係容納在底板53之頂表面中之凹陷中。然而，在其它實施例中，可省略這樣的凹陷，且熱界面材料可位於沒有這樣的凹陷之底板53之頂表面上，並且在底板53之頂表面上方延伸。

頂板55包括表面59，表面59係用以當晶圓放置在裝置51上之表面59上時支撐晶圓。表面59係裝置51之上表面。

表面59係用以接觸晶圓，以支撐晶圓並且與晶圓交換熱能以改變晶圓之溫度。換言之，表面59用於與晶圓進行熱傳遞以改變晶圓之溫度。

表面59可稱為裝置51之熱傳遞表面。

在可相容的情況下，表面59可具有上述之表面25或表面45之任一特徵。

如圖8至11所示，切口61係形成在底板53中。

當末端執行器29用於從下方支撐晶圓、同時使晶圓下降至表面59上時，切口61係配置（例如，成形及∕或按尺寸製做及∕或定位）以容納機械臂之末端執行器29。

切口61係形成在底板53之頂表面中，俾使當末端執行器29用於從下方支撐晶圓、同時使晶圓下降至表面59上時，末端執行器29可從頂表面下降至切口61中。

頂板55包括間隙或開口63在底板53中之切口61上方，俾使末端執行器29可通過間隙或開口63而進入切口61。

切口61在裝置51中之位置係低於表面59，俾使當晶圓下降至表面59上時，末端執行器29可下降至切口61中，俾使末端執行器29被容納在切口中61。

切口61係延伸至裝置51之邊緣。

切口61在裝置51之邊緣處是開放及∕或可進入的。

當末端執行器29係容納在切口61中時，末端執行器29係低於表面59。換言之，當末端執行器29係容納在切口61中時，末端執行器29在裝置51中係低於表面59。

當末端執行器29係容納在切口61中時，整個末端執行器29係在表面59下方。

切口61之深度係大於末端執行器29之深度。

切口61係配置為使得末端執行器29可下降至切口61中。具體而言，切口61之外形用以容納末端執行器29之外形。

切口61係配置為使得當末端執行器29用於將晶圓放置在表面59上時，末端執行器29之深度或厚度或高度可完全容納在切口61中，俾使晶圓完全由表面59所支撐並且不再與末端執行器29接觸。換言之，切口61係配置為使得當晶圓係放置在表面59上時，末端執行器29之深度或厚度或高度可完全容納、或包含或貯存在表面59下方之切口61中。

這可藉由切口61延伸至底板53中之距離大於末端執行器29之厚度而達成（該厚度係垂直於末端執行器29之主面）。

切口61係配置（例如，成形及∕或定位）為使得一旦末端執行器29已經被容納在切口61中，則末端執行器29可從裝置51橫向地抽出，同時晶圓由表面59所支撐。

如圖8所示，頂板55在底板53中之切口61之二縱長側之部分上或上方延伸，俾使凹槽或溝槽58沿著切口61之二縱長側之部分而形成。

此意味著，形成在頂板55中之間隙或開口63之面積係小於底板53中之切口61之面積。

即使末端執行器29之末端是末端執行器29之最寬部分，凹槽或溝槽58仍允許末端執行器29經由切口61之開放側而從切口61橫向地抽出。

切口61之最小寬度係大於容納在切口61中之末端執行器29之最大寬度。這使得末端執行器29能夠從切口61橫向地抽出。

圖11顯示出裝置51，其中移除了圍繞底板53之框架部分65。如圖11所示，熱隔斷67位於底板53之外邊緣與裝置51之外殼69之間。熱隔斷67改善了底板53與外殼69之熱隔離，此意味著外殼69之溫度受到底板53之溫度之影響可較小。

熱隔斷67可包括絕熱材料。額外地或替代地，熱隔斷67可包括空氣間隙。

熱隔斷67可圍繞底板53之周緣或邊緣之至少一部分而延伸。

圖12顯示出移除了底板53之裝置51。如圖12所示，複數熱電模組71（例如，珀耳帖裝置）係位於裝置51中之底板53下方。當底板53位在裝置51中時，熱電模組71與底板53接觸、及∕或連接至底板53。

可操作熱電模組71以主動地冷卻底板53，且因此而間接地冷卻頂板55。

散熱器73係附接至熱電模組71之底表面，用於使來自熱電模組71之熱消散。

此外，提供風扇75以用於在熱電模組71及∕或散熱器73上方或周圍產生空氣流，以便使來自熱電模組71及∕或散熱器73之熱消散。

因此，裝置51係用於主動地冷卻晶圓。

底板53可由與頂板55不同的材料所製成。

底板53比頂板55厚。

底板53可具有比頂板55更大的熱質量。

例如，裝置51可使用做為在第一或第二實施例中之第二溫度改變部件13。

在以上說明、或以下申請專利範圍、或附圖中所揭示之、以其具體形式或根據用於執行所揭示的功能之手段、或用於獲得所揭示的結果之方法或程序所表達之該等特徵，視情況而定，可單獨地或以這類特徵之任何組合而用於以各種形式來實現本發明。

儘管已經結合上述之示例性實施例來描述本發明，但當給與本揭露內容時，對於熟悉此項技藝者來說，許多等效的修改及變化是明顯的。據此，以上所提出之本發明之示例性實施例係被視為說明性的而非限制性的。在不脫離本發明之精神及範圍之情況下，可對所述實施例進行各種改變。

為避免任何疑義，本文中所提供之任何理論性說明係為了提升讀者之理解。本案發明人不希望受到任何這些理論性說明之束縛。

本文中所使用之任何章節標題僅係用於組織之目的，而不應被解釋為所述主題之限制。

除非上下文另有要求，否則在本案說明書（包括以下的申請專利範圍）之全文中，用語「包含（comprise）」及「包括（include）」、以及例如「包含（comprises）」、「含有（comprising）」、及「包括（including）」等變化型將被理解為暗指包含所述的整數或步驟或是整數或步驟之群組，但不排除任何其它的整數或步驟或是整數或步驟之群組。

應當注意，除非上下文另有明確指示，否則在說明書及所附申請專利範圍中所使用之單數形式「一（a）」、「一（an）」、及「該（the）」包括複數之指稱。在本文中可能將範圍表示為從「約」一特定值、及∕或至「約」另一特定值。當表示這樣的範圍時，另一實施例包括從該一特定值及∕或至該另一特定值。類似地，當值係表示為近似值時，藉由使用先行詞「約」，將理解該特定值乃形成另一實施例。與數值有關之術語「約」係可選的，並且意味著例如+/- 10%。

1:半導體晶圓質量計量設備 3:秤重裝置 5:秤重盤 7:秤重室 9:溫度改變部件 11:半導體晶圓質量計量設備 13:第二溫度改變部件 15:珀耳帖裝置 17:散熱器 19:空氣流 21:區域 23:裝置 24:板體或塊體 25:表面 27:切口 28:凹槽或溝槽 29:末端執行器 31:分支或分叉 33:端部 35:凹槽或通道 36:凹槽或通道 37:裝置 39:底板 41:頂板 42:凸塊或突起 43:熱界面材料 45:表面 46:凹槽或通道 46a:徑向內側凹槽或凹槽部分 46b:徑向外側凹槽或凹槽部分 47:切口 48:凹槽或溝槽 49:間隙或開口 50:凹槽或通道 51:裝置 53:底板 55:頂板 57:熱界面材料 58:凹槽或溝槽 59:表面 61:切口 63:間隙或開口 65:框架部分 67:熱隔斷 69:外殼 71:熱電模組 73:散熱器 75:風扇

僅以範例之方式，現在將參考隨附圖式而討論本發明之實施例，其中：

圖1顯示根據本發明之第一實施例之半導體晶圓質量計量設備；

圖2顯示根據本發明之第二實施例之半導體晶圓質量計量設備；

圖3顯示根據本發明之第三實施例之用以改變晶圓溫度之裝置；

圖4顯示可使用在本發明之實施例中之末端執行器；

圖5顯示根據本發明之第四實施例之用以改變晶圓溫度之裝置；

圖6顯示根據本發明之第四實施例之用以改變晶圓溫度之裝置之一部分；

圖7顯示根據本發明之第四實施例之用以改變晶圓溫度之裝置之一部分；

圖8顯示根據本發明之第五實施例之用以改變晶圓溫度之裝置；

圖9顯示根據本發明之第五實施例之用以改變晶圓溫度之裝置之一部分；

圖10顯示根據本發明之第五實施例之用以改變晶圓溫度之裝置之一部分；

圖11顯示根據本發明之第五實施例之用以改變晶圓溫度之裝置之一部分；及

圖12顯示根據本發明之第五實施例之用以改變晶圓溫度之裝置之一部分。

23:裝置

24:板體或塊體

25:表面

27:切口

28:凹槽或溝槽

35:凹槽或通道

36:凹槽或通道

Claims (39)

1. 一種用於改變晶圓之溫度之裝置，包括： 一表面，用以支撐該晶圓並且與該晶圓交換熱，及 一空間，用以容納一末端執行器之至少一末端部分，當該末端執行器用於使該晶圓下降至該表面上時，該末端部分係用以從下方支撐該晶圓。
2. 如請求項1之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該表面係在該空間之部分上方延伸。
3. 如請求項2之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中一凹槽或通道係形成在該表面在該空間之該部分上方延伸處。
4. 如請求項2或3之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該表面係在該空間之一縱長側之部分上方延伸。
5. 如請求項4之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該表面係在該空間之二縱長側之部分上方延伸。
6. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該空間之一最小外寬度係大於該末端執行器之該至少一末端部分之一最大外寬度。
7. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該末端執行器之該至少一末端部分之一較遠端部分具有比該末端執行器之該至少一末端部分之一較近端部分更大的寬度。
8. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該空間係一切口或一凹陷。
9. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該空間係用以藉由使該末端執行器之至少該末端部分下降至該空間中而容納該末端執行器之至少該末端部分。
10. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中當該末端執行器之至少該末端部分係容納在該空間中時，該末端執行器之至少該末端部分係在該表面下方。
11. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該空間係從該表面延伸至該裝置中。
12. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置係用於被動地冷卻該晶圓。
13. 如請求項1至11任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置係用於主動地冷卻該晶圓。
14. 如請求項13之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括一或更多熱電模組。
15. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括一板體或一塊體。
16. 如請求項15之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該板體或該塊體包括該空間。
17. 如請求項15或16之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該板體或該塊體包括該表面。
18. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括一熱板、一熱傳遞板或一熱化板。
19. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括一真空夾具以將該晶圓真空夾持至該裝置。
20. 如先前請求項任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括一底板及一頂板，該頂板係附接至該底板。
21. 如請求項20之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該底板包括該空間。
22. 如請求項20或21之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該頂板包括該表面。
23. 如請求項20至22任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該頂板係比該底板更薄。
24. 如請求項20至23任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該頂板包括與該底板不同的材料。
25. 如請求項20至24任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該底板具有比該頂板更大的熱質量。
26. 如請求項20至25任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括在該底板與該頂板之間之熱界面材料。
27. 如請求項20至26任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括在該底板與該裝置之另一部分之間之一熱隔斷。
28. 一種用於改變晶圓之溫度之裝置，該裝置包括一底板及一頂板，該頂板係附接至該底板，其中該頂板包括一表面，該表面係用以支撐該晶圓並且與該晶圓交換熱。
29. 如請求項28之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該頂板係比該底板更薄。
30. 如請求項28或29之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該頂板包括與該底板不同的材料。
31. 如請求項28至30任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該底板具有比該頂板更大的熱質量。
32. 如請求項28至31任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括在該底板與該頂板之間之熱界面材料。
33. 如請求項28至32任一者之用於改變晶圓之溫度之裝置，其中該裝置包括在該底板與該裝置之另一部分之間之一熱隔斷。
34. 一種晶圓質量計量設備，包括： 如請求項1至33其中任一項之用於改變晶圓之溫度之裝置； 一測量腔室；及 一秤重裝置，位在該測量腔室內。
35. 如請求項34之晶圓質量計量設備，其中該裝置係熱耦接至該測量腔室。
36. 如請求項34或35之晶圓質量計量設備，其中該裝置係安裝在該測量腔室上。
37. 如請求項34至36任一者之晶圓質量計量設備，其中該設備更包括一機械臂，該機械臂具有用以傳送該晶圓之一末端執行器。
38. 如請求項34至36任一者之晶圓質量計量設備，其中該設備包括： 一第一機械臂，具有一第一末端執行器；及 一第二機械臂，具有一第二末端執行器， 其中該設備係配置為使用該第一末端執行器以使該晶圓下降至該裝置之該表面上，及 其中該設備係配置為使用該第二末端執行器以從該裝置之該表面拾起該晶圓。
39. 如請求項34至36任一者之晶圓質量計量設備，其中該設備包括： 一機械臂，具有一第一末端執行器及一第二末端執行器， 其中該設備係配置為使用該第一末端執行器以使該晶圓下降至該裝置之該表面上，及 其中該設備係配置為使用該第二末端執行器以從該裝置之該表面拾起該晶圓。

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