TW202314823A - 暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202314823A
TW202314823A TW111132876A TW111132876A TW202314823A TW 202314823 A TW202314823 A TW 202314823A TW 111132876 A TW111132876 A TW 111132876A TW 111132876 A TW111132876 A TW 111132876A TW 202314823 A TW202314823 A TW 202314823A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temporary fixing
film
curable resin
temporary
light
Prior art date
Application number
TW111132876A
Other languages
English (en)
Inventor
赤須雄太
宮澤笑
榎本哲也
Original Assignee
日商昭和電工材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商昭和電工材料股份有限公司 filed Critical 日商昭和電工材料股份有限公司
Publication of TW202314823A publication Critical patent/TW202314823A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J153/00—Adhesives based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明揭示一種用於暫時固定半導體構件和支撐構件之暫時固定用膜。該暫時固定用膜含有碳黑和固化性樹脂成分。固化性樹脂成分包含熱固性樹脂及熱塑性樹脂。熱塑性樹脂為烴樹脂。在該暫時固定用膜中，碳黑的含量滿足下述條件（i）及條件（ii）中的至少一個條件。 條件（i）：相對於固化性樹脂成分的總量100質量份為0.1～25質量份。 條件（ii）：以暫時固定用膜的總體積為基準為0.1～10體積%。

Description

暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法
本揭示有關一種暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法。
半導體裝置有時藉由如下方法來製造，亦即，在暫時固定於支撐構件之狀態下加工半導體構件，然後從支撐構件分離半導體構件之方法。例如，專利文獻1中揭示了如下方法：將半導體構件經由暫時固定材料層暫時固定於支撐構件上，加工處理後藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離。
[專利文獻1]國際公開第2020/111193號
從加工處理的觀點考慮，半導體構件需要經由暫時固定材料層與支撐構件牢固地固定。然而，在利用包括藉由光照射將半導體構件從暫時固定材料層分離之方法製造半導體裝置之情況下，若提高用於暫時固定暫時固定材料層的半導體構件和支撐構件之黏合性，則在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時，存在即使施加外力亦無法分離之情況。因此，對於暫時固定材料層，還要求在將半導體構件從支撐構件分離時藉由光照射產生之分離性亦優異。
因此，本揭示的主要目的為提供一種暫時固定用膜，在利用包括藉由光照射將半導體構件從暫時固定材料層分離之方法製造半導體裝置之情況下，能夠形成半導體構件與支撐構件的黏合性優異，並且在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性亦優異之暫時固定材料層。
本揭示的一側面係關於一種暫時固定用膜。該暫時固定用膜係用於暫時固定半導體構件和支撐構件者。該暫時固定用膜含有碳黑和固化性樹脂成分。固化性樹脂成分包含熱固性樹脂及熱塑性樹脂。熱塑性樹脂為烴樹脂。在該暫時固定用膜中，碳黑的含量滿足下述條件（i）及條件（ii）中的至少一個條件。 條件（i）：相對於固化性樹脂成分的總量100質量份為0.1～25質量份。 條件（ii）：以暫時固定用膜的總體積為基準為0.1～10體積%。
藉由滿足碳黑的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份為0.1質量份以上之條件及以暫時固定用膜的總體積為基準為0.1體積%以上之條件中的至少一個，所獲得之暫時固定用膜在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性趨於優異。另一方面，藉由滿足碳黑的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份為25質量份以下之條件及以暫時固定用膜的總體積為基準為10體積%以下之條件中的至少一個，所獲得之暫時固定用膜與支撐構件和半導體構件的黏合性趨於優異。
依據該等暫時固定用膜，在利用包括藉由光照射將半導體構件從暫時固定材料層分離之方法製造半導體裝置之情況下，能夠形成支撐構件與半導體構件的黏合性優異，並且在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性亦優異之暫時固定材料層。
在暫時固定用膜中，波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率可以為30%以下。
暫時固定用膜的厚度可以超過5μm。
本揭示的一方面係有關一種暫時固定用積層體。該暫時固定用積層體的一態樣具備支撐構件及設置於支撐構件上且由上述暫時固定用膜形成之暫時固定材料層。
該暫時固定用積層體的其他態樣依序具備支撐構件、由第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層及由上述暫時固定用膜組成之暫時固定材料層。該暫時固定用積層體的其他態樣可以進一步具備設置於暫時固定材料層上的與第1固化性樹脂層相反的一側之、由第2固化性樹脂膜形成之第2固化性樹脂層。在第1固化性樹脂膜中，波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率可以為80%以上。
本揭示的一方面係有關一種半導體裝置的製造方法。該半導體裝置的製造方法具備：準備上述所記載之暫時固定用積層體之步驟；將半導體構件經由暫時固定材料層暫時固定於支撐構件上之步驟；對暫時固定於支撐構件上之半導體構件進行加工之步驟；對暫時固定用積層體的暫時固定材料層從支撐構件側照射光，從支撐構件分離半導體構件之步驟。
對暫時固定用積層體從支撐構件側照射之光可以為至少包含紅外光之光。又，對暫時固定用積層體從支撐構件側照射之光可以為非相干光。
本揭示提供一種[1]至[3]所述之暫時固定用膜、[4]至[7]所述之暫時固定用積層體及[8]至[10]所述之半導體裝置的製造方法。 [1]一種暫時固定用膜，其用於暫時固定半導體構件和支撐構件，前述暫時固定用膜含有碳黑及固化性樹脂成分，前述固化性樹脂成分包含熱固性樹脂及熱塑性樹脂，前述熱塑性樹脂為烴樹脂，前述碳黑的含量滿足下述條件（i）及條件（ii）中的至少一個條件。 條件（i）：相對於前述固化性樹脂成分的總量100質量份為0.1～25質量份。 條件（ii）：以前述暫時固定用膜的總體積為基準為0.1～10體積%。 [2]如[1]所述之暫時固定用膜，其中 波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率為30%以下。 [3]如[1]或[2]所述之暫時固定用膜，其厚度超過5μm。 [4]一種暫時固定用積層體，其具備支撐構件、設置於前述支撐構件上且由[1]至[3]之任一項所述之暫時固定用膜形成之暫時固定材料層。 [5]一種暫時固定用積層體，其依序具備支撐構件、由第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層及由[1]至[3]之任一項所述之暫時固定用膜組成之暫時固定材料層。 [6]如[5]所述之暫時固定用積層體，其進一步具備設置於前述暫時固定材料層上的與前述第1固化性樹脂層相反的一側之、由第2固化性樹脂膜形成之第2固化性樹脂層。 [7]如[5]或[6]所述之暫時固定用積層體，其中在前述第1固化性樹脂膜中，波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率為80%以上。 [8]一種半導體裝置的製造方法，其具備：準備[4]至[7]之任一項所述之暫時固定用積層體之步驟；將半導體構件經由前述暫時固定材料層暫時固定於前述支撐構件上之步驟；對暫時固定於前述支撐構件上之前述半導體構件進行加工之步驟；及對前述暫時固定用積層體的前述暫時固定材料層從前述支撐構件側照射光，從前述支撐構件分離前述半導體構件之步驟。 [9]如[8]所述之半導體裝置的製造方法，其中前述光為至少包含紅外光之光。 [10]如[8]或[9]所述之半導體裝置的製造方法，其中前述光為非相干光。 [發明效果]
依據本揭示，提供一種暫時固定用膜，在利用包括藉由光照射將半導體構件從暫時固定材料層分離之方法製造半導體裝置之情況下，能夠形成支撐構件與半導體構件的黏合性優異，並且在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性亦優異之暫時固定材料層。又，依據本揭示，可提供一種使用這種暫時固定用膜之暫時固定用積層體及半導體裝置之製造方法。
以下，適當參閱圖式並對本揭示的實施形態進行說明。但是，本揭示並不限定於以下實施形態。在以下實施形態中，除非另有指示，則其構成要件（亦包括步驟等）不是必須的。各圖中之構成要件的大小係概念性的，構成要件之間的大小的相對關係並不限定於各圖所示者。
對本說明書中之數值及其範圍亦相同，並不限制本揭示。在本說明書中，使用「～」所表示之數值範圍表示包含「～」前後中所記載之數值分別作為最小值及最大值之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍中，一個數值範圍中所記載之上限值或下限值可以替換為其他階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。又，在本說明書中所記載之數值範圍中，其數值範圍的上限值或下限值可以替換為實施例所示之值。
在本說明書中，（甲基）丙烯酸表示丙烯酸或與其對應之甲基丙烯酸。對（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯醯基等其他類似表述亦相同。
又，以下例示之材料只要沒有特別說明，則可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。關於組成物中的各成分的含量，組成物中存在複數種相當於各成分之物質之情況下，只要沒有特別說明，則係指存在於組成物中之該複數種物質之合計量。
[暫時固定用膜] 圖1係表示暫時固定用膜的一實施形態之示意剖視圖。圖1所示之暫時固定用膜10為用於暫時固定半導體構件和支撐構件者。更具體而言，在半導體裝置的製造中，暫時固定用膜10用於形成在對半導體構件進行加工期間用於將半導體構件暫時固定於支撐構件上的層（暫時固定材料層）。暫時固定用膜10含有碳黑（以下，有時稱為「（A）成分」。）及固化性樹脂成分（以下，有時稱為「（B）成分」。）。
（A）成分：碳黑 （A）成分可以為藉由吸收光而產生熱量之成分。在此，成為吸收的對象之光可以為包含紅外光（近紅外光）、可見光、或紫外光中的任一個之光，亦可以為包含紅外光（近紅外光）或可見光中的任一個之光，亦可以為至少包含紅外光之光。
作為（A）成分，例如可以舉出乙炔黑、科琴黑、熱碳黑、槽黑、爐黑等。由於（A）成分容易吸收光而產生熱量，因此可以為具有導電性之導電性碳黑，例如可以為乙炔黑。
（A）成分的平均一次粒徑例如可以為10～100nm。若（A）成分的平均一次粒徑為10nm以上，則（A）成分在固化性樹脂成分中的分散性趨於良好。若（A）成分的平均一次粒徑為100nm以下，所獲得之暫時固定用膜的平坦性變得良好，支撐構件與半導體構件的黏合性趨於提高。（A）成分的平均一次粒徑可以為20nm以上或30nm以上，亦可以為80nm以下或60nm以下。另外，（A）成分的平均一次粒徑能夠藉由從電子顯微鏡圖像測定一次粒子50個的長徑並測定其算數平均來求出。
（A）成分的含量滿足下述條件（i）及條件（ii）中的至少一個條件。（A）成分的含量可以滿足條件（i）及條件（ii）這兩者。 條件（i）：相對於（B）成分的總量100質量份為0.1～25質量份。 條件（ii）：以暫時固定用膜的總體積為基準為0.1～10體積%。
關於條件（ii）中的（A）成分的含量（體積%），例如，在將暫時固定用膜的密度設為x（g/cm 3）、將（A）成分的密度設為y（g/cm 3）、將暫時固定用膜中的（A）成分的質量比例設為z（質量%）時，能夠由下述式（I）計算。另外，暫時固定用膜中的（A）成分的質量比例例如能夠藉由使用熱重差熱分析裝置（TG-DTA）進行熱重量分析來求出。 （A）成分的含量（體積%）=（x/y）×z（I）
藉由滿足（A）成分的含量相對於（B）成分的總量100質量份為0.1質量份以上之條件及以暫時固定用膜的總體積為基準為0.1體積%以上之條件中的至少一個，所獲得之暫時固定用膜在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性趨於優異。在條件（i）中，（A）成分的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為0.3質量份以上、0.5質量份以上、0.8質量份以上、1質量份以上、3質量份以上、5質量份以上、或7質量份以上。在條件（ii）中，（A）成分的含量以暫時固定用膜的總體積為基準可以為0.2體積%以上、0.3體積%以上、0.4體積%以上、0.5體積%以上、1體積%以上、2體積%以上、或3體積%以上。
另一方面，藉由滿足（A）成分的含量相對於（B）成分的總量100質量份為25質量份以下之條件及以暫時固定用膜的總體積為基準為10體積%以下之條件中的至少一個，所獲得之暫時固定用膜與支撐構件和半導體構件的黏合性趨於優異。在條件（i）中，（A）成分的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為22質量份以下或20質量份以下。在條件（ii）中，（A）成分的含量以暫時固定用膜的總體積為基準可以為9.5體積%以下或9體積%以下。
（B）成分：固化性樹脂成分 （B）成分可以為藉由熱或光固化之成分。從黏合性觀點考慮，（B）成分包含熱塑性樹脂及熱固性樹脂。
熱塑性樹脂為具有熱塑性之樹脂或至少在未固化狀態下具有熱塑性且在加熱後形成交聯結構之樹脂。熱塑性樹脂為烴樹脂。
烴樹脂為主骨架由烴構成之樹脂。作為該種烴樹脂，例如可以舉出乙烯-丙烯共聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物彈性體、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物、丙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-非共軛二烯共聚物、乙烯-1-丁烯-非共軛二烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯-非共軛二烯共聚物、聚異戊二烯、聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SBS）、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SIS）、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEPS）等。該等烴樹脂可以實施氫化處理。又，該等烴樹脂可以藉由順丁烯二酸酐等進行羧基改質。該等中，烴樹脂可以含有包含來自於苯乙烯之單體單元之烴樹脂（苯乙烯系樹脂），亦可以包含苯乙烯･乙烯･丁烯･苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）。
熱塑性樹脂在不損害本揭示的效果之範圍內可以包含烴樹脂以外的樹脂。作為烴樹脂以外的樹脂，例如可以舉出聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醯亞胺、石油樹脂、酚醛清漆樹脂等。
熱塑性樹脂的Tg可以為-100～500℃、-50～300℃或-50～50℃。存在如下傾向：若熱塑性樹脂的Tg為500℃以下，則在形成膜狀的暫時固定材料時，容易確保柔軟性，從而能夠提高低溫黏貼性。存在如下傾向：若熱塑性樹脂的Tg為-100℃以上，則在形成膜狀的暫時固定材料時，能夠抑制由於柔軟性過高而引起之處理性及剥離性的降低。
熱塑性樹脂的Tg為藉由差示掃描量熱法（DSC）所獲得之中間點玻璃轉移溫度值。具體而言，熱塑性樹脂的Tg為在升溫速度10℃/分鐘且測定溫度-80～80℃的條件下測定熱量變化，並藉由基於JIS K 7121之方法算出之中間點玻璃轉移溫度。
熱塑性樹脂的重量平均分子量（Mw）可以為1萬～500萬或10萬～200萬。存在如下傾向：若重量平均分子量為1萬以上，則容易確保所形成之暫時固定材料層的耐熱性。存在如下傾向：若重量平均分子量為500萬以下，則在形成膜狀的暫時固定材料層或樹脂層時，容易抑制流動性的降低及黏貼性的降低。再者，重量平均分子量為利用凝膠滲透層析法（GPC）並使用了基於標準聚苯乙烯之校準曲線之聚苯乙烯換算值。
熱塑性樹脂的含量例如相對於（B）成分的總量100質量份可以為40～90質量份。熱塑性樹脂的含量例如相對於（B）成分的總量100質量份可以為50質量份以上或60質量份以上，亦可以為85質量份以下或80質量份以下。若熱塑性樹脂的含量在上述範圍內，則存在暫時固定材料層的薄膜形成性及平坦性更加優異的傾向。
熱固性樹脂係指藉由熱進行固化之樹脂，並且為不包含上述烴樹脂之概念。作為熱固性樹脂，例如可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、熱固化型聚醯亞胺樹脂、聚胺酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等。該等之中，熱固性樹脂的耐熱性、作業性及可靠性更加優異，因此可以為環氧樹脂。
環氧樹脂只要為固化而具有耐熱作用者，則並無特別限定。作為環氧樹脂，例如可以舉出雙酚A型環氧樹脂等2官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等脂環式環氧樹脂等。又，環氧樹脂例如可以為多官能環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂或含雜環的環氧樹脂。該等之中，從耐熱性及耐候性的觀點考慮，環氧樹脂可以包含脂環式環氧樹脂。
作為熱固性樹脂的環氧樹脂可以單獨使用，亦可以與環氧樹脂的固化劑併用。作為環氧樹脂的固化劑，例如可以舉出胺、聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、雙酚（雙酚A、雙酚F、雙酚S等）、雙酚樹脂（苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、酚醛芳烷基樹脂等）等。
熱固性樹脂（當併用環氧樹脂和環氧樹脂的固化劑時為環氧樹脂及環氧樹脂的固化劑的合計）的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為10～60質量份。熱固化性樹脂的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為15質量份以上或20質量份以上，亦可以為50質量份以下或40質量份以下。若熱固化性樹脂的含量在上述範圍內，則存在暫時固定材料層的薄膜形成性、平坦性、耐熱性等更加優異的倾向。
（B）成分可以進一步包含促進環氧樹脂等熱固性樹脂的固化反應之固化促進劑。作為固化促進劑，例如可以舉出咪唑衍生物、二氰二胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一碳-7-四苯基硼酸等。
固化促進劑的含量相對於熱固性樹脂及熱固性樹脂的固化劑的總量100質量份可以為0.01～5質量份。若固化促進劑的含量在這種範圍內，則存在（B）成分的固化性及固化後的耐熱性更優異之傾向。由於容易調整儲存模數，固化促進劑的含量相對於熱固性樹脂及熱固性樹脂的固化劑的總量100質量份可以為0.1質量份以上或0.3質量份以上，亦可以為3質量份以下或1質量份以下。
（B）成分可以進一步包含聚合性單體及聚合起始劑。聚合性單體只要為藉由加熱或紫外光等照射而聚合者，則並無特別限制。從材料的選擇性及容易獲得的觀點考慮，聚合性單體例如可以為乙烯性不飽和基等具有聚合性官能基之化合物。作為聚合性單體，例如可以舉出（甲基）丙烯酸酯、二氟亞乙烯、乙烯基醚、乙烯基酯、乙烯基吡啶、乙烯基醯胺、乙烯基芳基化等。該等之中，聚合性單體可以為（甲基）丙烯酸酯。（甲基）丙烯酸酯可以為單官能（1官能）、2官能或3官能以上中的任一個，但是從獲得充分的固化性的觀點考慮，亦可以為2官能以上的（甲基）丙烯酸酯。
作為單官能（甲基）丙烯酸酯，例如可以舉出（甲基）丙烯酸；（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸丁氧基乙酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛基庚酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、單（2-（甲基）丙烯醯氧基乙基）琥珀酸酯（succinate）等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸鄰聯苯酯、（甲基）丙烯酸1-萘酯、（甲基）丙烯酸2-萘酯、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸對-異丙苯基苯氧基（Cumylphenoxy）乙酯、（甲基）丙烯酸鄰苯基苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸1-萘氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（鄰苯基苯氧基）丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（1-萘氧基）丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（2-萘氧基）丙酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯等。
作為2官能（甲基）丙烯酸酯，例如可以舉出乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,3-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,9-壬二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,10-癸二醇二（甲基）丙烯酸酯、甘油二（甲基）丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化2-甲基-1,3-丙二醇二（甲基）丙烯酸酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；乙氧基化雙酚A型二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚A型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化雙酚F型二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化雙酚F型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚F型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯等。
作為3官能以上的多官能（甲基）丙烯酸酯，例如可以舉出三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；苯酚酚醛清漆型環氧（甲基）丙烯酸酯、甲酚酚醛清漆型環氧（甲基）丙烯酸酯等芳香族環氧（甲基）丙烯酸酯等。該等（甲基）丙烯酸酯可以與其他聚合性單體組合使用。
聚合性單體的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為0～50質量份。
聚合起始劑只要為藉由加熱或紫外光等照射而開始聚合者，則並無特別限制。例如，在使用具有乙烯性不飽和基之化合物作為聚合性單體之情況下，聚合起始劑可以為熱自由基聚合起始劑或光自由基聚合起始劑。
作為熱自由基聚合起始劑，例如可以舉出辛醯基過氧化物、月桂基過氧化物、十八烷基過氧化物、苯甲醯過氧化物等二醯基過氧化物；第三丁基過氧基新戊酸酯、第三己基過氧基新戊酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙（2-乙基己醇過氧化基）己烷、第三己基過氧基-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧基-2-乙基己酸酯、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化異丙基單碳酸第三己酯、第三丁基過氧基-3,5,5-三甲基己酸酯、第三丁基過氧基月桂酸酯、過氧化異丙基單碳酸第三丁酯、第三丁基過氧基-2-乙基己基碳酸酯、過氧苯甲酸第三丁酯、過氧苯甲酸第三己酯、2,5-二甲基-2,5-雙（苯甲醯過氧化）己烷、過氧乙酸第三丁酯等過氧化酯；2,2’-偶氮二異丁晴、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）、2,2’-偶氮雙（4-甲氧基-2’-二甲基戊腈）等偶氮化合物等。
作為光自由基聚合起始劑，例如可以舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮等苯偶姻縮酮；1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-（2-羥基乙氧基）苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羥基酮；雙（2,4,6-三甲基苯甲醯基）苯膦氧化物、雙（2,6-二甲氧基苯甲醯基）-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯膦氧化物等膦氧化物等。
聚合起始劑的含量相對於聚合性單體的總量100質量份可以為0.01～5質量份。
（B）成分可以為暫時固定用膜10的主成分。（B）成分的含量以暫時固定用膜的總量為基準可以為70質量%以上、80質量%以上、85質量%以上、90質量%以上、或95質量%以上。
暫時固定用膜10還可以含有絕緣性填料、增感劑、抗氧化劑等作為其他成分。
為了對樹脂層賦予低熱膨脹性、低吸濕性，可以添加絕緣性填料。作為絕緣性填料，例如可以舉出二氧化矽、氧化鋁、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、陶瓷等非金屬無機填料等。從與溶劑的分散性的觀點考慮，絕緣性填料可以為用表面處理劑對其表面進行處理之粒子。表面處理劑例如可以為矽烷偶合劑。
絕緣性填料的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為0.1～20質量份。若絕緣性填料的含量在上述範圍內，則存在能夠在不妨礙光透射的情況下進一步提高耐熱性的傾向。又，若絕緣性填料的含量在上述範圍內，則亦有可能對輕剥離性有貢獻。
作為增感劑，例如可以舉出蒽、菲、䓛、苯并芘、丙二烯合茀、紅螢烯、芘、口山口星、陰丹酮、硫雜蒽-9-酮、2-異丙基-9H-硫雜蒽-9-酮、4-異丙基-9H-硫雜蒽-9-酮、1-氯-4‐丙氧基硫雜蒽酮等。
增感劑的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為0.01～10質量份。若增感劑的含量在上述範圍內，則存在對（B）成分的特性及薄膜性的影響少的傾向。
作為抗氧化劑，例如可以舉出苯醌、氫醌等醌衍生物、4-甲氧基酚醛、4-第三丁基鄰苯二酚等酚醛衍生物（受阻酚衍生物）、2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基、4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基等胺氧基衍生物、四甲基哌啶基甲基丙烯酸酯等受阻胺衍生物等。
抗氧化劑的含量相對於（B）成分的總量100質量份可以為0.1～10質量份。若抗氧化劑的含量在上述範圍內，則存在抑制（B）成分的分解，能夠防止污染的傾向。
暫時固定用膜10的厚度例如可以為0.1μm以上、1μm以上、5μm以上、5μm超、6μm以上、8μm以上、或10μm以上、200μm以下、100μm以下、或50μm以下。
在暫時固定用膜10中，波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率可以為30%以下。該平行光線透射率可以為25%以下、20%以下、15%以下、10%以下、5%以下、或3%以下。暫時固定用膜10在波長550nm下的平行光線透射率及波長1064nm下的平行光線透射率的兩者在上述範圍內為較佳。
在本說明書中，平行光線透射率係指在與入射光線相同的正線上測定之透射率。平行光線透射率係依據JIS K7136：2000從全光線透射率減去擴散透射率而求出，例如，能夠使用分光光度測定裝置來測定。由於波長550nm下的平行光線透射率主要對應於可見光下的平行光線透射率，因此可以說其數值越小，可見光越難以透射。換言之，可以說波長550nm下的平行光線透射率的數值越小，趨於尤其（A）成分越容易吸收可見光而發熱。由於波長1064nm下的平行光線透射率主要對應於紅外光（近紅外光）下的平行光線透射率，因此可以說其數值越小，紅外光（近紅外光）越難以透射。換言之，可以說波長1064nm下的平行光線透射率的數值越小，趨於尤其（A）成分越容易吸收紅外光（近紅外光）而發熱。
依據該等暫時固定用膜10，在利用包括藉由光照射將半導體構件從暫時固定材料層分離之方法製造半導體裝置之情況下，能夠形成支撐構件與半導體構件的黏合性優異，並且在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性亦優異之暫時固定材料層。
[暫時固定用膜的製造方法] 暫時固定用膜10中，例如，首先將（A）成分、（B）成分、及視需要的其他成分在溶劑中進行攪拌混合、捏合等，使其溶解或分散，從而製備暫時固定用膜形成用組成物的清漆。然後，使用刮刀塗佈機、輥塗機、塗抹器、缺角輪塗佈機、模塗佈機等將暫時固定用膜形成用組成物的清漆塗佈於實施了脫模處理之支撐膜上之後，藉由加熱使溶劑揮發，從而能夠在支撐膜上形成由暫時固定用膜形成用組成物形成之暫時固定用膜10。暫時固定用膜10可以具備積層於與支撐膜相反的一側的面之保護膜。暫時固定用膜10的厚度能夠藉由調整暫時固定用膜形成用組成物的清漆的塗佈量來調整。
在暫時固定用膜形成用組成物的清漆的製備中所使用之溶劑只要具有可以均勻地溶解或分散各成分之特性，則並無特別限制。作為該種溶劑，例如可以舉出甲苯、二甲苯、均三甲苯、異丙苯、對異丙基甲苯等芳香族烴；己烷、庚烷等脂肪族烴；甲基環己烷等環狀烷；四氫呋喃、1,4-二㗁烷等環狀醚；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等炭酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺等。該等之中，從溶解性及沸點的觀點考慮，溶劑可以為甲苯、二甲苯、庚烷或環己酮。以清漆的總質量為基準，清漆中的固體成分濃度可以為10～80質量%。
製備暫時固定用膜形成用組成物的清漆時的攪拌混合或捏合例如能夠使用攪拌機、壓碎機、三根輥、球磨機、珠磨機、勻相分散機等來進行。
作為支撐膜，例如可以舉出聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚硫醚、聚醚碸、聚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、聚（甲基）丙烯酸酯、聚碸、液晶聚合物的膜等。該等支撐膜可以被實施脫模處理。支撐膜的厚度例如可以為1～250μm。
關於使溶劑從塗佈於支撐膜上之暫時固定用膜形成用組成物的清漆中揮發時的加熱條件，能夠依據所使用之溶劑等適當設定。加熱條件例如可以為40～120℃的加熱溫度且0.1～30分鐘的加熱時間。
保護膜可以舉出上述支撐膜中例示者。保護膜的厚度例如可以為1～250μm。
[暫時固定用積層體及其製造方法] 暫時固定用積層體只要具備支撐構件及由上述暫時固定用膜形成之暫時固定材料層，對於其結構並無特別限制。圖2（a）、圖2（b）、及圖2（c）係表示暫時固定用積層體的一實施形態之示意剖視圖。作為暫時固定用積層體的結構，例如，可以舉出圖2（a）所示之暫時固定用積層體20的結構、圖2（b）所示之暫時固定用積層體70的結構、圖2（c）所示之暫時固定用積層體80的結構等。暫時固定用積層體20具備支撐構件22及設置於支撐構件22上且由暫時固定用膜10形成之暫時固定材料層10A。在暫時固定用積層體20中，暫時固定材料層10A在與支撐構件22相反的一側具有表面S1。暫時固定用積層體70依序具備支撐構件22、由第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層12及由暫時固定用膜10組成之暫時固定材料層10A。在暫時固定用積層體70中，暫時固定材料層10A在與第1固化性樹脂層12相反的一側具有表面S2。暫時固定用積層體80進一步具備在暫時固定用積層體70中設置於暫時固定材料層10A上的與第1固化性樹脂層12相反的一側且由第2固化性樹脂膜形成之第2固化性樹脂層14。第2固化性樹脂層14在與暫時固定材料層10A相反的一側具有表面S3。又，作為該等以外的暫時固定用積層體的結構，例如，可以舉出依序具備支撐構件、由暫時固定用膜形成之暫時固定材料層及固化性樹脂層（由第1固化性樹脂膜組成之第1固化性樹脂層或由第2固化性樹脂膜組成之第2固化性樹脂層）之結構等。這樣，依據暫時固定用積層體，由於至少具備暫時固定材料層10A，因此在配置半導體構件時，半導體構件與支撐構件的黏合性優異，並且藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性亦優異。以下，主要以使用圖2（a）所示之暫時固定用積層體20之態樣為例進行詳細說明。
暫時固定用積層體20的製造方法只要可以獲得具有預定結構之暫時固定用積層體，則並無特別限制。暫時固定用積層體20例如能夠藉由包括在支撐構件22上貼附上述暫時固定用膜10之步驟之方法來獲得。又，暫時固定用積層體20例如亦能夠藉由包括如下步驟之方法來獲得：將暫時固定用膜形成用組成物的清漆塗佈於支撐構件22上，藉由加熱使溶劑揮發，從而在支撐構件22上形成暫時固定材料層10A之步驟。
支撐構件22為具有高透射率且可以承受半導體構件在加工時所接收之負載之板狀體。作為支撐構件22，例如可以舉出無機玻璃基板、透明樹脂基板等。
支撐構件22的厚度例如可以為0.1～2.0mm。存在如下傾向：若支撐構件22的厚度為0.1mm以上，則容易操作。存在如下傾向：若支撐構件22的厚度為2.0mm以下，則能夠抑制材料成本。
作為在支撐構件22上貼附上述暫時固定用膜10之方法，例如可以舉出熱壓、輥式層壓、真空層壓等方法。層壓例如能夠在0～120℃的溫度條件下進行。
暫時固定材料層10A可以為由暫時固定用膜10形成之層。從應力緩和的觀點考慮，暫時固定材料層10A的厚度例如可以為0.1μm以上、1μm以上、5μm以上、超過5μm、6μm以上、8μm以上、或10μm以上，亦可以為200μm以下、100μm以下、或50μm以下。藉由增加暫時固定材料層10A的厚度，能夠降低暫時固定材料層10A在波長550nm下的平行光線透射率及在波長1064nm下的平行光線透射率，趨於容易調整為規定範圍（例如，30%以下）。
暫時固定材料層10A的厚度能夠依據暫時固定用積層體的結構任意設定。圖2（a）所示之暫時固定用積層體20的結構及圖2（b）所示之暫時固定用積層體70的結構中的暫時固定材料層10A的厚度可以為與上述相同的範圍。另一方面，圖2（c）所示之暫時固定用積層體80的結構中的暫時固定材料層10A的厚度例如可以為0.1μm以上、1μm以上、5μm以上、超過5μm、或6μm以上，亦可以為50μm以下、30μm以下、20μm以下、或15μm以下。
暫時固定用積層體70依序具備支撐構件22、由第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層12及由暫時固定用膜10組成之暫時固定材料層10A。由於暫時固定用積層體70具備由第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層12，因此趨於對支撐構件的放熱減少，並且光照射的能量易於有效地轉換為熱量。又，由於能夠抑制暫時固定用膜等樹脂在支撐構件上燒結，因此趨於容易從支撐構件去除樹脂殘渣。暫時固定用積層體80係進一步具備在暫時固定用積層體70中設置於暫時固定材料層10A上的與第1固化性樹脂層12相反的一側且由第2固化性樹脂膜形成之第2固化性樹脂層14之態樣。暫時固定用積層體80具備由第2固化性樹脂膜形成之第2固化性樹脂層14，從而趨於容易抑制對半導體構件的熱損傷。又，由於能夠抑制暫時固定用膜等樹脂在半導體構件上燒結，因此趨於容易從半導體構件去除樹脂殘渣。
第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜只要分別為顯示固化性之樹脂膜，則並無特別限制，可以為含有上述暫時固定用膜10中的（B）成分及其他成分者。另外，第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜不含（A）成分為較佳。第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜中的（B）成分的種類、含量等的較佳態樣、其他成分的種類、含量等的較佳態樣等與暫時固定用膜10中的（B）成分的種類、含量等的較佳態樣、其他成分的種類、含量等的較佳態樣等相同。因此，在此省略重複說明。第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜可以相同，亦可以不同。又，第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜除了不適用（A）成分以外，能夠與暫時固定用膜的製造方法同樣地獲得。
在第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜中，（B）成分可以為主成分。（B）成分的含量以第1固化性樹脂膜或第2固化性樹脂膜的總量為基準可以為90質量%以上、95質量%以上、或98質量%以上。
在第1固化性樹脂膜中，波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率可以為80%以上。該平行光線透射率可以為85%以上、87%以上、90%以上、92%以上、或95%以上。第1固化性樹脂膜的該平行光線透射率在這種範圍內，對暫時固定用積層體從支撐構件側照射之光容易透射，並且能夠抑制分離性的降低。第1固化性樹脂膜在波長550nm下的平行光線透射率及波長1064nm下的平行光線透射率的兩者在上述範圍內為較佳。
從兼顧絕熱性及透光性之觀點考慮，第1固化性樹脂膜例如可以為0.1μm以上、1μm以上、或5μm以上，亦可以為200μm以下、100μm以下、50μm以下、或30μm以下。
在第2固化性樹脂膜中，波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率並無特別限制，可以與第1固化性樹脂膜的平行光線透射率相同。
從兼顧絕熱性及處理性之觀點考慮，第2固化性樹脂膜例如可以為0.1μm以上、1μm以上、或5μm以上，亦可以為200μm以下、100μm以下、50μm以下、或30μm以下。
暫時固定用積層體70、80的製造方法只要可以獲得具有預定結構之暫時固定用積層體，則並無特別限制。暫時固定用積層體70例如能夠藉由包括如下步驟之方法來獲得：在支撐構件22上貼附上述第1固化性樹脂膜之步驟；在上述第1固化性樹脂膜（第1固化性樹脂層12）上貼附上述暫時固定用膜10而形成暫時固定材料層10A之步驟。第1固化性樹脂層12亦能夠藉由將用於形成第1固化性樹脂膜的清漆塗佈於支撐構件22上，並藉由加熱使溶劑揮發而獲得。暫時固定材料層10A例如亦能夠藉由將暫時固定用膜形成用組成物的清漆塗佈於第1固化性樹脂層12上，並藉由加熱使溶劑揮發而獲得。暫時固定用積層體80例如能夠藉由包括在暫時固定用積層體70中在上述暫時固定用膜10（暫時固定材料層10A）上貼附上述第2固化性樹脂膜之步驟之方法來獲得。第2固化性樹脂層14亦能夠藉由將用於形成第2固化性樹脂膜的清漆塗佈於暫時固定材料層10A上，並藉由加熱使溶劑揮發而獲得。
[半導體裝置的製造方法] 一實施形態的半導體裝置的製造方法具備：準備上述暫時固定用積層體之步驟（準備步驟）；將半導體構件經由暫時固定材料層暫時固定於支撐構件上之步驟（暫時固定步驟）；對暫時固定於支撐構件上之半導體構件進行加工之步驟（加工步驟）；對暫時固定用積層體的暫時固定材料層從支撐構件側照射光，從支撐構件分離半導體構件之步驟（分離步驟）。以下，主要以使用圖2（a）所示之暫時固定用積層體20之態樣為例進行詳細說明。
（準備步驟） 在準備步驟中，為了製造半導體裝置，準備在對半導體構件進行加工期間用於將半導體構件暫時固定於支撐構件上的上述暫時固定用積層體20。
（暫時固定步驟） 圖3（a）及圖3（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。在暫時固定步驟中，半導體構件40經由暫時固定材料層10A暫時固定於支撐構件22上。暫時固定材料層10A在暫時固定材料層10A的與支撐構件22相反的一側具有表面S1。在暫時固定步驟中，例如以在暫時固定材料層10A上配置有半導體構件40之狀態（參閱圖3（a））使暫時固定材料層10A（暫時固定用膜10）固化，藉此能夠將半導體構件40暫時固定於支撐構件22（參閱圖3（b））。換言之，半導體構件40能夠經由包含暫時固定用膜10的固化物（（B）成分的固化物）之暫時固定材料層10Ac暫時接著於支撐構件22。如此，形成具備暫時固定用積層體20c及設置於暫時固定用積層體20c上之半導體構件40之積層體30。
半導體構件40可以為具有半導體晶圓、分割半導體晶圓而獲得之半導體晶片等半導體基板42之構件。半導體構件40例如可以為具有再配線層44及半導體基板42之附再配線層之半導體晶片。在半導體構件40為附再配線層之半導體晶片之情況下，附再配線層之半導體晶片在再配線層位於暫時固定材料層10A側之方向上經由暫時固定材料層10A暫時固定於支撐構件22上。半導體構件40可以進一步具有外部連接端子。在圖3（a）的例中，複數個半導體構件40配置於暫時固定材料層10A的表面S1上，但是半導體構件40的數量可以為1個。從除了半導體裝置的小型化、薄型化以外的搬運時、加工步驟等時抑制裂紋的觀點考慮，半導體構件40的厚度可以為1～1000μm、10～500μm或20～200μm。
配置於暫時固定材料層10A上之半導體構件40例如使用真空壓製機或真空層壓機來壓接於暫時固定材料層10A。在使用真空加壓機之情況下，壓接的條件可以為氣壓1hPa以下、壓接壓力1MPa、壓接溫度120～200℃及保持時間100～300秒。在使用真空層壓機之情況下，壓接的條件例如可以為氣壓1hPa以下、壓接溫度60～180℃或80～150℃、層壓壓力0.01～1.0MPa或0.1～0.7MPa、保持時間1～600秒或30～300秒。
在暫時固定材料層10A上配置半導體構件40之後，使暫時固定材料層10A中的（B）成分熱固化或光固化，藉此半導體構件40經由包含暫時固定用膜10的固化物（（B）成分的固化物）之暫時固定材料層10Ac暫時固定於支撐構件22。熱固化的條件例如可以為300℃以下或100～250℃、1～180分或1～120分。
（加工步驟） 圖4（a）、圖4（b）及圖4（c）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。在加工步驟中，對暫時固定於支撐構件22上之半導體構件40進行加工。圖4（a）表示包括半導體基板的薄化之加工的例。半導體構件的加工並不限定於此，例如能夠包括半導體基板的薄化、半導體構件的分割（切割）、貫通電極（矽酮貫通電極）的形成、蝕刻處理、電鍍回流處理、濺鍍處理或該等組合。
在加工半導體構件40之後，如圖4（b）所示，形成密封經加工之半導體構件40之密封層50。密封層50能夠使用通常用於製造半導體元件之密封材料來形成。例如，密封層50可以由熱固性樹脂組成物形成。作為密封層50中所使用之熱固性樹脂組成物，例如可以舉出甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、聯苯二環氧樹脂、萘酚酚醛清漆環氧樹脂等環氧樹脂等。密封層50及用於形成密封層50的熱固性樹脂組成物可以包含填料和/或阻燃劑等添加劑。
密封層50例如使用固體材料、液體材料、細粒材料或密封膜來形成。在使用密封膜之情況下，使用壓縮密封成形機、真空層壓裝置等。例如，使用該等裝置，並用在40～180℃（或60～150℃）、0.1～10MPa（或0.5～8MPa）且0.5～10分鐘的條件下進行熱熔融之密封膜被覆半導體構件40，從而能夠形成密封層50。密封膜的厚度被調整為密封層50成為加工後的半導體構件40的厚度以上。密封膜的厚度可以為50～2000μm、70～1500μm或100～1000μm。
在形成密封層50之後，如圖4（c）所示，可以將密封層50及暫時固定材料層10Ac分割成包括半導體構件40各一個之複數個部分。
（分離步驟） 圖5（a）及圖5（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。如圖5（a）所示，對暫時固定用積層體20c的暫時固定材料層10Ac從支撐構件22側照射光A，從支撐構件22分離半導體構件40。光A可以為包含紅外光（近紅外光）、可見光、或紫外光中的任一個之光，亦可以為包含紅外光（近紅外光）或可見光中的任一個之光，亦可以為至少包含紅外光（近紅外光）之光。藉由光A的照射，暫時固定材料層10Ac中的（A）成分吸收光A而瞬間產生熱量。藉由所產生之熱，例如能夠產生暫時固定材料層10Ac中的（B）成分的固化物的熔融、在支撐構件22與半導體構件40之間產生之熱應力及（A）成分或（B）成分的固化物的飛散。該等現象中的一個或兩個以上成為主要原因而產生凝集剥離、界面剥離等，從而半導體構件40可以容易地從支撐構件22分離。為了將半導體構件40從支撐構件22分離，可以在光A的照射下對半導體構件40施加少量應力。
分離步驟中之光A可以為相干光。相干光係具有相干性高、指向性高、單色性高等性質之電磁波。由於在相同波長下相同相位的光彼此牢固地合成，因此相干光趨於強度高。雷射光一般為相干光。雷射光可以舉出YAG（Yttrium Aluminum Garnet：釔鋁石榴石）雷射、光纖雷射、半導體雷射、氦氖雷射、氬雷射、準分子雷射等。雷射光的波長可以為1300nm以下。由於波長在1300nm以下，支撐構件22的光吸收得到抑制，並且基於（A）成分的光吸收變高，因此能夠以更低的光照射能量剝離。相干光可以為脈衝光。相干光照射到支撐構件的整個表面為較佳。
分離步驟中之光A可以為非相干光。非相干光為不是同調的光，並且為具有不產生干涉條紋、低相干性、低指向性之性質之電磁波。非相干光具有光路長度越長，越衰減之傾向。太陽光、熒光灯等光等光為非相干光。非相干光亦能夠稱為除了雷射光以外的光。非相干光的照射面積通常比同調光（亦即，雷射光）大得多，因此能夠減少照射次數。例如，藉由一次照射，可以產生複數個半導體構件40的分離。非相干光可以包括紅外光。非相干光可以為脈衝光。非相干光照射到支撐構件的整個表面為較佳。
非相干光的光源並無特別限制，但是可以為氙燈。氙燈為利用了藉由裝有氙氣之發光管中的施加/放電而發出的光之燈。氙燈一邊重複電離及激發一邊放電，因此穩定地具有從紫外光區域至紅外光區域的連續波長。氙燈與金屬鹵化物燈等燈相比，啟動所需要之時間短，因此能夠大幅度縮短步驟所需要之時間。又，發光需要施加高電壓，因此瞬間產生高熱，但是在冷卻時間短且能夠連續作業的觀點而言，氙燈亦係有利的。
氙燈的照射條件包含施加電壓、脈衝寬度、照射時間、照射距離（光源與暫時固定材料層的距離）、照射能量等，並且能夠依據照射次數等任意設定該等。從減少半導體構件40的損壞之觀點考慮，可以設定藉由一次照射而能夠分離半導體構件40之照射條件。
有時（B）成分的固化物的一部分或（A）成分的一部分作為殘渣而附著於分離之半導體構件40上。如圖5（b）所示那樣除去所附著之殘渣。附著之殘渣例如可以藉由用溶劑清洗來去除，亦可以藉由剝皮來剝離。作為溶劑，並無特別限制，但是可以舉出乙醇、甲醇、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、己烷等。為了除去所附著之殘渣，可以使半導體構件40浸漬於溶劑中，亦可以進行超聲波清洗。可以在100℃以下程度的低溫下加熱半導體構件40。
藉由以上例示之方法，能夠獲得具備經加工之半導體構件40之半導體元件60。能夠藉由將所獲得之半導體元件60連接到其他半導體元件或半導體元件搭載用基板上來製造半導體裝置。 [實施例]
以下，舉出實施例對本揭示進行更具體地說明。但是，本揭示並不限定於該等實施例。
[暫時固定用膜的製作及評價] （實施例1-1～1-5及比較例1-1、1-2） ＜暫時固定用膜的製作＞ 在暫時固定用膜的製作中使用了以下材料。
（A）成分：碳黑 （A-1）乙炔黑（商品名稱：Li-400、Denka Company Limited製、平均一次粒徑：48nm） （B）成分：固化性樹脂成分 （B-1）熱塑性樹脂 （B-1-1）用作順丁烯二酸酐改質苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（產品名：FG1924GT、Clayton Polymer Japan Co., Ltd.製、苯乙烯含量：13質量%）、25質量%濃度的二甲苯溶液。 （B-1-2）用作順丁烯二酸酐改質苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（產品名：FG1901GT、Clayton Polymer Japan Co., Ltd.製、苯乙烯含量：30質量%）、25質量%濃度的二甲苯溶液。 （B-2）熱固性樹脂 （B-2-1）用作二環戊二烯型環氧樹脂（產品名：HP7200H、DIC CORPORATION製）、50質量%濃度的環己酮溶液。 （B-3）固化促進劑 （B-3-1）用作咪唑衍生物（產品名：2PZ-CN、SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製）、10質量%濃度的環己酮溶液。 （C）抗氧化劑 （C-1）用作受阻苯酚衍生物（產品名：AO-60、ADEKA Corporation製）、10質量%濃度的環己酮溶液。
以表1所示之質量份（表1的數值係指不揮發成分量。）使用了表1所示之材料。將其作為溶劑的甲苯302.4質量份及環己酮4.5質量份混合，獲得了暫時固定用膜形成用組成物的清漆。使用精密塗佈機，將所獲得之暫時固定用膜形成用組成物的清漆塗佈於支撐膜（Purex A31B（商品名、輕剝離類型、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜、TOYOBO FILM SOLUTIONS LIMITED、厚度：38μm））的脫模處理面。藉由在100℃下加熱 塗膜10分鐘去除溶劑，獲得了厚度30μm的實施例1-1的暫時固定用膜以及厚度10μm的實施例1-2～1-5及比較例1-1、1-2的暫時固定用膜。在所獲得之暫時固定用膜的與支撐膜相反的一側的面上將保護膜（Purex A70J（商品名、重剝離類型、PET膜、TOYOBO FILM SOLUTIONS LIMITED、厚度：38μm））以其脫模處理面與暫時固定用膜接觸之朝向貼合。
＜暫時固定用膜的評價＞ 使用實施例1-1～1-5及比較例1-1、1-2的暫時固定用膜，測量了各自的平行光線透射率。藉由將暫時固定用膜切成5cm見方，獲得了測量用樣品。作為測量裝置，使用紫外可視近紅外分光光度計SolidSpec-3700（Shimadzu Corporation），對測量用樣品照射波長550nm或波長1064nm的光，測量了光透射膜厚的距離（光徑長度）時的平行光線透射率。將結果示於表1中。
[表1]
單位 比較例 1-1 實施例 1-1 實施例 1-2 實施例 1-3 實施例 1-4 實施例 1-5 比較例 1-2
材料 （A） （A-1） 質量份 0.05 0.5 3 5 10 20 30
（B-1） （B-1-1） 質量份 35 35 35 35 35 35 35
（B-1-2） 質量份 35 35 35 35 35 35 35
（B-2） （B-2-1） 質量份 30 30 30 30 30 30 30
（B-3） （B-3-1） 質量份 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
（C） （C-1） 質量份 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
（A）成分的體積比例 （暫時固定用膜的總量基準） 體積% 0.024 0.24 0.47 2.3 4.6 8.7 12.5
暫時固定用膜的厚度 μm 10 30 10 10 10 10 10
平行光線透射率 550nm % 80 8.9 4.9 0.7 0 0 0
1064nm % 84 30 9.3 2.0 0 0 0
[暫時固定用積層體的製作] （實施例2-1～2-5及比較例2-1、2-2） ＜暫時固定用積層體的製作（i）＞ 使用實施例1-1～1-5及比較例1-1、1-2的暫時固定用膜，製作了各自的暫時固定用積層體。從暫時固定用膜剝離支撐膜，使用真空加壓式層壓機，在壓力0.5MPa、溫度100℃及加壓時間60秒鐘的條件下，將暫時固定用膜積層於作為支撐構件的玻璃基板（商品名：Eagle XG、CORNING Incorporated製、尺寸：20mm×20mm、厚度：0.7mm）上，藉此製作了實施例2-1～2-5及比較例2-1、2-2的暫時固定用積層體。
＜試驗用積層體的製作（i）＞ 接著，剝離由實施例2-1～2-5及比較例2-1、2-2的暫時固定用積層體的暫時固定用膜形成之暫時固定材料層側的保護膜，使用真空加壓式層壓機，在壓力0.5MPa、溫度100℃及加壓時間60秒鐘的條件下，將作為半導體構件的矽晶圓（尺寸：20mm×20mm、厚度：150μm）積層於暫時固定材料層上。之後，藉由在200℃下加熱1小時，固化暫時固定材料層，製作了具有相對於支撐構件暫時固定之半導體構件之實施例2-1～2-5及比較例2-1、2-2的試驗用積層體。
（實施例2-6） ＜第1固化性樹脂膜的準備＞ 未使用（A）成分（亦即，相對於固化性樹脂成分的總量100質量份設為0質量份或以暫時固定用膜的總體積為基準設為0體積%），除此以外，以與＜暫時固定用膜的製作＞相同的方式製作了厚度10μm的第1固化性樹脂膜。對於第1固化性樹脂膜，以與＜暫時固定用膜的評價＞相同的方式測量了平行光線透射率。第1固化性樹脂膜的波長550nm下的平行光線透射率為93%，波長1064nm下的平行光線透射率為97%。
＜暫時固定用積層體的製作（ii）＞ 使用實施例1-3的暫時固定用膜及上述第1固化性樹脂膜製作了暫時固定用積層體。從各自的膜剝離支撐膜，使用加壓式輥層壓機，在壓力0.2MPa、溫度100℃、速度0.2m/min的條件下，貼合露出之表面彼此，藉此獲得了二層膜。接著，剝離由二層膜的第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層側的保護膜，以與上述＜暫時固定用積層體的製作（i）＞相同的方式，在其剝離面與支撐構件接觸之朝向積層二層膜，藉此製作了實施例2-6的暫時固定用積層體。
＜試驗用積層體的製作（ii）＞ 接著，以與＜試驗用積層體的製作（i）＞相同的方式，將半導體構件積層於暫時固定材料層上，在與＜試驗用積層體的製作（i）＞相同的條件下，固化暫時固定材料層及第1固化性樹脂層，製作了實施例2-6的試驗用積層體。
（實施例2-7） ＜第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜的準備＞ 第1固化性樹脂膜使用了在實施例2-6中製作之第1固化性樹脂膜。第2固化性樹脂膜使用了與第1固化性樹脂膜相同者。
＜暫時固定用積層體的製作（iii）＞ 使用實施例1-3的暫時固定用膜、上述第1固化性樹脂膜及上述第2固化性樹脂膜製作了暫時固定用積層體。首先，以與＜暫時固定用積層體的製作（ii）＞相同的方式，獲得了由實施例1-3的暫時固定用膜及上述第1固化性樹脂膜形成之二層膜。接著，剝離由二層膜的實施例1-3的暫時固定用膜形成之暫時固定材料層側的保護膜及第2固化性樹脂膜的支撐膜，使用加壓式輥層壓機，在壓力0.2MPa、溫度100℃、速度0.2m/min的條件下貼合露出之表面彼此，藉此獲得了三層膜。接著，剝離由三層膜的第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層側的保護膜，以與上述＜暫時固定用積層體的製作（i）＞相同的方式，在其剝離面與支撐構件接觸之朝向積層三層膜，藉此製作了實施例2-7的暫時固定用積層體。
＜試驗用積層體的製作（iii）＞ 接著，以與＜試驗用積層體的製作（i）＞相同的方式，將半導體構件積層於第2固化性樹脂層上，在與＜試驗用積層體的製作（i）＞相同的條件下，固化暫時固定材料層、第1固化性樹脂層及第2固化性樹脂層，製作了實施例2-7的試驗用積層體。
[試驗用積層體的評價]] ＜黏合性的評價＞ 對於製作之實施例2-1～2-7及比較例2-1、2-2的試驗用積層體，在用手抓並提起試驗用積層體的半導體構件時，將半導體構件與支撐構件不分離之情況作為黏合性優異而評價為「A」，將半導體構件與支撐構件容易分離之情況評價為「B」。將結果示於表2及表3中。
＜分離性的評價＞ ･基於氙燈之光照射 對於黏合性的評價中優異之實施例2-1～2-7及比較例2-1的試驗用積層體，使用氙燈，在施加電壓：630V及照射時間：1000μs的照射條件（每單位面積的照射能量：7.7J/cm 2）下照射脈衝光，評價了將半導體構件從支撐構件分離時的分離性。氙燈使用NovaCentrix公司製的PulseForge（註冊商標）1300（波長範圍：200nm～1500nm），從試驗用積層體的支撐構件（玻璃基板）側進行了基於氙燈之光照射。關於分離性的評價，在基於氙燈之光照射之後，將藉由對矽晶圓施加外力而從玻璃基板分離之情況作為分離性優異而評價為「A」，將即使施加外力矽晶圓亦不會從玻璃基板分離之情況評價為「B」。將結果示於表2中。
･基於雷射之光照射 對於實施例2-2～2-7及比較例2-1的試驗用積層體，使用YAG雷射，照射波長：1064nm、脈衝能量：106μJ及重複頻率：70kHz的近紅外光脈衝雷射光，評價了將半導體構件從支撐構件分離時的分離性。YAG雷射使用Optec公司製的MM200-USP，關於基於雷射之光照射，從試驗用積層體的支撐構件（玻璃基板）側以掃描速度：3000mm/s對支撐構件的整個表面進行了照射。關於分離性的評價，在基於雷射之光照射之後，將藉由對矽晶圓施加外力而從玻璃基板分離之情況作為分離性優異而評價為「A」，將即使施加外力矽晶圓亦不會從玻璃基板分離之情況評價為「B」。將結果示於表3中。
[表2]
比較例 2-1 實施例 2-1 實施例 2-2 實施例 2-3 實施例 2-4 實施例 2-5 比較例 2-2 實施例 2-6 實施例 2-7
暫時固定用積層體的層結構 第1固化性樹脂層 無 無 無 無 無 無 無 有 有
暫時固定材料層 有 有 有 有 有 有 有 有 有
比較例 1-1 實施例 1-1 實施例 1-2 實施例 1-3 實施例 1-4 實施例 1-5 比較例 1-2 實施例 1-3 實施例 1-3
第2固化性樹脂層 無 無 無 無 無 無 無 無 有
黏合性的評價 A A A A A A B A A
分離性的評價 氙氣燈 B A A A A A - A A
[表3]
比較例 2-1 實施例 2-2 實施例 2-3 實施例 2-4 實施例 2-5 比較例 2-2 實施例 2-6 實施例 2-7
暫時固定用積層體的層結構 第1固化性樹脂層 無 無 無 無 無 無 有 有
暫時固定材料層 有 有 有 有 有 有 有 有
比較例 1-1 實施例 1-2 實施例 1-3 實施例 1-4 實施例 1-5 比較例 1-2 實施例 1-3 實施例 1-3
第2固化性樹脂層 無 無 無 無 無 無 無 有
黏合性的評價 A A A A A B A A
分離性的評價 雷射 B A A A A - A A
如表2及表3所示，使用實施例1-1～1-5的暫時固定用膜製作之實施例2-1～2-5的試驗用積層體在黏合性及分離性的方面優異。又，關於具備第1固化性樹脂層之實施例2-6的試驗用積層體以及具備第1固化性樹脂層及第2固化性樹脂層之實施例2-7的試驗用積層體，亦判明為在黏合性及分離性的方面優異。該等傾向在基於氙燈之光照射和基於雷射之光照射亦均相同。另一方面，碳黑的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份超過25質量份或以暫時固定用膜的總體積為基準超過10體積%之比較例2-2的試驗用積層體在黏合性方面不太充分。又，碳黑的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份未達0.1質量份或以暫時固定用膜的總體積為基準未達0.1體積%之比較例2-1的試驗用積層體在黏合性方面充分但在分離性方面不太充分。
從該等結果確認到，本揭示的暫時固定用膜在利用包括藉由光照射將半導體構件從暫時固定材料層分離之方法製造半導體裝置之情況下，能夠形成半導體構件與支撐構件的黏合性優異，並且在藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離時的分離性亦優異之暫時固定材料層。
10:暫時固定用膜 10A,10Ac:暫時固定材料層 12:第1固化性樹脂層 14:第2固化性樹脂層 20,70,80,20c:暫時固定用積層體 22:支撐構件 30:積層體 40:半導體構件 42:半導體基板 44:再配線層 50:密封層 60:半導體元件
圖1係表示暫時固定用膜的一實施形態之示意剖視圖。 圖2中，圖2（a）、圖2（b）、及圖2（c）係表示暫時固定用積層體的一實施形態之示意剖視圖。 圖3中，圖3（a）及圖3（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。 圖4中，圖4（a）、圖4（b）及圖4（c）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。 圖5中，圖5（a）及圖5（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。
10:暫時固定用膜

Claims (10)

  1. 一種暫時固定用膜，其用於暫時固定半導體構件和支撐構件， 前述暫時固定用膜含有碳黑及固化性樹脂成分， 前述固化性樹脂成分包含熱固性樹脂及熱塑性樹脂， 前述熱塑性樹脂為烴樹脂， 前述碳黑的含量滿足下述條件（i）及條件（ii）中的至少一個條件， 條件（i）：相對於前述固化性樹脂成分的總量100質量份為0.1～25質量份， 條件（ii）：以前述暫時固定用膜的總體積為基準為0.1～10體積%。
  2. 如請求項1所述之暫時固定用膜，其中 波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率為30%以下。
  3. 如請求項1所述之暫時固定用膜，其厚度超過5μm。
  4. 一種暫時固定用積層體，其具備支撐構件、設置於前述支撐構件上且由請求項1所述之暫時固定用膜形成之暫時固定材料層。
  5. 一種暫時固定用積層體，其依序具備支撐構件、由第1固化性樹脂膜形成之第1固化性樹脂層及由請求項1所述之暫時固定用膜形成之暫時固定材料層。
  6. 如請求項5所述之暫時固定用積層體，其進一步具備設置於前述暫時固定材料層上的與前述第1固化性樹脂層相反的一側之、由第2固化性樹脂膜形成之第2固化性樹脂層。
  7. 如請求項5所述之暫時固定用積層體，其中 在前述第1固化性樹脂膜中，波長550nm及波長1064nm中的至少一個波長下的平行光線透射率為80%以上。
  8. 一種半導體裝置的製造方法，其具備： 準備請求項4至請求項7之任一項所述之暫時固定用積層體之步驟； 將半導體構件經由前述暫時固定材料層暫時固定於前述支撐構件上之步驟； 對暫時固定於前述支撐構件上之前述半導體構件進行加工之步驟；及 對前述暫時固定用積層體的前述暫時固定材料層從前述支撐構件側照射光，從前述支撐構件分離前述半導體構件之步驟。
  9. 如請求項8所述之半導體裝置的製造方法，其中 前述光為至少包含紅外光之光。
  10. 如請求項8所述之半導體裝置的製造方法，其中 前述光為非相干光。
TW111132876A 2021-09-03 2022-08-31 暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法 TW202314823A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/JP2021/032480 2021-09-03
PCT/JP2021/032480 WO2023032165A1 (ja) 2021-09-03 2021-09-03 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202314823A true TW202314823A (zh) 2023-04-01

Family

ID=85411245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111132876A TW202314823A (zh) 2021-09-03 2022-08-31 暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP4383312A1 (zh)
JP (1) JPWO2023032981A1 (zh)
KR (1) KR20240058853A (zh)
CN (1) CN117882174A (zh)
TW (1) TW202314823A (zh)
WO (2) WO2023032165A1 (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP6060479B2 (ja) * 2011-11-24 2017-01-18 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置および仮固定用組成物
JP6242295B2 (ja) * 2014-05-29 2017-12-06 デンカ株式会社 仮固定用接着剤組成物、それを用いた部材の仮固定方法
JP6404723B2 (ja) * 2015-01-27 2018-10-17 デンカ株式会社 仮固定用接着剤組成物、それを用いた部材の仮固定方法及び硬化体残渣の除去方法
JP6486735B2 (ja) * 2015-03-17 2019-03-20 東芝メモリ株式会社 半導体製造方法および半導体製造装置
US10522383B2 (en) * 2015-03-25 2019-12-31 International Business Machines Corporation Thermoplastic temporary adhesive for silicon handler with infra-red laser wafer de-bonding
JP6859729B2 (ja) * 2016-07-05 2021-04-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート及び半導体装置の製造方法
KR102652732B1 (ko) * 2016-12-15 2024-03-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 점착 필름
TWI844589B (zh) 2018-11-29 2024-06-11 日商力森諾科股份有限公司 製造半導體裝置的方法、光吸收積層體及暫時固定用積層體
US20220073801A1 (en) * 2018-12-27 2022-03-10 Nissan Chemical Corporation Adhesive composition for optical irradiation peeling, laminate body, and laminate body production method and peeling method
JP7447493B2 (ja) * 2020-01-07 2024-03-12 株式会社レゾナック 仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP4383312A1 (en) 2024-06-12
KR20240058853A (ko) 2024-05-03
JPWO2023032981A1 (zh) 2023-03-09
WO2023032165A1 (ja) 2023-03-09
WO2023032981A1 (ja) 2023-03-09
CN117882174A (zh) 2024-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7414005B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
TWI805655B (zh) 半導體裝置的製造方法、暫時固定材用硬化性樹脂組成物、暫時固定材用膜及暫時固定材用積層膜
JP7521426B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
JP7331351B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
TW202036663A (zh) 製造半導體裝置的方法、光吸收積層體及暫時固定用積層體
TWI836077B (zh) 半導體裝置的製造方法
JP7388004B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20230360947A1 (en) Film for temporary fixation, layered product for temporary fixation, and method for producing semiconductor device
TW202314823A (zh) 暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法
JP7447493B2 (ja) 仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム及び半導体装置の製造方法
TW202213444A (zh) 暫時固定用積層膜及其製造方法、暫時固定用積層體以及半導體裝置的製造方法
JP2024015735A (ja) 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物
JP2024058261A (ja) 配線形成用部材、半導体装置の製造方法、及び硬化性樹脂フィルム