TW202314771A - 諧振器線圈及離子植入系統 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種與直線加速器一起使用的線圈電感器。線圈電感器包括一或多個管，其中每一管包括用於加強管的內部支撐結構。通過支撐管，減小振動的量，從而允許線圈在其自然頻率下諧振。在一些實施例中，內部結構包括一或多個內壁。這些內壁可用於產生允許冷卻劑流動通過管的多個流體通道。端蓋可安置于管的第二端上以允許供應流體通道與返回流體通道之間的流體連通。一或多個管的第一端可連接到包含用於冷卻劑的通路的供應埠和返回埠的歧管。

Description

具有內支撐結構之加硬射頻直線加速器線圈電感器

本公開的實施例涉及一種具有內部支撐結構的線圈，且更特定地，涉及一種與直線加速器（linear accelerator；LINAC）一起使用的線圈。

本申請案主張2021年9月20日申請的美國專利申請案序號17/479，313的優先權，所述申請案的公開內容以全文引用的方式併入本文中。

半導體裝置的製造涉及多個離散且複雜的過程。在這些過程中的一些中，離子朝向工件加速。這些離子可以數種方式加速。舉例來說，電場通常用於吸引和加速帶正電荷的離子。

在某些實施例中，直線加速器（或LINAC）可用於加速這些離子。在某些實施例中，LINAC包含各自用於進一步加速穿過其的離子的多個RF空腔。當RF空腔中的每一者在其相應諧振頻率下被激勵時，LINAC可最佳地操作。

此能量通常由捲繞以產生電感器的線圈提供。此電感器提供LINAC所需的高電壓。這些線圈通常為中空的，且由於產生的能量而可能變得極熱。因此，在一些實施例中，將聚四氟乙烯套管插入到線圈中，以便允許冷卻流體流動通過線圈。雖然此冷卻線圈，但其可能產生其它問題。舉例來說，聚四氟乙烯套管並不提供任何結構支撐。因此，線圈可能經受振動。眾所周知，線圈之間的間隔限定電容和電感。振動往往會改變此間隔，其可能導致線圈的自然頻率的變化。舉例來說，自然頻率由

給出。因此，L到C的比率的任何變化必定改變線圈的自然頻率。在正常操作下，RF產生器在固定頻率下供電，且如果將振動引入到線圈中，那麼線圈的自然頻率將如以上公式所描述而偏移。當此情況發生時，RF產生器現在正在與諧振器線圈的最佳頻率和線圈的感應電壓不同的頻率下提供電力，系統的Q和效率將全部下降。在此情況下，束電流和最終能量可比所規定的更小。

因此，如果存在能夠將結構支撐提供到用於LINAC中的線圈的系統，那麼其將是有利的。此外，如果此系統易於製造，那麼其將是有利的。

公開一種與LINAC一起使用的線圈電感器。線圈電感器包括一或多個管，其中每一管包括用於加強管的內部支撐結構。通過支撐管，減小振動的量，從而允許線圈在其自然頻率下諧振。在一些實施例中，內部結構包括一或多個內壁。這些內壁可用於產生允許冷卻劑流動通過管的多個流體通道。端蓋可安置于管的第二端上以允許供應流體通道與返回流體通道之間的流體連通。一或多個管的第一端可連接到包含用於冷卻劑的通路的供應埠和返回埠的歧管。

根據一個實施例，公開一種在直線加速器（LINAC）內使用的諧振器線圈。諧振器線圈包括具有第一端、第二端和螺旋形區段的管；其中管的內部包括一或多個內壁以將結構支撐提供到管。在一些實施例中，管的外部電鍍有銅。在某些實施例中，一或多個內壁將管的內部分離成多個流體通道。在一些實施例中，歧管附接于管的第一端且具有供應埠和返回埠。在某些實施例中，歧管配置成使得供應埠與多個流體通道中的稱作供應流體通道的一或多者連通；且返回埠與多個流體通道中的稱作返回流體通道的不同的一或多者連通。在一些實施例中，端蓋安置于管的第二端處以允許供應流體通道與返回流體通道之間的流體連通。在某些實施例中，管的內部更包括從多個流體通道物理地隔離的中心導管。在一些實施例中，感測器安置在第二端附近且在中心導管內。在一些實施例中，張緊導線在第二端附近附連到端蓋且穿過中心導管到達歧管。

根據另一實施例，公開一種離子植入系統。離子植入系統包括：離子源；品質分析器；聚束器；以及LINAC，包括：多個加速器電極；多個空腔，每一空腔包括激勵線圈和上文所描述的諧振器線圈，其中諧振器線圈的第二端與多個加速器電極中的一者連通；以及多個RF產生器，各自與相應激勵線圈連通。

根據另一實施例，公開一種在直線加速器（LINAC）內使用的諧振器線圈。諧振器線圈包括：第一管，具有第一端、第二端和螺旋形區段；第二管，具有第一端、第二端和螺旋形區段；其中第一管的內部和第二管的內部各自包括一或多個內壁以將結構支撐提供到第一管和第二管；以及歧管，其中第一管的第一端和第二管的第一端在歧管處彙聚。在一些實施例中，第一管的螺旋形區段和第二管的螺旋形區段同心。在某些實施例中，一或多個內壁將第一管的內部和第二管的內部分離成多個流體通道。在一些實施例中，歧管配置成使得供應埠與多個流體通道中的稱作供應流體通道的一或多者連通；且返回埠與多個流體通道中的稱作返回流體通道的不同的一或多者連通。在一些實施例中，端蓋安置于第一管的第二端和第二管的第二端處以允許供應流體通道與返回流體通道之間的流體連通。在某些實施例中，第一管的內部更包括從多個流體通道物理地隔離的中心導管。在一些實施例中，感測器安置在第一管的第二端附近且在中心導管內。在一些實施例中，張緊導線在第一管的第二端附近附連到端蓋且穿過中心導管到達歧管。

根據另一實施例，公開一種離子植入系統。離子植入系統包括：離子源；品質分析器；聚束器；以及LINAC，包括：多個加速器電極；多個空腔，每一空腔包括激勵線圈和上文所描述的諧振器線圈，其中第一管的第二端和第二管的第二端各自與多個加速器電極中的一者連通；以及多個RF產生器，各自與相應激勵線圈連通。

直線加速器（LINAC）可用於朝向工件加速離子。圖1繪示離子植入系統1。離子植入系統1包括離子源10。離子源10可為任何合適離子源，例如但不限於間熱式陰極（indirectly heated cathode；IHC）源、伯納斯源（Bernas source）、電容耦合等離子體源、電感耦合等離子體源或任何其它合適裝置。離子源10具有孔徑，可通過所述孔隙從離子源10提取離子。可通過將負電壓施加到安置在離子源10外部、提取孔徑附近的一或多個電極而從離子源10提取這些離子。

離子可接著進入品質分析器30，所述品質分析器30可為允許具有特定質荷比的離子穿過的磁體。品質分析器30僅用於分離所需離子。其為接著進入直線加速器40的所需離子。

所需離子接著進入聚束器20，所述聚束器20產生一起行進的離子群組或聚束。聚束器20可包括多個漂移管，其中漂移管中的至少一者可供應有AC電壓。其它漂移管中的一或多者可接地。供應有AC電壓的漂移管可用於加速離子束且將離子束操控成離散聚束。

直線加速器40包括一或多個空腔41。每一空腔41包括可由激勵線圈45產生的電磁場激勵的諧振器線圈42。激勵線圈45安置於具有相應諧振器線圈42的空腔41中。激勵線圈45由可為RF信號的激勵電壓激勵。激勵電壓可由相應RF產生器44供應。每一激勵線圈45被調諧到單一諧振頻率。換句話說，施加到每一激勵線圈45的激勵電壓可獨立於供應到任何其它激勵線圈45的激勵電壓。每一激勵電壓在其相應空腔41的諧振頻率下較佳地調製。激勵電壓的幅值和相位可由與RF產生器44連通的控制器90確定和改變。通過將諧振器線圈42安置在空腔41中，可增加或相移激勵電壓的幅值，同時保持相同振幅。

當將激勵電壓施加到激勵線圈45時，在諧振器線圈42上感應電壓。激勵電壓可為具有13.56兆赫與27兆赫之間的頻率的RF電壓。此外，電壓的振幅可在9千伏與170千伏之間。結果是，每一空腔41中的諧振器線圈42由正弦電壓驅動。每一諧振器線圈42可與兩個加速器電極43電連通。兩個加速器電極43可由正弦電壓的相對相位驅動。換句話說，兩個加速器電極43由存在於諧振器線圈42的兩端上的電壓驅動。離子穿過每一加速器電極43中的孔徑。

對聚束進入特定加速器電極43進行定時，使得當聚束接近時加速器電極43的電位為負，但當聚束穿過加速器電極43時切換為正。以此方式，當聚束進入加速器電極43時加速聚束，且當聚束離開時排斥聚束。此導致聚束的加速度。針對直線加速器40中的每一加速器電極43重複此過程。每一加速器電極增加離子的加速度且可被測量。

在聚束離開直線加速器40之後，其植入到工件50中。

當然，離子植入系統1可包含其它元件，諸如產生帶狀束的靜電掃描器、四極元件、加速或減速束的額外電極和其它元件。

控制器90可用於控制系統。控制器90可包含處理單元91和記憶體裝置92。處理單元91可為微處理器、信號處理器、定制的場可程式設計閘陣列（field programmable gate array；FPGA）或另一合適單元。記憶體裝置92可為非易失性記憶體，例如閃速記憶體、電可擦除ROM或其它合適裝置。在其它實施例中，記憶體裝置92可為易失性記憶體，例如RAM或DRAM。記憶體裝置92包括使控制器90能夠控制直線加速器40的指令。

圖2A到圖2B中繪示代表性諧振器線圈42。圖2A為透視圖，而圖2B繪示諧振器線圈42，因為其可安裝在空腔41內。諧振器線圈42可由任何合適材料構成，例如鋁、不銹鋼、鈦或其它金屬。在某些實施例中，諧振器線圈42的橫截面可為圓形。如上文所描述，諧振器線圈42包括連接到兩個加速器電極43的兩端。

諧振器線圈42可包括第一管100和第二管110。第一管100的第一端101和第二管110的第一端111在歧管120處彙聚。第一管100的第二端102和第二管110的第二端112形成兩個暴露的尖頭。

第一管100和第二管110各自包括螺旋形區段105。螺旋形區段105可包括一或多個環。舉例而言，每一螺旋形區段105中可存在1到2.5個環，但其它數目也是可能的。此外，第一管100的螺旋形區段105和第二管110的螺旋形區段115彼此重疊以便形成電感器。換句話說，螺旋形區段包括具有中心的一或多個環，且兩個螺旋形區段的環同心。

當然，諧振器線圈42可具有其它形狀和形式。

歧管120用於固持第一管100和第二管110，且還含有用於產生供應流體通道和返回流體通道的通道。圖4A繪示歧管120的頂部的透視圖，且圖4B繪示沿線A-A'截取的歧管120的橫截面圖。圖4C繪示歧管120的底部的透視圖。

在一個實施例中，歧管120具有兩個埠：供應埠121和返回埠122。如最佳地在圖4C中所見，歧管包含第一內部連接部123以將流體從供應埠121路由到第一管100中的一些流體通道和第二管110中的一些流體通道。類似地，如最佳地在圖4A中所見，歧管120包含第二內部連接部124以將第一管100中和第二管110中的其餘流體通道路由到返回埠122。在其它實施例中，歧管120可包括兩個供應埠121和兩個返回埠122，使得不使用內部連接部。

圖3A繪示根據一個實施例的諧振器線圈42的代表性橫截面。將諧振器線圈42的內部劃分成多個不同流體通道150。流體通道150可在管的整個長度上彼此物理地隔離，且可僅在第二端處連接到彼此，如下文更詳細地描述。在某些實施例中，流體通道150的數目為偶數，使得從歧管120供應冷卻劑的流體通道150（稱作供應流體通道）的數目與將冷卻劑返回到歧管120的流體通道150（稱作返回流體通道）的數目相同。這些流體通道150由具有從諧振器線圈42的內徑109的一個部分延伸到內徑109的另一部分的一或多個內壁140的內部結構產生。在某些實施例中，內壁140穿過定義諧振器線圈42的橫截面的圓的中心141。此外，在某些實施例中，內壁140為筆直的，使得每一內壁140為圓的直徑。

在其它實施例中，流體通道150的數目可為奇數。在這些實施例中，內壁140可為圓的半徑，從內徑109的一部分延伸到圓的中心141。在此情況下，每一內壁140可在圓的中心141處與其它內壁140接合。舉例來說，如果存在奇數個大小相等的流體通道，那麼每一內壁140將從內徑109延伸到其與其它內壁140接合的圓的中心141。

在又其它實施例中，內壁140可不穿過圓的中心141。舉例來說，圓可由多個平行內壁分離成單獨的流體通道。

作為實例，圖3A繪示存在由從內徑109的一個部分傳遞到穿過圓的中心141的內徑109的第二部分的兩個內壁140定義的偶數個流體通道150的橫截面。此外，在此實施例中，內壁140相等地間隔開，使得所有流體通道150具有相同橫截面積。

在某些實施例中，所有供應流體通道的橫截面積的總和可等於所有返回流體通道的橫截面積的總和。在一些實施例中，供應流體通道的全部橫截面積可稍大於返回流體通道的全部橫截面積。

在所有實施例中，這些內壁140由與諧振器線圈42相同的材料構成且同時製造。舉例來說，在一個實施例中，諧振器線圈42可以圖3A中所繪示的圖案擠壓。在另一實施例中，諧振器線圈42可使用增材製造來製造，其中同時產生內壁140。以此方式，內壁140為諧振器線圈42提供結構支撐且用於抑制任何振動。

諧振器線圈42的管具有外徑和內徑，且每一內壁140可具有厚度。內壁140的厚度可隨內徑變化。換句話說，隨著內徑增長，具有更厚的內壁以維持結構硬度可能是有利的。在某些實施例中，諧振器線圈42的內徑可在0.75英寸與1.25英寸之間。在此配置中，內壁的厚度可在.05英寸與.050英寸之間。當然，其它尺寸也是可能的。

圖3B繪示根據另一實施例的諧振器線圈42的管的橫截面。在此實施例中，諧振器線圈42中存在中心導管160。在某些實施例中，此中心導管160並不接觸內徑109。中心導管160與其它流體通道150物理地分離。在一些實施例中，例如在圖3B中所繪示，中心導管160圍繞諧振器線圈42的中心141形成在內壁140相接的區中。

此中心導管160可用於各種功能。不同於其它流體通道，中心導管可被隔離以使得冷卻劑並不流動通過中心導管160。在一個實施例中，感測器161可放置在第一管100的第二端102和/或第二管110的第二端112處或附近。感測器161可為溫度感測器、電壓感測器或另一類型的感測器。用於此感測器161的電連接可通過中心導管160行進到歧管120。一旦在歧管120外部，電連接可接合到合適電路或設備以測量由感測器161監測的參數。

在另一實施例中，張緊導線可安裝在中心導管160中。此張緊導線可用于增加或減小諧振器線圈42的硬度。舉例而言，張緊導線的一端可在第二端102處附接到端蓋170且張緊導線的另一端可在歧管120處接入。通過在歧管120處拉動張緊導線的末端，可增加諧振器線圈42的硬度。

在某些實施例中，例如在圖2A中所繪示的實施例，諧振器線圈42包括四個流體通道。供應流體通道鄰近於彼此安置，供應流體通道也是如此。

此外，如圖5A到圖5B中所繪示，端蓋170可安置于第一管100的第二端102和第二管110的第二端112上。圖5A繪示透視圖，而圖5B繪示橫截面圖。端蓋170配置成允許諧振器線圈42中的供應流體通道與返回流體通道之間的連通。在某些實施例中，端蓋170配置成使得一個供應流體通道與一個返回流體通道連通。在其它實施例中，可不存在1:1關係。

通過使用端蓋170，通過供應流體通道進入諧振器線圈42的冷卻劑能夠在第二端102和第二端112處進入返回流體通道。在某些實施例中，例如圖3B中所繪示的實施例，端蓋170可設計成使得中心導管160保持與流體通道150物理地分離。舉例來說，插塞可安裝在端蓋170附近的管的末端處以隔離中心導管160。

在操作中，例如乙二醇、水或這些流體的組合的流體可用作冷卻劑。冷卻劑通過歧管120中的供應埠121進入諧振器線圈42，穿過供應流體通道，直至其到達第一管100的第二端102和第二管110的第二端112。此時，由於端蓋170的配置，冷卻劑進入返回流體通道且返回到歧管120上的返回埠122。

如上文所提及，本文中所描述的諧振器線圈42可以數種方式製造。在一個實施例中，具有本文中所描述的內壁140的管在例如至多20英尺的長度上被擠壓。在被擠壓時，此管為筆直的。電感式彎曲機可接著用於產生螺旋形區段105。電感式彎曲機使用電感式加熱器將金屬帶到可延展的溫度。諧振器線圈42的特定形狀可以此方式產生，如本領域中所熟知。在管已適當成形之後，靜電電鍍工藝可用于利用銅塗布管的外部。成形和電鍍的管可接著裝配有歧管120。此外，端蓋170可安置于第一管100的第二端102和第二管110的第二端112上。

替代地，諧振器線圈42的管可使用增材製造來製造。在此實施例中，管可以其最終形狀印刷，使得並不使用電感式彎曲。再次，靜電電鍍工藝可用于利用銅塗布管的外部。成形和電鍍的管可接著裝配有歧管120。此外，端蓋170可與其餘管同時使用增材製造來產生，使得端蓋170為組合件的部分。

本文中所描述的內部結構還可與其它實施例一起被利用。圖6繪示根據另一實施例的離子植入系統601。圖1中也出現的元件被給予相同附圖標號且不再次描述。在此實施例中，每一諧振器線圈642僅與一個加速器電極43電連通。因此，不同於圖2A的諧振器線圈42，在此實施例中，諧振器線圈642僅具有一個暴露的尖頭。具體來說，不同於圖2的諧振器線圈，諧振器線圈642僅包括第一管700。

如圖7A到圖7B中所繪示，第一管700的第一端701可在歧管120處彙聚。第一管700的第二端702形成暴露的尖頭。

第一管700包括螺旋形區段705。第一管700的螺旋形區段705形成電感器。如上文所描述，螺旋形區段705可具有1到2.5個環，但其它數目也是可能的。

此外，如上文所描述，端蓋可安置於第二端702上，允許穿過供應流體通道的流體進入返回流體通道且返回到第一端701。類似於圖4A中所繪示的歧管的歧管120可用於提供供應埠和返回埠，以及用於任何電連接的介面。在某些實施例中，歧管120可與圖4A到圖4C中所繪示的歧管相同，其中有幾個戶口被堵住。在其它實施例中，可使用不包含內部連接部的不同歧管。

此外，第一管700可具有類似於圖3A或圖3B中所繪示的橫截面的橫截面。如上文所描述，如果橫截面如圖3B中所繪示，那麼感測器或張緊導線可插入於中心導管160中。

當前系統具有許多優點。第一，內壁140為諧振器線圈42提供額外結構支撐。如上文所解釋，振動往往會修改電感與電容的比率，這改變了諧振器線圈42的自然頻率。RF產生器44被調諧以在諧振器線圈42的自然頻率下供應RF電壓。如果振動使得自然頻率偏移，那麼能量傳遞效率較低，從而導致性能較低。另外，流體通道允許冷卻劑通過管的有效迴圈。另外，中心導管允許包含感測器或張緊導線的選擇。

本公開不應限於本文中所描述的具體實施例的範圍。實際上，除本文中所描述的實施例和修改以外，本公開的其它各種實施例以及對本公開的修改將根據前述描述和隨附圖式對本領域的一般技術人員顯而易見。因此，此類其它實施例和修改意圖屬於本公開的範圍內。此外，儘管已出於特定目的在特定環境下在特定實施方案的上下文中描述了本公開，但本領域的一般技術人員將認識到，其有用性不限於此，且出於任何數目個目的，本公開可有利地在任何數目的環境中實施。因此，應鑒於如本文中所描述的本公開的整個廣度和精神來解釋上文所闡述的權利要求。

100:電子裝置 1、601:離子植入系統 10:離子源 20:聚束器 30:品質分析器 40:直線加速器 41:空腔 42、642:諧振器線圈 43:加速器電極 44:RF產生器 45:激勵線圈 50:工件 90:控制器 91:處理單元 92:記憶體裝置 100、700:第一管 101、111、701:第一端 102、112、702:第二端 105、115、705:螺旋形區段 109:內徑 110:第二管 120:歧管 121:供應埠 122:返回埠 123:第一內部連接部 124:第二內部連接部 140:內壁 141:中心 150:流體通道 160:中心導管 161:感測器 170:端蓋 A-A':線

為了更好地理解本公開，將參考隨附圖式，其以引用的方式併入本文中且其中： 圖1繪示根據一個實施例的利用直線加速器或LINAC的離子植入系統的框圖。 圖2A到圖2B繪示根據圖1的實施例的諧振器線圈的兩個視圖。 圖3A繪示根據一個實施例的圖2的諧振器線圈的橫截面。 圖3B繪示根據另一個實施例的圖2的諧振器線圈的橫截面。 圖4A到圖4C繪示歧管的不同視圖。 圖5A到圖5B繪示根據一個實施例的端蓋的不同視圖。 圖6繪示根據另一個實施例的利用LINAC的離子植入系統的框圖。 圖7A到圖7B繪示根據圖6的實施例的諧振器線圈的兩個視圖。

42:諧振器線圈

100:第一管

101、111:第一端

102、112:第二端

105、115:螺旋形區段

110:第二管

120:歧管

121:供應埠

122:返回埠

170:端蓋

Claims (19)

1. 一種在直線加速器（LINAC）內使用的諧振器線圈，包括: 管，具有第一端、第二端和螺旋形區段； 其中所述管的內部包括一或多個內壁以將結構支撐提供到所述管。
2. 如請求項1所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述管的外部電鍍有銅。
3. 如請求項1所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述一或多個內壁將所述管的所述內部分離成多個流體通道。
4. 如請求項3所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，更包括附接于所述管的所述第一端且具有供應埠和返回埠的歧管。
5. 如請求項4所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述歧管配置成使得所述供應埠與所述多個流體通道中的稱作供應流體通道的一或多者連通；且所述返回埠與所述多個流體通道中的稱作返回流體通道的不同的一或多者連通。
6. 如請求項5所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，更包括安置于所述管的所述第二端處以允許所述供應流體通道與所述返回流體通道之間的流體連通的端蓋。
7. 如請求項6所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述管的所述內部更包括從所述多個流體通道物理地隔離的中心導管。
8. 如請求項7所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，更包括在所述第二端附近且在所述中心導管內安置的感測器。
9. 如請求項7所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，更包括在所述第二端附近附連到所述端蓋且穿過所述中心導管到達所述歧管的張緊導線。
10. 一種離子植入系統，包括： 離子源； 品質分析器； 聚束器；以及 直線加速器，包括： 多個加速器電極； 多個空腔，每一空腔包括激勵線圈和如請求項1所述的諧振器線圈，其中所述諧振器線圈的所述第二端與所述多個加速器電極中的一者連通；以及 多個RF產生器，各自與相應激勵線圈連通。
11. 一種在直線加速器（LINAC）內使用的諧振器線圈，包括： 第一管，具有第一端、第二端和螺旋形區段； 第二管，具有第一端、第二端和螺旋形區段； 其中所述第一管的內部和所述第二管的內部各自包括一或多個內壁以將結構支撐提供到所述第一管和所述第二管；以及 歧管，其中所述第一管的所述第一端和所述第二管的所述第一端在所述歧管處彙聚。
12. 如請求項11所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述第一管的所述螺旋形區段和所述第二管的所述螺旋形區段同心。
13. 如請求項11所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述一或多個內壁將所述第一管的所述內部和所述第二管的所述內部分離成多個流體通道。
14. 如請求項13所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述歧管配置成使得供應埠與所述多個流體通道中的稱作供應流體通道的一或多者連通；且返回埠與所述多個流體通道中的稱作返回流體通道的不同的一或多者連通。
15. 如請求項14所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，更包括安置於所述第一管的所述第二端和所述第二管的所述第二端處以允許所述供應流體通道與所述返回流體通道之間的流體連通的端蓋。
16. 如請求項15所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，其中所述第一管的所述內部更包括從所述多個流體通道物理地隔離的中心導管。
17. 如請求項16所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，更包括在所述第一管的所述第二端附近且在所述中心導管內安置的感測器。
18. 如請求項16所述的在直線加速器內使用的諧振器線圈，更包括在所述第一管的所述第二端附近附連到所述端蓋且穿過所述中心導管到達所述歧管的張緊導線。
19. 一種離子植入系統，包括： 離子源； 品質分析器； 聚束器；以及 直線加速器，包括： 多個加速器電極； 多個空腔，每一空腔包括激勵線圈和如請求項11所述的諧振器線圈，其中所述第一管的所述第二端和所述第二管的所述第二端各自與所述多個加速器電極中的一者連通；以及 多個RF產生器，各自與相應激勵線圈連通。

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