TW202314392A - 用於半導體系統檢測工具之操作方法 - Google Patents

Abstract

本揭露所述的一些實施方式提供用於檢測輻射源的容器的內表面的目標材料的累積的技術和設備。可能將包括由伸長支撐構件支撐的雷射掃描系統和馬達系統的檢測工具插入容器中，以產生內表面的精確三維輪廓。檢測工具的使用是有效率的，具有短的設置時間和掃描時間，這實質上減少與估計容器的內表面的累積相關聯的持續時間。

Description

半導體系統檢測工具及操作方法

無

極紫外光（extreme ultraviolet, EUV）輻射源包括收集器，收集器包括曲面鏡，曲面鏡配置以收集EUV輻射與將EUV輻射聚焦到靠近EUV輻射源的中間焦點帽（intermediate focus cap）的中間焦點。EUV輻射由雷射製成電漿（laser produced plasma, LPP）產生，電漿藉由將錫（tin, Sn）的液滴暴露於二氧化碳（carbon dioxide, CO2）雷射而產生。錫液滴藉由液滴產生器（droplet generator, DG）頭部產生，液滴產生器頭部提供錫液滴到容器中的輻照位置，錫液滴在輻照位置上由聚焦雷射光束輻照。

無

以下揭露內容提供用於實施本揭露之不同特徵的許多不同實施方式或實施例。以下描述部件及排列之特定實施方式以簡化本揭露。當然，此些僅為實施方式且並不意欲為限制。舉例來說，在以下敘述中，形成第一特徵在第二特徵上方或之上可以包含第一和第二特徵直接接觸形成的實施方式，並且還可以包含在第一和第二特徵之間形成附加特徵的實施方式，使得第一和第二特徵可以不直接接觸。此外，本揭露可以在各種實施方式中重複參考數字和/或字母。該重複是出於簡單和清楚的目的且其本身並不指示所敘述的各種實施方式和/或配置之間的關係。

此外，為了便於描述，可在本文中使用像是「在……下面（beneath）」、「在……下方（below）」、「下部（lower）」、「在……之上（above）」、「上部（upper）、「頂部（top）」、「底部（bottom）」及其類似術語之空間相對術語，以描述如諸圖中所繪示之一個元件或特徵與另一（另一些）元件或特徵的關係。除了諸圖中所描繪之定向以外，此些空間相對術語意欲涵蓋元件在使用中或操作中之不同定向。元件可以其他方向（旋轉90度或以其他方向）且可同樣相應地解釋本文中所使用之空間相對描述詞。

諸如極紫外光（extreme ultraviolet, EUV）微影系統的微影系統可能包括EUV輻射源，EUV輻射源包括容器。在容器中，目標材料的液滴受到能量束（例如來自雷射的光）作用，導致電漿的形成。電漿以EUV光的形式釋放能量，用於半導體元件製造的一部分，以在半導體基材上圖案化光阻層。目標材料累積（例如堆積、堵塞）會降低EUV輻射源的性能，這可能降低EUV輻射源的使用壽命、可能使EUV輻射源必須暫停操作（這可能影響製造良率）和/或可能導致有缺陷的晶圓和廢棄物的增加等。

本揭露所述的一些實施方式提供一種用於檢測輻射源（例如EUV輻射源）的容器的檢測工具。檢測工具包括藉由至少部分地插入容器中的托架所支撐的雷射掃描系統。為了讓雷射掃描系統得以產生對容器內表面的掃描，馬達系統沿著相對於托架的一或多個路徑調整雷射掃描系統的一或多個位置。雷射掃描系統能夠在各種照明條件下在容器內產生掃描，包括低光條件和高反射條件。掃描可用於產生內表面的精確三維輪廓，並可用於精確地測定在內表面上的目標材料的累積量。除了檢測容器的中間焦點帽部位之外，檢測工具還可以檢測整個容器，包括容器的下錐形體部位、容器的洗滌器部位和/或容器的葉片部位。檢測工具的使用是有效率的，具有短的設置時間（例如少於大約30分鐘）和短的掃描時間（例如對於容器內的一個層或一部位，持續時間在從大約5秒到大約30秒的範圍內或其他持續時間）。此外，藉由本揭露所述的檢測工具收集的掃描資訊可以實質地減少估計目標材料累積的時間（例如減少一小時或更多）。如此一來，本揭露所述的檢測工具可能減少包括容器的微影系統的停機時間，並可能提高微影系統的產能和產量。

第1圖是本揭露所述的示例微影系統100的示意圖。微影系統100包括極紫外光微影系統或配置以使用基於反射鏡的光學元件將圖案轉移到半導體基材的其他類型的微影系統。微影系統100可能配置以在半導體製程環境中使用，例如半導體晶圓代工廠或半導體製程設施。

如第1圖中所示，微影系統100包括輻射源102和曝光工具104。輻射源102（例如EUV輻射源或另一種類型的輻射源）配置以產生輻射106，舉例來說，EUV輻射和/或另一種類型的電磁輻射（例如光）。曝光工具104（例如EUV掃描器或另一類型的曝光工具）配置以將輻射106聚焦到反射光罩108（或光罩）上，使得圖案藉由輻射106從光罩108轉移到半導體基材110上。

輻射源102包括容器112和容器112中的收集器114。收集器114包括配置以收集由輻射源102產生的輻射106與將輻射106聚焦到中間焦點116的曲面鏡。輻射106由電漿產生，電漿由暴露於雷射光束120的目標材料的液滴118（例如包括錫液滴或另一類型液滴的目標材料的液滴）產生。液滴產生器頭部122在收集器114的前方提供了液滴118。液滴產生器頭部122被加壓以提供精細且受控制的液滴118的輸出。

諸如脈衝二氧化碳雷射的雷射源產生雷射光束120。提供雷射光束120（例如藉由光束傳輸系統至聚焦透鏡）使得雷射光束120通過收集器114的窗口124聚焦。雷射光束120聚焦至產生電漿的液滴118上。電漿產生電漿發射，其中一些是輻射106。雷射光束120以與來自液滴產生器頭部122的液滴118的流動同步的時間脈衝。

曝光工具104包括照明器126和投影光學箱（projection optics box, POB）128。照明器126包括多個反射鏡，這些反射鏡配置以將輻射106聚焦和/或引導到光罩108上，以便將圖案照射到光罩108上。多個反射鏡包括，舉例來說，反射鏡130a與反射鏡130b。反射鏡130a包括場鏡面反射鏡（field facet mirror, FFM）或包括多個場鏡面的另一類型的反射鏡。反射鏡130b包括光瞳鏡面反射鏡（pupil facet mirror, PFM）或同樣包括多個瞳面的另一種類型的反射鏡。反射鏡130a與反射鏡130b的鏡面被排列以聚焦、偏極化和/或以其他方式調諧來自輻射源102的輻射106，以增加輻射106的均勻性和/或增加特定類型的輻射分量，舉例來說，橫向電場（tranverse electric, TE）偏振輻射、橫向磁場（transverse magnetic, TM）偏振輻射。為了將來自照明器126的輻射106引導到光罩108上，包括另一個反射鏡132（例如中繼反射鏡）。

投影光學箱128包括多個反射鏡，這些反射鏡配置以在基於光罩108的圖案修改輻射106之後，將輻射106投影到半導體基材110上。多個反射鏡包括，舉例來說，反射鏡134a至反射鏡134f。在一些實施方式中，反射鏡134a至反射鏡134f配置以將輻射106聚焦或減弱到曝光場中，曝光場可能包括半導體基材110上的一或多個晶粒區域。

曝光工具104包括配置以支撐半導體基材110的基材平台136（例如晶圓乘載平台）。此外，基材平台136配置以隨著輻射106將圖案從光罩108轉移到半導體基材110上，移動（或步進）半導體基材110通過多個曝光場。曝光工具104還包括光罩平台138，光罩平台138配置以支撐和/或固定光罩108。此外，光罩平台138配置以移動或滑動光罩108通過輻射106，使得光罩108被輻射106掃描。如此一來，大於輻射106的輻射場或輻射束的圖案可以被轉移到半導體基材110。

在示例曝光操作（例如EUV曝光操作）中，液滴產生器頭部122跨過收集器114的前方提供液滴118的流。雷射光束120接觸液滴118，導致電漿產生。電漿發射或產生輻射106（例如EUV光）。收集器114收集輻射106且輻射106被引導出容器112，並朝向照明器126的反射鏡130a進入曝光工具104。反射鏡130a將輻射106反射到反射鏡130b上，反射鏡130b將輻射106朝向光罩108反射到反射鏡132上。藉由光罩108中的圖案修改輻射106。換句話說，輻射106基於光罩108的圖案反射離開光罩108。反射光罩108引導輻射06朝向投影光學箱128中的反射鏡134a，反射鏡134a將輻射106反射到反射鏡134b上。藉由反射鏡134c至反射鏡134f在投影光學箱128中繼續反射和減弱輻射106。反射鏡134f將輻射106反射到半導體基材110上，使得光罩108的圖案轉移到半導體基材110。上述曝光操作為一實施例，並且微影系統100可能根據其他EUV技術和包括更多數量的反射鏡、更少數量的反射鏡和/或不同配置的反射鏡的輻射路徑來操作。

在特定條件下，目標材料的粒子（例如對應於液滴118）可能累積在容器112的一或多個內表面上。舉例來說，容器112中的氫（hydrogen, H）自由基可能與錫結合，以形成錫烷（stannane, SnH ₄）。如果容器112內的溫度高於對應於錫烷解離溫度的溫度（例如高於大約150°C），則錫烷可能解離成包括錫和氫的成分。

目標材料（例如解離的錫）可能累積在容器112的一或多個內表面上。在一些實施例中，在容器112的一或多個內表面上的目標材料累積可能導致輻射源102內和/或曝光工具104內的污染。舉例來說，目標材料的堆積會滴落到收集器114上，這可能降低收集器114的性能（例如反射率）。作為另一個實施例，在容器112的一或多個內表面上的目標材料的堆積可能導致目標材料堆積的粒子（例如錫粒子）從輻射源102噴射到曝光工具104中（稱為錫噴液）和到光罩108和/或曝光工具104中的一或多個反射鏡上，降低使用微影系統100製造的半導體產品的產量。

在一些實施例中，並且作為維護微影系統100的一部分，可能檢測容器112的一或多個內表面是否有目標材料的累積，例如容器112的中間焦點帽部位的內表面、容器112的下錐形體部位、容器112的洗滌器部位或容器112的葉片部位。檢測工具140可能插入容器112中，以檢測容器的內表面的目標材料的累積量。

一或多個硬體部件可能安裝到檢測工具140的托架上，例如雷射掃描系統和/或馬達系統。檢測工具140可能與控制器142通訊連接。控制器142（例如處理器、處理器和記憶體的組合等）可能與檢測工具140通訊，以使馬達系統改變雷射掃描系統的位置，並使雷射掃描系統執行內表面的掃描。儘管在第1圖中，控制器142被繪示為與檢測工具140分離，但在一些實施方式中，控制器142是檢測工具140的一部分（例如整合在檢測工具140中和/或安裝到檢測工具140中）。同理，儘管在第1圖中，控制器142被繪示為與輻射源102分離，在一些實施方式中，控制器142是輻射源102的一部分。

如上所述，提供第1圖作為實施例。其他實施例可能與關於第1圖所述的不同。舉例來說，與第1圖中所示的那些部件相比，另一個實施例可能包括額外的部件、更少的部件、不同的部件或不同排列的部件。附加地或替代地，第1圖的一組部件（例如一或多個部件）可能執行本揭露所述為由另一組部件執行的一或多個功能。

第2圖為本揭露所述的檢測工具140的示例實施方式200的示意圖。如第2圖中所示，檢測工具140的部件包括雷射掃描系統202、馬達系統204以及托架206。托架206包括伸長支撐構件206a和基座206b。雷射掃描系統202由伸長支撐構件206a支撐。在一些實施方式中，如第2圖中所示，雷射掃描系統202機械耦合到馬達系統204，馬達系統204附接到伸長支撐構件206a。在一些實施方式中，托架206還包括可以改變伸長支撐構件206a相對於基座206b的定向的校準部件206c（例如鉸鏈、夾具、萬向節等）。

雷射掃描系統202產生掃描208，包括將雷射光束（可見或不可見）的可控色散投射到雷射掃描系統202的視場內的表面的一或多個區域上。掃描208進一步包括檢測來自表面的雷射光束的反射，以執行距離量測。距離量測提供用於產生一或多個區域的三維輪廓的數據。在一些實施方式中，可能固定掃描208的視場（例如可能固定對應於視場的角度）。在另一些實施方式中，掃描208的視場可能是可調節的（例如對應於視場的角度可能是可調節的）。

雷射掃描系統202的實施例包括產生多行雷射線（例如雷射光束的網格）的線雷射器，以掃描表面的一或多個區域。或者，在其他實施例中，雷射掃描系統202可能包括線雷射器，其產生橫穿（或掃過）表面的一或多個區域的單線（例如單雷射光束）。在一些實施方式中，表面的一或多個區域對應於容器的一部位或容器內的一層（例如容器112內的容器層的一部位）。如本文中所用，「層」是指容器（例如容器112）表面的圓周部位，圓周部位的高度小於在收集器和中間焦點帽的頂部之間的容器的全高。因此，如果雷射掃描系統202分層掃描容器，則雷射掃描系統202掃描容器的至少兩層。此外，掃描表面的一或多個區域可能包括掃描表面的一或多個區域，以獲得目標材料的累積量（例如在容器112的內表面上的液滴118的累積量）。

馬達系統204的部件至少包括旋轉馬達子系統210和線性馬達子系統212。旋轉馬達子系統210可能包括一或多個部件，用於雷射掃描系統202繞著伸長支撐構件206a的軸216的旋轉移動214。線性馬達子系統212可能包括一或多個部件，用於雷射掃描系統202沿著伸長支撐構件206a的軸216的線性移動218。

旋轉馬達子系統210的部件可能包括步進馬達、伺服馬達、徑向軸承和/或齒輪系統等。旋轉馬達子系統210可能配置以以包括在從大約0.03度（degree, °）到大約0.07度的範圍內的增量來執行旋轉移動214。此外，旋轉馬達子系統210可能配置以以包括在從大約每分鐘5轉（RPM）到大約每分鐘7轉的範圍內的旋轉速率執行旋轉。藉由在這些示例範圍內選擇增量和旋轉速率，雷射掃描系統202可能以提供足夠數據以測定徑向表面的輪廓的解析度執行徑向掃描（例如在不同徑向位置的多個掃描208）。旋轉增量和旋轉速率的其他值和範圍在本揭露的範圍內。

線性馬達子系統212的部件可能包括步進馬達、伺服馬達、線性軸承、皮帶驅動器、導螺桿和/或線性感應馬達等。線性馬達子系統212配置以以包括在從大約0.5毫米到大約1.5毫米的範圍內的增量來執行線性移動218。藉由選擇在範圍內的增量，線性馬達子系統212可能將雷射掃描系統202定位在相對於足以測定容器不同部位的輪廓的表面的不同的各別的位置。與線性移動218相關聯的增量的其他值和範圍在本揭露的範圍內。

如上所述，提供第2圖作為實施例。其他實施例可能與關於第2圖所述的不同，並且可能包括與第2圖中所示的那些部件相比額外的部件、更少的部件、不同的部件或不同排列的部件。舉例來說，儘管被繪示和描述為由伸長支撐構件206a支撐，在一些實施方式中，馬達系統204和雷射掃描系統202的一或多個部件與伸長支撐構件206a分離（例如在其他實施例中，線性馬達子系統212可能包括步進馬達，步進馬達間接耦合到整合為伸長支撐構件206a的一部分的導螺桿部件）。附加地或替代地，第2圖的一組部件（例如一或多個部件）可以執行本揭露所述為由另一組部件執行的一或多個功能。

第3圖是本揭露所述的示例實施方式300的示意圖。第3圖的左方實施例302包括位於沿著伸長支撐構件206a的軸216的線性位置上的雷射掃描系統202的實施例。當位於線性位置上時，馬達系統204（例如旋轉馬達子系統210）可能接收訊號，以促使雷射掃描系統202繞著軸216的旋轉移動214，以掃描層304（例如容器112的內表面的一個層）。舉例來說，控制器142可能傳輸訊號，以使馬達系統204將雷射掃描系統202定位在沿著伸長支撐構件206a的軸216的線性位置上（如第3圖的實施例302中所示）。當雷射掃描系統202位於線性位置上時，控制器142可能傳輸訊號，以促使馬達系統204使雷射掃描系統202繞著軸216旋轉。當馬達系統204使雷射掃描系統202在線性位置上繞著軸216旋轉時，控制器142可能傳輸訊號，以使雷射掃描系統202掃描層304。

層304可能對應於容器的至少一部位。作為實施例，層304可能具有包括在從大約0.5公分到大約5.5公分的範圍內的高度306。高度306可能適合用於對應於容器（例如容器112）的中間焦點帽部位的層，這個層可能容易受目標材料的累積影響且如果發生這樣的累積，則存在風險（例如中間焦點帽部位可能從容器112「噴出」目標材料，以在微影系統100內導致污染）。在這樣的範圍內選擇高度306可能實現容器的中間焦點帽部位的所需的覆蓋範圍和掃描速率。

右方實施例308包括位於沿著伸長支撐構件206a的軸216的另一個線性位置上（例如相對於實施例302的線性位置的較低的線性位置）的雷射掃描系統202的實施例。當位於另一個線性位置上時，馬達系統204（例如旋轉馬達子系統210）可能接收另一個訊號，以促使雷射掃描系統202繞著軸216的旋轉移動214，以掃描層310（例如容器112的內表面的另一個層）。舉例來說，控制器142可能傳輸訊號，以使馬達系統204將雷射掃描系統202定位在沿著伸長支撐構件206a的軸216的另一個線性位置上（如第3圖的實施例308所示）。當雷射掃描系統202位於另一個線性位置上時，控制器142可能傳輸訊號，以促使馬達系統204使雷射掃描系統202繞著軸216旋轉。當馬達系統204使雷射掃描系統202在另一個線性位置上繞著軸216旋轉時，控制器142可能傳輸訊號，以使雷射掃描系統202掃描層310。

作為實施例，層310可能具有包括在從大約5.0公分到大約21.0公分的範圍內的高度312。高度312可能適合用於對應於容器（例如容器112）的下錐形體部位的層，這個層可能較不容易受目標材料的累積影響（例如相比於中間焦點帽部位較不容易受到影響）且如果發生這樣的累積，則存在較低的風險。在這樣的範圍內選擇高度312可能實現容器的下錐形體部位的所需的覆蓋範圍和掃描速率。

作為另一個實施例，對應於容器（例如容器112）的葉片部位的另一個層可能具有包括在從大約20.0公分到大約51.0公分的範圍內的高度。在這樣的範圍內選擇高度可能實現容器的葉片部位的所需的覆蓋範圍和掃描時間。

一般而言，可能組合、變更或配置各層高度的值和範圍，以實現容器的整個內表面（例如容器112的整個內表面）的所需的覆蓋範圍和掃描時間。

如上所述，提供第3圖作為實施例。其他實施例可能與關於第3圖所述的不同。此外，如第3圖所述的各層高度的其他值和範圍在本揭露的範圍內。

第4圖是本揭露所述的示例實施方式400的示意圖。如第4圖中所示，馬達系統204（包括旋轉馬達子系統210和/或線性馬達子系統212）可能提供雷射掃描系統202旋轉移動214和/或線性移動218以執行沿著一或多個路徑掃描208。

在一些實施方式中，旋轉移動214和/或線性移動218的組合在執行掃描208時沿著一或多個路徑調整雷射掃描系統202的一或多個位置（例如旋轉和/或線性位置）。舉例來說，馬達系統204可能沿著近似線性的路徑402和近似徑向的路徑404調整雷射掃描系統202的一或多個位置。在一些實施方式中，馬達系統204同時調整一或多個位置（或同步），以使雷射掃描系統202沿著近似螺旋形的路徑406橫移。一般而言，如馬達系統204所提供的，雷射掃描系統202的許多路徑和/或路徑的組合在本揭露的範圍內。

如上所述，提供第4圖作為實施例。其他實施例可能與關於第4圖所述的不同。

第5圖是本揭露所述的示例容器112的內表面的示例輪廓的示意圖500。示例輪廓可能係基於與由檢測工具的雷射掃描系統（例如檢測工具140的雷射掃描系統202）提供給控制器的一或多個掃描（例如一或多個掃描208）有關的資訊，由控制器（例如控制器142）來產生。

第5圖的左上方實施例502包括沒有目標材料累積的容器112的內表面（例如沒有來自第1圖的液滴118的材料的堆積）。在這個實施例中，容器112的內表面可能具有跨越內表面的位置506的參考輪廓504。參考輪廓504（也可稱為基線輪廓或「黃金」輪廓）指示容器112的內表面位於清潔狀態，這可能在容器112的第一次使用之前或在清潔容器112之後。

第5圖的左下方實施例508包括在其上已發生目標材料510累積的容器112的內表面，（例如第1圖的液滴118的堆積已發生在容器112的內表面上）。在這個實施例中，容器112的內表面可能具有跨越內表面的位置506的量測輪廓512。量測輪廓512指示跨越容器（例如容器112）的內表面的位置506的累積（例如如雷射掃描系統202所測量的，以毫米為單位的尺寸）。

在一些實施方式中，可能從量測輪廓512中減去參考輪廓504（例如控制器142可能從與量測輪廓512相關的資訊中減去與參考輪廓504相關的資訊），以產生三維輪廓514，並測定目標材料510的累積量516。累積量516可能對應於目標材料的平均厚度（例如以毫米為單位）、目標材料的質量（以克為單位）和/或目標材料的分布或標準差（以毫米或克為單位）等。

在一些實施方式中，提供三維輪廓514用於存儲在記憶體元件中、供計算系統使用和/或作為機器學習演算法的輸入。在這樣的實施方式中，三維輪廓514可能用於針對容器112的預防性維護、包括容器112的輻射源（例如輻射源102）的操作或包括輻射源和容器112的微影系統（例如微影系統100）的製造控制等的額外計算或評估。在一些實施方式中，這樣的額外計算或評估可能由控制器（例如控制器142）、輻射源（例如輻射源102）或微影系統（例如微影系統100）來執行。

如上所述，提供第5圖作為實施例。其他實施例可能與關於第5圖所述的不同。

第6圖是本揭露所述的控制示例檢測工具140的控制器142的示例實施方式600的示意圖。如第6圖中所示，檢測工具140的部件包括雷射掃描系統202和馬達系統204（包括旋轉馬達子系統210和線性馬達子系統212）。檢測工具140可能包括多個部件，以檢測容器（例如容器112）的內表面的目標材料的累積（例如目標材料510的累積量516）。在一些實施方式中，檢測工具140包括第6圖中所示的部件的子集。在一些實施方式中，檢測工具140包括第6圖中所示的部件中的至少一個。

控制器142可能使用一或多個通訊鏈602（例如一或多個無線通訊鏈、一或多個有線通訊鏈或無線通訊鏈和有線通訊鏈的組合）向檢測工具140的多個部件中的一或多個部件傳輸訊號和/或從檢測工具140的多個部件中的一或多個部件接收訊號。訊號可能包括單獨的訊號、多個訊號的組合或序列、類比訊號、數位訊號、數位通訊和/或其他類型的訊號。

在一些實施方式中，訊號使檢測工具140產生容器的內表面的一或多個部位的掃描。一或多個部位可能對應於容器的中間焦點帽部位、下錐形體部位、洗滌器部位或葉片部位等。這一或多個部位還可能對應於容器的內表面的整體部位或中間焦點帽部位、下錐形體部位、洗滌器部位或葉片部位的子集。

為了產生掃描，訊號可能包括從控制器142到雷射掃描系統202的啟動雷射掃描系統202的訊號。訊號還可能包括從雷射掃描系統202到控制器142且包括與掃描有關的資訊的訊號。

作為產生掃描的一部分，控制器142可能將訊號傳輸到馬達系統204（包括線性馬達子系統212和/或旋轉馬達子系統210）以沿著相對於托架的伸長支撐構件（例如伸長支撐構件206a）的一或多個路徑，調整雷射掃描系統202的一或多個位置。訊號可能促使馬達系統204沿著線性路徑（例如近似線性的路徑402）、徑向路徑（例如近似徑向的路徑404）或螺旋路徑（例如近似螺旋形的路徑406）等，調整雷射掃描系統202的位置。

在一些實施方式中，控制器142使用一或多種演算法，以測定在容器的內表面的掃描部位上的目標材料的累積量（例如目標材料510的累積量516）。測定累積量可能包括基於從雷射掃描系統202接收的資訊（例如與掃描有關的資訊、與量測輪廓512有關的資訊等）與其他資訊（例如與參考輪廓504相關的資訊等）產生輪廓（例如三維輪廓514）。產生輪廓可能進一步包括將不同的掃描的層（例如層304和/或層310等）的各別的輪廓拼接在一起。

控制器142可能進一步測定目標材料的累積量不滿足閾值，並且基於這樣的測定，傳輸訊號以使檢測工具140輸出容器112的內表面需要清潔的通知。在其他實施例中，這樣的通知可能是視覺的（例如對應於狀態指示燈）或聽覺的（例如對應於警示聲或蜂鳴器）。

控制器142可能使用機器學習模型來測定目標材料的累積量與輻射源（例如輻射源102）的一或多種操作條件之間的相互關係。舉例來說，機器學習模型可能對比歷史目標材料（例如錫）的歷史累積率與輻射源的歷史操作條件和/或歷史操作參數（例如輻射源的量測反射率、由輻射源執行的曝光操作的一或多個參數或輻射源的量測功率衰減等。

控制器142可能提供與相互關係有關的資訊，以更新機器學習模型，這個機器學習模型估計用於包括輻射源的微影系統（例如微影系統100）使用的不同配方的容器內的目標材料的累積率，以製造半導體產品。控制器142可能進一步向機器學習模型提供計劃由微影系統使用一或多種不同配方製造的半導體產品的投影，並使用機器學習模型估計與容器的清潔有關的維護計劃。

對於操作條件和/或參數的組合，機器學習模型可能已經被訓練以估計用於容器的一或多個維護計劃。機器學習模型可能基於容器的清潔狀態、與生產計劃相關聯的操作條件等來估計用於在容器的內表面內累積目標材料的機率（例如風險評分）。因此，可能基於從控制器142接收的資訊來更新和改善機器學習模型。

如上所述，提供第6圖作為實施例。其他實施例可能與關於第6圖所述的不同。

第7A圖至第7E圖是本揭露所述的示例實施方式700的示意圖。示例實施方式700包括使用檢測工具140來產生對容器112的內表面的部位的掃描的一或多個實施例。第7A圖至第7E圖繪示出使用檢測工具140檢測容器112的目標材料的累積量（例如目標材料510的累積量516）的一或多個操作。可能根據維護計劃或響應於檢測到的具有容器112的輻射源（例如輻射源102）的性能劣化等來執行一或多個操作。在一些實施方式中，可能在半導體製造設施的微影區或半導體製造設施內的維護區等中執行第7A圖至第7E圖的一或多個操作。

參考第7A圖，檢測工具140在容器112的外部。舉例來說，檢測工具140可能設置在工作台或地板上且鄰近包括具有容器112的輻射源的微影系統（例如包括具有容器112的輻射源102的微影系統100）。作為另一個實施例，檢測工具140可能是與微影系統互接的自動化或半自動化平台的一部分。在檢測容器112的目標材料的累積量時，可能需要這樣的自動化或半自動化平台，以降低損壞容器112的風險。

參考第7B圖，並且作為操作702的一部分，收集器114從容器112移除。在一些實施方式中，維護工程師可能手動地從容器112移除收集器114。在一些實施方式中，機器人（例如作為自動化或半自動化平台的一部分的機器人）可能從容器112移除收集器114。

如第7B圖中所示，並且作為操作704的一部分，伸長支撐構件206a的至少一部位（例如支撐雷射掃描系統202和馬達系統204的一部位，包括旋轉馬達子系統210和線性馬達子系統212）插入到容器112中。在一些實施方式中，維護工程師可能手動地將伸長支撐構件206a的部位插入到容器112中。在一些實施方式中，機器人（例如作為自動化或半自動化平台的一部分的機器人）可能將伸長支撐構件206a的部位插入容器112中。在一些實施方式中，與將伸長支撐構件206a插入容器112相反，維護工程師（或機器人）可能將容器112降低到伸長支撐構件206a的部位上方（例如容器112可能已經從微影系統100的輻射源102移除且被運送到服務區維護）。

在一些實施方式中，維護工程師（或機器人）可能調整校準部件206c，以改變伸長支撐構件206a相對於基座206b和/或容器112的定向（例如對稱地在容器112內定位伸長支撐構件206a或改變在容器112內的伸長支撐構件206a的角度等）。

第7C圖示出掃描容器112的內表面的一或多個部位的多個操作。在一些實施方式中，為了掃描一或多個部位，控制器142使用通訊鏈602-1與雷射掃描系統202通訊並使用通訊鏈602-2與馬達系統204（包括旋轉馬達子系統210和線性馬達子系統212）通訊。一般而言，通訊鏈602-1和602-2可能傳輸或接收一或多個各別的訊號，這些訊號包括與掃描208相關的指令或資訊（例如啟動掃描208的指令、改變雷射掃描系統202的位置的指令和/或指示由掃描208進行的輪廓量測的數據等）。

作為實施例，並且作為操作706的一部分，訊號可能啟動雷射掃描系統202並促使馬達系統204相對於軸216執行一或多個移動（例如旋轉移動214和線性移動218的組合）。操作706可能包括雷射掃描系統202執行掃描208，以掃描對應於容器112的中間焦點帽部位708的部位（例如一或多層）。

作為另一個實施例，並且作為操作710的一部分，訊號可能啟動雷射掃描系統202並促使馬達系統204相對於軸216執行一或多個移動（例如旋轉移動214和線性移動218的組合）。操作710可能包括雷射掃描系統202執行掃描208，以掃描對應於容器112的下錐形體部位712的部位（例如一或多層）。

作為另一個實施例，並且作為操作714的一部分，訊號可能啟動雷射掃描系統202並促使馬達系統204相對於軸216執行一或多個移動（例如旋轉移動214和線性移動218的組合）。操作714可能包括雷射掃描系統202執行掃描208，以掃描對應於容器112的洗滌器部位716的部位（例如一或多層）。

作為另一個實施例，並且作為操作718的一部分，訊號可能啟動雷射掃描系統202並促使馬達系統204相對於軸216執行一或多個移動（例如旋轉移動214和線性移動218的組合）。操作718可能包括雷射掃描系統202執行掃描208，以掃描對應於容器112的葉片部位720的部位（例如一或多層）。

在一些實施方式中，控制器142使檢測工具140以特定順序掃描容器112的層。舉例來說，控制器142可能將訊號傳輸到檢測工具140（或檢測工具140的一或多個部件），以使檢測工具140在從收集器114到容器112的中間焦點帽的方向上（例如從操作718到操作706）掃描。作為另一個實施例，控制器142可以將訊號傳輸到檢測工具140（或檢測工具140的一或多個部件），以使檢測工具140在從容器112的中間焦點帽到收集器的方向上（例如從操作706到操作718）掃描。

參考第7D圖，操作722包括控制器142產生容器112的內表面的三維輪廓514。控制器142可能使用一或多種技術產生三維輪廓514。舉例來說，並且作為一或多種技術的一部分，控制器142可能從量測輪廓512中減去參考輪廓504。作為另一個實施例，控制器142可能使用一或多種演算法將重疊的層的輪廓拼接在一起（例如層304、層310等），使得三維輪廓514對應於容器112的內表面的整體部位。產生三維輪廓514可能進一步包括測定在容器112的內表面上的目標材料（例如目標材料510）的累積量516。

在一些實施方式中，操作722進一步包括提供三維輪廓514給機器學習模型，以更新機器學習模型、提供輪廓用於存儲在維護記憶體元件中等。

如第7E圖中所示，並且作為操作724的一部分，伸長支撐構件206a的部位從容器112移除。在一些實施方式中，維護工程師可能手動地從容器112移除伸長支撐構件206a的部位。在其他實施方式中，機器人（例如作為自動化或半自動化平台的一部分的機器人）可能從容器112移除收集器114。

作為操作726的一部分，收集器114重新附接到容器112。在一些實施方式中，維護工程師可能手動地將收集器114重新附接到容器112。在其他實施方式中，機器人（例如作為自動化或半自動化平台的一部分的機器人）可能將收集器114重新附接到容器112。

如上所述，提供第7A圖至第7E圖作為一或多個實施例。其他實施例可能與關於第7A圖至第7E圖所述的不同。

第8圖是元件800的示例部件的示意圖，可以對應於檢測工具140、控制器142、雷射掃描系統202和/或馬達系統204（包括線性馬達子系統212和/或旋轉馬達子系統210）。在一些實施方式中，檢測工具140、控制器142、雷射掃描系統202和/或馬達系統204（包括線性馬達子系統212和/或旋轉馬達子系統210）可能包括一或多個元件800和/或元件800的一或多個部件。如第8圖中所示，元件800可以包括匯流排810、處理器820、記憶體830、輸入部件840、輸出部件850以及通訊部件860。

匯流排810包括致使元件800的部件之間的有線和/或無線通訊的一或多個部件。匯流排810可能將第8圖的兩個或更多個部件耦合在一起，例如藉由操作耦合（operative coupling）、通訊耦合、電子耦合和/或電耦合。處理器820包括中央處理單元（central processing unit）、圖形處理單元（graphics processing unit）、微處理器、控制器、微控制器、數位訊號處理器、場域可程式閘陣列（field-programmable gate array, FPGA）、應用特定積體電路（application-specific integrated circuit, ASIC）和/或其他類型的處理部件。處理器820以硬體、韌體或硬體和軟體的組合來實現。在一些實施方式中，處理器820包括一或多個處理器，這些處理器能夠經過程式設計，執行本揭露別處描述的一或多個操作或製程。

記憶體830包括揮發性和/或非揮發性記憶體。舉例來說，記憶體830可能包括隨機存取記憶體（random access memory, RAM）、唯讀記憶體（read only memory, ROM）、硬盤驅動器（hard disk drive）和/或其他類型的記憶體，例如快閃記憶體（flash memory）、磁性記憶體（magnetic memory）和/或光學記憶體（optical memory）。記憶體830可能包括內部記憶體（例如RAM、ROM或硬盤驅動器）和/或可移動記憶體（例如藉由通用串行總線連接可移動）。記憶體830可能是非暫態電腦可讀取媒體（non-transitory computer-readable medium）。記憶體830存儲與元件800的操作有關的資訊、指示和/或軟體（例如一或多個軟體應用程式）。在一些實施方式中，記憶體830包括耦合到一或多個處理器（例如處理器820）的一或多個記憶體，例如藉由匯流排810。

輸入部件840使元件800能夠接收輸入，例如使用者輸入和/或感測輸入。舉例來說，輸入部件840可能包括觸控螢幕、鍵盤、小鍵盤、滑鼠、按鈕、麥克風、交換器、感測器、全球定位系統感測器、加速度計、陀螺儀和/或致動器。輸出部件850使元件800能夠提供輸出，例如藉由顯示器、揚聲器和/或發光二極體。通訊部件860使元件800能夠藉由有線連接和/或無線連接與其他元件通訊。舉例來說，通訊部件860可能包括接收器、傳輸器、收發器、調製解調器、網絡介面卡和/或天線。

元件800可能執行本揭露所述的一或多個操作或製程。舉例來說，非暫態電腦可讀取媒體（例如記憶體830）可能存儲一組指示（例如一或多個指示或程式碼）以供處理器820執行。處理器820可能執行這一組指示，以執行本揭露所述的一或多個操作或製程。在一些實施方式中，由一或多個處理器820執行這一組指示導致一或多個處理器820和/或元件800執行本揭露所述的一或多個操作或製程。在一些實施方式中，固線式電路可能用於代替指示或與指示組合，來執行本揭露所述的一或多個操作或製程。附加地或替代地，處理器820可能配置以執行本揭露所述的一或多個操作或製程。因此，本揭露所述的實施方式不限於固線式電路和軟體的任何特定組合。

提供第8圖中所示的部件的數量和排列作為實施例。元件800可能包括與第8圖中所示的那些部件相比額外的部件、更少的部件、不同的部件或不同排列的部件。附加地或替代地，元件800的一組部件（例如一或多個部件）可能執行被描述為由元件800的另一組部件執行的一或多個功能。

第9圖是與本揭露所述的容器的檢測有關的示例製程900的流程圖。在一些實施方式中，第9圖的一或多個製程方塊可能由控制器（例如控制器142、元件800）執行。在一些實施方式中，第9圖的一或多個製程方塊可能由另一個元件、與控制器142分離的一組元件或包括控制器142的一組元件執行，例如檢測工具140、雷射掃描系統202和/或馬達系統204（包括線性馬達子系統212和/或旋轉馬達子系統210）。附加地或替代地，第9圖的一或多個製程方塊可能由元件800的一或多個部件執行，例如處理器820、記憶體830、輸入部件840、輸出部件850和/或通訊部件860。

如第9圖中所示，製程900可能包括向馬達系統傳輸第一訊號，以使馬達系統將雷射掃描系統定位在沿著托架的軸的第一線性位置上，托架位於EUV輻射源的容器內（方塊910）。舉例來說，控制器142可能向馬達系統204傳輸第一訊號，以使馬達系統204將雷射掃描系統202定位在托架的軸216上的第一線性位置上，托架位於EUV輻射源（例如輻射源102）的容器112內。在一些實施方式中，馬達系統204、雷射掃描系統202以及托架包括在檢測工具140中。

如第9圖中進一步所示，製程900可能包括向馬達系統傳送第二訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第一線性位置上時，使雷射掃描系統繞著軸216旋轉（方塊920）。舉例來說，控制器142可能向馬達系統204傳輸第二訊號，以使馬達系統204在雷射掃描系統202位於第一線性位置上時，使雷射掃描系統202繞著軸216旋轉，如上所述。

如第9圖中進一步所示，製程900可能包括向雷射掃描系統傳輸第三訊號，以使雷射掃描系統掃描容器的內表面的第一層（方塊930）。舉例來說，控制器142可能向雷射掃描系統202傳輸第三訊號，以使雷射掃描系統202掃描容器112的內表面的第一層304。在一些實施方式中，當馬達系統204使雷射掃描系統202在第一線性位置上繞著軸216旋轉時，雷射掃描系統202掃描第一層304。

如第9圖中進一步所示，製程900可能包括向馬達系統傳輸第四訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統掃描第一層後，沿著托架的軸線性地移動雷射掃描系統到沿著軸的第二線性位置（方塊940）。舉例來說，控制器142可能向馬達系統204傳輸第四訊號，以使馬達系統204在雷射掃描系統202掃描第一層304後，沿著托架的軸216線性地移動雷射掃描系統202到軸216上的第二線性位置，如上所述。

如第9圖中進一步所示，製程900可能包括向馬達系統傳輸第五訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第二線性位置上時，使雷射掃描系統繞著軸旋轉（方塊950）。舉例來說，控制器142可能向馬達系統204傳輸第五訊號，以使馬達系統204在雷射掃描系統202位於第二線性位置上時，使雷射掃描系統202繞著軸216旋轉，如上所述。

如第9圖中進一步所示，製程900可能包括向雷射掃描系統傳輸第六訊號，以使雷射掃描系統掃描容器的內表面的第二層（方塊960）。舉例來說，控制器142可能向雷射掃描系統202傳輸第六訊號，以使雷射掃描系統202掃描容器112的內表面的第二層310。在一些實施方式中，當馬達系統204使雷射掃描系統202在第二線性位置上繞著軸216旋轉時，雷射掃描系統202掃描第二層310。

製程900可能包括額外的實施方式，例如任何單獨的實施方式或下文所述和/或結合本揭露別處所述的一或多個其他製程的實施方式的任何組合。

在第一實施方式中，容器112的內表面的第一層304的高度306在從大約0.5公分到大約5.5公分的範圍內。

在第二實施方式中，單獨或與第一實施方式組合，容器112的內表面的第二層310的高度312在從大約5.0公分到大約21.0公分的範圍內。

在第三實施方式中，單獨或與第一實施方式和第二實施方式中的一或多個組合，掃描第一層304對應於掃描容器112的中間焦點帽部位708。

在第四實施方式中，單獨或與第一實施方式至第三實施方式中的一或多個組合，掃描第二層310對應於掃描容器112的下錐形體部位712、容器112的洗滌器部位716或容器112的葉片部位720。

在第五實施方式中，單獨或與第一實施方式至第四實施方式中的一或多個結合，製程900包括接收與內表面的量測輪廓相關聯的資訊，基於這些資訊測定內表面上的目標材料510的累積量516不滿足閾值以及傳輸訊號以使檢測工具輸出內表面需要清潔的通知。

在第六實施方式中，單獨或與第一實施方式至第五實施方式中的一或多個結合，閾值對應於內表面的第一層的閾值。

在第七實施方式中，單獨或與第一實施方式至第六實施方式中的一或多個組合，閾值對應於內表面的第二層的閾值。

儘管第9圖示出了製程900的示例方塊，但在一些實施方式中，製程900可能包括與第9圖中所描繪的方塊相比額外的方塊、更少的方塊、不同的方塊或不同排列的方塊。附加地或替代地，兩個或多個製程900的方塊可以並行執行。

第10圖是與本揭露所述的容器的檢測有關的示例製程1000的流程圖。在一些實施方式中，第10圖的一或多個製程方塊可能由控制器（例如控制器142、元件800）執行。在一些實施方式中，第10圖的一或多個製程方塊可能由另一個元件、與控制器142分離的一組元件或包括控制器142的一組元件執行，例如檢測工具140、雷射掃描系統202和/或馬達系統204（包括線性馬達子系統212和/或旋轉馬達子系統210）。附加地或替代地，第10圖的一或多個製程方塊可能由元件800的一或多個部件執行，例如處理器820、記憶體830、輸入部件840、輸出部件850和/或通訊部件860。

如第10圖中所示，製程1000可能包括從雷射掃描系統接收對應於容器的內表面的量測輪廓相對應的第一資訊（方塊1010）。舉例來說，控制器142可能從雷射掃描系統202接收對應於容器112的內表面的量測輪廓512的第一資訊，如上所述。

如第10圖中進一步所示，製程1000可能包括從雷射掃描系統接收對應於容器的內表面的參考輪廓的第二資訊（方塊1020）。舉例來說，控制器142可能從雷射掃描系統202接收對應於容器112的內表面的參考輪廓504的第二資訊，如上所述。

如第10圖中進一步所示，製程1000可能包括產生容器的內表面的三維輪廓（方塊1030）。舉例來說，控制器142可能產生容器112的內表面的三維輪廓514。在一些實施方式中，產生三維輪廓514係基於第一資訊和第二資訊。

如第10圖中進一步所示，製程1000可能包括基於三維輪廓測定目標材料的累積量（方塊1040）。舉例來說，控制器142可能基於三維輪廓514測定目標材料510的累積量516，如上所述。

製程1000可能包括額外的實施方式，例如任何單獨的實施方式或下文所述和/或結合本揭露別處所述的一或多個其他製程的實施方式的任何組合。

在第一實施方式中，對應於參考輪廓504的第二資訊對應於容器112的內表面的黃金輪廓，其指示容器112的內表面的清潔狀態。

在第二實施方式中，單獨或與第一實施方式組合，目標材料510對應於錫材料。

在第三實施方式中，單獨或與第一實施方式和第二實施方式中的一或多個組合，製程1000包括測定目標材料510的累積量與包括容器112的EUV輻射源102的至少一個操作條件之間的相互關係，並提供與相互關係有關的資訊，以更新機器學習模型，機器學習模型估計在EUV輻射源102的不同操作條件下，在容器112的內表面上的目標材料的累積速率。

在第四實施方式中，單獨或與第一實施方式至第三實施方式中的一或多個結合，至少一個操作條件包括EUV輻射源102的量測反射率、由EUV輻射源102執行的曝光操作的一或多個參數或EUV輻射源102的量測功率衰減。

在第五實施方式中，單獨或與第一實施方式至第四實施方式中的一或多個結合，製程1000包括將累積量的部位關聯至容器112的各別的部位，並使用機器學習模型估計與各別的部位中的每一者的清潔有關的維護計劃。

儘管第10圖示出了製程1000的示例方塊，但在一些實施方式中，製程1000可能包括與第10圖中所描繪的方塊相比額外的方塊、更少的方塊、不同的方塊或不同排列的方塊。附加地或替代地，兩個或多個製程1000的方塊可能並行執行。

第11圖是與本揭露所述的容器的檢測有關的示例製程1100的流程圖。在一些實施方式中，第11圖的一或多個製程方塊可能由控制器（例如控制器142、元件800）執行。在一些實施方式中，第11圖的一或多個製程方塊可能由另一個元件、與控制器142分離的一組元件或包括控制器142的一組元件執行，例如檢測工具140、雷射掃描系統202和/或馬達系統204（包括線性馬達子系統212和/或旋轉馬達子系統210）。附加地或替代地，第11圖的一或多個製程方塊可能由元件800的一或多個部件執行，例如處理器820、記憶體830、輸入部件840、輸出部件850和/或通訊部件860。

如第11圖中所示，製程1100可能包括向馬達系統傳輸第一訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第一線性位置上時，使雷射掃描系統繞著托架的軸旋轉，托架位於EUV輻射源的容器內（方塊1110）。舉例來說，控制器142可能向馬達系統204傳輸第一訊號，以使馬達系統204在雷射掃描系統202位於第一線性位置上時，使雷射掃描系統202繞著托架的軸216旋轉，托架位於EUV輻射源（例如輻射源102）的容器112內，如上所述。在一些實施方式中，馬達系統204、雷射掃描系統202以及托架包括在檢測工具140中。在一些實施方式中，雷射掃描系統202繞著軸216在第一線性位置上旋轉時，掃描容器112的內表面的第一層。

如第11圖中進一步所示，製程1100可能包括向馬達系統傳輸第二訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第二線性位置上時，使雷射掃描系統繞著軸旋轉（方塊1120）。舉例來說，控制器142可能向馬達系統204傳輸第二訊號，以使馬達系統204在雷射掃描系統202位於第二線性位置上時，使雷射掃描系統202繞著軸216旋轉，如上所述。在一些實施方式中，雷射掃描系統202繞著軸216在第二線性位置上旋轉時，掃描容器112的內表面的第二層。

製程1100可能包括額外的實施方式，例如任何單獨的實施方式或下文所述和/或結合本揭露別處所述的一或多個其他製程的實施方式的任何組合。

在第一實施方式中，容器的內表面的第一層的高度在從大約0.5公分到大約5.5公分的範圍內，並且其中容器的內表面的第二層的高度在從大約5.0公分到大約21.0公分的範圍內。在第二實施方式中，單獨或與第一實施方式組合，掃描第一層對應於掃描容器的中間焦點帽部位，並且其中掃描第二層對應於掃描容器的下錐形體部位、容器的洗滌器部位或容器的葉片部位。在第三實施方式中，單獨或與第一實施方式和第二實施方式中的一或多個組合，製程1100包括接收與內表面的量測輪廓相關聯的資訊、基於資訊測定在內表面上的目標材料的累積量不滿足閾值以及傳輸訊號以使檢測工具輸出內表面需要清潔的通知。

在第四實施方式中，單獨或與第一實施方式至第三實施方式中的一或多個組合，閾值對應於內表面的第一層的閾值與內表面的第二層的閾值中的至少一個。在第五實施方式中，單獨或與第一實施方式至第四實施方式中的一或多個組合，製程1100包括由控制器向馬達系統傳輸第三訊號，以使馬達系統將雷射掃描系統定位在沿著位於容器內的托架的軸的第一線性位置上，並由控制器向馬達系統傳輸第四訊號，以使馬達系統將雷射掃描系統定位在沿著位於容器內的托架的軸的第二線性位置上。在第六實施方式中，單獨或與第一實施方式至第五實施方式中的一或多個結合，製程1100包括由控制器向雷射掃描系統傳輸第三訊號，以使雷射掃描系統掃描容器的內表面的第一層，並由控制器向雷射掃描系統傳輸第四訊號，以使雷射掃描系統掃描容器的內表面的第二層。在第七實施方式中，單獨或與第一實施方式至第六實施方式中的一或多個結合，雷射掃描系統在掃描第一層之後，掃描第二層。

儘管第11圖示出了製程1100的示例方塊，但在一些實施方式中，製程1100包括與第11圖中描繪的那些方塊相比額外的方塊、更少的方塊、不同的方塊或不同排列的方塊。附加地或替代地，兩個或多個製程1100的方塊可能並行執行。

本揭露所述的一些實施方式提供用於檢測輻射源的容器的內表面的目標材料的累積的技術和設備。可能將包括由伸長支撐構件支撐的雷射掃描系統和馬達系統的檢測工具插入容器中，以產生內表面的精確三維輪廓。檢測工具的使用是有效率的，具有短的設置時間和掃描，這實質上減少了與估計容器的內表面的累積相關聯的持續時間。如此一來，本揭露所述的檢測工具可能減少包括EUV容器的微影系統的停機時間，並可能提高微影系統的產能和產量。

如上面所詳述的，本揭露所述的一些實施方式提供一種方法。方法包括藉由控制器向馬達系統傳輸第一訊號，以使馬達系統將雷射掃描系統定位在位於托架的軸上的第一線性位置上，托架位於EUV輻射源的容器內，其中馬達系統、雷射掃描系統以及托架包括在檢測工具中。方法包括藉由控制器向馬達系統傳輸第二訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第一線性位置上時，使雷射掃描系統繞著軸旋轉。方法包括藉由控制器向雷射掃描系統傳輸第三訊號，以使雷射掃描系統掃描容器的內表面的第一層，其中在馬達系統使雷射掃描系統在第一線性位置上繞著軸旋轉時，雷射掃描系統掃描第一層。方法包括藉由控制器向馬達系統傳輸第四訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統掃描第一層之後，沿著托架的軸線性地移動雷射掃描系統到軸上的第二線性位置。方法包括藉由控制器向馬達系統傳輸第五訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第二線性位置上時，使雷射掃描系統繞著軸旋轉。方法包括藉由控制器向雷射掃描系統傳輸第六訊號，以使雷射掃描系統掃描容器的內表面的第二層，其中在馬達系統使雷射掃描系統在第二線性位置上繞著軸旋轉時，雷射掃描系統掃描第二層。

如上面所詳述的，本揭露所述的一些實施方式提供一種方法。方法包括藉由控制器從雷射掃描系統接收對應於容器的內表面的量測輪廓的第一資訊。方法包括藉由控制器從雷射掃描系統接收對應於容器的內表面的參考輪廓的第二資訊。方法包括藉由控制器產生容器的內表面的三維輪廓，其中產生三維輪廓係基於第一資訊和第二資訊。方法包括藉由控制器基於三維輪廓測定目標材料的累積量。

如上面所詳述的，本揭露所述的一些實施方式提供一種檢測工具。檢測工具包括托架，托架包括伸長支撐構件，其中伸長支撐構件配置以至少部分地插入到EUV輻射源的容器中。檢測工具包括藉由托架支撐的雷射掃描系統，並配置以產生容器的內表面的一部位的掃描，並將與掃描有關的資訊傳輸到控制器。檢測工具包括馬達系統，馬達系統配置以沿著相對於托架的一或多個路徑調整雷射掃描系統的一或多個位置，以產生掃描。檢測工具包括控制器，控制器配置以從雷射掃描系統接收與掃描有關的資訊，並基於與掃描有關的資訊測定在內表面的部位上的目標材料的累積。

如上面所詳述的，本揭露所述的一些實施方式提供一種方法。方法包括藉由控制器向馬達系統傳輸第一訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第一線性位置上時，使雷射掃描系統繞著托架的軸旋轉，托架位於EUV輻射源的容器內。馬達系統、雷射掃描系統以及托架包括在檢測工具中。雷射掃描系統在第一線性位置上繞著軸旋轉時，掃描容器的內表面的第一層。方法包括藉由控制器向馬達系統傳輸第二訊號，以使馬達系統在雷射掃描系統位於第二線性位置上時，使雷射掃描系統繞著軸旋轉。雷射掃描系統在第二線性位置上繞著軸旋轉時，掃描容器的內表面的第二層。

前述概述了幾個實施方式或實施例的特徵，以便本領域具有知識者可更能理解本揭露的各方面。本領域具有知識者應當理解，他們可以容易地將本揭露作為設計或修改其他製程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式或實施例相同的目的和/或實現相同的優點。本領域具有知識者還應該認識到，這樣的均等構造不脫離本揭露的精神和範圍，並且在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，他們可以在這裡進行各種改變、替換以及變更。

100:微影系統 102:輻射源 104:曝光工具 106:輻射 108:光罩 110:半導體基材 112:容器 114:收集器 116:中間焦點 118:液滴 120:雷射光束 122:液滴產生器頭部 124:窗口 126:照明器 128:投影光學箱 130a,130b,132,134a,134b,134c,134d,134e,134f:反射鏡 136:基材平台 138:光罩平台 140:檢測工具 142:控制器 200,300,400,600,700:實施方式 202:雷射掃描系統 204:馬達系統 206:托架 206a:伸長支撐構件 206b:基座 206c:校準部件 208:掃描 210:旋轉馬達子系統 212:線性馬達子系統 214:旋轉移動 216:軸 218:線性移動 302,308:實施例 304,310:層 306,312:高度 402,404,406:路徑 500:示意圖 502,508:實施例 504:參考輪廓 506:位置 510:目標材料 512:量測輪廓 514:三維輪廓 516:累積量 602,602-1,602-2:通訊鏈 702,704,706,710,714,718,722,724,726:操作 708:中間焦點帽部位 712:下錐形體部位 716:洗滌器部位 720:葉片部位 800:元件 810:匯流排 820:處理器 830:記憶體 840:輸入部件 850:輸出部件 860:通訊部件 900,1000,1100:製程 910,920,930,940,950,960,1010,1020,1030,1040,1110,1120:方塊

當結合圖式閱讀時，得以自以下詳細描述最佳地理解本揭露。需強調的是，根據本領域之標準實務，各種特徵並未按比例繪製。事實上，為了論述清楚起見，可任意地增大或減少各種特徵之尺寸。 第1圖為本揭露所述之示例微影系統之示意圖。 第2圖為本揭露所述之檢測工具之示例實施方式之示意圖。 第3圖為本揭露所述之示例實施方式之示意圖。 第4圖為本揭露所述之示例實施方式之示意圖。 第5圖為本揭露所述之示例容器之內表面之示例輪廓之示意圖。 第6圖為本揭露所述之示例檢測工具之示例控制器之示意圖。 第7A圖至第7E圖為本揭露所述之示例實施方式之示意圖。 第8圖為本揭露所述之第1圖之一或多個元件之示例部件之示意圖。 第9圖至第11圖為本揭露所述之與容器之檢測有關為示例製程之流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

140:檢測工具

200:實施方式

202:雷射掃描系統

204:馬達系統

206:托架

206a:伸長支撐構件

206b:基座

206c:校準部件

208:掃描

210:旋轉馬達子系統

212:線性馬達子系統

214:旋轉移動

216:軸

218:線性移動

Claims (20)

1. 一種方法，包含： 藉由一控制器向一馬達系統傳輸一第一訊號，以使該馬達系統在一雷射掃描系統位於一第一線性位置上時，使該雷射掃描系統繞著一托架的一軸旋轉，該托架位在一極紫外光輻射源之一容器內， 其中該馬達系統、該雷射掃描系統以及該托架包含在一檢測工具中，以及 其中該雷射掃描系統在該第一線性位置上繞著該軸旋轉時，掃描該容器之一內表面之一第一層；以及 藉由該控制器向該馬達系統傳輸一第二訊號，以使該馬達系統在該雷射掃描系統位於一第二線性位置上時，使該雷射掃描系統繞著該軸旋轉， 其中該雷射掃描系統在該第二線性位置上繞著該軸旋轉時，掃描該容器之該內表面之一第二層。
2. 如請求項1所述之方法，其中該容器之該內表面之該第一層之一高度在從大約0.5公分至大約5.5公分之一範圍內；以及 其中該容器之該內表面之該第二層之一高度在從大約5.0公分至大約21.0公分之一範圍內。
3. 如請求項1所述之方法，其中掃描該第一層對應於掃描該容器之一中間焦點帽部位；以及 其中掃描該第二層對應於掃描該容器之一下錐形體部位、該容器之一洗滌器部位或該容器之一葉片部位。
4. 如請求項1所述之方法，進一步包含： 接收與該內表面之一量測輪廓相關聯的資訊； 基於該資訊測定在該內表面上一目標材料之一累積量不滿足一閾值；以及 傳輸一訊號，以使該檢測工具輸出該內表面需要清潔之一通知。
5. 如請求項4所述之方法，其中該閾值對應於以下至少一者： 用於該內表面之該第一層之一閾值，或 用於該內表面之該第二層之一閾值。
6. 如請求項1所述之方法，進一步包含： 藉由該控制器向該馬達系統傳輸一第三訊號，以使該馬達系統將該雷射掃描系統定位於沿著位於該容器內之該托架之該軸之該第一線性位置上；以及 藉由該控制器向該馬達系統傳輸一第四訊號，以使該馬達系統將該雷射掃描系統定位於沿著位於該容器內之該托架之該軸之該第二線性位置上。
7. 如請求項1所述之方法，進一步包含： 藉由該控制器向該雷射掃描系統傳輸一第三訊號，以使該雷射掃描系統掃描該容器之一內表面之該第一層；以及 藉由該控制器向該雷射掃描系統傳輸一第四訊號，以使該雷射掃描系統掃描該容器之該內表面之該第二層。
8. 如請求項1所述之方法，其中該雷射掃描系統在掃描該第一層之後，掃描該第二層。
9. 一種方法，包含： 藉由一控制器從一雷射掃描系統接收對應於一容器之一內表面之一量測輪廓的第一資訊； 藉由該控制器從該雷射掃描系統接收對應於該容器之該內表面之一參考輪廓的第二資訊； 藉由該控制器產生該容器之該內表面之一三維輪廓， 其中產生該三維輪廓係基於該第一資訊與該第二資訊；以及 藉由該控制器基於該三維輪廓測定一目標材料之一累積量。
10. 如請求項9所述之方法，其中對應於該參考輪廓的該第二資訊對應於該容器之該內表面之一黃金輪廓，該黃金輪廓指示該容器之該內表面之一清潔狀態。
11. 如請求項9所述之方法，其中該目標材料對應於一錫材料。
12. 如請求項9所述之方法，進一步包含： 測定該目標材料之該累積量與包含該容器之一極紫外光輻射源之至少一操作條件之間之一相互關係；以及 提供與該相互關係有關之資訊，以更新一機器學習模型，該機器學習模型估計在該極紫外光輻射源之複數個不同操作條件下，在該容器之該內表面上之一目標材料之複數個累積速率。
13. 如請求項12所述之方法，其中該至少一操作條件包含該極紫外光輻射源之一量測反射率、藉由該極紫外光輻射源執行的一曝光操作的一或多個參數或該極紫外光輻射源的一量測功率衰減。
14. 如請求項9所述之方法，進一步包含： 將該累積量的複數個部位關聯至該容器的複數個各別的部位；以及 使用一機器學習模型估計與該些各別的部位中之每一者的清潔有關的一維護計劃。
15. 一種檢測工具，包含： 一托架，包含一伸長支撐構件， 其中該伸長支撐構件配置以至少部分地插入一極紫外光輻射源之一容器中； 一雷射掃描系統，藉由該托架支撐且配置以： 產生該容器之一內表面之一部位的複數個掃描；以及 將與該些掃描有關的資訊傳輸至一控制器； 一馬達系統，配置以： 沿著相對於該托架的一或多個路徑，調整該雷射掃描系統的一或多個位置，以產生該些掃描；以及 該控制器配置以： 從該雷射掃描系統接收與該些掃描有關的該資訊；以及 基於與該些掃描有關的該資訊，測定在該內表面之該部位上之一目標材料之一累積量。
16. 如請求項15所述之檢測工具，其中該一或多個路徑包含一近似螺旋形之路徑。
17. 如請求項15所述之檢測工具，其中該一或多個路徑包含一近似線性之路徑。
18. 如請求項15所述之檢測工具，其中該一或多個路徑包含一近似徑向之路徑。
19. 如請求項15所述之檢測工具，其中該容器之該內表面之該部位對應於一中間焦點帽部位、一下錐形體部位、一洗滌器部位或一葉片部位。
20. 如請求項15所述之檢測工具，其中該容器之該內表面之該部位對應於一整體部位。

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