TW202313905A - 表面保護膜以及光學零件 - Google Patents

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小林弘幸
新見洋人
五十嵐智美
南絵美子
積田幸衣
山口和哉
林益史
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日商藤森工業股份有限公司
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Abstract

本發明之表面保護膜係具備基材膜、黏著劑層及剝離膜。前述剝離膜係具備樹脂膜、及積層於前述樹脂膜的前述黏著劑層之側之面的剝離劑層。前述剝離劑層含有以二甲基聚矽氧烷作為主成分之剝離劑、及抗靜電劑。前述黏著劑層係由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑及交聯劑之黏著劑所形成。前述交聯劑使前述(甲基)丙烯酸酯共聚物交聯。前述黏著劑中之前述聚矽氧系界面活性劑與前述氟系界面活性劑之添加比率(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑)以固形物換算計為質量比20／80至90／10。

Description

表面保護膜以及光學零件
本發明係關於一種表面保護膜以及光學零件。
於將偏光板、相位差板、顯示器用透鏡膜、抗反射膜、硬塗膜、觸控面板用透明導電性膜等光學用膜及使用該光學用膜之顯示器等光學製品加以製造、搬運時，於該光學用膜之表面貼合表面保護膜，防止後續步驟中之表面之污垢或損傷。關於作為製品之光學用膜之外觀檢查，為了節省剝下表面保護膜後再次貼合之勞力而提高作業效率，有時保持將表面保護膜貼合於光學用膜之狀態而進行上述外觀檢查。
先前以來，為了於光學製品之製造步驟中防止對光學製品之表面的傷痕或污垢之附著，通常使用在基材膜之單面設有黏著劑層的表面保護膜。表面保護膜係經由微黏著力之黏著劑層而貼合於光學用膜。將黏著劑層設為微黏著力之原因在於：於將使用完畢之表面保護膜自光學用膜之表面加以剝離去掉時能夠容易地剝離，並且使黏著劑不附著而殘留於被黏附體之製品之光學用膜(所謂防止殘膠之產生)。
近年來，於液晶顯示器面板之生產步驟中，雖然產生件數少但亦發生下述現象：由於將貼合於光學用膜之上的表面保護膜加以剝離去除時產生之剝離帶電壓，導致用以控制液晶顯示器面板之顯示畫面的驅動IC(Integrated Circuit；積體電路)等電路零件遭破壞之現象、或者液晶分子之配向損傷之現象。 另外，為了降低液晶顯示器面板之消耗電力，液晶材料之驅動電壓逐漸降低，伴隨於此，驅動IC之破壞電壓亦降低。最近，要求將表面保護膜之剝離帶電壓設為-0.7kV至+0.7kV之範圍內。
近年來，正進行顯示器之高精細化、高畫質化，與此相應地正推進光學用膜之高功能化。例如，正使用對表面實施有抗反射(AR：Anti-Refrection)處理或低反射(LR：Low-Refrection)處理之光學用膜、或者實施有防眩光(AG：Anti-Glare)處理與低反射(LR)處理兩者之(AGLR)光學用膜。 例如，若將貼合於偏光板等光學用膜之表面的表面保護膜剝下後，偏光板等光學用膜之表面因表面保護膜所使用之黏著劑或抗靜電劑而被污染，則有時成為外觀缺點。即便為先前之偏光板中看不到的微小污染，於經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜中，亦有作為缺點而被辨視之虞。
另外，於若干液晶面板製造廠中，作為表面保護膜對被黏附體之污染性之評價方法，正採用下述方法：將貼合於偏光板等光學用膜之表面保護膜暫且剝下，以混入有氣泡之狀態重新貼合，將所得之物品以預定條件進行加熱處理，然後剝下表面保護膜而觀察被黏附體之表面。此種評價方法中，即便被黏附體之表面污染為微量，若於混入有氣泡之部分、與表面保護膜之黏著劑接觸之部分中有被黏附體之表面污染之差，則作為氣泡之痕跡(有時亦稱為氣泡斑痕)而殘留。因此，作為對被黏附體之表面的污染性之評價方法，成為非常嚴格之評價方法。近年來，即便是利用此種嚴格之評價方法所進行判定的結果，仍要求對被黏附體之表面的污染性並無問題的表面保護膜。
另一方面，對於此種經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜而言，大多情況下將氟系化合物或矽系化合物用於表面處理，若存在氟系化合物或矽系化合物，則有表面保護膜剝離時之剝離帶電壓變高之傾向。作為用於此種光學用膜之表面保護膜，要求能夠較先前的表面保護膜進一步降低剝離帶電。
於將表面保護膜自作為被黏附體之光學用膜加以剝離時，為了防止由剝離帶電壓高所致之不良狀況，提出有用以將剝離帶電壓抑制得低的使用有包含抗靜電劑之黏著劑層的表面保護膜。
例如，於專利文獻1中揭示有一種表面保護膜，係使用有由烷基三甲基銨鹽、含羥基之丙烯酸系聚合物及聚異氰酸酯所構成之黏著劑。 另外，於專利文獻2中揭示有一種黏著劑組成物以及使用該黏著劑組成物之黏著片類，上述黏著劑組成物係由離子性液體及酸值為1.0以下之丙烯酸聚合物所構成。 另外，於專利文獻3中揭示有一種黏著組成物以及使用該黏著組成物之表面保護膜，上述黏著組成物係由丙烯酸聚合物、聚醚多元醇化合物及經陰離子吸附性化合物進行了處理之鹼金屬鹽所構成。 另外，於專利文獻4中揭示有一種黏著劑組成物以及使用該黏著劑組成物之表面保護膜，上述黏著劑組成物係由離子性液體、鹼金屬鹽及玻璃轉移溫度0℃以下之聚合物所構成。進而，於專利文獻5中揭示有一種具有黏著劑層之表面保護膜，上述黏著劑層係於丙烯酸系黏著劑另外添加抗靜電劑及於結構中含有氟或矽之化合物而成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-131957號公報。 [專利文獻2]日本特開2005-330464號公報。 [專利文獻3]日本特開2005-314476號公報。 [專利文獻4]日本特開2006-152235號公報。 [專利文獻5]日本特開2011-063712號公報。
[發明所欲解決之課題]
上述專利文獻1所記載之技術中，存在下述課題：於將表面保護膜自作為被黏附體之光學用膜加以剝離時，剝離帶電壓難以降低。尤其對於使用缺乏吸濕性之丙烯酸膜或PET(Polyethylene terephthalate；聚對苯二甲酸乙二酯)膜作為偏光元件之保護材料的偏光板而言，有將表面保護膜加以剝離時之剝離帶電壓變高之課題。於使用相對較不易受到濕度之影響的離子性液體或鹼金屬鹽作為抗靜電劑的專利文獻2至專利文獻4所記載之技術中，與專利文獻1所記載之技術相比較，相對於將丙烯酸膜或PET膜用於保護偏光元件的偏光板而言，雖然能夠降低將表面保護膜加以剝離時之剝離帶電壓，但即便如此，對於經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜而言，仍有剝離帶電壓無法滿足要求品質之虞。
專利文獻5所記載之技術中，提出有下述表面保護膜：對於具備利用含氟化合物或含矽化合物對表面賦予功能性而成之功能層的硬塗(HC)偏光板、或者AR膜或AGLR偏光板等被黏附體，能夠降低剝離帶電壓。然而，該表面保護膜係由於成為基底之偏光板所使用之構件由具有吸濕性之TAC(Triacetyl Cellulose；三乙醯纖維素)膜變更為缺乏吸濕性之丙烯酸膜或PET膜，因此更容易帶電，表面保護膜剝離時之剝離帶電壓無法滿足要求品質。為了降低剝離帶電壓，需要增加所添加之於結構中含有氟或矽之化合物之添加量，有伴隨添加量之增加而將作為被黏附體之光學用膜的表面污染之虞。尤其對於經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜而言，容易看到污染，有即使是微量之污染物質之殘留亦導致光學用膜之外觀品質降低之可能性。
如此一來，經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜有表面保護膜剝離時之剝離帶電壓變高之傾向，並且有即使是微量之污染亦導致外觀不良之可能性。因此，要求下述表面保護膜：用於光學用膜，並且即使對於經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜亦能夠使用，對被黏附體之污染非常少，且將自被黏附體剝離表面保護膜時之剝離帶電壓抑制得低。
本發明之一態樣係鑒於上述情況而成，其課題在於提供一種被黏附體之應用範圍廣、對被黏附體之污染少且將剝離帶電壓抑制得低的表面保護膜以及光學零件。 [用以解決課題之手段]
本案發明人對上述課題進行了潛心研究。 本案發明人研究出了下述表面保護膜：對被黏附體之污染少，並且即使對於經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜，尤其是使用吸濕性低而容易帶電之丙烯酸膜或PET膜的經實施AR、LR或AGLR處理之偏光板，仍將自被黏附體剝離表面保護膜時之剝離帶電壓抑制得低。
本案發明人於研究時，考慮了將表面保護膜自作為被黏附體之光學用膜加以剝離時產生之剝離帶電現象。剝離帶電為將兩種材料自接觸狀態分離(剝離)時帶電之現象，關於帶電量，可認為兩種材料之摩電電序(Triboelectric Series)於摩電電序上越遠離則帶電量越變大。
對表面實施有抗反射(AR：Anti-Refrection)處理或低反射(LR：Low-Refrection)處理之光學用膜中，為了發揮抗反射功能或低反射功能，於表面使用氟等低折射率之材料。 於考慮將表面保護膜自作為被黏附體之光學用膜加以剝離的現象之情形時，可認為，表面保護膜之剝離係使光學用膜表面與表面保護膜之黏著劑層自接觸狀態於光學用膜表面與黏著劑層之界面加以分離。 本案發明人認為，光學用膜表面之物質與黏著劑層之物質之摩電電序越接近，則越能夠降低剝離帶電壓。因此，可認為由於抗反射處理或低反射處理中多使用氟作為低折射材料，故而若於黏著劑層使用氟系之物質，則能夠降低剝離帶電壓。
另一方面，即便於剝離時產生之帶電量(電動勢電壓)小，若不將於表面所帶之靜電迅速釋放則帶電殘留，故而可認為需要將靜電快速釋放，因此發現聚矽氧系界面活性劑有效，而完成了本發明。 本發明之一態樣之設計理念在於：藉由添加氟系界面活性劑，而降低於剝離時產生之電動勢電壓，且藉由添加聚矽氧系界面活性劑，而將所帶之靜電瞬時釋放來降低剝離帶電壓。
為了解決上述課題，本發明之一態樣之技術思想在於：藉由在黏著劑層添加氟系界面活性劑，而降低於剝離時產生之電動勢電壓，且藉由添加聚矽氧系界面活性劑，而將所帶之靜電瞬時釋放來降低剝離帶電壓。
本發明之一態樣提供一種表面保護膜，係具備：基材膜，由具有透明性之樹脂所構成；黏著劑層，形成於前述基材膜之一面；以及剝離膜，形成於該黏著劑層中與前述基材膜相反之側；並且，前述剝離膜具備樹脂膜、及積層於前述樹脂膜的前述黏著劑層之側之面的剝離劑層，前述剝離劑層含有以二甲基聚矽氧烷作為主成分之剝離劑、及抗靜電劑；前述黏著劑層係由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑及交聯劑之黏著劑所形成；前述交聯劑使前述(甲基)丙烯酸酯共聚物交聯；前述黏著劑中之前述聚矽氧系界面活性劑與前述氟系界面活性劑之添加比率(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑)以固形物換算計為質量比20／80至90／10。
前述(甲基)丙烯酸酯共聚物較佳為包含具有烷基之丙烯酸酯、具有氧化烯烴基之丙烯酸酯及具有羥基之丙烯酸酯中的一種以上之共聚物。
前述抗靜電劑較佳為離子性化合物。
前述抗靜電劑較佳為鹼金屬鹽或於20℃為固體之離子性化合物。
前述表面保護膜較佳為在相對於低反射處理偏光板(LR偏光板)之剝離速度0.3m/min時之低速黏著力為0.2N/25mm以下，剝離速度30m/min時之高速黏著力為0.8N/25mm以下，剝離時之剝離帶電壓為-0.7kV至+0.7kV以下。
本發明之另一態樣提供一種光學零件，係貼合有前述表面保護膜。 [發明功效]
本發明之一態樣可提供下述表面保護膜：被黏附體之應用範圍廣，對被黏附體之污染非常少，並且將自被黏附體剝離表面保護膜時之剝離帶電壓抑制得低。 根據本發明之一態樣，能夠保護光學用膜之表面，並且抑制表面保護膜剝離時產生大的剝離帶電壓或抑制被黏附體污染，故而能夠謀求生產性之提高與良率之提高。
以下，基於實施形態對本發明加以詳細說明。 圖1係表示實施形態之表面保護膜之概念的剖面圖。 如圖1所示，實施形態之表面保護膜10係於透明之基材膜1之一表面(圖1中為上表面)形成有黏著劑層2。於黏著劑層2之表面，貼合有於樹脂膜3之表面形成有剝離劑層4之剝離膜5。亦即，表面保護膜10係使得基材膜1、黏著劑層2及剝離膜5依序積層而構成。剝離膜5係使得樹脂膜3與剝離劑層4積層而構成。
[基材膜] 作為基材膜1，可使用由具有透明性及可撓性之樹脂所構成之基材膜。藉此，能夠於將表面保護膜10貼合於作為被黏附體之光學零件之狀態下，進行光學零件之外觀檢查。作為基材膜1而使用的由具有透明性之樹脂所構成之膜可適宜使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯膜。除了聚酯膜以外，只要具有必要之強度且具有光學適性，則亦可使用由其他樹脂所構成之膜。基材膜1可為未延伸膜，亦可為經單軸或雙軸延伸之膜。另外，亦可將延伸膜之延伸倍率、或伴隨延伸膜之結晶所形成的軸方向之配向角度控制為特定之值。
所謂「透明」，例如意指於測定波長380nm至780nm之範圍內進行測定時，作為全波長區域之厚度方向之穿透率之平均值而算出的可見光穿透率為50%以上(較佳為70%以上，進而較佳為80%以上)。光穿透率可依據JIS(Japan Industrial Standards；日本工業標準)K 7375:2008所規定之「塑膠-總光線穿透率及總光線反射率之求出方法」進行測定。
基材膜1之厚度並無特別限定，例如較佳為12μm至100μm左右之厚度，若為20μm至50μm左右之厚度則容易操作而更佳。 另外，根據需要，可於基材膜1中的形成有黏著劑層2之面的相反側之面(圖1中為下表面)，設置防止表面之污垢的防汙層、抗靜電層、防損傷之硬塗層等。另外，亦可對基材膜1之表面實施利用電暈放電之表面改質、增黏塗劑之塗附等易接著處理。
[黏著劑層] 黏著劑層2為具有下述特徵之黏著劑層：接著於被黏附體之表面，於使用完畢後能夠簡單地剝下，並且不易污染被黏附體。黏著劑層2係由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑及交聯劑之黏著劑所形成。黏著劑層2為藉由前述交聯劑使(甲基)丙烯酸酯共聚物交聯而成之黏著劑層。黏著劑層2具有透明性。
作為(甲基)丙烯酸酯共聚物，可列舉：將(1)具有烷基之(甲基)丙烯酸酯、(2)具有氧化烯烴基之(甲基)丙烯酸酯、(3)具有羥基之(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯加以共聚所獲得之共聚物等。(甲基)丙烯酸酯共聚物可為包含(1)、(2)、(3)中的一種以上之共聚物。
作為具有烷基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸異肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸異鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯等。
具有氧化烯烴基之(甲基)丙烯酸酯只要為將聚伸烷基二醇所具有之多個羥基中的一個羥基以(甲基)丙烯酸酯之形式酯化而成的化合物即可。具有氧化烯烴基之(甲基)丙烯酸酯係(甲基)丙烯酸酯基成為聚合性基，故而能夠於主劑聚合物進行共聚。其他羥基可保持OH，亦可成為甲基醚或乙基醚等烷基醚，亦可成為乙酸酯等飽和羧酸酯等。作為聚伸烷基二醇所具有之伸烷基，可列舉伸乙基、伸丙基、伸丁基等，但不限定於這些伸烷基。聚伸烷基二醇亦可為聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等中的兩種以上之共聚物。 作為聚伸烷基二醇之共聚物，可列舉：聚乙二醇-聚丙二醇、聚乙二醇-聚丁二醇、聚丙二醇-聚丁二醇、聚乙二醇-聚丙二醇-聚丁二醇等。該共聚物可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。構成聚伸烷基二醇鏈之氧化烯烴之平均重複數較佳為3至14。所謂「氧化烯烴之平均重複數」，為聚伸烷基二醇單(甲基)丙烯酸酯單體之分子結構所含的「聚伸烷基二醇鏈」之部分中，氧化烯烴單元重複之平均數。
聚伸烷基二醇單(甲基)丙烯酸酯單體較佳為選自聚伸烷基二醇單(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯中的至少一種。 更具體可列舉：聚乙二醇-單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇-單(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇-單(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇-聚丙二醇-單(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇-聚丁二醇-單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇-聚丁二醇-單(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇-聚丙二醇-聚丁二醇-單(甲基)丙烯酸酯；甲氧基聚乙二醇-(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇-(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯、甲氧基-聚乙二醇-聚丙二醇-(甲基)丙烯酸酯、甲氧基-聚乙二醇-聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯、甲氧基-聚丙二醇-聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯、甲氧基-聚乙二醇-聚丙二醇-聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯；乙氧基聚乙二醇-(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇-(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯、乙氧基-聚乙二醇-聚丙二醇-(甲基)丙烯酸酯、乙氧基-聚乙二醇-聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯、乙氧基-聚丙二醇-聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯、乙氧基-聚乙二醇-聚丙二醇-聚丁二醇-(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉：(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；N-羥基(甲基)丙烯醯胺、N-羥基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥基乙基(甲基)丙烯醯胺等含羥基之(甲基)丙烯醯胺類等。
(甲基)丙烯酸酯共聚物亦可為包含(4)具有羧基之(甲基)丙烯酸酯、(5)具有羧基之(甲基)丙烯酸、(6)含氮之乙烯基單體中的一種以上之共聚物。
作為具有羧基之丙烯酸酯，可列舉：(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基丙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基馬來酸、羧基聚己內酯單(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基四氫鄰苯二甲酸等。
作為含氮之乙烯基單體，可列舉：含有醯胺鍵之乙烯基單體、含有胺基之乙烯基單體、具有含氮雜環式結構之乙烯基單體等。更具體可列舉：N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-乙烯基月桂醯胺等具有N-乙烯基取代之雜環式結構的環狀氮乙烯基化合物；N-(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-(甲基)丙烯醯基哌嗪、N-(甲基)丙烯醯基氮丙啶、N-(甲基)丙烯醯基吖呾、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶、N-(甲基)丙烯醯基哌啶、N-(甲基)丙烯醯基氮雜環庚烷、N-(甲基)丙烯醯基氮雜環辛烷等具有N-(甲基)丙烯醯基取代之雜環式結構的環狀氮乙烯基化合物；N-環己基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等具有於環內含有氮原子及乙烯系不飽和鍵之雜環式結構的環狀氮乙烯基化合物；(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-三級丁基(甲基)丙烯醯胺等未經取代或單烷基取代之(甲基)丙烯醯胺；N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二丙基丙烯醯胺、N,N-二異丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二丁基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基-N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基-N-丙基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基-N-異丙基(甲基)丙烯醯胺等二烷基取代(甲基)丙烯醯胺；N,N-二甲基胺基甲基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基異丙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丁基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基甲基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-乙基-N-甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-甲基-N-丙基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-甲基-N-異丙基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二丁基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、三級丁基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯等二烷基胺基(甲基)丙烯酸酯；N,N-二甲基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二丙基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二異丙基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基-N-甲基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基-N-丙基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基-N-異丙基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺等N,N-二烷基取代胺基丙基(甲基)丙烯醯胺；N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基-N-甲基乙醯胺等N-乙烯基羧酸醯胺類；N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙氧基乙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺、N,N-亞甲基雙(甲基)丙烯醯胺等(甲基)丙烯醯胺類；(甲基)丙烯腈等不飽和羧酸腈類等。
如上文所述，黏著劑層2包含聚矽氧系界面活性劑。 聚矽氧系界面活性劑係以下述目的添加：提高導電性，將表面保護膜剝離時產生之靜電迅速釋放而降低帶電量。
下述參考例1為藉由添加聚矽氧系界面活性劑而確認到黏著劑層之導電性提高的試驗結果。 [參考例1] 製作於由(甲基)丙烯酸酯共聚物、抗靜電劑及交聯劑所構成之黏著劑組成物添加聚矽氧系界面活性劑而成的黏著劑層以及於前述黏著劑組成物不添加聚矽氧系界面活性劑之黏著劑層。利用高電阻計(三菱化學分析科技(Mitsubishi Chemical Analytech)公司製造之Hiresta UP)來測定所得之黏著劑層之表面比電阻值。
[黏著劑層之製作] 製作由丙烯酸2-乙基己酯80質量份、甲氧基聚乙二醇(400)甲基丙烯酸酯17質量份及丙烯酸2-羥基乙酯3質量份之共聚物所構成之黏著劑。相對於該黏著劑之40%乙酸乙酯溶液100質量份，添加作為抗靜電劑之鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺0.3質量份、及作為交聯劑之Coronate HX(東曹(Tosoh)股份有限公司製造，註冊商標)2質量份，進行攪拌、混合而調合黏著劑組成物。
使用敷料器將所調合之黏著劑組成物以乾燥後之黏著劑層之厚度成為20μm之方式塗佈於厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之表面。利用100℃之熱風循環式烘箱將該黏著劑組成物之層(黏著劑層)加熱乾燥3分鐘，獲得黏著膜。該黏著膜係於聚對苯二甲酸乙二酯膜之一面形成黏著劑層而構成。然後，於黏著劑層之表面貼合剝離膜(三菱化學製造之Diafoil MRF25，註冊商標；對厚度25μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之表面實施聚矽氧剝離劑處理而成)。對所得之黏著片於40℃進行3天老化。將該黏著片稱為「未添加聚矽氧界面活性劑之黏著片」。 自未添加聚矽氧界面活性劑之黏著片剝下剝離膜，利用高電阻計以100V、30秒之測定條件測定黏著劑層之表面電阻值。
除了於前述黏著劑組成物添加聚矽氧系界面活性劑Dowsil L-7002(道東麗(Dow-Toray)股份有限公司製造，註冊商標)0.1質量份以外，與前述同樣地獲得黏著片。將該黏著片稱為「添加有聚矽氧系界面活性劑之黏著片」。 自添加有聚矽氧系界面活性劑之黏著片剝下剝離膜，利用高電阻計以100V、30秒之測定條件測定黏著劑層之表面電阻值。 黏著劑層之表面電阻值之測定結果如下。
[黏著片黏著劑層之表面電阻值] 未添加聚矽氧系界面活性劑之黏著劑層之表面電阻值為5E+13Ω/□。 添加有聚矽氧系界面活性劑之黏著劑層之表面電阻值為2E+11Ω/□。 由該試驗結果可知，藉由添加聚矽氧系界面活性劑而黏著劑層之表面電阻值降低。該試驗結果表示藉由添加聚矽氧系界面活性劑而黏著劑層之導電性提高。
聚矽氧系界面活性劑為於一分子中具有親水性基與疏水性基之物質，疏水性基為聚矽氧烷。作為聚矽氧烷，例如可列舉：聚二甲基矽氧烷、聚甲基烷基矽氧烷等。作為聚矽氧系界面活性劑，可列舉聚醚改質聚矽氧(例如聚醚改質聚矽氧烷)等。作為聚醚改質聚矽氧烷，有著：聚醚改質聚二甲基矽氧烷、聚醚改質聚甲基烷基矽氧烷、聚二醇改質聚矽氧烷等。作為聚醚改質聚矽氧烷之聚醚結構，可列舉聚乙二醇結構、聚丙二醇結構等。 聚矽氧系界面活性劑例如可使用通式(1)所表示之化合物。
Figure 02_image001
R 1及R 3為烷基。R 2為通式(2)所表示之化合物。n及m為1以上之整數。
Figure 02_image003
p為1至6之整數，q為0至50之整數，r為0至50之整數。q+r為1以上之整數。R 4為氫原子或烷基。
作為聚矽氧系界面活性劑，具體而言，例如可列舉：KF-351A、KF-352A、KF-353、KF-354L、KF-355A、KF-642、KF-644、KF-6012、KF-6017P、KF-6020、KF-6204(信越化學工業股份有限公司製造)；SH3746、SH3771、SH3772、SH3773M、SH8400、SH8700、SF8410、FZ-2110、FZ-2123、L-7001、L-7002(道東麗股份有限公司製造)；TSF-4440、TSF-4441、TSF-4445、TSF-4446、TSF-4450(邁圖高新材料(Momentive Performance Materials)公司製造)；BYK-300、BYK-306、BYK-307、BYK-320、BYK-325、BYK-330(畢克化學(BYK Chemie)公司製造)等。 L-7002包含前述通式(1)所表示之化合物。L-7002為聚醚改質聚二甲基矽氧烷。SF8410為聚醚改質聚二甲基矽氧烷。 此處例示之聚矽氧系界面活性劑除了BYK-320及BYK-325以外，為聚醚改質聚二甲基矽氧烷。BYK-320及BYK-325為聚醚改質聚甲基烷基矽氧烷。
聚矽氧系界面活性劑相對於黏著劑之添加量係根據該聚矽氧系界面活性劑之種類或與黏著劑之互溶性程度而不同，但只要考慮將表面保護膜10自被黏附體加以剝離時之所期望之剝離帶電壓、對被黏附體之污染性、黏著特性等而設定即可。聚矽氧系界面活性劑之添加量越多，越有能夠降低表面保護膜剝離時之剝離帶電壓的可能性，但容易污染被黏附體，因而需要選定適度之添加量。 例如相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份，聚矽氧系界面活性劑之添加量可設為0.005質量份至0.5質量份(更佳為0.01質量份至0.1質量份)。
如上文所述，黏著劑層2包含氟系界面活性劑。 氟系界面活性劑係以下述目的添加：針對經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜，使光學用膜表面與黏著劑層之摩電電序接近，降低表面保護膜剝離時之電動勢電壓。 氟系界面活性劑為於分子中含有氟之界面活性劑。氟系界面活性劑為於一分子中具有親水性基與疏水性基之物質，例如疏水性基含氟。
作為氟系界面活性劑，例如可使用非離子系界面活性劑。氟系界面活性劑例如具有全氟基作為含氟之疏水基。「全氟基」為烴(例如烷基)中之所有氫原子經氟原子取代之基。 作為氟系界面活性劑，可使用全氟氧化烯烴。作為氟系界面活性劑，較佳為全氟烷基氧化烯烴加成物(全氟烷基氧化乙烯加成物)。
作為氟系界面活性劑，可列舉：迪愛生(DIC)股份有限公司製造之Megaface(商標名)、尼奧斯(Neos)股份有限公司製造之Ftergent(商標名)、AGC清美化學(AGC Seimi chemical)股份有限公司製造之Surflon(商標名)等。
作為氟系界面活性劑，具體可列舉：Megaface(註冊商標)F-114、F-251、F-253、F-281、F-410、F-430、F-444、F-470、F-477、F-510至F-563、F-565、F-568至F570、F-572、F-574至F576、R-40、R-41、R-94、RS-56、RS-75、RS-78、RS-90、DS-21等；Ftergent(註冊商標)100、110、150、300、310、320、251、208M、212M、215M、250、209F、222F、245F、208G、218GL、240G、212P、220P、228P、FTX-218、DFX-18、710FL、730FL、610FM、683、601AD、602A、650AC、681等；Surflon(註冊商標)S-211、S-221、S-231、S-232、S-233、S-241、S-242、S-243、S-420、S-431、S-368、S-611、S-647、S-651、S-653、S-656、S-658、S-693、FPE-50等。
氟系界面活性劑相對於黏著劑之添加量係根據該氟系界面活性劑之種類或與黏著劑之互溶性程度而不同，但只要考慮將表面保護膜10自被黏附體加以剝離時的所期望之剝離帶電壓、對被黏附體之污染性、黏著特性等而設定即可。氟系界面活性劑之添加量越多，越有能夠降低表面保護膜剝離時之剝離帶電壓之可能性，但容易污染被黏附體，故而需要選定適度之添加量。 例如相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份，氟系界面活性劑之添加量可設為0.005質量份至0.5質量份(更佳為0.01質量份至0.1質量份)。
表面保護膜10重要的是併用氟系界面活性劑與聚矽氧系界面活性劑。實施形態之表面保護膜藉由併用氟系界面活性劑與聚矽氧系界面活性劑，即便為少量之添加，仍能夠降低表面保護膜剝離時之剝離帶電壓。由於能夠減少界面活性劑之添加量，故而不易污染被黏附體，因而能夠同時滿足被黏附體之污染性與剝離帶電壓降低之相悖特性。
黏著劑中之聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑之添加比率(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑)係以固形物換算計為質量比20／80至90／10。聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑之添加比率為聚矽氧系界面活性劑之添加量N1與氟系界面活性劑之添加量N2之質量基準的比率(N1／N2)。
若聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑之添加比率低於20／80(亦即若聚矽氧系界面活性劑少)，則將剝下表面保護膜10時產生之帶電量釋放之速度變慢，結果導致表面保護膜剝離時之剝離帶電壓變高。即便於聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑之添加比率低於20／80之情形時，若增多添加量，則亦能夠降低表面保護膜剝離時之剝離帶電壓，但被黏附體之污染增多，產生外觀缺點，故而欠佳。
另一方面，若聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑之添加比率高於90／10(亦即若聚矽氧系界面活性劑多)，則將表面保護膜10剝下時產生之起電量變大，結果表面保護膜剝離時之剝離帶電壓變高。即便於聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑之添加比率高於90／10之情形時，若增多添加量，則亦能夠降低表面保護膜剝離時之剝離帶電壓，但被黏附體之污染增多，產生外觀缺點，故而欠佳。
如上文所述，黏著劑層2為使(甲基)丙烯酸酯共聚物交聯而成之黏著劑層，包含交聯劑。 交聯劑係以使(甲基)丙烯酸酯共聚物交聯之目的而使用。作為交聯劑，可列舉：異氰酸酯化合物、環氧化合物、三聚氰胺化合物、金屬螯合化合物等。其中，較適宜為異氰酸酯化合物。
作為異氰酸酯化合物，較佳為二官能以上之異氰酸酯化合物。二官能以上之異氰酸酯化合物只要為選自於一分子中具有至少兩個以上之異氰酸酯(NCO)基之聚異氰酸酯化合物中的一種或兩種以上即可。聚異氰酸酯化合物中，有脂肪族系異氰酸酯、芳香族系異氰酸酯、非環式系異氰酸酯、脂環式系異氰酸酯等之分類，這些分類均可。作為聚異氰酸酯化合物之具體例，可列舉：六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)、三甲基六亞甲基二異氰酸酯(TMDI)等脂肪族系異氰酸酯化合物；或二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、二甲苯二異氰酸酯(XDI)、氫化二甲苯二異氰酸酯(H6XDI)、二甲基二伸苯基二異氰酸酯(TOID)、甲苯二異氰酸酯(TDI)等芳香族系異氰酸酯化合物。
作為三官能以上之異氰酸酯化合物，可列舉：二官能異氰酸酯化合物(於一分子中具有兩個NCO基之化合物)之縮二脲改質物、異氰脲酸酯改質物等。三官能以上之異氰酸酯化合物亦可為二官能異氰酸酯化合物與三元以上之多元醇(於一分子中具有至少三個以上之OH基之化合物)之加合物(多元醇改質物)等。作為三元以上之多元醇，例如有三羥甲基丙烷(TMP)、甘油等。 二官能異氰酸酯化合物及三官能異氰酸酯化合物可單獨使用，亦可併用。 關於交聯劑之添加量，並無特別限定，只要根據(甲基)丙烯酸酯共聚物之官能基量(羥基量)或黏著力等所需求之黏著特性來決定添加量即可。 例如相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份，交聯劑之添加量可設為0.1質量份至10質量份(更佳為0.5質量份至5質量份)。
於黏著劑層2，根據需要而可添加松香系、苯并呋喃-茚系、萜烯系、石油系、酚系等之增黏劑，亦可添加促進(甲基)丙烯酸酯共聚物與交聯劑之交聯反應的硬化促進劑。交聯促進劑於將聚異氰酸酯化合物作為交聯劑之情形時，只要為針對前述共聚物與交聯劑之反應(交聯反應)作為觸媒發揮功能之物質即可。作為交聯促進劑，可列舉三級胺等胺系化合物。交聯促進劑亦可為金屬螯合化合物、有機錫化合物、有機鉛化合物、有機鋅化合物等有機金屬化合物等。進而，於黏著劑層2，根據需要亦可為了抑制調配交聯劑後之黏著劑組成物之過度之黏度上升或膠化，延長黏著劑組成物之適用期，而添加酮-烯醇互變異構物化合物等硬化抑制劑。
黏著劑層2之厚度雖然並無特別限定，但例如較佳為5μm至40μm左右之厚度，更佳為10μm至30μm左右之厚度。另外，表面保護膜之在相對於被黏附體之表面的剝離速度0.3m/min時之黏著力(低速黏著力)較佳為0.3N/25mm以下，更佳為0.2N/25mm以下。另外，剝離速度30m/min時之黏著力(高速黏著力)較佳為0.8N/25mm以下。若高速黏著力超過0.8N/25mm，則有使用後將表面保護膜剝下時之作業性變差之虞。黏著劑層2之黏著力可藉由交聯劑(硬化劑)之添加量、聚矽氧系界面活性劑之添加量、氟系界面活性劑之添加量而調整。
[剝離膜] 剝離膜5係於樹脂膜3之單面積層有剝離劑層4而構成。剝離劑層4係積層於樹脂膜3的黏著劑層2側之面(圖1中為下表面)。
作為樹脂膜3，可列舉：聚酯膜、聚醯胺膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚醯亞胺膜等。作為樹脂膜3，因透明性優異或價格相對較低廉，故而尤佳為聚酯膜。樹脂膜3可為未延伸膜，亦可為經單軸或雙軸延伸之膜。另外，延伸膜之延伸倍率或伴隨延伸膜之結晶化而形成之軸方向之配向角度亦可控制為特定之値。
樹脂膜3之厚度並無特別限定，例如較佳為12μm至100μm左右之厚度，若為20μm至50μm左右之厚度則容易操作而更佳。 另外，亦可根據需要而對樹脂膜3之表面實施利用電暈放電之表面改質、增黏塗劑之塗佈等易接著處理。
剝離劑層4係含有以二甲基聚矽氧烷作為主成分之剝離劑、及抗靜電劑。 作為剝離劑，可列舉：加成反應型、縮合反應型、陽離子聚合型、自由基聚合型等公知之聚矽氧系剝離劑。作為加成反應型聚矽氧系剝離劑而市售之製品中，例如可列舉：KS-776A、KS-847T、KS-779H、KS-837、KS-778、KS-830(信越化學工業股份有限公司製造)；SRX-211、SRX-345、SRX-357、SD7333、SD7220、SD7223、LTC-300B、LTC-350G、LTC-310(道東麗股份有限公司製造)等。作為縮合反應型而市售之製品中，例如可列舉：SRX-290、SYLOFF-23(道東麗股份有限公司製造)等。作為陽離子聚合型而市售之製品中，例如可列舉：TPR-6501、TPR-6500、UV9300、VU9315、UV9430(邁圖高新材料公司製造)；X62-7622(信越化學工業股份有限公司製造)等。作為自由基聚合型而市售之製品中，例如可列舉X62-7205(信越化學工業股份有限公司製造)等。
作為抗靜電劑，較佳為對於以二甲基聚矽氧烷作為主成分之剝離劑之溶液而分散性良好，並且不妨礙剝離劑之硬化。 圖1中，圖示了剝離劑6及抗靜電劑7。抗靜電劑7係於剝離劑6中分散。 如圖2所示，抗靜電劑7自剝離劑層4轉印至黏著劑層2之表面，對黏著劑層2賦予抗靜電之功能。因此，抗靜電劑較佳為不與以二甲基聚矽氧烷作為主成分之剝離劑進行反應。作為具有不與剝離劑進行反應之性質之抗靜電劑，可列舉：鹼金屬鹽、於常溫為液體之離子性液體、於常溫為固體之離子性固體等。離子性液體亦稱為離子液體。離子性液體及離子性固體為離子性化合物。
作為鹼金屬鹽，可列舉由鋰、鈉、鉀所構成之金屬鹽。具體而言，例如適宜使用由Li +、Na +、K +中的一種以上之陽離子與Cl -、Br -、I -、BF 4 -、PF 6 -、SCN -、ClO 4 -、CF 3SO 3 -、(CF 3SO 2) 2N -、(C 2F 5SO 2) 2N -、(CF 3SO 2) 3C -中的一種以上之陰離子所構成之金屬鹽。其中，尤其可較佳地列舉：LiBr、LiI、LiBF 4、LiPF 6、LiSCN、LiClO 4、LiCF 3SO 3、Li(CF 3SO 2) 2N、Li(C 2F 5SO 2) 2N、Li(CF 3SO 2) 3C等鋰鹽。這些鹼金屬鹽可單獨使用，另外亦可混合使用兩種以上。 Li(CF 3SO 2) 2N為鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺。
離子性液體、離子性固體等離子性化合物為具有陽離子及陰離子之離子性化合物。作為陽離子，可列舉：咪唑鎓離子等環狀脒離子、吡啶鎓離子、銨離子、鋶離子、鏻離子、三正丁基甲基銨離子等。作為陰離子，可列舉：C nH 2n+1COO -、C nF 2n+1COO -、NO 3 -、C nF 2n+1SO 3 -、(C nF 2n+1SO 2) 2N -、(C nF 2n+1SO 2) 3C -、PO 4 3-、AlCl 4 -、Al 2Cl 7 -、ClO 4 -、BF 4 -、PF 6 -、AsF 6 -、SbF 6 -等。 作為離子性液體，可列舉：「(n-C 4H 9) 3(CH 3)N + -N(SO 2CF 3) 2」(三正丁基甲基銨雙三氟甲磺醯亞胺)。
抗靜電劑相對於剝離劑之添加量係根據抗靜電劑之種類或與剝離劑之親和性程度而不同。抗靜電劑之添加量只要考慮將表面保護膜10自被黏附體加以剝離時的所期望之剝離帶電壓、對被黏附體之污染性、黏著特性等而設定即可。
剝離劑層4可為剝離劑與抗靜電劑之混合物。關於剝離劑與抗靜電劑之混合方法，並無特別限定。可為下述方法等任一方法：(1)於剝離劑添加抗靜電劑，加以混合後添加、混合剝離劑硬化用觸媒之方法；(2)預先以有機溶劑將剝離劑稀釋後，添加、混合抗靜電劑及剝離劑硬化用觸媒之方法；(3)預先將剝離劑稀釋於有機溶劑後，添加、混合觸媒，然後添加、混合抗靜電劑之方法。於剝離劑層4亦可根據需要而添加矽烷偶合劑等密接提升劑。於剝離劑層4亦可添加含有聚氧伸烷基之化合物等輔助抗靜電效果之材料。
剝離劑與抗靜電劑之混合比率並無特別限定，相對於剝離劑之固形物100質量份，抗靜電劑以固形物計而較佳為5質量份至100質量份左右之比例。若相對於剝離劑之固形物100質量份，抗靜電劑之固形物換算之添加量為5質量份以上，則能夠增多抗靜電劑向黏著劑層之表面的轉印量，使黏著劑變得容易發揮抗靜電之功能。 若相對於剝離劑之固形物100質量份，抗靜電劑之固形物換算之添加量為100質量份以下，則能夠抑制剝離劑與抗靜電劑一併轉印至黏著劑層之表面。因此，能夠抑制黏著劑之黏著特性之降低。
剝離劑層4之厚度並無特別限定，大多設為0.05μm至0.4μm左右。若剝離劑層4之厚度為0.05μm以上，則剝離性能變良好。因此，剝下剝離膜5時之剝離力降低，作業性變良好。若剝離劑層4之厚度為0.4μm以下，則能夠抑制成本。
於基材膜1形成黏著劑層2之方法、及於黏著劑層2貼合剝離膜5之方法只要利用公知之方法進行即可，並無特別限定。具體可列舉：(1)於基材膜1之單面塗佈樹脂組成物(黏著劑組成物)並加以乾燥而形成黏著劑層2之後，貼合剝離膜5之方法；(2)於剝離膜5之表面塗佈樹脂組成物(黏著劑組成物)並加以乾燥而形成黏著劑層2後，貼合基材膜1之方法等，可使用任一方法。
於基材膜1之表面形成黏著劑層2之方法可為公知之方法。具體而言，可使用反向塗佈、刮刀式塗佈、凹版塗佈、狹縫模塗佈、繞線棒塗佈、氣刀塗佈等公知之塗敷方法。
具有上述構成之表面保護膜10較佳為自作為被黏附體之光學用膜加以剝離時之表面電位為-0.7kV至+0.7kV。表面電位更佳為-0.5kV至+0.5kV。表面電位尤佳為-0.1kV至+0.1kV。該表面電位可藉由增減剝離劑層所含有之抗靜電劑之種類、添加量等而調整。
表面保護膜10係於黏著劑層2併用氟系界面活性劑與聚矽氧系界面活性劑，故而即便這些界面活性劑之添加量為少量，仍能夠降低表面保護膜剝離時之剝離帶電壓。因此，亦能夠用於經實施AR、LR或AGLR處理之光學用膜。例如，亦能夠用於使用吸濕性低而容易帶電之丙烯酸膜、PET膜等之光學用膜。因此，表面保護膜10係被黏附體之適用範圍廣。
由於能夠減少界面活性劑之添加量，故而不易污染被黏附體，因而能夠同時滿足被黏附體之污染性與剝離帶電壓降低之相悖特性。因此，表面保護膜10係對被黏附體之污染非常少，並且，能夠將自被黏附體剝離表面保護膜10時之剝離帶電壓抑制得低。
圖2係表示自表面保護膜10剝下剝離膜5之狀態的剖面圖。如圖2所示，剝下剝離膜5之狀態之表面保護膜10為膜本體11。膜本體11係由基材膜1及黏著劑層2所構成。
圖3係表示本發明之光學零件之實施例的剖面圖。 如圖3所示，自表面保護膜10剝下剝離膜5，獲得膜本體11。膜本體11為黏著劑層2露出之狀態之表面保護膜。將膜本體11貼合於作為被黏附體之光學零件8。膜本體11係藉由黏著劑層2而貼附於光學零件8。將貼附有膜本體11之光學零件8稱為「光學零件20」。光學零件20為貼合有表面保護膜之光學零件。
作為成為被黏附體之光學零件，可列舉：偏光板、相位差板、透鏡膜、兼作相位差板之偏光板、兼作透鏡膜之偏光板等光學用膜。此種光學零件被用作液晶顯示面板等液晶顯示裝置、各種儀器類之光學系統裝置等之構成構件。另外，作為光學零件，亦可列舉：抗反射膜、硬塗膜、觸控面板用透明導電性膜等光學用膜。
根據光學零件20，於將表面保護膜10（詳細而言為膜本體11）自作為被黏附體之光學零件8（例如光學用膜）加以剝離去除時，能夠將剝離帶電壓抑制得充分低。因此，能夠抑制驅動IC、TFT(Thin Film Transistor；薄膜電晶體)元件、閘極線驅動電路等電路零件遭破壞。因此，能夠提高製造液晶顯示面板等之步驟中之生產效率，保持生產步驟之可靠性。 [實施例]
繼而，藉由實施例對本發明加以進一步說明。 [(甲基)丙烯酸酯共聚物A之製作] 將丙烯酸2-乙基己酯、甲氧基聚乙二醇(400)甲基丙烯酸酯及丙烯酸2-羥基乙酯以80：17：3之質量比進行共聚，獲得質量平均分子量55萬之丙烯酸酯共聚物。將該丙烯酸酯共聚物40質量份溶解於乙酸乙酯60質量份，藉此獲得(甲基)丙烯酸酯共聚物A(固形物40%之乙酸乙酯溶液)。
[(甲基)丙烯酸酯共聚物B之製作] 將丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸丁酯、甲氧基聚乙二醇(400)甲基丙烯酸酯及丙烯酸2-羥基乙酯以70：20：7：3之質量比進行共聚，獲得質量平均分子量47萬之丙烯酸酯共聚物。將該丙烯酸酯共聚物40質量份溶解於乙酸乙酯60質量份，藉此獲得(甲基)丙烯酸酯共聚物B(固形物40%之乙酸乙酯溶液)。
[剝離膜a之製作] 將加成反應型之聚矽氧(道東麗股份有限公司製造，品名：SRX-345)5質量份、鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺1.2質量份、甲苯與乙酸乙酯之1：1之混合溶媒93.8質量份、及鉑觸媒(道東麗股份有限公司製造，品名：SRX-212)0.05質量份混合，進行攪拌、混合，製備形成剝離膜a之剝離劑層的塗料。
利用繞線棒將形成剝離劑層之塗料以乾燥後之厚度成為0.2μm之方式塗佈於厚度為25μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之表面，利用120℃之熱風循環式烘箱乾燥1分鐘，獲得剝離膜a。 加成反應型之聚矽氧為剝離劑。鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺(Li(CF 3SO 2) 2N)為抗靜電劑。
[剝離膜b之製作] 使用三正丁基甲基銨雙三氟甲磺醯亞胺(3M公司製造FC-4400，熔點27.5℃)代替剝離膜a之抗靜電劑鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺，除此以外，與剝離膜a同樣地進行而獲得剝離膜b。 三正丁基甲基銨雙三氟甲磺醯亞胺為抗靜電劑。
[實施例1] [表面保護膜之製作] 相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物A(固形物40%)100質量份，添加作為聚矽氧系界面活性劑之Dowsil L-7002(道東麗股份有限公司製造，註冊商標)0.04質量份、作為氟系界面活性劑之Surflon S-243(AGC清美化學股份有限公司製造，註冊商標)0.06質量份、及作為異氰酸酯系硬化劑(交聯劑)之Coronate HX(東曹股份有限公司製造，註冊商標)2質量份，進行攪拌、混合而調合黏著劑組成物。
使用敷料器，將所調合之黏著劑組成物以乾燥後之黏著劑層之厚度成為20μm之方式塗佈於厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(基材膜)之表面。然後，利用100℃之熱風循環式烘箱加熱乾燥3分鐘，獲得黏著膜。該黏著膜係於聚對苯二甲酸乙二酯膜之一面形成黏著劑層而構成。然後，於黏著劑層之表面以剝離劑層與黏著劑層接觸之方式貼合剝離膜a。將所獲得之黏著片於40℃進行3天老化，獲得實施例1之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為40／60)。
[實施例2] [表面保護膜之製作] 將L-7002之添加量設為0.02質量份，Surflon S-243之添加量設為0.08質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例2之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為20／80)。
[實施例3] [表面保護膜之製作] 將L-7002之添加量設為0.09質量份，Surflon S-243之添加量設為0.01質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例3之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為90／10)。
[實施例4] [表面保護膜之製作] 將L-7002之添加量設為0.07質量份，將Surflon S-243之添加量設為0.03質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例4之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為70／30)。
[實施例5] [表面保護膜之製作] 將(甲基)丙烯酸酯共聚物A改為(甲基)丙烯酸酯共聚物B，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例5之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為40／60)。
[實施例6] [表面保護膜之製作] 使用剝離膜b代替剝離膜a，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例6之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為40／60)。
[實施例7] [表面保護膜之製作] 使用SF8410(道東麗股份有限公司製造)代替L-7002，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例7之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為40／60)。
[實施例8] [表面保護膜之製作] 使用Megaface F-470(迪愛生股份有限公司製造，註冊商標)代替Surflon S-243，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例8之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為40／60)。
[實施例9] [表面保護膜之製作] 使用Megaface F-477(迪愛生股份有限公司製造，註冊商標)代替Surflon S-243，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得實施例9之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為40／60)。
[比較例1] [表面保護膜之製作] 將L-7002之添加量設為0.01質量份，將Surflon S-243之添加量設為0.09質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得比較例1之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為10／90)。
[比較例2] [表面保護膜之製作] 將L-7002之添加量設為0.1質量份，不添加Surflon S-243，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得比較例2之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為100／0)。
[比較例3] [表面保護膜之製作] 將L-7002之添加量設為0.3質量份，除此以外，與比較例2同樣地進行而獲得比較例3之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為100／0)。
[比較例4] [表面保護膜之製作] 不使用L-7002，將Surflon S-243之添加量設為0.1質量份，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得比較例4之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為0／100)。
[比較例5] [表面保護膜之製作] 將Surflon S-243之添加量設為0.3質量份，除此以外，與比較例4同樣地進行而獲得比較例5之表面保護膜(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為0／100)。
[比較例6] [表面保護膜之製作] 使用在剝離劑層用了不含抗靜電劑之通常的聚矽氧系剝離劑的25μm厚之剝離膜(三菱化學公司製造，MRF-25)來代替剝離膜a，除此以外，與實施例1同樣地進行而獲得比較例6之表面保護膜(無抗靜電劑。聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比為40／60)。
以下，表示評價試驗之方法及結果。 [剝離膜之剝離力之測定方法] 將表面保護膜切割為寬度50mm、長度150mm之大小，使用拉伸試驗機以0.3m/分鐘之剝離速度於180°之方向將剝離膜加以剝離，測定此時之強度，將該強度作為剝離膜之剝離力(N/50mm)。
[表面保護膜之低速黏著力之測定方法] 將丙烯酸膜(有時亦稱為PMMA膜)使用於偏光元件保護膜，且使用貼合機將對表面實施有低反射處理之偏光板(低反射處理偏光板：LR偏光板)貼合於玻璃板之表面。然後，於偏光板之表面貼合經裁斷為寬度25mm之表面保護膜後，於23℃×50%RH之試驗環境下保管1天。然後，使用拉伸試驗機以0.3m/分鐘之剝離速度於180°之方向剝離表面保護膜，測定此時之強度，將該強度作為低速黏著力(N/25mm)。
[表面保護膜之高速黏著力之測定方法] 將PMMA膜使用於偏光元件保護膜，且使用貼合機將對表面實施有低反射處理之偏光板(LR偏光板)貼合於玻璃板之表面。然後，於偏光板之表面貼合經裁斷為寬度25mm之表面保護膜後，於23℃×50%RH之試驗環境下保管1天。然後，使用高速剝離試驗機(測試機產業(TESTER SANGYO)製造)以每分鐘30m之剝離速度來剝離表面保護膜，測定此時之強度，將該強度作為高速黏著力(N/25mm)。
[表面保護膜之剝離帶電壓之測定方法] 將PMMA膜使用於偏光元件保護膜，且使用貼合機將對表面實施有低反射處理之偏光板(LR偏光板)貼合於玻璃板之表面。然後，於偏光板之表面貼合經裁斷為寬度25mm之表面保護膜後，於23℃×50%RH之試驗環境下保管1天。然後，一邊使用高速剝離試驗機(測試機產業製造)以每分鐘30m之剝離速度來剝離表面保護膜，一邊使用表面電位計(基恩士(Keyence)股份有限公司製造)以每10ms為單位來測定前述偏光板表面之表面電位，將此時之表面電位之絕對值之最大值作為剝離帶電壓(kV)。
[表面保護膜之表面污染性之確認方法] 將PMMA膜使用於偏光元件保護膜，且使用貼合機將對表面實施有低反射處理之偏光板(LR偏光板)貼合於玻璃板之表面。然後，於偏光板之表面貼合經裁斷為寬度25mm之表面保護膜後，於23℃×50%RH之試驗環境下保管3天及30天。然後，剝下表面保護膜，藉由目視來觀察偏光板之表面之污染性。作為表面污染性之判定基準，是將於偏光板並無污染轉移之情形視為(○：良好(Good))，將於偏光板確認到污染轉移之情形視為(×：不良(No Good))。
將針對所獲得之實施例1至實施例9及比較例1至比較例6之表面保護膜進行測定而得之測定結果顯示於表1至表4。「聚矽氧／氟質量比率」意指聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑之添加比率(聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比)。
[表1]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4
(甲基)丙烯酸共聚物 (質量份) 共聚物A (100) 共聚物A (100) 共聚物A (100) 共聚物A (100)
剝離膜 剝離膜a 剝離膜a 剝離膜a 剝離膜a
聚矽氧系界面活性劑 (質量份) L-7002 (0.04) L-7002 (0.02) L-7002 (0.09) L-7002 (0.07)
氟系界面活性劑 (質量份) S-243 (0.06) S-243 (0.08) S-243 (0.01) S-243 (0.03)
聚矽氧／氟質量比率 40／60 20／80 90／10 70／30
剝離膜剝離力 (N/50mm) 0.04 0.04 0.04 0.04
低速黏著力(N/25mm) 0.03 0.03 0.03 0.04
高速黏著力(N/25mm) 0.58 0.56 0.48 0.59
剝離帶電壓(kV) 0.3 0.4 0.2 0.4
表面污染性  3天 ○ ○ ○ ○
表面污染性  30天 ○ ○ ○ ○
[表2]
實施例5 實施例6 實施例7 實施例8
(甲基)丙烯酸共聚物 (質量份) 共聚物B (100) 共聚物A (100) 共聚物A (100) 共聚物A (100)
剝離膜 剝離膜a 剝離膜b 剝離膜a 剝離膜a
聚矽氧系界面活性劑 (質量份) L-7002 (0.04) L-7002 (0.04) SF8410 (0.04) L-7002 (0.04)
氟系界面活性劑 (質量份) S-243 (0.06) S-243 (0.06) S-243 (0.06) F-470 (0.06)
聚矽氧／氟質量比率 40／60 40／60 40／60 40／60
剝離膜剝離力 (N/50mm) 0.04 0.04 0.04 0.04
低速黏著力(N/25mm) 0.05 0.03 0.04 0.04
高速黏著力(N/25mm) 0.68 0.51 0.63 0.6
剝離帶電壓(kV) 0.3 0.4 0.4 0.3
表面污染性  3天 ○ ○ ○ ○
表面污染性  30天 ○ ○ ○ ○
[表3]
實施例9
(甲基)丙烯酸共聚物 (質量份) 共聚物A (100)
剝離膜 剝離膜a
聚矽氧系界面活性劑 (質量份) L-7002 (0.04)
氟系界面活性劑 (質量份) F-477 (0.06)
聚矽氧／氟質量比率 40／60
剝離膜剝離力 (N/50mm) 0.04
低速黏著力(N/25mm) 0.04
高速黏著力(N/25mm) 0.67
剝離帶電壓(kV) 0.3
表面污染性  3天 ○
表面污染性  30天 ○
[表4]
比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
(甲基)丙烯酸共聚物 (質量份) 共聚物A (100) 共聚物A (100) 共聚物A (100) 共聚物A (100)
剝離膜 剝離膜a 剝離膜a 剝離膜a 剝離膜a
聚矽氧系界面活性劑 (質量份) L-7002 (0.01) L-7002 (0.1) L-7002 (0.3) -
氟系界面活性劑 (質量份) S-243 (0.09) - - S-243 (0.1)
聚矽氧／氟質量比率 10／90 100／0 100／0 0／100
剝離膜剝離力 (N/50mm) 0.04 0.04 0.04 0.04
低速黏著力(N/25mm) 0.04 0.04 0.03 0.05
高速黏著力(N/25mm) 0.75 0.42 0.38 0.86
剝離帶電壓(kV) 0.8 1.0 0.8 2.2
表面污染性  3天 ○ ○ × ○
表面污染性  30天 ○ ○ × ○
[表5]
比較例5 比較例6
(甲基)丙烯酸共聚物 (質量份) 共聚物A (100) 共聚物A (100)
剝離膜 剝離膜a MRF-25
聚矽氧系界面活性劑 (質量份) - L-7002 (0.04)
氟系界面活性劑 (質量份) S-243 (0.3) S-243 (0.06)
聚矽氧／氟質量比率 0／100 40／60
剝離膜剝離力 (N/50mm) 0.04 0.03
低速黏著力(N/25mm) 0.06 0.04
高速黏著力(N/25mm) 0.80 0.60
剝離帶電壓(kV) 1.4 3.1
表面污染性  3天 × ○
表面污染性  30天 × ○
根據表1至表5所示之測定結果，得知以下內容。 實施例1至實施例9之表面保護膜係具有適度之黏著力，不會污染被黏附體之表面，並且將表面保護膜自被黏附體加以剝離時之剝離帶電壓低。 另一方面，將聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑之質量比率設為10／90之比較例1之表面保護膜係將表面保護膜自被黏附體加以剝離時之剝離帶電壓變高。另外，未併用氟系界面活性劑之比較例2及比較例3中，若聚矽氧系界面活性劑之添加量少，則將表面保護膜自被黏附體加以剝離時之剝離帶電壓變高。若增加聚矽氧系界面活性劑之添加量，則將表面保護膜自被黏附體加以剝離時之剝離帶電壓降低，但被黏附體之表面污染變差。
未併用聚矽氧系界面活性劑之比較例4中，將表面保護膜自被黏附體加以剝離時之剝離帶電壓變高。增加了氟系界面活性劑之添加量之比較例5中，將表面保護膜自被黏附體加以剝離時之剝離帶電壓亦不大低。而且，被黏附體之表面污染亦變差。剝離膜之剝離劑層不含抗靜電劑之比較例6中，剝離帶電壓變得非常高。 即便於使用有剝離帶電壓變高之傾向且容易看到污染之LR偏光板時，於將聚矽氧系界面活性劑與氟系界面活性劑以預定之比率併用之情況下，亦獲得了剝離表面保護膜時之剝離帶電壓低且亦無對被黏附體之污染的表面保護膜。 [產業可利用性]
本發明之一態樣之表面保護膜例如能夠在偏光板、相位差板、透鏡膜等光學用膜及其他各種光學零件等之生產步驟等中，用以貼合於該光學零件等而保護表面。另外，本發明之一態樣之表面保護膜係能夠降低自被黏附體加以剝離時產生之靜電之量，並且抗剝離帶電性能之經時變化及對被黏附體之污染少，能夠提高生產步驟之良率，產業上之利用價值大。
1:基材膜 2:黏著劑層 3:樹脂膜 4:剝離劑層 5:剝離膜 6:剝離劑 7:抗靜電劑 8:被黏附體(光學零件) 10:表面保護膜 11:剝下剝離膜之表面保護膜 20:貼合有表面保護膜之光學零件
[圖1]係表示實施形態之表面保護膜之概念的剖面圖。 [圖2]係表示自實施形態之表面保護膜剝下剝離膜之狀態的剖面圖。 [圖3]係表示本發明之光學零件之一個實施例的剖面圖。
1:基材膜
2:黏著劑層
3:樹脂膜
4:剝離劑層
5:剝離膜
6:剝離劑
7:抗靜電劑
10:表面保護膜

Claims (6)

  1. 一種表面保護膜，係具備： 基材膜，由具有透明性之樹脂所構成； 黏著劑層，形成於前述基材膜之一面；以及 剝離膜，形成於前述黏著劑層中與前述基材膜相反之側； 並且，前述剝離膜具備： 樹脂膜；以及 剝離劑層，積層於前述樹脂膜的前述黏著劑層之側之面； 前述剝離劑層含有以二甲基聚矽氧烷作為主成分之剝離劑、及抗靜電劑； 前述黏著劑層係由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑及交聯劑之黏著劑所形成； 前述交聯劑使前述(甲基)丙烯酸酯共聚物交聯； 前述黏著劑中之前述聚矽氧系界面活性劑與前述氟系界面活性劑之添加比率、亦即聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑以固形物換算計為質量比20／80至90／10。
  2. 如請求項1所記載之表面保護膜，其中前述(甲基)丙烯酸酯共聚物為包含具有烷基之丙烯酸酯、具有氧化烯烴基之丙烯酸酯及具有羥基之丙烯酸酯中的一種以上之共聚物。
  3. 如請求項1或2所記載之表面保護膜，其中前述抗靜電劑為離子性化合物。
  4. 如請求項1或2所記載之表面保護膜，其中前述抗靜電劑為鹼金屬鹽或於20℃為固體之離子性化合物。
  5. 如請求項1或2所記載之表面保護膜，其中在相對於低反射處理偏光板(LR偏光板)之剝離速度0.3m/min時之低速黏著力為0.2N/25mm以下，剝離速度30m/min時之高速黏著力為0.8N/25mm以下； 剝離時之剝離帶電壓為-0.7kV至+0.7kV以下。
  6. 一種光學零件，係貼合有如請求項1或2所記載之表面保護膜。
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