TW202313205A - 基板處理裝置及方法 - Google Patents

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賈社娜
陸寅霄
張曉燕
王文軍
王俊
沈輝
王希
王堅
陳福平
韓陽
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大陸商盛美半導體設備（上海）股份有限公司
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Abstract

本發明提出基板處理裝置及方法，涉及半導體設備技術領域，包括：夾持機構，噴頭機構，旋轉驅動機構，加熱機構，控制機構。加熱機構包括設置在基板下方的加熱盤，加熱盤沿徑向方向開設至少兩個空腔，每個空腔分佈在不同半徑上，在液體噴頭沿基板的徑向方向由基板中心向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，控制機構控制位於該區域對應半徑上的空腔內的流體的熱能，進而提高液體噴頭下方基板的局部溫度。本裝置可以分區動態精確控制基板區域加熱，實現乾燥工藝過程中對基板表面液體的表面張力和蒸發速度的精確控制，避免乾燥過程中基板表面的精細圖案結構被損壞。

Description

基板處理裝置及方法
本發明屬於半導體設備技術領域，特別涉及基板處理裝置及方法。
積體電路製造，一般指基板加工製造，基板製造環節是將設計版圖製成光罩，將光罩上的電路圖形資訊轉移至矽片上，在矽片裸片上形成電路從而構建完整的電路晶片的過程。積體電路製造包括光刻、刻蝕、沉積、離子注入、化學機械拋光（CMP）、清洗等環節。其中清洗環節是為了去除基板加工生產中產生的各種沾汙雜質，是積體電路製造中步驟最多的工藝，幾乎貫穿整個作業流程。沾汙雜質是指積體電路製造過程中引入的任何危害晶片成品率及電學性能的物質，具體的沾汙包括顆粒、有機物、金屬和自然氧化層等。
半導體清洗技術主要分為濕法清洗工藝和幹法清洗工藝兩種工藝路線。濕法清洗工藝一般將基板固定於可旋轉的基板夾具上，工藝過程中使用化學藥液和去離子水對旋轉的基板表面進行工藝處理，在濕法刻蝕或清洗工藝結束後，再對基板進行乾燥處理。
傳統的乾燥工藝大多採用氮氣吹掃或者異丙醇（IPA）清洗配合基板高速旋轉的方式進行乾燥。然而，隨著積體電路先進工藝技術的發展，特徵尺寸不斷微縮，在乾燥過程中，基板上各處精細圖案結構、尺寸、深寬、密度不同，距離旋轉軸心的位置不同，附著在基板表面圖案結構中液體流動和蒸發速率也不相同。各個精細圖案結構中液體流動和蒸發速率的不同將導致同一時刻下不同圖案內的液面高度不同，在液體表面張力的作用下，將造成相鄰圖案間的結構受力不均勻，最終導致基板上的精細圖案結構倒塌、粘連、變形等損傷問題，進而造成器件失效，影響晶片良率，造成產品報廢。
為了避免基板表面的精細圖案結構在乾燥過程中被損壞，乾燥工藝過程中對基板表面的異丙醇（IPA）或其它乾燥配方藥液的表面張力和蒸發速度的精確控制尤為重要。為此本發明提出基板處理裝置及方法。
為了避免基板表面的精細圖案結構在乾燥過程中被損壞，提高乾燥工藝過程中對基板表面的異丙醇或其它乾燥配方藥液的表面張力和蒸發速度的精確控制，本發明提出了基板處理裝置及方法。
本發明提出的基板處理裝置，包括： 夾持機構，被配置為保持基板； 噴頭機構，包括液體噴頭，液體噴頭被配置為將液體分配至置於夾持機構上的基板表面； 旋轉驅動機構，被配置為驅動夾持機構旋轉； 加熱機構，包括加熱盤，加熱盤設置在基板下方，加熱盤沿徑向方向開設至少兩個空腔，每個空腔分佈在不同半徑上，空腔底部開設有流體進孔，空腔頂部開設有流體出孔，流體進孔與流體輸送管連接； 在液體噴頭沿基板的徑向方向由基板中心向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，控制機構控制位於該區域對應半徑上的空腔內的流體的熱能，進而提高液體噴頭下方基板的局部溫度。
本發明還提供一種基板處理方法，包括： 將基板保持在夾持機構上； 驅動夾持機構帶動基板旋轉； 通過噴頭機構的液體噴頭向基板表面分配液體，液體噴頭在基板上方從基板中心沿徑向方向向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，通過對基板下方噴射具有第二熱能的流體的方式對基板上相同半徑區域進行局部加熱，提高液體噴頭下方基板的局部溫度。
綜上所述，本發明提供的基板處理裝置及方法，可以分區動態精確控制基板區域加熱，精確控制基板及其表面液體的溫度，進而達到控制乾燥過程中基板表面各處的液體表面張力和蒸發速度的工藝目的，從而避免乾燥過程中基板表面的精細圖案結構被損壞。
本發明的其它特徵和優點將在隨後的說明書中闡述，並且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而瞭解。本發明的目的和其他優點可通過在說明書以及附圖中所指出的結構來實現和獲得。
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地說明，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
實施例1 請參考圖1至圖5以及圖15至圖19，本發明提出了一種基板處理裝置。基板處理裝置包括：夾持機構200、旋轉驅動機構300、加熱機構400、控制機構及噴頭機構600。夾持機構200用於將基板100保持為水準狀態，包括多個圍繞基板100設置的定位銷201。請參照圖2，圖2為圖1中的A處局部放大圖，示出了基板100和定位銷201在本實施例的基板處理裝置中的位置，即基板與定位銷的立體結構示意圖。6個定位銷設置在基板100邊緣，定位銷201的頂部側壁上開設限位凹槽2011，限位凹槽2011的底壁用於支撐基板100，限位凹槽2011的側壁用於夾持基板100，氣缸（未圖示）驅動張緊機構203的動作以保證定位銷201能夠遠離基板100以釋放基板100，或靠近基板100以夾持基板100，便於基板100的緊固限位以及取放。夾持機構200還包括支撐部202，定位銷201的底端可拆卸連接於支撐部202，支撐部202底部通過傳動機構（未圖示）連接有旋轉驅動機構300，示例性的，本實施例中，傳動機構為傳動帶，旋轉驅動機構300在實際使用的過程中可以根據實際作業要求選擇。示例性的，本實施例選擇伺服電機作為旋轉驅動機構300。旋轉驅動機構300通過驅動支撐部202使基板100以穿過基板100中心的鉛垂線為軸進行旋轉，支撐部202的中部開設有上下貫通的通孔，以容納一些不旋轉的部件。
加熱機構400，包括加熱盤和流體輸送單元。加熱盤設置在基板100下方，容納於支撐部202中部開設的通孔內，在作業過程中與基板100平行設置。加熱盤為匹配設置的第一卡盤401和第二卡盤402，第一卡盤401上設置卡塊，第二卡盤402上設置卡槽，在安裝的過程中，第一卡盤401上的卡塊卡合於第二卡盤402上的卡槽內，形成穩定結構。第一卡盤401按角度被均分為n個等份，其中，n為大於或等於2的整數。第一卡盤401在沿徑向方向上開設至少兩個空腔4011。每個空腔4011分佈在第一卡盤401沿徑向方向不同的半徑上。每個等份內的空腔4011數量相等，且空腔4011分佈於不同的半徑上。空腔4011底部開設有流體進孔4012，空腔頂部開設有流體出孔4013，空腔4011上所開設的流體出孔4013的密度相同。第二卡盤402設置於第一卡盤401的下方，用於固定支撐第一卡盤401，同時連接第一卡盤401與流體輸送單元，第二卡盤402內部開設有與空腔4011數量相等的第一流體輸送通道4021，第二卡盤402內的第一流體輸送通道4021的一端與第一卡盤401內開設的空腔4011底部的流體進孔4012相連通，第一流體輸送通道4021的另一端與流體輸送單元相連通。工藝過程中，基板100是旋轉的，加熱機構400不旋轉，當基板100旋轉一周後，每一個空腔4011加熱的基板100區域為一個圓環或圓形。
請參照圖5、圖15，流體輸送單元包括軸體403、連接頭404、流體輸送管以及流體輸送總管406。軸體403的一端與第二卡盤402的底部固定連接，軸體403內部設置與空腔4011數量相等的第二流體輸送通道4031，且第二流體輸送通道4031的一端與第二卡盤402內的第一流體輸送通道4021連通，軸體403側壁上開設有與第二流體輸送通道4031相等數量的開口，每個開口上分別安裝有連接頭404，每個連接頭404與一個流體輸送管連接，多個流體輸送管同時連接於同一個流體輸送總管406。
控制機構包括開關閥門501、品質流量控制器502及加熱器503。與每一空腔4011相連接的流體輸送管分別連通於同一路流體輸送總管406。每一流體輸送管上分別配置一開關閥門501、一加熱器503，流體輸送總管406上配置一品質流量控制器502。其中，開關閥門501打開或關斷流經流體輸送管的流體；品質流量控制器502被配置為監控調節流經流體輸送總管406內流體的流量；加熱器503被配置為加熱流體輸送管內流體。控制機構控制液體噴頭對應的基板100下方的空腔4011內的流體的熱能，進而提高液體噴頭下方基板100的局部溫度。
噴頭機構600包括液體噴頭，被配置為將液體分配至置於夾持機構200上的基板100表面。
請參照圖6至圖11，在本發明實施例中，第一卡盤401的佈局設計為：按角度將第一卡盤401均分為4個等份，即，將第一卡盤401分為四個象限，且第一卡盤401在沿徑向方向上開設16個空腔4011，此16個空腔4011均勻分佈於第一卡盤401的四個象限內，圖6為4等份均分的第一卡盤401的佈局方式俯視圖。圖7為4等份均分的第一卡盤401的佈局方式仰視圖。圖8為第二卡盤402內部第一流體輸送通道4021佈局結構示意圖。圖9為軸體403的俯視圖。圖10示出了第一卡盤401與第二卡盤402裝配完成後的加熱盤結構透視示意圖。圖11為第一卡盤401與第二卡盤402裝配完成後的橫截面結構示意圖。
本裝置不僅適應於基板100於濕法刻蝕或清洗工藝結束後的對基板100進行乾燥處理，在刻蝕工藝中也可以使用。
本發明實施例還提供了一種基板處理方法，請參照圖15，圖15示出了本發明實施例中的流體控制通路關係示意圖。工作時，夾持機構200夾持基板100，保持基板100的水準設置，噴頭機構600位於基板100的上方，旋轉驅動機構300通過驅動支撐部202進而驅動基板100以穿過基板100中心的鉛垂線為軸進行旋轉。在本實施例中，噴頭機構600的液體噴頭向基板100分配的液體為乾燥液體IPA。當液體噴頭移動到基板100中心的正上方，向基板100表面分配液體之前，控制機構控制加熱器503加熱流經流體輸送管內的流體熱能至第一熱能，達到第一熱能的流體通過每一空腔4011的流體出孔4013對基板100進行加熱至第一溫度，第一溫度為預加熱的溫度，其作用為將基板100整體均勻加熱。以IPA為例，較佳的工藝範圍為60-70℃。第一熱能是指能夠將基板100加熱至第一溫度所需的熱能。
在液體噴頭沿基板100的徑向方向由基板100的中心向基板100的邊緣移動過程中，當液體噴頭移動至基板100上方的某一區域，控制機構控制加熱器503加熱位於該區域對應半徑上的空腔4011內的流體至第二熱能，達到第二熱能的流體通過該空腔4011的流體出孔4013對該區域的基板100進行加熱至第二溫度，第二溫度為約為使液體噴頭向基板100分配的液體達到沸點的溫度，在本實施例中，第二溫度大於或等於液體沸點的溫度，以IPA為例，較佳的工藝範圍為78-85℃。
示例性的，在液體噴頭進行分配液體之前先將輸送至空腔4011內的流體加熱，流體通過流體輸送管及第二流體輸送通道4031傳輸至加熱盤的第二卡盤402內所開設的第一流體輸送通道4021，流體進而進入第一卡盤401的空腔4011內，然後通過空腔4011頂部開設的流體出孔4013流出加熱盤，對加熱盤上方的基板100進行加熱至70℃。
當液體噴頭向基板100表面分配液體時，隨著液體噴頭的移動，當液體噴頭移動至基板100上方的某一區域，控制機構控制加熱器503加熱位於該區域對應半徑上的空腔4011所連通的流體輸送管內的流體，進而控制該半徑上的空腔4011的流體出孔4013流出的流體的熱能為第二熱能，達到第二熱能的流體通過該空腔4011的流體出孔4013對基板100進行加熱至80℃。
更具體的，請參照圖7，對第一卡盤401上開設的16個空腔4011從第一卡盤401的中心向邊緣，以半徑逐漸增大的空腔順序進行編號，具體編號分別為40111、40112、40113、40114、40115、40116、40117、40118、40119、401110、401111、401112、401113、401114、401115、401116。與之對應的第二卡盤402的結構示意圖請參照圖8，第二卡盤402內部設置的與空腔4011相連通的第一流體輸送通道4021的編號分別為40211、40212、40213、40214、40215、40216、40217、40218、40219、402110、402111、402112、402113、402114、402115、402116。請參照圖9，軸體403內部開設有對應數量的第二流體輸送通道4031，編號分別為40311、40312、40313、40314、40315、40316、40317、40318、40319、403110、403111、403112、403113、403114、403115、403116。請參照圖10及圖11，均示出了第一卡盤401和第二卡盤402裝配完成後的加熱盤結構透視圖。請參照圖5及圖15，軸體403通過連接頭404連接16路編號分別為4051、4052、4053、4054、4055、4056、4057、4058、4059、40510、40511、40512、40513、40514、40515、40516的流體輸送管。每一流體輸送管上分別配置一個開關閥門501和一個加熱器503。多路流體輸送管連通於同一路流體輸送總管406，流體輸送總管406上配置一個品質流量控制器502。
在液體噴頭開始給基板100分配液體之前，控制機構控制每一流體輸送管上的加熱器503加熱流經該管內的流體，使其熱能達到第一熱能。在流體的熱能未達到第一熱能之前，流體經過旁路支管407排出裝置外，達到第一熱能的流體通過每一空腔4011的流體出孔4013對基板100進行加熱至70℃。
在液體噴頭開始給基板100分配液體，同時沿基板100的徑向方向由基板100的中心向基板100的邊緣移動過程中，當液體噴頭移動到基板100上方某一區域，位於該區域對應加熱盤的半徑上的空腔編號為40111控制機構控制與空腔40111連通的編號為4051的流體輸送管上的加熱器503開始加熱，使加熱器503將流經該管內的流體加熱至第二熱能。具體為，控制機構控制流體輸送管4051上設置的加熱器503開始工作，對該管內的流體進行加熱，在該管內的流體熱能未達到第二熱能前，先將流體通過旁路支管407排出至裝置外部，等流體的熱能達到目標熱能時，再通過流體輸送管4051輸送至空腔40111內，以保證該管向加熱盤供給的流體熱能達到設定的第二熱能。流體通過空腔40111上所開設的流體出孔4013流出加熱盤，流向基板100，對空腔40111所在半徑區域對應基板100的區域進行加熱，使基板100對應位置處的溫度被快速加熱至80℃。基板100上該位置處的液體快速汽化，當液體汽化的過程足夠快，在乾燥的瞬間，不是被液體乾燥，而是汽化乾燥，從而減小表面張力。液面的張力對於相鄰的特徵圖案之間的拉力可以忽略不計，在此過程中，相鄰的特徵圖案與特徵圖案之間沒有液體表面張力的拉扯，有效避免基板100表面的精細圖案結構在乾燥過程中被損壞。
加熱的流體可以為氣體，例如潔淨空氣、氮氣或惰性氣體；也可以為液體。
當本裝置用於IPA乾燥時，噴頭機構600還包括一個氮氣噴頭，用於氮氣吹掃。
當本裝置在濕法刻蝕工藝中使用時，通過噴頭機構將蝕刻化學液或配方藥液輸送到旋轉的基板表面，對基板表面薄膜進行部分腐蝕或完全去除。
濕法刻蝕工藝，一般通過噴頭機構600將蝕刻化學液或配方藥液輸送到旋轉的基板100表面，對基板100表面薄膜進行部分腐蝕或完全去除。因為，溫度是影響腐蝕速率和均勻性的重要參數之一，通過本申請的裝置以及上述的處理方法可以實現分區動態精確控制基板和其表面液體的溫度，進而獲得良好的蝕刻速率和均勻性控制，提高積體電路濕法刻蝕工藝加工精度和穩定性。
其中，當蝕刻化學液包括但不限於氫氟酸、氨水、鹽酸、硫酸、雙氧水、氫氟酸硝酸混合液、氫氟酸氟化銨混合液、氨水雙氧水和純水混合液、鹽酸雙氧水和純水混合液等時，第二溫度範圍為19-75℃。
當蝕刻化學液包括但不限於硫酸雙氧水混合液時，第二溫度範圍為80-200℃。
當蝕刻化學液包括但不限於磷酸時，第二溫度範圍為120~165℃。
實施例2 本實施例提供了一種基板處理裝置，該裝置的結構與實施例1中的基板處理裝置的結構基本相同，不同的是，如圖12所示，第一卡盤401按角度被均分為2個等份，第一卡盤401在沿徑向方向上開設16個空腔，每個空腔的上端面開設均勻分佈的流體出孔4013，16個空腔均勻分佈於第一卡盤401的兩個區域內，即每個區域內均有8個空腔，圖12為該種第一卡盤401佈局方式的俯視圖。 其餘結構與實施例1相同。
實施例3 本實施例提供了一種基板處理裝置，該裝置的結構與實施例1中的基板處理裝置的結構基本相同，不同的是，如圖13所示，第一卡盤401被作為整體，直接在第一卡盤401沿徑向方向上開設16個空腔，每個空腔的上端面開設均勻分佈的流體出孔4013，16個空腔4011以不同半徑均勻設置在第一卡盤401內，16個空腔4011的形狀為圓形，且呈同心圓設置。圖13為該種第一卡盤401佈局方式的俯視圖。 其餘結構與實施例1相同。
實施例4 本實施例提供了一種基板處理裝置，該裝置的結構與實施例1中的基板處理裝置的結構基本相同，不同的是，如圖16所示，與每一空腔相連接的流體輸送管上分別配置一開關閥門501、一品質流量控制器502及一加熱器503，其中，開關閥門501被配置為控制流經流體輸送管的流體的開關；品質流量控制器502被配置為監控調節流經每個流體輸送管內流體的流量；加熱器503被配置為加熱流體輸送管內流體。通過將實施例1中的品質流量控制器502從流體輸送總管406上調整設置在流體輸送管上，達到既能通過控制調節品質流量控制器502調節流體流速，進而控制流體對基板100的加熱，也能通過控制加熱器503加熱流體輸送管內的流體，調節流體溫度，進而控制流體對基板100加熱的目的。在實際工藝過程中，可以單獨控制調節品質流量控制器502，也可以單獨控制加熱器503，也可以同時調節品質流量控制器502和加熱器503。多種控制方案，能夠適應於多種情況，更便捷，高效，可調節及可控性及精準性更高。 本實施例的其餘結構與實施例1相同。
本實施例對應的基板處理方法與實施例1基本相同。不同的是，本實施例中控制每一路流體輸送管內流體的熱能是通過控制機構控制品質流量控制器調節位於該區域對應半徑上的空腔內的流體流量和/或通過控制加熱器調節位於該區域對應半徑上的空腔內的流體熱能，進而控制液體噴頭對應的基板100下方的空腔4011內流體的熱能，使從該空腔4011上的流體出孔4013噴出的流體的熱能達到第二熱能，具有第二熱能的流體對基板100進行加熱至第二溫度。在液體噴頭沿基板100的徑向方向由基板100的中心向基板100的邊緣移動過程中，控制機構控制沿基板100的徑向方向由基板100的中心向基板100的邊緣排布的空腔4011內的流體流量逐漸增加，以保證更快速度的加熱對應區域的基板100，使基板100的局部溫度快速提升至第二溫度。
當通過控制調節品質流量控制器502來調節流體流速，實現流體所含熱能達到第二熱能時，控制機構通過根據實際對基板100加熱的區域面積及均勻度的需要，通過品質流量控制器502調節流體的流速，進而達到上述目的、效果。
具體請參照圖14a和圖14b，示出了射流的流速與流體從流體出孔4013流出的流體射流的軌跡，通過調節每路流體輸送管上的品質流量控制器502，可以改變流體出孔4013流出的流體的流速，從而改變θ角的大小，2θ角為流體射流的軌跡邊界形成的椎體的頂角。流速越大，θ角越小，在該流速條件下，空腔4011對應基板100的加熱面積越小；流速越小，θ角越大，在該流速條件下，空腔4011對應基板100的加熱面積越大。當θ角越大時，表明通過流體出孔4013射出的流體對基板100的加熱面積越大，能夠在加熱本空腔4011對應基板100區域的同時，給相鄰空腔所對應的基板100區域進行預加熱。因此當需要給相鄰空腔對應的基板100區域加熱時，基板100達到所需溫度所用的時間將會減少，效率更高。
本實施例中，當通過加熱器503實現流體所含熱能調節時與實施例1的控制方法相同。
實施例5 本實施例提供了一種基板處理裝置，該裝置的結構與實施例1中的基板處理裝置的結構基本相同。不同的是，如圖17所示，與每一空腔相連接的流體輸送管分別連接有第一流體輸送支管和第二流體輸送支管，第一流體輸送支管上安裝一個開關閥門501a，第二流體輸送支管安裝一個開關閥門501b。
第一流體輸送支管與第一流體輸送總管4061連接，第二流體輸送支管與第二流體輸送總管4062連接。第一流體輸送總管4061上設置有一個品質流量控制器502a和一個加熱器503a，第二流體輸送總管4062上設置有一個品質流量控制器502b及一個加熱器503b。其中，開關閥門501a、501b被配置為打開或關斷流經各自所在的流體輸送支管的流體；品質流量控制器502a、502b被配置為監控調節流經第一流體輸送總管4061、第二流體輸送總管4062內流體的流量；加熱器503a、503b被配置為加熱第一流體輸送總管4061、第二流體輸送總管4062內流體。第一流體輸送總管4061連接有旁路支管407a，第二流體輸送總管4062連接有旁路支管407b。 本實施例其餘結構與實施例1相同。
本實施例對應的基板處理方法與實施例1基本相同。不同的是，本實施例中，流體輸送總管設置成為兩路總管4061、4062，且每一路流體輸送管均連接有兩路流體輸送支管，兩路流體輸送支管分別與兩路流體輸送總管4061、4062相連通。
在控制機構控制加熱機構400給基板100加熱的過程中，首先控制所有與第一流體輸送總管4061連接的第一流體輸送支管上的開關閥門501a全部打開，控制加熱器503a加熱流經第一流體輸送總管4061內的流體，該流體通過第一流體輸送支管及各路流體輸送管流經每一空腔的流體出孔4013對基板100整體進行預加熱至第一溫度。在第一流體輸送總管4061內流體的熱能未達到第一熱能之前，流體經過旁路支管407a排出裝置外。
在液體噴頭沿基板100的徑向方向由基板的中心向基板的邊緣移動過程中，當液體噴頭移動至基板100上方某一區域時，位於該區域對應加熱盤的半徑上的空腔相連接的流體輸送管連接的第一流體輸送支管上的開關閥門501a關閉，同時打開第二流體輸送支管上的開關閥門501b，控制流經液體噴頭位置對應的基板100下方的空腔所連接的第二流體輸送總管4062內的流體加熱，該流體通過該空腔流體出孔4013對基板100的對應區域進行加熱至第二溫度。在第二流體輸送總管4062內的流體的熱能未達到第二熱能前，先將流體通過旁路支管407b排出至裝置外部。
通過設置兩路流體輸送總管4061,4062，且兩路流體輸送總管4061,4062內流體的熱能不同，第一流體輸送總管4061能夠對基板100整體進行預加熱，使基板100穩定保溫，第二流體輸送總管4062在向各路流體輸送管輸送流體之前就已經將第二流體輸送總管4062內的流體加熱至具有第二熱能，在流向各路流體輸送管的時候，溫度切換更迅速，對基板100加熱的控制更精確，工作效率更高。
實施例6 本實施例提供了一種基板處理裝置，該裝置的結構與實施例5中的基板處理裝置的結構基本相同。不同的是，如圖18所示，與每一空腔相連接的流體輸送管分別連接有第一流體輸送支管、第二流體輸送支管、第三流體輸送支管。第一流體輸送支管上安裝有一個開關閥門501a，第二流體輸送支管上安裝有一個開關閥門501b，第三流體輸送支管上安裝有一個開關閥門501c。第一流體輸送支管與第一流體輸送總管4061連接，第二流體輸送支管與第二流體輸送總管4062連接，第三流體輸送支管與第三流體輸送總管4063連接。第一流體輸送總管4061連接有旁路支管407a，第二流體輸送總管4062連接有旁路支管407b。第一、第二、第三流體輸送總管4061、4062、4063上分別安裝一個品質流量控制器502a、502b，502c。第一、第二流體輸送總管4061、4062上分別安裝一個加熱器503a、503b。其中，開關閥門501a、501b、501c被配置為打開或關斷流經各自所在的流體輸送支管的流體；品質流量控制器502a、502b，502c被配置為監控調節流經每個流體輸送總管4061、4062、4063內流體的流量；加熱器503a、503b被配置為加熱第一、第二流體輸送總管4061、4062內流體。本實施例其餘結構與實施例1相同。
將基板100從夾持機構200上取走之後，加熱盤需要冷卻以便於進行下一片基板工藝。此時，關閉與第一、第二流體輸送總管4061、4062相連接的第一流體輸送支管、第二流體輸送支管上所設置的開關閥門501a、501b，打開與流體輸送總管4063相連接的第三流體輸送支管上所設置的開關閥門501c，使低溫流體被輸送至加熱盤的每一空腔內，對加熱盤進行快速降溫處理，加快加熱盤的冷卻速度，提高工藝效率。
此處的低溫流體為溫度低於常溫的流體。低溫流體從加熱盤的流體出孔4013流出向四周溢散流經夾持機構200，在對加熱盤進行降溫處理的同時也給夾持機構200降溫。
在降溫的過程中，為了防止加熱器503a、503b的頻繁開關影響其使用壽命，第一流體輸送總管4061與第二流體輸送總管4062內的流體通過旁路支管407a 、407b排出至裝置外部。當下一個基板100進入裝置準備進行乾燥時，可以快速切換至所需熱能的流體對基板100進行區域溫度的精準控制。
實施例7 本實施例提供了一種基板處理裝置，該裝置的結構與實施例1中的基板處理裝置的結構基本相同。不同的是，如圖19所示，與每一空腔相連接的流體輸送管分別連接有第一流體輸送支管、第二流體輸送支管、第三流體輸送支管。第一流體輸送支管上安裝有一個開關閥門501a，第二流體輸送支管上安裝有一個開關閥門501b，第三流體輸送支管上安裝有一個開關閥門501c。第一流體輸送支管與第一流體輸送總管4061連接，第二流體輸送支管與第二流體輸送總管4062連接，第三流體輸送支管與第三流體輸送總管4063連接。第一、第二、第三流體輸送總管4061、4062、4063上均安裝一個品質流量控制器502a、502b、502c及一個加熱器503a、503b、503c。其中，開關閥門501a、501b、501c被配置為打開或關斷流經各自所在的流體輸送支管的流體。品質流量控制器502a、502b、502c被配置為監控調節流經每個流體輸送總管4061、4062、4063內流體的流量；加熱器503a、503b、503c被配置為加熱各流體輸送總管4061、4062、4063內流體。第一流體輸送總管4061連接有旁路支管407a，第二流體輸送總管4062連接有旁路支管407b，第三流體輸送總管4063連接有旁路支管407c。 本實施例其餘結構與實施例1相同。
本實施例對應的基板處理方法與實施例基本1相同。不同的是，本實施例中，流體輸送總管設置成為了三路總管，且每一路流體輸送管均連接有三路流體輸送支管，三路流體輸送支管分別與三路流體輸送總管相連接。
在控制機構500控制加熱機構400給基板100加熱的過程中，控制機構控制加熱器503a加熱流經第一流體輸送總管4061內的流體，加熱後的流體通過每一空腔的流體出孔4013對基板100進行加熱至第一溫度。
在液體噴頭沿基板100的徑向方向由基板100的中心向基板100的邊緣移動過程中，當液體噴頭移動至基板100上方某一區域時，位於該區域對應加熱盤的半徑上的空腔相連接的流體輸送管連接的第一流體輸送支管上的開關閥門501a關閉，同時，該空腔所連通的流體輸送管連接的第二流體輸送支管上的開關閥門501b，以及打開在逐漸遠離加熱盤中心的徑向方向上。該空腔相鄰的空腔所連通的流體輸送管連接的第三流體輸送支管上的開關閥門501c，控制流經液體噴頭位置對應的基板100下方的空腔所連接的第二流體輸送總管4062內的流體，該流體通過該空腔開設的流體出孔4013對該空腔對應區域的基板100進行加熱至第二溫度；同時，第三流體輸送總管4063內達到第三熱能的流體通過該空腔相鄰的空腔所開設的流體出孔4013對基板100對應區域進行再預熱至第三溫度。
第三溫度為再預熱的溫度，第三溫度比第一溫度高，比第二溫度低，本實施例中的第三溫度設定小於液體沸點的溫度，對於IPA為例，較佳的工藝範圍為70-78℃。
通過設置三路流體輸送總管4061、4062、4063，三路流體輸送總管4061、4062、4063內流體的熱能不同，且三路流體輸送總管4061、4062、4063內流體都是在流體輸送總管內部就已經被加熱，在向各流體輸送管輸送流體的時候，可以不用在流體輸送管內再加熱，避免影響目的地區域溫度精準控制的情況的發生，達到第一流體輸送總管4061供給保溫流體，給基板100起到預加熱的目的。第三路流體輸送總管4063供給高於第一流體輸送總管4061輸送的流體的溫度，為基板100進行再預熱，第二路流體輸送總管4062供給能夠使噴頭分配的液體達到沸點溫度附近的溫度的流體，為被分配液體之後的基板100進行迅速加熱，達到迅速乾燥的目的。值得注意的是，第三路的再預熱流體是供給在逐漸遠離加熱盤中心的徑向方向上，與液體噴頭對應基板100下方的空腔相鄰的空腔。
更具體的，請參照圖7，當液體噴頭移動到空腔40111對應的基板100上方時，基板100被旋轉驅動機構300驅動旋轉，液體噴頭對該環形或圓形區域分配液體。當空腔40111為扇形時，液體噴頭分配液體對應的區域為圓形區域，當空腔40111為弧形時，液體噴頭分配液體對應的區域為環形區域。此時與空腔40111連通的流體輸送支管上的開關閥的開閉情況為，第一流體輸送總管4061連通的第一流體輸送支管上的開關閥門501a關閉，第二流體輸送總管4062連通的第二流體輸送支管上的開關閥門501b打開，空腔40111被供給第二溫度的流體，第三流體輸送總管4063連通的第三流體輸送支管上的開關閥門501c關閉，與此同時，在逐漸遠離加熱盤中心的徑向方向上，與空腔40111相鄰的空腔40112所連接的流體輸送支管上的開關閥門的開閉情況為：第一流體輸送總管4061連通的第一流體輸送支管上的開關閥門501a關閉，第二流體輸送總管4062連通的第二流體輸送支管上的開關閥門501b關閉，第三流體輸送總管4063連通的第三流體輸送支管上的開關閥門501c打開，空腔40112被供給具有第三熱能的流體。當液體噴頭繼續向邊緣移動離開空腔40111，到達空腔40112時，與空腔40112連接的流體輸送支管上的開關閥門的開閉情況為：第一流體輸送總管4061連通的第一流體輸送支管上的開關閥門501a關閉，第二流體輸送總管4062連通的第二流體輸送支管上的開關閥門501b打開，空腔40112被供給具有第二熱能的流體，第三流體輸送總管40631連通的第一流體輸送支管上的開關閥門501c關閉，與此同時，在逐漸遠離加熱盤中心的徑向方向上，與空腔40112相鄰的空腔40113，被供給具有第三熱能的流體，依次類推，直至噴頭移動至基板100的邊緣，完成加熱乾燥。
更進一步地，流體輸送總管可以根據實際情況設置為四路總管、五路總管等，以滿足基板100乾燥溫度更加精確控制的目標要求。示例性的，當流體輸送總管設置為四路時，每一路流體輸送管分別連通四路流體輸送支管，每一路流體輸送支管上均安裝一個開關閥門。當液體噴頭移動到空腔40111對應的基板100上方並向基板100分配液體時，此時空腔40111連接的流體輸送支管上的開關閥門的開閉情況為：第一流體輸送總管連通的第一流體輸送支管上的開關閥門關閉，第二流體輸送總管連通的第二流體輸送支管上的開關閥門打開，空腔40111被供給具有第二熱能的流體，第三流體輸送總管連通的第三流體輸送支管上的開關閥門關閉，第四流體輸送總管連通的第四流體輸送支管上的開關閥門關閉；與此同時，在逐漸遠離加熱盤中心的徑向方向上，與空腔40111相鄰的空腔40112所連接的四路流體輸送支管上的開關閥門的開閉情況為：第一流體輸送總管連通的第一流體輸送支管上的開關閥門關閉，第二流體輸送總管連通的第二流體輸送支管上的開關閥門關閉，第三流體輸送總管連通的第三流體輸送支管上的開關閥門打開，空腔40112被供給具有第三熱能的流體，第四流體輸送總管連通的第四流體輸送支管上的開關閥門關閉；與此同時，在逐漸遠離加熱盤中心的徑向方向上，與空腔40112相鄰的空腔40113所連接的四路流體輸送支管上的開關閥門的開閉情況為：第一流體輸送總管連通的第一流體輸送支管上的開關閥門關閉，第二流體輸送總管連通的第二流體輸送支管上的開關閥門關閉，第三流體輸送總管連通的第三流體輸送支管上的開關閥門關閉，第四流體輸送總管連通的第四流體輸送支管上的開關閥門打開，空腔40113被供給具有第四熱能的流體。本方案中的第一溫度為保溫溫度，第二溫度為約為使液體噴頭向基板100分配的液體達到沸點的溫度，第三溫度、第四溫度為預熱的溫度，第三溫度、第四溫度可以為相同的溫度，也可以為不同的溫度，但第三溫度、第四溫度均需高於第一溫度且低於第二溫度。設置預熱的溫度低於沸點的溫度是為了保證在液體噴頭到達該區域之前，該區域的液體處於未沸騰的狀態。
一種基板處理方法包括：將基板保持在夾持機構上；驅動夾持機構帶動基板旋轉；通過噴頭機構的液體噴頭向基板表面分配液體，液體噴頭在基板上方從基板中心沿徑向方向向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，通過對基板下方噴射具有第二熱能的流體的方式對基板上相同半徑區域進行局部加熱，提高液體噴頭下方基板的局部溫度。
更進一步地，在通過噴頭機構的液體噴頭向基板表面分配液體之前還包括：向基板的全部下方噴射具有第一熱能的流體對基板整體進行初預熱。
更進一步地，通過對該區域對應的基板下方噴射具有第二熱能的流體的方式對基板上相同半徑的該區域進行局部加熱的同時，對該區域在徑向方向上的相鄰區域對應的基板下方噴射具有第三熱能的流體進行再預熱。
更進一步地，流體為氣體或液體。
更進一步地，通過控制具有第二熱能的流體的溫度和/或流量對基板上相同半徑區域進行局部加熱，提高液體噴頭下方基板的局部溫度。
更進一步地，還包括將基板從夾持機構上取走後，通入低溫流體對加熱盤進行降溫。
儘管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和範圍。
100:基板 200:夾持機構 201:定位銷 2011:限位凹槽 202:支撐部 203:張緊機構 300:旋轉驅動機構 400:加熱機構 401:第一卡盤 4011,40111,40112,40113,40114,40115,40116,40117,40118,40119,401110,401111,401112,401113,401114,401115,401116:空腔 4012:流體進孔 4013:流體出孔 402:第二卡盤 4021,40211,40212,40213,40214,40215,40216,40217,40218,0219,402110,402111,402112,402113,402114,402115,402116:第一流體輸送通道 403:軸體 4031,40311,40312,40313,40314,40315,40316,40317,40318,40319,403110,403111,403112,403113,403114,403115,403116:第二流體輸送通道 404:連接頭 4051,4052,4053,4054,4055,4056,4057,4058,4059,40510,40511,40512,40513,40514,40515,40516:流體輸送管 406:流體輸送總管 4061:第一流體輸送總管 4062:第二流體輸送總管 4063:第三流體輸送總管 407,407a,407b,407c:旁路支管 501,501a,501b,501c:開關閥門 502,502a,502b,502c:品質流量控制器 503,503a,503b,503c:加熱器 600:噴頭機構
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。 圖1示出了根據本發明實施例的基板處理裝置的立體結構示意圖； 圖2示出了圖1中的A處局部放大圖 圖3示出了根據本發明實施例的基板處理裝置的主視圖； 圖4示出了根據本發明實施例的基板處理裝置的俯視圖； 圖5示出了圖4中B-B截面示意圖； 圖6示出了根據本發明實施例的4等份均分第一卡盤的佈局方式俯視圖； 圖7示出了根據本發明實施例的4等份均分第一卡盤的佈局方式仰視圖； 圖8示出了根據本發明實施例的第二卡盤內部第一流體輸送通道佈局結構示意圖； 圖9示出了根據本發明實施例的軸體俯視圖； 圖10示出了根據本發明實施例的第一卡盤與第二卡盤裝配完成後的加熱盤結構透視示意圖； 圖11示出了根據本發明實施例的第一卡盤與第二卡盤裝配完成後的橫截面結構示意圖； 圖12示出了根據本發明實施例的2等份均分第一卡盤的佈局方式俯視圖； 圖13示出了根據本發明實施例3中的第一卡盤的佈局方式俯視圖； 圖14a和圖14b示出了根據本發明實施例的流體流速與加熱面積關係示意圖； 圖15示出了根據本發明實施例1的基板處理方法控制通路圖； 圖16示出了根據本發明實施例4的基板處理方法控制通路圖； 圖17示出了根據本發明實施例5的基板處理方法控制通路圖； 圖18示出了根據本發明實施例6的基板處理方法控制通路圖;以及 圖19示出了根據本發明實施例7的基板處理方法控制通路圖。
100:基板
200:夾持機構
300:旋轉驅動機構
400:加熱機構
600:噴頭機構

Claims (24)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 夾持機構，被配置為保持基板； 噴頭機構，包括液體噴頭，液體噴頭被配置為將液體分配至置於夾持機構上的基板表面； 旋轉驅動機構，被配置為驅動夾持機構旋轉； 加熱機構，包括加熱盤，加熱盤設置在基板下方，加熱盤沿徑向方向開設至少兩個空腔，每個空腔分佈在不同半徑上，空腔底部開設有流體進孔，空腔頂部開設有流體出孔，流體進孔與流體輸送管連接； 在液體噴頭沿基板的徑向方向由基板中心向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，控制機構控制位於該區域對應半徑上的空腔內的流體的熱能，進而提高液體噴頭下方基板的局部溫度。
  2. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 加熱機構還包括：流體輸送單元，流體輸送單元上設置有加熱器，加熱器用於對流體輸送單元內的流體進行加熱。
  3. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 加熱盤包括：第一卡盤和第二卡盤，所述第一卡盤設置於所述第二卡盤的上方，且所述第二卡盤與所述第一卡盤匹配設置； 第一卡盤在沿徑向方向上開設所述至少兩個空腔，每個空腔分佈在第一卡盤沿徑向方向不同的半徑上，空腔底部開設有流體進孔，空腔頂部開設有流體出孔； 第二卡盤內部開設有與空腔數量相等的第一流體輸送通道，第一流體輸送通道通過流體進孔與空腔相連通。
  4. 根據請求項3所述的基板處理裝置，其中： 加熱盤按角度被均分為n個等份，其中，n為大於或等於2的整數。
  5. 根據請求項4所述的基板處理裝置，其中： 每個等份內的空腔數量相等，且空腔分佈於不同的半徑上。
  6. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 所述至少兩個空腔的形狀為圓形，且呈同心圓設置。
  7. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 流經空腔的流體為氣體或液體。
  8. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 加熱盤的每個空腔上所開設的流體出孔的密度相同。
  9. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 與每一空腔相連接的流體輸送管分別連通於同一路流體輸送總管，每一流體輸送管上分別配置一開關閥門、一加熱器，流體輸送總管上配置一品質流量控制器；其中， 所述開關閥門被配置為打開或關斷流經流體輸送管的流體； 所述品質流量控制器被配置為監控調節流經流體輸送總管內流體的流量； 所述加熱器被配置為加熱每個流體輸送管內的流體。
  10. 根據請求項9所述的基板處理裝置，其中：所述控制機構被配置為： 打開開關閥門； 控制加熱器加熱流經流體輸送管內的流體熱能至第一熱能，達到第一熱能的流體通過每一空腔的流體出孔對基板進行加熱至第一溫度； 在液體噴頭沿基板的徑向方向由基板中心向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，控制加熱器加熱位於該區域對應半徑上的空腔內的流體至第二熱能，達到第二熱能的流體通過該空腔的流體出孔對基板對應區域進行加熱至第二溫度。
  11. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 與每一空腔相連接的流體輸送管上分別配置一開關閥門、一品質流量控制器及一加熱器；其中， 所述開關閥門被配置為打開或關斷流經流體輸送管的流體； 所述品質流量控制器被配置為監控調節流經每個流體輸送管內流體的流量； 所述加熱器被配置為加熱流體輸送管內的流體。
  12. 根據請求項11所述的基板處理裝置，其中：所述控制機構被配置為： 打開開關閥門； 控制加熱器加熱流經流體輸送管內的流體熱能至第一熱能，達到第一熱能的流體通過每一空腔的流體出孔對基板進行加熱至第一溫度； 在液體噴頭沿基板的徑向方向由基板中心向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，通過控制品質流量控制器調節位於該區域對應半徑上的空腔內的流體流量和/或通過控制加熱器調節位於該區域對應半徑上的空腔內的流體溫度，使位於該區域對應半徑上的空腔內的流體達到第二熱能，達到第二熱能的流體通過該空腔的流體出孔對基板對應區域進行加熱至第二溫度。
  13. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 與每一空腔相連接的流體輸送管分別連接兩路流體輸送支管，每一路流體輸送支管分別連通一路流體輸送總管，每一流體輸送支管上分別配置一開關閥門，每一流體輸送總管上分別配置一品質流量控制器及一加熱器；其中， 所述開關閥門被配置為打開或關斷流經流體輸送支管的流體； 所述品質流量控制器被配置為監控調節流經每個流體輸送總管內流體的流量； 所述加熱器被配置為加熱各流體輸送總管內流體。
  14. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中：所述控制機構被配置為： 通過控制品質流量控制器調節流體流量和/或通過控制加熱器調節流體溫度，使流經第一流體輸送總管內的流體熱能達到第一熱能和使流經第二流體輸送總管內的流體熱能達到第二熱能； 打開第一流體輸送支管上的開關閥門，達到第一熱能的流體通過每一空腔的流體出孔對基板進行加熱至第一溫度； 在液體噴頭沿基板的徑向方向由基板中心向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，控制該區域對應半徑上的空腔相連通的流體輸送管連接的第一流體輸送支管上的開關閥門關閉，同時打開該空腔所連通的流體輸送管連接的第二流體輸送支管上的開關閥門，第二流體輸送總管中達到第二熱能的流體通過該空腔流體出孔對基板對應區域進行加熱至第二溫度。
  15. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 與每一空腔相連接的流體輸送管分別連通三路流體輸送支管，每一路流體輸送支管分別連通一路流體輸送總管，每一流體輸送支管上分別配置一開關閥門，每一流體輸送總管上分別配置一品質流量控制器，其中，與第一流體輸送支管、第二流體輸送支管所連接的流體輸送總管上分別配置一加熱器；其中， 所述開關閥門被配置為打開或關斷流經流體輸送支管的流體； 所述品質流量控制器被配置為監控調節流經每個流體輸送總管內流體的流量； 所述加熱器被配置為加熱各流體輸送總管內流體。
  16. 根據請求項15所述的基板處理裝置，其中： 將基板從夾持機構上取走後，關閉第一流體輸送支管和第二流體輸送支管上所設置的開關閥門，打開第三流體輸送支管上所設置的開關閥門，向第三流體輸送支管所連接的流體輸送總管內通入低溫流體，低溫流體流經每一空腔對加熱盤進行降溫。
  17. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中： 與每一空腔相連接的流體輸送管分別連通三路流體輸送支管，第一流體輸送支管連通第一流體輸送總管，第二流體輸送支管連通第二流體輸送總管，第三流體輸送支管連通第三流體輸送總管，每一流體輸送支管上分別配置一開關閥門，每一流體輸送總管上分別配置一品質流量控制器及一加熱器；其中， 所述開關閥門被配置為打開或關斷流經流體輸送支管的流體； 所述品質流量控制器被配置為監控調節流經每個流體輸送總管內流體的流量； 所述加熱器被配置為加熱各流體輸送總管內流體。
  18. 根據請求項17所述的基板處理裝置，其中：所述控制機構被配置為： 通過控制品質流量控制器調節流體流量和/或通過控制加熱器調節流體溫度，使第一流體輸送總管內的流體熱能達到第一熱能，使第二流體輸送總管內的流體熱能達到第二熱能，使第三流體輸送總管內的流體熱能達到第三熱能； 打開每一流體輸送管所連接的第一流體輸送支管上的開關閥門，達到第一熱能的流體通過每一空腔的流體出孔對基板進行加熱至第一溫度； 在液體噴頭沿基板的徑向方向由基板中心向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，控制該區域對應半徑上的空腔所連通的流體輸送管連接的第一流體輸送支管上的開關閥門關閉，同時打開該空腔所連通的流體輸送管連接的第二流體輸送支管上的開關閥門，控制第二流體輸送總管中達到第二熱能的流體通過該空腔流體出孔對基板對應區域進行加熱至第二溫度； 同時，打開在逐漸遠離加熱盤中心的徑向方向上該空腔相鄰的空腔所連通的流體輸送管連接的第三流體輸送支管上的開關閥門，第三流體輸送總管內達到第三熱能的流體通過該空腔相鄰的空腔所開設的流體出孔對基板對應區域進行加熱至第三溫度； 第一溫度低於第三溫度，第三溫度低於第二溫度。
  19. 一種基板處理方法，包括： 將基板保持在夾持機構上； 驅動夾持機構帶動基板旋轉； 通過噴頭機構的液體噴頭向基板表面分配液體，液體噴頭在基板上方從基板中心沿徑向方向向基板邊緣移動的過程中，當液體噴頭移動至基板上方的某一區域時，通過對基板下方噴射具有第二熱能的流體的方式對基板上相同半徑區域進行局部加熱，提高液體噴頭下方基板的局部溫度。
  20. 根據請求項19所述的基板處理方法，其中：在通過噴頭機構的液體噴頭向基板表面分配液體之前還包括： 向基板的全部下方噴射具有第一熱能的流體對基板整體進行初預熱。
  21. 根據請求項19所述的基板處理方法，其中： 通過對該區域對應的基板下方噴射具有第二熱能的流體的方式對基板上相同半徑的該區域進行局部加熱的同時，對該區域在徑向方向上的相鄰區域對應的基板下方噴射具有第三熱能的流體進行再預熱。
  22. 根據請求項19所述的基板處理方法，其中： 流體為氣體或液體。
  23. 根據請求項19所述的基板處理方法，其中： 通過控制具有第二熱能的流體的溫度和/或流量對基板上相同半徑區域進行局部加熱，提高液體噴頭下方基板的局部溫度。
  24. 根據請求項19所述的基板處理方法，其中： 還包括將基板從夾持機構上取走後，通入低溫流體對加熱盤進行降溫。
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