TW202312231A - 表面處理裝置及半導體裝置的製造裝置 - Google Patents

Abstract

一種表面處理裝置（20），針對利用氫鍵結接合於被接合物的對象物（130）的接合面，在所述接合之前，實施親水化處理，所述表面處理裝置（20）包括：支撐基座（22），支撐一個以上的所述對象物（130）的與接合面相反的面；以及吹附噴嘴（26），藉由向由所述支撐基座（22）支撐的所述對象物（130）的接合面吹附具有與所述接合面的溫度對應的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣，而在所述接合面暫時產生結露。

Description

表面處理裝置及半導體裝置的製造裝置

本說明書揭示了一種表面處理裝置、及包括該表面處理裝置的半導體裝置的製造裝置，所述表面處理裝置針對利用氫鍵結接合於被接合物的對象物的接合面，在所述接合之前實施親水化處理。

近年來，提出了利用氫基鍵結將對象物接合於被接合物的技術。例如，以往提出了在接合兩個晶圓時、或者在晶圓上接合作為半導體積體電路的晶片時，利用氫鍵結。

在專利文獻1中揭示了一種將晶圓彼此接合的接合裝置，所述接合裝置在將兩者接合之前，實施使各晶圓的表面活性化的活性化處理、以及使各晶圓的表面親水化的親水化處理。在親水化處理中，使用設置在晶圓上側的噴嘴，向經活性化的晶圓供給液態的純水，藉此，使OH基附著在晶圓的表面。 [現有技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2012-175043號公報

[發明所欲解決之課題]

但是，在專利文獻1的技術中，將純水以液體狀態供給到對象物（即晶圓），因此在對象物的表面容易不均勻地殘留液滴。其結果，在將晶圓彼此接合後的接合邊界面有可能產生空隙（微孔）。即，在專利文獻1中，藉由氫鍵結將實施了親水化處理的晶圓彼此暫時接合，然後藉由加熱處理正式接合。進行該加熱處理時，若在接合邊界面堆積大量水分子，則殘留的水分子會自接合界面被急劇排除，而產成空隙（微孔）。

因此，亦可考慮藉由在一部分中，將對象物放置在高濕度的環境中，使OH基附著在對象物的表面。根據該形態，由於不產生液滴，因此可防止在氫鍵結後的接合邊界面殘留大量水分子。但是，在此種情況下，只不過是使氣體狀的水分子接觸對象物表面，難以發生OH基與對象物表面的鍵結。因此，為了使OH基充分且可靠地附著在對象物的表面，需要預先藉由電漿處理等使該表面活性化，從而整體的處理複雜化。

因此，本說明書中揭示了一種能夠容易地使適量的OH基附著於對象物的表面的表面處理裝置及包括該表面處理裝置的半導體裝置的製造裝置。 [解決課題之手段]

本說明書中揭示的表面處理裝置是針對利用氫鍵結接合於被接合物的對象物的接合面，在所述接合之前，實施親水化處理的表面處理裝置，其特徵在於包括：支撐基座，支撐一個以上的所述對象物的與接合面相反的面；以及吹附噴嘴，藉由向由所述支撐基座支撐的所述對象物的接合面吹附具有與所述接合面的溫度對應的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣，而在所述接合面暫時產生結露。

在此種情況下，進而，所述支撐基座可包括冷卻器，所述冷卻器將所述接合面的溫度冷卻至較周圍大氣的溫度低且較所述周圍大氣的水蒸氣壓的露點溫度高的溫度。

另外，可為：一個以上的所述對象物以其周圍被框構件包圍的狀態載置於所述支撐基座，所述冷卻器冷卻一個以上的所述對象物，所述框構件為不受到冷卻的位置及尺寸。

另外，可為：所述吹附噴嘴能夠在吹附所述加濕空氣的同時，相對於所述支撐基座移動。

另外，所述吹附噴嘴可具有覆蓋一個以上的所述對象物的全部的吹附面積。

另外，所述對象物可為作為半導體積體電路的晶片或接合所述晶片的晶圓。

本說明書中所揭示的半導體裝置的製造裝置是藉由利用氫鍵結將作為半導體積體電路的晶片接合在晶圓上來製造半導體裝置的半導體裝置的製造裝置，其特徵在於包括：結合單元，將所述晶片接合在所述晶圓或安裝在所述晶圓上的其他晶片的上表面；以及一個以上的表面處理裝置，在所述接合之前，對作為所述晶片或所述晶圓的對象物的接合面實施親水化處理，所述表面處理裝置包括：支撐基座，支撐一個以上的所述對象物的與接合面相反的面；以及吹附噴嘴，藉由向由所述支撐基座支撐的所述對象物的接合面吹附具有與所述接合面的溫度對應的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣，而在所述接合面暫時產生結露。 [發明的效果]

根據本說明書中揭示的技術，即使不進行電漿處理等，亦僅在吹附加濕空氣的期間產生結露，若停止吹附加濕空氣，則結露會蒸發。其結果，在對象物的接合面不殘留液滴而附著適當量的OH基。

以下，參照圖式說明半導體裝置的製造裝置10。圖1是表示半導體裝置的製造裝置10的結構的圖。另外，圖2是表示組裝在製造裝置10中的表面處理裝置20的結構的圖。

該製造裝置10在作為基板發揮功能的晶圓100上接合一個以上的晶片110來製造半導體裝置。在將晶片110接合至晶圓100時利用氫鍵結，將在後面對此進行敘述。

如圖1所示，製造裝置10包括：晶片供給單元12、基板供給單元14、結合單元16、第一表面處理裝置20f、及第二表面處理裝置20s。晶片供給單元12將晶片110供給至第一表面處理裝置20f。此處，晶片110在接著於貼在作為圓環框構件的切割環122的內側的切割帶120（圖1中看不到）的狀態下供給至第一表面處理裝置20f。再者，晶片110以其底面（即與晶圓100的接合面）朝上的樣態接著在切割帶120上。

基板供給單元14搬入搬出晶圓100，例如具有搬送晶圓100的臂機器人（未圖示）等。未處理的晶圓100自搬入端口14a搬入，並被搬送到第二表面處理裝置20s。另外，藉由結合而製造的半導體裝置自搬出端口14b搬出。

第一表面處理裝置20f對供給的晶片110的表面實施親水化處理。另外，第二表面處理裝置20s對供給的晶圓100的表面實施親水化處理。該第一表面處理裝置20f及第二表面處理裝置20s的結構大致相同。以下，在不對兩者進行區分的情況下表述為「表面處理裝置20」。該表面處理裝置20的具體結構將在後面敘述。

結合單元16將一個以上的晶片110結合到晶圓100而製造半導體裝置。具體而言，結合單元16包括：用以載置晶圓100的載物台、及對晶片110抽吸保持的同時能夠進行加熱的結合頭（均未圖示）。參照圖3說明由該結合單元16進行的結合處理。

圖3是表示結合的情況的示意圖。在製造半導體裝置時，如圖3所示，在晶圓100的上表面接合晶片110。另外，在厚度方向上接合兩個以上的晶片110的情況下，在與晶圓100接合的晶片110上接合其他晶片110。在該些接合面、即，晶圓100的上表面、晶片110的底面、及晶片110的上表面設置有電極102、電極112。結合單元16以晶片110的電極112與晶圓100的電極112或其他晶片110的電極112彼此接觸的方式將兩者接合。然後，藉此，晶圓100與晶片110、或者晶片110與晶片110電連接。

在將晶片110與晶圓100、或者晶片110與晶片110接合時利用氫鍵結。圖4的（a）～圖4的（c）是表示氫鍵結的情況的示意圖。圖4的（a）～圖4的（c）中，符號130是彼此接合的對象物、即，晶片110或晶圓100。再者，在晶片110為對象物130的情況下，晶圓100或另一晶片110成為與對象物130接合的被接合物，在晶圓100為對象物130的情況下，晶片110成為與對象物130接合的被接合物。在本例中，在接合對象物130之前，預先藉由表面處理裝置20對對象物130的接合面實施親水化處理。親水化處理的具體方法將在後面敘述，藉由進行親水化處理，如圖4的（a）所示，對象物130的接合面的Si原子與OH基發生化學鍵結，而在對象物130的接合面上附著OH基。在該狀態下，使兩個對象物130接近並接觸時，如圖4的（b）所示，成為附著在其中一個對象物130上的OH基與附著在另一個對象物130上的OH基彼此進行分子鍵結的狀態，即，氫鍵結的狀態。

氫鍵結雖然具有某種程度的鍵結力，但是作為半導體裝置而言尚未達到充分的鍵結力。因此，在使對象物130彼此氫鍵結之後，對對象物130進行加熱，以進一步提高其鍵結力。氫鍵結之後，對對象物130進行加熱時，水分子H ₂O蒸發，如圖4的（c）所示，成為兩個對象物130各自的Si原子彼此鍵結的狀態。若成為該狀態，則兩個對象物130原子性地直接接合，因此可獲得非常牢固的鍵結力。

如此，在利用氫鍵結接合對象物130的情況下，無需其他接著劑，例如非導電性膜等樹脂，因此能夠有效地防止由於該樹脂進入電極102、電極112的接合面而產生的導電性降低等問題。另外，在所述情況下，由於無需在晶片110的底面設置焊料凸塊等突起，因此能夠減少晶片110乃至半導體裝置的厚度。

然而，在進行此種利用氫鍵結的接合的情況下，如上所述，需要對對象物130的接合面實施使OH基附著的親水化處理。在本例中，為了進行親水化處理，設置有第一表面處理裝置20f及第二表面處理裝置20s。由於該第一表面處理裝置20f及第二表面處理裝置20s的結構大致相同，因此，以下列舉第一表面處理裝置20f為例來說明表面處理裝置20的結構。

圖2是表示表面處理裝置20（具體而言是第一表面處理裝置20f）的結構的圖。表面處理裝置20藉由使對象物130的接合面暫時產生結露，而使該接合面親水化。該表面處理裝置20包括支撐對象物130的支撐基座22、及向對象物130吹附加濕空氣的吹附噴嘴26。

支撐基座22是以支撐對象物的與接合面相反的面的方式，在使對象物130的接合面在外部露出的狀態下載置該對象物130的工作台。在第一表面處理裝置20f的情況下，作為對象物130的晶片110與切割環122一起載置在支撐基座22。換言之，在第一表面處理裝置20f的情況下，多個對象物130（晶片110）一起載置於支撐基座22。在支撐基座22組裝有用於冷卻對象物130的冷卻器24。

冷卻器24例如包括冷卻板及冷卻該冷卻板的冷卻機構。冷卻板是載置對象物130的板，由傳熱性高的金屬、例如銅或鋁等構成。另外，作為冷卻機構，例如可利用帕耳帖（Peltier）元件之類的吸熱元件、或熱泵等。此種冷卻機構的驅動由控制器28控制。控制器28控制製造裝置10的驅動，例如是具有處理器及記憶體的電腦。

在本例中，該冷卻器24覆蓋一個以上的對象物130的全部，另一方面包圍一個以上的對象物130的框構件（即，切割環122）設定為未覆蓋的位置及尺寸。藉由採用該結構，能夠僅冷卻對象物130，而能夠防止框構件的表面的結露的產生，對此將在後面敘述。

在支撐基座22的上方設置有吹附噴嘴26。吹附噴嘴26是對對象物130的接合面吹附加濕空氣的噴嘴。在該吹附噴嘴26連接有空氣源27，該空氣源27生成加濕空氣並向吹附噴嘴26供給。空氣源27使用經充分淨化的清潔空氣及純水來生成規定的溫度及濕度的加濕空氣。另外，進而，亦可在連結吹附噴嘴26與空氣源27的流路上設置對供給的加濕空氣進行壓送的泵、或控制加濕空氣的噴出的閥（均未圖示）等。另外，在本例中，吹附噴嘴26的吹附面積無法覆蓋由支撐基座22支撐的一個以上的對象物130的全部。因此，在本例中，設置有使吹附噴嘴26相對於支撐基座22移動的移動機構29。作為移動機構29，例如可使用將馬達作為驅動源的XY工作台等。藉由利用該移動機構29使其移動，吹附噴嘴26能夠掃描一個以上的對象物130的全部的接合面。藉由此種吹附噴嘴26進行的加濕空氣的吹附由控制器28驅動控制。

在本例中，藉由利用該吹附噴嘴26對接合面吹附加濕空氣，從而使接合面暫時、即，僅在加濕空氣的吹附期間產生結露，在其他期間，結露蒸發。為了產生該現象，對象物130的接合面需要設為在周圍大氣中不產生結露的溫度。另外，加濕空氣需要設定為在對象物130的接合面的溫度下產生結露的溫度及濕度。關於此種接合面的溫度及加濕空氣的溫度及濕度的設定，參照圖5、圖6進行說明。圖5、圖6是表示水的飽和水蒸氣壓的曲線圖。在圖5、圖6中，橫軸為溫度，縱軸表示水蒸氣壓。另外，在圖5、圖6中，Ta、Aa表示周圍大氣中的溫度及濕度。

首先，參照圖5，對未用冷卻器24冷卻對象物130時的加濕空氣的條件進行研究。不進行冷卻的情況下，對象物130的接合面的溫度與周圍大氣的溫度Ta相同。在該溫度Ta下的飽和水蒸氣壓為Ha。若具有超過該飽和水蒸氣壓Ha的水蒸氣壓的空氣與接合面接觸，則在該接合面產生結露。因此，加濕空氣只要具有周圍大氣溫度Ta（即接合面的溫度）下的飽和水蒸氣壓Ha以上的水蒸氣壓即可。例如，在將加濕空氣的溫度設為Tb、將溫度Tb的飽和水蒸氣壓設為Hb的情況下，加濕空氣的濕度只要在（Aa=Ha/Hb×100）%以上即可。在吹附該加濕空氣的期間，在接合面產生結露。另一方面，若停止加濕空氣的吹附，則周圍大氣的濕度充分低，因此結露會蒸發。但是，一旦因結露而在接合面形成極薄的水膜，則之後即使液滴蒸發，OH基亦會以附著的狀態殘留在接合面的表面。換言之，根據該方法，能夠在接合面容易地附著適量的OH基，另一方面能夠有效地防止液滴的殘留。

如此，即使不冷卻對象物130，亦能夠產生結露，但在此種情況下，需要使加濕空氣的濕度相當高，加濕空氣的生成負擔大。因此，亦可與加濕空氣的吹附相連動，利用冷卻器24對對象物130進行冷卻。關於利用冷卻器24冷卻對象物130時的加濕空氣的條件，參照圖6進行說明。

在冷卻對象物130的情況下，其冷卻溫度需要抑制為在周圍大氣中不發生結露的溫度。具體進行說明，在周圍大氣的溫度為Ta、濕度為Aa%的情況下，該周圍大氣中含有的水蒸氣壓為Hc。該水蒸氣壓Hc的露點為Tc，因此在溫度Tc以下時，會在周圍大氣中產生結露。因此，在冷卻對象物130的情況下，其接合面溫度必須超過周圍大氣中所含的水蒸氣壓的露點、在圖6的例子中必須超過Tc。

此處，考慮利用冷卻器24接合面溫度成為Td（再者，Tc＜Td＜Ta）的情況。在此種情況下，接合面溫度Td下的飽和水蒸氣壓為Hd，因此為了在接合面產生結露，加濕空氣需要具有Hd以上的水蒸氣壓。因此，在加濕空氣的溫度為Tb的情況下，加濕空氣的濕度需要為（Ac=Hd/Hb×100）%以上。該濕度Ac%與不冷卻對象物130時所需的濕度Ab%相比變低。如此，藉由冷卻對象物130，可將加濕空氣所需的濕度抑制得較低。

再者，在本例中，僅冷卻對象物130，而包圍對象物130的框構件未冷卻。因此，框構件的表面溫度與周圍大氣的溫度Ta相同。換言之，在對象物130與框構件之間產生溫度差。亦可採用利用該溫度差，僅在經冷卻的對象物130的接合面產生結露，而不在未經冷卻的框構件的表面產生結露的結構。具體而言，亦可使加濕空氣含有接合面溫度Td的飽和水蒸氣壓Hc以上且小於周圍大氣溫度Ta的飽和水蒸氣壓Ha的水蒸氣壓。具體而言，只要將加濕空氣的濕度設為Ac%以上且小於Ab%，則在接合面產生結露，並可防止框構件的結露。

無論如何，藉由吹附具有與對象物130的接合面溫度對應的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣，僅在該吹附期間產生結露，在吹附停止後，能夠使結露蒸發。藉此，可在接合面容易地附著適量的OH基。

此處，與其他技術進行比較來說明吹附此種加濕空氣的優點。以往，為了使接合面親水化，提出了向接合面噴出液態純水。在該技術中，亦可在接合面附著OH基，但在此種情況下，在接合面會不均勻地殘留液滴。如此，殘留的液滴在使對象物130氫鍵結後亦會殘留在接合邊界面。然後，若在接合邊界面殘留大量水分子的狀態下加熱對象物130，則殘留的水分子會自接合界面被急劇排除，而產生空隙（微孔）。此種空隙當然會導致接合質量的下降。

另外，作為另一形態，亦可考慮藉由將對象物130冷卻至結露，使接合面親水化。即，在圖7的例子中，若將對象物130的接合面冷卻至周圍大氣的水蒸氣壓Hc的露點溫度Tc以下，則即使不吹附加濕空氣，亦會在接合面產生結露。但是，使一度冷卻的對象物130上升到結露蒸發的溫度需要某種程度的時間。因此，在使對象物130冷卻而產生結露的情況下，在對象物130上升到結露能夠蒸發的溫度之前，結露持續，在接合面產生大量的液滴。在此種情況下，即使接合面的溫度充分上升，亦難以使一度產生的大量液滴提前蒸發。結果，即使在此種情況下，氫鍵結後在接合邊界面亦會殘留大量水分子，在加熱處理後亦有可能產生空隙。

進而，作為另一形態，亦可考慮不產生結露，而是藉由將對象物130放置在高濕度的環境中，使OH基附著在接合面。根據該形態，由於不產生液滴，因此可防止在氫鍵結後的接合邊界面殘留大量水分子。但是，在此種情況下，只不過是使氣體狀的水分子與接合面接觸，難以產生OH基與接合面的鍵結。因此，為了使OH基充分且可靠地附著在接合面，需要預先藉由電漿處理等使接合面活性化，從而整體的處理複雜化。

另一方面，在本例中，如上所述，向接合面吹附含有接合面溫度的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣。藉此，可在接合面瞬間形成均勻的水膜，而可使OH基附著在接合面。另外，若停止吹附加濕空氣，則該水膜立即蒸發，因此能夠有效抑制液敵的殘留，進而有效抑制空隙的產生。

再者，在圖2的例子中，吹附噴嘴26的吹附面積小於載置於支撐基座22的多個對象物130的總面積，因此使吹附噴嘴26移動來進行掃描。但是，此種吹附噴嘴26的結構亦可適宜變更。例如，如圖7所示，吹附噴嘴26亦可具有能夠覆蓋多個對象物130的全部的吹附面積。另外，如圖9的（a）所示，設置在吹附噴嘴26的吹附孔26a亦可設置多個。藉由採用該結構，能夠更可靠地均勻分散加濕空氣。另外，作為另一形態，如圖9的（b）所示，設置於吹附噴嘴26的吹附孔26a亦可為單一。藉由採用該結構，能夠簡化吹附噴嘴26的結構。另外，加濕空氣既可如圖9的（b）所示般呈圓柱狀吹附，亦可如圖9的（c）所示般呈隨著向下游前進而擴徑的圓錐狀吹附。

繼而，關於藉由本例的製造裝置10製造半導體裝置的流程，參照圖10進行說明。在製造半導體裝置時，首先，將晶片110自晶片供給單元12搬送到第一表面處理裝置20f（S10）。在此種情況下，晶片110在與貼在切割環122內側的切割帶120接著的狀態下，被搬入第一表面處理裝置20f。在第一表面處理裝置20f中，對一個以上的晶片110的接合面實施親水化處理（S12）。具體而言，在將晶片110載置於支撐基座22的狀態下，冷卻晶片110，同時利用吹附噴嘴26向晶片110的接合面吹附加濕空氣。藉此，在接合面瞬間產生微量的結露。但是，若停止加濕空氣的吹附，則該結露會立即蒸發。然後，藉由結露蒸發，雖然在接合面不存在液滴，但成為接合面的Si原子上鍵結有OH基的狀態。

在進行晶片110的親水化處理的同時，亦進行晶圓100的親水化處理。即，將作為基板發揮功能的晶圓100自基板供給單元14搬送至第二表面處理裝置20s（S14）。繼而，對搬送來的晶圓100實施親水化處理（S16）。具體而言，在將晶圓100載置於支撐基座22的狀態下，冷卻晶圓100，同時利用吹附噴嘴26向晶圓100的接合面吹附加濕空氣。

若晶片110及晶圓100的親水化處理完成，則藉由氫鍵結使晶片110與晶圓100暫時接合（S18）。具體而言，經親水化處理的晶圓100被搬送到結合單元16，並載置於設置在結合單元16的工作台。另外，設置在結合單元16的結合工具抽吸保持經親水化處理的晶片110，並將其載置於晶圓100的上表面。藉由晶片110與晶圓100的接合面接觸，附著在兩接合面的OH基進行氫鍵結。藉此，晶片110與晶圓100以某種程度的接合力暫時接合。

若暫時接合完成，則繼而對經暫時接合的晶圓100及晶片110進行加熱，將兩者正式接合（S20）。藉由對晶片110及晶圓100進行加熱，接合邊界面的水分子蒸發，兩者的Si原子彼此牢固地鍵結。換言之，晶片110的矽與晶圓100的矽進行原子性鍵結。藉此，可獲得強的鍵結力。

然後，若所需的晶片110全部結合在晶圓100，則半導體裝置的製造結束。再者，此處雖然列舉不積層晶片110的情況為例進行了說明，但是亦可將兩個以上的晶片110在厚度方向上積層。在此種情況下，位於下側的晶片110的上表面成為與積層在其上側的另一晶片110的接合面，但該下側的晶片110的上表面可進行親水化處理，亦可不進行親水化處理。在對下側的晶片110的上表面進行親水化處理的情況下，例如，在將該下側的晶片110載置於晶圓100之後，將該下側的晶片110與晶圓100一起再次投入至表面處理裝置20中即可。

另外，迄今為止說明的結構是一個例子，只要表面處理裝置20至少包括支撐對象物130的與接合面為相反側的面的支撐基座22、及向接合面吹附具有與該接合面的溫度對應的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣的吹附噴嘴，則亦可適宜變更其他結構。

例如，在本例中，對晶片110及晶圓100雙方實施了親水化處理，但親水化處理亦可僅對晶片110及晶圓100的至少一方實施。因此，製造裝置10亦可為僅具有第一表面處理裝置20f及第二表面處理裝置20s的一方而不具有另一方的結構。另外，在本例中，在親水化處理時，對對象物130進行了冷卻，但是對象物130亦可不冷卻。

另外，在本例中，僅對接合面進行了親水化處理，但亦可在親水化處理之前，進行其他的表面處理，例如對接合面照射電漿，使接合面的原子活性化的電漿處理。另外，在本例中，將表面處理裝置20組裝到半導體裝置的製造裝置10中，但表面處理裝置20亦可組裝到利用氫鍵結接合對象物130的其他裝置中。另外，表面處理裝置20亦可不組裝到其他裝置中，而是單獨使用。

10:製造裝置 12:晶片供給單元 14:基板供給單元 14a:搬入端口 14b:搬出端口 16:結合單元 20:表面處理裝置 20f:第一表面處理裝置 20s:第二表面處理裝置 22:支撐基座 24:冷卻器 26:吹附噴嘴 26a:吹附孔 27:空氣源 28:控制器 29:移動機構 100:晶圓 102、112:電極 110:晶片 120:切割帶 122:切割環 130:對象物 Aa、Aa%、Ab%、Ac%:濕度 Ta、Tb、Tc、Td:溫度 Ha、Hb、Hc、Hd:水蒸氣壓 S10、S12、S14、S16、S18、S20:步驟

圖1是表示半導體裝置的製造裝置的結構的圖。 圖2是表示組裝在製造裝置中的表面處理裝置的結構的圖。 圖3是表示結合（bonding）情況的示意圖。 圖4的（a）～圖4的（c）是表示氫鍵結的情況的示意圖。 圖5是表示加濕空氣的溫濕條件的圖。 圖6是表示加濕空氣的溫濕條件的圖。 圖7是表示吹附噴嘴的另一例的圖。 圖8的（a）～圖8的（c）是表示吹附噴嘴的其他例子的圖。 圖9是表示利用製造裝置製造半導體裝置的流程的流程圖。

20:表面處理裝置

20f:第一表面處理裝置

22:支撐基座

24:冷卻器

26:噴射噴嘴

27:空氣源

28:控制器

29:移動機構

110:晶片

120:切割帶

122:切割環

130:對象物

Claims (7)

1. 一種表面處理裝置，針對利用氫鍵結接合於被接合物的對象物的接合面，在所述接合之前，實施親水化處理，所述表面處理裝置的特徵在於包括： 支撐基座，支撐一個以上的所述對象物的與接合面相反的面；以及 吹附噴嘴，藉由向由所述支撐基座支撐的所述對象物的接合面吹附具有與所述接合面的溫度對應的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣，而在所述接合面暫時產生結露。
2. 如請求項1所述的表面處理裝置，其中，進而， 所述支撐基座包括冷卻器，所述冷卻器將所述接合面的溫度冷卻至較周圍大氣的溫度低且較所述周圍大氣的水蒸氣壓的露點溫度高的溫度。
3. 如請求項2所述的表面處理裝置，其中， 一個以上的所述對象物以其周圍被框構件包圍的狀態載置於所述支撐基座， 所述冷卻器冷卻一個以上的所述對象物，所述框構件為不受到冷卻的位置及尺寸。
4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的表面處理裝置，其中， 所述吹附噴嘴能夠在吹附所述加濕空氣的同時，相對於所述支撐基座移動。
5. 如請求項1至請求項3中任一項所述的表面處理裝置，其中， 所述吹附噴嘴具有覆蓋一個以上的所述對象物的全部的吹附面積。
6. 如請求項1至請求項5中任一項所述的表面處理裝置，其中， 所述對象物是作為半導體積體電路的晶片或接合所述晶片的晶圓。
7. 一種半導體裝置的製造裝置，藉由利用氫鍵將作為半導體積體電路的晶片接合在晶圓上來製造半導體裝置，所述半導體裝置的製造裝置的特徵在於包括： 結合單元，將所述晶片接合在所述晶圓或安裝在所述晶圓上的其他晶片的上表面；以及 一個以上的表面處理裝置，在所述接合之前，對作為所述晶片或所述晶圓的對象物的接合面實施親水化處理， 所述表面處理裝置包括： 支撐基座，支撐一個以上的所述對象物的與接合面相反的面；以及 吹附噴嘴，藉由向由所述支撐基座支撐的所述對象物的接合面吹附具有與所述接合面的溫度對應的飽和水蒸氣壓以上的水蒸氣壓的加濕空氣，在所述接合面暫時產生結露。

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