TW202309683A - 產生圖案化裝置之系統、產品及方法及其圖案 - Google Patents

Abstract

本文中描述一種用於改良一圖案化裝置之一設計之方法。該方法包括：(i)獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵對應於待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵；及(ii)調整該等遮罩點之位置以基於該等經調整遮罩點而產生該遮罩特徵之一經修改設計。

Description

產生圖案化裝置之系統、產品及方法及其圖案

本文中之描述大體而言係關於產生圖案化裝置之系統、產品及方法及其圖案。

微影投影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化裝置(例如遮罩)可含有或提供對應於IC (「設計佈局」)之個別層之圖案，且可藉由諸如將已經塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含一或多個晶粒)輻照通過圖案化裝置上之圖案而將此圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案係由微影投影設備順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影設備中，將整個圖案化裝置上之圖案一次性轉印至一個目標部分上；此設備通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描設備(step-and-scan apparatus)之替代設備中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化裝置進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化裝置上之圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影設備將具有縮減比率M (例如4)，因此基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化裝置之速度的1/M倍。可例如自以引用方式併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影裝置的更多資訊。

在將圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序(「曝光後工序」)，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列係用作製造一裝置(例如IC)之個別層的基礎。基板可接著經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等，該等程序皆意欲精整裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一裝置。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，據此，可將個別裝置安裝於載體上、連接至銷釘等。

因此，製造諸如半導體裝置之裝置通常涉及使用多個製作程序來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等裝置之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械研磨及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製作多個裝置，且接著將其分離成個別裝置。此裝置製造程序可被認為係圖案化程序。圖案化程序涉及用以將圖案化裝置上之圖案轉印至基板之圖案化步驟，諸如使用微影設備中之圖案化裝置之光學及/或奈米壓印微影，且圖案化程序通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如由顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻設備而使用圖案進行蝕刻等。

如所提及，微影為在諸如IC之裝置之製造時的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定裝置之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他裝置。

隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前先進技術下，使用微影投影設備來製造裝置層，微影投影設備使用來自深紫外線照明源之照明而將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸充分地低於100 nm之個別功能元件，亦即，尺寸小於來自該照明源(例如，193 nm照明源)之輻射之波長的一半。

供印刷尺寸小於微影投影設備之經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD=k1×λ/NA而通常被稱為低k1微影，其中λ為所使用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248 nm或193 nm)，NA為微影投影設備中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」-通常為所印刷之最小特徵大小-且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用至微影投影設備、設計佈局或圖案化裝置。此等步驟包括(例如，但不限於) NA及光學相干設定之最佳化、自訂照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學件、反射光學件、孔徑及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括用於集體地或單個地引導、塑形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之任一者而操作之組件。術語「投影光學件」可包括微影投影設備中之任何光學組件，而不論光學組件位於微影投影設備之光學路徑上之何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化裝置之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化裝置之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常排除源及圖案化裝置。

根據一實施例，提供一種非暫時性電腦可讀媒體，其具有指令，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於改良一圖案化裝置之一設計之一方法，該方法包含：(i)獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵對應於待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵；及(ii)調整該等遮罩點之位置以基於該等經調整遮罩點而產生該遮罩特徵之一經修改設計。

根據一實施例，提供一種非暫時性電腦可讀媒體，其具有指令，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於改良一圖案化裝置之一設計之一方法，該方法包含：(i)獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵對應於待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵；及(ii)調整該等遮罩點之位置以增大一程序窗，其中該處理窗係與用於將該目標圖案印刷於一基板上之一圖案化程序相關聯，其中該調整包括基於該等經調整位置產生一經修改設計。

根據一實施例，提供一種用於改良一圖案化裝置之一設計之方法，該方法包含：(i)獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵對應於待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵；及(ii)調整該等遮罩點之位置以基於該等經調整遮罩點而產生該遮罩特徵之一經修改設計。

在微影中，圖案化裝置(例如，遮罩)可提供對應於目標圖案(例如，目標設計佈局)之遮罩圖案(例如，遮罩設計佈局)，且可藉由將光透射通過遮罩圖案而將此遮罩圖案轉印至基板上。然而，歸因於各種限制，經轉印圖案可顯現為具有許多不規則性，且因此，不相似於目標圖案。光學近接校正(OPC)為通常用於設計遮罩圖案以補償由於微影中之繞射或其他程序效應而引起的影像誤差的增強技術。當前OPC技術藉由反覆地調整設計之區段(例如，以最小化諸如抗蝕劑影像或蝕刻影像信號之信號)且縫合經校正區段以形成經校正設計來增強遮罩特徵之設計。一些技術增強設計以最佳化成本函數，例如邊緣置放誤差、遮罩規則檢查、對稱性等。一些技術將所有區段校正在一起以最佳化成本函數。一些技術使用基於影像之增強方法，諸如自由形式技術，其中自初始影像(例如，連續透射遮罩(CTM)影像)產生自由形式遮罩設計，且該自由形式遮罩設計經反覆地校正以最佳化影像可變像素。然而，當前技術中之至少一些係低效的，此係因為其可能遭受收斂問題、可能具有有限程序窗大小、可能需要使用者調諧許多參數以達成所要結果，或可能消耗大量運算資源，例如運行時間及記憶體，此防止其在生產線中使用。

在本發明中，揭示用於使用基於點之OPC(或本文中被稱作「全角OPC」)來改良遮罩圖案的方法及系統。在基於點之OPC中，在一些實施例中，可針對目標特徵自目標圖案產生初始遮罩點且該等初始遮罩點與目標特徵上之控制點相關聯，例如一個控制點與一或多個遮罩點相關聯。調整該等遮罩點(例如改變位置)以產生曲線圖案。遮罩點可沿著指定方向(例如，曲線圖案之局部法線或其他預定方向)移動一定量，例如以最佳化控制點處之成本函數。可反覆地實施調整遮罩點之以上程序以更新曲線圖案從而達成收斂。

在一些實施例中，基於點之OPC提供具有曲線圖案之遮罩的最終或中間設計，其比自已知技術產生之伸長設計更自然。在一些實施例中，可相干地移動多個遮罩點以最佳化一或多個控制點處之成本函數，此允許局部地更精細且更準確地控制遮罩設計且可能改良總體微影效能。在一些實施例中，舉例而言，若遮罩設計變得顯著不同於目標特徵，則可打破且重新建立控制點與遮罩點之間的關聯，此使得能夠藉由智慧型地選擇待校正之遮罩點而在控制點處更高效地最佳化(相比而言，在先前技術中，區段與控制點之間的關聯係固定的，即使區段已經相當遠離控制點，例如在目標特徵之拐角附近)。全角OPC技術可用以產生用於遮罩特徵之曲線圖案或非曲線圖案(例如，圖案之區段或直線與水平軸之間的角度為45*n度或90*n度的多邊形圖案，其中n為整數)或混合設計(例如，部分曲線及部分多邊形的設計)。

作為簡要介紹，圖1說明例示性微影投影設備10A。主要組件為：輻射源12A，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源的其他類型之源(如上文所論述，微影投影設備自身無需具有輻射源)；照明光學件，其例如定義部分相干性(被表示為均方偏差)且可包括塑形來自源12A之輻射的光學件14A、16Aa及16Ab；圖案化裝置18A；及透射光學件16Ac，其將圖案化裝置圖案之影像投影至基板平面22A上。在投影光學件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑20A可限定照射於基板平面22A上之光束角度之範圍，其中最大可能角度界定投影光學件之數值孔徑NA= n sin(Θmax)，其中n為基板與投影光學件之最後元件之間的介質之折射率，且Θmax為自投影光學件射出的仍可照射於基板平面22A上之光束的最大角度。

在微影投影設備中，源將照明(亦即輻射)提供至圖案化裝置，且投影光學件經由圖案化裝置將照明引導至基板上且塑形該照明。投影光學件可包括組件14A、16Aa、16Ab及16Ac中之至少一些。空中影像(AI)為基板位階處之輻射強度分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型僅與抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間發生的化學程序之效應)相關。微影投影設備之光學屬性(例如，照明、圖案化裝置及投影光學件之屬性)規定空中影像且可被定義於光學模型中。由於可改變用於微影投影設備中之圖案化裝置，因此需要使圖案化裝置之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影投影設備之其餘部分之光學屬性分離。美國專利申請公開案第US 2008-0301620號、第2007-0050749號、第2007-0031745號、第2008-0309897號、第2010-0162197號及第2010-0180251號中描述了用以將設計佈局變換成各種微影影像(例如空中影像、抗蝕劑影像等)、使用技術及模型來應用OPC且評估效能(例如依據程序窗)的彼等技術及模型之細節，該等公開案中之每一者之全部揭示內容特此係以引用方式併入。

圖案化裝置可包含或可形成一或多個設計佈局。可利用電腦輔助設計(computer-aided design；CAD)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作電子設計自動化(electronic design automation；EDA)。大多數CAD程式遵循一組預定設計規則，以便產生功能設計佈局/圖案化裝置。藉由處理及設計限制而設定此等規則。舉例而言，設計規則定義裝置(諸如閘、電容器等)或互連線之間的空間容許度，以便確保裝置或線彼此不會以非所要方式相互作用。設計規則限制中之一或多者可被稱作「臨界尺寸」(CD)。裝置之臨界尺寸可被定義為線或孔之最小寬度或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計裝置之總大小及密度。當然，裝置製作中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始設計意圖(經由圖案化裝置)。

如本文所使用之術語「遮罩」或「圖案化裝置」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典遮罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化裝置之實例亦包括： -可程式化鏡面陣列。此裝置之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此設備所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器的情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。 -可程式化LCD陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出此構造之實例。

理解微影程序之一種態樣係理解輻射與圖案化裝置之相互作用。在輻射通過圖案化裝置之後的輻射之電磁場可自在輻射到達圖案化裝置之前的輻射之電磁場及特性化該相互作用之函數予以判定。此函數可被稱作遮罩透射函數(其可用以描述透射圖案化裝置及/或反射圖案化裝置之相互作用)。

圖案化程序之變數被稱為「處理變數」。圖案化程序可包括微影設備中之圖案之實際轉印上游及下游的程序。圖2展示處理變數370之實例類別。第一類別可為微影設備或用於微影程序中之任何其他設備之變數310。此類別之實例包括微影設備之照明件、投影系統、基板載物台等之變數。第二類別可為在圖案化程序中執行之一或多個工序之變數320。此類別之實例包括焦點控制或焦點量測、劑量控制或劑量量測、頻寬、曝光持續時間、顯影溫度、用於顯影中之化學成份等。第三類別可為設計佈局及其在圖案化裝置中或使用圖案化裝置進行之實施之變數330。此類別之實例可包括輔助特徵之形狀及/或位置、藉由解析度增強技術(RET)而應用之調整、遮罩特徵之CD等。第四類別可為基板之變數340。實例包括抗蝕劑層下方之結構之特性、抗蝕劑層之化學成份及/或實體尺寸等。第五類別可為圖案化程序之一或多個變數之時間變化的特性350。此類別之實例包括高頻載物台移動(例如，頻率、振幅等)、高頻雷射頻寬改變(例如頻率、振幅等)及/或高頻雷射波長改變之特性。此等高頻改變或移動為高於用以調整基礎變數(例如，載物台位置、雷射強度)之機構之回應時間的高頻改變或移動。第六類別可為微影設備中之圖案轉印上游或下游的程序之特性360，該等程序諸如旋塗、曝光後烘烤(PEB)、顯影、蝕刻、沈積、摻雜及/或封裝。

如應瞭解，此等變數中之許多變數(若非全部)將對圖案化程序之參數有影響且常常對所關注參數有影響。圖案化程序之參數之非限制性實例可包括臨界尺寸(CD)、臨界尺寸均一性(CDU)、焦點、疊對、邊緣位置或置放、側壁角、圖案移位等。常常，此等參數表達自標稱值(例如設計值、平均值等)之誤差。參數值可為個別圖案之特性之值或圖案群組之特性之統計量(例如平均值、方差等)。

處理變數中之一些或全部或與其相關之參數之值可藉由合適方法予以判定。舉例而言，可自運用各種度量衡工具(例如基板度量衡工具)獲得之資料判定值。可自圖案化程序中之設備之各種感測器或系統(例如，微影設備之感測器(諸如位階量測感測器或對準感測器)、微影設備之控制系統(例如基板或圖案化裝置台控制系統)、塗佈顯影系統工具中之感測器等)獲得值。該等值可來自圖案化程序之操作員。

圖3說明用於模型化及/或模擬圖案化程序之部分的例示性流程圖。如應瞭解，模型可表示不同圖案化程序且無需包含下文所描述之所有模型。源模型1200表示圖案化裝置之照明之光學特性(包括輻射強度分佈、頻寬及/或相位分佈)。源模型1200可表示照明之光學特性，其包括但不限於：數值孔徑設定、照明均方偏差(σ)設定以及任何特定照明形狀(例如離軸輻射形狀，諸如環形、四極、偶極等)，其中均方偏差(或σ)為照明器之外部徑向範圍。

投影光學件模型1210表示投影光學件之光學特性(包括由投影光學件造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。投影光學件模型1210可表示投影光學件之光學特性，包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸等。

圖案化裝置/設計佈局模型模組1220捕捉設計特徵如何被佈置於圖案化裝置之圖案中且可包括圖案化裝置之詳細實體屬性之表示，如例如全文係以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述。在一實施例中，圖案化裝置/設計佈局模型模組1220表示設計佈局(例如對應於積體電路、記憶體、電子裝置等之特徵之裝置設計佈局)之光學特性(包括由給定設計佈局造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，其為圖案化裝置上或由圖案化裝置形成之特徵配置之表示。由於可改變用於微影投影設備中之圖案化裝置，因此需要使圖案化裝置之光學屬性與至少包括照明及投影光學件的微影投影設備之其餘部分之光學屬性分離。模擬之目標常常為準確地預測例如邊緣置放及CD，可接著比較該等邊緣置放及CD與裝置設計。裝置設計通常被定義為預OPC圖案化裝置佈局，且將以諸如GDSII或OASIS之標準化數位檔案格式之形式被提供。

可自源模型1200、投影光學件模型1210及圖案化裝置/設計佈局模型1220模擬空中影像1230。空中影像(AI)為基板位階處之輻射強度分佈。微影投影設備之光學屬性(例如照明、圖案化裝置及投影光學件之屬性)規定空中影像。

基板上之抗蝕劑層係由空中影像曝光，且該空中影像經轉印至抗蝕劑層而作為其中之潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。可使用抗蝕劑模型1240自空中影像1230模擬抗蝕劑影像1250。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型通常描述在抗蝕劑曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間出現的化學程序之效應，以便預測例如形成於基板上之抗蝕劑特徵之輪廓，且因此其通常僅與抗蝕劑層之此類屬性(例如在曝光、曝光後烘烤及顯影期間出現的化學程序之效應)相關。在一實施例中，抗蝕劑層之光學屬性，例如折射率、膜厚度、傳播及偏振效應-可作為投影光學件模型1210之部分被捕捉。

因此，一般而言，光學模型與抗蝕劑模型之間的連接為抗蝕劑層內之經模擬空中影像強度，其起因於輻射至基板上之投影、抗蝕劑界面處之折射及抗蝕劑膜堆疊中之多個反射。輻射強度分佈(空中影像強度)係藉由入射能量之吸收而變為潛伏「抗蝕劑影像」，其係藉由擴散程序及各種負載效應予以進一步修改。足夠快以用於全晶片應用之高效模擬方法藉由2維空中(及抗蝕劑)影像而近似抗蝕劑堆疊中之實際3維強度分佈。

在一實施例中，可將抗蝕劑影像用作至圖案轉印後程序模型模組1260之輸入。圖案轉印後程序模型1260界定一或多個抗蝕劑顯影後程序(例如蝕刻、顯影等)之效能。

圖案化程序之模擬可例如預測抗蝕劑及/或經蝕刻影像中之輪廓、CD、邊緣置放(例如邊緣置放誤差)等。因此，該模擬之目標為準確地預測例如經印刷圖案之邊緣置放，及/或空中影像強度斜率，及/或CD等。可將此等值與預期設計比較以例如校正圖案化程序，識別預測出現缺陷之地點等。預期設計通常被定義為預OPC設計佈局，其可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供。

因此，模型公式化描述總程序之大多數(若非全部)已知物理性質及化學方法，且模型參數中每一者理想地對應於相異物理或化學效應。模型公式化因此設定關於模型可用以模擬總體製造程序之良好程度之上限。

圖4說明用於模型化及/或模擬度量衡程序的例示性流程圖。如應瞭解，以下模型可表示不同度量衡程序且無需包含下文所描述之所有模型(例如可將一些模型組合)。源模型1300表示度量衡目標之照明之光學特性(包括輻射強度分佈、輻射波長、偏振等)。源模型1300可表示照明之光學特性，包括但不限於：波長、偏振、照明均方偏差(σ)設定(其中均方偏差(或σ)為照明器中之照明之徑向範圍)、任何特定照明形狀(例如離軸輻射形狀，諸如環形、四極、偶極等)等。

度量衡光學件模型1310表示度量衡光學件之光學特性(包括由度量衡光學件造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。度量衡光學件1310可表示由度量衡光學件對度量衡目標之照明之光學特性，及自度量衡目標重新引導之輻射朝向度量衡設備偵測器之轉印的光學特性。度量衡光學件模型可表示涉及目標之照明及自度量衡目標重新引導之輻射朝向偵測器之轉印的各種特性，包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸等。

度量衡目標模型1320可表示由度量衡目標重新引導之照明的光學特性(包括由度量衡目標造成的照明輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。因此，度量衡目標模型1320可模型化藉由度量衡目標進行之照明輻射至重新引導輻射之轉換。因此，度量衡目標模型可模擬自度量衡目標重新引導之輻射之所得照明分佈。度量衡目標模型可表示涉及目標之照明及自度量衡重新引導之輻射之產生的各種特性，包括一或多個折射率、度量衡之一或多個實體大小、度量衡目標之實體佈局等。由於可改變所用之度量衡目標，因此需要使度量衡目標之光學屬性與至少包括照明及投影光學件及偵測器的度量衡設備之其餘部分之光學屬性分離。模擬之目標常常為準確地預測例如強度、相位等，其可接著用以導出圖案化程序之所關注參數，諸如疊對、CD、焦點等。

可自源模型1300、度量衡光學件模型1310及度量衡目標模型1320模擬光瞳或空中影像1330。光瞳或空中影像為偵測器位階處之輻射強度分佈。度量衡光學件及度量衡目標之光學屬性(例如照明、度量衡目標及度量衡光學件之屬性)規定光瞳或空中影像。

度量衡設備之偵測器經曝光至光瞳或空中影像且偵測該光瞳或空中影像之一或多個光學屬性(例如強度、相位等)。偵測模型模組1320表示如何藉由度量衡設備之偵測器來偵測來自度量衡光學件之輻射。偵測模型可描述偵測器如何偵測光瞳或空中影像，且可包括信號對雜訊、對偵測器上之入射輻射之敏感度等。因此，一般而言，度量衡光學件模型與偵測器模型之間的連接為經模擬光瞳或空中影像，其起因於由光學件對度量衡目標之照明、由目標對輻射之重新引導及重新引導輻射至偵測器之轉印。輻射分佈(光瞳或空中影像)由於偵測器上之入射能量之吸收而變為偵測信號。

度量衡程序之模擬可例如基於由偵測器對光瞳或空中影像之偵測來預測偵測器處之空間強度信號、空間相位信號等，或來自偵測系統之其他計算值，諸如疊對、CD等值。因此，模擬之目標係準確預測例如對應於度量衡目標的偵測器信號或諸如疊對、CD之導出值。可將此等值與預期設計值比較以例如校正圖案化程序，識別預測出現缺陷之地點等。

因此，模型公式化描述總體度量衡程序之大多數(若並非全部)已知物理性質及化學方法，且模型參數中之每一者理想地對應於度量衡程序中之相異物理及/或化學效應。

圖案化裝置上或由圖案化裝置提供之各種圖案可具有不同程序窗。亦即，將產生符合規格之圖案所根據之處理變數之空間。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。通常，在兩個處理變數(亦即，劑量及焦點)上界定程序窗，使得在圖案化之後獲得的CD可在圖案之特徵的所要CD之±10%內。可藉由合併每一個別圖案之程序窗(例如，使該等程序窗重疊)來獲得圖案化裝置或其區域上之所有圖案之程序窗。

圖5A為符合各種實施例的用於產生或改良對應於待經由涉及微影程序之圖案化程序印刷於基板上的目標圖案之遮罩特徵之設計的例示性方法500之流程圖。在一實施例中，目標圖案可為二元設計佈局、連續色調設計佈局，或具有另一合適形式之設計佈局。目標圖案可包括待印刷於基板上之一或多個目標特徵，且遮罩圖案包括對應於一或多個目標特徵之遮罩特徵。在一些實施例中，目標特徵之設計可為多邊形，且對應遮罩特徵之設計可為曲線圖案。遮罩特徵可為對應於目標特徵之主特徵或次解析度輔助特徵(SRAF)。

在程序P501處，獲得遮罩特徵之設計的遮罩點。在一些實施例中，遮罩點為位於遮罩特徵上之一組點。遮罩點可經調整(例如，移動至不同位置)以修改遮罩特徵之設計。遮罩點係自遮罩特徵之現有設計導出或自目標特徵導出，在此狀況下，遮罩點係與線(平滑地)連接以形成初始設計。在一些實施例中，初始設計具有曲線圖案。獲得遮罩點或產生初始設計之額外細節至少參看圖5B之程序550進行描述。

在程序P503處，藉由調整遮罩點之位置而最佳化初始設計。對遮罩點之位置之調整產生遮罩特徵之經修改設計(因此被稱作「基於點之最佳化程序」)。在一些實施例中，遮罩點之位置經調整使得最佳化成本函數。成本函數可包括邊緣置放誤差(EPE)、諸如抗蝕劑影像信號(或蝕刻影像信號)之經模擬信號、遮罩規則檢查(MRC)懲罰、程序窗等中之一或多者。程序P503可使用一或多個成本函數，且可以不同方式最佳化不同成本函數。

舉例而言，程序P503可藉由減小一或多個目標特徵之EPE (例如直至最小化)來最佳化諸如EPE之成本函數。在一些實施例中，EPE為抗蝕劑影像中之輪廓(例如對應於遮罩特徵之輪廓)上的點與彼點之預期位置(例如目標特徵上之控制點)之間的距離。

在另一實例中，程序P503可藉由減少一或多個目標特徵上之經模擬信號(例如直至最小化)來最佳化諸如經模擬信號之成本函數。在一些實施例中，可自抗蝕劑影像(或蝕刻影像)獲得經模擬信號，該抗蝕劑影像可例如使用抗蝕劑模型(或蝕刻模型)自遮罩特徵之經修改設計而模擬。

在另一實例中，程序P503可藉由減少MRC違反懲罰(例如直至最小化)來最佳化諸如MRC違反懲罰之成本函數。在一些實施例中，MRC為用於降低可產生之遮罩圖案之複雜度的影像正則化方法。MRC係指遮罩製造程序或設備之限制條件。懲罰可為成本函數之項，其取決於違反量，例如遮罩量測值與給定MRC或遮罩參數(例如，遮罩圖案寬度與所允許(例如，最小或最大)遮罩圖案寬度)之間的差。

在另一實例中，程序P503可藉由增大程序窗(例如直至最大化)來最佳化諸如程序窗之成本函數。在一些實施例中，增大程序窗包括增大劑量值或焦點值之範圍。在一些實施例中，圖案化程序之程序窗包括用於微影設備之源參數(諸如劑量及焦點)之值範圍，該微影設備用以使用遮罩圖案將目標圖案印刷於基板上。

在一些實施例中，調整位置之程序P503係反覆程序，且執行調整位置之反覆直至滿足指定條件為止。指定條件可為執行預定義數目次反覆或最佳化成本函數。另外，經修改設計在每次反覆中更新(例如，藉由調整一或多個遮罩點之位置)，且最終反覆之輸出(例如，最終經修改設計)可用於製造遮罩圖案。遮罩圖案可具有額外結構特徵，諸如對應於經修改設計之SRAF。遮罩圖案可接著用以使用微影設備將經修改設計轉印至基板。

關於最佳化遮罩特徵之初始設計的額外細節至少參看圖5C之程序575加以描述。

圖5B為符合各種實施例的用於產生遮罩特徵之初始設計之方法550的流程圖。在一些實施例中，程序550作為程序500之程序P501的部分予以執行。在程序P505處，獲得目標圖案501。目標圖案501可包括一或多個目標特徵，諸如圖6A之目標特徵602。圖6A說明符合各種實施例的具有控制點及初始遮罩點之目標特徵。目標特徵可具有任何形狀，例如圓圈、橢圓、多邊形等。舉例而言，目標特徵602之形狀為矩形。繼續程序P505，目標特徵602與多個控制點相關聯，諸如控制點656及控制點662。在一些實施例中，藉由將目標特徵602分段成多個區段且將一或多個控制點置放於該等區段中之每一者中的目標特徵602之邊緣上而使控制點與目標特徵602相關聯。在圖6A之實例中，控制點656及另一相似控制點置放於目標特徵602之較短邊緣的中點上，且一些控制點(包括控制點662)置放於目標特徵602之較長邊緣上。在一些實施例中，目標特徵上之控制點可置放於目標特徵之一或多個邊緣上的使用者定義之位置處。

多個遮罩點503 (諸如，遮罩點604及606)係自目標特徵602導出。遮罩點503為形成對應於目標特徵602之遮罩特徵之設計的一組點。遮罩點503可使用線(例如，彎曲或筆直)來連接以形成遮罩特徵之設計。在一些實施例中，遮罩點503係使用曲線連接以形成曲線設計。在一些實施例中，自目標特徵602導出遮罩點503之程序包括在使用者定義之位置處(例如，在目標特徵602上或附近)產生遮罩點503。如圖6A中所說明，諸如遮罩點604之一些遮罩點位於目標特徵602之邊緣上，且諸如遮罩點606之一些遮罩點位於目標特徵602之邊緣或拐角附近。可(例如)藉由改變遮罩點之位置來調整遮罩點503，以更新設計(例如，如至少參看下文之圖5C所描述)。

基於點之OPC程序可以以各種方式產生之遮罩特徵之初始設計開始。舉例而言，可例如藉由使用自目標特徵602導出之遮罩點503而自目標特徵602產生遮罩特徵之初始設計(如下文進一步所描述)。在另一實例中，可將遮罩特徵之輸入設計502提供至程序P505。輸入設計502可自另一OPC程序獲得或使用另一OPC程序產生。此類OPC程序之實例包括機器學習自由形式OPC、CTM自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基於區段之OPC、逆微影技術(ILT)、基於機器學習(ML)之OPC等。圖6B說明符合各種實施例的自另一程序獲得之遮罩特徵之設計。可使用以上OPC程序中之一者自目標特徵602產生遮罩特徵之設計654 (例如輸入設計502)。另外，設計654之形狀可為曲線的。在程序接收設計654作為輸入設計502的情況下，自設計654導出遮罩點503。舉例而言，遮罩點503可為使用者定義之位置處(例如設計654上)之一組點。

在程序P507處，遮罩點503與控制點相關聯以產生多個控制點-遮罩點關聯507。舉例而言，在一組遮罩點658與控制點656之間產生第一關聯。該關聯可基於使用者定義之輸入而產生。舉例而言，使用者可選擇待與控制點656相關聯之該組遮罩點658。在一些實施例中，產生關聯使得每一控制點與相同數目之遮罩點相關聯。舉例而言，如圖6B中所說明，每一控制點與三個遮罩點相關聯(遮罩點與控制點之間的關聯係使用連接遮罩點與對應控制點之邊緣來描繪)。然而，此僅為例示性的；可在不脫離本發明之範疇的情況下使用將一或多個遮罩點與每一控制點相關聯的任何其他合適方式。在一些實施例中，在控制點處藉由調整與該控制點相關聯的一或多個遮罩點之位置來最佳化成本函數，如至少參下以下之圖5C所描述。另外，遮罩點與控制點之間的關聯在調整位置之程序期間可改變，如至少參看以下之圖5C所描述。

在程序P509處，將平滑化程序應用於遮罩點503以產生遮罩特徵之設計509。在一些實施例中，平滑化程序可包括應用曲線擬合，其為建構與一系列資料點(例如，經受約束)具有最佳擬合之曲線的程序。曲線擬合可涉及內插(其中需要對資料之確切擬合)或平滑化(其中建構大致擬合資料之「平滑」函數)。圖7說明符合各種實施例的將平滑化程序應用於遮罩點的程序。在圖7中，將平滑化程序應用於遮罩點503 (例如遮罩點604及606)以產生曲線圖案702 (例如設計509)。

在程序P511處，將擾動程序應用於設計509以產生經放大(或經縮小)之設計511，該設計為設計509之經放大(或經縮小)版本。在一些實施例中，擾動程序藉由在指定方向(例如，局部法線)上移動遮罩點中之每一者(例如指定距離)來放大(或縮小)設計509。圖8說明符合各種實施例的遮罩特徵之初始設計之經擾動版本。舉例而言，藉由將擾動程序應用於曲線圖案702 (例如，藉由平滑化程序產生之設計509)，產生曲線圖案702之經放大版本802。可將經放大版本802作為遮罩特徵之初始設計511輸入至圖5C之設計最佳化程序。

圖5C為符合各種實施例的用於最佳化遮罩特徵之設計之程序575的流程圖。在一些實施例中，程序575作為程序500之程序P503的部分予以執行。在程序P521處，接收到初始設計511作為輸入。將諸如抗蝕劑及蝕刻模型之程序模型應用於初始設計以獲得模擬影像(例如抗蝕劑影像或蝕刻影像)，且使用經模擬影像來運算成本函數521。在一些實施例中，針對與目標特徵602相關聯之控制點中的每一者判定成本函數521。如上文所描述，成本函數521可為EPE、經模擬信號、程序窗等中之一或多者。舉例而言，可使用經模擬影像藉由自經模擬影像提取遮罩特徵之輪廓且比較該輪廓與目標特徵602以獲得控制點處之EPE來判定諸如EPE之成本函數。

在程序P523處，針對每一控制點至少部分地基於成本函數521來判定遮罩點503之位置調整資料523。在一些實施例中，位置調整資料523可包括與控制點相關聯之一或多個遮罩點必須移動以便最佳化成本函數521 (例如減小或最小化EPE)所藉以的斜率及距離值。舉例而言，用於控制點656之位置調整資料523可指示來自該組遮罩點658之一或多個遮罩點必須移動以最小化控制點656處之EPE所藉以的方向(例如，諸如設計之局部法線的方向或其他方向)及距離。位置調整資料523之判定亦可考慮與控制點相關聯的遮罩點之當前位置以及目標特徵之幾何資訊(例如形狀)。舉例而言，用於控制點656之位置調整資料523之判定可考慮該組遮罩點658的當前位置以及目標特徵602之幾何資訊(例如，形狀)。

在程序P525處，基於位置調整資料523調整與每一控制點相關聯之一或多個遮罩點之位置以最佳化成本函數521。在調整一或多個遮罩點之位置之後，產生經修改設計525，例如，如圖9中所說明。

圖9說明符合各種實施例的遮罩特徵之最佳化設計。在調整初始設計511之一或多個遮罩點之位置後，產生經修改設計902a (例如，經修改設計525)。應注意，圖9說明藉由相對於控制點656移動一或多個遮罩點658，控制點656處之諸如EPE之成本函數521自初始值減小至「3.5 nm」。在一些實施例中，藉由自經修改設計902a獲得經模擬影像(例如抗蝕劑影像或蝕刻影像)、自經模擬影像提取輪廓912a且量測輪廓912a上之點與控制點656之間的距離來判定EPE。在一些實施例中，在調整遮罩點時，程序可將設計分裂成多個片段(例如弧形片段)且隨後對設計之該等片段應用調整。舉例而言，可集體地(例如，相干地)或個別地(例如，分開地)調整多個遮罩點。

在程序P527處，將平滑化程序應用於經修改設計902a。如上文所描述，平滑化程序可為曲線擬合程序，其建構與一系列資料點(例如，經調整遮罩點)具有最佳擬合的曲線。

在程序P529處，將MRC程序應用於經修改設計902a以進一步更新經修改設計902a，以確保經修改設計902a遵照遮罩製造程序或設備之限制條件(例如遮罩設計寬度在所允許(例如最小或最大)遮罩設計寬度內)。

在判定程序P531處，作出是否滿足最佳化條件之判定。若滿足最佳化條件(例如，成本函數521經最佳化或執行預定義數目次反覆)，則程序575結束。若未滿足最佳化條件，則將經修改設計902a輸入至程序P521且重複程序575以藉由調整遮罩點且產生另一經修改設計來進一步最佳化成本函數521。在一些實施例中，最佳化遮罩特徵之設計(例如初始設計511或經修改設計902a)之程序575係反覆程序，且重複反覆(例如諸如P521至P529之以上程序)直至最佳化成本函數521或執行預定義數目次反覆，其中每次反覆藉由調整一或多個遮罩點而產生一經修改設計。在若干次反覆之後，產生最終經修改遮罩設計525。在一些實施例中，與最終經修改設計525相關聯之成本函數521經最佳化。舉例而言，在圖9中，在若干次反覆之後，產生最終經修改設計902b (例如，最終經修改設計525)。應注意，在控制點656處之最終經修改設計902b中的成本函數521 (諸如EPE)為「1.1 nm」，其小於初始反覆中之「3.5 nm」的EPE。亦即，EPE隨著反覆之數目增大而減小(例如，成本函數521經最佳化)。在一些實施例中，可能不進一步最佳化為「1.1 nm」之EPE，且因此，經修改設計902b可被認為係對應於目標特徵602之遮罩特徵的最終最佳化設計。在一些實施例中，藉由獲得輪廓912b (例如，自如以上所描述之經模擬影像)且量測輪廓912b上之點與控制點656之間的距離來判定EPE。

在一些實施例中，當遍及若干次反覆最佳化經修改設計525時，遮罩點與控制點之間的關聯可為「固定的」或「動態的」。舉例而言，在固定模式中，若第一組遮罩點與第一反覆中之第一控制點相關聯，則第一組遮罩點保持與所有反覆中之第一控制點相關聯。在動態模式中，若第一組遮罩點與第一反覆中之第一控制點相關聯，則來自第一組遮罩點的一或多個遮罩點可與第二反覆中之第二控制點相關聯以便最佳化成本函數521。亦即，可打破遮罩點與控制點之間的現有關聯且可建立新關聯。此動態調整將在各種情境中都會有幫助，例如，在經修改設計變得顯著不同於目標特徵之形狀(此可藉由比較經修改設計與目標特徵而判定)的情況下。以此方式，可藉由智慧型地選擇待校正之遮罩點來更有效地最佳化控制點處之成本函數521。

在又一關聯模式(被稱作「軟」模式)中，可能在遮罩點與控制點之間不存在所定義關聯。可基於與在遮罩點之某距離內的控制點中之每一者相關聯之成本函數521來調整遮罩點。在一些實施例中，所選擇關聯之「軟」模式可取決於目標特徵602之幾何形狀。舉例而言，遮罩點調整之量可取決於遮罩點與控制點之間的距離及遮罩點處之局部法線與連接遮罩點及控制點之直線之間的角度。

雖然參考EPE描述最佳化成本函數521之前述描述，但亦可使用諸如經模擬信號或程序窗之其他成本函數。若成本函數521為經模擬信號，則程序575可調整遮罩點之位置以藉由減小經模擬信號(例如直至最小化)而最佳化經模擬信號。在另一實例中，若成本函數521為程序窗，則程序575可調整遮罩點之位置以藉由增大程序窗(例如直至最大化)而最佳化程序窗。在又一實例中，若成本函數521為諸如EPE及程序窗之一或多個度量之組合，則程序575可調整遮罩點之位置以藉由減小EPE(例如直至最小化)且增大程序窗(例如直至最大化)來最佳化EPE及程序窗。在一些實施例中，諸如經模擬信號或EPE之成本函數為局部成本函數，例如控制點局部的成本函數，而諸如程序窗之成本函數為與整體上之一或多個目標特徵相關的全局成本函數。在一些實施例中，可在最佳化局部成本函數及全局成本函數兩者時出現衝突，在此狀況下，經由折衷來達成最佳化(例如，可不最佳化一或多個局部成本函數而可最佳化其他局部成本函數或全局成本函數，或反之亦然)。舉例而言，若一個控制點處之經模擬信號或EPE受另一控制點(例如，相鄰控制點)處之經模擬信號或EPE影響，則局部成本函數兩者可能不會同時經最佳化且可採用折衷之最佳化，諸如其中之一者可經最佳化或其兩者可在一定程度上經最佳化(例如EPE減小但未經最小化)，一者不影響另一者。

雖然前述描述描述了最佳化單一遮罩特徵之設計，但遮罩圖案可具有對應於目標圖案中之多個目標特徵的多個此類遮罩特徵。可針對遮罩圖案中之所有遮罩特徵執行基於點之最佳化程序(例如，程序500)以產生用於對應遮罩特徵之最佳化設計。具有遮罩特徵之最佳化設計(諸如最佳化設計902b)之遮罩圖案可接著用於製造可用於將遮罩圖案轉印至基板之遮罩。

產生或最佳化遮罩特徵之設計的基於點之最佳化程序可用於各種應用中。圖10A至圖10D說明符合各種實施例的設計最佳化程序之各種實例應用。圖10A說明基於點之最佳化程序之實例應用，其中針對諸如所說明之正方形之目標特徵(例如目標特徵1001)產生遮罩特徵之最佳化設計(例如最佳化設計1002)。圖10B說明基於點最佳化程序之實例應用，其中針對諸如圓圈及橢圓之目標特徵(例如，目標特徵1007)產生遮罩特徵之最佳化設計(例如，最佳化設計1008)。圖10C說明基於點之最佳化程序之實例應用，其中針對諸如傾斜圖案之目標特徵產生遮罩特徵之最佳化設計。在圖10C中，基於點之最佳化程序並不分離不同類型之遮罩特徵，諸如主特徵(例如目標特徵)及SRAF，亦即，針對主特徵及SRAF兩者產生最佳化設計。舉例而言，遮罩圖案1003包括對應於主特徵(例如目標特徵)及SRAF之遮罩特徵。基於點之最佳化程序產生對應於目標特徵1005之遮罩特徵的最佳化設計1010。在圖10D中，基於點之最佳化程序分離不同類型之遮罩特徵，且產生針對主特徵而非針對SRAF之遮罩特徵的最佳化設計。舉例而言，遮罩圖案1017包括對應於主特徵(例如，目標特徵)及SRAF兩者之遮罩特徵。基於點之最佳化程序產生對應於目標特徵1020之遮罩特徵之最佳化設計1025。

雖然基於點之最佳化程序可自目標特徵產生遮罩特徵之初始設計且最佳化該初始設計，但基於點之最佳化程序亦可用以改良藉由其他OPC程序(諸如自由形式程序)產生之遮罩特徵的設計。在圖10C及圖10D之實例中，使用自由形式程序產生遮罩特徵之初始設計，接著將該等初始設計輸入至基於點之最佳化程序以用於將其最佳化成最佳化設計1010及1025。

在一些實施例中，基於點之最佳化程序比其他OPC程序更高效。舉例而言，基於點之最佳化程序相比於其他程序可以較少數目次反覆最佳化成本函數，藉此最小化在產生最佳化設計中消耗的運算資源，例如處理器運行時間及記憶體。在另一實例中，基於點之最佳化程序與其他OPC程序相比達成成本函數之較好最佳化，同時相比於其他程序消耗更少的運算資源，例如處理器運行時間及記憶體。

在一些實施例中，使用基於點之最佳化程序結合其他OPC程序比使用該等其他OPC程序而不使用基於點之最佳化程序更高效。亦即，使用其他OPC程序來產生初始設計，接著使用基於點之最佳化程序來最佳化該等初始設計以達成提高之效率。舉例而言，與其他程序在不使用基於點之最佳化程序的情況下產生最佳化設計中將消耗的運算資源相比，基於點之最佳化程序可藉由消耗更少的運算資源(例如處理器運行時間及記憶體)而自初始設計產生最佳化設計。此外，與其他OPC程序在不使用基於點之最佳化程序的情況下將達成情形相比，基於點之最佳化程序可達成成本函數之更好最佳化。

在一些實施例中，基於點之最佳化程序可藉由最佳化遮罩點位置連同微影設備之源以最佳化程序窗而併入至源遮罩最佳化(SMO)流程中。舉例而言，在SMO之每次反覆中，每一遮罩點移動之方向及量可取決於源形狀，該源形狀亦在同一SMO反覆中經最佳化。來自SMO之遮罩輸出接著由平滑連接之最佳化遮罩點構成(例如，使用平滑化程序)。

圖11為說明可輔助實施本文中所揭示之方法、流程或設備的電腦系統100之方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之一處理器104 (或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 108或其他靜態儲存裝置。提供諸如磁碟或光碟之儲存裝置110，且儲存裝置110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。

電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入裝置114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入裝置通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y))中之兩個自由度，其允許該裝置指定在一平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可被用作輸入裝置。

根據一項實施例，可藉由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中所含有之一或多個指令之一或多個序列來執行本文中所描述之一或多種方法的部分。可將此類指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存裝置110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中含有之指令序列之執行致使處理器104執行本文中所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。

本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如，儲存裝置110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採用聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。

可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及電腦可讀媒體之各種形式。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體擷取及執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存裝置110上。

電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦合，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供至對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。

網路鏈路120通常經由一或多個網路而向其他資料裝置提供資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務提供者(ISP) 126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」) 128而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的載波之例示性形式。

電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供本文中所描述之方法的全部或部分。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存裝置110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式的應用程式碼。

圖12示意性地描繪可結合本文中所描述之技術利用的例示性微影投影設備。該設備包含： - 照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO； - 第一物件台(例如，圖案化裝置台) MT，其具備用以固持圖案化裝置MA (例如，倍縮光罩)之圖案化裝置固持器，且連接至用以相對於物品PS來準確地定位該圖案化裝置之第一定位器； - 第二物件台(基板台) WT，其具備用以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於物品PS來準確地定位該基板之第二定位器； - 投影系統(「透鏡」)PS (例如，折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化裝置MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

如本文中所描繪，設備屬於透射類型(亦即，具有透射圖案化裝置)。然而，一般而言，其亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化裝置)。設備可使用與經典遮罩不同種類之圖案化裝置；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。

源SO (例如，水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(laser produced plasma，LPP) EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地抑或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器) IL中。照明器IL可包含調整構件AD以用於設定光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常將包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化裝置MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

關於圖12應注意，源SO可在微影投影設備之外殼內(此常常為當源SO為(例如)水銀燈時之狀況)，但其亦可在微影投影設備遠端，其所產生之輻射光束被導引至該設備中(例如，憑藉合適導向鏡)；此後一情境常常為當源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F ₂雷射作用)時之狀況。

光束B隨後截取被固持於圖案化裝置台MT上之圖案化裝置MA。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，光束B穿過透鏡PS，該透鏡將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。相似地，第一定位構件可用以(例如)在自圖案化裝置庫機械地擷取圖案化裝置MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，將憑藉未在圖12中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，圖案化裝置台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。

可在兩種不同模式中使用所描繪工具： -在步進模式中，將圖案化裝置台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化裝置影像一次性投影((亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。接著使基板台WT在x方向及/或y方向上移位，使得可由光束B輻照不同目標部分C； -在掃描模式中，基本上相同情境適用，惟單次「閃光」中不曝光給定目標部分C除外。取而代之，圖案化裝置台MT可在給定方向(所謂「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，使得造成投影光束B遍及圖案化裝置影像進行掃描；同時發生地，基板台WT以速度V=Mv在相同或相對方向上同時地移動，其中M為透鏡PS之放大率(通常，M=1/4或=1/5)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對較大目標部分C。

圖13示意性地描繪可結合本文中所描述之技術利用的另一例示性微影投影設備1000。

該微影投影設備1000包含： -  源收集器模組SO； -  照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； -  支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如遮罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM； -  基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及 -  投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

如此處所描繪，設備1000屬於反射類型(例如使用反射圖案化裝置)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化裝置可具有包含例如鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一項實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生更小波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，因此圖案化裝置構形(例如多層反射器之頂部上之TaN吸收體)上之經圖案化吸收材料薄件界定特徵將在何處印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)。

參看圖13，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於：運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖13中未繪示)的EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO ₂雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為單獨實體。

在此類狀況下，不認為雷射形成微影設備之部件，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且藉由該圖案化裝置而圖案化。在自圖案化裝置(例如遮罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如干涉裝置、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如遮罩) MA及基板W。

所描繪設備1000可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如圖案化裝置台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如圖案化裝置台) MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。

圖14更詳細地展示設備1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如，Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了高效地產生輻射，可需要為(例如) 10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。

由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230 (在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中已知，本文中進一步指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。

收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24經配置以提供在圖案化裝置MA處輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化裝置MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處的輻射光束21之反射後，即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。

比所展示元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖12所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。

如圖12中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置為圍繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學件CO可與常常被稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。

替代地，源收集器模組SO可為如圖15中所展示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。

如上文至少參看圖5A至圖10D所描述，「全角OPC」技術產生用於對應於目標圖案中之目標特徵的遮罩特徵之曲線圖案。該曲線圖案係藉由調整可自輸入遮罩特徵或對應目標特徵導出之遮罩點而產生，直至成本函數經最佳化。在一些實施例中，「全角OPC」技術可產生用於遮罩特徵之非曲線設計(例如，圖案之區段或直線與水平軸之間的角度為45*n度或90*n度的多邊形圖案，其中n為整數)或混合設計(例如，部分曲線及部分多邊形的設計)。另外，可針對遮罩特徵產生此類設計，遮罩特徵可為(a)對應於目標特徵之主特徵或(b) SRAF。應注意，本發明中所使用之術語「多邊形設計」或「多邊形圖案」係指圖案之區段或直線與水平軸之間的角度為45*n度或90*n度的圖案，其中n為整數。在一些實施例中，可使用至少參看圖5A至圖5C所描述之方法，藉由調整遮罩點以使得最終設計(例如，最終經修改設計525或902b)之兩條直線之間的角度為45*n度或90*n度來產生多邊形圖案。舉例而言，至少參看圖5B所描述之平滑化程序或至少參看圖5C所描述之成本函數521 (其用以判定遮罩點之位置調整資料)可經調適以產生用於遮罩特徵之多邊形或混合設計而非曲線設計。

待產生之設計之類型(例如，曲線、多邊形或混合)可基於一或多個參數而判定。在一些實施例中，基於使用者偏好，遮罩特徵可產生為多邊形或混合設計。舉例而言，使用者可選擇將遮罩特徵產生為多邊形或混合設計而非曲線設計以最小化製造具有曲線設計之圖案化裝置的複雜度。在一些實施例中，遮罩特徵可產生為多邊形或混合設計以與運用曲線設計可達成之情形相比更好地最佳化成本函數(例如EPE、MRC違反懲罰)。舉例而言，當使用曲線設計產生遮罩特徵時，成本函數(諸如EPE)可減小至第一值，但在運用多邊形或混合設計產生遮罩特徵時，成本函數(諸如EPE)可進一步減小至第二值(第二值＜第一值)。在一些實施例中，當目標圖案具有目標特徵之密集配置且產生曲線設計可違反一或多個MRC約束，諸如遮罩特徵大小、寬度、兩個遮罩特徵之間的距離或其他MRC約束時，遮罩特徵可產生為多邊形或混合設計。舉例而言，當遮罩特徵經產生為曲線設計時，兩個遮罩特徵之間的距離可能小於最小距離臨限值，但當遮罩特徵經產生為多邊形或混合設計時，兩個遮罩特徵之間的距離可能等於或大於最小距離臨限值。在一些實施例中，遮罩特徵可產生為目標特徵之指定部分的曲線設計且產生為目標特徵之其他部分的多邊形設計。舉例而言，遮罩特徵可產生為接近於目標特徵之一或多個頂點或線端的目標特徵之一部分的曲線設計，且產生為目標特徵之剩餘部分的多邊形設計(例如如圖17中所說明)。在一些實施例中，遮罩特徵可產生為多邊形或混合設計而非曲線設計以最小化在產生曲線設計時所消耗的運算資源。

圖16A說明符合各種實施例的遮罩特徵之曲線設計。對應於目標特徵1602之遮罩特徵1604經產生為曲線設計。在一些實施例中，遮罩特徵1604相似於圖9之經修改設計902b，且目標特徵1602相似於目標特徵602。

圖16B說明符合各種實施例的遮罩特徵之多邊形設計。對應於目標特徵1602之遮罩特徵1606經產生為多邊形設計(例如使用直線建構之設計)。在一些實施例中，以與至少參看圖5A至圖10D所描述之方法相似的方式產生遮罩特徵1606，惟遮罩特徵1606經產生為多邊形且不產生為曲線圖案除外。

圖16C說明符合各種實施例的遮罩特徵之曲線設計及多邊形設計。對應於目標特徵1602之遮罩特徵1604經產生為曲線設計。對應於SRAF之遮罩特徵1614經產生為多邊形設計。

圖16D說明符合各種實施例的遮罩特徵之曲線設計及多邊形設計。對應於目標特徵1602之遮罩特徵1606經產生為多邊形設計，而對應於SRAF之遮罩特徵1616經產生為曲線設計。

圖17說明符合各種實施例的遮罩特徵之混合設計。對應於目標特徵1702之遮罩特徵1704經產生為混合設計，其中第一部分1706經產生為多邊形設計且第二部分1708 (例如接近於目標特徵1702之頂點)經產生為曲線設計。在一些實施例中，遮罩特徵1704相似於圖9之經修改設計902b (惟遮罩特徵1704經產生為多邊形及曲線圖案除外)且目標特徵1702相似於目標特徵602。

雖然圖16C及圖16D展示用於遮罩特徵之設計的特定組合，諸如圖16C中的用於主遮罩特徵1604之曲線設計及用於SRAF遮罩特徵1614之多邊形設計，及圖16D中的用於主遮罩特徵1606之多邊形設計及用於SRAF遮罩特徵1616之曲線設計，但各種其他組合亦係可能的。舉例而言，主遮罩特徵及SRAF遮罩特徵兩者可具有相同設計。在另一實例中，主遮罩特徵之設計可不同於SRAF遮罩特徵之設計。在又一實例中，可不產生SRAF遮罩特徵。

圖18說明符合各種實施例的用於執行圖5A中所描述之「全角OPC」方法的流程圖。

在程序P1801處，將作為對應於目標圖案之目標影像的多個剪輯1801輸入至CTM引擎，以對該等剪輯1801執行OPC，從而產生CTM或CTM+遮罩影像1802。在一些實施例中，CTM引擎可對剪輯1801執行CTM及CTM+之多個階段，以獲得作為經最佳化OPC結果之遮罩影像1802。遮罩影像1802可含有主特徵及SRAF兩者。遮罩影像1802可用作用於訓練機器學習(ML)模型1805以產生用於任何給定目標圖案之遮罩圖案(例如後OPC)的實況。

在程序P1802處，將剪輯1801及遮罩影像1802作為訓練資料集提供至ML模型1805以訓練ML模型1805。在一些實施例中，訓練ML模型1805可為反覆程序，且每一反覆可包括：判定指示經預測遮罩圖案(例如，由ML模型1805產生之遮罩圖案)與輸入至ML模型1805之遮罩影像之間的差的成本函數；及調整ML模型1805之參數以最小化成本函數。當成本函數最小化(例如，經預測遮罩圖案與輸入遮罩影像之間的差小於臨限值)時，考慮訓練ML模型1805。在良好地訓練ML模型1805之後，ML模型1805可用以針對任何給定目標圖案產生遮罩圖案。

將目標圖案之目標影像1803輸入至經訓練ML模型1805以獲得用於目標圖案之遮罩圖案1804。在一些實施例中，由ML模型1805產生之遮罩圖案1804可能未經最佳化(例如EPE可能未經最佳化)。

在程序P1803處，將遮罩圖案1804輸入至全角OPC模組，該全角OPC模組執行全角OPC方法(例如如至少參看圖5A至圖5C所描述)以改良遮罩圖案1804且產生經改良遮罩圖案1807。在一些實施例中，經改良遮罩圖案1807與圖5C之最終經修改遮罩設計525相似。在一些實施例中，可最佳化經改良遮罩圖案1807 (例如，可最佳化EPE)。另外，遮罩圖案1807可具有曲線、多邊形或混合設計。

在一些實施例中，全角OPC技術與自由形式OPC之不同之處在於：全角OPC藉由調整與遮罩圖案相關聯之遮罩點來產生遮罩圖案，而自由形式OPC藉由調整對應於設計佈局之影像中的像素值來產生遮罩圖案。另外，在先前基於區段之OPC方法中，雖然保留區段角度(例如，區段被限於具有45*n度之角度，其中n為整數)時，但可能不保留用於調整遮罩圖案之遮罩點之數目。相比而言，在全角OPC技術中，遮罩點之數目或遮罩圖案之區段之間的角度在調整程序期間可皆不被保留，此係由於可在調整程序期間添加或刪除遮罩點且區段之間的角度可為任何角度(例如，任何度，諸如用於曲線設計的「0」至「360」度，及用於多邊形設計的45*n度或90*n度)。另外，在全角OPC技術中，相對於基於區段之OPC方法(其中沿著區段法線方向調整遮罩圖案之邊緣區段)，遮罩點可在任何方向上移動。

在一些實施例中，全角OPC技術可與其他OPC技術組合以產生遮罩圖案。每一技術可用以產生遮罩圖案之不同遮罩特徵或遮罩特徵之不同部分，且每一技術可用以產生多邊形設計或曲線設計。舉例而言，對於圖16D中所說明之目標特徵1602，基於區段OPC或基於影像之OPC技術可用以產生遮罩特徵1606且全角OPC技術可用以產生遮罩特徵1616。

儘管在本文中可特定地參考IC製造，但應明確理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，本文中之描述可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別與更一般之術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」可互換。

在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有為365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如，具有在約5 nm至100 nm之範圍內之波長)。

本文所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使次波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生具有愈來愈小之大小之波長的新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)微影，其能夠藉由使用ArF雷射來產生193 nm之波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157 nm之波長。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20 nm至5 nm之範圍內之波長，以便產生在此範圍內之光子。

雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在不同於矽晶圓的基板上之成像的微影成像系統。

如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整圖案化設備(例如微影設備)、圖案化程序等使得結果及/或程序具有較合乎需要的特性，諸如設計圖案於基板上之較高投影準確度、較大程序窗等。因此，如本文所使用之術語「最佳化」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的程序，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一組初始一或多個值提供至少一個相關度量之改良，例如，局部最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。

可以任何方便形式來實施本發明之態樣。舉例而言，一實施例可由一或多個適當電腦程式實施，該一或多個適當電腦程式可在可為有形載體媒體(例如，磁碟)或無形載體媒體(例如，通信信號)之適當載體媒體上進行。可使用可具體地採取可程式化電腦之形式的合適設備來實施本發明之實施例，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文中所描述之方法之電腦程式。因此，本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光、聲或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅係出於方便起見，且此類動作事實上係由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起。

可藉由以下條項進一步描述本發明之實施例。 1. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其具有指令，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於改良一圖案化裝置之一設計之一方法，該方法包含： 獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵係與待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵相關聯；及 調整該等遮罩點之位置以基於該等經調整遮罩點而產生該遮罩特徵之一經修改設計。 2. 如條項1之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之位置係一反覆程序，其中每一反覆包括： 判定與一光學近接校正程序或一源遮罩最佳化程序相關聯之一成本函數， 針對該目標特徵上之每一控制點，基於該成本函數判定該等遮罩點之位置資料；及 基於該位置資料調整該等遮罩點中之一或多者之一位置以最佳化該成本函數，其中該調整包括更新該經修改設計。 3. 如條項2之電腦可讀媒體，其中該成本函數包括一邊緣置放誤差或一經模擬信號，且其中最佳化該成本函數包括減小該成本函數。 4. 如條項3之電腦可讀媒體，其中判定該成本函數包括： 運用該經修改設計執行一模擬以獲得一經模擬影像，其中該經模擬影像包括一抗蝕劑影像或一蝕刻影像， 自該經模擬影像提取一輪廓，及 基於該輪廓及用於每一控制點之該目標特徵判定作為該成本函數的該邊緣置放誤差。 5. 如條項4之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置包括執行多次反覆直至使該邊緣置放誤差最小化。 6. 如條項3之電腦可讀媒體，其中判定該成本函數包括： 運用該經修改設計執行一模擬以獲得作為該經模擬信號之一抗蝕劑影像信號或一蝕刻影像信號，及 判定用於每一控制點之該經模擬信號。 7. 如條項6之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置包括執行多次反覆直至使該經模擬信號最小化。 8. 如條項2之電腦可讀媒體，其中該成本函數包括用於將該經修改設計印刷於一基板上之一圖案化程序的一程序窗，且其中最佳化該成本函數包括增大該程序窗。 9. 如條項8之電腦可讀媒體，其中判定該成本函數包括： 運用該經修改設計執行一模擬以獲得一經模擬影像，其中該經模擬影像包括一抗蝕劑影像或一蝕刻影像，及 使用該經模擬影像獲得該程序窗，其中該程序窗包括使用該經修改設計印刷於一基板上之該目標圖案滿足一預定規格的一焦點及劑量值範圍。 10.      如條項9之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置包括執行多次反覆直至該程序窗經最大化。 11.      如條項2之電腦可讀媒體，其中該成本函數包括一邊緣置放誤差、一經模擬信號、一程序窗或一遮罩規則檢查違反懲罰中之至少一者。 12.      如條項1之電腦可讀媒體，其中獲得該等遮罩點包括： 自該目標特徵導出該等遮罩點。 13.      如條項2之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置包括： 使該等遮罩點與該目標特徵上之控制點相關聯以產生一第一組遮罩點與一第一控制點之間的一第一關聯及一第二組遮罩點與一第二控制點之間的一第二關聯。 14.      如條項13之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置包括： 基於該經修改設計與該目標特徵之間的一比較而修改該等遮罩點與該等控制點之間的一關聯。 15.      如條項13之電腦可讀媒體，其中該目標特徵上之每一控制點在每次反覆中與該同一組遮罩點相關聯。 16.      如條項13之電腦可讀媒體，其中該目標特徵上之一或多個控制點在至少兩次反覆中與不同組遮罩點相關聯。 17.      如條項1之電腦可讀媒體，其中獲得該等遮罩點包括： 將一平滑化程序應用於該等遮罩點，其中該平滑化程序執行曲線擬合以連接該等遮罩點與曲線以產生作為一第一曲線圖案之該設計。 18.      如條項17之電腦可讀媒體，其進一步包含： 對該設計執行影像擾動以產生該設計之一經放大版本。 19.      如條項2之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點中之一或多者之該位置包括集體地調整一組該等遮罩點。 20.      如條項2之電腦可讀媒體，其中調整一或多個遮罩點之該位置包括個別地調整該等遮罩點。 21.      如條項2之電腦可讀媒體，其中每一遮罩點之該位置資料包括一斜率值及一距離值，藉由該斜率值及該距離值，相對於對應遮罩點所相關聯之一控制點來執行該對應遮罩點之一位置調整。 22.      如條項2之電腦可讀媒體，其進一步包含： 對該經修改設計應用一平滑化程序。 23.      如條項22之電腦可讀媒體，其進一步包含： 對該經修改設計應用一遮罩規則檢查程序以滿足遮罩規則檢查約束。 24.      如條項2之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該位置以產生該經修改設計包括執行預定數目次反覆。 25.      如條項1之電腦可讀媒體，其中獲得該設計包括： 自一程序獲得該設計，該程序自該目標特徵產生該設計，其中該程序包括基於機器學習(ML)之最佳近接校正(OPC)、連續透射遮罩(CTM)自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基於區段之OPC或逆微影技術中之一或多者。 26.      如條項1之電腦可讀媒體，其中該遮罩特徵係一次解析度輔助特徵。 27.      如條項1至26中任一項之電腦可讀媒體，其進一步包含： 使用該經修改設計執行一圖案化步驟以經由一圖案化程序將圖案印刷於該基板上。 28.      如條項1至27中任一項之電腦可讀媒體，其進一步包含： 製造包括對應於該經修改設計之結構特徵的該圖案化裝置。 29.      如條項28之電腦可讀媒體，其進一步包含： 經由一微影設備將該圖案化裝置之該經修改設計轉印至該基板。 30.      一種非暫時性電腦可讀媒體，其具有指令，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於改良一圖案化裝置之一設計之一方法，該方法包含： 獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵對應於待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵；及 調整該等遮罩點之位置以增大一程序窗，其中該處理窗係與用於將該目標圖案印刷於一基板上之一圖案化程序相關聯，其中該調整包括基於該等經調整位置產生一經修改設計。 31.      如條項30之電腦可讀媒體，其中調整該等位置係一反覆程序，其中每一反覆包括： 基於該經修改設計獲得該程序窗，其中該程序窗包括用於使用該經修改設計將該目標圖案印刷於該基板上的該圖案化程序之至少一個參數之一值範圍，及 調整該等遮罩點中之一或多者之位置以增大該一或多個參數之該值範圍，其中該調整包括更新該經修改設計。 32.      如條項31之電腦可讀媒體，其中該至少一個參數包括與用以將該目標圖案印刷於該基板上之一微影設備相關聯的劑量或焦點中之至少一者。 33.      一種非暫時性電腦可讀媒體，其具有指令，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於改良一圖案化裝置之一設計之一方法，該方法包含： 獲得待印刷於一基板上之一目標圖案及對應於該目標圖案中之一目標特徵的一遮罩特徵之一設計； 導出該設計之遮罩點；及 藉由基於一成本函數調整該等遮罩點中之一或多者之位置而反覆地更新該設計，其中該更新產生該遮罩特徵之一經修改設計。 34.      如條項33之電腦可讀媒體，其中獲得該設計包括： 自一程序獲得該設計，該程序自該目標圖案產生該設計，其中該程序包括基於機器學習(ML)之最佳近接校正(OPC)、連續透射遮罩(CTM)自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基於區段之OPC或逆微影技術中之一或多者。 35.      如條項33之電腦可讀媒體，其中導出該等遮罩點包括： 使該等遮罩點與該目標特徵上之控制點相關聯，其中該相關聯包括使一第一組遮罩點與一第一控制點相關聯及使一第二組遮罩點與一第二控制點相關聯。 36.      如條項35之電腦可讀媒體，其中反覆地更新該設計包括在每一反覆中執行以下操作： 判定該成本函數，其中該成本函數包括一邊緣置放誤差， 針對每一控制點，基於該成本函數判定該等遮罩點之位置資料，及 基於該位置資料調整該等遮罩點中之一或多者之位置以減小該成本函數。 37.      如條項36之電腦可讀媒體，其中反覆地更新該設計包括執行數次反覆直至使該成本函數最小化。 38.      如條項35之電腦可讀媒體，其中反覆地更新該設計包括在每一反覆中執行以下操作： 判定該成本函數，其中該成本函數包括用以將該經修改設計印刷於一基板上之一圖案化程序的一程序窗， 針對每一控制點，基於該成本函數判定該等遮罩點之位置資料，及 基於該位置資料調整該等遮罩點中之一或多者之位置以增大該成本函數。 39.      如條項38之電腦可讀媒體，其中反覆地更新該設計包括執行數次反覆直至使該成本函數最大化。 40.      一種改良一圖案化裝置之一設計之方法，該方法包含： 獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵對應於待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵；及 調整該等遮罩點之位置以基於該等經調整遮罩點產生一經修改設計。 41.      一種改良一圖案化裝置之一設計之方法，該方法包含： 獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵對應於待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵；及 調整該等遮罩點之位置以增大一程序窗，其中該處理窗係與用於將該目標圖案印刷於一基板上之一圖案化程序相關聯，其中該調整包括基於該等經調整位置產生一經修改設計。 42.      一種改良一圖案化裝置之一設計之方法，該方法包含： 獲得待印刷於一基板上之一目標圖案及對應於該目標圖案中之一目標特徵的一遮罩特徵之一設計； 導出該設計之遮罩點；及 藉由基於一成本函數調整該等遮罩點中之一或多者之位置而反覆地更新該設計，其中該更新產生該遮罩特徵之一經修改設計。 43.      一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如以上條項中任一項之方法。 44.      一種非暫時性有形電腦可讀媒體(CRM)，其儲存指令，該等指令在由一處理器執行時致使該處理器執行光學近接校正(OPC)之一方法： 獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點；及藉由執行OPC以調整該等遮罩點之位置而修改該遮罩特徵之該設計。 45.      如條項44之媒體，其中該方法進一步包含獲得位於該遮罩特徵之一目標多邊形上之控制點，且其中每一控制點係與一或多個遮罩點相關聯。 46.      如條項45之媒體，其中該修改包含對該等遮罩點執行曲線擬合以獲得該遮罩特徵之該經修改設計，且其中該經修改設計中之該遮罩特徵之邊緣包含擬合於該等遮罩點之間的曲線。 47.      如條項44之媒體，其中該執行OPC包含調整該等遮罩點之該等位置以最佳化該等控制點上之一經模擬信號或EPE。 48.      如條項47之媒體，其中該經模擬信號係一抗蝕劑影像信號。 49.      如條項47之媒體，其中該調整包含相干地調整多個遮罩點以最佳化在更多或更多個控制點處之該經模擬信號。 50.      如條項47之媒體，其中該調整包含個別地調整該等遮罩點以最佳化一或多個控制點處之該經模擬信號。 51.      如條項44之媒體，其中該等遮罩點最初基於該特徵之一目標多邊形設計而獲得。 52.      如條項44之媒體，其中該等遮罩點最初基於由一基於區段之OPC程序產生的一設計而獲得。 53.      如條項52之媒體，其中該基於區段之OPC程序係一CTM自由形式OPC程序、一機器學習OPC程序或一ILT程序。 54.      如條項44之媒體，該方法進一步包含： 建立一控制點與一遮罩點之間的關聯； 打破該控制點與一遮罩點之間的該關聯；及 建立該控制點與另一遮罩點之間的關聯。 55.      如條項54之媒體，其中該打破及/或該重新建立係基於該經修改設計與該特徵之一目標多邊形之比較。 56.      如條項44之媒體，其中該遮罩特徵係一主特徵或一SRAF。 57.      如條項44之媒體，其進一步包含基於遮罩特徵之該經調整設計而判定一程序窗。 58.      一種非暫時性有形電腦可讀媒體(CRM)，其儲存指令，該等指令在由一處理器執行時致使該處理器執行源遮罩最佳化(SMO)之一方法： 獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點；及藉由調整該等遮罩點之位置而修改該遮罩特徵之該設計以根據一SMO程序最佳化一程序窗。 59.      如條項1之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置以產生該經修改設計包括產生作為一多邊形圖案之該經修改設計。 60.      如條項59之電腦可讀媒體，其中該多邊形圖案包含一圖案，其中該圖案之一直線與一水平軸之間的一角度為45*n度，其中n為一整數。 61.      如條項59之電腦可讀媒體，其中該多邊形圖案包含一圖案，其中該圖案之一直線與一水平軸之間的一角度為90*n度，其中n為一整數。 62.      如條項1之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置以產生該經修改設計包括產生作為一曲線圖案之該經修改設計。 63.      如條項62之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置包括藉由相對於該目標特徵上之一控制點在任何方向上移動該等遮罩點中之一遮罩點來調整該遮罩點之一位置。 64.      如條項59至63中任一項之電腦可讀媒體，其中該經修改設計係基於與一光學近接校正程序或一源遮罩最佳化程序相關聯之一成本函數而產生為該多邊形圖案或該曲線圖案。 65.      如條項64之電腦可讀媒體，其中基於與該經修改設計經產生為該曲線圖案時相比更多地最佳化該成本函數的一判定，該經修改設計經產生為該多邊形圖案。 66.      如條項64之電腦可讀媒體，其中基於在該經修改設計經產生為該曲線圖案時不滿足遮罩規則檢查約束的一判定，該經修改設計經產生為該多邊形圖案。 67.      如條項1之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置以產生該經修改設計包括產生作為一多邊形圖案及一曲線圖案之一組合的該經修改設計。 68.      如條項67之電腦可讀媒體，其中該經修改設計經產生為接近於該目標特徵之一或多個頂點之一部分的該曲線圖案。 69.      如條項67之電腦可讀媒體，其中該經修改設計經產生為除了接近於該目標特徵之一或多個頂點之一部分之外的該目標特徵之一部分之該多邊形圖案。 70.      如條項67之電腦可讀媒體，其中該經修改設計經產生為該目標特徵之一第一部分的該曲線圖案及該目標特徵之一第二部分的該多邊形圖案。 71.      如條項70之電腦可讀媒體，其中該目標特徵之該第一部分包括接近於該目標特徵之一或多個頂點之一部分。 72.      如條項70之電腦可讀媒體，其中該目標特徵之該第二部分包括除了接近於該目標特徵之一或多個頂點之一部分之外的一部分。

在方塊圖中，所說明之組件被描繪為離散功能區塊，但實施例不限於本文中所描述之功能性如所說明來組織之系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體或硬體模組提供，該等模組以與目前所描繪之方式不同之方式組織，例如，可摻和、結合、複寫、解散、分配(例如，在資料中心內或按地區)，或另外以不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的、非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦之一或多個處理器提供。在一些狀況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部，在此狀況下，在據稱供應或以另外方式提供資訊(例如，內容)之情況下，可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊提供該資訊。

除非另外特定陳述，否則如自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「運算」、「計算」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或相似專用電子處理/計算裝置之特定設備的動作或程序。

讀者應瞭解，本申請案描述若干發明。已將此等發明分組成單一文件，而非將彼等發明分離成多個單獨的專利申請案，此係因為該等發明之相關主題在應用程序中有助於經濟發展。但不應合併此類發明之相異優點及態樣。在一些狀況下，實施例解決本文中所提及之所有缺陷，但應理解，該等發明係獨立地有用，且一些實施例僅解決此類問題之子集或提供其他未提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。歸因於成本約束，目前可不主張本文中所揭示之一些發明，且可在稍後申請案(諸如接續申請案或藉由修正本技術方案)中主張該等發明。相似地，歸因於空間約束，本發明文件之[發明摘要]及[發明內容]章節皆不應被視為含有所有此類發明之全面清單或此類發明之所有態樣。

應理解，本說明書及圖式並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式，而正相反，意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方案。

鑑於本說明書，本發明之各種態樣之修改及替代實施例對於熟習此項技術者而言將顯而易見。因此，本說明書及圖式應被解釋為僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者進行本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示且描述之本發明之形式應被視為實施例的實例。元件及材料可替代本文中所說明及描述之元件及材料，部分及程序可被反轉或被省略，可獨立利用某些特徵，且可組合實施例或實施例之特徵，此皆如對熟習此項技術者在獲得本說明書之益處之後將顯而易見的。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題僅為達成組織性目的，且不意欲用以限制本說明書之範疇。

如貫穿本申請案所使用，詞語「可」係在許可之意義(亦即，意謂有可能)而非強制性之意義(亦即，意謂必須)下予以使用。詞「包括(include/including/includes)」及其類似者意謂包括但不限於。如貫穿本申請案所使用，單數形式「a/an/the」包括複數個參照物，除非內容另有明確地指示。因此，舉例而言，對「元件(an element/a element)」之參考包括兩個或多於兩個元件之組合，儘管會針對一或多個元件使用其他術語及片語，諸如「一或多個」。除非另有指示，否則術語「或」係非獨占式的，亦即，涵蓋「及」與「或」兩者。如本文中所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋所有可能組合，除非不可行。舉例而言，若陳述組件可包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或A及B。作為第二實例，若陳述組件可包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B及C。描述條件關係之術語，例如「回應於X，而Y」、「在X後，即Y」、「若X，則Y」、「當X時，Y」及其類似者涵蓋因果關係，其中前提為必要的因果條件，前提為充分的因果條件，或前提為結果的貢獻因果條件，例如，「在條件Y獲得後，即出現狀態X」對於「僅在Y後，才出現X」及「在Y及Z後，即出現X」為通用的。此類條件關係不限於即刻遵循前提而獲得之結果，此係因為可延遲一些結果，且在條件陳述中，前提連接至其結果，例如，前提係與出現結果之可能性相關。除非另有指示，否則複數個特質或功能經映射至複數個物件(例如，執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋所有此類特質或功能經映射至所有此類物件及特質或功能之子集經映射至特質或功能之子集兩者(例如，所有處理器各自執行步驟A至D，及其中處理器1執行步驟A，處理器2執行步驟B及步驟C之一部分，且處理器3執行步驟C之一部分及步驟D之狀況)。另外，除非另有指示，否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因數之情況與條件或值為複數個因數當中之一個因數之情況兩者。除非另有指示，否則某一集合之「每一」例項具有某一屬性之陳述不應被解讀為排除較大集合之一些以其他方式相同或相似成員不具有該屬性(亦即，每一者未必意謂每個都)之狀況。對自一範圍選擇之提及包括該範圍之端點。

在以上描述中，流程圖中之任何程序、描述或區塊應被理解為表示程式碼之模組、區段或部分，其包括用於實施該程序中之特定的邏輯功能或步驟之一或多個可執行指令，且替代實施方案包括於本發明進展之例示性實施例之範疇內，其中功能可取決於所涉及之功能性不按照所展示或論述之次序執行，包括實質上同時或以相反次序執行，如熟習此項技術者應理解。

在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如論文)已以引用方式併入之情況下，此類美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述之陳述及圖式之間不存在衝突之情況下以引用的方式併入。在存在此類衝突之情況下，在此類以引用方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此類衝突文字並不特定地以引用方式併入本文中。

雖然已描述某些實施例，但此等實施例僅作為實例來呈現，且並不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中所描述之新穎方法、設備及系統可以多種其他形式體現；此外，在不脫離本發明之精神的情況下，可對本文中所描述之方法、設備及系統的形式進行各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效者意欲涵蓋將屬於本發明之範疇及精神內的此類形式或修改。

10A:微影投影設備 12A:輻射源 14A:光學件/組件 16Aa:光學件/組件 16Ab:光學件/組件 16Ac:透射光學件/組件 18A:圖案化裝置 20A:可調整濾光器或孔徑 21:輻射光束 22:琢面化場鏡面裝置 22A:基板平面 24:琢面化光瞳鏡面裝置 26:經圖案化光束 28:反射元件 30:反射元件 100:電腦系統 102:匯流排 104:處理器 105:處理器 106:主記憶體 108:唯讀記憶體(ROM) 110:儲存裝置 112:顯示器 114:輸入裝置 116:游標控制件 118:通信介面 120:網路鏈路 122:區域網路 124:主機電腦 126:網際網路服務提供者(ISP) 128:網際網路 130:伺服器 210:熱電漿/輻射發射電漿/高度離子化電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 220:圍封結構 221:開口 230:選用氣體障壁或污染物截留器/污染截留器/污染物障壁 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 310:變數 320:變數 330:變數 340:變數 350:特性 360:特性 370:處理變數 500:方法/程序 501:目標圖案 502:輸入設計 503:遮罩點 507:控制點-遮罩點關聯 509:設計 511:經放大之設計/初始設計 521:成本函數 523:位置調整資料 525:經修改設計 550:方法/程序 575:程序 602:目標特徵 604:遮罩點 606:遮罩點 654:設計 656:控制點 658:遮罩點 662:控制點 702:曲線圖案 802:曲線圖案之經放大版本 902a:經修改設計 902b:終經修改設計 912a:輪廓 912b:輪廓 1000:微影投影設備 1001:目標特徵 1002:最佳化設計 1003:遮罩圖案 1005:目標特徵 1007:目標特徵 1008:佳化設計 1010:最佳化設計 1017:遮罩圖案 1020:目標特徵 1025:最佳化設計 1200:源模型 1210:投影光學件模型 1220:圖案化裝置/設計佈局模型 1230:空中影像 1240:抗蝕劑模型 1250:抗蝕劑影像 1260:圖案轉印後程序模型模組 1300:源模型 1310:度量衡光學件模型 1320:度量衡目標模型 1330:光瞳或空中影像 1602:目標特徵 1604:主遮罩特徵 1606:主遮罩特徵 1614:次解析度輔助特徵(SRAF)遮罩特徵 1616:次解析度輔助特徵(SRAF)遮罩特徵 1702:目標特徵 1704:遮罩特徵 1706:第一部分 1708:第二部分 1801:剪輯 1802:連續透射遮罩(CTM)或連續透射遮罩(CTM)+遮罩影像 1803:之目標影像 1804:遮罩圖案 1805:訓練機器學習(ML)模型 1807:經改良遮罩圖案 AD:調整構件 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 CO:聚光器/輻射收集器/近正入射收集器光學件 IF:干涉量測構件/虛擬源點/中間焦點 IL:照明系統/照明器/照明光學件單元 IN:積光器 LA:雷射 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 MA:圖案化裝置 MT:第一物件台/圖案化裝置台/支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 P501:程序 P503:程序 P505:程序 P507:程序 P509:程序 P511:程序 P521:程序 P523:程序 P525:程序 P527:程序 P529:程序 P531:判定程序 P1801:程序 P1802:程序 P1803:程序 PM:第一定位器 PS:物品/投影系統 PS1:位置感測器 PS2:位置感測器 PW:第二定位器 SO:輻射源/源收集器模組 W:基板 WT:第二物件台/基板台

圖1展示微影系統之各種子系統的方塊圖。

圖2展示處理變數之實例類別。

圖3示意性地展示根據一實施例的用於圖案化模擬方法之流程。

圖4示意性地展示根據一實施例的用於量測模擬方法之流程。

圖5A為符合各種實施例的用於產生或改良對應於目標圖案之遮罩特徵之設計之方法的流程圖。

圖5B為符合各種實施例的用於產生遮罩特徵之初始設計之方法的流程圖。

圖5C為符合各種實施例的用於最佳化遮罩特徵之初始設計之程序的流程圖。

圖6A說明符合各種實施例的具有控制點及初始遮罩點之目標特徵。

圖6B說明符合各種實施例的自另一程序獲得之遮罩特徵之設計。

圖7說明符合各種實施例的將平滑化程序應用於遮罩點的程序。

圖8說明符合各種實施例的遮罩特徵之初始設計之經擾動版本。

圖9說明符合各種實施例的遮罩特徵之最佳化設計。

圖10A說明符合各種實施例的基於點之最佳化程序之實例應用，其中針對第一形狀之目標特徵產生遮罩特徵之最佳化設計。

圖10B說明符合各種實施例的基於點之最佳化程序之實例應用，其中針對第二形狀之目標特徵產生遮罩特徵之最佳化設計。

圖10C說明符合各種實施例的基於點之最佳化程序之實例應用，其中針對目標特徵及次解析度輔助特徵(SRAF)產生遮罩特徵之最佳化設計。

圖10D說明符合各種實施例的基於點之最佳化程序之實例應用，其中針對目標特徵而非針對SRAF產生遮罩特徵之最佳化設計。

圖11為根據一實施例的實例電腦系統之方塊圖。

圖12為根據一實施例的微影投影設備之示意圖。

圖13為根據一實施例的另一微影投影設備之示意圖。

圖14為根據一實施例的圖12中之設備的更詳細視圖。

圖15為根據一實施例的圖13及圖14之設備之源收集器模組SO的更詳細視圖。

圖16A說明符合各種實施例的遮罩特徵之曲線設計。

圖16B說明符合各種實施例的遮罩特徵之多邊形設計。

圖16C說明符合各種實施例的遮罩特徵之曲線設計及多邊形設計。

圖16D說明符合各種實施例的遮罩特徵之曲線設計及多邊形設計。

圖17說明符合各種實施例的遮罩特徵之混合設計。

圖18說明符合各種實施例的可實施用於執行圖5A中所描述之「所有角度OPC」方法的流程圖。

602:目標特徵

606:遮罩點

654:設計

656:控制點

658:遮罩點

662:控制點

Claims (15)

1. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其具有指令，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於改良一圖案化裝置之一設計之一方法，該方法包含： 獲得一遮罩特徵之一設計之遮罩點，其中該遮罩特徵係與待印刷於一基板上之一目標圖案中之一目標特徵相關聯；及 調整該等遮罩點之位置以基於該等經調整遮罩點而產生該遮罩特徵之一經修改設計。
2. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之位置係一反覆程序，其中每一反覆包括： 判定與一光學近接校正程序或一源遮罩最佳化程序相關聯之一成本函數， 針對該目標特徵上之每一控制點，基於該成本函數判定該等遮罩點之位置資料；及 基於該位置資料調整該等遮罩點中之一或多者之一位置以最佳化該成本函數，其中該調整包括更新該經修改設計。
3. 如請求項2之電腦可讀媒體，其中判定該成本函數包括： 運用該經修改設計執行一模擬以獲得作為該經模擬信號之一抗蝕劑影像信號或一蝕刻影像信號，及 判定用於每一控制點之該經模擬信號，且其中該調整係基於用於該控制點之該經模擬信號。
4. 如請求項2之電腦可讀媒體，其中判定該成本函數包括： 運用該經修改設計執行一模擬以獲得一經模擬影像； 使用該經模擬影像獲得該程序窗，其中該程序窗包括使用該經修改設計印刷於一基板上之該目標圖案滿足一預定規格的一焦點及劑量值範圍。
5. 如請求項2之電腦可讀媒體，其中該成本函數包括一邊緣置放誤差、一經模擬信號、一程序窗或一遮罩規則檢查違反懲罰中之至少一者。
6. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中獲得該等遮罩點包括： 自該目標特徵導出該等遮罩點，其中該導出包含使該等遮罩點與該目標特徵上之控制點相關聯以產生一第一組遮罩點與一第一控制點之間的一第一關聯及一第二組遮罩點與一第二控制點之間的一第二關聯。
7. 如請求項6之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點之該等位置包括： 基於該經修改設計與該目標特徵之間的一比較而修改該等遮罩點與該等控制點之間的一關聯。
8. 如請求項6之電腦可讀媒體，其中該目標特徵上之一或多個控制點在至少兩次反覆中與不同組遮罩點相關聯。
9. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中獲得該等遮罩點包括： 將一平滑化程序應用於該等遮罩點，其中該平滑化程序執行曲線擬合以連接該等遮罩點與曲線以產生作為一第一曲線圖案的該圖案化裝置之該設計。
10. 如請求項8之電腦可讀媒體，其進一步包含： 對該圖案化裝置之該設計執行影像擾動以產生該設計之一經放大版本。
11. 如請求項2之電腦可讀媒體，其中調整該等遮罩點中之一或多者之該位置包括集體地或個別地調整一組該等遮罩點。
12. 如請求項2之電腦可讀媒體，其中每一遮罩點之該位置資料包括一斜率值及一距離值，藉由該斜率值及該距離值，相對於對應遮罩點所相關聯之一控制點來執行該對應遮罩點之一位置調整。
13. 如請求項12之電腦可讀媒體，其進一步包含： 對該經修改設計應用一遮罩規則檢查程序以滿足遮罩規則檢查約束。
14. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中獲得該設計包括： 自一程序獲得該設計，該程序自該目標特徵產生該設計，其中該程序包括基於機器學習(ML)之最佳近接校正(OPC)、連續透射遮罩(CTM)自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基於區段之OPC或逆微影技術中之一或多者。
15. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中該遮罩特徵係一次解析度輔助特徵或一主特徵。

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