TW202305990A - 基板固持器及其方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於固持一基板之基板固持器，其包含：一框架；及一表面夾持器件，其配置於該框架之一底側上，該表面夾持器件經組態以自該基板上方靜電吸引該基板之一上表面。該基板固持器可用於非接觸地固持該基板且使該基板變形，且藉此控制該基板之一形狀。該基板固持器適用於一半導體處理裝置，且可在一真空或近真空環境中操作，諸如在一EUV微影裝置中操作。

Description

基板固持器及其方法
本發明係關於一種基板固持器及方法。基板固持器及方法與真空或近真空環境(諸如存在於EUV微影裝置中之環境)相容。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。舉例而言，微影裝置可將圖案化器件(例如遮罩)處之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可在基板上形成的特徵之最小大小。相較於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有4至20 nm (例如6.7 nm或13.5 nm)範圍內之波長之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用於在基板上形成較小特徵。
在微影裝置中，一或多個基板固持器用於處置基板，例如在微影程序期間，在支撐基板之基板支撐件上裝載基板及自基板支撐件卸載基板。
已知基板固持器包含夾緊器，該夾緊器經組態以接觸基板且藉此自基板之底側支撐該基板。為了將基板裝載於基板支撐件上，基板支撐件具備可在豎直方向上移出基板支撐件之支撐表面的裝載銷釘。已知基板固持器包含致動系統，該致動系統可將夾緊器配置於一位置中以將基板裝載於延伸的裝載銷釘上。隨後，可降低裝載銷釘以將基板置放於基板支撐件之支撐表面上。基板支撐件之支撐表面可包含凸起，基板支撐在該等凸起上。靜電夾具用於將基板固持於基板支撐件上的固定位置中。靜電夾具經啟動以相對於凸起夾持基板。
在基板具有顯著變形之情況下，將基板裝載於基板支撐件上可為具有挑戰性的任務。理想地，基板充分平坦或略呈碗狀。此允許基板在基板支撐件上之低應力裝載，且基板在基板支撐件之支撐表面上的滑動最小。在實踐中，基板可展示相當大的變形。基板可例如具有傘狀形狀、碗狀形狀、鞍狀形狀或其他形狀。在啟動靜電夾具時，可以迫使基板形成遵循支撐表面凸起之平面的形狀，並且可以在凸起上經歷一些摩擦滑動。將變形基板裝載於基板支撐件上可引起經裝載基板中之內部應力及/或在支撐表面上發生顯著滑動，例如，在支撐表面之凸起上發生顯著滑動。基板中之內部應力可能導致疊對誤差及/或聚焦誤差。基板在支撐表面上方之滑動可能導致基板支撐件之支撐表面(尤其其凸起)磨損。支撐表面之重複磨損可能需要修復及/或替換基板支撐件。歸因於凸起之粗糙度差異，基板支撐件之支撐表面之磨損可能導致支撐表面平坦度漂移及/或基板裝載柵格漂移。此情形又可導致諸如疊對誤差及/或聚焦誤差之微影誤差。
本發明之一個目標為提供一種改良基板在基板支撐件之支撐表面上之裝載的基板固持器。
根據本揭露的第一態樣，提供一種用於固持一基板之基板固持器，其包含：一框架；一表面夾持器件，其配置於該框架之一底側上，該表面夾持器件經組態以自該基板上方靜電吸引該基板之一上表面。
基板固持器有利地適用於真空或近真空環境中，諸如在EUV微影裝置或化學氣相沈積裝置內。
已知基板固持器使用平台來接觸基板且在基板之底側處固持該基板。在將基板裝載至不同模組及自不同模組卸載基板時，必須引入及移除平台，此需要時間。本發明之基板固持器有利地避免對平台之需求。與已知基板固持器相比，基板固持器有利地提供顯著較快的基板裝載及卸載(例如比使用平台的先前技術基板固持器快約三倍)。在製造操作(特定言之，大容量製造操作)中，由本發明之基板固持器節省的時間實現較大基板產出量及/或允許更多時間執行輔助程序，諸如基板之量測。舉例而言，在自微影裝置中之量測模組裝載及卸載基板時，可量測基板上之較大數目的對準點，此實現更準確對準量測。此又提供改良之疊對量測及校正能力。
表面夾持器件經組態以定位於基板上方。因此，基板固持器可被稱作頂部裝載器，此係由於表面夾持器件自基板上方與基板之上表面嚙合。
基板固持器可包含配置於框架之底側上的流體流動器件，該流體流動器件經組態以將斥力施加至基板之上表面。
流體流動器件可經組態以定位於基板上方。流體流動器件可經組態以將斥力施加至基板之上表面。
基板之上表面可對應於基板之已經歷及/或將經歷一或多個製造程序的表面。一或多個製造程序可包含例如將諸如光阻之薄膜或層施加至上表面，在微影程序、蝕刻程序等期間將上表面暴露於輻射或電子。基板之上表面可被稱作基板之處理表面。基板之處理表面可與基板之基座相對。
靜電吸引與斥力可實質上反平行。靜電吸引及斥力可沿著實質上豎直方向起作用。
基板可為半導體基板。基板可為半導體晶圓。基板可包含矽晶圓。
表面夾持器件及流體流動器件可經組態以協作以提供對基板之非接觸式操控。
基板之非接觸式操控有利地允許操控基板之接觸敏感表面或部分。舉例而言，可在不負面地影響接觸敏感光阻的情況下操控包含光阻層之基板。
非接觸式操控可包含以受控方式固持及/或移動基板及/或使基板變形。
表面夾持器件可包含經組態以靜電吸引基板之上表面的複數個靜電夾具。
複數個靜電夾具有利地提供對基板之操控的精密控制。舉例而言，不同靜電夾具可作用於基板之上表面的不同區域，藉此允許個別地控制作用於基板之不同區域的吸引力。
流體流動器件可包含複數個導管，該複數個導管經組態以輸送將斥力施加至基板之上表面的一流體流。
複數個導管有利地提供對基板之操控的精密控制。舉例而言，不同導管可提供作用於基板之不同區域的一或多個流體流，藉此允許個別地控制作用於基板之不同區域的斥力。
流體流可將壓力施加至基板。壓力可為超壓力。
流體可包含氣體。氣體可包含空氣。
流體流之速率可為基本上恆定的。流體流可被稱作靜態空氣軸承。
複數個靜電夾具及複數個導管可協作以形成複數個非接觸式夾持器件。
非接觸式夾持器件藉由允許個別地控制作用於基板之不同區域的吸引力及斥力而有利地提供對基板之操控的精密控制。
非接觸式夾持器件在框架上之配置可對應於基板之形狀。舉例而言，非接觸式夾持器件之圓形配置可用於操控圓形基板。
可以同心圓形圖案配置非接觸式夾持器件。
複數個靜電夾具中之至少一者可包含孔徑。複數個導管中之至少一者可經組態以提供經過孔徑之流體流。
孔徑-導管組合有利地提供用於操控基板的緊密系統。
靜電夾具可為環形的。環形靜電夾具之中心處之孔徑可充當用於流體流的導管。
基板固持器可包含致動系統，該致動系統經組態以使表面夾持器件及流體流動器件相對於彼此移動。
致動系統有利地提供對由基板固持器施加至基板的變形之更大控制。
致動系統可經組態以使非接觸式夾持器件相對於彼此移動。非接觸式夾持器件可至少在實質上垂直於由非接觸式夾持器件固持之基板之上表面的第一方向上移動。
基板固持器可包含控制器，該控制器經組態以調整靜電吸引及斥力中之至少一者以使基板變形為預定形狀。
控制器有利地使得基板變形(例如彎曲)成所要形狀(例如實質上平坦上表面)。舉例而言，控制器可經組態以校正基板之上表面之翹曲形狀。
控制器可經組態以使基板之上表面實質上平坦。
控制器可經組態以啟動非接觸式夾持器件中之一或多者以夾持基板之上表面。
控制器可經組態以控制非接觸式夾持器件之位置以使基板變形。
表面夾持器件可經組態以偵測基板之位置及/或形狀。
控制器可經組態以使用由表面夾持器件偵測到之資訊來調整靜電吸引及斥力中之至少一者，以控制基板之位置及/或形狀。
控制器可經組態以使用基板位置資訊來防止基板固持器與基板之間的碰撞。
流體流可經組態以控制表面夾持器件之溫度。
流體流可經組態以控制基板之溫度。
基板固持器可包含邊緣夾緊器系統，該邊緣夾緊器系統經組態以將基板固持於其邊緣處。
邊緣夾緊器系統可經組態以防止基板側向移動。
根據本揭露的第二態樣，提供一種基板操控系統，其包含：第一態樣之基板固持器；及基板夾具，其包含經組態以支撐基板的支撐平面。基板固持器經組態以施加靜電吸引，使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。
將基板之上表面匹配於支撐平面有利地減少基板中的非所需翹曲及內部應力(且藉此在用作微影裝置之部分時減少所得疊對誤差)。將基板之上表面匹配於支撐平面有利地減少對基板及/或基板夾具之凸起的磨損(且藉此在用作微影裝置之部分時減少相關聯疊對及聚焦誤差)，此係由於基板與支撐平面中之凸起之間的強影響相比於已知系統得以減小。將基板之上表面匹配於支撐平面有利地減少在基板經歷熱效應(例如當用於微影裝置中時對EUV輻射之吸收)時基板在基板之凸起上的滑動。
基板固持器可經組態以施加斥力，使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。
當在微影裝置中使用基板操控系統時，使基板變形以使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面有利地減少疊對誤差(例如產品上疊對改良了超過1 nm)。
在由基板夾具夾持基板時，使基板變形以使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面有利地減少基板之摩擦移動。此又有利地減少對基板夾具的磨損，藉此相比於已知基板操控系統，基板夾具之操作壽命增加。
支撐平面可包含複數個凸起。
由基板夾具固持或待由基板夾具固持之基板的經量測形狀可用作用於控制器的輸入以控制靜電吸引及斥力中之至少一者。
控制器可經組態以控制非接觸式夾持器件相對於彼此之位置。
控制器可經組態以控制非接觸式夾持器件之位置，以適應於由非接觸式夾持器件固持的基板之形狀。
由基板夾具固持或待由基板夾具固持之基板的經量測形狀可用作用於控制器的輸入以控制非接觸式夾持器件之位置，以適應於由非接觸式夾持器件固持的基板之形狀。
基板操控系統可包含電容式感測系統，該電容式感測系統經組態以偵測表面夾持器件與基板之上表面之間的電容。基板操控系統可包含處理器，該處理器經組態以使用由電容式感測系統偵測到之電容資訊來判定基板之形狀。
表面夾持器件與基板之上表面之間的電容可與表面夾持器件與基板之間的距離成比例。處理器可經組態以使用由電容式感測系統偵測到之電容資訊來調整靜電吸引及斥力中之至少一者，以控制基板之位置及/或形狀。
基板操控系統可包含致動級，該致動級經組態以改變基板夾具相對於基板固持器之位置。電容式感測系統可包含以週期性圖案配置之複數個電容式感測元件。電容式感測系統可經組態以在致動級改變基板夾具相對於基板固持器之位置之前及之後偵測表面夾持器件與基板之上表面之間的電容，使得處理器以小於電容式感測元件之週期性圖案之週期性的空間解析度判定基板之形狀。
基板操控系統可包含致動器件，該致動器件經組態以改變表面夾持器件之形狀，使得表面夾持器件之形狀實質上匹配於由電容式感測系統判定的基板之形狀。
由於基板之部分與表面夾持器件之靜電夾具之間的距離在靜電夾具之工作範圍之外，因此無法使用先前技術系統夾持一些高度變形的基板。改變表面夾持器件之形狀以使得表面夾持器件之形狀實質上匹配於基板之形狀減少了靜電夾具與基板之上表面之間的距離。此有利地使基板之部分進入靜電夾具之工作範圍中，藉此允許先前不能夠被夾持之高度變形的基板由基板夾具夾持。減小的距離亦有利地允許在施加靜電吸引時使用較低電壓，藉此降低非所需放電之風險。
致動器件可包含經組態以使表面夾持器件之至少部分變形的一或多個壓電元件。
基板固持器可經組態以施加靜電吸引，使得表面夾持器件與基板之上表面之間的距離跨基板之上表面為基本上恆定的。
致動器件可經組態以在施加靜電吸引期間改變表面夾持器件之形狀，使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。
基板固持器可經組態以施加斥力，使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。
根據本揭露的第三態樣，提供一種基板操控系統，其包含：第一態樣之基板固持器；及基板預夾具，其經組態以使基板變形為變形形狀。基板固持器經組態以施加靜電吸引及斥力以維持基板的變形形狀。
當在微影裝置中使用基板操控系統時，維持基板之預變形形狀有利地減少疊對誤差(例如產品上疊對改良了超過1 nm)。
在藉由基板操控系統操控基板時，維持基板之預變形形狀有利地減少基板之摩擦移動。此又有利地減少對基板操控系統的磨損，藉此相比於已知基板操控系統，基板操控系統之操作壽命增加。
根據本揭露的第四態樣，提供一種半導體處理裝置，其包含第一態樣之基板固持器。基板固持器經配置以在真空或近真空環境中操作。
真空或近真空環境可包含約10托或更小之壓力。真空或近真空環境可包含約1托或更小之壓力。
半導體處理裝置可為經組態以將基板暴露於經圖案化輻射的微影裝置。
微影裝置可為EUV微影裝置。微影裝置可為電子束微影裝置。
半導體處理裝置可為經組態以將材料沈積於基板上的化學氣相沈積裝置。
根據本揭露的第五態樣，提供一種固持基板之方法，其包含自基板上方靜電吸引基板之上表面。
方法可包含使用流體流來將斥力施加至基板之上表面。
方法可包含使用靜電吸引與斥力之間的協作來非接觸地操控基板。
方法可包含調整靜電吸引及斥力中之至少一者以使基板變形為預定形狀。
方法可包含偵測表面夾持器件與基板之上表面之間的電容。方法可包含使用偵測到之電容來判定基板之形狀。
方法可包含改變表面夾持器件之形狀，使得表面夾持器件之形狀實質上匹配於基板之形狀。
方法可包含自基板上方靜電吸引基板之上表面，使得表面夾持器件與基板之上表面之間距離跨基板之上表面為基本上恆定的。
方法可包含在施加靜電吸引期間改變表面夾持器件之形狀，使得基板之上表面實質上匹配於經組態以支撐基板的基板夾具之支撐平面。
方法可包含使用基板預夾具以使基板變形，使得基板之上表面實質上匹配於基板預夾具之支撐平面。方法可包含施加靜電吸引及斥力以維持基板之變形形狀。
方法可包含使用流體流來控制基板之溫度。
根據本揭露的第六態樣，提供一種將經圖案化輻射光束投影至基板上的方法，其包含第五態樣的方法。
根據本揭露的第七態樣，提供一種將材料沈積於基板上之方法，其包含第五態樣的方法。
根據本揭露的第七態樣，提供一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令經組態以使得電腦進行根據第五態樣的方法。
根據本揭露的第八態樣，提供一種電腦可讀媒體，其攜載根據第七態樣的電腦程式。
根據本揭露的第九態樣，提供一種電腦裝置，其包含：記憶體，其儲存處理器可讀指令；及處理器，其經配置以讀取及執行儲存於該記憶體中的指令。該處理器可讀指令包含經配置以控制電腦進行根據第五態樣的方法的指令。
圖1展示包含輻射源SO及微影裝置LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B及將EUV輻射光束B供應至微影裝置LA。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11共同提供具有所要截面形狀及所要強度分佈之EUV輻射光束B。除琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替該等器件，照明系統IL可包括其他鏡面或器件。
在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化器件MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將減縮因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化器件MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用為四或八之減縮因數。儘管投影系統PS說明為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影裝置LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，在遠低於大氣壓力之壓力(例如，小於約10托，諸如1托或更小)下之少量氣體(例如氫氣)。
圖1中所展示之輻射源SO屬於例如可稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO 2雷射之雷射系統1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至由例如燃料發射器3提供的燃料(諸如，錫(Sn))中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適之燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如為金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以沿著軌道朝著電漿形成區4引導例如呈液滴形式之錫的噴嘴。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量沈積至錫中在電漿形成區4處產生錫電漿7。包括EUV輻射之輻射在電子與電漿之離子之去激發及重組期間自電漿7發射。
藉由收集器5收集且聚焦來自電漿之EUV輻射。收集器5包含例如近正入射輻射收集器5 (有時更通常稱為正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EUV輻射)之多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，該橢球形組態具有兩個焦點。如下文所述，該等焦點中之第一者可處於電漿形成區4，且該等焦點中之第二者可處於中間焦點6。
雷射系統1可在空間上與輻射源SO分隔開。在此情況下，雷射光束2可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(圖中未示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。可將雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統共同地視作輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射光束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處之電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照射系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置以使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿(LPP)源，但諸如放電產生電漿(DPP)源或自由電子雷射(FEL)之任何合適之源可用以產生EUV輻射。
為闡明本發明，使用笛卡爾座標系。笛卡爾座標系具有三個軸，亦即x軸、y軸以及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉稱為Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉稱為Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉稱為Rz旋轉。x軸及y軸定義水平平面，而z軸處於豎直方向上。笛卡爾座標系不限制本發明且僅用於說明。實際上，另一座標系，諸如圓柱形座標系可用於闡明本發明。
在圖1之微影裝置LA中，提供載體系統CS。載體系統CS經組態以操控(例如固持、移動、變形及釋放)基板W。載體系統CS包含基板固持器SH及位移系統DS，例如機器人系統(諸如機器人臂)或線性移動系統。在圖1的實例中，載體系統CS經組態以使基板W在基板台WT與另一位置(例如基板儲存器(圖中未示))之間移動。載體系統CS可另外或替代地用於將基板W固持於與微影程序中之基板之處理相關的其他器件中，其中需要以高準確度處置基板W。載體系統CS可用於除微影裝置以外的半導體處理裝置中，諸如化學氣相沈積裝置。
圖2示意性地描繪根據本發明之一態樣的經組態以固持基板W的基板固持器SH之側視圖，該基板固持器SH包含表面夾持器件及流體流動器件。基板固持器SH包含框架SHF。基板固持器SH進一步包含配置於框架SHF上的表面夾持器件。表面夾持器件經組態以在其上表面US處靜電吸引基板W。在圖2的實例中，各表面夾持器件包含經組態以靜電吸引基板W之上表面US的靜電夾具(展示於圖4中)。靜電夾具可包含例如定位在導電電極上方的介電層。靜電吸引將基板W朝著基板固持器SH拉動(亦即，在正z方向上動作)。基板固持器SH進一步包含配置於框架SHF上的流體流動器件(展示於圖4中)。流體流動器件經組態以將斥力施加至基板W。在圖2的實例中，流體流動器件包含穿過表面夾持器件的複數個導管(展示於圖4中)。斥力推動基板W遠離基板固持器SH (亦即，在負z方向上動作)。靜電吸引及斥力可因此實質上反平行。在圖2的實例中，複數個靜電夾具及複數個導管協作以形成複數個非接觸式夾持器件CP，該複數個非接觸式夾持器件CP經組態以非接觸地固持及操控(例如變形)基板W。
在基板W (例如半導體晶圓，諸如矽晶圓)之半導體處理(例如微影處理、化學氣相沈積、離子植入等)期間，可將箝位電壓施加於基板W與靜電夾具之間以產生吸引靜電力，該吸引靜電力朝著基板固持器SH拉動基板W之上表面US。流體流動器件提供諸如氫氣或空氣之流體流，該流體流產生斥力，該斥力推動基板W之上表面US遠離基板固持器SH。可經由可設置於基板固持器框架SHF上或中的數個通路供應或排放用於非接觸式夾持器件CP的流體流。舉例而言，基板固持器框架SHF可包含具有可用於輸送諸如空氣或另一介質之流體流的內部通道的中空框架。
靜電吸引及斥力之強度可取決於基板W之重量(例如使基板W相對於重力固持在適當位置所需的力)及基板W翹曲的程度(例如使基板W變形為所要形狀所需的力)。舉例而言，基板W可翹曲，以使得基板W之中心的z位置與基板W之邊緣的z位置之間存在約1 mm或更小的差。在此實例中，靜電吸引及斥力之強度可經選擇以將約1 mm或更小之差減小至約0 mm之差(亦即，使基板W實質上平坦)。基板W可具有約100 g或更大之重量。基板W可具有約400 g或更小之重量。在待經歷微影曝光的基板W (諸如圖1中所展示的基板W)的實例中，基板W可具有約100 g與約200 g之間的重量，例如約115 g。在經組態以圖案化輻射光束的倍縮光罩(諸如圖1中所展示的倍縮光罩MA)的實例中，基板W (亦即，在此實例中，倍縮光罩)可具有約150 g與約400 g之間的重量，例如約350 g。使基板變形所需的力可為約0.2 N或更大。使基板變形所需的力可為約2 N或更小。
基板固持器SH可固持基板W及使基板W變形所需的總力劃分於可用的數個非接觸式夾持器件CP當中。舉例而言，若基板固持器SH包含25個非接觸式夾持器件CP，需要重量約100 g的基板W及約1 mm之變形來使基板W實質上平坦，則各非接觸式夾持器件CP可經組態以將約1 N之力施加至基板W。作為另一實例，若基板固持器SH包含15個非接觸式夾持器件CP，需要重量約100 g的基板W及約1 mm之變形來使基板W實質上平坦，則各非接觸式夾持器件CP可經組態以將約0.5 N與約1 N之間的力施加至基板W。為了產生靜電吸引力，可將電壓施加至靜電夾具。舉例而言，施加至靜電夾具以產生靜電引力之電壓可為約0.1 kV或更大。施加至靜電夾具以產生靜電引力之電壓可為約2 kV或更小。
非接觸式夾持器件CP可經由包含複數個致動器ACT之致動系統安裝於基板固持器框架SHF上，該複數個致動器ACT允許非接觸式夾持器件CP相對於基板固持器框架SHF在z方向上個別地移動。致動器ACT可包含例如壓電致動器。亦可使用其他類型之致動器。有利地，致動器為允許非接觸式夾持器件CP之位置控制之高準確度的位置致動器。撓曲件FL可設置於非接觸式夾持器件CP與基板固持器框架SHF之間以導引非接觸式夾持器件CP相對於基板固持器框架SHF在z方向上的移動。非接觸式夾持器件CP在z方向上的移動範圍可例如在+/-約1 mm範圍內。非接觸式夾持器件CP在z方向上的移動範圍可例如在+/-約0.3 mm範圍內。可設置一或多個冷卻器件(圖中未示)以補償可由致動器ACT引起之熱負荷。
基板固持器SH包含控制器CON。控制器CON可經組態以啟動非接觸式夾持器件CP中之一或多者以非接觸地夾持基板W之上表面US。控制器CON可經組態以撤銷啟動非接觸式夾持器件CP中之一或多者以非接觸地釋放基板W之上表面US。控制器CON可經組態以調整由表面夾持器件產生之靜電吸引及由流體流動器件產生之斥力中之至少一者以使基板W非接觸地變形。舉例而言，控制器CON可經組態以調整施加至靜電夾具中之一或多者之電壓，且藉此控制藉由一或多個靜電夾具施加至基板W之靜電吸引的強度。控制器CON可經組態以將不同電壓施加至不同靜電夾具，以提供強度跨越基板W之上表面US而變化的靜電吸引。作為另一實例，控制器CON可經組態以調整穿過一或多個導管之流體的流動速率，且藉此控制藉由流體流動器件施加至基板W之斥力的強度。穿過一或多個導管之流體的流動速率可為約10 NL/min或更大。穿過一或多個導管之流體的流動速率可為約50 NL/min或更小。藉由流體流施加至基板W之壓力可為約3巴或更大。藉由流體流施加至基板W之壓力可為約7巴或更小。控制器CON有利地允許基板W變形(例如彎曲)成所要形狀。舉例而言，控制器CON可經組態以藉由例如實質上平坦化基板W之上表面US來校正基板W之上表面US的翹曲形狀。基板W可歸因於先前製造程序(諸如退火、烘烤、一或多個塗層(例如光阻)之施加等)之效應而翹曲。
控制器CON可經組態以控制非接觸式夾持器件CP之位置以使基板W變形。藉由控制非接觸式夾持器件CP相對於彼此在z方向上之個別位置，可影響且藉此控制基板W之形狀。控制器CON可經組態以將控制信號提供至壓電致動器ACT以將非接觸式夾持器件CP相對於彼此定位於所要位置中。在圖2的實例中，壓電致動器ACT之位置經選擇以非接觸地固持具有傘狀形狀之翹曲基板W。此等位置可例如基於在將基板W裝載於基板固持器SH上之前對基板W之形狀量測。此形狀量測可在基板W之無應力狀態下進行且作為前饋信號饋送至控制器CON，以在非接觸式夾持器件CP固持基板W之前使非接觸式夾持器件CP之位置適應基板W之形狀。在基板W由基板固持器SH固持時，可量測或判定基板W之形狀以便判定非接觸式夾持器件CP相對於彼此之移動，以向基板W施加所要變形。舉例而言，壓電致動器ACT可用於獲得對非接觸式夾持器件CP之實際位置的回饋，且以此獲得藉由非接觸式夾持器件CP固持之基板W之實際形狀。替代地或另外，可提供其他類型之形狀感測器，可藉由該等形狀感測器來判定基板W之形狀。由於可能已知基板W之剛性，因此可使用致動器ACT力之回饋信號。基板W之傘狀形狀對於將基板W裝載於支撐表面(諸如，圖1之基板台WT)上為不合需要的，因為此情形可導致微影誤差(例如，疊對誤差、聚焦誤差等)及/或支撐表面(例如，凸起)之磨損。控制器CON可以無線方式或藉由諸如纜線(圖中未示)之連接器與基板固持器SH之組件通信且藉此控制基板固持器SH之組件。
表面夾持器件可經組態以偵測基板W之位置及/或形狀。舉例而言，表面夾持器件CP可充當電容感測系統且可經組態以偵測靜電夾具與基板W之間的電容。靜電夾具與基板W之間的電容可與靜電夾具與基板W之間的距離成比例。控制器CON可經組態以使用由表面夾持器件偵測到之電容資訊來調整靜電吸引及斥力中之至少一者，以控制基板W之位置及/或形狀。控制器CON可經組態以使用基板位置資訊以防止基板固持器SH與基板W之間的碰撞。舉例而言，若表面夾持器件偵測到基板W變得過於接近於(例如，約50 µm或更小)基板固持器SH，則控制器CON可減小靜電吸引及/或增加流體流動器件之斥力以防止基板W與基板固持器SH碰撞。控制器CON可經組態以使用各非接觸式夾持CP之基板位置資訊來判定及/或調整基板W之形狀。根據圖2 (其中基板W具有傘狀形狀)與圖3 (其中控制器CON已調節靜電吸引及/或斥力以使基板W彎曲為碗狀形狀)之間的比較，可見基板W之形狀之調整的實例。
圖3示意性地描繪在表面夾持器件及流體流動器件已協作以提供對基板W之非接觸式操控之後的圖2之基板固持器SH。圖3展示調適非接觸式夾持器件CP相對於彼此之位置可用於使基板W之上表面US的形狀適應於更合乎需要的形狀，諸如圖3中所描繪之實質上平坦形狀或稍微碗狀形狀。當藉由非接觸式夾持器件CP固持基板W時，控制器CON可控制壓電致動器ACT以將非接觸式夾持器件CP移動至所要位置，以獲得碗狀形狀。壓電致動器ACT之優點在於，非接觸式夾持器件CP之位置可藉由控制器CON之致動信號來準確地控制。在圖3之實例中，內部非接觸式夾持器件CP (相對於基板W之中心)向下(亦即，負z方向)推動基板W，而外部非接觸式夾持器件CP向上(亦即，正z方向)拉動基板W，以獲得所要形狀。表面夾持器件及流體流動器件經組態以協作以提供基板W之非接觸式操控。非接觸式操控可包含固持及/或移動基板W及/或使基板W變形。在非接觸式夾持器件CP與基板W之間存在小間隙(例如，約100 µm或更小)。間隙G在圖3a之放大影像中更明顯。
圖3a示意性地描繪更詳細地展示非接觸式夾持器件CP之圖3的一部分之放大圖。可看出，提供一種連接器件CD，其允許表面夾持墊CP相對於水平軸Rx、Ry在基板W的上表面上在有限旋轉角，例如至多50 mrad內自由旋轉。圖3a中之箭頭FRO指示繞Ry之自由旋轉。此自由旋轉促進非接觸式夾持器件CP中之各者使其旋轉位置適應於基板W之上表面US。舉例而言，當各非接觸式夾持器件CP在基板W夾持期間置放於基板W之上表面US上時或在基板W之形狀藉由在z方向上調適非接觸式夾持器件CP之相對位置而主動地改變時，各非接觸式夾持器件CP可調適其旋轉位置。非接觸式夾持器件CP中之各者可具備連接器件CD，該連接器件CD可允許非接觸式夾持器件CP圍繞一或多個橫軸自由旋轉。
在圖3a中，展示非接觸式夾持器件CP中的溫度控制器件TCD。非接觸式夾持器件CP中之各者可具備溫度控制器件TCD (例如加熱元件)，以個別地控制其溫度。可需要此溫度控制以校正由流體流動器件使用之流體(例如空氣)之膨脹引起的冷卻。各個別非接觸式夾持器件CP可具備個別溫度控制器件TCD，或可針對一組非接觸式夾持器件CP提供一個溫度控制器件TCD。替代地或另外，經由非接觸式夾持器件CP之導管提供的流體流可用於控制表面夾持器件及/或基板W的溫度。舉例而言，溫度控制器件TCD可經組態以控制流體流之溫度。流體流接著可視需要加熱或冷卻非接觸式夾持器件CP之靜電夾具及/或基板W。作為另一替代或添加，可將電流提供至非接觸式夾持器件CP之靜電夾具。可增加電流以加熱靜電夾具或減小該電流以冷卻靜電夾具，藉此控制表面夾持器件之溫度。來自靜電夾具之熱量可藉由流體流輸送至基板W，藉此亦允許控制基板W之溫度。表面夾持器件及/或基板W之溫度之非所需改變可能導致基板W經歷非所需熱變形，此又可導致諸如疊對、聚焦及/或對準誤差之製造誤差。控制表面夾持器件及/或基板W之溫度有利地減少或避免此類非所需熱變形。
圖4示意性地描繪自展示非接觸式夾持器件CP之組態的圖2之基板固持器SH下方的圖。流體流動器件包含複數個導管CN，該複數個導管CN經組態以輸送將斥力施加至基板之流體流(例如空氣)。在圖4的實例中，各靜電夾具EC為環形，且在其中心處包含孔徑AP。各導管CN經組態以提供流體經過其各別靜電夾具EC之孔徑AP之流動。
複數個導管CN有利地提供對基板之操控的精密控制。舉例而言，不同導管CN可提供作用於基板之不同區域的一或多個流體流，藉此允許個別地控制作用於基板之不同區域的斥力。流體流可將壓力施加至基板，當基板固持器SH在真空或近真空環境中操作時，此壓力可被描述為超壓力。真空或近真空環境可包含約10托或更小之壓力。真空或近真空環境可包含約1托或更小之壓力。流體流之速率可為基本上恆定的，使得流體流可被稱作靜態空氣軸承。
在圖4的實例中，非接觸式夾持器件CP配置於三個同心圓中，其中在徑向方向上，一個圓之各非接觸式夾持器件CP與其他兩個圓中之各者中的一者對準。在替代組態中，可使用具有不同相互位置的各種量之非接觸式夾持器件CP。為了最佳化基板W塑形，大量(例如25或更大)之非接觸式夾持器件CP可為有益的。所使用之非接觸式夾持器件CP之數目可相對於每非接觸式夾持器件CP之所要流動容量保持平衡，例如每非接觸式夾持器件CP及相關聯設備約20 NL/min。亦可考慮非接觸式夾持器件CP之總質量。有利地，在徑向方向上(自基板中心軸向外)可能存在非接觸式夾持器件CP的最小值，以能夠藉由在z方向上的由兩個非接觸式夾持器件CP及相關聯壓電致動器ACT提供之兩個相對力將力矩施加於基板W上。因而，可補償一階晶圓形狀，諸如碗狀、傘狀、鞍狀及/或半管形狀。如圖2至圖4之實施例中所示，可在徑向方向上設置三個非接觸式夾持器件CP或更多非接觸式夾持器件CP以允許補償二階或更高階形狀變形。更一般而言，可使用更多非接觸式夾持器件CP以具有更多可能性來適應由基板固持器SH固持之基板W的形狀。非接觸式夾持器件CP之間的相互位置，諸如環、列等可經選擇以最佳化針對變形基板W之特定形狀的塑形能力。在一實施例中，可藉由相關聯致動器ACT將非接觸式夾持器件CP中之一或多者回縮至回縮位置，在該回縮位置中，各別非接觸式夾持器件CP將不能夠例如藉由其他非回縮之非接觸式夾持器件CP將力施加至由基板固持器SH固持的基板W。
在圖2及圖3的實例中，非接觸式夾持器件CP中之各者可藉由其自身相關聯的壓電致動器ACT個別地移動。在其他實施例中，有可能兩個或更多個非接觸式夾持器件CP與一個壓電致動器相關聯。舉例而言，非接觸式夾持器件CP之各環可在包含兩個或更多個非接觸式夾持器件CP的數個環區段中細分。包含兩個或更多個非接觸式夾持器件CP之各環區段可與一個壓電致動器相關聯以將各別環區段移動至所要位置。舉例而言，圖4中所展示之組態的三個環中之各者可細分為四個環區段，各環區段包含三個非接觸式夾持器件CP。對於此等環區段中之各者，可提供各別致動器ACT以在z方向上將環區段移動至所要位置。
圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例的自包含邊緣夾緊器系統EGR之基板固持器SH上方的透視圖。基板固持器SH包含基板固持器框架SHF及安裝於基板固持器框架SHF上之四個邊緣夾緊器EGR。四個邊緣夾緊器EGR經組態以在基板圓周邊緣處將基板W固持於基板固持位置中。基板固持位置為由基板固持器SH界定之位置，在該位置中，由基板固持器SH固持之基板W理想地定位，亦即，基板固持器SH經設計以將基板W固持於基板固持位置中。四個邊緣夾緊器EGR均勻地分佈於基板固持位置之圓周周圍。在其他實施例中，可提供另一數目個邊緣夾緊器EGR。邊緣夾緊器EGR中之一或多者在徑向方向上受到主動位置控制。並非所有此等邊緣夾緊器EGR皆必須在徑向方向上受到主動位置控制。舉例而言，一或多個被動、機械預裝載邊緣夾緊器EGR可與兩個或更多個主動位置控制邊緣夾緊器EGR組合。邊緣夾緊器EGR可以任何合適的組態分佈於基板W之圓周上。邊緣夾緊器EGR包含可相對於基板固持器框架SHF在夾緊方向GRD上個別地移動的邊緣指形件(圖中未示)。夾緊方向GRD相對於基板固持位置的中心軸CEN在徑向方向上延伸。各邊緣指形件與邊緣夾緊器致動器(圖中未示)相關聯以在夾緊方向GRD上朝著或遠離基板W之邊緣移動邊緣指形件。
邊緣指形件可用於藉由相對於基板W之圓周邊緣推動邊緣指形件之夾緊表面來固持基板W。邊緣指形件之夾緊表面充當摩擦表面以主要藉由摩擦配合固持基板W。摩擦表面，或更一般而言，夾緊表面在豎直方向上可為凸面狀的。夾緊表面可例如形成為部分圓柱形表面，其中圓柱形表面之縱向軸在基板W固持於水平平面中時在水平方向上延伸。邊緣指形件之凸面形狀的優點在於夾緊表面可有效地應對翹曲基板之局域角及基板W之邊緣處之各種形狀及材料。在邊緣夾緊器致動器並不恰當地起作用的情況下，可針對安全性提供機械預裝載彈簧。替代地或另外，為了增加基板安全性，可在夾緊表面之底端設置安全輪緣(圖中未示)，以在基板固持器SH發生故障之情況下抓住基板W。
基板固持器SH可包含一或多個邊緣偵測器件EDD，該一或多個邊緣偵測器件EDD經組態以偵測一或多個邊緣夾緊器EGR是否接觸待固持之基板W的圓周邊緣。邊緣偵測器件EDD可用於藉由將邊緣指形件個別地在夾緊方向GRD上朝著基板W之邊緣移動來有效地夾緊基板W。一或多個邊緣指形件之移動可在其由各別邊緣偵測器件EDD偵測到各別邊緣指形件接觸基板W之圓周邊緣時停止。此具有以下優點：各邊緣指形件可快速移動至基板W之邊緣的實際位置，而非基板W之邊緣的預期位置。當邊緣指形件中之一者已到達邊緣時，其他邊緣指形件可繼續在夾緊方向GRD上朝著邊緣移動，直至由相關聯邊緣偵測器件EDD偵測到各別邊緣指形件已到達基板W之邊緣為止。
在圖5中所展示之實施例中，將邊緣偵測器件EDD示意性地展示為外部感測器。在實踐中，邊緣偵測器件EDD之邊緣偵測可例如基於各別邊緣指形件之速度變化。當邊緣指形件接觸基板W時，邊緣指形件將快速減速至零速度。可提供編碼器以量測邊緣指形件在徑向方向上移動之速度。若經量測編碼器速度下降為低於某一最小速度臨限位準，則邊緣偵測器件EDD可判定到達邊緣且應停止在徑向方向上之移動。在另一實施例中，邊緣偵測器件EDD之邊緣偵測可係基於定位誤差變化。在控制器(例如圖2及圖3之控制器CON)中，預定義緩衝區可持續填充有邊緣指形件之位置以儲存最後規定數目個樣本。若邊緣指形件之定位誤差變得大於預定臨限誤差位準，則有可能判定邊緣指形件已到達基板W之邊緣且應停止在徑向方向上之移動。在又一實施例中，邊緣偵測器件EDD之邊緣偵測可係基於回饋輸出變化。當邊緣指形件以恆定速度接近基板W時，預期回饋之輸出相對較小。然而，若邊緣指形件與基板W之邊緣之間發生接觸，則歸因於定位誤差，回饋控制器CON開始增加致動力。因此，當致動力超過致動力臨限值時，邊緣偵測器件EDD可判定到達邊緣且應停止在徑向方向上之移動。
接觸基板W之邊緣的前兩個邊緣指形件可用於定位，此係由於兩個點可判定基板共平面位置。其他邊緣指形件(在此實例中，兩個其他邊緣指形件)可用於將基板W預裝載至邊緣指形件且提供豎直z方向上的摩擦力。在一實施例中，控制器(例如圖2及圖3之控制器CON)可經組態以在邊緣偵測器件EDD已判定到達基板W之邊緣以在無非所需振盪的情況下施加夾緊力時自位置控制改變為速度控制。邊緣夾緊器致動器允許當基板W由邊緣夾緊器EGR固持時在x方向及/或y方向上重新定位基板W。舉例而言，當在基板W之夾緊期間，控制器判定基板W相對於基板固持器SH的基板固持位置偏移時，此情況可為有利的。此偏移可例如在邊緣偵測器件EDD偵測到邊緣指形件接觸基板W之邊緣的情況下基於邊緣指形件之時序及/或位置而判定。藉由邊緣夾緊器致動器控制邊緣夾緊器EGR之移動，可校正基板W相對於基板固持位置，亦即，所要位置的實際位置。
邊緣夾緊器EGR經進一步設計以允許邊緣指形件相對於基板固持位置的中心軸CEN在切向方向TAD上移動。邊緣夾緊器EGR中的一者可包含切向致動器(圖中未示)。切向致動器可例如包含壓電致動器。其他邊緣夾緊器EGR可允許邊緣指形件在切向方向TAD上移動，但可不包含用以主動地控制切向方向上之此移動的致動器。在替代實施例中，兩個或更多個或所有邊緣夾緊器EGR可包含切向致動器以控制各別邊緣指形件在切向方向TAD上的移動。藉由切向致動器之致動，基板W之邊緣可在切向方向TAD上位移。由於其他邊緣夾緊器EGR允許在切向方向TAD上之此移動，因此基板W在切向方向上之此致動移動將引起基板固持器SH中之基板W圍繞基板W之中心軸CEN (例如在Rz方向上)以例如+/-50 mrad (例如+/-10 mrad)之有限角度旋轉。藉由隨後在基板W之邊緣上夾緊及釋放邊緣指形件以及基板W在Rz方向上之較小旋轉，基板W可在較大角度內旋轉。邊緣夾緊器致動器及切向致動器之組合允許基板W在x方向、y方向及Rz方向上重新定位。此使得基板W在x-y平面中之任何方向上之位置校正成為可能。如圖5中所示，一實施例有可能包含可在z方向上主動地移動的可移動非接觸式夾持器件CP以及可在徑向及/或切向方向上主動地移動的邊緣夾緊器EGR兩者。
圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含基板夾具SC的基板操控系統SMS。基板操控系統SMS包含圖1之載體系統CS。載體系統CS包含基板固持器SH及位移系統DS，例如機器人系統(諸如機器人臂)或線性移動系統。基板固持器SH可為圖2至圖5中之任一者的基板固持器。基板夾具SC包含經組態以支撐基板W的支撐平面SP。在圖6的實例中，支撐平面SP由經組態以自基板W的底側支撐基板W的複數個凸起BU (例如約5000個與約10000個之間的凸起)界定。載體系統CS經組態以例如自基板儲存器(圖中未示)非接觸地收集基板W，且將基板W裝載至基板夾具SC上。在基板固持器SH非接觸地抓握基板W之前，基板W在無應力狀態下翹曲。在圖6的實例中，基板W以傘狀形狀翹曲。基板W可以其他形狀翹曲。基板固持器SH經組態以將由表面夾持器件產生之靜電吸引及由流體流動器件產生之斥力施加至基板W，以使基板W非接觸地變形，使得基板W之上表面US實質上匹配於支撐平面SP。支撐平面SP可為實質上平坦的，在此情況下，基板固持器SH可在將基板W裝載至基板夾具SC上之前使基板W自翹曲形狀變形為實質上平坦形狀。基板夾具SC接著可啟動靜電夾具(圖中未示)以將基板W固持於基板夾具SC之凸起BU上。基板固持器SH可撤銷啟動表面夾持器件及流體流動器件以釋放基板W，且藉此將基板W裝載至基板夾具SC上。
在將基板W裝載至基板夾具SC上之前使基板W之上表面US實質上匹配於基板夾具SC之支撐平面SP在基板W由基板夾具SC夾持時有利地減少或避免基板W之摩擦移動。此又有利地減少對基板夾具SC的磨損，藉此相比於已知基板操控系統，基板夾具SC之操作壽命增加。使基板W之上表面US實質上匹配於基板夾具SC之支撐平面SP亦有利地減少製造誤差(諸如在微影實例中)、聚焦誤差及/或疊對誤差。舉例而言，在基板操控系統SMS用作微影裝置(諸如圖1之微影裝置LA)之部分時，產品上疊對可改良超過1 nm。基板夾具SC可為圖1之基板台WT。
圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含基板預夾具SPC的基板操控系統SMS。基板操控系統SMS包含圖1之載體系統CS。載體系統CS包含基板固持器SH及位移系統DS，例如機器人系統(諸如機器人臂)或線性移動系統。基板固持器SH可為圖2至圖5中之任一者的基板固持器。基板預夾具SPC包含經組態以支撐基板W的支撐平面SP。在圖7之實例中，支撐平面SP由經組態以自基板W之底側支撐基板W之複數個凸起BU界定。載體系統CS經組態以非接觸地自基板預夾具SPC收集基板W且將基板W移動至另一部位(例如圖1之基板台WT)。基板預夾具SPC經組態以夾持基板W。在夾持基板W時，基板預夾具SPC使基板W變形，使得基板W之上表面US匹配於基板預夾具SPC之支撐平面SP。基板預夾具SPC可包含經組態以將基板W夾持至凸起BU上之一或多個靜電夾具。在圖7之實例中，基板預夾具SPC之支撐平面SP為實質上平坦的，因此基板預夾具SPC使基板W變形，使得基板之上表面US亦為實質上平坦的。在基板預夾具SPC夾持之前，基板W在無應力狀態下翹曲，且藉此使基板W變形為實質上平坦形狀。在圖7的實例中，基板W以傘狀形狀翹曲。在基板W由基板預夾具SPC夾持時，基板W之形狀可用作待由基板固持器SH維持的參考形狀。基板固持器SH經組態以施加靜電吸引及斥力，以在基板W已自基板預夾具SPC釋放後維持基板W之變形形狀。在圖7的實例中，基板固持器SH經組態以將由表面夾持器件產生之靜電吸引及由流體流動器件產生之斥力施加至基板W，使得基板W之上表面US在保持實質上平坦而非返回至翹曲傘狀形狀。載體系統CS可接著將基板W移動至另一位置。舉例而言，載體系統CS可將基板W裝載至圖1之基板台WT上。基板預夾具SPC可為形成微影裝置(諸如圖1之微影裝置LA)之部分的真空預對準夾具。真空預對準夾具可包含約10托或更小之壓力。真空預對準夾具可包含約1托或更小之壓力。基板W可在由基板預夾具SPC夾持時經歷一或多個程序，諸如熱調節、對準量測等。
維持基板W之預變形形狀有利地減少在將基板W裝載至諸如圖1之基板台WT的基板支撐件上時的基板W之摩擦移動。此又有利地減少對基板操控系統SMS及基板台WT之磨損。維持基板W之預變形形狀有利地減少製造誤差(諸如在微影實例中)、聚焦誤差及/或疊對誤差(例如產品上疊對改良了超過1 nm)。
圖8展示根據本發明之一實施例的固持基板之方法的流程圖。方法之第一步驟S1包含靜電吸引基板之上表面。方法之第二步驟S2包含使用流體流來將斥力施加至基板。方法可包含視情況選用的第三步驟S3，該第三步驟S3為使用靜電吸引與斥力之間的協作來非接觸地操控基板，如先前相對於本發明之基板固持器所描述。方法可進一步包含調整靜電吸引及斥力中之至少一者以使基板變形為預定形狀，諸如實質上平坦的上表面。方法可進一步包含使用基板預夾具來使基板變形，使得基板之上表面實質上匹配於基板預夾具之支撐平面，例如先前相對於圖6所描述。方法可進一步包含施加靜電吸引及斥力以維持基板之變形形狀，例如先前相對於圖7所描述。方法可進一步包含使用流體流動來控制基板之溫度，如先前所描述。方法可用作半導體製造程序之部分，該半導體製造程序諸如微影程序(例如將經圖案化輻射光束投影至基板之上表面上)及/或材料沈積程序(例如基板上之薄膜沈積)。
圖9示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含基板夾具SC及替代基板固持器100的替代基板操控系統。基板夾具SC包含經組態以支撐基板W的支撐平面SP。在圖9的實例中，支撐平面SP由經組態以自基板W的底側支撐基板W的複數個凸起BU (例如約5000個與約10000個之間的凸起)界定。基板夾具SC具備可在豎直方向上移出基板夾具SC之支撐平面SP的裝載銷釘102。在圖9之實例中，裝載銷釘102、104在經延伸組態中且基板W之底側由經延伸裝載銷釘102支撐。可降低裝載銷釘102以將基板W置放於由凸起BU提供之支撐平面SP中。基板夾具SC包含經組態以相對於凸起BU夾持基板W以將基板W固定於支撐平面SP中之複數個靜電夾具104。在圖9及圖10的實例中，基板夾具SC之靜電夾具104並不作用。
替代基板固持器100包含基板固持器框架SHF及配置於框架SHF上的表面夾持器件。表面夾持器件包含經組態以在基板W之上表面US處靜電吸引基板W之複數個靜電夾具110。靜電夾具110可內埋於介電質(圖中未示)內。替代基板固持器100不包括流體流動器件。替代基板固持器100包含電容式感測系統，該電容式感測系統經組態以偵測表面夾持器件與基板W之上表面US之間的電容。在圖9的實例中，電容式感測系統包含以週期性圖案配置之複數個電容式感測元件120。舉例而言，微影可用於在其中內埋靜電夾具110之介電質中形成週期性圖案。電容式感測系統可包含一百個電容式感測元件120或更多，例如，約一百七十五個電容式感測元件120。電容式感測元件120可經組態以在量測範圍內偵測電容式感測元件120與基板W之上表面US之間的距離。量測範圍可為約1 mm或更小，例如約0.6 mm。電容式感測元件120之量測範圍可對應於可由電容式感測系統感測之基板W變形的範圍。各電容式感測元件可例如具有約8 mm乘約4 mm之面積。電容式感測元件120之週期性圖案的週期性在相鄰電容式感測元件120之間可例如為約2 cm。可參考具有已知形狀之參考基板(圖中未示)校準電容式感測系統。
替代基板操控系統進一步包含經組態以使用由電容式感測系統120偵測到之電容資訊來判定基板W之形狀的處理器130。如先前所論述，在實踐中，基板W可展示相當大的變形且可例如具有傘狀形狀、碗狀形狀、鞍狀形狀或其他形狀。由電容式感測系統120偵測到的表面夾持器件與基板W之上表面US之間的電容可與表面夾持器件與基板W之上表面US之間的距離成比例。表面夾持器件與基板W之上表面US之間的距離可指示基板W之變形(及所得形狀)。處理器130可經組態以使用由電容式感測系統120偵測到之電容資訊來調整靜電夾具110與基板W之上表面US之間的靜電吸引，且藉此控制基板W之形狀(此相對於圖10及圖11更詳細地展示及論述)。
電容式感測系統120可經組態以判定全局基板尺度上之基板W之形狀。在圖9的實例中，基板W在全局基板尺度上具有傘狀形狀。亦即，儘管基板W之形狀可在較局部化基板尺度上變化(亦即，跨基板W之較小部分的較高空間頻率變形)，但在全局基板尺度上，基板W具有傘狀形狀(亦即，使整個基板W呈傘狀形狀之較低空間頻率變形)。在全局基板尺度上判定基板W之形狀可能不需要基板W與電容式感測系統120之間的任何相對移動。可藉由電容式感測系統120藉由在基板W與電容式感測系統120之不同相對位置處進行多個量測來判定基板W在較局部化尺度上之較高空間頻率變形。替代基板操控系統包含經組態以改變基板夾具SC相對於替代基板固持器100之位置的致動級140。致動級140可例如為圖1之基板台WT。電容式感測系統120可經組態以在致動級140改變基板夾具SC相對於替代基板固持器100之位置之前及之後偵測表面夾持器件與基板W之上表面US之間的電容，使得處理器130以小於電容式感測元件120之週期性圖案之週期性150的空間解析度判定基板W之形狀。舉例而言，致動級140可經組態以使基板夾具SC在X方向上移動約2 cm且在Y方向上相對於表面夾持器件移動2 cm，同時電容式感測系統120偵測到表面夾持器件與基板W之上表面US之間的電容。此允許各電容式感測元件120沿著各相鄰電容式感測元件120之間的2 cm間隙偵測基板W，藉此產生子週期性空間解析度。
替代基板操控系統包含致動器件，該致動器件經組態以改變表面夾持器件之形狀，使得表面夾持器件實質上匹配於基板W之形狀(如由電容式感測系統120判定)。在圖9的實例中，致動器件包含可變形板160及經組態以將受控變形施加至可變形板160之壓電致動器。可變形板160可由具有低熱膨脹係數之材料形成。舉例而言，可變形板160可由超低膨脹玻璃(ULE)形成，該玻璃為Corning有限公司之註冊商標。可變形板160可具有例如約5 mm之厚度。在圖9的實例中，壓電致動器包含安置於可變形板160上之一或多個壓電板162及一或多個壓電安裝件164。一或多個壓電板162可經組態以彎曲且藉此使可變形板160變形。一或多個壓電安裝座164可經組態以膨脹或收縮且藉此使可變形板160變形。
圖10示意性地描繪在致動器件160、162、164已改變表面夾持器件之形狀以更好地匹配於基板W之形狀(如由電容式感測系統120判定)之後圖9之替代基板操控系統。類似附圖標號指示類似特徵。在圖9及圖10的實例中，基板W在全局基板尺度上具有傘狀形狀。此傘狀形狀藉由電容式感測系統120偵測到，且此資訊用於控制致動器件160、162、164，以使得表面夾持器件之形狀亦呈傘狀形狀。壓電安裝件164延伸且壓電板162彎曲，使得可變形板160自圖9中的實質上平面形狀變形為圖10中的傘狀形狀。亦即，可變形板160之形狀改變以在全局基板尺度上匹配於基板W之形狀。處理器130可經組態以基於自電容式感測系統120接收到之資訊控制致動器件160、162、164。改變表面夾持器件之形狀以實質上匹配於基板W之形狀會減少靜電夾具110與基板W之上表面US之間的距離(例如平均距離)。此有利地允許使用較低電壓來施加較大變形力，且藉此使用靜電夾具110精細地控制基板W之形狀。使用較低電壓之能力亦降低發生不合需要之放電的風險。舉例而言，在致動器件160、162、164已改變表面夾持器件之形狀以實質上匹配於基板W之形狀之後，靜電夾具110與基板W之上表面US之間的沿著Z軸之最大距離可例如為約20 µm。在此實例中，施加至各靜電夾具110之最大電壓可為約300 V (例如，比由基板夾具SC之靜電夾具104施加之法向力小約十倍)，此將允許約20 N之變形控制力(例如，比作用於基板W之重力大約二十倍)。
圖11示意性地描繪在替代基板固持器100已施加靜電吸引以使得表面夾持器件與基板之上表面之間的距離跨基板之上表面為基本上恆定的之後圖9及圖10之替代基板操控系統。各靜電夾具100可個別地受控制(例如，具備其自有電壓及/或個別地移動成更接近或更遠離基板W之上表面US)以使基板W變形，使得自基板W移除較高頻率空間變形(亦即，局部化變形)。電容式感測系統120可用於在控制由靜電夾具110施加之靜電吸引以達到表面夾持器件與基板W之上表面US之間的沿著Z軸的所要恆定距離時提供回饋。電容式感測系統120可用於確保靜電夾具120與基板W之上表面US之間的最小距離(例如約2 µm)得以維持，使得基板W不向上移動且碰撞至表面夾持器件中。在圖11的實例中，在替代基板固持器100之靜電夾具110亦處於作用中以施加反作用力且藉此防止基板W向上移動且碰撞至替代基板固持器100中的同時，基板夾具SC之靜電夾具104處於作用中。如先前所論述，可替代地使用形成基板固持器之部分的流體流動器件來施加此反作用力。
致動器件160、162、164可經組態以在施加靜電吸引期間改變表面夾持器件之形狀，使得基板W之上表面US實質上匹配於支撐平面SP。在圖11的實例中，致動器件160、162、164可用以使可變形板160恢復至其原始平面形狀(亦即，圖9中所示之形狀)，同時替代基板固持器100之靜電夾具110處於作用中，藉此使基板W變形成平面形狀(例如匹配於支撐平面SP)。一旦基板W之形狀實質上匹配於支撐平面SP之形狀，就可降低裝載銷釘102，可完全啟動基板夾具SC之靜電夾具104以夾持基板W且可撤銷啟動替代基板固持器100之靜電夾具110。此裝載程序有利地確保當完全啟動基板夾具SC時基板W處於正確形狀，使得當基板W由基板夾具SC夾持時，縮減非所需效應(諸如基板W跨凸起BU之摩擦移動及基板W之非所需翹曲)。
圖12展示根據本發明之一實施例的將基板裝載至基板夾持器件上的方法之流程圖。方法之第一步驟200包含偵測表面夾持器件與基板之上表面之間的電容且使用偵測到之電容來判定基板之形狀。方法之第二步驟201包含改變表面夾持器件之形狀，使得表面夾持器件之形狀實質上匹配於基板之形狀。方法之第三步驟203包含自基板上方靜電吸引基板之上表面，使得表面夾持器件與基板之上表面之間的距離跨基板之上表面為基本上恆定的。方法之第四步驟203包含在施加靜電吸引期間改變表面夾持器件之形狀，使得基板之上表面實質上匹配於經組態以支撐基板的基板夾具之支撐平面。
在上文中，已描述可用於如圖1中所展示之微影裝置LA中的基板固持器SH之不同實施例。基板固持器SH可用於固持及以其他方式操控倍縮光罩MA (例如，以自支撐結構MT裝載及卸載倍縮光罩MA)。基板固持器SH亦可用作載體系統CS之部分以將基板固持於微影生產程序中所使用之其他裝置中，諸如基板量測或基板檢測器件。當需要基板W之受控定位或受控形狀時，基板固持器SH尤其有益。基板固持器SH不限於微影裝置且可用於其他半導體處理裝置中，諸如真空夾具、電子束微影裝置、化學氣相沈積系統、離子植入裝置等。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置。本發明之實施例可形成遮罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置的部件。此等裝置可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件(例如，約10托或更小之壓力)或環境(非真空)條件。
儘管上文已特定參考本發明之實施例在光學微影的上下文中之使用，但應瞭解，在上下文允許之情況下，本發明不限於光學微影且可使用於其他應用中，例如壓印微影。
在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或傳播信號之其他形式(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。且如此進行可使致動器或其他器件與實體世界互動。舉例而言，圖2至圖3之控制器CON可包含電腦可讀媒體及/或電腦裝置，其包含儲存處理器可讀指令之記憶體及經配置以讀取及執行儲存於該記憶體中之指令的處理器。該電腦可讀媒體及/或指令可包含電腦程式，該電腦程式包含經組態以致使電腦(例如控制器CON)進行根據本發明之方法(例如圖8的方法及其相關聯描述)的電腦可讀指令。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上方描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
條項 1.  一種用於固持基板之基板固持器，其包含： 框架； 表面夾持器件，其配置於框架之底側上，該表面夾持器件經組態以自基板上方靜電吸引基板之上表面。 2.  如條項1之基板固持器，其包含配置於框架之底側上的流體流動器件，該流體流動器件經組態以將斥力施加至基板之上表面。 3.  如條項2之基板固持器，其中表面夾持器件及流體流動器件經組態以協作以提供對基板之非接觸式操控。 4.  如前述條項中任一項之基板固持器，其中表面夾持器件包含經組態以靜電吸引基板之上表面的複數個靜電夾具。 5.  如前述條項中任一項之基板固持器，其中流體流動器件包含經組態以輸送流體流的複數個導管，該流體流將斥力施加至基板之上表面。 6.  如條項4及條項5之基板固持器，其中複數個靜電夾具及複數個導管協作以形成複數個非接觸式夾持器件。 7.  如條項6之基板固持器，其中複數個靜電夾具中之至少一者包含孔徑，且複數個導管中之至少一者經組態以提供經過孔徑之流體流。 8.  如前述條項中任一項之基板固持器，其包含致動系統，該致動系統經組態以使表面夾持器件及流體流動器件相對於彼此移動。 9.  如前述條項中任一項之基板固持器，其包含控制器，該控制器經組態以調整靜電吸引及斥力中之至少一者以使基板變形為預定形狀。 10.   如前述條項中任一項之基板固持器，其中表面夾持器件經組態以偵測基板之位置及/或形狀。 11.    如條項10之基板固持器，其中控制器經組態以使用由表面夾持器件偵測到之資訊來調整靜電吸引及斥力中之至少一者，以控制基板之位置及/或形狀。 12.   如前述條項中任一項之基板固持器，其中流體流經組態以控制表面夾持器件之溫度， 及/或其中流體流經組態以控制基板之溫度。 13.   如前述條項中任一項之基板固持器，其包含邊緣夾緊器系統，該邊緣夾緊器系統經組態以將基板固持於其邊緣處。 14.   一種基板操控系統，其包含： 如前述條項中任一項之基板固持器；及 基板夾具，其包含經組態以支撐基板之支撐平面，其中基板固持器經組態以施加靜電吸引，使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。 15.   如條項14之基板操控系統，其包含： 電容式感測系統，其經組態以偵測表面夾持器件與基板之上表面之間的電容；及 處理器，其經組態以使用由電容式感測系統偵測到之電容資訊來判定基板之形狀。 16.   如條項15之基板操控系統，其包含經組態以改變基板夾具相對於基板固持器之位置的致動級，其中電容式感測系統包含以週期性圖案配置之複數個電容式感測元件，其中電容式感測系統經組態以在致動級改變基板夾具相對於基板固持器之位置之前及之後偵測表面夾持器件與基板之上表面之間的電容，使得處理器以小於電容式感測元件之週期性圖案之週期性的空間解析度判定基板之形狀。 17.   如條項15或條項16之基板操控系統，其包含致動器件，該致動器件經組態以改變表面夾持器件之形狀，使得表面夾持器件之形狀實質上匹配於由電容式感測系統判定的基板之形狀。 18.   如條項17之基板操控系統，其中基板固持器經組態以施加靜電吸引，使得表面夾持器件與基板之上表面之間的距離跨基板之上表面為基本上恆定的。 19.   如條項18之基板操控系統，其中致動器件經組態以在施加靜電吸引期間改變表面夾持器件之形狀，使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。 20.   如條項14至19中任一項之基板操控系統，其中基板固持器經組態以施加斥力，使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。 21.   一種基板操控系統，其包含： 如條項1至13中任一項之基板固持器；及 基板預夾具，其經組態以使基板變形為變形形狀，其中基板固持器經組態以施加靜電吸引及斥力以維持基板之變形形狀。 22.   一種半導體處理裝置，其包含如條項1至13中任一項之基板固持器，其中基板固持器經配置以在真空或近真空環境中操作。 23.   如條項22之半導體處理裝置，其中半導體處理裝置為經組態以將基板暴露於經圖案化輻射之微影裝置，或其中半導體處理裝置為經組態以將材料沈積於基板上之化學氣相沈積裝置。 24.   一種固持基板之方法，其包含自基板上方靜電吸引基板之上表面。 25.   如條項24之方法，其包含使用流體流來將斥力施加至基板之上表面。 26.   如條項24或條項25之方法，其包含使用靜電吸引與斥力之間的協作來非接觸地操控基板。 27.   如條項26之方法，其包含調整靜電吸引及斥力中之至少一者以使基板變形為預定形狀。 28.   如條項26之方法，其包含：使用基板預夾具以使基板變形，使得基板之上表面實質上匹配於基板預夾具之支撐平面；及 施加靜電吸引及斥力以維持基板之變形形狀。 29.   如條項24至28中任一項之方法，其包含使用流體流來控制基板之溫度。 30.   如條項24至29中任一項之方法，其包含：將基板裝載至基板夾具上，該基板夾具包含經組態以支撐基板的支撐平面；及施加靜電吸引以使得基板之上表面實質上匹配於支撐平面。 31.   如條項30之方法，其包含：偵測用於施加靜電吸引之表面夾持器件與基板之上表面之間的電容；及 使用偵測到之電容來判定基板之形狀。 32.   如條項31之方法，其包含改變表面夾持器件之形狀，使得表面夾持器件之形狀實質上匹配於基板之形狀。 33.   如條項32之方法，其包含施加靜電吸引，使得表面夾持器件與基板之上表面之間的距離跨基板之上表面為基本上恆定的。 34.   如條項33之方法，其包含在施加靜電吸引期間改變表面夾持器件之形狀，使得基板之上表面實質上匹配於基板夾具之支撐平面。 35.   一種將經圖案化輻射光束投影至基板上之方法，其包含如條項24至34中任一項之方法， 或將材料沈積於基板上之方法，其包含如條項24至34中任一項之方法。 36.   一種電腦程式，其包含電腦可讀指令，該等電腦可讀指令經組態以使得電腦進行如條項24至35中任一項之方法。 37.   一種電腦可讀媒體，其攜載如條項36之電腦程式。 38.   一種電腦裝置，其包含： 記憶體，其儲存處理器可讀指令；及 處理器，其經配置以讀取及執行儲存於該記憶體中之指令； 其中該等處理器可讀指令包含經配置以控制電腦進行如條項24至35中任一項之方法之指令。
1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:收集器 6:中間焦點 7:電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面器件 11:琢面化光瞳鏡面器件 13:鏡面 14:鏡面 100:基板固持器 102:裝載銷釘 104:靜電夾具 110:靜電夾具 120:電容式感測元件 130:處理器 140:致動級 150:週期性 160:可變形板 162:壓電板 164:壓電安裝件 200:步驟 201:步驟 203:步驟 ACT:致動器 AP:孔徑 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射光束 BU:凸起 CD:連接器件 CEN:中心軸 CN:導管 CON:控制器 CP:非接觸式夾持器件/表面夾持墊 CS:載體系統 DS:位移系統 EC:靜電夾具 EDD:邊緣偵測器件 EGR:邊緣夾緊器系統 FL:撓曲件 FRO:箭頭 G:間隙 GRD:夾緊方向 IL:照明系統 LA:微影裝置 MA:倍縮光罩 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 PS:投影系統 S1:步驟 S2:步驟 S3:步驟 SC:基板夾具 SH:基板固持器 SHF:框架 SMS:基板操控系統 SO:輻射源 SP:支撐平面 SPC:基板預夾具 TAD:切向方向 TCD:溫度控制器件 US:上表面 W:基板 WT:基板台
現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中： -  圖1示意性地描繪根據本發明之包含輻射源、微影裝置及基板固持器的微影系統。 -  圖2示意性地描繪根據本發明之一態樣的包含表面夾持器件及流體流動器件之基板固持器的側視圖。 -  圖3示意性地描繪在表面夾持器件及流體流動器件已協作以提供對基板W之非接觸式操控之後的圖2之基板固持器。 -  圖3a示意性地描繪更詳細地展示非接觸式夾持器件之圖3的一部分之放大圖。 -  圖4示意性地描繪自展示非接觸式夾持器件之組態的圖2之基板固持器下方的圖。 -  圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例的自包含邊緣夾緊器系統之基板固持器上方的透視圖。 -  圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含基板夾具的基板操控系統。 -  圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含基板預夾具的基板操控系統。 -  圖8展示根據本發明之一實施例的固持基板之方法的流程圖。 -  圖9示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含基板夾具及替代基板固持器的替代基板操控系統。 -  圖10示意性地描繪根據本發明之一實施例的在致動器件已將表面夾持器件之形狀改變為實質上匹配於如藉由電容式感測系統所判定的基板之形狀之後圖9之替代基板操控系統。 -  圖11示意性地描繪根據本發明之一實施例的在替代基板固持器已施加靜電吸引以使得表面夾持器件與基板之上表面之間的距離跨基板之上表面為基本上恆定的之後圖9及圖10之替代基板操控系統。 -  圖12展示根據本發明之一實施例的將基板裝載至基板夾持器件上的方法之流程圖。
AP:孔徑
CN:導管
CP:非接觸式夾持器件/表面夾持墊
EC:靜電夾具
SH:基板固持器
SHF:框架

Claims (15)

  1. 一種用於固持一基板之基板固持器，其包含： 一框架； 一表面夾持器件，其配置於該框架之一底側上，該表面夾持器件經組態以自該基板上方靜電吸引該基板之一上表面。
  2. 如請求項1之基板固持器，其包含配置於該框架之該底側上的一流體流動器件，該流體流動器件經組態以將一斥力施加至該基板之該上表面。
  3. 如請求項2之基板固持器，其中該表面夾持器件及該流體流動器件經組態以協作以提供對該基板之非接觸式操控。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板固持器，其中該表面夾持器件包含經組態以靜電吸引該基板之該上表面的複數個靜電夾具。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板固持器，其中該流體流動器件包含經組態以輸送一流體流的複數個導管，該流體流將該斥力施加至該基板之該上表面。
  6. 如請求項4之基板固持器，其中該複數個靜電夾具及該複數個導管協作以形成複數個非接觸式夾持器件。
  7. 如請求項6之基板固持器，其中該複數個靜電夾具中之至少一者包含一孔徑，且該複數個導管中之至少一者經組態以提供經過該孔徑之一流體流。
  8. 如請求項1至3中任一項之基板固持器，其包含一致動系統，該致動系統經組態以使該表面夾持器件及該流體流動器件相對於彼此移動。
  9. 如請求項1至3中任一項之基板固持器，其包含一控制器，該控制器經組態以調整該靜電吸引及該斥力中之至少一者以使該基板變形為一預定形狀，或 其中該表面夾持器件經組態以偵測該基板之一位置及/或一形狀。
  10. 如請求項9之基板固持器，其中該控制器經組態以使用由該表面夾持器件偵測到之資訊來調整該靜電吸引及該斥力中之至少一者，以控制該基板之一位置及/或一形狀。
  11. 如請求項1至3中任一項之基板固持器，其中該流體流經組態以控制該表面夾持器件之一溫度， 及/或其中該流體流經組態以控制該基板之一溫度。
  12. 如請求項1至3中任一項之基板固持器，其包含一邊緣夾緊器系統，該邊緣夾緊器系統經組態以將該基板固持於其一邊緣處。
  13. 一種基板操控系統，其包含： 如前述請求項中任一項之基板固持器；及 一基板夾具，其包含經組態以支撐該基板之一支撐平面，其中該基板固持器經組態以施加該靜電吸引，使得該基板之該上表面實質上匹配於該支撐平面。
  14. 一種半導體處理裝置，其包含如請求項1至12中任一項之基板固持器，其中該基板固持器經配置以在一真空或近真空環境中操作。
  15. 一種固持一基板之方法，其包含自該基板上方靜電吸引該基板之一上表面。
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