TW202303296A - 種子雷射光學隔離器、種子隔離器模組、極紫外光(euv)輻射源、微影裝置及光學隔離器操作方法 - Google Patents

種子雷射光學隔離器、種子隔離器模組、極紫外光(euv)輻射源、微影裝置及光學隔離器操作方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種用於一種子雷射之一光學隔離器，其包含： -       一聲光調變器晶體，其經組態以操控入射於此之雷射光，及 -       至少一個冷卻系統，其經組態以調節該晶體之一溫度，該冷卻系統包含： ○  一冷卻元件，其包括用於一流體冷卻介質之一或多個通道， ○  一熱傳遞總成，其配置於該晶體與該冷卻元件之間以將熱量自該晶體傳遞至該冷卻元件，其中該熱傳遞總成包括一主動熱傳遞元件。

Description

種子雷射光學隔離器、種子隔離器模組、極紫外光(EUV)輻射源、微影裝置及光學隔離器操作方法
本發明係關於一種用於種子雷射之光學隔離器、一種用於EUV源之種子隔離器模組及一種包含種子雷射及種子隔離器模組之EUV輻射源。本發明進一步係關於一種包括EUV輻射源之微影裝置及一種操作光學隔離器之方法。
一種微影裝置為經建構以將所要圖案施加於基板上之機器。一微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。舉例而言，微影裝置可將圖案化器件(例如，光罩)處之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。相較於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有介於4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用於在基板上形成較小特徵。
EUV輻射可藉由用來自種子雷射之輻射照射錫液滴以電離錫原子從而產生在所有方向上輻射EUV輻射的強電漿而產生。儘管錫液滴吸收自種子雷射之大量輻射，但輻射亦反射回種子雷射。為保護種子雷射，使用具有光學隔離器之種子隔離器模組自錫液滴吸收反射之雷射光。
聲光調變器(AOM)可用於藉由將雷射光導向至所謂的光束捕集器來吸收反射之雷射光。AOM包含由於經吸收之雷射光加熱之一晶體。高於某一溫度臨限值之情況下，晶體中可發生不可逆損壞。在晶體損壞之情況下，可需要替換含有AOM之完整種子隔離器模組。為避免損壞晶體，晶體需要冷卻，冷卻當前藉由圍封由冷卻水冷卻之銅塊之間的晶體來提供。藉由種子雷射之當前光功率，冷卻僅為該溫度臨限值提供相對較小邊際。因此，上述解決方案對於高功率雷射應用並非最佳，從而導致對晶體之損壞的風險過大。如上文所提及，當晶體損壞時，可需要以裝置之對應成本及停工時間來替代完整AOM。
考慮上述內容，本發明之一目標為提供一種光學隔離器，該光學隔離器降低聲光調變器之晶體之雷射誘發損壞的風險。
根據本發明之一實施例，提供一種用於一種子雷射之光學隔離器，其包含： -   一聲光調變器晶體，其經組態以操控入射於此之雷射光，及 -   至少一個冷卻系統，其經組態以調節該晶體之一溫度，該冷卻系統包含： ○  一冷卻元件，其包括用於一流體冷卻介質之一或多個通道，及 ○  一熱傳遞總成，其配置於該晶體與該冷卻元件之間以將熱量自該晶體傳遞至該冷卻元件，其中該熱傳遞總成包括一主動熱傳遞元件。
根據本發明之另一實施例，提供一種用於一EUV源之種子隔離器模組，其包含根據本發明之一光學隔離器。
根據本發明之另一實施例，提供一種EUV輻射源，其包含根據本發明之一種子雷射及一種子隔離器模組以吸收源自該種子雷射之非所要反射輻射。
根據本發明之又一實施例，提供一種微影裝置，其包含根據本發明之一EUV輻射源。
根據本發明之另一實施例，提供一種用以操作根據本發明之一光學隔離器之方法，該方法包含以下步驟： a. 經由冷卻元件提供預定溫度下之冷卻介質流， b. 使用具有主動熱傳遞元件之熱傳遞總成將熱量自晶體傳遞至冷卻元件中之冷卻介質，使得晶體之面向熱傳遞元件之外部表面的溫度低於冷卻元件中之冷卻介質的預定溫度。
圖1展示包含輻射源SO及微影裝置LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將該EUV輻射光束B供應至微影裝置LA。微影裝置LA包含：照射系統IL；支撐結構MT，經組態以支撐圖案化器件MA (例如，光罩)；投影系統PS；及基板台WT，經組態以支撐基板W。
照射系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，該照射系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起提供具有所要橫截面形狀及所要強度分佈之EUV輻射光束B。照射系統IL可包括除琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11之其他鏡面或器件。
在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化器件MA互動。由於此互動之結果，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上之複數個鏡面13、14。投影系統PS可將減縮因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化器件MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用為4或8之減縮因數。儘管將投影系統PS說明為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此種情況下，微影裝置LA將由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照射系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)。
圖1中所展示之輻射源SO為例如可稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO 2雷射之雷射系統1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至由例如燃料發射器3提供之燃料(諸如，錫(Sn))中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如為金屬或合金。燃料發射器3可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著軌跡將例如呈液滴形式之錫導向至電漿形成區4。雷射光束2在該電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區4處產生錫電漿7。在電漿之電子與離子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。
藉由收集器5收集及聚焦來自電漿之EUV輻射。收集器5包含例如接近正入射輻射收集器5 (有時更一般地稱為正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如具有諸如13.5 nm之所要波長之EUV輻射)之一多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，該橢球形組態具有兩個焦點。焦點中之第一者可位於電漿形成區4處，且焦點中之第二者可位於中間焦點6處，如下文所論述。
雷射系統1可與輻射源SO在空間上分離。在此情況下，雷射光束2可藉助於包含例如適合導向鏡面及/或光束擴展器及/或其他光學元件之光束遞送系統(未展示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。可將雷射系統1、該輻射源SO及光束遞送系統一起視為輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處之電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照射系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO配置成使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿(LPP)源，但諸如放電產生電漿(DPP)源或自由電子雷射(FEL)之任何適合源可用於產生EUV輻射。
儘管雷射光束2意欲由燃料(亦即，電漿形成區4處之錫液滴)完全吸收以形成電漿7，但實務上，雷射光束2之一部分將自錫液滴反射，自錫液滴反射之經反射雷射光可行進返回雷射系統1。此可對雷射系統1造成損壞或干擾其操作。
為防止對該雷射系統1之損壞，雷射系統1或該輻射源SO可包括如圖2中所部分地描繪之種子隔離器模組SIM以吸收行進返回雷射系統1之經反射雷射光。
種子隔離器模組SIM包含光學隔離器OI及用以控制光學隔離器OI之控制單元CU。
光學隔離器OI包括聲光調變器晶體CR以操控入射於其上之光。在此實例中，晶體CR經定向以使得用於反射返回雷射系統之雷射光之光軸垂直於圖2中之圖式之平面，亦即垂直於圖2中所描繪之X及Y軸。本發明並不係關於晶體CR自身之工作原理，且因此將不包括詳細解釋，此係因為熟習此項技術者已熟悉聲光調變器晶體CR後的工作原理。晶體CR可為(例如，作為單獨組件或作為一體式組件)包括用以將聲振動引入至晶體CR中之組件的聲光調變器之一部分。然而，概言之，藉由使晶體CR經受聲振動，晶體CR能夠將自錫液滴反射之雷射光導向至吸收元件AE，該吸收元件AE亦為光學隔離器OI或種子隔離器模組SIM之一部分且在圖2中高度示意性地描繪。吸收元件AE可替代地稱為光束捕集器。雷射光束2及經反射雷射光亦將至少部分地由晶體CR自身吸收，從而引起晶體CR加熱。當未採取措施時，晶體CR之溫度可增加至高於某一溫度臨限值，此可引起對晶體CR之損壞，從而導致至少部分功能喪失，但通常在短時段內完全功能喪失。
種子隔離器模組SIM可進一步包括諸如例如此處未描繪以保持圖式簡單之偏振保護光學元件之光學元件的其他組件。
為維持晶體CR之溫度低於預定溫度，該預定溫度較佳地為溫度臨限值減去至少若干攝氏度之安全邊際，光學隔離器OI包含至少一個冷卻系統。圖2之實施例更廣泛，此係因為光學隔離器OI包含：第一冷卻系統CS1，其位於晶體CR之第一晶體表面FC處；及第二冷卻系統CS2，其位於晶體CR之第二晶體表面SC處，該第一及第二晶體表面FC、SC在此實例中為晶體CR之平行相對表面，使得晶體CR可在其兩側冷卻。
第一及第二冷卻系統CS1、CS2在此情況下建構類似，且由此及參考冷卻系統同時描述，儘管亦設想，取決於晶體CR之冷卻需求，第一冷卻系統CS1之建構不同於第二冷卻系統。
此上下文中之類似意謂第一及第二冷卻系統具有具有相同功能之相同組件。類似包含第一及第二冷卻系統相同之可能性，但亦包含尺寸不同之情形，例如，歸因於第二晶體表面SC大於第一晶體表面，如同圖2之實施例中之情況一般。尺寸之差異或建構差異可由可用空間或晶體CR之不對稱加熱之差異導致。
圖2之冷卻系統CS1、CS2包括冷卻元件CE，該冷卻元件CE包括用於諸如水之流體冷卻介質之一或多個通道CH。包括一或多個通道CH之冷卻元件CE在此處高度示意性地描繪為具有單個通道CH、至通道CH之入口IN及通道CH之出口OU的冷卻塊。通道CH可連接至將預定溫度下之冷卻介質提供至入口IN之冷卻迴路。通道CH中之冷卻介質接著能夠在朝向出口OU流動時吸收熱量。冷卻介質之優勢為可容易將熱量移除且傾倒至存在溫度需求較不嚴格之位置處的環境中。
冷卻介質可為諸如水之液體或任何其他適合液體，或可為諸如空氣之冷卻氣體或任何其他適合氣體。一或多個通道可為閉合通道，但亦可為在一側打開之通道，如典型的氣體吹過鰭片之間之空間的鰭片結構之情況，其中鰭片提供足夠冷卻表面以用於將熱傳遞至氣體。鰭片之間的空間可視為開放通道。
圖2之冷卻系統CS1、CS2進一步包括配置於晶體CR與對應冷卻元件CE之間以將熱量自晶體CR傳遞至冷卻元件CE且最終傳遞至冷卻介質的熱傳遞總成HT。熱傳遞總成HT包含例如帕耳帖元件之主動熱傳遞元件，此將在下文更詳細地描述。主動熱傳遞元件將熱量自主動熱傳遞元件之晶體側傳遞至主動熱傳遞元件之冷卻元件側。主動熱傳遞元件之晶體側將可替代地稱為主動熱傳遞元件之冷側，且主動熱傳遞元件之冷卻元件側將可替代地稱為熱側。在操作期間，冷側與熱側之間可存在溫度差。冷卻元件CE中之熱側與冷卻介質之間的熱阻較佳地足夠低。接著，與不存在主動熱傳遞元件且主要使用(被動)熱傳導將熱量自晶體CR輸送至冷卻元件CE之情形相比較，主動熱傳遞元件能夠將冷側之溫度設定為低於流體冷卻介質之溫度，藉此降低晶體CR之溫度。
在一實施例中，有可能將主動熱傳遞元件之冷側以及可能的其他部件冷卻至可引起冷凝之周圍空氣之露點以下。為避免冷凝或最小化冷凝，光學隔離器可包括含有具有不同於正常空氣之條件的氣體腔室或空間，該氣體例如乾吹掃氣體環境，如N2吹掃或極乾淨之乾燥空氣。
主動熱傳遞元件(亦即，帕耳帖元件)可為開放迴路控制的，但較佳地，使用控制單元CU來提供封閉迴路控制。為此目的，熱傳遞總成如將在下文更詳細地描述較佳地包含溫度感測器以量測溫度，該溫度可用作驅動主動熱傳遞元件之基礎。舉例而言，當經由冷卻元件提供預定溫度下之冷卻介質流時，溫度感測器可量測代表面向晶體之主動熱傳遞元件之外部表面的溫度之溫度，且控制單元CU可經組態以驅動主動熱傳遞元件以便使用具有主動熱傳遞元件之熱傳遞總成將熱量自晶體CR傳遞至冷卻元件CE中之冷卻介質，使得該晶體之面向主動熱傳遞元件之外部表面的溫度低於該冷卻元件CE中之冷卻介質的預定溫度。
此處應明確地指出，圖2之實施例為廣泛實例且可經簡化。舉例而言，可提供僅一個冷卻系統而非兩個，或諸如帕耳帖元件之主動熱傳遞元件僅提供於兩個冷卻系統中之一者中。
主動熱傳遞元件可為單個組件或可為並行及/或串行配置之兩個或更多個單獨子元件之總成。此意謂例如兩個主動熱傳遞子元件(例如，兩個帕耳帖元件)可彼此緊接配置以並行地工作以將熱量自晶體CR傳遞熱至冷卻元件CE。當第一冷卻系統CS1及第二冷卻系統CS2兩者具有相同數量之主動熱傳遞子元件時，晶體CR包夾於兩對主動熱傳遞子元件之間。
圖3更詳細地示意性地描繪圖2之熱傳遞總成HT。指示熱傳遞總成HT之兩側處之冷卻元件CE及晶體CR。在此實例中之熱傳遞總成HT為在熱傳遞總成HT之晶體側處開始之以下層之堆疊： -   熱接觸層TP1 -   散熱器層HSP -   溫度感測器TSE -   熱接觸層TP2 -   帕耳帖元件PEL -   熱接觸層TP3
熱接觸層TP1至TP3經提供以藉由減小鄰近層之間的熱阻來改良兩個鄰近層之間的熱接觸。熱接觸層TP1因此經組態以減消晶體CR與散熱器層HSP之間的熱阻。應理解，散熱器層HSP為散熱器層，其中散熱器層經組態以將熱量分佈於散熱器層之平面中。熱接觸層TP2經組態以減小溫度感測器TSE與帕耳帖元件PEL之間的熱阻，且熱接觸層TP3經組態以減小帕耳帖元件PEL與圖2之冷卻元件CE之間的熱阻。
熱接觸層TP1至TP3可包括例如呈糊狀形式之彈性或可變形材料，該材料能夠根據鄰近層之材料表面之不規則性調整其形狀，藉此增加可用於兩個鄰近層之間直接導熱傳導之有效表面面積。當存在足夠有效表面積區域可用於直接熱傳導時，例如因為鄰近層之材料表面光滑且良好匹配或因為該等層中之一者可足夠變形以使其形狀適應另一層，所以無法提供熱接觸層。
較佳地提供為高導電材料(例如，例如銅或鋁之金屬)之散熱器層HSP以將熱量自晶體CR分佈於帕耳帖元件PEL之整個橫截面上方，藉此改良熱傳遞總成之效率。當晶體CR自身具有比散熱器HSP明顯更低之熱導率時，此為有利的。當晶體之熱導率足夠高時，可省略散熱器層HSP。例如熱接觸層TP1或TP2之熱接觸層亦有可能提供與散熱器層HSP類似的功能。
溫度感測器TSE提供可量測溫度以允許帕耳帖元件PEL之封閉迴路控制之優勢。溫度感測器TSE可為如圖3中所指示之個別層，且可包含例如電線，該電線之阻抗取決於溫度。然而，該溫度感測器TSE亦可整合於例如該散熱器HSP之另一層中。
如圖2及圖3中所展示，熱傳遞總成HT較佳地與其面向之對應晶體表面相匹配，但此本身並不必要。因此，熱傳遞總成HT可小於或大於對應晶體表面。此外，儘管圖3指示帕耳帖元件延伸跨越熱傳遞總成HT之整個橫截面，亦設想帕耳帖元件或其子元件僅延伸跨越熱傳遞總成HT之橫截面的部分。帕耳帖元件PEL可由單獨帕耳帖器件形成，除可替代地由虛線所指示之兩個或多個子元件SE1、SE2形成，各子元件包括單獨帕耳帖器件。
圖4示意性地描繪根據本發明之另一實施例之光學隔離器OI或種子隔離器模組SIM的控制方案。示意性地描繪之組件之堆疊包括： -   聲光調變器晶體CR。如上文所指示，此組件可吸收輻射且在使用期間加熱， -   溫度感測器TSE， -   主動熱傳遞元件，在此實施例中為帕耳帖元件PEL，及 -   冷卻元件CE。
聲光調變器晶體CR為聲光調變器之一部分，該聲光調變器用於將輻射導向於所要方向上以由所謂光束捕集器吸收。
在一簡單實施例中，溫度感測器TSE及主動熱傳遞元件PEL為熱傳遞總成之部分。熱接觸層或散熱器層尚未提供，但必要時可存在以改良熱傳遞。
冷卻元件CE為冷卻系統之一部分以自光學隔離器OI移除熱量。因此，熱傳遞總成經組態以使用主動熱傳遞元件PEL將熱量自晶體CR傳遞至冷卻元件CE。在此實施例中，主動熱傳遞元件PEL可為帕耳帖元件。鑒於此熱傳遞方向，主動熱傳遞元件PEL之晶體側替代地稱作帕耳帖元件PEL之冷側CSI，且主動熱傳遞元件PEL之冷卻元件側替代地稱作帕耳帖元件PEL之熱側HIS。
提供控制單元CU以基於溫度感測器TSE之輸出來驅動帕耳帖元件PEL。溫度感測器TSE配置於帕耳帖元件之冷側CSI處，亦即位於帕耳帖元件PEL與晶體CR之間，從而允許有效地控制晶體CR之溫度。帕耳帖元件PEL具有在帕耳帖元件PEL處使用「-」及一「+」符號所指示之兩個電極。藉由向帕耳帖元件PEL施加適當電壓，帕耳帖元件將將熱量自帕耳帖元件PEL之冷側CSI傳遞至熱側HSI。控制單元CU通常驅動帕耳帖元件PEL，使得如藉由溫度感測器TSE所量測之帕耳帖元件PEL之冷側CSI處之溫度維持在所要溫度下，替代地稱作定點。
儘管上述實施例係關於用於微影裝置之EUV輻射源，但本發明亦可容易應用於其他高功率輻射源，其中聲光調變器可用於吸收輻射且需要足夠冷卻。此另一應用之實例為用於雷射切割之輻射源。因此，根據本發明之光學隔離器可適合於其他高雷射功率環境，諸如EUV或雷射切割。高雷射功率環境可視為自10 W，較佳地自100 W至多1 kW、10 kW、100 kW或甚至更高。
本發明之另一實施例描述一種操作根據本發明之實施例中之任一者之光學隔離器的方法，其中該方法包含以下步驟： a. 經由冷卻元件提供預定溫度下之冷卻介質流，及 b. 使用具有該主動熱傳遞元件之熱傳遞總成將熱量自晶體傳遞至冷卻元件中之冷卻介質，使得晶體之面向熱傳遞元件之外部表面的溫度低於冷卻元件中之冷卻介質的預定溫度。
儘管本文中可特定地參考IC製造中微影裝置之使用，但應理解本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能的其他應用包括整合光學系統之製造、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管在本文中可特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明的實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置的部分。此等裝置可一般稱作微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影，且可用於例如壓印微影之其他應用中。
在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可作為儲存於機器可讀媒體上之指令經實施，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機制。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電氣、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。此外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此等動作實際上由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件所引起，且在執行此操作時可造成致動器或其他器件與實體世界互動。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:收集器 6:中間焦點 7:電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面器件 11:琢面化光瞳鏡面器件 13:鏡面 14:鏡面 AE:吸收元件 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射光束 CE:冷卻元件 CH:通道 CR:晶體 CS1:第一冷卻系統 CS2:第二冷卻系統 CSI:冷側 CU:控制單元 FC:第一晶體表面 HIS:熱側 HSP:散熱器層 HT:熱傳遞總成 IL:照射系統 IN:入口 LA:微影裝置 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 OI:光學隔離器 OU:出口 PEL:帕耳帖元件 PS:投影系統 SC:第二晶體表面 SE1:子元件 SE2:子元件 SIM:種子隔離器模組 SO:輻射源 TP1:熱接觸層 TP2:熱接觸層 TP3:熱接觸層 TSE:溫度感測器 W:基板 WT:基板台 X:軸 Y:軸
現將參看隨附示意圖僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在隨附示意圖中： -  圖1描繪包含微影裝置及輻射源之微影系統； -  圖2描繪根據本發明之一實施例之種子隔離器模組； -  圖3更詳細地描繪圖2之種子隔離器模組之光學隔離器的熱傳遞總成；及 -  圖4描繪根據本發明之一實施例之光學隔離器或種子隔離器模組的示意性控制方案。
AE:吸收元件
CE:冷卻元件
CH:通道
CR:晶體
CS1:第一冷卻系統
CS2:第二冷卻系統
CU:控制單元
FC:第一晶體表面
HT:熱傳遞總成
IN:入口
OI:光學隔離器
OU:出口
SC:第二晶體表面
SIM:種子隔離器模組

Claims (15)

  1. 一種用於一種子雷射之光學隔離器，其包含： 一聲光調變器晶體，其經組態以操控入射於此之雷射光，及， 至少一個冷卻系統，其經組態以調節該晶體之一溫度，該冷卻系統包含： 一冷卻元件，其包括用於一流體冷卻介質之一或多個通道，及 一熱傳遞總成，其配置於該晶體與該冷卻元件之間以將熱量自該晶體傳遞至該冷卻元件，其中該熱傳遞總成包括一主動熱傳遞元件。
  2. 如請求項1之光學隔離器，其中該主動熱傳遞元件包括一帕耳帖元件。
  3. 如請求項1或2之光學隔離器，其中該光學隔離器包含兩個冷卻系統，一個冷卻系統配置於一第一晶體表面處且另一冷卻系統配置於一第二晶體表面處。
  4. 如請求項3之光學隔離器，其中該第二晶體表面與該第一晶體表面相對。
  5. 如請求項3之光學隔離器，其中該第一晶體表面及該第二晶體表面彼此平行。
  6. 如請求項1或2中之光學隔離器，其中該熱傳遞總成包含配置於該主動熱傳遞元件與該冷卻元件之間的一熱接觸層，其中該熱接觸層經組態以減小該主動熱傳遞元件與該冷卻元件之間的一熱阻。
  7. 如請求項1或2中之光學隔離器，其中該熱傳遞總成包含配置於該晶體與該主動熱傳遞元件之間的一熱接觸層，其中該熱接觸層經組態以減小該晶體與該主動熱傳遞元件之間的一熱阻。
  8. 如請求項1或2中之光學隔離器，其中該熱傳遞總成包含配置於該晶體與該主動熱傳遞元件之間的一散熱層，其中該散熱層經組態以將熱量分佈於該散熱層之平面中。
  9. 如請求項1或2中之光學隔離器，其中該熱傳遞總成包含配置於該晶體與該冷卻元件之間以量測一溫度之一溫度感測器。
  10. 如請求項9之光學隔離器，其中該溫度感測器配置於該晶體與該主動熱傳遞元件之間。
  11. 一種用於一EUV源之種子隔離器模組，其包含如請求項1至10中任一項之一光學隔離器。
  12. 如請求項11之種子隔離器模組，其進一步包含一控制單元以驅動該熱傳遞總成之該主動熱傳遞元件。
  13. 如請求項12之種子隔離器模組，其中該光學隔離器為如請求項9或10之一光學隔離器，且其中該控制單元經組態以相依於該溫度感測器之一輸出而驅動該主動熱傳遞元件。
  14. 一種EUV輻射源，其包含一種子雷射及如請求項11至13中任一項之一種子隔離器模組以吸收源自該種子雷射之非所要反射輻射。
  15. 一種微影系統，其包含如請求項14之一EUV輻射源。
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