TW202245552A - 電漿處理裝置及濾波單元 - Google Patents

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永島望
片岡武志
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Abstract

本發明為一種電漿處理裝置，具有：處理容器，進行電漿處理；外部電路，對於設置在前述處理容器之內部的電氣零件經由線路予以電性連接；及濾波器單元，設置在前述線路，前述濾波器單元具有：第1濾波器，設置在前述電氣零件側；第2濾波器，設置在前述外部電路側，並且與前述第1濾波器串聯連接；及殼體，收納前述第1濾波器及前述第2濾波器，前述第1濾波器具有空芯線圈，前述第2濾波器具有包含環形鐵心的線圈，前述環形鐵心由Mn－Zn系的鐵氧體或奈米結晶軟磁性材料所構成。

Description

電漿處理裝置及濾波單元
本發明係關於電漿處理裝置及濾波單元。
專利文獻1揭露一種濾波器，其用於在電漿處理裝置中將從處理容器內的高頻電極等電氣零件進入到供電線或訊號線等線路上的高頻雜訊予以遮斷。濾波器具有：1個空芯線圈；及收納空芯線圈的圓筒形之外導體。空芯線圈與外導體彼此電性絕緣，在此等空芯線圈與外導體之間形成的分佈常數線路以規則的多個頻率形成並列共振。 [先前技術文件] [專利文件]
專利文件1：日本特開2011-135052號公報
[發明所欲解決的課題]
本發明的技術在電漿處理裝置使用濾波器單元而適當遮斷多個頻率的高頻雜訊，同時縮小該濾波器單元。
本發明的一態樣為一種電漿處理裝置，具有：處理容器，進行電漿處理；外部電路，對於設置在前述處理容器內部的電氣零件經由線路予以電性連接；及濾波器單元，設置在前述線路，前述濾波器單元具有：第1濾波器，設置在前述電氣零件側；第2濾波器，設置在前述外部電路側，並且與前述第1濾波器串聯連接；及殼體，收納前述第1濾波器及前述第2濾波器，前述第1濾波器具有空芯線圈，前述第2濾波器具有包含環形鐵心的線圈，前述環形鐵心由Mn－Zn系的鐵氧體或奈米結晶軟磁性材料所構成。 [發明效果]
若依照本發明，則可在電漿處理裝置，使用濾波器單元而適當遮斷多個頻率的高頻雜訊，同時縮小該濾波器單元。
在半導體裝置的製造工序，對於半導體晶圓（以下稱為「晶圓」。）進行電漿處理。在電漿處理，藉由激發處理氣體而生成電漿，再藉由該電漿而處理晶圓。在該電漿處理，晶圓上的電漿密度分布之控制連同晶圓的溫度或者溫度分布的控制皆重要。未適當控制晶圓之溫度控制的話，無法確保電漿處理的均勻性，有半導體裝置的製造良率降低的疑慮。
電漿處理裝置一般而言具備腔室、載台、及高頻（Radio Frequency：RF/射頻）電源。作為一例，高頻電源具備第1高頻電源及第2高頻電源。第1高頻電源為了生成腔室內的氣體之電漿，而供給第1高頻功率。第2高頻電源為了對於晶圓吸入離子，而供給偏壓用的第2高頻功率。第2高頻功率的頻率高於第1高頻功率的頻率。然後，使用此等高頻功率，而在腔室的內部空間使電漿生成。
載台設置在腔室內。載台具有：對於電漿空間施加高頻的高頻電極之功能；將晶圓以静電吸附等保持的保持部之功能；及將晶圓以導熱控制在規定溫度的溫度控制部之功能。關於溫度控制功能，要求可適當校正來自電漿或腔室壁的輻射熱之不均勻性所導致的對於晶圓的熱輸入特性之分布、或晶圓支撐機構所導致的熱分布。
以往，為了控制載台的溫度，進而控制晶圓的溫度，通常使用在載台安裝藉由通電而發熱的發熱體而控制該發熱體的加熱器方式。然而，使用加熱器方式時，由高頻電源對於載台供給的高頻功率之一部分係容易作為雜訊從發熱體進入加熱器供電線。高頻雜訊通過加熱器供電線而到達加熱器電源的話，加熱器電源的動作或性能有受損之疑慮。進一步，高頻的電流流經加熱器供電線上的話，高頻功率會被浪費。因此，將使來自發熱體的高頻之雜訊衰減或阻止之用的濾波器設置在加熱器供電線上。又，在電漿處理裝置，如上述般使用頻率不同的高頻功率。此時，濾波器必須遮斷這些不同頻率的高頻雜訊。
然而，例如專利文獻1揭露的濾波器僅具備1個空芯線圈，例如僅遮斷第1高頻功率的雜訊，無法遮斷第2高頻功率的雜訊。
針對這一點，考慮為了遮斷第2高頻功率的雜訊，而在濾波器進一步設置鐵氧體線圈。然而，僅在濾波器設置空芯線圈及鐵氧體線圈，濾波器的尺寸會變大。結果，電漿處理裝置的配置設計之自由度會變低。
其中，如上述般在電漿處理中晶圓的溫度分布之控制變得重要，為了控制此晶圓的溫度分布，有時會在載台設置多個發熱體，進而設置連接到多個發熱體的多個加熱器供電線。此時，在腔室的下部也設置多個濾波器，但腔室的下部之空間有限。因此，如上述般各濾波器的尺寸變大的話，不易配置多個濾波器。因此，以往的濾波器有改善的空間。
本發明的技術使用濾波器單元而適當遮斷多個頻率的高頻雜訊，同時縮小該濾波器單元。以下，針對本實施形態的電漿處理裝置及濾波器單元，參考圖式予以說明。尚且，在本說明書及圖示，對於實質上具有相同功能構成的要素，附加相同符號而省略重複說明。
[電漿處理裝置] 首先，針對本實施形態的電漿處理裝置予以說明。圖1為表示電漿處理裝置1的構成之概略的縱剖面圖。電漿處理裝置1為電容結合型的電漿處理裝置。在電漿處理裝置1，對於晶圓W進行電漿處理，例如蝕刻。
如圖1所示，電漿處理裝置1具有略圓筒形狀的作為處理容器的腔室10。腔室10在其內部劃分出使電漿生成的處理空間S。腔室10例如由鋁所構成。腔室10連接到接地電位。
在腔室10的內部，收納載置晶圓W的載台11。載台11具有：下部電極（基座）12；静電吸盤13；及邊緣環14。尚且，在下部電極12的下面側，例如設置由鋁所構成的電極板（未圖示）。載台11在下部電極12的下面側緊固到連結支撐構件15而被支撐。支撐構件15設置在腔室10的底部，具有略圓筒形狀，並且由絕緣體所構成。又，在支撐構件15的外側，沿著該支撐構件15的外周而設置支撐構件16。支撐構件16設置在腔室10的底部，具有略圓筒形狀，並且由導電體所構成。
下部電極12由導電性的材料、例如鋁等金屬所構成，並且具有略圓板形狀。
在下部電極12的內部，例如設置沿著圓周方向延伸之環狀的冷媒通路20。在冷媒通路20，由冷卻單元（未圖示）經由冷媒供給管使冷媒、例如冷卻水CW循環供給。可藉由冷媒的溫度而控制下部電極12的溫度。又，為了對於下部電極12使晶圓W導熱結合，來自導熱氣體供給部（未圖示）的導熱氣體、例如He氣體，經由氣體供給管及下部電極12的內部之氣體通路21，供給到静電吸盤13與晶圓W之間的接觸界面。
對於下部電極12，第1高頻電源30及第2高頻電源31分別經由匹配單元32及供電棒33予以電性連接。
第1高頻電源30主要使電漿產生用的第1高頻功率HF產生，再將該第1高頻功率HF供給到下部電極12。第1高頻功率HF的頻率可為13MHz～150MHz的範圍內之頻率。尚且，第1高頻電源30可對於下部電極12不電性結合而是經由匹配單元32結合到作為上部電極的後述之噴灑頭60。
第2高頻電源31主要使對於晶圓W吸入離子之用的第2高頻功率（高頻偏壓電力）LF產生，再將該第2高頻功率LF供給到下部電極12。第2高頻功率LF的頻率低於第1高頻功率HF的頻率，可為400kHz～13.56MHz的範圍內之頻率。尚且，可不使用第2高頻電源31，而是使用DC（Direct Current/直流）脈衝生成部。此時，脈衝頻率可為400kHz～13.56MHz的範圍內之頻率。
在匹配單元32，於第1高頻電源30及第2高頻電源31與電漿負荷之間收納匹配阻抗之用的第1整合器及第2整合器（未圖示）。
供電棒33由具有規定的外徑之圓筒形或圓柱形的導體所構成。供電棒33的上端連接到下部電極12的下面中心部，供電棒33的下端連接到匹配單元32。又，在腔室10的底部與匹配單元32之間，設置包圍供電棒33的周圍之圓筒形的導體外蓋34。
在下部電極12的上面，劃分出與晶圓W大致相同形狀（圓形）並且大致相同尺寸的中心區域也就是晶圓載置部、及朝向此晶圓載置部的外側延伸的環狀之邊緣環載置部。在晶圓載置部設置静電吸盤13，在邊緣環載置部載置邊緣環14。
静電吸盤13為構成為可將晶圓W藉由庫倫力吸附保持的構件。邊緣環14為配置成包圍載置在静電吸盤13的中央部之上面的晶圓W之環狀構件。邊緣環14設置成用於提升電漿處理（蝕刻）的均勻性。因此，邊緣環14由配合蝕刻而適當選擇的材料所構成，例如可由Si或SiC所構成。
在静電吸盤13的內部，設置DC電極40、及作為電氣零件的發熱體50。静電吸盤13具有在由絕緣材料所構成的絕緣材（介電體）之間夾持DC電極40與發熱體50的構成。
對於DC電極40，配置在腔室10的外部之外接直流電源41經由開關42、高電阻值的電阻43及DC高壓線44予以電性連接。可藉由來自直流電源41的高壓之直流電壓施加到DC電極40，而以庫倫力將晶圓W吸附保持在静電吸盤13上。
發熱體50例如由螺旋狀的電阻發熱線所構成，並且在静電吸盤13的內部分割成內側的發熱線50a及外側的發熱線50b。內側發熱線50a經由被絕緣被覆的供電導體51a、濾波器單元52a及電纜53a，而對於配置在腔室10的外部之加熱器電源54a電性連接。外側發熱線50b經由被絕緣被覆的供電導體51b、濾波器單元52b及電纜53b，而對於配置在腔室10的外部之加熱器電源54b電性連接。在本實施形態，供電導體51a及電纜53a構成本發明的線路，供電導體51b及電纜53b構成本發明的線路。又，加熱器電源54a、54b分別具有作為外部電路的加熱器控制電路。尚且，以下敘述濾波器單元52a、52b的構成及作用。
尚且，本實施形態的發熱體50之分割數為2個，但不限於此。例如將發熱體50分割成3個以上時，對於被分割的各個發熱線，設置濾波器單元。
在腔室10的頂部，以與載台11對向的方式，設置噴灑頭60。噴灑頭60具有：電極板61，配置成面向處理空間S；及電極支撐體62，設置在電極板61的上方，並且將該電極板61以裝卸自如的方式支撐。電極板61發揮下部電極12及一對上部電極的功能。如後述，第1高頻電源30電性結合到下部電極12時，噴灑頭60連接到接地電位。電極板61例如由Si、SiC、C等導電體或半導體所構成，電極支撐體62例如由經防蝕鋁處理的鋁所構成。
在電極支撐體62的內部，設置氣體室70。從氣體室70，貫通下部電極12側的多個氣體吐出孔71設置在電極支撐體62的內部及電極板61的內部。對於設置在氣體室70的上部之氣體導入口70a，連接來自氣體供給部72的氣體供給管73。在電漿處理裝置1，來自氣體供給部72的處理氣體經由氣體供給管73、氣體室70及氣體吐出孔71，在處理空間S內以噴灑狀分散供給。
在腔室10的下部，於腔室10的內壁與支撐構件16之間形成有環狀的排氣路80。在排氣路80的底面設置排氣口81，處理空間S經由排氣路80而連通排氣口81。對於排氣口81，經由排氣管82而連接排氣裝置83。排氣裝置83例如具有渦輪分子泵浦等真空泵浦，可將處理空間S減壓至期望的真空度。
又，在腔室10的側壁，安裝開閉晶圓W的搬入出口之閘閥84。
在以上的電漿處理裝置1，設置控制部90。控制部90例如為具備CPU或記憶體等的電腦，並且具有程式收納部（未圖示）。在程式收納部，收納控制電漿處理裝置1的晶圓W之處理的程式。尚且，上述程式係記錄在電腦可讀取的記憶媒體H，並且可由該記憶媒體H安裝在控制部90。又，上述記憶媒體H可為暫時屬性也可為非暫時屬性。
＜電漿處理方法＞ 接著，說明使用如以上所序構成的電漿處理裝置1所進行的電漿處理、本實施形態的蝕刻。
首先，朝向腔室10的內部搬入晶圓W，在静電吸盤13上載置晶圓W。之後，藉由對於静電吸盤13的DC電極40施加直流電壓，晶圓W會由於庫倫力而靜電吸附到静電吸盤13予以保持。此時，將加熱器電源54a、54b設為開啟，使內側發熱線50a及外側發熱線50b以各自獨立的焦耳熱發熱，將下部電極12上面的溫度及溫度分布控制在設定值。又，搬入晶圓W之後，藉由排氣裝置83而將腔室10的內部減壓到期望的真空度。
接著，從氣體供給部72經由噴灑頭60而對於處理空間S供給處理氣體。又，藉由第1高頻電源30而將電漿生成用的第1高頻功率HF供給到下部電極12，使處理氣體激發而生成電漿。此時，藉由第2高頻電源31而供給吸入離子用的第2高頻功率LF。然後，藉由已生成的電漿之作用，而對於晶圓W進行蝕刻。
將蝕刻結束時，首先，停止來自第1高頻電源30的第1高頻功率HF之供給、來自第2高頻電源31的第2高頻功率LF之供給、及由氣體供給部72供給處理氣體的作業。接著，停止朝向晶圓W的被面供給導熱氣體的作業，再停止由静電吸盤13對於晶圓W的吸附保持。之後，從腔室10搬出晶圓W，對於晶圓W的一連串蝕刻結束。
尚且，在此蝕刻中，施加到下部電極12的第1高頻功率HF之一部分及第2高頻功率LF的一部分，經由下部電極12的內部之內側發熱線50a及外側發熱線50b而進入供電導體51a、51b作為高頻雜訊。若這2個頻率的高頻雜訊之任一者到達加熱器電源54a、54b，則有加熱器電源54a、54b的動作或者性能受損之虞。尚且，在以下的說明，將第1高頻功率HF的雜訊稱為「第1高頻雜訊」，將第2高頻功率LF的雜訊稱為「第2高頻雜訊」。
針對這一點，如上述，在將加熱器電源54a、54b與內側發熱線50a及外側發熱線50b電性連結的供電線上設置濾波器單元52a、52b。這些濾波器單元52a、52b係如以下的詳細說明，對於從內側發熱線50a及外側發熱線50b進入供電線上的第1高頻雜訊及第2高頻雜訊之任一者，皆能夠以低消耗功率有效率並穩定發揮阻抗的十分高的濾波器遮斷功能。藉此，本實施形態的電漿處理裝置1可提升加熱器方式的晶圓溫度控制功能。又，可有效抑制第1高頻功率HF及第2高頻功率LF從腔室10經由下部電極12的內部之發熱體50洩漏到供電線上的現象，而提升電漿處理的再現性及可靠性。
＜濾波器單元的電路構成＞ 接著，說明上述的濾波器單元52a、52b之電路構成（等價電路）。在本實施形態，對於發熱體50的內側發熱線50a及外側發熱線50b之各者，連接具有實質上相同的電路構成之濾波器單元52a、52b，而獨立控制內側發熱線50a及外側發熱線50b的發熱量或者發熱溫度。在以下的說明，針對濾波器單元52a的電路構成予以說明，但濾波器單元52b的電路也有相同的構成。圖2為表示濾波器單元52a的電路構成之說明圖。
如圖2所示，濾波器單元52a具有在殼體100的內部收納第1濾波器101及第2濾波器102之構成。殼體100具有導電性並且接地。第1濾波器101及第2濾波器102在連接供電導體51a及電纜53a的供電線103上，以串聯方式連接。第1濾波器101設置在內側發熱線50a側，第2濾波器102設置在加熱器電源54a側。
第1濾波器101例如具有3個電抗元件，也就是具有2個空芯線圈110a、110b及1個第1電容器111。空芯線圈110a、110b從內側發熱線50a側依序以串聯方式連接。第1電容器111係一方在供電線103以空芯線圈110b電性連接到後述的鐵氧體線圈120a側之端子112，另一方接地而成為與殼體100相同電位。
第2濾波器102例如具有3個電抗元件，也就是具有2個鐵氧體線圈120a、120b及1個第2電容器121。鐵氧體線圈120a、120b從空芯線圈110b側依序以串聯方式連接。第2電容器121係一方在供電線103以鐵氧體線圈120b電性連接到加熱器電源54a側的端子122，另一方接地成為與殼體100相同電位。鐵氧體線圈120a、120b的核心部（以下稱為「環形鐵心」。）由Mn－Zn系的鐵氧體所構成。
＜濾波器單元的物理構造＞ 接著，說明上述的濾波器單元52a、52b之物理構造。在以下的說明，針對濾波器單元52a的物理構造予以說明，但濾波器單元52b也有相同的物理構造。圖3為表示濾波器單元52a的物理構造之縱剖面圖。
如圖3所示，濾波器單元52a具有殼體100。如上述，濾波器單元52b也具有與濾波器單元52a相同的構造，並且具有殼體100。換言之，設置在各濾波器單元52a、52b的殼體100對應到劃分出內側發熱線50a及外側發熱線50b而分割的不同加熱器區域。
殼體100係設置成與在其內部設置的各構件間隔絕緣距離、例如10mm以上。原因在於，作為內部構件的空芯線圈110a、110b、鐵氧體線圈120a、120b、結合纜線130等為了抑制高頻放射的洩漏，而具有高耐壓。
殼體100在側視下具有略L字型。也就是說，殼體100具有：鉛直延伸部100a，朝向鉛直方向（上下方向）延伸；及水平延伸部100b，從鉛直延伸部100a的下端朝向水平方向延伸。尚且，殼體100如上述般具有導電性，例如由鋁所構成，並且接地。
在殼體100的內部，從發熱體50的內側發熱線50a觀看，於前段配置第1濾波器101的空芯線圈110a、110b，於後段配置第2濾波器102的鐵氧體線圈120a、120b。前段的空芯線圈110a、110b在鉛直延伸部100a的內部，從內側發熱線50a側，也就是從上方朝向下方沿著鉛直方向依序排列配置。後段的鐵氧體線圈120a、120b在水平延伸部100b的內部，從空芯線圈110b側沿著水平方向依序排列配置。空芯線圈110a、110b的鉛直軸、鐵氧體線圈120a的鉛直軸、及鐵氧體線圈120b的鉛直軸相異。由於鉛直軸相異，故相較於例如空芯線圈110a、110b的鉛直軸、與鐵氧體線圈120a、120b的鉛直軸同軸的情況，可較不易受到電漿處理時的電場之影響。尚且，在以下的說明，有時將從內側發熱線50a所見的前段及後段分別僅稱為「前段」及「後段」。
空芯線圈110b及鐵氧體線圈120a藉由結合纜線130被連接。結合纜線130設置成橫跨鉛直延伸部100a及水平延伸部100b。結合纜線130的上端部固定在後述的基板144，下端部固定在後述的基板160。尚且，濾波器單元52a的結合纜線130之長度、及濾波器單元52b的結合纜線130之長度相同。
空芯線圈110a、110b為沿層卷的線圈。就空芯線圈110a、110b而言，該空芯線圈110a、110b的線圈導體沿著軸方向（鉛直方向）重疊並進，同時每隔多個線圈層以可變的卷線間隔捲繞成螺旋狀。卷線間隔可任意設計，例如如同日本特開2015－173027號公報所示，設計成確保作為高頻用濾波器的特性。
空芯線圈110a、110b分別由略圓筒狀的支撐構件140a、140b所支撐。支撐構件140a、140b由鉛直延伸部100a的內側面所支撐。在支撐構件140a、140b的內側面形成有凹凸，對於該凹凸固定空芯線圈110a、110b的卷線部。又，支撐構件140a、140b例如由樹脂所構成。
前段的空芯線圈110a之上端端子固定在金屬塊141。金屬塊141由設置在殼體100的上方之絕緣體142所覆蓋，並且連接到供電導體51a。空芯線圈110a的下端端子固定在基板143。
後段的空芯線圈110b之上端端子固定在基板143。也就是說，對於基板143，固定空芯線圈110a的下端端子及空芯線圈110b的上端端子，並且經由基板143，空芯線圈110a、110b以串聯方式連接。空芯線圈110b的下端端子固定在基板144。
鐵氧體線圈120a、120b分別在由Mn－Zn系的鐵氧體所構成的環形鐵心150，具有例如將由銅線所構成的線圈導體151捲繞成螺旋狀的構成。如圖4所示，在環形鐵心150，將內半徑設成a，將外半徑設成b，將厚度設成t時，厚度t滿足下述數學式（1）。例如，在日本特開2014－56706號公報或日本特開2014－229565號公報，揭露作為一般單體的環形鐵心，t≒（b－a）的關係。針對這一點，在本實施形態，滿足下述式（1），也就是t大或者（b－a）小，故可增加環形鐵心150的透磁率。 t≧（b－a） ・・・（1）
如圖3所示，鐵氧體線圈120a、120b分別設置在基板160的下面。鐵氧體線圈120a、120b係依照在基板160形成的圖案以串聯方式連接。基板160由在側視下具有口字形的支撐構件161所支撐，支撐構件161固定在水平延伸部100b的底面。又，基板160例如由玻璃環氧系所構成。
在基板160的表面，設置第1濾波器101的第1電容器111。第1電容器111設置在於基板160的表面所設置的連結纜線130之端子及鐵氧體線圈120a間、與接地之間。
又，在基板160的表面，設置第2濾波器102的第2電容器121。第2電容器121設置在鐵氧體線圈120b及在基板160的表面所設置的電纜53a之端子間、與接地之間。
在殼體100的底面外側，設置對於該殼體100的內部供給空氣的風扇170。在殼體100的底面，於鐵氧體線圈120a、120b的下方形成有多個穿孔，進而於殼體100的鉛直延伸部之100a上端也形成有多個穿孔。從風扇170朝向殼體100的內部供給的空氣依序流經水平延伸部100b及鉛直延伸部100a，從殼體100的上部朝向外部流出。此時，鐵氧體線圈120a、120b及空芯線圈110a、110b藉由空氣而冷卻。
＜濾波器單元的作用及效果＞ 接著，說明如以上所述構成的濾波器單元52a、52b之作用及效果。在以下的說明，針對濾波器單元52a的作用及效果予以說明，但濾波器單元52b也有相同的作用及效果。
[第1作用及效果] 在本實施形態的濾波器單元52a，鐵氧體線圈120a、120b的環形鐵心150由Mn－Zn系的鐵氧體所構成。在此，將由一般的Ni－Zn系之鐵氧體所構成的環形鐵心設為比較例。在以下的說明，有時將本實施形態的由Mn－Zn系之鐵氧體所構成的環形鐵心150稱為「Mn－Zn系環形鐵心」，並且將比較例的由Ni－Zn系之鐵氧體所構成的環形鐵心稱為「Ni－Zn系環形鐵心」。
Ni－Zn系環形鐵心在高頻區域、例如1MHz～100MHz的雜訊抑制效果大、例如為3000Ｈ/m以下的低透磁率。若為如此的低透磁率，則容許損失（耐壓）不足，故將頻率低的第2高頻功率LF供給到下部電極12的話，有Ni－Zn系環形鐵心發熱之虞。又，為了提高透磁率，有時將Ni－Zn系環形鐵心串聯連接、或者增加堆疊數（重疊數），但此時鐵氧體線圈會大型化。
對此，Mn－Zn系環形鐵心在低頻區域、例如10MHz以下的雜訊抑制效果大、例如為6000Ｈ/m以上的高透磁率。因此，即使將頻率低的第2高頻功率LF供給到下部電極12，也可抑制Mn－Zn系環形鐵心發熱。
又，Mn－Zn系環形鐵心在低頻區域為高透磁率，故不必如同使用Ni－Zn系環形鐵心時般串聯連接，而且可降低堆疊數。因此，可縮小鐵氧體線圈120a、120b。具體而言，以如上述般環形鐵心150滿足式（1）的方式，可縮小鐵氧體線圈120a、120b。進而，本發明者們戮力討論的結果，使用Mn－Zn系環形鐵心時，相較於Ni－Zn系環形鐵心，可使鐵氧體線圈120a、120b的大小減少到約一半。然後，由於能夠以這種方式縮小鐵氧體線圈120a、120b，進而縮小濾波器單元52a，故可提升電漿處理裝置1的配置設計，特別是提升腔室10的下部之配置設計的自由度。結果，即使腔室10的下部為受限的空間，也可適當設置多個、在本實施形態為2個濾波器單元52a、52b。
尚且，在一例，Mn－Zn系環形鐵心也就是環形鐵心150的厚度t為12.7mm，內半徑a為9.5mm，外半徑b為19.05mm。以上數值滿足數學式（1）。然後，將絕緣距離設成10mm的話，鐵氧體線圈120a、120b的厚度成為35.4mm（＝12.7×2＋10）。又，鐵氧體線圈120a、120b的俯視長度成為38.1mm（＝19.05×2）。 另外，使用Ni－Zn系環形鐵心時，單體的環形鐵心之厚度t為13mm，內半徑a為19mm，外半徑b為30.5mm。例如，將積層7個該環形鐵心者（7堆疊）在厚度方向配置2個，在俯視下配置4個，合計使用8個。此時，8個鐵氧體線圈的厚度成為182mm（＝13×7×2）。又，8個鐵氧體線圈的俯視長度成為132mm（＝30.5×2×2＋10）。 因此，如本實施形態所示使用Mn－Zn系環形鐵心時，相較於Ni－Zn系環形鐵心，厚度為0.20倍，俯視長度成為0.29倍，而可縮小鐵氧體線圈120a、120b。
如以上所示使用本實施形態的鐵氧體線圈120a、120b時，可抑制Mn－Zn系環形鐵心（環形鐵心150）的發熱，並且可縮小鐵氧體線圈120a、120b。然後，對於低頻區域的第2高頻雜訊，可實現高電感的濾波器。
尚且，鐵氧體線圈發熱的風險例如由以下的原因所導致。第1個原因係例如藉由從加熱器電源朝向供電線流動的電流，而導致捲繞在Ni－Zn系環形鐵心的線圈導體（銅線）發熱的銅損發熱。第2個原因係例如藉由從電漿側吸入到供電線的電流，而導致線圈導體（銅線）發熱的銅損發熱。第3個原因係例如藉由從電漿側傳導到供電線的傳導性雜訊，而導致在Ni－Zn系環形鐵心產生渦電流、遲滯損耗而發熱的鐵損發熱。
其中，對於第1個原因及第2個原因的線圈導體之銅損，可針對流經供電線的電流值，而選擇可容許的線圈導體之線徑（斷面積）。
又，對於第3個原因的環形鐵心之鐵損，使用Mn－Zn系環形鐵心時，在低頻區域為高透磁率，故可抑制鐵損。另外，在高頻區域，透磁率會降低，故即使使用Mn－Zn系環形鐵心，鐵損也會變大。於是，在本實施形態的鐵氧體線圈120a、120b，構成為將鐵氧體線圈120a、120b配置在後段，並且將空芯線圈110a、110b配置在前段。此時，可將高頻區域也就是第1高頻雜訊在空芯線圈110a、110b遮斷，而抑制Mn－Zn系環形鐵心（環形鐵心150）的發熱。
尚且，本發明者們戮力討論的結果，實證能夠以這種方式抑制環形鐵心150及線圈導體151的發熱。特別是使用風扇170時，確認環形鐵心150及線圈導體151的發熱抑制效果會提升。
[第2作用及效果] 在此，為了對於低頻區域的第2高頻雜訊發揮濾波器功能，而考慮使用捲繞銅箔及絕緣膜的線圈。然而，如此使用捲繞銅箔及絕緣膜的線圈時，為了得到期望的阻抗，需要多個捲繞數，導致實際電阻值變高。因此，從加熱器電源供電時，捲繞銅箔及絕緣膜的線圈會發熱，導致功率損失。針對這一點，使用本實施形態的Mn－Zn系環形鐵心時，可降低實際電阻值，而可改善功率損失。實際由本發明者們進行實驗的結果，可將功率損失改善約20％。
[第3作用及效果] 在本實施形態的濾波器單元52a，藉由第1濾波器101（空芯線圈110a、110b）而遮斷頻率高的第1高頻雜訊，藉由第2濾波器102（鐵氧體線圈120a、120b）而遮斷頻率低的第2高頻雜訊。空芯線圈110a、110b在第1高頻功率HF的頻率（第1頻率）之附近具有自我共振頻率，鐵氧體線圈120a、120b在第2高頻功率LF的頻率（第2頻率）之附近具有自我共振頻率。又，第1電容器111使得在第2頻率與第1頻率的中間得到第1串聯共振頻率，第2電容器121使得在比第2頻率低的區域得到第2串聯共振頻率。然後，以這種方式，將對於第1高頻雜訊的濾波器遮斷功能、及對於第2高頻雜訊的濾波器遮斷功能，分別由空芯線圈110a、110b及鐵氧體線圈120a、120b各自執行，藉此，濾波器單元52a全體的設計、製作、調整變容易，機差也較不易產生。
尚且，在濾波器單元52a，不建議交換空芯線圈110a、110b及鐵氧體線圈120a、120b，也就是將鐵氧體線圈120a、120b配置在前段，將空芯線圈110a、110b配置在後段。例如，將鐵氧體線圈120a、120b配置在前段的話，雖然鐵氧體線圈120a、120b會遮斷第1高頻雜訊及第2高頻雜訊之中、頻率低的第2高頻雜訊，但會使頻率高的第1高頻雜訊通過。因此，第1高頻雜訊會湧入鐵氧體線圈120a、120b，高電位的第1高頻雜訊會施加到鐵氧體線圈120a、120b。藉此，在鐵氧體線圈120a、120b會產生大量逆功率，而在環形鐵心150產生大量渦電流，故藉由渦電流，環形鐵心150會發熱而成為高溫。Mn－Zn系環形鐵心也就是環形鐵心150在高頻區域為低透磁率，容許損失變小，由於渦電流導致環形鐵心150溫度急速上升而到達居里溫度的話，環形鐵心150會破損、燒毀。
針對這一點，若依照本實施形態，則前段的空芯線圈110a、110b會遮斷頻率高的第1高頻雜訊，故對於後段的鐵氧體線圈120a、120b，第1高頻雜訊不會湧入。因此，在鐵氧體線圈120a、120b產生的反電動勢偏小，渦電流受到抑制，而可抑制環形鐵心150發熱而呈高溫。
如以上所述，在濾波器單元52a，可藉由空芯線圈110a、110b而對於第1高頻雜訊實現高阻抗，並且可藉由鐵氧體線圈120a、120b而對於第2高頻雜訊實現高阻抗。結果，濾波器單元52a即使在多個頻率的高頻功率HF、LF供給到下部電極12時，也可適當發揮高頻雜訊的遮斷功能。
尚且，在本實施形態，說明使用2個頻率相異的高頻功率HF、LF之情況，但在使用3個以上頻率相異的高頻功率時，也可應用本發明的技術。此時，在濾波器單元52a，可選擇配置對應頻率的線圈。
＜其他實施形態＞ 在以上的實施形態之濾波器單元52a、52b，於第2濾波器102將2個鐵氧體線圈120a、120b以串聯配置，但鐵氧體線圈120的配置不限於此。
圖5為示意表示鐵氧體線圈120的各種配置之說明圖。No.1為配置1個鐵氧體線圈120a的情況。No.2為將2個鐵氧體線圈120a、120b以串聯配置的情況，並且為與上述實施形態（圖2）相同的配置。No.3為將2個鐵氧體線圈120a、120b以並列配置的情況。No.4為將以串聯配置的2個鐵氧體線圈120a、120b、及同樣以串聯配置的2個鐵氧體線圈120c、120d並列配置的情況。尚且，在No.1～No.4，鐵氧體線圈120a、120b、120c、120d分別為相同的鐵氧體線圈。
本發明者針對上述No.1～No.4的情況進行實驗，藉由測定器而取得環形鐵心150的高頻特性，然後調查第2濾波器102的阻抗。圖6為表示實驗結果的圖表。圖6的橫軸表示高頻功率的頻率，縱軸表示第2濾波器102的阻抗。又，圖7為彙整實驗結果的表格。圖7表示以No.1的情況為基準之No.2～No.4的阻抗之峰值、並列共振頻率、耐壓、容許電流、介電率/容許損失。
參考圖6及圖7的話，No.2的情況相較於No.1，在並列共振位置的阻抗成為約2倍，阻抗的峰值朝向低頻側偏移。No.3的情況效較於No.1，在並列共振位置的阻抗成為約1/2倍，阻抗的峰值朝向高頻側偏移。No.4的情況相較於No.1，在並列共振位置的阻抗不變化，但阻抗的峰值變大，朝向低頻側偏移。
如以上所述，在第2濾波器102，由於鐵氧體線圈120的配置，阻抗特性會變化。因此，配合要求的樣式，可適當選擇這些鐵氧體線圈120的配置。
＜其他實施形態＞ 在以上的實施形態之濾波器單元52a，於第1濾波器101配置第1電容器111，本發明者們針對此第1電容器111的電容特性予以調查。圖8為表示實驗結果的圖表。圖8的橫軸表示高頻功率的頻率，縱軸表示第1濾波器101的阻抗。No.1為在圖2所示的第1濾波器101，不設置第1電容器111的情況。No.2為將第1電容器111的電容設為C的情況。No.3為將第1電容器111的電容設為No.2的第1電容器111之電容的2倍也就是2C的情況。
參考圖8，將第1電容器111的電容變大的話，阻抗的峰值朝向低頻側偏移，而成為陡峭的頻率特性。因此，可配合要求的樣式，而適當選擇第1電容器111的電容。
＜其他實施形態＞ 在以上的實施形態之濾波器單元52a、52b，於鐵氧體線圈120a、120b的環形鐵心150使用Mn－Zn系的鐵氧體，但可改用奈米結晶軟磁性材料。在以下的說明，針對濾波器單元52a的構成予以說明，但濾波器單元52b也具有相同構成。圖9為表示其他實施形態的濾波器單元52a之電路構成的說明圖。
如圖9所示，濾波器單元52a可不具有圖2所示的鐵氧體線圈120a、120b，而是具有鐵氧體線圈200a、200b。也就是說，在第2濾波器102，鐵氧體線圈200a、200b以串聯方式連接。鐵氧體線圈200a、200b分別在由奈米結晶軟磁性材料所構成的環形鐵心，例如具有將由銅線所構成的線圈導體捲繞成螺旋狀的構成。尚且，濾波器單元52a的其他電路構成係與圖2所示的上述實施形態之濾波器單元52a的其他電路構成相同。
又，濾波器單元52a的物理的構造也可不具有圖3所示的鐵氧體線圈120a、120b，而是具有設置鐵氧體線圈200a、200b的構造。鐵氧體線圈200a、200b的尺寸與鐵氧體線圈120a、120b的尺寸相同。尚且，濾波器單元52a的其他物理構造係與圖3所示的上述實施形態之濾波器單元52a的其他物理構造相同。
在此，為了生成電漿，而將方形波的高頻功率供給到下部電極12時，在濾波器單元52a、52b的端部，有在從電漿側朝向供電線103傳導的傳導性雜訊（高頻雜訊）產生振鈴之虞。也就是說，有在高頻雜訊產生劇烈變化的情況。作為設置在濾波器單元52a、52b的線圈，例如使用空芯線圈、捲繞銅箔及絕緣膜的線圈、具有Ni－Zn系環形鐵心的鐵氧體線圈、具有Mn－Zn系環形鐵心的鐵氧體線圈之任一者時，皆有此振鈴發生的風險。然後，在高頻功率的供給時，於高頻雜訊產生振鈴的話，加熱器電源54a的加熱器控制電路可能會錯誤運作。
針對這一點，如本實施形態所述，鐵氧體線圈200a、200b具有由奈米結晶軟磁性材料所構成的環形鐵心。在以下的說明，有時將由奈米結晶軟磁性材料所構成的環形鐵心稱為「奈米結晶軟磁性環形鐵心」。就奈米結晶軟磁性環形鐵心而言，結晶變小並且飽和磁致伸縮常數變小，故施加應力時的透磁率或鐵損的劣化程度偏小。因此，即使輸入包含聲頻成分的電流或電壓，也會是低雜訊，並且可對應劇烈的電流或電壓之變化。因此，在高頻功率的供給時，可降低高頻雜訊的振鈴。
奈米結晶軟磁性環形鐵心係與Mn－Zn系環形鐵心比較的話具有以下的特徵。也就是說，使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時，阻抗不會由於溫度而大幅變化，故可在廣泛的溫度範圍得到穩定的雜訊抑制效果。
又，奈米結晶軟磁性環形鐵心的透磁率高並且阻抗的峰值低。進一步，在廣泛的頻率區域具有高阻抗，而可發揮較大的雜訊抑制效果。例如在奈米結晶軟磁性環形鐵心與Mn－Zn系環形鐵心將100kHz的電感設為相同時，奈米結晶軟磁性環形鐵心的阻抗成為Mn－Zn系環形鐵心的阻抗之約2倍。使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時，為了得到相同電感，線圈導體的必要捲繞數會變少，故可降低卷線間電容，並且可在1MHz帶以上的高頻區域得到高阻抗。
為了比較上述的奈米結晶軟磁性環形鐵心與Mn－Zn系環形鐵心，本發明者們進行實驗，變更環形鐵心的材料，而調查第2濾波器102的阻抗。圖10為表示實驗結果的圖表。No.1為在圖2所示的鐵氧體線圈120a、120b使用Mn－Zn系環形鐵心的情況。No.2～No.4為分別在圖9所示的鐵氧體線圈200a、200b使用奈米結晶軟磁性環形鐵心的情況。在No.2～No.4，將定格電流分別變更為20A、25A、30A。
參考圖10的話，相較於奈米結晶軟磁性環形鐵心，Mn－Zn系環形鐵心的並列共振位置偏向高頻側。另外，奈米結晶軟磁性環形鐵心的容許功率愈大，並列共振位置愈偏向高頻側。又，頻率在未達F的區域，相較於Mn－Zn系環形鐵心，奈米結晶軟磁性環形鐵心的阻抗較小。另外，頻率在F以上的區域，奈米結晶軟磁性環形鐵心的阻抗較大。如此一來，使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時，可提高在高頻區域的阻抗，故可在廣泛頻率區域發揮較大的雜訊抑制效果。
又，本發明者們進行實驗，而調查在使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時可減低振鈴的效果。圖11為表示在圖2所示的鐵氧體線圈120a、120b使用Mn－Zn系環形鐵心時、高頻雜訊的波形之圖表。圖12為表示在圖9所示的鐵氧體線圈200a、200b使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時、高頻雜訊的波形之圖表。圖11及圖12的橫軸表示時間，縱軸表示高頻雜訊。任一情況皆表示在加熱器電源54a的加熱器控制電路即將運作之前，設定高頻雜訊。
參考圖11的話，使用Mn－Zn系環形鐵心時，供給高頻功率、或者停止供給高頻功率時（圖11中的圓圈所圍繞的部分），在高頻雜訊產生振鈴。相較之下，參考圖12的話，使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時，供給高頻功率、或者停止供給高頻功率時（圖12中的圓圈所圍繞的部分），可減少在高頻雜訊產生的振鈴。
尚且，即使在鐵氧體線圈200a、200b使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時，也可如上述實施形態般享有與使用Mn－Zn系環形鐵心時同樣的效果（上述第1～第3的作用及效果）。也就是說，可抑制奈米結晶軟磁性環形鐵心的發熱，並且可縮小鐵氧體線圈200a、200b。然後，對於低頻區域的第2高頻雜訊，可實現高電感的濾波器。
尚且，本發明者戮力討論的結果，實證以這種方式抑制奈米結晶軟磁性環形鐵心及線圈導體的發熱。特別是使用風扇170時，確認奈米結晶軟磁性環形鐵心及線圈導體的發熱抑制效果會提升。
又，能夠以奈米結晶軟磁性環形鐵心滿足上述的下述數學式（1），而縮小鐵氧體線圈200a、200b。 t≧（b－a） ・・・（1）
尚且，在一例，奈米結晶軟磁性環形鐵心的厚度t為23.4mm，內半徑a為21.4mm，外半徑b為40.6mm。以上數值滿足數學式（1）。然後，將絕緣距離設為10mm的話，鐵氧體線圈200a、200b的厚度成為56.8mm（＝23.4×2＋10）。又，鐵氧體線圈200a、200b的俯視長度成為81.2mm（＝40.6×2）。 另外，使用Ni－Zn系環形鐵心時，單體的環形鐵心之厚度t為13mm，內半徑a為19mm，外半徑b為30.5mm。例如，將積層7個此環形鐵心者（7堆疊），在厚度方向配置2個，在俯視下配置4個，合計使用8個。此時，8個鐵氧體線圈的厚度成為182mm（＝13×7×2）。又，8個鐵氧體線圈的俯視長度成為132mm（＝30.5×2×2＋10）。 因此，如本實施形態所示使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時，相較於Ni－Zn系環形鐵心，厚度成為0.32倍，俯視長度成為0.62倍，可縮小鐵氧體線圈200a、200b。
＜其他實施形態＞ 在以上的實施形態之濾波器單元52a、52b，於第2濾波器102的鐵氧體線圈，可組合使用Mn－Zn系的鐵氧體及奈米結晶軟磁性材料。如圖10所示，在Mn－Zn系環形鐵心及奈米結晶軟磁性環形鐵心，第2濾波器102的阻抗特性相異。因此，藉由在第2濾波器102包含具有Mn－Zn系環形鐵心的鐵氧體線圈120a、120b、及具有奈米結晶軟磁性環形鐵心的鐵氧體線圈200a、200b，而可運用兩方的阻抗特性。
此時，如圖13所示，較佳為從空芯線圈110b觀看，在前段配置具有奈米結晶軟磁性環形鐵心的鐵氧體線圈200a，在後段配置具有Mn－Zn系環形鐵心的鐵氧體線圈120b。藉由減低在前段的鐵氧體線圈200a於高頻雜訊產生的振鈴，而可在後段的鐵氧體線圈120b抑制振鈴的影響。
＜其他實施形態＞ 在以上的實施形態，於環形鐵心使用Mn－Zn系的鐵氧體或奈米結晶軟磁性材料，但環形鐵心的材料不限定於此。若為對於10MHz以下的頻率之雜訊，透磁率為6000H/m以上的材料，則可享有與上述實施形態相同的效果。也就是說，即使低頻區域的雜訊抑制效果大，並且將頻率低的第2高頻功率LF供給到下部電極12，也可抑制環形鐵心發熱。又，也可縮小鐵氧體線圈。
＜其他實施形態＞ 以上的實施形態之殼體100在側視下具有略L字型，但可如圖14所示朝向鉛直方向延伸。在殼體100的內部，第1濾波器101的空芯線圈110a、110b、第2濾波器102的鐵氧體線圈120a、120b從上方朝向下方沿著鉛直方向依序排列配置。即使在此種情況，也可享有與上述實施形態相同的效果（上述第1～第3の作用及效果）。
＜其他實施形態＞ 以上的實施形態之鐵氧體線圈120a、120b分別具有對於環形鐵心150將線圈導體151捲繞成螺旋狀的構成，但鐵氧體線圈120a、120b的構成不限於此。
例如如同圖15所示，鐵氧體線圈120a、120b可分別具有由Mn－Zn系的鐵氧體所構成的管狀環形鐵心210。圖15僅表示環形鐵心210的一半，但該環形鐵心210在俯視下具有圓環形狀。在環形鐵心210的內部，例如由銅線所構成的線圈導體211沿著環形鐵心210的延伸方向配置。
尚且，圖15所例示的環形鐵心210例如如同圖16所示，可在沿著環形鐵心210的延伸方向之面分割成2個部分210a及210b。藉此，在其中一個部分210b配置線圈導體211之後，將另一個部分210a與部分210b組合，而可輕易製作圖15所例示的狀態之鐵氧體線圈120a、120b。
又，鐵氧體線圈200a、200b也同樣可具有在由奈米結晶軟磁性材料所構成的環形鐵心210之內部，例如設置由銅線所構成的線圈導體211之構成。
＜其他實施形態＞ 在以上的實施形態，說明於電漿處理裝置1進行蝕刻的情況，但本發明的技術可應用的電漿處理不限於此。例如對於電漿CVD、電漿氧化、電漿氮化、濺鍍等其他電漿處理也可應用本發明的技術。又，本發明的處理對象之基板不限於晶圓W，例如可為平板顯示器、有機EL、太陽電池用的各種基板、或光罩、CD基板、印刷基板等。
本發明揭露的實施形態應視為在所有方面皆為例示，而非限制於此。上述的實施形態在不脫離附加的發明申請專利範圍及其主旨的情況下，能夠以各種形態省略、置換、變更。
1:電漿處理裝置 10:腔室 50:發熱體 50a:內側發熱線 50b:外側發熱線 52a,52b:濾波器單元 54a,54b:加熱器電源 100:殼體 101:第1濾波器 102:第2濾波器 110a,110b:空芯線圈 120a,120b:鐵氧體線圈 150:環形鐵心
圖1為表示本實施形態的電漿處理裝置之構成的概略之縱剖面圖。 圖2為表示本實施形態的濾波器單元之電路構成的說明圖。 圖3為表示本實施形態的濾波器單元之物理構造的縱剖面圖。 圖4為環形鐵心的尺寸之說明圖。 圖5為示意表示在其他的實施形態中鐵氧體線圈的各種配置之說明圖。 圖6為表示在圖5所示的鐵氧體線圈之各種配置，調查第2濾波器的阻抗之實驗結果的圖表。 圖7為表示在圖5所示的鐵氧體線圈之各種配置，調查第2濾波器的阻抗等之實驗結果的圖表。 圖8為表示調查第1電容器的電容特性之實驗結果的圖表。 圖9為表示其他的實施形態之濾波器單元的電路構成之說明圖。 圖10為表示比較奈米結晶軟磁性環形鐵心與Mn－Zn系環形鐵心的實驗結果之圖表。 圖11為表示使用Mn－Zn系環形鐵心時調查高頻雜訊波形的實驗結果之圖表。 圖12為表示使用奈米結晶軟磁性環形鐵心時調查高頻雜訊波形的實驗結果之圖表。 圖13為表示其他的實施形態之濾波器單元的電路構成之說明圖。 圖14為表示其他的實施形態之濾波器單元的物理構造之縱剖面圖。 圖15為表示其他的實施形態之鐵氧體線圈的構成之概略的說明圖。 圖16為表示其他的實施形態之鐵氧體線圈的構成之概略的說明圖。

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置，具有： 處理容器，進行電漿處理； 外部電路，對於設置在該處理容器的內部之電氣零件經由線路予以電性連接；及 濾波器單元，設置在該線路， 該濾波器單元具有： 第1濾波器，設置在該電氣零件側； 第2濾波器，設置在該外部電路側，並且與該第1濾波器串聯連接；及 殼體，收納該第1濾波器及該第2濾波器， 該第1濾波器具有空芯線圈， 該第2濾波器具有包含環形鐵心的線圈， 該環形鐵心由Mn－Zn系的鐵氧體或奈米結晶軟磁性材料所構成。
  2. 如請求項1的電漿處理裝置，其中 該第1濾波器具有第1電容器，該第1電容器以該空芯線圈對於具備該環形鐵心的線圈側之端子予以電性連接， 該第2濾波器具有第2電容器，該第2電容器以具備該環形鐵心的線圈對於該外部電路側的端子電性連接。
  3. 如請求項1或2的電漿處理裝置，其中 具備該環形鐵心的線圈至少以串聯或並聯方式設置多個。
  4. 如請求項3的電漿處理裝置，其中 多個該環形鐵心之中，至少一個環形鐵心係由Mn－Zn系的鐵氧體所構成，其他的環形鐵心係由奈米結晶軟磁性材料所構成。
  5. 如請求項4的電漿處理裝置，其中 在具備該多個環形鐵心的線圈， 將具備由該Mn－Zn系的鐵氧體所構成的環形鐵心之線圈設置在該空芯線圈側， 將具備由該奈米結晶軟磁性材料所構成的環形鐵心之線圈設置在該外部電路側。
  6. 如請求項1~5中任一項的電漿處理裝置，其中 該殼體具有： 鉛直延伸部，朝向鉛直方向延伸；及 水平延伸部，從該鉛直延伸部的下端朝向水平方向延伸， 該空芯線圈設置在該鉛直延伸部的內部， 具備該環形鐵心的線圈設置在該水平延伸部的內部， 該空芯線圈的鉛直軸、與具備該環形鐵心的線圈之鉛直軸相異。
  7. 如請求項1~5中任一項的電漿處理裝置，其中 該殼體朝向鉛直方向延伸， 具備該空芯線圈及該環形鐵心的線圈在該殼體的內部朝向鉛直方向排列設置。
  8. 如請求項1~7中任一項的電漿處理裝置，其中 具備該環形鐵心的線圈在將環形鐵心的內半徑設為a、外半徑設為b、厚度設為t時滿足下述數學式（1）: t≧（b－a） ・・・（1）。
  9. 如請求項1~8中任一項的電漿處理裝置，其中 在該殼體的底面，設置對於該殼體的內部供給空氣的風扇。
  10. 一種電漿處理裝置，具有 處理容器，進行電漿處理； 外部電路，對於設置在該處理容器的內部之電氣零件經由線路予以電性連接；及 濾波器單元，設置在該線路中， 該濾波器單元具有： 第1濾波器，設置在該電氣零件側； 第2濾波器，設置在該外部電路側，並且與該第1濾波器串聯連接；及 殼體，收納該第1濾波器及該第2濾波器， 該第1濾波器具有空芯線圈， 該第2濾波器具有包含環形鐵心的線圈， 該環形鐵心係由對於10MHz以下的頻率之雜訊的透磁率為6000H/m以上的材料所構成。
  11. 一種濾波器單元，其為在設置於進行電漿處理的處理容器之內部的電氣零件、與設置於該處理容器之外部的外部電路經由線路予以電性連接的電漿處理裝置中，設置於該線路的濾波器單元，具有： 第1濾波器，設置在該電氣零件側； 第2濾波器，設置在該外部電路側，並且與該第1濾波器串聯連接； 殼體，收納該第1濾波器及該第2濾波器， 該第1濾波器具有空芯線圈， 該第2濾波器具有包含環形鐵心的線圈， 該環形鐵心係由Mn－Zn系的鐵氧體或奈米結晶軟磁性材料所構成。
  12. 一種電漿處理裝置，其將設置於進行電漿處理的處理容器之內部的電氣零件、與設置於該處理容器之外部的外部電路經由線路予以電性連接，且包含設置於該線路的濾波器單元， 該濾波器單元具有： 第1濾波器，設置在該電氣零件側； 第2濾波器，設置在該外部電路側，並且與該第1濾波器串聯連接；及 殼體，收納該第1濾波器及該第2濾波器， 該第1濾波器具有空芯線圈， 該第2濾波器具有包含環形鐵心的線圈， 該環形鐵心由對於10MHz以下的頻率之雜訊的透磁率為6000H/m以上的材料所構成。
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