TW202244533A - 自動校準之近接偵測 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種光學裝置(1),其包括:一發射器(3),其用於發射光;一接收器(4),其用於接收反射光且提供一資料信號(15);一暫存器(5),其用於儲存包括一基線參考值(16)之處理參數;及一處理單元(6),其用於使用該等處理參數處理該資料信號(15)。該處理單元(6)經組態以比較該資料信號(15)與該基線參考值(16),且至少部分基於該比較判定需要該光學裝置之一串擾校準。
Description
本發明係關於光學裝置且特定言之但非唯一地,係關於自動校準之近接偵測。
在包含行動裝置(諸如智慧型電話)之許多現代電子裝置中使用近接感測,藉此量測一物件之存在及/或與一物件之距離。例如,一智慧型電話中之一近接感測器可用於偵測使用者何時將電話置於其耳朵,顯示器可回應於此而關斷。
光學近接偵測通常量測反射光之強度以判定與一物件之距離。一近接感測器將始終經歷某一位準之不需要的串擾,其中經接收信號係來自目標反射之「真實」近接資料及串擾之一疊加。串擾可起因於各種源,諸如內部反射。在一近接系統中,光學串擾必須在一「無目標」狀況下正確地量測且自近接量測減去以獲得真實近接資料。
當發生可改變串擾之對狀況之改變時需要一串擾校準。例如,當改變近接組態設定時或若存在溫度之一改變或光學路徑中之一污跡。串擾之一改變影響近接資料且可導致錯誤失效率之一增加。為了避免此,無論何時串擾改變,皆應進行校準。一般言之,此係藉由應用程式軟體觸發。
裝置之類比前端(AFE)中亦可存在一位移,此引起最終程式碼之一移位且呈現為串擾。串擾校準亦可補償此移位,且不需要一明確電氣校準。
在習知近接量測中,使用一額外發射器及/或感測器以偵測螢幕上之一污跡之存在。感測器/發射器經實體放置使得僅在螢幕上存在一污跡時偵測一反射信號。因此,藉由監測信號位準而偵測一污跡之存在。在另一方法中,應用程式軟體監測近接資料之範圍且使用演算法以偵測一污跡。
因此,習知近接感測器之一問題係需要額外硬體(例如,發射器及接收器)及/或增加置於主機應用程式上之處理負擔以分析裝置資料以偵測在感測器前方之一污跡之存在。
為了解決至少一些上述問題,本發明提供具有藉由裝置提供之資料信號之內建處理以判定是否需要裝置之校準之一光學裝置(通常一近接感測器)。由於使用裝置之正常資料信號(例如,近接資料信號),故不需要額外發射器或接收器以偵測引起串擾之一改變且因此需要校準之一污跡。此外,由於在裝置自身處處理信號,故信號不需要被恆定地傳輸至外部應用程式軟體且藉由外部應用程式軟體分析,因此可減少主機/軟體上用於追蹤用於偵測一污跡之資料範圍之額外負擔。
根據本發明之一第一態樣,提供一種光學裝置,其包括:一發射器,其用於發射光;一接收器,其用於接收反射光且提供一資料信號;及一暫存器,其用於儲存包括一基線參考值之處理參數。該裝置進一步包括用於使用該等處理參數處理該資料信號之一處理單元,其中該處理單元經組態以比較該資料信號與該基線參考值,且至少部分基於該比較判定需要該光學裝置之一串擾校準。通常言之,該光學裝置係一近接感測器且該資料信號係可用於判定一物件之存在或與一物件之距離的一近接資料信號,該物件反射藉由該發射器發射且藉由該接收器接收之光。
該處理單元可經組態以回應於判定需要串擾校準而執行該串擾校準,或加旗標於需要一串擾校準的一外部單元,其中該處理單元經組態以自該外部單元接收一校準觸發且回應於接收該校準觸發而執行該串擾校準。通常言之,該光學裝置整合於諸如一智慧型電話之一行動裝置中且將一校準請求發送至該行動裝置,該行動裝置分析該請求且若需要則觸發校準。然而,該裝置亦可經組態以在其判定需要一校準時自動執行該校準。該暫存器可藉由該外部單元組態。例如,該外部單元可設定且維持該暫存器中之一或多個處理參數。特定言之,臨限值、平均窗大小及一持續性過濾值可係可程式化的。該光學裝置可使用(例如)一I2C協定與該外部單元通信。其他可能通信協定包含SPI、I3C及UART或其他自訂或標準串列或並列協定。
該串擾校準(本文中亦簡稱為「校準」)可包括判定指示該接收器處之光學串擾之一位準之一串擾值,且其中該處理單元經組態以自該資料信號減去該串擾值。該處理單元減去該串擾值以獲得「真實」資料信號(例如,用於判定一目標物件之存在或與一目標物件之距離的真實近接資料)。
該等處理參數可包括一基線窗大小(例如,2、4、8、16、32等)及一無目標臨限值。該處理單元可經組態以藉由在具有該基線窗大小之一窗中獲取該資料信號之一平均值同時忽略超過該無目標臨限值之資料信號值而判定該資料信號之一基線值。該處理單元接著經組態以藉由比較該基線值與該基線參考值而比較該資料信號與該基線參考值。例如,比較該基線值與該基線參考值包括計算該基線值與該基線參考值之間之一絕對差且判定該絕對差何時超過該暫存器中之一基線臨限值。
該暫存器可進一步包括指示一時間段之一持續性值及一污跡臨限值。該處理單元可經組態以回應於判定該絕對差超過該臨限值而判定該基線值在該時間段內是否超過該污跡臨限值。通常言之,該時間段藉由基線值量測之數個連續週期給定。例如,可將持續性過濾設定為四以指示由四個週期表示之一時間段,此接著意謂感測器檢查基線值在四個連續基線值計算內是否超過污跡臨限值。回應於判定基線值在時間段內超過污跡臨限值,該處理單元經組態以判定需要一串擾校準。該處理單元可將一「偵測污跡」旗標設定為等於1。
該光學裝置可進一步包括用於判定該光學裝置或該光學裝置處之一溫度之一溫度感測器(例如,一熱阻器)。該等處理參數接著包括一溫度臨限值,且該處理單元經組態以比較該光學裝置之該溫度與該溫度臨限值,且當該光學裝置之該溫度超過該溫度臨限值時,判定需要一串擾校準。該處理單元可將一「溫度超過臨限值」旗標設定為等於1。通常言之,獲取該裝置之該溫度與一標稱溫度(儲存於該暫存器中)之間之該絕對差且比較該絕對差與該溫度臨限值。以此方式,僅使用該一個臨限值偵測負及正溫度改變兩者。在校準之後,該標稱溫度可更新至當前溫度。
較佳地,該處理單元經組態以判定在該光學裝置開啟時(即,在該光學裝置自「停用」轉變為啟用時)需要一串擾校準,此係因為可影響串擾之裝置設定可在裝置停用時改變。
根據本發明之一第二態樣,提供一種系統,其包括根據第一態樣之一近接感測器及連接至該近接感測器且包括應用程式軟體之一行動裝置(例如,一智慧型電話或智慧型手錶)。該應用程式軟體經組態以設定且維持該近接感測器之暫存器中之程序參數之一或多者。該應用程式軟體進一步經組態以自該近接感測器接收對於串擾校準之一請求,且回應於接收該請求而判定是否將一校準觸發發送至該近接感測器以引起該串擾校準。主機應用程式軟體可考量更多因素以判定實際上是否需要裝置校準。
根據本發明之一第三態樣,提供一種判定一物件之存在或與一物件之距離之方法。該方法可使用根據第一態樣之一光學裝置實行。該方法包括:自一發射器發射光;及使用一接收器接收光,該光包括自該發射器發射且藉由物件反射之光;及提供可用於判定該物件之存在或與該物件之距離的一資料信號。該方法進一步包括:提供包括用於處理該資料信號之處理參數的一暫存器,該等處理參數包括一基線參考值;比較該資料信號與該基線參考值;及至少部分基於該比較判定需要該光學裝置之一串擾校準。該方法進一步包括自該資料信號判定該物件之該存在及/或與該物件之該距離。當存在一目標時,該資料信號用於近接感測,即,用於偵測該目標物件。當不存在目標時(當基線值低於無目標臨限值時),該資料信號用於基線運算中作為用於判定是否需要一校準之演算法之部分。
該方法可進一步包括回應於判定需要串擾校準,執行該串擾校準,或加旗標於需要一串擾校準的一外部單元,自該外部單元接收一校準觸發且回應於接收該校準觸發而執行該串擾校準。
該等處理參數可包括一基線窗大小(例如,2、4、8、16、32等)、一基線臨限值及一無目標臨限值。該方法可接著進一步包括:藉由在具有該基線窗大小之一窗中獲取該資料信號之一平均值同時忽略超過該無目標臨限值之資料信號值而判定該資料信號之一基線值;及藉由獲取該基線值與該基線參考值之間之一絕對差且判定該絕對差何時超過該基線臨限值而比較該資料信號與該基線參考值。
該暫存器可進一步包括指示一時間段(通常數個連續基線值週期/計算)之一持續性值及一污跡臨限值。該方法可接著進一步包括:回應於判定該絕對差超過該臨限值,判定該基線值在該時間段內是否超過該污跡臨限值;及回應於判定該基線值在該時間段內超過該污跡臨限值,判定需要一串擾校準。替代地或另外,該暫存器可包括一溫度臨限值且該方法可包括:回應於判定該絕對差超過該基線臨限值,量測一溫度;比較該溫度與一標稱溫度;及當該溫度與該標稱溫度之間之一絕對差超過該溫度臨限值時,判定需要一串擾校準。
圖1展示一光學裝置1之一示意圖,其係用於判定一物件2之存在及/或與一物件2之距離的一近接感測器。近接感測器包括用於發射光(例如,IR光)之一發射器3,該光自物件2反射且藉由接收器4接收。接收器4可包括接收電路,諸如一類比轉數位轉換器(ADC)。接收器4將經接收光轉換為包括可自其判定物件2之存在之近接資料之一資料信號。
感測器亦包括一暫存器5,該暫存器具有處理參數,諸如一基線參考值,其係在不存在足夠接近以將光反射回接收器4 (即,無目標狀況)時之資料信號之一平均值之一參考/標稱值。其他處理參數通常包含用於觸發一校準(或對於校準之一請求)之臨限值,及用於計算資料信號之平均值之一基線窗大小。暫存器5通常包括感測器中之一本端記憶體。通常言之,例如,當感測器與一行動裝置一起使用時,暫存器5由應用程式軟體維護。例如,應用程式軟體可判定一特定應用程式之臨限值之適合值且相應地更新暫存器5。
感測器包括用於處理資料信號之一處理單元6。處理單元6可存取暫存器5且使用處理參數以正確地處理資料信號。例如,處理單元6可自資料信號減去一串擾值以將「真實」近接資料與串擾分離。
處理單元6經組態以藉由使用等於基線窗大小之數目個資料點獲取資料信號之一平均值而計算資料信號之一基線值。處理單元6經組態以比較資料信號與一無目標臨限值且僅在一無目標狀況下(例如,當資料信號低於臨限值時)計算基線值。例如,處理單元6可經組態以忽略在基線值之計算中具有大於無目標臨限值之一值之資料點。
若基線值與基線參考值之間之差超過一臨限值,則處理單元6經組態以判定是否存在溫度之一改變及/或感測器前方之一「污跡」(一污跡被定義為感測器之光學路徑中之任何半永久干擾,諸如一智慧型電話螢幕上之一油脂或污垢)。
為了偵測一溫度改變,處理單元6經組態以比較如藉由一溫度感測器7量測之當前溫度與一標稱溫度。標稱溫度通常係藉由溫度感測器7在最後校準時量測且儲存於暫存器5中之溫度。處理單元6經組態以比較當前溫度與標稱溫度之間之絕對差與一溫度臨限值。若差超過臨限值,則處理單元6判定需要近接感測器之一校準。作為回應,處理單元6可經組態以觸發近接感測器之一自動校準,或請求來自一外部單元8 (例如,行動裝置,諸如具有應用程式軟體之一智慧型電話)之校準。例如,處理單元6可將一溫度旗標設定成1且將一中斷發送至外部單元8。若外部單元8將一校準視為必要,則其將一校準請求發送至近接感測器,作為回應,該近接感測器執行校準。在校準期間,更新儲存於暫存器5中之標稱溫度值。
為了偵測一污跡,處理單元6經組態以在由數個週期表示之一時間段內(即,在數個連續基線窗大小內)計算資料信號之基線值以判定基線值在該時間段內是否保持高於(或低於)一污跡臨限值。暫存器5包括一持續性值,該持續性值決定週期之數目及因此決定時間段。持續性值可經使用者/應用程式定義,且考量一污跡之半永久特性(相對於短暫阻擋感測器之一暫態物件)。若基線值在該時間段內保持高於(或低於)污跡臨限值,則處理單元6判定一污跡存在(或已移除)且因此判定需要一校準。例如,處理單元6可將一污跡旗標設定成1且將一中斷發送至外部單元8,或處理單元6可觸發一自動校準。
近接感測器經組態使得應用程式軟體可設定感測器如何回應於偵測到一污跡及/或溫度改變。例如,外部單元8之應用程式軟體可組態暫存器5使得處理單元6藉由每次偵測到一污跡及/或溫度改變自動校準近接感測器而作出回應。替代地,暫存器可經組態使得處理單元6僅將「問題」加旗標於應用程式軟體,且接著回應於接收一提示而執行一校準。
處理單元6亦可經組態以在近接感測器開啟時(即,在自關閉切換至接通時)觸發一校準。一般言之,在改變組態設定(其可影響串擾)時關斷近接感測器。因此,代替檢查設定及因此串擾是否已改變,在裝置1再次開啟時自動校準近接感測器。
光學裝置1具有不需要一額外發射器或接收器以偵測一污跡,而可使用藉由正常發射器3及接收器4提供之資料信號之優點。此外,由於光學裝置1經組態以處理資料信號以判定一污跡之存在,故資料信號不需要被恆定地傳輸至外部應用程式軟體且藉由外部應用程式軟體分析。因此,更多處理直接在光學裝置1處執行。此可顯著減少光學裝置輸出上之訊務負載。例如,光學裝置1可經由一I2C連接與外部單元8通信。由於光學裝置1之處理單元判定是否需要校準,故僅需要經由I2C連接傳輸校準觸發/請求及狀態旗標(例如,污跡旗標= 1)而非整個資料信號。
外部單元8可藉由設定暫存器5中之至少一些處理參數之值而影響光學裝置1處之資料處理。例如,若需要對串擾之一改變之一快速回應,則可設定一小基線窗大小。
圖2展示包括一智慧型電話10中之一光學裝置1 (諸如圖1中描繪之一近接感測器)之一系統9之一示意圖。相同元件符號在不同圖中用於等效或類似特徵件以便輔助理解且不旨在限制所繪示實施例。智慧型電話10可係圖1中繪示之外部單元8。在使用中,光學裝置可用於判定智慧型電話10之一使用者之存在及/或與智慧型電話10之一使用者之距離。
圖3展示包括一光學裝置1 (諸如圖1中之近接感測器)、一顯示器11 (例如,一LED或OLED顯示器)及一蓋玻璃12之一系統9之一示意圖。顯示器11及蓋玻璃12可係一智慧型電話(諸如圖2中繪示之智慧型電話10)之部分。一污跡13定位於光學裝置1前方之蓋玻璃上。雖然圖3展示接近顯示器11定位之光學裝置1,但在其他實施例中,光學裝置1可定位於顯示器11下方。
光學裝置1發射光14,該光經透射穿過蓋玻璃12。自污跡13散射之光增加光學裝置1之接收器處之光學串擾且藉此增加藉由接收器提供之資料信號之基線值。光學裝置1經組態以偵測資料之基線值之此增加且判定在裝置1前方存在一污跡。作為回應,光學裝置1可觸發一串擾校準以更新自資料信號減去之串擾值。
若移除污跡13且當移除污跡13時,光學串擾將增加。光學裝置1經組態以偵測此改變且判定污跡已被移除。作為回應,裝置1可觸發另一串擾校準以更新待自資料信號減去之串擾值。
圖4展示根據一實施例之一流程圖,其繪示藉由一近接感測器採取之步驟序列。
自一「閒置」狀態開始,若「校準啟用」 = 1,則感測器執行一校準且設定「calib_finished」 = 1。
若「近接啟用」 = 0,則感測器返回至「閒置」狀態。
若「近接啟用」 = 1 (即,近接感測器經啟用以進行近接量測),則感測器執行「運行近接」及「運算BSLN」(即,判定近接資料信號之基線值)。
若基線值在界限內(即,經計算基線值與一基線參考值之間之絕對差低於一臨限值),則感測器重複「運行近接」及「運算BSLN」。否則,感測器執行「偵測污跡及溫度改變」(即,判定是否存在已引起串擾之一改變之一溫度改變或感測器前方之一污跡)。
感測器接著檢查「偵測到污跡或溫度改變?」。若未偵測到溫度改變及污跡,則感測器返回至「運行近接」及「運算BSLN」。否則,若此經啟用,則感測器執行「確立中斷」(即,發送一中斷以觸發來自一外部單元之一校準請求)。
感測器接著檢查是否「校準啟用」 = 1 (即,已接收一校準請求)或「auto_calib_trigger_en」(即,啟用感測器自動校準),在該情況中,感測器執行一校準。否則,感測器返回至「運行近接」及「運算BSLN」。
用於計算基線值之平均窗可組態。可啟用或停用中斷。「近接啟用」及「校準啟用」經使用者控制(例如,藉由應用程式軟體控制)。
在一實施例中,近接感測器可執行以下三個步驟以偵測用於觸發校準之一狀況。
1.基線(BSLN資料)量測:
基線係近接資料之一平均值。平均窗大小可經組態為2、4、8、16、32等(2之倍數)。僅在不存在目標時考量用於基線運算之近接資料。藉由僅在近接資料小於一可程式化「無目標」資料臨限值(NT限制)且裝置在偵測模式中(即,螢幕開啟且無目標接近)時更新BSLN平均值而完成此。在BSLN平均窗之結尾,比較經運算基線值(BSLN_DATA)與軟體組態之參考基線值(I2C_REF_BSLN_DATA)。
若|BSLN_DATA - I2C_REF_BSLN_DATA| > BSLN_DELTA_THR,則設定一旗標(「bsln_ovr_thr」)且演算法進行至一溫度量測及污跡偵測階段。BSLN_DELTA_THR係設定經量測與參考基線資料之差臨限值之軟體可程式化暫存器。針對上文之比較,僅考量差之量值。此容許感測器追蹤經量測基線之一增大及減小兩者。
2.溫度量測及比較:
一晶片上溫度感測器(例如,一熱阻器)用於以粗糙步驟量測並偵測一溫度改變。
溫度可在以下兩個案例下藉由裝置量測:
a)在用於記錄將用於後續近接量測週期中之比較之參考溫度資料(CALIB_TEMP_DATA)之每一校準週期之後;及
b)在BSLN資料大於臨限值時之正常近接量測之後。資料可儲存於一TEMP_DATA暫存器中。
若|TEMP_DATA - CALIB_TEMP_DATA| > TEMP_DELTA_THR,則設定一旗標(「temp_ovr_thr」)。TEMP_DELTA_THR係設定經量測與參考溫度資料之差臨限值之軟體可程式化暫存器。
若「bsln_ovr_thr」 = 1且「temp_ovr_thr」 = 1,則針對應用程式軟體觸發對於校準之請求,亦可產生一中斷且可視情況自動觸發一校準週期。
3.污跡偵測:
若BSLN大於臨限值,則進行溫度量測,接著為污跡偵測。一污跡由近接資料之一恆定(或半永久)移位且非漂移表示。演算法可使用此概念以偵測一污跡。藉由在持續性過濾之後檢查基線資料而執行污跡偵測。在污跡偵測狀態期間,比較BSLN資料與一軟體可程式化「SMDG_THR」臨限值。
若BSLN_DATA > SMDG_THR達N個連續BSLN週期,則設定一旗標(「smdg_detected」)。N係持續性過濾設定且可採取值= 0 (每次BSLN越過臨限值)、1 (BSLN越過臨限值兩次)、2、3、……、M。
若「bsln_ovr_thr」= 1且「smdg_detected」= 1,則針對應用程式軟體觸發對於校準之請求,亦可產生一中斷且可視情況自動觸發一校準週期。
圖5展示與不同處理參數相關之隨著時間之一近接資料信號15之一圖表。在開始,資料信號接近基線參考值16 (i2c_ref_bsln = nt_data)。接著為一區域17中之大波動。在區域17內,資料信號超出基線臨限值18及19 (bsln_del_threshold_+及bsln_del_threshold_-)。然而,由於基線值係一平均值(在一基線窗內)及/或由於持續性值過濾串擾中之暫態改變,故在此刻未偵測到污跡。當信號15在區域17中波動時,在一點20處,其短暫高於無目標臨限值21 (NT_Limit)。此點20處之資料可忽略且不用於運算基線值。
在大波動之後,基線值在高於污跡臨限值22 (smudge_threshold+)時安定。在一區域23中,由於基線值低於無目標臨限值21但大於污跡臨限值22達等於持續性值之數目個週期,故偵測到一污跡。可設定一偵測到污跡旗標= 1。
在偵測到污跡之後,在區域24中發生信號15之大波動。再次,用於運算基線值及持續性值之窗大小濾除近接資料之此等迅速改變。忽略區域25中高於無目標臨限值21之資料點。
信號15在低於下污跡臨限值26 (smudge_threshold-)時安定。在一區域27中,由於基線值低於無目標臨限值21且低於下污跡臨限值26達等於持續性值之數目個之週期,故偵測到一污跡(在此情況中,其係表示一污跡之移除)。可設定一偵測到污跡旗標= 1。
如圖5中所見,無論何時近接資料迅速改變,演算法皆忽略該資料。無論何時基線在污跡臨限值之外安定且在「無目標」限制內達N (N =持續性值)個連續週期,演算法皆警告主機且亦可執行自動校準以補償污跡。
因此,可在以下狀況下執行對應校準之一請求/觸發:(bsln_ovr_thr = 1)且( (temp_ovr_thr =1) | (smdg_detected =1) )。
本文中描述之實施例可提供優於習知裝置之若干優點。不需要額外發射器、感測器、類比前端或特殊封裝來偵測一污跡之存在或移除。對於一近接感測器,使用用於量測近接性之相同電路以偵測一污跡而無需依賴於任何其他外部電路。感測器可偵測關於一溫度改變之狀況之改變,一污跡之存在/移除以及影響串擾及因此近接資料之組態之一改變。另外,感測器可請求/觸發一校準以緩解由該等因素引起之影響。
光學裝置透過使用者可程式化暫存器提供透過臨限值及參考值組態範圍且透過一基線平均窗及一持續性值(過濾大小)組態回應時間之靈活性。藉此,裝置提供基於現場之應用程式自訂校準演算法之選項。裝置可提供檢查基線資料(長時間平均資料)接著為監測溫度改變及污跡存在之一雙步驟程序。裝置可改良偵測用於觸發校準之狀況之可靠性。此外,由於資料信號係在裝置處處理,故其可移除主機/軟體上用於追蹤用於偵測一污跡之資料範圍之額外負擔。
雖然上文已描述特定實施例,但發明申請專利範圍不限於該等實施例。各所揭示特徵可單獨或以與本文中揭示之其他特徵之一適當組合併入任何所述實施例中。
1:光學裝置
2:物件
3:發射器
4:接收器
5:暫存器
6:處理單元
7:溫度感測器
8:外部單元
9:系統
10:智慧型電話
11:顯示器
12:蓋玻璃
13:污跡
14:經發射光
15:資料信號
16:基線參考值
17:具有大波動之區域
18:基線臨限值
19:基線臨限值
20:高於無目標臨限值之資料點
21:無目標臨限值
22:污跡臨限值
23:具有偵測到污跡之區域
24:具有大波動之區域
25:高於無目標臨限值之資料點
26:下污跡臨限值
27:具有偵測到污跡之區域
下文參考隨附圖式描述本發明之特定實施例,其中
圖1描繪根據本發明之一實施例之一光學裝置;
圖2描繪根據一實施例之包括一光學裝置之一系統;
圖3描繪根據一實施例之包括一光學裝置之另一系統;
圖4描繪根據一實施例之一流程圖,其繪示一光學裝置之操作;及
圖5描繪根據一實施例之與一光學裝置之不同處理參數相關之隨著時間之一近接資料信號之一圖表。
1:光學裝置
2:物件
3:發射器
4:接收器
5:暫存器
6:處理單元
7:溫度感測器
8:外部單元
Claims (15)
- 一種光學裝置(1),其包括: 一發射器(3),其用於發射光; 一接收器(4),其用於接收反射光且提供一資料信號(15); 一暫存器(5),其用於儲存包括一基線參考值(16)之處理參數;及 一處理單元(6),其用於使用該等處理參數處理該資料信號(15),其中該處理單元(6)經組態以 比較該資料信號(15)與該基線參考值(16),且 至少部分基於該比較判定需要該光學裝置(1)之一串擾校準。
- 如請求項1之光學裝置(1),其中該處理單元(6)經組態以回應於判定需要串擾校準而 執行該串擾校準,或 加旗標於需要一串擾校準的一外部單元(8、10),其中該處理單元(6)經組態以自該外部單元接收一校準觸發且回應於接收該校準觸發而執行該串擾校準。
- 如請求項2之光學裝置(1),其中該暫存器(5)可由該外部單元(8、10)組態。
- 如請求項1、2或3之光學裝置(1),其中該串擾校準包括判定指示該接收器(4)處之光學串擾之一位準之一串擾值,且其中該處理單元(6)經組態以自該資料信號(15)減去該串擾值。
- 如請求項1、2或3之光學裝置(1),其中該等處理參數包括 一基線窗大小,及 一無目標臨限值(21), 且其中該處理單元(6)經組態以藉由在具有該基線窗大小之一窗中獲取該資料信號(15)之一平均值同時忽略超過該無目標臨限值(21)之資料信號值而判定該資料信號(15)之一基線值,且其中該處理單元(6)經組態以藉由比較該基線值與該基線參考值(16)而比較該資料信號(15)與該基線參考值(16)。
- 如請求項5之光學裝置(1),其中該等處理參數包括一基線臨限值(18),且其中比較該基線值與該基線參考值(16)包括計算該基線值與該基線參考值(16)之間之一絕對差且判定該絕對差何時超過該基線臨限值(18)。
- 如請求項6之光學裝置(1),其中該暫存器(5)包括 一持續性值,其指示一時間段,及 一污跡臨限值(22), 且其中該處理單元(6)經組態以 回應於判定該絕對差超過該基線臨限值(18)而判定該基線值在該時間段內是否超過該污跡臨限值(22),且 回應於判定該基線值在該時間段內超過該污跡臨限值(22)而判定需要一串擾校準。
- 如請求項6之光學裝置(1),其進一步包括用於判定該光學裝置(1)之一溫度之一溫度感測器(7),其中該等處理參數包括一溫度臨限值,且其中該處理單元(6)經組態以 回應於判定該絕對差超過該基線臨限值(18)而比較該光學裝置(1)之該溫度與該溫度臨限值,且 當該光學裝置(1)之該溫度超過該溫度臨限值時,判定需要一串擾校準。
- 如請求項1、2或3之光學裝置(1),其中該處理單元(6)進一步經組態以判定在該光學裝置(1)開啟時需要一串擾校準。
- 如請求項1、2或3之光學裝置(1),其中該光學裝置(1)係一近接感測器且該資料信號係可用於判定一物件(2)之一存在或與一物件(2)之一距離的一近接資料信號,該物件(2)反射由該發射器(3)發射且由該接收器(4)接收之光。
- 一種系統(9),其包括: 如請求項10之一近接感測器;及 一行動裝置(10),其連接至該近接感測器且包括應用程式軟體,其中該應用程式軟體經組態以 設定且維持該近接感測器之暫存器中之程序參數之一或多者, 自該近接感測器接收對於串擾校準之一請求,且 回應於接收該請求而判定是否將一校準觸發發送至該近接感測器以引起該串擾校準。
- 一種判定一物件之存在及/或與一物件之距離之方法,該方法包括: 自一發射器(3)發射光; 使用一接收器(4)接收光,包括自該發射器(3)發射且由物件(2)反射之光; 自該接收器(4)提供可用於判定該物件(2)之存在及/或與該物件(2)之距離的一資料信號(15); 提供包括用於處理該資料信號(15)之處理參數的一暫存器(5),處理參數包括一基線參考值(16); 比較該資料信號(15)與該基線參考值(16); 至少部分基於該比較判定需要一串擾校準;及 自該資料信號(15)判定該物件之該存在及/或與該物件之該距離。
- 如請求項12之方法,其進一步包括回應於判定需要一串擾校準, 執行該串擾校準,或 加旗標於需要一串擾校準的一外部單元(8、10),自該外部單元接收一校準觸發且回應於接收該校準觸發而執行該串擾校準。
- 如請求項12或13之方法,其中該等處理參數包括 一基線窗大小, 一基線臨限值(18),及 一無目標臨限值(21),且該方法進一步包括: 藉由在具有該基線窗大小之一窗中獲取該資料信號(15)之一平均值同時忽略超過該無目標臨限值(21)之資料信號值而判定該資料信號(15)之一基線值;及 藉由獲取該基線值與該基線參考值(16)之間之一絕對差且判定該絕對差何時超過該基線臨限值(18)而比較該資料信號(15)與該基線參考值(16)。
- 如請求項14之方法,其中該暫存器包括 一持續性值,其指示一時間段,及 一污跡臨限值(22),且該方法進一步包括: 回應於判定該絕對差超過該基線臨限值(18)而判定該基線值在該時間段內是否超過該污跡臨限值(22);及 回應於判定該基線值在該時間段內超過該污跡臨限值(22)而判定需要一串擾校準;及/或 其中該暫存器(5)包括一溫度臨限值且該方法包括: 回應於判定該絕對差超過該基線臨限值(18)而量測一溫度; 比較該溫度與一標稱溫度;及 當該溫度與該標稱溫度之間之一絕對差超過該溫度臨限值時,判定需要一串擾校準。
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