TW202244145A - 偏光件及偏光件之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本案提供一種抑制脫色發生之偏光件。本發明實施形態之偏光件係由樹脂薄膜構成,該樹脂薄膜包含碘且具有相互對向之第一主面及第二主面;且於端面具有前述樹脂薄膜經化學改質之化學改質部;並且,前述化學改質部之疏水性高於未經化學改質之其他部位。
Description
本發明涉及偏光件及偏光件之製造方法。
代表上有液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)之影像顯示裝置急速普及。搭載於影像顯示裝置之影像顯示面板代表上係使用偏光板。在實際應用上,廣泛使用偏光板與相位差板一體化而成的附相位差層之偏光板(例如專利文獻1)。但偏光板所含之偏光件有因影像顯示裝置之長時間使用或放置在嚴酷環境下(例如高溫、高濕環境下)而發生脫色(褪色),在脫色部中偏光性能降低之情形。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第3325560號公報
發明欲解決之課題
本發明是為了解決上述課題而成者,其主要目的在於提供一種抑制脫色發生之偏光件。
用以解決課題之手段
根據本發明實施形態,提供一種偏光件。該偏光件係由樹脂薄膜構成,該樹脂薄膜包含碘且具有相互對向之第一主面及第二主面;且於端面具有前述樹脂薄膜經化學改質之化學改質部;並且,前述化學改質部之疏水性高於未經化學改質之其他部位。
在一實施形態中,上述化學改質部包含含氟之基。
在一實施形態中,上述含氟之基包含三氟乙醯基。
在一實施形態中,上述化學改質部係業經三氟乙酸酐進行化學改質。
在一實施形態中,上述端面藉由ATR測定所得之FT-IR光譜中,1787cm
-1下之吸光度相對於2940cm
-1下之吸光度的比大於0.2。
在一實施形態中,包含上述端面之端部係含有氟。
在一實施形態中,上述化學改質部係業經矽化劑進行化學改質。
在一實施形態中,包含上述端面之端部係含有矽。
在一實施形態中,上述偏光件具有被覆上述樹脂薄膜之端面的被覆部。
根據本發明另一實施形態,提供一種上述偏光件之製造方法。該製造方法包含下列步驟:
準備積層物,該積層物具有:
樹脂薄膜,其包含碘且具有相互對向之第一主面與第二主面;
第一保護材,係配置於前述第一主面;及
第二保護材,係配置於前述第二主面;以及
對前述積層物之前述樹脂薄膜的端面進行化學改質。
根據本發明又另一實施形態,提供一種偏光板。該偏光板具有:上述偏光件;及,保護層或相位差層之至少一者。
根據本發明又另一實施形態,提供一種上述偏光板之製造方法。該製造方法包含下列步驟:
準備積層物,該積層物具有:
樹脂薄膜,其包含碘且具有相互對向之第一主面與第二主面;
第一保護材,係配置於前述第一主面;及
第二保護材,係配置於前述第二主面;以及
對前述積層物之前述樹脂薄膜的端面進行化學改質;
並且,前述保護材包含前述保護層或前述相位差層之至少一者。
發明效果
根據本發明,藉由形成化學修飾部,可獲得一種抑制脫色發生之偏光件。
以下說明本發明之實施形態,惟本發明不受該等實施形態所限。
(用語及符號之定義)
本說明書中之用語及符號之定義如下。
(1)折射率(nx、ny、nz)
「nx」為面內折射率達最大之方向(亦即慢軸方向)的折射率,「ny」為在面內與慢軸正交之方向(亦即快軸方向)的折射率,而「nz」為厚度方向的折射率。
(2)面內相位差(Re)
「Re(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之面內相位差。例如,「Re(550)」係在23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差。Re(λ)可於令層(薄膜)之厚度為d(nm)時,藉由式:Re(λ)=(nx-ny)×d求算。
(3)厚度方向之相位差(Rth)
「Rth(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之厚度方向之相位差。例如,「Rth(550)」係在23℃下以波長550nm之光測定之厚度方向之相位差。Rth(λ)可於令層(薄膜)厚度為d(nm)時,藉由式:Rth(λ)=(nx-nz)×d求算。
(4)Nz係數
Nz係數可藉由Nz=Rth/Re求算。
(5)角度
本說明書中提及角度時,該角度包含相對於基準方向往順時針方向及逆時針方向兩者。因此,例如「45°」係指±45°。
A.偏光件
圖1係本發明一實施形態之偏光件的示意截面圖。此外,圖1中,為了便於觀看圖,係省略偏光件截面之影線。偏光件10係由樹脂薄膜構成,該樹脂薄膜具有相互對向之第一主面10a及第二主面10b。偏光件10之端面10c具有樹脂薄膜經化學改質之化學改質部。化學改質部若有形成於端面10c之至少一部分即可,形成區域無特別限定,例如形成於整個端面10c整體。
上述偏光件係由含碘之樹脂薄膜構成。樹脂薄膜可使用例如聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯・乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜。
偏光件10之厚度宜為15µm以下,可為12µm以下,可為10µm以下,亦可為8µm以下。另一方面,偏光件之厚度宜為1µm以上。
偏光件10宜在波長380nm~780nm之任一波長下顯示吸收二色性。偏光件10之單體透射率(Ts)宜為41.0%以上,較宜為42.0%以上,更宜為42.5%以上。另一方面,偏光件10之單體透射率例如為44.2%以下。偏光件10之偏光度(P)宜為99.95%以上,較宜為99.98%以上,更宜為99.99%以上。另一方面,偏光件10之偏光度例如為99.996%以下。
上述單體透射率代表上係使用紫外線可見光分光光度計來測定並進行視感度校正後之Y值。上述偏光度代表上係基於使用紫外線可見光分光光度計測定並進行視感度校正後之平行透射率Tp及正交透射率Tc,藉由下述式來求算。
偏光度(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}
1 /2×100
化學改質部之疏水性高於未經化學改質之其他部位(例如主面)。藉由形成所述化學改質部,可抑制水分入侵偏光件(樹脂薄膜)內,而可獲得抑制脫色發生之偏光件(偏光板)。脫色容易發生於偏光板的端部,例如在包含偏光板之影像顯示面板的端部中,顯示性能有時會降低。藉由於端面形成化學改質部,可有效抑制脫色發生。此外,其他部位不僅包含樹脂薄膜表面,還包含樹脂薄膜內部。
化學改質部可藉由對樹脂薄膜進行化學改質而形成。例如可藉由樹脂薄膜之羥基的改質反應來形成。樹脂薄膜之羥基的改質反應可列舉例如:甲基醚、取代甲基醚、取代乙基醚、甲氧基取代苄基醚、矽基醚、酯(甲酸酯、乙醯基、苯甲醯基)、微胞化酯、磺酸酯、次磺酸酯、亞磺酸酯、碳酸酯、胺甲酸酯、環狀縮醛、環狀縮酮、環狀原酸酯、矽基衍生物基、環狀碳酸酯、環狀硼酸酯等利用改質基進行之取代。改質反應的條件可按改質基之種類等適當採用適宜之條件。例如,視需求在觸媒存在下,使樹脂薄膜與取代之改質基的氯化物從0℃至100℃下接觸1分鐘至20小時,藉此使其進行改質反應。
又例如,上述化學改質部可藉由使具有烷基、鹵基、烷基鹵化物、芳基、醯基、矽基等之基團(提升疏水性之基團)的改質劑對樹脂薄膜之羥基進行反應。化學改質例如可藉由烷化、鹵化、醯化(例如乙醯化、酯化)、矽化、醚化等來進行。該等可單獨使用或可組合二種以上來使用。
可用於上述醯化之醯化劑可舉例如羧酸酐、羧酸鹵化物、鹵化苯甲醯基、酯、醯胺、烯酮。具體例可列舉三氟乙酸酐、乙酸酐、氯化乙醯、氯乙酸酐、氯乙醯氯、二氯乙酸酐、三氯乙酸酐、苯甲醯氯。
可用於上述矽化之矽化劑,可列舉例如:氯三甲基矽烷、氯三乙基矽烷、氯三異丙基矽烷、氯三苯基矽烷、三級丁基二甲基氯矽烷、二氯二甲基矽烷、二氯二乙基矽烷、二氯二異丙基矽烷等之氯矽烷類。又,矽化劑還可使用N,O-雙(三甲基矽基)乙醯胺、N,O-雙(三甲基矽基)三氟乙醯胺等之醯胺系矽化劑、N-三甲基矽基咪唑等之胺系矽化劑等。
可用於上述醚化之醚化劑可舉例如溴化苄、4-甲氧基苄基氯化物、氯甲基甲基醚、氯化三苯甲基。
在一實施形態中,上述化學改質部具有含氟之基。含氟之基可舉例如具有一個以上氟基之氟烷基、氟醯基(例如三氟乙醯基)。具體例方面,上述化學改質部係業經三氟乙酸酐進行化學改質。在本實施形態中,包含端面10c之端部10d可含有氟。含氟之端部的寬度(從能確認氟之部位的端面起算之距離)例如可為1µm以上,可為10µm以上,亦可為20µm以上。另一方面,含氟之端部的寬度宜為100µm以下,亦可為50µm以下。具有化學改質部之端面藉由ATR測定所得之FT-IR光譜中,1787cm
-1下之吸光度相對於2940cm
-1下之吸光度的比宜大於0.2,較宜為0.25以上,更宜為0.3以上。另一方面,1787cm
-1下之吸光度相對於2940cm
-1下之吸光度的比例如小於1。此外,在FT-IR光譜中,2940cm
-1附近之吸收峰係源自樹脂薄膜之C-H伸縮振動,而1787cm
-1附近之吸收峰則係源自三氟乙醯基之C=O伸縮振動。
在一實施形態中,上述化學改質部係業經矽化劑進行化學改質。在本實施形態中,包含端面10c之端部10d可含有矽。含矽之端部的寬度(從能確認矽之部位的端面起算之距離)例如可為1µm以上,可為10µm以上,亦可為20µm以上。另一方面,含矽之端部的寬度宜為100µm以下,亦可為50µm以下。
B.製造方法
上述偏光件可藉由對樹脂薄膜之端面進行化學改質而得,所述樹脂薄膜包含碘且具有相互對向之第一主面及第二主面。在一實施形態中,係在以下狀態下對樹脂薄膜之端面進行化學改質:於樹脂薄膜之第一主面配置有第一保護材,且於樹脂薄膜之第二主面配置有第二保護材。具體而言,係準備具有第一保護材、樹脂薄膜及第二保護材之積層物,並對該積層物之樹脂薄膜的端面進行化學改質。藉由使用所述積層物,例如可對樹脂薄膜之端面選擇性地進行化學改質。
圖2係示意截面圖,係顯示用於製造本發明第一實施形態之偏光件的積層物的概略構成。積層物100依序具有第一保護材1、樹脂薄膜10及第二保護材2。樹脂薄膜10具有相互對向之第一主面10a及第二主面10b,於樹脂薄膜10之第一主面10a配置有第一保護材1,且於樹脂薄膜10之第二主面10b配置有第二保護材2。第一保護材1從樹脂薄膜10側起依序包含第一保護層21及表面保護薄膜60。第二保護材2從樹脂薄膜10側起依序具有第二保護層22、相位差層30、黏著劑層40及剝離薄膜(分離件)50。
表面保護薄膜60包含基材61與形成於基材61之單側的黏著劑層62,且係對第一保護層21以可剝離之方式貼合。相位差層30具有包含第一相位差層31及第二相位差層32之積層結構。剝離薄膜50係對黏著劑層40以可剝離之方式貼合,且可保護黏著劑層40。藉由使用剝離薄膜50,例如可形成積層物100之捲料。
在圖中示例中,相位差層30具有包含第一相位差層31及第二相位差層32之積層結構,但亦可與圖中示例不同;相位差層30可具有三層以上之積層結構,亦可做成單一層。
圖3係示意截面圖,係顯示用於製造本發明第二實施形態之偏光件的積層物的概略構成。在第二實施形態中,積層物100之第二保護材2不含第二保護層22及相位差層30這點係與上述第一實施形態不同。
構成積層物之各構件可透過任意適當之接著層(一部分未圖示)積層。接著層之具體例可舉接著劑層、黏著劑層。具體而言,保護層21、22代表上係透過接著劑層貼合於樹脂薄膜10上。相位差層30可透過接著劑層(宜使用活性能量線硬化型接著劑)貼合於第二保護層22上,亦可透過黏著劑層(例如丙烯酸系黏著劑)貼合於第二保護層22上。如圖所示,相位差層30具有二層以上之積層結構時,相位差層彼此例如可透過接著劑層(宜使用活性能量線硬化型接著劑)貼合。
積層物可為長條狀,亦可為單片狀。此處,所謂「長條狀」係指相對於寬度而言長度足夠長的細長形狀,例如係指相對於寬度而言長度為10倍以上、宜為20倍以上之細長形狀。長條狀積層物可捲繞成捲狀。
B-1.樹脂薄膜
上述積層物中所含之樹脂薄膜可以任意適當之方法製作。在一實施形態中,係藉由包含以下步驟之方法來製作:對聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯・乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜施行利用碘或二色性染料等二色性物質進行之染色處理與延伸處理。該方法亦可進一步包含有不溶解處理、膨潤處理、交聯處理等。所述製作方法為本業界眾所皆知且慣用,故省略詳細說明。
在另一實施形態中,上述積層物中所含之樹脂薄膜係使用樹脂基材與樹脂層(代表上為PVA系樹脂層)之積層體來製作。例如可藉由下述方式來製作:將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材並使其乾燥,於樹脂基材上形成PVA系樹脂層,而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層的積層體;以及,將該積層體延伸及染色。本實施形態中,宜於樹脂基材之單側形成含鹵化物與PVA系樹脂之PVA系樹脂層。延伸在代表上包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中來延伸。並且視需要,延伸可更包含:在硼酸水溶液中進行延伸前將積層體在高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸。並且,在本實施形態中,宜將積層體供於乾燥收縮處理,該乾燥收縮處理係一邊往長邊方向輸送一邊加熱藉此使其於寬度方向上收縮2%以上。代表上,本實施形態之製造方法包含對積層體依序施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸,即便是在將PVA塗佈於熱塑性樹脂基材上之情況下仍可提升PVA之結晶性,而可達成高光學特性。又,同時事先提高PVA之定向性,可在後續的染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時,防止PVA之定向性降低或溶解等問題,而可達成高光學特性。並且,以將PVA系樹脂層浸漬於液體之情況來說,相較於PVA系樹脂層不含鹵化物之情況,更可抑制PVA分子之定向紊亂及定向性之降低,而可達成高光學特性。並且,藉由乾燥收縮處理使積層體於寬度方向上收縮,可達成高光學特性。樹脂基材可作為保護材使用,可直接作為所得偏光件之保護層使用,亦可從樹脂基材/PVA系樹脂層之積層體剝離。所述樹脂薄膜(偏光件)之製造方法的詳細內容記載於例如日本專利特開2012-73580號公報、日本專利第6470455號中。本說明書中係引用該等公報整體之記載作為參考。
B-2.保護層
上述保護層可透過作為偏光件保護層所能使用之任意適當薄膜來形成。作為成為該薄膜之主成分的材料之具體例,可列舉:三醋酸纖維素(TAC)等之纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系等之環烯烴系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系及乙酸酯系等之透明樹脂。
雖於後再述,由上述積層物獲得之偏光板(附相位差層之偏光板)代表上係配置於影像顯示裝置之視辨側,而第一保護層21係配置於視辨側。因此,第一保護層21亦可視需要施行有硬塗(HC)處理、抗反射處理、抗黏著處理、防眩處理等表面處理。
保護層之厚度宜為5µm~80µm,較宜為10µm~40µm,更宜為15µm~35µm。此外,在施有上述表面處理時,第一保護層21之厚度係包含表面處理層之厚度的厚度。
配置於樹脂薄膜10與相位差層30之間的第二保護層22在一實施形態中,宜於光學上為各向同性。本說明書中,「於光學上為各向同性」意指面內相位差Re(550)為0nm~10nm,且厚度方向之相位差Rth(550)為-10nm~+10nm。配置於樹脂薄膜10與相位差層30之間的第二保護層22之厚度宜為5µm~80µm,較宜為10µm~40µm,更宜為10µm~30µm。
B-3.相位差層
上述相位差層之厚度會因其構成(為單一層或具有積層結構)而異,惟宜為10µm以下,較宜為8µm以下,更宜為6µm以下。另一方面,相位差層之厚度例如為1µm以上。此外,相位差層為積層結構時,「相位差層之厚度」意指各相位差層之厚度的合計。具體上,「相位差層之厚度」不包含接著層之厚度。
上述相位差層宜可使用液晶化合物之定向固化層(液晶定向固化層)。藉由使用液晶化合物,例如可使所得相位差層的nx與ny之差比非液晶材料大上甚多,因此,用以獲得所期望之面內相位差的相位差層其厚度可縮小甚多。因此,可實現附相位差層之偏光板之顯著的薄型化。本說明書中所謂「定向固化層」係指液晶化合物在層內於預定方向定向,且其定向狀態經固定之層。此外,「定向固化層」之概念包含如後述使液晶單體硬化而得之定向硬化層。以相位差層來說,代表上係棒狀液晶化合物沿相位差層之慢軸方向排列之狀態下定向(沿面定向)。
上述液晶定向固化層可藉由下述方式來形成:對預定基材之表面施行定向處理,並於該表面塗敷含液晶化合物的塗敷液,使該液晶化合物於對應上述定向處理之方向定向,並固定該定向狀態。定向處理可採用任意適當之定向處理。具體上可舉機械性定向處理、物理性定向處理、化學性定向處理。機械性定向處理的具體例可舉磨擦處理、延伸處理。物理性定向處理的具體例可舉磁場定向處理、電場定向處理。化學性定向處理的具體例可舉斜向蒸鍍法、光定向處理。各種定向處理的處理條件可按目的採用任意適當之條件。
液晶化合物的定向可因應液晶化合物的種類在可展現液晶相之溫度下進行處理來進行。藉由進行所述溫度處理,液晶化合物會變為液晶狀態,而該液晶化合物會因應基材表面之定向處理方向而定向。
在一實施形態中,定向狀態之固定係藉由冷卻依上述方式定向之液晶化合物來進行。當液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體時,定向狀態之固定係藉由對依上述方式定向之液晶化合物施行聚合處理或交聯處理來進行。
液晶化合物之具體例及定向固化層的形成方法的詳細內容記載於日本專利特開2006-163343號公報中。本說明書中係援用該公報之記載作為參考。
相位差層如上述可為單一層,亦可具有二層以上之積層結構。
與圖中示例不同,相位差層為單一層時在一實施形態中,相位差層可作為λ/4板發揮功能。具體上,相位差層之Re(550)宜為100nm~180nm,較宜為110nm~170nm,更宜為110nm~160nm。相位差層之厚度可為了獲得λ/4板之所期望的面內相位差而進行調整。相位差層為上述液晶定向固化層時,其厚度例如為1.0µm~2.5µm。本實施形態中,相位差層的慢軸與偏光件的吸收軸形成之角度宜為40°~50°,較宜為42°~48°,更宜為44°~46°。又,相位差層宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。
相位差層為單一層時在另一實施形態中,相位差層可作為λ/2板發揮功能。具體上,相位差層之Re(550)宜為200nm~300nm,較宜為230nm~290nm,更宜為230nm~280nm。相位差層之厚度可為了獲得λ/2板之所期望的面內相位差而進行調整。相位差層為上述液晶定向固化層時,其厚度例如為2.0µm~4.0µm。本實施形態中,相位差層的慢軸與偏光件的吸收軸形成之角度宜為10°~20°,較宜為12°~18°,更宜為12°~16°。
如圖所示,相位差層30具有積層結構時在一實施形態中,相位差層30具有從樹脂薄膜10側起依序配置有第一相位差層(H層)31與第二相位差層(Q層)32之二層的積層結構。H層代表上可作為λ/2板發揮功能,而Q層代表上可作為λ/4板發揮功能。具體上,H層之Re(550)宜為200nm~300nm,較宜為220nm~290nm,更宜為230nm~280nm;Q層之Re(550)宜為100nm~180nm,較宜為110nm~170nm,更宜為110nm~150nm。H層之厚度可為了獲得λ/2板之所期望的面內相位差而進行調整。H層為上述液晶定向固化層時,其厚度例如為2.0µm~4.0µm。Q層之厚度可為了獲得λ/4板之所期望的面內相位差而進行調整。Q層為上述液晶定向固化層時,其厚度例如為1.0µm~2.5µm。本實施形態中,H層的慢軸與偏光件的吸收軸形成之角度宜為10°~20°,較宜為12°~18°,更宜為12°~16°;Q層的慢軸與偏光件的吸收軸形成之角度宜為70°~80°,較宜為72°~78°,更宜為72°~76°。此外,H層及Q層之配置順序亦可相反,且H層的慢軸與偏光件的吸收軸構成之角度及Q層的慢軸與偏光件的吸收軸構成之角度亦可相反。又,各層(例如H層及Q層)可展現相位差值隨測定光之波長變大的逆色散波長特性,亦可展現相位差值隨測定光之波長變小的正波長色散特性,又可展現相位差值幾乎不隨測定光之波長變化的平坦的波長色散特性。
相位差層(具有積層結構時則為至少一層)代表上折射率特性係展現nx>ny=nz之關係。此外,「ny=nz」不只ny與nz完全相同之情況,還包含實質上相同之情況。因此,在不損及本發明效果之範圍下會有成為ny>nz或ny<nz之情形。相位差層的Nz係數宜為0.9~1.5,較宜為0.9~1.3。
如上述,相位差層宜為液晶定向固化層。上述液晶化合物可舉例如液晶相為向列相之液晶化合物(向列型液晶)。所述液晶化合物例如可使用液晶聚合物或液晶單體。液晶化合物之液晶性的表現機構可為溶致亦可為熱致。液晶聚合物及液晶單體各自可單獨使用,亦可組合。
液晶化合物為液晶單體時,該液晶單體宜為聚合性單體及交聯性單體。其係因藉由使液晶單體聚合或交聯(亦即硬化)可固定液晶單體的定向狀態之故。在使液晶單體定向之後,例如若使液晶單體彼此聚合或交聯,便可藉此固定上述定向狀態。在此係藉由聚合來形成聚合物,藉由交聯來形成3維網目結構,而該等為非液晶性。因此,所形成之相位差層例如不會發生液晶性化合物特有之因溫度變化而轉變為液晶相、玻璃相、結晶相之情形。結果相位差層會成為不受溫度變化影響而穩定性極優異的相位差層。
液晶單體展現液晶性之溫度範圍會因其種類而異。具體來說,該溫度範圍宜為40℃~120℃,更宜為50℃~100℃,最宜為60℃~90℃。
上述液晶單體可採用任意適當之液晶單體。例如可使用日本專利特表2002-533742(WO00/37585)、EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171及GB2280445等中記載之聚合性液晶原化合物等。所述聚合性液晶原化合物之具體例可舉例如BASF公司之商品名LC242、Merck公司之商品名E7、Wacker-Chem公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。液晶單體宜為向列性液晶單體。
在另一實施形態中,相位差層30具有第一相位差層31與第二相位差層32之積層結構,第一相位差層31可作為λ/4板發揮功能,第二相位差層32係折射率特性展現nz>nx=ny之關係者(所謂正C板)。λ/4板之詳細內容如同上述。本實施形態中,第一相位差層的慢軸與偏光件的吸收軸形成之角度宜為40°~50°,較宜為42°~48°,更宜為44°~46°。又,第一相位差層宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。
上述正C板之厚度方向的相位差Rth(550)宜為-50nm~-300nm,較宜為-70nm~-250nm,更宜為-90nm~-200nm,尤宜為-100nm~-180nm。在此,「nx=ny」不僅包含nx與ny嚴格上相等之情況,還包含nx與ny實質上相等之情況。正C板之面內相位差Re(550)例如小於10nm。
具有nz>nx=ny之折射率特性的第二相位差層可以任意適當之材料形成,宜由包含固定成垂面定向之液晶材料的薄膜構成。可使垂面定向的液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體,亦可為液晶聚合物。該液晶化合物及該相位差層之形成方法的具體例可舉日本專利特開2002-333642號公報之段落[0020]~[0028]中記載之液晶化合物及該相位差層之形成方法。此時,第二相位差層之厚度宜為0.5µm~5µm。
B-4.表面保護薄膜
上述表面保護薄膜之基材可以任意適當之材料形成。形成材料之具體例可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯系聚合物;二醋酸纖維素、三醋酸纖維素等纖維素系聚合物;聚碳酸酯系聚合物;聚甲基丙烯酸甲酯等(甲基)丙烯酸系聚合物;聚降𦯉烯等環烯烴系聚合物。該等可單獨使用亦可組合二種以上來使用。
表面保護薄膜之基材的厚度例如為10µm以上且100µm以下,宜為15µm以上且90µm以下,較宜為25µm以上且80µm以下。
上述表面保護薄膜之黏著劑層可採用任意適當之構成。具體例可舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、環氧系黏著劑及聚醚系黏著劑。藉由調整形成黏著劑之基底樹脂的單體的種類、數量、組合及摻混比、以及交聯劑的摻混量、反應溫度、反應時間等,可調製出具有符合目的之所期望特性的黏著劑。黏著劑之基底樹脂可單獨使用亦可組合二種以上來使用。基底樹脂宜為丙烯酸樹脂(具體而言,黏著劑層宜以丙烯酸系黏著劑構成)。黏著劑層之厚度例如為5µm~15µm。黏著劑層在25℃下之儲存彈性模數例如為1.0×10
5Pa~1.0×10
7Pa。
表面保護薄膜之厚度例如為30µm以上且100µm以下。
B-5.黏著劑層
黏著劑層40之厚度宜為10µm~20µm。構成黏著劑層40之黏著劑的詳細內容係與上述表面保護薄膜所含之黏著劑層相同。
B-6.剝離薄膜
上述剝離薄膜可以任意適當之塑膠薄膜構成。塑膠薄膜之具體例可舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜。剝離薄膜可作為分離件發揮功能。具體而言,剝離薄膜可適宜使用表面經剝離劑塗覆之塑膠薄膜。剝離劑之具體例可舉聚矽氧系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑。
剝離薄膜之厚度宜為20µm~80µm,較宜為35µm~55µm。
B-7.積層物之製作
本發明實施形態之積層物可藉由於樹脂薄膜之第一主面配置第一保護材、且於樹脂薄膜之第二主面配置第二保護材來獲得。具體上,可藉由於樹脂薄膜積層構成第一保護材及第二保護材之各層來獲得。各層之積層例如可一邊將該等進行捲料輸送(所謂捲對捲)來進行。
上述相位差層之積層代表上係藉由將形成於基材之液晶定向固化層轉印來進行。如圖所示,相位差層具有積層結構時,可將各相位差層依序積層(轉印)於樹脂薄膜上,亦可將相位差層之積層物積層(轉印)於樹脂薄膜上。轉印例如係使用活性能量線硬化型接著劑來進行。活性能量線硬化型接著劑之硬化後之厚度(接著劑層之厚度)宜為0.4µm以上,較宜為0.4µm~3.0µm,更宜為0.6µm~1.5µm。
B-8.化學改質
上述化學改質例如可因應所用改質劑的性質,藉由任意適當之方法來進行。例如可藉由氣相反應來進行。具體而言,可藉由將上述積層物放置於含經汽化之改質劑的氣體環境下來進行。採用氣相反應時,反應時間例如為30秒~60分鐘。其他例可藉由液相反應來進行。具體上,可將含改質劑之反應液塗敷於上述積層物(例如積層物之端面),亦可將上述積層物浸漬於含改質劑之反應液中。採用浸漬進行之液相反應時,浸漬時間例如為10秒~5分鐘。
在一實施形態中,在圖2所示之積層物100中,與樹脂薄膜10之第一主面10a鄰接配置之層(第一保護層)21以及與樹脂薄膜10之第二主面10b鄰接配置之層(第二保護層)22的端部係藉由化學改質而變形(例如係藉由溶解於改質劑中),並覆蓋樹脂薄膜10之端面10c。在此,層21所含之成分及層22所含之成分宜可藉由改質劑而變形(例如溶解於改質劑中)。例如,層21及層22宜包含TAC等纖維素系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂等之樹脂。層21的形成材料與層22的形成材料可相同亦可不同,惟層21與層22宜包含共通的成分。此外,本說明書中,所謂鄰接還包含隔著接著層相鄰之情形。
C.偏光板(附相位差層之偏光板)
對上述積層物進行化學改質而得之偏光板(附相位差層之偏光板)代表上可用於影像顯示面板。在實際應用上,所得之偏光板(附相位差層之偏光板)可藉由黏著劑層40貼附於影像顯示面板本體。剝離薄膜50在所得之偏光板(附相位差層之偏光板)供於使用之前可作為暫時黏附之分離件發揮功能。
在上述實施形態中,可將樹脂薄膜之保護材直接作為製品使用,惟不受所述形態所限。例如,亦可另外使用適當之保護材製作積層物並進行化學改質,然後從該積層物去除保護材後獲得偏光件,並於該偏光件積層上述保護層或上述相位差層之至少一者而獲得偏光板。
實施例
以下,藉由實施例來具體說明本發明,惟本發明不受該等實施例所限。此外,厚度係藉由下述測定方法測定之值。又,只要無特別註記,實施例及比較例中之「份」及「%」即為重量基準。
<厚度>
10µm以下的厚度係使用掃描型電子顯微鏡(日本電子公司製,製品名「JSM-7100F」)進行測定。大於10µm的厚度係使用數位測微器(Anritsu公司製,產品名「KC-351C」)進行測定。
[實施例1-1]
(樹脂薄膜之製作)
作為熱塑性樹脂基材係使用長條狀且Tg約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度:100µm),並對該樹脂基材之單面施行了電暈處理。
在以9:1混合聚乙烯醇(聚合度4200,皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(日本合成化學工業公司製,商品名「GOHSEFIMER」)而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份,並將所得者溶於水中而調製出PVA水溶液(塗佈液)。
於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下乾燥,藉此形成厚度13µm之PVA系樹脂層,而製作出積層體。
將所得積層體於130℃之烘箱內往縱向(長邊方向)進行單軸延伸成2.4倍(空中輔助延伸處理)。
接著,使積層體浸漬於液溫40℃的不溶解浴(相對於水100重量份摻混4重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。
接著,於液溫30℃之染色浴(相對於水100重量份,以1:7之重量比摻混碘與碘化鉀而得之碘水溶液)中調整濃度的同時使其浸漬於其中60秒鐘,以使最後所得偏光件之單體透射率(Ts)成為所期望之值(染色處理)。
接著,使其浸漬於液溫40℃的交聯浴(相對於水100重量份摻混3重量份之碘化鉀並摻混5重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。
然後,一邊使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%)中,一邊在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸處理)。
之後,使積層體浸漬於液溫20℃的洗淨浴(相對於水100重量份摻混4重量份之碘化鉀而得之水溶液)中(洗淨處理)。
之後,一邊在保持於約90℃之烘箱中乾燥,一邊使其接觸表面溫度保持於約75℃之SUS製加熱輥(乾燥收縮處理)。
依上述方式,於樹脂基材上形成厚度約5µm之樹脂薄膜,而獲得具有樹脂基材/樹脂薄膜之構成的積層體。
(積層物A之製作)
透過紫外線硬化型接著劑將HC-TAC薄膜(厚度32µm)貼合於上述積層體之樹脂薄膜側作為第一保護層。HC-TAC薄膜係TAC薄膜(厚度25µm)上形成有硬塗(HC)層(厚度7µm)之薄膜,且TAC薄膜係貼合成為樹脂薄膜側。然後,於HC-TAC薄膜貼合表面保護薄膜(厚度48µm)。表面保護薄膜係一於PET系薄膜(厚度38µm)形成有黏著劑層(厚度10µm)之薄膜。依上述方式,於樹脂薄膜之單側形成第一保護材。
從上述積層體剝離樹脂基材後,於樹脂薄膜之另一側形成厚度15µm之黏著劑層,並貼合分離件(PET系薄膜,厚度38µm)。依上述方式,於樹脂薄膜之另一側形成第二保護材而獲得積層物A。
(化學改質1)
將所得長條狀積層物沿長邊方向及寬度方向切斷,製作出10片30mm×30mm之單片狀積層物。此外,長邊方向係相當於偏光件之吸收軸方向。
將10片所得之單片狀積層物疊合,並於其最上面與最下面配置未發泡之聚苯乙烯(PS)片,而獲得積層物集合體。
將裝有所得積層物集合體及4ml之三氟乙酸酐(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製,純度98.0%以上)之容器(杯子),放入內部充滿氮之聚乙烯製袋子(Asahi Kasei Home Products Corporation.製,Ziploc(註冊商標)冷凍保鮮袋,268mm×273mm)並密封,在室溫下靜置30分鐘。
依上述方式而獲得偏光件(偏光板)。
[實施例1-2]
於化學改質時,將上述靜置時間設為10分鐘,除此之外依與實施例1-1相同方式而獲得偏光件(偏光板)。
[實施例1-3]
於化學改質時,依下述程序進行對上述積層物集合體之處理,除此之外依與實施例1-1相同方式而獲得偏光件(偏光板)。
(化學改質2)
將所得積層物集合體在室溫下浸漬於裝有三氟乙酸酐之容器(杯子)中1分鐘。
[實施例1-4]
化學改質時,使用二氯二甲基矽烷(東京化成工業股份公司製,純度98.0%以上)來替代三氟乙酸酐,除此之外依與實施例1-3相同方式而獲得偏光件(偏光板)。
[實施例1-5]
於化學改質時,將上述浸漬時間設為2分鐘,除此之外依與實施例1-4相同方式而獲得偏光件(偏光板)。
[實施例2-1]
除了依下述程序製作積層物外,依與實施例1-3相同方式而獲得偏光件(附相位差層之偏光板)。
(樹脂薄膜之製作)
將厚度30µm之聚乙烯醇(PVA)系薄膜(Kuraray製,製品名「PE3000」)的長條捲料,利用輥延伸機往長邊方向進行單軸延伸使其沿長邊方向成為5.9倍,並同時依序施以膨潤、染色、交聯、洗淨處理後,最後施以乾燥處理而製出厚度12µm之樹脂薄膜。
上述膨潤處理係於20℃之純水中一邊進行處理一邊延伸成2.2倍。接著,染色處理係一邊於碘與碘化鉀之重量比為1:7之30℃的水溶液中進行處理一邊延伸成1.4倍,且該水溶液之碘濃度已調整成可使所得偏光件之單體透射率成為45.0%。接著,交聯處理係採用二階段之交聯處理,第一階段之交聯處理係一邊於40℃的溶有硼酸與碘化鉀的水溶液中進行處理一邊延伸成1.2倍。第一階段之交聯處理的水溶液之硼酸含量為5.0重量%,碘化鉀含量係設為3.0重量%。第二階段之交聯處理係一邊於65℃的硼酸與碘化鉀的水溶液中進行處理一邊延伸成1.6倍。第二階段之交聯處理的水溶液之硼酸含量設4.3重量%,碘化鉀含量係設為5.0重量%。接著,洗淨處理係以20℃之碘化鉀水溶液進行處理。洗淨處理之水溶液的碘化鉀含量係設為2.6重量%。最後,在70℃下進行5分鐘乾燥處理而獲得樹脂薄膜。
(相位差層之製作)
將顯示向列型液晶相的聚合性液晶(BASF公司製:商品名「Paliocolor LC242」,以下述式表示)10g與對該聚合性液晶化合物的光聚合引發劑(BASF公司製:商品名「IRGACURE 907」)3g溶解至甲苯40g中,調製出液晶組成物(塗敷液)。
[化學式1]
使用擦拭布擦拭聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(厚度38µm)表面,施行定向處理。定向處理之方向係設為積層於樹脂薄膜(偏光件)時由視辨側觀看時相對於樹脂薄膜的吸收軸方向呈15°方向。利用棒塗機將上述液晶塗敷液塗敷至該定向處理表面,並於90℃下進行2分鐘加熱乾燥,藉此使液晶化合物定向。使用金屬鹵素燈對依上述方式形成的液晶層照射1mJ/cm
2的光,使該液晶層硬化,藉此於PET薄膜上形成液晶定向固化層A(H層)。液晶定向固化層A之厚度為2.5µm,面內相位差Re(550)為270nm。並且,液晶定向固化層A展現出nx>ny=nz之折射率特性。
變更塗敷厚度、及將定向處理方向設為由視辨側觀看時相對於樹脂薄膜(偏光件)的吸收軸方向呈75°方向,除此之外依與上述相同方式於PET薄膜上形成液晶定向固化層B(Q層)。液晶定向固化層B的厚度為1.5μm,面內相位差Re(550)為140nm。並且,液晶定向固化層B展現出nx>ny=nz之折射率特性。
(積層物B之製作)
透過PVA系接著劑,於上述樹脂薄膜之單側貼合HC-TAC薄膜(厚度32µm)作為第一保護層。HC-TAC薄膜係TAC薄膜(厚度25µm)上形成有硬塗(HC)層(厚度7µm)之薄膜,且TAC薄膜係貼合成為樹脂薄膜側。然後,於HC-TAC薄膜貼合表面保護薄膜(厚度48µm)。表面保護薄膜係一於PET系薄膜(厚度38µm)形成有黏著劑層(厚度10µm)之薄膜。依上述方式,於樹脂薄膜之單側形成第一保護材。
於樹脂薄膜之另一側,透過PVA系接著劑貼合Re(550)為0nm之TAC薄膜(厚度25µm)作為第二保護層。接著,於TAC薄膜依序轉印所得之液晶定向固化層A(H層)及液晶定向固化層B(Q層)。此時,係以樹脂薄膜(偏光件)的吸收軸與定向固化層A的慢軸形成之角度成為15°且樹脂薄膜(偏光件)的吸收軸與定向固化層B的慢軸形成之角度成為75°的方式進行轉印(貼合)。各自之轉印係透過紫外線硬化型接著劑(厚度1.0µm)來進行。然後,於液晶定向固化層B上形成厚度15µm之黏著劑層,並貼合分離件(PET系薄膜,厚度38µm)。依上述方式,於樹脂薄膜之另一側形成第二保護材而獲得積層物B。
[實施例2-2]
化學改質時,使用二氯二甲基矽烷來替代三氟乙酸酐,除此之外依與實施例2-1相同方式而獲得偏光件(附相位差層之偏光板)。
[實施例3]
除了依下述程序製作積層物外,依與實施例1-3相同方式而獲得偏光件(附相位差層之偏光板)。
(積層物C之製作)
使用實施例1-1中所用之厚度5µm之樹脂薄膜來替代厚度12µm之樹脂薄膜,除此之外依與實施例2-1相同方式而獲得積層物C。
[比較例1]
除了未對所得積層物進行化學改質外,依與實施例1-1相同方式而獲得偏光件(偏光板)。
[比較例2]
除了未對所得積層物進行化學改質外,依與實施例2-1相同方式而獲得偏光件(附相位差層之偏光板)。
[比較例3]
除了未對所得積層物進行化學改質外,依與實施例3相同方式而獲得偏光件(附相位差層之偏光板)。
<評估>
針對各實施例及比較例評估耐久性(端部之脫色情形)。並亦進行了FT-IR測定。
1.耐久性(端部脫色)
從實施例及比較例所得之偏光板(附相位差層之偏光板)剝離表面保護薄膜及分離件,並將其貼合於玻璃板上。於該狀態下靜置於65℃、90%RH之烘箱內240小時後,確認是否有從偏光件之端部發生脫色。確認係藉由在交叉透射(使已沿偏光件之吸收軸方向偏光之入射光透射之條件)下,以顯微鏡觀察偏光件之吸收軸方向的端邊來進行。具體而言,係從偏光板之端部以肉眼判斷成為與偏光板中央部相同色調之位置,並利用顯微鏡之測長程式測定從偏光板之端部至成為與偏光板中央部相同色調之位置為止之距離(端部脫色寬度)。
2.FT-IR測定
另外準備各實施例及比較例中所用之樹脂薄膜(偏光件),對其以與各實施例及比較例相同之條件進行化學改質,並將所得者供於FT-IR測定。具體而言,係使用與可利用ATR法(全反射吸收法)進行測定之附件(PerkinElmer公司製,Universal ATR Sampling Accessor)連接之傅立葉轉換紅外線分光分析裝置(PerkinElmer公司製,商品名「Frontier」)來進行吸光度測定。
此外,測定條件如下。
・紅外線之入射角:45°
・解析度:4cm
-1・ATR結晶:Ge的ATR結晶(折射率=4.0)
・測定範圍:600cm
-1~4000cm
-1(Ge的ATR結晶)
・累積次數:8次
從所得光譜算出1787cm
-1下之吸光度(A
1787)相對於2940cm
-1下之吸光度(A
2940)的比(A
1787/A
2940)。
將耐久性之評估結果(端部脫色寬度)列於表1及圖4A-4C(實施例2-1、 2-2及比較例2之觀察照片)中。並將FT-IR測定之結果列於表1及圖5(實施例1-1、1-2、1-3及比較例1)中。
從表1可知,脫色有被化學改質抑制住。
使用掃描型電子顯微鏡(Hitachi High-Technologies公司製,製品名「S-4800」)及能量分散型X射線分析裝置(HORIBA公司製,製品名「EMAX ENERGY」),進行實施例1-1及實施例1-5中所得之偏光板(試樣)的端部的元素分析。結果,在實施例1-1中,於試樣的端面附近檢測出氟,而未於自試樣端面往面內方向前進30µm之位置檢測出氟。又,在實施例1-5中,於試樣的端面附近檢測出矽,而未於自試樣端面往面內方向前進20µm之位置檢測出矽。
又,關於實施例2-1之附相位差層之偏光板,如圖6之截面SEM觀察照片所示,確認到偏光件pol的端面業經保護層TAC之變形部(虛線圍起之部分)被覆。吾等認為:在變形部(被覆部)中有檢測出氟,而保護層(TAC薄膜)的端部藉由化學改質而變形(具體而言為溶解於改質劑中並固化)而被覆住偏光件端面。如圖6所示,虛線圍起之變形部係接連第一保護層TAC及第二保護層TAC而形成。
關於實施例3中亦確認有相同之狀態。另一方面,關於實施例1-3並未確認有形成所述之變形部(被覆部)。
產業上之可利用性
本發明實施形態之偏光件例如可用於液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置等影像顯示裝置。
1:第一保護材
2:第二保護材
10:偏光件(樹脂薄膜)
10a:第一主面
10b:第二主面
10c:端面
10d:端部
21:第一保護層
22:第二保護層
30:相位差層
31:第一相位差層
32:第二相位差層
40:黏著劑層
50:剝離薄膜
60:表面保護薄膜
61:基材
62:黏著劑層
100:積層物
圖1係本發明一實施形態之偏光件的示意截面圖。
圖2係示意截面圖,係顯示用於製造本發明第一實施形態之偏光件的積層物的概略構成。
圖3係示意截面圖,係顯示用於製造本發明第二實施形態之偏光件的積層物的概略構成。
圖4A係顯示實施例2-1之耐久性的評估結果的觀察照片。
圖4B係顯示實施例2-2之耐久性的評估結果的觀察照片。
圖4C係顯示比較例2之耐久性的評估結果的觀察照片。
圖5係顯示對應實施例1-1、1-2、1-3及比較例1之FT-IR光譜的圖。
圖6係實施例2-1之附相位差層之偏光板的端部的截面SEM觀察照片(倍率:5倍)。
10:偏光件(樹脂薄膜)
10a:第一主面
10b:第二主面
10c:端面
10d:端部
Claims (12)
- 一種偏光件,係由樹脂薄膜構成,該樹脂薄膜包含碘且具有相互對向之第一主面及第二主面;且 於端面具有前述樹脂薄膜經化學改質之化學改質部;並且 前述化學改質部之疏水性高於未經化學改質之其他部位。
- 如請求項1之偏光件,其中前述化學改質部包含含氟之基。
- 如請求項2之偏光件,其中前述含氟之基包含三氟乙醯基。
- 如請求項1至3中任一項之偏光件,其中前述化學改質部係業經三氟乙酸酐進行化學改質。
- 如請求項1至4中任一項之偏光件,其中前述端面藉由ATR測定所得之FT-IR光譜中,1787cm -1下之吸光度相對於2940cm -1下之吸光度的比大於0.2。
- 如請求項1至5中任一項之偏光件,其中包含前述端面之端部係含有氟。
- 如請求項1至6中任一項之偏光件,其中前述化學改質部係業經矽化劑進行化學改質。
- 如請求項1至7中任一項之偏光件,其中包含前述端面之端部係含有矽。
- 如請求項1至8中任一項之偏光件,其具有被覆前述樹脂薄膜之端面的被覆部。
- 一種偏光件之製造方法,係製造如請求項1至9中任一項之偏光件的方法,該製造方法包含下列步驟: 準備積層物,該積層物具有: 樹脂薄膜,其包含碘且具有相互對向之第一主面與第二主面; 第一保護材,係配置於前述第一主面;及 第二保護材,係配置於前述第二主面;以及 對前述積層物之前述樹脂薄膜的端面進行化學改質。
- 一種偏光板,具有: 如請求項1至9中任一項之偏光件;及 保護層或相位差層之至少一者。
- 一種偏光板之製造方法,係製造如請求項11之偏光板的方法,該製造方法包含下列步驟: 準備積層物,該積層物具有: 樹脂薄膜,其包含碘且具有相互對向之第一主面與第二主面; 第一保護材,係配置於前述第一主面;及 第二保護材,係配置於前述第二主面;以及 對前述積層物之前述樹脂薄膜的端面進行化學改質; 並且,前述保護材包含前述保護層或前述相位差層之至少一者。
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