TW202242213A - 雷射加工裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種可以抑制SiC晶錠的檢查結果之錯誤的雷射加工裝置。 [解決手段]一種雷射加工裝置，包含：工作夾台，以保持面保持SiC晶錠；雷射光線照射單元，對SiC晶錠將雷射光線的聚光點定位在距離第1面相當於應生成之晶圓的厚度之深度來照射雷射光線，而形成SiC分離成Si與C並且裂隙沿著c面而伸長之剝離層；移動單元，使工作夾台與雷射光線照射單元相對地移動；及剝離層檢查單元，照射對SiC晶錠具有穿透性且會在剝離層反射之波長的檢查光，並從反射之光的強度來檢查剝離層。保持面是會吸收檢查光之顏色。

Description

雷射加工裝置
本發明是有關於一種雷射加工裝置，特別是有關於一種雷射加工裝置的工作夾台。
IC、LSI、LED、功率器件等之器件是在以Si(矽)或Al 2O 3(藍寶石)、單晶SiC(碳化矽)等作為素材之晶圓的正面積層功能層並於該功能層藉由交叉之複數條分割預定線來區劃而形成。形成有器件之晶圓，是藉由切削裝置、雷射加工裝置對分割預定線施行加工而分割成一個個的器件，並將分割後之各器件利用於行動電話或個人電腦等電氣機器上。
可形成器件之晶圓一般是藉由將圓柱形狀的晶錠以線鋸薄薄地切斷來生成。已切斷之晶圓的正面以及背面可藉由研磨來加工成鏡面。但是，若將晶錠以線鋸切斷，並研磨經切斷之晶圓的正面及背面時，變得要將晶錠的大部分(70~80%)捨棄，而有不符經濟效益之問題。尤其在SiC晶錠中，在下述情形中具有課題：由於硬度高以線鋸進行的切斷較困難而需要相當的時間所以生產性差，並且晶錠的單價高而要有效率地生成晶圓。
於是，本案申請人提出了以下之技術方案：將對單晶SiC具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位於SiC晶錠的內部，並對SiC晶錠照射雷射光線而在切斷預定面形成剝離層，且沿著形成有剝離層之切斷預定面來從SiC晶錠剝離晶圓(參照例如專利文獻1)。
但是，若SiC晶錠的高度因為重複晶圓的剝離而減少且在切斷預定面的結晶構造產生變化時，會有以下問題：要以起初的加工條件來沿著切斷預定面形成恰當的剝離層會變困難。於是，構思了以下方法：在雷射加工中或雷射加工後，對剝離層照射檢查光，並從其反射光的亮度來確認是否已適當地形成有剝離層(參照例如專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特許第6399913號公報 專利文獻2：日本特開2020-205312號公報
發明欲解決之課題
不過，專利文獻2所示之晶圓之生成方法具有以下課題：當SiC晶錠變薄時，會由於被工作夾台(的保持面)反射之檢查光的影響，而導致所攝影之圖像的亮度增加，且改變剝離層的檢查結果，而有會讓各剝離層的檢查結果出錯之疑慮。
據此，本發明之目的在於提供一種可以抑制SiC晶錠的檢查結果之錯誤的雷射加工裝置。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種雷射加工裝置，在SiC晶錠形成剝離層，前述雷射加工裝置具備：工作夾台，以保持面保持SiC晶錠；雷射光線照射單元，包含聚光器，前述聚光器將對SiC具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在距離SiC晶錠的上表面相當於應生成之晶圓的厚度之深度來對SiC晶錠照射雷射光線，而形成SiC分離成Si與C並且裂隙沿著c面而伸長之剝離層；移動單元，使該工作夾台與該雷射光線照射單元相對地移動；及剝離層檢查單元，照射對SiC晶錠具有穿透性且會在該剝離層反射之波長的檢查光，並從反射之光的強度來檢查該剝離層， 該工作夾台的該保持面是會吸收該檢查光之顏色。
較佳的是，該檢查光是可見光。
較佳的是，該工作夾台的該保持面是藉由多孔板來形成。
較佳的是，該多孔板是以玻璃多孔質(glass porous)所構成。 發明效果
根據本發明，會發揮可以抑制SiC晶錠的檢查結果的錯誤之效果。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明的實施形態，一面參照圖式一面詳細地說明。本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而受到限定之發明。又，在以下所記載之構成要素中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可以容易地設想得到的構成要素、實質上相同的構成要素。此外，以下所記載之構成是可合宜組合的。又，只要在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行構成的各種省略、置換或變更。
[第1實施形態] 根據圖式來說明本發明之第1實施形態的雷射加工裝置1。圖1是顯示第1實施形態的雷射加工裝置之構成例的立體圖。圖2是圖1所示之雷射加工裝置的加工對象之SiC晶錠的平面圖。圖3是圖2所示之SiC晶錠的側面圖。圖4是將圖2所示之SiC晶錠的一部分剝離而製造之晶圓的立體圖。圖5是將圖1所示之雷射加工裝置的工作夾台以局部剖面方式來顯示的側面圖。圖6是顯示圖1所示之雷射加工裝置在SiC晶錠形成剝離層之狀態的立體圖。圖7是顯示圖1所示之雷射加工裝置在SiC晶錠形成剝離層之狀態的一部分的剖面圖。
(SiC晶錠) 第1實施形態之圖1所示之雷射加工裝置1是對圖2所示之SiC晶錠200進行雷射加工之加工裝置。第1實施形態的雷射加工裝置1的加工對象即圖2及圖3所示之SiC晶錠200，在第1實施形態中是由SiC(碳化矽)所構成，且整體形成為圓柱狀。在第1實施形態中，SiC晶錠200是六方晶體單晶SiC晶錠。
如圖2及圖3所示，SiC晶錠200具有形成為圓形狀且為上表面之第1面201、第1面201的背面側之形成為圓形狀之第2面202、及和第1面201的外緣與第2面202的外緣相連之周面203。又，SiC晶錠200在周面203具有表示結晶方位之第1定向平面(orientation flat)204、與正交於第1定向平面204之第2定向平面205。第1定向平面204的長度204-1比第2定向平面205的長度205-1更長。
又，SiC晶錠200具有：相對於第1面201的的垂直線206朝向第2定向平面205之傾斜方向207傾斜了偏角α之c軸208、及正交於c軸208之c面209。c面209相對於SiC晶錠200的第1面201傾斜偏角α。c軸208的自垂直線206傾斜之傾斜方向207會和第2定向平面205的伸長方向正交，且和第1定向平面204平行。
c面209在SiC晶錠200中，可在SiC晶錠200的分子層級上設定為無數個。在第1實施形態中，雖然已將偏角α設定為1°、4°或6°，但在本發明中可以在例如1°~6°的範圍內自由地設定偏角α來製造SiC晶錠200。
又，SiC晶錠200是將第1面201藉由磨削裝置磨削加工後，藉由研磨裝置來研磨加工，而可將第1面201形成為鏡面。SiC晶錠200是可將第1面201側的一部分剝離，而將已被剝離之一部分生成為圖4所示之晶圓220之構成。又，SiC晶錠200存在有直徑210不同之複數個種類之晶錠。
圖4所示之晶圓220是將SiC晶錠200之包含第1面201之一部分作為晶圓220來剝離，且對從SiC晶錠200剝離後之剝離面221施行磨削加工、研磨加工等而被製造。晶圓220是在從SiC晶錠200剝離後，於正面形成器件。在第1實施形態中，雖然器件是MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體，Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor)、MEMS(微機電系統，Micro Electro Mechanical Systems)或SBD(肖特基能障二極體，Schottky Barrier Diode)，但在本發明中，器件並不限定於MOSFET、MEMS及SBD。再者，對晶圓220之和SiC晶錠200相同部分會附加相同符號而省略說明。
圖2及圖3所示之SiC晶錠200是在形成圖3所示之剝離層211後，以剝離層211為起點來將一部分亦即應生成之晶圓220分離、剝離。剝離層211是藉由第1實施形態之雷射加工裝置1來形成。又，SiC晶錠200會將晶圓220被剝離後之剝離面212藉由磨削加工、研磨加工來形成為鏡面，並在第1面201形成剝離面212，而再次形成剝離層211並剝離晶圓220。如此，SiC晶錠200會伴隨於晶圓220的剝離而厚度變薄，且可在成為預定的厚度以前形成剝離層211來剝離晶圓220。
(雷射加工裝置) 第1實施形態之雷射加工裝置1是在SiC晶錠200形成剝離層211之加工裝置。如圖1所示，雷射加工裝置1具有：工作夾台10，保持SiC晶錠200；雷射光線照射單元20；移動單元30；剝離層檢查單元40，對已保持在工作夾台10之SiC晶錠200照射檢查光41(顯示於圖1，在第1實施形態中為可見光)來檢查剝離層211；及控制單元100。
工作夾台10是以下之構成：設置在移動單元30的旋轉移動單元33，並以和水平方向平行之保持面11來保持SiC晶錠200。如圖1及圖5所示，工作夾台10具備構成吸引保持SiC晶錠200之保持面11之圓板狀的多孔板12、及包圍多孔板12的外周之基台13。
在第1實施形態中，基台13是由不鏽鋼等之金屬所構成，且為具有非通氣性之非多孔質體，並且形成為厚壁之圓板狀。基台13是設置在移動單元30的旋轉移動單元33上。如圖5所示，基台13將外徑形成得比SiC晶錠200更大徑，且在上表面131的中央設有供多孔板12安裝之凹部132。基台13在凹部132內安裝多孔板12時，上表面131會位於和保持面11相同平面上。
凹部132是將平面形狀形成為圓形，且將外徑形成得比SiC晶錠200的外徑更大，並配置在和基台13成為同軸之位置。凹部132設置有在底面連通同心圓狀的複數條吸引溝133與吸引溝133彼此之連接用吸引溝134。這些吸引溝133、134是從凹部132的底面凹陷地形成。又，這些吸引溝133、134連通有在凹部132的底面開口之連通路135。
連通路135是連接於噴射器等之吸引源14且已和設置有開關閥136之吸引路137連接。基台13是藉由開啟開關閥136使來自吸引源14之負壓作用於吸引路137，而使來自吸引源14之負壓作用於已嵌合在凹部132之多孔板12，並對多孔板12的保持面11進行吸引。又，當將基台13設置於旋轉移動單元33上時，從吸引路137分歧且設置有開關閥138之分歧吸引路139會面對於底面。基台13是藉由開啟開關閥138使來自吸引源14之負壓作用於分歧吸引路139，而將底面吸引並固定於旋轉移動單元33。
又，在第1實施形態中，基台13為：外表面(特別是比凹部132更外周側的外表面)是會吸收檢查光41之顏色15(以圖1中的粗的陰影來表示)。所謂會吸收檢查光41之顏色15是檢查光41之吸收率比自以往使用至今之工作夾台的外表面的顏色即白色、褐色及銀色更高之顏色。會吸收檢查光41之顏色15，期望的是包含有無彩色的暗灰色或黑色之亮度較低之較暗的彩色即所謂暗色，其中期望的是深暗色，其中期望的是黑色。
像這樣，吸收檢查光41之顏色15包含暗色、深暗色及黑色。在第1實施形態中，基台13將外表面(特別是比凹部132更外周側的外表面)形成為吸收檢查光41之顏色15即黑色。在第1實施形態中，基台13是外表面(特別是比凹部132更外周側的外表面)塗佈有吸收檢查光41之顏色15即黑色之塗料。像這樣，在本發明中，期望的是基台13將外表面形成為暗色、深暗色或黑色。
多孔板12是外徑比SiC晶錠200的外徑更大且和凹部132的內徑相等之圓板狀的具有通氣性之多孔質體。多孔板12可固定在凹部132內，且將下表面藉由未圖示之接著劑而固定於基台13的凹部132的底面。多孔板12的上表面為吸引保持SiC晶錠200之保持面11。因此，工作夾台10的保持面11是藉由多孔板12而形成。
多孔板12是固定於基台13，且保持面11可被磨削而形成為平行於水平方向。多孔板12的保持面11是位於和基台13的上表面131相同平面上。多孔板12是透過設置於基台13之連通路135及吸引路137來和吸引源14連接。多孔板12是藉由開啟開關閥136使來自吸引源14之負壓作用，而將SiC晶錠200吸引保持於保持面11。
在第1實施形態中，多孔板12是藉由將對可見光具有透明性之玻璃材料即鈉玻璃(在第1實施形態中是鈉鈣玻璃)所構成之複數個玻璃粒互相連結而構成。各玻璃粒是球狀，且粒徑大致一致。玻璃粒宜為不具有氣泡之緻密的顆粒。像這樣的玻璃粒可以藉由例如噴霧式乾燥(噴霧乾燥)來製造。
噴霧式乾燥器(噴霧乾燥裝置)具有用於將玻璃的原液微粒化之噴嘴或者圓盤。可將已藉由表面張力等而被微粒化成球狀之玻璃的原液曝露於供給至乾燥室內的熱風，藉此，已微粒化之原液會固化並成為球狀且粒徑一致之玻璃粒。
在第1實施形態中，所使用的是具有3μm以上且4mm以下之粒徑的玻璃粒。玻璃粒的粒徑較期望的是5μm以上且300μm以下，更期望的是30μm以上且200μm以下。
玻璃粒的粒徑會依循高斯分布而具有預定的偏差，但在例如玻璃粒的粒徑為100μm以下的預定之值的情況下，所使用的是標準偏差為5μm以下之粒子群。又，在例如玻璃粒的粒徑為101μm以上且300μm以下的預定之值的情況下，所使用的是標準偏差為10μm以下之粒子群。
多孔板12首先是在具有圓盤狀的凹部之模框(未圖示)中放入複數個玻璃粒，並以蓋板(未圖示)密封。然後，將模框、蓋板及玻璃粒放入燒成爐，並以600℃以上且1300℃以下之預定的溫度來進行燒成並製造。
在第1實施形態中，是以700℃以上且800℃以下之預定的溫度、約30分鐘以上且約3小時以下之預定的時間來將玻璃粒燒成。藉由燒成，可製造既在玻璃粒彼此的間隙保留氣孔，並且將相互鄰接之球狀的玻璃粒局部地連接而成之多孔板12。如此進行，可將多孔板12以玻璃多孔質來構成。
由於對玻璃粒進行燒成的時間越長，玻璃材料形成為流動的時間會變得越長，因此玻璃粒彼此的接觸面積會增加，且氣孔率會變低。例如燒成時間為3小時之多孔板12的氣孔率會比燒成時間為30分鐘之多孔板12的氣孔率更低。
在第1實施形態中，多孔板12的氣孔率以體積比計，為5%以上且40%以下。氣孔率除了燒成時間以外，也可以藉由燒成時的溫度、壓力、對玻璃粒附加之玻璃料(frit)之量等來合宜調節。再者，玻璃料是以和玻璃粒相同的玻璃材料所形成之直徑比玻璃粒更小之粉末。
在將多孔板12安裝於凹部132，且吸引源14的吸引之壓力在已將基台13固定於旋轉移動單元33的狀態下為-92.7kPa(計示壓力)的情況下，若在保持面11沒有載置任何物品時，吸引路137內的壓力會成為-65kPa(計示壓力)以上且-50kPa(計示壓力)以下。又，在將多孔板12安裝於凹部132，且吸引源14的吸引之壓力在已將基台13固定於旋轉移動單元33的狀態下為-92.7kPa(計示壓力)的情況下，若將直徑210為4inch之SiC晶錠200載置於保持面11時，吸引路137內的壓力會成為-84.2kPa(計示壓力)，若將直徑210為6inch之SiC晶錠200載置於保持面11時，吸引路137內的壓力會成為-87.9kPa(計示壓力)，若將直徑210為8inch的SiC晶錠200載置於保持面11時，吸引路137內的壓力會成為-91.5kPa(計示壓力)。
又，在第1實施形態中，多孔板12是至少保持面11為和基台13同樣地吸收檢查光41之顏色15(以圖1中的濃密的陰影表示)。在第1實施形態中，多孔板12是將碳粉等黑色的顏料或礦物的粉末混入到玻璃粒等，而將整體形成為會吸收檢查光41之顏色15即黑色。又，在本發明中，多孔板12亦可和基台13同樣地，至少在保持面11塗佈會吸收檢查光41之顏色15即黑色的塗料。
再者，在第1實施形態中，會吸收檢查光41之顏色15雖然是黑色，但在本發明中，只要是檢查光41的吸收率會比自以往使用至今之工作夾台的外表面的顏色即白色、褐色及銀色更高之顏色即可，並不限定於黑色。像這樣，在本發明中，期望的是將工作夾台10的保持面11形成為暗色、深暗色或黑色。再者，在本發明中，基台13的顏色15與多孔板12的顏色15可為相同的顏色，亦可為不同的顏色。
在第1實施形態中，雖然多孔板12是藉由將複數個玻璃粒互相連結而構成之多孔質體，但在本發明中亦可為例如具備氧化鋁等的磨粒即骨材、與將骨材彼此固定之黏結材，並在骨材與黏結材的間隙形成有氣孔之多孔陶瓷等的多孔質體。
前述之構成的工作夾台10，是藉由被吸引源14吸引，而被固定於旋轉移動單元33，並且對已載置在保持面11上之SiC晶錠200進行吸引保持。在第1實施形態中，工作夾台10是將SiC晶錠200的第2面202吸引保持於保持面11。
又，工作夾台10是藉由移動單元30的旋轉移動單元33而繞著相對於保持面11正交且和與鉛直方向平行之Z軸方向平行的軸心旋轉。工作夾台10是和旋轉移動單元33一起藉由移動單元30的X軸移動單元31而在和水平方向平行的X軸方向上移動，且藉由Y軸移動單元32而在和水平方向平行且和X軸方向正交之Y軸方向上移動。工作夾台10藉由移動單元30而涵蓋加工區域與搬入搬出區域來移動，前述加工區域是雷射光線照射單元20的下方之區域，前述搬入搬出區域是自雷射光線照射單元20的下方遠離而可將晶圓220搬入、搬出之區域。
雷射光線照射單元20是包含聚光器23之單元，前述聚光器23將對已保持在工作夾台10之SiC晶錠200具有穿透性之波長的脈衝狀的雷射光線21(顯示於圖6及圖7)的聚光點22(顯示於圖7)定位在SiC晶錠200的距離第1面201相當於應生成之晶圓220的厚度222(顯示於圖4)之深度213，來對SiC晶錠200照射雷射光線21，而形成SiC分離成Si與C並且裂隙215沿著c面209而伸長之剝離層211。
再者，若一邊將SiC晶錠200相對於雷射光線21沿著第2定向平面205相對地移動，一邊照射對SiC晶錠200具有穿透性之波長的脈衝狀的雷射光線21，如圖6及圖7所示，可生成改質部214與裂隙215，前述改質部214藉由脈衝狀的雷射光線21的照射而使SiC分離成Si(矽)與C(碳)且接著照射之脈衝狀的雷射光線21被之前所形成之C吸收而連鎖地使SiC分離成Si及C，前述裂隙215沿著第2定向平面205形成於SiC晶錠200的內部並且從改質部214沿著c面209而延伸。如此進行，當雷射光線照射單元20照射對SiC晶錠200具有穿透性之波長的脈衝狀的雷射光線21時，即在SiC晶錠200形成包含改質部214與裂隙215之剝離層211，其中前述裂隙215從改質部214沿著c面209而形成。
在第1實施形態中，雷射光線照射單元20是如圖1所示地支撐在支柱4的前端，前述支柱4受到從裝置本體2豎立設置之豎立設置壁3所支撐。雷射光線照射單元20包含雷射振盪器與聚光器23，前述雷射振盪器會振盪產生用於加工SiC晶錠200之脈衝狀的雷射，並射出雷射光線21，前述聚光器23將從雷射振盪器所射出之雷射光線21聚光於已保持在工作夾台10的保持面11之SiC晶錠200來形成剝離層211。
聚光器23具備有未圖示之聚光透鏡，前述聚光透鏡配置在和工作夾台10的保持面11在Z軸方向上相向之位置。聚光透鏡是讓從雷射振盪器所射出之雷射光線21穿透，而將雷射光線21聚光成聚光點22。又，在第1實施形態中，聚光器23是藉由未圖示之聚光點移動單元而在Z軸方向上移動自如地設置。
移動單元30是使工作夾台10與雷射光線照射單元20以在X軸方向、Y軸方向以及繞著和Z軸方向平行的軸心的方式相對地移動之單元。再者，X軸方向以及Y軸方向是和保持面11亦即水平方向平行之方向。X軸方向是雷射加工裝置1對SiC晶錠200施行雷射加工時，將工作夾台10加工進給之所謂的加工進給方向。Y軸方向是和X軸方向正交，且在雷射加工裝置1對SiC晶錠200施行雷射加工時，將工作夾台10分度進給之所謂分度進給方向。
移動單元30具備使工作夾台10在X軸方向上移動之X軸移動單元即X軸移動單元31、使工作夾台10在Y軸方向上移動之Y軸移動單元即Y軸移動單元32、及使工作夾台10繞著和Z軸方向平行的軸心而旋轉之旋轉移動單元33。
Y軸移動單元32是將工作夾台10與雷射光線照射單元20相對地分度進給之單元。在第1實施形態中，Y軸移動單元32是設置在雷射加工裝置1的裝置本體2上。Y軸移動單元32是將支撐有X軸移動單元31之移動板5支撐成在Y軸方向上移動自如。
X軸移動單元31是將工作夾台10與雷射光線照射單元20相對地加工進給之單元。X軸移動單元31是設置於移動板5上。X軸移動單元31是將第2移動板6支撐成在X軸方向上移動自如，前述第2移動板6支撐有使工作夾台10以繞著和Z軸方向平行的軸心的方式旋轉之旋轉移動單元33。
X軸移動單元31及Y軸移動單元32具備：以繞著軸心的方式旋轉自如地設置之習知的滾珠螺桿、使滾珠螺桿以繞著軸心的方式旋轉之習知的脈衝馬達、將移動板5、6支撐成在X軸方向或Y軸方向上移動自如之習知的導軌。
又，雷射加工裝置1具備未圖示之X軸方向位置檢測單元、未圖示之Y軸方向位置檢測單元、與Z軸方向位置檢測單元，前述X軸方向位置檢測單元是用於檢測工作夾台10的X軸方向的位置，前述Y軸方向位置檢測單元是用於檢測工作夾台10的Y軸方向的位置，前述Z軸方向位置檢測單元是用於檢測包含在雷射光線照射單元20之聚光透鏡的Z軸方向的位置。各位置檢測單元會將檢測結果輸出至控制單元100。
剝離層檢查單元40是將對SiC晶錠200具有穿透性且會在剝離層211上反射之波長的檢查光41，朝已保持在工作夾台10之SiC晶錠200照射，並從所反射之光的強度來檢查剝離層211之單元。剝離層檢查單元40具備發光體42與相機43，前述發光體42將檢查光41朝形成於已保持在工作夾台10之SiC晶錠200之剝離層211照射，前述相機43會拍攝剝離層211。
發光體42所照射出之檢查光41會穿透SiC晶錠200的第1面201而被剝離層211的裂隙215反射。又，檢查光41也會從工作夾台10的保持面11反射。隨著SiC晶錠200的厚度變薄，檢查光41從工作夾台10的保持面11反射之光的強度會變強。
相機43具備拍攝從剝離層211及保持面11反射之檢查光41的CCD(電荷耦合器件，Charge Coupled Device)拍攝元件或CMOS(互補式金屬氧化物半導體，Complementary MOS)拍攝元件等之拍攝元件。在第1實施形態中，剝離層檢查單元40是安裝於支柱4的前端，並且配置在和雷射光線照射單元20的聚光器23的聚光透鏡在X軸方向上排列之位置。剝離層檢查單元40會對SiC晶錠200進行拍攝來取得圖像，並輸出到控制單元100。
再者，在第1實施形態中，剝離層檢查單元40拍攝並取得之圖像，是以複數個層次的階度(例如256個階度)來規定檢查光41的強度之灰階圖像或彩色圖像。又，在第1實施形態中，發光體42照射於SiC晶錠200之檢查光41及相機43拍攝之檢查光41都是可見光。
控制單元100是分別控制雷射加工裝置1之上述的構成要素，並使雷射加工裝置1實施對晶圓220之加工動作的單元。再者，控制單元100是具有運算處理裝置、記憶裝置與輸入輸出介面裝置之電腦，前述運算處理裝置具有CPU(中央處理單元，central processing unit)之類的微處理器，前述記憶裝置具有ROM(唯讀記憶體，read only memory)或RAM(隨機存取記憶體，random access memory)之類的記憶體。控制單元100的運算處理裝置是依照已記憶於記憶裝置之電腦程式來實施運算處理，並將用於控制雷射加工裝置1之控制訊號透過輸入輸出介面裝置輸出至雷射加工裝置1的上述之構成要素，而實現控制單元100的功能。
又，控制單元100是和顯示單元、與未圖示之輸入單元相連接，前述顯示單元是藉由顯示加工動作之狀態或圖像等的液晶顯示裝置等所構成，前述輸入單元是在操作人員登錄加工內容資訊等之時使用。輸入單元可藉由設置於顯示單元之觸控面板、與鍵盤等之外部輸入裝置當中的至少一種來構成。
接著，說明第1實施形態之雷射加工裝置1之加工動作。圖8是顯示圖1所示之雷射加工裝置在已保持在工作夾台之SiC晶錠形成檢查用的剝離層之狀態的立體圖。圖9是顯示圖1所示之雷射加工裝置在已保持在工作夾台之SiC晶錠形成檢查用的剝離層之狀態的一部分的剖面圖。圖10是示意地顯示圖1所示之雷射加工裝置的剝離層檢查單元對已形成於SiC晶錠之檢查用的剝離層進行拍攝之狀態的側面圖。圖11是示意地顯示圖10所示之剝離層檢查單元所拍攝並取得之圖像的圖。
雷射加工裝置1是藉由操作人員來將加工條件登錄於控制單元100，並將工作夾台10載置於旋轉移動單元33，且將SiC晶錠200的第2面202載置於工作夾台10的保持面11。雷射加工裝置1的控制單元100在從操作人員受理加工動作的開始指示時，會開啟開關閥138而將工作夾台10固定到旋轉移動單元33，並開始加工動作。
在加工動作中，雷射加工裝置1的控制單元100會開啟開關閥136，而如圖5所示，將SiC晶錠200的第2面202吸引保持在工作夾台10的保持面11。在加工動作中，雷射加工裝置1的控制單元100會控制移動單元30，使工作夾台10移動至剝離層檢查單元40的相機43的下方，並以相機43拍攝SiC晶錠200。
雷射加工裝置1的控制單元100會依據相機43所拍攝並取得之SiC晶錠200的圖像，而以X軸移動單元31及Y軸移動單元32來調整工作夾台10的位置，藉此將SiC晶錠200的外周區域(從SiC晶錠200生成之晶圓220中的未形成有器件的外周剩餘區域)定位到雷射光線照射單元20的聚光器23的正下方。又，雷射加工裝置1的控制單元100會藉由以旋轉移動單元33調整工作夾台10的繞著軸心的方向，而將第2定向平面205設成和X軸方向平行，且將和傾斜方向207正交之方向設成和X軸方向平行，而將傾斜方向207設成和Y軸方向平行。
接著，雷射加工裝置1的控制單元100會以聚光點移動單元調整聚光器23的Z軸方向的位置，而將雷射光線21的聚光點22定位在距離SiC晶錠200的第1面201相當於應生成之晶圓220的厚度222之深度213。雷射加工裝置1的控制單元100是一邊以X軸移動單元31沿著X軸方向(亦即第2定向平面205)將工作夾台10以預定的加工進給速度沿著X軸方向來加工進給，一邊將對SiC具有穿透性之波長的雷射光線21從聚光器23朝SiC晶錠200照射來形成檢查用的剝離層216。再者，因為檢查用的剝離層216是形成於距離SiC晶錠200的外緣2mm左右之內周側的外周區域(未形成有器件之外周剩餘區域)，所以在將器件形成於從SiC晶錠200生成之晶圓220時不會有檢查用的剝離層216降低器件的品質之情形。
又，在形成檢查用的剝離層216時，雷射加工裝置1的控制單元100是一面使雷射光線照射單元20所照射之雷射光線21的輸出變化一面對SiC晶錠200照射脈衝狀的雷射光線21，而形成雷射光線21的輸出不同之複數個檢查用剝離層216。檢查用的剝離層216和剝離層211同樣地包含改質部與裂隙，前述改質部藉由脈衝狀的雷射光線21的照射使SiC分離成Si(矽)與C(碳)且接著照射之脈衝狀的雷射光線21被之前所形成之C吸收而連鎖地使SiC分離成Si與C，前述裂隙從改質部沿著c面209而延伸。
在第1實施形態中，如圖8所示，雷射加工裝置1形成有以下剝離層：照射第1輸出(在第1實施形態中為4W)之雷射光線21而形成之剝離層216(以下，以符號216-1來表示)、照射和第1輸出不同之第2輸出(在第1實施形態中為5W)之雷射光線21而形成之剝離層216(以下，以符號216-2來表示)、照射和第1輸出與第2輸出之雙方不同之第3輸出(在第1實施形態中為6W)之雷射光線21而形成之剝離層216(以下，以符號216-3來表示)、照射和第1輸出、第2輸出及第3輸出之全部不同之第4輸出(在第1實施形態中為7W)之雷射光線21而形成之剝離層216(以下，以符號216-4來表示)。再者，輸出及剝離層216-1、216-2、216-3、216-4的數量可以各自任意地設定。
雷射加工裝置1的控制單元100是藉由以Y軸移動單元32使工作夾台10移動，而將SiC晶錠200相對於雷射光線照射單元20沿著Y軸方向(亦即第1定向平面204)移動預定的移動距離24(以下，記載為分度進給)。雷射加工裝置1的控制單元100會將藉由X軸移動單元31所進行之使工作夾台10沿著第2定向平面205移動的狀態下之雷射光線21的照射、與分度進給交互地重複預定次數，而如圖9所示，將雷射光線21的輸出不同之複數個剝離層216-1、216-2、216-3、216-4沿著第2定向平面205隔著間隔來形成，並且將照射各輸出的雷射光線21而形成之複數個剝離層216-1、216-2、216-3、216-4沿著第1定向平面204隔著間隔來形成。
如圖10所示，雷射加工裝置1的控制單元100是從發光體42對剝離層216-1、216-2、216-3、216-4照射檢查光41，並以相機43拍攝剝離層216-1、216-2、216-3、216-4，且將相機43所取得之圖像300(顯示於圖11)輸出至控制單元100。再者，在圖11所示之相機43所取得之圖像300中，藉由形成有裂隙之區域301(在圖11中以白底表示)所反射之檢查光41的強度，會比藉由未形成有裂隙之區域302(在圖11中以平行斜線表示)及形成有改質部之區域303(在圖11中以黑底表示)所反射之檢查光41的強度更強。
再者，圖11(A)是對照射第1輸出之雷射光線21而形成之剝離層216-1進行拍攝而取得之圖像300(以下，以符號300-1來表示)，圖11(B)是對照射第2輸出之雷射光線21而形成之剝離層216-2進行拍攝而取得之圖像300(以下，以符號300-2來表示)，圖11(C)是對照射第3輸出之雷射光線21而形成之剝離層216-3進行拍攝而取得之圖像300(以下，以符號300-3來表示)，圖11(D)是對照射第4輸出之雷射光線21而形成之剝離層216-4進行拍攝而取得之圖像300(以下，以符號300-4來表示)。
在圖11(A)及圖11(B)中，剝離層216-1、216-2在傾斜方向207上相互相鄰之裂隙會隔著間隔。又，在圖11(C)及圖11(D)中，剝離層216-3、216-4在傾斜方向207上相互相鄰之裂隙會相互重疊。
在此，若SiC晶錠200的在傾斜方向207上相互相鄰之裂隙215未相互重疊，要從SiC晶錠200以剝離層211作為起點來剝離晶圓220會變困難。另一方面，若SiC晶錠200的在傾斜方向207上相互相鄰之裂隙215相互重疊，可以容易地從SiC晶錠200以剝離層211作為起點來剝離出晶圓220。然而，由於在雷射光線21的輸出過高時，SiC晶錠200會變成裂隙215沿著相對於SiC晶錠200的第1面201傾斜之c面209過量地產生，而使在從SiC晶錠200剝離出晶圓220後，對SiC晶錠200的剝離面212及晶圓220的剝離面221磨削來進行平坦化時之磨削量變多，因此會增加素材損失。
在第1實施形態中，雷射加工裝置1的控制單元100是從圖像300-1、300-2、300-3、300-4提取全部的裂隙會和在傾斜方向207上相鄰之裂隙重疊之圖像，再進一步提取雷射光線21的輸出為最小之圖像。在第1實施形態中，控制單元100會提取圖像300-3。雷射加工裝置1的控制單元100是將所提取出之圖像300-3的雷射光線21的輸出設定為形成以下之剝離層211的雷射光線21的輸出：用於從SiC晶錠200剝離晶圓220之剝離層211。在第1實施形態中，控制單元100是將形成圖像300-3之剝離層216-3時之雷射光線21的第3輸出設定為形成以下之剝離層211的雷射光線21的輸出：用於從SiC晶錠200剝離晶圓220之剝離層211。
在第1實施形態中，雖然控制單元100從圖像300-1、300-2、300-3、300-4提取出全部的裂隙會和在傾斜方向207上相鄰之裂隙重疊之圖像等，而設定形成以下之剝離層211的雷射光線21的輸出：用於從SiC晶錠200剝離晶圓220之剝離層211，但在本發明中，亦可藉由相機43所拍攝並取得之圖像300-1、300-2、300-3、300-4的亮度是否在閾值內，來判定形成各剝離層216-1、216-2、216-3、216-4時的雷射光線21的輸出是否為可恰當地形成裂隙之輸出。
在此情況下，控制單元100在從相機43輸入圖像300-1、300-2、300-3、300-4的資料後，會以預定值的閾值來對各圖像300-1、300-2、300-3、300-4進行2值化處理。再者，所期望的是，閾值比藉由形成有裂隙之區域301所反射之檢查光41的強度更小，且比藉由未形成有裂隙之區域302及形成有改質部之區域303所反射之檢查光41的強度更大。
若進行2值化處理，各圖像300-1、300-2、300-3、300-4在形成有裂隙之區域301主要會成為白色，另一方面，未形成有裂隙之區域302及形成有改質部之區域303主要會成為黑色。只要在經2值化處理之圖像300-1、300-2、300-3、300-4中，黑色與白色的比率在預定值內(例如黑色的比率為30~40%，白色的比率為60~70%)，控制單元100即判定為其為可恰當地形成裂隙之輸出。控制單元100會將可恰當地形成裂隙之輸出當中最小的輸出設定為形成以下之剝離層211的雷射光線21的輸出：用於從SiC晶錠200剝離晶圓220之剝離層211。
在加工動作中，雷射加工裝置1的控制單元100會在設定了雷射光線21的輸出之後，依據以相機43所拍攝到之SiC晶錠200的圖像來控制移動單元30，而調整SiC晶錠200與雷射光線照射單元20的聚光器23之相對的位置，在第1實施形態中，是使SiC晶錠200的靠近第2定向平面205的外緣部與聚光器23沿著Z軸方向相面對。此時，雷射加工裝置1的控制單元100是將第2定向平面205設成和X軸方向平行，且將和傾斜方向207正交之方向設成和X軸方向平行，而將傾斜方向207設成和Y軸方向平行。
在加工動作中，雷射加工裝置1的控制單元100會以聚光點移動單元調整聚光器23的Z軸方向的位置，而將雷射光線21的聚光點22定位在距離SiC晶錠200的第1面201相當於應生成之晶圓220的厚度222之深度213。如圖6所示，雷射加工裝置1的控制單元100是一邊以X軸移動單元31沿著X軸方向(亦即第2定向平面205)將工作夾台10以預定的加工進給速度來加工進給，一邊將對SiC具有穿透性之波長的雷射光線21從聚光器23朝SiC晶錠200照射。
如圖7所示，SiC晶錠200可形成包含改質部214與裂隙215之剝離層211，前述改質部214藉由雷射光線21的照射使SiC分離成Si(矽)與C(碳)且接著照射之脈衝狀的雷射光線21被之前所形成之C吸收而連鎖地使SiC分離成Si與C，前述裂隙215從改質部214沿著c面209而延伸。
雷射加工裝置1的控制單元100在SiC晶錠200的靠近第2定向平面205的外緣部之涵蓋X軸方向的全長而形成剝離層211後，會以Y軸移動單元32將工作夾台10沿著第1定向平面204朝讓雷射光線照射單元20的聚光器23朝向SiC晶錠200的第1面201的中央之方向分度進給預定的移動距離24。雷射加工裝置1的控制單元100會將藉由X軸移動單元31所進行之使工作夾台10在X軸方向上移動的狀態下之雷射光線21的照射、與分度進給交互地重複進行到在第1面201的下方的整體形成剝離層211為止，並結束加工動作。
藉此，SiC晶錠200可按每個分度進給的移動距離24，在距離第1面201相當於晶圓220的厚度222之深度213形成包含改質部214與裂隙215之強度已比其他的部分更降低之剝離層211，其中前述改質部214已使SiC分離成Si與C。SiC晶錠200在距離第1面201相當於晶圓220的厚度222之深度213，涵蓋和第1定向平面204平行的方向的全長按每個分度進給的移動距離來形成剝離層211。
如以上所說明，第1實施形態之雷射加工裝置1由於工作夾台10的保持面11已形成為會吸收檢查光41之顏色15，因此即使SiC晶錠200變薄而剝離層211和保持面11接近，因為保持面11會吸收檢查光41的顏色15，所以可以抑制從保持面11反射之檢查光41的強度。其結果，雷射加工裝置1可以抑制形成於SiC晶錠200之檢查用的剝離層216-1、216-2、216-3、216-4的檢查結果之錯誤。特別是，第1實施形態之雷射加工裝置1由於工作夾台10的保持面11形成為會吸收檢查光41之顏色15，因此在SiC晶錠200的外周附近，可以有效地抑制因為來自保持面11或基台13的外表面之反射光的影響較大之檢查用的剝離層216-1、216-2、216-3、216-4的檢查結果之錯誤。
又，第1實施形態之雷射加工裝置1由於工作夾台10的基台13的外表面形成為會吸收檢查光41之顏色15，因此可以抑制從工作夾台10的基台13的外表面反射之檢查光41的強度。
又，第1實施形態之雷射加工裝置1在多孔板12的氣孔率以體積比計為5%以上且40%以下，且吸引源14的吸引之壓力為-92.7kPa(計示壓力)的情況下，若在保持面11沒有載置任何物品時，吸引路137內的壓力會成為-65kPa(計示壓力)以上且-50kPa(計示壓力)以下，若將直徑210為4inch之SiC晶錠200載置於保持面11時，吸引路137內的壓力會成為-84.2kPa(計示壓力)，若將直徑210為6inch之SiC晶錠200載置於保持面11時，吸引路137內的壓力會成為-87.9kPa(計示壓力)，若將直徑210為8inch之SiC晶錠200載置於保持面11時，吸引路137內的壓力會成為-91.5kPa(計示壓力)。
其結果，雷射加工裝置1可以在不會在雷射加工時產生任何妨礙的情形下，將各種尺寸的SiC晶錠200吸引保持於保持面11。
[第2實施形態] 依據圖式來說明本發明之第2實施形態的雷射加工裝置。圖12是示意地顯示第2實施形態之雷射加工裝置的檢測單元檢測SiC晶錠的小面(Facet)區域之狀態的側面圖。再者，圖12對和第1實施形態相同的部分會附加相同符號而省略說明。
第2實施形態之雷射加工裝置1更具備有圖12所示之檢測單元50。
SiC晶錠200會有在內部存在稱為小面(Facet)之結晶構造不同之區域217(以下，記載為小面(Facet)區域)之情況。小面(Facet)區域217相較於非小面(非Facet)區域，折射率會較高並且能量的吸收率較高。因此，若SiC晶錠200存在有小面(Facet)區域217，會有以下問題：藉由雷射光線21的照射而形成於內部之剝離層211的位置及完成狀況會變得不均一，而導致在小面(Facet)區域217與非小面(非Facet)區域之間，在剝離層211及應生成之晶圓220產生落差。
檢測單元50是從SiC晶錠200的第1面201將預定波長的激發光57照射於SiC晶錠200來檢測SiC固有的螢光58的輝度，並將檢測到預定值以上之螢光58的輝度之位置設為非小面(非Facet)區域，且將螢光58的輝度比預定值更低之區域檢測為小面(Facet)區域217。
如圖12所示，檢測單元50具備：罩殼51，支撐於支柱4的前端；光源52，射出不會對SiC晶錠200施行雷射加工之程度的低輸出(例如0.1W)且預定波長(例如370nm)之激發光57；二向分光鏡53，將從光源52所射出之預定波長的激發光57反射並且讓包含上述預定波長之第一預定波長帶(例如365nm~375nm)以外的波長之光穿透；聚光透鏡54，將已在二向分光鏡53反射之激發光57聚光並朝SiC晶錠200照射；帶通濾波器55，使第二預定波長帶(例如395nm~430nm)之光穿透；光偵測器(photodetector)56，檢測已穿透帶通濾波器55之光的輝度。
再者，檢測單元50將光源52、二向分光鏡53、聚光透鏡54與帶通濾波器55配置於罩殼51內。又，雖然未圖示，但檢測單元50包含使罩殼51升降來調整激發光57的聚光點的Z軸方向的位置之聚光點位置調整機構，此聚光點位置調整機構具備有例如連結於罩殼51且在Z軸方向上延伸之滾珠螺桿、與使此滾珠螺桿旋轉之馬達等。
第2實施形態之雷射加工裝置1的控制單元100是控制移動單元30，而一邊使檢測單元50與工作夾台10相對地移動一邊對已保持在工作夾台10的保持面11之SiC晶錠200的第1面201按每個預定的間隔照射激發光57，並按每個預定的間隔來檢測SiC晶錠200的第1面201的螢光輝度。此時，由光源52射出之激發光57會在二向分光鏡53反射而被導向聚光透鏡54，且在聚光透鏡54聚光並朝SiC晶錠200的第1面201照射。
當將激發光57照射於SiC晶錠200時，會從SiC晶錠200放射出包含和激發光57的波長不同之波長(例如410nm左右)的螢光(放射光)58。螢光58在穿透聚光透鏡54及二向分光鏡53後，僅第二預定波長帶之螢光58會穿透帶通濾波器55，而可藉由光偵測器56檢測已穿透帶通濾波器55之螢光58的輝度。雷射加工裝置1使檢測單元50以光偵測器56檢測來自SiC晶錠200的第1面201整體之SiC固有的螢光58之輝度。
光偵測器56會將表示所檢測出之螢光58的輝度為預定值以上之訊號、或表示所檢測出之螢光58的輝度比預定值更低之訊號輸出至控制單元100。控制單元100會依據X軸方向位置檢測單元與Y軸方向位置檢測單元的檢測結果，將檢測出預定值以上之螢光58的輝度之位置設為非小面(非Facet)區域，且將螢光58的輝度比預定值更低之區域檢測為小面(Facet)區域217。
第2實施形態之雷射加工裝置1是依據所檢測出之小面(Facet)區域與非小面(非Facet)區域的位置，來適當地控制對SiC晶錠200照射雷射光線21之加工條件，而形成在小面(Facet)區域217與非小面(非Facet)區域之間沒有落差之剝離層211，來抑制晶圓220的落差。
第2實施形態之雷射加工裝置1，即使SiC晶錠200變薄而剝離層211和保持面11接近，因為保持面11為會吸收檢查光41之顏色15，所以仍然可以抑制來自保持面11之螢光58的影響。其結果，雷射加工裝置1可以抑制SiC晶錠200的小面(Facet)區域217與非小面(非Facet)區域的檢測結果(亦即SiC晶錠200的檢查結果)之錯誤。
如此，雷射加工裝置1若保持面11為前述之顏色15，和自以往使用至今之工作夾台相比，即可以抑制測定之螢光。其結果，雷射加工裝置1在即使SiC晶錠200變薄仍要偵測小面(Facet)區域217的有無時，具有會讓工作夾台10的螢光的影響變少之效果，因而亦可在對SiC晶錠200照射激發光57，並偵測SiC晶錠200的螢光58來檢測小面(Facet)區域217時，使用前述之構成的工作夾台10。
特別是，第2實施形態之雷射加工裝置1會由於也有在SiC晶錠外周附近具有小面(Facet)區域217之SiC晶錠200，且會在小面(Facet)區域217的檢測中最大限度地檢查到SiC晶錠200的外周為止，因此可以由於已將工作夾台10的保持面11形成為會吸收檢查光41之顏色15，而有效地抑制在SiC晶錠200的外周附近因為來自保持面11或基台13的外表面的反射光的影響較大之SiC晶錠200的小面(Facet)區域217與非小面(非Facet)區域的檢測結果(亦即SiC晶錠200的檢查結果)之錯誤。
再者，本發明並非限定於上述實施形態之發明。亦即，在不脫離本發明之要點的範圍內，可以進行各種變形來實施。例如，在前述之實施形態中，雖然是藉由不鏽鋼等之金屬來構成工作夾台10的基台13，但在本發明中，並不受限於不鏽鋼胚料等的金屬，只要是非通氣性的非多孔質材即可，亦可將基台13藉由玻璃材料即鈉玻璃(鈉鈣玻璃)、硼矽酸玻璃或石英玻璃等之各種玻璃來構成，亦可藉由陶瓷來構成。
1:雷射加工裝置 2:裝置本體 3:豎立設置壁 4:支柱 5:移動板 6:第2移動板 10:工作夾台 11:保持面 12:多孔板 13:基台 14:吸引源 15:顏色 20:雷射光線照射單元 21:雷射光線 22:聚光點 23:聚光器 24:移動距離 30:移動單元 31:X軸移動單元 32:Y軸移動單元 33:旋轉移動單元 40:剝離層檢查單元 41:檢查光 42:發光體 43:相機 50:檢測單元 51:罩殼 52:光源 53:二向分光鏡 54:聚光透鏡 55:帶通濾波器 56:光偵測器 57:激發光 58:螢光 100:控制單元 131:上表面 132:凹部 133,134:吸引溝 135:連通路 136,138:開關閥 137:吸引路 139:分歧吸引路 200:SiC晶錠 201:第1面(上表面) 202:第2面 203:周面 204:第1定向平面 204-1:第1定向平面的長度 205:第2定向平面 205-1:第2定向平面的長度 206:垂直線 207:傾斜方向 208:c軸 209:c面 210:直徑 211:剝離層 212,221:剝離面 213:深度 214:改質部 215:裂隙 216,216-1,216-2,216-3,216-4:檢查用的剝離層(剝離層) 217:小面(Facet)區域 220:晶圓 222:厚度 300,300-1,300-2,300-3,300-4:圖像 301:形成有裂隙之區域 302:未形成有裂隙之區域 303:形成有改質部之區域 α:偏角 X,Y,Z:方向
圖1是顯示第1實施形態之雷射加工裝置之構成例的立體圖。 圖2是圖1所示之雷射加工裝置的加工對象之SiC晶錠的平面圖。 圖3是圖2所示之SiC晶錠的側面圖。 圖4是將圖2所示之SiC晶錠的一部分剝離而製造之晶圓的立體圖。 圖5是將圖1所示之雷射加工裝置的工作夾台以局部剖面方式來顯示的側面圖。 圖6是顯示圖1所示之雷射加工裝置在SiC晶錠形成剝離層之狀態的立體圖。 圖7是顯示圖1所示之雷射加工裝置在SiC晶錠形成剝離層之狀態的一部分的剖面圖。 圖8是顯示圖1所示之雷射加工裝置在已保持在工作夾台之SiC晶錠形成檢查用的剝離層之狀態的立體圖。 圖9是顯示圖1所示之雷射加工裝置在已保持在工作夾台之SiC晶錠形成檢查用的剝離層之狀態的一部分的剖面圖。 圖10是示意地顯示圖1所示之雷射加工裝置的剝離層檢查單元對已形成於SiC晶錠之檢查用的剝離層進行拍攝之狀態的側面圖。 圖11是示意地顯示圖10所示之剝離層檢查單元所拍攝並取得之圖像的圖。 圖12是示意地顯示第2實施形態之雷射加工裝置的檢測單元檢測SiC晶錠的小面(Facet)區域之狀態的側面圖。
1:雷射加工裝置
2:裝置本體
3:豎立設置壁
4:支柱
5:移動板
6:第2移動板
10:工作夾台
11:保持面
12:多孔板
13:基台
15:顏色
20:雷射光線照射單元
23:聚光器
30:移動單元
31:X軸移動單元
32:Y軸移動單元
33:旋轉移動單元
40:剝離層檢查單元
41:檢查光
42:發光體
43:相機
100:控制單元
X,Y,Z:方向

Claims (4)

  1. 一種雷射加工裝置，在SiC晶錠形成剝離層，前述雷射加工裝置具備： 工作夾台，以保持面保持SiC晶錠； 雷射光線照射單元，包含聚光器，前述聚光器將對SiC具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位於距離SiC晶錠的上表面相當於應生成之晶圓的厚度之深度來對SiC晶錠照射雷射光線，而形成SiC分離成Si與C並且裂隙沿著c面而伸長之剝離層； 移動單元，使該工作夾台與該雷射光線照射單元相對地移動；及 剝離層檢查單元，照射對SiC晶錠具有穿透性且會在該剝離層反射之波長的檢查光，並從反射之光的強度來檢查該剝離層， 該工作夾台的該保持面是會吸收該檢查光之顏色。
  2. 如請求項1之雷射加工裝置，其中該檢查光是可見光。
  3. 如請求項1或2之雷射加工裝置，其中該工作夾台的該保持面是藉由多孔板來形成。
  4. 如請求項3之雷射加工裝置，其中該多孔板是以玻璃多孔質所構成。
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