TW202240634A - 多電子束畫像取得方法、多電子束畫像取得裝置以及多電子束檢查裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種多電子束畫像取得方法、多電子束畫像取得裝置以及多電子束檢查裝置，不使用與用於拍攝畫像的檢測器不同的測定構件，便能夠取得完成了多二次電子束的偏轉調整的畫像，所述多二次電子束的偏轉調整將伴隨多一次電子束的掃描的多二次電子束的位置移動抵消。本發明一態樣的多電子束畫像取得方法的特徵在於：於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用放出的代表性二次電子束於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描，基於在代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束的檢測畫像，取得與多個位置對應的多個座標，使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內代表性一次電子束的移動所引起的代表性二次電子束的移動抵消，使得代表性二次電子束向規定的檢測元件的照射位置固定。

Description

多電子束畫像取得方法、多電子束畫像取得裝置以及多電子束畫像取得檢查裝置

本發明的實施方式是有關於一種多電子束畫像取得方法、多電子束畫像取得裝置以及多電子束檢查裝置，例如是有關於一種對基板照射多一次電子束並檢測自基板放出的多二次電子束來獲得畫像的手法。 [相關申請案]

本申請案享有以日本專利申請案2021-068194號（申請日：2021年4月14日）以及日本專利申請案2021-197862號（申請日：2021年12月6日）為基礎申請案的優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包括基礎申請案的全部內容。

近年來，伴隨大規模積體電路（Large Scale Integrated circuit，LSI）的高積體化及大容量化，半導體元件所要求的電路線寬變得越來越窄。而且，對於花費極大的製造成本的LSI的製造而言，良率的提昇不可或缺。但是，如以1 Gb級的動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）（隨機存取記憶體）為代表般，構成LSI的圖案自次微米（submicron）級變成奈米級。近年來，伴隨形成於半導體晶圓上的LSI圖案尺寸的微細化，必須作為圖案缺陷進行檢測的尺寸亦變得極小。因此，需要對已被轉印至半導體晶圓上的超微細圖案的缺陷進行檢查的圖案檢查裝置的高精度化。此外，作為使良率下降的大的因素之一，可列舉利用光微影技術將超微細圖案曝光、轉印至半導體晶圓上時所使用的遮罩的圖案缺陷。因此，需要對LSI製造中所使用的轉印用遮罩的缺陷進行檢查的圖案檢查裝置的高精度化。

於檢查裝置中，例如，對檢查對象基板照射使用了電子束的多射束，並檢測與自檢查對象基板放出的各射束對應的二次電子，從而拍攝圖案畫像。而且已知有如下的方法：藉由將拍攝所得的測定畫像與設計資料、或拍攝基板上的同一圖案所得的測定畫像進行比較來進行檢查。例如，有將拍攝同一基板上的不同地方的同一圖案所得的測定畫像資料彼此進行比較的「晶粒-晶粒（die to die）檢查」，或以進行了圖案設計的設計資料為基礎生成設計畫像資料（參照畫像），並將其與拍攝圖案所得的作為測定資料的測定畫像進行比較的「晶粒-資料庫（die to database）檢查」。所拍攝的畫像作為測定資料而被發送至比較電路。於比較電路中，於畫像彼此的對位後，按照適當的演算法將測定資料與參照資料進行比較，在不一致的情況下，判定有圖案缺陷。

於使用多射束進行拍攝的情況下，使多一次電子束於規定的範圍內進行掃描。因此，各二次電子束的放出位置時時刻刻發生變化。為了將放出位置發生了變化的各二次電子束照射至多檢測器的對應檢測區域內，需要進行使放出位置的變化所引起的多二次電子束的位置移動回轉的偏轉。

雖然並不是多射束，但於電子顯微鏡中，利用電子束掃描試樣，於利用回轉線圈使透過試樣的電子束回轉後，藉由檢測器進行檢測。關於回轉線圈的回轉量，揭示了根據由不同於檢測器的照相機預先拍攝的畫像的變化量來計算的情況（例如，參照日本專利特開2006-196236號公報）。於該手法中存在如下問題：需要與用於取得畫像的檢測器不同的高解析度的攝像元件。因此，需要設置兩種檢測器而導致裝置的大型化、高成本化。另外，亦有可能產生調整的精度不充分的情況。

於本發明的實施方式中，提供一種多電子束畫像取得方法、多電子束畫像取得裝置以及多電子束檢查裝置，不使用與用於拍攝畫像的檢測器不同的測定構件，便能夠取得完成了多二次電子束的偏轉調整的畫像，所述多二次電子束的偏轉調整將伴隨多一次電子束的掃描的多二次電子束的位置移動抵消。

本發明一態樣的多電子束畫像取得方法的特徵在於，包括： 將自多一次電子束中選擇的代表性一次電子束照射至載置基板的平台上預先設定的一次射束偏轉範圍的多個位置， 於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用因代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描， 於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，藉由具有多個檢測元件的多檢測器的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的代表性二次電子束， 基於在代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束的檢測畫像，取得與多個位置對應的多個座標， 使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內代表性一次電子束的移動所引起的代表性二次電子束的移動抵消，使得代表性二次電子束向規定的檢測元件的照射位置固定， 於載置於平台上的基板上，於多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的二次射束偏轉條件的射束偏轉，使用自基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由多檢測器對多二次電子束進行檢測，藉此取得基板的二次電子畫像。

本發明一態樣的多電子束畫像取得裝置的特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將自多一次電子束中選擇的代表性一次電子束照射至平台上預先設定的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用因代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，藉由多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的代表性二次電子束； 座標取得電路，基於在代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束的檢測畫像，取得與多個位置對應的多個座標；以及 偏轉條件演算電路，使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內代表性一次電子束的移動所引起的代表性二次電子束的移動抵消，使得代表性二次電子束向規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束畫像取得裝置藉由一次系統偏轉器，於載置於平台上的基板上，於多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的二次射束偏轉條件的二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自所述基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由多檢測器對多二次電子束進行檢測，藉此取得基板的二次電子畫像。

本發明一態樣的多電子束檢查裝置的特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將自多一次電子束中選擇的代表性一次電子束照射至平台上預先設定的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用因代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，藉由多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的代表性二次電子束； 座標取得電路，基於在代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束的檢測畫像，取得與多個位置對應的多個座標；以及 偏轉條件演算電路，使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內代表性一次電子束的移動所引起的代表性二次電子束的移動抵消，使得代表性二次電子束向規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束檢查裝置藉由一次系統偏轉器，於載置於平台上的基板上，於多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的二次射束偏轉條件的二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由多檢測器對多二次電子束進行檢測，藉此取得基板的二次電子畫像， 所述多電子束檢查裝置更包括比較電路，所述比較電路對所取得的二次電子畫像的至少一部分與規定的畫像進行比較。

本發明另一態樣的多電子束畫像取得裝置的特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將代表多一次電子束的代表性一次電子束錯開時期地依次照射至平台上預先設定的代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用因代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，藉由多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的代表性二次電子束； 畫像合成電路，合成在一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束的檢測畫像；以及 偏轉條件演算電路，使用所合成的合成畫像演算二次射束偏轉條件，以將代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內代表性一次電子束的移動所引起的代表性二次電子束的移動抵消，使得代表性二次電子束向規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束畫像取得裝置藉由一次系統偏轉器，於載置於平台上的基板上，於多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的二次射束偏轉條件的二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由多檢測器對多二次電子束進行檢測，藉此取得基板的二次電子畫像。

本發明另一態樣的多電子束檢查裝置的特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將代表多一次電子束的代表性一次電子束錯開時期地依次照射至平台上預先設定的代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用因代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，藉由多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的代表性二次電子束； 畫像合成電路，合成在一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束的檢測畫像；以及 偏轉條件演算電路，使用所合成的合成畫像演算二次射束偏轉條件，以將代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內代表性一次電子束的移動所引起的代表性二次電子束的移動抵消，使得代表性二次電子束向規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束檢查裝置藉由一次系統偏轉器，於載置於平台上的基板上，於多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的二次射束偏轉條件的二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由多檢測器對多二次電子束進行檢測，藉此取得基板的二次電子畫像， 所述多電子束檢查裝置更包括比較電路，所述比較電路對所取得的二次電子畫像的至少一部分與規定的畫像進行比較。

於本發明的實施方式中，提供一種裝置及方法，不使用與用於拍攝畫像的檢測器不同的測定構件，便能夠取得完成了多二次電子束的偏轉調整的畫像，所述多二次電子束的偏轉調整將伴隨多一次電子束的掃描的多二次電子束的位置移動抵消。

以下，於實施方式中，作為多電子束畫像取得裝置的一例，對使用多電子束的檢查裝置進行說明。但是，並不限於此。只要是使用照射多一次電子束而自基板放出的多二次電子束取得畫像的裝置即可。 實施方式1.

圖1是表示實施方式1中的檢查裝置的結構的結構圖。圖1中，對已形成於基板的圖案進行檢查的檢查裝置100是多電子束檢查裝置的一例。檢查裝置100包括畫像取得機構150及控制系統電路160。畫像取得機構150包括：電子束柱102（電子鏡筒）以及檢查室103。於電子束柱102內，配置有：電子槍201、電磁透鏡202、成形孔徑陣列基板203、射束選擇孔徑基板232、驅動機構234、電磁透鏡205、成批遮沒偏轉器212、限制孔徑基板213、電磁透鏡206、電磁透鏡207（物鏡）、主偏轉器208、副偏轉器209、電磁場正交（E×B：E cross B）分離器214（射束分離器（beam separator））、偏轉器218、電磁透鏡224、偏轉器226、檢測器孔徑陣列基板228以及多檢測器222。由電子槍201、電磁透鏡202、成形孔徑陣列基板203、電磁透鏡205、成批遮沒偏轉器212、限制孔徑基板213、射束選擇孔徑基板232、電磁透鏡206、電磁透鏡207（物鏡）、主偏轉器208以及副偏轉器209構成一次電子光學系統151（照明光學系統）。另外，由電磁透鏡207、E×B分離器214、偏轉器218、電磁透鏡224以及偏轉器226構成二次電子光學系統152（檢測光學系統）。

於檢查室103內，至少配置可於XY方向上移動的平台105。於平台105上配置作為檢查對象的基板101（試樣）。基板101包含曝光用遮罩基板及矽晶圓等半導體基板。當基板101為半導體基板時，於半導體基板形成有多個晶片圖案（晶圓晶粒（wafer die））。當基板101為曝光用遮罩基板時，於曝光用遮罩基板形成有晶片圖案。晶片圖案包含多個圖形圖案。將已形成於所述曝光用遮罩基板的晶片圖案多次曝光轉印至半導體基板上，藉此於半導體基板形成多個晶片圖案（晶圓晶粒）。以下，主要對基板101為半導體基板的情況進行說明。基板101例如使圖案形成面朝向上側而配置於平台105。另外，於平台105上，配置有將自配置於檢查室103的外部的雷射測長系統122照射的雷射測長用的雷射光反射的反射鏡216。另外，於平台105上，配置有被調整至與基板101面相同高度位置的標記111。作為標記111，例如形成十字圖案。

另外，多檢測器222於電子束柱102的外部與檢測電路106連接。檢測電路106與晶片圖案記憶體123連接。

多檢測器222具有配置成陣列狀的多個檢測元件。於檢測器孔徑陣列基板228中，以多個檢測元件的排列間距形成多個開口部。多個開口部例如形成為圓形。各開口部的中心位置對準對應的檢測元件的中心位置而形成。另外，開口部的尺寸形成得較檢測元件的電子檢測面的區域尺寸小。檢測器孔徑陣列基板228可作為多檢測器222的結構的一部分而一體地構成。

於控制系統電路160中，對檢查裝置100整體進行控制的控制計算機110經由匯流排120而與位置電路107、比較電路108、參照畫像製作電路112、平台控制電路114、透鏡控制電路124、遮沒控制電路126、偏轉控制電路128、E×B控制電路133、偏轉調整電路134、射束選擇孔徑控制電路136、畫像合成電路138、磁碟裝置等儲存裝置109、記憶體118以及列印機119連接。另外，偏轉控制電路128與數位-類比轉換（Digital-to-Analog Conversion，DAC）放大器144、DAC放大器146、DAC放大器148、DAC放大器149連接。DAC放大器146與主偏轉器208連接，DAC放大器144與副偏轉器209連接。DAC放大器148與偏轉器218連接。DAC放大器149與偏轉器226連接。

另外，晶片圖案記憶體123與比較電路108以及畫像合成電路132連接。另外，於平台控制電路114的控制下，藉由驅動機構142來驅動平台105。於驅動機構142中，例如構成如於平台座標系中的X方向、Y方向、θ方向上進行驅動的三軸（X-Y-θ）馬達般的驅動系統，從而平台105可於XYθ方向上移動。該些未圖示的X馬達、Y馬達、θ馬達例如可使用步進馬達。平台105藉由XYθ各軸的馬達而可於水平方向及旋轉方向上移動。而且，平台105的移動位置藉由雷射測長系統122來測定，並被供給至位置電路107。雷射測長系統122接收來自反射鏡216的反射光，藉此以雷射干涉法的原理對平台105的位置進行測長。平台座標系例如相對於與多一次電子束20的光軸正交的面，設定一次座標系的X方向、Y方向、θ方向。

電磁透鏡202、電磁透鏡205、電磁透鏡206、電磁透鏡207以及電磁透鏡224由透鏡控制電路124控制。E×B分離器214由E×B控制電路133控制。另外，成批偏轉器212為包含兩極以上的電極的靜電型的偏轉器，且針對每一電極經由未圖示的DAC放大器而由遮沒控制電路126來控制。副偏轉器209為包含四極以上的電極的靜電型的偏轉器，且針對每一電極經由DAC放大器144而由偏轉控制電路128來控制。主偏轉器208為包含四極以上的電極的靜電型的偏轉器，且針對每一電極經由DAC放大器146而由偏轉控制電路128來控制。偏轉器218為包含四極以上的電極的靜電型的偏轉器，且針對每一電極經由DAC放大器148而由偏轉控制電路128來控制。另外，偏轉器226為包含四極以上的電極的靜電型的偏轉器，且針對每一電極經由未圖示的DAC放大器149而由偏轉控制電路128來控制。

射束選擇孔徑基板232由驅動機構234驅動，驅動機構234由射束選擇孔徑控制電路136控制。

於電子槍201連接有未圖示的高壓電源電路，藉由自高壓電源電路對於電子槍201內的未圖示的燈絲（陰極）與引出電極（陽極）間的加速電壓的施加，並且藉由另外的引出電極（韋乃特（Wehnelt））的電壓的施加與規定的溫度的陰極的加熱，已自陰極放出的電子群得到加速，形成電子束200而被放出。

此處，於圖1中記載了在對實施方式1進行說明的方面必要的結構。對於檢查裝置100而言，通常亦可包括必要的其他結構。

圖2是表示實施方式1的成形孔徑陣列基板的結構的概念圖。圖2中，於成形孔徑陣列基板203，二維狀的橫（x方向）m ₁行×縱（y方向）n ₁段（m ₁、n ₁為2以上的整數）的孔（開口部）22在x方向、y方向上以規定的排列間距形成。於圖2的例子中，示出了形成有23×23的孔（開口部）22的情況。各孔22均由相同尺寸形狀的矩形形成。或者，亦可為相同外徑的圓形。電子束200的一部分分別通過所述多個孔22，藉此形成多一次電子束20。接下來，對取得二次電子畫像時的畫像取得機構150的動作進行說明。一次電子光學系統151利用多一次電子束20照射基板101。具體而言，以如下方式運作。

已自電子槍201（放出源）放出的電子束200被電磁透鏡202折射而對成形孔徑陣列基板203整體進行照明。於成形孔徑陣列基板203，如圖2所示般形成有多個孔22（開口部），電子束200對包含多個孔22的全體在內的區域進行照明。已照射至多個孔22的位置的電子束200的各一部分分別通過所述成形孔徑陣列基板203的多個孔22，藉此形成多一次電子束20。

所形成的多一次電子束20被電磁透鏡205以及電磁透鏡206分別折射，一面反覆形成中間像及交叉（cross over），一面通過配置於多一次電子束20的各射束的中間像面的E×B分離器214而前進至電磁透鏡207（物鏡）。

當多一次電子束20入射至電磁透鏡207（物鏡）時，電磁透鏡207將多一次電子束20聚焦於基板101。藉由物鏡207而焦點對準（對焦）於基板101（試樣）面上的多一次電子束20由主偏轉器208及副偏轉器209成批偏轉，並照射至各射束在基板101上的各自的照射位置。再者，在多一次電子束20整體由成批遮沒偏轉器212成批偏轉的情況下，其位置自限制孔徑基板213的中心的孔偏移，多一次電子束20整體由限制孔徑基板213遮蔽。另一方面，未由成批遮沒偏轉器212偏轉的多一次電子束20如圖1所示般通過限制孔徑基板213的中心的孔。藉由所述成批遮沒偏轉器212的開/關（ON/OFF）來進行遮沒控制，而對射束的開/關（ON/OFF）進行成批控制。如此般，限制孔徑基板213對藉由成批遮沒偏轉器212而以射束變成關的狀態的方式進行了偏轉的多一次電子束20進行遮蔽。而且，藉由自射束變成開至射束變成關為止所形成的通過了限制孔徑基板213的射束群，形成畫像取得用的多一次電子束20。

當多一次電子束20被照射至基板101的所需位置時，由於所述多一次電子束20的照射，自基板101放出與多一次電子束20的各射束對應的包含反射電子的二次電子的射束（多二次電子束300）。

已自基板101放出的多二次電子束300通過電磁透鏡207而前進至E×B分離器214。E×B分離器214具有使用線圈的兩極以上的多個磁極、以及兩極以上的多個電極。例如，具有相位各錯開90°的四極的磁極（電磁偏轉線圈）、以及同樣地相位各錯開90°的四極的電極（靜電偏轉電極）。而且，例如藉由將相向的兩極的磁極設定為N極以及S極，利用所述多個磁極產生指向性的磁場。同樣地，例如藉由對相向的兩極的電極施加符號相反的電位V，利用所述多個電極產生指向性的電場。具體而言，E×B分離器214在與多一次電子束20的中心射束前進的方向（軌道中心軸）正交的面上，使電場與磁場產生於正交的方向上。不論電子的行進方向如何，電場均朝相同的方向帶來力。相對於此，磁場按照弗萊明左手定則（Fleming's left hand rule）而帶來力。因此，可根據電子的侵入方向來使作用於電子的力的方向變化。於自上側侵入E×B分離器214的多一次電子束20中，由電場所帶來的力與由磁場所帶來的力相互抵消，多一次電子束20朝下方直線前進。相對於此，於自下側侵入E×B分離器214的多二次電子束300中，由電場所帶來的力與由磁場所帶來的力均朝相同的方向發揮作用，多二次電子束300朝斜上方彎曲，從而自多一次電子束20的軌道上分離。

向斜上方彎曲的多二次電子束300藉由偏轉器218而進一步彎曲，並一邊由電磁透鏡224折射一邊投影至多檢測器222。多檢測器222對通過檢測器孔徑基板228的開口部而經投影的多二次電子束300進行檢測。多一次電子束20的各射束於多檢測器222的檢測面，與多二次電子束300的各二次電子束所對應的檢測元件碰撞而放大地產生電子，並按照每一畫素生成二次電子畫像資料。由多檢測器222檢測出的強度訊號被輸出至檢測電路106。各一次電子束被照射至基板101上自身射束所在的由x方向的射束間間距與y方向的射束間間距包圍的子照射區域內，並於所述子照射區域內進行掃描（掃描（scan）動作）。

圖3是表示實施方式1中的形成於半導體基板的多個晶片區域的一例的圖。圖3中，在基板101為半導體基板（晶圓）的情況下，於半導體基板（晶圓）的檢查區域330，多個晶片（晶圓晶粒）332形成為二維的陣列狀。藉由未圖示的曝光裝置（步進機），將已形成於曝光用遮罩基板的一個晶片量的遮罩圖案例如縮小成1/4而轉印至各晶片332。一個晶片量的遮罩圖案一般而言包含多個圖形圖案。

圖4是用於說明實施方式1中的檢查處理的圖。如圖4所示，各晶片332的區域例如朝向y方向以規定的寬度分割成多個條紋區域32。由畫像取得機構150執行的掃描動作例如針對每一條紋區域32而實施。例如，一邊使平台105於-x方向上移動，一邊相對地於x方向上進行條紋區域32的掃描動作。各條紋區域32朝向長度方向被分割成多個矩形區域33。射束於作為對象的矩形區域33中的移動是藉由主偏轉器208執行的多一次電子束20整體的成批偏轉而進行。

於圖4的例子中，例如示出了5×5行的多一次電子束20的情況。藉由多一次電子束20的一次照射而可照射的照射區域34由（基板101面上的多一次電子束20的x方向的射束間間距乘以x方向的射束數所得的x方向尺寸）×（基板101面上的多一次電子束20的y方向的射束間間距乘以y方向的射束數所得的y方向尺寸）來定義。照射區域34成為多一次電子束20的視場。而且，構成多一次電子束20的各一次電子束8照射至自身的射束所在的由x方向的射束間間距與y方向的射束間間距包圍的子照射區域29內，並於所述子照射區域29內進行掃描（掃描動作）。各一次電子束8負責互不相同的任一個子照射區域29。而且，於各發射時，各一次電子束8對負責子照射區域29內的相同位置進行照射。一次電子束8於子照射區域29內的移動是藉由由副偏轉器209執行的多一次電子束20整體的成批偏轉而進行。重覆所述動作，利用一個一次電子束8於一個子照射區域29內依次進行照射。

各條紋區域32的寬度較佳為設定成與照射區域34的y方向尺寸相同、或者較照射區域34的y方向尺寸窄了掃描裕度量的尺寸。於圖4的例子中，示出了照射區域34與矩形區域33為相同尺寸的情況。但是，並不限於此。照射區域34亦可小於矩形區域33。或者亦可大於矩形區域33。而且，構成多一次電子束20的各一次電子束8照射至自身的射束所在的子照射區域29內，並藉由由副偏轉器209執行的多一次電子束20整體的成批偏轉而於所述子照射區域29內進行掃描（掃描動作）。而且，若一個子照射區域29的掃描結束，則照射位置藉由由主偏轉器208執行的多一次電子束20整體的成批偏轉而朝相同條紋區域32內的鄰接的矩形區域33移動。重覆所述動作而於條紋區域32內依次進行照射。若一個條紋區域32的掃描結束，則照射區域34藉由平台105的移動或/及由主偏轉器208執行的多一次電子束20整體的成批偏轉而朝下一條紋區域32移動。如以上所述般藉由各一次電子束8的照射而進行每一子照射區域29的掃描動作及二次電子畫像的取得。藉由組合所述每一子照射區域29的二次電子畫像，而構成矩形區域33的二次電子畫像、條紋區域32的二次電子畫像、或者晶片332的二次電子畫像。另外，於實際進行畫像比較的情況下，將各矩形區域33內的子照射區域29進一步分割為多個圖框區域30，對每一圖框區域30的圖框畫像31進行比較。於圖4的例子中，示出了將由一個一次電子束8掃描的子照射區域29分割成例如藉由在x方向、y方向上分別分割成兩部分而形成的四個圖框區域30的情況。

畫像取得機構150以如上方式於每一條紋區域32中推進掃描動作。如上所述般照射多一次電子束20，因多一次電子束20的照射而自基板101放出的多二次電子束300被多檢測器222檢測。所檢測的多二次電子束300中可包含反射電子。或者，反射電子亦可為於二次電子光學系統152中移動的過程中分離而未到達多檢測器222的情況。藉由多檢測器222檢測出的各子照射區域29內的每一畫素的二次電子的檢測資料（測定畫像資料：二次電子畫像資料：被檢查畫像資料）按照測定順序被輸出至檢測電路106。於檢測電路106內，藉由未圖示的類比/數位（Analog/Digital，A/D）轉換器將類比的檢測資料轉換為數位資料，並保存於晶片圖案記憶體123中。而且，所獲得的測定畫像資料與來自位置電路107的表示各位置的資訊一起被轉送至比較電路108。

此處，利用多一次電子束20於子照射區域29內進行掃描，因此各二次電子束的放出位置於子照射區域29內時時刻刻發生變化。因此，於該狀態下，各二次電子束被投影至自多檢測器222的對應檢測元件偏移的位置。因此，偏轉器226需要對多二次電子束300進行成批偏轉，以便將如此般放出位置發生了變化的各二次電子束照射至多檢測器222的對應檢測區域內。為了將各二次電子束照射至多檢測器222的對應檢測區域內，需要進行使放出位置的變化所引起的多二次電子束的位置移動回轉（抵消）的偏轉。因此，要求多一次電子束20的各一次電子束的偏轉範圍（掃描範圍）與多二次電子束300的各二次電子束的偏轉範圍（掃描範圍）對準。

圖5是表示實施方式1中的偏轉調整電路的內部結構的一例的圖。圖5中，於偏轉調整電路134內配置磁碟裝置等儲存裝置67、儲存裝置69、射束選擇部60、一次系統掃描條件設定部61、二次系統掃描條件設定部62、角部位置設定部63、判定部64、判定部65、合成畫像取得部66、座標取得部70以及偏轉條件演算部68。射束選擇部60、一次系統掃描條件設定部61、二次系統掃描條件設定部62、角部位置設定部63、判定部64、判定部65、合成畫像取得部66、座標取得部70以及偏轉條件演算部68等的各「～部」包含處理電路，所述處理電路包含電性回路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。另外，各「～部」亦可使用共同的處理電路（同一個處理電路）。或者，亦可使用不同的處理電路（各自不同的處理電路）。射束選擇部60、一次系統掃描條件設定部61、二次系統掃描條件設定部62、角部位置設定部63、判定部64、判定部65、合成畫像取得部66、座標取得部70以及偏轉條件演算部68內所需要的輸入資料或經演算的結果隨時被儲存於未圖示的記憶體、或記憶體118。

圖6是表示實施方式1中的檢查方法的主要部分步驟的一例的流程圖。圖6中，實施方式1中的檢查方法的主要部分步驟實施以下的一系列步驟：射束選擇步驟（S102）、掃描條件設定步驟（S104）、一次射束位置設定步驟（S106）、一次射束照射步驟（S108）、二次射束掃描步驟（S110）、二次射束檢測（畫像取得）步驟（S112）、判定步驟（S114）、判定步驟（S116）、畫像合成步驟（S120）、座標取得步驟（S121）、二次射束偏轉條件演算步驟（S122）、二次射束偏轉條件設定步驟（S124）、被檢查畫像取得步驟（S130）、參照畫像製作步驟（S132）以及比較步驟（S140）。

作為射束選擇步驟（S102），射束選擇部60自多一次電子束200中選擇代表性一次電子束10。例如，選擇多一次電子束200的中心射束作為代表性一次電子束10。代表性一次電子束10並不限於一條。亦可選擇兩條以上。在選擇兩條以上的情況下，依次照射各一條。

圖7是用於說明實施方式1中的射束選擇的方法的圖。圖7中，小開口13形成為能夠使一條一次電子束通過的尺寸。大開口11形成為能夠使多一次電子束20整體通過的尺寸。於射束選擇孔徑控制電路136的控制下，驅動機構234使射束選擇孔徑基板232水平移動，藉此使小開口13的位置對準多一次電子束20中的一條一次電子束的軌道上，從而選擇性地使此一條一次電子束通過。其餘的射束由射束選擇孔徑基板232遮蔽。

作為掃描條件設定步驟（S104），一次系統掃描條件設定部61對多一次電子束20的掃描條件進行設定。設定x方向、y方向的掃描寬度作為多一次電子束20的掃描條件。此處，設定子照射區域29的x方向、y方向的寬度。或者，亦可為進一步附加裕度量之後的寬度。此外，亦可設定與標記111的相對角度。

另外，二次系統掃描條件設定部62設定多二次電子束300的暫時的掃描條件。設定x方向、y方向的掃描寬度作為多二次電子束300的暫時的掃描條件。

為了使多一次電子束20的各一次電子束的偏轉範圍（掃描範圍）與多二次電子束300的各二次電子束的偏轉範圍（掃描範圍）對準，只要使一次電子束掃描範圍的四角的位置（四個角部的位置）與對應的二次電子束掃描範圍的四角的位置（四個角部的位置）對準即可。

作為一次射束位置設定步驟（S106），角部位置設定部63對一次電子束掃描範圍的四個角部的位置之一進行設定。例如，對一次電子束掃描範圍的左下角部的位置進行設定。

作為一次射束照射步驟（S108），畫像取得機構150將代表性一次電子束照射至平台105上。此時，主偏轉器208使多一次電子束的中心對準多一次電子束的軌道中心軸的位置。在即便不進行偏轉亦位於多一次電子束的軌道中心軸的情況下，亦可不進行偏轉。藉此，各一次電子束照射至各自的一次電子束掃描範圍的掃描中心位置。此處，代表性一次電子束以外的射束由射束選擇孔徑基板232遮蔽，因此到達平台105上的射束僅為代表性一次電子束。此處，於平台105上的照射位置配置評價用基板。或者，亦可配置標記111。或者亦可為平台105的上表面。

圖8的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的掃描中心照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的圖。圖8的(a)中，當代表性一次電子束21照射至掃描範圍的掃描中心時，自平台105上放出與代表性一次電子束21對應的代表性二次電子束301。代表性二次電子束301藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。該狀態下，藉由偏轉器226對代表性二次電子束301進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作。藉此，於對應的檢測元件中，拍攝檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。若代表性一次電子束21為多一次電子束20的中心射束，則對應元件成為多檢測器222的中心檢測元件。在代表性一次電子束21照射至所述一次電子束掃描範圍的掃描中心的情況下，如圖8的(b)所示，代表性二次電子束301掃描範圍的掃描中心與檢測元件的檢測區域中心一致。因此，如圖8的(c)所示，由檢測元件拍攝的孔徑像位於畫像的中心。

接著，副偏轉器209（一次系統偏轉器）將代表性一次電子束21錯開時期地依次照射至平台105上預先設定的代表性一次電子束21的一次射束偏轉範圍（掃描範圍）的多個位置。此處，將代表性一次電子束偏轉，以使其照射所設定的一次電子束掃描範圍的左下角部位置。

圖9的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的左下角部位置照射代表性一次電子束21的情況下代表性二次電子束301的位置的一例的圖。如圖9的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束21照射至掃描範圍的左下角部位置。

作為二次射束掃描步驟（S110），偏轉器226（二次系統偏轉器）於代表性一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用因代表性一次電子束21的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束301，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描（偏轉）。此處，作為代表性一次射束偏轉範圍的多個位置，如上所述般使用了四個角部位置。此處，利用代表性二次電子束301並藉由偏轉器226對代表性一次射束偏轉範圍的左下角部位置進行掃描。所謂暫時的二次射束偏轉條件是當前設定的多二次電子束300的暫時的掃描條件。

圖9的(a)中，當代表性一次電子束21照射至掃描範圍的左下角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束21對應的代表性二次電子束301。代表性二次電子束301藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束21未照射掃描中心，因此代表性二次電子束301的掃描中心位置自對應的檢測元件的檢測區域中心偏移。圖9的(b)中，示出了代表性二次電子束301的掃描中心位置相對於檢測元件的檢測區域中心而偏移至例如左上側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對代表性二次電子束301進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作（射束偏轉）。

作為二次射束檢測（畫像取得）步驟（S112），多檢測器222的對應檢測元件（規定的檢測元件）於代表性一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，對在暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描的代表性二次電子束301進行檢測。

此處，針對代表性一次射束偏轉範圍的左下角部位置，檢測經掃描的代表性二次電子束301。在代表性一次射束21照射至掃描範圍的左下角部位置的情況下，所產生的代表性二次射束到達對應的檢測元件的左上。而且，僅在藉由掃描動作而通過檢測器孔徑陣列基板228的開口部上的情況下，代表性二次電子束301到達檢測元件並由該檢測元件檢測。藉此，於對應的檢測元件中，拍攝檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束301的掃描中心而位於右下側，因此如圖9的(c)所示，由檢測元件拍攝的孔徑像相對於畫像的中心而位於右下側。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束301的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

作為判定步驟（S114），判定部64判定是否獲得了孔徑像（二次射束像）。在未獲得孔徑像的情況下，回到掃描條件設定步驟（S104），變更掃描條件並重新設定。例如，有因二次射束的掃描範圍過於狹窄而二次電子束無法橫穿檢測器孔徑陣列基板228的開口的情況。在該情況下，只要擴大掃描寬度即可。然後，重覆進行掃描條件設定步驟（S104）至判定步驟（S114），直至獲得孔徑像。在獲得孔徑像的情況下，進入判定步驟（S116）。

作為判定步驟（S116），判定部65判定所有角部位置的孔徑像的拍攝是否已結束。當已在所有角部位置結束所述拍攝時，進入畫像合成步驟（S120）。當未在所有角部位置結束所述拍攝時，回到一次射束位置設定步驟（S106），重覆進行一次射束位置設定步驟（S106）至判定步驟（S116），直至在所有角部位置結束所述拍攝。

圖10的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的右下角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束301的位置的一例的圖。如圖10的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束照射至掃描範圍的右下角部位置。

圖10的(a)中，當代表性一次電子束21照射至掃描範圍的右下角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束21對應的代表性二次電子束301。代表性二次電子束301藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束21未照射掃描中心，因此代表性二次電子束301的掃描中心位置自對應的檢測元件的檢測區域中心偏移。圖10的(b)中，示出了代表性二次電子束301的掃描中心位置相對於檢測元件的檢測區域中心而偏移至例如右上側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對代表性二次電子束301進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作（射束偏轉）。

在代表性一次射束21照射至掃描範圍的右下角部位置的情況下，所產生的代表性二次射束到達對應的檢測元件的右上。而且，僅在藉由掃描動作而通過檢測器孔徑陣列基板228的開口部上的情況下，代表性二次電子束301到達檢測元件並由該檢測元件檢測。藉此，於對應的檢測元件中，拍攝檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束301的掃描中心而位於左下側，因此如圖10的(c)所示，由檢測元件拍攝的孔徑像相對於畫像的中心而位於左下側。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束301的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

圖11的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的右上角部位置照射代表性一次電子束21的情況下代表性二次電子束301的位置的一例的圖。如圖11的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束21照射至掃描範圍的右上角部位置。

圖11的(a)中，當代表性一次電子束21照射至掃描範圍的右上角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束21對應的代表性二次電子束301。代表性二次電子束301藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束21未照射掃描中心，因此代表性二次電子束301的掃描中心位置自對應的檢測元件的檢測區域中心偏移。圖11的(b)中，示出了代表性二次電子束301的掃描中心位置相對於檢測元件的檢測區域中心而偏移至例如右下側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對代表性二次電子束301進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作（射束偏轉）。

在代表性一次射束21照射至掃描範圍的右上角部位置的情況下，所產生的代表性二次射束到達對應的檢測元件的右下。而且，僅在藉由掃描動作而通過檢測器孔徑陣列基板228的開口部上的情況下，代表性二次電子束301到達檢測元件並由該檢測元件檢測。藉此，於對應的檢測元件中，拍攝檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束301的掃描中心而位於左上側，因此如圖11的(c)所示，由檢測元件拍攝的孔徑像相對於畫像的中心而位於左上側。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束301的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

圖12的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的左上角部位置照射代表性一次電子束21的情況下代表性二次電子束301的位置的一例的圖。如圖12的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束21照射至掃描範圍的左上角部位置。

圖12的(a)中，當代表性一次電子束21照射至掃描範圍的左上角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束21對應的代表性二次電子束301。代表性二次電子束301藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束21未照射掃描中心，因此代表性二次電子束301的掃描中心位置自對應的檢測元件的檢測區域中心偏移。圖12的(b)中，示出了代表性二次電子束301的掃描中心位置相對於檢測元件的檢測區域中心而偏移至例如左下側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對代表性二次電子束301進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作。

在代表性一次射束21照射至掃描範圍的左上角部位置的情況下，所產生的代表性二次射束到達對應的檢測元件的左下。而且，僅在藉由掃描動作而通過檢測器孔徑陣列基板228的開口部上的情況下，代表性二次電子束301到達檢測元件並由該檢測元件檢測。藉此，於對應的檢測元件中，拍攝檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束301的掃描中心而位於右上側，因此如圖12的(c)所示，由檢測元件拍攝的孔徑像相對於畫像的中心而位於右上側。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束301的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

作為畫像合成步驟（S120），畫像合成電路138合成在一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束301的檢測畫像。

圖13的(a)與(b)是表示實施方式1中的合成畫像的一例的圖。圖13的(a)中，示出了將於四個角部位置拍攝的孔徑像合成而得的合成畫像的一例。如圖13的(b)所示，合成畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。另外，藉由將四個孔徑像的中心連結而形成的矩形框示出了一次射束掃描範圍。例如，在一次電子束的掃描方向是自一次射束掃描範圍的左側朝向右側的方向的情況下，二次電子束的掃描方向成為相反方向，以將一次電子束的掃描抵消。於圖13的(b)的例子中，根據合成畫像可知，於一次射束掃描範圍與二次射束掃描範圍之間產生了倍率偏移。另外可知，於一次射束掃描範圍與二次射束掃描範圍之間產生了旋轉偏移。

合成畫像取得部66取得由畫像合成電路138製作的合成畫像，並暫時保存於儲存裝置67中。

作為座標取得步驟（S121），座標取得部70基於在一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束的檢測畫像，取得與多個位置對應的多個座標。具體而言，座標取得部70使用所合成的合成畫像，取得與多個位置對應的多個座標。例如，計算自作為二次電子束的掃描中心的檢測畫像的畫像中心至各孔徑像的向量。檢測畫像的畫像中心的位置是對應的檢測元件的位置。多檢測器222的各檢測元件的位置已預先知曉。因此，可藉由對應檢測元件的位置加上相對於對應檢測元件的位置的相對位置來求出各座標。或者，亦可藉由求出將畫像的左上設為座標（0，0）時相當於各射束中心座標的位置自左上起的畫素數來算出座標。

作為二次射束偏轉條件演算步驟（S122），偏轉條件演算部68使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將一次射束掃描範圍內代表性一次電子束21的移動所引起的代表性二次電子束301的移動抵消，使得代表性二次電子束301向對應的檢測元件的照射位置固定。多個座標可自所合成的合成畫像中取得。

此處，與多個位置對應的多個座標並不限於自合成畫像中取得的情況。例如，若利用以相同的原點（例如畫像的左上）為基準的座標算出了合成前的四個各位置處的檢測畫像中的射束位置，則可藉由比較而獲得四個射束間的相對座標。

偏轉條件演算部68演算偏轉條件的各參數。作為二次電子束的偏轉條件的參數，具有偏轉倍率以及偏轉旋轉角。具體而言，以如下方式運作。

圖14是表示實施方式1中的一次射束掃描範圍與二次射束掃描範圍的相對關係的一例的圖。偏轉條件演算部68演算二次射束掃描範圍的x方向的偏轉倍率Mag（sx）、二次射束掃描範圍的y方向的偏轉倍率Mag（sy）、以及一次射束掃描範圍與二次射束掃描範圍之間的偏轉旋轉角θ。圖14的例子中，二次射束掃描範圍的x方向的偏轉倍率Mag（sx）由二次射束掃描範圍的x方向的寬度Sx除以一次射束掃描範圍的x方向的寬度Px而得的值定義。二次射束掃描範圍的y方向的偏轉倍率Mag（sy）由二次射束掃描範圍的y方向的寬度Sy除以一次射束掃描範圍的y方向的寬度Py而得的值定義。偏轉條件演算部68更佳為進一步演算一次射束掃描範圍相對於二次射束掃描範圍的x方向的偏斜Skew（ϕx）以及y方向的偏斜Skew（ϕy）。偏斜Skew（ϕx）表示矩形於x方向上傾斜的變形量。偏斜Skew（ϕy）表示矩形於y方向上傾斜的變形量。圖14的例子中示出了Skew（ϕx）=0、Skew（ϕy）=0的情況。

作為二次射束偏轉條件設定步驟（S124），偏轉控制電路128設定演算出的二次電子束的偏轉條件。換言之，對偏轉器226的偏轉條件進行設定。具體而言，設定成x方向的暫時的掃描寬度除以偏轉倍率Mag（sx）而得的值。設定成y方向的暫時的掃描寬度除以偏轉倍率Mag（sy）而得的值。另外，使偏轉範圍旋轉偏轉旋轉角θ。若Skew（ϕx）、Skew（ϕy）為有限值，則以Skew（ϕx）、Skew（ϕy）成為零的方式偏轉。

圖15是表示實施方式1中的調整後的合成畫像的一例的圖。在一次射束掃描範圍與二次射束掃描範圍一致的情況下，如圖15所示，合成畫像中四個孔徑像的中心位於四個角部。藉由設定演算出的二次電子束的偏轉條件，可如圖15所示般使一次射束掃描範圍與二次射束掃描範圍一致。

作為被檢查畫像取得步驟（S130），畫像取得機構150向基板照射多一次電子束20，並取得自基板放出的多二次電子束300所形成的基板101的二次電子畫像。換言之，藉由副偏轉器209，於載置於平台105上的基板101上，於多一次電子束20的一次電子束掃描範圍內使用多一次電子束20進行掃描。然後，藉由按照演算出的二次射束偏轉條件的偏轉器226所進行的射束偏轉，使用自基板101放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由多檢測器222對多二次電子束進行檢測。藉此取得基板101的二次電子畫像。

而且，如上所述，畫像取得機構150於每一條紋區域32中推進掃描動作。所檢測的多二次電子束300中可包含反射電子。或者，反射電子亦可為於二次電子光學系統152中移動的過程中分離而未到達多檢測器222的情況。藉由多檢測器222檢測出的各子照射區域29內的每一畫素的二次電子的檢測資料（測定畫像資料：二次電子畫像資料：被檢查畫像資料）按照測定順序被輸出至檢測電路106。於檢測電路106內，藉由未圖示的A/D轉換器將類比的檢測資料轉換為數位資料，並保存於晶片圖案記憶體123中。而且，所獲得的測定畫像資料與來自位置電路107的表示各位置的資訊一起被轉送至比較電路108。

作為所述畫像取得動作，可進行步進重覆（step-and-repeat）動作，所述步進重覆動作是於平台105停止的狀態下向基板101照射多一次電子束20，並於掃描動作結束後進行位置移動。或者，亦可為於平台105連續移動的同時向基板101照射多一次電子束20的情況。當於平台105連續移動的同時向基板101照射多一次電子束20時，藉由主偏轉器208進行利用成批偏轉的跟蹤動作，以使多一次電子束20的照射位置追隨平台105的移動。因此，多二次電子束300的放出位置相對於多一次電子束20的軌道中心軸而時時刻刻發生變化。可藉由偏轉器226進一步對多二次電子束300進行成批偏轉，以使得放出位置因該跟蹤動作而發生了變化的各二次電子束照射至多檢測器222的對應檢測區域內。

圖16是表示實施方式1中的比較電路內的結構的一例的結構圖。圖16中，於比較電路108內，配置磁碟裝置等儲存裝置50、儲存裝置52、儲存裝置56、圖框畫像製作部54、對位部57以及比較部58。圖框畫像製作部54、對位部57以及比較部58等的各「～部」包含處理電路，所述處理電路包含電性回路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。另外，各「～部」亦可使用共同的處理電路（同一個處理電路）。或者，亦可使用不同的處理電路（各自不同的處理電路）。圖框畫像製作部54、對位部57以及比較部58內所需要的輸入資料或經演算的結果隨時被儲存於未圖示的記憶體、或記憶體118。

經轉送至比較電路108內的測定畫像資料（射束畫像）被保存於儲存裝置50中。

而且，圖框畫像製作部54製作將藉由各一次電子束8的掃描動作而取得的子照射區域29的畫像資料進一步分割而成的多個圖框區域30的每一圖框區域30的圖框畫像31。而且，將圖框區域30用作被檢查畫像的單位區域。再者，較佳的是各圖框區域30以餘裕區域相互重合的方式構成，以使畫像無遺漏。經製作的圖框畫像31被保存於儲存裝置56。

作為參照畫像製作步驟（S132），參照畫像製作電路112基於成為形成於基板101的多個圖形圖案的基礎的設計資料，針對每一圖框區域30，製作與圖框畫像31對應的參照畫像。具體而言，以如下方式運作。首先，經由控制計算機110而自儲存裝置109讀出設計圖案資料，將由經讀出的所述設計圖案資料定義的各圖形圖案轉換成二值或多值的影像資料。

如上所述般，由設計圖案資料定義的圖形例如將長方形或三角形作為基本圖形，例如，保存有如下圖形資料：利用圖形的基準位置的座標（x、y）、邊的長度、作為對長方形或三角形等圖形種類進行區分的辨識符的圖形碼等資訊，對各圖案圖形的形狀、大小、位置等進行了定義。

若作為所述圖形資料的設計圖案資料被輸入至參照畫像製作電路112，則展開至每一圖形的資料為止，並對該圖形資料的表示圖形形狀的圖形碼、圖形尺寸等進行解釋。而且，作為配置於以規定的量子化尺寸的格子（grid）為單位的柵格內的圖案，展開成二值或多值的設計圖案畫像資料並予以輸出。換言之，讀入設計資料，在將檢查區域設為以規定的尺寸為單位的柵格來進行假想分割而成的每一柵格中，演算設計圖案中的圖形所佔的佔有率，並輸出n位元的佔有率資料。例如，較佳為將一個柵格設定為一個畫素。而且，若使一個畫素具有1/2 ⁸（=1/256）的解析度，則與配置於畫素內的圖形的區域量相應地分配1/256的小區域並演算畫素內的佔有率。而且，形成8位元的佔有率資料。所述柵格（檢查畫素）只要與測定資料的畫素一致即可。

接著，參照畫像製作電路112對作為圖形的影像資料的設計圖案的設計畫像資料，使用規定的濾波函數實施濾波處理。藉此，可使作為畫像強度（濃淡值）為數位值的設計側的影像資料的設計畫像資料符合藉由多一次電子束20的照射而獲得的像生成特性。製作而成的參照畫像的每一畫素的畫像資料被輸出至比較電路108。經轉送至比較電路108內的參照畫像資料被保存於儲存裝置52中。

作為比較步驟（S140），首先，對位部57讀出作為被檢查畫像的圖框畫像31、以及與該圖框畫像31對應的參照畫像，並以較畫素小的子畫素為單位對兩個畫像進行對位。例如，可利用最小平方法進行對位。

然後，比較部58對所取得的二次電子畫像的至少一部分與規定的畫像進行比較。此處，使用將針對每一射束取得的子照射區域29的畫像進一步分割而成的圖框畫像。因此，比較部58針對每一畫素，對圖框畫像31與參照畫像進行比較。比較部58針對每一畫素，按照規定的判定條件對兩者進行比較，並判定有無例如形狀缺陷等缺陷。例如，若每一畫素的灰階值差較判定臨限值Th大，則判定為缺陷。然後，輸出比較結果。比較結果被輸出至儲存裝置109或記憶體118，或者只要自列印機119輸出即可。

再者，於上述例子中，對晶粒-資料庫檢查進行了說明，但並不限於此。亦可為進行晶粒-晶粒（die to die）檢查的情況。在進行晶粒-晶粒檢查的情況下，於作為對象的圖框畫像31（晶粒1）、與形成有與該圖框畫像31相同的圖案的圖框畫像31（晶粒2）（參照畫像的另一例）之間進行所述對位與比較處理即可。

如上所述，根據實施方式1，不使用與用於拍攝畫像的多檢測器222不同的測定構件，便可取得完成了多二次電子束的偏轉調整的畫像，所述多二次電子束的偏轉調整將伴隨多一次電子束的掃描的多二次電子束的位置移動抵消。 實施方式2.

於實施方式1中，對為了自多一次電子束20中選擇代表性一次電子束21而利用射束選擇孔徑基板232將其餘的射束陣列遮蔽的結構進行了說明。於實施方式2中，對不將多一次電子束20的一部分遮蔽而進行整體照射的結構進行說明。實施方式2中的檢查裝置100的結構可與圖1相同。但是，射束選擇孔徑基板232、驅動機構234以及射束選擇孔徑控制電路136亦可省略。實施方式2中的檢查方法的主要部分步驟可與圖6相同。此外，除了特別說明的方面以外的內容亦可與實施方式1相同。

圖17是用於說明實施方式2中的代表性一次電子束的圖。於圖17的例子中示出了使用4×4條多一次電子束20的情況。於實施方式1中對要照射的射束進行限定的理由是為了於所獲得的畫像中辨識出哪條射束為對象射束。但是，在照射多一次電子束20整體的情況下，於藉由射束陣列的中央部的區域獲得的畫像中，難以辨識出哪條射束為對象射束。相對於此，如圖17所示，多一次電子束20的四角的四個角部射束A11、A14、A41、A44能夠根據其排列關係來辨識。因此，於實施形態2中，使用四個角部射束的至少一個求出二次電子束的偏轉條件。

作為射束選擇步驟（S102），射束選擇部60自多一次電子束200中選擇代表性一次電子束。此處，自圖17所示的四個角部射束A11、A14、A41、A44中選擇一個。此處例如選擇角部射束A14。但是，於實施方式2中，不需要將多一次電子束20的其餘射束遮蔽。

掃描條件設定步驟（S104）的內容與實施方式1相同。

作為一次射束位置設定步驟（S106），角部位置設定部63設定一次電子束掃描範圍的四個角部的位置之一。例如，設定一次電子束掃描範圍的左下角部位置。

作為一次射束照射步驟（S108），畫像取得機構150將包含代表性一次電子束的多一次電子束20照射至平台105上。此時，主偏轉器208使多一次電子束的中心對準多一次電子束的軌道中心軸的位置。在即便不進行偏轉亦位於多一次電子束的軌道中心軸的情況下，亦可不進行偏轉。

接著，副偏轉器209（一次系統偏轉器）將代表性一次電子束21錯開時期地依次照射至平台105上預先設定的一次射束偏轉範圍（掃描範圍）的多個位置。此處，將代表性一次電子束偏轉，以使其照射所設定的一次電子束掃描範圍的左下角部位置。藉由該偏轉，多一次電子束20的其餘射束陣列亦照射各自的一次電子束掃描範圍的左下角部位置。

圖18的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的左下角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。如圖18的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束A14照射至掃描範圍的左下角部位置。

作為二次射束掃描步驟（S110），偏轉器226（二次系統偏轉器）於代表性一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置，利用因代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描。此處，作為代表性一次射束偏轉範圍的多個位置，如上所述般使用了四個角部位置。此處，利用包含代表性二次電子束A14的多一次電子束20並藉由由偏轉器226進行的成批偏轉來進行掃描。

圖18的(a)中，當代表性一次電子束照射至掃描範圍的左下角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束對應的代表性二次電子束B14。同時，自平台105上放出與其他各一次電子束對應的二次電子束。該些多二次電子束300藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束A14未照射掃描中心，因此代表性二次電子束B14的掃描中心位置自對應的檢測元件D14的檢測區域中心偏移。圖18的(b)中，示出了代表性二次電子束B14的掃描中心位置相對於檢測元件的檢測區域中心而偏移至例如左上側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對包含代表性二次電子束的多二次電子束300進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作（射束偏轉）。

作為二次射束檢測（畫像取得）步驟（S112），多檢測器222的對應檢測元件D14於代表性一次射束A14偏轉範圍的多個位置的每一位置，對在暫時的二次射束偏轉條件下經掃描的代表性二次電子束B14進行檢測。此處，針對代表性一次射束偏轉範圍的左下角部位置，檢測經掃描的代表性二次電子束B14。僅在藉由掃描動作而通過檢測器孔徑陣列基板228的開口部上的情況下，代表性二次電子束B14到達檢測元件D14並由該檢測元件D14檢測。

此處，於實施方式2中，以檢測元件D14於x方向、y方向上分別檢測兩條以上的二次電子束的方式設定二次射束掃描範圍，以便可辨識出代表性二次電子束B14為角部射束。因此，設定成自二次電子束的掃描中心起於x方向、y方向上能夠進行兩射束間距量的掃描的範圍。於圖18的(b)的例子中示出了二次射束掃描範圍的x方向、y方向上的掃描寬度被設定為射束間距的4倍的值的情況。藉此，於對應的檢測元件D14中，拍攝多個射束量的檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束B14的掃描中心而位於右下側，因此如圖18的(c)所示，由檢測元件D14拍攝的與代表性二次電子束B14對應的孔徑像相對於畫像的中心而位於右下側。檢測出的其餘二次電子束B13、二次電子束B24、二次電子束B23、二次電子束B34、二次電子束B33、二次電子束B44、二次電子束B43的孔徑像沿著射束陣列的排列被排列於各自的位置。由於代表性二次電子束B14為角部射束，因此即便一起拍入多個二次電子束的孔徑像，亦可辨識出角部的孔徑像為代表性二次電子束B14的孔徑像。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束B14的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

判定步驟（S114）與判定步驟（S116）的內容和實施方式1相同。

圖19的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的右下角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。如圖19的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束A14照射至掃描範圍的右下角部位置。

圖19的(a)中，當代表性一次電子束A14照射至掃描範圍的右下角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束A14對應的代表性二次電子束B14。同時，自平台105上放出與其他各一次電子束對應的二次電子束。該些多二次電子束300藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束A14未照射掃描中心，因此代表性二次電子束B14的掃描中心位置自對應的檢測元件D14的檢測區域中心偏移。圖19的(b)中，示出了代表性二次電子束B14的掃描中心位置相對於檢測元件D14的檢測區域中心而偏移至例如右上側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對包含代表性二次電子束的多二次電子束300進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作。

作為二次射束檢測（畫像取得）步驟（S112），此處，針對代表性一次射束偏轉範圍的右下角部位置，檢測經掃描的代表性二次電子束B14。於圖19的(b)的例子中示出了二次射束掃描範圍的x方向、y方向上的掃描寬度被設定為射束間距的4倍的值的情況。藉此，於對應的檢測元件D14中，拍攝多個射束量的檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束B14的掃描中心而位於左下側，因此如圖19的(c)所示，由檢測元件D14拍攝的與代表性二次電子束B14對應的孔徑像相對於畫像的中心而位於左下側。檢測出的其餘二次電子束B11～二次電子束B13、二次電子束B21～二次電子束B24、二次電子束B31～二次電子束B34、二次電子束B41～二次電子束B44的孔徑像沿著射束陣列的排列被排列於各自的位置。由於代表性二次電子束B14為角部射束，因此即便一起拍入多個二次電子束的孔徑像，亦可辨識出角部的孔徑像為代表性二次電子束B14的孔徑像。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束B14的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

圖20的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的左上角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。如圖20的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束A14照射至掃描範圍的左上角部位置。

圖20的(a)中，當代表性一次電子束A14照射至掃描範圍的左上角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束A14對應的代表性二次電子束B14。同時，自平台105上放出與其他各一次電子束對應的二次電子束。該些多二次電子束300藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束A14未照射掃描中心，因此代表性二次電子束B14的掃描中心位置自對應的檢測元件D14的檢測區域中心偏移。圖20的(b)中，示出了代表性二次電子束B14的掃描中心位置相對於檢測元件D14的檢測區域中心而偏移至例如左下側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對包含代表性二次電子束的多二次電子束300進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作。

作為二次射束檢測（畫像取得）步驟（S112），此處，針對代表性一次射束偏轉範圍的左上角部位置，檢測經掃描的代表性二次電子束B14。於圖20的(b)的例子中示出了二次射束掃描範圍的x方向、y方向上的掃描寬度被設定為射束間距的4倍的值的情況。藉此，於對應的檢測元件D14中，拍攝多個射束量的檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束B14的掃描中心而位於右上側，因此如圖20的(c)所示，由檢測元件D14拍攝的與代表性二次電子束B14對應的孔徑像相對於畫像的中心而位於右上側。檢測出的其餘二次電子束B13、二次電子束B24、二次電子束B23的孔徑像沿著射束陣列的排列被排列於各自的位置。由於代表性二次電子束B14為角部射束，因此即便一起拍入多個二次電子束的孔徑像，亦可辨識出角部的孔徑像為代表性二次電子束B14的孔徑像。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束B14的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

圖21的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的右上角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。如圖21的(a)所示，藉由由副偏轉器209進行的射束偏轉，代表性一次電子束A14照射至掃描範圍的右上角部位置。

圖21的(a)中，當代表性一次電子束A14照射至掃描範圍的右上角部位置時，自平台105上放出與代表性一次電子束A14對應的代表性二次電子束B14。同時，自平台105上放出與其他各一次電子束對應的二次電子束。該些多二次電子束300藉由二次電子光學系統152，經由檢測器孔徑陣列基板228而投影至多檢測器222。由於代表性一次電子束A14未照射掃描中心，因此代表性二次電子束B14的掃描中心位置自對應的檢測元件D14的檢測區域中心偏移。圖21的(b)中，示出了代表性二次電子束B14的掃描中心位置相對於檢測元件D14的檢測區域中心而偏移至例如右下側的情況。該狀態下，藉由偏轉器226對包含代表性二次電子束的多二次電子束300進行當前設定的二次射束掃描範圍的掃描動作。

作為二次射束檢測（畫像取得）步驟（S112），此處，針對代表性一次射束偏轉範圍的右上角部位置，檢測經掃描的代表性二次電子束B14。於圖21的(b)的例子中示出了二次射束掃描範圍的x方向、y方向上的掃描寬度被設定為射束間距的4倍的值的情況。藉此，於對應的檢測元件D14中，拍攝多個射束量的檢測器孔徑陣列基板228的孔徑像。由於檢測區域相對於代表性二次電子束B14的掃描中心而位於右上側，因此如圖21的(c)所示，由檢測元件D14拍攝的與代表性二次電子束B14對應的孔徑像相對於畫像的中心而位於左上側。檢測出的其餘二次電子束B11～二次電子束B13、二次電子束B21～二次電子束B24的孔徑像沿著射束陣列的排列被排列於各自的位置。由於代表性二次電子束B14為角部射束，因此即便一起拍入多個二次電子束的孔徑像，亦可辨識出角部的孔徑像為代表性二次電子束B14的孔徑像。檢測畫像的矩形框示出了二次射束掃描範圍。代表性二次電子束B14的檢測畫像被輸出至畫像合成電路138。

作為畫像合成步驟（S120），畫像合成電路138合成在一次射束偏轉範圍的多個位置的每一位置檢測出的代表性二次電子束B14的檢測畫像。藉此，如圖13的(a)所示，獲得將於四個角部位置拍攝的孔徑像合成而得的合成畫像的一例。

如上所述，即便在並非將一次電子束限定為一條進行照射的情況下，亦可獲得將於四個角部位置拍攝的孔徑像合成而得的合成畫像。

以下，畫像合成步驟（S120）、座標取得步驟（S121）、二次射束偏轉條件演算步驟（S122）、二次射束偏轉條件設定步驟（S124）、被檢查畫像取得步驟（S130）、參照畫像製作步驟（S132）以及比較步驟（S140）的各步驟的內容與實施方式1相同。

於上述例子中，對針對四個角部射束中的一個製作合成畫像並演算二次射束偏轉條件的情況進行了說明，但並不限於此。作為代表性一次電子束，使用多一次電子束20的四角的射束。而且，針對四角的射束的每一射束製作合成畫像。而且，針對四角的射束的每一射束演算二次射束偏轉條件。而且，關於二次射束偏轉條件的各參數，亦可求出針對每一射束演算出的值的統計值。例如，求出平均值。或者求出中央值。藉此，與利用一條射束進行演算的情況相比，可減少誤差。藉此，可提高二次射束偏轉條件的各參數的精度。

如上所述，根據實施方式2，不將所照射的一次電子束限制為一條，便可取得完成了多二次電子束的偏轉調整的畫像，所述多二次電子束的偏轉調整將伴隨多一次電子束的掃描的多二次電子束的位置移動抵消。

於以上的說明中，一系列的「～電路」包含處理電路，所述處理電路包含電性回路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。另外，各「～電路」亦可使用共同的處理電路（同一個處理電路）。或者，亦可使用不同的處理電路（各自不同的處理電路）。使處理器等執行的程式只要被記錄於磁碟裝置、磁帶裝置、軟性磁碟（Flexible Disk，FD）、或唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）等記錄介質即可。例如，位位置電路107、比較電路108、參照畫像製作電路112、平台控制電路114、透鏡控制電路124、遮沒控制電路126、偏轉控制電路128、偏轉調整電路134以及射束選擇孔徑控制電路136可包含上述至少一個處理電路。例如，亦可藉由控制計算機110實施該些電路內的處理。

以上，於參照具體例的同時對實施方式進行了說明。但是，本發明並不限定於該些具體例。於圖1的例子中，示出了藉由成形孔徑陣列基板203根據自作為一個照射源的電子槍201照射的一條射束而形成多一次電子束20的情況，但並不限於此。亦可為藉由自多個照射源分別照射一次電子束而形成多一次電子束20的態樣。

另外，省略了對裝置結構或控制手法等於本發明的說明中不直接需要的部分等的記載，但可適宜選擇使用必要的裝置結構或控制手法。

此外，包括本發明的要素、且本領域從業人員可適宜進行設計變更的所有多電子束畫像取得方法、多電子束畫像取得裝置以及多電子束檢查裝置包含於本發明的範圍內。

8:一次電子束 11:大開口 13:小開口 20:多一次電子束 21:代表性一次電子束（代表性一次射束） 22:孔（開口部） 29:子照射區域 30:圖框區域 31:圖框畫像 32:條紋區域 33:矩形區域 34:照射區域 50、52、56:儲存裝置 54:圖框畫像製作部 57:對位部 58:比較部 60:射束選擇部 61:一次系統掃描條件設定部 62:二次系統掃描條件設定部 63:角部位置設定部 64:判定部 65:判定部 66:合成畫像取得部 67、69:儲存裝置 68:偏轉條件演算部 70:座標取得部 100:檢查裝置 101:基板 102:電子束柱 103:檢查室 105:平台 106:檢測電路 107:位置電路 108:比較電路 109:儲存裝置 110:控制計算機 111:標記 112:參照畫像製作電路 114:平台控制電路 118:記憶體 119:列印機 120:匯流排 122:雷射測長系統 123:晶片圖案記憶體 124:透鏡控制電路 126:遮沒控制電路 128:偏轉控制電路 133:E×B控制電路 134:偏轉調整電路 136:射束選擇孔徑控制電路 138:畫像合成電路 142:驅動機構 144、146、148、149:DAC放大器 150:畫像取得機構 151:一次電子光學系統 152:二次電子光學系統 160:控制系統電路 200:電子束（多一次電子束） 201:電子槍 202:電磁透鏡 203:成形孔徑陣列基板 205、206、224:電磁透鏡 207:電磁透鏡（物鏡） 208:主偏轉器 209:副偏轉器 212:成批遮沒偏轉器 213:限制孔徑基板 214:E×B分離器 216:反射鏡 218:偏轉器 222:多檢測器 226:偏轉器 228:檢測器孔徑陣列基板 232:射束選擇孔徑基板 234:驅動機構 300:多二次電子束 301:代表性二次電子束 330:檢查區域 332:晶片（晶圓晶粒） A11、A41、A44:角部射束 A14:代表性一次電子束（代表性一次射束、角部射束） B11～B13、B21～B24、B31～B34、B41～B44:二次電子束 B14:代表性二次電子束 D14:檢測元件 Mag（sx）、Mag（sy）:偏轉倍率 S102:射束選擇步驟 S104:掃描條件設定步驟 S106:一次射束位置設定步驟 S108:一次射束照射步驟 S110:二次射束掃描步驟 S112:二次射束檢測（畫像取得）步驟 S114:判定步驟 S116:判定步驟 S120:畫像合成步驟 S121:座標取得步驟 S122:二次射束偏轉條件演算步驟 S124:二次射束偏轉條件設定步驟 S130:被檢查畫像取得步驟 S132:參照畫像製作步驟 S140:比較步驟 Skew（ϕx）、Skew（ϕy）:偏斜 Sx、Px:x方向的寬度 Sy、Py:y方向的寬度 θ:偏轉旋轉角 x、y、z:方向

圖1是表示實施方式1中的檢查裝置的結構的結構圖。 圖2是表示實施方式1中的成形孔徑陣列基板的結構的概念圖。 圖3是表示實施方式1中的形成於半導體基板的多個晶片區域的一例的圖。 圖4是用於說明實施方式1中的檢查處理的圖。 圖5是表示實施方式1中的偏轉調整電路的內部結構的一例的圖。 圖6是表示實施方式1中的檢查方法的主要部分步驟的一例的流程圖。 圖7是用於說明實施方式1中的射束選擇的方法的圖。 圖8的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的掃描中心照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的圖。 圖9的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的左下角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。 圖10的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的右下角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。 圖11的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的右上角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。 圖12的(a)至(c)是用於說明向實施方式1中的一次電子束掃描範圍的左上角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。 圖13的(a)與(b)是表示實施方式1中的合成畫像的一例的圖。 圖14是表示實施方式1中的一次射束掃描範圍與二次射束掃描範圍的相對關係的一例的圖。 圖15是表示實施方式1中的調整後的合成畫像的一例的圖。 圖16是表示實施方式1中的比較電路內的結構的一例的結構圖。 圖17是用於說明實施方式2中的代表性一次電子束的圖。 圖18的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的左下角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。 圖19的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的右下角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。 圖20的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的左上角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。 圖21的(a)至(c)是用於說明向實施方式2中的一次電子束掃描範圍的右上角部位置照射代表性一次電子束的情況下代表性二次電子束的位置的一例的圖。

S102:射束選擇步驟

S104:掃描條件設定步驟

S106:一次射束位置設定步驟

S108:一次射束照射步驟

S110:二次射束掃描步驟

S112:二次射束檢測(畫像取得)步驟

S114:判定步驟

S116:判定步驟

S120:畫像合成步驟

S121:座標取得步驟

S122:二次射束偏轉條件演算步驟

S124:二次射束偏轉條件設定步驟

S130:被檢查畫像取得步驟

S132:參照畫像製作步驟

S140:比較步驟

Claims (12)

1. 一種多電子束畫像取得方法，其特徵在於， 將自多一次電子束中選擇的代表性一次電子束照射至載置基板的平台上預先設定的代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置， 於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，利用因所述代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描， 於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，藉由具有多個檢測元件的多檢測器的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的所述代表性二次電子束， 基於在所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置檢測出的所述代表性二次電子束的檢測畫像，取得與所述多個位置對應的多個座標， 使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內所述代表性一次電子束的移動所引起的所述代表性二次電子束的移動抵消，使得所述代表性二次電子束向所述規定的檢測元件的照射位置固定， 於載置於所述平台上的基板上，於所述多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用所述多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的所述二次射束偏轉條件的射束偏轉，使用自所述基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由所述多檢測器對所述多二次電子束進行檢測，藉此取得所述基板的二次電子畫像。
2. 如請求項1所述的多電子束畫像取得方法，其中，使用所述一次電子束偏轉範圍的四角的位置作為所述多個位置。
3. 如請求項1所述的多電子束畫像取得方法，其中，所述二次電子束的偏轉條件具有偏轉倍率以及偏轉旋轉角。
4. 如請求項1所述的多電子束畫像取得方法，其中，使用多一次電子束的中心射束作為所述代表性一次電子束。
5. 如請求項1所述的多電子束畫像取得方法，其中，使用多一次電子束的四角的射束作為所述代表性一次電子束， 所述二次射束偏轉條件是針對所述四角的射束的每一射束來演算，且使用針對每一射束演算出的值的統計值。
6. 如請求項1所述的多電子束畫像取得方法，其中，合成在所述一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置檢測出的所述代表性二次電子束的檢測畫像， 所述多個座標是使用所合成的合成畫像而取得。
7. 如請求項1所述的多電子束畫像取得方法，其中，自多一次電子束中選擇代表性一次電子束，並將其餘的電子束遮蔽。
8. 如請求項1所述的多電子束畫像取得方法，其中，於將所述代表性一次電子束照射至所述多個位置的情況下，一起照射未被選擇的其餘的射束， 於所述多個位置的每一位置檢測出的所述代表性二次電子束的檢測畫像中，一起拍入多個二次電子束的孔徑像， 使用一起拍入多個二次電子束的孔徑像的檢測畫像，自所述多個二次電子束的孔徑像中辨識所述代表性二次電子束。
9. 一種多電子束畫像取得裝置，其特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將自多一次電子束中選擇的代表性一次電子束照射至所述平台上預先設定的代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，利用因所述代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，藉由所述多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的所述代表性二次電子束； 座標取得電路，基於在所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置檢測出的所述代表性二次電子束的檢測畫像，取得與所述多個位置對應的多個座標；以及 偏轉條件演算電路，使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內所述代表性一次電子束的移動所引起的所述代表性二次電子束的移動抵消，使得所述代表性二次電子束向所述規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束畫像取得裝置藉由所述一次系統偏轉器，於載置於所述平台上的基板上，於所述多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用所述多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的所述二次射束偏轉條件的所述二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自所述基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由所述多檢測器對所述多二次電子束進行檢測，藉此取得所述基板的二次電子畫像。
10. 一種多電子束檢查裝置，其特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將自多一次電子束中選擇的代表性一次電子束照射至所述平台上預先設定的代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，利用因所述代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，藉由所述多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的所述代表性二次電子束； 座標取得電路，基於在所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置檢測出的所述代表性二次電子束的檢測畫像，取得與所述多個位置對應的多個座標；以及 偏轉條件演算電路，使用所取得的多個座標演算二次射束偏轉條件，以將所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內所述代表性一次電子束的移動所引起的所述代表性二次電子束的移動抵消，使得所述代表性二次電子束向所述規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束檢查裝置藉由所述一次系統偏轉器，於載置於所述平台上的基板上，於所述多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用所述多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的所述二次射束偏轉條件的所述二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自所述基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由所述多檢測器對所述多二次電子束進行檢測，藉此取得所述基板的二次電子畫像， 所述多電子束檢查裝置更包括比較電路，所述比較電路對所取得的二次電子畫像的至少一部分與規定的畫像進行比較。
11. 一種多電子束畫像取得裝置，其特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將代表多一次電子束的代表性一次電子束錯開時期地依次照射至所述平台上預先設定的代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，利用因所述代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，藉由所述多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的所述代表性二次電子束； 畫像合成電路，合成在所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置檢測出的所述代表性二次電子束的檢測畫像；以及 偏轉條件演算電路，使用所合成的合成畫像演算二次射束偏轉條件，以將所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內所述代表性一次電子束的移動所引起的所述代表性二次電子束的移動抵消，使得所述代表性二次電子束向所述規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束畫像取得裝置藉由所述一次系統偏轉器，於載置於所述平台上的基板上，於所述多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用所述多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的所述二次射束偏轉條件的所述二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自所述基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由所述多檢測器對所述多二次電子束進行檢測，藉此取得所述基板的二次電子畫像。
12. 一種多電子束檢查裝置，其特徵在於，包括： 平台，載置基板； 一次系統偏轉器，將代表多一次電子束的代表性一次電子束錯開時期地依次照射至所述平台上預先設定的代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的多個位置； 二次系統偏轉器，於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，利用因所述代表性一次電子束的照射而自所述位置放出的代表性二次電子束，於暫時的二次射束偏轉條件下進行掃描； 多檢測器，具有多個檢測元件，且於所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置，藉由所述多個檢測元件的規定的檢測元件，檢測於暫時的二次射束偏轉條件下進行的掃描中的所述代表性二次電子束； 畫像合成電路，合成在所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍的所述多個位置的每一位置檢測出的所述代表性二次電子束的檢測畫像；以及 偏轉條件演算電路，使用所合成的合成畫像演算二次射束偏轉條件，以將所述代表性一次電子束的一次射束偏轉範圍內所述代表性一次電子束的移動所引起的所述代表性二次電子束的移動抵消，使得所述代表性二次電子束向所述規定的檢測元件的照射位置固定， 所述多電子束檢查裝置藉由所述一次系統偏轉器，於載置於所述平台上的基板上，於所述多一次電子束的一次電子束偏轉範圍內使用所述多一次電子束進行掃描，並且，藉由按照演算出的所述二次射束偏轉條件的所述二次系統偏轉器所進行的射束偏轉，使用自所述基板放出的多二次電子束進行掃描，同時藉由所述多檢測器對所述多二次電子束進行檢測，藉此取得所述基板的二次電子畫像， 所述多電子束檢查裝置更包括比較電路，所述比較電路對所取得的二次電子畫像的至少一部分與規定的畫像進行比較。

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