TW202239055A - 調整裝置 - Google Patents
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Abstract
一種調整裝置,具有主動區和鄰近主動區的周邊區。調整裝置包括第一基板、第一導電層、第一絕緣層、第二導電層、第二絕緣層、以及框膠層。第一絕緣層設置於第一導電層上,且包括設置在周邊區內的第一開口。第二導電層設置於第一導電層上,且經由第一開口電性連接至第一導電層。第二絕緣層包括多個第一突出結構,設置於所述周邊區內且設置於第一絕緣層上。框膠層設置於周邊區內且設置於第二絕緣層上。第一開口設置於多個第一突出結構中之兩個第一突出結構之間。
Description
本揭露是有關於一種調整裝置,且特別是有關於一種可提高框膠層的粘著力的電磁波調整裝置。
顯示面板已廣泛地應用於電子產品例如行動電話、電視、監視器、平板電腦、車用顯示器、穿戴裝置以及桌上型電腦中。隨著電子產品的蓬勃發展,對於電子產品上的品質或功能的要求越來越高,且這類電子產品通常可同時作為電子調製裝置來使用,例如,作為可調製電磁波的天線裝置。然而,現存的天線裝置仍未在各個方面皆徹底地符合消費者的需求。
本揭露提供一種調整裝置,其可提高框膠層的粘著力。
本揭露的調整裝置具有主動區和鄰近主動區的周邊區。調整裝置包括第一基板、第一導電層、第一絕緣層、第二導電層、第二絕緣層、以及框膠層。第一絕緣層設置於第一導電層上,且包括設置在周邊區內的第一開口。第二導電層設置於第一導電層上,且經由第一開口電性連接至第一導電層。第二絕緣層包括多個第一突出結構,設置於所述周邊區內且設置於第一絕緣層上。框膠層設置於周邊區內且設置於第二絕緣層上。第一開口設置於多個第一突出結構中之兩個第一突出結構之間。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露,須注意的是,為了使讀者能容易瞭解及為了圖式的簡潔,本揭露中的多張圖式只繪出調整裝置的一部分,且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外,圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意,並非用來限制本揭露的範圍。舉例來說,膜層的材料、膜層的厚度、膜層的輪廓、電晶體的結構、電路佈局等僅是示例性的,且尺寸或範圍也僅是示例性的,本揭露不以此為限。
在下文說明書與權利要求書中,「含有」與「包括」等詞為開放式詞語,因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
應了解到,當元件或膜層被稱為在另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時,它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或層,或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地,當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時,兩者之間不存在有插入的元件或膜層。
雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件,但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。權利要求中可不使用相同術語,而依照權利要求中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此,在下文說明書中,第一組成元件在權利要求中可能為第二組成元件。
用語「範圍為第一數值至第二數值」、「範圍介於第一數值至第二數值之間」表示所述範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
在本揭露一些實施例中,關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等,除非特別定義,否則可指兩個結構係直接接觸,或者亦可指兩個結構並非直接接觸,其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動,或者兩個結構都固定之情況。此外,用語「耦接」包含任何直接及間接的電性連接手段。
在本揭露中,長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得,厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得,但不以此為限。另外,任兩個用來比較的數值或方向,可存在著一定的誤差。
本揭露的調整裝置可包括電磁波調整裝置,但不以此為限。本揭露的調整裝置可包括天線裝置,但不以此為限。天線裝置可例如是液晶天線或天線拼接裝置,但不以此為限。需注意的是,調整裝置可為前述之任意排列組合,但不以此為限。此外,調整裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。調整裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統…等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。
須知悉的是,以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下,可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突,均可任意混合搭配使用。
現將詳細地參考本揭露的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A為本揭露一實施例的調整裝置的上視示意圖。圖1B為圖1A中的區域R的放大示意圖。圖1C為圖1B的調整裝置沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。圖1D為圖1A的調整裝置沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明,圖1A與圖1C省略繪示了調整裝置中的若干元件,舉例來說,圖1B省略繪示框膠層160,但不以此為限。依據一些實施例,調整裝置可為電磁波調整裝置。
請先參照圖1A,本實施例的調整裝置100具有主動區101、周邊區102以及天線單元103。周邊區102鄰近主動區101。周邊區102可圍繞在主動區101的四周。天線單元103設置在主動區101內。
請同時參照圖1A至圖1D,本實施例的調整裝置100包括第一基板110、第一導電層120、第一絕緣層130、第二導電層140、第二絕緣層150A、框膠層160以及第二基板170。其中,第一基板110與第二基板170相對設置在調整裝置100的上下兩側。第一基板110與第二基板170可包括軟性基板、硬質基板、或其組合。舉例來說,第一基板110與第二基板170的材料可包括聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、玻璃、其它合適的基板材料、或前述的組合,但不以此為限。
請參照圖1B和圖1C,第一導電層120設置於第一基板110上。第一絕緣層130設置於第一導電層120上,且包括設置於周邊區102內的多個開口,例如第一開口131。第二導電層140設置於第一導電層120上,第二導電層140包括第一導電部141,第一導電部141經由第一開口131電性連接至第一導電層120。第二絕緣層150A包括多個第一突出結構150,設置於周邊區102內且設置於第一絕緣層130上。在本實施例中,多個第一突出結構150可連續地延伸並圍繞在主動區101的四周,但不以此為限。
在一些實施例中,多個第一突出結構150可不連續地延伸並圍繞在主動區101的四周,如圖3所示。框膠層160設置於周邊區102內且設置於第二絕緣層150A上。第一開口131設置於多個第一突出結構150中之兩個第一突出結構150之間。
具體來說,第一導電層120設置於第一基板110上的主動區101以及周邊區102內,且第一導電層120未設置於天線單元103內。其中,位於周邊區102內的第一導電層120可在第三方向Y上重疊於框膠層160。在本實施例中,框膠層160的邊界160a例如是比第一導電層120的邊界120a更靠近第一基板110的邊界110a,但不以此為限。在一些實施例中,雖然圖未繪示,第一導電層的邊界120a也可以比框膠層的邊界160a更靠近第一基板的邊界110a,但不以此為限。另外,位於周邊區102內的第一導電層120可將來自第二基板170的訊號傳遞至主動區101。主動區101內的第一導電層120可用來遮蔽不可見光,例如是電磁波,但不以此為限。在本實施例中,第一導電層120的材料可例如是鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鉿(Hf)、鎳(Ni),鉻(Cr)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、其他合適的金屬、或上述材料的合金或組合,但不以此為限。
如圖1C所示,第一絕緣層130設置於第一導電層120上,且設置於主動區101與周邊區102內。如圖1A和圖1D所示,第一絕緣層130包括設置在主動區101內且對應於天線單元103的多個開口133。
第一絕緣層130包括設置於周邊區102內的多個開口,例如,可包括第一開口131和第二開口132。例如,第一突出結構150可沿著第二方向Z延伸。沿著第一方向X上,至少一個第一開口131可設置於兩個第一突出結構150-1和150-2之間,至少一個第二開口132可設置於兩個第一突出結構150-2和150-3之間。沿著第一方向X,第一突出結構150-2可設置在第一開口131與第二開口132之間。第一開口131和第二開口132可分別暴露出部分的第一導電層120。第二導電層140可包括第一導電部141和第二導電部142。第一導電部141可經由第一開口131電性連接至第一導電層120,第二導電部142可經由第二開口132電性連接至第一導電層120。第一導電部141與第二導電部142可為彼此分離,但不以此為限。在本實施例中,第一方向X、第二方向Z以及第三方向Y為不同的方向,其中,第三方向Y例如是第一基板110的法線方向,第一方向X例如是剖面線Ⅰ-Ⅰ’的延伸方向且垂直於第三方向Y,第二方向Z則分別垂直於第一方向X與第三方向Y,但不以此為限。
在一些實施例中,第一開口131與第二開口132可由第一絕緣層130的表面134朝向第一基板110的方向凹下。第一絕緣層130的表面134為第一絕緣層130遠離第一基板110的表面。第一開口131與第二開口132可具有深度D1。其中,深度D1例如是第一開口131與第二開口132沿著第一基板110的法線方向進行量測到的最大深度。在本實施例中,第一絕緣層130可以為單層結構或多層結構,且第一絕緣層130的材料可例如是有機的絕緣材料、無機的絕緣材料(例如氮化矽)或前述的組合,但不以此為限。深度D1可為0.05微米(μm)至2微米之間,例如可為0.05微米至1微米之間,例如可為0.08微米至0.5微米之間。
如圖1C所示,在一些實施例中,第二導電層140可設置於周邊區102內,且可不設置於主動區101內。在一些實施例中,雖然圖未顯示,第二導電層140亦可同時設置於周邊區102內和主動區101內。在本實施例中,第二導電層140的材料可例如是透明導電材料或金屬材料。舉例來說,第二導電層140的材料可例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、金屬材料(例如鋁、鉬、銅、銀等)、其它合適的材料或前述的組合,但不以此為限。
第二絕緣層150A可包括多個第一突出結構150,多個第一突出結構150設置於第一絕緣層130的表面134上以及周邊區102內。在一些實施例中,多個第一突出結構150可不會設置於主動區101內。在一些實施例中,雖然圖未顯示,多個第一突出結構150可同時設置於主動區101內和周邊區102內。多個第一突出結構150中的每個第一突出結構150彼此分離,但不以此為限。多個第一突出結構150可藉由具有多個間隔151而彼此分離,但不以此為限。其中,多個間隔151設置於多個第一突出結構150中相鄰的兩個第一突出結構150之間,且多個間隔151分別對應於第一絕緣層130的多個第一開口131與而設置。具體而言,如圖1B和1C所示,間隔151a對應於第一絕緣層130的第一開口131而設置,且間隔151b對應於第一絕緣層130的第二開口132而設置。
如圖1C所示,在本實施例中,多個第一突出結構150的側表面152與遠離第一基板110的頂表面153可被框膠層160覆蓋。依據一些實施例,多個第一突出結構150的側表面152與頂表面153可與框膠層160接觸。此外,依據一些實施例,由於多個第一突出結構150可為由第一絕緣層130的表面134朝向第二基板170的方向突出的立體結構,因而可增加多個第一突出結構150與框膠層160的接觸面積,進而提高框膠層160的粘著力。此外,依據一些實施例,由於多個第一突出結構150為突出的立體結構且設置於周邊區102,因而使得多個第一突出結構150也可以具有阻擋水氣滲入的效果,進而可提高調整裝置100的良率。
在本實施例中,多個第一突出結構150的材料可例如是有機的絕緣材料、無機的絕緣材料、或前述的組合,但不以此為限。無機的絕緣材料例如可為氮化矽、氧化矽、或其組合。在本實施例中,多個第一突出結構150的至少一者的高度H可例如是0.1微米(μm)至3微米之間,但不以此為限。依據一些實施例,所有多個第一突出結構150的高度H可例如是0.1微米(μm)至3微米之間。當多個第一突出結構的高度小於0.1微米時,多個第一突出結構與框膠層的接觸面積不足,因而無法有效提高框膠層的粘著力。其中,高度H例如是多個第一突出結構150沿著第一基板110的法線方向進行量測到的最大高度。此外,在本實施例中,第一基板110與第二基板170之間的間隙G1的距離Dg可例如是2微米至10微米,但不以此為限。在一些實施例中,間隙G1的距離Dg也可以是3微米。因此,當第一基板110與第二基板170之間的間隙G1的距離Dg約為3微米且多個第一突出結構的高度大於3微米時,可能會使多個第一突出結構抵住第二基板而造成框膠層於製作時的流動性不佳。其中,距離Dg例如是第一基板110與第二基板170之間沿著第一基板110的法線方向進行量測到的距離。
框膠層160可設置於周邊區102內且設置於第二絕緣層150A上。框膠層160可設置於第一基板110與第二基板170之間的間隙G1,以使第一基板110可藉由框膠層160來與第二基板170粘著並對組。在本實施例中,框膠層160可包圍多個第一突出結構150。此外,框膠層160可包括導電粒子161。如圖1C所示,導電粒子161可與第一基板110上的第二導電層140和第二基板170上的導電層185接觸。如此,第二導電層140可將來自第二基板170的訊號傳遞至第一導電層120以及主動區101。在本實施例中,導電粒子161的直徑Da可例如是2微米至10微米,但不以此為限。在一些實施例中,導電粒子161的直徑Da也可為3微米。其中,直徑Da例如是導電粒子161沿著第一基板110的法線方向進行量測到的最大直徑。
如圖1C和圖1D所示,在本實施例中,調整裝置100還可以包括絕緣層121、絕緣層122、液晶123、導電層180、導電層181、絕緣層182、導電層183、絕緣層184、導電層185。具體來說,絕緣層121設置於第一導電層120與第一基板110之間,且設置於主動區101與周邊區102內。絕緣層122設置於第一絕緣層130上與第一絕緣層130的開口133內,且絕緣層122設置於主動區101內。絕緣層122具有開口122a與開口122b,其中開口122a暴露出部分的第一絕緣層130,且開口122b暴露出部分的絕緣層121。開口122b可對應於天線單元103設置。液晶123設置於主動區101內,且設置於第一基板110與第二基板170之間的間隙G1、開口122a內以及開口122b內。
接著,導電層180設置於第二基板170上,且設置於主動區101 和周邊區102內。絕緣層182設置於第二基板170上以及主動區101 和周邊區102內,以覆蓋導電層180。絕緣層182具有開口182a,以暴露出部分的導電層180。導電層183設置於絕緣層182上,且設置於主動區101 和周邊區102內。絕緣層184設置於主動區101與周邊區102內。位於周邊區102內的絕緣層184設置於絕緣層182上,以覆蓋導電層183。位於周邊區102內的絕緣層184具有開口184a與開口184b,其中開口184a連通開口182a以暴露出部分的導電層180,且開口184b暴露出部分的導電層183。導電層181設置於絕緣層184上,且設置於主動區101內。位於主動區101內的絕緣層186設置於第二基板170上,以覆蓋導電層181。導電層185設置於絕緣層184上、開口184a內、開口182a內以及開口184b內。導電層185可設置於周邊區102和主動區101內。依據一些實施例,導電層185可設置於周邊區102內,且可不設置於主動區101內。導電層185可經由開口184a電性連接至導電層180,且導電層185也可經由開口184b電性連接至導電層183。導電層185還可接觸框膠層160中的導電粒子161,因此,使得來自第二基板170中的導電層180的訊號可透過導電層185、導電粒子161以及第二導電層140而傳遞至第一基板110中的第一導電層120,且使得來自第二基板170中的導電層183的訊號也可透過導電層185、導電粒子161以及第二導電層140而傳遞至第一基板110中的第一導電層120。
雖然本實施例中的第一突出結構150位於周邊區102且設置於第一基板110上,但本揭露並不對第一突出結構的設置位置加以限制。也就是說,在一些實施例中,第一突出結構也可設置於第二基板上。在一些實施例中,第一突出結構也可同時設置於第一基板上與第二基板上。
如圖1A和圖1B所示,第一基板110包括側邊S1、側邊S2,側邊S1連接側邊S2。側邊S1沿著第一方向X延伸,側邊S2沿著第二方向Z延伸。以區域R為例作說明,區域R鄰近第一基板110的側邊S2,區域R內的第一突出結構150的延伸方向可為第二方向Z,亦即,可為和側邊S2的延伸方向相同。區域R1鄰近第一基板110的側邊S1,區域R1內的第一突出結構150的延伸方向可為第一方向X,亦即,可為和側邊S1的延伸方向相同。
上述實施例是以圖1A中的區域R為例作說明,因此第一突出結構150是沿著第二方向Z延伸。沿著第一方向X上,至少一個第一開口131可設置於兩個第一突出結構150-1和150-2之間。雖然圖未顯示,對於區域R1中,第一突出結構150可沿著第一方向X延伸。沿著第二方向Z上,至少一個第一開口131可設置於兩個第一突出結構150之間。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。
圖2為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。請同時參照圖1B與圖2,本實施例的調整裝置100a大致相似於圖1B的調整裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的調整裝置100a不同於調整裝置100之處主要在於,第二導電層140和第一開口131的設計。在本實施例的調整裝置100a中,第一絕緣層130包括設置於周邊區102內的第一開口131A和另外第一開口131B,另外第一開口131B沿著第二方向Z與第一開口131A對應設置。第一突出結構150可沿第二方向Z延伸。第一開口131A沿著第一方向X設置於兩個第一突出結構150-1和150-2之間。第二導電層140包括第一導電部141A和另外第一導電部141B。第一導電部141A經由第一開口131A電性連接至第一導電層120, 另外第一導電部141B經由另外第一開口131B電性連接至第一導電層120。第一導電部141A與另外第一導電部141B彼此相連。詳細而言,第一導電部141A與另外第一導電部141B沿著第二方向Z彼此相連。另外,第一絕緣層130還可包括設置於周邊區102內的第二開口132A和另外第二開口132B,另外第二開口132B沿著第二方向Z與第二開口132A對應設置。第二導電層140還可包括第二導電部142A和另外第二導電部142B。第二導電部142A經由第二開口132A電性連接至第一導電層120, 另外第二導電部142B經由另外第二開口132B電性連接至第一導電層120。第二導電部142A與另外第二導電部142B彼此相連。詳細而言,第二導電部142A與另外第二導電部142B沿著第二方向Z彼此相連。
圖3為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。請同時參照圖1B與圖3,本實施例的調整裝置100b大致相似於圖1B的調整裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的調整裝置100b不同於調整裝置100之處主要在於,本實施例的調整裝置100b中,第二絕緣層150A更包括多個第二突出結構154,設置於所述周邊區102內,且與多個第一突出結構150彼此分離。第一開口131沿著第一方向X設置於兩個第一突出結構150之間,且沿著第二方向Z設置於多個第二突出結構154中之兩個第二突出結構154之間。具體而言,第一開口131沿著第一方向X設置於第一突出結構150-1和150-2之間,且沿著第二方向Z設置於兩個第二突出結構154-1和154-2之間。
在本實施例中,第一突出結構150-1 (或第一突出結構150-2、或第一突出結構150-3)是以不連續地方式設置並延伸,因而使得相鄰的兩個第一突出結構150-1 (或第一突出結構150-2、或第一突出結構150-3)之間還具有間隙G2。藉此,可使框膠層160在製作時可因間隙G2的設置而較容易流動。具體而言,在第二方向Z上延伸的第一突出結構150有設置間隙G2,以第一突出結構150-1作說明,在第二方向Z延伸上且相鄰的兩第一突出結構150-1之間有間隙G2。
在本實施例中,多個第二突出結構154的材料相同或相似於多個第一突出結構150b,故於此不在贅述。此外,由於多個第二突出結構154也可以為由第一絕緣層130的表面朝向第二基板(未繪示)的方向突出的立體結構,因而可增加多個第二突出結構154與框膠層(未繪示)的接觸面積,進而可更進一步地提高框膠層的粘著力。
圖4A為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。圖4B為圖4A的調整裝置沿剖面線Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意圖。請同時參照圖1B-1C與圖4A-4B,本實施例的調整裝置100c大致相似於圖1B-1C的調整裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的調整裝置100c不同於調整裝置100之處主要在於,本實施例的調整裝置100c更包括多個第三突出結構155與多個第三開口155a。在第一方向X上,第三突出結構155可設置於兩個第一突出結構150之間。
如圖4A和4B所示,第二絕緣層150A更包括多個第三突出結構155,設置於周邊區102內。其中,多個第三突出結構155可連續地延伸並圍繞在主動區101的四周,但不以此為限。部分之第一導電部141可設置於多個第三突出結構155之至少一者上。多個第三突出結構155之至少一者包括第三開口155a。如圖4B所示,第三開口155a可連接第一絕緣層130之第一開口131。另一部分之第一導電部141可設置於第三開口155a之側壁上。雖然圖未顯示,多個第三突出結構155亦可以不連續地方式設置並延伸。例如,在第二方向Z上延伸的第三突出結構155可設置間隙(如圖3所示的間隙G2)。藉此,可使框膠層160在製作時可因間隙的設置而較容易流動。
多個第四開口156可設置於相鄰的多個第一突出結構150與多個第三突出結構155之間。多個第四開口156暴露出部分的第一絕緣層130且具有深度D4。其中,深度D4例如是第四開口156沿著第一基板110的法線方向進行量測到的最大深度。在一些實施例中,第四開口156的深度D4的值例如是等於多個第一突出結構150的高度H的值,但不以此為限。
在本實施例中,多個第三突出結構155包括多個第三開口155a。在本實施例中,第二導電層140的多個第一導電部141 (或多個第二導電部142)可設置於多個第三突出結構155遠離第一基板110的頂表面155b上、多個第三開口155a內以及多個第一開口131內。如圖4B所示,第三突出結構155之第三開口155a可和第一絕緣層130之第一開口131連結。如此,第一導電部141可經由第三開口155a和第一開口131而電性連接至第一導電層120。在本實施例中,由於第二導電層140可設置於多個第三突出結構155的頂表面155b上,因而可使得第二基板170上的導電層185與第一基板110上的第二導電層140之間的距離可以減小,進而可使用直徑Da較小的導電粒子161c。如此一來,可降低導電粒子161c的成本,或可使得間隙G1大小的設計較有彈性。
在本實施例中,由於多個第三突出結構155也可以為由第一絕緣層130的表面134朝向第二基板170的方向突出的立體結構,因而可增加多個第三突出結構155與框膠層160的接觸面積,進而可更進一步地提高框膠層160的粘著力。
依據一些實施例,第二絕緣層150A可包括多個突出結構。例如,第二絕緣層150A可包括多個第一突出結構150。例如,第二絕緣層150A可包括多個第一突出結構150和多個第二突出結構154。例如,第二絕緣層150A可包括多個第一突出結構150和多個第三突出結構155。例如,第二絕緣層150A可包括多個第一突出結構150、多個第二突出結構154、和多個第三突出結構155。參照圖3,第一突出結構150的延伸方向為第二方向Z,至少有一個第一開口131沿著第一方向X設置於兩個第一突出結構150-1和150-2之間。第一開口131並且沿著第二方向Z設置於兩個第二突出結構154-1和154-2之間。第一突出結構150和第二突出結構154的上方,並沒有設置第二導電層140。依據一些實施例,上方設置有第二導電層140的突出結構可定義為第三突出結構155。例如,參照圖4B,部分之第二導電層140設置於第三突出結構155上。詳細而言,第二導電層140的第一導電部141設置於第三突出結構155上。並且,第三突出結構155可具有第三開口155a,第三開口155a可連接第一絕緣層130之第一開口131。
圖5A為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。圖5B為圖5A的調整裝置沿剖面線Ⅳ-Ⅳ’的剖面示意圖。請同時參照圖4A-4B與圖5A-5B,本實施例的調整裝置100d大致相似於圖4A-4B的調整裝置100c,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的調整裝置100d不同於調整裝置100c之處主要在於第三突出結構155中的第三開口155a的設計。在本實施例中,沿著第一方向X上,第三突出結構155設置於兩個第一突出結構150之間。第三突出結構155包括沿著第一方向X上的至少兩個第三開口155a1和155a2。第一絕緣層130包括設置於周邊區102內的第一開口131A 和另外第一開口131B,第二導電層140包括第一導電部141A和另外第一導電部141B。第一導電部141A和另外第一導電部141B分別經由這兩個第三開口155a1和155a2而電性連接到第一導電層120。沿著第一方向X上,第一導電部141和另外導電部142不連接。
圖6A為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。圖6B為圖6A的調整裝置沿剖面線Ⅴ-Ⅴ’的剖面示意圖。請同時參照圖5A-5B與圖6A-6B,本實施例的調整裝置100e大致相似於圖5A-5B的調整裝置100d,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的調整裝置100e不同於調整裝置100d之處主要在於第三突出結構155中的第三開口155a的設計。沿著第一方向X上,第三突出結構155包括第三開口155a1和155a2。第一絕緣層130包括設置於周邊區102內的第一開口131A 和另外第一開口131B,第二導電層140包括第一導電部141A和另外第一導電部141B。沿著第一方向X上,第一導電部141A與另外第一導電部141B彼此相連。而且,相連的第一導電部141A與另外第一導電部141B填入第三突出結構155的第三開口155a1和155a2內。如此,相連的第一導電部141A與另外第一導電部141B經由第三開口155a1和155a2、第一開口131A和另外第一開口131B而電性連接至第一導電層120。
綜上所述,在本揭露實施例的調整裝置中,藉由將多個第一突出結構設置於周邊區內,可增加多個第一突出結構與框膠層的接觸面積,並提高框膠層的粘著力。另外,由於多個第一突出結構為突出的立體結構且設置於周邊區,因而使得多個第一突出結構也可以具有阻擋水氣滲入的效果,進而可提高調整裝置的良率。
雖然本揭露已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本揭露,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本揭露的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b、100c、100d、100e:調整裝置
101:主動區
102:周邊區
103:天線單元
110:第一基板
110a、120a、160a:邊界
120:第一導電層
121、122:絕緣層
122a、122b:開口
123:液晶
130:第一絕緣層
131、131A:第一開口
131B:另外第一開口
132、132A:第二開口
132B:另外第二開口
133:開口
134:表面
140:第二導電層
141、141A:第一導電部
141B:另外第一導電部
142、142A:第二導電部
142B:另外第二導電部
150、150-1、150-2、150-3:第一突出結構
150A:第二絕緣層
151、151a、151b:間隔
152:側表面
153:頂表面
154、154-1、154-2、155:第二突出結構
155:第三突出結構
155a、155a1、155a2:第三開口
155b:頂表面
156:第四開口
160:框膠層
161、161c:導電粒子
170:第二基板
180、181、183、185:導電層
182、184、186:絕緣層
182a、184a、184b:開口
D1、D4:深度
Da:直徑
Dg:距離
G1、G2:間隙
H:高度
R、R1:區域
S1、S2:側邊
X:第一方向
Y:第三方向
Z:第二方向
圖1A為本揭露一實施例的調整裝置的上視示意圖。
圖1B為圖1A中的區域R的放大示意圖。
圖1C為圖1B的調整裝置沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。
圖1D為圖1A的調整裝置沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖。
圖2為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。
圖3為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。
圖4A為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。
圖4B為圖4A的調整裝置沿剖面線Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意圖。
圖5A為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。
圖5B為圖5A的調整裝置沿剖面線Ⅳ-Ⅳ’的剖面示意圖。
圖6A為本揭露另一實施例的調整裝置的上視示意圖。
圖6B為圖6A的調整裝置沿剖面線Ⅴ-Ⅴ’的剖面示意圖。
110:第一基板
120:第一導電層
121:絕緣層
130:第一絕緣層
131:第一開口
132:第二開口
134:表面
140:第二導電層
141:第一導電部
142:第二導電部
150、150-1、150-2、150-3:第一突出結構
150A:第二絕緣層
151、151a、151b:間隔
152:側表面
153:頂表面
160:框膠層
161:導電粒子
170:第二基板
180、183、185:導電層
182、184:絕緣層
182a、184a、184b:開口
D1:深度
Da:直徑
Dg:距離
G1:間隙
H:高度
X:第一方向
Y:第三方向
Z:第二方向
Claims (10)
- 一種調整裝置,具有主動區和周邊區,所述周邊區鄰近所述主動區,所述調整裝置包括: 第一基板; 第一導電層,設置於所述第一基板上; 第一絕緣層,設置於所述第一導電層上,且包括設置於所述周邊區內的第一開口; 第二導電層,設置於所述第一導電層上,第二導電層包括第一導電部,所述第一導電部經由所述第一開口電性連接至所述第一導電層; 第二絕緣層,包括多個第一突出結構,設置於所述周邊區內且設置於所述第一絕緣層上;以及 框膠層,設置於所述周邊區內且設置於第二絕緣層上, 其中所述第一開口設置於所述多個第一突出結構中之兩個第一突出結構之間。
- 如請求項1所述的調整裝置,其中所述多個第一突出結構的所述至少一者的高度為0.1微米至3微米。
- 如請求項1所述的調整裝置,更包括: 所述第二絕緣層更包括多個第二突出結構,設置於所述周邊區內,且與所述多個第一突出結構彼此分離, 其中所述第一開口沿著第一方向設置於所述多個第一突出結構中之兩個第一突出結構之間,且沿著第二方向設置於所述多個第二突出結構中之兩個第二突出結構之間。
- 如請求項1所述的調整裝置,其中所述第一絕緣層更包括設置於所述周邊區內的第二開口,所述第二導電層更包括第二導電部,所述第二導電部經由所述第二開口電性連接至所述第一導電層,所述第一導電部與所述第二導電部彼此分離。
- 如請求項1所述的調整裝置,其中所述第一絕緣層更包括設置於所述周邊區內的另外第一開口,所述第二導電層包括另外第一導電部,所述另外第一導電部經由所述另外第一開口電性連接至所述第一導電層,所述第一導電部與所述另外第一導電部彼此相連。
- 如請求項5所述的調整裝置,其中所述第一開口沿著第一方向設置於所述多個第一突出結構中之兩個第一突出結構之間,所述兩個第一突出結構沿第二方向延伸,所述第一導電部與所述另外第一導電部沿著所述第二方向彼此相連。
- 如請求項5所述的調整裝置,其中所述第一開口沿著第一方向設置於所述多個第一突出結構中之兩個第一突出結構之間,所述兩個第一突出結構沿第二方向延伸,所述第一導電部與所述另外第一導電部沿著所述第一方向彼此相連。
- 如請求項1所述的調整裝置,其中所述第二絕緣層更包括多個第三突出結構,設置於所述周邊區內,其中部分之所述第一導電部設置於所述多個第三突出結構之至少一者上。
- 如請求項8所述的調整裝置,其中所述多個第三突出結構之至少一者包括第三開口,所述第三開口連接所述第一絕緣層之所述第一開口。
- 如請求項9所述的調整裝置,其中另一部分之所述第一導電部設置於所述第三開口之側壁上。
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