TW202236400A - 處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種處理裝置，其沒有必須使分割預定線相對於處理進給方向的傾斜度落在預定角度以內之限制，且可以期待100%的匹配度，並且可減少時間上的損失。 [解決手段]處理裝置的拍攝單元包含顯微鏡、與連結於顯微鏡且由可捕捉圖像之複數個像素所構成之拍攝元件。控制單元具有記憶用於執行型樣匹配的目標型樣之目標型樣記憶部、與依據來自拍攝元件之圖像來檢測直線區域之直線區域檢測部，且計算藉由直線區域檢測部所檢測出之直線區域的方向與處理進給方向之偏移角度，調整已記憶於目標型樣記憶部的目標型樣與晶圓上的特徵型樣之相對角度，執行型樣匹配。

Description

處理裝置
本發明是有關於一種對晶圓施行處理之處理裝置，前述晶圓是複數個器件被交叉之複數條分割預定線所區劃並形成在正面之晶圓。
將IC、LSI等的複數個器件以交叉之複數條分割預定線來區劃而形成在正面之晶圓，是藉由切割裝置、雷射加工裝置而被分割成一個個的器件晶片，並且可將已分割的各器件晶片應用在行動電話、個人電腦等的電氣機器上。
切割裝置至少具備工作夾台、切削單元、處理進給機構、拍攝單元與控制單元而可以高精度地分割晶圓，前述工作夾台會保持晶圓，前述切削單元可旋轉地設置有對已保持在工作夾台之晶圓進行切削之切削刀片，前述處理進給機構將工作夾台與切削單元相對地處理進給，前述拍攝單元對已保持在工作夾台之晶圓進行拍攝來檢測應切削之區域，前述控制單元依據來自拍攝單元之訊號而執行使晶圓的分割預定線和切削刀片的處理進給方向一致之校準(參照例如專利文獻1)。
又，雷射加工裝置可具備雷射加工單元來取代切割裝置中的切削單元，並且與切割裝置同樣地，可以藉由校準的執行來對晶圓施行高精度的加工。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特許第2562936號公報
發明欲解決之課題
在前述之校準中，是將已形成在晶圓的正面之器件的特徵性的型樣作為目標型樣來記憶，且依據以拍攝單元所拍攝到的晶圓的圖像，藉由已記憶的目標型樣與晶圓上的特徵性的型樣之型樣匹配來檢測分割預定線。因此，若分割預定線的方向已從處理進給方向大幅地偏移時，會使所記憶的目標型樣與晶圓上的特徵型樣之匹配度變低，而無法從器件找出和已記憶之目標型樣相同的型樣，且有產生校準錯誤之問題。
為了解決此問題，會以分割預定線相對於處理進給方向的傾斜度落在±3°以內之方式來使晶圓保持在工作夾台上，並在圖像處理上一邊使晶圓每次旋轉1°一邊執行型樣匹配，而將匹配度最高之型樣作為和目標型樣相同的型樣來執行校準。
然而，會有如下之問題：有必須讓分割預定線相對於處理進給方向的傾斜度落在±3°以內之限制、無法期待100%的匹配度、有時間上的損失。
據此，本發明之目的在於提供一種可以達成較高的型樣匹配度之處理裝置。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種處理裝置，對複數個器件被交叉之複數條分割預定線所區劃且形成在正面之晶圓施行處理，前述處理裝置具備：工作夾台，保持晶圓；處理單元，對已保持在該工作夾台之該晶圓施行處理；處理進給機構，將該工作夾台與該處理單元相對地處理進給；拍攝單元，對已保持在工作夾台之該晶圓進行拍攝來檢測應處理之區域；及控制單元， 該拍攝單元包含顯微鏡、與連結於該顯微鏡且由可捕捉圖像之複數個像素所構成的拍攝元件， 該控制單元具有記憶用於執行型樣匹配的目標型樣之目標型樣記憶部、與依據來自該拍攝元件之圖像來檢測直線區域之直線區域檢測部， 且計算藉由該直線區域檢測部所檢測出之直線區域的方向與處理進給方向之偏移角度，調整已記憶於該目標型樣記憶部的目標型樣與晶圓上的特徵型樣之相對角度，執行型樣匹配。
較佳的是，該控制單元使該工作夾台旋轉該偏移角度，來調整該相對角度。較佳的是，該控制單元以圖像處理方式使已記憶於該目標型樣記憶部之目標型樣旋轉該偏移角度，調整該相對角度。 發明效果
根據本發明的處理裝置，沒有必須使分割預定線相對於處理進給方向的傾斜度落在預定角度以內之限制，且可以期待100%的匹配度，並且可減少時間上的損失，因而可以解決上述校準上的問題。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明實施形態之處理裝置，一面參照圖式一面說明。
參照圖1來說明，整體以符號2表示之處理裝置具備：保持晶圓4之工作夾台6、對已保持在工作夾台6之晶圓4施行處理之處理單元8、將工作夾台6與處理單元8相對地處理進給之處理進給機構(未圖示)、對已保持在工作夾台6之晶圓4進行拍攝來檢測應處理之區域的拍攝單元10、及控制單元12。
可藉由處理裝置2來施行處理之晶圓4，可由例如矽等之合宜的半導體材料來形成。如圖2所示，於晶圓4的正面4a設置有複數個直線區域即分割預定線14，複數條分割預定線14作為整體而組合成格子狀。並且晶圓4的正面4a被格子狀的分割預定線14區劃成複數個矩形區域，且在複數個矩形區域的每一個形成有IC、LSI等的器件16。
器件16具有在處理裝置2中校準時作為用於執行型樣匹配之目標型樣來使用之特徵性的型樣。本實施形態的器件16具有如圖3所示之L形狀的特徵型樣18。又，如圖2所示，已將晶圓4的背面4b貼附在周緣已被固定於環狀框架20之切割膠帶22，且晶圓4是透過切割膠帶22而被環狀框架20所支撐。
處理裝置2的工作夾台6是構成為：在圖1中以箭頭X表示之X軸方向上移動自如，且以上下方向作為軸心而旋轉自如。如圖1所示，在工作夾台6的上端部分配置有連接到吸引組件(未圖示)之多孔質的圓形狀的吸附夾頭24。在工作夾台6中，藉由以吸引組件在吸附夾頭24生成吸引力，而吸引保持已載置在上表面之晶圓4。又，在工作夾台6的周緣，於圓周方向上隔著間隔而配置有複數個夾具26。再者，於圖1中以箭頭Y表示的Y軸方向是和X軸方向正交之方向，X軸方向以及Y軸方向所規定之XY平面實質上是水平的。
本實施形態之處理裝置2是作為本發明的處理裝置之一例的切割裝置，本實施形態之處理單元8是作為對晶圓4施行切削加工之切削單元而構成。處理單元(切削單元)8可旋轉地設置有環狀的切削刀片28，前述環狀的切削刀片28對已吸引保持在工作夾台6之晶圓4進行切削。切削刀片28是沿著X軸方向而配置，並以Y軸方向作為軸心而可旋轉地構成。
雖然未圖示，但上述處理進給機構包含使工作夾台6在X軸方向上移動之X軸進給機構、使處理單元8在Y軸方向上移動之Y軸進給機構、與將上下方向作為軸心來使工作夾台6旋轉之工作夾台用馬達。X軸進給機構亦可為以下之構成：具有連結於工作夾台6且在X軸方向上延伸之滾珠螺桿、與使此滾珠螺桿旋轉之馬達。又，Y軸進給機構宜為以下之構成：具有連結於處理單元8且在Y軸方向上延伸之滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉之馬達。並且，在處理進給機構中，是形成為在X軸方向以及Y軸方向之雙方將工作夾台6與處理單元8相對地處理進給，並且使工作夾台6旋轉。
如圖2所示，拍攝單元10包含顯微鏡30、與連結於顯微鏡30且由可捕捉圖像之複數個像素所構成之拍攝元件(未圖示)。顯微鏡30具有圓筒狀的顯微鏡殼體32、與容置在顯微鏡殼體32之透鏡(未圖示)。在顯微鏡殼體32的上端連結有拍攝元件殼體34，且在拍攝元件殼體34的內部容置有上述拍攝元件。並且，在拍攝單元10中是形成為藉由拍攝元件將已入射到顯微鏡30之光轉換成圖像資料的電氣訊號並輸出至控制單元12。又，可將藉由拍攝單元10所拍攝到的圖像顯示於監視器36(參照圖1)。
於監視器36已形成為除了藉由拍攝單元10所拍攝到的圖像以外，還可顯示表示處理進給方向即X軸方向之中央線L(參照圖3)。中央線L形成於拍攝單元10的視野，且可在監視器36的縱向中央沿著橫向方向來顯示。
由電腦所構成之控制單元12包含雖然未圖示但會依照控制程式進行運算處理之中央處理裝置(CPU)、保存控制程式等之唯讀記憶體(ROM)、保存運算結果等之可讀寫的隨機存取記憶體(RAM)，且形成為控制處理裝置2之作動。
如圖1所示，控制單元12具備記憶用於執行型樣匹配的目標型樣之目標型樣記憶部38、與依據來自拍攝單元10的拍攝元件的圖像來檢測直線區域之直線區域檢測部40。本實施形態之目標型樣記憶部38記憶有和已設於晶圓4的器件16之特徵型樣18相同形狀之目標型樣42(參照圖4)。
已記憶在目標型樣記憶部38之目標型樣42的方向，與晶圓4的分割預定線14已對齊於處理裝置2的X軸方向(處理進給方向)時之晶圓4上的特徵型樣18的方向相同。亦即，當晶圓4的分割預定線14對齊於X軸方向時，目標型樣42與晶圓4上的特徵型樣18的相對角度會成為0°，而目標型樣42與特徵型樣18會相互正確地重疊(形成一致)。再者，目標型樣記憶部38可以記憶任意的型樣來作為目標型樣。
控制單元12的直線區域檢測部40形成為依據藉由拍攝單元10所拍攝到的圖像，來檢測晶圓4的正面4a上的直線區域即分割預定線14。再者，作為直線區域檢測部40，亦可為藉由習知的霍夫(Hough)轉換來檢測直線之構成。
對控制單元12事先輸入有X軸方向以及Y軸方向，且在控制單元12中形成為：計算藉由直線區域檢測部40所檢測出之直線區域(分割預定線14)的方向、與處理進給方向(在本實施形態中為X軸方向)之偏移角度θ(參照圖3(a))。此外，在控制單元12中會依據所計算出之偏移角度θ，來調整已記憶在目標型樣記憶部38的目標型樣42與晶圓4上的特徵型樣18的相對角度。
如圖1所示，本實施形態之處理裝置2更具備片匣台46、搬出入機構50、第一搬送機構52、洗淨單元54與第二搬送機構56，前述片匣台46升降自如且供容置有複數片晶圓4之片匣44放置，前述搬出入機構50將加工前的晶圓4從片匣44拉出並搬出至暫置工作台48，並且將已定位在暫置工作台48之加工完成的晶圓4搬入片匣44，前述第一搬送機構52將已從片匣44搬出至暫置工作台48之加工前的晶圓4搬送至工作夾台6，前述洗淨單元54對已加工完畢之晶圓4進行洗淨，前述第二搬送機構56將加工完畢之晶圓4從工作夾台6搬送至洗淨單元54。
在使用如上述之處理裝置2來對晶圓4施行切削加工時，首先會在藉由搬出入機構50從片匣44將加工前的晶圓4拉出至暫置工作台48後，藉由第一搬送機構52將晶圓4從暫置工作台48搬送到工作夾台6，且讓正面4a向上來將晶圓4載置於工作夾台6的上表面。
將晶圓4載置於工作夾台6時，雖然宜設成儘可能地讓分割預定線14的方向對齊於X軸方向，但在本實施形態的處理裝置2中，並沒有「必須讓分割預定線14相對於X軸方向的傾斜度落在預定角度以內。」之限制。已將晶圓4載置於工作夾台6後，藉由工作夾台6吸引保持晶圓4，並且以複數個夾具26固定環狀框架20。
接著，檢測應施行切削加工之區域即晶圓4的分割預定線14，並執行校準，前述校準是使分割預定線14與切削刀片28的處理進給方向即X軸方向一致，並且調整分割預定線14與切削刀片28的位置關係。
在校準中，首先是以X軸進給機構使工作夾台6移動，而將晶圓4定位到拍攝單元10的下方。接著，藉由拍攝單元10拍攝晶圓4，並將所拍攝到的圖像的資料從拍攝單元10輸出至控制單元12。如此一來，在控制單元12中，會依據拍攝單元10所拍攝到的晶圓4的圖像，藉由直線區域檢測部40來檢測晶圓4的正面4a上的直線區域即分割預定線14。又，控制單元12會計算藉由直線區域檢測部40所檢測出之分割預定線14的方向與X軸方向的偏移角度θ(參照圖3(a))。
並且，在偏移角度θ並非0°的情況下，控制單元12會依據所計算出的偏移角度θ，來調整已記憶在目標型樣記憶部38的目標型樣42與晶圓4上的特徵型樣18之相對角度。
具體而言，控制單元12是使工作夾台用馬達作動，使吸引保持有晶圓4之工作夾台6旋轉偏移角度θ。藉此，如圖3(b)所示，晶圓4的分割預定線14的方向與X軸方向對齊。又，已記憶於目標型樣記憶部38的目標型樣42(參照圖4(a))、與晶圓4上的特徵型樣18(參照圖3(b))之相對角度成為0°，目標型樣42與特徵型樣18重疊。
要調整目標型樣42與特徵型樣18的相對角度時，如上述，雖然可使具有特徵型樣18之晶圓4旋轉，但亦可與此相反，以圖像處理方式使已記憶於目標型樣記憶部38的目標型樣42旋轉。例如，如圖4(b)所示，可讓以圖4(a)所示之狀態被記憶之目標型樣42以圖像處理方式旋轉偏移角度θ。藉此，在晶圓4的分割預定線14相對於X軸方向已偏移有偏移角度θ的情況下，可將已記憶在目標型樣記憶部38之目標型樣42的資料變更成使目標型樣42(參照圖4(b))與晶圓4上的特徵型樣18(參照圖3(a))重疊。
調整了目標型樣42與晶圓4上的特徵型樣18的相對角度後，藉由處理進給機構一邊使工作夾台6與拍攝單元10相對地在X軸方向或Y軸方向上移動，一邊拍攝晶圓4的複數個區域並以型樣匹配來提取特徵型樣18。此時，控制單元12會針對所拍攝到的複數個圖像的每一個來計算和目標型樣42的匹配度。
在本實施形態中，如上所述，由於將已記憶於目標型樣記憶部38的目標型樣42、與晶圓4上的特徵型樣18的相對角度調整為0°，因此包含特徵型樣18之圖像的匹配度會成為100%。然後，依據以型樣匹配所提取出之特徵型樣18，來取得作為應施行切削加工之區域的分割預定線14的位置資訊。在控制單元12中，由於事先輸入有晶圓4上的特徵型樣18與分割預定線14的位置關係，因此可以藉由提取特徵型樣18來取得分割預定線14的位置資訊。又，在以圖像處理方式使目標型樣42旋轉，來調整目標型樣42與特徵型樣18之相對角度的情況下，是使工作夾台6旋轉偏移角度θ，使分割預定線14對齊於X軸方向。
然而，嚴格來說，即使讓工作夾台6旋轉所計算出的偏移角度θ之量，仍有會留存有分割預定線14與X軸方向的微小的偏移之情況。因此，所期望的是，以型樣匹配提取分開之2處的特徵型樣18，來進一步高精度地微調整晶圓4的角度而使分割預定線14對齊於X軸方向。
接著，使工作夾台6移動，並將切削刀片28定位到已對齊於X軸方向之分割預定線14的上方。接著，使處理單元8下降，來對已對齊於X軸方向之分割預定線14施行切削加工，前述切削加工是一邊使高速旋轉之切削刀片28的刀鋒切入晶圓4並且對切削刀片28的已讓刀鋒切入之部分供給切削水，一邊將工作夾台6相對於處理單元8朝X軸方向處理進給而沿著分割預定線14形成切削溝。接著，反復進行將處理單元8相對於工作夾台6朝Y軸方向分度進給分割預定線14的Y軸方向間隔之量並且切削加工，而在所有的已對齊於X軸方向之分割預定線14形成切削溝。
接著，使工作夾台6旋轉90°，使和之前已形成有切削溝之第1方向的分割預定線14正交之第2方向的分割預定線14對齊於X軸方向。然後，反復進行切削加工與分度進給，而沿著所有的分割預定線14呈格子狀地形成切削溝。接著，在施行切削加工後，藉由第二搬送機構56將晶圓4從工作夾台6搬送到洗淨單元54，並藉由洗淨單元54來洗淨晶圓4。然後，藉由第一搬送機構52將晶圓4從洗淨單元54搬送至暫置工作台48，並藉由搬出入機構50將晶圓4從暫置工作台48搬出至片匣44。
如以上所述，在本實施形態的處理裝置2中，因為是在將晶圓4載置於工作夾台6後，將目標型樣42與特徵型樣18之相對角度調整成使已記憶於目標型樣記憶部38之目標型樣42與晶圓4上的特徵型樣18正確地重疊，所以在將晶圓4載置於工作夾台6時，毋須讓分割預定線14相對於X軸方向的傾斜度落在預定角度以內。
又，在本實施形態中，由於是將目標型樣42與特徵型樣18之相對角度調整成使目標型樣42與特徵型樣18正確地重疊，所以可以在型樣匹配中期待目標型樣42與特徵型樣18的100%的匹配度。
此外，在本實施形態中，由於是在調整目標型樣42與特徵型樣18之相對角度之後，拍攝晶圓4來執行型樣匹配，因此可以將型樣匹配在短時間內做完。亦即，不需要在圖像處理上一邊使晶圓4每次旋轉1°(一邊對晶圓4的角度進行微調整)一邊反復進行型樣匹配，而可將時間上的損失減少。如此，在本實施形態中，可以解決校準上的以往之問題。
再者，在本實施形態中，雖然說明了作為對晶圓4施行切削加工的切割裝置而構成有處理裝置2的例子，但本發明之處理裝置只要是會執行型樣匹配之裝置即可，而可作為對晶圓4施行雷射加工之雷射加工裝置、或對晶圓4施行包含檢查之各種處理的各種處理裝置來構成。
2:處理裝置 4:晶圓 4a:晶圓的正面 4b:晶圓的背面 6:工作夾台 8:處理單元 10:拍攝單元 12:控制單元 14:分割預定線 16:器件 18:特徵型樣 20:環狀框架 22:切割膠帶 24:吸附夾頭 26:夾具 28:切削刀片 30:顯微鏡 32:顯微鏡殼體 34:拍攝元件殼體 36:監視器 38:目標型樣記憶部 40:直線區域檢測部 42:目標型樣 44:片匣 46:片匣台 48:暫置工作台 50:搬出入機構 52:第一搬送機構 54:洗淨單元 56:第二搬送機構 L:中央線 θ:偏移角度 X,Y:箭頭(方向)
圖1是本發明實施形態之處理裝置的立體圖。 圖2是圖1所示之拍攝單元以及晶圓的放大立體圖。 圖3之(a)是顯示圖2所示之晶圓的直線區域(分割預定線)、與圖1所示之處理裝置的處理進給方向(X軸方向)的偏移角度為θ的狀態下之對晶圓進行拍攝的圖像的示意圖，(b)是顯示使工作夾台從(a)所示之狀態旋轉偏移角度θ後之狀態的圖像的示意圖。 圖4之(a)是已記憶於目標型樣記憶部之目標型樣的示意圖，(b)是顯示以圖像處理方式使目標型樣從(a)所示之狀態旋轉偏移角度θ後之狀態的示意圖。
2:處理裝置
4:晶圓
6:工作夾台
8:處理單元
10:拍攝單元
12:控制單元
20:環狀框架
22:切割膠帶
24:吸附夾頭
26:夾具
28:切削刀片
36:監視器
38:目標型樣記憶部
40:直線區域檢測部
44:片匣
46:片匣台
48:暫置工作台
50:搬出入機構
52:第一搬送機構
54:洗淨單元
56:第二搬送機構
X,Y:箭頭(方向)

Claims (3)

  1. 一種處理裝置，對複數個器件被交叉之複數條分割預定線所區劃且形成在正面之晶圓施行處理，前述處理裝置具備： 工作夾台，保持晶圓； 處理單元，對已保持在該工作夾台之該晶圓施行處理； 處理進給機構，將該工作夾台與該處理單元相對地處理進給； 拍攝單元，對已保持在該工作夾台之該晶圓進行拍攝來檢測應處理之區域；及 控制單元， 該拍攝單元包含顯微鏡、與連結於該顯微鏡且由可捕捉圖像之複數個像素所構成的拍攝元件， 該控制單元具有記憶用於執行型樣匹配的目標型樣之目標型樣記憶部、與依據來自該拍攝元件之圖像來檢測直線區域之直線區域檢測部， 且計算藉由該直線區域檢測部所檢測出之直線區域的方向與處理進給方向之偏移角度，調整已記憶於該目標型樣記憶部的目標型樣與晶圓上的特徵型樣之相對角度，執行型樣匹配。
  2. 如請求項1之處理裝置，其中該控制單元使該工作夾台旋轉該偏移角度，而調整該相對角度。
  3. 如請求項1之處理裝置，其中該控制單元以圖像處理方式使已記憶於該目標型樣記憶部之目標型樣旋轉該偏移角度，調整該相對角度。
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JP2001196328A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Disco Abrasive Syst Ltd Ｃｓｐ基板の分割方法
JP2013084681A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP6553940B2 (ja) * 2015-05-15 2019-07-31 株式会社ディスコ レーザー加工装置

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