TW202231462A - 層壓結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種包括膠帶及模製組件之層壓結構。該膠帶包括具有第一表面及相對第二表面之基板，其中第一黏著劑塗層經安置於該基板之該第一表面上。該模製組件係鄰近該膠帶之該第一黏著劑塗層定位且經接合至該膠帶之該第一黏著劑塗層，其中該模製組件包含含有液晶聚合物之聚合物組合物。如根據ASTM D3167-10 (2017)判定，該膠帶與該模製組件之間的剝離強度係約每英寸0.55磅力或更高。

Description

層壓結構
天線結構通常安裝於電子裝置內使得射頻信號可透過介電結構，諸如外殼或透明顯示器蓋(例如，玻璃)傳輸及接收。為了形成天線結構，通常在模製塑膠組件上形成導電元件或通路。使用雷射直接成型(「LDS」)程序形成此等通路變得愈來愈風行，在該程序期間電腦控制的雷射束行進遍及該模製組件以活化其在導電通路所在位置處之表面。為了幫助確保此等天線結構牢固地保持於電子裝置內，可將黏著膠帶插置於天線結構與該裝置之另一組件，諸如顯示器蓋或外殼之內表面之間。不幸的是，經常遇到的一個問題係膠帶與模製組件之間的接合強度通常是不良的，此可導致在電子裝置之製造及/或使用期間出現問題。因而，當前需要用於將模製組件(例如，天線結構)接合至電子裝置之其他組件之改良技術。
根據本發明之一項實施例，揭示一種包括膠帶及模製組件之層壓結構。該膠帶包括具有第一表面及相對第二表面之基板，其中第一黏著劑塗層經安置於該基板之該第一表面上。該模製組件係鄰近該膠帶之該第一黏著劑塗層定位且經接合至該膠帶之該第一黏著劑塗層。該模製組件包含含有液晶聚合物之聚合物組合物。如根據ASTM D3167-10 (2017)判定，該膠帶與該模製組件之間的剝離強度係約每英寸0.55磅力或更高。
下文更詳細地闡述本發明之其他特徵及態樣。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張申請日為2020年10月26日之美國臨時專利申請案第63/105,444號之申請權益，該案之全文以引用的方式併入本文中。
一般技術者應理解，本論述僅係對實例性實施例之描述，且並非意欲限制本發明之更廣泛態樣。
一般而言，本發明旨在一種含有接合至膠帶之模製組件之層壓結構。模製組件含有包含液晶聚合物之聚合物組合物。膠帶含有安置於基板(例如，膜、紙、非織造織物等)之至少一個表面上之黏著劑塗層，該基板係鄰近模製組件定位且經接合至模製組件。例如，基板可界定其上安置接合至模製組件之第一黏著劑塗層之第一表面(例如，上表面)。基板亦可界定視情況其上安置第二黏著劑塗層以接合至另一組件之相對第二表面(例如，下表面)。無論如何，藉由選擇性地控制用來形成模製組件之聚合物組合物之組分，本發明人已發現所得層壓板可展現高度之剝離強度。例如，如根據ASTM D3167-10 (2017)判定，剝離強度可為約每英寸0.55磅力或更高，在一些實施例中約每英寸0.60磅力或更高，在一些實施例中約每英寸0.65磅力或更高且在一些實施例中自約每英寸0.70磅力至約每英寸1磅力。如根據ASTM D3167-10 (2017)判定，峰值強度同樣可為約每英寸0.55磅力或更高，在一些實施例中約每英寸0.80磅力或更高，在一些實施例中約每英寸0.9磅力或更高且在一些實施例中約每英寸1磅力至約每英寸5磅力。
層壓結構不僅能夠展現高度之剝離強度，而且能夠在仍維持極佳熱及機械性質以使其能夠用於各種各樣的應用中的同時展現高度之剝離強度。例如，聚合物組合物之熔融溫度可約200°C至約400°C，在一些實施例中約250°C至約380°C，在一些實施例中約270°C至約360°C且在一些實施例中約280°C至約325°C。即使在此等熔融溫度下，負載下偏轉溫度(「DTUL」) (短期耐熱性之量度)與熔融溫度之比仍可保持相對高。例如，該比可在約0.5至約1.00，在一些實施例中約0.6至約0.95且在一些實施例中約0.65至約0.85之範圍內。如根據ISO測試第75-2:2013號在1.8兆帕之負載下判定，特定DTUL值可例如為約160°C或更高，在一些實施例中約170°C至約280°C，在一些實施例中約180°C至約260°C且在一些實施例中約190°C至約240°C。如此高的DTUL值可尤其允許使用高速且可靠的表面安裝程序來幫助將模製組件接合至膠帶。
聚合物組合物(及模製組件)亦可擁有極佳機械性質。例如，聚合物組合物(及模製組件)可展現約10 MPa或更高，在一些實施例中約50 MPa或更高，在一些實施例中約70 MPa至約300 MPa且在一些實施例中約80 MPa至約200 MPa之拉伸強度。聚合物組合物(及模製組件)可展現約0.5%或更大，在一些實施例中約1%至約10%且在一些實施例中約2%至約8%之拉伸伸長率。聚合物組合物(及模製組件)可展現約5,000 MPa或更高，在一些實施例中約6,000 MPa或更高，在一些實施例中約7,000 MPa至約25,000 MPa且在一些實施例中約10,000 MPa至約20,000 MPa之拉伸模量。拉伸性質可在23°C之溫度下根據ISO測試第527:2012號來判定。再者，聚合物組合物(及模製組件)可展現約20 MPa或更高，在一些實施例中約30 MPa或更高、在一些實施例中約50 MPa或更高，在一些實施例中約70 MPa至約300 MPa且在一些實施例中約80 MPa至約200 MPa之撓曲強度。聚合物組合物(及模製組件)可展現約0.4%或更大、在一些實施例中約0.5%至約4%且在一些實施例中約0.5%至約2%之撓曲伸長率。聚合物組合物(及模製組件)可展現約5,000 MPa或更高，在一些實施例中約6,000 MPa或更高，在一些實施例中約7,000 MPa至約25,000 MPa且在一些實施例中約10,000 MPa至約20,000 MPa之撓曲模量。撓曲性質可在23°C之溫度下根據178:2010來判定。此外，聚合物組合物(及模製組件)亦可擁有高衝擊強度，此在形成薄層壓結構時可係有用的。夏比缺口衝擊強度可例如為約3 kJ/m 2或更高，在一些實施例中約5 kJ/m 2或更高，在一些實施例中約7 kJ/m 2或更高，在一些實施例中約8 kJ/m 2至約40 kJ/m 2且在一些實施例中約10 kJ/m 2至約25 kJ/m 2。衝擊強度可在23°C之溫度下根據ISO測試第ISO 179-1:2010號來判定。
現在將更詳細地描述本發明之各項實施例。 I.   聚合物組合物 A.     液晶聚合物
聚合物組合物通常含有一或多種液晶聚合物。液晶聚合物通常被分類為「向熱性」至其等可在其等熔融狀態(例如，向熱性向列狀態)下擁有桿狀結構且展現結晶行為之程度。聚合物組合物中所採用之液晶聚合物通常具有約200°C至約400°C，在一些實施例中約250°C至約380°C，在一些實施例中約270°C至約360°C且在一些實施例中約280°C至約325°C之熔融溫度。熔融溫度可如此項技術中熟知般使用差示掃描量熱法(「DSC」)來判定，諸如由ISO測試第11357-3:2011號判定。此等聚合物可由如此項技術中已知之一或多種類型之重複單元形成。例如，液晶聚合物可含有通常由以下式(I)表示之一或多種芳族酯重複單元：
Figure 02_image001
(I) 其中， 環B係經取代或未經取代的6元芳基(例如，1,4-伸苯基或1,3-伸苯基)、稠合至經取代或未經取代的5或6元芳基之經取代或未經取代的6元芳基(例如，2,6-萘)或與經取代或未經取代的5或6元芳基交聯之經取代或未經取代的6元芳基(例如，4,4-聯伸苯基)；且 Y 1及Y 2獨立地為O、C(O)、NH、C(O)HN或NHC(O)。
通常，Y 1及Y 2之至少一者係C(O)。此等芳族酯重複單元之實例可包含例如芳族二羧基重複單元(式I中之Y 1及Y 2係C(O))、芳族羥基羧基重複單元(式I中之Y 1係O且Y 2係C(O))以及其等各種組合。
例如，可採用衍生自芳族羥基羧酸(諸如4-羥基苯甲酸；4-羥基-4'-聯苯羧酸；2-羥基-6-萘甲酸；2-羥基-5-萘甲酸；3-羥基-2-萘甲酸；2-羥基-3-萘甲酸；4'-羥基苯基-4-苯甲酸；3'-羥苯基-4-苯甲酸；4'-羥苯基-3-苯甲酸等，以及其等烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基及其等組合)的芳族羥基羧基重複單元。尤其合適的芳族羥基羧酸係4-羥基苯甲酸(「HBA」)及6-羥基-2-萘甲酸(「HNA」)。當被採用時，衍生自羥基羧酸的重複單元(例如，HBA及/或HNA)通常構成聚合物之約50莫耳%或更多，在一些實施例中約60莫耳%或更多且在一些實施例中約80莫耳%至100莫耳%。
亦可採用衍生自芳族二羧酸(諸如對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、二苯醚-4,4'-二甲酸、1,6-萘二甲酸、2,7-萘二甲酸)、4,4'-二羧基聯苯、雙(4-羧苯基)醚、雙(4-羧苯基)丁烷、雙(4-羧苯基)乙烷、雙(3-羧苯基)醚、雙(3-羧苯基)乙烷等以及其等烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基及其等組合之芳族二羧基重複單元。尤其合適的芳族二羧酸可包含例如對苯二甲酸(「TA」)、間苯二甲酸(「IA」)及2,6-萘二甲酸(「NDA」)。當被採用時，衍生自芳族二羧酸之重複單元(例如，IA、TA及/或NDA)通常構成聚合物之約1莫耳%至約50莫耳%，在一些實施例中約2莫耳%至約40莫耳%且在一些實施例中約5莫耳%至約30莫耳%。
聚合物中亦可採用其他重複單元。在某些實施例中，例如，可採用衍生自芳族二醇(諸如對苯二酚、間苯二酚、2,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘、1,6-二羥基萘、4,4'-二羥基聯苯(或4,4'-聯苯酚)、3,3'-二羥基聯苯、3,4'-二羥基聯苯、4,4'-二羥基聯苯醚、雙(4-羥苯基)乙烷等，以及其等烷基、烷氧基、芳基及滷素取代基及其等組合)之重複單元。尤其合適的芳族二醇可包含例如對苯二酚(「HQ」)及4,4'-聯苯酚(「BP」)。當被採用時，衍生自芳族二醇(例如，HQ及/或BP)的重複單元通常構成聚合物之約1莫耳%至約30莫耳%，在一些實施例中約2莫耳%至約25莫耳%且在一些實施例中約5莫耳%至約20莫耳%。亦可採用諸如衍生自芳族醯胺(例如，乙醯胺苯酚(「APAP」))及/或芳胺(例如，4-胺基苯酚(「AP」)、3-胺基苯酚、1,4-苯二胺、1,3-苯二胺等)之彼等重複單元。當被採用時，衍生自芳族醯胺(例如，APAP)及/或芳胺(例如，AP)之重複單元通常構成聚合物之約0.1莫耳%至約20莫耳%，在一些實施例中約0.5莫耳%至約15莫耳%且在一些實施例中約1莫耳%至約10莫耳%。亦應理解，各種其他單體重複單元可併入至聚合物中。例如，在某些實施例中，聚合物可含有衍生自非芳族單體(諸如脂族或環脂族羥基羧酸、二羧酸、二醇、醯胺、胺等)的一或多個重複單元。當然，在其他實施例中，聚合物可為「全芳族」，因為其缺乏衍生自非芳族(例如，脂族或環脂族)單體之重複單元。
儘管不一定需要，但液晶聚合物可為「高環烷」聚合物至其等含有衍生自環烷羥基羧酸及環烷二羧酸(諸如NDA、HNA或其等組合)的相對高含量之重複單元的程度。即，衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA及NDA之組合)之重複單元之總量通常係約5莫耳%或更多，在一些實施例中約10莫耳%至約40莫耳%且在一些實施例中約15莫耳%至約30莫耳%之聚合物。與諸多習知「低環烷」聚合物相反，據信所得「高環烷」聚合物能夠展現良好的熱及機械性質。
在一項特定實施例中，例如，液晶聚合物可含有衍生自HNA的重複單元，其量為5莫耳%至約50莫耳%，在一些實施例中約10莫耳%至約40莫耳%且在一些實施例中約15莫耳%至約30莫耳%。液晶聚合物亦可含有各種其他單體。例如，聚合物可含有衍生自HBA的重複單元，其量為約50莫耳%至約95莫耳%且在一些實施例中約60莫耳%至約90莫耳%且在一些實施例中約65莫耳%至約85莫耳%。當被採用時，衍生自HBA的重複單元與衍生自HNA的重複單元之莫耳比可選擇性地控制於特定範圍內以幫助達成所要性質，諸如約0.5至約20，在一些實施例中約1至約10且在一些實施例中約2至約6。聚合物亦可含有衍生自(若干)芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)的重複單元，其量為約0.1莫耳%至約20莫耳%且在一些實施例中約0.2莫耳%至約10莫耳%；及/或衍生自(若干)芳族二醇(例如，BP及/或HQ)，其量為約0.1莫耳%至約20莫耳%且在一些實施例中約0.2莫耳%至約10莫耳%。然而，在一些情況下，可期望最小化此等單體在聚合物中之存在以幫助達成所要性質。例如，衍生自(若干)芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)及/或芳族二醇(例如，BP及/或HQ)的重複單元之總量可為約5 mol%或更少，在一些實施例中約4莫耳%或更少且在一些實施例中約0.1莫耳%至約3莫耳%之聚合物。
無論聚合物之特定成分及性質如何，液晶聚合物可藉由首先將用來形成酯重複單元(例如，芳族羥基羧酸、芳族二羧酸等)及/或其他重複單元(例如，芳族二醇、芳族醯胺、芳胺等)的(若干)芳族單體引入至反應器容器中以引發縮聚反應來製備。此等反應中所採用之特定條件及步驟係熟知的，且可在Calundann的美國專利第4,161,470號；Linstid, III等人的美國專利第5,616,680號；Linstid, III等人的美國專利第6,114,492號；Shepherd等人的美國專利第6,514,611號；及Waggoner的WO 2004/058851中更詳細地進行描述。用於反應之容器沒有具體限制，儘管通常期望採用高黏度流體反應中常用之容器。此反應容器之實例可包含攪拌罐型設備，該攪拌罐型設備具有帶有可變形狀攪拌葉片，諸如錨型、多級型、螺旋帶型、螺桿軸型等的攪拌器，或其修改形狀。此反應容器之進一步實例可包含樹脂捏合中常用之混合設備，諸如捏合機、滾軋機、班布瑞混煉機等。
若期望，則反應可透過如此項技術已知的單體之乙醯化進行。此可藉由將乙醯化劑(例如，乙酸酐)添加至單體來實現。乙醯化通常在約90°C之溫度下引發。在乙醯化之初始階段期間，可採用回流來維持氣相溫度低於乙酸副產物及酸酐開始蒸餾之溫度。乙醯化程序期間之溫度通常在90°C至150°C之間且在一些實施例中約110°C至約150°C之範圍內。若使用回流，則氣相溫度通常超過乙酸之沸點，但仍保持足夠低以保留殘留的乙酸酐。例如，乙酸酐在約140°C之溫度下蒸發。因此，在約110°C至約130°C之溫度下對反應器提供氣相回流係可期望的。為了確保實質上完全反應，可採用過量乙酸酐。過多酸酐之量將取決於所採用的特定乙醯化條件而變化，包含回流之存在或不存在。基於存在的反應物羥基之總莫耳量使用約1至約10莫耳百分比之過多乙酸酐並不少見。
乙醯化可在單獨反應器容器中發生，或其可在聚合反應器容器內原位發生。當採用單獨反應器容器時，可將單體之一或多者引入至乙醯化反應器且隨後轉移至聚合反應器。同樣地，亦可將單體之一或多者直接引入至反應器容器而不經歷預乙醯化。
除單體及選用乙醯化劑之外，反應混合物內亦可包含其他組分以幫助促進聚合。例如，可視情況採用催化劑，諸如金屬鹽催化劑(例如，乙酸鎂、乙酸錫(I)、鈦酸四丁酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀等)及有機化合物催化劑(例如，N-甲基咪唑)。基於重複單元前驅物之總重量，此等催化劑通常以約百萬分之50至約百萬分之500之量使用。當採用單獨反應器時，通常期望將催化劑施加至乙醯化反應器而非聚合反應器，儘管此非必需的。
通常在聚合反應器容器內將反應混合物加熱至高溫以引發反應物之熔融縮聚。縮聚可在例如約200°C至約400°C之溫度範圍內發生。例如，一種用於形成芳族聚酯之合適技術可包含將前驅物單體及乙酸酐充填至反應器中，將混合物加熱至約90°C至約150°C之溫度以乙醯化單體之羥基(例如，形成乙醯氧基)，及接著將溫度升高至約200°C至約400°C以實行熔融縮聚。在接近最終聚合溫度時，亦可移除反應之揮發性副產物(例如，乙酸)使得可容易達成所要分子量。反應混合物通常在聚合期間經受攪拌以確保良好的熱及質量轉移，且繼而確保良好的材料均質性。攪拌器之旋轉速度可在反應進程期間變化，但通常在約10至約100轉/分鐘(「rpm」)且在一些實施例中約20至約80 rpm之範圍內。為了在熔體中建置分子量，聚合反應亦可在真空下進行，該真空之應用促進在縮聚之最終階段期間形成之揮發物之移除。真空可藉由施加諸如在約5至約30磅/平方英寸(「psi」)且在一些實施例中約10至約20 psi之範圍內之抽吸壓力而產生。
在熔融聚合之後，通常可透過裝配有所要組態之模具之擠出孔口自反應器排出熔融聚合物，冷卻並收集熔融聚合物。通常，透過穿孔模具排出熔體以形成股線，該等股線被置於水浴中、製粒並乾燥。在一些實施例中，經熔融聚合之聚合物亦可經受後續固態聚合作用法以進一步增加其分子量。固態聚合可在存在氣體(例如，空氣、惰性氣體等)之情況下進行。合適惰性氣體可包含例如氮、氦、氬、氖、氪、氙等，以及其等組合。固態聚合反應器容器可具有使聚合物維持在所要固態聚合溫度下達所要停留時間之實質上任何設計。此等容器之實例可為具有固定床、靜態床、移動床、流化床等之彼等容器。執行固態聚合之溫度可變化，但通常在約200°C至約400°C之範圍內。當然，聚合時間將基於溫度及目標分子量而變化。然而，在大多數情況下，固態聚合時間將係約2至約12小時且在一些實施例中約4至約10小時。
一般而言，聚合物組合物中所採用之液晶聚合物之總量係聚合物組合物之約40重量%至約90重量%，在一些實施例約45重量%至約85重量%且在一些實施例中約50重量%至約80重量%。在某些實施例中，所有液晶聚合物皆係諸如上文所描述之「高環烷烴」聚合物。然而，在其他實施例中，該組合物中亦可採用「低環烷」液晶聚合物，其中衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA及/或NDA之組合)的重複單元之總量為小於10莫耳%，在一些實施例中約8莫耳%或更少，在一些實施例中約6莫耳%或更少且在一些實施例中約1莫耳%至約5莫耳%之聚合物。當被採用時，通常期望此等低環烷烴聚合物僅以相對低量存在。例如，當被採用時，低環烷烴液晶聚合物通常構成該組合物中的液晶聚合物之總量之約1重量%至約50重量%，在一些實施例中約10重量%至約45重量%且在一些實施例中約20重量%至約40重量%，及整個組合物之約0.5重量%至約45重量%，在一些實施例中約2重量%至約35重量%且在一些實施例中約5重量%至約25重量%。相反，高環烷液晶聚合物通常構成該組合物中的液晶聚合物之總量之約50重量%至約99重量%，在一些實施例中約55重量%至約95重量%且在一些實施例中約60重量%至約90重量%，及整個組合物之約25重量%至約65重量%，在一些實施例中約30重量%至約60重量%且在一些實施例中約35重量%至約55重量%。 B.  選用添加劑 i. 相容劑
若期望，則可在聚合物組合物中採用相容劑以幫助進一步改良模製組件至膠帶之黏著。當被採用時，此等相容劑通常構成聚合物組合物之約0.1重量%至約15重量%，在一些實施例中約0.2重量%至約12重量%且在一些實施例中約0.5重量%至約10重量%。
一種尤其合適類型之相容劑可包含例如「環氧官能化」的烯烴共聚物，因為其每分子平均含有兩個或更多個環氧官能基。該共聚物通常含有衍生自一或多個α-烯烴的烯烴單體單元。此等單體之實例包含例如具有2至20個碳原子且通常2至8個碳原子的直鍊及/或支鏈α-烯烴。特定實例包含乙烯、丙烯、1-丁烯；3-甲基-1-丁烯；3,3-二甲基-1-丁烯；1-戊烯；具有一或多個甲基、乙基或丙基取代基之1-戊烯；具有一或多個甲基、乙基或丙基取代基之1-己烯；具有一或多個甲基、乙基或丙基取代基之1-庚烯；具有一或多個甲基、乙基或丙基取代基之1-辛烯；具有一或多個甲基、乙基或丙基取代基之1-壬烯；乙基、甲基或二甲基取代之1-癸烯；1-十二碳烯；及苯乙烯。特定言之，所需要α-烯烴單體係乙烯及丙烯。共聚物亦可含有環氧官能單體單元。此單元之一項實例係環氧官能(甲基)丙烯酸單體組分。如本文中所使用，術語「(甲基)丙烯酸」包含丙烯酸及甲基丙烯酸單體，以及其等鹽或酯，諸如丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯單體。例如，合適的環氧官能(甲基)丙烯酸單體可包含但不限於含有1,2-環氧基之彼等單體，諸如丙烯酸縮水甘油酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯。其他合適的環氧官能單體包含烯丙基縮水甘油醚、乙基丙烯酸縮水甘油酯及衣康酸縮水甘油酯。亦可採用其他合適單體來幫助達成所要分子量。
當然，共聚物亦可含有如此項技術中已知之其他單體單元。例如，另一合適單體可包含非環氧官能(甲基)丙烯酸單體。此等(甲基)丙烯酸單體之實例可包含丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸正戊酯、丙烯酸異戊酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸正癸酯、丙烯酸甲基環己酯、丙烯酸環戊酯、丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸正戊酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸異戊酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸2-乙基丁酯、甲基丙烯酸甲基環己酯、甲基丙烯酸肉桂酯 、甲基丙烯酸巴豆酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸環戊酯、甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯、甲基丙烯酸異冰片酯等，以及其等組合。在一項特定實施例中，例如，共聚物可為由環氧官能(甲基)丙烯酸單體組分、α-烯烴單體組分及非環氧官能(甲基)丙烯酸單體組分形成的三元共聚物。例如，共聚物可為聚(乙烯-共-丙烯酸丁酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)，其具有以下結構：
Figure 02_image003
其中，x、y及z係1或更大。
可選擇(若干)單體組分之相對部分以達成環氧反應性與熔體流動速率之間的平衡。更特定而言，高環氧單體含量可導致與基質聚合物的良好反應性，但過高含量可將熔體流動速率降低至使得共聚物不利地影響聚合物摻合物之熔體強度的程度。因此，在大多數實施例中，環氧官能(甲基)丙烯酸單體構成共聚物之約1重量%至約20重量%，在一些實施例中約2重量%至約15重量%且在一些實施例中約3重量%至約10重量%。(若干) α-烯烴單體同樣可構成共聚物之約55重量%至約95重量%，在一些實施例中約60重量%至約90重量%且在一些實施例中約65重量%至約85重量%。當被採用時，其他單體組分(例如，非環氧官能(甲基)丙烯酸單體)可構成共聚物之約5重量%至約35重量%，在一些實施例中約8重量%至約30重量%，在一些實施例中約10重量%至約25重量%。如根據ASTM D1238-13在2.16 kg之負載及190°C之溫度下判定，所得熔體流動速率通常為約1至約30克每10分鐘(「g/10 min」)，在一些實施例中約2至約20 g/10 min且在一些實施例中約3至約15 g/10 min。
聚合物組合物中可使用之合適環氧官能化烯烴共聚物之一個實例在商業上可以LOTADER® AX8840之名稱購自Arkema。例如，LOTADER® AX8840具有5 g/10 min之熔體流動速率且具有8重量%之甲基丙烯酸縮水甘油酯單體含量。另一合適共聚物在商業上可以ELVALOY® PTW之名稱購自Dupont，其係乙烯、丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯之三元共聚物且具有12 g/10 min之熔體流動速率及4重量%至5重量%之甲基丙烯酸縮水甘油酯單體含量。 ii.     礦物填料
若期望，則聚合物組合物可含有分佈於聚合物基質內之一或多種礦物填料。當被採用時，此(等)礦物填料通常構成聚合物組合物之約5重量%至約50重量%，在一些實施例中約10重量%至約45重量%且在一些實施例中約20重量%至約40重量%。聚合物組合物中所採用之該(等)礦物填料之性質可變化，諸如礦物顆粒、礦物纖維(或「晶鬚」)等，以及其等摻合物。通常，聚合物組合物中所採用之該(等)礦物填料具有特定硬度值以幫助改良該組合物之機械強度、黏著強度及表面性質。例如，基於莫氏硬度標度，該硬度值可為約2.0或更高，在一些實施例中約2.5或更高，在一些實施例中約3.0或更高，在一些實施例中約3.0至約11.0，在一些實施例中約3.5至約11.0且在一些實施例中約4.5至約6.5。
聚合物組合物中通常可採用多種不同類型之礦物顆粒之任一者，諸如由天然及/或合成矽酸鹽礦物，諸如滑石、雲母、二氧化矽(例如，無定形二氧化矽)、氧化鋁、埃洛石、高嶺石、伊利石、蒙脫石、蛭石、坡縷石、葉蠟石、矽酸鈣、矽酸鋁、矽灰石等；硫酸鹽；碳酸鹽；磷酸鹽；氟化物、硼酸鹽；等等形成的彼等礦物顆粒。特別合適的係具有所要硬度值的顆粒，諸如碳酸鈣(CaCO 3，莫氏硬度為3.0)、碳酸銅氫氧化物(Cu 2CO 3(OH) 2，莫氏硬度為4.0)；氟化鈣(CaFl 2，莫氏硬度為4.0)；焦磷酸鈣(Ca 2P 2O 7，莫氏硬度為5.0)；無水磷酸氫鈣(CaHPO 4，莫氏硬度為3.5)；水合磷酸鋁(AlPO 4·2H 2O，莫氏硬度為4.5)；二氧化矽(SiO 2，莫氏硬度為5.0至6.0)；矽酸鉀鋁(KAlSi 3O 8，莫氏硬度為6)；矽酸銅(CuSiO 3·H 2O，莫氏硬度為5.0)；硼矽酸鈣氫氧化物(Ca 2B 5SiO 9(OH) 5，莫氏硬度為3.5)；氧化鋁(AlO 2，莫氏硬度為10.0)；硫酸鈣(CaSO 4，莫氏硬度為3.5)、硫酸鋇(BaSO 4，莫氏硬度為3至3.5)、雲母(莫氏硬度為2.5至5.3)等等，以及其等組合。例如，雲母係特別合適的。通常可採用任何形式之雲母，包含例如白雲母(KAl 2(AlSi 3)O 10(OH) 2)、黑雲母(K(Mg,Fe) 3(AlSi 3)O 10(OH) 2)、金雲母(KMg 3(AlSi 3)O 10(OH) 2)、鋰雲母(K(Li,Al) 2-3(AlSi 3)O 10(OH) 2)、海綠石(K,Na)(Al,Mg,Fe) 2(Si,Al) 4O 10(OH) 2)等。白雲母基雲母特別適用於聚合物組合物。
在特定實施例中，礦物顆粒，諸如硫酸鋇及/或硫酸鈣顆粒，可具有本質上為大體上粒狀或結節狀的形狀。在此等實施例中，諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，具有Horiba LA-960粒度分佈分析儀)判定，該等顆粒可具有約0.5至約20微米，在一些實施例中約1至約15微米，在一些實施例中約1.5至約10微米且在一些實施例中約2至約8微米之中值大小(例如，直徑)。在其他實施例中，亦可期望採用具有相對高縱橫比(例如，平均直徑除以平均厚度)，諸如約4或更大、約8或更大且在一些實施例中約10至約500之片形礦物顆粒，諸如雲母顆粒。在此等實施例中，該等顆粒之平均直徑可例如在約5微米至約200微米，在一些實施例中約8微米至約150微米且在一些實施例中約10微米至約100微米之範圍內。諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，具有Horiba LA-960粒度分佈分析儀)判定，平均厚度同樣可為約2微米或更小，在一些實施例中約5奈米至約1微米且在一些實施例中約20奈米至約500奈米。礦物顆粒亦可具有窄大小分佈。即，至少約70體積%之顆粒、在一些實施例中至少約80體積%之顆粒且在一些實施例中至少約90體積%之顆粒可具有在上述範圍內的大小。
合適礦物纖維同樣可包含衍生自矽酸鹽，諸如島狀矽酸鹽、雙島狀矽酸鹽、鏈狀矽酸鹽(例如，鏈狀矽酸鈣，諸如矽灰石；鏈狀矽酸鈣鎂，諸如透閃石；鏈狀矽酸鈣鎂鐵，諸如陽起石；鏈狀矽酸鎂鐵，諸如直閃石等)、頁矽酸鹽(例如，頁矽酸鋁，諸如鎂鋁皮石)、網狀矽酸鹽等；硫酸鹽，諸如硫酸鈣(例如，脫水或無水石膏)；礦棉(例如，岩棉或礦渣棉)等等的彼等礦物纖維。具有所要硬度值之纖維，包含衍生自鏈狀矽酸鹽，諸如矽灰石(莫氏硬度為4.5至5.0)的纖維係尤其合適的，其等商業上可以商標Nyglos® (例如，Nyglos® 4W或Nyglos® 8)購自Nyco Minerals。礦物纖維可具有約1至約35微米，在一些實施例中約2至約20微米，在一些實施例中約3至約15微米且在一些實施例中約7至約12微米之中值寬度(例如，直徑)。礦物纖維亦可具有窄大小分佈。即，至少約60體積%之纖維，在一些實施例中至少約70體積%之纖維且在一些實施例中至少約80體積%之纖維可具有在上述範圍內的大小。在不意欲受理論限制的情況下，據信具有上述大小特性的礦物纖維可更容易移動通過模製設備，此增強聚合物基質內之分佈且最小化表面缺陷之產生。除擁有上述大小特性之外，礦物纖維亦可具有相對高縱橫比(平均長度除以中值寬度)以幫助進一步改良所得聚合物組合物之機械性質及表面品質。例如，礦物纖維可具有約2至約100，在一些實施例中約2至約50，在一些實施例中約3至約20且在一些實施例中約4至約15之縱橫比。此等礦物纖維之體積平均長度可例如在約1至約200微米，在一些實施例中約2至約150微米，在一些實施例中約5至約100微米且在一些實施例中約10至約50微米之範圍內。 iii.    雷射可活化添加劑
儘管決非必需，但聚合物組合物在其含有可藉由雷射直接成型(「LDS」)程序活化之添加劑的意義上可為「雷射可活化」。在此程序期間，添加劑暴露於雷射，從而引起金屬釋放。因此，雷射將導電元件之圖案繪製至部件上且留下含有嵌入式金屬顆粒之粗糙表面。此等顆粒在後續鍍覆程序(例如，鍍銅、鍍金、鍍鎳、鍍銀、鍍鋅、鍍錫等)期間充當用於晶體生長之晶核。雷射可活化添加劑通常包含氧化物晶體，其等可在可定義晶體形式內包含兩種或更多種金屬氧化物團簇組態。例如，總晶體形式可具有以下通式： AB 2O 4或ABO 2其中， A係具有2價或2價以上之金屬陽離子，諸如鎘、鉻、錳、鎳、鋅、銅、鈷、鐵、鎂、錫、鈦等，以及其等組合；且 B係具有3價或3價以上之金屬陽離子，諸如銻、鉻、鐵、鋁、鎳、錳、錫等，以及其等組合。
通常，以上式中的A提供第一金屬氧化物團簇之主要陽離子組分且B提供第二金屬氧化物團簇之主要陽離子組分。此等氧化物團簇可具有相同或不同結構。在一項實施例中，例如，第一金屬氧化物團簇具有四面體結構且第二金屬氧化物團簇具有八面體團簇。無論如何，團簇可共同提供對電磁輻射具有加強敏感度的單數可識別晶體類型結構。合適氧化物晶體之實例包含例如MgAl 2O 4、ZnAl 2O 4、FeAl 2O 4、CuFe 2O 4、CuCr 2O 4、MnFe 2O 4、NiFe 2O 4、TiFe 2O 4、FeCr 2O 4、MgCr 2O 4、錫/銻氧化物(例如，(Sb/Sn)O 2)及其等組合。銅鉻氧化物(CuCr 2O 4)尤其適用於本發明且可以商品名「Shepherd Black 1GM」購自Shepherd Color Co.。在一些情況下，雷射可活化添加劑亦可具有諸如在WO 2018/130972中所描述之核殼組態。在此等添加劑中，添加劑之殼組分通常係雷射可活化的，而核可為任何通用化合物，諸如無機化合物(例如，二氧化鈦、雲母、滑石等)。
當被採用時，雷射可活化添加劑通常構成聚合物組合物之約0.1重量%至約30重量%，在一些實施例中約0.5重量%至約20重量%且在一些實施例中約1重量%至約10重量%。 iv.    其他添加劑
聚合物組合物中亦可包含各種各樣的其他額外添加劑，諸如潤滑劑、導熱填料(例如，炭黑、石墨、氮化硼等)、顏料、抗氧化劑、穩定劑、表面活性劑、蠟、阻燃劑、防滴添加劑、成核劑(例如，氮化硼)、摩擦劑(例如，含氟聚合物)、抗靜電填料(例如，炭黑、碳奈米管、碳纖維、石墨、離子液體等)、纖維狀填料(例如，玻璃纖維、碳纖維等)及經添加以增強性質及可處理性的其他材料。例如，可在聚合物組合物中採用能夠耐受液晶聚合物之處理條件而無實質性分解的潤滑劑。此等潤滑劑之實例包含在工程塑膠材料之處理中常用作潤滑劑之脂肪酸酯、其等鹽、酯、脂肪酸醯胺、有機磷酸酯及烴蠟類型(包含其等混合物)。合適脂肪酸通常具有約12至約60個碳原子之主鏈碳鏈，諸如肉荳蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、花生酸、二十八酸、十八炔酸、十八碳四烯酸等等。合適酯包含脂肪酸酯、脂肪醇酯、蠟酯、甘油酯、二醇酯及復合酯。脂肪酸醯胺包含脂肪一級醯胺、脂肪二級醯胺、亞甲基及伸乙基雙醯胺及烷醇醯胺，諸如舉例而言，棕櫚酸醯胺、硬脂酸醯胺、油酸醯胺、N,N'-伸乙基雙硬脂醯胺等等。脂肪酸之金屬鹽(諸如硬脂酸鈣、硬脂酸鋅、硬脂酸鎂等等；烴蠟，包含石蠟、聚烯烴及氧化聚烯烴蠟，及微晶蠟)亦係合適的。特別合適的潤滑劑係硬脂酸之酸、鹽或醯胺，諸如異戊四醇四硬脂酸酯、硬脂酸鈣或N,N'-伸乙基雙硬脂醯胺。當被採用時，(若干)潤滑劑通常構成聚合物組合物之約0.05重量%至約1.5重量%且在一些實施例中約0.1重量%至約0.5重量% (按重量計)。 C.     成形
可使用如此項技術中已知之多種不同技術之任一者一起組合用來形成聚合物組合物之組分。在一項特定實施例中，例如，(若干)液晶聚合物及其他選用添加劑在擠壓機內作為混合物進行熔融處理以形成聚合物組合物。混合物可在單螺桿或多螺桿擠壓機中在約200°C至約450°C之溫度下進行熔融捏合。在一項實施例中，混合物可在包含多個溫度區域之擠壓機中進行熔融處理。相對於聚合物之熔融溫度，個別區域之溫度通常設定於約-60°C至約25°C內。舉例而言，混合物可使用雙螺桿擠壓機，諸如Leistritz 18-mm同向旋轉完全嚙合雙螺桿擠壓機進行熔融處理。通用螺桿設計可用來對混合物進行熔融處理。在一項實施例中，包含所有組分之混合物可憑藉定量進料器進料至第一筒中的進料喉。在另一實施例中，如已知，可在擠壓機中的不同添加點處添加不同組分。例如，可在進料喉處施用聚合物，且可在定位於其下游的相同或不同溫度區域處供應特定添加劑(例如，礦物填料、相容劑等)。無論如何，可熔融並混合所得混合物，接著透過模具擠出。接著可在水浴中對經擠出聚合物組合物進行淬火以便凝固且在製粒機中粒化，接著進行乾燥。
無論組合物之形成方式如何，所得熔融黏度通常足夠低以致於其可容易形成熔融擠出基板。例如，在一項特定實施例中，如在1,000秒 -1之剪切速率下判定，聚合物組合物可具有約500 Pa-s或更低，在一些實施例中約250 Pa-s或更低，在一些實施例中約5 Pa-s至約150 Pa-s，在一些實施例中約5 Pa-s至約100 Pa-s，在一些實施例中約10 Pa-s至約100 Pa-s，在一些實施例中約15 Pa-s至約90 Pa-s之熔融黏度。 II.    模製組件
模製組件可具有各種各樣的厚度，諸如約10毫米或更小，在一些實施例中約5毫米或更小且在一些實施例中約1至約4毫米(例如，3毫米)。模製組件亦可使用多種不同技術来形成。合適技術可包含例如射出成型、低壓射出成型、擠出壓縮成型、氣體射出成型、發泡體射出成型、低壓氣體射出成型、低壓發泡體射出成型、氣體擠出壓縮成型、發泡體擠出壓縮成型、擠出成型、發泡體擠出成型、壓縮成型、發泡體壓縮成型、氣體壓縮成型等。例如，可採用包含可在其內注射聚合物組合物之模具之射出成型系統。可控制及最佳化注射器內部之時間使得聚合物基質不被預凝固。當達到循環時間且筒裝滿以待排出時，可使用活塞來將該組合物注射至模具腔。亦可採用壓縮成形系統。正如射出成型，聚合物組合物塑形成所要物件亦發生於模具內。可使用任何已知技術，諸如藉由由自動機械人臂拾取將組合物放置至壓縮模具中。模子之溫度可維持於聚合物基質之凝固溫度或以上達所要時段以允許凝固。接著可藉由使模製產品達到低於熔融溫度之溫度而使其凝固。所得產品可脫模。可調整各模塑程序之循環時間以適應聚合物基質，以達成充分接合且增強總程序生產率。
如上文所指示，導電元件亦可經形成於模製組件上。導電元件可形成多種不同類型之天線，諸如具有由貼片天線結構、倒F型天線結構、封閉及開放型槽孔天線結構、環形天線結構、單極、偶極、平面倒F型天線結構、此等設計之混合體等形成之具有諧振元件之天線。若期望，則模製組件中所採用之聚合物組合物可為雷射可活化的使得可使用雷射直接結構化程序(「LDS」)形成導電元件。用雷射活化引起物理化學反應，其中尖晶石晶體裂開以釋放金屬原子。此等金屬原子可充當用於金屬化(例如，還原銅塗層)之晶核。雷射亦產生微觀上不規則的表面且燒蝕聚合物基質，從而產生在金屬化期間可在其中錨固銅的眾多微小凹坑及底切。
若期望，則可在模製組件上形成高頻天線及天線陣列以供在5G系統中使用。如本文中所使用，「5G」通常指代透過射頻信號進行之高速資料通信。5G網路及系統能夠以比前幾代資料通信標準(例如，「4G、LTE」)快得多之速率傳達資料。例如，如本文中所使用，「5G頻率」可指代1.5 GHz或更高，在一些實施例中約2.0 GHz或更高，在一些實施例中約2.5 GHz或更高，在一些實施例中約3.0 GHz或更高，在一些實施例約3 GHz至約300 GHz，在一些實施例中約4 GHz至約80 GHz，在一些實施例中約5 GHz至約80 GHz，在一些實施例中約20 GHz至約80 GHz且在一些實施例中約28 GHz至約60 GHz之頻率。已發佈定量5G通信之要求的各種標準及規格。作為一個實例，國際電信聯盟(ITU)已在2015年發佈國際行動電信-2020 (「IMT-2020」)標準。IMT-2020標準指定5G之各種資料傳輸準則(例如，下行鏈路及上行鏈路資料速率、延時等)。IMT-2020標準將上行鏈路及下行鏈路峰值資料速率定義為5G系統必須支援的用於上載及下載資料之最小資料速率。IMT-2020標準將下行鏈路峰值資料速率要求設定為20 Gbit/s且將上行鏈路峰值資料速率設定為10 Gbit/s。作為另一實例，第三代合作夥伴計劃(3GPP)最近發佈新5G標準，被稱為「5G NR」。3GPP已在2018年發表「版本15」以定義用於5G NR標準化的「階段1」。3GPP通常將5G頻帶定義為包含子6 GHz頻率的「頻率範圍1」(FR1)及「頻率範圍2」(FR2)，頻帶介於20至60 GHz之範圍內。根據由3GPP發佈之標準，諸如版本15 (2018年)及/或IMT-2020標準，本文中所描述之天線系統可滿足「5G」或取得「5G」資格。
為了達成高頻下之高速資料通信，天線元件及陣列可採用可改良天線效能的小特徵大小/間距(例如，細節距技術)。例如，特徵大小(天線元件之間的間距、天線元件之寬度)等通常取決於傳播通過其上形成天線元件之基板介電質的所要傳輸及/或接收射頻之波長(「λ」) (例如，nλ/4，其中n係整數)。此外，可採用波束成形及/或波束操縱來促進跨多個頻率範圍或通道的接收及傳輸(例如，多輸入多輸出(MIMO)、大規模MIMO)。
高頻5G天線元件可具有多種組態。例如，5G天線元件可為或包含共面波導元件、貼片陣列(例如，網-柵貼片陣列)、其他合適之5G天線組態。天線元件可經組態以提供MIMO、大規模MIMO功能性、波束操縱及類似者。如本文中所使用，「大規模」MIMO功能通常指代提供具有天線陣列的大量傳輸及接收通道，例如8個傳輸(Tx)及8個接收(Rx)通道(縮寫為8×8)。大規模MIMO功能性可具備8×8、12×12、16×16、32×32、64×64或更高。天線元件可具有多種組態及配置且可使用多種製造技術製造於模製組件上。作為一個實例，天線元件及/或相關聯元件(例如，接地元件、饋電線等)可採用細節距技術。細節距技術通常指代其等組件或引線之間的小或細間距。例如，天線元件之間(或天線元件與接地平面之間)的特徵尺寸及/或間距可為約1,500微米或更小，在一些實施例中1,250微米或更小，在一些實施例中750微米或更小(例如，中心至中心間距為1.5 mm或更小)、650微米或更小，在一些實施例中550微米或更小，在一些實施例中450微米或更小，在一些實施例中350微米或更小，在一些實施例中250微米或更小，在一些實施例為150微米或更小，在一些實施例中100微米或更小且在一些實施例中50微米或更小。然而，應理解，可採用更小及/或更大的特徵大小及/或間距。由於此等小特徵尺寸，可以較小佔據面積達成具有模製組件上之大量天線元件之天線系統。例如，天線陣列可具有大於1,000個天線元件/平方釐米，在一些實施例中大於2,000個天線元件/平方釐米，在一些實施例中大於3,000個天線元件/平方釐米，在一些實施例中大於4,000個天線元件/平方釐米，在一些實施例中大於6,000個天線元件/平方釐米且在一些實施例中大於約8,000個天線元件/平方釐米之平均天線元件密集度。天線元件之此等緊湊配置可提供每單位面積之天線面積更大數目個MIMO功能性通道。例如，通道之數目可對應於(例如，等於或成比例於)天線元件之數目。 III.   膠帶
層壓結構中所採用之膠帶可由如此項技術中已知之多種材料之任一者形成。通常，膠帶包含基底基板，諸如膜、紙織物、非織造織物、發泡體等。基板本質上可相對薄，諸如具有約1 μm至約500 μm，在一些實施例中約10 μm至約300 μm且在一些實施例中約20至約100 μm之厚度。黏著劑塗層通常亦經安置於膠帶之一或多個表面上以接合至模製組件。例如，基板可界定第一表面(例如，上表面)及相對第二表面(例如，下表面)。第一黏著劑塗層可經安置於第一表面上且第二黏著劑塗層可經安置於第二表面上使得膠帶在多個表面上含有黏著劑。以此方式，膠帶可幫助將模製組件與另一組件接合在一起。
如熟習此項技術者已知，(若干)黏著劑塗層之性質可變化，諸如熱熔黏著劑、壓敏黏著劑等，以及其等組合。膠帶之不同表面上所使用之黏著劑塗層本質上亦可相同或不同。無論如何，膠帶上之(若干)黏著劑塗層通常含有至少一種熱塑性聚合物。在一項實施例中，例如，可採用彈性體熱塑性聚合物來對黏著劑提供「壓敏」接合性質。此等彈性體聚合物之實例可包含丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯聚合物、聚氨酯、天然橡膠、合成橡膠(例如，丁基、(異)丁基、腈或丁二烯橡膠)、苯乙烯嵌段共聚物，該等苯乙烯嵌段共聚物具有由不飽和或部分或完全氫化的聚二烯嵌段(例如，聚丁二烯、聚異戊二烯、聚(異)丁烯等)、聚烯烴(例如，乙烯醋酸乙烯酯共聚物)、含氟聚合物、聚矽氧等等，以及此等彈性體之組合組成的彈性體嵌段。無論確切的聚合物如何，通常期望熱塑性彈性體聚合物之玻璃轉化溫度(Tg)係約-40°C至約10°C，在一些實施例中約-30°C至約0°C且在一些實施例中約-25°C至約-10°C。在一項特定實施例中，例如，可採用丙烯腈/丁二烯共聚物彈性體(例如，Nipol™ 1401LG，Tg=-18°C)。除彈性體熱塑性聚合物之外或代替彈性體熱塑性聚合物，亦可採用其他熱塑性聚合物，諸如聚烯烴(例如，聚丙烯、聚乙烯等)、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲醛、聚環氧乙烷、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯撐氧化物、聚氨酯、聚脲、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚醯胺、聚乳酸、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜等等，以及此等聚合物之組合。
在某些實施例中，黏著劑在其於室溫(23°C)下通常係固體但在加熱至特定溫度之後可變得可流動的意義上亦可為「熱熔」黏著劑。以此方式，可在膠帶處於穩定的非黏著劑形式時將其放置成與模製組件及/或其他電子組件接觸，且此後經熱活化以引發所要接合度。活化溫度可例如在約80°C至約250°C，在一些實施例中約100°C至約220°C且在一些實施例中約110°C至約210°C之範圍內。針對壓敏熱熔黏著劑，亦可需要特定程度之壓力來確保充分接合，諸如約1巴至約50巴，在一些實施例中約2巴至約40巴且在一些實施例中約5巴至約30巴達在約1秒至約500秒，在一些實施例中約2秒至約350秒且在一些實施例中約5秒至約180秒之範圍內的時段。
為了幫助形成此黏著劑，通常採用反應性樹脂。當被採用時，(若干)反應性樹脂通常以黏著劑塗層中所採用之每100重量份該(等)熱塑性聚合物約20重量份至約800重量份，在一些實施例中約50重量份至約600重量份且在一些實施例中約100重量份至約500重量份之量而存在。基於黏著劑塗層之總固體含量，該(等)反應性樹脂同樣可構成約30重量%至約95重量%，在一些實施例約40重量%至約90重量%且在一些實施例中約50重量%至約85重量%。另一方面，基於黏著劑塗層之總固體含量，該(等)熱塑性聚合物通常構成約5重量%至約70重量%，在一些實施例中約10重量%至約60重量%且在一些實施例中約15重量%至約50重量%。
合適反應性樹脂可包含例如聚酯、聚醚、聚氨酯、環氧樹脂、酚醛樹脂、甲酚或酚醛樹脂、多硫化物、丙烯酸聚合物(丙烯酸或甲基丙烯酸)等等，以及其等組合。環氧樹脂特別適合用作黏著劑塗層中之反應性樹脂。如根據ASTM D1652-11e1判定，此等樹脂之環氧當量可為每克當量約100克至約1,000克，在一些實施例中約120克至約800克且在一些實施例中約150克至約600克。環氧樹脂通常亦平均每分子含有至少約1.3，在一些實施例中約1.6至約8且在一些實施例中約3至約5個環氧基。如根據ASTM D445-15在25°C之溫度下判定，環氧樹脂通常亦具有相對低動態黏度，諸如約1厘泊至約25厘泊，在一些實施例中2厘泊至約20厘泊且在一些實施例中約5厘泊至約15厘泊。在室溫(25°C)下，環氧樹脂通常亦為具有約50°C至約120°C，在一些實施例中約60°C至約110°C且在一些實施例中約70°C至約100°C之熔點的固體或半固體材料。環氧樹脂可為飽和的或不飽和的、直鏈的或支鏈的、脂族的、脂環族的、芳族的或雜環的，且可帶有基本上不干擾與環氧乙烷之反應的取代基。合適環氧樹脂包含例如縮水甘油醚(例如，二縮水甘油醚)，其藉由使表氯醇與含有至少1.5個芳族羥基之羥基化合物視情況在鹼性反應條件下反應來製備。多官能化合物尤其合適。例如，環氧樹脂可為二羥酚之二縮水甘油醚、氫化二羥酚之二縮水甘油醚、三羥酚之三縮水甘油醚、氫化三羥酚之三縮水甘油醚等。二羥酚之二縮水甘油醚可例如藉由使表鹵代醇與二元酚反應來形成。合適二羥酚之實例包含例如2,2-雙(4-羥苯基)丙烷(「雙酚A」)；2,2-雙4-羥基-3-第三丁基苯基)丙烷；1,1-雙(4-羥苯基)乙烷；1,1-雙(4-羥苯基)異丁烷；雙(2-羥基-1-萘基)甲烷；1,5二羥萘；1,1-雙(4-羥基-3-烷基苯基)乙烷等。合適二羥酚亦可自酚與醛，諸如甲醛之反應獲得(「雙酚F」)。此等多官能環氧樹脂之市售實例可包含由Hexion以名稱862、828、826、825、1001、1002、1009、SU3、154、1031、1050、133及165購得之EPON™樹脂。其他合適的多官能環氧樹脂可由Huntsman以商標名Araldite™ (例如，Araldite™ ECN 1273及Araldite™ ECN 1299)購得。
(若干)黏著劑塗層可視情況包括如先前技術中已知之進一步添加劑及/或助劑，諸如活化劑、流變改性劑、發泡劑、填料、增塑劑、交聯劑、阻燃劑、UV穩定劑、抗氧化劑、黏著促進劑等。活化劑(或固化劑)通常係可引發或加速聚合或交聯反應，或能夠作為反應樹脂之反應夥伴參與的化合物。針對基於丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的反應樹脂，例如，合適活化劑可包含自由基化合物，諸如過氧化物、氫過氧化物及偶氮化合物。針對基於環氧化物之反應性樹脂，合適活化劑可包含胺、硫醇或酸性化合物，諸如脂肪胺(例如雙氰胺)、芳香胺、改性胺、聚醯胺樹脂、酸酐、仲胺、硫醇(例如，聚硫醇)、多硫化物、雙氰胺及有機酸醯肼。
可採用多種技術來形成(若干)黏著劑塗層。在一項實施例中，例如，(若干)黏著劑塗層之組分(例如，熱塑性聚合物、反應性樹脂及活化劑)被轉化為可流動狀態。此可藉由將該等組分溶解於一或多種溶劑中且經混合以提供均質的液體黏著劑來實現。此可視情況藉由暴露於熱及/或剪切來實現。合適溶劑在先前技術中係已知的，且較佳使用的溶劑係其中至少一種成分具有良好溶解性的彼等溶劑。尤其較佳的是丁酮或丙酮。與(若干)溶劑接觸之後獲得的液體黏著劑之總固體含量通常在混合物之約5重量%至約90重量%，在一些實施例中約20重量%至約80重量%且在一些實施例中約40重量%至約70重量%之範圍內。替代地，可在不使用溶劑之情況下達成可流動狀態，尤其在該等成分已彼此可溶或混溶(視情況暴露於熱及/或剪切)之情況下。無論其形成方式如何，可流動黏著劑可經安置成與基板之表面接觸。用於使可流動黏著劑與基板接觸之技術可包含塗佈、浸漬、澆鑄等。一旦被施用，便可藉由加熱以移除(若干)任何溶劑或若黏著劑歸因於溫度升高而變得可流動，則可藉由簡單地允許黏著劑冷卻來使黏著劑凝固。若期望，則黏著劑塗層亦可經受在高溫下藉由輻射或化學反應進行初步交聯(或固化)以改良處於未固化狀態下之技術黏著性質且防止其在施加壓力時流出基板。 IV.   應用
膠帶可以多種方式，諸如藉由施加壓力、熱等接合至模製組件以形成層壓結構。例如，可將模製組件之表面放置成與膠帶之黏著劑塗層接觸。一旦接觸，模製組件及膠帶便可經受壓縮壓力達一定時段，諸如自1秒至10分鐘。在施加壓力期間及/或之後，可在高溫下加熱層壓板以在黏著劑塗層中引發聚合及/或交聯反應以固化黏著劑。固化可在約100°C至約260°C，在一些實施例中約120°C至約250°C且在一些實施例中約150°C至約240°C (例如，約230°C)之溫度下發生。替代地，固化可經由輻射感應，諸如用UV光或閃光實現。
如上文所指示，膠帶可視情況在基板之相對表面上含有黏著劑塗層。以此方式，一個黏著劑塗層(例如，第一黏著劑塗層)可經接合至模製組件上，而另一黏著劑塗層(例如，第二黏著劑塗層)可經接合至單獨組件使得層壓結構含有模製組件、膠帶及單獨組件。在此等實施例中，層壓結構可以如上文所描述之方式同時接合在一起，或可在連續步驟中將該等組件接合至膠帶。接合至膠帶之單獨組件之性質可取決於預期應用而變化。例如，單獨組件可為電子裝置之部分，諸如外殼、蓋(例如，天線蓋、電池蓋等)、支撐結構、光學裝置、相機、揚聲器等。電子裝置可例如為桌上型電腦、可攜式電腦、手持型電子裝置、相機模組、汽車設備等。合適可攜式電子裝置之實例包含蜂巢式電話、膝上型電腦、小型可攜式電腦(例如，超可攜式電腦、筆記本電腦及平板電腦)、手錶裝置、挂件裝置、耳機及聽筒裝置、具有無線通信能力的媒體播放器、手持型電腦(有時亦稱為個人數位助理)、遙控器、全球定位系統(GPS)裝置、手持型遊戲裝置等。
參考圖1，例如，更詳細地展示手持型電子裝置之一項實施例。該裝置包含外殼12，該外殼可由塑膠、金屬、纖維複合材料，諸如碳纖維、玻璃、陶瓷、其他材料及此等材料之組合形成。外殼12可使用單片構造來形成，其中外殼12由一體式材料塊形成或可由框架結構、外殼壁及使用緊固件、黏著劑及其他附接結構彼此附接之其他組件形成。埠(諸如埠26)可接納配合連接器(例如，音訊插頭、與資料電纜相關聯的連接器等)。裝置10亦可含有按鈕，諸如安裝於外殼12中(例如，外殼側壁中)之按鈕13及安裝於裝置10之正面上之按鈕24 (例如，以用作選單按鈕)。
裝置10亦包含顯示器14，諸如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器、有機發光二極體(OLED)顯示器、電子墨水顯示器或使用其他顯示技術實施之顯示器。顯示器14可含有多個層。例如，顯示器14可含有背光單元、諸如偏光器及雙折射膜的光學膜、觸控感測器陣列、薄膜電晶體層及彩色濾色器陣列層。無論如何，顯示器14之最外層可由此等顯示器層之一者(例如，彩色濾色器陣列層或偏光器層)形成或可由保護蓋層形成。用於顯示器14之保護蓋層可例如由透明蓋板，諸如清透塑膠板或玻璃層(有時稱為蓋玻片、蓋玻片層或蓋玻片板)形成。在圖1中所展示之實施例中，顯示器14具有在裝置10之前表面上方延伸的最外層(例如，蓋玻片層)。顯示器14之中央部分可含有用於形成影像之主動影像像素且可因此有時被稱為顯示器之「作用區」。顯示器14之周圍部分不含有作用影像像素且因此有時被稱為形成顯示器之「非作用區」。在圖1之實例中，虛線18表示內部矩形作用區16與周圍非作用區20之間的邊界。非作用區20具有由左、右、頂部及底部邊緣區形成的實質上矩形環形。作用區16可含有導電結構，諸如與薄膜電晶體陣列或其他影像像素陣列等相關聯的觸控感測器電極、電晶體及互連線。
天線通常亦經定位於電子裝置10內。因為導體可能影響裝置10中之天線之操作，所以可期望將天線定位於除在作用區16正下方的彼等位置之外的位置處，諸如在非作用區20之頂部邊緣部分28或非作用區20之下邊緣部分22下方。天線亦可經形成於非作用顯示區20之其他部分後面(例如，在主動區16之左側或右側)。當天線經定位於非作用顯示區20下方時，天線信號可透過非作用區20 (例如，在裝置10之頂端處之上矩形區28或在裝置10之下端處之下矩形區22)傳輸及接收且不需要透過導電結構，諸如外殼12中之導電側壁及導電平面後壁結構遞送。若期望，則裝置10可含有其他平面介電結構。例如，裝置10之後表面(即，與含有顯示器14之前側相對的表面)可由平面介電結構(例如，玻璃板、陶瓷板等)形成。天線可經形成於此類型之後板下方或其他介電裝置結構下方。
圖2繪示作為可攜式電腦或其他裝置、具有由上外殼12A及下外殼12B形成的兩部分外殼之電子裝置10之另一實施例。外殼12A及12B可使用鉸鏈(例如，沿著下外殼12B之上邊緣及上外殼12A之下邊緣定位的鉸鏈)彼此連接。鉸鏈可允許上殼體12A相對於下殼體12B沿方向36繞軸38旋轉。裝置10亦可包含輸入輸出組件，諸如鍵盤30及軌跡板32。上外殼12A可包含由非作用區20環繞之顯示器14，該非作用區可與覆蓋層(例如，玻璃蓋)之沒有底層作用影像像素元件之部分相關聯。類似於上文所論述及圖1中所展示之實施例，天線可經形成於圖2之裝置10中之非作用顯示部分20或其他平面介電結構下方(例如，介電板，諸如形成為外殼12之部分之玻璃板)。
無論電子裝置之特定性質及組態如何，上文所提及的天線結構可採用本發明之模製組件/膠帶組態來幫助將天線牢固地定位於所要位置中。在此點上，此天線結構可包含將其上形成一或多個天線元件之模製組件及電子裝置之另一組件，諸如蓋(例如，玻璃蓋)或外殼)接合在一起的膠帶。例如，參考圖3，更詳細地展示此結構之一項實施例。如所展示，裝置10含有天線結構46，該天線結構包含模製組件及諸如藉由雷射直接結構化形成於其上的一或多個諧振天線元件。天線結構46使用膠帶76接合至電子元件52之表面50，該膠帶含有與天線結構46接觸的第一黏著劑塗層及與電子元件52接觸的第二黏著劑塗層。若期望，則亦可採用選用偏置及/或支撐結構78。支撐結構可包含例如由剛性塑膠、撓性塑膠(例如，諸如聚四氟乙烯的軟塑膠)、玻璃、陶瓷等形成的介電支撐件。支撐結構用作將天線結構46與外殼12分開的間隔物(其可形成天線之接地元件)。偏置結構可包含發泡體、橡膠或其他可壓縮物質之層、螺旋彈簧、板簧、其他彈簧結構等。此等結構可在天線結構46與外殼12 (或安裝於外殼12上之結構)之間壓縮以產生沿方向82向下壓抵於外殼12 (或裝置10中之其他底層結構)且沿方向82向上按壓的恢復力。沿方向80的向上(向外)壓力幫助將天線結構46壓抵於膠帶76，由此有助於將其牢固地附接至下(內部)表面50。
當然，應理解，本發明絕不限於其中採用天線元件的實施例。在其他實施例中，例如，可在相機模組中採用本發明之層壓結構。參考圖4，例如，展示含有外殼內所含有的透鏡模組120之相機模組100之一項實施例，其中透鏡模組120含有耦合至透鏡支架123的透鏡筒121。透鏡筒121可具有中空圓柱形狀使得用於使物體成像之複數個透鏡可沿光學軸方向1容納於其中。透鏡筒121可經插入至設置於透鏡支架123中之中空腔中，且透鏡筒121及透鏡支架123可藉由緊固件(例如，螺釘)、黏著劑等彼此耦合。透鏡模組120(包含透鏡筒121)可藉由致動器總成150沿光學軸方向1移動(例如，用於自動聚焦)。例如，在所繪示實施例中，致動器總成150可包含經組態以沿光學軸方向1移動透鏡模組120的磁體151及線圈153。磁體151可經安裝於透鏡支架123之一側上且線圈153可經安置以面向磁體151。線圈153可經安裝於基板155上，該基板繼而可經安裝至外殼130使得線圈153面向磁體151。致動器總成150可包含安裝於基板155上且取決於控制輸入信號輸出用於驅動致動器總成150之信號(例如，電流)的驅動裝置160。致動器總成150可接收信號且產生沿光學軸方向1移動透鏡模組120的驅動力。若期望，則亦可在外殼130上安裝止動件140以限制透鏡模組120沿光學軸方向1之移動距離。此外，屏蔽殼110 (例如，金屬)亦可經耦合至外殼130以圍封外殼130之外表面，且因此阻擋在驅動相機模組100期間產生的電磁波。若期望，則滾珠軸承170可充當致動器總成150之導引單元。更具體而言，滾珠軸承170可接觸透鏡支架123之外表面及外殼130之內表面以導引透鏡模組120沿光學軸方向1之移動。即，滾珠軸承170可經安置於透鏡支架123與外殼130之間，且可透過滾動運動導引透鏡模組120沿該光學軸方向之移動。
可在相機模組100之各種部件之任一者中採用本發明之層壓結構。在一項實施例中，例如，外殼130可由上文所描述之模製組件形成，且膠帶可用來將外殼130接合至屏蔽殼110。替代地，基板155可由上文所描述模製組件形成，且膠帶用來將基板155接合至驅動裝置160。
參考以下實例可更佳地理解本發明。 測試方法
剝離強度及峰值強度：剝離強度及峰值強度可根據ASTM D3167-10 (2017)來判定，其測試以180°角剝離樣品所需的強度(例如，結合使用Testworks 4軟體的Instru-met/MTS Insight Renew)。測試速度係6英寸/分鐘且可針對0.5英寸與4.5英寸之間的距離判定剝離強度值。「剝離強度」係樣本在上述剝離距離內之平均剝離強度且「峰值強度」係在上述剝離距離內觀察到的峰值剝離強度。測試層壓結構可藉由將射出模製樣本(8英寸×2英寸×0.5英寸)接合至黏著膠帶來製備。黏著膠帶可例如為HAF® 58473，其係商業上可自tesa SE購得的基於酚醛樹脂及丁腈橡膠之反應性熱活化膜。為了將模製樣本接合至膠帶，首先將膠帶放置於模製樣本上且在110°C及5巴下按壓在一起達10秒以形成預層壓結構。在180°C及10巴下進一步按壓預層壓結構達180秒且此後最終在230°C下固化達60分鐘。
熔融黏度:熔融黏度(Pa-s)可根據ISO測試第11443:2014號在1,000 s -1之剪切速率及高於熔融溫度15°C之溫度(例如，約335°C)下使用Dynisco LCR7001毛細管流變儀來判定。流變儀孔口(壓模)具有1 mm之直徑、20 mm之長度、20.1之L/D比及180°之入射角。筒之直徑係9.55 mm+0.005 mm且桿之長度係233.4 mm。
熔融溫度：熔融溫度(「Tm」)可藉由如此項技術中已知之差示掃描量熱法(「DSC」)來判定。熔融溫度係如由ISO測試第11357-2:2020號判定的差示掃描量熱法(DSC)峰值熔融溫度。在DSC程序下，如ISO標準10350中所陳述，使用在TA Q2000儀器上進行的DSC量測，以20°C每分鐘之速度加熱及冷卻樣本。
負載下偏轉溫度(「DTUL」)：負載下偏轉溫度可根據ISO測試第75-2:2013號(技術上等效於ASTM D648-07)來判定。更特定而言，具有80 mm之長度、10 mm之厚度、4 mm之寬度的測試條樣本可經受其中指定負載(最大外纖維應力)係1.8 MPa之沿邊三點彎曲測試。可將樣品下降至聚矽氧油浴中，其中溫度以2°C每分鐘之速度升高直至其偏轉0.25 mm (ISO測試第75-2:2013號係0.32 mm)。
拉伸模量、拉伸應力及拉伸伸長率：拉伸性質可根據ISO測試第527:2019號(技術上等效於ASTM D638-14)來測試。模量及強度量測可在具有80 mm之長度、10 mm之厚度及4 mm之寬度的相同測試條樣本上進行。測試溫度可為約23°C，且測試速度可為1或5 mm/min。
撓曲模量、撓曲應力及撓曲伸長率：撓曲性質可根據ISO測試第178:2019號(技術上等效於ASTM D790-10)來測試。此測試可在64 mm支撐跨度上執行。測試可在未切割ISO 3167多用途桿之中心部分上運行。測試溫度可為約23°C且測試速度可為2 mm/min。
無缺口及缺口夏比衝擊強度：夏比性質可根據ISO測試第ISO 179-1:2010號(技術上等效於ASTM D256-10，方法B)來測試。此測試可使用1型樣品大小(80 mm之長度，10 mm之寬度，及4 mm之厚度)來運行。當測試缺口衝擊強度時，缺口可為A型缺口(0.25 mm基圓半徑)。樣品可使用單齒銑床自多用途桿之中心切割。測試溫度可為約23°C。 實例1
樣本1至5係由液晶聚合物(LCP 1)、亞鉻酸銅(CuCr 2O 4)、相容劑(Elvaloy® PTW-由乙烯、丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯形成的環氧官能化烯烴三元共聚物)、矽灰石纖維(Nyglos® 4W或Nyglos® 8)、焦磷酸鈣、硫酸鋇、硫酸鈣及潤滑劑(Glycolub® P)之各種組合形成。LCP 1係由60% HBA、5% HNA、17.5% TA、12.5% BP及5% APAP形成。混配係使用32-mm雙螺桿擠壓機來執行。部件被射出模製成ISO標準桿及板(8英寸×2英寸×0.5英寸)。 表1
1 2 3 4 5
LCP 1 63.1 58.1 58.1 58.1 58.1
亞鉻酸銅 6.6 6.6 6.6 6.6 6.6
Glycolube® P 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
相容劑 - - 1 4 -
矽灰石纖維 30 - - - 10
焦磷酸鈣 - 35 - - -
硫酸鋇 - - 35 35 -
硫酸鈣 - - - - 20
測試樣本1至5之熱及機械性質。結果列於下表2中。 表2
樣本 1 2 3 4 5
剝離強度(lbf/in) 0.525 0.387 0.289 0.369 0.369
峰值強度(lbf/in) 1.162 0.827 0.586 0.874 0.565
在1.8 MPa (°C)下的DTUL 248 224 225 218 229
夏比缺口(kJ/m 2) 16 6.5 19 14 7.3
夏比無缺口(kJ/m 2) 57 48 55 57 40
拉伸強度(MPa) 137 109 122 113 122
拉伸模量(MPa) 15,663 9,557 8,777 7,713 10,769
拉伸伸長率(%) 1.96 3.87 4.04 4.54 2.58
撓曲強度(MPa) 171 126 124 108 142
撓曲模量(MPa) 13,897 9,006 8,299 7,481 10,014
撓曲伸長率(%) 3.04 ＞ 3.5 ＞ 3.5 ＞ 35 ＞ 3,5
在1,000 s -1下的溶融黏度(Pa-s) 46.9 47.5 26.6 39.6 30.1
熔融溫度(°C，DSC之第一次加熱) 339 330 341 334 333
實例2
樣本6至10係由液晶聚合物(LCP 1及LCP 2)、亞鉻酸銅(CuCr 2O 4)、相容劑(Elvaloy® PTW-由乙烯、丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯形成的環氧官能化烯烴三元共聚物)、矽灰石纖維(Nyglos® 4W 或 Nyglos® 8)、焦磷酸鈣、硫酸鋇、硫酸鈣及潤滑劑(Glycolub® P)之各種組合形成。LCP 1係由60% HBA、5% HNA、17.5% TA、12.5% BP及5% APAP形成。LCP 2係由79.7% HBA、20% HNA及0.7% TA形成。混配係使用32-mm雙螺桿擠壓機來執行。部件被射出模製成ISO標準桿及板(8英寸×2英寸×0.5英寸)。 表3
6 7 8 9 10
LCP 2 47.7 42.7 41.7 38.7 47.7
LCP 1 15.4 15.4 15.4 15.4 15.4
亞鉻酸銅 6.6 6.6 6.6 6.6 6.6
Glycolube® P 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
相容劑 - - 1 4 -
矽灰石纖維 30 - - - 10
焦磷酸鈣 - 35 - - -
硫酸鋇 - - 35 35 -
硫酸鈣 - - - - 20
測試樣本6至10之熱及機械性質。結果列於下表4中。 表4
樣本 6 7 8 9 10
剝離強度(lbf/in) 0.687 0.811 0.720 0.882 0.851
峰值強度(lbf/in) 0.995 1.169 0.856 1.211 1.111
在1.8 MPa (°C)下的DTUL 223 201 198 196 197
夏比缺口(kJ/m 2) 22.0 4.9 15.5 11.0 13.0
夏比無缺口(kJ/m 2) 43 37 39 44 37
拉伸強度(MPa) 161 115 132 119 132
拉伸模量(MPa) 16,552 9,523 8,699 7,995 11,334
拉伸伸長率(%) 3.7 5.1 5.7 5.3 3.6
撓曲強度(MPa) 196 139 136 118 160
撓曲模量(MPa) 14,938 9,374 8,617 7,764 10,992
撓曲伸長率(%) 3.3 ＞ 3.5 ＞ 3.5 ＞ 3.5 ＞ 3.5
在1,000 s -1下的熔體黏度(Pa-s) 46.5 67.9 39.4 65.3 46.4
熔融溫度(°C，DSC之第一次加熱) 319 319 316 319 318
實例3
樣本11至14係由液晶聚合物(LCP 1、LCP 2及LCP 3)、亞鉻酸銅(CuCr 2O 4)、相容劑(Elvaloy® PTW-由乙烯、丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯形成的環氧官能化烯烴三元共聚物)、矽灰石纖維(Nyglos® 4W或Nyglos® 8)、硫酸鋇及潤滑劑(Glycolub® P)之各種組合形成。LCP 1係由60% HBA、5% HNA、17.5% TA、12.5% BP及5% APAP 形成。LCP 2係由79.7% HBA、20% HNA及0.7% TA形成。LCP 3係由43% HBA、20% NDA、9% TA及28% HQ形成。混配係使用32-mm雙螺桿擠壓機來執行。部件被射出模製成ISO標準桿及板(8英寸×2英寸×0.5英寸)。 表5
11 12 13 14
LCP 2 - 38.7 - -
LCP 3       43.7 43.7
LCP 1 59.1 15.4 15.4 15.4
亞鉻酸銅 6.6 6.6 6.6 6.6
Glycolube® P 0.3 0.3 0.3 0.3
相容劑 4 4 4 4
矽灰石纖維 30 - 30 -
硫酸鋇 - 35 - 35
測試樣本11至14之熱及機械性質。結果列於下表6中。 表6
樣本 11 12 13 14
剝離強度(lbf/in) 1.696 4.273 1.426 1.826
峰值強度(lbf/in) 2.656 5.588 2.731 2.708
在1,000 s -1下的熔融黏度(Pa-s) 29.9 57.4 51.7 51.2
熔融溫度(°C，DSC之第一次加熱) 332 318 305 299
在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，一般技術者可實踐本發明之此等及其他修改及變動。另外，應理解，各項實施例之態樣可既全部又部分互換。此外，一般技術者將明白，前文描述僅藉助於實例，且並非意欲於如此等隨附發明申請專利範圍中進一步描述般限制本發明。
1:光學軸方向 10:裝置/電子裝置 12:外殼 12A:上殼體 12B:下殼體 13:按鈕 14:顯示器 16:內部矩形主動區 18:邊界 20:周圍非作用區/非作用顯示區/非作用顯示部分 22:下矩形區/下邊緣部分 24:按鈕 26:埠 28:頂部邊緣部分/上矩形區 30:鍵盤 32:軌跡板 36:方向 38:軸 46:天線結構 50:表面/下(內)表面 52:電子組件 76:膠帶 78:偏置及/或支撐結構 80:方向 82:方向 100:相機模組 110:屏蔽殼 120:透鏡模組 121:透鏡筒 123:透鏡支架 130:外殼 140:止動件 150:致動器總成 151:磁體 153:線圈 155:基板 160:驅動裝置 170:滾珠軸承
本發明之完整且可行的揭示內容，包含其對熟習此項技術者之最佳模式，在本說明書之剩餘部分中，包含參考附圖更特定地進行闡述，其中：
圖1係可根據本發明形成之電子裝置之一項實施例之透視圖；
圖2係可根據本發明形成之電子裝置之另一實施例之透視圖；
圖3係根據本發明之含有由模製組件及膠帶形成之層壓板之電子裝置之一部分之橫截面側視圖；及
圖4係可根據本發明之一項實施例形成之相機模組之透視圖。
10:裝置/電子裝置
12:外殼
13:按鈕
14:顯示器
16:內部矩形作用區
18:邊界
20:周圍非作用區/非作用顯示區/非作用顯示部分
22:下矩形區/下邊緣部分
24:按鈕
26:埠
28:頂部邊緣部分/上矩形區

Claims (40)

  1. 一種層壓結構，其包括： 膠帶，其包括具有第一表面及相對第二表面之基板，其中第一黏著劑塗層經安置於該基板之該第一表面上；及 模製組件，其鄰近該膠帶之該第一黏著劑塗層定位且經接合至該膠帶之該第一黏著劑塗層，其中該模製組件包含含有液晶聚合物之聚合物組合物； 其中如根據ASTM D3167-10 (2017)測定，該膠帶與該模製組件之間的剝離強度約為每英寸0.55磅力或更高。
  2. 如請求項1之層壓結構，其中如根據ISO測試第75-2:2013號在1.8 Mpa之負載下判定，該聚合物組合物具有自約200°C至約400°C之熔融溫度及自約170°C至約280°C之負載下偏轉溫度。
  3. 如請求項1之層壓結構，其中該液晶聚合物含有衍生自一或多種芳族羥基羧酸之重複單元。
  4. 如請求項3之層壓結構，其中該等芳族羥基羧酸包含4-羥基苯甲酸、6-羥基-2-萘甲酸或其等組合。
  5. 如請求項4之層壓結構，其中該液晶聚合物含有衍生自6-羥基-2-萘甲酸的重複單元，其量為約5莫耳%或更多。
  6. 如請求項4之層壓結構，其中該液晶聚合物含有衍生自4-羥基苯甲酸的重複單元，其量為自約50莫耳%至約95莫耳%。
  7. 如請求項4之層壓結構，其中該液晶聚合物含有以約0.5至約20之莫耳比衍生自4-羥基苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸的重複單元。
  8. 如請求項3之層壓結構，其中該液晶聚合物進一步含有衍生自一或多種芳族二羧酸、一或多種芳族二醇或其等組合的重複單元。
  9. 如請求項8之層壓結構，其中衍生自芳族二羧酸及/或芳族二醇之重複單元之該量係約5莫耳%或更少。
  10. 如請求項1之層壓結構，其中該液晶聚合物係全芳族的。
  11. 如請求項1之層壓結構，其中液晶聚合物構成該聚合物組合物之約40重量%至約90重量%。
  12. 如請求項1之層壓結構，其中該聚合物組合物進一步包括環氧官能化烯烴共聚物。
  13. 如請求項1之層壓結構，其中該聚合物組合物進一步包括礦物填料。
  14. 如請求項13之層壓結構，其中該礦物填料包含礦物顆粒。
  15. 如請求項13之層壓結構，其中該礦物填料包含礦物纖維。
  16. 如請求項1之層壓結構，其中該聚合物組合物進一步含有雷射可活化添加劑。
  17. 如請求項16之層壓結構，其中該雷射可活化添加劑包含氧化物晶體。
  18. 如請求項17之層壓結構，其中該等氧化物晶體包含MgAl 2O 4、ZnAl 2O 4、FeAl 2O 4、CuFe 2O 4、CuCr 2O 4、MnFe 2O 4、NiFe 2O 4、TiFe 2O 4、FeCr 2O 4、MgCr 2O 4、(Sb/Sn)O 2或其等組合。
  19. 如請求項1之層壓結構，其中至少一個天線元件經形成於該模製組件上。
  20. 如請求項19之層壓結構，其中該天線元件具有小於約1,500微米之特徵大小。
  21. 如請求項19之層壓結構，其中複數個天線元件以天線陣列形成於該模製組件上。
  22. 如請求項21之層壓結構，其中該等天線元件隔開達小於約1,500微米之間距距離。
  23. 如請求項21之層壓結構，其中該天線陣列具有大於1,000個天線元件/平方釐米之平均天線元件濃度。
  24. 如請求項1之層壓結構，其中該基板包含膜、紙織物、非織造織物、發泡體或其等組合。
  25. 如請求項1之層壓結構，其中該第一黏著劑塗層係壓敏熱熔黏著劑。
  26. 如請求項1之層壓結構，其中該第一黏著劑塗層包含彈性體熱塑性聚合物。
  27. 如請求項26之層壓結構，其中該彈性體熱塑性聚合物具有自約-40°C至約10°C之玻璃轉化溫度。
  28. 如請求項26之層壓結構，其中該彈性體熱塑性聚合物包含丙烯腈/丁二烯共聚物。
  29. 如請求項26之層壓結構，其中該第一黏著劑塗層由含有該彈性體熱塑性聚合物及反應性樹脂之混合物形成。
  30. 如請求項29之層壓結構，其中該反應性樹脂包含環氧樹脂。
  31. 如請求項29之層壓結構，其中該混合物進一步含有活化劑。
  32. 如請求項29之層壓結構，其中該膠帶進一步包括安置於該基板之該第二表面上之第二黏著劑塗層。
  33. 如請求項32之層壓結構，其中單獨組件係鄰近該膠帶之該第二黏著劑塗層定位且經接合至該膠帶之該第二黏著劑塗層。
  34. 如請求項33之層壓結構，其中該單獨組件係電子裝置之組件。
  35. 如請求項34之層壓結構，其中該單獨組件係外殼、蓋或其等組合。
  36. 一種電子裝置，其包括如請求項1之層壓結構。
  37. 如請求項36之電子裝置，其中該電子裝置係可攜式電子裝置。
  38. 如請求項36之電子裝置，其中該電子裝置包含相機模組。
  39. 一種用於形成如請求項1之層壓結構之方法，該方法包括： 將模製組件放置成與第一黏著劑塗層接觸以形成層壓板；及 將該層壓板加熱至自約100°C至約260°C之溫度以固化該黏著劑塗層。
  40. 如請求項39之方法，其中加熱係在將壓縮壓力施加至該層壓板時發生。
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