TW202231140A - 對構件承載件結構進行校準的方法，構件承載件，儲存有對構件承載件結構進行校準的電腦程式的電腦可讀介質，及對構件承載件結構進行校準的程式元件 - Google Patents

Abstract

一種對構件承載件結構(100)進行校準的設備，其中，該設備包括：處理器，用於預先限定(200)在校準期間對構件承載件結構(100)的非線性變形進行補償的最大允許的非線性補償限度(108)；以及，確定單元，用於對要校準的構件承載件結構(100)的實際非線性變形進行確定(230)。該處理器被配置為在該確定單元確定完全補償實際非線性變形所需的非線性補償的量超過預先限定的非線性補償限度(108)時，該處理器會以不超過預先限定的非線性補償限度的程度來執行(240)非線性變形補償。

Description

對構件承載件結構進行校準的方法，構件承載件，儲存有對構件承載件結構進行校準的電腦程式的電腦可讀介質，及對構件承載件結構進行校準的程式元件

本發明涉及對構件承載件結構進行校準的設備，以及構件承載件。

在配裝有一個或更多個電子構件的構件承載件的產品功能不斷增加並且這種電子構件的逐步小型化以及待安裝在諸如印刷電路板之類的構件承載件上的電子構件的數量不斷增多的背景下，采用了具有多個電子構件的越來越強大的陣列狀構件或封裝件，這些陣列狀構件或封裝件具有多個接觸部或連接部，其中，這些接觸部之間的間隔越來 越小。在操作期間，對由這種電子構件和構件承載件自身產生的熱進行移除成為越來越嚴重的問題。同時，構件承載件應當機械上穩定且電氣上可靠，以便即使在惡劣的條件下也能够操作。

此外，在製造期間對構件承載件或該構件承載件的預成型件進行適當校準方面存在問題。

本發明的目的是使得能够以高空間精度來處理構件承載件結構。

為了實現以上限定的目的，提供了根據本申請的對構件承載件結構進行校準的設備和構件承載件。

根據本發明的示例性實施方式，提供了一種對構件承載件結構進行校準的設備，其中，該設備包括一處理器：該處理器被用於預先限定在校準期間對構件承載件結構的非線性變形進行補償的最大允許的非線性補償限度；一確定單元，該確定單元用於確定要校準的構件承載件結構的實際非線性變形；該處理器被配置為在用於完全補償實際非線性變形所需的非線性補償的量超過預先限定的非線性補償限度的情况下，以不超過預先限定的非線性補償限度(特別地由預先限定的非線性補償限度所限制)的程度執行非線性變形補償。

根據本發明的另一示例性實施方式，提供了一種構件承載件，其中，該構件承載件包括疊置件，該疊置件包括 多個電傳導層結構和多個電絕緣層結構，其中，電傳導層結構包括竪向互連結構(特別是至少三個竪向互連結構)，該竪向互連結構彼此連接並且相對於彼此橫向移位，從而形成電連接的竪向互連結構的在橫向上和竪向上交錯的陣列。

可以通過計算機程序、即通過軟件或者通過使用一個或更多個特殊的電子最優電路、即以硬件形式或借助於軟件構件和硬件構件的混合形式來實現可以根據本發明的實施方式執行的數據處理。

在本申請案的上下文中，術語“構件承載件”可以特別地表示任何支撑結構，該支撑結構能够在該支撑結構上和/或支撑結構中容納一個或更多個構件從而用於提供機械支撑和/或電連接。換句話說，構件承載件可以被構造為用於構件的機械和/或電子承載件。特別地，構件承載件可以是印刷電路板、有機插置件和IC(集成電路)基板中的一者。構件承載件也可以是將上述類型的構件承載件中的不同的構件承載件組合的混合板。

在本申請案的上下文中，術語“構件承載件結構”可以特別地表示構件承載件(比如印刷電路板或IC基板)本身或多個構件承載件的更大的本體(比如面板或陣列)或多個構件承載件的預成型件(例如在單獨或分批製造構件承載件期間獲得的半成品)。

在本申請案的上下文中，術語“層結構”可以特別地表示在同一平面內的連續的層、圖案化的層或多個非連續 的島狀件。層結構可以是電絕緣的和/或電傳導的。

在本申請案的上下文中，術語“最大允許的非線性補償限度”可以特別地表示指示在校準期間構件承載件結構的非線性變形的最大容許補償量的一個或更多個參數。因此，所述最大允許的非線性補償限度限定了補償非線性變形的上限，該補償非線性變形的上限在非線性補償期間不可以被超過，即使在根據構件承載件結構的實際的非線性變形可能需要更大的非線性補償的情况下也是如此。因此，最大允許的非線性變形限制可以限定對於非線性變形補償而言的上限。

在本申請案的上下文中，術語“線性補償”可以特別地表示對構件承載件結構(特別是面板)的變形進行補償的過程，該變形可以通過構件承載件結構的一個或兩個空間維度的線性移位、旋轉和/或膨脹或收縮來補償。例如，這種線性補償可以涉及通過矩形或平行四邊形來與實際檢測到的構件承載件結構的形狀近似。

在本申請案的上下文中，術語“非線性補償”可以特別地表示對構件承載件結構(特別是面板)的變形進行補償的過程，該變形比可以通過構件承載件結構的一個或兩個空間維度的線性移位、旋轉和/或膨脹或收縮進行補償的變形更複雜。例如，這種非線性補償可以涉及通過梯形形狀(特別是不規則梯形的形狀)或具有至少五個角的多邊形形狀(特別是不規則多邊形的形狀)來於實際檢測到的構件承載件結構的形狀近似。

相應地，術語“非線性變形”可以特別地表示構件承載件結構的比能够通過構件承載件結構在一或兩個空間維度中的線性移位、旋轉和/或膨脹或收縮進行補償的變形更複雜的變形。因此，術語“線性變形”可以特別地表示構件承載件結構的能够通過構件承載件結構在一個或兩個空間維度上的線性移位、旋轉和/或膨脹或收縮進行補償的變形。

根據本發明的示例性實施方式，可以對指示在構件承載件結構的校準期間可允許的非線性補償的上限的最大允許的非線性補償限度(該最大允許的非線性補償限度還可以被表示為用於非線性扭曲補償的撓性校正值)進行預先限定。這種預先限定可以例如通過使用者或機器來進行。這可以使得能够在不對組裝過程產生不期望影響的情况下使用非線性縮放。儘管在單獨考慮校準精度時可能需要無限制的非線性補償，但是過多的非線性補償可能在構件承載件結構的處理期間與組裝相關的限制不相容。因此，所描述的預先限定最大允許的非線性補償限度的概念可以允許獲得靈活的縮放以改進或甚至使配准鏈最優化，而不會對構件承載件的製造性能、特別是外部層性能產生不期望的影響。換句話說，本發明的示例性實施方式使得可以在可以限制扭曲的情况下引入非線性縮放，由此使得在校準配准方面具有用於諸如高質量構件承載件的先進應用的新能力。通過引入補償非線性扭曲的限制，可以實現非線性縮放，以部分地適應構件承載件結構的幾何形狀。實際 上，可能不期望完全補償非線性扭曲，因為在對非線性扭曲進行無限制補償的情况下，可能不遵循各種構件承載件的製造程序(諸如焊料印刷方法)。為了避免這種情况，本發明的示例性實施方式通過僅允許以特定限度補償非線性扭曲來實現非線性縮放與線性縮放之間的折中，這可以例如由使用者或機器來指定，以協調構件承載件的製造。

根據本發明的另一示例性實施方式，提供了具有交錯的(即在橫向和竪向上略微移位的)竪向貫通連接部的構件承載件。從描述上說，各種竪向貫通連接部的重心可以例如位於(或大體上位於)相對於構件承載件的層結構的疊置方向傾斜的直線上(因此，疊置方向可以垂直於層結構的主表面)。在無限制的非線性變形補償的情况下，所述竪向貫通連接部將彼此上下完全地校準，而沒有相互的橫向位移。然而，根據本發明的示例性實施方式，當涉及就最大允許的非線性補償限度而言的約束時，所述竪向貫通連接部可以示出略微的相互水平位移，從而導致所述交錯的陣列。

在下文中，將說明該設備、構件承載件、計算機可讀介質和程序元件的另外的示例性實施方式。

在實施方式中，該處理器被配置為包括，在用於完全補償構件承載件結構的實際非線性變形所需的非線性補償的量小於或等於預先限定的非線性補償限度的情况下，執行完全非線性變形補償。在這種情况下，執行完整的非線性補償並不違反最大允許的非線性補償限度所涉及的約 束。因此，在這種情况下可以執行完全非線性補償，而不會對構件承載件的製造過程產生不期望的影響。

在實施方式中，非線性變形補償包括基於梯形的補償或基於具有至少四個(或甚至至少五個)角的多邊形的補償。就基於梯形的補償而言，可以對梯形結構的四個角的位置(還限定各個邊的長度和角度)進行調節，以近似於實際的構件承載件結構的形狀。然而，這種近似的約束是不超過最大允許的非線性補償限度的邊界條件(至少在外部層處)。

在實施方式中，該處理器被配置為包括：在實際非線性變形為零的情况下(即變形是線性的)，執行線性變形補償、特別地執行基於矩形或基於平行四邊形的變形補償。因此，如果確定產生下述結果：構件承載件結構的變形是線性的並且可以通過使用平行四邊形、特別是矩形僅進行移位、旋轉和/或縮放來建模，則根本不需要執行非線性變形補償。在這種情况下執行線性變形補償可以保持計算負擔較小。

在實施方式中，在構件承載件結構的內部層中的非線性變形補償可以超過預先限定的非線性補償限度，但是在構件承載件結構的外部層(特別是表面層)中的非線性變形補償必須不超過預先限定的非線性補償限度。根據這種優選實施方式，構件承載件製造過程中的要求將非線性補償限制為最大允許的非線性補償限度的約束(例如就組裝而言)僅需要對於構件承載件結構的與這種組裝有關的外部 層結構來遵守。然而，通過允許在構件承載件結構的內部層中甚至更大的非線性補償，在構件承載件結構的建立和組裝期間不會發生違反設計規則的情况。因此，在遵守外部層的最大允許的非線性補償限度的同時，可以另外使在內部層中執行甚至非常大(特別是無限)的非線性補償的自由度增加，並且可以另外提高校準精度。在內部層上允許如此高的公差可以使外部層的非線性變形為零或使非線性變形最小化。

在實施方式中，該處理器被配置為包括將對於構件承載件結構的內部層而言的最大允許的非線性補償限度預先限定成大於對於構件承載件結構的外部層(例如表面)而言的另一較小的最大允許的非線性補償限度。在另一改進的實施方式中，因此，最大允許的非線性補償限度可以從構件承載件結構的中心處的最大值向相應的外部主表面處的最低值(例如連續地、逐漸地或逐步地)减小。換句話說，所述非線性補償限度所涉及的約束可以在構件承載件結構的內部被放寬，並且可以在構件承載件結構的外部層處變得更嚴格。這可以確保適當的校準而無需在另外的製造過程方面進行折中。

在實施方式中，非線性補償限度由機器或使用者來限定。因此，最大的非線性補償限度是固定的，並且對於某些製造任務來說可能不會超過該最大的非線性補償限度，但是仍然可以預先自由地且靈活地進行限定。這提供了高度的靈活性，而同時保證了與製造過程相關的約束的相符 性。

在實施方式中，非線性補償限度是非線性變形補償的絕對值、例如為100μm。對應的示例在圖4中示出。附加地或替代性地，非線性補償限度可以是最大允許的非線性變形補償與實際非線性變形之間的比率，比方說例如50%的百分比。這可以致使非線性補償限度獨立於絕對值，從而可以更適用於覆蓋不同尺寸或比例的構件承載件結構。

在實施方式中，該處理器被配置為包括將非線性補償限度預先限定為最大允許的非線性變形補償的絕對值與實際非線性變形之間的比率。例如，所述比率可以在介於0%至100%的範圍內，特別地所述比率可以在介於20%與70%之間的範圍內。例如，可以在內部層上進行100%校準、逐漸降低至95%、等等、直到在外部層上降低至0%。

在實施方式中，在構件承載件結構的內部層處的比率比在構件承載件的外部層處的比率高，特別地，該比率從構件承載件結構的最內部層向最外部層連續地减小。例如，在一個層疊置件中的比率可以具有0%(矩形)至100%(完全非線性)的範圍，這可以用作根據設計規則要進行調整的設計參數。

在實施方式中，基於對構件承載件結構的一個或更多個校準標記的檢測來確定實際非線性變形。在本申請的上下文中，術語“校準標記”可以特別地表示構件承載件結構的結構或物理特徵，該結構或物理特徵可以在構件承載件結構(特別是構件承載件的預成型件、比如印刷電路板) 的表面上、表面區域中或內部中被檢測、光學檢查或視覺觀察到。校準標記可以用作在處理構件承載件結構方面用於要執行的校準的基礎，特別地，校準標記可以用作在通過可以將校準標記用於空間取向的處理機器來處理構件承載件結構方面用於要執行的校準的基礎。例如，這種校準標記可以是構件承載件結構上和/或構件承載件結構中的通孔或盲孔或墊，可以對該通孔或盲孔或墊進行光學檢查，從而確定諸如構件承載件的預成型件(例如面板)之類的構件承載件結構的位置和/或取向。例如，可以在諸如面板之類的矩形構件承載件結構的邊緣區域中設置多個這種孔和墊以用作校準標記。構件承載件結構的一個或兩個相反的主表面和/或構件承載件結構的內部可以設置有校準標記。例如，這種校準標記可以通過光學檢測器進行捕獲。為此，可以使用不同類型的校準標記，諸如削痕、拐角(例如矩形電子裝置的拐角)和激光靶。這還可以改善校準精度。一般地，校準標記可以是任何基準點，即置於成像系統的出現在所產生的圖像中的視野中的任何對象都可以用作參考點或度量。校準標記可以是置於成像對象中或成像對象上的標記。這種校準標記也可以用於相對於待處理的構件承載件結構來調整處理裝置。

在實施方式中，該處理器被配置為包括：基於所確定的校準信息，對構件承載件結構進行校準和處理。所述校準信息可以從變形補償的結果得到。對應地，該設備可以包括處理單元，該處理單元配置成用於基於所確定的校準 信息來處理構件承載件結構。換句話說，檢測校準標記可以允許確定關於構件承載件結構的位置信息。然後，可以表示為校準信息的這種信息可以被用於相應地調整構件承載件結構的後續處理，例如在構件承載件結構的水平面內形成電傳導迹線和/或形成竪向電傳導貫通連接部，所述竪向電傳導貫通連接部例如通過層壓銅箔、使銅箔圖案化、形成過孔以及例如通過鍍覆用電傳導材料填充過孔的組合而形成。

在實施方式中，該處理器被配置為包括將構件承載件結構分隔為多個分隔部(例如，在平面視圖中，該構件承載件結構的四等分區域或其他矩形區域)，並且單獨地對這些分隔部執行校準。因此，該處理器還可以被配置為以分隔部校準的方式來執行。儘管在實施方式中可以將整個構件承載件結構作為整體校準，即構件承載件結構僅具有一個分隔部(這可以表示為全域校準)，然而另一實施方式可以針對分隔部校準的情况進行校準，其中構件承載件結構可以被認為由至少兩個分隔部構成。例如，各種分隔部可以是面板型構件承載件結構的四分之一面板。就分隔而言，可以通過確定至少一個分隔線、特別是至少兩個正交的分隔線來將構件承載件結構虛擬地分隔為多個分隔部(例如分隔為四個分隔部)，其中所述至少一個分隔線可以被確定成延伸到構件承載件結構的活動區域(active region)的外部。通過防止分隔線延伸穿過構件承載件結構的功能性活動區域(諸如面板上的PCB陣列)，構件承載件結構的 功能性活動區域的功能保持不受校準過程的干擾。

在實施方式中，該處理器被配置為包括：選擇構件承載件結構的局部部分，並且僅對局部部分執行校準。因此，該處理器還可以被配置為以局部校準方式來執行。換句話說，上述校準的過程可以僅受限於構件承載件結構的特定局部部分，並且然後不對構件承載件結構的其他區域執行校準。

在實施方式中，處理構件承載件結構包括對構件承載件結構進行成像(特別是光成像)、阻焊劑處理、絲網印刷和機械處理(特別是在組裝過程中)中的至少一者。這些過程和其他過程需要對待處理的構件承載件結構進行精確校準。特別地，所描述的校準概念可以有利地應用於嵌入、用於組裝過程、用於晶片結合和/或用於激光處理。

在實施方式中，構件承載件的交錯的竪向互連結構是填充有電傳導材料、特別是銅的過孔、特別是激光過孔。

在實施方式中，構件承載件結構選自：用於製造構件承載件的面板、多個構件承載件的陣列或多個構件承載件的預成型件的陣列、以及用於承載至少一個構件的構件承載件。在優選的實施方式中，可以用所描述的校準概念來處理PCB面板。

在實施方式中，校準設備包括校準標記形成單元，該校準標記形成單元配置成用於在構件承載件結構上和/或構件承載件結構中形成校準標記。例如，可以通過將電傳導層(例如層壓銅箔或鍍覆銅層)連接在構件承載件結構材 料的疊置件上、特別是諸如預浸料層之類的電絕緣層結構上來執行墊式校準標記的形成。此後，可以對電傳導層進行圖案化，由此形成一個或更多個墊式校準標記。

在實施方式中，使用激光直接成像(LDI)裝置來使用該設備。例如，LDI裝置可以形成校準標記形成單元或者可以形成校準標記形成單元的一部分。通過對電傳導層結構進行圖案化可以形成校準標記中的至少一個校準標記。例如，這可以優選地通過激光直接成像(LDI)或替代性地通過光成像來實現。LDI可以使用具有定位在可控制的激光下方的感光表面的構件承載件結構。控制單元將構件承載件結構掃描成光栅圖像。光栅圖像與對應於構件承載件結構的相應校準標記的預先限定金屬圖案相匹配，從而允許操作激光器以在所述構件承載件結構上直接生成圖像。有利地，可以通過LDI形成高精度的校準標記，即使在惡劣條件下的環境下也是如此。

在實施方式中，構件承載件結構和/或構件承載件包括至少一個電絕緣層結構和至少一個電傳導層結構的疊置件。例如，構件承載件結構和/或構件承載件可以是所提及的一個或更多個電絕緣層結構與一個或更多個電傳導層結構的層壓件，特別地，可以通過施加機械壓力和/或熱能來形成該層壓件。所提及的疊置件可以提供能够為另外的構件提供大安裝表面並且仍然非常薄且緊凑的板狀構件承載件。術語“層結構”可以特別地表示在同一平面內的連續層、圖案層或多個非連續的島狀件。

在實施方式中，構件承載件結構和/或構件承載件被成形為板。這有助於緊凑的設計，其中儘管如此，構件承載件結構和/或構件承載件仍為在該構件承載件結構和/或構件承載件上安裝構件提供了大的基底。此外，特別地，作為嵌入式電子構件的示例的裸晶片由於該裸晶片的較小的厚度可以方便地嵌入到諸如印刷電路板之類的薄板中。

在實施方式中，構件承載件結構和/或構件承載件被構造為印刷電路板、基板(特別是IC基板)和插置件中的一者。

在本申請的上下文中，術語“印刷電路板”(PCB)可以特別地表示通過例如由施加壓力和/或供給熱能而將多個電傳導層結構與多個電絕緣層結構層壓而形成的板狀構件承載件。作為用於PCB技術的優選材料，電傳導層結構由銅製成，而電絕緣層結構可以包括樹脂和/或玻璃纖維、所謂的預浸料或FR4材料。通過例如以激光鑽孔或機械鑽孔的方式形成穿過層壓件的通孔，並且通過用電傳導材料(特別是銅)填充這些通孔，由此形成作為通孔連接部的過孔，可以以期望的方式將各電傳導層結構彼此連接。除了可以嵌入在印刷電路板中的一個或更多個構件以外，印刷電路板通常構造成用於在板狀印刷電路板的一個表面或相反的兩個表面上容置一個或更多個構件。所述一個或更多個構件可以通過焊接連接至相應的主表面。PCB的介電部分可以包括具有增強纖維(比如玻璃纖維)的樹脂。

在本申請案的上下文中，術語“基板”可以特別地表 示小的構件承載件。相對於PCB，基板可以是相對較小的構件承載件，該構件承載件上可以安裝有一個或更多個構件，並且該構件承載件可以用作一個或更多個芯片與另一PCB之間的連接介質。例如，基板可以具有與待安裝在該基板上的構件(特別是電子構件)大致相同的尺寸(例如在芯片尺寸封裝(CSP)的情况下)。更具體地，基板可以被理解為用於電連接件或電網絡的承載件以及與印刷電路板(PCB)相當但具有相當高密度的橫向和/或竪向布置的連接件的構件承載件。橫向連接件例如是傳導通道，而竪向連接件可以是例如鑽孔。這些橫向連接件和/或竪向連接件布置在基板內，並且可以用於提供容置構件或未容置構件(比如裸晶片)──特別是IC芯片──與印刷電路板或中間印刷電路板的電連接、熱連接和/或機械連接。因此，術語“基板”還包括“IC基板”。基板的介電部分可以包括具有增強顆粒(比如為增強球體、特別是玻璃球體)的樹脂。

基板或插置件可以包括至少一層以下各者或由至少一層以下各者構成：玻璃、矽(Si)、或可光成像或可幹蝕刻的有機材料如環氧基積層材料(比如環氧基積層膜)、或如聚醯亞胺、聚苯幷惡唑或苯幷環丁烯-功能聚合物的聚合物化合物。

在實施方式中，至少一個電絕緣層結構包括樹脂(比如增強樹脂或非增強樹脂，例如環氧樹脂或雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂)、氰酸酯、聚亞苯基衍生物、玻璃(特別是玻璃 纖維、多層玻璃、玻璃狀材料)、預浸材料(比如FR-4或FR-5)、聚醯亞胺、聚醯胺、液晶聚合物(LCP)、環氧基積層膜、聚四氟乙烯(PTFE、特氟隆)、陶瓷以及金屬氧化物中的至少一者。也可以使用例如由玻璃(多層玻璃)製成的增強結構，比如網狀物、纖維或球體。儘管對於剛性PCB而言，預浸料、特別是FR4通常是優選的，但是也可以使用其他材料，特別是環氧基積層膜或可光成像的介電材料。對於高頻的應用，諸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯樹脂之類的高頻材料、低溫共燒陶瓷(LTCC)或其他低、極低或超低DK材料可以在構件承載件中被實現為電絕緣層結構。

在實施方式中，至少一個電傳導層結構包括銅、鋁、鎳、銀、金、鈀、鎂和鎢中的至少一者。儘管銅通常是優選的，但是其他的材料或其塗覆的變型也是可以的，特別是塗覆有諸如石墨烯之類的超導材料。

可以嵌入在疊置件中的至少一個構件可以選自非電傳導嵌體、電傳導嵌體(比如金屬嵌體，優選地包括銅或鋁)、熱傳遞單元(例如熱管)、光引導元件(例如光波導或光導體連接件)、光學元件(例如透鏡)、電子構件或其組合。例如，該構件可以是有源電子構件、無源電子構件、電子芯片、存儲設備(例如DRAM或其他數據存儲器)、濾波器、集成電路、信號處理構件、功率管理構件、光電接口元件、發光二極管、光耦接器、電壓轉換器(例如DC/DC轉換器或AC/DC轉換器)、密碼構件、發送器和/或 接收器、機電轉換器、傳感器、致動器、微機電系統(MEMS)、微處理器、電容器、電阻器、電感、電池、開關、相機、天線、邏輯芯片和能量收集單元。然而，其他構件也可以嵌入在構件承載件中。例如，磁性元件可以用作構件。這種磁性元件可以是永磁性元件(比如鐵磁性元件、反鐵磁性元件、多鐵性元件或亞鐵磁性元件，例如鐵氧體芯)或者可以是順磁性元件。然而，該構件還可以是例如呈板中板構型的基板、插置件或另外的構件承載件。構件可以表面安裝在構件承載件上和/或可以嵌入在構件承載件的內部。此外，還可以使用其他的構件作為構件。

在實施方式中，構件承載件結構和/或構件承載件是層壓式構件承載件。在這種實施方式中，構件承載件是通過施加壓力和/或熱而疊置並連接在一起的多層結構的化合物。

在對構件承載件的內部層結構進行處理之後，可以用一個或更多個另外的電絕緣層結構和/或電傳導層結構對稱地或不對稱地覆蓋(特別是通過層壓)經處理的層結構的一個主表面或相反的兩個主表面。換句話說，可以持續堆積，直到獲得期望的層數為止。

在電絕緣層結構和電傳導層結構的疊置件的形成完成之後，可以對所獲得的層結構或構件承載件的進行表面處理。

特別地，在表面處理方面，可以將電絕緣的阻焊劑施加至層疊置件或構件承載件的一個主表面或相反的兩個主 表面。例如，可以在整個主表面上形成比如阻焊劑並且隨後對阻焊劑的層進行圖案化以使一個或更多個電傳導表面部分暴露，這些電傳導表面部分將用於將構件承載件電耦接至電子外圍件。構件承載件的保持被阻焊劑覆蓋的表面部分、特別是包含銅的表面部分可以被有效地保護以免受氧化或腐蝕。

就表面處理而言，還可以選擇性地將表面修整部施加至構件承載件的暴露的電傳導表面部分。這種表面修整部可以是構件承載件的表面上的暴露的電傳導覆蓋結構(諸如墊、傳導迹線等，特別是包括銅或由銅構成)上的電傳導覆蓋材料。如果不保護這種暴露的電傳導層結構，然後，暴露的電傳導構件承載件材料(特別是銅)就可能氧被化，從而使構件承載件的可靠性較低。然後，可以將表面修整部形成為例如表面安裝的構件與構件承載件之間的接合部。表面修整部具有保護暴露的電傳導層結構(特別是銅電路)並且例如通過焊接來實現與一個或更多個構件的結合過程的功能。用於表面修整部的合適材料的示例是有機可焊性防腐劑(OSP)、化學鎳浸金(ENIG)、金(特別是硬金)、化學錫、鎳金、鎳鈀、化學鎳浸鈀浸金(ENIPIG)等。

根據下面將描述的實施方式的示例，本發明的以上限定的方面和其他方面變得明顯，並且參考實施方式的這些示例來說明。

100:構件承載件結構

160:中央位移

162:矩形的旋轉

164:矩形的縮放

166:平行四邊形

168:非線性變形

170:更複雜的非線性變形

108:非線性補償限度

106:校準標記

140:設備

110:構件承載件

126:校準標記形成單元

122:檢測單元

130:處理器

124:確定單元

191:上主表面

193:下主表面

112:疊置層

114:電傳導層結構

116:電絕緣層結構

118:竪向互連結構

190:細節

192:芯

196:疊置方向

198:傾斜的直線

104:外部層

102:內部層

[圖1]示出了基於矩形模型的面板水平上的線性變形補償。

[圖2]示出了基於平行四邊形模型的面板水平上的線性變形補償。

[圖3]示出了基於梯形模型的面板水平上的非線性變形補償。

[圖4]示出了根據本發明的示例性實施方式的有限的非線性變形補償。

[圖5至圖7]示出了根據本發明的示例性實施方式的涉及預先限定限度的非線性補償。

[圖8]示出了根據本發明的示例性實施方式的用於對面板型構件承載件結構進行校準的設備。

[圖9]是示出根據本發明的示例性實施方式的對構件承載件結構進行校準的方法的方塊圖。

[圖10]示出了根據本發明的示例性實施方式的構件承載件，該構件承載件是使用參照圖9描述的校準方法來製造的。

附圖中的圖示是示意性的。在不同的附圖中，相似或相同的元件被提供有相同的附圖標記。

在參考附圖進一步詳細地描述示例性實施方式之前，將先概述發展本發明的示例性實施方式所基於的一些基本 考慮。

根據本發明的示例性實施方式，可以為諸如用於製造多個構件承載件的面板(特別是印刷電路板、PCP)的構件承載件的非線性扭曲補償預先限定最大允許的非線性補償限度，該最大允許的非線性補償限度還可以表示為撓性校正值。

本發明的示例性實施方式的要點在於在高的面板變形的情况下實現非線性補償與尺寸穩定性之間的折中。實際上，在對面板、子面板或構件承載件進行校準時，可以設定多個校準方式，但是所述多個校準方式中的每個校準方式均具有該校準方式自身的限制。

例如，使用矩形校準(對照圖1)允許墊到墊的距離、比例值表現出非常穩定的性能，並且對於使用者來說易於組裝。如果墊到墊的距離是穩定的，則比例值(x和y中的拉伸係數)也是穩定的。然而，矩形校準不允許非線性變形的補償，並且因此失配准較高，特別是對於內部層來說更是如此。

另一方面，使用梯形校準方式(對照圖3)使得可以允許對非線性扭曲進行補償，但也可能引起不穩定的尺寸性能，其中墊到墊的距離和比例值將有高的變化。結果，對於使用者而言，組裝可能變得非常關鍵。

第三種方式涉及基於平行四邊形作為與構件承載件結構近似的線性補償(對照圖2)。這種縮放(scale)方法可以提供穩定的縮放值和墊到墊的性能。然而，即使基於平行四 邊形的線性近似也不能補償非線性誤差，因為平行四邊形的邊緣被限制為平行。

本發明的示例性實施方式可以克服上述缺點中的至少一部分，並且可以提供更先進的縮放方式，該縮放方式實現了在最終層的非線性扭曲與尺寸穩定性之間的適當折中。為了實現這種折中，可以執行補償方法，該補償方法允許非線性補償(特別是梯形補償)，然而該補償方法僅以不能被超過的一定程度或限度允許該非線性補償。可以例如根據墊到墊的公差和/或從其得到的構件承載件結構或構件承載件(例如PCB)的層數來限定對應的最大允許的非線性補償限度。換句話說，本發明的示例性實施方式允許以特定限度進行梯形補償，如下面描述的圖4至圖7中所示。

在本文中，成組的至少一個值和/或至少一個百分比或比例可以是靈活的，並且可以取决於例如期望的墊到墊的性能以及層數。此外，可以放寬對第一內部層的限制，同時該限制變得逐漸嚴格直至外部層。在這種情况下，層數越高，該方法的應用可以越容易。從描述上講，層數越多，補償越容易。在外部層上非常精確可以是有利的(並且可以逐漸進行調整，尤其是在多個層的情况下更是如此)。這可以具體地在以下情况下保持有利：在存在對激光處理來說非常寬鬆的規格，但對於成像處理需要考慮嚴格的規格的情况。可以根據要製造的構件承載件的相應設計和材料來確定所述限度的值，以限定最合適的值。

此外，為了確保對內部層的高配准性能，可以根據本發明的示例性實施方式來設定鑽孔過程與成像之間的折中。有利地，鑽孔過程可以具有更高的限制，而成像過程可以根據剩餘的環形的環狀部而具有更嚴格的限制。

因此，根據本發明的示例性實施方式的設備可以通過設定或預先限定最大允許的非線性補償限度的撓性值來允許非線性扭曲的補償與尺寸穩定性之間的折中，該撓性值允許對於每個不同的設計和規格來說進行適當校準(特別是校準優化)。通過示例性實施方式，較高的配准能力可以與較低的廢料(scrap)組合。從而可以使製造小特徵並增加互連密度成為可能。

圖1示出了基於矩形模型的面板水平上的線性變形補償。圖2示出了基於平行四邊形模型的面板水平上的線性變形補償。

在面板水平上，可以在線性變形與非線性變形之間進行區分。線性變形可以通過線性縮放來覆蓋(使用如圖1中的矩形方法或如圖2中的平行四邊形方法)，以對圖1和圖2的紙平面的兩個正交水平方向上的移位、旋轉和擴展/收縮進行覆蓋。更具體地，圖1示出了諸如用於製造PCB的面板之類的構件承載件結構100的實際形狀。如附圖標記160所示，使用與構件承載件結構100的實際形狀近似的矩形的線性補償可能涉及中央移位。如附圖標記162所示，使用與構件承載件結構100的實際形狀近似的矩形的線性補償還可能涉及矩形的旋轉。從描述上講，可以執行搜 索，以用於提供與構件承載件結構100的實際形狀的最佳配裝(例如就最小均方算法而言)的矩形。

如圖2中的附圖標記164所示，使用與構件承載件結構100的實際形狀近似的矩形的線性補償還可能涉及矩形的縮放(即膨脹或收縮)。

如圖2中的附圖標記166所示，線性補償還可以使用與構件承載件結構100的實際形狀近似的平行四邊形。

然而，基於矩形或基於平行四邊形的扭曲補償僅適用於相對較小的和簡單的扭曲。僅通過線性補償、即既不通過矩形方法也不通過平行四邊形方法不能得到與構件承載件結構100的更複雜的變形適當近似的形狀。

圖3示出了基於梯形模型的面板水平上的非線性變形補償。圖3示出了構件承載件結構100的更複雜的非線性變形，如構件承載件結構100的各種校準標記106的位置所示。如附圖標記168所示，不能通過矩形來適當近似於該非線性變形。

原則上，局部校準也是一種選擇。對於高度失配准，局部校準在繼續使用線性縮放時也可能不適合於適當地覆蓋變形。

然而，如附圖標記170所示，梯形形狀可以適用於反映構件承載件結構100的甚至更複雜的非線性變形。因此，當諸如面板之類的構件承載件結構100以梯形形狀或更複雜的幾何形狀變形時，可以使用梯形縮放。

然而，梯形校準可能引起比例值變化、墊到墊的偏差 以及孔到孔的偏差。因此，在某些情况下可能不允許使用者進行梯形校準，因為梯形校準可以對易於製造的構件承載件的組裝產生顯著影響。因此，無限的梯形扭曲補償可能使使用者在構件承載件製造過程期間進一步對構件承載件結構100進行適當地處理的自由度折中。

圖4示出了根據本發明的示例性實施方式的對最大容許非線性變形補償進行預先限定限度的非線性變形補償。

基本上，圖4的非線性補償方案可以與圖3的非線性補償方案相對應。然而，根據圖4的本發明的示例性實施方式，預先限定的最大允許的非線性補償限度108可以被限定成用於限制非線性變形補償的量。從描述上來說，預先限定的最大允許的非線性補償限度108可以是用於非線性扭曲補償的可靈活限定的校正值，該非線性扭曲補償不能被超過，以便保持與例如組裝相關的邊界條件的相符性(compliance)。

同樣在圖4中，附圖標記100示出了當前正在被加工的構件承載件結構(諸如PCB面板)。如附圖標記168所示，最佳配裝矩形不能適當地近似於非線性變形的構件承載件結構100的實際形狀。與構件載體結構100的梯形形狀完全對應的梯形將需要相對較大的非線性補償，如圖4中所示，然而，該相對較大的非線性補償就組裝約束而言可能是不合適的。因此，本發明的示例性實施方式將可允許的最大非線性補償限度108限制為一值、例如30μm。這種彈性限度或最大允許的非線性補償限度108可以是考慮到環形的 環狀件和墊到墊和/或孔到孔的公差來限定的。例如，值108可以是計算機輔助製造(CAM)程序的輸出。然而，還可能的是由使用者來限定最大允許的非線性補償限度108。

因此，由於非線性變形補償的實際適當的值將更高，因此本發明的示例性實施方式仍然將非線性變形補償限制成最大允許的非線性補償限度108、例如30μm，以在實現構件承載件結構100的另外製造過程的要求的情况下還實現相符性。在圖4中用附圖標記172來指示與所述限度108相符的梯形，該梯形同時提供了與變形的構件承載件結構100適當近似的形狀，並因此提供了非線性變形的構件承載件結構100的非線性變形補償的可接受程度。

圖5至圖7示出了根據本發明的示例性實施方式的涉及預先限定限度108的非線性補償。

參考圖5，示出了在構件承載件結構100上的校準標記106(例如具有1.3mm的直徑)的布置。例如，可以使用X射線在目標上進行鑽孔來獲得圖5中所示的布置。不需要執行矩形補償。

圖6涉及激光過程。可以以完美的擊打(有或無切屑)來執行梯形形狀的鑽孔。因此，圖6示出了梯形校準而不是矩形校準。

參照圖7，示出了根據本發明的示例性實施方式的與具有限度的梯形補償有關的圖像。因此，僅可以近似於梯形的百分比。使用遵循限度的非線性補償的實施防止了對 於使用者來說構件承載件結構100和對應地單數的構件承載件110發生更高的扭曲。從描述上來說，無限制的非線性補償可能違反就構件承載件110的可容許的墊到墊的距離而言的規格。例如，可以根據指示值來給出限度(由最大允許的非線性補償限度108來指示)。如果所述指示值例如小於60μm，則不需要限度。然而，如果指示值高於60μm，則可以允許60μm加20μm的補償(即閾值層數减去當前層數)。

圖8示出了根據本發明的示例性實施方式的用於校準面板型構件承載件結構100的設備140。所示的構件承載件結構100包括仍一體連接的多個構件承載件110(例如印刷電路板)或多個構件承載件110的預成型件。

設備140包括校準標記形成單元126，該校準標記形成單元配置成形成構件承載件結構100的校準標記106(例如墊式校準標記)。例如，校準標記形成單元126可以包括用於通過LDI形成校準標記106的激光直接成像(LDI)裝置。

此外，設備140包括檢測單元122，該檢測單元配置成對構件承載件結構100的所述校準標記106進行檢測。例如，檢測單元122可以是相機、諸如CCD相機或CMOS相機。

此外，設備140還包括確定單元124，該確定單元124可以配置成用於基於檢測到的校準標記106來確定校準信息。為了對由檢測單元122捕獲的一個或更多個圖像上的校準標記106進行識別，該確定單元124可以設置有數據 庫，該數據庫包括可用於並可處理能够根據校準標記的特徵形狀和/或對比特性來確定墊式校準標記106的資源的數據。為此目的，可以在該確定單元124中實現模式識別算法和/或其他圖像處理算法，該處理器特別適用於墊式校準標記106的識別。

此外，處理器130配置成用於基於該確定單元124所確定的校準信息來處理構件承載件結構100。換句話說，處理器130可以基於所確定的校準信息來對面板水平上的構件承載件110的進一步製造進行控制。

因此，圖8示出了如何在加工構件承載件結構100期間執行校準。為此，校準標記形成單元126形成校準標記106，如上所述。隨後，檢測單元122可以對構件承載件結構100的上主表面191或兩個相反的上主表面191、下主表面193的圖像進行捕獲，該檢測單元122可以是相機。可以將一個或更多個對應圖像供給至處理器130，該處理器可以確定校準標記106在構件承載件結構100的上主表面191上和/或下主表面193上的位置。該信息可以用於隨後的對校準信息的確定，該校準信息即關於構件承載件結構100例如就處理構件承載件結構100的處理設備而言的定位和取向的信息。然後，該信息可以用於由處理器130執行隨後要執行的處理(例如腔的形成、墊的形成、圖案化等)。

除此之外，處理器130可以控制或執行基於軟件的使構件承載件結構100校準的方法。下面將參照圖9來說明這種方法的實施方式：

圖9是示出根據本發明的示例性實施方式的對構件承載件結構100進行校準的方法的方塊圖。

如方塊200所示，可以限定在校準期間構件承載件結構100的非線性變形進行補償的最大允許的非線性補償限度108。例如，這可以由使用者或由圖8的處理器130基於存儲在該處理器的數據庫中的數據來完成。例如，限度108的值可以被限定成符合要製造的構件承載件110的規格。從描述上來說，限度108的值可以指示在非線性變形補償期間梯形模型近似於非線性變形的構件承載件結構100的能够被容許的適應程度。然而，不可以超過由限度108指示的適應程度。換句話說，可以在方塊200中設定彈性限度108。

參照方塊210，然後可以測量一個或更多個校準標記106(例如位於當前處理的構件承載件結構100的內部層上)。可以通過實驗檢測所述一個或更多個校準標記106(例如一個或更多個校準孔、內部標記等)。

如方塊220所指示的，然後可以確定要校準的構件承載件結構100的實際非線性變形。所述實際非線性變形可以通過對構件承載件結構100的形狀和/或檢測到的校準標記106的布置進行分析來得到。換句話說，可以基於校準標記106的位置來確定實際變形。因此，可以基於對構件承載件結構100的一個或更多個校準標記106的檢測來確定實際的非線性變形。從描述上講，構件承載件結構100的非線性變形可以指示為不能通過矩形或平行四邊形進行補 償的變形類型(對照圖1和圖2)。

如果確定構件承載件結構100的實際非線性變形為零，則可以執行方塊260中的線性變形補償。這種線性變形補償可以是基於矩形和/或基於平行四邊形的變形補償，例如，如以上參照圖1和圖2所描述的。

如果確定構件承載件結構100的實際非線性變形為非零，則可以執行非線性變形補償，參見方塊230。

更具體地，在完全補償構件承載件結構100的實際非線性變形所需的非線性變形補償的量超過預先限定的非線性補償限度108的情况下，僅以不超過預先限定的非線性補償限度108的程度或以由預先限定的非線性補償限度108所限定的程度來執行方塊240中的非線性變形補償。因此，實際執行的非線性變形補償可以與所述限度108相同，或者可以更小。例如，這可以如上面參照圖4所描述的來實現。

然而，在完全補償構件承載件結構100的實際非線性變形所需的非線性變形補償的量小於或等於預先限定的非線性補償限度108的情况下，執行方塊250中的完全非線性變形補償。例如，這可以如上面參照圖3所描述的來實現。

在方塊240和方塊250中的每個方塊中，非線性變形補償可以包括基於梯形的補償。

如方塊280所示，該方法然後可以基於根據所述的變形補償確定的校準信息來繼續對構件承載件結構100進行 校準和處理。因此，可以在根據方塊260執行了線性變形補償、根據方塊250完成了非線性變形補償或者根據方塊240進行了有限或部分非線性變形補償之後，執行校準和進一步的處理。

圖10示出了根據本發明的示例性實施方式的方法、如根據圖9中所示的方法製造的構件承載件110。

如所示的，構件承載件110可以構造為電傳導層結構114(例如連續和/或圖案化的諸如銅箔之類的金屬層，和/或諸如銅填充的激光過孔之類的金屬竪向互連結構)和電絕緣層結構116(例如包括樹脂、特別是環氧樹脂，可選地包括諸如玻璃纖維或玻璃球之類的增強顆粒；例如電絕緣材料可以是預浸料或FR4)的層壓疊置件112。所示的構件承載件110是具有芯192的板狀層壓式印刷電路板(PCB)。還如所示出的，構件120(諸如半導體晶片)可以可選地嵌入在疊置件112中。

細節190還示意性地示出了形成電傳導層結構114的一部分的竪向互連結構118的在竪向上和橫向上移位的陣列。所述竪向互連結構118彼此連接並且相對於彼此橫向移位，從而形成電連接的竪向互連結構118的在橫向上和竪向上交錯的陣列或階梯狀的陣列。所示的竪向互連結構118是填充有銅的激光過孔。由於在校準期間僅有限地補償了相對於限度108的非線性扭曲，因此圖10中所示的竪向互連結構118示出了相互的橫向位移，但仍彼此適當地電連接。換句話說，根據細節190的互連結構118的布置是 根據圖9的方法、特別是方塊240所得的圖案(fingerprint)。如所示的，各種竪向互連結構118的重心可以大致位於相對於與層結構114、116的主表面垂直的疊置方向196傾斜的直線198上。

在下文中，將參照圖10來說明參照圖9描述的方法的另一有利實施方式。作為方塊240的進一步改進，可能的是，對構件承載件結構100的非線性扭曲補償的嚴格限制僅應用於疊置件112的外部層104，而不應用於內部層102。更具體地，構件承載件結構100的內部層102中的非線性變形補償可以完全地以非線性補償限度108來執行以及甚至超過以預先限定的非線性補償限度108的程度來執行，但是在構件承載件結構100的外部層104中的非線性變形補償不可以超過預先限定的非線性補償限度108。通過采取這種措施，可以改進與使用者限定的外部層104上的邊界條件的相符性，該相符性通常與進一步的組裝過程最相關，而同時能够對內部層102中的非線性扭曲進行強力的甚至完全的補償。例如，在限度108為100μm的情况下，在圖10中的上外部層104處實現了與該限度108的相符性(如“100μm”所示)。然而，在隨後的內部層102中，例如可以分別執行達120μm和160μm的值的非線性補償。因此，在內部層102中可以超過限度108，但是在外部層104中不可以超過限度108。

應指出的是，術語“包括”不排除其他元件或步驟，並且“一”或“一個”不排除多個。此外，可以對與不同 實施方式相關聯地描述的元件進行組合。

還應指出的是，申請專利範圍中的附圖標記不應解釋為限制權利要求的範圍。

本發明的實施方案不限於附圖中所示的和以上描述的較佳實施方式。相反，使用示出的解决方案和根據本發明的原理的多種變型是可能的，即使在根本不同的實施方式的情况下也是如此。

100:構件承載件結構

106:校準標記

110:構件承載件

122:檢測單元

124:確定單元

126:校準標記形成單元

130:處理器

140:設備

191:上主表面

193:下主表面

Claims (15)

1. 一種對構件承載件結構進行校準的方法，其中，所述方法包含：

   預先限定(200)在校準期間對所述構件承載件結構(100)的非線性變形進行補償的最大允許的非線性補償限度(108)；

   對要校準的所述構件承載件結構(100)的實際非線性變形進行確定(230)；

   在完全補償所述實際非線性變形所需的非線性補償的量超過預先限定的所述非線性補償限度(108)的情况下，以不超過預先限定的所述非線性補償限度(108)的程度執行(240)非線性變形補償。
2. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含：在完全補償所述構件承載件結構(100)的所述實際非線性變形所需的非線性補償的量小於或等於預先限定的所述非線性補償限度(108)的情况下，執行(250)完全非線性變形補償。
3. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含：以基於梯形的補償或基於具有至少五個角的多邊形的補償的方式來執行所述非線性變形補償，特別地，以基於不規則多邊形的補償的方式來執行所述非線性變形補償。
4. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含：在所述實際非線性變形為零的情况下，執行 (260)線性變形補償，特別地，在所述實際非線性變形為零的情况下，執行基於矩形和/或基於平行四邊形的變形補償。
5. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含：在所述構件承載件結構(100)的一個或更多個內部層(102)中執行完全非線性變形補償，即使在所述完全非線性變形補償超過預先限定的所述非線性補償限度(108)時也在所述構件承載件結構(100)的一個或更多個內部層(102)中執行完全非線性變形補償；以及，在所述構件承載件結構(100)的一個或更多個外部層(104)中執行不超過預先限定的所述非線性補償限度(108)的非線性變形補償。
6. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含：將對於所述構件承載件結構(100)的內部層(102)而言的最大允許的所述非線性補償限度(108)預先限定成比對於所述構件承載件結構(100)的外部層(104)而言的另一較小的最大允許的非線性補償限度(108)大。
7. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含：通過機器或通過使用者來對所述非線性補償限度(108)進行預先限定(200)。
8. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含將所述非線性補償限度(108)預先限定為非線性變形補償的絕對值，特別地，將所述非線性補償限度(108)預先限定為在介於20μm與150μm之間的範圍內的值。
9. 根據請求項1所述的方法，其中，所述方法包含：將所述非線性補償限度(108)預先限定為最大允許的非線性變形補償的絕對值與實際非線性變形之間的比率。
10. 根據請求項9所述的方法，其包含以下特徵中的至少一者：

    所述比率在介於0%至100%的範圍內，特別地，所述比率在介於20%與70%之間的範圍內；

    在所述構件承載件結構(100)的內部層處的所述比率比在所述構件承載件結構(100)的外部層處的所述比率高，特別地，所述比率從所述構件承載件結構(100)的最內部層向最外部層連續地减小。
11. 根據請求項1所述的方法，所述其包含以下特徵中的至少一者：

    其中，所述方法包含：基於對所述構件承載件結構(100)的一個或更多個校準標記(106)的檢測來確定所述實際非線性變形；

    其中，所述方法包含：基於在考慮所述構件承載件結構(100)的所述變形補償的情况下確定的校準信息，對所述構件承載件結構(100)進行校準和處理；

    其中，所述方法包含：將所述構件承載件結構(100)分隔為多個分隔部，並單獨地對所述分隔部執行所述校準；

    其中，所述方法包含：選擇所述構件承載件結構 (100)的局部部分，並且僅對所述局部部分執行所述校準；

    其中，所述構件承載件結構(100)選自於：用於製造構件承載件(110)的面板、多個構件承載件(110)的陣列或多個構件承載件的預成型件的陣列、以及用於承載至少一個構件(120)的構件承載件(110)。
12. 一種構件承載件，包含：

    疊置件(112)，其包含多個電傳導層結構(114)和多個電絕緣層結構(116)；

    其中，所述電傳導層結構(114)包括豎向互連結構(118)，特別地，所述電傳導層結構(114)包括至少三個豎向互連結構(118)，所述豎向互連結構(118)彼此連接並且相對於彼此橫向移位，從而形成電連接的豎向互連結構(118)的在橫向上和豎向上交錯的陣列。
13. 根據請求項12所述的構件承載件，其包含以下特徵的至少一者：

    其中，所述豎向互連結構(118)是過孔，特別地，所述豎向互連結構(118)是鐳射過孔，所述過孔填充有電傳導材料，特別地，所述過孔填充有銅；

    所述構件承載件(110)包括至少一個構件(120)，所述至少一個構件(120)被表面安裝在所述構件承載件(110)上和/或嵌入在所述構件承載件(110)中，其中，所述至少一個構件(120)特別地選自於：電子構件、非導電嵌體和/或導電嵌體、熱傳遞單元、光引導元件、能量收集單元、有 源電子構件、無源電子構件、電子晶片、存儲裝置、濾波器、積體電路、信號處理構件、功率管理構件、光電介面元件、電壓轉換器、密碼構件、發送器和/或接收器、機電換能器、致動器、微機電系統、微處理器、電容器、電阻器、電感、蓄能器、開關、相機、天線、磁性元件、另外的構件承載件和邏輯晶片；

    其中，所述多個電傳導層結構(114)中的至少一個電傳導層結構包括銅、鋁、鎳、銀、金、鈀和鎢中的至少一者，所述銅、鋁、鎳、銀、金、鈀和鎢中的任意者可選地被塗覆有超導材料，所述超導材料比如為石墨烯；

    其中，所述多個電絕緣層結構(116)中的至少一個電絕緣層結構包括樹脂、特別是增強樹脂或非增強樹脂、例如環氧樹脂或雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂、FR-4、FR-5、氰酸酯、聚亞苯基衍生物、玻璃、預浸材料、聚醯亞胺、聚醯胺、液晶聚合物、環氧基積層膜、聚四氟乙烯、陶瓷和金屬氧化物中的至少一者；

    其中，所述構件承載件(110)被成形為板；

    其中，所述構件承載件(110)被構造為印刷電路板、基板、或者印刷電路板或基板的預成型件中的一者；

    其中，所述構件承載件(110)被構造為層壓式構件承載件結構(100)。
14. 一種電腦可讀介質，所述電腦可讀介質中儲存有對構件承載件結構(100)進行校準的電腦程式，所述電腦程式在由一個或多個處理器(130)執行時適於執 行或控制如請求項1至11中的任一項所述的方法。
15. 一種對構件承載件結構(100)進行校準的程式元件，所述程式元件在由一個或多個處理器(130)執行時適於執行或控制如請求項1至11中的任一項所述的方法。

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