TW202226740A - 靜電夾具 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種用於藉由靜電力固持一物件之靜電夾具。該靜電夾具包含:一介電部件,其具有自一表面延伸以界定該物件固持於其中之一平面的複數個導電瘤節;及一導電元件,其在該複數個瘤節之間延伸且連接該複數個瘤節。該導電元件安置於形成於該介電部件之該表面上的一或多個溝槽內。亦揭示一種製造該靜電夾具之方法。
Description
本發明係關於靜電夾具,且詳言之係關於用於固持微影設備中之基板或倍縮光罩之靜電夾具。
微影設備為經建構以將所要圖案塗覆至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如,遮罩)之圖案(常常亦被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如,晶圓)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
隨著半導體製造製程之不斷進步,幾十年來,電路元件之尺寸已不斷地減小,同時每一裝置之諸如電晶體的功能元件之量已在穩定地增加,此遵循通常稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟上莫耳定律,半導體行業正尋求能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影於基板上,微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定經圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前使用之典型波長為365 nm (i線)、248 nm (KrF)、193 nm (ArF)及13.5 nm (EUV)。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備,使用具有介於4 nm至20 nm範圍內(例如6.7 nm或13.5 nm)之波長之極紫外(EUV)輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。
在此類短波長下,微影設備內之圖案化裝置及/或基板之精確定位係必需的。
此類微影設備可具備一或多個夾具以將圖案化裝置及/或基板分別夾持至物件支撐件,諸如遮罩台或晶圓台。舉例而言,夾具可為機械夾具、真空夾具或靜電夾具。靜電夾具可特別適合於在EUV波長下操作,此係因為EUV微影設備之區必需在近真空條件下操作。
靜電夾具常常經維持在通常為非導電環境的低壓富氫環境中。因而,電荷可累積於夾具之介電表面或未接地表面上。累積電荷可能橫越表面非均一地分佈。此類非均一地分佈之累積電荷可對微影設備之一般操作具有不利的影響。舉例而言,夾具之帶電表面上之非均一地分佈之電荷可導致微影設備之相對緊鄰於夾具或基板自身的組件之非想要的變形,從而有可能影響微影設備內之圖案化裝置及/或基板之精確定位。
詳言之,一些靜電晶圓夾具具有包含在此項技術中被稱為「曼哈頓線(Manhattan line)」的等間隔之金屬線的介電表面,該等金屬線以導電方式連接界定用於固持圖案化裝置及/或基板之平面的突出部或「瘤節(burl)」。此類曼哈頓線及瘤節可提供電子發射源,因此影響夾具之上部表面上之電場的量值及/或分佈。
累積靜電荷可藉由例如用異丙醇清洗夾具來去除。然而,此通常需要將夾具自高真空設備內移除,且此並非為切實可行的解決方案。
本發明之至少一個態樣之至少一個實施例的目標為消除或至少減輕先前技術之以上所識別之缺點中的至少一者。
根據本發明之第一態樣,提供一種用於藉由靜電力固持物件之靜電夾具。夾具包含:介電部件,其具有自表面延伸以界定物件固持於其中之平面的複數個導電瘤節;及導電元件,其在複數個瘤節之間延伸且連接該複數個瘤節。導電元件安置於形成於介電部件之表面上的一或多個溝槽內。
有利地,藉由使導電元件凹入介電部件中,例如溝槽中,導電元件之三交點接面及任何銳利邊緣可面向溝槽之介電側壁。因而,可出現在此等位置處之任何場放大可提供電子之有限場發射,此係因為電子被溝槽之鄰近側壁阻擋。因而,歸因於來自導電元件之場發射,在介電部件之表面上堆積之寄生電荷經實質上減少。因此,可充分緩解上述循環感應充電的問題,使得可以避免替代解決方案,諸如在線放電或處理介電表面,其可能會降低夾具之可用性、降低生產效率及/或引起潛在表面損壞。
導電元件可安置於介電部件之表面的位階處或下方。
包含介於介電部件與導電元件之間的接面的三交點接面可在介電部件之表面的位階下方。三交點接面可包含介電部件、導電元件與真空或近真空之間的接面。
每一瘤節可包含介電材料及導電層。
導電元件可形成為導電層之延伸部。
靜電夾具可包含形成於導電元件上方之絕緣材料或介電材料層。
有利地,藉由形成形成於導電元件上方之絕緣材料或介電材料層而完全嵌入導電元件,可在導電元件、溝槽之側壁及近真空環境之間的三交點處發生的任何場放大可與電子之場發射隔離,此係因為電子被周圍介電材料及/或絕緣材料阻擋。因而,防止寄生電荷歸因於來自導電元件之場發射而堆積於介電部件之表面上。
絕緣材料或介電材料層可實質上與介電部件之表面齊平。
導電元件可以導電方式耦接至接地參考。
瘤節可以同心環形式配置於介電部件之表面上。
靜電夾具可包含複數個導電元件。每一導電元件可在以環形式配置之複數個瘤節之間延伸且連接複數個瘤節。
物件可為用於微影投影技術中之基板。物件可為微影投影設備、倍縮光罩處置設備及倍縮光罩製造設備中之至少一者中的微影投影倍縮光罩或倍縮光罩基底。
靜電夾具可進一步包含電極,該電極經組態以橫越介電部件產生電位差以產生靜電夾持力。
根據本發明之第二態樣,提供一種微影設備,其包含根據第一態樣之靜電夾具。
根據本發明之第三態樣,提供一種製造用於在微影設備中藉由靜電力固持物件的靜電夾具之方法。方法包含在介電部件之表面上形成複數個瘤節及在複數個瘤節之間延伸的一或多個溝槽之步驟。
方法包含在複數個瘤節及介電部件之表面上方形成導電層之步驟。
方法包含自介電部件之表面移除導電層之一部分以界定安置於一或多個溝槽內且在複數個瘤節之間延伸並連接複數個瘤節之導電元件的步驟。
方法可進一步包含在導電元件上方形成絕緣材料或介電材料層。
以上發明內容意欲僅為例示性及非限制性的。本發明包括單獨地或呈各種組合形式之一或多個對應態樣、實施例或特徵,無論是否以彼組合或單獨地特定陳述(包括主張)。應理解,可在任何其他態樣或實施例中單獨或與任何其他定義之特徵組合使用上文根據本發明之任何態樣或下文關於本發明之任何特定實施例所界定之特徵,或用於形成本發明之另一態樣或實施例。
圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照射系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如,遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板支撐件WT,該基板支撐件WT亦被稱作基板台。
照射系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外,照射系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11一起為EUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要強度分佈。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替該等裝置,照射系統IL可包括其他鏡面或裝置。
在如此調節之後,EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用,產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的,投影系統PS可包含複數個鏡面13、14,該複數個鏡面經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板支撐件WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B',因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言,可應用為4或8之縮減因數。儘管投影系統PS經說明為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14,但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如,六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下,微影設備LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照射系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空,亦即,處於充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如氫氣)。
輻射源SO可為雷射引發電漿(LPP)源、放電引發電漿(DPP)源、自由電子雷射(FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。
基板支撐件包含夾具200,亦被稱作夾盤,該夾具經組態以將基板W夾持至基板支撐件WT。夾具200可固持於基板支撐件WT中之凹座內。夾具200係靜電夾具200,且參考圖2更詳細地加以描述。
靜電夾具200之主體通常在形狀及大小上與基板W對應。至少在夾具之上部表面,例如在使用中鄰近於基板W之表面上,夾具具有在此項技術中被稱作瘤節之突出部。該等瘤節自夾具之上部表面延伸以界定基板W固持於其中之平面。
應瞭解,術語「上部」用於圖1之實例微影設備LA之上下文中,其中靜電夾具200以特定定向描繪。應理解,所揭示之夾具可以各種定向安置,且因此應在特定所描述之使用案例之上下文中理解術語「上部」。
在實際實施例中,可存在橫越直徑為例如200 mm、300 mm或450 mm之夾具而分佈的數百、數千或數萬個之瘤節。瘤節之尖端通常具有小面積,例如,小於1 mm
2,使得自靜電夾具200之上部表面延伸的所有瘤節之總面積小於上部表面的總表面積之總面積的約10%。由於瘤節配置,可處於基板W、靜電夾具200或基板支撐件WT表面上之任何粒子很有可能落在瘤節之間,且因此將不會引起基板或基板固持器之變形。可形成圖案之瘤節配置可為規則的或可按需要變化,以在基板W及基板支撐件WT上提供力之適當分佈。
圖2描繪靜電夾具200之介電部件245之一部分的透視圖,該介電部件245具有表面205,例如在使用中鄰近於基板W之表面。
所描繪部分展示第一瘤節210及第二瘤節215。每一瘤節210、215具備導電層或塗層,且藉由導電元件220耦接。靜電夾具200之介電表面205可包含複數個此類導電元件220,該等導電元件可以大體上重複及/或規則之圖案佈置,且因此在此項技術中被稱作「曼哈頓線」。
導電元件220係形成於靜電夾具200之介電表面205上,使得導電元件220相對於靜電夾具200之介電表面205凸起,例如不齊平。
在使用中,靜電夾具200之介電表面205可由於重複夾持而在本端緊鄰於導電元件220處累積過量電荷。此現象在此項技術中被稱作「循環感應充電」(CIC),且可導致作用於基板W與靜電夾具200之間的不穩定或不均勻地分佈式夾持力。此類力可例如使基板W變形,且因此潛在地影響基板W在微影設備LA內之精確定位。
此外,導電元件220之結構,且詳言之銳利邊緣225及三交點接面230,例如導電元件220、介電表面205及近真空之接面,可導致富爾-諾罕(Fowler-Nordheim)電子場發射。在富爾-諾罕電子場發射之後,電荷可經由連續二次電子發射事件在介電表面205上擴散及經由可用捕獲位點發生電荷遷越。此等電荷可堆積於介電表面205上,其中過量之此等電荷可不利地影響夾持穩定性。
圖3中更詳細地說明此情形,該圖描繪圖1之靜電夾具200與基板W之間的電場之分佈。
圖3之圖式描繪圖2中所描繪之靜電夾具200之部分之介電表面205。導電元件220、瘤節210中之一者及由瘤節210支撐之基板W亦展示於橫截面中。
在使用中,基板W、導電元件220、瘤節210與介電表面205之間的體積235將為相對低壓或近真空環境。亦描繪電場線在此體積235中之分佈。
如上文所論述,導電元件220之問題為其可充當電子源,該電子源沈降於介電表面205上且隨時間推移累積,因此產生不合需要之靜電荷。
亦即,在靜電夾具200之電極(圖3中未展示)上之高電壓電位的狀況下,強電場可存在於具有介電表面205之介電部件245內部及體積235中。當電場始終與導電表面正交時,環繞導電元件220之銳利邊緣225及三交點接面230之場經放大。
在圖3中,電場線之密度指示電場強度。導電元件220之銳利邊緣225及三交點接面230處之場增強清晰可見。
亦即,當此等高場被導向銳利邊緣225及三交點接面230時-如在正電極電位期間之狀況-在電子自導電元件220之導電材料提取且在體積235中釋放之情況下產生場發射,其中該等電子被電場加速。電場在此等位置處尤其高,此係因為在導體之邊緣處產生之電場與邊緣之半徑成反比,因此邊緣愈銳利,則半徑愈小,且因此電場愈高。
圖4a描繪根據本發明之第一實施例的靜電夾具之一部分的透視圖,該靜電夾具具有安置於形成於介電部件445之表面405上之溝槽440內的導電元件420。
圖4a中所描繪之靜電夾具之部分可用於夾具200,該夾具可經組態以靜電方式夾持用於微影設備LA中之基板,例如,基板W。另外或替代地,圖4a中所描繪之靜電夾具之部分可用於夾具,該夾具可經組態以靜電方式夾持微影投影設備、倍縮光罩處置設備及倍縮光罩製造設備中之至少一者中的微影投影倍縮光罩或倍縮光罩基底。
亦展示自介電部件445延伸之第一瘤節410及第二瘤節415。儘管瘤節410、415被描繪為圓柱形,但應瞭解,瘤節410、415可具有適合於支撐物件,例如基板W或倍縮光罩(圖中未展示)之其他形狀。在一些實施例中,瘤節410、415貫穿其高度具有相同形狀及尺寸。在其他實施例中,瘤節410、415可為楔形。瘤節410、415亦可在尺寸方面變化。舉例而言,不同實施例中之瘤節可投影大致1微米至大致5毫米之距離。
儘管圖4a中僅展示兩個瘤節410、415,但應瞭解,靜電夾具圖包含更多瘤節,諸如數百、數千或甚至數萬個瘤節,其中該等瘤節界定用於支撐諸如基板W之物件的平面470。
此外,僅出於實例之目的,導電元件420被描繪為筆直的,例如,瘤節410、415配置於由筆直導電元件420界定之線性路徑上。在實例實施例中,靜電夾具可包含平行地或以另一圖案配置之複數個筆直導電元件420,其中瘤節亦以直線配置。
在落入本發明之範疇內的其他實施例中,導電元件420可具有不同形狀或配置,諸如曲線、圓圈或螺旋。在一些實施例中,導電元件420可經配置以自介電表面405之周邊及/或中心徑向延伸。
在一些實施例中,瘤節可以同心環形式配置於介電部件445之表面405上,且複數個導電元件可在以環形式配置之複數個瘤節中之每一者之間延伸且連接該複數個瘤節中之每一者。
如上文所描述,在圖4a之實施例中,導電元件420安置於形成於介電部件445之表面405上的溝槽440內。在圖4a之實例實施例中,溝槽440形成有傾斜側壁。舉例而言,在一些實施例中,相對於由介電部件445之表面405界定的平面的傾斜角可在30度與40度之間。此等傾斜側壁可藉由濕式蝕刻製程形成,如下文更詳細地描述。
在圖4a之實例實施例中,溝槽440之側壁實質上為平坦的。在落入本發明之範疇內的其他實施例中,溝槽440之側壁可為彎曲或大體上非線性的。因而,在一些實施例中,形成溝槽440之製程可包含各向同性濕式蝕刻,且在其他實施例中,形成溝槽440之製程可包含各向異性濕式蝕刻。
在本發明之實施例中,導電元件420安置於介電部件465之表面405的位階處或下方。如圖4a中所展示,導電元件420之上部表面460在介電部件445之上部表面405下方,例如相對低於該上部表面。在一些實施例中,導電元件420之上部表面460可與介電部件445之上部表面405實質上持平。在一些實施例中,導電元件420之上部表面460可在介電部件445之表面405的位階下方大約1微米之距離處。
詳言之,包含在介電部件445與導電元件420之間的接面的三交點接面430係在介電部件445之表面405的位階下方。
有利地,藉由使導電元件420凹入介電部件445中,例如溝槽440中,三交點接面430及銳利邊緣225面向介電溝槽壁。因而,可出現在此等位置處之任何場放大可提供電子之有限場發射,此係因為電子被溝槽440之鄰近側壁阻擋。因而,歸因於來自導電元件420之場發射,在介電部件445之表面405上堆積之寄生電荷經實質上減少。
有利地,可充分緩解上述循環感應充電的問題,使得可以避免替代解決方案,諸如在線放電或處理介電表面405,其可能會降低夾具之可用性、降低生產效率及/或引起潛在表面損壞。
圖4b描繪圖4a之靜電夾具之一部分的橫截面圖,該橫截面沿著線X-X經檢視。
自圖4b可見,介電部件445包含自介電部件445之表面405延伸以界定物件固持於其中之平面470的複數個瘤節410、415。每一瘤節410、415包含介電材料及導電層450。應瞭解,介電材料可為形成介電部件445之相同介電材料。舉例而言,在一些實施例中,微影製程係用於在靜電夾具之製造期間在表面405或介電部件445上界定瘤節410、415,如下文更詳細地描述。
在圖4b之實例實施例中亦可見,導電元件420形成為導電層450之延伸部。舉例而言,在一些實施例中,導電瘤節410、415係藉由以下操作而形成:在複數個介電瘤節410、415及介電部件445之表面上方設置例如諸如TiN或CrN之塗層的導電層450,且隨後自介電部件445之表面移除導電層450之一部分以界定安置於溝槽440內,且在複數個瘤節410、415之間延伸並連接該複數個瘤節之導電元件420。導電層450將在瘤節410、420之表面上方延伸,使得導電層450界定物件固持於其中之平面470。此等製造方法更詳細地描述於下文中。
在圖4b中亦描繪電極455。僅出於實例之目的,電極455描繪為嵌入於介電部件445內。應瞭解,在其他實施例中,電極455可形成為靜電夾具之分離層或組件,且在一些實施例中,靜電夾具可包含複數個電極。在使用中,電極455可經組態以橫越介電部件445產生電位差以產生靜電夾持力。導電元件420及因此所有瘤節410、415可以導電方式耦接至接地參考。應理解,接地可處於零伏特,或可處於某一其他固定電壓。接地處於零伏特之優點為夾具可易於連接至微影設備LA之亦可駐存於接地電壓電位處之其他部分。
亦應理解,藉由使瘤節410、415凹入溝槽440中,將縮減該等瘤節410、415相對於介電部件445之表面405的總高度。因而,在一些實施例中,瘤節410、415之高度可相應地增加與溝槽440之深度對應的量,以確保瘤節410、415保持足夠的高度以使得該等瘤節繼續在其之間捕獲粒子。
替代地,若評估出即使在瘤節410、415凹入溝槽440中時,該等瘤節之總體最終高度也足以在瘤節410、415之間捕獲缺陷粒子,則可以維持減小之瘤節高度。有利地,減小之瘤節高度亦可減弱循環感應充電,此係由於為了達成特定夾持壓力,電極電壓可在不具有減小之瘤節高度的情況下相對於達成相同夾持壓力所需之電極電壓減小。
圖5描繪根據本發明之第二實施例的靜電夾具之一部分的透視圖,該靜電夾具具有安置於形成於介電部件545之表面505上之溝槽540內的導電元件520。
亦展示自介電部件545延伸之第一瘤節510及第二瘤節515。儘管圖5中僅展示兩個瘤節510、515,但如上文更詳細地描述,應瞭解,靜電夾具圖包含用於支撐諸如基板W之物件之更多瘤節。
在圖5之實例實施例中,溝槽540形成有豎直側壁。舉例而言,在一些實施例中,側壁相對於由介電部件545之表面505界定的平面之角度為實質上90度。溝槽540可藉由反應性離子蝕刻製程形成,如下文更詳細地描述。
在本發明之實施例中,導電元件520安置於介電部件565之表面505的位階處或下方。如圖5中所展示,導電元件520之上部表面560安置於介電部件545之上部表面505的位階下方。亦即,導電元件520將完全凹入,例如嵌入於介電部件545內。
在一些實施例中,導電元件520之上部表面560在介電部件545之表面505的位階下方大約1微米之距離處。
在其他實施例中,導電元件520之上部表面560可與介電部件之表面505持平,例如與該表面齊平。
詳言之,在圖5之實例實施例中可看出,如圖2及圖4a中所展示的三交點接面230、430已藉由將導電元件520嵌入於介電部件445內而被完全移除。
儘管新的三交點接面525實際上形成於導電元件520之上部表面560與溝槽540之側壁之間的接面處,但此等新的三交點接面525就電子之場發射而言不太成問題。此係因為形成三交點接面525之導電元件520的上部隅角面向溝槽540之側壁。因而,可出現在此位置處之任何場放大無法引起電子之場發射,此係因為電子直接被溝槽540之鄰近介電側壁阻擋。
圖6描繪根據本發明之第三實施例的靜電夾具之一部分的透視圖,該靜電夾具具有安置於形成於介電部件645之表面605上之溝槽640內的導電元件620。
亦展示自介電部件645延伸之第一瘤節610及第二瘤節615。儘管圖5a中僅展示兩個瘤節610、615,但如上文更詳細地描述,應瞭解,靜電夾具圖包含用於支撐諸如基板W之物件之更多瘤節。
類似於圖5之實施例,溝槽640形成有豎直側壁,且導電元件620形成於溝槽640中。舉例而言,在一些實施例中,側壁相對於由介電部件645之表面605界定的平面之角度為實質上90度。溝槽640可藉由反應性離子蝕刻製程形成,如下文更詳細地描述。
應認識到,圖6之實施例之許多特徵大體上與圖5之實施例之彼等特徵對應,且因此出於簡潔之目的不進一步詳細描述。
然而,相比於圖5之實施例,絕緣材料或介電材料層680形成於導電元件620上方。在圖6之實例實施例中,絕緣材料或介電材料層680實質上與介電部件645之表面605齊平。製造方法更詳細地描述於下文中。
應理解,此類絕緣材料或介電材料層亦可形成於圖4a及圖4b之實施例之導電元件420上方,例如包含具有傾斜側壁之溝槽440的實施例。
在兩種狀況下(傾斜側壁溝槽或豎直側壁溝槽),絕緣材料或介電材料層之作用為完全嵌入導電元件620,使得在近真空、介電部件645及導電元件620之間不形成三交點接面。
有利地,藉由完全嵌入導電元件620,可在此等位置處發生之任何場放大可與電子之場發射隔離,此係因為電子被周圍介電材料及/或絕緣材料阻擋。因而,防止寄生電荷歸因於來自導電元件620之場發射而堆積於介電部件645之表面605上。
圖7描繪根據本發明之實施例的製造用於在微影設備中藉由靜電力固持物件的靜電夾具之方法。
方法包含在介電部件之表面上形成複數個瘤節及在複數個瘤節之間延伸的一或多個溝槽之第一步驟710。
第一步驟710可包含將第一光阻層沈積於諸如玻璃基板之介電部件,例如介電部件445、545、645上。第一光阻層可使用已知技術,諸如旋塗或噴塗進行沈積。
微影製程可用於用特定瘤節佈局圖案化第一光阻層。蝕刻製程可用於蝕刻介電部件,使得瘤節經界定。隨後,移除任何剩餘的第一光阻層,從而留下具有複數個經界定瘤節之介電表面。
接下來,可沈積、圖案化及曝露第二光阻層,以界定包括瘤節之溝槽,例如溝槽440、540、640。
在一些實施例中,例如為了形成具有如圖5a之實施例中所展示之豎直側壁的溝槽440,第二光阻層適合於反應性離子蝕刻(RIE)。
隨後,蝕刻介電部件之製程形成溝槽440、540、640。在一些實施例中,例如當形成具有傾斜側壁之溝槽時,蝕刻製程將為濕式蝕刻。在一些實施例中,例如當形成具有豎直側壁之溝槽時,蝕刻製程將為反應性離子蝕刻。接下來,移除剩餘的第二光阻層。
第二步驟720可包含在複數個瘤節及介電部件之表面上方形成導電層。在一些實施例中,此可包含塗覆CrN塗層。
第三步驟730可包含自介電部件之表面移除導電層之一部分,以界定安置於一或多個溝槽內且在複數個瘤節之間延伸並連接複數個瘤節之導電元件。
第三步驟730可包含沈積第三光阻層,且隨後使用微影圖案化第三光阻層。因而,可界定溝槽內之導電元件或「曼哈頓線」。值得注意的是,用於第三步驟730之微影製程之遮罩可不同於用於在第一步驟710中界定溝槽之遮罩,以補償蝕刻不足。
接著移除經界定曼哈頓線外部之CrN,且隨後移除任何剩餘的第三光阻層。
應瞭解,可使用多種不同處理條件(皆落入所揭示方法之範疇內)來執行以上製程所描述之方法。舉例而言,可使用不同類型之光阻、不同遮罩設計、使用不同蝕刻劑、不同CrN沈積法及不同CrN組成物、準確的邊緣幾何形狀等等來執行該方法。
在方法之一些實施例中,在第一步驟710中不移除剩餘的第二光阻層。實情為,第二步驟720包含在複數個瘤節及介電部件之表面上方且在剩餘的第二光阻層上方形成導電層。
在此實施例中,後續第三步驟包含溶解剩餘的第二光阻層之過程,使得移除經界定溝槽外部之導電層。在此實施例中,由於同一第二光阻層用於兩個步驟,因此將自動進行對由反應性離子蝕刻形成之溝槽的完全填充。
方法之一些實施例可包含在導電元件上方形成絕緣材料或介電材料層的另一步驟,例如以形成如圖6中所描繪之實施例,其中絕緣材料或介電材料層覆蓋包含溝槽之側壁及導電元件之隅角的三交點。絕緣材料或介電材料層不在瘤節上方延伸。
可將介電材料或絕緣材料旋塗或噴塗至導電元件上。例如使用一或多個遮罩及光阻之微影製程可用以將介電材料或絕緣材料層限定至溝槽。可固化或烘烤介電材料或絕緣材料。介電材料或絕緣材料可包含聚合物。介電材料或絕緣材料可包含二氧化矽。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中的微影設備之使用,但應理解,本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能之其他應用包括製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中之本發明的實施例,但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部分。此等設備可通常被稱作微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可能已經特定地參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例的使用,但應瞭解,在上下文允許之情況下,本發明不限於光學微影,且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
雖然上文已描述本發明之特定實施例,但應瞭解,可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性,而非限制性的。因此,熟習此項技術者將顯而易見,可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
10:琢面化場鏡面裝置
11:琢面化光瞳鏡面裝置
13:鏡面
14:鏡面
200:靜電夾具/夾具
205:介電表面/表面
210:第一瘤節/瘤節
215:第二瘤節/瘤節
220:導電元件
225:銳利邊緣
230:三交點接面
235:體積
245:介電部件
405:表面/介電表面
410:瘤節/導電瘤節/介電瘤節
415:瘤節/導電瘤節/介電瘤節
430:三交點接面
440:溝槽
445:介電部件
450:銳利邊緣
455:電極
460:上部表面
470:平面
505:表面/上部表面
510:瘤節/第一瘤節
515:瘤節/第二瘤節
520:導電元件
525:三交點接面
540:溝槽
545:介電部件
560:上部表面
605:表面
610:第一瘤節/瘤節
615:第二瘤節/瘤節
620:導電元件
640:溝槽
645:介電部件
680:絕緣材料/介電材料層
710:步驟
720:步驟
730:步驟
B:EUV輻射光束
B':經圖案化EUV輻射光束
IL:照射系統
LA:微影設備
MA:圖案化裝置
MT:支撐結構
PS:投影系統
SO:輻射源
W:基板
WT:基板支撐件
X:線
現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例,在隨附示意性圖式中:
- 圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統;
- 圖2描繪具有藉由曼哈頓線連接之複數個導電瘤節之靜電夾具之一部分的透視圖;
- 圖3描繪圖1之靜電夾具與基板之間的電場之分佈;
- 圖4a描繪根據本發明之第一實施例的靜電夾具之一部分的透視圖,該靜電夾具具有安置於形成於介電部件之表面上之溝槽內的導電元件;
- 圖4b描繪沿著線X-X檢視之圖4a之靜電夾具之一部分的橫截面圖;
- 圖5描繪根據本發明之第二實施例的靜電夾具之一部分的透視圖,該靜電夾具具有安置於形成於介電部件之表面上之溝槽內的導電元件;
- 圖6描繪根據本發明之第三實施例的靜電夾具之一部分的透視圖,該靜電夾具具有安置於形成於介電部件之表面上之溝槽內的導電元件;且
- 圖7描繪根據本發明之實施例的製造用於在微影設備中藉由靜電力固持物件的靜電夾具之方法。
405:表面/介電表面
410:瘤節/導電瘤節/介電瘤節
415:瘤節/導電瘤節/介電瘤節
430:三交點接面
440:溝槽
445:介電部件
460:上部表面
X:線
Claims (15)
- 一種用於藉由靜電力固持一物件之靜電夾具,該夾具包含: 一介電部件,其具有自一表面延伸以界定該物件固持於其中之一平面的複數個導電瘤節;及 一導電元件,其在該複數個瘤節之間延伸且連接該複數個瘤節; 其中該導電元件安置於形成於該介電部件之該表面上的一或多個溝槽內。
- 如請求項1之靜電夾具,其中該導電元件安置於該介電部件之該表面之一位階處或該介電部件之該表面之該位階下方,其中該導電元件之一上部表面在該介電部件之該表面的該位階下方大約1微米之一距離處。
- 如請求項1或2之靜電夾具,其中包含該介電部件與該導電元件之間的一接面之一三交點接面在該介電部件之該表面的一位階下方。
- 如請求項1或2之靜電夾具,其中每一瘤節包含一介電材料及一導電層。
- 如請求項4之靜電夾具,其中該導電元件形成為該導電層之一延伸部。
- 如請求項1或2之靜電夾具,其包含形成於該導電元件上方之一絕緣材料或介電材料層。
- 如請求項6之靜電夾具,其中該絕緣材料或介電材料層實質上與該介電部件之該表面齊平。
- 如請求項1或2之靜電夾具,其中該導電元件以導電方式耦接至一接地參考。
- 如請求項1或2之靜電夾具,其中該等瘤節以同心環形式配置於該介電部件之該表面上。
- 如請求項9之靜電夾具,其包含複數個導電元件,其中每一導電元件在以一環形式配置之複數個瘤節之間延伸且連接該複數個瘤節。
- 如請求項1或2之靜電夾具,其中該物件為以下各者中之至少一者: 一基板,其用於微影投影技術中;及 一微影投影倍縮光罩或倍縮光罩基底,其位於一微影投影設備、一倍縮光罩處置設備及一倍縮光罩製造設備中之至少一者中。
- 如請求項1或2之靜電夾具,其進一步包含一電極,該電極經組態以橫越該介電部件產生一電位差以產生一靜電夾持力。
- 一種微影設備,其包含如請求項1至12中任一項之一靜電夾具。
- 一種製造用於在一微影設備中藉由靜電力固持一物件之一靜電夾具的方法,該方法包含以下步驟: 在一介電部件之一表面上形成複數個瘤節及在該複數個瘤節之間延伸的一或多個溝槽; 在該複數個瘤節及該介電部件之該表面上方形成一導電層;及 自該介電部件之該表面移除該導電層之一部分,以界定安置於該一或多個溝槽內且在該複數個瘤節之間延伸並連接該複數個瘤節之一導電元件。
- 如請求項14之方法,其進一步包含在該導電元件上方形成一絕緣材料或介電材料層。
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