KR20230104634A - 정전기식 클램프 - Google Patents
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Abstract
정전기력으로 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프가 개시된다. 이 정전기식 클램프는, 대상물이 유지되는 평면을 규정하기 위해 표면으로부터 연장되는 복수의 전도성 버얼(burl)을 갖는 유전체 부재; 및 복수의 버얼 사이에 연장되고 버얼을 연결하는 전도성 요소를 포함한다. 전도성 요소는 유전체 부재의 표면에 형성된 하나 이상의 트렌치(trench) 내에 배치된다. 또한, 정전기식 클램프를 제조하는 방법이 개시된다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2020년 11월 18일에 출원된 EP 출원 20208312.7의 우선권을 주장하며 그 전체 내용이 참조로 여기에 포함된다.
본 발명은 정전기식 클램프, 특히 리소그래피 장치에서 기판 또는 레티클을 유지시키기 위한 정전기식 클램프에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판에 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어 마스크)의 패턴("디자인 레이아웃" 또는 "디자인"이라고도 불림)을 기판(예를 들어, 웨이퍼) 위에 제공된 방사선-감응 재료(레지스트)의 층에 투영시킬 수 있다.
반도체 제조 공정이 계속하여 발전함에 따라, 디바이스 당 트랜지스터와 같은 회로 소자들의 양은 일반적으로 "무어(Moore)의 법칙"이라고 불리는 경향을 따라서 수 십 년에 걸쳐 지속적으로 증가하는 반면에, 기능 소자들의 치수는 계속하여 감소되어 왔다. 무어의 법칙이 계속되게 하기 위해서, 반도체 산업은 점점 더 작은 피쳐(feature)를 생성할 수 있게 하는 기술을 찾고 있다. 기판에 패턴을 투영하기 위하여, 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이러한 방사선의 파장이 기판 상에 패터닝되는 피쳐의 최소 크기를 결정한다. 현재 사용되는 통상적인 파장은 365 nm(i-라인), 248 nm(KrF), 193 nm(ArF) 및 13.5 nm(EUV)이다. 4 nm 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 6.7 nm 또는 13.5 nm에 속하는 파장을 가지는 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, 예를 들어 193 nm의 파장을 가지는 전자기 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 더 작은 피쳐를 기판 위에 형성하기 위해 사용될 수 있다.
이러한 짧은 파장에서는, 리소그래피 장치 내에서의 패터닝 디바이스 및/또는 기판의 정밀한 위치 설정이 필수적이다.
이러한 리소그래피 장치에는 패터닝 디바이스 및/또는 기판을 대상물 지지부, 예컨대 마스크 테이블 또는 웨이퍼 테이블 각각에 클램핑하기 위한 하나 이상의 클램프가 제공될 수 있다. 클램프는, 예를 들어 기계식 클램프, 진공 클램프, 또는 정전기식 클램프일 수 있다. 특히, 정전기식 클램프는 EUV 파장에서 작동하기에 적합한데, 그 이유는 EUV 리소그래피 장치의 구역이 거의 진공 상태에서 작동할 필요가 있기 때문이다.
정전기식 클램프는 흔히 저압인 수소가 풍부한 환경에서 유지되는데, 이것은 일반적으로 비전도성 환경이다. 따라서, 전하가 클램프의 유전체 또는 비접지 표면 상에 축적될 수 있다. 축적된 전하는 그 표면을 가로질러 불균일하게 분포될 수 있다. 이러한 불균일하게 분포된 축적된 전하는 리소그래피 장치의 일반적인 작동에 해로운 영향을 가질 수 있다. 예를 들어, 클램프의 대전된 표면 상의 불균일하게 분포된 전하는 클램프에 상대적으로 가까운 리소그래피 장치의 구성 요소 또는 기판 자체의 원치 않는 변형을 초래할 할 수 있고, 잠재적으로는 리소그래피 장치 내에서의 패터닝 디바이스 및/또는 기판의 정밀한 위치 설정에 영향을 준다.
특히, 일부 정전기식 웨이퍼 클램프는, 패터닝 디바이스 및/또는 기판을 유지시키기 위한 평면을 규정하는 돌출부 또는 "버얼(burl)"을 전도적으로 연결하는 등간격으로 이격된 금속 라인(당업계에서 "맨하탄 라인(Manhattan line)"으로 알려져 있음)을 포함하는 유전체 표면을 갖는다. 이러한 맨하탄 라인 및 버얼은 전자 방출원을 제공할 수 있으며, 따라서 클램프의 상측 표면 상의 전기장의 크기 및/또는 분포에 영향을 줄 수 있다.
축적된 정전하는 예를 들어 이소프로필 알코올로 클램프를 세정함으로써 제거될 수 있다. 그러나, 이는 일반적으로 고진공 장치 내에서 클램프를 제거해야 하며 실용적인 해결책이 아니다.
본 발명의 적어도 하나의 양태의 적어도 하나의 실시 형태의 목적은 종래 기술의 적어도 하나의 전술된 단점을 제거하거나 적어도 완화시키는 것이다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 정전기력으로 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프가 제공된다. 이 클램프는, 대상물이 유지되는 평면을 규정하기 위해 표면으로부터 연장되는 복수의 전도성 버얼(burl)을 갖는 유전체 부재; 및 복수의 버얼 사이에 연장되고 버얼을 연결하는 전도성 요소를 포함한다. 전도성 요소는 상기 유전체 부재의 표면에 형성된 하나 이상의 트렌치(trench) 내에 배치된다.
유리하게, 유전체 부재, 예를 들어 트렌치에 전도성 요소를 리세싱함으로써, 삼중점 접합부 및 전도성 요소의 예리한 에지가 트렌치의 유전체 측벽과 대향할 수 있다. 따라서, 전자가 트렌치의 인접하는 측벽에 의해 정지됨에 따라, 이러한 위치에서 발생할 수 있는 장(field) 증폭이 전자의 제한된 장 방출을 제공할 수 있다. 따라서, 전도성 요소로부터의 장 방출로 인한 유전체 부재의 표면 상에서의 기생 전하의 축적이 실질적으로 감소된다. 그래서, 유전체 표면의 인라인 방전 또는 처리(클램프의 가용성을 감소시키고 생산 효율을 감소시키며 그리고/또는 잠재적인 표면 손상을 유발할 수 있음)와 같은 대안적인 해결책을 피할 수 있는 정도로 사이클 유도 대전의 전술한 문제가 충분히 완화될 수 있다.
전도성 요소는 유전체 부재의 표면 레벨에 또는 그 아래에 배치될 수 있다.
유전체 부재와 전도성 요소 사이의 접합부를 포함하는 삼중점 접합부가 유전체 부재의 표면 레벨 아래에 있을 수 있다. 삼중점 접합부는 유전체 부재, 전도성 요소 및 진공 또는 근진공(near-vacuum) 사이의 접합부를 포함할 수 있다.
각 버얼은 유전체 재료 및 전도성 층을 포함할 수 있다.
전도성 요소는 전도성 층의 연장부로 형성될 수 있다.
정전기식 클램프는 전도성 요소 위에 형성된 절연 또는 유전체 재료의 층을 포함할 수 있다.
유리하게, 전도성 요소 위에 형성된 절연 또는 유전체 재료의 층을 형성하여전도성 요소를 완전히 매립함으로써, 전자가 주변의 유전체 재료 및/또는 절연 재료에 의해 정지됨에 따라, 전도성 요소, 트렌치의 측벽 및 근진공 환경 사이의 삼중점에서 발생할 수 있는 장(field) 증폭이 전자의 장 방출로부터 방지될 수 있다. 따라서, 전기 전도성 요소로부터의 장 방출로 인한 유전체 부재의 표면 상에서의 기생 전하의 축적이 방지된다.
절연 또는 유전체 재료의 층은 유전체 부재의 표면과 실질적으로 동일 평면 내에 있을 수 있다.
전도성 요소는 접지 기준에 전도적으로 연결될 수 있다.
버얼은 상기 유전체 부재의 표면 상에 동심 링으로 배열될 수 있다.
정전기식 클램프는 복수의 전도성 요소를 포함할 수 있다. 각 전도성 요소는 링으로 배열된 복수의 버얼 사이에 연장되고 버얼을 연결할 수 있다.
대상물은 리소그래피 투영 기술에 사용되는 기판일 수 있다. 대상물은 리소그래피 투영 장치, 레티클 취급 장치 및 레티클 제조 장치 중의 적어도 하나에 있는 리소그래피 투영 레티클 또는 레티클 블랭크일 수 있다.
정전기식 클램프는 정전기 클램핑력을 생성하기 위해 상기 유전체 부재를 가로질러 전위차를 생성하도록 구성된 전극을 더 포함할 수 있다.
제 2 양태에 따르면, 제 1 양태에 따른 정전기식 클램프를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
제 3 양태에 따르면, 리소그래피 장치에서 정전기력에 의해 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 유전체 부재의 표면 상에 복수의 버얼 및 복수의 버얼 사이에 연장되는 하나 이상의 트렌치를 형성하는 단계를 포함한다.
본 방법은 복수의 버얼 및 상기 유전체 부재의 표면 위에 전도성 층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 방법은 하나 이상의 트렌치 내에 배치되며 복수의 버얼 사이에 연장되고 버얼을 연결하는 전도성 요소를 규정하기 위해 유전체 부재의 표면으로부터 전도성 층의 일부분을 제거하는 단계를 포함한다.
본 방법은 전도성 요소 위에 절연 또는 유전체 재료의 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
위의 요약은 단지 예시적이고 비제한적인 것으로 의도된다. 본 개시는, 그 조합으로 또는 개별적으로 구체적으로 언급(청구되는 것을 포함하여)되든지 여부에 상관없이, 단독으로 또는 다양한 조합으로 하나 이상의 대응하는 양태, 실시 형태 또는 특징을 포함한다. 본 개시의 임의의 양태에 따라 위에서 또는 본 개시의 특정 실시 형태와 관련하여 아래에서 규정된 특징은, 임의의 다른 양태 또는 실시 형태에서 또는 본 개시의 추가 양태 또는 실시 형태를 형성하기 위해 단독으로 또는 임의의 다른 규정된 특징과 조합하여 이용될 수 있음을 이해해야 한다.
이제 본 발명의 실시 형태가 첨부된 개략도를 참조하여 단지 예로서 설명될 것이다:
도 1은 리소그래피 장치 및 방사선 공급원을 포함하는 리소그래피 시스템을 나타낸다.
도 2는 맨하탄 라인에 의해 연결된 복수의 전도성 버얼을 갖는 정전기식 클램프의 일부분에 대한 사시도를 나타낸다.
도 3은 도 1의 정전기식 클램프와 기판 사이의 전기장의 분포를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른, 유전체 부재의 표면 상에 형성된 트렌치 내에 배치된 전도성 요소를 갖는 정전기식 클램프의 일부분의 사시도를 나타낸다.
도 4b는 X-X 선을 따라 본 도 4a의 정전기식 클램프의 일부분의 단면도를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른, 유전체 부재의 표면에 형성된 트렌치 내에 배치된 전도성 요소를 갖는 정전기식 클램프의 일부분에 대한 사시도를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시 형태에 따른, 유전체 부재의 표면에 형성된 트렌치 내에 배치된 전도성 요소를 갖는 정전기식 클램프의 일부분에 대한 사시도를 나타낸다.
도 7은 본 개시의 일 실시 형태에 따른, 리소그래피 장치에서 정전기력에 의해 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프를 제조하는 방법을 나타낸다.
도 1은 리소그래피 장치 및 방사선 공급원을 포함하는 리소그래피 시스템을 나타낸다.
도 2는 맨하탄 라인에 의해 연결된 복수의 전도성 버얼을 갖는 정전기식 클램프의 일부분에 대한 사시도를 나타낸다.
도 3은 도 1의 정전기식 클램프와 기판 사이의 전기장의 분포를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른, 유전체 부재의 표면 상에 형성된 트렌치 내에 배치된 전도성 요소를 갖는 정전기식 클램프의 일부분의 사시도를 나타낸다.
도 4b는 X-X 선을 따라 본 도 4a의 정전기식 클램프의 일부분의 단면도를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른, 유전체 부재의 표면에 형성된 트렌치 내에 배치된 전도성 요소를 갖는 정전기식 클램프의 일부분에 대한 사시도를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시 형태에 따른, 유전체 부재의 표면에 형성된 트렌치 내에 배치된 전도성 요소를 갖는 정전기식 클램프의 일부분에 대한 사시도를 나타낸다.
도 7은 본 개시의 일 실시 형태에 따른, 리소그래피 장치에서 정전기력에 의해 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프를 제조하는 방법을 나타낸다.
도 1은 방사선 공급원(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 시스템을 나타낸다. 방사선 공급원(SO)은 EUV 방사선 빔(B)을 생성하고 이 EUV 방사선 빔(B)을 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부(WT)(기판 테이블이라고도 함)를 포함한다.
조명 시스템(IL)은, EUV 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)에 입사하기 전에 그 EUV 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된다. 그에 따라, 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 EUV 방사선 빔(B)에 원하는 단면 형상 및 원하는 세기 분포를 제공한다. 조명 시스템(IL)은, 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)에 추가로 또는 그 대신에, 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.
그렇게 컨디셔닝된 후, EUV 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호작용한다. 이 상호 작용의 결과로, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 이를 위해, 투영 시스템(PS)은, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판 지지부(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상에 투영하도록 구성된 복수의 미러(13, 14)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 축소 계수를 적용하여, 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피쳐보다 작은 피쳐를 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들어, 4 또는 8의 축소 계수가 적용될 수 있다. 투영 시스템(PS)이 도 1에서 단지 2개의 미러(13, 14)를 갖는 것으로 도시되어 있지만, 투영 시스템(PS)은 다른 수의 미러(예를 들어, 6개 또는 8개)를 포함할 수 있다.
기판(W)은 미리 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 리소그래피 장치(LA)는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 기판(W) 상에 미리 형성된 패턴과 정렬시킨다.
상대 진공, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력의 소량의 가스(예컨대, 수소)가 방사선 공급원(SO), 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS)에 제공될 수 있다.
방사선 공급원(SO)은 레이저 생성 플라즈마(LPP) 공급원, 방전 생성 플라즈마(DPP) 공급원, 자유 전자 레이저(FEL) 또는 EUV 방사선을 생성할 수 있는 임의의 다른 방사선 공급원일 수 있다.
기판 지지부는 기판 지지부(WT)에 기판(W)을 클램핑하도록 구성된 클램프(200)(척(chuck)으로 알려져 있음)를 포함한다. 이 클램프(200)는 기판 지지부(WT)의 오목부 내에 유지될 수 있다. 클램프(200)는 정전기식 클램프(200)이며, 도 2를 참조하여 보다 상세히 설명된다.
정전기식 클램프(200)의 본체는 일반적으로 형상 및 크기에 있어 기판(W)에 대응한다. 적어도 클램프의 상측 표면, 예를 들어 사용 중인 기판(W)에 인접한 표면에서, 클램프는 버얼(burl)로 알려진 돌출부를 갖는다. 이 버얼은 기판(W)이 유지되는 평면을 규정하기 위해 클램프의 상측 표면으로부터 연장되어 있다.
"상측" 이라는 용어는, 정전기식 클램프(200)가 특정 배향으로 나타나 있는 도 1의 예시적인 리소그래피 장치(LA)와 관련하여 사용된다는 것을 알 것이다. 개시된 클램프는 다양한 배향으로 배치될 수 있고, 따라서 "상측" 이라는 용어는 설명되는 특정 사용 경우와 관련하여 취해져야 한다는 것을 이해할 것이다.
실제 실시 형태에서, 예를 들어 200mm, 300mm 또는 450mm 직경의 클램프를 가로질러 분포된 수백, 수천 또는 수만 개의 버얼이 있을 수 있다. 버얼의 선단은 일반적으로 예를 들어 1 mm2 미만의 작은 면적을 가지며, 그래서 정전기식 클램프(200)의 상측 표면으로부터 연장되는 모든 버얼의 총 면적은 상측 표면의 총 표면적의 약 10% 보다 작다. 버얼 배열로 인해, 기판(W), 정전기식 클램프(200) 또는 기판 지지부(WT)의 표면에 놓일 수 있는 임의의 입자가 버얼 사이에 떨어질 것이며 그래서 기판 또는 기판 홀더의 변형을 초래하지 않을 가능성이 높다. 패턴을 형성할 수 있는 버얼 배열은 규칙적일 수 있거나, 기판(W) 및 기판 지지부(WT)에 대한 힘의 적절한 분포를 제공하기 위해 원하는 대로 변할 수 있다.
도 2는 정전기식 클램프(200)의 유전체 부재(245)의 일부분의 사시도를 나타내고, 그 유전체 부재(245)는 표면(205), 예를 들어 사용 중인 기판(W)에 인접한 표면을 갖는다.
나타나 있는 부분은 제 1 버얼(210) 및 제 2 버얼(215)을 나타낸다. 각 버얼(210, 215)에는 전기 전도성 층 또는 코팅이 제공되고, 각 버얼은 전기 전도성 요소(220)에 의해 결합된다. 정전기식 클램프(200)의 유전체 표면(205)은, 일반적으로 반복적인 그리고/또는 규칙적인 패턴으로 배치될 수 있고 따라서 당업계에서 "맨하탄 라인"으로 알려진 복수의 이러한 전기 전도성 요소(220)를 포함할 수 있다.
전기 전도성 요소(220)는 정전기식 클램프(200)의 유전체 표면(205) 상에 형성되며, 그래서 전기 전도성 요소(220)는 정전기식 클램프(200)의 유전체 표면(205)에 대해 상승되어 있는데, 예컨대 그 표면과 동일 평면 내에 있지 않다.
사용시, 정전기식 클램프(200)의 유전체 표면(205)은 반복된 클램핑의 결과로서 전기 전도성 요소(220) 옆에 국소적으로 과잉의 전하를 축적할 수 있다. 이 현상은 당업계에서 "사이클 유도 대전(CIC; Cycle-Induced-Charging)"으로로 알려져 있으며, 기판(W)과 정전기식 클램프(200) 사이에 작용하는 불안정하거나 불균일하게 분포되는 클램핑력을 초래할 수 있다. 이러한 힘은 예를 들어 기판(W)을 변형시킬 수 있고 따라서 리소그래피 장치(LA) 내에서 기판(W)의 정확한 위치 설정에 잠재적으로 영향을 줄 수 있다.
또한, 전기 전도성 요소(220)의 구조, 특히 예리한 에지(225) 및 삼중점 접합부(230), 예를 들어 전기 전도성 요소(220), 유전체 표면(205) 및 근진공(near-vacuum)의 접합부는 Fowler-Nordheim 전자 장 방출을 유발할 수 있다. Fowler-Nordheim 전자 장 방출 후에는 연속적인 2차 전자 방출 이벤트를 통한 유전체 표면(205) 상의 전하 확산 및 이용 가능한 트랩핑 부위를 통한 전하 홉핑(hopping)이 일어날 수 있다. 그러한 전하는 유전체 표면(205) 상에 축적될 수 있고, 과잉의 그러한 전하는 클램핑 안정성에 부정적인 영향을 줄 수 있다.
이는 도 1의 정전기식 클램프(200)와 기판(W) 사이의 전기장의 분포를 나타내는 도 3에 더 상세히 도시되어 있다.
도 3의 다이어그램은 도 2에 나타나 있는 정전기식 클램프(200)의 일부분의 유전체 표면(205)을 나타낸다. 전기 전도성 요소(220), 버얼(210) 중 하나, 및 버얼(210)에 의해 지지되는 기판(W)이 또한 단면으로 나타나 있다.
사용시, 기판(W), 전기 전도성 요소(220), 버얼(210) 및 유전체 표면(205) 사이의 부피(235)는 상대적으로 저압 또는 진공에 가까운 환경일 것이다. 이 부피(235)에서 전기장 라인의 분포가 또한 나타나 있다.
위에서 논의된 바와 같이, 전기 전도성 요소(220)의 문제점은, 그 전기 전도성 요소는, 유전체 표면(205) 상에 안착하고 시간이 지남에 따라 축적되어 바람직하지 않은 정전하를 생성하는 전자 공급원으로서 작용할 수 있다는 것이다.
즉, 정전기식 클램프(200)의 전극(도 3에는 나타나 있지 않음)에 고전압 전위가 있는 경우, 유전체 표면(205)을 갖는 유전체 부재(245) 내부에 그리고 부피(235)에 강한 전기장이 존재할 수 있다. 전기장은 항상 전도성 표면에 직교함에 따라, 전기 전도성 요소(220)의 예리한 에지(225) 및 삼중점 접합부(230) 주위의 장(field)이 증폭된다.
도 3에서 전기장 라인의 밀도는 전기장 강도를 나타낸다. 전기 전도성 요소(220)의 예리한 에지(225) 및 삼중점 접합부(230)에서 장 강화가 명확하게 보인다.
즉, 그러한 높은 장이 예리한 에지(225) 및 삼중점 접합부(230) 쪽을 향할 때(양전극 포텐셜 동안의 경우에서와 같이), 전자가 전기 전도성 요소(220)의 전도성 재료로부터 추출되어 부피(235)에 방출되는 곳에서 장 방출이 발생하고, 여기서 전자는 전기장에 의해 가속된다. 도체의 에지에서 발생된 전기장은 에지의 반경에 반비례하므로 전기장은 이들 위치에서 특히 높고, 그래서 에지가 예리할수록 반경은 더 작고 그래서 전기장이 더 높아지게 된다.
도 4a는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른, 유전체 부재(445)의 표면(405) 상에 형성된 트렌치(440) 내에 배치된 전기 전도성 요소(420)를 갖는 정전기식 클램프의 일부분의 사시도를 나타낸다.
도 4a에 나타나 있는 정전기식 클램프의 일부분은, 리소그래피 장치(LA)에 사용되는 기판, 예를 들어 기판(W)을 정전기적으로 클램핑하도록 구성 가능한 클램프(200)에 대한 것일 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, 도 4a에 나타나 있는 정전기식 클램프의 일부분은 리소그래피 투영 장치, 레티클 취급 장치 및 레티클 제조 장치 중 적어도 하나에서 리소그래피 투영 레티클 또는 레티클 블랭크를 정전기적으로 클램핑하도록 구성 가능한 클램프에 대한 것일 수 있다.
또한, 유전체 부재(445)로부터 연장되는 제 1 버얼(410) 및 제 2 버얼(415)이 나타나 있다. 버얼(410, 415)이 원통형으로 나타나 있지만, 그 버얼(410, 415)은 대상물, 예컨대 기판(W) 또는 레티클(나타나 있지 않음)을 지지하기에 적합한 다른 형상을 가질 수 있음을 이해할 것이다. 일부 실시 형태에서, 버얼(410, 415)은 그의 높이 전체에 걸쳐 동일한 형상 및 치수를 갖는다. 다른 실시 형태에서, 버얼(410, 415)은 테이퍼형일 수 있다. 버얼(410, 415)은 또한 치수가 다를 수 있다. 예를 들어, 다른 실시 형태의 버얼은 약 1 마이크로미터 내지 약 5 밀리미터의 거리로 돌출할 수 있다.
단지 2개의 버얼(410, 415)이 도 4a에 나타나 있지만, 정전기식 클램프는 수백, 수천 또는 심지어 수만 개의 버얼과 같은 더 많은 버얼을 포함할 수 있다는 것을 알 것이며, 버얼은 기판(W)과 같은 대상물을 지지하기 위한 평면(470)을 규정한다.
또한, 단지 예를 위해, 전기 전도성 요소(420)는 직선형인 것으로 나타나 있는데, 예를 들어 버얼(410, 415)은 직선형 전기 전도성 요소(420)에 의해 규정되는 선형 경로 상에 배열된다. 예시적인 실시 형태에서, 정전기식 클램프는 평행하게 또는 다른 패턴으로 배열된 복수의 직선형 전기 전도성 요소(420)를 포함할 수 있고, 이 경우 버얼은 또한 직선으로 배열된다.
본 개시의 범위 내에 속하는 다른 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(420)는 곡선, 원 또는 나선과 같은 다른 형상 또는 배열을 가질 수 있다. 일부 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(420)는 유전체 표면(405)의 둘레 및/또는 중심으로부터 반경 방향으로 연장하도록 배치될 수 있다.
일부 실시 형태에서, 버얼은 유전체 부재(445)의 표면(405) 상에 동심 링으로 배열될 수 있고, 복수의 전기 전도성 요소는 링으로 배열된 복수의 버얼 사이에 연장될 수 있고 각 버얼을 연결할 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 4a의 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(420)는 유전체 부재(445)의 표면(405) 상에 형성된 트렌치(440) 내에 배치된다. 도 4a의 예시적인 실시 형태에서, 트렌치(440)는 경사 측벽으로 형성된다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 유전체 부재(445)의 표면(405)에 의해 규정되는 평면에 대한 경사각은 30도 내지 40도일 수 있다. 이러한 경사 측벽은 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 습식 에칭 공정으로 형성될 수 있다.
도 4a의 예시적인 실시 형태에서, 트렌치(440)의 측벽은 실질적으로 평평하다. 본 개시의 범위 내에 속하는 다른 실시 형태에서, 트렌치(440)의 측벽은 만곡되어 있거나 일반적으로 비선형일 수 있다. 따라서, 일부 실시 형태에서, 트렌치(440)를 형성하는 공정은 등방성 습식 에칭을 포함할 수 있고, 다른 실시 형태에서는, 트렌치(440)를 형성하는 공정은 이방성 습식 에칭을 포함할 수 있다.
본 개시의 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(420)는 유전체 부재(465)의 표면(405)의 레벨에 또는 그 아래에 배치된다. 도 4a에 나타나 있는 바와 같이, 전기 전도성 요소(420)의 상측 표면(460)은 유전체 부재(445)의 상측 표면(405) 아래에, 예를 들어 그 상측 표면 보다 상대적으로 낮다. 일부 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(420)의 상측 표면(460)은 유전체 부재(445)의 상측 표면(405)과 실질적으로 같은 높이일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(420)의 상측 표면(460)은 유전체 부재(445)의 표면(405)의 레벨 보다 1 마이크로미터 영역의 거리만큼 아래에 있을 수 있다.
특히, 유전체 부재(445)와 전기 전도성 요소(420) 사이의 접합부를 포함하는 삼중점 접합부(430)는 유전체 부재(445)의 표면(405)의 레벨 아래에 있다.
유리하게는, 유전체 부재(445), 예를 들어 트렌치(440)에 전기 전도성 요소(420)를 리세싱함으로써 삼중점 접합부(430) 및 예리한 에지(225)가 유전체 트렌치 벽과 대향하게 된다. 따라서, 전자가 트렌치(440)의 인접하는 측벽에 의해 정지됨에 따라, 이들 위치에서 발생할 수 있는 장 증폭이 전자의 제한된 장 방출을 제공할 수 있다. 따라서, 전기 전도성 요소(420)로부터의 장 방출로 인한 유전체 부재(445)의 표면(405) 상에서의 기생 전하의 축적이 실질적으로 감소될 수 있다.
유리하게는, 유전체 표면(405)의 인라인 방전 또는 처리(클램프의 가용성을 감소시키고 생산 효율을 감소시키며 그리고/또는 잠재적인 표면 손상을 유발할 수 있음)와 같은 대안적인 해결책을 피할 수 있는 정도로 사이클 유도 대전의 전술한 문제가 충분히 완화될 수 있다.
도 4b는 도 4a의 정전기식 클램프의 일부분의 단면도를 나타내며, 이 단면은 X-X선을 따라 본 것이다.
도 4b로부터 알 수 있듯이, 유전체 부재(445)는 복수의 버얼(410, 415)을 포함하고, 이들 버얼은 유전체 부재(445)의 표면(405)으로부터 연장되어, 대상물이 유지되는 평면(470)을 규정한다. 각 버얼(410, 415)은 유전체 재료 및 전도성 층(450)을 포함한다. 유전체 재료는 유전체 부재(445)를 형성하는 동일한 유전체 재료일 수 있다는 것을 알 것이다. 예컨대, 일부 실시 형태에서, 아래에서 더 자세히 설명되는 바와 같이, 정전기식 클램프의 제조 동안에 표면(405) 또는 유전체 부재(445) 상에 버얼(410, 415)을 형성하기 위해 리소그래피 공정이 사용된다.
도 4b의 예시적인 실시 형태에서 또한 알 수 있듯이, 전기 전도성 요소(420)는 전도성 층(450)의 연장부로서 형성된다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 전도성 층(450), 예컨대 TiN 또는 CrN 과 같은 코팅을 복수의 유전체 버얼(410, 415) 및 유전체 부재(445)의 표면 위에 제공하고 이어서 유전체 부재(445)의 표면으로부터 전도성 층(450)의 일부분을 제거하여, 트렌치(440) 내부에 배치되고 복수의 버얼(410, 415) 사이에 연장되어 이를 연결하는 전기 전도성 요소(420)를 형성함으로써 전도성 버얼(410, 415)이 형성된다. 전도성 층(450)은 버얼(410, 415)의 표면 위에 연장될 것이며, 그래서 전도성 층(450)은 대상물이 유지되는 평면(470)을 규정한다. 이러한 제조 방법은 아래에 더 자세히 설명된다.
또한 도 4b에는 전극(455)이 나타나 있다. 단지 예시의 목적으로, 이 전극(455)은 유전체 부재(445) 내에 매립된 것으로 나타나 있다. 다른 실시 형태에서, 전극(455)은 정전기식 클램프의 별도의 층 또는 구성 요소로서 형성될 수 있고, 일부 실시 형태에서, 정전기식 클램프는 복수의 전극을 포함할 수 있다. 사용시, 전극(455)은 정전기 클램핑력을 생성하기 위해 유전체 부재(445)를 가로질러 전위차를 생성하도록 구성될 수 있다. 전기 전도성 요소(420) 및 따라서 모든 버얼(410, 415)은 접지 기준에 전도적으로 연결될 수 있다. 접지는 0볼트일 수 있거나 다른 고정 전압일 수 있음을 이해할 것이다. 접지가 0볼트인 것의 이점은, 역시 접지 전압 전위에 있을 수 있는 리소그래피 장치(LA)의 다른 부분에 클램프가 쉽게 연결될 수 있다는 것이다.
또한, 버얼(410, 415)을 트렌치(440) 내로 리세싱함으로써 유전체 부재(445)의 표면(405)에 대한 그 버얼(410, 415)의 전체 높이가 감소될 것임을 이해할 것이다. 따라서, 일부 실시 형태에서, 버얼(410, 415)의 높이가 트렌치(440)의 깊이에 대응하는 양 만큼 증가될 수 있어, 버얼(410, 415)이 이들 버얼 사이에 입자를 계속 가두기에 충분한 높이로 유지되는 것을 보장할 수 있다.
대안적으로, 트렌치(440)에 리세싱되는 경우에도 버얼(410, 415)의 전체 최종 높이는 버얼(410, 415) 사이에 결함 입자를 가두기에 충분할 것이라고 평가되면, 감소된 버얼 높이가 유지될 수 있다. 유리하게, 감소된 버얼 높이는 또한 사이클 유도 대전을 감소시킬 수 있는데, 이는, 특정 클램핑 압력을 달성하기 위해, 버얼의 높이를 감소시키지 않고 동일한 클램핑 압력을 달성하기 위해 필요한 전극 전압에 비해 전극 전압이 감소될 수 있기 때문이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른, 유전체 부재(545)의 표면(505)에 형성된 트렌치(540) 내에 배치된 전기 전도성 요소(520)를 갖는 정전기식 클램프의 일부분의 사시도를 나타낸다.
또한, 유전체 부재(545)로부터 연장되어 있는 제 1 버얼(510) 및 제 2 버얼(515)이 나타나 있다. 위에서 더 상세히 설명된 바와 같이, 도 5에는 2개의 버얼(510, 515)만이 나타나 있지만, 정전기식 클램프는 기판(W)과 같은 대상물을 지지하기 위한 더 많은 버얼을 포함할 수 있음을 알 것이다.
도 5의 예시적인 실시 형태에서, 트렌치(540)는 수직 측벽으로 형성된다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서 유전체 부재(545)의 표면(505)에 의해 규정되는 평면에 대한 측벽의 각도는 실질적으로 90도이다. 트렌치(540)는, 아래에서 더 자세히 설명되는 바와 같이, 반응성 이온 에칭 공정으로 형성될 수 있다.
본 개시의 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(520)는 유전체 부재(565)의 표면(505)의 레벨에 또는 그 아래에 배치된다. 도 5에 나타나 있는 바와 같이, 전기 전도성 요소(520)의 상측 표면(560)은 유전체 부재(545)의 상측 표면(505)의 레벨 아래에 배치된다. 즉, 전기 전도성 요소(520)는 유전체 부재(545) 내에 완전히 리세싱되는데, 예를 들어 매립된다.
일부 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(520)의 상측 표면(560)은 유전체 부재(545)의 표면(505)의 레벨보다 1 마이크로미터의 영역의 거리만큼 아래에 있다.
다른 실시 형태에서, 전기 전도성 요소(520)의 상측 표면(560)은 유전체 부재의 표면(505)과 같은 높이로 있을 수 있는데, 예컨대 그 표면과 동일 평면 내에 있을 수 있다.
특히, 도 5의 예시적인 실시 형태에서, 도 2 및 4a에 나타나 있는 바와 같은 삼중점 접합부(230, 430)는, 유전체 부재(445) 내에 전기 전도성 요소(520)를 매립함으로써 완전히 제거되었음을 알 수 있다.
전기 전도성 요소(520)의 상측 표면(560)과 트렌치(540)의 측벽 사이의 접합부에 새로운 삼중점 접합부(525)가 효과적으로 형성되지만, 이러한 새로운 삼중점 접합부(525)는 전자의 장 방출 측면에서 덜 문제가 된다. 이는, 삼중점 접합부(525)를 형성하는 전기 전도성 요소(520)의 상측 코너가 트렌치(540)의 측벽과 대향하고 있기 때문이다. 따라서, 전자가 트렌치(540)의 인접하는 유전체 측벽에 의해 직접 정지됨에 따라, 이 위치에서 발생할 수 있는 장 증폭은 전자의 장 방출로 이어질 수 없다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시 형태에 따른, 유전체 부재(645)의 표면(605)에 형성된 트렌치(640) 내에 배치된 전도성 요소(620)를 갖는 정전기식 클램프의 일부분의 사시도를 나타낸다.
또한, 유전체 부재(645)로부터 연장되어 있는 제 1 버얼(610) 및 제 2 버얼(615)이 나타나 있다. 위에서 더 상세히 설명된 바와 같이, 도 5a에는 2개의 버얼(610, 615)만이 나타나 있지만, 정전기식 클램프는 기판(W)과 같은 대상물을 지지하기 위한 더 많은 버얼을 포함할 수 있음을 알 것이다.
도 5의 실시 형태와 유사하게, 트렌치(640)는 수직 측벽으로 형성되고 전도성 요소(620)는 트렌치(640)에 형성된다. 예컨대, 일부 실시 형태에서, 유전체 부재(645)의 표면(605)에 의해 규정되는 평면에 대한 측벽의 각도는 실질적으로 90도이다. 트렌치(640)는, 아래에서 더 자세히 설명되는 바와 같이, 반응성 이온 에칭 공정으로 형성될 수 있다.
도 6의 실시 형태의 많은 특징들은 일반적으로 도 5의 실시 형태의 특징들에 대응하고, 따라서 간결함을 위해 더 이상 상세하게 설명되지 않는다는 것을 인식할 것이다.
그러나, 도 5의 실시 형태와는 대조적으로, 절연 또는 유전체 재료의 층(680)이 전도성 요소(620) 위에 형성된다. 도 6의 예시적인 실시 형태에서, 절연 또는 유전체 재료의 층(680)은 유전체 부재(645)의 표면(605)과 실질적으로 동일 평면 내에 있다. 제조 방법은 아래에서 더 자세히 설명된다.
이러한 절연 또는 유전체 재료의 층은 도 4a 및 4b의 실시 형태, 예를 들어 경사 측벽을 갖는 트렌치(440)를 포함하는 실시 형태의 전도성 요소(420) 위에 형성될 수도 있음을 이해할 것이다.
두 경우 모두(경사 또는 수직 측벽 트렌치), 절연 또는 유전체 재료의 층의 효과는, 전도성 요소(620)를 완전히 매립하여 근진공, 유전체 부재(645) 및 전기 전도성 요소(620) 사이에 삼중점 접합부가 형성되지 않는다는 것이다.
유리하게는, 전기 전도성 요소(620)를 완전히 매립함으로써, 전자가 주변 유전체 재료 및/또는 절연 재료에 의해 정지됨에 따라, 이러한 위치에서 발생할 수 있는 장 증폭이 전자의 장 방출로부터 방지될 수 있다. 따라서, 전기 전도성 요소(620)로부터의 장 방출로 인한 유전체 부재(645)의 표면(605) 상에서의 기생 전하의 축적이 방지된다.
도 7은 본 개시의 일 실시 형태에 따른, 리소그래피 장치에서 정전기력에 의해 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프를 제조하는 방법을 나타낸다.
본 방법은, 유전체 부재의 표면에 복수의 버얼 및 이 복수의 버얼 사이에 연장되는 하나 이상의 트렌치를 형성하는 제 1 단계(710)를 포함한다.
제 1 단계(710)는 유리 기판, 예를 들어 유전체 부재(445, 545, 645)와 같은 유전체 부재 상에 제 1 포토레지스트 층을 증착하는 것을 포함할 수 있다. 제 1 포토레지스트 층은 스핀 코팅 또는 분사와 같은 공지된 기술을 사용하여 증착될 수 있다.
리소그래피 공정은 제 1 포토레지스트 층을 특정 버얼 레이아웃으로 패터닝하기 위해 사용될 수 있다. 버얼이 규정되도록 유전체 부재를 에칭하기 위해 에칭 공정이 사용될 수 있다. 이어서, 남아있는 제 1 포토레지스트 층이 제거되어 복수의 규정된 버얼을 갖는 유전체 표면이 남게 된다.
다음으로, 버얼을 포함하는 트렌치, 예를 들어 트렌치(440, 540, 640)를 규정하기 위해 제 2 포토레지스트 층이 증착되고 패터닝되며 그리고 노광될 수 있다.
일부 실시 형태에서, 예를 들어 도 5a의 실시 형태에 나타나 있는 바와 같은 수직 측벽을 갖는 트렌치(440)를 형성하기 위해, 제 2 포토레지스트 층은 반응성 이온 에칭(RIE)에 적합하다.
이어서, 유전체 부재를 에칭하는 공정이 트렌치(440, 540, 640)를 형성한다. 일부 실시 형태에서, 예를 들어, 경사 측벽을 갖는 트렌치를 형성할 때, 에칭 공정은 습식 에칭일 것이다. 일부 실시 형태에서, 예를 들어, 수직 측벽을 갖는 트렌치를 형성할 때, 에칭 공정은 반응성 이온 에칭일 것이다. 다음에, 남아 있는 제 2 포토레지스트 층이 제거된다.
제 2 단계(720)는 복수의 버얼 및 유전체 부재의 표면 위에 전도성 층을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 이는 CrN 코팅을 가하는 것을 포함할 수 있다.
제 3 단계(730)는, 하나 이상의 트렌치 내에 배치되고 복수의 버얼 사이에 연장되고 그 버얼을 연결하는 전도성 요소를 규정하기 위해 유전체 부재의 표면으로부터 전도성 층의 일부분을 제거하는 것을 포함할 수 있다.
제 3 단계(730)는, 제 3 포토레지스트 층을 증착하고 이어서 리소그래피를 사용하여 그 제 3 포토레지스트 층을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 따라서, 트렌치 내의 전도성 요소 또는 "맨하탄 라인"이 규정될 수 있다. 특히, 제 3 단계(730)의 리소그래피 공정에 사용되는 마스크는, 에칭 부족을 보상하기 위해, 제 1 단계(710)에서 트렌치를 규정하기 위해 사용되는 마스크와 다를 수 있다.
그런 다음에, 규정된 맨하탄 라인 외부의 CrN이 제거되고 이어서 남아 있는 제 3 포토레지스트 층이 제거된다.
전술한 방법은 개시된 방법의 범위 내에 있는 다양한 상이한 처리 조건을 사용하여 실행될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 방법은 상이한 유형의 포토레지스트, 상이한 마스크 디자인, 상이한 에칭액의 사용, 상이한 CrN 증착 방법 및 상이한 CrN 조성, 에지의 정확한 기하학적 구조 등을 사용하여 실행될 수 있다.
본 방법의 일부 실시 형태에서, 남아 있는 제 2 포토레지스트 층은 제 1 단계(710)에서 제거되지 않는다. 대신에, 제 2 단계(720)는, 복수의 버얼 및 유전체 부재의 표면 위에 그리고 남아 있는 제 2 포토레지스트 층 위에 전도성 층을 형성하는 것을 포함한다.
이 실시 형태에서, 이어지는 제 3 단계는 남아 있는 제 2 포토레지스트 층을 용해하는 공정을 포함하며, 그래서 규정된 트렌치 외부의 전도성 층이 제거된다. 이 실시 형태에서, 동일한 제 2 포토레지스트 층은 두 단계 모두를 위한 것이기 때문에, 반응성 이온 에칭에 의해 형성된 트렌치가 자동으로 완전히 채워질 것이다.
본 방법의 일부 실시 형태는, 예를 들어 도 6에 나타나 있는 바와 같은 실시 형태를 형성하기 위해 전도성 요소 위에 절연 또는 유전체 재료의 층을 형성하는 추가 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 절연 또는 유전체 재료의 층은 트렌치의 측벽과 전도성 요소의 코너를 포함하는 삼중점을 덮는다. 절연 또는 유전체 재료의 층은 버얼 위에서 연장되지 않는다.
유전체 또는 절연 재료는 전도성 요소 상에 스핀 코팅되거나 분사될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 마스크 및 포토레지스트를 사용하는 리소그래피 공정이 유전체 또는 절연 재료의 층을 트렌치에 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 유전체 또는 절연 재료는 경화되거나 소성(baking)될 수 있다. 유전체 또는 절연 재료는 폴리머를 포함할 수 있다. 유전체 또는 절연 재료는 이산화규소를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 IC를 제조하는 분야에 리소그래피 장치를 이용하는 것에 대해 특히 언급될 수 있지만, 본원에서 기술된 리소그래피 장치는 다른 용례를 가질 수 있음이 이해돼야 한다. 가능한 다른 적용예는 통합 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 가이드 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, LCD(Liquid Crystal Display), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.
비록 본 명세서에서 리소그래피 장치와 관련하여 본 발명의 실시 형태가 특정하게 참조되었지만, 본 발명의 실시형태는 다른 장치에서도 사용될 수 있다. 본 발명의 실시형태는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정하거나 처리하는 임의의 장치의 일부가 될 수 있다. 이러한 장치는 일반적으로 리소그래피 툴이라고 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 주변(비진공) 조건을 사용할 수 있다.
비록 특정한 참조가 위에서 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시 형태의 사용에 대하여 이루어졌지만, 상황이 허용하는 경우 본 발명은 광학 리소그래피로 한정되지 않고, 다른 용례, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피에서 사용될 수도 있다는 것이 인정될 것이다.
비록 본 발명의 특정한 실시형태가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 의도로 제공된다. 따라서, 아래에 제시된 청구 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.
Claims (15)
- 정전기력으로 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프로서,
대상물이 유지되는 평면을 규정하기 위해 표면으로부터 연장되는 복수의 전도성 버얼(burl)을 갖는 유전체 부재; 및
상기 복수의 버얼 사이에 연장되고 버얼을 연결하는 전도성 요소를 포함하고,
상기 전도성 요소는 상기 유전체 부재의 표면에 형성된 하나 이상의 트렌치(trench) 내에 배치되는, 정전기식 클램프. - 제 1 항에 있어서,
상기 전도성 요소는 상기 유전체 부재의 표면 레벨에 또는 그 유전체 부재의 표면 레벨에 아래에 배치되며, 상기 전도성 요소의 상측 표면이 상기 유전체 부재의 표면 레벨 보다 1 마이크로미터 영역의 거리만큼 아래에 있는, 정전기식 클램프. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유전체 부재와 전도성 요소 사이의 접합부를 포함하는 삼중점 접합부가 상기 유전체 부재의 표면 레벨 아래에 있는, 정전기식 클램프. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
각 버얼은 유전체 재료 및 전도성 층을 포함하는, 정전기식 클램프. - 제 4 항에 있어서,
상기 전도성 요소는 상기 전도성 층의 연장부로 형성되는, 정전기식 클램프. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전도성 요소 위에 형성된 절연 또는 유전체 재료의 층을 포함하는 정전기식 클램프. - 제 6 항에 있어서,
상기 절연 또는 유전체 재료의 층은 상기 유전체 부재의 표면과 실질적으로 동일 평면 내에 있는, 정전기식 클램프. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전도성 요소는 접지 기준에 전도적으로 연결되는, 정전기식 클램프. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 버얼은 상기 유전체 부재의 표면 상에 동심 링으로 배열되는, 정전기식 클램프. - 제 9 항에 있어서,
상기 정전기식 클램프는 복수의 전도성 요소를 포함하고, 각 전도성 요소는 링으로 배열된 복수의 버얼 사이에 연장되고 버얼을 연결하는, 정전기식 클램프. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대상물은,
리소그래피 투영 기술에 사용되는 기판; 및
리소그래피 투영 장치, 레티클 취급 장치 및 레티클 제조 장치 중의 적어도 하나에 있는 리소그래피 투영 레티클 또는 레티클 블랭크
중의 적어도 하나인, 정전기식 클램프. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
정전기 클램핑력을 생성하기 위해 상기 유전체 부재를 가로질러 전위차를 생성하도록 구성된 전극을 더 포함하는 정전기식 클램프. - 제 1 항 내지 제 12 항 어느 한 항에 따른 정전기식 클램프를 포함하는 리소그래피 장치.
- 리소그래피 장치에서 정전기력에 의해 대상물을 유지시키기 위한 정전기식 클램프를 제조하는 방법으로서,
유전체 부재의 표면 상에 복수의 버얼 및 이 복수의 버얼 사이에 연장되는 하나 이상의 트렌치를 형성하는 단계;
상기 복수의 버얼 및 상기 유전체 부재의 표면 위에 전도성 층을 형성하는 단계; 및
상기 하나 이상의 트렌치 내에 배치되며 상기 복수의 버얼 사이에 연장되고 버얼을 연결하는 전도성 요소를 규정하기 위해 상기 유전체 부재의 표면으로부터 상기 전도성 층의 일부분을 제거하는 단계
를 포함하는, 정전기식 클램프를 제조하는 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 전도성 요소 위에 절연 또는 유전체 재료의 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
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