TW202225810A - 用於操作聲光偏轉器的設備和方法 - Google Patents

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Abstract

一種設備包含一聲光偏轉器(AOD)系統，其是操作以在二維的掃描場內偏轉一雷射能量射束。所述AOD系統包含一第一AOD，其操作以沿著所述二維的掃描場的第一軸來偏轉所述雷射能量的射束；一第二AOD，其光學地配置在所述第一AOD的下游，其中所述第二AOD操作以沿著所述二維的掃描場的第二軸來偏轉所述雷射能量的射束；以及一控制器，其操作地耦接至所述AOD系統。所述控制器被配置以驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個以在所述二維的掃描場內偏轉所述雷射能量的射束，並且進一步被配置以在至少實質相同的繞射效率下驅動所述第一AOD以及所述第二AOD。

Description

用於操作聲光偏轉器的設備和方法
在此所述的實施例大致是有關雷射處理的設備及其之構件，並且有關用於操作其之技術。
聲光(AO)裝置(有時稱為布拉格胞)是利用在射頻的聲波來繞射及移位光。這些裝置經常用於Q-開關、電信系統中的信號調變、顯微鏡系統中的雷射掃描及射束強度控制、頻率移位、光譜儀系統中的波長濾波。許多其它的應用是使本身利用聲光裝置。例如，AO偏轉器(AOD)可被利用在雷射為基礎的材料處理系統中。
參照圖1，一AOD(例如AOD 100)大致包含AO胞102、一附接至所述AO胞102的換能器104(亦即，在所述AO胞102的一換能器端)，並且亦可包含一附接至所述AO胞102的聲波吸收器106(亦即，在所述AO胞102的與所述換能器端相反的一吸收器端)。
所述AO胞102(亦被稱為一"AO胞")通常是一結晶或玻璃質材料，其對於將被繞射的光的波長是適當透明的。所述換能器104大致是壓電換能器，並且操作以響應於一外部施加的RF信號(亦即，驅動信號)來振動。所述換能器104是附接至所述AO胞102，使得所述振動的換能器104產生一對應的聲波，其傳播在所述AO胞102之內(亦即，從所述換能器端沿著所述AOD 100的一繞射軸朝向所述聲波吸收器106)。如同已知的，所述聲波的振幅、頻率及持續期間是對應於所述施加的RF驅動信號的振幅、頻率及持續期間。所述聲波在所述AO胞102之內是表現為週期性的膨脹及壓縮區域的系列，藉此在所述AO胞102之內產生一週期性改變的折射率。所述週期性改變的折射率是作用像是一光柵，其可以繞射傳播通過所述AO介質的雷射光束。儘管只有一換能器104被描繪，但是所述AOD可包含多個聲學地耦合至所述AO胞102的換能器104，其通常可被驅動來強化所述AOD的頻寬以及於其中的光的繞射。
繞射所述入射的雷射光束是產生一繞射圖案，其通常包含零階及一階的繞射波峰，並且亦可包含更高階的繞射波峰(例如，二階、三階、等等)。在所述技術中，常見的是將所述繞射的雷射光束在所述零階的繞射波峰中的部分稱為"零階的"射束，將所述繞射的雷射光束在所述一階的繞射波峰中的部分稱為"一階的"射束，依此類推。一般而言，所述零階的射束以及其它繞射階的射束(例如，所述一階的射束、等等)在離開所述AO胞102之際是沿著不同射束路徑傳播的。例如，所述零階的射束是沿著零階的射束路徑傳播，所述一階的射束是沿著一階的射束路徑傳播，依此類推。在所述零階以及其它繞射階的射束路徑之間的角度是對應於被施加至所述換能器104以繞射入射在所述AO胞102之上的雷射光束的驅動信號中的一頻率(或是多個頻率)。
驅動信號可以藉由一RF驅動器108而被施加至所述換能器104的一輸入。如同在圖1中所示，一RF驅動器可包含一RF合成器110、一放大器112以及一阻抗匹配電路114。所述RF合成器110(例如，一DDS合成器)是產生及輸出具有一所要的頻率的一初步的信號。所述放大器112放大所述初步的信號，藉此轉換所述初步的信號成為所述驅動信號。所述驅動信號接著經由所述阻抗匹配電路114而被施加至所述換能器104的輸入。
一般而言，所述RF合成器110以及所述放大器112的操作可藉由一控制器(未顯示)來控制，以產生具有不同頻率及振幅的RF驅動信號，其可以快速地被施加(例如，在高達或大於1MHz的速率下)至一AOD 100的一換能器104。為了便於揭露之目的，施加一RF驅動信號至一AOD 100的一換能器104的動作在此亦被稱為"驅動"所述AOD 100。藉由利用不同頻率的驅動信號來連續地驅動所述AOD 100，所述AOD 100可被利用以快速地掃描所述一階的射束。如同在此所用的，術語"繞射效率"可被視為是指在入射的雷射射束能量中，所述AOD 100繞射成為所述一階的射束的能量比例。繞射效率因此可被表示為繞射成為所述一階的射束的光功率相對於入射的雷射射束能量的光功率的比例。一AOD被驅動所在的繞射效率可以依據所施加的驅動信號的頻率及振幅而變化。因此，一種用於控制所述一階的射束的能量內容的技術是牽涉到控制被施加至所述AOD以產生所述一階的射束的驅動信號的振幅。
一種多軸的AOD系統是常見被納入在雷射為基礎的材料處理系統之內，以快速地掃描雷射能量的射束(例如，在工件的材料處理期間)。所述多軸的AOD系統通常將會是多個AOD(例如AOD 100)。例如，一多軸的AOD系統可包含被安排且配置以沿著一第一軸掃描所述雷射能量的射束的一AOD(例如，一第一AOD)、以及被安排且配置以沿著一第二軸掃描所述雷射能量的射束的另一AOD(例如，一第二AOD)。所述第二AOD是被配置與所述第一AOD串聯(亦即，在光學上的下游)，使得和所述第二AOD相關的一掃描場被重疊在和所述第一AOD相關的一掃描場之上。圖2及3描繪不同類型的多軸的AOD系統。多軸的AOD系統可被納入在具有單一處理頭或多個處理頭的雷射處理的系統之內。一種納入一多軸的AOD系統的多頭的雷射處理的系統的一個例子是被描述在WO2020/159666中，其被納入在此作為參考。
在圖2及3中，所述第一AOD是在100a指出，並且所述第二AOD是在100b指出。參照圖2，所述第一AOD 100a是被安排且配置以在被定向於X-Z平面之內的一第一掃描場之內(藉由點劃線區域所描繪)繞射一階的射束，並且所述第二AOD 100b是被安排且配置以在被定向於Y-Z平面之內的一第二掃描場之內(藉由點劃線區域所描繪)繞射藉由所述第一AOD 100a輸出的一階的射束；因此，所述多軸的AOD系統的掃描場是所述第一及第二掃描場的重疊，並且延伸在X-Y平面中。參照圖3，所述第一AOD 100a以及所述第二AOD 100b是分別被安排且配置以在被定向於所述X-Z平面之內的一掃描場之內繞射一階的射束，但是一或多個光學元件(大致被描繪在300)被設置在所述第一AOD 100a以及所述第二AOD 100b之間以旋轉從所述第一AOD 100a輸出的一階的射束的影像90度；因此，所述多軸的AOD系統的掃描場是所述第一及第二掃描場的重疊，並且延伸在所述X-Y平面中。
在雷射材料處理的背景中，在考量被用來產生所述入射的雷射能量射束的雷射上的一因數通常是所述雷射是否可以在已經藉由所述多軸的AOD系統繞射之後(以及在已經藉由在所述射束路徑中的任何其它光學構件反射或透射之後)產生一雷射能量射束，其仍然具有一平均或波峰功率足以在一工件達成適當的材料處理。根據在此的揭露內容，在一工件達成"適當的材料處理"是在於導引一雷射能量射束至所述工件以於其中形成一或多個貫孔、開口、通道、槽、切縫、劃線、等等，而無非所要地損壞所述工件。因此，在設計雷射處理系統中，習知的是匹配所述雷射(以及在所述雷射以及工件之間的射束路徑中的其它光學構件，例如是所述多軸的AOD系統)與待被處理的工件的類型以及將被執行在所述工件上的材料處理的特定類型及品質。因此，若兩個不同類型的工件都需要用某種方式來加以雷射處理，則習慣就是提供兩個不同的雷射系統，每一個雷射系統具有適合處理所述不同工件中之一的一雷射。例如，若一第一印刷電路板(具有一相當厚的頂端導體)以及一第二印刷電路板(具有一相當薄的頂端導體)都需要被雷射處理以於其中形成貫孔，則習知是提供一第一雷射系統(例如，其具有一第一雷射是具有適合用於在所述第一工件的相當厚的頂端導體中形成貫孔開口的功率特徵)以及一第二雷射系統(例如，其具有一第二雷射是具有適合用於在所述第二工件的相當薄的頂端導體中形成貫孔開口的功率特徵)。
本發明的一實施例可以被廣泛地敘述特徵為一種設備，其包含操作以在一個二維的掃描場之內偏轉一雷射能量射束的一聲光偏轉器(AOD)系統。所述AOD系統包含一第一AOD，其操作以沿著所述二維的掃描場的第一軸來偏轉所述雷射能量的射束；一第二AOD，其被配置在所述第一AOD的光學上的下游，其中所述第二AOD是操作以沿著所述二維的掃描場的第二軸來偏轉所述雷射能量的射束；以及一控制器，其在操作上耦接至所述AOD系統。所述控制器是被配置以驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個以在所述二維的掃描場之內偏轉所述雷射能量的射束，並且進一步被配置以在至少實質相同的繞射效率下驅動所述第一AOD以及所述第二AOD。
範例實施例在此是參考所附圖式來描述。除非另有明確地陳述，否則在圖式中的構件、特點、元件等等的尺寸、位置等等、以及在兩者之間的任何距離並不一定按照比例，而是為了清楚起見而被誇大。在圖式中，相同的元件符號是指全文的相似的元件。因此，相同或類似的元件符號可以參考其它圖來加以描述，即使它們在所述對應的圖中既未被提及或敘述也是如此。再者，甚至是並未被元件符號表示的元件也可以參考其它圖來加以描述。
在此所用的術語只是為了描述特定的範例實施例之目的而已，並不欲為限制性的。除非另有定義，否則所有在此使用的術語(包含技術及科學的術語)都具有和具有此項技術的通常知識者通常理解的相同意義。如同在此所用的，除非上下文有清楚指出，否則單數形"一"、"一個"以及"所述"是欲亦包含複數形。應該體認到的是，所述術語"包括"及/或"包含"當在此說明書被使用時，其指明所陳述的特點、整數、步驟、操作、元件、及/或構件的存在，但是並不防礙一或多個其它特點、整數、步驟、操作、元件、構件、及/或其之群組的存在或增加。除非另有指明，否則一個範圍的值當被闡述時，其包含所述範圍的上限及下限、以及在兩者之間的任何子範圍。除非有相反指出，否則例如"第一"、"第二"等等的術語只是被用來區別一元件與另一元件而已。例如，一節點可被稱為一"第一節點"，並且類似地，另一節點可被稱為一"第二節點"、或是反之亦然。
除非有相反指出，否則所述術語"大約"、"左右"、"實質"等等是表示量、尺寸、配方、參數、以及其它的量及特徵並非而且不需要是剛好的，而是可以根據需要、反映容限、轉換因子、四捨五入、測量誤差與類似者、以及具有此項技術中的技能者已知的其它因素，而為近似且/或較大或較小的。空間上相對的術語，例如是"之下"、"下面"、"下方"、"之上"及"上方"與類似者在此可以為了便於說明而被使用來描述一元件或特點相對另一元件或特點的關係，即如同在所述圖中所繪的。應該體認到的是，所述空間上相對的術語欲涵蓋除了在所述圖中描繪的方位以外的不同方位。例如，若在所述圖中的一物體被翻過來，則被敘述為在其它元件或特點"之下"或是"下面"的元件則將會被定向在所述其它元件或特點"之上"。因此，所述範例的術語"之下"可以涵蓋之上以及之下的兩種方位。一物體可以用另外方式而被定向(例如，被旋轉90度、或是在其它方位)，因而在此使用的空間上相對的描述符可以按照其來加以解釋。
在此使用的段落標題只是為了組織的目的而已，除非另有明確地陳述，否則並不欲被解釋為限制所述標的。將會體認到的是，許多不同的形式、實施例及組合是可能的，而不偏離此揭露內容的精神及教示，因而此揭露內容不應該被解釋為受限於在此闡述的範例實施例。而是，這些例子及實施例是被提供以使得此揭露內容將會是徹底且完整的，並且將會傳達本揭露內容的範疇給熟習此項技術者。
I.大致有關利用多軸的AOD系統來產生高度衰減的射束的實施例
圖4及5是描繪用於操作例如那些在圖2及3中所示的任一個的多軸的AOD系統以產生高度衰減的一階的射束的技術的時序圖。
在圖4及5的每一個中，線(a)是代表入射至一多軸的AOD系統的第一AOD 100a的一任意的雷射能量射束的功率；線(b)是代表響應於被施加至所述多軸的AOD系統的第一AOD 100a的一RF驅動信號(亦即，一"第一"RF驅動信號)而傳播通過所述第一AOD 100a的一孔徑的一第一聲波的振幅；線(c)是代表響應於被施加至所述多軸的AOD系統的第二AOD 100b的一RF驅動信號(亦即，一"第二"RF驅動信號)而傳播通過所述第二AOD 100b的一孔徑的一第二聲波的振幅；並且線(d)是代表從所述多軸的AOD系統的第二AOD 100b輸出的一階的射束的功率。如同在此所用的，所述第一RF驅動信號以及所述第二RF驅動信號可被視為一"組"的RF驅動信號。
儘管所述功率輪廓是藉由線(a)而被表示為具有一大致固定的波峰功率(亦即P1_hi)，但將會體認到的是入射至所述第一AOD 100a的雷射能量的射束可以具有任意其它輪廓(例如，對應於所述雷射能量的射束被產生所來自的雷射來源)。同樣地，儘管所述功率輪廓是藉由線(d)而被表示為具有一大致固定的波峰功率(亦即P2_hi)，但將會體認到的是從所述第二AOD 100b輸出的雷射能量的一階的射束可以具有任意其它輪廓(例如，對應於用線(a)代表的功率輪廓、對應於所述第一AOD 100a及第二AOD 100b之內的聲波的上升及下降時間、或類似者、或是其之任意組合)。然而，從所述第二AOD 100b輸出的雷射能量的一階的射束的平均功率、波峰功率、或是其之任意組合一般可以是小於或等於入射至所述第一AOD 100a的雷射能量的射束的80%、70%、60%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%、等等、或是介於這些值的任一個之間。因此，所述多軸的AOD系統的繞射效率(亦即，繞射成為如同從所述第二AOD 100b輸出的一階的射束的光功率相對於入射在所述第一AOD 100a之上的雷射能量的射束的光功率的比例)可以是小於或等於80%、70%、60%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%、等等、或是介於這些值的任一個之間。就此而論，藉由所述多軸的AOD系統輸出的一階的射束可被稱為一"高度衰減的一階的射束"。
再者，儘管未被描繪，但將會體認到的是所述第一RF驅動信號以及第二RF驅動信號(以及因此從其產生的聲波)的特徵可以是在於使得所述多軸的AOD系統導引所述一階的射束至所述多軸的AOD系統的掃描場之內的一適當或所要的位置的任何適當的頻率。所述術語"A1_hi"是指傳播通過所述第一AOD 100a的一第一聲波的振幅，並且其是橫跨一被施加的RF頻率範圍，響應於被施加以在最大的繞射效率下操作所述第一AOD 100a、或是在相同的最大繞射效率(或超過一臨界繞射效率)下操作所述第一AOD 100a的第一RF信號所產生的。同樣地，術語"A2_hi"是指傳播通過所述第二AOD 100b的一第二聲波的振幅，並且其是橫跨一被施加的RF頻率範圍，響應於被施加以在最大的繞射效率下操作所述第二AOD 100b、或是在相同的最大繞射效率(或超過一臨界繞射效率)下操作所述第二AOD 100b的第二RF信號所產生的。
如同大致已知的，聲波是以幾mm/µs的數量級的速率來傳播通過一AOD(亦即，所述第一AOD 100a及第二AOD 100b的任一個)的AO胞102，其遠慢於光速(~3x10 5mm/µs)。於是，一RF驅動信號必須在所述AOD的一孔徑將藉由所述聲波繞射的雷射能量照射之前施加。
參照圖4及5，所述時序圖是指出在所述雷射能量的射束最初照射在所述多軸的AOD系統中的AOD的孔徑之後，所述第一聲波以及所述第二聲波分別存在於所述第一AOD 100a及第二AOD 100b的孔徑。因此，所述第一AOD 100a及第二AOD 100b並不繞射所述雷射能量的射束，直到所述雷射能量的射束最初入射在所述第一AOD 100a上之後為止，並且所述入射的雷射能量射束的一部分在其被一光束收集器(未顯示)吸收之前被發送穿過所述多軸的AOD系統(例如，作為一零階的射束)。
傳播通過所述第一AOD 100a的雷射能量的射束是藉由一第一聲波繞射以產生一階的射束及其它，而所述第一聲波是響應於被施加至所述第一AOD 100a的第一RF驅動信號所產生的。同樣地，傳播通過所述第二AOD 100b的一階的射束是藉由一第二聲波繞射以產生另一一階的射束及其它，而所述第二聲波是響應於被施加至所述第二AOD 100b的第二RF驅動信號所產生的。從所述第二AOD 100b輸出的一階的射束在以下被視為藉由所述多軸的AOD系統輸出的一階的射束。在所述零階的射束(以及除了所述一階的射束之外的任何其它高階的射束)中的雷射能量可以用任何適當或所要的方式在一或多個光束收集器(未顯示)加以吸收。
在所述第一及第二聲波已經分別傳播穿過所述第一AOD 100a及所述第二AOD 100b的孔徑之後，所述一階的射束停止從所述多軸的AOD系統輸出，並且所產生的零階的射束是用任何適當或所要的方式而在一或多個光束收集器(未顯示)被吸收。
如同從先前內容將會體認到的，施加分別具有有限的持續期間(亦即t_o)的所述第一RF驅動信號及第二RF驅動信號的動作是導致所述入射的雷射能量射束的時間的分割(亦即，具有一t_i的脈衝持續期間的一雷射脈衝，其中t_i大於t_o)成為一階的射束(亦即，具有一t_o的脈衝持續期間的一雷射脈衝)。考慮到以上的，亦將會體認到的是t_o可以至少實質等於t_i(亦即，等於、或稍微大於或稍微小於t_i)。亦將會體認到的是所述入射的雷射能量射束可以表現為一連續或準連續的雷射能量射束(亦即，表現為一CW或QCW的雷射能量射束)，而不是一脈衝或脈衝系列。
儘管圖4及5描繪一種驅動技術是導致時間上只分割所述入射的雷射能量射束成為一階的射束一次(亦即，藉由施加一組RF信號)，但將會體認到的是所述入射的雷射能量射束可以藉由依序地施加RF驅動信號組(亦即，藉由依序地施加不同組的第一及第二RF驅動信號)而在時間上被分成一系列的一階的射束。如同在此所用的，若在一組RF驅動信號中的一RF驅動信號(例如，所述第一RF驅動信號)的振幅及/或頻率不同於在另一組RF驅動信號中的一對應的RF驅動信號(例如，所述第一RF驅動信號)的振幅及/或頻率，則兩組依序施加的RF驅動信號是彼此不同的。最後，儘管所述入射的雷射能量射束已經在以上敘述為由具有一t_i的脈衝持續期間的單一雷射脈衝所構成，但將會體認到的是所述入射的雷射能量射束可被表現為一系列的雷射脈衝。於是，在所述入射的雷射能量射束中的一或多個(或是所有的)雷射脈衝可以根據在此所述的實施例，在時間上以任何方式來分割。
如同在此所用的，t_i及t_o分別可被量測為所述雷射能量的射束中的光功率相對於時間的半峰全寬(FWHM)。一般而言，t_i可以是任何大於或等於(或至少實質等於)穿過在所述多軸的AOD系統中被所述入射的雷射能量射束照射的任一AOD(例如，所述第一AOD 100a)的孔徑的一聲波的過渡時間的持續期間。因此，所述過渡時間是由形成所述AO胞所來自的材料的聲波速度以及所述孔徑的尺寸來判斷的。所述AO胞可以是由任意適當的材料所形成的，例如是Ge、LiNbO 3、PbMoO 4、TeO 2、GaAs、GaP、玻璃質SiO 2、石英、As 2S 3、或類似者。可以做成所述AO胞所來自的材料的範例的聲波速度可以是在一約2mm/µs到約7mm/µs的範圍中。一AOD的孔徑的尺寸可以對應於入射至所述AOD的雷射能量的射束的射束尺寸。如同在此所用的，所述術語"射束尺寸"是指一雷射脈衝的直徑或寬度，並且可被量測為從所述射束軸至其中光學強度下降到沿著所述射束路徑116的傳播軸的光學強度的1/e 2的一徑向或橫斷的距離。根據在此論述的實施例，所述射束尺寸可以是在一從0.25mm(或附近)到10mm(或附近)的範圍中。應該體認到的是，形成所述AO胞所來自的材料將會依據入射在所述AO胞之上的雷射能量的射束的波長而定。因此，入射在所述多軸的AOD系統的AOD之上的雷射能量的射束可以具有在從200nm(或附近)到12µm(或附近)的範圍中的波長，並且此種雷射能量射束可以藉由此項技術中已知的任何適當的手段來產生。
儘管t_o可以是小於t_i，但應該注意到的是，限制t_o可以有多短暫可能有實際的考量。明確地說，施加一RF驅動信號至一AOD的一換能器的動作可能會在所述AO胞之內招致一暫態響應。所述暫態響應是被表現在傳播通過所述AO胞的聲波中，其緊接在所述RF驅動信號被施加至所述AOD之後、以及緊接在所述RF驅動信號停止被施加之後存在一短暫的時間量(在此亦被稱為一"暫態期間")。這些暫態期間在圖4及5中是被指出在"t_t"以作為範例。在一暫態期間，藉由在所述多軸的AOD系統中的每一個AOD(並且因此所述多軸的AOD系統本身)輸出的一階的射束的實際功率可能是小於所預期的功率(例如，給定所述RF驅動信號的振幅)。在一暫態期間，藉由在所述多軸的AOD系統中的每一個AOD(並且因此所述多軸的AOD系統本身)輸出的一階的射束的光斑形狀亦可能是扭曲的(例如，沿著所述AOD的繞射軸為細長的)。除了其它因素外，每一個暫態期間的持續期間可以對應於(例如，至少大約或實質等於、或者是成比例於)所述過渡時間。因此，驅動所述第一AOD 100a以及所述第二AOD 100b，使得t_o大於所述過渡時間的兩倍可能是較佳的。在某些實施例中，t_o大於或等於0.25µs(或附近)。例如，t_o可以是大於或等於0.25µs、0.5µs、0.75µs、1µs、1.5µs、2µs、4µs等等、或是介於這些值的任一個之間。儘管有先前的內容，但在某些實施例中，驅動所述第一AOD 100a以及所述第二AOD 100b以使得t_o等於或小於所述過渡時間t_t的兩倍可能是可接受的。 A.第一實施例
在圖4所示的實施例中，被施加至所述第一AOD 100a的第一RF驅動信號的第一振幅A1是遠低於A1_hi，並且被施加至所述第二AOD 100b的第二RF驅動信號的第二振幅A2是等於(或至少實質等於)A2_hi。一般而言，所述第一振幅A1是小於A1_hi的80%(或附近)。例如，所述第一振幅A1可以是小於或等於A1_hi的75%、70%、60%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%、或是介於這些值的任一個之間。響應於所述第一RF驅動信號，所述第一AOD 100a因此可被驅動在小於或等於75%、70%、60%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%等等、或是介於這些值的任一個之間的繞射效率下。儘管有先前的內容，但在某些實施例中，設定所述第一振幅A1至A1_hi到A1_hi的80%之間的一範圍中的任意值可能是可接受的。亦將會體認到所述第二振幅A2可以小於A2_hi，只要所述第二振幅大於所述第一振幅A1即可。
藉由如上所論述地限制被施加至所述第一AOD 100a的第一RF信號的振幅，所述第二AOD 100b可被操作在其上的繞射效率的範圍是顯著地增加(如同藉由所述多軸的AOD系統輸出的)所述高度衰減的一階的射束的能量內容可被控制的解析度。然而，若相關圖4所論述的驅動技術反過來(亦即，藉由設定所述第一振幅A1等於A1_hi並且設定被施加的第二振幅A2遠低於A2_hi)，則此在輸出解析度上的有利的增加並未被觀察到。
再者，因為所述第二振幅A2大於所述第一振幅A1，因此在暫態期間，藉由所述第二AOD 100b輸出的一階的射束的光斑形狀失真的大小將會是大於藉由所述第二AOD 100b輸出的一階的射束的光斑形狀失真的大小。因此，藉由所述多軸的AOD系統輸出的高度衰減的一階的射束的光斑形狀在暫態期間可能會稍微扭曲(亦即，沿著多軸的AOD系統的掃描場的Y軸(對應於所述第二AOD 100b的繞射軸)為細長的)。 B.第二實施例
在圖5所示的實施例中，所述第一振幅A1是遠低於A1_hi，並且所述第二振幅A2是遠低於A2_hi。一般而言，所述第一振幅A1小於A1_hi的90%(或附近)，並且所述第二振幅A2是小於A2_hi的90%(或附近)。例如，所述第一振幅A1可以是小於或等於(或是大約等於)A1_hi的90%、80%、70%、60%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%、或是介於這些值的任一個之間。同樣地，所述第二振幅A2可以是小於或等於(或是大約等於)A2_hi的90%、80%、70%、60%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%、或是介於這些值的任一個之間。響應於所述第一及第二RF驅動信號，所述第一AOD 100a及第二AOD 100b分別可被驅動在小於或等於(或是大約等於)90%、80%、70%、60%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%的對應的繞射效率下。
在一實施例中，所述第一振幅A1及第二振幅A2是彼此相等的(或至少實質相等的)。藉由以此種方式來設定所述第一振幅A1及第二振幅A2，在暫態期間藉由所述第一AOD 100a輸出的一階的射束的光斑形狀失真的大小將會至少實質等於藉由所述第二AOD 100b輸出的一階的射束的光斑形狀失真的大小。因此，在暫態期間藉由所述多軸的AOD系統輸出的高度衰減的一階的射束的光斑形狀可以至少實質均等地扭曲(亦即，沿著多軸的AOD系統的掃描場的X及Y軸為細長的)。藉由設定所述第一振幅A1及第二振幅A2彼此相等的(或是至少實質相等的)，將會體認到的是所述第一AOD 100a及所述第二AOD 100b的每一個的繞射效率是等於(或至少實質等於)所述多軸的AOD系統的所要的繞射效率的平方根。例如，若所要的是在一50%的繞射效率下操作所述多軸的AOD系統，則所述第一AOD 100a以及第二AOD 100b的每一個可被操作在一大約70%(亦即，
Figure 02_image001
)的繞射效率下。儘管有先前的內容，但在另一實施例中，設定所述第一振幅A1為不同於(例如，高於或低於)所述第二振幅A2可能是可接受的，只要由所述大小差異所產生的光斑形狀失真是在可接受的極限之內即可。 II.有關於利用多軸的AOD系統的雷射處理系統的範例實施例
根據某些實施例，參考圖2或3的任一個所述的多軸的AOD系統都可被納入在雷射處理的系統(例如是在圖6中所示的雷射處理的系統600)之內。參照圖6，所述雷射處理的系統600包含一雷射602、一多軸的AOD系統604(亦即，如同參考圖2或3的任一個所述來提供的)、一掃描透鏡606。
一般而言，所述雷射602是操作以產生一雷射能量射束608，其可以傳播至所述多軸的AOD系統604。所述雷射602例如可被提供為任何適合用於產生一連續的雷射能量射束或是一脈衝或準連續的雷射能量射束的雷射，其被表現為一系列的雷射脈衝，具有大於或等於(或是大約等於)0.25µs(例如，大於或等於0.25µs、0.5µs、0.75µs、1µs、1.5µs、2µs、5µs、10µs、15µs、20µs、40µs、50µs、100µs、200µs、500µs、1ms、20ms、50ms、100ms、500ms、1s等等、或是介於這些值的任一個之間)的一脈衝持續期間(亦即，根據所述脈衝中的光功率相對於時間的半峰全寬(FWHM))。可被設置為雷射602的雷射類型的例子是包含氣體雷射(例如，二氧化碳雷射、一氧化碳雷射、準分子雷射、等等)、CW及QCW光纖雷射、與類似者。根據所採用的特定雷射，藉由所述雷射602輸出的雷射能量的射束608可以具有一或多個在電磁頻譜的紫外線(UV)、可見光或紅外線(IR)範圍內的波長。
如上所論述，所述多軸的AOD系統604是操作以繞射所述入射的雷射能量射束608以便於產生一階的射束610。一般而言，所述多軸的AOD系統604可以如上所論述地操作以產生一高度衰減的一階的射束以作為所述一階的射束610。選配的是，所述多軸的AOD系統604亦可以操作來在其之一掃描場內掃描所述高度衰減的一階的射束610(例如，藉由調變被施加至前述第一AOD 100a及第二AOD 100b的任一個的RF驅動信號的頻率)。儘管有先前的內容，但所述多軸的AOD系統604亦可以操作以便於產生具有大於所述入射的雷射能量射束608的80%(例如，大於或等於80%、90%、95%、98%、99%等等、或是介於這些值的任一個之間)的平均功率、波峰功率、或是其之任意組合的一階的射束610。所述一階的繞射的射束610可以傳播至所述掃描透鏡606。
所述掃描透鏡606是操作以聚焦所述一階的繞射的射束610，藉此產生一聚焦的雷射能量射束612。所述聚焦的雷射能量射束612通常是傳播(例如，以一高斯射束)至一工件(未顯示)，以於其上達成材料處理。
儘管未被描繪，所述雷射處理的系統600通常將會包含一或多個其它光學構件(例如，擴束器、孔徑、濾波器、準直儀、透鏡、反射鏡、偏振器、波板、繞射光學元件、折射光學元件、或類似者、或是其之任意組合)，以在所述雷射能量(在所有的變化形下(亦即，作為射束608、610及/或612))從所述雷射602傳播至所述掃描透鏡606以及選配地傳播至待被處理的工件時，聚焦、擴張、準直、偏振、濾波、或者是修改、調節、導引、監視、分析、等等所述雷射能量。
選配的是，所述雷射處理的系統600包含一或多個射束定位器(未顯示)，當所述雷射能量的射束在所述雷射處理的系統600之內傳播時，其操作以掃描所述雷射能量的射束。任何射束定位器都可被配置在所述多軸的AOD系統604的光學上的上游、所述多軸的AOD系統604的光學上的下游、或是其之一組合。所述射束定位器可被設置為一電流計鏡、另一AOD、一光電的(EO)偏轉器(EOD)、一快速控制反射鏡(FSM)、一旋轉多邊形掃描器、或類似者、或是其之任意組合。根據所述類型，所述射束定位器的掃描場可以是大於、等於或小於(亦即，就尺寸或角度的範圍而論)所述多軸的AOD系統604的掃描場。同樣地，所述射束定位器的最大掃描速率(亦即，所述射束定位器可以可靠地定位所述雷射能量的射束在其掃描場之內的一指定的位置所在的最大速率)將很可能會小於或等於所述多軸的AOD系統604的最大掃描速率。
儘管未被描繪，所述雷射處理的設備600包含一或多個控制器，其被配置以控制所述雷射602、所述多軸的AOD系統604以及任何其它可以用一種可控制的方式來操作的構件(例如，一射束定位器)的操作。
如同此項技術中已知的，一控制器可包含一或多個處理器，其操作以在執行指令之際產生一或多個控制信號，以控制驅動所述多軸的AOD系統604中的每一個AOD的RF驅動器的操作。一處理器可被設置為一可程式化的處理器(例如，包含一或多個一般用途的電腦處理器、微處理器、數位信號處理器、或類似者、或是其之任意組合)，其操作以執行所述指令。可藉由所述處理器執行的指令可以用軟體、韌體、等等、或是用任何適當形式的電路，其包含可程式化的邏輯裝置(PLD)、現場可程式化的閘陣列(FPGA)、現場可程式化的物件陣列(FPOA)、特殊應用積體電路(ASIC)(包含數位、類比以及混合的類比/數位電路)或類似者、或是其之任意組合來實施。指令的執行可以在一處理器上執行、分散在處理器間、橫跨在一裝置之內的處理器或橫跨一網路的裝置平行的完成、或類似者、或是其之任意組合。如同此項技術中已知的，所述控制器可包含例如是電腦記憶體的實體的媒體，其是可藉由所述處理器存取的(例如，經由一或多個有線或無線的通訊鏈路)。如同在此所用的，"電腦記憶體"包含磁性的媒體(例如，磁帶、硬碟機、等等)、光碟、揮發性或非揮發性半導體記憶體(例如，RAM、ROM、NAND型快閃記憶體、NOR型快閃記憶體、SONOS記憶體等)、等等，並且可以本地、遠端(例如，橫跨一網路)、或是其之一組合來存取。一般而言，所述指令可被儲存為電腦軟體(例如，可執行的碼、檔、指令、等等、函式庫檔、等等)，其可以輕易地藉由技術人員從在此提出的說明來撰寫，例如以C、C++、Visual Basic、Java、Python、Tel、Perl、Scheme、Ruby、組件語言、硬體描述語言(例如，VHDL、VERILOG等等)、等等來撰寫。電腦軟體通常是被儲存在由電腦記憶體所載有的一或多個資料結構中。
考慮到以上內容，並且參考圖7，應該體認到的是所述雷射602是操作以產生一具有足夠高的平均或波峰功率的雷射能量射束608，使得在所述雷射能量藉由所述多軸的AOD系統604來繞射並且藉由所述掃描透鏡606來發送之後，所產生的聚焦的雷射能量射束612的能量內容是足以達成不同類型的工件的材料處理，而無非所要地損壞所述工件。在一實施例中，所述雷射處理的設備600可以根據被納入在此作為參考的WO2020/159666中敘述的實施例的任一個而被提供為一雷射處理的系統。 III.用於達成工件的材料處理的範例技術
在一實施例中，並且參考圖7，可利用所述雷射處理的系統600來處理的工件可以大致被分類為印刷電路板(PCB)。參照圖7，工件700(亦即，一PCB)包含一介電結構702，其具有接觸或者是黏著到一第一電性導體結構704(在此亦被稱為一"頂端導體")的一第一側。所述介電結構702可以用一種例如是FR4、聚醯亞胺、液晶聚合物、ABF等等的材料來加以設置。所述第一電性導體結構704可以由一種例如是銅或銅合金的材料所形成的一膜或箔來加以設置。所述第一電性導體結構704可以具有在從15µm(或附近)至1µm(或附近)的一範圍內的厚度。例如，所述第一電性導體結構704可以具有等於(或是大約等於)15µm、12µm、9µm、7µm、5µm、2µm、1.5µm、1µm等等、或是介於這些值的任一個之間的厚度。然而，在某些實施例中，所述第一電性導體結構704的厚度可以是大於15µm。選配的是，所述第一電性導體結構704的上表面例如可以藉由一化學反應、藉由一雷射暗化製程、等等來加以處理，以增加雷射能量的吸收。選配的是，所述工件700包含接觸或者是黏著到所述介電結構702的與所述第一側相反的一第二側的另一電性導體結構，例如是第二電性導體結構706(例如，一墊、一線路等等，其是由銅或銅合金、或類似者所形成的)。
所述工件700可以利用所述雷射處理的系統600來加以處理，以藉由任何適當的技術來形成一特點，例如是盲貫孔(BVH)、通孔(LTH)或其它開口、溝槽、槽、凹陷區域、或類似者。例如，一盲貫孔(BVH)708可被形成在所述工件700中，其藉由導引所述聚焦的雷射能量射束612到所述工件700之上(例如，使得所述聚焦的雷射能量射束612的束腰是在或接近所述工件700的表面)，以便於在所述第一電性導體結構704中形成一開口，並且移除在其之下的介電結構702。在此例子中，所述聚焦的雷射能量射束612可以具有一大於9µm(或附近)的波長。所述特點(在此例子中，所述盲貫孔708)可以藉由一"沖切"製程來加以形成(其中所述聚焦的雷射能量射束612傳播所沿著的軸相對於所述工件700是維持靜止的)、或是可以藉由一"旋切"或"光柵"製程來加以形成(其中所述聚焦的雷射能量射束612傳播所沿著的軸是相對於所述工件700而被移動或重新定位)。在所述特點是藉由一"旋切"或"光柵"製程而被形成的事件中，所述聚焦的雷射能量射束612可被掃描(例如，藉由適當地操作所述多軸的AOD系統604、一或多個射束定位器、或類似者、或是其之任意組合)。
根據以上論述的實施例，所述多軸的AOD系統604在工件處理期間操作所在的繞射效率是對應於：藉由所述雷射602輸出的雷射能量的射束608的平均或波峰功率；在所述雷射處理的設備600中的整體光學損失；以及所述第一電性導體結構704的厚度tc。在此例中，所述多軸的AOD系統604被操作所在的繞射效率是足夠高的以便於致能所述特點被形成，但又是足夠低的以便於避免所述工件700在處理期間變成受損的(並且致能所述特點被形成在可接受的品質的標準之內)。例如(並且假設藉由所述雷射602輸出的雷射能量的射束608的平均或波峰功率、以及在所述雷射處理的設備600中的整體光學損失是保持至少實質固定的)，若所述第一電性導體結構704的厚度是在一第一厚度範圍之內，則所述多軸的AOD系統604可被操作在一對應的第一繞射效率下；若所述第一電性導體結構704的厚度是在一第二厚度範圍之內(其具有比所述第一厚度範圍小的厚度)，則所述多軸的AOD系統604可被操作在一對應的第二繞射效率下(低於所述第一繞射效率)；若所述第一電性導體結構704的厚度是在一第三厚度範圍之內(其具有比小所述第二厚度範圍的厚度)，則所述多軸的AOD系統604可被操作在一對應的第三繞射效率下(低於所述第二繞射效率)；依此類推。作為另一例子的是，若一厚度範圍包含大於9µm的厚度，則所述多軸的AOD系統604可被操作在一大於或等於80%(例如，大於或等於85%、90%、95%、或是介於這些值的任一個之間)的繞射效率下；然而，若另一厚度範圍包含小於2µm的厚度，則所述多軸的AOD系統604可被操作在一小於80%(例如，小於或等於75%、70%、65%、60%、55%、50%、40%、30%、20%、10%、5%、2%、1%、0.5%、0.1%等等、或是介於這些值的任一個之間)的繞射效率下。 IV.結論
先前的內容是舉例說明本發明的實施例及例子，因而並非被解釋為限制其的。例如，作為以上相關圖4及5論述的RF振幅調變技術的額外或替代的是，高度衰減的一階的射束可以藉由在所述多軸的AOD系統中設置至少一AOD作為包含多個聲學地耦合至一共同的AO胞102的換能器104的AOD來產生。在此例中，所述換能器104可被驅動以便在所述AO胞102之內產生具有相等頻率的聲波，但是彼此稍微不同相的，以便於用一種稍微破壞性的方式來干擾，藉此減小所述AOD被驅動所在的繞射效率。在另一例子中，作為上述的技術的任一個的額外或替代的是，一塊型調變器或光學模式開關可被配置在所述多軸的AOD系統604的光學上的上游的射束路徑中，並且可被操作以在所述雷射能量的射束608進入所述多軸的AOD系統604之前，選擇性地衰減所述雷射能量的射束608。
再者，儘管實施例已經在以上論述，其中t_o是小於或至少實質等於t_i，但將會體認到的是t_o可以是大於t_i。再者，儘管以上相關圖4及5所述的實施例已經相關由兩個AOD所構成的多軸的AOD系統來論述，但將會體認到的是上述的實施例同樣可以應用到由超過兩個AOD所構成的多軸的AOD系統(例如，由三個AOD、四個AOD、等等所構成的多軸的AOD系統)。在此例中，將會體認到的是以上相關圖5所述的實施例可以根據所設置的AOD數目來修改。例如若一種三個AOD的多軸的AOD系統(亦即，一種由三個AOD所構成的多軸的AOD系統)將被操作在一所要的繞射效率下，則所述三個AOD的每一個可被操作在一等於(或至少實質等於)所述三個AOD的多軸的AOD系統的所要的繞射效率的立方根的繞射效率下。若一種四個AOD的多軸的AOD系統(亦即，一種由四個AOD所構成的多軸的AOD系統)將被操作在一所要的繞射效率下，則所述四個AOD的每一個可被操作在一等於(或至少實質等於)所述四個AOD的多軸的AOD系統的所要的繞射效率的四次方根的繞射效率下。歸納而論，若一種n個AOD的多軸的AOD系統(亦即，一種由n個AOD所構成的多軸的AOD系統，其中n是任何大於2的整數)將被操作在一所要的繞射效率下，則所述n個AOD的每一個可被操作在一等於(或是至少實質等於)所要的繞射效率的n次方根的繞射效率下。
儘管一些特定實施例及例子已經參考所述圖式來敘述，但是熟習此項技術者將輕易體認到許多對於所揭露的實施例及例子的修改以及其它實施例是可行的，而不實質脫離本發明的新穎教示及優點。於是，所有此種修改都欲被納入在如同所述請求項中界定的本發明的範疇內。例如，具有技能者將會體認到任何句子、段落、例子或是實施例之標的都可以和其它句子、段落、例子或是實施例的某些或全部之標的組合，除非此種組合是相互排斥的。因此，本發明的範疇應該是藉由以下的請求項所決定的，其中所述請求項的等同物是被納入於其中。
100:聲光偏轉器(AOD) 100a:第一AOD 100b:第二AOD 102:AO胞 104:換能器 106:聲波吸收器 108:RF驅動器 110:RF合成器 112:放大器 114:阻抗匹配電路 300:光學元件 600:雷射處理的系統 602:雷射 604:多軸的AOD系統 606:掃描透鏡 608:雷射能量射束 610:一階的射束 612:聚焦的雷射能量射束 700:工件 702:介電結構 704:第一電性導體結構 706:第二電性導體結構 708:盲貫孔(BVH) tc:厚度
[圖1]是概要地描繪根據一實施例的一聲光偏轉器(AOD)以及相關的驅動器。
[圖2及圖3]是概要地描繪多軸的AOD系統的不同的配置。
[圖4及圖5]是以一種概要地描繪多軸的AOD系統的方式來描繪根據某些實施例的用於達成例如那些在圖2及圖3中所示的多軸的AOD系統的可靠的低功率操作的技術的時序圖。
[圖6]是概要地描繪根據某些實施例的具有一多軸的AOD系統的一雷射處理的系統。
[圖7]是概要地描繪根據一實施例的一種利用在圖6中所示的雷射處理的系統來形成盲貫孔的技術。

Claims (12)

  1. 一種設備，其包括： 聲光偏轉器(AOD)系統，其操作以在二維的掃描場內偏轉雷射能量射束，所述AOD系統包含： 第一AOD，其操作以沿著所述二維的掃描場的第一軸來偏轉所述雷射能量的射束； 第二AOD，其被光學地配置在所述第一AOD的下游，其中所述第二AOD是操作以沿著所述二維的掃描場的第二軸來偏轉所述雷射能量的射束；以及 控制器，其在操作上耦接至所述AOD系統，其中所述控制器是被配置以驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個以在所述二維的掃描場之內偏轉所述雷射能量的射束，並且其中所述控制器進一步被配置以在至少實質相同的繞射效率下驅動所述第一AOD以及所述第二AOD。
  2. 如請求項1之設備，其中所述控制器進一步被配置以在小於80%的繞射效率下驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個。
  3. 如請求項2之設備，其中所述控制器進一步被配置以在小於70%的繞射效率下驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個。
  4. 如請求項3之設備，其中所述控制器進一步被配置以在小於50%的繞射效率下驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個。
  5. 如請求項1之設備，其中所述控制器進一步被配置以驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個，以在時間上分割來自所述雷射能量的射束的雷射脈衝。
  6. 如請求項1之設備，其中所述雷射能量的射束包括雷射脈衝，並且其中所述控制器是被配置以驅動所述第一AOD以及所述第二AOD的每一個以偏轉所述整個雷射脈衝。
  7. 如請求項1之設備，其進一步包括被光學地配置在所述AOD系統的下游的掃描透鏡。
  8. 如請求項1之設備，其進一步包括操作以產生所述雷射能量的射束的雷射。
  9. 如請求項8之設備，其中所述雷射能量的射束具有在電磁頻譜的紅外線範圍內的波長。
  10. 如請求項8之設備，其中所述雷射能量的射束具有在電磁頻譜的紫外線範圍內的波長。
  11. 如請求項1之設備，其中所述控制器是被配置以藉由控制被施加至從所述第一AOD以及所述第二AOD所構成的群組所選的至少一AOD的RF驅動信號的振幅，來控制從所述第一AOD以及所述第二AOD所構成的所述群組所選的所述至少一AOD被驅動所在的繞射效率。
  12. 如請求項1之設備，其中從所述第一AOD以及第二AOD所構成的群組所選的至少一個包含附接有複數個換能器的聲光胞，並且其中所述控制器被配置以藉由控制被施加至從所述第一AOD以及所述第二AOD所構成的所述群組所選的所述至少一AOD的每一個換能器的RF驅動信號所在的相位，來控制從所述第一AOD以及所述第二AOD所構成的所述群組所選的所述至少一AOD被驅動所在的繞射效率。
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