TW202223126A - 用於降低鎢電阻率的方法和設備 - Google Patents

Abstract

在基板上形成低電阻率鎢膜之方法及設備。在某些實施例中，一種降低鎢的電阻率之方法包括以氪的處理氣體且使用具有大約60 MHz的頻率的RF功率及磁控管在物理氣相沉積（PVD）腔室的處理空間中產生電漿；在大約13.56 MHz的頻率下施加偏壓功率至基板；及濺射鎢標靶以在基板上沉積鎢薄膜。至少大約90%的沉積的鎢薄膜具有大約平行於基板的頂部表面的1-1-0晶體定向平面。

Description

用於降低鎢電阻率的方法和設備

本原理的實施例大致關於半導體基板的半導體處理。

選擇用於半導體結構的材料通常基於需要用於結構的大小及尺寸而選擇。隨著對更小關鍵尺寸的需求而縮小結構的大小，選擇的材料的限制可造成路障而制止進一步小型化。在500埃的厚度下具有低電阻率的材料可在250埃下成為高電阻，而限制在更小大小的結構中材料的使用。發明人已觀察到隨著鎢的厚度降低，鎢大幅增加電阻率。對更薄的鎢層的需要可驅動製造商放棄鎢且尋找昂貴替代物，而增加半導體結構的成本。

因此，發明人已提供強化的方法及設備，用於降低鎢的電阻率。

此處提供用於降低鎢的電阻率之方法及設備。

在某些實施例中，一種降低鎢的電阻率之方法，包含以氪的一處理氣體且使用具有大約60 MHz的一頻率的RF功率及一磁控管在一物理氣相沉積（PVD）腔室的一處理空間中產生一電漿；在大約13.56 MHz的一頻率下施加偏壓功率至一基板；及濺射一鎢標靶以在該基板上沉積一鎢薄膜，其中至少大約90%的該鎢薄膜具有大約平行於該基板的一頂部表面的一1-1-0晶體定向平面。

在某些實施例中，方法可進一步包括當該基板以矽組成時，在一第一溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜；或當該基板以氮化矽組成時，在一第二溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜，其中該第一溫度不同於該第二溫度；使用一磁場以影響在該PVD腔室中的電漿密度及分佈及在該基板上的沉積均勻性；其中該鎢薄膜在大約200埃的一厚度下具有大約9.5 µohm-cm或更少的一電阻率值；及/或其中該RF功率為大約4千瓦或更多，且其中該偏壓功率為大於零至小於大約500千瓦。

在某些實施例中，一種具有指令儲存於其上的非暫態電腦可讀取媒體，當執行時，造成實行用於降低鎢的電阻率的一方法，該方法包含以氪的一處理氣體且使用在大約40 MHz至大約75 MHz的一頻率下的RF功率及一磁控管在一物理氣相沉積（PVD）腔室的一處理空間中產生一電漿；施加偏壓功率至一基板；施加一電流至環繞該處理空間在靠近該基板的一位準處的一電磁鐵；及濺射一鎢標靶以在該基板上沉積一鎢薄膜。

在某些實施例中，非暫態電腦可讀取媒體的方法可進一步包括其中該偏壓功率具有13.56 MHz的一頻率；其中該RF功率為大於零至大約10千瓦；其中該RF功率為大約4千瓦；其中該偏壓功率為大於零至大約500瓦；當該基板以矽組成時，在一第一溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜；或當該基板以氮化矽組成時，在一第二溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜，其中該第一溫度不同於該第二溫度；其中該RF功率具有大約60 MHz的一頻率；其中至少大約90%的該鎢薄膜具有大約平行於該基板的一頂部表面的一1-1-0晶體定向平面；使用一磁場以影響在該PVD腔室中的電漿密度及分佈及在該基板上的沉積均勻性；及/或其中該鎢薄膜在200埃的一厚度下具有大約9.5 µohm-cm或更少的一電阻率值。

在某些實施例中，一種用於沉積具有低電阻率的鎢膜之設備，可包含一物理氣相沉積（PVD）腔室，具有佈置於一標靶及一基板支撐件之間的一處理空間，其中該PVD腔室具有大約75 mm至大約150 mm的一標靶至基板間隔，且其中該標靶以鎢製成，且配置用於藉由在該處理空間中產生的電漿來濺射；一磁控管，配置成在該標靶的濺射期間產生磁場；一處理氣體供應源，配置成提供氪氣體至該處理空間中；一RF功率源，配置成在大約40 MHz至大約75 MHz的一頻率下於該處理空間之中從該氪氣體產生一電漿；一偏壓功率源，配置成供應一偏壓至放置於該基板支撐件上的一基板；及一磁場源，在靠近該基板支撐件的一頂部表面的一位準處環繞該處理空間，其中該磁場源配置成影響在該PVD腔室中的電漿密度及分佈及在該基板上的沉積均勻性。

在某些實施例中，設備可進一步包括其中該RF功率源配置成在大約60 MHz的一頻率下以大約4千瓦的一功率於該處理空間之中產生一電漿；其中該偏壓功率源配置成在13.56 MHz的一頻率下以大於零至小於大約500瓦的一功率操作；其中該磁場源為一電磁鐵，具有一雙線圈及一可調整磁場；及/或其中該磁場源為複數個永久磁鐵，放置於且間隔於該PVD腔室的外部。

以下揭露其他及進一步實施例。

提供降低鎢（W）薄膜的電阻率之方法及設備。沉積鎢薄膜使得在鎢的主要晶體結構中建立較小平均自由路徑（鎢晶體定向1-1-0）。在某些實施例中，沉積的鎢薄膜可具有95%或更大的1-1-0晶體定向平行於基板的頂部表面的平面。舉例而言，方法及設備使得物理氣相沉積（PVD）腔室具有非常高頻率（VHF）電漿產生功率源，與磁控管一起濺射鎢標靶，以在偏壓的基板上沉積鎢薄膜。範例結合提升1-1-0晶體定向的成長，導致低電阻率鎢用於薄膜應用。

藉由DC功率源沉積的PVD鎢已在動態隨機存取記憶體（DRAM）位元線中使用許多年，提供用於DRAM位元線較低的電阻率金屬膜。然而，透過技術節點縮小元件，對鎢的關鍵尺寸（CD）變得更小，導致對薄膜鎢（大約15 nm或更小）更高的電阻率。用於薄膜鎢電阻率降低的早先方法已達到功能限制。本原理的方法及設備能夠對薄膜鎢降低電阻率，以有利地延伸鎢的使用至未來科技節點中。舉例而言，在100至300埃的鎢膜上，相較於DC電漿濺射處理可達成於氧化物基板上大約5%至15%或更多的鎢膜電阻率降低。1-1-0晶體定向從對DC電漿濺射處理的約60%增加至使用本原理在VHF RF電漿濺射處理中超過90%。鎢1-1-0成長的增強已在不同基板上觀察到，舉例而言，氮化矽（SiN）亦然。本原理之益處在DRAM位元線基板上甚至更加顯著，舉例而言，其中相較於DC電漿濺射處理，以VHF RF PVD W在WSiN基板上達成超過20%的電阻率降低。

沉積的材料的晶粒大小、相位結構、不純物、表面粗糙度及密度造成沉積的膜的電阻率的因素。發明人已察覺膜型態對低電阻率比表面粗糙度及密度更加關鍵。不同的膜型態表示不同的晶體定向。低電阻率膜將具有在平行於基板的表面平面的平面中更多的1-1-0晶體定向。在沉積層中高位準的1-1-0晶體定向將具有柱狀型態，具有如在AMF（原子力顯微鏡）掃描或頂部TEM（透射電子顯微鏡）掃描中可見的羽毛狀拓樸。RF功率的頻率、磁控管的操作、偏壓功率、溫度及低壓在1-1-0晶體定向的形成上均具有影響。

第1圖為設備，其中可實行用於降低鎢的電阻率之方法。設備包括PVD腔室100，具有源組件118，標靶124及基板支撐件130。磁控管組件134用以在處理期間限制接近標靶的電子。磁控管組件134可開啟、關閉、部分關閉等等。PVD腔室100具有佈置於標靶124及基板支撐件130之間的處理空間122。處理空間122可藉由護套126環繞。在某些實施例中，標靶至基板的距離104為大約75 mm至大約150 mm。在某些實施例中，標靶至基板的距離104為大約90 mm至大約150 mm。在某些實施例中，標靶至基板的距離104為大約95 mm。RF功率源102透過RF匹配網路140提供RF功率以在處理空間122中建立電漿120。在某些實施例中，RF功率源102在大約40 MHz至大約75 MHz的頻率下提供RF功率。在某些實施例中，RF功率源102在大約50 MHz至大約70 MHz的頻率下提供RF功率。在某些實施例中，RF功率源102在大約60 MHz的頻率下提供RF功率。在某些實施例中，RF功率源102在大約65 MHz或更大的頻率下提供RF功率。RF功率的頻率增加改變離子能量分佈。頻率越高在沉積的鎢薄膜中達到更多的1-1-0鎢晶體定向的形成。頻率上限主要歸因於腔室設計限制。在某些實施例中，RF功率源在大於零至大約10千瓦或更多的功率下操作。在某些實施例中，RF功率源在大於大約3千瓦至大約10千瓦的功率下操作。在某些實施例中，RF功率源在大約4千瓦的功率下操作。在某些實施例中，RF功率源在大約6千瓦至大約10千瓦的功率下操作。功率越高在沉積的鎢薄膜中產生更多的1-1-0鎢晶體定向。功率上限主要歸因於PVD腔室的限制，歸因於應力。非常高頻率RF亦在基板128上提供增加的離子密度。

偏壓功率源116透過偏壓匹配網路114提供偏壓功率至基板128。在某些實施例中，偏壓功率源116在大約13.56 MHz的頻率下提供偏壓功率。在某些實施例中，偏壓功率源以大於零至大約500瓦的功率操作。在某些實施例中，偏壓功率源以大約200瓦至大約400瓦的功率操作。偏壓功率用以控制基板電位且在基板表面處增加離子能量。在某些實施例中，RF功率、偏壓功率及磁控管的結合於PVD沉積期間能夠提升在1-1-0平面中的鎢晶體成長。鎢的1-1-0定向具有較小的平均自由路徑及較低的電阻率，特別對於薄膜沉積而言。PVD腔室100亦可包括處理氣源106，而在電漿產生期間提供處理氣體至處理空間122。在某些實施例中，處理系體可包括氪。氪在處理期間可用以降低併入沉積材料中處理氣體材料的量，增加沉積材料的純度。真空源132亦可包括在PVD腔室100中，以允許調整處理空間122內側的壓力。在更低壓力下達成更多的1-1-0晶體定向的成長。在某些實施例中，壓力可為從大約1 mTorr至大約15 mTorr。

PVD腔室100亦可包括具有至少一個加熱元件138的加熱系統136，以允許在處理期間控制基板128溫度。在某些實施例中，加熱系統136可承受在大約攝氏150度至大約攝氏450度的溫度下的基板。在某些實施例中，加熱系統136可承受在大約攝氏200度至大約攝氏400度的溫度下的基板。更高的基板溫度提升在沉積材料中更大晶粒大小的形成。發明人已發現基板溫度對不同類型的基板材料影響不同的1-1-0晶體定向的形成（見以下討論）。

發明人已察覺當以偏壓功率操作PVD腔室時，歸因於磁控管設計及標靶對磁控管的間隔，偏壓功率造成相較於中心的基板的邊緣的高重新濺射。發明人已發現磁場源可用以降低在基板邊緣處的高重新濺射比例，而增加膜均勻性。磁場源影響在腔室中的電漿產生及分佈，而影響在基板上的沉積輪廓。在某些實施例中，PVD腔室100可包括在靠近基板128的位準處環繞處理空間122的磁場源108。在某些實施例中，磁場源108可為電磁鐵（顯示於第1圖中），舉例而言，具有雙線圈110、112。可藉由調整藉由線圈的電流的位準及/或藉由線圈的電流的方向，而在處理期間調整電磁鐵的磁場。在某些實施例中，電流可從大於零至大約25安培。在某些實施例中，電流可為大約6安培。在如第2圖的俯視圖200中所顯示的某些實施例中，磁場源108可包括複數個永久磁鐵202間隔在處理空間122四周。發明人已察覺複數個永久磁鐵202影響在處理空間122中的磁分佈，及均勻性，在基板上沉積的材料的均勻性。在某些實施例中，永久磁鐵202可用以調整在基板上的邊緣沉積。永久磁鐵202的定向（例如，北極向上或南極向上的定向）的邊緣沉積效應（例如，在邊緣上沉積的增加或減少）取決於腔室及/或磁控管設計。

控制器198控制PVD腔室100的操作，包括例如磁控管操作、基板溫度及電磁場。在操作中，控制器198能夠從分別的系統收集及回饋資料，以優化PVD腔室100的效能。控制器198通常包括中央處理單元（CPU）160、記憶體158及支援電路162。CPU 160可為任何形式的通用電腦處理器，而可在工業設定中使用。支援電路162傳統耦合至CPU 160，且可包含快取、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源供應器及類似者。軟體常式，例如以上所述的方法，可儲存於記憶體158中，且當藉由CPU 160執行時，將CPU 160轉變成專用電腦（控制器198）。軟體常式亦可藉由從PVD腔室100遠端定位的第二控制器（未顯示）儲存及/或執行。

記憶體158在電腦可讀取儲存媒體的形式中，而含有指令，當藉由CPU 160執行時，促進半導體處理及裝備的操作。在記憶體158中的指令於程式產品的形式中，例如實施本原理之方法的程式。程式碼可符合數個不同程式語言之任何一者。在一個範例中，本揭露案可實施作為與電腦系統一起使用的儲存於電腦可讀取儲存媒體上的程式產品。程式產品的程式界定態樣的功能（包括此處所述之方法）。圖示電腦可讀取儲存媒體包括但非限於：不可寫入儲存媒體（例如，在電腦之中的唯讀記憶體元件，例如藉由CD-ROM驅動可讀取的CD-ROM碟、快閃記憶體、ROM晶片或任何類型的固態非揮發性半導體記憶體），在其上永久儲存資訊；及可寫入儲存媒體（例如，在卡匣驅動或硬碟驅動之中的軟碟或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體），在其上儲存可替換資訊。當承載導向此處所述之方法的功能的電腦可讀取指令時，此等電腦可讀取儲存媒體為本原理之態樣。

第3圖根據某些實施例，為降低在鎢沉積中電阻率之方法300。在方塊302中，使用氪作為處理氣體及在大約40 MHz至大約75 MHz之頻率下的RF功率於PVD腔室的處理空間中產生電漿，以磁控管濺射鎢標靶。磁控管藉由接近標靶的電漿促進限制電子生成，以增加在基板上的離子密度。在處理期間氪可用以降低併入沉積材料中的處理氣體材料的量，增加沉積材料的純度且減少沉積材料的電阻率。在某些實施例中，RF功率具有大約40 MHz至大約70 MHz的頻率。在某些實施例中，RF功率具有大約50 MHz至大約70 MHz的頻率。在某些實施例中，RF功率具有大約60 MHz的頻率。在某些實施例中，RF功率具有大約65 MHz或更大的頻率。RF功率的頻率增加改變離子能量分佈。頻率越高在沉積的鎢薄膜中達到更多的1-1-0鎢晶體定向的形成。頻率上限主要歸因於腔室設計限制。在某些實施例中，RF功率為大於零至大約10千瓦。在某些實施例中，RF功率為大約4千瓦。在某些實施例中，RF功率為大約6千瓦至大約10千瓦。功率越高在沉積的鎢薄膜中產生更多的1-1-0鎢晶體定向。功率上限主要歸因於PVD腔室的限制，歸因於應力。非常高頻率RF亦可提供在基板表面上增加的離子密度。

在方塊304中，偏壓功率施加至基板。在某些實施例中，偏壓功率具有大約13.56 MHz的頻率。在某些實施例中，偏壓功率為大於零至大約500瓦。在某些實施例中，偏壓功率源在大約200瓦至大約400瓦的功率下操作。偏壓功率用以控制基板電位且在基板表面處增加離子能量。在某些實施例中，於可選方塊306中，電流透過環繞處理空間的電磁鐵施加，以影響在PVD腔室中的電漿密度及分佈，且影響在基板上的沉積均勻性。電磁鐵在靠近基板支撐件或當基板存在時基板的頂部表面的位準處環繞處理空間。在某些實施例中，可使用永久磁鐵取代電磁鐵。

在方塊308處，鎢濺射至基板上，以形成鎢薄膜。在某些實施例中，RF功率、偏壓功率及磁控管的結合能夠提升在PVD沉積期間於1-1-0平面中的鎢晶體成長。鎢的1-1-0定向具有較小的平均自由路徑及較低的電阻率，特別對於薄膜沉積而言。在某些實施例中，至少大約90%的鎢薄膜具有大約平行於基板的頂部表面的1-1-0晶體定向平面，實質上減少鎢薄膜的電阻率。發明人亦發現當沉積發生於不同材料的基板上時，溫度影響鎢1-1-0晶體定向。舉例而言，WSi基板、WSiN基板及SiN基板可具有不同的基板溫度用於優化1-1-0晶體定向的形成。本原理之方法允許在200埃的厚度下沉積具有大約9.5 µohm-cm或更少的電阻率值的鎢薄膜。在某些實施例中，於200埃的厚度下可沉積具有大約9.0 µohm-cm或更少的電阻率值的鎢薄膜。

根據本原理的實施例可在硬體、韌體、軟體或其任意結合中實施。實施例亦可實施作為使用一或更多電腦可讀取媒體儲存的指令，而可藉由一或更多處理器讀取及執行。電腦可讀取媒體可包括以藉由機器（例如，計算平台或在一或更多計算平台上運行的「虛擬機器」）可讀取的形式用於儲存或傳送資訊的任何機制。舉例而言，電腦可讀取媒體可包括任何適合形式的揮發或非揮發記憶體。在某些實施例中，電腦可讀取媒體可包括非暫態電腦可讀取媒體。

儘管以上導向本原理的實施例，可衍生本原理的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇。

100:腔室 102:RF功率源 104:距離 106:處理氣源 108:磁場源 110:雙線圈 112:雙線圈 114:偏壓匹配網路 116:偏壓功率源 118:源組件 120:電漿 122:處理空間 124:標靶 126:護套 128:基板 130:基板支撐件 132:真空源 134:磁控管組件 136:加熱系統 138:加熱元件 140:RF匹配網路 158:記憶體 160:CPU 162:支援電路 198:控制器 200:俯視圖 202:永久磁鐵 300:方法 302:方塊 304:方塊 306:方塊 308:方塊

以上簡要概述且以下更詳細討論的本原理的實施例可藉由參考在隨附圖式中描繪的本原理的圖示實施例而理解。然而，隨附圖式僅圖示本原理的通常實施例，且因此不應考量為範疇之限制，因為本原理可認可其他均等效果的實施例。

第1圖根據本原理的某些實施例，描繪處理腔室。

第2圖根據本原理的某些實施例，描繪藉由磁鐵環繞的處理空間的俯視圖。

第3圖根據本原理的某些實施例，為降低在鎢沉積中電阻率之方法。

為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照比例繪製，且為了清楚可簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:腔室

102:RF功率源

104:距離

106:處理氣源

108:磁場源

110:雙線圈

112:雙線圈

114:偏壓匹配網路

116:偏壓功率源

118:源組件

120:電漿

122:處理空間

124:標靶

126:護套

128:基板

130:基板支撐件

132:真空源

134:磁控管組件

136:加熱系統

138:加熱元件

140:RF匹配網路

158:記憶體

160:CPU

162:支援電路

198:控制器

Claims (20)

1. 一種降低鎢的電阻率之方法，包含以下步驟： 以氪的一處理氣體且使用具有大約60 MHz的一頻率的RF功率及一磁控管在一物理氣相沉積（PVD）腔室的一處理空間中產生一電漿； 在大約13.56 MHz的一頻率下施加偏壓功率至一基板；及 濺射一鎢標靶以在該基板上沉積一鎢薄膜，其中至少大約90%的該鎢薄膜具有大約平行於該基板的一頂部表面的一1-1-0晶體定向平面。
2. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟： 當該基板以矽組成時，在一第一溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜；或 當該基板以氮化矽組成時，在一第二溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜， 其中該第一溫度不同於該第二溫度。
3. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟： 使用一磁場以影響在該PVD腔室中的電漿密度及分佈及在該基板上的沉積均勻性。
4. 如請求項1所述之方法，其中該鎢薄膜在大約200埃的一厚度下具有大約9.5 µohm-cm或更少的一電阻率值。
5. 如請求項1所述之方法，其中該RF功率為大約4千瓦或更多，且其中該偏壓功率為大於零至小於大約500千瓦。
6. 一種具有指令儲存於其上的非暫態電腦可讀取媒體，當執行時，造成實行用於降低鎢的電阻率的一方法，該方法包含以下步驟： 以氪的一處理氣體且使用在大約40 MHz至大約75 MHz的一頻率下的RF功率及一磁控管在一物理氣相沉積（PVD）腔室的一處理空間中產生一電漿； 施加偏壓功率至一基板； 施加一電流至環繞該處理空間在靠近該基板的一位準處的一電磁鐵；及 濺射一鎢標靶以在該基板上沉積一鎢薄膜。
7. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該偏壓功率具有13.56 MHz的一頻率。
8. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該RF功率為大於零至大約10千瓦。
9. 如請求項8所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該RF功率為大約4千瓦。
10. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該偏壓功率為大於零至大約500瓦。
11. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，該方法進一步包含以下步驟： 當該基板以矽組成時，在一第一溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜；或 當該基板以氮化矽組成時，在一第二溫度下於該基板上沉積該鎢薄膜， 其中該第一溫度不同於該第二溫度。
12. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該RF功率具有大約60 MHz的一頻率。
13. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中至少大約90%的該鎢薄膜具有大約平行於該基板的一頂部表面的一1-1-0晶體定向平面。
14. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，該方法進一步包含以下步驟： 使用一磁場以影響在該PVD腔室中的電漿密度及分佈及在該基板上的沉積均勻性。
15. 如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該鎢薄膜在200埃的一厚度下具有大約9.5 µohm-cm或更少的一電阻率值。
16. 一種用於沉積具有低電阻率的鎢膜之設備，包含： 一物理氣相沉積（PVD）腔室，具有佈置於一標靶及一基板支撐件之間的一處理空間，其中該PVD腔室具有大約75 mm至大約150 mm的一標靶至基板間隔，且其中該標靶以鎢製成，且配置用於藉由在該處理空間中產生的電漿來濺射； 一磁控管，配置成在該標靶的濺射期間產生磁場； 一處理氣體供應源，配置成提供氪氣體至該處理空間中； 一RF功率源，配置成在大約40 MHz至大約75 MHz的一頻率下於該處理空間之中從該氪氣體產生一電漿； 一偏壓功率源，配置成供應一偏壓至放置於該基板支撐件上的一基板；及 一磁場源，在靠近該基板支撐件的一頂部表面的一位準處環繞該處理空間，其中該磁場源配置成影響在該PVD腔室中的電漿密度及分佈及在該基板上的沉積均勻性。
17. 如請求項16所述之設備，其中該RF功率源配置成在大約60 MHz的一頻率下以大約4千瓦的一功率於該處理空間之中產生一電漿。
18. 如請求項16所述之設備，其中該偏壓功率源配置成在13.56 MHz的一頻率下以大於零至小於大約500瓦的一功率操作。
19. 如請求項16所述之設備，其中該磁場源為一電磁鐵，具有一雙線圈及一可調整磁場。
20. 如請求項16所述之設備，其中該磁場源為複數個永久磁鐵，放置於且間隔於該PVD腔室的外部。

Images