TW202221172A - 電鍍裝置及方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示了一種電鍍裝置，包括多個電極，所述的多個電極包括主電極和至少兩個第二電極，各電極在晶圓表面對應區域形成電場，各第二電極與主電極之間分別可選擇的獨立控制或共同控制，所述的電極分別帶有控制介面，通過選擇各第二電極與主電極之間的控制關係的組合方式，實現對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍。本發明提出的電鍍裝置能對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍，而不需要更換整個電鍍腔。

Description

電鍍裝置及方法

本發明關於半導體製造領域，尤其關於一種電鍍裝置及方法。

在半導體製造領域，電鍍工藝以晶圓為被鍍基體，通過在特定區域形成金屬層或者金屬導線，以實現具體的電路功能；另外在先進封裝的環節中，同樣採用電鍍的方式，在晶圓上形成銅柱、焊料凸點以實現晶片與基板的互連。

在杯鍍式電鍍機中，晶圓被水平地放置在夾具上作為陰極，在電鍍時晶圓浸入電鍍液，可溶性或不可溶性的陽極在晶圓的下方，通過電場的作用，電鍍液中的金屬離子沉積到晶圓表面。

含有非電鍍區域（晶圓的缺口處）的晶圓在進行整體電鍍時，由於非電鍍區域的光刻膠沒有開口，也沒有金屬沉積，在非電鍍區域周邊的開口處的電流就會更加集中，最終的結果是這些區域的電鍍高度高於其它位置，這將造成產品良率的降低。因此在之前的專利中（CN 110512248 A），提出了一種多電極電鍍設備，每一個電極形成一個獨立電場，當晶圓的缺口旋轉至指定區域時，可以改變該區域對應的獨立電場，降低該指定區域接收到的總電量來降低缺口處的電鍍高度。

此外，由於“終端效應”，整片晶圓上的電流密度不是均勻的，這種不均勻性導致晶圓邊緣的電鍍速率較高，晶圓中心的電鍍速率較低，從而導致鍍膜的不均勻性。擴散板在陰極與陽極之間，表面設有許多通孔，孔的直徑從中心向邊緣減少。擴散板的這種設計加強了晶圓中心區域電鍍液的流動，並加強了中心電場，使得整片晶圓上電鍍金屬的高度更加均勻。

對於不同尺寸或具有不同缺口形狀的晶圓，電極的位置也需要隨之改變，繼而需要改動整個電鍍腔的設計，這無疑會增加大量的成本。

本發明的一個目的是使電鍍裝置能對不同尺寸或具有不同缺口形狀的晶圓進行電鍍，在進行不同尺寸或具有不同缺口形狀的晶圓電鍍切換時，不需要更換整個電鍍腔。

為實現上述目的，本發明一個實施例提出了一種電鍍裝置，包括多個電極，所述的電極包括主電極和至少兩個第二電極，各電極在晶圓表面對應區域形成電場，各第二電極與主電極之間分別可選擇的獨立控制或共同控制，各電極分別帶有控制介面，通過選擇各第二電極與主電極之間的控制關係的組合方式，實現對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍，所述的控制關係為獨立控制或共同控制。

作為可選方式，所述的第二電極與主電極之間獨立控制時，第二電極在對應區域形成的電場與主電極形成的電場強度不同，所述的第二電極與主電極之間共同控制時，第二電極在對應區域形成的電場與主電極形成的電場強度相同。

作為可選方式，所述的控制介面為電源介面，所述的主電極連接至主電源，各第二電極可選擇的連接至第二電源或主電源。

作為可選方式，所述的主電極與晶圓的中心區域相對應，各第二電極的對應區域形成的電場不重疊。

作為可選方式，所述的第二電極數量為2個，第一個第二電極對稱軸與第二個第二電極對稱軸之間的夾角為180°。

作為可選方式，每個第二電極對應一個晶圓缺口，其中主電極中心與較大尺寸晶圓的缺口對應的第二電極之間的距離為較大距離，主電極中心與較小尺寸晶圓的缺口對應的第二電極之間的距離為較小距離。

作為可選方式，各第二電極分別設置在第一圍牆內，所述的第一圍牆用於分隔第二電極形成的電場與主電極形成的電場。

作為可選方式，電鍍裝置還包括設置在離子膜骨架上的離子膜，所述的離子膜位於所述的多個電極與晶圓之間，用於分隔電鍍腔的陰極區域和陽極區域，所述的第一圍牆的端部與所述的離子膜相接。

進一步的，為了對晶圓的電鍍高度進行更好的控制，所述的離子膜與晶圓之間安裝有擴散板，所述的擴散板上具有與待電鍍晶圓尺寸相匹配的通孔區域，所述的通孔區域中設有多個通孔，所述的離子膜與擴散板之間設有第二圍牆，所述的第二圍牆兩端分別與離子膜骨架和擴散板相接，所述的第二圍牆的形狀及位置與所述的第一圍牆的形狀及位置匹配。

進一步的，為了對晶圓缺口附近的電鍍高度進行更好的控制，所述的離子膜與晶圓之間安裝有主擴散板，所述的主擴散板上具有主通孔區域，所述的主通孔區域中設有至少一個缺口，所述的缺口的形狀和位置與至少一個第二電極匹配，所述的離子膜骨架上設有第二圍牆，所述的第二圍牆的形狀及位置與所述的第一圍牆的形狀及位置匹配，所述的第二圍牆端部設有第二擴散板，所述的第二擴散板上具有第二通孔區域，所述的主通孔區域和第二通孔區域中設有多個通孔，當主擴散板安裝好後，將第二擴散板對應安裝在主擴散板上的缺口處，主擴散板的主通孔區域和第二擴散板的第二通孔區域拼合成完整的圓形。

作為可選方式，所述的主擴散板和二擴散板可拆卸的安裝。

作為可選方式，所述的擴散板與晶圓之間可拆卸的安裝有擋板，所述的擋板用於遮擋通孔區域的外圈，以適用不同尺寸的晶圓電鍍。

作為可選方式，所述的第二通孔區域中的通孔密度小於主通孔區域中的通孔密度，並且/或第二通孔區域中的通孔孔徑小於主通孔區域中的通孔孔徑。

本發明一個實施例提出了一種電鍍方法，該方法使用具有電極的電鍍設備在晶圓表面進行電鍍，所述的電極包括主電極和至少兩個第二電極，控制各電極在晶圓表面對應區域形成電場，各第二電極與主電極之間分別可選擇的獨立控制或共同控制，通過改變各第二電極與主電極之間的控制關係的組合方式，實現對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍。

作為可選方式，通過將所述的主電極連接至主電源，將各第二電極可選擇的連接至第二電源或主電源，實現各第二電極與主電極之間的獨立控制或共同控制。

作為可選方式，通過將主電極連接至主整流器，將各第二電極可選擇的連接至第二整流器或主整流器，實現各第二電極與主電極之間的獨立控制或共同控制。

本發明可在不對電鍍腔體進行整體更換的前提下，使電鍍裝置適應不同尺寸或具有不同缺口形狀的晶圓，減少設備成本，更好的控制晶圓各處的電鍍高度。

為詳細說明本發明的技術內容、構造特徵、所達成目的及效果，下面將結合實施例並配合圖式予以詳細說明。

本發明的實施例披露的電鍍裝置，包括主電極和至少兩個第二電極，各電極在晶圓表面對應區域形成電場，各電極分別帶有控制介面，通過選擇各第二電極與主電極之間的控制關係的組合方式，實現對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍，所述的控制關係為獨立控制或共同控制，控制介面可以是用於連接至電源的電源介面，也可以是用於連接至多路開關電路的開關介面等。

以下是本發明電鍍裝置的具體實施例。

實施例1 參照圖1，展示了實施例1的電鍍裝置的俯視示意圖。電鍍裝置包括電鍍腔4，陽極區域位於電鍍腔4的底層，陽極區域中有3個電極，分別位於主陽極區域1、12寸晶圓第二陽極區域2和8寸晶圓第二陽極區域3。 主陽極區域1設有一個通孔5用於將主陽極區域1內的主電極連接主電源的正極；兩個第二陽極區域各有一個通孔5分別用於將12寸晶圓第二陽極區域2內的第二電極和8寸晶圓第二陽極區域3內的第二電極連接第二電源的正極或主電源的正極，實際電鍍中根據晶圓的尺寸進行選擇連接。通孔5作為電源介面，可用於將各電極連接至各種類型的電源，例如PWM開關電源、線性電源等。 8寸晶圓第二陽極區域3的形狀和位置與8寸晶圓的缺口的形狀和位置對應，12寸晶圓第二陽極區域2的形狀和位置與12寸晶圓的缺口的形狀和位置對應，且12寸晶圓第二陽極區域2與電鍍腔4中心的最近距離大於8寸晶圓第二陽極區域3與電鍍腔4中心的最遠距離，也就是說，8寸晶圓所覆蓋的區域與12寸晶圓缺口所覆蓋的區域沒有重疊。主陽極區域1為帶有兩個缺口的圓形，12寸晶圓第二陽極區域2和8寸晶圓第二陽極區域3位於缺口中。主陽極區域1圓心與待電鍍晶圓的圓心相對，8寸晶圓第二陽極區域3與主陽極區域1圓心的距離小於12寸晶圓第二陽極區域2與主陽極區域1圓心的距離。 參照圖11A，8寸晶圓電鍍時，將第二電源11的正極連接8寸晶圓第二陽極區域3內的第二電極，12寸晶圓第二陽極區域2內的第二電極不接電源，將主陽極區域1內的主電極連接主電源10的正極。參照圖11B，12寸晶圓電鍍時，將8寸晶圓第二陽極區域3內的第二電極與主陽極區域1內的主電極並聯，接主電源10的正極，將12寸晶圓第二陽極區域2內的第二電極連接第二電源11的正極。圖11A、圖11B和圖12中，主電源10和第二電源11的負極均通過基板夾具13連接至晶圓14。 具體地，8寸晶圓電鍍時，由於12寸晶圓第二陽極區域2與8寸晶圓沒有重疊，因此12寸晶圓第二陽極區域2不工作，不產生電場；由於8寸晶圓第二陽極區域3內的第二電極與主陽極區域1內的主電極各自連接獨立的電源，因此產生的電場強度可以分別控制，從而控制8寸晶圓缺口旋轉至指定位置時接收到的總電量，以使8寸晶圓缺口附近的電鍍高度與其他區域一致。 12寸晶圓電鍍時，由於12寸晶圓缺口與8寸晶圓沒有重疊，且8寸晶圓第二陽極區域3被包含在12寸晶圓覆蓋範圍內，因此需要共同控制8寸晶圓第二陽極區域3內的第二電極與主陽極區域1內的主電極，均連接至主電源10的正極，以產生相同強度的電場，12寸晶圓第二陽極區域2內的第二電極連接第二電源11的正極，與主陽極區域1和8寸晶圓第二陽極區域3產生不同強度的電場。 為了降低12寸晶圓第二陽極區域2和8寸晶圓第二陽極區域3之間的影響，二者最好儘量遠離，二者各自的對稱軸之間的夾角最好為180°。

實施例2 參照圖2，與實施例1不同的是，實施例2的電鍍裝置中，主陽極區域1設有多個通孔5，在電鍍過程中，各通孔5均連接主電源的正極，以提高電場均勻性。各第二電極分別設置在一第一圍牆6內，第一圍牆6用於分隔第二電極形成的電場與主電極形成的電場，更好地控制晶圓缺口區域附近的電鍍高度。 其他結構與實施例1相同。

實施例3 參照圖3，實施例3的電鍍裝置包含了實施例2的電鍍裝置的所有結構，在此不再重複。 此外，陽極區域的上方有一層離子膜7，離子膜7設置在離子膜骨架上，其劃分了電鍍腔4的陰極區域和陽極區域，離子膜7的上方是陰極區域，下方是陽極區域。離子膜7的作用是允許陽極區域的欲鍍金屬離子穿過以補充陰極欲鍍金屬離子的濃度，並阻止陰極的添加劑分子到達陽極區域。第一圍牆的端部與離子膜相接。陰極區域設有兩個第二圍牆12，兩個第二圍牆12分別與陽極區域內的兩個第一圍牆6相對應，用於分隔流場與電場，第二圍牆12端部與離子膜骨架相接。

實施例4 參照圖4，實施例4的電鍍裝置包含了實施例3的電鍍裝置的所有結構，在此不再重複。 此外，電鍍腔4的陰極區域設有擴散板8，擴散板8與第二圍牆12端部相接，擴散板8上設有相同或不同孔徑的通孔，用來控制電鍍的流場和電場。欲鍍金屬離子從陽極區域穿過離子膜7和擴散板8到達晶圓並沉積。 圖4中，擴散板8固定安裝在電鍍腔4上，擴散板8上帶有通孔的區域產生的電場可完全覆蓋最大尺寸的待電鍍晶圓（例如12寸晶圓）。 參照圖5，若要對更小尺寸（例如8寸）的晶圓進行電鍍，則採用擋板9遮住擴散板8的外圈，使擴散板8只露出中心部分區域以用於該小尺寸（例如8寸）晶圓的電鍍，擴散板8外圈的陰極液被擋板9阻擋。擋板9可拆卸的安裝在電鍍腔4或擴散板8上。

實施例5 參照圖6，實施例5的電鍍裝置包含了實施例3的電鍍裝置的所有結構，在此不再重複。 此外，電鍍腔4的陰極區域設有擴散板8，擴散板8上設有相同或不同孔徑的通孔，用來控制電鍍的流場和電場。欲鍍金屬離子從陽極區域穿過離子膜7和擴散板8到達晶圓並沉積。 本實施例中，擴散板8可拆卸的安裝在電鍍腔4上，每個電鍍裝置可配置不同型號的擴散板8以匹配不同尺寸或帶有不同形狀缺口的晶圓，電鍍前，根據實際情況，安裝對應的擴散板8。 本實施例中展示的是8寸（較小尺寸）晶圓電鍍對應的擴散板8，由圖可以看出，擴散板8上帶有通孔的區域對應8寸晶圓第二陽極區域3，擴散板8上對應12寸晶圓第二陽極區域2的區域上未開設通孔。 若要進行12寸晶圓電鍍，或進行具有其他缺口形狀晶圓電鍍，則拆下8寸晶圓電鍍對應的擴散板8，換成匹配的擴散板8即可。 當然，也可以同實施例4一樣，在本電鍍裝置中安裝可拆卸的擋板9，在安裝12寸晶圓電鍍對應的擴散板8後，利用擋板9遮住擴散板8的外圈，使擴散板8只露出中心部分區域以用於8寸晶圓的電鍍。

實施例6 參照圖7，實施例6的電鍍裝置包含了實施例3的電鍍裝置的所有結構，在此不再重複。 此外，兩個第二圍牆12的頂部分別安裝有第二擴散板802，第二擴散板802具有第二通孔區域。圖8展示了兩個第二擴散板802的形狀。 陰極區域可拆卸地安裝有主擴散板801，主擴散板801的位置對應主陽極區域，主擴散板801上具有主通孔區域。 每個電鍍裝置配置兩種型號的主擴散板801，分別用於12寸晶圓和8寸晶圓電鍍。 參照圖9A，第一種型號的主擴散板801上設有兩個缺口，每個缺口對應一個第二擴散板802。當主擴散板801安裝好後，將兩個第二擴散板802分別安裝在主擴散板801上的兩個缺口處，主擴散板801的主通孔區域和兩個第二擴散板802的第二通孔區域拼合成完整的圓形，用於12寸晶圓的電鍍。 參照圖9B，另一種型號的主擴散板801上設有一個缺口，該缺口對應一個第二擴散板802，當主擴散板801安裝好後，將該第二擴散板802安裝在主擴散板801上的缺口處，主擴散板801的主通孔區域和第二擴散板802的第二通孔區域拼合成完整的圓形，用於8寸晶圓的電鍍。 當然，也可以同實施例4一樣，將第一種型號的主擴散板801固定安裝在陰極區域。參照圖10，若要對8寸晶圓進行電鍍，則採用擋板9遮住由主擴散板801的主通孔區域和兩個第二擴散板802的第二通孔區域拼合成的完整圓形的外圈，非遮擋的區域適用於8寸晶圓的電鍍。擋板9可拆卸地安裝在電鍍腔4或主擴散板801上。 第二擴散板802可以根據工藝需求進行設計和替換，例如，可以根據工藝需求設計第二擴散板802的第二通孔區域的通孔的開孔密度和孔徑等。 為了配合晶圓缺口在第二陽極區域接收到的總電量減小，第二擴散板802的第二通孔區域中的通孔密度小於主擴散板801的主通孔區域中的通孔密度，和/或第二擴散板802的第二通孔區域中的通孔孔徑小於主擴散板801的主通孔區域中的通孔孔徑，從而進一步控制晶圓缺口附近的電鍍高度。此外，可以單獨調整第二通孔區域的通孔的密度和孔徑，以適應不同產品，因為不同產品的晶圓缺口處的非電鍍區域不同。

實施例7 與實施例1不同的是，參照圖12，在實施例7的電鍍裝置中，8寸晶圓第二陽極區域3和12寸晶圓第二陽極區域2各自連接一個獨立的第二電源11，主陽極區域1連接主電源10。主電源10和兩個第二電源11的負極均通過基板夾具13連接至晶圓14。12寸晶圓電鍍時，主陽極區域1、8寸晶圓第二陽極區域3和12寸晶圓第二陽極區域2三者單獨控制，由於8寸晶圓第二陽極區域3位於靠近12寸晶圓的中間區域，12寸晶圓第二陽極區域2對應12寸晶圓的邊緣區域，因此可以實現12寸晶圓中間區域和邊緣區域的單獨控制，更加靈活。 其餘與實施例1相同。

實施例8 與實施例1不同的是，本實施例8的電鍍裝置中，通孔5作為開關介面，可用於將各電極連接至多路開關電路，多路開關電路再連接至不同的電源或其他的控制機構。 其餘與實施例1相同。 實施例1~實施例8中，主陽極區域1、8寸晶圓第二陽極區域3和12寸晶圓第二陽極區域2，這三個區域各自有單獨的陽極電解液供應支路，每條支路上裝有針閥，可以通過調整針閥的開度從而控制不同區域流量，通過增大/減小流量可以為對應區域補充/減少流場，與電場強度相結合，控制各區域的電鍍高度。 實施例1~實施例8的電鍍裝置均可適用於其他尺寸的晶圓，而不限於8寸和12寸；第二陽極區域的形狀可為扇形、弧形、拱形等，與晶圓的缺口形狀相對應。

實施例9 實施例9揭示了一種電鍍方法，該方法包括：使用具有電極的電鍍設備在晶圓表面進行電鍍，電極包括主電極和至少兩個第二電極，控制各電極在晶圓表面對應區域形成電場，各第二電極與主電極之間分別可選擇的獨立控制或共同控制，通過改變各第二電極與主電極之間的控制關係的組合方式，實現對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍。 根據一個可選方式，通過將主電極連接至主電源10，將各第二電極可選擇的連接至第二電源11或主電源10，實現各第二電極與主電極之間的獨立控制或共同控制。第二電極與主電極之間獨立控制時，第二電極在對應區域形成的電場強度與主電極形成的電場強度不同，第二電極與主電極之間共同控制時，第二電極在對應區域形成的電場強度與主電極形成的電場強度相同。 根據另一個可選方式，通過將主電極連接至主整流器，將各第二電極可選擇的連接至第二整流器或主整流器，實現各第二電極與主電極之間的獨立控制或共同控制。第二電極與主電極之間獨立控制時，第二電極在對應區域形成的電場強度與主電極形成的電場強度不同，第二電極與主電極之間共同控制時，第二電極在對應區域形成的電場強度與主電極形成的電場強度相同。電場強度可通過調節電流、電壓或占空比來改變。

綜上所述，本發明通過上述實施方式及相關圖示說明，己具體、詳實的揭露了相關技術，使本領域的技術人員可以據以實施。而以上所述實施例只是用來說明本發明，而不是用來限制本發明的，本發明的權利範圍，應由本發明的申請專利範圍來界定。至於本文中所述元件數目的改變或等效元件的代替等仍都應屬於本發明的權利範圍。

1:主陽極區域 2:12寸晶圓第二陽極區域 3:8寸晶圓第二陽極區域 4:電鍍腔 5:通孔 6:第一圍牆 7:離子膜 8:擴散板 9:擋板 10:主電源 11:為第二電源 12:第二圍牆 13:基板夾具 14:晶圓 801:主擴散板 802:第二擴散板

圖1示例了實施例1的電鍍裝置的俯視示意圖。 圖2示例了實施例2的電鍍裝置的剖視示意圖。 圖3示例了實施例3的電鍍裝置的剖視示意圖。 圖4示例了實施例4的未安裝擋板的電鍍裝置剖視示意圖。 圖5示例了實施例4的安裝了擋板的電鍍裝置的剖視示意圖。 圖6示例了實施例5的電鍍裝置的剖視示意圖。 圖7示例了實施例6的裝有第二擴散板的電鍍裝置的剖視示意圖。 圖8示例了實施例6的第二擴散板形狀示意圖。 圖9A和圖9B示例了實施例6的電鍍裝置配置的兩種型號的主擴散板形狀示意圖。 圖10示例了實施例6的安裝了擋板的電鍍裝置的剖視示意圖。 圖11A、圖11B示例了實施例1的電鍍裝置在進行兩種不同晶圓電鍍時的電路圖。 圖12示例了實施例7的電鍍裝置的電路圖。

1:主陽極區域

2:12寸晶圓第二陽極區域

3:8寸晶圓第二陽極區域

4:電鍍腔

5:通孔

6:第一圍牆

Claims (18)

1. 一種電鍍裝置，包括多個電極，所述的多個電極包括主電極和至少兩個第二電極，各電極在晶圓表面對應區域形成電場，所述的電極分別帶有控制介面，通過選擇各第二電極與主電極之間的控制關係的組合方式，實現對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍，所述的控制關係為獨立控制或共同控制。
2. 根據請求項1所述的電鍍裝置，其中，所述的控制介面為電源介面，所述的主電極連接至主電源，各第二電極可選擇的連接至第二電源或主電源。
3. 根據請求項1所述的電鍍裝置，其中，所述的第二電極與主電極之間獨立控制時，第二電極在對應區域形成的電場與主電極形成的電場強度不同，所述的第二電極與主電極之間共同控制時，第二電極在對應區域形成的電場與主電極形成的電場強度相同。
4. 根據請求項1所述的電鍍裝置，其中，所述的主電極與晶圓的中心區域相對應，各第二電極的對應區域形成的電場不重疊。
5. 根據請求項1所述的電鍍裝置，其中，所述的第二電極數量為2個，第一個第二電極對稱軸與第二個第二電極對稱軸之間的夾角為180°。
6. 根據請求項1所述的電鍍裝置，其中，每個第二電極對應一個晶圓缺口，其中主電極中心與較大尺寸晶圓的缺口對應的第二電極之間的距離為較大距離，主電極中心與較小尺寸晶圓的缺口對應的第二電極之間的距離為較小距離，所述的較大距離大於所述的較小距離。
7. 根據請求項1所述的電鍍裝置，其中，各第二電極分別設置在第一圍牆內，所述的第一圍牆用於分隔第二電極形成的電場與主電極形成的電場。
8. 根據請求項7所述的電鍍裝置，還包括設置在離子膜骨架上的離子膜，用於分隔電鍍腔的陰極區域和陽極區域，所述的第一圍牆的端部與所述的離子膜相接。
9. 根據請求項8所述的電鍍裝置，其中，所述的離子膜與晶圓之間安裝有擴散板，所述的擴散板上具有與待電鍍晶圓尺寸相匹配的通孔區域，所述的通孔區域中設有多個通孔，所述的離子膜與擴散板之間設有第二圍牆，所述的第二圍牆兩端分別與離子膜骨架和擴散板相接，所述的第二圍牆的形狀及位置與所述的第一圍牆的形狀及位置匹配。
10. 根據請求項9所述的電鍍裝置，其中，所述的擴散板可拆卸的安裝。
11. 根據請求項8所述的電鍍裝置，其中，所述的離子膜與晶圓之間安裝有主擴散板，所述的主擴散板上具有主通孔區域，所述的主通孔區域中設有至少一個缺口，所述的缺口的形狀和位置與至少一個第二電極匹配，所述的離子膜骨架上設有第二圍牆，所述的第二圍牆的形狀及位置與所述的第一圍牆的形狀及位置匹配，所述的第二圍牆端部設有第二擴散板，所述的第二擴散板上具有第二通孔區域，所述的主通孔區域和第二通孔區域中設有多個通孔，當主擴散板安裝好後，將第二擴散板對應安裝在主擴散板上的缺口處，主擴散板的主通孔區域和第二擴散板的第二通孔區域拼合成完整的圓形。
12. 根據請求項11所述的電鍍裝置，其中，所述的主擴散板和第二擴散板可拆卸的安裝。
13. 根據請求項9至12中任一項所述的電鍍裝置，其中，所述的擴散板與晶圓之間可拆卸的安裝有擋板，所述的擋板用於遮擋通孔區域的外圈，以適用不同尺寸的晶圓電鍍。
14. 根據請求項11所述的電鍍裝置，其中，所述的第二通孔區域中的通孔密度小於主通孔區域中的通孔密度，和/或第二通孔區域中的通孔孔徑小於主通孔區域中的通孔孔徑。
15. 一種電鍍方法，使用具有電極的電鍍設備在晶圓表面進行電鍍，所述的電極包括主電極和至少兩個第二電極，控制各電極在晶圓表面對應區域形成電場，各第二電極與主電極之間分別可選擇的獨立控制或共同控制，通過改變各第二電極與主電極之間的控制關係的組合方式，實現對不同尺寸或不同缺口形狀的晶圓進行電鍍。
16. 根據請求項15所述的電鍍方法，其中，通過將所述的主電極連接至主電源，將各第二電極可選擇的連接至第二電源或主電源，實現各第二電極與主電極之間的獨立控制或共同控制。
17. 根據請求項15所述的電鍍方法，其中，所述的第二電極與主電極之間獨立控制時，第二電極在對應區域形成的電場與主電極形成的電場強度不同，所述的第二電極與主電極之間共同控制時，第二電極在對應區域形成的電場與主電極形成的電場強度相同。
18. 根據請求項15所述的電鍍方法，其中，通過將主電極連接至主整流器，將各第二電極可選擇的連接至第二整流器或主整流器，實現各第二電極與主電極之間的獨立控制或共同控制。

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