TW202218008A - 基板支撐總成及部件 - Google Patents

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Abstract

例示性基板支撐總成可包括平臺，其特徵為具有經配置以支撐半導體基板之第一表面。該總成可包括第一閥桿部分，其與相對於該平臺的第一表面之該平臺的第二表面耦接。該總成可包括與第一閥桿部分耦接之第二閥桿部分。第二閥桿部分可包括外殼及安置在該外殼內之桿架。第二閥桿部分可包括連接器，其在該連接器之第一末端處置入桿架內。第二閥桿部分可包括安置在連接器的第一末端內之加熱棒，及在連接器的第二末端處與連接器耦接之延伸加熱棒。第二閥桿部分可包括RF棒及耦接該RF棒與RF延伸棒之RF帶。

Description

基板支撐總成及部件
本申請案主張2020年7月7日提交之題為「基板支撐總成及部件(SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLIES AND COMPONENTS)」的美國專利申請案第16/922,404號之優先權，該案據此以引用方式全文併入。
本發明技術係關於半導體製程及設備。更特定而言，本發明技術係關於半導體基板支撐件。
半導體處理系統時常利用群集工具將諸多製程腔室整合在一起。此配置可促進數個連續處理操作之執行而無需自受控處理環境移除基板，或其可允許在變化腔室中一次對多個基板執行類似製程。此些腔室可包括（例如）除氣腔室、預處理腔室、移送腔室、化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、蝕刻腔室、計量腔室及其他腔室。選擇群集工具中之腔室組合，以及運行此些腔室之操作條件及參數，以便使用特定製程配方及製程流程來製造特定結構。
基板支撐件可在處理腔室內，除了執行其他操作（如，以任何數目種方式夾持基板，以及加熱基板）以外，該基板支撐件可在處理期間維持基板。基板支撐件亦可在處理期間升高及降低基板，以將基板定位在處理區域內之特定位置處。當要在基板支撐件上執行維護時，可提升處理腔室之頂部部分，此可提供出入口以移除基板支撐件以供維修。然而，對於利用細長基板支撐件之腔室而言，自腔室移除基板支撐件可能較為困難。
因此，需要改良的系統及部件，其可用以使基板支撐件有效地進出半導體處理腔室內。藉由本發明技術來解決此些及其他需要。
例示性基板支撐總成可包括平臺，其特徵為具有經配置以支撐半導體基板之第一表面。該總成可包括第一閥桿部分，其與相對於該平臺的第一表面之該平臺的第二表面耦接。該總成可包括與第一閥桿部分耦接之第二閥桿部分。第二閥桿部分可包括外殼。第二閥桿部分可包括安置在該外殼內之桿架。第二閥桿部分可包括連接器，其在該連接器之第一末端處置入桿架內。第二閥桿部分可包括安置在連接器的第一末端內之加熱棒。第二閥桿部分可包括延伸加熱棒，其在連接器之第二末端處與連接器耦接。第二閥桿部分可包括RF棒。第二閥桿部分可包括延伸穿過桿架之RF延伸棒。第二閥桿部分可包括RF帶，其耦接RF延伸棒之末端與RF棒之末端。
在一些實施例中，連接器可以可移除方式置入桿架內。連接器之第二末端可延伸穿過桿架，且可在桿架與延伸加熱棒之間維持縫隙。該外殼可限定接近於第二閥桿部分與第一閥桿部分耦接之位置的孔隙。自第一閥桿部分延伸之導引件可穿過限定在外殼中之該孔隙進出。RF延伸棒可固定地耦接在桿架中，且RF帶可包括經配置以適應RF棒的熱膨脹之撓性耦接器。
本發明技術之一些實施例可包括基板支撐總成。該等總成可包括平臺，其特徵為具有經配置以支撐半導體基板之第一表面。該總成可包括第一閥桿部分，其與相對於該平臺的第一表面之該平臺的第二表面耦接。該總成可包括固定地與第一閥桿部分耦接之第二閥桿部分。第二閥桿部分可包括外殼、自第一閥桿部分延伸之RF棒、第一RF延伸棒，及耦接第一RF延伸棒之末端與RF棒之末端的RF帶。該總成可包括第三閥桿部分。包括平臺、第一閥桿部分及第二閥桿部分之子總成可以可移除方式與第三閥桿部分耦接。第三閥桿部分可包括：外殼；桿架，安置在第三閥桿部分之外殼內；第一連接器，在第一連接器之第一末端處置入桿架內；加熱棒，安置在第一連接器之第一末端內；延伸加熱棒，在第一連接器之第二末端處與第一連接器耦接；第二連接器，在第二連接器之第一末端處與第一RF延伸棒耦接；及第二RF延伸棒，在第二連接器之第二末端處與第二連接器耦接。
在一些實施例中，該總成可包括冷卻轂部(cooling hub)。第三閥桿部分可安置在該冷卻轂部內且與該冷卻轂部耦接。第二閥桿部分可限定輪緣，且第二閥桿部分可圍繞第二閥桿部分之輪緣置入冷卻轂部上。該桿架可為第一桿架，且該基板支撐總成亦可包括安置在第二閥桿部分中之第二桿架。第一RF延伸棒可固定地耦接在第二桿架中，且RF帶可包括經配置以適應RF棒的熱膨脹之撓性耦接器。第一連接器以可移除方式置入桿架內。第一連接器之第二末端可延伸穿過桿架，且可在桿架與延伸加熱棒之間維持縫隙。平臺及第一閥桿部分可係或包括陶瓷。
該基板支撐總成特徵可為大於或約為0.5 m之長度。該總成可包括置入桿架中之第一熱電偶連接器。第一熱電偶連接器可包括導電外殼，該導電外殼包括熱電偶插座，且該導電外殼可與電接地耦接。可維持第一熱電偶連接器距第一RF延伸棒至少5 mm遠。該總成可包括經由第一閥桿部分及第二閥桿部分延伸至平臺之熱電偶。該熱電偶可包括與第一熱電偶連接器耦接之第二熱電偶連接器。第二熱電偶連接器可包括導電外殼及連接器銷。第二熱電偶連接器可包括在該第二熱電偶連接器之導電外殼內的一彈簧耦接器，其經配置以圍繞第一熱電偶連接器之導電外殼耦接。
本發明技術之一些實施例可包括一種基板支撐總成。該總成可包括平臺，其特徵為具有經配置以支撐半導體基板之第一表面。該總成可包括第一閥桿部分，其與相對於該平臺的第一表面之該平臺的第二表面耦接。該總成可包括固定地與第一閥桿部分耦接之第二閥桿部分。第二閥桿部分可包括外殼、自第一閥桿部分延伸之RF棒、第一RF延伸棒，及耦接第一RF延伸棒之末端與RF棒之末端的RF帶。該總成可包括第三閥桿部分，其包括外殼、安置在第三閥桿部分之外殼內的桿架、置入桿架中之第一熱電偶連接器，及經由第一閥桿部分及第二閥桿部分延伸至平臺之熱電偶。該熱電偶可包括與第一熱電偶連接器耦接之第二熱電偶連接器。
在一些實施例中，第一熱電偶連接器可包括導電外殼，該導電外殼包括熱電偶插座。熱電偶外殼可與電接地耦接。第二熱電偶連接器可包括導電外殼，及在第二熱電偶連接器之導電外殼內的彈簧耦接器。該彈簧耦接器可經配置以圍繞第一熱電偶連接器之導電外殼耦接。
本技術可提供勝於習知系統及技術之諸多益處。舉例而言，該等基板支撐總成可比習知設計更易於自腔室移除。另外，部件耦接器可促進在經過基板支撐件之延伸長度上的操作。結合以下描述及附圖更詳細地描述此些及其他實施例連同其優勢及特徵中的許多者。
基板處理可包括用於在晶圓或半導體基板上添加、移除或以其他方式將材料改質之時間密集型操作。基板之有效移動可減少排隊時間並提高基板處理量。為了提高在群集工具內處理之基板的數目，可將額外腔室併入主框架上。儘管可藉由加長工具不斷添加移送機器人及處理腔，但此可能隨著群集工具之佔地面積擴大而變得空間效率低下。因此，本發明技術可包括在限定的佔地面積內具有增大數目的處理腔室之群集工具。為了適應移送機器人之有限佔地面積，本發明技術可自機器人橫向地向外增大處理腔室之數目。舉例而言，一些習知群集工具可包括定位在居中移送機器人的部分周圍之一或兩個處理腔室，以最大化徑向地在該機器人周圍之腔室的數目。本發明技術可藉由併入橫向向外之額外腔室作為另一列或另一組腔室來擴展此概念。舉例而言，本發明技術可與包括三個、四個、五個、六個或更多個處理腔室之群集工具一起應用，可在一或更多個機器人進出位置中之每一者處進出該等處理腔室。
然而，隨著添加額外的製程位置，在每個位置處無額外移送能力的情況下，自中央機器人進出此些位置可能不再可行。一些習知技術可包括晶圓載體，基板在平移期間保持置入該等晶圓載體上。然而，晶圓載體可能導致基板上之熱不均勻性及顆粒污染。本發明技術藉由併入與處理腔室區域垂直對準之移送部分及可結合中央機器人操作以進出額外晶圓位置之轉盤或移送裝置而克服了此些問題。舉例而言，隨著處理腔室之垂直距離增大，基板支撐件可伸長以適應將基板帶至上覆處理位置及下層移送位置之距離。
為了維修基板支撐總成，可移除可支撐蓋堆疊之頂蓋，此可提供對腔室內的基板支撐件的出入口。可接著自腔室撤回基板支撐總成以供維護。對於細長基板支撐件（如，長度大於或約為半公尺）而言，移除基板支撐件可為挑戰，其取決於蓋可自腔室被拉出多遠。可接著以一定角度抽出基板支撐件，若完全移除基板支撐件，則此可能損壞內部部件。本發明技術藉由提供具有增大的整體性及/或一些部分與其他部分分離之能力的基板支撐總成來克服此些問題，從而減少了基板支撐軸之總長度。本發明技術亦可提供改良的部件耦接，從而允許內部的基板支撐部件連同軸部分一起被分離。
儘管其餘揭示內容將常規地標識出可採用本發明結構及方法之特定結構（如，四位移送區域），但將容易地理解，基板支撐總成或部件可同等地用在任何數目個其他系統或腔室中。因此，該技術不應被視為僅限於單獨地與任何特定腔室一起使用。此外，儘管將描述例示性工具系統以提供本發明技術之基礎，但應理解，本發明技術可與可受益於將描述之操作及系統中的一些或全部之任何數目個半導體處理腔室及工具合併。
第1A圖示出根據本發明技術之一些實施例的沉積、蝕刻、烘烤及固化腔室之基板處理工具或處理系統100的一個實施例之俯視平面圖。在圖中，一組前開式晶圓傳送盒102供應多種大小之基板，該等基板藉由機械臂104a及104b被接收在工廠介面103內，且在被輸送至基板處理區域108中的一者之前放置至裝載鎖或低壓固持區域106中，該等基板處理區域108定位在腔室系統或四邊形部分109a至109c中，其可各自為具有與複數個處理區域108流體耦接之移送區域的基板處理系統。儘管繪示出一個四邊形系統，但應理解，本發明技術同等地包括併入獨立腔室、雙腔室及其他多個腔室系統之平臺。容納在移送腔室112中之第二機械臂110可用以將基板晶圓自固持區域106運輸至四邊形部分109並返回，且第二機械臂110可被容納在移送腔室中，四邊形部分或處理系統中之每一者可與該移送腔室連接。每一基板處理區域108可經配備以執行諸多基板處理操作，包括任何數目個沉積製程（其包括循環層沉積、原子層沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積）以及蝕刻、預清潔、退火、電漿處理、除氣、定向及其他基板製程。
每一四邊形部分109可包括移送區域，該移送區域可自第二機械臂110接收基板及將基板輸送至第二機械臂110。腔室系統之移送區域可與具有第二機械臂110之移送腔室對準。在一些實施例中，機器人可橫向進出移送區域。在後續操作中，移送部分之部件可將基板垂直地平移至上覆處理區域108中。類似地，移送區域亦可用以使基板在每一移送區域內的位置之間旋轉。基板處理區域108可包括用於在基板或晶圓上沉積、退火、固化及/或蝕刻材料薄膜之任何數目個系統部件。在一種配置中，兩組處理區域（如，四邊形部分109a及109b中之處理區域）可用以在基板上沉積材料，且第三組處理腔室（如，四邊形部分109c中之處理腔室或區域）可用以固化、退火或處理已沉積之薄膜。在另一配置中，所有三組腔室（如，所繪示之所有十二個腔室）可經配置以在基板上沉積及/或固化薄膜。
如圖中所繪示，第二機械臂110可包括兩個臂，用於同時輸送及/或擷取多個基板。舉例而言，每一四邊形部分109可包括沿移送區域之外殼的表面之兩個出入口107，其可橫向地與第二機械臂對準。該等出入口可被限定為沿與移送腔室112相鄰之表面。在一些實施例中，諸如所繪示，第一出入口可與四邊形部分之複數個基板支撐件中的第一基板支撐件對準。另外，第二出入口可與四邊形部分之複數個基板支撐件中的第二基板支撐件對準。第一基板支撐件可與第二基板支撐件相鄰，且該兩個基板支撐件在一些實施例中可定義基板支撐件之第一列。如所繪示配置中所示，基板支撐件之第二列可自移送腔室112橫向地向外定位在基板支撐件之第一列後。第二機械臂110之兩個臂可間隔開，以允許兩個臂同時進入四邊形部分或腔室系統中，以便將一或兩個基板輸送至移送區域內之基板支撐件或自該等基板支撐件擷取一或兩個基板。
所述移送區域中之任何一或更多者可與額外腔室合併，該等額外腔室與不同實施例中所示之製造系統分離。將瞭解，處理系統100預期用於材料薄膜之沉積、蝕刻、退火及固化腔室的額外配置。另外，可與本發明技術一起利用任何數目個其他處理系統，其可併入移送系統以用於執行特定操作中之任一者，諸如，基板移動。在一些實施例中，可提供對多個處理腔室區域之出入口而同時維持各種部分（如，所述固持及移送區域）中的真空環境之處理系統可允許在多個腔室中執行操作，而同時維持離散製程之間的特定真空環境。
第1B圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性處理工具（如，穿過腔室系統）之一個實施例的示意性橫截面立面圖。第1B圖可繪示穿過任何四邊形部分109中之任何兩個相鄰的處理區域108之橫截面圖。立面圖可繪示一或更多個處理區域108與移送區域120之配置或流體耦接。舉例而言，連續移送區域120可由移送區域外殼125限定。該外殼可限定可在其中安置諸多基板支撐件130之開放的內部體積。舉例而言，如第1A圖中所繪示，例示性處理系統可包括四個或更多個，包括分佈於移送區域周圍之外殼內的複數個基板支撐件130。基板支撐件可為如所繪示之基座，儘管亦可使用諸多其他配置。在一些實施例中，基座可在移送區域120與上覆於該移送區域的處理區域之間垂直平移。基板支撐件可沿基板支撐件之中心軸線沿腔室系統內之第一位置與第二位置之間的路徑垂直平移。因此，在一些實施例中，每一基板支撐件130可與由一或更多個腔室部件限定之上覆處理區域108軸向地對準。
開放之移送區域可提供移送裝置135(諸如，轉盤)在各種基板支撐件之間接合及移動基板（如，旋轉地）的能力。移送裝置135可圍繞中心軸線旋轉。此可允許基板經定位而用於在處理系統內之處理區域108中的任一者內進行處理。移送裝置135可包括一或更多個端效器，其可自上方、下方接合基板，或可接合基板之外部邊緣用於圍繞基板支撐件移動。移送裝置可自移送腔室機器人（如，先前所述之機器人110）接收基板。移送裝置可接著使基板旋轉，以交替基板支撐件，以便促進額外基板之輸送。
一旦經定位並等候處理，移送裝置便可將端效器或臂定位在基板支撐件之間，此可允許基板支撐件升高越過移送裝置135並將基板輸送至處理區域108中，該等處理區域108可自移送區域垂直偏移。舉例而言，且如所繪示，基板支撐件130a可將基板輸送至處理區域108a中，而同時基板支撐件130b可將基板輸送至處理區域108b中。此可發生在其他兩個基板支撐件及處理區域，及發生在包括額外處理區域之實施例中的額外基板支撐件及處理區域。在此配置中，當可操作地接合用於處理基板（如，處於第二位置）時，基板支撐件可至少部分地自下方限定處理區域108，且處理區域可軸向地與相關聯基板支撐件對準。可藉由面板140及其他蓋堆疊部件自上方限定處理區域。在一些實施例中，每一處理區域可具有個別的蓋堆疊部件，儘管在一些實施例中，部件可容納多個處理區域108。基於此配置，在一些實施例中，每一處理區域108可與移送區域流體耦接，而同時自上方與腔室系統或四邊形部分內之每一其他處理區域流體隔離。
在一些實施例中，面板140可用作系統之電極，用於在處理區域108內產生局部電漿。如所繪示，每一處理區域可利用或併入單獨的面板。舉例而言，可包括面板140a以自上方限定處理區域108a，且可包括面板140b以自上方限定處理區域108b。在一些實施例中，基板支撐件可用作伴隨電極，用於在面板與基板支撐件之間產生電容耦合電漿。取決於空間幾何形狀，泵送內襯145可至少部分地徑向地或橫向地限定處理區域108。再次，可將單獨的泵送內襯用於每一處理區域。舉例而言，泵送內襯145a可至少部分地徑向限定處理區域108a，且泵送內襯145b可至少部分地徑向限定處理區域108b。在實施例中，阻隔板150可定位在蓋155與面板140之間，且再次，可包括單獨的阻隔板以促進每一處理區域內之流體分佈。舉例而言，可包括阻隔板150a以用於朝向處理區域108a之分佈，且可包括阻隔板150b以用於朝向處理區域108b之分佈。
蓋155可為用於每一處理區域之單獨部件，或可包括一或更多個共同態樣。在一些實施例中，諸如所繪示，蓋155可為限定多個孔隙160以用於將流體輸送至個別處理區域之單個部件。舉例而言，蓋155可限定用於將流體輸送至處理區域108a之第一孔隙160a，且蓋155可限定用於將流體輸送至處理區域108b之第二孔隙160b。可為每一部分內之額外處理區域（當包括時）限定額外孔隙。在一些實施例中，可容納多於或少於四個基板之每一四邊形部分109或多處理區域部分可包括一或更多個遠端電漿單元165，用於將電漿流出物輸送至處理腔室中。在一些實施例中，可為每一腔室處理區域併入個別電漿單元，儘管在一些實施例中，可使用更少的遠端電漿單元。舉例而言，如所繪示，單個遠端電漿單元165可用於多個腔室，諸如，兩個、三個、四個或更多個腔室直至特定四邊形部分之所有腔室。在本發明技術之實施例中，管道可自遠端電漿單元165延伸至每一孔隙160，用於輸送電漿流出物以用於處理或清潔。
如所述，處理系統100或更特定言之係與處理系統100或其他處理系統合併之四邊形部分或腔室系統可包括定位在所繪示處理腔室區域下方之移送部分。第2圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性腔室系統200之移送部分的示意性等角視圖。第2圖可繪示上述移送區域120之額外態樣或態樣的變體，且可包括所述之任何部件或特徵中的任一者。所繪示系統可包括移送區域外殼205，其限定可在其中包括諸多部件之移送區域。另外，該移送區域可至少部分地藉由與移送區域流體耦接之處理腔室或處理區域（如，在第1A圖之四邊形部分109中所繪示的處理腔室區域108）自上方限定。移送區域外殼之側壁可限定一或更多個進出位置207，可經由該一或更多個進出位置207輸送及擷取基板，諸如，藉由如上所述之第二機械臂110。進出位置207可為狹縫閥或其他可密封進出位置，其在一些實施例中包括門或其他密封機構以提供移送區域外殼205內之密閉環境。儘管繪示出兩個此種進出位置207，但應理解，在一些實施例中，可僅包括單個進出位置207以及在移送區域外殼之多個層上的進出位置。亦應理解，可確定所繪示之移送部分的大小以適應任何基板大小（包括200 mm、300 mm、450 mm或更大或更小的基板），包括特徵為具有任何數目的幾何形狀或形狀之基板。
定位在移送區域體積周圍之複數個基板支撐件210可在移送區域外殼205內。儘管繪示出四個基板支撐件，但應理解，本發明技術之實施例類似地包括任何數目個基板支撐件。舉例而言，在根據本發明技術之實施例的移送區域中可容納大於或約為三個、四個、五個、六個、八個或更多個基板支撐件210。第二機械臂110可經由出入口207將基板輸送至基板支撐件210a或210b中之任一者或其兩者。類似地，第二機械臂110可自此些位置擷取基板。升舉銷212可自基板支撐件210突出，且可允許機器人在基板下方進出。升舉銷可固定在基板支撐件上，或在其中基板支撐件可在下方凹入之位置處，或在一些實施例中，升舉銷可另外經由基板支撐件升高或降低。基板支撐件210可垂直平移，且在一些實施例中，可延伸直至定位在移送區域外殼205上方之基板處理系統的處理腔室區域，諸如，處理腔室區域108。
移送區域外殼205可為對準系統提供出入口215，該對準系統可包括對準器，該對準器可延伸穿過如所繪示之移送區域外殼的孔隙且可結合雷射器、攝影機或經由相鄰孔隙突出或傳輸之其他監控設備一起操作，且可確定平移之基板是否正確地對準。移送區域外殼205亦可包括移送裝置220，其可以諸多方式操作以定位基板並在各種基板支撐件之間移動基板。在一個實例中，移送裝置220可將基板支撐件210a及210b上之基板移動至基板支撐件210c及210d，此可允許將額外基板輸送至移送腔室中。額外移送操作可包括在基板支撐件之間旋轉基板，以用於上覆處理區域中之額外處理。
移送裝置220可包括中心轂部(central hub) 225，該中心轂部225可包括延伸至移送腔室中之一或更多個軸。端效器235可與軸耦接。端效器235可包括自中心轂部徑向地或橫向地向外延伸之複數個臂237。儘管繪示出中心主體（臂自該中心主體延伸），但在各種實施例中，端效器可另外包括各自與軸或中心轂部耦接之單獨的臂。本發明技術之實施例中可包括任何數目個臂。在一些實施例中，臂237之數目可類似於或等於腔室中所包括之基板支撐件210的數目。因而，如所繪示，對於四個基板支撐件而言，移送裝置220可包括自端效器延伸之四個臂。該等臂可特徵為具有任何數目的形狀及輪廓（如，直線輪廓或弓狀輪廓），以及包括任何數目的遠端輪廓，包括鉤、環、叉或用於支撐基板及/或提供對基板的出入口（如，用於對準或接合）之其他設計。
端效器235或端效器之部件或部分可用以在移送或移動期間接觸基板。此些部件以及端效器可由諸多材料製成或包括諸多材料，包括導電及/或絕緣的材料。在一些實施例中可塗佈或電鍍該等材料，以承受與可能自上覆處理腔室傳入移送腔室之前驅物或其他化學品的接觸。
另外，可提供或選擇材料，以承受其他環境特性，諸如，溫度。在一些實施例中，基板支撐件可操作以加熱安置在支撐件上之基板。基板支撐件可經配置以將表面或基板溫度增大至大於或約為100℃、大於或約為200℃、大於或約為300℃、大於或約為400℃、大於或約為500℃、大於或約為600℃、大於或約為700℃、大於或約為800℃或更高之溫度。可在操作期間維持此些溫度中之任一者，且因此移送裝置220之部件可暴露在此些所陳述或所包括之溫度中的任一者下。因此，在一些實施例中，可以選擇該等材料中之任一者以適應此些溫度制度，且可包括諸如陶瓷及金屬之材料，該等材料可特徵為具有相對低的熱膨脹係數或其他有益特性。
部件耦接器亦可適用於在高溫及/或腐蝕性環境中操作。舉例而言，在端效器及末端部分各自為陶瓷的情況下，耦接器可包括按壓配件、卡扣配件或可能不包括額外材料之其他配件（如，螺栓），該等配件可能隨溫度膨脹及收縮，且可能導致陶瓷破裂。在一些實施例中，末端部分可與端效器連續，且可與端效器整體地形成。可利用任何數目種其他材料，其可促進操作或操作期間之阻力，且類似地被本發明技術包括在內。
為了補償移送腔室與上覆於移送腔室的處理區域之間的行進距離，本發明技術可利用經配置而在兩個區域之間延伸的基板支撐件。第3圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件300之示意性橫截面圖。基板支撐件300可為總成，且可說明上述基板支撐件（包括基板支撐件210）之額外細節，且可包括上述基板支撐件130或基板支撐件210之態樣、部件或特性中的任一者。舉例而言，基板支撐件300可為延伸的基板支撐件，其經配置以在移送區域120與處理區域108之間移送基板。在一些實施例中，基板支撐件300可特徵為具有大於或約為400 mm之長度，諸如，大於或約為500 mm、大於或約為600 mm，或更大。
基板支撐件300可經配置以在平臺302之第一表面301上支撐半導體基板。平臺302可係或包括任何數目種材料，諸如，介電材料（包括陶瓷），及導電材料（如，金屬或其他材料）。平臺302可沿平臺之第二表面303與閥桿耦接，該第二表面303可為與平臺之第一表面相對的表面。閥桿可包括第一閥桿部分305及第二閥桿部分310。第一閥桿部分可在處理腔室內延伸，且可為與平臺302相同之材料。舉例而言，在一些實施例中，第一閥桿部分可為陶瓷。如以下將進一步描述，第二閥桿部分可定位在冷卻轂部(cooling hub)內，該冷卻轂部可（例如）安置在移送腔室外殼內或移送腔室外殼下面。第二閥桿部分310可包括外殼312（如，剛性外殼），且在一些實施例中其可為金屬材料。第一閥桿部分305可包括圍繞第一閥桿部分305之末端延伸的密封帶307，且該密封帶307可將第一閥桿部分305（其可為陶瓷）夾持至第二閥桿部分310之外殼。
諸多部件可在第二閥桿部分310內，該等部件朝向第一閥桿部分305延伸及/或延伸至第一閥桿部分305中以與平臺相互作用。舉例而言，在一些實施例中，基板支撐件300可為靜電卡盤，且可包括一或更多個電極以將基板夾持至平臺。在一些實施例中，基板支撐件300可為雙極靜電卡盤，且可包括經配置以將基板夾持至平臺之兩個電極。類似地，電阻性加熱器可內嵌在平臺302內，且可經配置以加熱平臺及基板。可為網格或其他部件之電極及加熱器可安置在平臺302內，且可經由一或更多個棒進出，該一或更多個棒自一或更多個電源供應器（安置在處理腔室下方或其外部）向上延伸穿過軸。儘管在一些實施例中，由於軸部分之長度，該等棒可延伸軸之整個距離，但在一些實施例中，該等部件可分離成一或更多個部分，此可適應部件之長度及操作態樣。舉例而言，如上所述，基板支撐件可經配置以在遠高於100℃之溫度下操作，此可導致與平臺接觸之部件的熱膨脹。然而，在軸之遠離平臺的遠端處，溫度可能更接近於室溫，且因此一些部件可能包括斷口或修飾以限制溫度影響。
舉例而言，在一些實施例中，加熱器或電極耦接器皆不可直接在與基板支撐件分離的電源與平臺之間延伸。在一些實施例中，在電源耦接器與平臺之間可包括至少一處斷口或分離。可將延伸穿過軸之部件維持在經配置以固持該等部件或導引部件穿過軸之一或更多個部件中。舉例而言，在一些實施例中，軸可包括如所繪示之一或更多個固持器或導引件。舉例而言，第一桿架315可定位在第二閥桿部分之遠端處，近端與第一閥桿部分耦接。第二桿架可定位在第二閥桿部分的近端與遠端之間。第三桿架325可定位在第二閥桿部分之近端處，且可為具有導引孔隙之絕緣體，該等導引孔隙經配置以將來自第一閥桿部分305之各種部件提供至第二閥桿部分310。
用於電極及加熱器之第一組耦接器可自第一閥桿部分305延伸。在一些實施例中，可包括一或更多個電極，且可在平臺內包括一或更多個加熱器連接或區域，且因而一或更多個電極棒或RF棒以及一或更多個加熱棒可自第一軸延伸，且其可各自與內嵌在平臺內之相關聯部件耦接。在一些實施例中，至少一個RF棒及至少一個加熱棒可自平臺延伸經過第一閥桿部分並延伸至第二閥桿部分中。在一些實施例中，每種棒中之大於或約為兩個、大於或約為三個、大於或約為四個、大於或約為五個或更多個可自平臺延伸經過第一閥桿部分並延伸至第二閥桿部分中。此些棒中之一些或全部可延伸經過第三桿架325或絕緣體導引件，其可提供用於在軸內耦接之部件。
舉例而言，一或更多個RF棒330可自第一閥桿部分305延伸，且一或更多個加熱棒335可自第一閥桿部分305延伸。在一些實施例中，該等棒中之任一者可延伸至任何長度，且在穿過閥桿部分之任何位置處包括斷口。該等棒可係或包括任何數目種材料，以便以導電方式將一或更多個電源耦接至平臺內之電極或加熱器。舉例而言，該等棒中之任一者可係或包括銅、鎳、鎢、鋅、銀、金、鈹、鎢、鈷或任何其他導電材料或導電材料的組合，包括合金或第一金屬電鍍在第二金屬之上。在一些實施例中，RF棒330可係或包括與加熱棒335相同或不同之材料。另外，在一些實施例中，第一棒部分可係或包括第一材料或第一組材料，且第二棒部分可係或包括第二材料或第二組材料。由於跨材料延伸之不同傳輸效果，在一些實施例中，可將不同材料用於部件。
舉例而言，在一些實施例中，自第一基座部分延伸之加熱棒可係或包括鎳，而RF棒及延伸加熱棒可係或包括銅及鋅，諸如，銅鋅合金，其可包括沿棒之外表面的鍍銀。加熱器可經由鎳棒傳導電流，而RF棒可更表面地傳導電流。舉例而言，RF電流可包括比加熱棒更高的電流，且電流可以更高頻率傳輸。另外，RF電流可僅沿棒表面傳輸，且趨膚深度可為大約幾十微米或更小，此可能進一步增大棒的溫度。因此，在一些實施例中，在操作期間，RF棒之熱膨脹可能大於加熱棒之熱膨脹。儘管棒部件可類似地延伸穿過基板支撐閥桿，但在一些實施例中，RF棒可在與加熱棒不同之位置處包括一或更多處斷口。
舉例而言，在一些實施例中，RF棒可特徵為具有與加熱棒相比較而言更大的外徑，且因此在一些實施例中可以不同方式執行RF棒與一或更多個延伸棒的耦接。RF棒330可延伸穿過第一閥桿部分且與平臺內之一或更多個電極耦接。RF棒可延伸穿過第三桿架325，且可與RF延伸棒332耦接。在一些實施例中，可經由第一桿架315及第二桿架320中之每一者來使RF延伸棒332就位。桿架可皆為絕緣或介電材料，其可以機械方式支撐部件。可使用任何數目種材料，包括聚四氟乙烯、聚醚醚酮或任何其他聚芳醚酮，以及諸多其他聚合物或陶瓷材料。舉例而言，一或更多個部件可固定地耦接在支撐件中之一或更多者內，且RF延伸棒332可固定地耦接在第二桿架320內以維持RF延伸棒距其他部件之位置，如以下將進一步描述。
當RF延伸棒332固定地耦接到位時，在處理操作期間可限制棒以免熱膨脹。因此，如所繪示，RF棒330可在空間上與RF延伸棒332分離。在一些實施例中，RF帶334可將RF延伸棒332與RF棒330電耦接。如上所述，RF棒330可特徵為具有高溫熱膨脹，其可導致RF棒330橫向膨脹。因為RF延長棒332可在第二桿架320中大體上固定到位，所以延長棒可能無法適應RF棒之熱膨脹。RF帶334可經配置以適應RF棒之垂直膨脹，而同時維持RF棒與RF延伸棒之間的電耦接。RF帶334可包括圍繞帶的中點之一定量的曲率，以適應RF棒之垂直移動，且可包括如所繪示之彎曲部以允許棒之間一定量的垂直適應。
加熱棒335可延伸穿過第三桿架325，且可如所繪示延伸至置入第二桿架320內之耦接器中。如所繪示且如以下將更詳細地解釋，連接器340可至少部分地置入第二桿架320內。連接器可在連接器之第一末端處置入桿架中，而連接器之第二末端可延伸穿過桿架320。加熱棒335可安置在連接器340之第一末端中。另外，延伸加熱棒345可在連接器之第二末端處與連接器340耦接。延伸加熱棒345可延伸穿過第二閥桿部分340以與（例如）電源供應器耦接。因為加熱棒可能並不包括夠多的熱膨脹，所以可使用任何數目個連接器來執行耦接。舉例而言，可使用任何數目個夾具或電連接器，包括Multilam連接器或提供對加熱棒一定量的壓縮力或彈簧力之其他連接器。RF帶334及連接器340可係或包括上述導電材料或金屬中之任一者，且可包括材料之組合，諸如，具有鍍金之鎳鈹。
轉向第4圖，示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件300之示意性分解圖，其可繪示如上所述之基板支撐件300的額外特徵。舉例而言，基板支撐件300可包括平臺302及閥桿。閥桿可包括第一閥桿部分305及第二閥桿部分310。如所繪示，第一閥桿部分305可置入第二閥桿部分外殼312之壁架上，且彈性構件或o形環405可允許在不損壞第一閥桿部分305（其在一些實施例中可為陶瓷）的情況下耦接部件。密封帶307可裝配在第一閥桿部分之凸緣部分周圍並與外殼312耦接，諸如，藉由螺栓、螺釘或任何其他密封設備耦接。如以下將描述，第二閥桿部分312可限定一或更多個孔隙410，其可為連接部件提供出入口。
如先前所論述，在一些實施例中，基板支撐件300可包括諸多RF棒及加熱棒，其自平臺延伸穿過第一閥桿部分305。如所繪示，RF棒330可能不如加熱棒335延伸地遠。儘管兩個棒均可延伸穿過第三桿架325，但加熱棒335可在連接器340處耦接第二桿架320。如所繪示，連接器340可延伸穿過第二桿架320，在此處其可與延伸加熱棒345耦接，從而延伸穿過第一桿架315。RF棒330可藉由RF帶334在第三桿架325與第二桿架320之間與RF延伸棒332耦接。如所繪示，RF帶334可經成形以適應由RF棒330的熱膨脹所引起之垂直距離變化。
第5圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件300的一部分之示意圖。該圖可繪示允許總成內之部件的耦合之基板支撐件300的特徵之詳細視圖。舉例而言，第二閥桿部分310之外殼312可限定孔隙410，該等孔隙410可接近於第二閥桿部分外殼312與密封帶307耦接之處，該密封帶304圍繞第一閥桿部分305延伸。連同RF棒及加熱棒一起，導引構件505可自第一閥桿部分305延伸至第二閥桿部分310中。第二閥桿部分可限定孔隙410，該等孔隙410可允許在組裝期間將RF帶耦接至RF延伸棒，且可允許進出導引件505，可經由該導引件505輸送熱電偶。熱電偶可包括剛性及撓性的熱電偶，其可被包括以在操作期間監控平臺處之溫度。如先前所述，剛性熱電偶可延伸穿過桿架。導引件505可限定延伸穿過第一閥桿部分305至平臺之通道或內腔。撓性熱電偶可經由穿過孔隙410之導引件505餽送並被定位在平臺處以供使用。
第6圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性連接器結構600之連接器設置的示意性橫截面圖。舉例而言，連接器結構600可包括與前述連接器340合併之部件。如上所述，連接器340可置入第二桿架320內，且可以可移除方式置入第二桿架320內。連接器340可為Multilam連接器，或如先前所述之任何其他連接器，且可與加熱棒335耦接，該加熱棒335可插入連接器340之第一末端內。連接器340之第二末端可延伸穿過第二桿架320，且可如先前所述與延伸加熱棒345耦接。舉例而言，連接器340之第二末端可帶螺紋，從而允許耦接部件，或任何其他耦接構件可用以電耦接該等部件。如所繪示，在一些實施例中，連接器340之第二末端可完全置入延伸加熱棒內。
如先前所繪示，延伸加熱棒可延伸穿過第三桿架，且額外連接器605可與延伸加熱棒之末端耦接。舉例而言，連接器605可類似於連接器340。電耦接器615可連接加熱棒與電源（如，與AC電源耦接的環式連接器或環式端子），該電源可為加熱棒提供電力。在一些實施例中，所有加熱棒可與同一電源耦接，或每一單獨棒結構可與單獨電源連接。第一鎖定螺母610a及第二鎖定螺母610b可用以在操作期間將電耦接器保持到位。
加熱棒335亦可能在操作期間熱膨脹，且在一些實施例中，加熱棒可能並不完全地凹入連接器340內。舉例而言，在一些實施例中，加熱棒可僅在連接器內延伸距離的50%至約75%，此可允許加熱棒在熱膨脹期間在連接器340內進一步延伸。在一些實施例中，加熱棒可定位在連接器340內的至少50%處以確保完全耦接加熱棒及保持加熱棒。在後續操作中，當加熱棒335可冷卻時，加熱棒可保持在連接器內之進一步延伸的位置處，諸如，連接器內距離的約60%至約95%。在一些實施例中，加熱棒335可能並不完全凹入連接器340內，此可確保有充足的膨脹空間並防止損壞部件，因為連接器可完全凹入第二桿架320中。
在加熱棒335之冷卻期間，棒不可自連接器340撤回任何距離。實情為，連接器結構600之其餘部分可被拉向加熱棒335。因此，在一些實施例中，可在延伸加熱棒345（其可圍繞連接器340之第二末端耦接）與第二桿架320之間維持縫隙602。可在連接器605與第三桿架之間維持類似縫隙。此可確保有充足距離以適應在加熱棒335之熱收縮期間的返回移動。在後續操作中，在加熱棒335之熱膨脹及收縮期間，完整的連接器結構600可在部件之間所維持的縫隙內垂直地前後延伸。
轉向第7圖，示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件700之示意性橫截面圖。基板支撐件700可為總成，且可說明上述基板支撐件之額外細節，且可包括上述基板支撐件130、210或300之態樣、部件或特性中的任一者。基板支撐件700可包括如上所述之部件、材料或特性中的任一者，包括用於併入基板支撐件內之任何部件。舉例而言，基板支撐件700可為延伸的基板支撐件，其經配置以在移送區域120與處理區域108之間移送基板。在一些實施例中，基板支撐件700可特徵為具有大於或約為400 mm之長度，諸如，大於或約為500 mm、大於或約為600 mm，或更大。
基板支撐件700可經配置以在平臺702之第一表面701上支撐半導體基板。平臺702可係或包括任何數目種材料，諸如，介電材料（包括陶瓷），及導電材料（如，金屬或其他材料）。平臺702可沿平臺之第二表面703與閥桿耦接，該第二表面703可為與平臺之第一表面相對的表面。閥桿可包括第一閥桿部分705、第二閥桿部分710及第三閥桿部分715。第一閥桿部分可在處理腔室內延伸，且可為與平臺702相同之材料。舉例而言，在一些實施例中，第一閥桿部分可為陶瓷。相對於基板支撐件300而言，基板支撐件700可包括額外部件，在一些實施例中，該等額外部件可促進移除基板支撐件700之態樣。舉例而言，基板支撐件700可包括多個額外的閥桿部分，其可分離以移除基板支撐件的一部分。
基板支撐件700可包括第二閥桿部分710，其可定位在冷卻轂部714內，且其可安置在（例如）移送腔室外殼內或移送腔室外殼下面。第二閥桿部分710可包括外殼712（如，剛性外殼），且在一些實施例中其可為金屬材料。第一閥桿部分705可包括與如上所述類似之密封帶707，且該密封帶707可圍繞第一閥桿部分705之末端延伸。密封帶707可將第一閥桿部分705（其可為陶瓷）夾持至第二閥桿部分710之外殼。外殼712可包括輪緣或凸緣部分，第一閥桿部分705可與其耦接。凸緣部分亦可置入冷卻轂部714之壁架上。在一些實施例中，如所繪示，第二閥桿部分710可圍繞第二閥桿部分710之輪緣置入冷卻轂部714上且部分地安置在冷卻轂部714內，儘管第二閥桿部分可能並不與冷卻轂部固定在一起。
第三閥桿部分715亦可定位在冷卻轂部714內，且可包括外殼717。第三閥桿部分715之外殼717可與冷卻轂部714固定耦接，且可為第二閥桿部分710提供著陸點，該第二閥桿部分710可置入第三閥桿部分715之對準銷上。在一些實施例中，平臺702、第一閥桿部分705及第二閥桿部分710可形成基板支撐件700之子總成，其可以可移除方式與第三閥桿部分715耦接。在維修期間，平臺702、第一閥桿部分705及第二閥桿部分710可與第三閥桿部分715去耦，並自處理腔室移除。第二閥桿部分710可自冷卻轂部714撤回，且耦接在該等部分之間的部件可斷開連接。舉例而言，如以上關於基板支撐件300所述，基板支撐件700可包括任何數目個RF棒730及加熱棒735。
第8圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件之示意性橫截面局部圖，且可示出基板支撐件700之第一橫截面圖。舉例而言，該部分可繪示出穿過閥桿部分之RF耦接器的態樣。一或更多個RF棒730及一或更多個加熱棒735可自第一閥桿部分705延伸至第二閥桿部分710中。類似於以上針對基板支撐件總成300所述，RF棒730可藉由RF帶734與第一RF延伸棒732耦接。RF帶可將第一RF延長棒732之末端與先前所述RF棒之末端耦接，且RF帶可被配置為撓性耦接器或經成形以適應RF棒由於如上所述之熱膨脹引起的垂直移動。
外殼部分內可包括諸多桿架，以適應外殼之部分內的多個部件。舉例而言，第一桿架716可定位在第三閥桿部分715內，第二桿架720可定位在第二閥桿部分與第三閥桿部分之介面處，且第三桿架725可定位在第二閥桿部分內且可固定在第二閥桿部分內，且第四桿架728或間隔物可被定位成接近於第二閥桿部分710之輪緣。第二桿架720可與第三閥桿部分715耦接，且可藉由第三閥桿部分715限定斷口738，基板支撐件700可能在該斷口738處分離。類似於以上所述，加熱棒735可延伸穿過第二閥桿部分710，以經由置入第二桿架720內之連接器與延伸加熱棒745耦接。
因為可自第三閥桿部分715移除第二閥桿部分710，所以RF延伸棒732可不完全地延伸穿過第三閥桿部分，且替代地可與第三閥桿部分715內之第二RF延伸棒733耦接。舉例而言，第二連接器805可用以將RF延伸棒732與第二RF延伸棒733耦接。連接器805可類似於如先前所述之加熱棒連接器，且亦可為電耦接兩個RF延伸棒之Multilam或其他連接器。舉例而言，連接器805可在第二連接器之第一末端處與RF延伸棒732耦接，且第二RF延伸棒733可在第二連接器之第二末端處與第二連接器耦接。因此，當自第三閥桿部分715移除子總成時，RF延伸棒732可隨子總成一起被移除，且可與第二連接器805去耦，該第二連接器805可保留在第三閥桿部分715內並連接至第二RF延伸棒733。為了容納可經由RF帶734（其可為撓性的）與RF棒730連接之RF延伸棒732，在一些實施例中，RF延伸棒732可固定地耦接在第三桿架725內。因此，當自冷卻轂部移除子總成時，當RF延伸棒732自第二連接器805撤回時，可能不會在RF帶上施加不當張力。
第9圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件之示意性橫截面局部圖，且可示出基板支撐件700之第二橫截面圖。舉例而言，該部分可繪示出穿過閥桿部分之加熱棒耦接器的態樣（如，具有穿過第二桿架720之橫截面），且其可繪示出連接器740。連接器740可類似於上述連接器340，且可耦接加熱棒735與延伸加熱棒745。舉例而言，連接器740可在連接器之第一末端處以可移除方式置入第二桿架720內，且加熱棒735可如先前所述安置在連接器內。再次，在一些實施例中，加熱棒735可能不完全地凹入連接器內，以適應如上所述之熱膨脹。類似地，在一些實施例中，可在第二桿架720與延伸加熱棒745之間維持縫隙，此可允許加熱棒部件在熱收縮期間隨著加熱棒735冷卻而移動。
亦繪示出熱電偶905，其可向上延伸穿過基板支撐閥桿部件以接觸平臺並提供溫度讀數。熱電偶905可類似地包括連接器以允許部件與基板子總成分離，且因此熱電偶905可包括熱電偶延伸部910，該熱電偶延伸部910延伸穿過第三閥桿部分715且經由斷口738耦接。熱電偶905可延伸至平臺以在處理期間監控溫度，且可延伸穿過第一閥桿部分及第二閥桿部分。熱電偶延伸部可延伸至第二桿架720，其中延伸部可與熱電偶905耦接。
熱電偶905可包括經配置以相互作用並提供與平臺之溫度成比例的電壓信號之部件。由熱電偶提供之電壓信號可能僅為幾伏特，且因此RF延伸棒所產生之干擾可能會阻止來自熱電偶之任何可辨別的讀數。因此，許多熱電偶包括接地外殼，以提供RF屏蔽，從而免受來自其他部件之干擾。然而，在熱電偶905與熱電偶延伸部910之間的耦接處無充足屏蔽的情況下，RF信號可能會干擾被輸送之熱電偶信號。因此，在一些實施例中，本發明技術可在熱電偶與第二桿架720處的延伸部之間提供屏蔽連接。
第10A圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性熱電偶總成1000之示意性橫截面局部圖。總成可為上述熱電偶905及熱電偶延伸部910之更詳細視圖。舉例而言，熱電偶總成1000可包括熱電偶1005及熱電偶延伸部1010。類似於連接器740，熱電偶延伸部1010可置入第二桿架720內，且可延伸穿過桿架。舉例而言，熱電偶延伸部1010可包括第一熱電偶連接器1012（其可置入桿架中），而熱電偶延伸尾部1014延伸穿過穿過桿架之孔隙。第一熱電偶連接器1012可包括圍繞連接器延伸之導電外殼1015。此可允許第一熱電偶連接器1012與電接地電連接，從而提供接地平面以促進熱電偶總成之屏蔽。一組插座1018可在連接器內，該等插座1018可提供與熱電偶之銷的耦接。
舉例而言，在包括兩種不同金屬或合金（如，亞鋁美(alumel)或克鉻美(chromel)，或可用以產生可放置成與平臺接觸之熱電偶接合面1002的任何其他材料）之例示性熱電偶中，第一熱電偶連接器1012可包括第一插座1018a及第二插座1018b，其可係個別金屬或可塗佈有個別金屬以與相同材料之銷配對。該等插座可安置在陶瓷或某一其他與外殼1015絕緣之材料中。熱電偶延伸部1010可置入桿架內，以維持距任何RF棒之特定距離，諸如，如先前所述居中。因為熱電偶延伸部可接地，所以維持熱電偶延伸部及熱電偶距RF棒之特定距離可確保自RF棒至接地外殼不會發生短路。因此，可按維度確定熱電偶總成部件之大小以容納基板支撐總成，且可被維持在桿架內，距任何RF棒至少約2 mm之距離，且可維持距任何RF棒大於或約為3 mm、距任何RF棒大於或約為4 mm、距任何RF棒大於或約為5 mm、距任何RF棒大於或約為6 mm、距任何RF棒大於或約為7 mm、距任何RF棒大於或約為8 mm或更大之距離。然而，由於基板支撐閥桿內之空間限制，熱電偶延伸部及熱電偶可位於距任何RF棒10 mm或更小之距離內。此接近性可能會阻止使用RF墊圈來密封部件，該等RF墊圈可特徵為具有至少約10 mm或更大之環形厚度，且在本發明技術之其中部件可能位於距一或更多個RF棒10 mm或更小以內的一些實施例中可能並不合適。
熱電偶1005可包括經配置以與熱電偶延伸部1010耦接之部件，且其可經由總成為接合面電線產生屏蔽外殼。舉例而言，熱電偶1005可包括第二熱電偶連接器1020，其可經配置以與第一熱電偶連接器1012耦接。第二熱電偶連接器1020亦可包括導電外殼1022，當與第一熱電偶連接器1012接合時，該導電外殼1022可使第二熱電偶連接器接地。第二熱電偶連接器1020亦可包括一組連接器銷1025，其可與插座1018接合。舉例而言，連接器銷1025a可為與可與之接合的插座1018a相同之材料，且連接器銷1025b可為與可與之接合的插座1018b相同之材料。第二熱電偶連接器1020亦可包括耦接器1027（如，彈簧或其他電耦接器），其可提供與第一熱電偶連接器1012之外殼1015的電連接。因此，如所繪示，第二熱電偶連接器1020可使連接器銷1025凹入外殼之末端內。銷可置入陶瓷或其他材料內。
第10B圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性熱電偶總成1000之示意性橫截面圖局部圖，且可繪示當第一熱電偶連接器1012與第二熱電偶連接器1020接合時之熱電偶總成。如所繪示，當兩個連接器接合時，耦接器1027可圍繞第一熱電偶連接器1012之外殼1015周向地產生電接合及實體接合，此可將連接器接地並為熱電偶電線產生完整的RF屏蔽。連接器銷1025可置入插座1018內，以產生完整的電耦接，從而允許來自熱電偶之信號沿延伸部傳遞。此可產生一種熱電偶，其可在移除基板支撐件之子總成期間斷開連接，而同時提供圍繞連接位置之保護性屏蔽。藉由利用根據本發明技術之態樣的部件，具有延長長度之基板支撐件可併入半導體處理腔室內，而同時仍為支撐件提供可維修性。
在先前描述中，出於解釋目的，已闡述了許多細節以便提供對本發明技術之各種實施例的理解。然而，熟習此項技術者將顯而易見，可在無此些細節中之一些或具有額外細節的情況下實踐某些實施例。
已揭示了數個實施例，熟習此項技術者將瞭解到，在不脫離實施例之精神的情況下，可使用各種修改、替代構造及等效物。另外，未描述諸多熟知製程及元件，以便避免不必要地混淆本發明技術。因此，不應將以上描述視為限制本技術之範疇。另外，方法或製程可被描述為依序的或按步驟的，但應理解，該等操作可同時執行，或以不同於所列出之次序執行。
在提供值範圍的情況下，應理解，除非上下文另外明確規定，否則亦特定揭示了彼範圍的上限與下限之間的每一中間值（至下限單位的最小分數）。任何規定值或規定範圍內未規定之中間值與彼規定範圍內的任何其他規定或中間值之間的任何更窄範圍皆包括在內。彼些較小範圍之上限及下限可獨立地被包括在該範圍內或被排除在該範圍外，且受限於規定範圍中之任何特定排除的極限，其中在較小範圍內包括任一極限、皆不包括極限或包括兩個極限亦被包括在本技術內。在規定範圍包括一個或兩個極限的情況下，亦包括排除了彼些被包括極限中之任一者或兩者的範圍。
如本文中及附加申請專利範圍中所使用，除非上下文另外明確指出，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」包括複數引用。因此，例如，對「棒」之引用包括複數個此種棒，且對「連接器」之引用包括對一或更多個連接器及熟習此項技術者所已知之其等效物等等之引用。
又，當在本說明書及以下申請專利範圍中使用時，詞語「包括(comprise(s))」、「包括(comprising)」、「含有(contain(s))」、「含有(containing)」、「包括(include(s))」及「包括(including)」旨在指定所述特徵、整數、部件或操作的存在，但其並不排除一或更多個其他特徵、整數、部件、操作、動作或群組的存在或添加。
100:基板處理工具或處理系統 102:前開式晶圓傳送盒 104a:機械臂 104b:機械臂 106:固持區域 107:出入口 108:基板處理區域 108a:處理區域 108b:處理區域 109:四邊形部分 109a:四邊形部分 109b:四邊形部分 109c:四邊形部分 110:第二機械臂 112:移送腔室 120:連續移送區域 125:移送區域外殼 130a:基板支撐件 130b:基板支撐件 135:移送裝置 140a:面板 140b:面板 145a:泵送內襯 145b:泵送內襯 150a:阻隔板 150b:阻隔板 155:蓋 160a:第一孔隙 160b:第二孔隙 165:遠端電漿單元 200:腔室系統 205:移送區域外殼 207:進出位置 210a:基板支撐件 210b:基板支撐件 210c:基板支撐件 210d:基板支撐件 212:升舉銷 215:出入口 220:移送裝置 225:中心轂部 235:端效器 237:臂 300:基板支撐件 301:第一表面 302:平臺 303:第二表面 305:第一閥桿部分 307:密封帶 310:第二閥桿部分 312:外殼 315:第一桿架 320:第二桿架 325:第三桿架 330:RF棒 332:RF延伸棒 334:RF帶 335:加熱棒 340:連接器 345:延伸加熱棒 405:o型環 410:孔隙 505:導引構件 600:連接器結構 602:縫隙 605:額外連接器 610a:第一鎖定螺母 610b:第二鎖定螺母 615:電耦接器 700:基板支撐件 701:第一表面 702:平臺 703:第二表面 705:第一閥桿部分 707:密封帶 710:第二閥桿部分 712:外殼 714:冷卻轂部 715:第三閥桿部分 716:第一桿架 717:外殼 720:第二桿架 725:第三桿架 728:第四桿架 730:RF棒 732:第一RF延伸棒 733:第二RF延伸棒 734:RF帶 735:加熱棒 738:斷口 745:延伸加熱棒 805:第二連接器 905:熱電偶 910:熱電偶延伸部 1000:熱電偶總成 1002:熱電偶接合面 1005:熱電偶 1010:熱電偶延伸部 1012:第一熱電偶連接器 1014:熱電偶延伸尾部 1015:導電外殼 1018a:第一插座 1018b:第二插座 1020:第二熱電偶連接器 1022:導電外殼 1025a:連接器銷 1025b:連接器銷 1027:耦接器
可藉由本說明書之其餘部分及圖式實現對所揭示技術之本質及優勢的進一步理解。
第1A圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性處理工具之示意性俯視圖。
第1B圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性處理系統之示意性局部橫截面圖。
第2圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板處理系統之移送部分的示意性等角視圖。
第3圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件之示意性橫截面圖。
第4圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件之示意性分解圖。
第5圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件的一部分之示意圖。
第6圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性連接器結構之連接器設置的示意性橫截面圖。
第7圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件之示意性橫截面圖。
第8圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件之示意性橫截面局部圖。
第9圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性基板支撐件之示意性橫截面局部圖。
第10A圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性熱電偶總成之示意性橫截面局部圖。
第10B圖示出根據本發明技術之一些實施例的例示性熱電偶總成之示意性橫截面局部圖。
包括諸圖中之數個圖作為示意圖。應理解，諸圖係出於說明性目的，且除非特定說明係按規模或比例，否則不應被視為按規模或比例。另外，作為示意圖，提供諸圖以幫助理解，且與現實表示相比較而言可能並不包括所有態樣或資訊，且可出於說明性目的而包括誇大的材料。
在附加諸圖中，類似部件及/或特徵可具有相同的元件符號。另外，相同類型之各種部件可藉由在元件符號後跟一個字母來區分，該字母用於區分類似的部件。若說明書中僅使用第一元件符號，則該描述適用於具有相同的第一元件符號之類似部件中的任一者，而與字母無關。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
300:基板支撐件
302:平臺
305:第一閥桿部分
307:密封帶
310:第二閥桿部分
312:外殼
315:第一桿架
320:第二桿架
325:第三桿架
330:RF棒
332:RF延伸棒
334:RF帶
335:加熱棒
340:連接器
345:延伸加熱棒
405:o型環
410:孔隙

Claims (20)

  1. 一種基板支撐總成，包括： 一平臺，特徵為具有經配置以支撐一半導體基板之一第一表面； 一第一閥桿部分，與相對於該平臺的該第一表面之該平臺的一第二表面耦接；以及 一第二閥桿部分，與該第一閥桿部分耦接，該第二閥桿部分包括： 一外壳， 一桿架，安置在該外殼內， 一連接器，在該連接器之一第一末端處置入該桿架內， 一加熱棒，安置在該連接器之該第一末端內， 一延伸加熱棒，在該連接器之一第二末端處與該連接器耦接， 一RF棒， 一RF延伸棒，延伸穿過該桿架，以及 一RF帶，耦接該RF延伸棒之一末端與該RF棒之一末端。
  2. 如請求項1所述之基板支撐總成，其中該連接器以可移除方式置入該桿架內，其中該連接器之該第二末端延伸穿過該桿架，且其中在該桿架與該延伸加熱棒之間維持一縫隙。
  3. 如請求項1所述之基板支撐總成，其中該外殼限定接近於該第二閥桿部分與該第一閥桿部分耦接之一位置的一孔隙。
  4. 如請求項3所述之基板支撐總成，其中自該第一閥桿部分延伸之一導引件可穿過限定在該外殼中之該孔隙進出。
  5. 如請求項1所述之基板支撐總成，其中該RF延伸棒固定地耦接在該桿架中，且其中該RF帶包括經配置以適應該RF棒的熱膨脹之一撓性耦接器。
  6. 一種基板支撐總成，包括： 一平臺，特徵為具有經配置以支撐一半導體基板之一第一表面； 一第一閥桿部分，與相對於該平臺的該第一表面之該平臺的一第二表面耦接； 一第二閥桿部分，與該第一閥桿部分固定地耦接，其中該第二閥桿部分包括： 一外壳， 一RF棒，自該第一閥桿部分延伸， 一第一RF延伸棒，以及 一RF帶，耦接該第一RF延伸棒之一末端與該RF棒之一末端；以及 一第三閥桿部分，其中包括該平臺、該第一閥桿部分及該第二閥桿部分之一子總成以可移除方式與該第三閥桿部分耦接，該第三閥桿部分包括： 一外壳， 一桿架，安置在該第三閥桿部分之該外殼內， 一第一連接器在該第一連接器之一第一末端處置入該桿架內， 一加熱棒，安置在該第一連接器之該第一末端內，一延伸加熱棒在該第一連接器之一第二末端處與該第一連接器耦接， 一第二連接器，在該第二連接器之一第一末端處與該第一RF延伸棒耦接，以及 一第二RF延伸棒，在該第二連接器之一第二末端處與該第二連接器耦接。
  7. 如請求項6所述之基板支撐總成，進一步包括： 一冷卻轂部，其中該第三閥桿部分安置在該冷卻轂部內且與該冷卻轂部耦接，其中該第二閥桿部分界定一輪緣，其中該第二閥桿部分圍繞該第二閥桿部分之該輪緣置入該冷卻轂部上。
  8. 如請求項6所述之基板支撐總成，其中該桿架為一第一桿架，該基板支撐總成進一步包括： 一第二桿架，安置在該第二閥桿部分中，其中該第一RF延伸棒固定地耦接在該第二桿架中，且其中該RF帶包括經配置以適應該RF棒的熱膨脹之一撓性耦接器。
  9. 如請求項6所述之基板支撐總成，其中該第一連接器以可移除方式置入該桿架內，其中該第一連接器之該第二末端延伸穿過該桿架，且其中在該桿架與該延伸加熱棒之間維持一縫隙。
  10. 如請求項6所述之基板支撐總成，其中該平臺及該第一閥桿部分包括一陶瓷。
  11. 如請求項6所述之基板支撐總成，其中該基板支撐總成特徵為具有大於或約為0.5 m之一長度。
  12. 如請求項6所述之基板支撐總成，進一步包括： 置入該桿架中之一第一熱電偶連接器。
  13. 如請求項12所述之基板支撐總成，其中該第一熱電偶連接器包括一導電外殼，該導電外殼包括一熱電偶插座，且其中該導電外殼與電接地耦接。
  14. 如請求項12所述之基板支撐總成，其中維持該第一熱電偶連接器距該第一RF延伸棒至少5 mm遠。
  15. 如請求項12所述之基板支撐總成，進一步包括經由該第一閥桿部分及該第二閥桿部分延伸至該平臺之一熱電偶，其中該熱電偶包括與該第一熱電偶連接器耦接之一第二熱電偶連接器。
  16. 如請求項15所述之基板支撐總成，其中該第二熱電偶連接器包括一導電外殼及一連接器銷。
  17. 如請求項16所述之基板支撐總成，其中該第二熱電偶連接器包括在該第二熱電偶連接器之該導電外殼內的一彈簧耦接器，其經配置以圍繞該第一熱電偶連接器之該導電外殼耦接。
  18. 一種基板支撐總成，包括： 一平臺，特徵為具有經配置以支撐一半導體基板之一第一表面； 一第一閥桿部分，與相對於該平臺的該第一表面之該平臺的一第二表面耦接； 一第二閥桿部分，與該第一閥桿部分固定地耦接，其中該第二閥桿部分包括： 一外壳， 一RF棒，自該第一閥桿部分延伸， 一第一RF延伸棒，以及 一RF帶，耦接該第一RF延伸棒之一末端與該RF棒之一末端；以及 一第三閥桿部分，該第三閥桿部分包括： 一外壳， 一桿架，安置在該第三閥桿部分之該外殼內， 一第一熱電偶連接器，置入該桿架中，以及 一熱電偶，經由該第一閥桿部分及該第二閥桿部分延伸至該平臺，其中該熱電偶包括與該第一熱電偶連接器耦接之一第二熱電偶連接器。
  19. 如請求項18所述之基板支撐總成，其中該第一熱電偶連接器包括一導電外殼，該導電外殼包括一熱電偶插座，且其中該熱電偶外殼與電接地耦接。
  20. 如請求項19所述之基板支撐總成，其中該第二熱電偶連接器包括： 一導電外殼，以及 一彈簧耦接器，在該第二熱電偶連接器之該導電外殼內，該彈簧耦接器經配置以圍繞該第一熱電偶連接器之該導電外殼耦接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5662470A (en) * 1995-03-31 1997-09-02 Asm International N.V. Vertical furnace
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
US5873781A (en) * 1996-11-14 1999-02-23 Bally Gaming International, Inc. Gaming machine having truly random results
US7004107B1 (en) * 1997-12-01 2006-02-28 Applied Materials Inc. Method and apparatus for monitoring and adjusting chamber impedance
SG125948A1 (en) * 2003-03-31 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Supporting structure for use in a lithographic apparatus
KR100587681B1 (ko) 2004-05-07 2006-06-08 삼성전자주식회사 반도체 제조용 챔버의 히터블록 장착용 라인의 실링구조
US7544251B2 (en) 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
JP2009054871A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP5014080B2 (ja) * 2007-11-19 2012-08-29 コバレントマテリアル株式会社 面状ヒータ
US8726838B2 (en) 2010-03-31 2014-05-20 Intermolecular, Inc. Combinatorial plasma enhanced deposition and etch techniques
US8274017B2 (en) * 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
US9088085B2 (en) * 2012-09-21 2015-07-21 Novellus Systems, Inc. High temperature electrode connections
US10177024B2 (en) * 2015-05-12 2019-01-08 Lam Research Corporation High temperature substrate pedestal module and components thereof
US9738975B2 (en) * 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
US10704142B2 (en) * 2017-07-27 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Quick disconnect resistance temperature detector assembly for rotating pedestal
US20210320027A1 (en) * 2020-04-09 2021-10-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for substrate support temperature control
US11495483B2 (en) * 2020-10-15 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
KR20230104976A (ko) * 2020-11-18 2023-07-11 램 리써치 코포레이션 시일을 포함하는 페데스탈
CN117222773A (zh) * 2021-04-21 2023-12-12 朗姆研究公司 衬底上背面沉积的防止

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