TW202214832A - 用於移除蝕刻後殘餘物的組成物、其用途及方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 38
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000003868 ammonium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 14
- -1 ethyliso Propyl moiety Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 7
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 6
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 5
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001930 cyclobutanes Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 abstract 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- TZCPCKNHXULUIY-RGULYWFUSA-N 1,2-distearoyl-sn-glycero-3-phosphoserine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](COP(O)(=O)OC[C@H](N)C(O)=O)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC TZCPCKNHXULUIY-RGULYWFUSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZWZWYGMENQVNFU-UHFFFAOYSA-N Glycerophosphorylserin Natural products OC(=O)C(N)COP(O)(=O)OCC(O)CO ZWZWYGMENQVNFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Natural products CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical class 0.000 description 2
- 125000004422 alkyl sulphonamide group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M cetyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-M 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctanoate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UZUFPBIDKMEQEQ-UHFFFAOYSA-M 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-heptadecafluorononanoate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F UZUFPBIDKMEQEQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMCMPZBLKLEWAF-BCTGSCMUSA-N 3-[(3-cholamidopropyl)dimethylammonio]propane-1-sulfonate Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(=O)NCCC[N+](C)(C)CCCS([O-])(=O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 UMCMPZBLKLEWAF-BCTGSCMUSA-N 0.000 description 1
- JHSARVVJAORGBA-UHFFFAOYSA-N CC[As]C Chemical compound CC[As]C JHSARVVJAORGBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBEGXZCNYJRDTF-UHFFFAOYSA-N C[As]C1=CC=CC=C1 Chemical compound C[As]C1=CC=CC=C1 HBEGXZCNYJRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 125000005211 alkyl trimethyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical class N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229960001040 ammonium chloride Drugs 0.000 description 1
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229940027983 antiseptic and disinfectant quaternary ammonium compound Drugs 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- QDYLMAYUEZBUFO-UHFFFAOYSA-N cetalkonium chloride Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 QDYLMAYUEZBUFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000228 cetalkonium chloride Drugs 0.000 description 1
- 229960001927 cetylpyridinium chloride Drugs 0.000 description 1
- YMKDRGPMQRFJGP-UHFFFAOYSA-M cetylpyridinium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+]1=CC=CC=C1 YMKDRGPMQRFJGP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JZCIYTSNUPIOMK-UHFFFAOYSA-N diethylarsenic Chemical compound CC[As]CC JZCIYTSNUPIOMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- OGQYPPBGSLZBEG-UHFFFAOYSA-N dimethyl(dioctadecyl)azanium Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC OGQYPPBGSLZBEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZYMCGHKVJXMQRR-UHFFFAOYSA-N dimethylarsenic Chemical compound C[As]C ZYMCGHKVJXMQRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEBDYZTUVULEBJ-UHFFFAOYSA-N diphenylarsenic Chemical compound C=1C=CC=CC=1[As]C1=CC=CC=C1 SEBDYZTUVULEBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAAUJVPJFQEAJJ-UHFFFAOYSA-N dipropylarsenic Chemical compound CCC[As]CCC FAAUJVPJFQEAJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKRJTJJQPXVRRY-UHFFFAOYSA-M dodecyl-(2-hydroxyethyl)-dimethylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCO BKRJTJJQPXVRRY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N dodecyldimethylamine N-oxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)[O-] SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229930182478 glucoside Natural products 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TUFJPPAQOXUHRI-KTKRTIGZSA-N n'-[(z)-octadec-9-enyl]propane-1,3-diamine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCNCCCN TUFJPPAQOXUHRI-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- WTJKGGKOPKCXLL-RRHRGVEJSA-N phosphatidylcholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)OC(=O)CCCCCCCC=CCCCCCCCC WTJKGGKOPKCXLL-RRHRGVEJSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229940117986 sulfobetaine Drugs 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N tetraethoxy silicate Chemical group CCOO[Si](OOCC)(OOCC)OOCC XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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Abstract
本發明涉及一種在含矽層及含氧化矽介電層的存在下，用於移除蝕刻後殘餘物的組成物，該組成物包含：
（a）0.005至0.3重量%的HF；
（b）0.01至1重量%的式NR
E 4F之氟化銨，其中R
E為H或C
1-C
4烷基；
（c）5至30重量%的選自亞碸及碸的有機溶劑；
（d）70重量%或以上的水；及
（e）視情況選用之0.01至1重量%的選自氨及C
4-C
20四級化脂肪銨的銨化合物。
Description
本發明涉及一種在含矽層及含氧化矽介電層的存在下，用於移除蝕刻後殘餘物的組成物、其用途及方法。
製備某些微電子元件（例如積體電路）的步驟可包括移除留存在藉由蝕刻非晶矽層所打開的凹槽圖案內的氧化物殘餘物。此非晶矽層中的圖案通常藉由光阻由乾式蝕刻製備，該光阻後續藉由灰化移除。在此等乾式蝕刻及灰化步驟之後，氧化物殘餘物留存在表面上且特別地在該非晶矽層的圖案內，其需被移除以避免任何對於積體電路的電氣完整性的重大影響。
此處主要任務乃有效地移除氧化物殘餘物而不影響該非晶矽層本身及在該非晶矽下面的介電層，例如從四乙基正矽酸鹽（tetraethyl orthosilicate）製備且因此在工業中經常命名為「TEOS」的介電層。
對於氧化物殘餘物的移除來說，通常會使用包含氫氟酸（HF）的組成物，但此等組成物展現良好的氧化物殘餘物移除率或者低TEOS層蝕刻速率，亦即，對於氧化物殘餘物及TEOS的選擇性相對較低。
WO 02/004233 A1揭示了一種用於剝離光阻及清洗來自基材的殘餘物及用於氧化矽之蝕刻的組成物，其包含自0.01至10重量%的一或多種氟化合物、自10至95重量%的亞碸或碸溶劑及自約20至50重量%的水。然而，此組成物無法有效地移除熱氧化物殘餘物。
WO 2010/113616揭示了用於蝕刻氧化矽膜的溶液，該溶液包含氫氟酸、氟化銨、具有比氫氟酸高的pKa的酸、具有比氨高的pKa的鹼及水。
WO 2005/057281 A2揭示了基於水的組成物及用於從具有該等材料的基材移除光阻、底部抗反射塗層（BARC）、及/或縫隙填充材料的方法。該基於水的組成物包括氟化物源、至少一種有機胺、至少一種有機溶劑、水及視情況選用的螯合試劑及/或界面活性劑。
然而，最新解決方案不能滿足所有要求，這是因為其至少具有以下之一的缺陷：
（a）太高的介電質氧化矽蝕刻，特別是TEOS蝕刻，如圖2a所展示；
（b）較差的側壁蝕刻殘餘物清洗，如圖2b所展示。
因此本發明的目的是確保好的蝕刻殘餘物移除率結合低介電質蝕刻速率，特別是TEOS蝕刻速率。此外，本發明的目的是發展可展現提升的蝕刻殘餘物對介電質選擇性之組成物。
現已發現，使用包含HF、氟化銨及特定溶劑之水性組成物可用於移除包含氧化矽之蝕刻後殘餘物，其係相對於元素矽及介電材料，特別是相對於非晶矽及TEOS。
因此，本發明的一個具體實例是一種在含矽層及含氧化矽介電層的存在下，用於移除蝕刻後殘餘物的組成物，該組成物包含或實質上由以下組成：
（a）0.005至0.3重量%的HF；
（b）0.01至1重量%的式NR
E 4F之氟化銨，其中R
E為H或C
1-C
4烷基；
（c）5至30重量%的選自亞碸及碸的有機溶劑；
（d）70重量%或以上的水；及
（e）視情況選用之0.01至1重量%的選自氨及C
4-C
20四級化脂肪銨的銨化合物。
令人特別驚訝的是，根據本發明的蝕刻組成物適合進行受控及選擇性蝕刻氧化性蝕刻後殘餘物，而同時不會或不會顯著損害含矽層及含氧化矽介電層。
應強調的是根據本發明的組成物中的化合物可反應以形成其他化合物，特別是組分（a）HF可與視情況選用的組分（e）銨化合物反應（如果組分（e）是氨的話）。在此例子中，依據組分（a）及（e）的比例，HF可能會減少或甚至完全中和，且形成額外的氟化銨。因此，組成物亦涵蓋化合物（a）至（e）的反應產物。
本發明的另一個具體實例是本文所述的組成物的用途，用於在含矽層及含氧化矽介電層的存在下移除蝕刻後殘餘物。
本發明的又一個具體實例是一種在含矽層及含氧化矽介電層的存在下移除蝕刻後殘餘物的方法，該方法包含：
（a）提供一種包含表面的微電子裝置，該表面包含該蝕刻後殘餘物、該矽層及該介電層，
（b）提供如本文所述的組成物，及
（c）在能有效地移除該蝕刻後殘餘物而不破壞該矽層及該介電層的時間及溫度下，使該表面與該組成物接觸。
本發明之組成物的目的是蝕刻相對於元素矽層且特別是含氧化矽介電層的氧化矽殘餘物。由於蝕刻後殘餘物及介電層皆包含氧化矽或由氧化矽組成，獲得高的氧化矽殘餘物蝕刻速率及夠低的介電層蝕刻速率是有挑戰性的，特別是如果介電層包含TEOS或由TEOS組成。
如圖1示意地展示，蝕刻殘餘物移除組成物可在乾式蝕刻步驟後移除氧化物殘餘物而不破壞其下的基於氧化矽之介電層。相反地，先前技術的組成物如果使用高的HF濃度（圖2a）則困擾於介電層的過度蝕刻，如果使用低的HF濃度（圖2b）則困擾於不足的氧化物殘餘物之移除。只有具有如下特定組成物才可達成夠低的介電質蝕刻結合夠高的氧化物殘餘物移除率，該組成物包含下列或實質上由下列組成：
（a）0.005至0.3重量%的HF；
（b）0.01至1重量%的式NR
E 4F之氟化銨，其中R
E為H或C
1-C
4烷基；
（c）5至30重量%的選自亞碸及碸的有機溶劑；
（d）70重量%或以上的水，及
（e）視情況選用之0.01至1重量%的選自氨及C
4-C
20四級化脂肪氫氧化銨的銨化合物。
蝕刻劑
根據本發明的蝕刻組成物中至少存在兩種蝕刻劑，氟化氫及式NR
E 4F之氟化銨。
氟化氫
以組成物的總重量計，氟化氫的使用量可為約0.005至約0.3重量%，較佳為約0.008至約0.2重量%，更佳為約0.01至約0.1重量%，最佳為約0.01至約0.05重量%。
氟化氫存在於蝕刻組成物的量可為約0.01至約0.6 mol/l，較佳為約0.01至約0.5 mol/l，更佳為約0.015至約0.3 mol/l，最佳為約0.02至約0.15 mol/l。
氟化銨
氟化銨NR
E 4F的存在量可為約0.01至約0.1重量%，較佳為約0.1至約0.8重量%，最佳為約0.2至約0.6重量%。
R
E可為H或C
1-C
4烷基，較佳為H、甲基、乙基或丙基，更佳為H、甲基或乙基，甚至更佳為H或甲基，最佳為H。
在一較佳具體實例中，蝕刻劑包含NH
4F及N(CH
3)
4F的組合，較佳呈現為0.05至1，尤其為0.1至0.5的質量比。
根據本發明的包含氟化氫及氟化銨的組合做為蝕刻劑的蝕刻組成物已顯示出穩定且可再現的受控選擇性蝕刻速率，用於在介電層，特別是TEOS層的存在下蝕刻氧化物殘餘物。
蝕刻劑最佳由氟化氫及氟化銨NR
E 4F的組合組成，亦即，蝕刻組成物中不存在除了氟化氫及氟化銨NR
E 4F之外的蝕刻劑。
在一較佳具體實例中，蝕刻劑由氟化氫及氟化銨以質量比為0.005至1，較佳為0.01至0.5，最佳為0.02至0.2的比例之組合組成。
根據本發明的包含在此定義的較佳總量的蝕刻劑的組成物已顯示出可令人接受的蝕刻速率（特別是對於蝕刻包含氧化矽的蝕刻殘餘物），以及蝕刻速率選擇性（特別是在包含或由介電質，例如但不限於TEOS的層的存在下）的優異平衡。
有機溶劑
根據本發明的蝕刻組成物進一步包含約5至約30重量%的選自亞碸及碸的有機溶劑。
有機溶劑較佳可存在蝕刻組成物的量為約8至約27重量%，更佳約10至約25重量%，甚至更佳約12至約23重量%，最佳約15至約20重量%。
較佳的亞碸為下式化合物
其中R
S1及R
S2獨立地選自C
1至C
4烷基，或R
S1及R
S2一起形成C
4或C
5烷二基基團以形成5或6員飽和環狀系統。
適合的亞碸溶劑包括下列及其混合物：二甲基亞碸（DMSO）、二丙基亞碸、二乙基亞碸、甲基乙基亞碸、二苯基亞碸、甲基苯基亞碸、1,1’-二羥基苯基亞碸及類似物。
較佳的碸為下式化合物
其中R
S3及R
S4獨立地選自C
1至C
4烷基，或R
S1及R
S2一起形成C
4或C
5烷二基基團以形成5或6員飽和環狀系統。
適合的碸溶劑包括下列及其混合物：二甲基碸、二乙基碸、2,3,4,5-四氫噻吩-1,1-二氧化物（亦稱為環丁碸）及類似物。
溶劑應可與水混溶以提供均勻溶液。在本發明的上下文中，「與水混溶的有機溶劑」乙詞較佳是指滿足此要求的有機溶劑在20℃及環境壓力下至少以1:1（w/w）的比例與水混溶。
在一較佳具體實例中，有機溶劑選自由DMSO、環丁碸及其混合物所組成之群組。最佳的有機溶劑為DMSO。
氫氧化銨化合物
為進一步提升選擇性，根據本發明的組成物包含0.01至1重量 %的氨或C
4-C
20脂肪四級化氫氧化銨化合物作為視情況選用之組分。
在第一具體實例中，將氨添加到蝕刻組成物中，較佳以氨水的形式將氨添加到蝕刻組成物中。
氨的添加量較佳可為約0.03至約2重量%，更佳為0.05至1.5重量%，甚至更佳為0.1至約1重量%，最佳為0.15至0.5重量%。
氨與蝕刻劑，特別是HF，的質量比較佳為0.2至4，更佳為0.5至2。
在第二具體實例中，將C
4-C
20四級化脂肪銨化合物添加到蝕刻組成物中。
C
4-C
20四級化脂肪銨化合物包含下式
其中R
A1、R
A2、R
A3及R
A4相同或不同，且獨立地選自C
1-C
10烷基，其中R
A1、R
A2、R
A3及R
A4之間碳原子數的總和為20或更少。R
A1、R
A2、R
A3及R
A4較佳獨立地選自C
1-C
6烷基，最佳獨立地選自C
1-C
4烷基，且X
A為相對離子，例如但不限於硫酸鹽、氯化物及氫氧化物，較佳為氫氧化物。
C
4-C
20四級化脂肪銨化合物較佳選自四甲基氫氧化銨（TMAH）、四乙基氫氧化銨（TEAH）。
C
4-C
20四級化脂肪銨化合物的添加量可為約0.03至約2重量%，更佳為0.05至1.5重量%，甚至更佳為0.1至約1重量%，最佳為0.15至0.5重量%。
C
4-C
20四級化脂肪銨化合物與蝕刻劑，特別是HF，的莫耳比較佳為0.3至2，更佳為0.5至1。
界面活性劑
組成物亦可進一步包含一或多種界面活性劑作為視情況選用之組分。
界面活性劑較佳選自以下組成的群：
（i）陰離子界面活性劑，其較佳選自由月桂基硫酸銨、C
6-C
20羧酸或其鹽（較佳C
6-C
12脂肪羧酸，例如但不限於辛酸）、氟界面活性劑（其較佳選自由全氟化烷基磺醯胺鹽（較佳為全氟化N-取代烷基磺醯胺銨鹽，PNAAS）、全氟辛烷磺酸酯、全氟丁烷磺酸酯、全氟壬酸酯、全氟辛酸酯組成的群）、烷基-芳基醚磷酸鹽及烷基醚磷酸鹽組成的群，
（ii）陽離子界面活性劑，其較佳選自由C
6-C
20烷基胺或其鹽、C
6-C
30四級銨化合物（較佳C
6-C
30四級烷基銨化合物）組成的群。陽離子界面活性劑較佳選自由烷基三甲基銨化合物如十六烷基三甲基氯化銨、N-油基-1,3-丙二胺、辛胺、雙十八烷基二甲基氯化铵、西吡氯銨（cetylpyridinium chloride）、西他氯銨（cetalkonium chloride）、羥乙基月桂基二甲基氯化銨及十六烷基三甲基氯化铵組成的群。
（iii）兩性離子界面活性劑，其較佳選自由(3-[(3-膽醯胺丙基)二甲胺基]-1-丙烷磺酸酯（「CHAPS」）、椰油醯胺基丙基磺基甜菜鹼（CAS RN 68139-30-0）、{[3-(十二醯胺基)丙基](二甲基)-胺}乙酸酯、磷脂醯絲胺酸、磷脂醯乙醇胺、磷脂醯膽鹼組成的群，及
（iv）非離子界面活性劑，其較佳選自由葡糖糖苷烷基醚、甘油烷基醚、椰油醯胺乙醇胺及月桂基二甲基氧化胺組成的群。
根據本發明的組成物中更佳的界面活性劑為或包含全氟化N-取代烷基磺醯胺銨鹽。
根據本發明的組成物中較佳的界面活性劑不包含金屬或金屬離子。
在一個較佳的具體實例中，本發明的組成物包含陰離子界面活性劑，其較佳為C
6-C
20羧酸或其鹽，最佳為C
6-C
12脂肪羧酸、以及陽離子界面活性劑的組合，其較佳為C
6-C
30烷基胺或其鹽、C
6-C
30四級銨化合物，最佳為C
6-C
30四級烷基銨化合物。
組成物
根據本發明的組成物為基於水的組成物，亦即，水形成至少70重量%的組成物的主要部分。水在組成物中的存在量較佳為72重量%或以上，更佳為75重量%或以上，甚至更佳為78重量%或以上，最佳為80重量%或以上。
在一個較佳的具體實例中，蝕刻組成物的pH為1至7，特別是2至6，最特別是3至5。
在第一個特別的具體實例中，組成物包含下列或基本上由下列組成：
（a）0.01至0.3重量%的HF；
（b）0.1至1重量%的式NR
E 4F之氟化銨，其中R
E為H、甲基或乙基；
（c）5至30重量%的有機溶劑；
（d）70重量%或以上的水；
（e）視情況選用之0.05至0.5重量%的選自氨及C
4-C
20四級化脂肪銨的銨化合物；及
（f）視情況選用之0.001至1重量%的選自C
6-C
20脂肪胺、C
6-C
20脂肪酸及其組合的界面活性劑。
在第二個特別的具體實例中，組成物包含下列或基本上由下列組成：
（a）0.01至0.1重量%的HF；
（b）0.1至0.6重量%的式NR
E 4F之氟化銨，其中R
E為H、甲基或乙基；
（c）10至25重量%的有機溶劑；
（d）74.3重量%或以上的水；
（e）視情況選用之0.05至0.5重量%的選自氨及C
4-C
20四級化脂肪銨的銨化合物；及
（f）視情況選用之0.001至0.5重量%的選自C
6-C
20脂肪胺、C
6-C
20脂肪酸及其組合的界面活性劑。
在第三個特別的具體實例中，組成物包含下列或基本上由下列組成：
（a）0.001至0.1重量%的HF；
（b）0.1至0.6重量%的式NR
E 4F之氟化銨，其中R
E為H、甲基或乙基；
（c）12至23重量%的有機溶劑；
（d）76.3重量%或以上的水，在每種情況下，水平衡至組成物總量的100重量%；
（e）視情況選用之0.05至0.3重量%的選自氨及C
4-C
20四級化脂肪銨的銨化合物；及
（f）視情況選用之0.005至0.1重量%的選自C
6-C
20脂肪胺、C
6-C
20脂肪酸及其組合的界面活性劑。
除非另有說明，否則所有百分比、ppm或相當的值是指相對於各個組成物的總重量的重量。在每種情況下組分的%量加計為100%。
應用
應當理解的是，通常的做法為使用前製備濃縮形式的待稀釋的組成物。舉例來說，組成物可以以更濃縮的形式製造，接著在製造商處、使用前及/或使用期間以水、至少一種氧化劑或其他組分稀釋。稀釋比的範圍可為約0.1份稀釋劑:1份組成物濃縮物至約100份稀釋劑:1份組成物濃縮物。
本文所述的蝕刻組成物可有利地用於在含矽層及含氧化矽介電層的存在下移除蝕刻後殘餘物，特別是TEOS。本文所述的蝕刻組成物亦可有利地用於製造半導體元件的方法中，其包含相對於基於氧化矽的介電層，特別是TEOS，從微電子元件的表面選擇性移除氧化矽殘餘物的步驟。
本文所述的蝕刻組成物可有利地用於在含矽層及含氧化矽介電層的存在下移除蝕刻後殘餘物，該方法包含：
（a）提供微電子元件，其包括包含蝕刻後殘餘物、矽層及介電層的表面，
（b）提供本文所述的組成物，及
（c）使表面與組成物接觸一段時間及在一定溫度下，使其有效地移除蝕刻後殘餘物而不會破壞矽層及介電層。
在一較佳的具體實例中，在上述的步驟（a）之前另外執行步驟（a1）及（a2）：
（a1）經由位在不意欲被乾式蝕刻的該矽層部分上方之光阻，乾式蝕刻該矽層以在該矽層中形成凹槽，及
（a2）移除該光阻。
根據本發明的組成物的應用更詳細地描繪在圖1的結構之中，但不易欲限制本發明。
關於結構（A），該電子元件結構包含矽層，其上配置圖案化光阻。矽層下有介電層。
在結構（A）中，矽層係藉著經由光遮罩的乾式蝕刻打開。之後，移除在該矽層頂的光遮罩。矽層的乾式蝕刻的技術在技術領域中為熟知的且本文並無進一步描述。
在許多例子中，殘餘物，特別是側壁殘餘物，包含大量殘餘在凹槽圖案表面的氧化矽。其需要在不破壞矽層且特別是其下的介電層的情況下被移除。若該介電層易受氟化物蝕刻，如TEOS，則更具挑戰性。
如本文所使用，「氧化矽殘餘物」或「氧化物殘餘物」意指包括氧化矽的殘餘物，其通常藉由含矽層的乾式蝕刻以及光遮罩的熱移除得到，意即包括其他元素或氧化物的不純氧化矽。
如本文所使用，「矽層」或「含矽層」意指包括元素矽之層。矽可為非晶矽（a-Si）、多晶矽（poly-Si）、結晶矽或其組合。較佳為非晶矽。
「介電層」對應於包含任何類型的氧化矽之層，該氧化矽用於製備介電層，例如但不限於TEOS，熱氧化矽或碳摻雜氧化物（CDO），其使用可商購的前驅物，諸如SiLK™、AURORA™、CORAL™或BLACK DIAMOND™進行沉積。
如本文所使用，「TEOS」乙詞對應於基於氧化矽的介電材料，其藉由四乙氧基正矽酸鹽的分解所製造。
如本文所使用，在不破壞第二材料的情況下移除第一材料較佳意指在將根據本發明的組成物塗覆至包含或由第一材料（在此情況為SiO
x）組成的基材時，且存在一或多種包含或由的第二材料（在此情況特別為非晶矽或TEOS）組成的基材，該組成物蝕刻第一材料的蝕刻率乃該第一材料被移除，且第二材料的蝕刻充分被抑制而不會導致基材上結構性的破壞，特別是介電材料的過度蝕刻。
如本文所使用，「層」乙詞在本文中是指單獨設置在基材的表面上且相對於相鄰層具有可區別組成的基材的一部分。
所有引用的文件均藉由引用併入本文。
下方實施例將進一步說明本發明，而不限制本發明的範圍。
實施例
下列未圖案化試料係用作模型層用來決定蝕刻率：
（a）矽上5 nm的熱氧化矽上的20 nm非晶矽，用來決定非晶矽的蝕刻率；
（b）矽上的150 nm的TEOS，用來決定TEOS的蝕刻率；
（c）矽上的100 nm的熱氧化矽，用來決定SiO
x殘餘物的蝕刻率。
使用熱氧化矽來表示蝕刻後殘餘物的蝕刻率是因為其與圖案化基材上的蝕刻殘餘物的相似性。
使用以下電子級純度的材料：
● NH
4OH（28%）
● TMAH
● HF（50%）
● DMSO，環丁碸
● 水（超純水）
組成物中化合物給出的所有量皆為絕對量，即在整體混合物中不包括水。
在室溫下，按照表1中所述的重量含量混合原料與水，而無特別的混合順序。接著將調配物冷卻或加熱至所述的溫度。
藉由將基材浸入根據表1的蝕刻溶液中，在40°C下蝕刻基材、用水洗滌並以氮氣乾燥。藉由橢圓偏光術比較蝕刻前後的層厚度而測定蝕刻速率。使用來自Woolam的M2000橢圓偏光儀以橢圓偏光術測量。蝕刻率（Å /min；1Å =0.1 nm）示於表1中。
表1
| 蝕刻劑 | HF[wt%] | 0.11 | 0.11 | 0.11 | 0.11 | 0.11 | 0.11 | 0.11 | 0.11 |
| 溶劑 [wt%] | 二乙二醇丁醚 | -- | 10 | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| DMSO | -- | -- | 10 | -- | -- | -- | -- | -- | |
| 環丁碸 | -- | -- | -- | 10 | -- | -- | -- | -- | |
| 乙二醇 (Ethlene glycol) | -- | -- | -- | -- | 10 | -- | -- | -- | |
| 二元醇(Glycol) | -- | -- | -- | -- | -- | 10 | -- | -- | |
| n-甲醯基嗎啉 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 10 | -- | |
| 二丙二醇甲醚 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 10 | |
| TEOS ER (Å/min) | 45 | 11 | 30 | 36 | 19 | 18 | 33 | 20 | |
| SiO x殘餘物ER (Å/min) | 10 | 5 | 10 | 10 | 3 | 4 | 8 | 4 | |
| a-Si ER (Å/min) | 0.3 | 0.3 | 0.5 | 0.5 | 0.2 | 0.3 | 0.2 | 0.3 |
無
[圖1]示意地展示乾式蝕刻及PR移除之前、根據本發明移除蝕刻後殘餘物（a）之前及之後的基材。
[圖2]示意地展示乾式蝕刻及PR移除之前、在使用（a）具有高HF濃度及（b）具有低HF濃度的先前技術殘餘物移除組成物來移除蝕刻後殘餘物之前及之後的基材。
Claims (15)
- 一種在含矽層及含氧化矽介電層的存在下，用於移除蝕刻後殘餘物的組成物，該組成物包含： （a）0.005至0.3重量%的HF； （b）0.01至1重量%的式NR E 4F之氟化銨，其中R E為H或C 1-C 4烷基； （c）5至30重量%的選自亞碸及碸的有機溶劑； （d）70重量%或以上的水；及 （e）視情況選用之0.01至1重量%的選自氨及C 4-C 20四級化脂肪氫氧化銨的銨化合物。
- 如請求項1之組成物，其中HF的存在量為0.01至0.1重量%。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其中該氟化銨的存在量為0.1至約0.6重量%。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其中R E選自H、甲基或乙基。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其中該氟化銨包括NH 4F及N(CH 3) 4F的組合。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其中該有機溶劑的存在量為10至25重量%，較佳12至23重量%。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其中該有機溶劑選自二甲基亞碸、四氫噻吩-1,1-二氧化物（環丁碸）、乙基甲基碸及乙基異丙基碸。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其中該組成物的pH為2至6，較佳3至5。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其進一步包含選自C 6-C 30脂肪胺、C 6-C 20脂肪羧酸及其組合的界面活性劑。
- 如前述請求項中任一項之組成物，其包含下列或基本上由下列組成： （a）0.01至0.3重量%的HF； （b）0.1至1重量%的式NR E 4F之氟化銨，其中R E為H、甲基或乙基； （c）5至30重量%的有機溶劑； （d）70重量%或以上的水； （e）視情況選用之0.05至0.5重量%的選自氨及C 4-C 20四級化脂肪銨的銨化合物；及 （f）視情況選用之0.001至1重量%的選自C 6-C 20脂肪胺、C 6-C 20脂肪酸及其組合的界面活性劑。
- 如請求項1至9中任一項之組成物，其包含下列或基本上由下列組成： （a）0.01至0.1重量%的HF； （b）0.1至0.6重量%的式NR E 4F之氟化銨，其中R E為H、甲基或乙基； （c）10至25重量%的有機溶劑； （d）74.3重量%或以上的水； （e）視情況選用之0.05至0.5重量%的選自氨及C 4-C 20四級化脂肪銨的銨化合物；及 （f）視情況選用之0.001至0.5重量%的選自C 6-C 20脂肪胺、C 6-C 20脂肪酸及其組合的界面活性劑。
- 如請求項1至9中任一項之組成物，其包含下列或基本上由下列組成： （a）0.001至0.1重量%的HF； （b）0.1至0.6重量%的式NR E 4F之氟化銨，其中R E為H、甲基或乙基； （c）12至23重量%的有機溶劑； （d）76.3重量%或以上的水； （e）視情況選用之0.05至0.3重量%的選自氨及C 4-C 20四級化脂肪銨的銨化合物；及 （f）視情況選用之0.005至0.1重量%的選自C 6-C 20脂肪胺、C 6-C 20脂肪酸及其組合的界面活性劑。
- 一種如請求項1至12中任一項之組成物的用途，其用於在含矽層及含氧化矽介電層的存在下移除蝕刻後殘餘物。
- 一種在含矽層及含氧化矽介電層的存在下移除蝕刻後殘餘物的方法，該方法包含： （a）提供一種包含表面的微電子裝置，該表面包含該蝕刻後殘餘物、該矽層及該介電層， （b）提供如請求項1至12中任一項之組成物，及 （c）在能有效地移除該蝕刻後殘餘物而不破壞該矽層及該介電層的時間及溫度下，使該表面與該組成物接觸。
- 如請求項14之方法，其在步驟（a）之前另外包含： （a1）經由位在不意欲被乾式蝕刻的該矽層部分上方之光阻，乾式蝕刻該矽層以在該矽層中形成凹槽，及 （a2）移除該光阻。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP20192699 | 2020-08-25 | ||
| EP20192699.5 | 2020-08-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202214832A true TW202214832A (zh) | 2022-04-16 |
Family
ID=72242931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110131061A TW202214832A (zh) | 2020-08-25 | 2021-08-23 | 用於移除蝕刻後殘餘物的組成物、其用途及方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230340370A1 (zh) |
| KR (1) | KR20230056682A (zh) |
| CN (1) | CN116134584A (zh) |
| TW (1) | TW202214832A (zh) |
| WO (1) | WO2022043111A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2001278890A1 (en) | 2000-07-10 | 2002-01-21 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
| MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
| CN100442449C (zh) * | 2003-05-02 | 2008-12-10 | Ekc技术公司 | 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 |
| JP2007519942A (ja) | 2003-12-02 | 2007-07-19 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | レジスト、ｂａｒｃ、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法 |
| WO2010113616A1 (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | ダイキン工業株式会社 | エッチング液 |
-
2021
- 2021-08-16 US US18/042,606 patent/US20230340370A1/en active Pending
- 2021-08-16 WO PCT/EP2021/072719 patent/WO2022043111A1/en active Application Filing
- 2021-08-16 CN CN202180057767.6A patent/CN116134584A/zh active Pending
- 2021-08-16 KR KR1020237006370A patent/KR20230056682A/ko unknown
- 2021-08-23 TW TW110131061A patent/TW202214832A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230340370A1 (en) | 2023-10-26 |
| WO2022043111A1 (en) | 2022-03-03 |
| CN116134584A (zh) | 2023-05-16 |
| KR20230056682A (ko) | 2023-04-27 |
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