TW202214065A - 零件內建基板之製造方法及零件內建基板 - Google Patents

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Abstract

零件內建基板之製造方法包括：提供中間構件（2）之步驟，該中間構件（2）具備：電子零件（10），在第1面（13）設置有第1電極（11）；及第1導電層（20），設置於電子零件（10）的第1面（13）上以覆蓋第1電極（11）；以及在中間構件（2）的第1面（3）上形成第1絕緣樹脂層（40）之步驟。第1導電層（20）具有：第1固化接著劑層（23），含有包含導電性粒子（21）及固化之接著劑組成物之固化接著劑層（22）；及第1金屬箔層（24），配置於第1固化接著劑層（23）上且與電子零件（10）相反側的面。第1固化接著劑層（23）的導電性粒子（21）將電子零件（10）的第1電極（11）與第1金屬箔層（24）電連接。

Description

零件內建基板之製造方法及零件內建基板
本發明係有關一種零件內建基板之製造方法及零件內建基板。
在專利文獻1中揭示了一種內建有IC晶片等電子零件之印刷配線板之製造方法。
[專利文獻1]日本特開2012-191204號公報
在以往的零件內建基板之製造方法中，如圖5的（a）及（b）所示，在設置有電極101a之電子零件101的積層方向的兩側形成絕緣樹脂層102、103。其後，如圖5的（c）及（d）所示，藉由進行基於雷射之打孔、鍍敷層的形成及基於蝕刻之電極形成等，將到達電子零件101的各電極101a之通孔電極104、105形成於各絕緣樹脂層102及103。又，如圖6的（a）～（c）所示，藉由反覆進行進一步的絕緣樹脂層106、107的形成、基於雷射之打孔及鍍敷層的形成之通孔電極108的形成、以及基於蝕刻之電極形成等，可形成零件內建基板110。然而，在這樣的零件內建基板之製造方法中，進行大量處理來形成1個導電層（通孔電極），為了形成複數個導電層而需要反覆進行該等處理，製造程序非常複雜。
因此，本發明的目的為提供一種簡化了製造程序之零件內建基板之製造方法及零件內建基板。
作為一方面，本發明係有關一種零件內建基板之製造方法。該零件內建基板之製造方法包括：提供中間構件之步驟（a），該中間構件具備：電子零件，在第1面設置有第1電極；及第1導電層，設置於電子零件的第1面上以覆蓋第1電極；以及步驟（b），在中間構件的第1面上形成第1絕緣樹脂層。第1導電層具有：第1固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第1金屬箔層，配置於第1固化接著劑層上且與電子零件相反側的面。第1固化接著劑層的導電性粒子將電子零件的第1電極與第1金屬箔層電連接。
在該零件內建基板之製造方法中，在步驟（a）中提供之中間構件的第1導電層由具有含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層的第1固化接著劑層和第1金屬箔層者構成，第1固化接著劑層的導電性粒子將電子零件的第1電極與第1金屬箔層電連接。此時，由於能夠簡化包括電子零件之中間構件，因此能夠簡化零件內建基板之製造方法。
在上述零件內建基板之製造方法中，中間構件進一步具備設置於電子零件的與第1面相反側的第2面上之第2導電層，可以在電子零件的與第1面相反側的第2面設置第2電極。第2導電層具有：第2固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第2金屬箔層，配置於第2固化接著劑層上且與電子零件相反側的面。第2固化接著劑層的導電性粒子將電子零件的第2電極與第2金屬箔層電連接。此時，由於在電子零件的兩面設置經簡化之導電層，因此能夠使零件內建基板之製造方法更簡單。
在上述零件內建基板之製造方法中，提供中間構件之步驟（a）可以包括：準備電子零件之步驟（a1）；準備第1接著膜之步驟（a2）；在電子零件的第1面黏貼第1接著膜以覆蓋第1電極之步驟（a3）；及將第1接著膜加熱壓接於電子零件之步驟（a5）。第1接著膜具有：第1接著劑層，含有包含導電性粒子及接著劑組成物且導電性粒子分散於接著劑組成物中之接著劑層；及第1金屬箔層，配置於第1接著劑層上且與電子零件相反側的面。在加熱壓接之步驟（a5）中，藉由加熱壓接第1接著膜，第1接著膜的導電性粒子將電子零件的第1電極與第1金屬箔層電連接，並且使第1接著膜的接著劑層固化以作為第1固化接著劑層。此時，由於使用包含分散於接著劑組成物中之導電性粒子之接著膜形成有導電層，因此無需進行基於雷射之打孔、鍍敷層的形成及基於蝕刻之電極形成等複雜的程序，而能夠輕易地形成連接在積層方向上分開之電極之間之導電層。其結果，能夠使零件內建基板之製造方法更簡單。另外，進行上述步驟（a1）～（a3）和（a5）之順序並不限定於上述記載之順序，能夠適當地變更順序。
在上述零件內建基板之製造方法中，提供中間構件之步驟（a）可以包括：準備電子零件之步驟（a1）；準備第1接著膜及第2接著膜之步驟（a2）；在電子零件的第1面黏貼第1接著膜以覆蓋第1電極之步驟（a3）；在電子零件的第2面黏貼第2接著膜以覆蓋第2電極之步驟（a4）；及將第1接著膜及第2接著膜加熱壓接於電子零件之步驟（a5）。第1接著膜具有：第1接著劑層，含有包含導電性粒子及接著劑組成物且導電性粒子分散於接著劑組成物中之接著劑層；及第1金屬箔層，配置於第1接著劑層上且與電子零件相反側的面。又，第2接著膜具有：第2接著劑層，含有包含導電性粒子及接著劑組成物且複雜導電性粒子分散於複雜接著劑組成物中之接著劑層；及複雜第2金屬箔層，配置於複雜第2接著劑層上且與複雜電子零件相反側的面。另外，上述步驟（a1）～（a5）的順序並不限定於上述記載之順序，能夠適當地變更順序。例如，進行步驟（a1）及步驟（a2）之順序並無限定，可以首先進行步驟（a1），並且相反地，可以首先進行步驟（a2），進而，可以同時進行步驟（a1）和步驟（a2）。又，例如，進行步驟（a3）及步驟（a4）之順序並無限定，可以首先進行步驟（a3），並且相反地，可以首先進行步驟（a4），進而，可以同時進行步驟（a3）和步驟（a4）。
在加熱壓接之步驟（a5）中，藉由加熱壓接第1接著膜，第1接著膜的導電性粒子可以將電子零件的第1電極與第1金屬箔層電連接，並且使第1接著膜的接著劑層固化以作為第1固化接著劑層，又，藉由加熱壓接第2接著膜，第2接著膜的導電性粒子可以將電子零件的第2電極與第2金屬箔層電連接，並且使第2接著膜的接著劑層固化以作為第2固化接著劑層。此時，由於使用包含導電性粒子之接著膜形成有電子零件的兩側的導電層，因此無需在電子零件的兩側進行基於雷射之打孔、鍍敷層的形成及基於蝕刻之電極形成等複雜的程序，而能夠輕易地形成連接在積層方向上分開之電極之間之各導電層。其結果，依據該製造方法，能夠使零件內建基板之製造方法進一步簡單。
在上述零件內建基板之製造方法中，第1金屬箔層及第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的與相對應之接著劑層接著之側的面的表面粗糙度Rz和導電性粒子的平均粒徑之比可以為0.05～3。此時，與上述之接著劑層的表面粗糙度Rz和導電性粒子的平均粒徑之比大於3之情形相比，能夠在加熱壓接時將導電性粒子更確實地壓扁成扁平形狀而增大導電性粒子與金屬箔層及電子零件的電極的接觸面積。其結果，能夠藉由該導電性粒子使加工之後成為配線圖案或配線之金屬箔層與電子零件的電極之間的電導通穩定。另外，該比能夠由表面粗糙度Rz/平均粒徑表示。
在上述零件內建基板之製造方法中，第1金屬箔層及第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的與相對應之接著劑層接著之側的面的表面粗糙度Rz可以為20μm以下。此時，與接著劑層側的金屬箔層的面的表面粗糙度粗糙的情形相比，能夠在加熱壓接時將導電性粒子更確實地壓扁成扁平形狀而增大導電性粒子與金屬箔層及電子零件的電極的接觸面積。其結果，能夠藉由該導電性粒子使加工之後成為配線圖案或配線之金屬箔層與電子零件的電極之間的電導通穩定。
在上述零件內建基板之製造方法中，提供中間構件之步驟（a）還可以包括步驟（a6），該步驟（a6）中，對第1金屬箔層及第2金屬箔層中的至少一者進行蝕刻，形成中間構件的外側電極。
上述零件內建基板之製造方法還可以包括步驟（d），該步驟（d）中，在形成於中間構件的第1面上之第1絕緣樹脂層形成第1金屬箔層或從第1金屬箔層到達經加工之外側電極之通孔導體。
在上述零件內建基板之製造方法中，第1金屬箔層及第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的相對應之固化接著劑層側的面的表面粗糙度Rz和導電性粒子的平均粒徑之比可以為0.05～3。此時，與上述之固化接著劑層的表面粗糙度Rz和導電性粒子的平均粒徑之比大於3之情形相比，能夠將導電性粒子更確實地壓扁成扁平形狀而增大導電性粒子與金屬箔層及電子零件的電極的接觸面積。其結果，能夠使加工之後成為配線圖案或配線之金屬箔層與電子零件的電極之間的電導通穩定。
在上述零件內建基板之製造方法中，第1金屬箔層及第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的相對應之固化接著劑層側的面的表面粗糙度Rz可以為20μm以下。此時，與接著劑層側的金屬箔層的面的表面粗糙度粗糙的情形相比，能夠將導電性粒子更確實地壓扁成扁平形狀而增大導電性粒子與金屬箔層及電子零件的電極的接觸面積。其結果，能夠使加工之後成為配線圖案或配線之金屬箔層與電子零件的電極之間的電導通穩定。此時，上述相對應之固化接著劑層側的面的表面粗糙度Rz可以為0.5μm以上且5.0μm以下，亦可以為0.5μm以上且10μm以下。
上述零件內建基板之製造方法還可以包括步驟（c），該步驟（c）中，在中間構件的與第1面相反側的第2面上形成第2絕緣樹脂層。此時，在中間構件的第1面上形成第1絕緣樹脂層的同時，在與其相反側的第2面上形成第2絕緣樹脂層，能夠抑制由各絕緣樹脂層引起之翹曲等。
又，作為另一方面，本發明係有關一種零件內建基板。該零件內建基板具備：中間構件，該中間構件具備：電子零件，在第1面設置有第1電極；及第1導電層，設置於電子零件的第1面上以覆蓋第1電極；以及第1絕緣樹脂層，形成於中間構件的第1面上。第1導電層具有：第1固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第1金屬箔層，配置於第1固化接著劑層上且與電子零件相反側的面。第1固化接著劑層的導電性粒子將電子零件的第1電極與第1金屬箔層電連接。
在該零件內建基板中，中間構件的第1導電層由具有含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層的第1固化接著劑層和第1金屬箔層者構成，第1固化接著劑層的導電性粒子將電子零件的第1電極與第1金屬箔層電連接。此時，由於包括電子零件之中間構件被簡化，因此能夠使零件內建基板的結構簡單。
在上述零件內建基板中，中間構件進一步具備設置於電子零件的與第1面相反側的第2面上之第2導電層，可以在電子零件的與第1面相反側的第2面設置第2電極。第2導電層具有：第2固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第2金屬箔層，配置於第2固化接著劑層上且與電子零件相反側的面。第2固化接著劑層的導電性粒子將電子零件的第2電極與第2金屬箔層電連接。此時，由於包括電子零件之中間構件被進一步簡化，因此能夠使零件內建基板的結構更簡單。又，由於在電子零件的兩面分別設置有相同的固化之接著劑層，因此積層方向上的均衡變得良好，即使在零件內建基板中發生熱膨脹等之情形下亦能夠抑制不均勻的膨脹。
上述零件內建基板還可以具備形成於中間構件的與第1面相反側的第2面上之第2絕緣樹脂層。此時，在中間構件的第1面上形成第1絕緣樹脂層的同時，在與其相反側的第2面上形成第2絕緣樹脂層，能夠抑制由各絕緣樹脂層引起之翹曲等。 [發明效果]
依據本發明，能夠進一步簡化零件內建基板之製造方法。
以下，參閱圖式，對本發明的一實施形態之零件內建基板及零件內建基板之製造方法進行說明。在以下說明中，對相同或相當部分標註相同元件符號，並省略重複說明。又，關於上下左右等位置關係，只要無特別說明，則基於圖式中所示之位置關係。進而，圖式的尺寸比例並不限於圖示的比例。
圖1係表示本發明的一實施形態之零件內建基板之剖面圖。如圖1所示，零件內建基板1具備包括電子零件10、第1導電層20及第2導電層30之中間構件2、第1絕緣樹脂層40及第2絕緣樹脂層50而構成。電子零件10例如為IC晶片等電子零件，具有第1面13及與其相反側的第2面14，在第1面13設置有第1電極11，在第2面14設置有第2電極12（參閱圖3的（a））。電子零件10可以為電容器等其他電子零件，亦可以為僅在一個面（例如第1面13）側設置有導電層及絕緣樹脂層之結構。
第1導電層20為包括設置於電子零件10的第1面13上以覆蓋第1面13上的第1電極11之導電區域之層，將積層方向上的一個電極與另一個電極電連接。第1導電層20具有：第1固化接著劑層23，含有包含導電性粒子21及固化之接著劑組成物之固化接著劑層22；及第1金屬箔層24（內部電極），配置於第1固化接著劑層23上且與電子零件10相反側的面。第1金屬箔層24可以為加工前的金屬箔層，亦可以為加工成電極圖案等之後的金屬箔層。第1導電層20中，如後述，藉由加熱壓接第1接著膜60（參閱圖3的（b）），第1接著膜60的導電性粒子61a將電子零件10的第1電極11與第1金屬箔層24電連接，並且使第1接著膜60的接著劑層62熱固化（參閱圖3的（c））。亦即，第1固化接著劑層23的接著劑層部分成為熱固化性接著劑組成物固化而成之固化物。另外，關於導電性粒子21，只要係具有導電性之粒子，則並無特別限制，可以為由Au、Ag、Ni、Cu、焊料等金屬構成之金屬粒子、由導電性碳構成之導電性碳粒子等。導電性粒子21可以為具備包含非導電性玻璃、陶瓷、塑膠（聚苯乙烯等）等之核和包含上述金屬或導電性碳且被覆核之被覆層之被覆導電粒子。又，導電性粒子21可以為具備前述金屬粒子、導電性碳粒子或被覆導電粒子和包含樹脂等絕緣材料且被覆該粒子的表面之絕緣層之絕緣被覆導電粒子。
第2導電層30為包括設置於電子零件10的第2面14上以覆蓋第2面14上的第2電極12之導電區域之層，將積層方向上的一個電極與另一個電極電連接。第2導電層30具有：第2固化接著劑層33，含有包含導電性粒子31及固化之接著劑組成物之固化接著劑層32；及第2金屬箔層34（內部電極），配置於第2固化接著劑層33上且與電子零件10相反側的面。第2金屬箔層34可以為加工前的金屬箔層，亦可以為加工成電極圖案等之後的金屬箔層。第2導電層30中，如後述，藉由加熱壓接第2接著膜70（參閱圖3的（b）），第2接著膜70的導電性粒子71a將電子零件10的第2電極12與第2金屬箔層34電連接，並且使第2接著膜70的接著劑層72熱固化（參閱圖3的（c））。亦即，第2固化接著劑層33的接著劑層部分成為熱固化性接著劑組成物固化而成之固化物。另外，關於導電性粒子31，只要係具有導電性之粒子，則並無特別限制，可以為由Au、Ag、Ni、Cu、焊料等金屬構成之金屬粒子、由導電性碳構成之導電性碳粒子等。導電性粒子31可以為具備包含非導電性玻璃、陶瓷、塑膠（聚苯乙烯等）等之核和包含上述金屬或導電性碳且被覆核之被覆層之被覆導電粒子。又，導電性粒子31可以為具備前述金屬粒子、導電性碳粒子或被覆導電粒子和包含樹脂等絕緣材料且被覆該粒子的表面之絕緣層之絕緣被覆導電粒子。
第1絕緣樹脂層40為形成於中間構件2的第1面3上之層，並且具有絕緣層41、通孔導體42及外部電極43。絕緣層41例如包含環氧等樹脂和玻璃等無機粒子而構成。絕緣層41可以包含玻璃布等加強材料。通孔導體42為用以將中間構件2的第1金屬箔層24（內部電極）與外部電極43電連接之導電構件，並且由填充到設置於絕緣層41之貫通孔之鍍敷等構成。外部電極43與該通孔導體42的上端電連接。
第2絕緣樹脂層50為形成於中間構件2的第2面4上之絕緣層。第2絕緣樹脂層50例如包含環氧等樹脂和玻璃等無機粒子而構成。第2絕緣樹脂層50可以包含玻璃布等加強材料。另外，如第1絕緣樹脂層40那樣，第2絕緣樹脂層50可以具有通孔導體及外部電極。
接著，參閱圖2至圖4，對上述之零件內建基板之製造方法進行說明。圖2係表示在製造圖1中所示之零件內建基板時使用之接著膜之剖面圖。圖3的（a）～（d）係用以依序說明圖1中所示之製造零件內建基板之方法之剖面圖。圖4的（a）～（c）係用以依序說明圖1中所示之製造零件內建基板之方法之剖面圖，並且表示後續於圖3之步驟。本實施形態之零件內建基板之製造方法包括：提供中間構件之步驟（a），該中間構件具備：電子零件，在第1面及第2面設置有第1電極及第2電極；第1導電層，設置於電子零件的第1面上以覆蓋第1電極；及第2導電層，設置於電子零件的第2面上以覆蓋第2電極；步驟（b），在中間構件的第1面上形成第1絕緣樹脂層；步驟（c），在中間構件的與第1面相反側的第2面上形成第2絕緣樹脂層；以及步驟（d），在形成於中間構件的第1面上之第1絕緣樹脂層形成第1金屬箔層或從第1金屬箔層到達經加工之外側電極之通孔導體。以下，詳細地進行說明。另外，步驟（a）～（d）的順序並不限定於上述記載之順序，能夠適當地變更順序。例如，可以按步驟（a）、（b）、（c）、（d）的順序進行，亦可以按步驟（a）、（c）、（b）、（d）的順序進行，還可以按步驟（a）、（b）、（d）、（c）的順序進行。
[提供中間構件之步驟（a）] 提供中間構件2之步驟（a）包括：準備電子零件10之步驟（a1）；準備第1接著膜之步驟（a2）；在電子零件的第1面黏貼第1接著膜以覆蓋第1電極之步驟（a3）；將第1接著膜加熱壓接於電子零件之步驟（a4）；及對第1金屬箔層進行蝕刻，形成中間構件的外側電極之步驟（a5）。又，可以藉由相同的方法，在中間構件的第2面側形成外側電極。
在準備電子零件之步驟（a1）中，如圖3的（a）所示，準備在第1面13及第2面14設置有第1電極11及第2電極12之電子零件10。電子零件10例如為IC晶片等電子零件。又，第1電極11及第2電極12可以設置有複數個。
在準備接著膜之步驟（a2）中，如圖2所示，準備第1接著膜60，該第1接著膜60具有：第1接著劑層63，含有包含複數個導電性粒子61及接著劑組成物且導電性粒子61分散於接著劑組成物中之接著劑層62；及配置於第1接著劑層63上之第1金屬箔層64。同樣地，準備第2接著膜70，該第2接著膜70具有：第2接著劑層73，含有包含複數個導電性粒子71及接著劑組成物且導電性粒子71分散於接著劑組成物中之接著劑層72；及第2金屬箔層74，配置於第2接著劑層73上且與電子零件10相反側的面。這樣的第1接著膜60及第2接著膜70為配線形成用構件。接著劑層62及接著劑層72的接著劑組成物為包含環氧樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂等熱固化性絕緣樹脂之接著劑組成物，在其中分散粒徑為數μm的導電性粒子61、71而進行了調配。
就分散性及導電性優異的觀點而言，導電性粒子61、71的平均粒徑Dp可以為1μm以上，亦可以為2μm以上，還可以為5μm以上。就分散性及導電性優異的觀點而言，導電性粒子的平均粒徑Dp可以為50μm以下，亦可以為30μm以下，還可以為20μm以下。就上述觀點而言，導電性粒子的平均粒徑Dp可以為1～50μm，亦可以為5～30μm，還可以為5～20μm，還可以為2～20μm。
導電性粒子61、71的最大粒徑可以比配線圖案中的電極的最小間隔（相鄰之電極之間的最短距離）小。就分散性及導電性優異的觀點而言，導電性粒子61、71的最大粒徑可以為1μm以上，亦可以為2μm以上，還可以為5μm以上。就分散性及導電性優異的觀點而言，導電性粒子的最大粒徑可以為50μm以下，亦可以為30μm以下，還可以為20μm以下。就上述觀點而言，導電性粒子的最大粒徑可以為1～50μm，亦可以為2～30μm，還可以為5～20μm。
在本說明書中，對於任意300個（pcs）粒子，藉由使用了掃描型電子顯微鏡（SEM）之觀察來測量粒徑，將所獲得之粒徑的平均值作為平均粒徑Dp，將所獲得之最大值作為粒子的最大粒徑。另外，在粒子具有突起之情形等、粒子的形狀不是球形之情形下，粒子的粒徑作為SEM圖像中的與粒子外切之圓的直徑。
第1金屬箔層64及第2金屬箔層74例如為銅箔、鋁箔、鎳箔、不銹鋼、鈦或鉑。第1金屬箔層64的與第1接著劑層63接著之側的面65的表面粗糙度Rz可以為20μm以下，該表面粗糙度Rz亦可以為0.5μm以上且5.0μm以下，該表面粗糙度Rz還可以為0.5μm以上且10μm以下。又，第2金屬箔層74的與第2接著劑層73接著之側的面75的表面粗糙度Rz可以為20μm以下，該表面粗糙度Rz亦可以為0.5μm以上且5.0μm以下，該表面粗糙度Rz還可以為0.5μm以上且10μm以下。
表面粗糙度Rz係指依照JIS標準（JIS B 0601-2001）中所規定之方法測量之十點平均粗糙度Rzjis，且係指使用市售的表面粗糙度形狀測量器測量之值。例如，能夠使用納米搜索顯微鏡（Nano Search Microscope）（SHIMADZU CORPORATION製造，“SFT-3500”）進行測量。
在此，以下，對第1金屬箔層64的面65的表面粗糙度Rz與導電性粒子61的平均粒徑Dp之間的關係及第2金屬箔層74的面75的表面粗糙度Rz與導電性粒子71的平均粒徑Dp之間的關係進行說明。在本實施形態中，金屬箔層64的面65的表面粗糙度Rz和導電性粒子61的平均粒徑Dp之比、金屬箔層74的面75的表面粗糙度Rz和導電性粒子71的平均粒徑Dp之比亦即“表面粗糙度/平均粒徑”分別可以為0.03以上，亦可以為0.04以上，還可以為0.05以上，還可以為0.06以上，還可以為0.1以上，還可以為0.2以上，還可以為0.3以上，還可以為0.5以上，還可以為1以上。又，金屬箔層64的面65的表面粗糙度Rz和導電性粒子61的平均粒徑Dp之比、金屬箔層74的面75的表面粗糙度Rz和導電性粒子71的平均粒徑Dp之比亦即“表面粗糙度/平均粒徑”分別可以為3以下，亦可以為2以下，還可以為1.7以下，還可以為1.5以下。金屬箔層64的面65的表面粗糙度Rz和導電性粒子61的平均粒徑Dp之比、金屬箔層74的面75的表面粗糙度Rz和導電性粒子71的平均粒徑Dp之比亦即“表面粗糙度/平均粒徑”例如分別可以為0.05以上且3以下，更詳細而言，可以為0.06以上且2以下。在本實施形態中，可以以金屬箔層64的面65的表面粗糙度Rz和導電性粒子61的平均粒徑Dp之比、金屬箔層74的面75的表面粗糙度Rz和導電性粒子71的平均粒徑Dp之比亦即“表面粗糙度/平均粒徑”分別在0.05～3的範圍內之方式，管理金屬箔層64的面65、金屬箔層74的面75的表面粗糙度Rz及導電性粒子61、71的平均粒徑Dp。
另外，已知：在金屬箔層64的與接著劑層63接著之側的面65的表面粗糙度Rz和導電性粒子61的平均粒徑之比、金屬箔層74的與接著劑層73接著之側的面75的表面粗糙度Rz和導電性粒子71的平均粒徑之比為0.05～3之情形下，與該比大於3之情形相比，能夠將導電性粒子61、71更確實地壓扁成扁平形狀而增大導電性粒子61與金屬箔層64的接觸面積、導電性粒子71與金屬箔層74的接觸面積。因此，藉由將表面粗糙度Rz和平均粒徑之比設在上述之範圍內，能夠使加工之後成為配線圖案或配線之金屬箔層64、74與接著有接著劑層63、73之其他配線圖案或配線之間的電導通穩定。
在黏貼接著膜之步驟（a3）及（a4）中，如圖3的（b）所示，在電子零件10的第1面13黏貼第1接著膜60以覆蓋第1面13上的第1電極11。同樣地，在電子零件10的第2面14黏貼第2接著膜70以覆蓋第2面14上的第2電極12。此時，第1金屬箔層64及第2金屬箔層74配置成位於與電子零件10相反側。
在加熱壓接接著膜之步驟（a5）中，如圖3的（c）所示，將第1接著膜60及第2接著膜70加熱壓接於電子零件10並進行黏貼。藉由加熱壓接第1接著膜60，第1接著膜60的導電性粒子61a將電子零件10的第1面13的第1電極11與第1金屬箔層64電連接，並且使第1接著膜60的接著劑層62固化以作為第1固化接著劑層60a（20）。同樣地，藉由加熱壓接第2接著膜70，第2接著膜70的導電性粒子71a將電子零件10的第2面14的第2電極12與第2金屬箔層74電連接，並且使第2接著膜70的接著劑層72固化以作為第2固化接著劑層70a（30）。第1接著膜60及第2接著膜70的加熱壓接可以同時進行，亦可以依序進行。另外，此時，若金屬箔層64的與接著劑層63接著之側的面65的表面粗糙度Rz和導電性粒子61的平均粒徑之比、金屬箔層74的與接著劑層73接著之側的面75的表面粗糙度Rz和導電性粒子71的平均粒徑之比為0.05～3、或者第1金屬箔層64的面65及第2金屬箔層74的面75的表面粗糙度Rz為20μm以下，則更容易將各導電性粒子61、71壓扁成扁平形狀，能夠使電子零件10的導通穩定。
接著，在形成中間構件的外側電極之步驟（a6）中，如圖3的（d）所示，對第1固化接著劑層60a的第1金屬箔層64進行蝕刻以成為既定的電極64a（24）。同樣地，對第2固化接著劑層70a的第2金屬箔層74進行蝕刻以成為既定的電極74a（34）。藉此，在中間構件2中形成與電子零件10連接之通孔電極。另外，在上述步驟（a）中，使用包含導電性粒子之接著膜形成有電子零件10的導電層，因此無需在電子零件的外側進行如以往的基於雷射之打孔、鍍敷層的形成及基於蝕刻之電極形成等複雜的程序，而能夠輕易地形成連接在積層方向上分開之電極之間之各導電層。其結果，依據該製造方法，能夠使零件內建基板1之製造方法簡單。
若提供中間構件之步驟（a）結束，則在形成絕緣樹脂層之步驟（b）及（c）中，如圖4的（a）所示，在中間構件2的第1面3形成第1絕緣樹脂層40，在中間構件2的與第1面3相反側的第2面4上形成第2絕緣樹脂層50。其後，藉由雷射等，在第1絕緣樹脂層40的既定部位形成孔44。孔44為從第1絕緣樹脂層40的外側到達中間構件2的電極（第1金屬箔層24）之孔。其後，如圖4的（b）所示，對該孔44填充鍍敷，形成通孔導體42及電極層45。又，進一步對電極層45實施蝕刻以成為既定的外部電極43，獲得圖4的（c）中所示之零件內建基板1。
以上，在本實施形態之零件內建基板1之製造方法中，在步驟（a）中提供之中間構件2的第1導電層20由具有含有包含導電性粒子21（61a）及固化之接著劑組成物之固化接著劑層22（62a）的第1固化接著劑層23和第1金屬箔層24者構成，第1固化接著劑層23的導電性粒子21將電子零件10的第1電極11與第1金屬箔層24電連接。同樣地，中間構件2的第2導電層30由具有含有包含導電性粒子31（71a）及固化之接著劑組成物之固化接著劑層32（72a）的第2固化接著劑層33和第2金屬箔層34者構成，第2固化接著劑層33的導電性粒子31將電子零件10的第2電極12與第2金屬箔層34電連接。如此，在本實施形態之製造方法中，能夠將包括電子零件10之中間構件2設為簡化之結構，因此與以往相比，能夠簡化零件內建基板1之製造方法。
又，在本實施形態之零件內建基板之製造方法中，第1金屬箔層64及第2金屬箔層74中的至少一者的金屬箔層的與接著劑層接著之側的面65、75的表面粗糙度Rz和導電性粒子61、71的平均粒徑之比可以為0.05～3。或者，第1金屬箔層64及第2金屬箔層74中的至少一者的金屬箔層的與相對應之接著劑層63、73接著之側的面的表面粗糙度Rz可以為20μm以下。此時，與上述之表面粗糙度Rz和平均粒徑之比大於3之情形、或接著劑層側的金屬箔層的面的表面粗糙度粗糙的情形相比，能夠在加熱壓接時將導電性粒子61、71更確實地壓扁成扁平形狀而增大導電性粒子61a、71a與金屬箔層及電子零件的電極的接觸面積。換言之，在上述之表面粗糙度Rz和平均粒徑之比大於3之情形或接著劑層側的金屬箔層的面粗糙的情形下，有可能會導致導電性粒子進入該粗糙面形狀中，無法在加熱壓接時將導電性粒子充分壓扁（例如壓扁成扁平形狀）而使導通不穩定，但是藉由上述之表面粗糙度Rz和平均粒徑之比為0.05～3或金屬箔層的面的表面粗糙度Rz設為20μm以下，能夠在加熱壓接時確實地壓扁導電性粒子。其結果，能夠藉由該導電性粒子使加工之後成為配線圖案或配線之金屬箔層與電子零件的電極之間的電導通穩定。
又，在本實施形態之零件內建基板1中，中間構件2的第1導電層20由具有含有包含導電性粒子21及固化之接著劑組成物之固化接著劑層22的第1固化接著劑層23和第1金屬箔層24者構成，第1固化接著劑層23的導電性粒子21將電子零件10的第1電極11與第1金屬箔層24電連接。同樣地，中間構件2的第2導電層30由具有含有包含導電性粒子31及固化之接著劑組成物之固化接著劑層32的第2固化接著劑層33和第2金屬箔層34者構成，第2固化接著劑層33的導電性粒子31將電子零件10的第2電極12與第2金屬箔層34電連接。此時，由於包括電子零件10之中間構件2藉由使用接著膜而被簡化，因此能夠使零件內建基板1的結構更簡單。又，由於在電子零件10的兩面分別設置有相同的固化之接著劑層，因此積層方向上的均衡變得良好，即使在零件內建基板1中發生熱膨脹等之情形下亦能夠抑制不均勻的膨脹。
以上，對本發明的實施形態詳細地進行了說明，但是本發明並不限定於上述實施形態，能夠適用於各種實施形態。例如，在上述實施形態中，如圖2所示，在接著膜60、70中，為將導電性粒子61、71隨機或平均分散於接著劑層63、73內之結構，但是可以將導電性粒子61、71與金屬箔層64、74相鄰配置（偏在）。此時，在接著劑層63、73中，導電性粒子61、71不會在與金屬箔層64、74相反側的面露出，存在於導電性粒子61、71與金屬箔層64、74的面65、75之間之接著劑層62、72的部分的厚度可以大於0μm且為1μm以下。此時，由於將導電性粒子61、71與金屬箔層64、74相鄰配置，因此能夠藉由金屬箔層64、74將導電性粒子61、71更確實地壓扁成扁平形狀。又，如此使導電性粒子61、71局部存在於金屬箔層64、74側，藉此能夠提高導電性粒子61、71對配線（電極）等的補充率。亦即，能夠使導通更穩定。
又，可以將接著劑層62、72分為靠近金屬箔層64、74之第1接著劑層和與金屬箔層64、74分開之第2接著劑層而形成。構成第1接著劑層和第2接著劑層之接著劑組成物可以與構成上述之接著劑層62、72之接著劑組成物相同，但是亦可以使導電性粒子61、71僅分散於第1接著劑層，導電性粒子61、71不分散於第2接著劑層、即不含導電性粒子61、71。此時，亦與上述同樣地，由於將導電性粒子61、71與金屬箔層64、74相鄰配置，因此能夠藉由金屬箔層64、74將導電性粒子21更確實地壓扁成扁平形狀。又，如此使導電性粒子61、71偏在於金屬箔層64、74側，藉此能夠提高導電性粒子61、71對配線（電極）等的補充率。亦即，能夠使導通更穩定。
1:零件內建基板 2:中間構件 3:第1面 4:第2面 10:電子零件 11:第1電極 12:第2電極 13:第1面 14:第2面 20:第1導電層 21,61,61a:導電性粒子 22:固化接著劑層 23:第1固化接著劑層 24,64:第1金屬箔層 31,71,71a:導電性粒子 32:固化接著劑層 33:第2固化接著劑層 34,74:第2金屬箔層 40:第1絕緣樹脂層 42:通孔導體 50:第2絕緣樹脂層 60:第1接著膜 62:接著劑層 63:第1接著劑層 65,75:面 70:第2接著膜 72:接著劑層 73:第2接著劑層
圖1係表示本發明的一實施形態之零件內建基板之剖面圖。 圖2係表示在製造圖1中所示之零件內建基板時使用之接著膜之剖面圖。 圖3的（a）～（d）係用以依序說明圖1中所示之製造零件內建基板之方法之剖面圖。 圖4的（a）～（c）係用以依序說明圖1中所示之製造零件內建基板之方法之剖面圖，並且表示後續於圖3之步驟。 圖5的（a）～（d）係用以依序說明以往的製造零件內建基板之方法之剖面圖。 圖6的（a）～（c）係用以依序說明以往的製造零件內建基板之方法之剖面圖，並且表示後續於圖5之步驟。
1:零件內建基板
2:中間構件
3:第1面
4:第2面
10:電子零件
13:第1面
14:第2面
20:第1導電層
21:導電性粒子
22:固化接著劑層
24:第1金屬箔層
30:第2導電層
40:第1絕緣樹脂層
41:絕緣層
42:通孔導體
43:外部電極
44:孔
45:電極層
50:第2絕緣樹脂層

Claims (15)

  1. 一種零件內建基板之製造方法，其包括： 提供中間構件之步驟，前述中間構件具備：電子零件，在第1面設置有第1電極；及第1導電層，設置於前述電子零件的前述第1面上以覆蓋前述第1電極；以及 在前述中間構件的第1面上形成第1絕緣樹脂層之步驟， 前述第1導電層具有：第1固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第1金屬箔層，配置於前述第1固化接著劑層上且與前述電子零件相反側的面， 前述第1固化接著劑層的前述導電性粒子將前述電子零件的前述第1電極與前述第1金屬箔層電連接。
  2. 如請求項1所述之零件內建基板之製造方法，其中 前述中間構件進一步具備設置於前述電子零件的與前述第1面相反側的第2面上之第2導電層， 在前述電子零件的與前述第1面相反側的第2面設置第2電極， 前述第2導電層具有：第2固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第2金屬箔層，配置於前述第2固化接著劑層上且與前述電子零件相反側的面， 前述第2固化接著劑層的前述導電性粒子將前述電子零件的前述第2電極與前述第2金屬箔層電連接。
  3. 如請求項1或請求項2所述之零件內建基板之製造方法，其中 提供前述中間構件之步驟包括： 準備前述電子零件之步驟； 準備第1接著膜之步驟； 在前述電子零件的前述第1面黏貼前述第1接著膜以覆蓋前述第1電極之步驟；及 將前述第1接著膜加熱壓接於前述電子零件之步驟， 前述第1接著膜具有：第1接著劑層，含有包含導電性粒子及接著劑組成物且前述導電性粒子分散於前述接著劑組成物中之接著劑層；及前述第1金屬箔層，配置於前述第1接著劑層上且與前述電子零件相反側的面， 在前述加熱壓接之步驟中，藉由加熱壓接前述第1接著膜，前述第1接著膜的前述導電性粒子使前述電子零件的前述第1電極與前述第1金屬箔層電連接，並且使前述第1接著膜的前述接著劑層固化以作為前述第1固化接著劑層。
  4. 如請求項2所述之零件內建基板之製造方法，其中 提供前述中間構件之步驟包括： 準備前述電子零件之步驟； 準備第1接著膜及第2接著膜之步驟； 在前述電子零件的前述第1面黏貼前述第1接著膜以覆蓋前述第1電極之步驟； 在前述電子零件的前述第2面黏貼前述第2接著膜以覆蓋前述第2電極之步驟；及 將前述第1接著膜及前述第2接著膜加熱壓接於前述電子零件之步驟， 前述第1接著膜具有：第1接著劑層，含有包含導電性粒子及接著劑組成物且前述導電性粒子分散於前述接著劑組成物中之接著劑層；及前述第1金屬箔層，配置於前述第1接著劑層上且與前述電子零件相反側的面， 前述第2接著膜具有：第2接著劑層，含有包含導電性粒子及接著劑組成物且前述導電性粒子分散於前述接著劑組成物中之接著劑層；及前述第2金屬箔層，配置於前述第2接著劑層上且與前述電子零件相反側的面， 在前述加熱壓接之步驟中，藉由加熱壓接前述第1接著膜，前述第1接著膜的前述導電性粒子使前述電子零件的前述第1電極與前述第1金屬箔層電連接，並且使前述第1接著膜的前述接著劑層固化以作為前述第1固化接著劑層，並且藉由加熱壓接前述第2接著膜，前述第2接著膜的前述導電性粒子使前述電子零件的前述第2電極與前述第2金屬箔層電連接且使前述第2接著膜的前述接著劑層固化以作為前述第2固化接著劑層。
  5. 如請求項3或請求項4所述之零件內建基板之製造方法，其中 前述第1金屬箔層及前述第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的與相對應之前述接著劑層接著之側的面的表面粗糙度Rz和前述導電性粒子的平均粒徑之比為0.05～3。
  6. 如請求項3至請求項5之任一項所述之零件內建基板之製造方法，其中 前述第1金屬箔層及前述第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的與相對應之前述接著劑層接著之側的面的表面粗糙度Rz為20μm以下。
  7. 如請求項3至請求項6之任一項所述之零件內建基板之製造方法，其中 提供前述中間構件之步驟進一步包括如下步驟：對前述第1金屬箔層及前述第2金屬箔層中的至少一者進行蝕刻，形成前述中間構件的外側電極。
  8. 如請求項1至請求項7之任一項所述之零件內建基板之製造方法，其進一步包括如下步驟：在形成於前述中間構件的第1面上之前述第1絕緣樹脂層形成前述第1金屬箔層或從前述第1金屬箔層到達經加工之前述外側電極之通孔導體。
  9. 如請求項2至請求項8之任一項所述之零件內建基板之製造方法，其中 前述第1金屬箔層及前述第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的相對應之前述固化接著劑層側的面的表面粗糙度Rz和前述導電性粒子的平均粒徑之比為0.05～3。
  10. 如請求項2至請求項9之任一項所述之零件內建基板之製造方法，其中 前述第1金屬箔層及前述第2金屬箔層中的至少一者的金屬箔層的相對應之前述固化接著劑層側的面的表面粗糙度Rz為20μm以下。
  11. 如請求項10所述之零件內建基板之製造方法，其中 前述固化接著劑層側的面的表面粗糙度Rz為0.5μm以上且10μm以下。
  12. 如請求項1至請求項11之任一項所述之零件內建基板之製造方法，其進一步具備如下步驟：在前述中間構件的與前述第1面相反側的第2面上形成第2絕緣樹脂層。
  13. 一種零件內建基板，其具備： 中間構件，前述中間構件具備：電子零件，在第1面設置有第1電極；及第1導電層，設置於前述電子零件的前述第1面上以覆蓋前述第1電極；以及 第1絕緣樹脂層，形成於前述中間構件的第1面上， 前述第1導電層具有：第1固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第1金屬箔層，配置於前述第1固化接著劑層上且與前述電子零件相反側的面， 前述第1固化接著劑層的前述導電性粒子將前述電子零件的前述第1電極與前述第1金屬箔層電連接。
  14. 如請求項13所述之零件內建基板，其中 前述中間構件進一步具備設置於前述電子零件的與前述第1面相反側的第2面上之第2導電層， 在前述電子零件的與前述第1面相反側的第2面設置第2電極， 前述第2導電層具有：第2固化接著劑層，含有包含導電性粒子及固化之接著劑組成物之固化接著劑層；及第2金屬箔層，配置於前述第2固化接著劑層上且與前述電子零件相反側的面， 前述第2固化接著劑層的前述導電性粒子將前述電子零件的前述第2電極與前述第2金屬箔層電連接。
  15. 如請求項13或請求項14所述之零件內建基板，其進一步具備形成於前述中間構件的與前述第1面相反側的第2面上之第2絕緣樹脂層。
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