TW202213477A - 雷射加工裝置及雷射加工方法 - Google Patents

雷射加工裝置及雷射加工方法 Download PDF

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坂本剛志
是松克洋
荻原孝文
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日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
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Abstract

雷射加工裝置，具備照射部及控制部。照射部，具有：空間光調變器、將空間光調變器所調變過的雷射光聚光於對象物的聚光部。控制部，實行藉由空間光調變器來調變雷射光的第1控制，而使雷射光分歧成複數個加工光，並使複數個加工光的複數個聚光點，在與雷射光的照射方向呈垂直的方向上彼此位於不同的位置。在第1控制，是將雷射光調變成：在照射方向上使複數個加工光各自的聚光點對於該加工光的理想聚光點位在與雷射光之非調變光的聚光點相反之側，或是，使複數個加工光各自的聚光點對於非調變光的聚光點位在與該加工光的理想聚光點相反之側。

Description

雷射加工裝置及雷射加工方法
本發明，關於雷射加工裝置及雷射加工方法。
於專利文獻1，記載有雷射加工裝置，其具備：保持工件的保持機構、對保持機構所保持之工件照射雷射光的雷射照射機構。專利文獻1所記載的雷射加工裝置，是使具有聚光透鏡的雷射照射機構對基台固定，藉由保持機構來實施沿著與聚光透鏡之光軸垂直之方向之工件的移動。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5456510號公報
[發明所欲解決之問題]
在上述般的雷射加工裝置，有著將雷射光照射於對象物，藉此在對象物的內部沿著虛擬面形成改質區域的情況。該情況時，以遍及虛擬面之改質區域及從改質區域延伸的龜裂為邊界，剝離對象物的一部分。在這種剝離加工，會實施所謂的多焦點雷射加工，其將雷射光調變為分歧成複數個加工光來加工。但是，在實施多焦點雷射加工的剝離加工，有著對象物之與雷射光射入側相反之側(例如功能元件層)因雷射光的非調變光而損傷的問題變得顯著之虞。
於是，本發明之課題是提供雷射加工裝置及雷射加工方法，其可抑制對象物之與雷射光射入側相反之側的損傷。 [解決問題之技術手段]
本發明之一型態的雷射加工裝置，是將雷射光照射於對象物，藉此在對象物的內部沿著虛擬面形成改質區域，該雷射加工裝置具備：支撐對象物的支撐部、對於支撐部所支撐的對象物照射雷射光的照射部、使支撐部及照射部的至少一方移動的移動機構、以及控制照射部及移動機構的控制部，照射部具有：將雷射光予以調變的空間光調變器、將空間光調變器所調變過的雷射光聚光於對象物的聚光部，控制部，實行藉由空間光調變器來調變雷射光的第1控制，而使雷射光分歧成複數個加工光，並使複數個加工光的複數個聚光點，在與雷射光的照射方向呈垂直的方向上彼此位於不同的位置，在第1控制，是將雷射光調變成：在照射方向上使複數個加工光各自的聚光點對於該加工光的理想聚光點位在與雷射光之非調變光的聚光點相反之側，或是，使複數個加工光各自的聚光點對於非調變光的聚光點位在與該加工光的理想聚光點相反之側。
在雷射加工裝置，雷射光分歧成複數個加工光，並使複數個加工光的複數個聚光點在與照射方向呈垂直的方向上彼此位於不同的位置。此時，在照射方向上，複數個加工光各自的聚光點，是對於該加工光的理想聚光點位在與雷射光之非調變光的聚光點相反之側，或是，對於非調變光的聚光點位在與該加工光的理想聚光點相反之側。藉此，結果可使雷射光之非調變光的聚光點，從對象物之與雷射光射入側相反之側遠離。因此，可抑制雷射光之非調變光的聚光對於對象物之該相反之側造成傷害的情況。亦即，可抑制對象物之與雷射光射入側相反之側的損傷。
在本發明之一型態的雷射加工裝置，第1控制，是藉由空間光調變器來調變雷射光，而在照射方向上，使雷射光之非調變光的聚光點位在對象物之內部的雷射光射入側亦可。藉此，可使雷射光之非調變光的聚光點，從對象物之該相反之側有效地遠離。
在本發明之一型態的雷射加工裝置，第1控制，是藉由空間光調變器來調變雷射光，而在照射方向上，使雷射光之非調變光的聚光點位在對象物的外部且比對象物還靠聚光部側亦可。藉此，可使雷射光之非調變光的聚光點，從對象物之該相反之側有效地遠離。
在本發明之一型態的雷射加工裝置，第1控制，是藉由空間光調變器來調變雷射光，而在照射方向上，使雷射光之非調變光的聚光點位在對象物的外部且比對象物還靠與聚光部側相反之側亦可。藉此，可使雷射光之非調變光的聚光點，從對象物之該相反之側有效地遠離。
在本發明之一型態的雷射加工裝置，對象物，含有：基板、設在與基板之雷射光射入側相反之側的功能元件層亦可。該情況時，由於在對象物之該相反之側設有功能元件層，故抑制對象物之該相反之側的損傷的上述效果特別有效。
本發明之一型態的雷射加工裝置，具有輸入接收部，其接收：關於虛擬面之位置的第1資料、以及關於複數個加工光各自的聚光點與該加工光的理想聚光點之間距離的第2資料之至少任一者的輸入，在第1控制，基於第1資料及第2資料，使複數個加工光各自的聚光點從該加工光的理想聚光點偏移亦可。該情況時，作業員，可針對虛擬面的位置、以及聚光點與理想聚光點之間距離的至少任一者如期望來設定。
在本發明之一型態的雷射加工裝置，控制部，實行第2控制，其藉由移動機構來使支撐部及照射部的至少一方移動，而使複數個加工光之聚光點的位置沿著虛擬面來移動。如此地使複數個加工光之聚光點的位置沿著虛擬面來移動，藉此可具體實現沿著虛擬面之改質區域的形成。
本發明之一型態的雷射加工方法，是將雷射光照射於對象物，藉此在對象物的內部沿著虛擬面形成改質區域，該雷射加工方法，含有：使雷射光分歧成複數個加工光，並使複數個加工光的複數個聚光點，在與雷射光的照射方向呈垂直的方向上彼此位於不同的位置的工程，在該工程，是在沿著照射方向的方向上，使複數個加工光各自的聚光點對於該加工光的理想聚光點位在與雷射光之非調變光的聚光點相反之側，或是，使複數個加工光各自的聚光點對於非調變光的聚光點位在與該加工光的理想聚光點相反之側。
在雷射加工方法，與上述雷射加工裝置同樣地，可使雷射光之非調變光的聚光點，從對象物之與雷射光射入側相反之側遠離。因此，可抑制雷射光之非調變光的聚光對於對象物之該相反之側造成傷害的情況。亦即，可抑制對象物之與雷射光射入側相反之側的損傷。 [發明之效果]
根據本發明，可提供雷射加工裝置及雷射加工方法，其可抑制對象物之與雷射光射入側相反之側的損傷。
以下，針對實施形態，參照圖式來詳細說明。又，在各圖中對相同或相當的部分附上相同符號，並省略重複的說明。
[第1實施形態] 針對第1實施形態進行說明。如圖1所示般，雷射加工裝置1，具備：支撐部2、光源3、光軸調整部4、空間光調變器5、聚光部6、光軸顯示部7、可見光拍攝部8A、紅外線拍攝部8B、移動機構9、控制部10。雷射加工裝置1，是將雷射光L照射於對象物11，藉此在對象物11形成改質區域12的裝置。在以下的說明，是將彼此正交的3方向，分別稱為X方向、Y方向及Z方向。在本實施形態，X方向是第1水平方向，Y方向是與第1水平方向垂直的第2水平方向，Z方向是鉛直方向。
支撐部2，例如將貼附於對象物11的薄膜(圖示省略)予以吸附，藉此將對象物11支撐成使對象物11的表面11a及背面11b與Z方向呈正交。支撐部2，可沿著X方向及Y方向各自的方向來移動。在本實施形態的支撐部2，在將對象物11之背面11b作為雷射光射入面側亦即上側的狀態(將表面11a作為支撐部2側亦即下側的狀態)下，載置有對象物11。支撐部2，具有沿著Z方向延伸的旋轉軸2R。支撐部2，以旋轉軸2R為中心而可旋轉。
光源3，例如藉由脈衝震盪方式，來射出雷射光L。雷射光L，對於對象物11具有穿透性。光軸調整部4，調整從光源3射出之雷射光L的光軸。在本實施形態，光軸調整部4，將從光源3射出之雷射光L的行進方向變更成沿著Z方向，並調整雷射光L的光軸。光軸調整部4，例如，藉由可調整位置及角度的複數個反射鏡來構成。
空間光調變器5，配置在雷射加工頭H內。空間光調變器5，調變從光源3射出的雷射光L。在本實施形態，使從光軸調整部4沿著Z方向往下側行進的雷射光L射入雷射加工頭H內，射入雷射加工頭H內的雷射光L藉由鏡H1而被水平反射成對於Y方向具有角度，使被鏡H1反射後的雷射光L射入空間光調變器5。空間光調變器5，將如此射入的雷射光L沿著Y方向水平地反射並調變。
聚光部6，安裝在雷射加工頭H的底壁。聚光部6，將被空間光調變器5調變過的雷射光L，聚光於被支撐部2所支撐的對象物11。在本實施形態，使被空間光調變器5沿著Y方向水平反射過的雷射光L，藉由分色鏡H2而沿著Z方向往下側反射，使被分色鏡H2反射過的雷射光L射入聚光部6。聚光部6，將如此射入的雷射光L聚光於對象物11。聚光部6，是使聚光透鏡單元61透過驅動機構62來安裝在雷射加工頭H的底壁藉此來構成。驅動機構62，例如是藉由壓電元件的驅動力而使聚光透鏡單元61沿著Z方向移動。
又，在雷射加工頭H內，在空間光調變器5與聚光部6之間，配置有成像光學系統(圖示省略)。成像光學系統，是構成使空間光調變器5的反射面與聚光部6的射入瞳面成為成像關係的兩側遠心光學系統。藉此，在空間光調變器5之反射面的雷射光L之像(被空間光調變器5調變過的雷射光L之像)會轉像(成像)於聚光部6的射入瞳面。在雷射加工頭H的底壁，安裝有一對測距感測器S1、S2，其在X方向位於聚光透鏡單元61的兩側。各測距感測器S1、S2，對於對象物11的背面11b射出測距用之光(例如雷射光)，檢測出被背面11b反射的測距用之光，藉此取得背面11b的位移資料。雷射加工頭H，構成照射部。
光軸顯示部7，配置在雷射加工頭H內。光軸顯示部7，檢測出穿透分色鏡H2的雷射光L之一部分。光軸顯示部7的檢測結果，例如，顯示射入聚光透鏡單元61之雷射光L的光軸與聚光透鏡單元61的光軸之間的關係。可見光拍攝部8A，配置在雷射加工頭H內。可見光拍攝部8A，射出可見光V，將可見光V所致之對象物11的影像作為圖像來取得。在本實施形態，從可見光拍攝部8A射出的可見光V透過分色鏡H2及聚光部6而照射至對象物11的背面11b，在背面11b反射過的可見光V是透過聚光部6及分色鏡H2而被可見光拍攝部8A檢測出來。紅外線拍攝部8B，安裝在雷射加工頭H的側壁。紅外線拍攝部8B，射出紅外線光，將紅外線光所致之對象物11的影像作為紅外線圖像來取得。
移動機構9，含有使雷射加工頭H於X方向、Y方向及Z方向移動的機構。移動機構9，藉由馬達等之公知的驅動裝置的驅動力，來驅動雷射加工頭H，而使雷射光L的聚光點C於X方向、Y方向及Z方向移動。且，移動機構9，含有使支撐部2以旋轉軸2R為中心來旋轉的機構。移動機構9，藉由馬達等之公知的驅動裝置的驅動力，來旋轉驅動支撐部2，而使雷射光L的聚光點C繞旋轉軸2R於θ方向移動。
控制部10，控制雷射加工裝置1之各部的動作。控制部10，至少控制空間光調變器5及移動機構9。控制部10，具有：處理部101、記憶部102、輸入接收部103。處理部101，是構成為含有處理器、記憶體、儲存部及通訊元件等的電腦裝置。在處理部101，是以處理器來執行被讀取至記憶體等的軟體(程式)，進行記憶體及儲存部之資料的讀取及寫入，並控制通訊元件的通訊。
記憶部102，例如是硬碟等，儲存各種資料。輸入接收部103，是接收來自作業員的各種資料之輸入的界面部。在本實施形態，輸入接收部103，是構成GUI(Graphical User Interface)。輸入接收部103，是如後述般，接收切割位置及Z方向偏移量的輸入。
如上述般構成的雷射加工裝置1，在對象物11的內部使雷射光L聚光的話，在雷射光L的聚光點C所對應的部分會吸收雷射光L，而在對象物11的內部形成改質區域12。改質區域12，是指密度、折射率、機械性強度、其他的物理特性與周圍的非改質區域不同的區域。作為改質區域12，例如有，溶融處理區域、裂紋區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等。改質區域12，含有複數個改質點12s及從複數個改質點12s延伸的龜裂。
針對空間光調變器5進行具體的說明。空間光調變器5，是反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)的空間光調變器(SLM：Spatial Light Modulator)。如圖2所示般，空間光調變器5，是在半導體基板51上，依序疊層驅動電路層52、像素電極層53、反射膜54、配向膜55、液晶層56、配向膜57、透明導電膜58及透明基板59藉此來構成。
半導體基板51，例如為矽基板。驅動電路層52，在半導體基板51上構成主動矩陣電路。像素電極層53，含有沿著半導體基板51的表面配列成矩陣狀的複數個像素電極53a。各像素電極53a，例如藉由鋁等之金屬材料來形成。在各像素電極53a，藉由驅動電路層52來施加電壓。
反射膜54，例如為介電質多層膜。配向膜55，在液晶層56設在反射膜54側的表面，配向膜57，在液晶層56設在與反射膜54相反之側的表面。各配向膜55、57，例如藉由聚醯亞胺等的高分子材料來形成，在各配向膜55、57之與液晶層56接觸的面，例如施有摩擦處理。配向膜55、57，使液晶層56所含有的液晶分子56a配列於固定方向。
透明導電膜58，在透明基板59設在配向膜57側的表面，夾著液晶層56等來與像素電極層53相對向。透明基板59，例如為玻璃基板。透明導電膜58，例如藉由ITO等之光穿透性且導電性的材料來形成。透明基板59及透明導電膜58，供雷射光L穿透。
在如上述般構成的空間光調變器5，表示調變圖形的訊號從控制部10輸入至驅動電路層52時，因應該訊號的電壓會施加於各像素電極53a，而在各像素電極53a與透明導電膜58之間形成電場。該電場形成時，在液晶層56，會在對應於各像素電極53a的各個區域使液晶分子56a的配列方向變化，而在對應於各像素電極53a的各個區域使折射率變化。該狀態，是在液晶層56顯示調變圖形的狀態。
在液晶層56顯示有調變圖形的狀態下，雷射光L，從外部透過透明基板59及透明導電膜58而射入至液晶層56，被反射膜54給反射，而從液晶層56透過透明導電膜58及透明基板59而射出至外部的話，會因應液晶層56所顯示的調變圖形，來使雷射光L調變。如上述般，根據空間光調變器5，將顯示在液晶層56的調變圖形予以適當設定，藉此可調變雷射光L(例如雷射光L的強度、振幅、相位、偏光等之調變)。
針對對象物11的構造進行具體的說明。本實施形態的對象物11，如圖3(a)及圖3(b)所示般，是形成為圓板狀的晶圓。對象物11，具有表面(第1面)11a及與表面11a相反之側的背面(第2面)11b。對象物11，含有：基板21、在與基板21的雷射光射入面側相反之側所設置的工作元件層(功能元件層)22。對象物11，是在基板21上疊層工作元件層22藉此來構成。
基板21，例如是矽基板等之半導體基板。在基板21，設有顯示結晶方位的缺口或定向平面亦可。工作元件層22，設在對象物11的表面11a側。工作元件層22，含有沿著基板21的主面配列成矩陣狀的複數個功能元件。工作元件層22，含有蒸鍍於基板21的Ti(鈦)層及Sn(錫)層等之金屬層。各功能元件，例如光二極體等之受光元件、雷射二極體等之發光元件、記憶體等之電路元件等。各功能元件，有著使複數層堆疊而構成立體的情況。
於對象物11，設定有作為剝離預定面的虛擬面M1。虛擬面M1，是預定形成改質區域12的面。虛擬面M1，是與對象物11之雷射光射入面亦即背面11b相對向的面。虛擬面M1，是與背面11b平行的面，例如呈圓形狀。虛擬面M1，為虛擬的區域，不限定於平面，為曲面乃至三維狀的面亦可。
且，於對象物11，設定有加工用線15。加工用線15，是預定改質區域12之形成的線。加工用線15，是對象物11中從周緣側朝向內側延伸成漩渦狀。換言之，加工用線15，是以支撐部2的旋轉軸2R(參照圖1)的位置為中心延伸成漩渦狀(漸開曲線)。加工用線15，雖為虛擬的線，但亦可為實際畫出的線。虛擬面M1及加工用線15的設定，可在控制部10進行。虛擬面M1及加工用線15，為座標指定者亦可。只有設定虛擬面M1及加工用線15之任一方亦可。
本實施形態的雷射加工裝置1，使聚光點(至少是聚光區域的一部)C對焦於對象物11來照射雷射光L，藉此在對象物11的內部沿著虛擬面M1形成改質區域12。雷射加工裝置1，是對於對象物11施以含有剝離加工的雷射加工，而取得(製造)半導體工作元件。剝離加工，是用來將對象物11的一部分予以剝離的加工。
控制部10，實行多焦點加工控制(第1控制)，其藉由空間光調變器5來調變雷射光L，來使雷射光L分歧成複數個加工光，並使複數個加工光的複數個聚光點在與雷射光L的照射方向呈垂直的方向上彼此位於不同的位置。例如在多焦點加工控制，控制空間光調變器5，而在空間光調變器5的液晶層56顯示既定的調變圖形(包含衍射圖形的調變圖形等)。在該狀態，從光源3射出雷射光L，藉由聚光部6使雷射光L從背面11b側聚光於對象物11。也就是說，藉由空間光調變器5來調變雷射光L，使調變過的雷射光L藉由聚光部6以背面11b為雷射光射入面來聚光於對象物11。藉此，雷射光L分歧(衍射)成兩個加工光L1、L2，使兩個加工光L1、L2的各聚光點C1、C2在X方向及/或Y方向彼此位於不同的位置。
在圖4所示之一例，使雷射光L分歧成兩個加工光L1、L2，而使在對於加工行進方向K1(加工用線15的延伸方向)的傾斜方向K2並排成一列的兩個改質點12s形成在虛擬面M1上。加工光L1是-1階光，加工光對應於+1階光。針對同時形成的複數個改質點12s，X方向的間隔是分歧間距BPx，Y方向的間隔是分歧間距BPy。針對以連續兩脈衝的雷射光L的照射所形成的一對改質點12s，加工行進方向K1的間隔為脈衝間距PP。加工行進方向K1與傾斜方向K2之間的角度為分歧角度α。
在多焦點加工控制，如圖5所示般地調變雷射光L，而在Z方向使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2，對於該加工光L1、L2的理想聚光點C10、C20位在與雷射光L之非調變光L0的聚光點C0相反之側。具體來說，在多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而在Z方向使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2，對於理想聚光點C10、C20以Z方向偏移量來位在工作元件層22側。
加工光的理想聚光點，是假設沒有球面像差且加工光聚光於對象物11中之一點之情況的聚光點。雷射光L的非調變光L0，是射入空間光調變器5的雷射光L之中，沒有被空間光調變器5調變就從空間光調變器5射出的光。例如，射入空間光調變器5的雷射光L之中，被透明基板59的外側表面(與透明導電膜58相反之側的表面)反射的光會成為非調變光L0。非調變光L0的聚光點C0，對應於聚光透鏡單元61的焦點位置。非調變光L0在對象物11內時，或是，通過對象物11而位在與射入側相反之側時(參照圖9)，雖會因球面像差等的影響而使聚光區域於Z方向延伸，但將其中最對傷害造成影響的點亦即強度最強的點定義為聚光點C0。
在多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11之內部的雷射光射入側(背面11b側)。在多焦點加工控制，基於輸入接收部103所接收的切割位置及Z方向偏移量，使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2從該加工光L1、L2的理想聚光點C10、C20偏移至沿著虛擬面M1的位置為止。這種加工光L1、L2之聚光點C1、C2的偏移，可適當控制顯示在空間光調變器5之液晶層56的調變圖形藉此來實現。
控制部10，是與來自雷射加工頭H之雷射光L的照射，一起實行移動控制(第2控制)，其藉由移動機構9使支撐部2及雷射加工頭H的至少一方移動，而使複數個加工光L1、L2之聚光點C1、C2的位置沿著虛擬面M1移動。在移動控制，是使支撐部2及雷射加工頭H的至少一方移動，而使複數個加工光L1、L2之聚光點C1、C2的位置沿著加工用線15移動。在移動控制，是一邊使支撐部2旋轉一邊控制雷射加工頭H(聚光點C1、C2)之X方向的移動。
控制部10，基於與支撐部2的旋轉量相關的旋轉資訊(以下稱為「θ資訊」)，而可實行各種控制。θ資訊，是由使支撐部2旋轉的移動機構9之驅動量來取得亦可，由其他的感測器等來取得亦可。θ資訊，可藉由公知的各種手法來取得。控制部10，控制輸入接收部103的顯示。控制部10，基於從輸入接收部103輸入的各種設定，來實行剝離加工。
接著，說明雷射加工裝置1的雷射加工方法。在此，使用雷射加工裝置1來說明對於對象物11進行剝離加工的一例。
首先，以背面11b成為雷射光射入面側的狀態將對象物11載置於支撐部2上。在對象物11之搭載有工作元件層22的表面11a側，黏接有支撐基板乃至膠帶材來保護。接著，基於由可見光拍攝部8A所取得的圖像(例如對象物11之背面11b的影像)，來進行使雷射加工頭H(亦即聚光部6)沿著Z方向移動的高度調整，而使雷射光L的聚光點C位在背面11b上。以高度調整的位置為基準，使雷射加工頭H沿著Z方向移動，而使雷射光L的聚光點C位在從背面11b起算的既定深度。
以下，將如此沿著Z方向使雷射加工頭H從高度調整的位置移動之後的聚光部6的位置稱為「散焦位置」。在此，散焦位置，是以高度調整時為基準(散焦位置=0)，成為當聚光部6越接近對象物11則成為負數(負側)的參數。既定深度，是可沿著對象物11的虛擬面M1形成改質區域12的深度。
接著，一邊使支撐部2以一定的旋轉速度旋轉，一邊從光源3照射雷射光L，並使雷射加工頭H沿著X方向移動，而使聚光點C從虛擬面M1的外緣側往內側於X方向移動。藉此，在對象物11的內部沿著虛擬面M1上的加工用線15，形成以旋轉軸2R(參照圖1)的位置為中心之延伸成漩渦狀的改質區域12。
在改質區域12的形成，實行有多焦點加工控制，使雷射光L分歧成複數個加工光L1、L2，使複數個加工光L1、L2的複數個聚光點C1、C2在X方向及/或Y方向位在彼此不同的位置。與此同時，複數個加工光L1、L2的聚光點C1、C2的位置，是沿著虛擬面M1相對移動。藉此，使複數個改質點12s沿著虛擬面M1來形成。此時，基於一對測距感測器S1、S2之中位在加工行進方向K1之前側的那方所取得之背面11b的位移資料，使聚光部6的驅動機構62動作來使雷射光L的聚光點C追隨於背面11b。
所形成的改質區域12，含有複數個改質點12s。一個改質點12s，是藉由一脈衝之雷射光L的照射而形成。改質區域12，是複數個改質點12s的集合。相鄰的改質點12s，是因雷射光L之脈衝間距PP(將聚光點C對於對象物11的相對移動速度除以雷射光L的重複頻率的值)，而有彼此相連的情況，也有彼此分離的情況。
接著，以遍及虛擬面M1之改質區域12及從改質區域12的改質點12s延伸的龜裂為邊界，剝離對象物11的一部分。對象物11的剝離，例如使用吸附治具來進行亦可。對象物11的剝離，在支撐部2上實施亦可，移動至剝離專用的區域來實施亦可。對象物11的剝離，是利用吹氣或膠帶材來剝離亦可。在無法僅以外部應力來剝離對象物11的情況，可用與對象物11反應的蝕刻液(KOH或TMAH等)來選擇性蝕刻改質區域12亦可。藉此，可容易剝離對象物11。
又，雖使支撐部2以一定的旋轉速度旋轉，但該旋轉速度亦可變化。例如支撐部2的旋轉速度，變化成使改質點12s的脈衝間距PP成為一定間隔亦可。對於對象物11的剝離面，進行收尾的研削或礪石等之研磨材的研磨亦可。以蝕刻來剝離對象物11的情況，使該研磨簡略化亦可。
但是，在一般之以往的多焦點加工控制，是如圖6所示般，構成為使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2與該理想聚光點C10、C20一致。該情況時，會因雷射光L之非調變光L0之漏光(沒有被對象物11吸收的光)的影響，而擔心有造成工作元件層22損傷的問題。特別是，在剝離加工，有這種問題變得顯著之虞。這是因為，在剝離加工，會在工作元件層22的運作區上照射雷射光L，故非調變光L0的漏光，容易造成工作元件層22正下方的傷害，甚至造成工作元件特性惡化的緣故。
在此點，根據本實施形態的多焦點加工控制，是在Z方向使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2，對於該加工光L1、L2的理想聚光點C10、C20位在與雷射光L之非調變光L0的聚光點C0相反之側。具體來說，是使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2，對於理想聚光點C10、C20以Z方向偏移量來位在靠近工作元件層22的位置。散焦位置，在與理想聚光點C10、C20位於沿著虛擬面M1之位置的情況(參照後述的比較例)相較之下，是以Z方向偏移量來位在從工作元件層22遠離之側。非調變光L0的聚光點C0，在與理想聚光點C10、C20位於沿著虛擬面M1之位置的情況相較之下，是以Z方向偏移量來位在從工作元件層22遠離之側。
於是，根據雷射加工裝置1及雷射加工方法，結果可使雷射光L之非調變光L0的聚光點C0，從對象物11的工作元件層22遠離。可抑制到達工作元件層22之該漏光的能量密度。可降低非調變光L0的聚光對於工作元件層22造成不良影響的情況。可抑制非調變光L0的聚光對於對象物11的工作元件層22產生傷害的情況。亦即，可抑制對象物11之工作元件層22(與雷射光射入側相反之側)的損傷。
在雷射加工裝置1的多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11之內部的雷射光射入側(背面11b側)。換言之，在雷射加工方法，是在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11之內部的雷射光射入側。藉此，可使非調變光L0的聚光點C0從對象物11之工作元件層22有效地遠離。
在雷射加工裝置1及雷射加工方法，對象物11含有基板21及工作元件層22。在對象物11之與雷射光射入側相反之側設有工作元件層22，故作為抑制對象物11之與雷射光射入側相反之側之損傷的效果，能發揮出抑制對象物11之工作元件層22之損傷的效果。該效果特別有效。
在雷射加工裝置1及雷射加工方法，藉由移動機構9使支撐部2及雷射加工頭H的至少一方移動，而使複數個加工光L1、L2之聚光點C1、C2的位置沿著虛擬面M1移動。如此地使複數個加工光L1、L2之聚光點C1、C2的位置沿著虛擬面M1來移動，藉此可具體實現沿著虛擬面M1之改質區域12的形成。
又，在雷射加工裝置1的多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11的外部且比對象物11還靠聚光部6側亦可。換言之，在雷射加工方法，是在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11的外部且比對象物11還靠聚光部6側亦可。藉此，可使非調變光L0的聚光點C0從對象物11之工作元件層22有效地遠離。
圖7，是表示評價第1實施形態之剝離加工的評價試驗之結果的圖。圖中，比較例，是例如圖6所示之一般的多焦點加工控制之剝離加工的例子。實施例1，是上述之第1實施形態之多焦點加工控制之剝離加工的例子。Z方向偏移量，是顯示絕對值。傷害評價照片，是從表面11a觀看雷射加工後之對象物11(工作元件層22)的照片圖。作為共通加工條件，分歧間距BPx為100μm、分歧間距BPy為60μm、雷射光L的輸出為3.7W、脈衝能量(假設因分歧而損失20%的換算值)為18.5μJ、脈衝間距PP為6.25μm、頻率為80kHz、脈衝寬度為700ns。對象物11，其表面11a及背面11b的面方位是[100]的晶圓。在圖中的照片圖，沿著於左右延伸的加工用線來掃描雷射光L。
如圖7所示般，在比較例得知，起因於非調變光L0之漏光的傷害，會沿著加工用線而斷續地顯示於工作元件層22(參照圖中之虛線狀的線)。相對於此，在實施例1得知，可實現該傷害的回避。又，還得知使Z方向偏移量為5μm、10μm及15μm時，難以實現傷害的回避。
圖8，是表示輸入接收部103之顯示例的圖。如圖8所示般，輸入接收部103，是接收來自作業員的各種資料之輸入。圖中，「SS1」表示加工光L1，「SS2」表示加工光L2。作業員，可透過輸入接收部103來輸入「分歧數量」及「偏移方向」、以及關於各加工光L1、L2的數值等。
在圖8所示之例，對「分歧數量」輸入「2」，對「偏移方向」輸入「Z方向」。也就是說，選擇成以雷射光L分歧成兩個加工光L1、L2的狀態下之Z方向偏移的雷射加工方法。Z方向偏移的雷射加工方法，如上述般，是使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2，對於理想聚光點C10、C20以Z方向偏移量來位在靠近工作元件層22的位置的雷射加工方法。
切割位置，表示對象物11之虛擬面M1的位置(從背面11b起算的距離)。切割位置，對應於第1資料。Z方向偏移量，顯示加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2與理想聚光點C10、C20之間的距離。Z方向偏移量，對應於第2資料。輸入至「球面像差」的「基準」，表示各加工光L1、L2、L3之球面像差的修正量。又，在輸入接收部103，以Z方向偏移量成為一定值以上的方式來限制該輸入亦可。
如上述般，在雷射加工裝置1，基於輸入接收部103所接收之包含切割位置及Z方向偏移量的各種資料，可使複數個加工光L1、L2的聚光點C1、C2從理想聚光點C10、C20偏移。該情況時，作業員，至少可如期望來設定切割位置及Z方向偏移量。
圖9，是用來說明第1實施形態之變形例之多焦點加工控制的對象物11之側剖面圖。如圖9所示般，在多焦點加工控制，是調變雷射光L，而在Z方向使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2對於非調變光L0的聚光點C0位在與該加工光L1、L2的理想聚光點C10、C20相反之側亦可。在這種變形例的多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而在Z方向使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2，對於理想聚光點C10、C20以Z方向偏移量來位在靠近聚光部6之側。
在該變形例也是，結果可使非調變光L0的聚光點C0從對象物11的工作元件層22遠離。可抑制到達工作元件層22之非調變光L0之漏光的能量密度，可抑制對象物11之工作元件層22(與雷射光射入側相反之側)的損傷。
在變形例的多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11的外部且比對象物11還靠與聚光部6側相反之側。換言之，在變形例的雷射加工方法，是在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11的外部且比對象物11還靠與聚光部6側相反之側亦可。藉此，可使非調變光L0的聚光點C0從對象物11之工作元件層22有效地遠離。
[第2實施形態] 針對第2實施形態進行說明。在第2實施形態的說明，是說明與第1實施形態相異的點，並省略重複的說明。
在第2實施形態的多焦點加工控制，如圖10所示般，藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而使雷射光L分歧(衍射)成三個加工光L1、L2、L3，且使該等的各聚光點C1、C2、C3在X方向及/或Y方向彼此位在不同的位置。加工光L3是0階光。
在多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，而在Z方向之雷射光L之非調變光L0的聚光點C0與表面11a(與雷射光射入面相反之側的相反面)之間，存在有加工光L3之聚光所致之改質區域12(改質點12m)。也就是說，在多焦點加工控制，藉由使雷射光L分歧而成的加工光L1~L3之中之加工光L1、L2的聚光來形成改質點12m，同時藉由0階光亦即加工光L3的聚光，來在Z方向之非調變光L0的聚光點C0與表面11a之間(聚光點C0的正下方)形成改質點12m。
0階光之加工光L3的輸出，在加工光L1~L3的輸出之中是最小。0階光之加工光L3的聚光所致之改質點12m，比加工光L1、L2的聚光所致之改質點12s還小。對於沿著對象物11之虛擬面M1的剝離賦予度，改質點12m是比改質點12s還小。例如，改質點12s之加工光L1、L2的輸出(能量)為18.5μJ，關於比這還小的改質點12m之加工光L3的輸出(能量)為8μJ。
以上，在第2實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，使雷射光L分歧成複數個加工光L1~L3，並使複數個加工光L1~L3的複數個聚光點C1~C3在X方向及/或Y方向上位在彼此不同的位置。此時，在非調變光L0的聚光點C0與對象物11的表面11a(工作元件層22)之間，存在有改質區域12。藉由該改質區域12，可阻斷非調變光L0使其不會到達對象物11之表面11a側的工作元件層22。例如，在加工光L3的聚光點C3及其周邊發生溫度上昇，從吸收開始的時間點，非調變光L0的漏光亦會在聚光點C3及其周邊被吸收。藉此，可將非調變光L0對工作元件層22的洩漏量，抑制在沒有影響的範圍。可抑制因非調變光L0而對工作元件層22造成傷害的情況。亦即，可抑制對象物11之工作元件層22的損傷。
在第2實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，是藉由複數個加工光L1~L3所包含之0階光之加工光L3的聚光，而在Z方向之非調變光L0的聚光點C0與表面11a之間形成改質點12m。藉此，利用與改質點12s同時形成的改質點12m，可阻斷非調變光L0使其不會到達對象物11的工作元件層22。
在第2實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，0階光亦即加工光L3的輸出，在複數個加工光L1~L3的輸出之中是最小。藉此，可使0階光亦即加工光L3之聚光所致的改質區域12，難以促進沿著虛擬面M1之對象物11的剝離。
圖11，是表示評價第2實施形態之剝離加工的評價試驗之結果的圖。圖中，比較例，是例如圖6所示之一般的多焦點加工控制之剝離加工的例子。實施例2，是上述之第2實施形態之多焦點加工控制之剝離加工的例子。紅外線圖像，是紅外線拍攝部8B所取得的圖像，也是虛擬面M1之位置的圖像。傷害評價照片，是從表面11a觀看雷射加工後之對象物11(工作元件層22)的照片圖。在圖中的圖像及照片圖，沿著於左右延伸的加工用線來掃描雷射光L。如圖11所示般，在比較例得知，起因於非調變光L0之漏光的傷害，會沿著加工用線而斷續地顯示於工作元件層22(參照虛線狀的線)。相對於此，在實施例2得知，可實現該傷害的回避。
圖12，是用來說明第2實施形態之變形例之多焦點加工控制的對象物11之側剖面圖。如圖11所示般，在多焦點加工控制，0階光之加工光L3的輸出，是與加工光L1、L2(複數個加工光L1~L3之中除了0階光之加工光L3以外的至少任一者)的輸出相同亦可。藉此，可使0階光亦即加工光L3之聚光所致的改質區域12(改質點12m)，利用於沿著虛擬面M1之對象物11的剝離。
圖13，是用來說明第2實施形態之其他變形例之多焦點加工控制的對象物11之側剖面圖。如圖11所示般，在多焦點加工控制，是藉由空間光調變器5來調變雷射光L，來使加工光L1、L2的聚光點C1、C2往與雷射光L的照射方向垂直的方向移動，而使已經形成的改質區域12(圖示之例為改質點12r)位在Z方向之非調變光L0的聚光點C0與表面11a之間亦可。
例如在多焦點加工控制，使雷射光L二分歧而脈衝照射加工光L1、L2之際，藉由空間光調變器5來使加工光L1、L2的聚光點C1、C2往X方向及/或Y方向移動，而使非調變光L0的聚光點C0位在於此之前的加工光L1(或加工光L2)之脈衝照射所形成之改質區域12的正上方亦可。藉此，利用已形成的改質區域12，可物理性阻斷非調變光L0使其不會到達工作元件層22。
第2實施形態的雷射加工裝置1及雷射加工方法，含有上述第1實施形態的雷射加工裝置1及雷射加工方法亦可。亦即，在第2實施形態，是在Z方向使加工光L1、L2的聚光點C1、C2對於理想聚光點C10、C20位在與非調變光L0的聚光點C0相反之側，或是對於非調變光L0的聚光點C0位在與理想聚光點C10、C20相反之側，結果使非調變光L0的聚光點C0從工作元件層22(與雷射光射入側相反之側)遠離亦可。
[第3實施形態] 針對第3實施形態進行說明。在第3實施形態的說明，是說明與第1實施形態相異的點，並省略重複的說明。
在第3實施形態的多焦點加工控制，是如圖14所示般調變雷射光L，而在Z方向之非調變光L0的聚光點C0與對象物11的表面11a(與雷射光射入面的相反之面)之間，存在有從改質點12s延伸且沿著虛擬面M1伸展而互相連結的龜裂FC。
龜裂FC，沿著虛擬面M1擴張成二維狀且互相連結(參照圖15)。龜裂FC，是往沿著加工用線15的方向及與加工用線15交錯(正交)的方向伸展而互相連結。龜裂FC是剝離龜裂。龜裂FC，在以紅外線拍攝部8B所取得之虛擬面M1之位置的紅外線圖像上，是於上下左右伸展，跨越複數個加工用線15來連結。龜裂FC，在加工狀態為全切割狀態的情況能實現。全切割狀態，是龜裂FC從改質點12s延伸的狀態，也是在該紅外線圖像上無法確認改質點12s(確認到由該龜裂FC所形成之空間乃至間隙)的狀態(參照圖16之實施例3的紅外線圖像)。
能實現這種龜裂FC的加工條件，是基於公知技術來適當設定各種加工參數的條件(全切割條件)，而使加工狀態成為全切割狀態。作為全切割條件，例如，雷射光L的輸出為3.7W、脈衝能量(假設因分歧而損失20%的換算值)為18.5μJ、脈衝寬度為700ns、分歧間距BPx、BPy為10μ~30μm(特別是分歧間距BPy為30μm)、加工速度為800mm/s、脈衝間距PP為10μm、脈衝寬度為700ns。在多焦點加工控制，將全切割條件作為加工條件來實行雷射加工。
以上，在第3實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，使雷射光L分歧成複數個加工光L1~L3，並使複數個加工光L1~L3的複數個聚光點C1~C3在X方向及/或Y方向上位在彼此不同的位置。此時，在雷射光L之非調變光L0的聚光點C0與對象物11的表面11a之間，存在有從改質點12s延伸且沿著虛擬面M1伸展而互相連結的龜裂FC。藉由該龜裂FC，可阻斷非調變光L0使其不會到達對象物11之表面11a側的工作元件層22。藉此，可抑制非調變光L0對於對象物11的工作元件層22產生傷害的情況。亦即，可抑制對象物11之工作元件層22的損傷。
在第3實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，從複數個改質點12s延伸的龜裂FC，沿著虛擬面M1擴張成二維狀且互相連結。藉由這種龜裂FC，可有效地阻斷非調變光L0。
在第3實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，從複數個改質點12s延伸的龜裂FC，是往沿著加工用線15的方向及與加工用線15交錯的方向伸展而互相連結。藉由這種龜裂FC，可有效地阻斷非調變光L0。
又，在第3實施形態，只要是龜裂FC伸展的範圍(參照圖15的半透明範圍)的話，藉由空間光調變器5使加工光L1、L2的聚光點C1、C2往X方向及/或Y方向移動，而使非調變光L0的聚光點C0位在其正上方的任意位置亦可。也就是說，使加工光L1、L2的聚光點C1、C2往與雷射光L的照射方向垂直的方向移動，而使龜裂FC存在於Z方向之非調變光L0的聚光點C0與表面11a之間亦可。藉此，可確實使龜裂FC位在Z方向之非調變光L0的聚光點C0與表面11a之間。
圖16，是表示評價第3實施形態之剝離加工的評價試驗之結果的圖。圖中，比較例，是例如圖6所示之一般的多焦點加工控制之剝離加工的例子。實施例3，是上述之第3實施形態之多焦點加工控制之剝離加工的例子。紅外線圖像，是紅外線拍攝部8B所取得的圖像，也是虛擬面M1之位置的圖像。傷害評價照片，是從表面11a觀看雷射加工後之對象物11(工作元件層22)的照片圖。在圖中的圖像及照片圖，沿著於左右延伸的加工用線來掃描雷射光L。如圖16所示般，在比較例得知，起因於非調變光L0之漏光的傷害，會沿著加工用線而斷續地顯示於工作元件層22(參照圖中之虛線狀的線)。相對於此，在實施例3得知，可實現該傷害的回避。
第3實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，含有上述第1實施形態的雷射加工裝置1及雷射加工方法亦可。亦即，在第3實施形態，是在Z方向使加工光L1、L2的聚光點C1、C2對於理想聚光點C10、C20位在與非調變光L0的聚光點C0相反之側，或是對於非調變光L0的聚光點C0位在與理想聚光點C10、C20相反之側，結果使非調變光L0的聚光點C0從工作元件層22(與雷射光射入側相反之側)遠離亦可。取代或是額外地，在第3實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法，含有上述第2實施形態的雷射加工裝置及雷射加工方法亦可。也就是說，在第3實施形態，使改質區域12存在於非調變光L0的聚光點C0與對象物11的表面11a(工作元件層22)之間亦可。
[變形例] 以上，本發明的一態樣，並不限定於上述的實施形態。
在上述實施形態，雷射光L的分歧數量(加工光的數量)並未限定，不僅是上述的2分歧及3分歧，亦可為4分歧以上。在上述實施形態，複數個加工光各自之聚光點的間隔，為相等亦可，相異亦可。在上述實施形態，雖藉由移動機構9來使雷射加工頭H及支撐部2之雙方移動，但藉由移動機構9來使該等之至少一方移動亦可。
在上述實施形態，雖能發揮出抑制對象物11之與雷射光射入側相反之側之工作元件層22的損傷的效果，但並不限於抑制工作元件層22的損傷的效果。根據上述實施形態，可抑制對象物11之與雷射光射入面相反之面亦即表面11a的損傷。根據上述實施形態，可抑制對象物11之表面11a側之部分的損傷。重點是，根據上述實施形態，可抑制對象物11之與雷射光射入側相反之側的損傷。
在上述實施形態，加工用線並不限定於漩渦狀，在對象物11設定各種形狀的加工用線亦可。加工用線，例如，包含沿著既定方向並排之直線狀的複數條線亦可。直線狀的複數條線，其一部分或全部連結亦可，不連結亦可。上述實施形態，作為照射部亦可具備複數個雷射加工頭。在上述實施形態，空間光調變器5並不限定於反射型的空間光調變器，採用穿透型的空間光調變器亦可。
在上述實施形態，對象物11的種類、對象物11的形狀、對象物11的尺寸、對象物11所具有之晶體方向的數量及方向、以及對象物11之主面的面方位，並未特別限定。在上述實施形態，對象物11，含有具有結晶構造的結晶材料來形成亦可，取代此或額外含有具有非結晶構造(非晶質構造)的非結晶材料來形成亦可。結晶材料，是各向異性結晶及各向同性結晶之任一者皆可。例如對象物11，是包含以氮化鎵(GaN)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、LiTaO 3、鑽石、GaOx、藍寶石(Al 2O 3)、砷化鎵、磷化銦、玻璃、及無鹼玻璃之至少任一者所形成的基板亦可。
在上述實施形態，改質區域12，例如為形成在對象物11之內部的結晶區域、再結晶區域、或是吸雜區域亦可。結晶區域，是維持著對象物11之加工前之構造的區域。再結晶區域，是先蒸發、電漿化或融化之後，在再凝固之際作為單結晶或多結晶來凝固的區域。吸雜區域，是收集重金屬等之雜質來捕獲之發揮出吸雜效果的區域，連續地形成亦可，斷續地形成亦可。上述實施形態，適用於融磨等之加工亦可。
在上述第1實施形態，使複數個加工光L1、L2各自的聚光點C1、C2對於理想聚光點C10、C20以Z方向偏移量往工作元件層22接近之Z方向偏移的結果，會在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11之內部的雷射光射入側，但並不限定於此。Z方向偏移的結果，是在Z方向使非調變光L0的聚光點C0位在對象物11之內部的中央部分亦可。
上述之實施形態及變形例的各構造，不限定於上述的材料及形狀，可適用各式各樣的材料及形狀。且，上述之實施形態或變形例的各構造，可任意適用於其他實施形態或變形例的各構造。
1:雷射加工裝置 2:支撐部 5:空間光調變器 6:聚光部 9:移動機構 10:控制部 11:對象物 11a:表面(與雷射光射入面相反之面) 11b:背面(雷射光射入面) 12:改質區域 12s,12m,12r:改質點 15:加工用線 21:基板 22:工作元件層(功能元件層) 103:輸入接收部 C0:非調變光的聚光點 C1,C2,C3:加工光的聚光點 C10,C20:理想聚光點 FC:龜裂 H:雷射加工頭 L:雷射光 L0:非調變光 L1,L2:加工光 L3:加工光(0階光) M1:虛擬面
[圖1]圖1，是第1實施形態之雷射加工裝置的構造圖。 [圖2]圖2，是圖1所示之空間光調變器之一部分的剖面圖。 [圖3]圖3(a)，是對象物的俯視圖。圖3(b)，是對象物的剖面圖。 [圖4]圖4，是說明雷射光之分歧的示意面。 [圖5]圖5，是用來說明第1實施形態之多焦點加工控制的對象物之側剖面圖。 [圖6]圖6，是用來說明一般的多焦點加工控制的對象物之側剖面圖。 [圖7]圖7，是表示評價第1實施形態之剝離加工的評價試驗之結果的圖。 [圖8]圖8，是表示第1實施形態之輸入接收部之顯示例的圖。 [圖9]圖9，是用來說明第1實施形態之變形例之多焦點加工控制的對象物之側剖面圖。 [圖10]圖10，是用來說明第2實施形態之多焦點加工控制的對象物之側剖面圖。 [圖11]圖11，是表示評價第2實施形態之剝離加工的評價試驗之結果的圖。 [圖12]圖12，是用來說明第2實施形態之變形例之多焦點加工控制的對象物之側剖面圖。 [圖13]圖13，是用來說明第2實施形態之其他變形例之多焦點加工控制的對象物之側剖面圖。 [圖14]圖14，是用來說明第3實施形態之多焦點加工控制的對象物之側剖面圖。 [圖15]圖15，是用來說明第3實施形態之龜裂的對象物之俯剖面圖。 [圖16]圖16，是表示評價第3實施形態之剝離加工的評價試驗之結果的圖。
2:支撐部
6:聚光部
61:聚光透鏡單元
11:對象物
11a:表面(與雷射光射入面相反之面)
11b:背面(雷射光射入面)
12:改質區域
12s:改質點
21:基板
22:工作元件層(功能元件層)
C:聚光點
C0:非調變光的聚光點
C1,C2:加工光的聚光點
C10,C20:理想聚光點
L:雷射光
L0:非調變光
L1,L2:加工光

Claims (8)

  1. 一種雷射加工裝置，是將雷射光照射於對象物，藉此在前述對象物的內部沿著虛擬面形成改質區域，該雷射加工裝置具備： 支撐前述對象物的支撐部、 對於被前述支撐部所支撐的前述對象物來照射前述雷射光的照射部、 使前述支撐部及前述照射部的至少一方移動的移動機構、以及 控制前述照射部及前述移動機構的控制部， 前述照射部具有：將前述雷射光予以調變的空間光調變器、將前述空間光調變器所調變過的前述雷射光聚光於前述對象物的聚光部， 前述控制部， 實行藉由前述空間光調變器來調變前述雷射光的第1控制，而使前述雷射光分歧成複數個加工光，並使複數個前述加工光的複數個聚光點，在與前述雷射光的照射方向呈垂直的方向上彼此位於不同的位置， 在前述第1控制， 是將前述雷射光調變成：在前述照射方向上使複數個前述加工光各自的聚光點對於該加工光的理想聚光點位在與前述雷射光之非調變光的聚光點相反之側，或是，使複數個前述加工光各自的聚光點對於前述非調變光的聚光點位在與該加工光的理想聚光點相反之側。
  2. 如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，前述第1控制，是藉由前述空間光調變器來調變前述雷射光，而在前述照射方向上，使前述雷射光之非調變光的聚光點位在前述對象物之內部的雷射光射入側。
  3. 如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，前述第1控制，是藉由前述空間光調變器來調變前述雷射光，而在前述照射方向上，使前述雷射光之非調變光的聚光點位在前述對象物的外部且比前述對象物還靠前述聚光部側。
  4. 如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，前述第1控制，是藉由前述空間光調變器來調變前述雷射光，而在前述照射方向上，使前述雷射光之非調變光的聚光點位在前述對象物的外部且比前述對象物還靠與前述聚光部側相反之側。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之雷射加工裝置，其中，前述對象物，含有：基板、設在與前述基板之雷射光射入側相反之側的功能元件層。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之雷射加工裝置，其中， 具有輸入接收部，其接收：關於前述虛擬面之位置的第1資料、以及關於複數個前述加工光各自的聚光點與該加工光的理想聚光點之間距離的第2資料之至少任一者的輸入， 在前述第1控制，基於前述第1資料及前述第2資料，使複數個前述加工光各自的聚光點從該加工光的理想聚光點偏移至沿著前述虛擬面的位置。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之雷射加工裝置，其中， 前述控制部， 實行第2控制，其藉由前述移動機構來使前述支撐部及前述照射部的至少一方移動，而使複數個前述加工光之前述聚光點的位置沿著前述虛擬面來移動。
  8. 一種雷射加工方法，是將雷射光照射於對象物，藉此在前述對象物的內部沿著虛擬面形成改質區域，該雷射加工方法含有： 使前述雷射光分歧成複數個加工光，並使複數個前述加工光的複數個聚光點，在與前述雷射光的照射方向呈垂直的方向上彼此位於不同的位置的工程， 在該工程， 是在前述照射方向上，使複數個前述加工光各自的聚光點對於該加工光的理想聚光點位在與前述雷射光之非調變光的聚光點相反之側，或是，使複數個前述加工光各自的聚光點對於前述非調變光的聚光點位在與該加工光的理想聚光點相反之側。
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