TW202212012A - 在腔室清潔中的錫氧化物的移除 - Google Patents

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Abstract

透過一方法從處理腔室清除錫氧化物沉積物，該方法包括藉由將錫氧化物暴露至電漿中的氫(H 2)及碳氫化合物的混合物，而形成揮發性含錫化合物的步驟，接著為將暴露於碳氫化合物而形成的含碳聚合物移除的步驟。可藉由將含碳聚合物暴露於含氧反應物(例如，電漿中的O 2)或是在缺乏碳氫化合物的情況下暴露於H 2，以移除該含碳聚合物。可根據需求而將這些步驟重複進行數次以清潔該處理腔室。該方法可用於清潔ALD、CVD及PVD處理腔室，且對於在低於約120ºC的相對低溫下所進行的清潔係特別實用的。

Description

在腔室清潔中的錫氧化物的移除
本發明係關於處理腔室的清潔方法及設備。具體而言，本發明的實施例係關於將錫氧化物的沉積物從製造半導體裝置所使用的處理腔室移除。
在半導體裝置的製造中，沉積及蝕刻技術係用於形成材料的圖案，例如用於形成埋置在介電質層中的金屬線。沉積技術包括原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)。蝕刻技術包括濕式蝕刻方法及乾式蝕刻方法，例如反應性離子蝕刻(RIE)。
乾式沉積及蝕刻方法通常係在處理腔室中進行，其中該處理腔室具有在沉積或蝕刻期間使半導體基板固持於原地的基板支撐件，以及將一或更多處理氣體導引至該處理腔室的輸入口(例如，噴淋頭)。沉積及蝕刻設備還包括直接在容納基板該處理腔室中，或是從該處理腔室的上游產生電漿的系統。可對該處理腔室週期性地進行清潔，以從該腔室(例如從腔室壁及噴淋頭)移除材料的沉積物。
此處所提供之先前技術描述係為了一般性呈現本揭露之背景的目的。本案列名發明人的工作成果、至此先前技術段落的所述範圍、以及申請時可能不適格作為先前技術的實施態樣，均不明示或暗示承認為對抗本揭露內容的先前技術。
提供用於將錫氧化物沉積物從處理腔室清除的方法及設備。所述方法對於在相對低溫下(例如，低於約140ºC的溫度，例如約30至120ºC的溫度)清潔錫氧化物係特別實用的，但亦可在較高溫度下使用。所述方法可用於移除各種處理腔室中的錫氧化物，其中處理腔室包括但不限於ALD處理腔室(包括電漿增強ALD處理腔室)、CVD處理腔室(包括電漿增強CVD處理腔室)以及PVD處理腔室。
在一態樣中，提供處理腔室的清潔方法，其中該方法包括：(a) 提供處理腔室，在該處理腔室的至少一些部件上具有錫氧化物層；(b) 將該處理腔室中的該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成，並任選地將該處理腔室吹淨；以及透過將該含碳殘留物暴露至含氧反應物或H 2以移除該含碳聚合物，其中暴露至H 2係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。該方法亦可涉及交替重複進行步驟(b)及(c)。
在一實施例中，藉由將該含碳殘留物暴露至該含氧反應物，以移除該含碳聚合物。該含氧反應物的示例包括但不限於O 2、O 3及H 2O 2。在一實施例中，該含氧反應物為經電漿活化的O 2。在另一實施例中，該含氧反應物為O 3。
在另一實施例中，透過在電漿中將該含碳殘留物暴露至實質由H 2構成、或是實質由H 2及惰性氣體的混合物構成的處理氣體，以移除該含碳聚合物。
在一些實施例中，係在對該處理腔室加熱時進行該含碳聚合物的移除。
在一些實行例中，該處理腔室包括金屬部件(例如，鋁部件)，其中所述金屬部件可藉由所提供方法進行清潔。
在其他態樣中，提供半導體基板的處理設備，其中該設備包括：處理腔室，具有引進處理氣體的輸入口，以及控制器，具有從該處理腔室清除錫氧化物層的複數程式指令。在一實施例中，該等程式指令係配置以：(i) 將該處理腔室中的該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及(ii) 透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物(例如，O 2、O 3及H 2O 2的至少一者)或H 2以移除該含碳殘留物，其中暴露至H 2係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。在一實施例中，該設備更包括電漿產生系統。在一些實施例中，(ii)的該等程式指令係配置以將該含碳聚合物暴露至經電漿活化的O 2。在一些實施例中，該設備更包括加熱器。在一些實施例中，(ii)的該等程式指令係配置以在經加熱的處理腔室中將該含碳聚合物暴露至經電漿活化的O 2。在一些實行例中，該等程式指令係進一步配置以重複進行步驟(i)及(ii)。在另一態樣中，該控制器包括程式。
在另一態樣中，提供電腦機器可讀媒體，其中該媒體包括執行本文所述的任何方法的編碼。
在另一態樣中，提供用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，其中該方法包括：(a) 提供半導體基板，其具有暴露錫氧化物層；(b) 將處理腔室中的該暴露錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H 2)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H 2)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及(c) 透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H 2以移除該含碳聚合物，其中暴露至H 2係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。在一些實施例中，該方法更包括：將光阻塗覆至該半導體基板；將該光阻曝光；將該光阻圖案化，並將該圖案轉移至該半導體基板；以及將該光阻從該半導體基板選擇性移除。
在一些實施例中，該方法更包括：在進行蝕刻之前，使用含錫前驅物以在該半導體基板上沉積錫氧化物(其亦可涉及在處理腔室上進行沉積) ，其中該含錫前驅物係選自於由下列所構成的群組：SnF 2、SnCl 4、SnBr 4、SnH 4、四乙基錫(SnEt 4)、四甲基錫(SnMe 4)、肆(二甲基胺基)錫(Sn(NMe 2) 4)、肆(二乙基胺基)錫(Sn(NEt 2) 4)、肆(乙基甲基胺基)錫(Sn(NMeEt) 4)、(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me 3Sn(NMe 2))、二乙酸二丁基錫(Bu 2Sn(OAc) 2)、Sn(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二吖錫𠷬-2-亞基)、N 2,N 3-二(三級丁基)丁烷-2,3-二胺基錫(II)、雙[雙(三甲基矽基)胺基]錫(II)
Figure 02_image001
，其中TMS為三甲基矽基， 二丁基二苯基錫
Figure 02_image003
， 六苯基二錫(IV)
Figure 02_image005
， 四烯丙基錫
Figure 02_image007
， 四乙烯基錫
Figure 02_image009
， 乙醯丙酮錫(II)
Figure 02_image011
， 氫化三環己基錫
Figure 02_image013
， 三甲基(苯基乙炔基)錫
Figure 02_image015
， 三甲基苯基錫
Figure 02_image017
， 氯化三甲基錫
Figure 02_image019
， 二氯二甲基錫
Figure 02_image021
，及 三氯甲基錫
Figure 02_image023
。
在一些實施例中，該含錫前驅物係從下列所構成的群組中選擇的有機錫前驅物：四甲基錫(SnMe 4)、肆(二甲基胺基)錫及(二甲基胺基)三甲基錫(IV)。
在本說明書中所描述的標的主體的這些及其他實施態樣係闡述於隨附圖式及下方的實施方式中。
本文提供將錫氧化物從處理腔室清潔的方法及設備。所提供的方法可用於將錫氧化物的沉積物從各種處理腔室移除，包括ALD處理腔室(例如，電漿增強ALD(PEALD)處理腔室)、CVD處理腔室(例如，電漿增強CVD(PECVD)處理腔室)以及PVD處理腔室。
本文中所使用的錫氧化物，指的是錫及氧的化合物，其通常具有SnO 2的化學計量。在一些示例中，可由所提供方法予以清潔的錫氧化物層及沉積物包含至少90重量%的SnO 2，例如至少95重量%的SnO 2。
錫氧化物係可在半導體裝置製造中使用的多功能材料，例如作為圖案化期間的間隔物或心軸。錫氧化物可藉由ALD、CVD或PVD方法而沉積在半導體基板，並可能不經意地沉積在處理腔室的內部上，例如在腔室壁及噴淋頭上。對於處理腔室中的錫氧化物沉積物進行清潔存在著數種問題，其中該等問題可能與損害腔室部件或錫氧化物的不完全移除有關。
本文所提供的方法提供可用於將錫氧化物沉積物從各種腔室表面移除，例如從金屬腔室表面(例如，從鋁腔室表面)，而不損害該等表面。該方法比起基於氯的清潔方法係有利的，原因在於基於氯的化學品可能會在錫氧化物移除期間損害金屬腔室壁(例如，鋁腔室壁)。所提供的方法比起基於H 2的蝕刻亦是有利的，原因在於基於氫的清潔化學品可能會因為副產物的分解而導致在處理腔室形成粉末。
藉由使錫氧化物層暴露於H 2與碳氫化合物(例如，CH4)的混合物，伴隨著電漿活化，可將錫氧化物移除(轉化成揮發性化合物)。然而，已發現到此清潔化學品可能會導致在錫氧化物層的表面上形成非揮發性含碳聚合物，而這會阻礙錫氧化物的蝕刻並導致錫氧化物的不完全移除。所提供的方法藉由在錫氧化物移除期間週期性移除該含碳聚合物而解決此問題。在較低溫度下(例如在低於約140ºC的溫度下)，該含碳聚合物的形成係特別顯著的。因此，所提供的方法在較低溫度是特別有用的，並且可在例如低於約140ºC(例如低於約120ºC)的溫度下進行，例如在約30-120ºC或80-120ºC的溫度下，其中所述溫度係測量於基板支撐件處。除另行指明外，當使用術語「約」時，其係指數值包括所載數值的±10%範圍。
圖1係繪示錫氧化物清潔方法的實施例的處理流程圖。該處理係從步驟101開始，其中提供具有錫氧化物層的處理腔室。錫氧化物層可存在於該腔室的各種部件上，例如腔室壁上，噴淋頭上，或基板支撐件的部件上。該處理腔室可為在半導體基板(例如，晶圓)上沉積錫氧化物沉積所使用的處理腔室(例如，ALD、CVD或PVD處理腔室)。在一示例中，腔室壁上的錫氧化物沉積物係在藉由將半導體基板暴露至含錫前驅物及含氧前驅物(例如，在ALD或CVD腔室中)使錫氧化物沉積在半導體基板上時形成。示例性含錫前驅物可為或包括有機錫前驅物，例如四乙基錫(SnEt 4)、四甲基錫(SnMe 4)、肆(二甲基胺基)錫(Sn(NMe 2) 4)、肆(二乙基胺基)錫(Sn(NEt 2) 4)、肆(乙基甲基胺基)錫(Sn(NMeEt) 4)、(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me 3Sn(NMe 2))、二乙酸二丁基錫(Bu 2Sn(OAc) 2)、Sn(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二吖錫𠷬-2-亞基)、N 2,N 3-二(三級丁基)丁烷-2,3-二胺基錫(II)等。有機錫前驅物的額外示例包括： 雙[雙(三甲基矽基)胺基]錫(II)
Figure 02_image001
，其中TMS為三甲基矽基， 二丁基二苯基錫
Figure 02_image003
， 六苯基二錫(IV)
Figure 02_image005
， 四烯丙基錫
Figure 02_image007
， 四乙烯基錫
Figure 02_image009
， 乙醯丙酮錫(II)
Figure 02_image011
， 氫化三環己基錫
Figure 02_image013
， 三甲基(苯基乙炔基)錫
Figure 02_image015
，及 三甲基苯基錫
Figure 02_image017
。
在另一示例中，含錫前驅物還可為無機錫前驅物，例如錫鹵化物(例如，SnF 2、SnCl 4、SnBr 4) 、氫化錫(例如，SnH 4)等。在一些實施例中，係使用氯化有機錫前驅物，例如 氯化三甲基錫
Figure 02_image019
， 二氯二甲基錫
Figure 02_image021
，及 三氯甲基錫
Figure 02_image023
。
示例性含氧前驅物可包括但不限於氧(O 2)、臭氧(O 3) 、過氧化氫(H 2O 2)等。當腔室準備進行清潔時，將半導體基板從該處理腔室移除。
在圖3A中係繪示出具有錫氧化物沉積物的部分處理腔室的示意圖。處理腔室301的該部分可由任何合適的腔室材料所製成，例如金屬(例如，鋁)。在特定示例中，處理腔室301的該部分係ALD處理腔室的部分鋁腔室壁。一般而言，在數半導體基板上逐次進行錫氧化物沉積後，錫氧化物層303係形成在處理腔室301的該部分上。在一些實施例中，錫氧化物層303的厚度約為0.5-10微米。
請參照圖1的處理流程圖，該清潔處理接著在步驟103中將處理腔室暴露於包括H 2及碳氫化合物的處理氣體，以將至少部分的錫氧化物轉化為揮發性化合物，然而形成含碳聚合物。在一些實施例中，該處理氣體係在電漿中進行活化。在一示例中，將H 2及碳氫化合物(例如，甲烷，乙烷，丙烷，環丙烷或丁烷)的混合物引進處理腔室中，並利用電漿將其活化以與錫氧化物層進行反應。至少部分的錫氧化物係透過被轉化成可易於從處理腔室移除的揮發性化合物而予以蝕刻，但在某些條件下(例如，在低於約140ºC的溫度)會形成非揮發性的含碳聚合物。在圖3B中繪示所得到的結構，其中圖3B繪示在蝕刻步驟過後錫氧化物層303的厚度減少，但在錫氧化物層303上方形成含碳聚合物305層。該含碳聚合物層305進一步阻礙由氫及碳氫化合物的混合物對錫氧化物層303所進行的蝕刻。在一些實施例中，錫氧化物蝕刻步驟103移除約0.1-0.25微米之間的錫氧化物。
接著，在步驟105中，藉由將含碳聚合物暴露於含氧反應物，或是在缺少碳氫化合物的情況下暴露於H 2，以將含碳聚合物移除。含氧反應物及H 2均能夠使含碳聚合物轉化成揮發性化合物。舉例而言，含氧反應物可將含碳聚合物轉化成CO 2及/或CO。含氧反應物的示例包括氧氣(O 2)、臭氧(O 3)及過氧化氫(H 2O 2)。此步驟得以熱方式(在缺乏電漿的情況下)或利用電漿活化而執行。舉例而言，可將經電漿活化的O 2用於移除含碳聚合物。在其他實施例中，臭氧或過氧化氫係在無電漿活化的情況下使用以移除該含碳聚合物。當使用H 2以移除該含碳聚合物時，係在無碳氫化合物的情況下將H 2引進處理腔室中。舉例而言，可使用實質由H 2所組成的氣體(具有或不具有惰性氣體稀釋劑)，其中可任選地以電漿輔助與該含碳聚合物所進行的反應。圖3C中顯示在移除該含碳聚合物後所形成的結構。在所繪示的實施例中，顯示出錫氧化物層303的部分係保留在腔室301的該部分上。應理解的是，在一些實施例中，若初始錫氧化物層係薄的，則包括單一錫氧化物移除步驟103及單一含碳聚合物移除步驟105的單一循環即足以進行腔室清潔。然而，對於較厚的錫氧化物層，單一循環可能係不足夠的，而執行複數循環。
當包含單一步驟103接著單一步驟105的單一循環不足以移除所有錫氧化物，則如步驟107中顯示地重複進行步驟103及105。在一些實施例中，步驟103及105係重複進行複數次，直到將所有錫氧化物從處理腔室的表面移除。在一些實行例中，清潔處理包括執行約4-10個循環，其中各循環包括單一錫氧化物移除步驟103及單一含碳聚合物移除步驟105。圖3D中顯示在複數循環過後所得到的結構，其中錫氧化物層303已完全從處理腔室301的該部分移除。
應注意的是，在步驟103及105的各者後可對處理腔室進行吹掃，以移除揮發性反應產物。舉例而言，可利用如N 2、氦、氬等惰性氣體執行該吹掃。
圖2為繪示清潔方法的一示例性實施例的處理流程圖。在步驟201中，提供具有錫氧化物層的處理腔室。在特定示例中，該處理腔室為PEALD處理腔室。在步驟203中，將該處理腔室暴露於在包括碳氫化合物及H 2的處理氣體中形成的電漿，以將至少部分的錫氧化物轉化為揮發性化合物，然而形成含碳聚合物。在一實施例中，H 2比碳氫化合物(例如，CH 4)的莫耳比率約為1比20(而在一些實施例中係介於約1:15至1:25之間)。在一些實施例中，係利用例如Ar、He或N 2的惰性承載氣體引進氫及碳氫化合物。惰性承載氣體的流率可佔總氣流的約0-90%(例如，5-80%)。電漿係在處理腔室中產生或是在遠端產生接著引進處理腔室中。在一實施例中，係將約100kHz-30MHz之間的RF頻率使用於電漿產生，其中功率係介於約50-400W之間。此步驟可將錫氧化物轉化成可透過吹掃(例如，利用如He、Ar或N 2的惰性氣體)而從該處理腔室移除的揮發性氫化錫及/或揮發性有機金屬錫化合物。
接著，在步驟205中，藉由將含碳聚合物暴露至O 2中形成的電漿，以將含碳聚合物移除。在一示例中，O 2係單獨或伴隨惰性承載氣體(例如，He、Ar或N 2)而引進處理腔室中，而電漿係直接形成在處理腔室中、或遠端形成而被饋送至該處理腔室。在一些實施例中，在此步驟中係使用約100kHz-30MHz之間的RF頻率及約50-400W之間的功率。
接著，在步驟207中，若錫氧化物殘留在處理腔室中，則重複進行步驟203及205。在一些實行例中，該清潔方法包括執行4–10循環，其中各循環包括單一錫氧化物移除步驟203及單一含碳聚合物移除步驟207。步驟203及205各者的溫度及壓力可為相同或不同的。在一實行例中，整個清潔處理係在實質恆定的溫度下執行，其中該溫度係介於約30–140ºC，例如30–120ºC或80–120ºC。步驟203及205各者的壓力可介於約0.1–20 Torr之間，例如介於約0.5–6.0 Torr之間。處理氣體的流率係取決於處理腔室的尺寸，並例如可介於約100至20000 sccm之間。
本文所述的方法係用於清潔處理腔室的錫氧化物。在替代實施例中，可將該方法用於蝕刻其他基板上(例如，半導體基板上)的錫氧化物層。舉例而言，可將參照圖1、圖2及圖3A-3D所描述的處理用於蝕刻半導體晶圓上的錫氧化物。舉例而言，在一些實施例中，該處理係從提供半導體基板開始，其中該半導體基板具有沉積在其上方的錫氧化物層(例如，錫氧化物心軸或錫氧化物間隔物)。舉例而言，該錫氧化物層可透過CVD或ALD，使用如本文所述的含錫前驅物與含氧前驅物之間的反應而進行沉積。接著，將該半導體基板暴露至包括H 2及碳氫化合物的處理氣體，其中該處理氣體可在電漿中進行活化，以將至少部分的錫氧化物層轉化為揮發性化合物，然而形成非揮發性含碳聚合物。在此步驟中，係將至少部分錫氧化物從基板表面移除。接著，將該基板暴露於含氧反應物(例如，電漿中的O 2)或是在缺乏碳氫化合物的情況下暴露於H 2，以移除該含碳聚合物。在移除含碳聚合物後，可根據需求而將這些步驟重複進行數次，以蝕刻所欲的錫氧化物量。
在一些實施例中，該方法更包括將光阻塗覆至半導體基板；將該光阻曝光；對該光阻進行圖案化，並將以圖案轉移至該半導體基板；以及將該光阻從該半導體基板選擇性移除。在一些實施例中，係在將錫氧化物暴露於氫及碳氫化合物之前塗覆該光阻，從而形成光阻層位於該錫氧化物層上方(但不需與該錫氧化物層接觸)的基板。在一些實施例中，係在將該錫氧化物暴露於氫及碳氫化合物之前使該圖案從該光阻轉移至該半導體基板。在一些實施例中，將該圖案轉移至該半導體基板包括將錫氧化物暴露於氫及碳氫化合物，以及蝕刻，如本文所述。
本文中所使用的術語「半導體基板」，係指在半導體裝置製造的任何階段的基板，其中該基板在其結構內的任意處包含半導體材料。應當理解的是，半導體基板中的半導體材料不需係暴露的。具有將該半導體材料覆蓋的複數其他材料(例如，介電質)層的半導體晶圓為半導體基板的示例。所揭露的實行例可實施於半導體晶圓上，例如實施於200 mm、300 mm或450 mm的半導體晶圓上。然而，所揭露的實行例並不受限於此。半導體晶圓可為各種形狀、尺寸及材料。除半導體晶圓外，其他類型的工件可受益於所揭露的實行例，包括例如印刷電路板等的各種製品。 設備
所提供的方法可在各種處理腔室中執行，包括ALD、CVD及PVD處理腔室。舉例而言，所提供的方法可在可取得自Lam Research, Fremont, CA的Striker ®ALD設備中實施。在一實行例中，係提供一設備，其中該設備包括處理腔室及控制器，該處理腔室具有引進處理氣體所用的輸入口，而該控制器具有複數程式指令，配置以執行本文所述的所有方法步驟。舉例而言，該控制器可包括複數程式指令，配置以將具有錫氧化物層的處理腔室暴露於包括H 2及碳氫化合物的處理氣體，以將錫氧化物轉化成揮發性化合物，然而形成含碳聚合物；以及藉由使含碳聚合物暴露於含氧反應物(例如，電漿中的O 2)，或是在缺乏碳氫化合物的情況下暴露於H 2而進行含碳聚合物的後續移除。該設備還可包括電漿產生系統，以及將該清潔處理始終保持在所欲溫度的加熱器。
圖4示意性顯示處理站400的實施例，其中該處理站400可被用於使用原子層沉積(ALD)及/或化學氣相沉積(CVD)以沉積材料(例如，錫氧化物)，其中ALD或CVD的任一者可為經電漿增強的。可使用本文所提供的方法使處理站400清除錫氧化物沉積物。為簡潔起見，處理站400係被繪示為獨立處理站，其具有維持低壓力環境所用的處理腔室本體402。然而，將能理解的是，複數處理站400可被包括在公共處理工具環境中。此外，將能理解的是，在一些實施例中，可藉由一或更多電腦控制器以編程方式調整處理站400的一或更多硬體參數，包括詳細描述於下的那些硬體參數。
處理站400係與反應物輸送系統401流體連通以將處理氣體輸送至分佈噴淋頭406。反應物輸送系統401包括混合容器404，用於將輸送至噴淋頭406的處理氣體進行混合及/或調節。一或更多混合容器輸入口閥420可控制處理氣體往混合容器404的導引。類似地，噴淋頭輸入口閥405可控制處理氣體往噴淋頭406的導引。
在ALD沉積期間所使用的某些反應物可被儲存為液體形式，並在汽化後接著輸送至處理站。舉例而言，圖4的實施例包括汽化點403，用於將待供應至混合容器404的液體反應物汽化。在一些實施例中，汽化點403可為加熱式汽化器。從此種汽化器產生的反應物蒸汽可在下游輸送管路中冷凝。將不相容的氣體暴露於冷凝反應物可產生小微粒。這些小微粒可能會使管路堵塞、妨礙閥操作、使基板汙染等。解決這些問題的一些方法涉及將該輸送管路進行掃除及/或抽空，以移除殘留的反應物。然而，將該輸送管路進行掃除可能會增加處理站的循環時間而使處理站產量降低。因此，在一些實施例中，汽化點403下游的輸送管路可為熱追蹤的。在一些示例中，混合容器404亦可為熱追蹤的。在一非限制性示例中，汽化點403下游的管路具有從大約100°C延伸至混合容器404處的大約150°C的上升溫度輪廓。
在一些實施例中，可在液體注射器處將反應物液體汽化。舉例而言，液體注射器可將液體反應物的脈衝注入混合容器上游的承載氣流中。在一方案中，液體注射器可藉由將液體從較高壓力閃現至較低壓力使反應物汽化。在另一方案中，液體注射器可將液體原子化為分散微滴，而該等分散微滴後續在加熱式輸送管路中被汽化。將能理解的是，較小的液滴比起較大的液滴可更快速進行汽化，而減低液體注射與完全汽化之間的延遲。較快的汽化可減低汽化點403下游的管道長度。在一方案中，液體注射器可直接安裝至混合容器404。在另一方案中，液體注射器可直接安裝至噴淋頭406。
在一些實施例中，可提供位在汽化點403上游的液體流量控制器，以控制用於汽化及輸送至處理站400的液體質量流。舉例而言，液體流量控制器(LFC)可包括位於該LFC下游的熱性質量流計(MFM)。接著，可響應於回饋控制信號而調整該LFC的柱塞閥，其中該回饋控制信號係由與該MFM電性連通的比例-積分-微分(PID)控制器提供。然而，使用回饋控制來穩定液體流動可能需耗費一或更多秒。這可能會延長液體反應物的配劑時間。因此，在一些實施例中，可將該LFC動態地在回饋控制模式與直接控制模式之間切換。在一些實施例中，可藉由使該LFC的感測管及該PID控制器失效，以將該LFC動態地從回饋控制模式切換至直接控制模式。在一些實行例中，該設備包括用於容納液體前驅物(例如，有機錫化合物)的容器，以及允許利用惰性承載氣體(例如，Ar、He或N 2)將前驅物蒸汽載送至處理腔室中的導管。
沉積期間，噴淋頭406將處理氣體分佈朝向基板412。在圖4中顯示的實施例中，基板412係位於噴淋頭406下方，並被顯示為位於基座408上。應當理解的是，在清潔期間係將該基板從該處理腔室移除。將能理解的是，噴淋頭406可具有任何合適的形狀，並可具有任何合適的埠口數量及配置，以將處理氣體分佈至基板412，或是在清潔操作期間分佈處理氣體。
在一些實施例中，微容積407係位於噴淋頭406下方。在微容積中而並非處理站的整體容積中進行ALD及/或CVD處理可減低反應物暴露及掃除次數，可減低處理條件(例如，壓力、溫度等)的調整次數，可限制處理站機器人對於處理氣體的暴露等。示例性的微容積尺寸包括但不限於0.1公升與2公升之間的容積。此種微容積亦對生產量造成影響。由於較快的吹掃及微容積中的較高前驅物分壓，故使用微容積使循環時間顯著降低。
在一些實施例中，可將基座408升起或降下，以將基板412暴露至微容積407及/或以改變微容積407的容量。舉例而言，在基板轉移階段，可將基座408降下以允許將基板412裝載於基座408上。在沉積處理階段期間，可將基座408升起以將基板412定位在該微容積407內。在一些實施例中，微容積407可完全包圍著基板412及基座408的部分，以在沉積處理期間產生高流量阻抗區域。
任選地，在沉積或清潔處理的部分期間可將基座408降下及/或升起，以調節微容積407內的處理壓力、反應物濃度等。在沉積處理期間將處理腔室本體402維持在基本壓力的一方案中，使基座408降下可允許將微容積407抽空。將能理解的是，在一些實施例中，可藉由合適的電腦控制器以編程方式調整基座高度。
雖然本文所述的示例性微容積變更例係關於可調整高度的基座，但將能理解的是，在一些實施例中，可調整噴淋頭406相對於基座408的位置以改變微容積407的容量。此外，將能理解的是，可藉由本揭露範圍內的任何合適機制以變更基座408及/或噴淋頭406的垂直位置。在一些實施例中，基座408可包括轉動軸，用於轉動該基板412的位向。將能理解的是，在一些實施例中，可藉由一或更多合適的電腦控制器以編程方式執行這些示例性調整的一或更多者。
請回到圖4中顯示的實施例，噴淋頭406及基座408係與RF電源414及匹配網路416電性連通而為電漿供電。在一些實施例中，可藉由控制處理站壓力、氣體濃度、RF來源功率、RF來源頻率及電漿功率脈衝時間的一或更多者而控制電漿能量。舉例而言，可在任何合適功率操作RF電源414及匹配網路416，以形成具有所欲自由基物種組成的電漿。合適功率的示例係包括於上。同樣地，RF電源414可提供任何合適頻率的RF功率。在一些實施例中，可將RF電源414配置以彼此獨立地控制高頻率及低頻率RF功率源。示例性低頻率RF頻率可包括但不限於介於50 kHz與600 kHz之間的頻率。示例性高頻率RF頻率可包括但不限於介於1.8 MHz與2.45 GHz之間的頻率。將能理解的是，可各自地或連續地調整任何合適的參數以提供表面反應所用的電漿能量。在一非限制性示例中，可將電漿功率間歇地進行脈衝，以相對於連續供電的電漿而減低對於基板表面的離子轟擊。
在一些實施例中，可藉由一或更多電漿監測器而原位監測電漿。在一方案中，可藉由一或更多電壓，電流感測器(例如，VI探針)而監測電漿功率。在其他方案中，可藉由一或更多光學發射光譜(OES)感測器而測量電漿密度及/或處理氣體濃度。在一些實施例中，可基於得自此種原位電漿監測器的量測值而以編程方式調整一或更多電漿參數。舉例而言，可將OES感測器用於回饋迴路中，以提供對於電漿功率的編程控制。將能理解的是，在一些實施例中，可使用其他監測器以監測電漿及其他處理的特性。此種監測器可包括但不限於紅外線(IR)監測器、聲學監測器及壓力轉換器。
在一些實施例中，可經由輸入/輸出控制(IOC)序列指令而控制電漿。在一示例中，設定電漿處理階段所用的電漿條件的指令可被包括在沉積處理配方的相應電漿活化配方階段中。在一些情況下，可將處理配方階段依序編排，使得用於沉積處理階段的所有指令係與該處理階段同時執行。在一些實施例中，用於設定一或更多電漿參數的指令可被包括在電漿處理階段之前的配方階段中。舉例而言，第一配方階段可包括用於設定惰性氣體及/或反應物氣體的流率的指令、用於將電漿產生器設定至功率設定點的指令，以及用於該第一配方階段的時間延遲指令。後續的第二配方階段可包括用於啟動電漿產生器的指令，以及用於該第二配方階段的時間延遲指令。第三配方階段可包括用於使電漿產生器失效的指令，以及用於該第三配方階段的時間延遲指令。將能理解的是，這些配方階段可在本揭露的範圍內以任何合適的方式進一步細分及/或重複。
在一些實施例中，可經由加熱器410對基座408進行溫度控制。此外，在一些實施例中，可藉由蝶形閥418提供對沉積處理站400的壓力控制。如圖4的實施例中顯示，蝶形閥418調節由下游真空幫浦(未顯示)所提供的真空。然而，在一些實施例中，還可藉由改變被引進處理站400的一或更多氣體的流率而調整處理站400的壓力控制。
圖5顯示多站處理工具500之實施例的示意圖，該多站處理工具500具有入站(inbound)負載鎖室502以及出站(outbound)負載鎖室504，其中的一者或兩者可包括遠端電漿來源。處於大氣壓力下的機器人506係配置以將基板從透過傳送盒508進行裝載的晶舟通過大氣埠口510進到入站負載鎖室502中。藉由機器人506將基板放置在入站負載鎖室502中的基座512上，將大氣埠口510關閉並且將負載鎖室進行抽氣。在該入站負載鎖室502包括遠端電漿來源的情況下，可在基板被導引至處理腔室514中之前將該基板暴露於負載鎖室內的遠端電漿處理。此外，還可在入站負載鎖室502中對基板進行加熱，以例如移除濕氣及所吸附的氣體。接下來，開啟往處理腔室514的腔室傳輸埠口516，且另一機器人(未顯示)將基板放入反應器中且位於該反應器中所顯示的第一站的基座上以進行處理。雖然在圖5中所繪示的實施例係包括負載鎖室，但將能理解的是，在一些實施例中，可將基板直接提供至處理站中。
所繪示的處理腔室514包括四個處理站，在圖5中所顯示的實施例中係從1到4進行編號。各站具有加熱式基座(顯示為站1的518)以及氣體管線入口。將能理解的是，在一些實施例中，各處理站可具有不同或複數用途。雖然所繪示的處理腔室514包括四個站，但將能理解的是，根據本揭露的處理腔室可具有任何合適數量的站。舉例來說，在一些實施例中，處理腔室可具有五或更多站；而在其他實施例中，處理腔室可具有三或更少站。
圖5還繪示晶圓搬運系統590的實施例以在處理腔室514內傳輸晶圓。在一些實施例中，晶圓搬運系統590可在各種處理站之間、及/或在處理站與負載鎖室之間傳輸晶圓。將能理解的是，可使用任何合適的晶圓搬運系統。非限制性示例包括晶圓旋轉料架(carousel)及晶圓搬運機器人。圖5還繪示系統控制器550的實施例，用以控制處理工具500的處理條件與硬體狀態。系統控制器550可包括一或更多記憶裝置556、一或更多大量儲存裝置554、以及一或更多處理器552。處理器552可包括CPU或電腦、類比及/或數位輸入/輸出連接件、步進馬達控制器板等。
在一些實施例中，系統控制器550控制著處理工具500的所有活動。系統控制器550執行系統控制軟體558，其中該系統控制軟體558係儲存在大量儲存裝置554中、載入至記憶裝置556中、以及在處理器552上執行。系統控制軟體558可包括複數指令，用於控制：時間、氣體混合、腔室及/或站的壓力、腔室及/或站的溫度、吹掃條件及時間、晶圓溫度、RF功率層級、RF頻率、基板、基座、卡盤及/或承受器位置、以及由處理工具500所執行的特定處理之其他參數。系統控制軟體558得以任何合適的方式進行配置。舉例而言，可將各種處理工具構件的子程式或控制物件進行編寫，以對根據所揭露的清潔方法執行各種處理工具處理所需的處理工具構件之操作進行控制。系統控制軟體558可在任何合適的電腦可讀編程語言中進行編碼。
在一些實施例中，系統控制軟體558可包括用於控制上述各種參數的輸入/輸出控制(IOC)序列指令。舉例而言，清潔處理的各階段可包括由系統控制器550執行的一或更多指令。在相應清潔配方階段中可包括設定清潔處理階段的處理條件所用的指令。
在一些實施例中，可使用儲存在與系統控制器550相關的大量儲存裝置554及/或記憶裝置556上的其他電腦軟體及/或程式。為了此目的的程式或程式部分的示例包括基板定位程式、處理氣體控制程式、壓力控制程式、加熱器控制程式、及電漿控制程式。
基板定位程式可包括處理工具構件所用的程式編碼，其中所述處理工具構件係用以將晶圓裝載至基座518上並且控制晶圓與處理工具500的其他部件之間的間距。
處理氣體控制程式可包括編碼，用於控制氣體組成及流率，並任選地用於在沉積或清潔之前將氣體流入一或更多處理站中以穩定該處理站內的壓力。處理氣體控制程式可包括編碼，用於將氣體組成及流率控制在所揭露範圍的任何者內。壓力控制程式可包括編碼，用於例如透過調節處理站的排氣系統中的節流閥、進入該處理站內的氣流等，以控制該處理站內的壓力。壓力控制程式可包括編碼，用於將處理站內的壓力控制在所揭露壓力範圍的任何者內。
加熱器控制程式可包括編碼，用於控制往加熱該基板所用的加熱單元的電流。或者，加熱器控制程式可控制熱傳輸氣體(例如，氦)往該基板的輸送。加熱器控制程式可包括指令，用於將基板的溫度保持在所揭露範圍的任何者內。
電漿控制程式可包括編碼，用於例如使用本文所揭露的RF功率位準的任何者以對施加至一或更多處理站內的處理電極的RF功率位準和頻率進行設定。電漿控制程式還可包括編碼，用於控制各電漿暴露的持續時間。
在一些實施例中，可存在與系統控制器550相關的使用者介面。使用者介面可包括顯示螢幕、設備及/或處理條件的圖像軟體顯示器、以及例如指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等的使用者輸入裝置。
在一些實施例中，由系統控制器550所調整的參數可與處理條件有關。非限制性的示例包括處理氣體的組成及流率、溫度、壓力、電漿條件(例如，RF功率位準、頻率及暴露時間)等。這些參數得以配方形式而提供至使用者，該配方可應用使用者介面來進行輸入。
可透過系統控制器550的類比及/或數位輸入連接件以從各種處理工具感測器提供監控處理所用的複數信號。可將用於控制處理的該等信號輸出在處理工具500的類比及數位輸出連接件上。可受監控的處理工具感測器的非限制性示例包括質量流量控制器、壓力感測器(例如，壓力計)、熱電耦等。經適當編程的回饋及控制演算法可與來自這些感測器的數據一起使用以維持處理條件。
可使用任何合適的腔室以實施所揭露的實施例。示例性沉積設備包括但不限於來自ALTUS ®產品家族、VECTOR ®產品家族、STRIKER ®產品家族、及/或SPEED®產品家族(其各自係可取得自Lam Research Corp., of Fremont, California)的設備，或是各種其他可商業取得的處理系統的任何者。所述站的二或更多者可執行相同功能。類似地，二或更多站可執行不同功能。各站可根據需求而設計/配置以執行特定功能/方法。
圖6為適合用於執行錫氧化物膜沉積處理的處理系統的方塊圖，其中該處理系統係可根據某些實施例而進行清潔。系統600包括傳輸模組603。傳輸模組603提供乾淨且加壓的環境，使正進行處理的基板在各種反應器模組之間移動時受到汙染的風險最小化。安裝在傳輸模組603上的是兩個多站反應器609及610，其各者能夠根據某些實施例執行原子層沉積(ALD)及/或化學氣相沉積(CVD)。反應器609及610可包括複數站611、613、615及617，而該等站可依序或不依序執行沉積操作，並可根據所揭露的實施例而進行清潔。該等站可包括加熱式基座或基板支撐件、一或更多氣體入口或噴淋頭或擴散板。
亦安裝在傳輸模組603上的得以是能夠執行電漿或化學(非電漿)預清潔的一或更多單一或多站模組607。在一些情況下，模組607可用於各種處理，以例如準備沉積處理所用的基板。還可將模組607設計/配置以執行各種其他處理，例如蝕刻或研磨。系統600還包括在處理前後儲存著晶圓的一或更多晶圓來源模組601。位在大氣傳輸腔室619中的大氣機器人(未顯示)可率先將晶圓從來源模組601移動至負載鎖室621。位在傳輸模組603中的晶圓傳輸裝置(通常為機器手臂單元)將晶圓從負載鎖室621移動至安裝在傳輸模組603上的複數模組、以及在該等模組之間移動。
在各種實施例中，系統控制器629係用於在沉積及清潔期間控制處理條件。控制器629通常將包括一或更多記憶裝置與一或更多處理器。處理器可包括CPU或電腦、類比及/或數位輸入/輸出連接件、步進馬達控制器板等。
控制器629可控制著沉積設備的所有活動。系統控制器629執行系統控制軟體，其中該系統控制軟體包括指令組，用於控制特定處理的時間、氣體混合、腔室壓力、腔室溫度、溫度、射頻(RF)功率位準、晶圓卡盤或基座位置、及特定處理的其他參數。在一些實施例中，可使用儲存在與該控制器629相關的記憶裝置上的其他電腦程式。
通常，將存在著與該控制器629相關的使用者界面。該使用者界面可包括顯示螢幕、設備及/或處理條件的圖像軟體顯示器、及例如指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等使用者輸入裝置。
系統控制邏輯得以任何合適方法進行配置。一般而言，可將該邏輯設計或配置在硬體及/或軟體中。可將用於控制驅動電路的指令硬編碼或提供為軟體。可透過「編程」而提供指令。此編程係被理解為包括任何邏輯形式，包括數位信號處理器、特殊應用積體電路、及具有實施作為硬體的特定演算法的其他裝置中的硬編碼邏輯。編程亦被理解為包括可在普通目的處理器上執行的軟體或韌體指令。系統控制軟體可在任何合適的電腦可讀編程語言中進行編碼。
用於控制處理順序中含鍺還原性試劑脈衝、氫氣流動、及含鎢前驅物脈衝及其他參數的電腦程式編碼可被編寫於任何習知的電腦可讀編程語言中：例如組合語言、C、C++、Pascal、Fortran等。編譯物件編碼或腳本係藉由處理器加以執行，以執行該程式中所認證的任務。另外，如上所述，該程式編碼可為經硬編碼的。
控制器的參數係有關於處理條件，例如處理氣體的組成及流率、溫度、壓力、冷卻氣體壓力、基板溫度及腔室壁溫度。這些參數係以配方形式提供予使用者，並可利用使用者介面進行輸入。用於監測該處理的信號可藉由該系統控制器629的類比及/或數位輸入連接件而加以提供。用於控制該處理的信號係輸入於該沉積設備600的類比及數位輸出連接件上。
系統軟體得以許多方式進行設計或配置。舉例來說，可對各種腔室構件子程式或控制物件進行編寫，以控制根據所揭露實施例而執行沉積及清潔處理所需的腔室構件的操作。為此目的之程式或程式部分的示例包括基板定位編碼、處理氣體控制編碼、壓力控制編碼及加熱器控制編碼。
在一些實行例中，控制器629為系統的一部份且該系統可為上述示例的一部分。此系統可包括半導體處理設備，而該半導體處理設備包括一或更多處理工具、一或更多腔室、一或更多處理平台、及/或特定處理構件(晶圓基座、氣體流動系統等)。可將這些系統與電子元件進行整合以在處理半導體晶圓或基板之前、期間、及之後控制它們的操作。所述電子元件可被稱為「控制器」，其可控制一或更多系統的各種構件或子部件。取決於處理需求及/或系統類型，可將控制器629進行編程以控制本文所揭露的任何處理，包括處理氣體的運輸、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、一些系統中的射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體運輸設定、定位及操作設定、與特定系統連接或接合的一工具及其他傳輸工具及/或負載鎖室的晶圓傳輸進出。
廣義來說，可將控制器定義成具有各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子元件，以接收指令、發送指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用端點測量等。所述積體電路可包括以韌體形式儲存程式指令的晶片、數位訊號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片、及/或執行程式指令(例如，軟體)的一或更多微處理器或微控制器。程式指令得為以各種獨立設定(或程式檔案)形式而被傳送至控制器的指令，而定義出用於在半導體晶圓上、或針對半導體晶圓、或對系統執行特定步驟的操作參數。在一些實施例中，操作參數可為製程工程師所定義之配方的一部分，以在將一或更多層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒的製造期間完成一或更多的處理步驟。
在一些實行例中，控制器可為電腦的一部分、或耦接至電腦，所述電腦係整合並耦接至所述系統，或以其他方式網路與所述系統連接，或是其組合。例如，控制器可位於「雲端」、或FAB主電腦系統的全部或一部分中而可允許基板處理的遠端存取。電腦可使對系統的遠端存取能夠監控加工操作的當前進程、檢視過去加工操作的歷史、檢視來自複數加工操作的趨勢或性能度量、變更當前處理的參數、設定當前處理之後的處理步驟、或是開始新的處理。在一些示例中，遠端電腦(例如，伺服器)可透過網路向系統提供處理配方，其中該網路可包括區域網路、或網際網路。遠端電腦可包括使用者介面，而能夠對參數及/或設定進行輸入或編程，所述參數及/或設定則接著從遠端電腦傳送至系統。在一些示例中，控制器接收數據形式的指令，其中所述指令係指明一或更多操作期間待執行之各處理步驟所用的參數。應當理解的是，所述參數可特定於待執行的步驟類型、及控制器所配置以連接或控制的工具類型。因此，如上所述，控制器可例如藉由包括一或更多離散控制器而進行分佈，其中所述離散控制器係彼此以網路連接且朝向共同的目的(例如本文所述的步驟與控制)而運作。為此目的所分佈的控制器之示例將係位於腔室上的一或更多積體電路，其與遠端設置(例如，位於平台層或作為遠端電腦的一部分)、且結合以控制腔室上之處理的一或更多積體電路連通。
不具限制地，示例性系統可包括電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、晶邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、以及可能有關於或使用於半導體晶圓之加工及/或製造中的任何其他半導體處理系統。
如上所述，取決於工具所待執行的一或更多處理步驟，控制器可連通至一或更多其他工具電路或模組、其他工具組件、群集式工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、遍布於工廠的工具、主電腦、另一控制器、或材料輸送中所使用的工具，而將基板的容器帶進及帶出半導體製造工廠的工具位置、及/或裝載埠口。 實驗示例
錫氧化物移除方法係使用沉積於半導體晶圓上的錫氧化物層而加以測試。在控制組實驗中，僅在電漿中使用H 2及CH 4的混合物對錫氧化物進行蝕刻。錫氧化物係僅在介於160ºC與200ºC之間的高溫下以合適速率進行蝕刻。圖7係一圖表，其繪示對於此蝕刻化學品而言，蝕刻速率對於蝕刻溫度的相依性。由於非揮發性含碳聚合物的形成，故蝕刻在較低溫度下係難以進行。
在另一實驗中，錫氧化物係根據本文所提供的實施例而進行蝕刻。透過將基板交替暴露於(a)在H 2及CH 4的混合物中形成的電漿,接著係(b)在O 2中形成的電漿，以對錫氧化物進行蝕刻。氧電漿暴露使含碳聚合物移除,而這即使在較低溫度下仍造成顯著的錫氧化物移除速率。具體而言，能夠在80ºC及120ºC的低溫下移除錫氧化物。圖8係一圖表，其根據本文提供的實施例繪示對於所述蝕刻方法而言，蝕刻速率對於蝕刻溫度的相依性。得以見得，與未採用含碳聚合物移除步驟的控制組化學品相比，使用所提供方法可在相當低溫下成功蝕刻錫氧化物。
在未採用含碳聚合物移除步驟的H 2/CH 4電漿清潔過後，係肉眼觀察到含碳聚合物位於在處理腔室的噴淋頭上。當在H 2/CH 4電漿清潔步驟後添加O 2電漿處理步驟時,肉眼不再觀察到含碳聚合物位於噴淋頭上。 進一步實行例
本文所述的設備及處理(例如，使用所提供的方法在半導體基板上進行錫氧化物蝕刻)係可與微影圖案化工具或處理結合使用，以例如用於加工或製造半導體裝置、顯示器、LED、光電板等。一般而言，雖然並非必要，將會在公共製造設施中共同使用或執行這種工具/處理。膜的微影圖案化通常包括下列步驟的一些或全部，其中各步驟係由數種可行工具而提供：(1)使用旋轉塗佈或噴灑塗佈工具將光阻塗覆在工件(即，基板)上；(2)使用加熱板、爐膛或UV固化工具將光阻固化；(3)利用如晶圓步進器的工具將光阻暴露至可見光、或UV光、或X光；(4)將光阻顯影以選擇性地移除光阻，從而使用如濕式工作台的工具將光阻進行圖案化；(5)使用乾式或電漿輔助蝕刻工具以將光阻圖案轉移至下方膜或工件中；及(6)使用如RF或微波電漿光阻剝除器的工具將光阻移除。
101,103,105,107:步驟 201,203,205,207:步驟 301:處理腔室 303:錫氧化物層 305:含碳聚合物層 400:處理站 401:反應物輸送系統 402:處理腔室本體 403:汽化點 404:混合容器 405:噴淋頭輸入口閥 406:噴淋頭 407:微容積 408:基座 410:加熱器 412:基板 414:RF電源 416:匹配網路 418:蝶形閥 420:混合容器輸入口閥 500:多站處理工具 502:入站(inbound)負載鎖室 504:出站(outbound)負載鎖室 506:機器人 508:傳送盒 510:大氣埠口 512:基座 514:處理腔室 516:腔室傳輸埠口 518:加熱式基座 550:系統控制器 552:處理器 554:大量儲存裝置 556:記憶裝置 558:系統控制軟體 590:晶圓搬運系統 600:系統 601:晶圓來源模組 603:傳輸模組 607:模組 609,610:多站反應器 611,613,615,617:站 619:大氣傳輸腔室 621:負載鎖室 629:系統控制器
圖1係根據本文所提供的實施例的腔室清潔方法的處理流程圖。
圖2係根據本文所提供的實施例的腔室清潔方法的處理流程圖。
圖3A-3D係根據本文所提供的實施例而提供在清潔期間的部分處理腔室的橫截面示意圖。
圖4係根據本文所提供的實施例的可被進行清潔的ALD處理腔室示意圖。
圖5係根據本文所提供的實施例的系統示意圖。
圖6係根據本文所提供的實施例的系統示意圖。
圖7係一實驗圖表，繪示在使用未採用含碳聚合物移除步驟的清潔方法時，錫氧化物蝕刻速率作為處理溫度的函數。
圖8係一實驗圖表，繪示在使用根據本文所提供的實施例的清潔方法時，錫氧化物蝕刻速率作為處理溫度的函數。
101,103,105,107:步驟

Claims (23)

  1. 一種處理腔室的清潔方法，包括： (a)        提供處理腔室，在該處理腔室的至少一些部件上具有錫氧化物層； (b)        將該處理腔室中的該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 (c)        透過將該含碳殘留物暴露至含氧反應物或H 2以移除該含碳聚合物，其中暴露至H 2係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
  2. 如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中藉由將該含碳殘留物暴露至該含氧反應物，以在(c)中移除該含碳聚合物。
  3. 如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中藉由將該含碳殘留物暴露至從O 2、O 3及H 2O 2構成的群組中選擇的該含氧反應物，以在(c)中移除該含碳聚合物。
  4. 如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中該含氧反應物為經電漿活化的O 2。
  5. 如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中該含氧反應物為O 3。
  6. 如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，更包括重複進行(b)及(c)。
  7. 如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，更包括在(b)過後吹淨該處理腔室。
  8. 如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室包括金屬部件。
  9. 如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室包括鋁部件。
  10. 如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室係選自於由ALD腔室、CVD腔室及PVD腔室構成的群組。
  11. 如請求項10之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室係PEALD腔室或PECVD腔室。
  12. 如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中(c)包括在電漿中將該含碳聚合物暴露至實質由H 2構成、或是實質由H 2及惰性氣體的混合物構成的處理氣體。
  13. 如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中(c)包括在該含碳聚合物的移除期間加熱該處理腔室。
  14. 一種半導體基板的處理設備，包括： (a)        處理腔室，包括處理氣體的輸入口，以及 (b)        控制器，包括從該處理腔室清除錫氧化物層的複數程式指令，其中該等程式指令係配置以： (i)                 將該處理腔室中的該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 (ii)               透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H 2以移除該含碳殘留物，其中暴露至H 2係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
  15. 如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該含氧反應物係選自於由O 2、O 3及H 2O 2構成的群組。
  16. 如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該設備包括電漿產生系統，且其中(ii)的該等程式指令係配置以將該含碳聚合物暴露至經電漿活化的O 2。
  17. 如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該設備包括加熱器，且其中(ii)的該等程式指令係配置以在經加熱的處理腔室中將該含碳聚合物暴露至經電漿活化的O 2。
  18. 如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該等程式指令係進一步配置以重複進行(i)及(ii)。
  19. 一種用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，包括： (a)        提供半導體基板，其具有暴露錫氧化物層； (b)        將處理腔室中的該暴露錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H 2)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H 2)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 (c)        透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H 2以移除該含碳聚合物，其中暴露至H 2係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
  20. 如請求項19之用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，更包括： 在(b)之前將光阻塗覆至該半導體基板； 將該光阻曝光； 將該光阻圖案化，並將該圖案轉移至該半導體基板，其中係在(b)之前將該圖案轉移至該半導體基板，或其中將該圖案轉移至該半導體基板包括將該半導體基板暴露至(b)中包括該碳氫化合物及氫的該處理氣體，以對該錫氧化物層進行蝕刻；以及 將該光阻從該半導體基板選擇性移除。
  21. 如請求項19之用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，更包括在(a)之前，使用含錫前驅物沉積該錫氧化物層，其中該含錫前驅物係選自於由下列所構成的群組：SnF 2、SnCl 4、SnBr 4、SnH 4、四乙基錫(SnEt 4)、四甲基錫(SnMe 4)、肆(二甲基胺基)錫(Sn(NMe 2) 4)、肆(二乙基胺基)錫(Sn(NEt 2) 4)、肆(乙基甲基胺基)錫(Sn(NMeEt) 4)、(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me 3Sn(NMe 2))、二乙酸二丁基錫(Bu 2Sn(OAc) 2)、Sn(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二吖錫𠷬-2-亞基)、N 2,N 3-二(三級丁基)丁烷-2,3-二胺基錫(II)、雙[雙(三甲基矽基)胺基]錫(II)
    Figure 03_image001
    ，其中TMS為三甲基矽基， 二丁基二苯基錫
    Figure 03_image003
    ， 六苯基二錫(IV)
    Figure 03_image005
    ， 四烯丙基錫
    Figure 03_image007
    ， 四乙烯基錫
    Figure 03_image009
    ， 乙醯丙酮錫(II)
    Figure 03_image011
    ， 氫化三環己基錫
    Figure 03_image013
    ， 三甲基(苯基乙炔基)錫
    Figure 03_image015
    ， 三甲基苯基錫
    Figure 03_image017
    ， 氯化三甲基錫
    Figure 03_image019
    ， 二氯二甲基錫
    Figure 03_image021
    ，及 三氯甲基錫
    Figure 03_image023
    。
  22. 如請求項19之用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，更包括在(a)之前，使用含錫前驅物沉積該錫氧化物層，其中該含錫前驅物係選自於由下列所構成的群組：四甲基錫(SnMe 4)、四乙基錫(SnEt 4)、肆(二甲基胺基)錫及(二甲基胺基)三甲基錫(IV)。
  23. 一種半導體基板的處理設備，包括： (a)        處理腔室，包括處理氣體的輸入口，及用於將半導體基板固持於原地的基板支撐件；以及 (b)        控制器，包括對該半導體基板上的錫氧化物層進行蝕刻的複數程式指令，其中該等程式指令係配置以： (i)                 將該半導體基板上的該錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H 2)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H 2)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 (ii)               透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H 2以移除該含碳殘留物，其中暴露至H 2係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111886689A (zh) 2018-03-19 2020-11-03 朗姆研究公司 无倒角通孔集成方案
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Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7547635B2 (en) * 2002-06-14 2009-06-16 Lam Research Corporation Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics
JP2014086500A (ja) * 2012-10-22 2014-05-12 Tokyo Electron Ltd 銅層をエッチングする方法、及びマスク
CN113675081A (zh) * 2018-01-30 2021-11-19 朗姆研究公司 在图案化中的氧化锡心轴
US11499236B2 (en) * 2018-03-16 2022-11-15 Versum Materials Us, Llc Etching solution for tungsten word line recess
WO2019216092A1 (ja) * 2018-05-08 2019-11-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 酸化物半導体膜のエッチング方法および酸化物半導体加工物ならびに電子デバイス

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