TW202210879A - 光學積層體之檢查方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種抑制存在於剝離薄膜表面之缺陷之過度檢測、可精度較佳地檢測存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷的光學積層體之檢查方法。 本發明包含如以下步驟：透過檢查步驟S1，其基於藉由透過光學積層體S之光而產生之透過圖像，檢測缺陷候補；正交偏光檢查步驟S2，其基於藉由透過以相對於偏光器10之偏光軸成為正交偏光之方式配置之檢查用偏光濾光器6a、6b及光學積層體之光而產生之正交偏光圖像，檢測缺陷候補；反射檢查步驟S3，其基於藉由光學積層體反射之光而產生之反射圖像，檢測缺陷候補；及運算步驟S4，其將透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出、而反射檢查步驟未檢測出之缺陷候補，判定為存在於偏光器與光學薄膜20之間之缺陷。

Description

光學積層體之檢查方法
本發明係關於一種將偏光器、與光學薄膜加以積層，進而於厚度方向之至少一側之最表面側積層有剝離薄膜之光學積層體之檢查方法。尤其，本發明係關於一種抑制存在於剝離薄膜之表面之缺陷之過度檢測，可精度較佳地檢測存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷的光學積層體之檢查方法。
先前，已知有一種光學檢查包含偏光器之光學積層體之缺陷，判定光學積層體是否良好之檢查方法。 作為光學積層體之缺陷，列舉存在於光學積層體之層間(具體而言，構成光學積層體之偏光器與光學薄膜之間)之異物(於本說明書中適當稱為「貼合異物」)、或存在於光學積層體之表面之缺陷(異物、污垢、或傷痕等)。
容易檢測缺陷之光學條件根據缺陷之種類而異。因此，提案有各種組合複數個光學條件之檢查方法。 例如，於專利文獻1、2，提案有一種檢查方法(專利文獻1之段落0023～0026等、專利文獻2之請求項2等)，其基於藉由透過光學薄膜之光產生之光學薄膜之透過圖像、與藉由以光學薄膜反射之光產生之光學薄膜之反射圖像，檢測光學薄膜之缺陷。 又，於專利文獻3，提案有一種檢查方法(專利文獻3之請求項1等)，其基於藉由以包含偏光器之光學積層體反射之光產生之光學積層體之反射圖像、與藉由透過以相對於偏光器之偏光軸成為正交偏光(Crossed Nicol)之方式配置之檢查用偏光濾光器及光學積層體的光產生之光學積層體之正交偏光圖像，檢測光學積層體之缺陷。
此處，於檢查對象為積層有偏光器、與光學薄膜(例如相位差薄膜)，進而於厚度方向之至少一側之最表面側積層有剝離薄膜(例如隔離膜、或表面保護薄膜)之光學積層體之情形時，存在於剝離薄膜之表面之缺陷(異物、污垢、傷痕等)無害，不會成問題。其原因在於，於使用光學積層體(例如，將光學積層體貼合於液晶單元)時，剝離薄膜被剝離而不殘存。
本發明者們研究基於包含偏光器之光學積層體之正交偏光圖像檢測缺陷之檢查方法時發現，雖可檢測存在於光學積層體之層間之貼合異物，但亦檢測(過度檢測)無害之存在於剝離薄膜之表面之缺陷。因此，有將僅存在剝離薄膜之表面缺陷(因層間不存在缺陷，故不會成問題)之光學積層體亦作為不良品處理，導致光學積層體之製品良率變差之情形。
於專利文獻3，記載有為了抑制如上所述之過度檢測，而在基於光學積層體之反射圖像檢測出之缺陷候補位置、與基於光學積層體之正交偏光圖像檢測出之缺陷候補位置相同之情形時，不將該缺陷候補作為缺陷處理(專利文獻3之請求項1、段落0083等)。 然而，根據本發明者們研究，發現即使為如上所述組合反射圖像及正交偏光圖像之檢查方法，亦有無法充分抑制無害缺陷之過度檢查之情形。
另，專利文獻1記載之檢查方法係以正確計數缺陷數為課題(專利文獻1之段落0007)，而非抑制無害缺陷之過度檢測之方法。 又，專利文獻2記載之檢查方法係以正確判別缺陷之種類為課題(專利文獻2之段落0018)，而非抑制無害缺陷之過度檢測之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-329601號公報 [專利文獻2]日本專利特開2012-167975號公報 [專利文獻3]日本專利第4960161號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係用於解決如上所述之先前技術之問題點而完成者，其課題在於提供一種抑制存在於剝離薄膜之表面之缺陷之過度檢測，並可精度較佳地檢測存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷的光學積層體之檢查方法。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述問題，本發明者們積極研究，結果發現，於透過圖像、正交偏光圖像及反射圖像之各圖像中，由透過圖像及正交偏光圖像之兩者檢測出、而未由反射圖像檢測出之缺陷候補為存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷(貼合異物)之可能性較高，從而完成了本發明。
即，為了解決上述問題，本發明提供一種光學積層體之檢查方法，其係積層有偏光器與光學薄膜、進而於厚度方向之至少一側之最表面側積層有剝離薄膜之光學積層體的檢查方法，且包含：透過檢查步驟，其藉由透過上述光學積層體之光而產生上述光學積層體之透過圖像，基於上述透過圖像，檢測存在於上述光學積層體之缺陷候補；正交偏光檢查步驟，其藉由透過以相對於上述偏光器之偏光軸成為正交偏光之方式配置之檢查用偏光濾光器及上述光學積層體之光而產生上述光學積層體之正交偏光圖像，基於上述正交偏光圖像，檢測存在於上述光學積層體之缺陷候補；反射檢查步驟，其藉由上述光學積層體反射之光而產生上述光學積層體之反射圖像，基於上述反射圖像，檢測存在於上述光學積層體之缺陷候補；及運算步驟，其基於上述透過檢查步驟檢測出之缺陷候補、上述正交偏光檢查步驟檢測出之缺陷候補、及上述反射檢查步驟檢測出之缺陷候補，判定存在於上述偏光器與上述光學薄膜之間之缺陷；且於上述運算步驟中，將上述透過檢查步驟及上述正交偏光檢查步驟兩者檢測出、而上述反射檢查步驟未檢測出之缺陷候補，判定為存在於上述偏光器與上述光學薄膜之間之缺陷。
根據本發明，於透過檢查步驟中，基於光學積層體之透過圖像，檢測存在於光學積層體之缺陷候補。透過圖像藉由例如於光學積層體之一面側配置光源，於另一面側配置攝像機構，以攝像機構接受自光源出射且透過光學積層體之光並成像(攝像)而產生。透過圖像之缺陷候補藉由例如對透過圖像，應用擷取亮度值(像素值)與其他像素區域不同之像素區域之2值化等周知之圖像處理而檢測出。 又，根據本發明，於正交偏光檢查步驟中，基於光學積層體之正交偏光圖像，檢測存在於光學積層體之缺陷候補。正交偏光圖像藉由例如於光學積層體之一面側配置光源及檢查用偏光濾光器，於另一面側配置攝像機構，以攝像機構攝像接受自光源出射且透過檢查用偏光濾光器及光學積層體之光並成像(攝像)而產生。於此情形時，因存在於檢查用偏光濾光器與光學積層體之偏光器之間之缺陷，正交偏光之狀態崩坍，故於正交偏光圖像中，與存在於檢查用偏光濾光器與偏光器之間之缺陷對應之像素區域變亮(亮度值變大)。或，正交偏光圖像亦藉由於光學積層體之一面側配置光源，於另一面側配置檢查用偏光濾光器及攝像機構，以攝像機構接受自光源出射且透過光學積層體及檢查用偏光濾光器之光並成像(攝像)而產生。於此情形時，因存在於光學積層體之偏光器與檢查用偏光濾光器之間之缺陷，正交偏光之狀態崩坍，故於正交偏光圖像中，與存在於偏光器與檢查用偏光濾光器之間之缺陷對應之像素區域變亮(亮度值變大)。正交偏光圖像之缺陷候補藉由例如對正交偏光圖像，應用擷取亮度值(像素值)與其他像素區域不同之像素區域(具體而言，亮度值大於其他像素區域之像素區域)之2值化等周知之圖像處理而檢測出。 再者，根據本發明，於反射檢查步驟中，基於光學積層體之反射圖像，檢測存在於光學積層體之缺陷候補。反射圖像藉由例如於光學積層體之一面側配置光源及攝像機構，以攝像機構接受自光源出射且由光學積層體反射之光並成像(攝像)而產生。反射圖像之缺陷候補例如藉由對反射圖像，應用擷取亮度值(像素值)與其他像素區域不同之像素區域之2值化等周知之圖像處理而檢測出。
另，於本發明中，「光學薄膜」意為無法自偏光器剝離之光學薄膜。 又，於本發明中，「以相對於偏光器之偏光軸成為正交偏光之方式配置之檢查用偏光濾光器」不限定於偏光器之偏光軸與檢查用偏光濾光器之偏光軸所成之角度為完全90°之情形，而為包含90°±10°之範圍內之情形之概念。 再者，於本發明中，透過檢查步驟、正交偏光檢查步驟及反射檢查步驟未必按該順序執行，可按任意之順序執行(亦包含重複執行複數個檢查步驟之一部分之情形)。
且，根據本發明，於運算步驟中，將透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出、而反射檢查步驟未檢測出之缺陷候補，判定為存在於偏光器與光學薄膜之間的缺陷(貼合異物)。 是否由透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出缺陷候補，例如根據以下而判定，即，於與由透過檢查步驟檢測出之某缺陷候補之位置同等(相同或附近)之位置處，是否存在由正交偏光檢查步驟檢測出之缺陷候補。若於同等之位置處存在由正交偏光檢查步驟檢測出之缺陷候補時，判定由透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出該缺陷候補。另一方面，若於同等之位置處不存在由正交偏光檢查步驟檢測出之缺陷候補時，判定未由透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出該缺陷候補。 由透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟之兩者檢測出缺陷候補是否由反射檢查步驟檢測出，例如根據以下而判定，即，於與由透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出之某缺陷候補之位置同等(相同或附近)之位置處，是否存在由反射檢查步驟檢測出之缺陷候補。若於同等之位置處存在由反射檢查步驟檢測出之缺陷候補時，判定由反射檢查步驟檢測出該缺陷候補。另一方面，於同等之位置處不存在由反射檢查步驟檢測出之缺陷候補時，判定未由反射檢查步驟檢測出該缺陷候補。
如上所述，根據本發明者們之見解，透過圖像及正交偏光圖像兩者檢測出、而反射圖像未檢測出之缺陷候補為存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷(貼合異物)之可能性較高。根據本發明，於運算步驟中，因將透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出(即，於透過圖像及正交偏光圖像之兩者檢測出)、而反射檢查步驟未檢測出(即，未於反射圖像檢測出)之缺陷候補為存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷，故抑制存在於剝離薄膜之表面之缺陷之過度檢測，可精度較佳地檢測存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷。
於本發明中，於上述剝離薄膜為隔離膜，上述光學薄膜位於上述隔離膜與上述偏光器之間之情形時，較佳為於上述正交偏光檢查步驟中，將上述檢查用偏光濾光器配置於上述隔離膜側。
於使上述光學積層體貼合於圖像顯示裝置之液晶單元之情形時，將隔離膜側貼合於液晶單元(於剝離隔離膜之後貼合隔離膜側)。於將光學積層體之隔離膜側貼合於液晶單元之情形時，存在於光學積層體之偏光器與液晶單元之間之缺陷(具體而言為存在於偏光器、與位於較其更靠液晶單元側之光學薄膜之間之缺陷)於驅動液晶單元之情形時，於圖像顯示裝置中顯示為亮示，而成為品質上之問題。 根據上述較佳之方法，於正交偏光檢查步驟中，因將檢查用偏光濾光器配置於與液晶單元相同之隔離膜側，故可檢測驅動液晶單元時成為問題之缺陷(存在於液晶單元與光學薄膜之間之缺陷)作為缺陷候補。
於本發明中，若存在剝離薄膜之配向方向與偏光器之偏光軸之方向大幅偏移之光學積層體之部位，或存在剝離薄膜之配向方向與檢查用偏光濾光器之偏光軸之方向大幅偏移之光學積層體之部位，則即使於檢查用偏光濾光器與光學積層體之偏光器之間不存在缺陷，於上述部位中，正交偏光之狀態亦崩坍，故正交偏光檢查步驟之缺陷候補之檢測精度下降。 因此，本發明較適宜使用於上述剝離薄膜之配向方向相對於預定之規定配向方向在±6°以內(更佳為±3.5°以內)之情形。如此，若為配向方向一致(相對於既定之配向方向在±6°以內)之剝離薄膜，則針對以下之光學積層體，可防止正交偏光檢查步驟之缺陷候補之檢測精度下降，該光學積層體係以剝離薄膜之既定之配向方向與偏光器之偏光軸之方向一致之方式積層有剝離薄膜與偏光器，或以剝離薄膜之規定之配向方向與檢查用偏光濾光器之偏光軸之方向一致之方式(換言之，以剝離薄膜之規定之配向方向與偏光器之偏光軸之方向正交之方式)積層有剝離薄膜與偏光器者。
較佳為上述透過檢查步驟中用於產生上述透過圖像之攝像機構、與上述正交偏光檢查步驟中用於產生上述正交偏光圖像之攝像機構為同一者；且，切換：上述透過檢查步驟中由上述攝像機構執行攝像之時序、與上述正交偏光檢查步驟中由上述攝像機構執行攝像之時序。
根據上述較佳之方法，因產生透過圖像用之攝像機構、與產生正交偏光圖像用之攝像機構為同一者，故可精度較佳地使透過圖像之座標與正交偏光圖像之座標一致。因此，於運算步驟中，可精度較佳地判定是否由透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出缺陷候補(例如，精度較佳地判定於與由透過檢查步驟檢測出之某缺陷候補之位置同等之位置處，是否存在由正交偏光檢查步驟檢測出之缺陷候補)。
較佳為上述透過檢查步驟及/或上述正交偏光檢查步驟包含雜訊去除順序，其自缺陷候補中排除檢測出之缺陷候補中尺寸大於特定閾值的缺陷候補。
存在於光學積層體之偏光器與光學薄膜之間之缺陷(貼合異物)與存在於剝離薄膜之表面之缺陷相比，多數情況下尺寸較小。 根據上述較佳之方法，因於透過檢查步驟及/或正交偏光檢查步驟中，自缺陷候補中排除檢測出之缺陷候補中尺寸大於特定閾值的缺陷候補，故於運算步驟中，可使判定是否由透過檢查步驟及正交偏光檢查步驟兩者檢測出之缺陷候補之數量減少。因此，有可縮短運算步驟所需之時間之優點。 [發明之效果]
根據本發明，抑制存在於剝離薄膜表面之缺陷之過度檢測，可精度較佳地檢測存在於偏光器與光學薄膜之間之缺陷。
以下，適當參照隨附圖式，且對本發明之一實施形態之光學積層體之檢查方法進行說明。 圖1係模式性說明用於執行本實施形態之光學積層體之檢查方法之檢查裝置的概略構成之圖。圖1(a)係顯示檢查裝置之概略構成之側視圖。圖1(b)係顯示光學積層體之概略構成之剖視圖。於圖1中，X表示與光學積層體S之搬送方向平行之水平方向，Y表示與X方向正交之水平方向，Z表示鉛直方向。
＜光學積層體S＞ 首先，對本實施形態之檢查裝置100之檢查對象即光學積層體S之構成進行說明。 如圖1(b)所示，本實施形態之光學積層體S切斷成與用途對應之晶片狀，積層有偏光器10、與光學薄膜20、30，進而於厚度方向(Z方向)之最表面側積層有剝離薄膜40、50。於本實施形態，位於較偏光器10下側之一光學薄膜20為相位差薄膜，位於較偏光器10上側之另一光學薄膜30為保護薄膜。又，於本實施形態，位於較偏光器10下側之一剝離薄膜40為隔離膜，位於較偏光器10上側之另一剝離薄膜50為表面保護薄膜。 以下，對光學積層體S之各構成要件進行說明。
[偏光器10] 代表而言，偏光器10由包含二色性物質之樹脂薄膜構成。 作為樹脂薄膜，可採用能作為偏光器使用之任意之適當樹脂薄膜。代表而言，樹脂薄膜為聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA(Polyvinyl Alcohol)系樹脂」)薄膜。
作為形成上述PVA系樹脂薄膜之PVA系樹脂，可使用任意之適當樹脂。例如，列舉聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由將聚乙酸乙烯酯皂化而獲得。乙烯-乙烯醇共聚物可藉由將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而獲得。
PVA系樹脂之平均聚合度可根據目的適當選擇。平均聚合度通常為1000～10000，較佳為1200～4500，進而較佳為1500～4300。另，平均聚合度可依據JIS(Japanese Industrial Standards：日本工業標準) K 6726-1994而求得。
作為樹脂薄膜所包含之二色性物質，列舉例如碘、有機染料等。該等可單獨、或組合兩種以上而使用。較佳使用碘。
樹脂薄膜可為單層之樹脂薄膜，亦可為二層以上之積層體。
作為由單層之樹脂薄膜構成之偏光器之具體例，列舉對PVA系樹脂薄膜實施碘之染色處理及拉伸處理(代表而言為單向拉伸處理)者。碘之染色處理藉由例如將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液而進行。單向拉伸之拉伸倍率較佳為3～7倍。拉伸可於染色後進行，亦可一面染色一面進行。又，亦可於拉伸後進行染色。根據需要，對PVA系樹脂薄膜實施膨潤處理、交聯處理、清洗處理、乾燥處理等。
作為由積層體構成之偏光器之具體例，列舉由樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)之積層體、或樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體構成之偏光器。由樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體構成之偏光器可藉由以下製作：例如，將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材，使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體，隨後將該積層體拉伸及染色而將PVA系樹脂層設為偏光器。於本實施形態中，代表而言，拉伸包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中進行拉伸。再者，拉伸亦可根據需要，而包含於硼酸水溶液中之拉伸之前將積層體於高溫(例如95℃以上)下且空氣中進行拉伸。獲得之樹脂基材/偏光器之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為偏光器之保護層)，亦可自樹脂基材/偏光器之積層體剝離樹脂基材，於該剝離面上積層與目的相應之任意之適當保護層而使用。此種偏光器之製造方法之細節記載於例如日本專利特開2012-73580號公報。可將該公報之全體記載作為參考併入於本說明書。
偏光器10之厚度較佳為15 μm以下，更佳為1 μm～12 μm，進而較佳為3 μm～10 μm，尤佳為3 μm～8 μm。
偏光器10較佳於波長380 nm～780 nm之範圍內之任意波長下顯示吸收二色性。偏光器10之單體透過率較佳為40.0%～45.0%，更佳為41.5%～43.5%。偏光器10之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。
[相位差薄膜20] 相位差薄膜20可為例如賦予廣視野角之補償板，亦可為與偏光膜一起使用而用以產生圓偏光之相位差板(圓偏光板)。相位差薄膜20之厚度為例如1～200 μm。另，亦可取代相位差薄膜20，使用稍後敘述之保護薄膜、或反射偏光器等其他薄膜。
代表性而言，相位差薄膜20由可實現上述特性之任意適當之樹脂形成。作為形成相位差薄膜20之樹脂，列舉例如聚芳酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚芳基醚酮、聚醯胺-醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚乙烯醇、聚反丁烯二酸酯、聚醚碸、聚碸、降冰片烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、纖維素樹脂及聚胺基甲酸酯。該等樹脂可單獨使用，亦可組合使用。較佳為環烯烴系之降冰片烯樹脂。
[保護薄膜30] 作為保護薄膜30，使用任意之適當樹脂薄膜。作為樹脂薄膜之形成材料，列舉例如(甲基)丙烯酸系樹脂、乙醯纖維素、三乙醯纖維素等纖維素系樹脂、降冰片烯系樹脂等環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等之共聚物樹脂等。另，「(甲基)丙烯酸系樹脂」意為丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂。
保護薄膜30之代表厚度為10 μm～100 μm，較佳為20 μm～40 μm。
可根據需要，對保護薄膜30之與偏光器10為相反側之表面，實施硬鍍處理、防反射處理、防黏著處理、防眩光處理等表面處理。再者/或者，亦可根據需要，對保護薄膜30之與偏光器10為相反側之表面，實施改善經由偏光太陽眼鏡視認時之視認性的處理(代表為賦予(橢)圓偏光功能之處理、賦予超高相位差之處理)。另，於實施表面處理而形成表面處理層之情形時，保護薄膜30之厚度為包含表面處理層之厚度。
另，相位差薄膜20及保護薄膜30經由任意之適當接著劑層(無圖示)，分別貼合而積層於偏光器10。作為構成接著劑層之接著劑，代表性列舉PVA系接著劑或活化能線硬化型接著劑。
[隔離膜40] 作為隔離膜40，可採用任意之適當隔離膜。作為具體例，列舉藉由剝離劑進行表面塗覆之塑膠薄膜、不織布或紙。作為剝離劑之具體例，列舉矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈丙烯酸烷酯系剝離劑。作為塑膠薄膜之具體例，列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET，Polyethylene Terephthalate)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜。隔離膜之厚度可設為例如10 μm～100 μm。
隔離膜40經由任意之適當黏著剤層(無圖示)，貼合而積層於相位差薄膜20。作為構成黏著剤層之黏著剤之具體例，列舉丙烯酸系黏著剤、橡膠系黏著剤、矽酮系黏著剤、聚酯系黏著剤、胺基甲酸酯系黏著剤、環氧系黏著剤、及聚醚系黏著剤。可藉由調整形成黏著剤之基礎樹脂之單體之種類、數量、組合及調配比、以及交聯劑之調配量、反應溫度、反應時間等，而調製具有與目的對應之期望之特性之黏著劑。黏著剤之基礎樹脂可單獨使用，亦可組合2種以上使用。基於透明性、加工性及耐久性等之觀點，較佳為丙烯酸系黏著劑。構成黏著劑層之黏著剤之細節例如記載於日本專利特開2014-115468號公報，該公報之記載作為參考併入本說明書。黏著劑層之厚度可設為例如10 μm～100 μm。黏著劑層在25℃之儲存彈性率G’可設為例如1.0×104 [Pa]～1.0×106 [Pa]。另，例如可根據動態黏彈性測定求得儲存彈性率。
於本實施形態，作為隔離膜40，使用其之配向方向相對於預定之規定配向方向在±6°以內者。例如，若本實施形態之偏光器10之偏光軸之方向為X方向，則以將隔離膜40之既定之配向方向設為Y方向，隔離膜40之任何部位之配向方向相對於Y方向皆呈±6°以內之角度之方式，積層隔離膜40。
[表面保護薄膜50] 表面保護薄膜50代表而言具有基材與黏著劑層。於本實施形態中，表面保護薄膜50之厚度為例如30 μm以上。表面保護薄膜50之厚度之上限為例如150 μm。另，於本說明書中，「表面保護薄膜之厚度」稱為基材與黏著劑層之合計厚度。
基材可由任意之適當樹脂薄膜構成。作為樹脂薄膜之形成材料，列舉聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、降冰片烯系樹脂等環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等共聚物樹脂等。較佳為酯系樹脂(尤其係聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂)。
作為形成黏著劑層之黏著劑，可採用任意之適當黏著劑。作為黏著劑之基礎樹脂，列舉例如丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽酮系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂。
＜檢查裝置100＞ 接著，對本實施形態之檢查裝置100之構成進行說明。 本實施形態之檢查裝置100係檢查具有以上說明之構成之光學積層體S之裝置。 如圖1(a)所示，本實施形態之檢查裝置100具備：複數個帶式輸送機1，其等將光學積層體S於X方向搬送；及清潔輥2，其用於吸著去除附著於光學積層體S之最表面(最上表面及最下表面)之異物。又，本實施形態之檢查裝置100具備用於執行稍後敘述之透過檢查步驟S1之光源3及攝像機構4。又，本實施形態之檢查裝置100具備用於執行稍後敘述之正交偏光檢查步驟S2之一對光源5a、5b及一對檢查用偏光濾光器6a、6b。攝像機構4亦可作為用以執行正交偏光檢查步驟S2之攝像機構使用。又，本實施形態之檢查裝置100具備用於執行稍後敘述之反射檢查步驟S3之光源7及攝像機構8。再者，本實施形態之檢查裝置100具備控制運算機構9，其電性連接於光源3、攝像機構4、光源5a、5b、光源7及攝像機構8，控制該等之動作，且處理自攝像機構4及攝像機構8輸出之攝像信號，判定缺陷。 以下，對檢查裝置100之各構成要件進行說明。
[帶式輸送機1] 帶式輸送機1係藉由架設於兩端之輥之環狀皮帶隨著輥之旋轉而移動，而搬送載置於皮帶上之光學積層體S之構成。光學積層體S被切斷成晶片狀後，載置於圖1(a)之左端所示之帶式輸送機1上，藉由各帶式輸送機1，朝圖1(a)之右側於X方向依序搬送。於本實施形態，如圖1(b)所示，光學積層體S以隔離膜40側為下之方式載置於帶式輸送機上而搬送。將帶式輸送機1之光學積層體S之搬送速度V設定為例如50 mm/sec～750 mm/sec。
[清潔輥2] 清潔輥2具備：上下一對輥，其等由光學積層體S通過其等之間隙；及輥狀之黏著膠帶(省略圖示)，其與各輥接觸並旋轉。藉由上下一對輥與光學積層體S接觸，而將附著於光學積層體S之最表面(最上表面及最下表面。即隔離膜40之下表面及表面保護膜50之上表面)之異物吸著於輥，並將吸著於該輥之異物轉印於黏著膠帶而予以去除。 於執行稍後敘述之透過檢查步驟S1之前，藉由利用清潔輥2某種程度上去除存在於光學積層體S之最表面之異物，而可進一步抑制存在於剝離薄膜(隔離膜40、表面保護膜50)之表面之缺陷之過度檢測。
[光源3] 光源3係用於執行稍後敘述之透過檢查步驟S1之光源，於本實施形態，配置於光學積層體S之下表面側(隔離膜40側)。光源3之光軸(於圖1(a)中以虛線圖示)朝向與光學積層體S之厚度方向平行之鉛直方向(Z方向)，光源3依照自控制運算機構9輸出之控制信號，朝鉛直方向上方對光學積層體S出射光。 作為光源3，只要可出射能透過光學積層體S之波長之光，則非限定者，例如可使用LED(Light Emitting Diode：發光二極體)或鹵素燈。
[攝像機構4] 攝像機構4係用於執行稍後敘述之透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之攝像機構，於本實施形態，配置於光學積層體S之上表面側(表面保護薄膜50側)。攝像機構4之光軸(於圖1(a)中以虛線圖示)朝向與光學積層體S之厚度方向平行之鉛直方向(Z方向)，攝像機構4依照自控制運算機構9輸出之控制信號，接受自光源3出射並透過光學積層體S之光並成像，將與該光量對應之電性信號作為攝像信號輸出至控制運算機構9。又，攝像機構4依照自控制運算機構9輸出之控制信號，接受自光源5a、5b出射並透過檢查用偏光濾光器6a、6b及光學積層體S之光而成像，將與該光量對應之電性信號作為攝像信號輸出至控制運算機構9。將攝像機構4之焦點設定於光學積層體S之上表面(表面保護薄膜50之上表面)。
於本實施形態，作為攝像機構4，可使用複數個成像元件(CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合器件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體))一條直線狀排列於與光學積層體S之搬送方向(X方向)正交之方向(Y方向)，以恆定之掃描週期(例如7 μsec～14 μsec)輸出攝像信號的線性感測器。藉由使用線性感測器作為攝像機構4，因攝像機構4在X方向之視野變小，故自光源3、5a、5b出射之光在X方向之必要之照射範圍亦可較窄，故獲得緩和光源3、5a、5b之配置等相關之制約條件的優點。將光學積層體S於X方向搬送，且使線性感測器之成像元件於Y方向掃描，藉此於稍後敘述之透過檢查步驟S1產生2維之透過圖像，於稍後敘述之正交偏光檢查步驟S2產生2維之正交偏光圖像。 但，攝像機構4未必限定於線性感測器者，例如亦可使用附有高速快門之2維相機作為攝像機構4。
[光源5a、5b] 光源5a、5b係用於執行稍後敘述之正交偏光檢查步驟S2之光源，於本實施形態，配置於光學積層體S之下表面側(隔離膜40側)。光源5a、5b之光軸(於圖1(a)中以虛線圖示)朝向相對於與光學積層體S之厚度方向平行之鉛直方向(Z方向)傾斜之方向。具體而言，光源5a之光軸朝向相對於鉛直方向朝光學積層體S之搬送方向下游側傾斜之方向，光源5b之光軸朝向相對於鉛直方向朝向光學積層體S之搬送方向上游側傾斜之方向。光源5a、5b依照自控制運算機構9輸出之控制信號，朝上向光學積層體S出射光。 作為光源5a、5b，只要可出射能透過光學積層體S之波長之光，則非限定者，例如可使用LED或鹵素燈。 另，於本實施形態，使用(共用)攝像機構4作為用於執行透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者之攝像機構。即，因採用以相同之攝像機構4接受自光源3及光源5a、5b出射之光之構成，故將光源5a、5b之光軸方向設為與光源3之光軸方向不同者。又，為了可充分確保自傾斜之方向出射之光之光量，配置有一對光源5a、5b。然而，例如亦可藉由採用以半鏡面等構成之同軸落射光學系統，而使光源5a、5b之光軸方向與光源3之光軸方向同樣朝向鉛直方向，又可設為使用單一光源而非一對光源5a、5b之構成。
[檢查用偏光濾光器6a、6b] 檢查用偏光濾光器6a、6b以相對於光學積層體S之偏光器10之偏光軸成為正交偏光之方式配置。例如，若偏光器10之偏光軸之方向為X方向，則以檢查用偏光濾光器6a、6b之偏光軸之方向成為與X方向正交之Y方向之方式配置。但，不限定於偏光器10之偏光軸與檢查用偏光濾光器6a、6b之偏光軸所成之角度完全為90°之情形，只要在90°±10°之範圍內即可。 關於檢查用偏光濾光器6a、6b之構成或製造方法，因與偏光器10同樣，故此處省略詳細之說明。
本實施形態之檢查用偏光濾光器6a、6b配置於光學積層體S之下表面側(隔離膜40側)。具體而言，檢查用偏光濾光器6a、6b分別配置於光學積層體S與光源5a、5b之間，自光源5a、5b出射之光分別透過檢查用偏光濾光器6a、6b，照射至光學積層體S。於本實施形態之情形時，因存在於檢查用偏光濾光器6a、6b與偏光器10之間之缺陷導致正交偏光之狀態崩坍，故於由稍後敘述之正交偏光檢查步驟S2產生之光學積層體S之正交偏光圖像中，與存在於檢查用偏光濾光器6a、6b與偏光器10之間之缺陷對應之像素區域變亮(亮度值變大)，可檢測該缺陷作為缺陷候補。 但，本發明未必限定於此者，亦可將檢查用偏光濾光器6a、6b配置於光學積層體S之上表面側(表面保護薄膜50側)。具體而言，亦可採用將一片檢查用偏光濾光器配置於光學積層體S與攝像機構之間，自光源5a、5b出射並透過光學積層體S之光透過該檢查用偏光濾光器由攝像機構4受光之構成。於此情形時，因存在於檢查用偏光濾光器與偏光器10之間之缺陷導致正交偏光之狀態崩坍，故於由稍後敘述之正交偏光檢查步驟S2產生之光學積層體S之正交偏光圖像中，與存在於檢查用偏光濾光器與偏光器10之間之缺陷對應之像素區域變亮(亮度值變大)，可檢測該缺陷作為缺陷候補。
[光源7] 光源7係用於執行稍後敘述之反射檢查步驟S3之光源，於本實施形態，配置於光學積層體S之下表面側(隔離膜40側)。光源7之光軸(於圖1(a)中虛線以圖示)朝向相對於與光學積層體S之厚度方向平行之鉛直方向(Z方向)傾斜之方向。於圖1(a)所示之例，光源7之光軸朝向相對於鉛直方向朝光學積層體S之搬送方向上游側傾斜之方向。但，並非限定於此者，亦可將光源7之光軸朝向相對於鉛直方向朝光學積層體S之搬送方向下游側傾斜之方向。又，例如亦可藉由採用以半鏡面等構成之同軸落射光學系統，使光源7之光軸朝向鉛直方向。光源7依照自控制運算機構9輸出之控制信號，朝上向光學積層體S出射光。 作為光源7，只要可出射可透過光學積層體S之波長之光，則非限定者，例如可使用LED或鹵素燈。
[攝像機構8] 攝像機構8係用於執行稍後敘述之反射檢查步驟S3之攝像機構，於本實施形態，配置於光學積層體S之下表面側(隔離膜40側)。攝像機構8之光軸(於圖1(a)中以虛線圖示)朝向與光學積層體S之厚度方向平行之鉛直方向(Z方向)，攝像機構8依照自控制運算機構9輸出之控制信號，接受自光源7出射且由光學積層體S反射之光並成像，將與該光量對應之電性信號作為攝像信號輸出至控制運算機構9。將攝像機構8之焦點設定於光學積層體S之下表面(隔離膜40之下表面)。
於本實施形態，作為攝像機構8，與攝像機構4同樣使用複數個成像元件(CCD或CMOS)一條直線狀排列於與光學積層體S之搬送方向(X方向)正交之方向(Y方向)，以恆定之掃描週期(例如7 μsec～14 μsec)輸出攝像信號之線性感測器。藉由使用線性感測器作為攝像機構8，因攝像機構8之X方向之視野變小，故自光源7出射之光在X方向之必要之照射範圍亦可較窄，獲得緩和光源7之配置等相關之制約條件之優點。將光學積層體S於X方向搬送，且使線性感測器之成像元件於Y方向掃描，藉此於稍後敘述之反射檢查步驟S3產生2維之反射圖像。 但，攝像機構8未必限定於線性感測器者，例如亦可使用附有高速快門之2維相機作為攝像機構8。
[控制運算機構9] 控制運算機構9例如由安裝有用於執行稍後敘述之控制處理或運算處理之程式的個人電腦或程控邏輯控制器(PLC，Programmable logic controller等)構成。
＜本實施形態之檢查方法＞ 以下，對使用以上說明之檢查裝置100之本實施形態之光學積層體S之檢查方法進行說明。 圖2係顯示本實施形態之光學積層體S之檢查方法之概略步驟之流程圖。 如圖2所示，本實施形態之檢查方法包含透過檢查步驟S1、正交偏光檢查步驟S2、反射檢查步驟S3、及運算步驟4。 以下，對各步驟S1～S4進行說明。
[透過檢查步驟S1] 於透過檢查步驟S1，藉由透過光學積層體S之光產生光學積層體S之透過圖像，基於該透過圖像，檢測存在於光學積層體S之缺陷候補(圖2之S11)。 具體而言，於光學積層體S即將到達攝像機構4之正下方之時序，藉由自控制運算機構9輸出之控制信號，驅動光源3及攝像機構4。且，攝像機構4接受自光源3出射且透過光學積層體S之光並成像，將與該光量對應之電性信號作為攝像信號輸出至控制運算機構9。控制運算機構9基於該輸入之攝像信號，產生2維之透過圖像。且，控制運算機構9藉由對產生之透過圖像，應用擷取亮度值(像素值)與其他像素區域不同之像素區域的2值化等周知之圖像處理，而檢測缺陷候補。
圖3係模式性說明由透過檢查步驟S1檢測出之缺陷候補之一例之圖。圖3(a)係模式性說明存在於光學積層體S之缺陷之一例之剖視圖。圖3(b)係模式性說明於執行透過檢查步驟S1之雜訊去除順序S12之前檢測出之缺陷候補之一例之圖。圖3(c)係模式性說明執行透過檢查步驟S1之雜訊去除步驟S12之後殘存之缺陷候補之一例之圖。 於圖3(a)中，符號F1表示附著於剝離薄膜之隔離膜40之表面之無害之異物。符號F2表示存在於隔離膜40之表面之無害之傷痕。符號F3表示存在於偏光器10與相位差薄膜20之間之有害之貼合異物。符號F4表示存在於剝離薄膜之表面保護薄膜50之表面之無害之異物。圖3(b)、(c)顯示2值化後之透過圖像，於圖3(b)中，分別檢測出3個異物F1(F1a～F1c)、2個傷痕F2(F2a、F2b)、1個貼合異物F3、2個異物F4(F4a、F4b)作為缺陷候補。於圖3(c)中，分別檢測出1個異物F1(F1c)、1個傷痕F2(F2a)、1個貼合異物F3、2個異物F4(F4a、F4b)作為缺陷候補。
本實施形態之透過檢查步驟S1包含雜訊去除順序(圖2之S12)，其係自缺陷候補中排除檢測出之缺陷候補中尺寸(例如面積)大於特定閾值的缺陷候補。因此，排除檢測出之圖3(b)所示之缺陷候補中具有較大尺寸之缺陷候補即異物F1a、F1b、傷痕F2b，而成為圖3(c)所示之狀態。
[正交偏光檢查步驟S2] 於正交偏光檢查步驟S2，藉由透過檢查用偏光濾光器6a、6b及光學積層體S之光產生光學積層體S之正交偏光圖像，並基於該正交偏光圖像，檢測存在於光學積層體S之缺陷候補(圖2之S2)。 具體而言，於光學積層體S即將到達攝像機構4之正下方之時序，藉由自控制運算機構9輸出之控制信號，驅動光源5a、5b及攝像機構4。且，攝像機構4接受分別自光源5a、5b出射且分別透過檢查用偏光濾光器6a、6b及光學積層體S之光並成像，將與該光量對應之電性信號作為攝像信號輸出至控制運算機構9。控制運算機構9基於該輸入之攝像信號，產生2維之正交偏光圖像。且，控制運算機構9藉由對產生之正交偏光圖像，應用擷取亮度值(像素值)與其他像素區域不同(亮度值變大)之像素區域的2值化等周知之圖像處理，而檢測缺陷候補。
圖4係模式性說明由正交偏光檢查步驟S2檢測出之缺陷候補之一例之圖。圖4顯示2值化後之正交偏光圖像，分別檢測出3個異物F1(F1a～F1c)、3個傷痕F2(F2b～F2d)、1個貼合異物F3作為缺陷候補。因附著於表面保護薄膜50之表面之異物F4不位於偏光器10與檢查用偏光濾光器6a、6b之間，故與透過圖像不同，於正交偏光圖像未檢測出。
另，於本實施形態，因用於產生透過圖像之攝像機構4、與用於產生正交偏光圖像之攝像機構4相同，故控制運算機構9進行切換於透過檢查步驟S1執行攝像機構4之攝像之時序、與於正交偏光檢查步驟S2執行攝像機構4之攝像之時序的控制。 具體而言，控制運算機構9進行以下控制：按照攝像機構4之每一掃描週期，切換自用於產生透過圖像之光源3出射光之時序、與自用於產生正交圖像之光源5a、5b出射光之時序。即，控制運算機構9於一個掃描週期，對光源3輸出自光源3出射光之控制信號之後，於下一個掃描週期，對光源5a、5b輸出自光源5a、5b出射光之控制信號。控制運算機構9於進而下一個掃描週期，對光源3輸出自光源3出射光之控制信號。控制運算機構9重複以上之動作直至一個光學積層體S結束通過攝像機構4之正下方為止。
圖5係模式性說明控制運算機構9執行之切換控制之內容之圖。如上所述，控制運算機構9藉由按照攝像機構4之每一掃描週期，切換自光源3出射光之時序與自光源5a、5b出射光之時序，而如圖5(a)所示，攝像機構4以與掃描週期對應之間隔於X方向交替成像自光源3出射且透過光學積層體S之光(於圖5(a)中以白色顯示之區域)、與自光源5a、5b出射且透過檢查用偏光濾光器6a、6b及光學積層體S之光(於圖5(a)中施加點狀陰影線之區域)。 控制運算機構9根據攝像機構4之掃描週期，僅選取圖5(a)中以白色顯示之區域並於X方向合成，藉此產生如圖5(b)所示之透過圖像。又，控制運算機構9根據攝像機構4之掃描週期，僅選取圖5(a)中施加點狀之陰影線之區域並於X方向合成，藉此產生圖5(c)所示之正交偏光圖像。 如以上所述，即使用於產生透過圖像之攝像機構4、與用於產生正交偏光圖像之攝像機構4為同一者，控制運算機構9亦可個別地產生透過圖像與正交偏光圖像。
[反射檢查步驟S3] 於反射檢查步驟S3中，藉由以光學積層體S反射之光而產生光學積層體S之反射圖像，基於該反射圖像，檢測存在於光學積層體S之缺陷候補(圖2之S3)。 具體而言，於光學積層體S即將到達攝像機構8之正下方之時序，藉由自控制運算機構9輸出之控制信號，驅動光源7及攝像機構8。且，攝像機構8接受自光源7出射且由光學積層體S反射之光而成像，將與該光量對應之電性信號作為攝像信號輸出至控制運算機構9。控制運算機構9基於該輸入之攝像信號，產生2維之反射圖像。且，控制運算機構9對產生之反射圖像，應用擷取亮度值(像素值)與其他像素區域不同之像素區域的2值化等周知之圖像處理，而檢測缺陷候補。
圖6係模式性說明由反射檢查步驟S3檢測出之缺陷候補之一例之圖。圖6顯示2值化後之反射圖像，檢測出3個異物F1(F1a～F1c)作為缺陷候補。因反射圖像是由光學積層體S反射之光而產生，故僅檢測出附著於配置有光源7之側之隔離膜40之表面的異物F1。於圖6所示之例，雖僅檢測出異物F1，但亦有檢測出同樣存在於隔離膜40之表面之傷痕F2之情形。
[運算步驟S4] 於運算步驟S4中，基於透過檢查步驟S1檢測出之缺陷候補、正交偏光檢查步驟S2檢測出之缺陷候補、及反射檢查步驟S3檢測出之缺陷候補，判定存在於偏光器10與光學薄膜(本實施形態中為相位差薄膜20)之間之缺陷(圖2之S4)。 具體而言，於運算步驟S4中，控制運算機構9首先判定是否由透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2兩者檢測出某缺陷候補(圖2之S41)。是否由透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2兩者檢測出缺陷候補，乃根據以下而判定，即，於與由透過檢查步驟S1檢測出之某缺陷候補之位置同等(同一或附近)之位置處，是否存在由正交偏光檢查步驟S2檢測出之缺陷候補。具體而言，例如根據於與由透過檢查步驟S1檢測出之缺陷候補之重心位置同等之位置(例如重心之位置±2 mm之位置)處，是否存在由正交偏光檢查步驟S2檢測出之缺陷候補之重心而判定。為了判定於與由透過檢查步驟S1檢測出之缺陷候補之位置同等之位置，是否存在由正交偏光檢查步驟S2檢測出之缺陷候補，需使透過圖像之座標與正交偏光圖像之座標一致。本實施形態中，如上所述，因用於產生透過圖像之攝像機構4、與用於產生正交偏光圖像之攝像機構4為同一者，故透過圖像之座標與正交偏光圖像之座標大體一致，無需使兩圖像之座標嚴格地一致。但，嚴格而言，自參照圖5說明之內容可知，因透過圖像之座標與正交偏光圖像之座標於X方向上偏移與攝像機構4之掃描週期對應之間隔，故較佳為控制運算機構9修正該偏移量而使兩圖像之座標一致。
圖7係模式性說明運算步驟S4之內容之圖。 圖7(a)係模式性說明於運算步驟S4(具體而言為S41)中，判定為於透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之缺陷候補之一例的圖。如上述圖3(c)所示，於透過檢查步驟S1，檢測出異物F1c、傷痕F2a、貼合異物F3、異物F4a、F4b作為缺陷候補，如上述圖4所示，於正交偏光檢查步驟S2，檢測出異物F1a～F1a、傷痕F2b～F2d、貼合異物F3作為缺陷候補。例如，因於透過檢查步驟S1檢測出之異物F1c在正交偏光檢查步驟S2中亦檢測出，故控制運算機構9判定為於兩者檢測出異物F1c(於圖2之S41為「是(Yes)」)。另一方面，例如，在正交偏光檢查步驟S2未檢測出於透過檢查步驟S1檢測出之傷痕F2a，故控制運算機構9判定為未於兩者檢測出傷痕F2a(於圖2之S41為「否(No)」)，並判定為該缺陷候補(傷痕F2a)並非存在於偏光器10與相位差薄膜20之間之貼合異物F3(圖2之S44)。於本實施形態，藉由對由透過檢查步驟S1檢測出之所有缺陷候補執行同樣之運算，而判定圖7(a)所示之缺陷候補(異物F1c、貼合異物F3)為在透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之缺陷候補。
接著，於運算步驟S4，控制運算機構9判定在反射檢查步驟S3中是否檢測出於透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之缺陷候補(圖2之S42)。是否在反射檢查步驟S3檢測出於透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之缺陷候補係根據於與由透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之某缺陷候補之位置同等(同一或附近)的位置，是否存在由反射檢查步驟S3檢測出之缺陷候補而判定。具體而言，例如根據於與由透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之缺陷候補之重心位置同等的位置(例如重心之位置±2 mm之位置)，是否存在由反射檢查步驟S3檢測出之缺陷候補之重心而判定。為了判定於與由透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之缺陷候補之位置同等的位置，是否存在由反射檢查步驟S3檢測出之缺陷候補，需使透過圖像及正交偏光圖像之座標與反射圖像之座標一致。透過圖像及正交偏光圖像之座標與反射圖像之座標因於X方向偏移將攝像機構4與攝像機構8在X方向之間隔距離L(參照圖1(a))除以光學積層體S之搬送速度V的時間量，故控制運算機構9需修正該偏移量而使透過圖像及正交偏光圖像之座標與反射圖像之座標一致。又，因透過圖像及正交偏光圖像之座標與反射圖像之座標於Y方向亦可能偏移，故控制運算機構9較佳應用周知之圖像處理，檢測透過圖像及正交偏光圖像之Y方向之邊緣(光學積層體S之邊緣)、與反射圖像之Y方向之邊緣(光學積層體S之邊緣)，並以該等邊緣之位置一致之方式，使透過圖像及正交偏光圖像之座標與反射圖像之座標一致。
圖7(b)係模式性說明於運算步驟S4(具體而言為S42)中，判定為未於反射檢查步驟S3檢測出之缺陷候補之一例之圖。如上述圖7(a)所示，於透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之異物F1c及貼合異物F3中，如上述圖6所示，因異物F1c於反射檢查步驟S3亦檢測出，故運算控制機構9判定為在反射檢查步驟S3檢測出異物F1c(圖2之S42為「是」)，並判定該缺陷候補(異物F1c)並非存在於偏光器10與相位差薄膜20之間之貼合異物F3(圖2之S44)。另一方面，於透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出之異物F1c及貼合異物F3中，如上述圖6所示，因貼合異物F3於反射檢查步驟S3未檢測出，因而運算控制機構9判定為在反射檢查步驟S3未檢測出貼合異物F3(圖2之S42為「否」)，判定該缺陷候補(貼合異物F3)為存在於偏光器10與相位差薄膜20之間之貼合異物F3(圖2之S43)。
根據本發明者們之見解，於透過圖像及正交偏光圖像之兩者檢測出，未於反射圖像檢測出之缺陷候補為存在於偏光器10與相位差薄膜20之間的缺陷(貼合異物)之可能性較高。根據本實施形態之檢查方法，如上所述，於運算步驟S4中，判定為於透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之兩者檢測出(即，於透過圖像及正交偏光圖像之兩者檢測出)，未於反射檢查步驟S3檢測出(即，未於反射圖像檢測出)之缺陷候補為存在於偏光器10與相位差薄膜20之間的缺陷，故抑制存在於剝離薄膜(隔離膜40、表面保護薄膜50)之表面之缺陷之過度檢測，可精度較佳地檢測存在於偏光器10與相位差薄膜20之間之缺陷。
另，於本實施形態，雖已列舉檢查對象為於偏光器10之厚度方向之兩側積層光學薄膜20、30(相位差薄膜20、保護薄膜30)，於厚度方向兩側之最表面側積層有剝離薄膜40、50(隔離膜40、表面保護薄膜50)的光學積層體S之情形進行說明，但本發明並非限定於此者。只要為於偏光器10積層至少1個光學薄膜(例如僅相位差薄膜20)，於至少一側之最表面側積層剝離薄膜(例如僅隔離膜40)之光學積層體即可，可應用各種光學積層體。
又，於本實施形態，雖已列舉檢查對象為切斷成晶片狀之光學積層體S之情形進行說明，但本發明並非限定於此。亦可與專利文獻1～3記載之檢查方法同樣，採用一面以捲對捲搬送長條之光學積層體一面執行檢查之構成。
又，於本實施形態，雖已列舉將光源3、5a、5b、7配置於光學積層體S之下表面側(隔離膜40側)之情形進行說明，但本發明並非限定於此者，亦可採用將光源3、5a、5b、7配置於光學積層體S之上表面(表面保護薄膜50側)(檢查用偏光濾光器6a、6b亦配置於光學積層體S之上表面側)之構成。於此情形時，攝像機構4配置於光學積層體S之下表面側，攝像機構8配置於光學積層體S之上表面側。且，於此情形時，於正交偏光檢查步驟S2，檢測存在於偏光器10與保護薄膜30之間之貼合異物。
又，於本實施形態，雖已列舉用於在透過檢查步驟S1中產生透過圖像之攝像機構4、與用於在正交偏光檢查步驟S2中產生正交偏光圖像之攝像機構4相同之情形進行說明，但本發明並非限定於此者，亦可個別地設置用於產生透過圖像之攝像機構、與用於產生正交偏光圖像之攝像機構。
再者，於本實施形態，雖已列舉按照透過檢查步驟S1、正交偏光檢查步驟S2及反射檢查步驟S3之順序執行(其中，於透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2中執行攝像之時序重複)之情形進行說明，但本發明並非限定於此者，而可按任意順序執行。又，亦可採用於執行透過檢查步驟S1及正交偏光檢查步驟S2之後，僅先執行運算步驟S4之S41，之後，於執行反射檢查步驟S3之後，執行運算步驟S4之S42之順序。
1:帶式輸送機 2:清潔輥 3:光源 4:攝像機構 5a:光源 5b:光源 6a:檢查用偏光濾光器 6b:檢查用偏光濾光器 7:光源 8:攝像機構 9:控制運算機構 10:偏光器 20:相位差薄膜(光學薄膜) 30:保護薄膜(光學薄膜) 40:隔離膜(剝離薄膜) 50:表面保護膜(剝離薄膜) 100:檢查裝置 F1:異物 F1a:異物 F1b:異物 F1c:異物 F2:傷痕 F2a:傷痕 F2b:傷痕 F2c:傷痕 F2d:傷痕 F3:貼合異物 F4:異物 F4a:異物 F4b:異物 L:間隔距離 S:光學積層體 S1:透過檢查步驟 S2:正交偏光檢查步驟 S3:反射檢查步驟 S4:運算步驟 S11:步驟 S12:步驟 S41:步驟 S42:步驟 S43:步驟 S44:步驟 V:搬送速度
圖1(a)、(b)係模式性說明用於執行本發明之一實施形態之光學積層體之檢查方法之檢查裝置的概略構成之圖。 圖2係顯示本實施形態之光學積層體之檢查方法之概略步驟之流程圖。 圖3(a)～(c)係模式性說明由圖2所示之透過檢查步驟S1檢測出之缺陷候補之一例的圖。 圖4係模式性說明由圖2所示之正交偏光檢查步驟S2檢測出之缺陷候補之一例的圖。 圖5(a)～(c)係模式性說明圖1所示之控制運算機構9執行之切換控制之內容之圖。 圖6係模式性說明由圖2所示之反射檢查步驟S3檢測出之缺陷候補之一例之圖。 圖7(a)、(b)係模式性說明圖2所示之運算步驟S4之內容之圖。

Claims (5)

  1. 一種光學積層體之檢查方法，其係積層有偏光器與光學薄膜、進而於厚度方向之至少一側之最表面側積層有剝離薄膜之光學積層體之檢查方法，且包含： 透過檢查步驟，其藉由透過上述光學積層體之光而產生上述光學積層體之透過圖像，基於上述透過圖像，檢測存在於上述光學積層體之缺陷候補； 正交偏光檢查步驟，其藉由透過以相對於上述偏光器之偏光軸成為正交偏光之方式配置之檢查用偏光濾光器及上述光學積層體之光而產生上述光學積層體之正交偏光圖像，基於上述正交偏光圖像，檢測存在於上述光學積層體之缺陷候補； 反射檢查步驟，其藉由上述光學積層體反射之光而產生上述光學積層體之反射圖像，基於上述反射圖像，檢測存在於上述光學積層體之缺陷候補；及 運算步驟，其基於上述透過檢查步驟檢測出之缺陷候補、上述正交偏光檢查步驟檢測出之缺陷候補、及上述反射檢查步驟檢測出之缺陷候補，判定存在於上述偏光器與上述光學薄膜之間之缺陷；且 於上述運算步驟中，將上述透過檢查步驟及上述正交偏光檢查步驟兩者檢測出、而上述反射檢查步驟未檢測出之缺陷候補，判定為存在於上述偏光器與上述光學薄膜之間之缺陷。
  2. 如請求項1之光學積層體之檢查方法，其中 上述剝離薄膜為隔離膜， 上述光學薄膜位於上述隔離膜與上述偏光器之間， 於上述正交偏光檢查步驟中，將上述檢查用偏光濾光器配置於上述隔離膜側。
  3. 如請求項1之光學積層體之檢查方法，其中 上述剝離薄膜之配向方向相對於預定之規定配向方向在±6°以內。
  4. 如請求項1之光學積層體之檢查方法，其中 於上述透過檢查步驟中用於產生上述透過圖像之攝像機構、與於上述正交偏光檢查步驟中用於產生上述正交偏光圖像之攝像機構為同一者， 切換：上述透過檢查步驟中由上述攝像機構執行攝像之時序、與上述正交偏光檢查步驟中由上述攝像機構執行攝像之時序。
  5. 如請求項1之光學積層體之檢查方法，其中 上述透過檢查步驟及/或上述正交偏光檢查步驟包含雜訊去除順序，其自缺陷候補中排除檢測出之缺陷候補中尺寸大於特定閾值的缺陷候補。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07311160A (ja) * 1994-05-19 1995-11-28 Nitto Denko Corp 外観検査方法および検査装置
JP2003329601A (ja) 2002-05-10 2003-11-19 Mitsubishi Rayon Co Ltd 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
KR100749954B1 (ko) * 2004-12-27 2007-08-16 주식회사 넥스트아이 편광필름의 검사방법 및 이에 적용되는 편광필름의 검사장치
JP4960161B2 (ja) * 2006-10-11 2012-06-27 日東電工株式会社 検査データ処理装置及び検査データ処理方法
WO2009128115A1 (ja) * 2008-04-15 2009-10-22 日東電工株式会社 光学フィルム積層体ロールならびにその製造方法および装置
KR101082699B1 (ko) * 2008-08-27 2011-11-15 제일모직주식회사 광학필름용 검사장치
JP2012167975A (ja) 2011-02-14 2012-09-06 Toray Advanced Film Co Ltd 欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP5825278B2 (ja) * 2013-02-21 2015-12-02 オムロン株式会社 欠陥検査装置および欠陥検査方法
KR102191414B1 (ko) * 2013-11-12 2020-12-16 삼성디스플레이 주식회사 결함 검사 장치 및 이를 이용한 결함 검사 방법
KR20150070621A (ko) * 2013-12-17 2015-06-25 동우 화인켐 주식회사 편광 필름 결함 검출 장치 및 방법
JP2015225041A (ja) * 2014-05-29 2015-12-14 住友化学株式会社 積層偏光フィルムの欠陥検査方法
CN107024482B (zh) * 2015-12-15 2020-11-20 住友化学株式会社 缺陷拍摄装置及方法、膜制造装置及方法、缺陷检查方法
JP2018009800A (ja) * 2016-07-11 2018-01-18 住友化学株式会社 欠陥検査用撮像装置、欠陥検査システム、フィルム製造装置、欠陥検査用撮像方法、欠陥検査方法、及び、フィルム製造方法

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