TW202208954A - 矽基液晶器件以及矽基液晶顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種矽基液晶器件以及矽基液晶顯示面板，所述矽基液晶器件包括：至少兩個第一像素電極，第一像素電極的每個角為缺角，所有的第一像素電極沿著對角線的缺角的方向週期性地排布於襯底上；第一絕緣層，填充於相鄰兩個第一像素電極的側壁之間並覆蓋第一像素電極；至少兩個第二像素電極，沿著對角線的方向週期性地排布於第一絕緣層上，且第二像素電極與第一像素電極相互交錯設置，以使得對角線方向上的相鄰兩個第二像素電極的兩相鄰的角與對角線方向上的相鄰兩個第一像素電極的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙。本發明的技術方案使得在提高開口率進而提高反射率的同時，還能夠避免成本的明顯提高。

Description

矽基液晶器件以及矽基液晶顯示面板
本發明係關於液晶顯示領域，特別關於一種矽基液晶器件以及矽基液晶顯示面板。
矽基液晶( Liquid Crystal on silicon，LCOS )顯示面板是一種反射式液晶微型面板，其是採用半導體矽晶技術控制液晶進而“投射”彩色畫面，具有光利用效率高、體積小、開口率高、製造技術成熟等特點，其可以很容易實現高分辨率和充分的色彩表現。
矽基液晶顯示面板通常包括矽基液晶器件和透明蓋板，矽基液晶器件和透明蓋板之間通過框膠黏合在一起，並將液晶材料封裝在內。其中，矽基液晶器件的結構和性能對矽基液晶顯示面板的性能具有很大的影響。
參閱圖1，圖1是矽基液晶器件的俯視示意圖，從圖1中可看出，矽基液晶器件包含週期性排列的多個像素電極11，且各個像素電極11之間通過外圍環繞的像素間隙12隔離開。參閱圖2，圖2是圖1所示的矽基液晶器件沿AA’的剖面示意圖，從圖2中可看出，矽基液晶器件包括襯底10以及形成於襯底10上的多個像素電極11，襯底10與每個像素電極11之間形成有電介質層13，相鄰兩個像素電極11之間的像素間隙12中填充有絕緣阻隔層14，像素電極11和絕緣阻隔層14上覆蓋有絕緣鈍化層15。基於圖1和圖2所示的現有的矽基液晶器件的結構，對於每個像素的寬度D1為4.5μm（即一個像素電極11的寬度與一個像素間隙12的寬度之和）且像素間隙12的寬度D2為0.2μm的矽基液晶顯示面板，像素開口率僅能達到91.3%；並且，參閱圖3，圖3是基於圖1所示的矽基液晶器件的反射率隨著可見光波長的變化趨勢圖，像素電極11的材質為鋁，曲線L1、曲線L2和曲線L3分別對應像素電極11的厚度為30nm、40nm和大於50nm，從圖3中可看出，隨著像素電極11的厚度的增大，可見光波段的反射率增大，而當像素電極11的厚度超過50nm之後，可見光波段的反射率達到極限，反射率無法再提升。因此，基於圖1和圖2所示的現有的矽基液晶器件的結構，若要進一步提升矽基液晶顯示面板的反射率，需要提高開口率，那麼，就需要採用更昂貴的次納米線寬晶圓製程，這將導致成本的大幅提高。
因此，需要對現有的矽基液晶器件的結構進行改進，使得在提高開口率進而提高反射率的同時，還能夠避免成本的明顯提高。
本發明的目的在於提供一種矽基液晶器件以及矽基液晶顯示面板，使得在提高開口率進而提高反射率的同時，還能夠避免成本的明顯提高。
為實現上述目的，本發明提供了一種矽基液晶器件，包括：
襯底；
至少兩個第一像素電極，所述第一像素電極的每個角為缺角，所有的所述第一像素電極沿著對角線的缺角的方向週期性地排布於所述襯底上；
第一絕緣層，填充於相鄰兩個所述第一像素電極的側壁之間並覆蓋所述第一像素電極；
至少兩個第二像素電極，沿著對角線的方向週期性地排布於所述第一絕緣層上，且所述第二像素電極與所述第一像素電極相互交錯設置，以使得對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極的兩相鄰的角與對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙；以及，
第二絕緣層，填充於相鄰兩個所述第二像素電極的側壁之間。
可選的，所述第一像素電極的每個缺角為倒角。
可選的，所述第二像素電極的每個邊與下方對應的所述第一像素電極的邊切齊，或者，所述第二像素電極的每個邊的邊緣覆蓋下方對應的所述第一像素電極的邊緣。
可選的，所述第二像素電極的每個角為缺角或非缺角，所述第二像素電極的每個缺角為倒角。
可選的，所述第一像素電極和所述第二像素電極的橫剖面的形狀均為正方形，所述第一像素電極和所述第二像素電極的四個角均為缺角；或者，所述第一像素電極的四個角為缺角，所述第二像素電極的四個角為非缺角。
可選的，所述第一像素電極的厚度為220nm~260nm，所述第二像素電極的厚度為30nm~50nm。
可選的，每個所述第一像素電極與所述襯底之間形成有第一電介質層，每個所述第二像素電極與所述第一絕緣層之間形成有第二電介質層。
可選的，每個所述第二電介質層下方的第一絕緣層中均形成有導電插栓，以使得每個所述第二電介質層與所述襯底通過所述導電插栓電性連接。
可選的，所述矽基液晶器件還包括絕緣鈍化層和配向層，所述絕緣鈍化層覆蓋於所述第二像素電極和所述第二絕緣層上；所述配向層覆蓋於所述絕緣鈍化層上。
本發明還提供了一種矽基液晶顯示面板，包括本發明的所述矽基液晶器件，所述矽基液晶顯示面板還包括液晶層和透明蓋板，所述矽基液晶器件和所述透明蓋板之間通過框膠黏合在一起，所述液晶層夾持於所述矽基液晶器件和所述透明蓋板之間。
與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下有益效果：
1、本發明的矽基液晶器件，由於包括至少兩個第一像素電極，所述第一像素電極的每個角為缺角，所有的所述第一像素電極沿著對角線的缺角的方向週期性地排布於所述襯底上；以及，沿著對角線的方向週期性地排布於第一絕緣層上的至少兩個第二像素電極，且所述第二像素電極與所述第一像素電極相互交錯設置，以使得對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極的兩相鄰的角與對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙，使得在提高開口率進而提高反射率的同時，還能夠避免成本的明顯提高。
2、本發明的矽基液晶顯示面板，由於包括本發明提供的所述矽基液晶器件，使得在提高開口率進而提高反射率的同時，還能夠避免成本的明顯提高，進而使得矽基液晶顯示面板的顯示效果得到提升。
為使本發明的目的、優點和特徵更加清楚，以下對本發明提出的矽基液晶器件以及矽基液晶顯示面板作進一步詳細說明。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
本發明一實施例提供一種矽基液晶器件，如圖4~圖9b所示，所述矽基液晶器件包括襯底20、至少兩個第一像素電極21、第一絕緣層22、至少兩個第二像素電極23和第二絕緣層24，所述第一像素電極21的每個角為缺角，所有的所述第一像素電極21沿著對角線的缺角的方向週期性地排布於所述襯底20上；所述第一絕緣層22填充於相鄰兩個所述第一像素電極21的側壁之間並覆蓋所述第一像素電極21；所述至少兩個第二像素電極23沿著對角線的方向週期性地排布於所述第一絕緣層22上，且所述第二像素電極23與所述第一像素電極21相互交錯設置，以使得對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極23的兩相鄰的角與對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙；所述第二絕緣層24填充於相鄰兩個所述第二像素電極23的側壁之間。
下面參閱圖4~圖10更為詳細的介紹本實施例提供的矽基液晶器件。
所述襯底20的材質可以為本領域技術人員熟知的任意合適的底材，例如可以是以下所提到的材料中的至少一種：矽、鍺、鍺矽、碳矽、碳鍺矽、砷化銦、砷化鎵或磷化銦等，或者為絕緣體上矽、絕緣體上層疊矽、絕緣體上層疊鍺化矽、絕緣體上鍺化矽以及絕緣體上鍺等。所述襯底20內包含有電路和MOS晶體管等結構。
所述第一像素電極21的每個角為缺角，所有的所述第一像素電極21沿著對角線的缺角的方向週期性地排布於所述襯底20上，即所有的所述第一像素電極21依次沿著每個所述第一像素電極21的對角線方向週期性排布，且對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角相對間隔設置。也就是說，所述第一像素電極21的每個角被去除後形成為缺角；以一第一像素電極21的每個缺角為基準，其它第一像素電極21沿著與所述一第一像素電極21的每個缺角相對的方向，與所述一第一像素電極21的每個缺角相對間隔設置，並依此規則進行週期循環，以使得所有的所述第一像素電極21週期性地排布於所述襯底20上。
參閱圖4、圖5和圖7，以所述第一像素電極21的橫剖面的形狀為正方形為例，正方形的四個角均被去除，以使得每個角均形成為缺角，所有的所述第一像素電極21沿著各自的對角線方向上的四個缺角的方向進行排布設置，且不同的所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角被間隔開，以使得不同的所述第一像素電極21之間絕緣，從圖4、圖5和圖7中可看出，相鄰兩個所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角的頂邊相互平行且底邊相互平行。
所述第一像素電極21的每個缺角可以為倒角，即所述第一像素電極21的缺角位置的側壁是傾斜的，相鄰兩個所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角位置的側壁之間的距離可以從頂部至底部逐漸減小。
每個所述第一像素電極21與所述襯底20之間形成有第一電介質層211。
所述第一像素電極21的材質可以包括鎂、銅、鋁、鈦、鉭、金、鋅和銀中的至少一種，所述第一像素電極21的厚度可以為220nm~260nm（例如為230nm、240nm等），需要說明的是，所述第一像素電極21的材質和厚度不僅限於上述的範圍，可以根據器件的性能需求選擇合適材質和厚度的所述第一像素電極21。所述第一電介質層211的材質包括但不限於氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鉿、氮化鈦、氮化鉭、氧化鋅和氟化鎂中的至少一種；所述第一電介質層211的厚度可以為30nm~50nm。
所述第一絕緣層22填充於相鄰兩個所述第一像素電極21的側壁之間並覆蓋所述第一像素電極21。也就是說，所述第一絕緣層22對相鄰的所述第一像素電極21進行隔離，並且，所述第一絕緣層22將所述第一像素電極21掩埋在內。
由於所有的所述第一像素電極21沿著各自的對角線的缺角的方向週期性地間隔設置，那麼，相鄰兩個所述第一像素電極21的兩相鄰缺角之間形成有間隙212，且多個所述第一像素電極21依次間隔設置也可圍成凹槽213，間隙212和凹槽213連通且均會被所述第一絕緣層22填滿。參閱圖5~圖7，四個所述第一像素電極21以缺角位置相對依次間隔設置，使得四個所述第一像素電極21通過各自的一個邊（共四個邊）的側壁圍成了一凹槽213，凹槽213與這四個所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角之間的間隙212相連通。
所述第一絕緣層22的材質可以包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽中的至少一種，或者也可以是其他合適的絕緣材料。
所述至少兩個第二像素電極23沿著對角線的方向週期性地排布於所述第一絕緣層22上，且對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極23的兩相鄰的角相對間隔設置，即以一第二像素電極23的每個角為基準，其它第二像素電極23沿著與所述一第二像素電極23的每個角相對的方向，與所述一第二像素電極23的每個角相對間隔設置，並依此規則進行週期循環，以使得所有的所述第二像素電極23週期性地排布於所述第一絕緣層22上。
所述第二像素電極23的每個角可以為缺角或非缺角，即所述第二像素電極23的每個角被去除形成為缺角，或者，所述第二像素電極23的每個角未被去除。當所述第二像素電極23的每個角為缺角時，所述第二像素電極23的每個缺角可以為倒角，即所述第二像素電極23的缺角位置的側壁是傾斜的，對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極23的兩相鄰的缺角位置的側壁之間的距離可以從頂部至底部逐漸減小。
參閱圖4、圖5和圖7，以所述第二像素電極23的橫剖面的形狀為正方形且正方形的四個角未被去除為例，所有的所述第二像素電極23沿著各自對角線方向週期性地進行排布設置，且不同的所述第二像素電極23的兩相鄰的角被間隔開，以使得不同的所述第二像素電極23之間絕緣，從圖4、圖5和圖7中可看出，所述第二像素電極23的頂面和底面的四個角均為直角。另外，參閱圖8，所述第二像素電極23的橫剖面的形狀為正方形且正方形的四個角均被去除，使得所述第二像素電極23的四個角均為缺角。
所述第二像素電極23與所述第一像素電極21相互交錯設置，從圖5中可看出，所述第二像素電極23形成於多個所述第一像素電極21圍成的凹槽213的上方。所述第二像素電極23的每個邊可以與下方對應的所述第一像素電極21的邊切齊，或者，所述第二像素電極23的每個邊的邊緣覆蓋下方對應的所述第一像素電極21的邊緣。
參閱圖4和圖5，對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極23的兩相鄰的角與其上方的對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙G1，所述像素間隙G1的位置處未被所述第一像素電極21和所述第二像素電極23覆蓋。當所述第二像素電極23的每個邊與下方對應的所述第一像素電極21的邊切齊時，所述第二像素電極23剛好全部覆蓋凹槽213的上方，所述第二像素電極23未覆蓋下方的所述第一像素電極21，且所述第二像素電極23的每個邊與所述第一像素電極21的每個邊在平行於第二像素電極23的方向上沒有間隙；此時，所述間隙212未被所述第二像素電極23覆蓋，則所述像素間隙G1即為所述間隙212。當所述第二像素電極23的每個邊的邊緣覆蓋下方對應的所述第一像素電極21的邊緣時，如圖5和圖6所示，所述第二像素電極23的覆蓋面積大於所述凹槽213，所述第二像素電極23的每個邊與所述第一像素電極21的每個邊在平行於第二像素電極23的方向上也沒有間隙，所述第二像素電極23的每個角覆蓋部分所述間隙212，以使得所述像素間隙G1的面積小於所述間隙212的面積。
參閱圖8，與圖4和圖5相比，圖8中的所述第二像素電極23的每個角均為缺角，對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極23的兩相鄰的缺角與其上方的對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極21的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙G2，像素間隙G2的面積大於像素間隙G1的面積。
每個所述第二像素電極23與所述第一絕緣層22之間形成有第二電介質層231。
所述第二像素電極23的材質可以包括鎂、銅、鋁、鈦、鉭、金、鋅和銀中的至少一種，所述第二像素電極23的厚度可以為30nm~50nm（例如為35nm、40nm、45nm等），需要說明的是，所述第二像素電極23的材質和厚度不僅限於上述的範圍，可以根據器件的性能需求選擇合適材質和厚度的所述第二像素電極23。所述第二電介質層231的材質包括但不限於氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鉿、氮化鈦、氮化鉭、氧化鋅和氟化鎂中的至少一種；所述第二電介質層231的厚度可以為20nm~40nm。
另外，參閱圖4、圖8、圖9a和圖9b，圖9a中的第一像素電極21和第二像素電極23是圖4中的第一像素電極21和第二像素電極23轉置45°之後的示意圖，圖9b中的第一像素電極21和第二像素電極23是圖8中的第一像素電極21和第二像素電極23轉置45°之後的示意圖。從圖4和圖8中可看出，所述第一像素電極21和所述第二像素電極23的每個邊與整個矽基液晶器件的邊緣平行；從圖9a和圖9b中可看出，所述第一像素電極21和所述第二像素電極23的每個邊與整個矽基液晶器件的邊緣呈45°的夾角。
並且，參閱圖5~圖7，每個所述第二電介質層231下方的第一絕緣層22中均形成有導電插栓25，所述導電插栓25形成於所述第二像素電極23下方的凹槽213中，以使得每個所述第二電介質層231與所述襯底20通過所述導電插栓25電性連接。
所述第二絕緣層24填充於相鄰兩個所述第二像素電極23的側壁之間，包含相鄰兩個所述第二像素電極23之間的像素間隙G1（或像素間隙G2）中以及多個所述第二像素電極23依次間隔排列圍成的另一凹槽（未圖示）中均填滿所述第二絕緣層24，以使得相鄰兩個所述第二像素電極23被隔離開。
所述第二絕緣層24的材質可以包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽中的至少一種，或者也可以是其他合適的絕緣材料。
所述矽基液晶器件還包括絕緣鈍化層26和配向層（未圖示），如圖6所示，所述絕緣鈍化層26覆蓋於所述第二像素電極23和所述第二絕緣層24上；所述配向層覆蓋於所述絕緣鈍化層26上。
所述絕緣鈍化層26用於保護所述第二像素電極23免受環境及後續工藝步驟的影響；所述配向層用於控制液晶層的轉向。所述絕緣鈍化層26的材質可以包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽中的至少一種，或者也可以是其他合適的絕緣材料。所述配向層的材質可以為聚合物，例如是聚醯亞胺。
基於上述的所述矽基液晶器件的結構，將像素電極設計為兩層交錯排布的第一像素電極和第二像素電極，使得像素間隙得到明顯減小的同時，也使得像素的排列亂度高，不容易有固定液晶橫向電場缺陷，進而使得所述矽基液晶器件的性能得到改進；並且，所述矽基液晶器件的開口率可高達99.6%，與圖1和圖2所示的現有的矽基液晶器件相比，開口率得到明顯提高。另外，參閱圖10，曲線L4是基於圖1和圖2所示的現有的矽基液晶器件的反射率變化趨勢圖，曲線L5是基於本發明的所述矽基液晶器件的反射率變化趨勢圖，橫坐標是可見光（400nm~700nm）的波長（Wavelength），縱坐標是反射率（Reflectance），從圖10可以看出，本發明的所述矽基液晶器件對可見光的反射率在86%~90%，現有的矽基液晶器件對可見光的反射率在77%~83%，本發明的所述矽基液晶器件對可見光的反射率明顯高於現有的矽基液晶器件對可見光的反射率，使得矽基液晶顯示面板的顯示效果得到提升。因此，本發明的所述矽基液晶器件在未採用更昂貴的次納米線寬晶圓製程進行生產的前提下，通過改進像素電極的結構使得開口率得到提高，進而反射率得到提高，避免了成本的明顯提高。
綜上所述，本發明提供的矽基液晶器件，包括：襯底；至少兩個第一像素電極，所述第一像素電極的每個角為缺角，所有的所述第一像素電極沿著對角線的缺角的方向週期性地排布於所述襯底上；第一絕緣層，填充於相鄰兩個所述第一像素電極的側壁之間並覆蓋所述第一像素電極；至少兩個第二像素電極，沿著對角線的方向週期性地排布於所述第一絕緣層上，且所述第二像素電極與所述第一像素電極相互交錯設置，以使得對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極的兩相鄰的角與對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙；以及，第二絕緣層，填充於相鄰兩個所述第二像素電極的側壁之間。本發明的矽基液晶器件使得在提高開口率進而提高反射率的同時，還能夠避免成本的明顯提高。
本發明一實施例提供一種矽基液晶顯示面板，包括本發明提供的所述矽基液晶器件，所述矽基液晶顯示面板還包括液晶層和透明蓋板，所述矽基液晶器件和所述透明蓋板之間通過框膠黏合在一起，所述液晶層夾持於所述矽基液晶器件和所述透明蓋板之間。
所述液晶層具有液晶分子，所述液晶層通過所述矽基液晶器件中的配向層進行配向。所述透明蓋板的材質可以包括玻璃、氧化矽、塑料等透光性的材料。所述框膠除了將所述矽基液晶器件和所述透明蓋板黏合在一起外，還能夠抵禦水汽等外部外鏡的影響。所述框膠的材質可以包括壓克力膠、環氧樹脂膠、UV膠或玻璃膠等。
由於所述矽基液晶顯示面板包括本發明提供的所述矽基液晶器件，使得在未採用更昂貴的次納米線寬晶圓製程進行生產的前提下，通過改進像素電極的結構使得開口率得到提高，進而使得反射率得到提高，提升了矽基液晶顯示面板的顯示效果，且避免了成本的明顯提高。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於申請專利範圍的保護範圍。
10:襯底 11:像素電極 12:像素間隙 13:電介質層 14:絕緣阻隔層 15:絕緣鈍化層 20:襯底 21:第一像素電極 211:第一電介質層 212:間隙 213:凹槽 22:第一絕緣層 23:第二像素電極 231:第二電介質層 24:第二絕緣層 25:導電插栓 26:絕緣鈍化層
圖1是現有的一種矽基液晶器件的俯視示意圖； 圖2是圖1所示的矽基液晶器件沿AA’的剖面示意圖； 圖3是基於圖1所示的矽基液晶器件的反射率變化趨勢圖； 圖4是本發明一實施例的矽基液晶器件的俯視示意圖； 圖5是圖4所示的矽基液晶器件的俯視透視示意圖； 圖6是圖4所示的矽基液晶器件沿BB’的剖面示意圖； 圖7是圖4所示的矽基液晶器件的爆炸圖； 圖8是本發明另一實施例的矽基液晶器件的俯視示意圖； 圖9a~圖9b是本發明又一實施例的矽基液晶器件的俯視示意圖； 圖10是本發明一實施例與現有的一種矽基液晶器件的反射率變化趨勢對比圖。
21:第一像素電極
212:間隙
213:凹槽
23:第二像素電極
25:導電插栓

Claims (10)

  1. 一種矽基液晶器件，其特徵在於包括： 襯底； 至少兩個第一像素電極，所述第一像素電極的每個角為缺角，所有的所述第一像素電極沿著對角線的缺角的方向週期性地排布於所述襯底上； 第一絕緣層，填充於相鄰兩個所述第一像素電極的側壁之間並覆蓋所述第一像素電極； 至少兩個第二像素電極，沿著對角線的方向週期性地排布於所述第一絕緣層上，且所述第二像素電極與所述第一像素電極相互交錯設置，以使得對角線方向上的相鄰兩個所述第二像素電極的兩相鄰的角與對角線方向上的相鄰兩個所述第一像素電極的兩相鄰的缺角之間形成像素間隙；以及， 第二絕緣層，填充於相鄰兩個所述第二像素電極的側壁之間。
  2. 如請求項1所述的矽基液晶器件，其中所述第一像素電極的每個缺角為倒角。
  3. 如請求項1所述的矽基液晶器件，其中所述第二像素電極的每個邊與下方對應的所述第一像素電極的邊切齊，或者，所述第二像素電極的每個邊的邊緣覆蓋下方對應的所述第一像素電極的邊緣。
  4. 如請求項1所述的矽基液晶器件，其中所述第二像素電極的每個角為缺角或非缺角，所述第二像素電極的每個缺角為倒角。
  5. 如請求項4所述的矽基液晶器件，其中所述第一像素電極和所述第二像素電極的橫剖面的形狀均為正方形，所述第一像素電極和所述第二像素電極的四個角均為缺角；或者，所述第一像素電極的四個角為缺角，所述第二像素電極的四個角為非缺角。
  6. 如請求項1所述的矽基液晶器件，其中所述第一像素電極的厚度為220nm~260nm，所述第二像素電極的厚度為30nm~50nm。
  7. 如請求項1所述的矽基液晶器件，其中每個所述第一像素電極與所述襯底之間形成有第一電介質層，每個所述第二像素電極與所述第一絕緣層之間形成有第二電介質層。
  8. 如請求項7所述的矽基液晶器件，其中每個所述第二電介質層下方的第一絕緣層中均形成有導電插栓，以使得每個所述第二電介質層與所述襯底通過所述導電插栓電性連接。
  9. 如請求項1所述的矽基液晶器件，其中所述矽基液晶器件還包括絕緣鈍化層和配向層，所述絕緣鈍化層覆蓋於所述第二像素電極和所述第二絕緣層上；所述配向層覆蓋於所述絕緣鈍化層上。
  10. 一種矽基液晶顯示面板，其特徵在於包括如請求項1至9中任一項所述的矽基液晶器件，所述矽基液晶顯示面板還包括液晶層和透明蓋板，所述矽基液晶器件和所述透明蓋板之間通過框膠黏合在一起，所述液晶層夾持於所述矽基液晶器件和所述透明蓋板之間。
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