TW202203507A - 雙重頻帶橫向極化5g毫米波相位陣列天線 - Google Patents
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Abstract
一種雙重頻帶橫向極化天線包括:第一及第二金屬層,其界定各別第一及第二驅動貼片,該些第一及第二驅動貼片經組態以在不同頻率輻射;第一及第二饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與正交極化相關聯的各別第一及第二饋送點處,將一第一饋送線連接至該第一驅動貼片;以及第三及第四饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與正交極化相關聯的第一及第二饋送點處,將一第二饋送線連接至該第二驅動貼片。該第三饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第一孔,以將該第三饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片。該第四饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第二孔,以將該第四饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片。兩個或多於兩個天線元件經配置為一相位陣列天線且經封裝為一天線模組。
Description
本發明大體上係關於射頻(radio frequency;RF)通信裝置,且更特定言之,係關於用於主動波束成形器應用的雙重頻帶且橫向極化5G毫米波相位陣列天線。
相關申請案之交叉參考
本申請案係關於且主張2020年5月22日提交且名為「DUAL-BAND CROSS-POLARIZED 5G MM-WAVE PHASED ARRAY ANTENNA」之美國臨時申請案第63/028,788號的權益,該美國臨時申請案之揭示內容整體以全文引用的方式併入本文中。
無線通信系統在涉及長距離及短距離上之資訊傳送的眾多情況中得到應用,且已開發出針對每一需要而定製的廣泛範圍之模態。就普及及部署而言,此等系統當中的主要裝置為行動或蜂巢式電話。通常,無線通信利用經調變以表示資料之射頻載波信號,且信號之調變、傳輸、接收及解調變符合用於信號協調之一組標準。存在許多不同的行動通信技術或空中介面,包括全球行動通信系統(Global System for Mobile Communications;GSM)、GSM演進型增強資料速率(Enhanced Data rates for GSM Evolution;EDGE)及全球行動電信系統(Universal Mobile Telecommunications System;UMTS)。
存在各世代此等技術且其分階段部署,最新一代為5G寬頻蜂巢式網路系統。5G之特徵在於,由於操作頻率相較於4G及更早標準為更高,由較大頻寬產生的資料傳送速度之顯著改善係可能的。用於5G網路之空中介面包含兩個頻帶:頻率範圍1(FR1),其操作頻率低於6 GHz,其中最大通道頻寬為100 MHz;及頻率範圍2(FR2),其操作頻率高於24 GHz,其中通道頻寬介於50 MHz與400 MHz之間。後一頻率範圍通常被稱作毫米波(mmWave)頻率範圍。儘管較高操作頻帶,且特別是mmWave/FR2提供最高資料傳送速度,但此類信號之傳輸距離可受限制。此外,此頻率範圍內之信號可能無法穿透固體障礙物。為克服此等限制同時容納更多連接裝置,已開發出對細胞站台及行動裝置架構之各種改良。
一項此類改善為在傳輸端及接收端兩者處使用多個天線,亦被稱作多輸入多輸出(multiple input, multiple output;MIMO),其應理解為增加容量密度及吞吐量。一系列天線可配置成單維或多維陣列,且可進一步用於波束成形,其中射頻信號經塑形以指向接收裝置之指定方向。傳輸器電路將信號饋送至天線中之每一者,其中如自天線中之每一者輻射的信號之相位在陣列之跨度上變化。至個別天線之集體信號可具有較窄波束寬度,且所傳輸波束之方向可基於由相移產生之來自每一天線的建設性及破壞性干涉而調整。可在傳輸及接收兩者中使用波束成形,且可同樣地調整空間接收靈敏度。
對用於當前5G通信裝置(諸如,經由小型細胞網路通信之蜂巢式電話)中之主動波束成形技術的需要逐漸增加。為此目的,陣列天線封裝可用於5G無線通信裝置中以用於類比、數位及混合波束成形應用。然而,難以設計出雙重頻帶及橫向極化陣列天線以覆蓋完整5G毫米波操作頻帶,該些完整5G毫米波操作頻帶包括26G(覆蓋24.25至27.5 GHz)、28G(覆蓋26.5至29.5 GHz),及38G(覆蓋37至40 GHz)。因此,在大多數狀況下,僅使用低頻帶或高頻帶的單一頻帶陣列天線。舉例而言,在美國,一低頻帶陣列天線可經組態以在27.5至28.3 GHz頻帶中輻射信號,且一高頻帶陣列天線可經組態以在37至40 GHz頻帶中輻射信號。為了全域地使用(由於不同國家使用不同頻帶),一陣列天線將需要覆蓋此等頻帶以及28G頻帶及26G頻帶之其餘部分兩者。
本發明涵蓋用於克服與相關技術相關聯之以上缺陷的各種裝置。本發明之具體實例之一個態樣為一種雙重頻帶橫向極化天線。該雙重頻帶橫向極化天線可包含:與一射頻(RF)接地平面相距一第一距離之一第一金屬層,該第一金屬層界定經組態成以一第一頻率輻射之一第一驅動貼片;及與該RF接地平面相距一第二距離之一第二金屬層,該第二金屬層界定經組態成以大於該第一頻率之一第二頻率輻射之一第二驅動貼片。該雙重頻帶橫向極化天線可進一步包含:一第一饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第一饋送線連接至該第一驅動貼片;一第二饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第一饋送線連接至該第一驅動貼片;一第三饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第二饋送線連接至該第二驅動貼片;及一第四饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第二饋送線連接至該第二驅動貼片。該第三饋送接腳可延伸通過該第一驅動貼片中之一第一孔,以將該第三饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片,且該第四饋送接腳可延伸通過該第一驅動貼片中之一第二孔,以將該第四饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片。
該第一驅動貼片之該第一饋送點及該第二饋送點可與該第一驅動貼片之一中心等距,且該第二驅動貼片之該第一饋送點及該第二饋送點可與該第二驅動貼片之一中心等距。
該雙重頻帶橫向極化天線可包含與該RF接地平面相距一第三距離之一第三金屬層,該第三金屬層界定一共用寄生貼片,該共用寄生貼片經組態以根據由該共用寄生貼片與該些第一及第二驅動貼片之間的電感及電容耦合誘發之一電流來輻射。該第一驅動貼片、該第二驅動貼片及該共用寄生貼片可為正方形的。該第一驅動貼片之一長度可為2.5 mm至3.0 mm,該第二驅動貼片之一長度可為1.5 mm至2.0 mm,且該共用寄生貼片之一長度可為1.5 mm至2.0 mm。
該第一金屬層可進一步界定一或多個第一寄生貼片,該些第一寄生貼片經組態以根據由一或多個第二寄生貼片與該第一驅動貼片之間的電感及電容耦合誘發之一電流來輻射。該第一驅動貼片可為正方形的,且該一或多個第一寄生貼片可包含四個第一寄生貼片,其分別經配置成鄰近該第一驅動貼片之四個側面。
該第二金屬層可進一步界定一或多個第二寄生貼片,該些第二寄生貼片經組態以根據由該一或多個第二寄生貼片與該第二驅動貼片之間的電感及電容耦合誘發之一電流來輻射。該第二驅動貼片可為正方形的,且該一或多個第二寄生貼片可包含四個第二寄生貼片,其分別經配置成鄰近該第二驅動貼片之四個側面。
該雙重頻帶橫向極化天線可包含:一第一捕獲襯墊,其安置於該第三饋送接腳延伸通過之該第一孔中;及一第二捕獲襯墊,其安置於該第四饋送接腳延伸通過之該第二孔中。該第一捕獲襯墊之一直徑、該第一孔之一直徑、該第二捕獲襯墊之一直徑及該第二孔之一直徑可經調諧成,以實現在該第二頻率處小於-10dB之一輸入回波損耗。
該雙重頻帶橫向極化天線可進一步包含將該RF接地平面連接至該第一驅動貼片及該第二驅動貼片之一接地饋送接腳。
該第一饋送線及該第二饋送線可形成於包含該RF接地平面之一多層印刷電路板(PCB)的一或多個金屬層中。該第一饋送接腳、該第二饋送接腳、該第三饋送接腳及該第四饋送接腳可延伸通過該RF接地平面中之各別孔。該雙重頻帶橫向極化天線可進一步包含一RF前端積體電路,其安置在該多層PCB之與該第一金屬層及該第二金屬層對立的一側面上,該RF前端積體電路之一或多個信號輸出接腳連接至該第一饋送線及該第二饋送線。
本發明之具體實例之另一態樣為一種天線模組。該天線模組可包含一多層印刷電路板(PCB),其包括一射頻(RF)接地平面。該天線模組可進一步包含:與該RF接地平面相距一第一距離之一第一金屬層,該第一金屬層界定經組態成以一第一頻率輻射之一第一驅動貼片;及與該RF接地平面相距一第二距離之一第二金屬層,該第二金屬層界定經組態成以大於該第一頻率之一第二頻率輻射之一第二驅動貼片。該天線模組可包含:一第一饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第一饋送線連接至該第一驅動貼片;一第二饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第一饋送線連接至該第一驅動貼片;一第三饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第二饋送線連接至該第二驅動貼片;及一第四饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第二饋送線連接至該第二驅動貼片。該第一饋送線及該第二饋送線可形成於該多層PCB之一或多個金屬層中。該第三饋送接腳可延伸通過該第一驅動貼片中之一第一孔,以將該第三饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片,且該第四饋送接腳可延伸通過該第一驅動貼片中之一第二孔,以將該第四饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片。該天線模組可進一步包含一RF前端積體電路,其安置在該多層PCB之與該第一金屬層及該第二金屬層對立之一側上,該RF前端積體電路之一或多個信號輸出接腳連接至該第一饋送線及該第二饋送線。該天線模組可進一步包含一封裝,其含有該第一金屬層及該第二金屬層、該第一饋送接腳、該第二饋送接腳、該第三饋送接腳及該第四饋送接腳,以及包括該RF接地平面及形成該第一饋送線及該第二饋送線之該一或多個金屬層之該多層PCB。該RF前端積體電路可安裝在該封裝上,且該封裝之一外表面可具有用於通過該多層PCB將輸入信號路由至該RF前端積體電路之一或多個信號輸入接腳的導電接點。
本發明之具體實例之另一態樣為一種雙重頻帶橫向極化相位陣列天線。該雙重頻帶橫向極化相位陣列天線可包含經配置成一陣列之兩個或多於兩個天線元件。該些天線元件中之每一者可包含:一第一驅動貼片,其經組態成以一第一頻率輻射,該第一驅動貼片經界定在與一射頻(RF)接地平面相距一第一距離之一第一金屬層中;及一第二驅動貼片,其經組態成以大於該第一頻率之一第二頻率來輻射,該第二驅動貼片經界定在與該RF接地平面相距一第二距離之一第二金屬層中。該些天線元件中之每一者可進一步包含:一第一饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第一饋送線連接至該第一驅動貼片;一第二饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第一饋送線連接至該第一驅動貼片;一第三饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第二饋送線連接至該第二驅動貼片;及一第四饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第二饋送線連接至該第二驅動貼片。在該些天線元件中之每一者中,該第三饋送接腳可延伸通過該第一驅動貼片中之一第一孔,以將該第三饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片,且該第四饋送接腳可延伸通過該第一驅動貼片中之一第二孔,以將該第四饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片。
該些天線元件之中心之間的距離DA
可在該第一頻率之一自由空間波長λ0
的0.3倍與0.4倍之間。
該兩個或多於兩個天線元件可經配置成一二乘二陣列。
該兩個或多於兩個天線元件可經配置成一四乘一陣列。
該雙重頻帶橫向極化相位陣列天線可包含一多層印刷電路板(PCB),該多層印刷電路板包括該RF接地平面及一或多個金屬層,該一或多個金屬層形成該第一饋送線及該第二饋送線,且該雙重頻帶橫向極化相位陣列天線可進一步包含安置在該多層PCB之與該兩個或多於兩個天線元件對立的一側面上之一RF前端積體電路。該RF前端積體電路之一或多個信號輸出接腳可連接至該第一饋送線及該第二饋送線。該雙重頻帶橫向極化相位陣列天線可包含一封裝,其含有該兩個或多於兩個天線元件及該多層PCB。該RF前端積體電路可安裝在該封裝上。該封裝之一外表面可具有導電接點,其用於通過該多層PCB將輸入信號路由至該RF前端積體電路之一或多個信號輸入接腳。
本發明涵蓋用於5G毫米波應用之雙重頻帶橫向極化天線之各種具體實例,其包括相位陣列天線。下文結合附圖所闡述之詳細描述意欲作為對若干當前涵蓋具體實例之描述,且並不意欲表示可開發或利用所揭示之本發明的僅有形式。描述結合所說明之具體實例來闡述功能及特徵。然而,應理解,可藉由亦意欲涵蓋在本發明之範圍內的不同具體實例實現相同或等效功能。進一步應理解,諸如第一及第二以及其類似者之關係術語的使用僅用以區分一個實體與另一實體,而不必要求或暗示此等實體之間的任何實際的此類關係或次序。
圖1為根據本發明之一具體實例之雙重頻帶橫向極化天線10的平面視圖。圖2為沿著圖1中之線2-2截取的橫截面視圖,且圖3為其近距視圖。經揭示雙重頻帶橫向極化天線10,且尤其包含其之相位陣列天線,可顯著地縮減無線通信模組之開發時間及成本,同時增加效能。如所展示,可根據天線系統封裝(Antenna-in-Package;AiP)技術製造天線10,其中將一或多個天線元件100與RF前端積體電路(RFIC)200封裝在一起或緊密接近該RF前端積體電路而封裝,該RF前端積體電路包括用於使用天線元件100傳輸及接收信號之RF前端電路系統。可在包括於相同封裝11中之多層印刷電路板(printed circuit board;PCB)300中設置往返RFIC 200(包括用於天線元件100之饋送線及RF接地)之路由。亦可被稱作天線模組(或天線晶片)之整個天線10可接著連接至主電路板12(例如,智慧型手機或其他行動裝置之主PCB),該主電路板可具有比天線模組大的尺寸。舉例而言,可將焊接接腳或球狀柵格陣列(ball grid array;BGA)凸塊或球14設置於天線模組上(例如,設置在封裝11之外部)以用於連接至主電路板12之頂部金屬層13。
為了在兩個正交極化(例如水平及豎直)中提供能力同時亦覆蓋多個5G毫米波操作頻帶,每一天線元件100可包括用於在傳輸或接收模式中,輻射豎直及水平極化信號的第一驅動貼片110及第二驅動貼片120,以及第一饋送接腳132、第二饋送接腳134、第三饋送接腳136及第四饋送接腳138。舉例而言,如圖2及圖3中所展示,天線10可包括與RF接地平面M4相距第一距離H1之第一金屬層M3,第一金屬層M3界定經組態成以第一頻率輻射的第一驅動貼片110(有時被稱作輻射貼片)。天線10可進一步包括與RF接地平面M4相距第二距離H2的第二金屬層M2,第二金屬層M2界定經組態成以大於第一頻率之第二頻率輻射的第二驅動貼片120。藉由使用第一頻率及第二頻率兩者,可針對全雙工功能性同時實現傳輸及接收功能。舉例而言,為了覆蓋5G毫米波頻帶之完整頻譜,第一頻率可為在24.25至29.5 GHz範圍內之低頻帶頻率,且第二頻率可為在37至43.5 GHz範圍內之高頻帶頻率。如圖1中所展示,可在與第一驅動貼片110之正交極化相關聯的兩個饋送點112、114處饋送第一驅動貼片110,且可同樣地在與第二驅動貼片120之正交極化相關聯的兩個饋送點122、124處饋送第二驅動貼片120。舉例而言,可藉由相對於驅動貼片110、120之中心在正交區處(亦即相隔90度)饋送每一驅動貼片110、120而產生正交線性極化(例如,水平及豎直)。
更特定言之,在第一驅動貼片110之第一饋送點112處,將RF信號饋送至該第一驅動貼片,可在第一驅動貼片110中產生使得第一驅動貼片110以水平極化輻射之電流,而在第二饋送點114處饋送,可在第一驅動貼片110中產生使得第一驅動貼片110以豎直極化輻射之電流。同樣地,在第二驅動貼片120之第一饋送點122處,將RF信號饋送至該第二驅動貼片,可在第二驅動貼片120中產生使得第二驅動貼片120以水平極化輻射之電流,而在第二饋送點124處饋送,可在第二驅動貼片120中產生使得第二驅動貼片120以豎直極化輻射之電流。為了實現水平及豎直極化之相同效能,天線元件100可具有對稱或準對稱結構。為此目的,第一驅動貼片110之第一饋送點112及第二饋送點114可與第一驅動貼片110之中心等距,且第二驅動貼片120之第一饋送點122及第二饋送點124可與第二驅動貼片120之中心等距。如圖1中所展示,藉由使第一驅動貼片110及第二驅動貼片120為正方形,效能之類似性可為可能的。第一驅動貼片110之第一饋送點112及第二饋送點114可沿著第一驅動貼片110之鄰近邊緣居中形成。第二驅動貼片120之第一饋送點122及第二饋送點124可同樣地沿著第二驅動貼片120之鄰近邊緣居中形成,該些鄰近邊緣與第一驅動貼片110之那些邊緣對立。舉例而言,第一饋送點及第二饋送點112、114、122、124之確切位置可經判定為與每一驅動貼片110、120之輸入阻抗匹配。
再次參考圖2及圖3,第一饋送接腳132及第三饋送接腳136在橫截面中係可見的,該些饋送接腳分別在第一驅動貼片110之第一饋送點112及第二驅動貼片120之第一饋送點122處終止。如所展示,第一饋送接腳132可在第一驅動貼片110之第一饋送點112處,將第一饋送線142連接至第一驅動貼片110,且第三饋送接腳136可在第二驅動貼片120之第一饋送點122處,將第二饋送線144連接至第二驅動貼片120。第一饋送線142及第二饋送線144可形成於多層印刷電路板(PCB)300的一或多個金屬層中,該多層印刷電路板300進一步包括RF接地平面M4。在所說明之具體實例中,例如,第一饋送線142及第二饋送線144形成於同一金屬層(亦即金屬層M5)中,且形成為藉由RF接地平面M4及層M6上之接地平面而接地的帶狀線結構。在第二饋送線144與第二驅動貼片120之間,第三饋送接腳136可延伸通過第一驅動貼片110中之第一孔116,以將第三饋送接腳136電容耦合至第一驅動貼片110。以此方式,高頻帶能量之部分亦可經由低頻帶貼片110輻射。更特定言之,如所展示,第一捕獲襯墊117可設置在第一孔116中,且第三饋送接腳136可延伸通過第一捕獲襯墊117。第一捕獲襯墊117之直徑D2-1及第一孔116之直徑D2-2可經調諧,以在第二頻率處實現所需的輸入回波損耗,例如較佳地小於-10dB。直徑D2-1、D2-2可對高頻帶回波損耗及頻寬具有強烈影響。
圖2及圖3經提供作為沿著穿過圖1中之驅動貼片110、120之中心的水平線2-2截取的橫截面視圖,因此提供第一饋送接腳132及第三饋送接腳136之視圖。在經對稱結構化之天線元件100中,此等相同視圖可充當沿著穿過驅動貼片110、120之中心的垂直於水平線2-2(且在圖1中向右)的豎直線截取的橫截面視圖。就此而言,可理解,圖2及圖3之第一饋送接腳132及第三饋送接腳136之說明,可同樣地分別充當第二饋送接腳134及第四饋送接腳138之說明。詳言之,第二饋送接腳134可在第一驅動貼片110之第二饋送點114處,將第一饋送線142連接至第一驅動貼片110(正如在圖2及圖3中第一饋送接腳132在第一饋送點112處,將第一饋送線142連接至第一驅動貼片110),且第四饋送接腳138可在第二驅動貼片120之第二饋送點124處,將第二饋送線144連接至第二驅動貼片120(正如在圖2及圖3中第三饋送接腳136在第一饋送點122處,將第二饋送線144連接至第二驅動貼片120)。在第二饋送線144與第二驅動貼片120之間,第四饋送接腳138可延伸通過第一驅動貼片110(參見圖1)中之第二孔118,以將第四饋送接腳138電容耦合至第一驅動貼片110。等效於圖2及圖3中所展示之第一捕獲襯墊117,第二捕獲襯墊119可設置在第二孔118中,且第四饋送接腳138可延伸通過第二捕獲襯墊119。第二捕獲襯墊119及第二孔118之直徑可類似地經調諧,以在第二頻率處實現所需的輸入回波損耗,例如較佳地小於-10dB。
如上文所解釋,第一饋送線142及第二饋送線144可形成於包含RF接地平面M4之一帶狀線結構的一金屬層M5中,該RF接地平面M4可為多層PCB 300之部分。更特定言之,界定用於天線元件100之饋送跡線網路之金屬層M5可經包夾於RF接地平面M4與另一金屬層M6之間,該RF接地平面M4及該另一金屬層M6可在一起充當饋送線142、144之接地平面。RFIC 200可位於金屬層M6下方。如圖2中所展示,例如,RFIC 200可位於由金屬層M4至M6界定之帶狀線結構下方,且進一步位於包含電連接至金屬層M5(例如,通過通路)之金屬層M7的第二帶狀線結構下方,該金屬層M7經包夾於金屬層M6與M8之間,充當接地平面。此等金屬層M6及M8,以及多層PCB 300之最低金屬層M9,可用於往返RFIC 200之路由。舉例而言,來自RFIC 200之RF信號可通過金屬層M6上之饋送通路到達金屬層M5饋送跡線。金屬層M5中之饋送跡線接著可激勵貼片饋送接腳132、134、136、138,該些貼片饋送接腳通過RF接地平面M4中之孔連接至驅動貼片110、120。
如上文所提及,一或多個天線元件100可連同RFIC 200與多層PCB 300一起封裝,或緊密接近該RFIC與該多層PCB一起封裝。在圖2中所說明之實例中,天線10包含封裝11,該封裝11含有天線元件100及PCB 300,其中RFIC 200安置在封裝11下方且連接至該封裝。封裝11可由例如塑膠或陶瓷製成,且可含有藉由相等數目個介電層E1至E9分離之複數個金屬層M1至M9,該封裝總共包含天線元件100及多層PCB 300。封裝11之外表面可具有用於將RFIC 200連接至多層PCB 300之導電接點,諸如微凸塊201。微凸塊201可將RFIC 200之輸入及輸出接腳電連接至封裝11內之多層PCB 300之最低金屬層M9,其中RFIC 200安置在如所展示之封裝11下方(亦即,安置在封裝11與行動電話或其中安裝了經封裝天線之其他裝置的主電路板12之間)。封裝11之外表面亦可具有諸如焊接襯墊15及BGA球14之導電接點,該些導電接點用於通過多層PCB 300將輸入信號及從主電路板12的其他輸入,路由至RFIC 200之一或多個信號輸入接腳、接地接腳或DC及數位控制接腳(經由微凸塊201)。舉例而言,此等輸入可通過多層PCB 300之最低金屬層M9路由。RFIC 200可安裝於封裝11之底側上,且經定位使得其處於封裝11與主電路板12之頂部金屬層13之間。天線模組可指RFIC 200與含有一或多個天線元件100及多層PCB 300之封裝11的組合。
為了將第一饋送線142及第二饋送線144電連接至驅動貼片110、120,第一饋送接腳132、第二饋送接腳134、第三饋送接腳136及第四饋送接腳138可例如通過設置在RF接地平面M4中之各別孔延伸通過該RF接地平面。舉例而言,如圖2及圖3中所展示,在第一饋送線142與第一驅動貼片110之間,第一饋送接腳132可延伸通過RF接地平面M4中之具有直徑D1-4之孔152。類似地,在第二饋送線144與第一驅動貼片110之間,第三饋送接腳136可延伸通過RF接地平面M4中之具有直徑D2-4之孔154。捕獲襯墊153、155可分別設置在如所展示之第一孔152及第二孔154中,其中第一饋送接腳132及第三饋送接腳136延伸通過各別捕獲墊153、155。將第一饋送接腳132、第二饋送接腳134、第三饋送接腳136及第四饋送接腳138連接至第一饋送線142及第二饋送線144可經由設置在孔中之各別捕獲襯墊,該些孔形成於如所展示之金屬層M5中。舉例而言,如圖2及圖3中可見,第一饋送接腳132可在設置在由金屬層M5界定之孔156中之捕獲襯墊157處連接至第一饋送線142,且第三饋送接腳136可在設置在由金屬層M5界定之孔158中之捕獲襯墊159處連接至第二饋送線143。捕獲襯墊153以及孔152之捕獲襯墊直徑D1-3及捕獲孔直徑D1-4,以及捕獲襯墊157以及孔156之捕獲襯墊半徑R1-5及捕獲孔半徑R1-6可經調諧,以在第一(低頻帶)頻率處實現所需的輸入回波損耗,較佳地小於-10dB。同樣地,除了調諧上文所描述的第一捕獲襯墊117之直徑D2-1以及第一孔116之直徑D2-2以外,捕獲襯墊155及孔154之捕獲襯墊直徑D2-3以及捕獲孔直徑D2-4,以及捕獲襯墊159及孔158之捕獲襯墊半徑R2-5以及捕獲孔半徑R2-6可經調諧,以在第二(高頻帶)頻率處實現所需的輸入回波損耗,較佳地小於-10dB。對應的捕獲襯墊及孔可相對於豎直極化饋送接腳134、138(未經描繪但如上文所描述等效地在圖2及圖3中說明)形成於金屬層M4及M5中,其中此類元件之直徑及半徑類似地經調諧,以在第一及第二頻率處實現所需的輸入回波損耗。
為了改善相同頻帶中之饋送之間的橫向極化,例如在第一驅動貼片110之第一饋送接腳132及第二饋送接腳134之間的橫向極化(或在第二驅動貼片120之第三饋送接腳136及第四饋送接腳138之間的橫向極化),以及為了改善不同頻帶中之饋送之間的隔離,接地饋送接腳160可用於將RF接地平面M4連接至第一驅動貼片110及第二驅動貼片120。如圖1至圖3中所展示,接地饋送接腳160可通過第一驅動貼片110自RF接地平面M4延伸至第二驅動貼片120,從而電連接RF接地平面M4、第一驅動貼片110,及第二驅動貼片120。接地饋送接腳160可穿過第一驅動貼片110之中心,且在第二驅動貼片120之中心處終止。低頻帶饋送接腳(第一饋送接腳132及第三饋送接腳136)、高頻帶饋送接腳(第二饋送接腳134及第四饋送接腳138)及接地饋送接腳160之饋送直徑可不同。
為了實現寬頻操作,天線10可進一步包括與RF接地平面M4(其可相對於與第二金屬層M2相距距離H3而經界定,如圖3中所展示)相距第三距離之一第三金屬層M1。第三金屬層M1可界定共用寄生貼片170,其經組態以根據由電感耦合(亦即在共用寄生貼片170與第一驅動貼片110及第二驅動貼片120之間)誘發之電流而輻射。以此方式,共用寄生貼片170可回應於驅動第一驅動貼片110及第二驅動貼片120而輻射,藉此增加天線10在兩個頻帶中之頻寬。在正方形的第一驅動貼片110及第二驅動貼片120之狀況下,共用寄生貼片170可同樣為正方形的。共用寄生貼片170可小於第二驅動貼片120,該第二驅動貼片可小於第一驅動貼片110。一般而言,可藉由調諧第一驅動貼片110之長度W1(例如,在一側之長度)及寬度(在正方形之狀況下,亦可為W1)以及其距RF接地平面M4之距離H1來選擇第一頻率,使得第一驅動貼片110以所需的低頻帶頻率來輻射。類似地,可藉由調諧第二驅動貼片120之長度W2及寬度(在正方形之狀況下,亦可為W2)以及其距RF接地平面M4之距離H2來選擇第二頻率,使得第二驅動貼片120以所需的高頻帶頻率來輻射。共用寄生貼片170之長度W3及距離H3(或距RF接地平面M4之距離)可經調諧以獲得兩個頻帶中之最佳頻寬。舉例而言,對於20至30 GHz之間的頻率,第一驅動貼片110可具有2.5 mm至3.0 mm之長度W1,對於35至45 GHz之間的頻率,第二驅動貼片120可具有1.5 mm至2.0 mm之長度W2,且對於20至45 GHz之間的頻率,共用寄生貼片170可具有1.5 mm至2.0 mm之長度W3。天線10之每一天線元件100可因此具有一個三貼片、三層結構,其包含底部貼片(第一驅動貼片110)、中間貼片(第二驅動貼片120)及頂部貼片(共用寄生貼片170),其中底部貼片判定低頻帶,中間貼片判定高頻帶,且頂部貼片對低頻帶及高頻帶兩者具有影響。
可向第一驅動貼片110及第二驅動貼片120中之一者或另一者提供額外寄生貼片。舉例而言,第一金屬層M3可界定一或多個第一寄生貼片182、184、186、188(統稱為第一寄生貼片180),該些第一寄生貼片經組態以根據由一或多個第一寄生貼片180與第一驅動貼片110之間的電感及電容耦合誘發之電流來輻射。如圖1中所展示,一或多個第一寄生貼片182、184、186、188可包含四個第一寄生貼片182、184、186、188,其分別經配置成鄰近第一驅動貼片110之四個側面,例如鄰近正方形貼片之四個側面。每一第一寄生貼片180之寄生貼片距離L1-1及寬度L1-2(其在對稱配置之狀況下可為相同的)可經調諧,以實現圍繞第一波長之寬操作頻寬。在所說明之具體實例中,第一寄生貼片180為矩形的,其長尺寸平行於第一驅動貼片110之側面對準且與該些側面具有相同長度,但經考慮,長尺寸可比第一驅動貼片110之鄰近側長或短。亦可使用寄生貼片之非矩形組態。
同樣地,第二金屬層M2可界定一或多個第二寄生貼片192、194、196、198(統稱為第二寄生貼片190),其經組態以根據由一或多個第二寄生貼片190與第二驅動貼片120之間的電感及電容耦合誘發之電流來輻射。第二寄生貼片190可同樣地包含四個第二寄生貼片192、194、196、198,其分別經配置成鄰近第二驅動貼片120之四個側面,例如鄰近正方形貼片之四個側面。每一第二寄生貼片190之寄生貼片距離L2-1及寬度L2-2(其在對稱配置之狀況下可為相同的)可經調諧,以實現圍繞第二波長之寬操作頻寬。在第二驅動貼片120小於如所展示之第一驅動貼片110之狀況下,第二寄生貼片190可小於第一寄生貼片180,例如貼片寬度L2-2小於貼片寬度L1-1。類似於第一寄生貼片180,第二寄生貼片190可為矩形的,其中在此狀況下,長尺寸平行於第二驅動貼片120之側面對準。如在第一寄生貼片180之狀況下,亦經考慮,長尺寸可比第二驅動貼片120之對應的側面長或短。亦可使用寄生貼片之非矩形組態。
圖4為陣列天線40之平面視圖,該陣列天線包含關於圖1至圖3之雙重頻帶橫向極化天線10描述之天線元件100的二乘二陣列。如上文所提及,圖1至圖3之天線10可根據AiP技術製造,其中一或多個天線元件100連同一RFIC 200在一起封裝或緊密接近該RFIC經封裝,且一多層PCB 300可與天線元件100包括在同一封裝中。圖4之陣列天線40可表示天線元件100之一個此類封裝,其可共用同一封裝11內之單個多層PCB 300,及單個RFIC 200(例如,在如圖2中所展示之封裝11下方)。天線元件100之中心之間的距離DA
可經選擇以產生相位陣列天線之所需的波束成形掃描角度,其可由RFIC 200控制。舉例而言,天線元件100之中心之間的距離DA
可在第一頻率之自由空間波長λ0
的0.3倍與0.4倍之間(例如針對24.25 GHz之低頻帶頻率,0.3233 λ0
=4 mm)。
圖5為圖4中所展示之天線元件100之二乘二陣列的輸入回波損耗之圖形表示,其中天線元件100之中心之間的距離DA
為4 mm。圖6及圖7為天線元件100之同一二乘二陣列之輻射場型的圖形表示,其中圖6為低頻帶垂射(broadside)總和場型,且圖7為高頻帶垂射總和場型。在模擬中,所有四個天線元件100之饋送(埠)均負載了50歐姆,其中在每一頻帶(亦即如圖1至圖3中所展示之第二饋送接腳134及第四饋送接腳138)中僅激勵豎直饋送以用於豎直極化。如可看出,預期最大增益在準向(垂直)方向上在28 GHz下為+9.3 dBi,且在40 GHz下為+10.7 dBi。
圖8為另一陣列天線80之平面視圖,該另一陣列天線包含關於圖1至圖3之雙重頻帶橫向極化天線10描述之天線元件100之四乘一陣列。類似於圖4之陣列天線40,圖8之陣列天線80可表示如上文所描述之天線元件100之一個此類AiP封裝,其可共用同一封裝11內之單個多層PCB 300,及單個RFIC 200(例如,在如圖2中所展示之封裝11下方)。天線元件100之中心之間的距離DA
可經選擇以產生線性相位陣列天線之所需的波束成形掃描角度,其可由RFIC 200控制。舉例而言,天線元件100之中心之間的距離DA
可在第一頻率之自由空間波長λ0
的0.3倍與0.4倍之間(例如針對24.25 GHz之低頻帶頻率,0.3233 λ0
= 4 mm)。
以上描述係作為實例而非限制而給出。鑒於上述揭示內容,所屬技術領域中具通常知識者可設計出屬於本文所揭示之本發明之範圍及精神內的變化。此外,本文中所揭示之具體實例的各種特徵可單獨使用或與彼此以不同組合使用,且並不意欲限於本文中所描述之特定組合。因此,申請專利範圍之範圍不受所說明具體實例限制。
2-2:線
10:雙重頻帶橫向極化天線
11:封裝
12:主電路板
13:頂部金屬層
14:焊接接腳或球狀柵格陣列凸塊或球
15:焊接襯墊
40:陣列天線
80:另一陣列天線
100:天線元件
110:第一驅動貼片
112:饋送點
114:饋送點
116:第一孔
117:第一捕獲襯墊
118:第二孔
119:第二捕獲襯墊
120:第二驅動貼片
122:饋送點
124:饋送點
132:第一饋送接腳
134:第二饋送接腳
136:第三饋送接腳
138:第四饋送接腳
142:第一饋送線
143:第二饋送線
144:第二饋送線
152:孔
153:捕獲襯墊
154:孔
155:捕獲襯墊
156:孔
157:捕獲襯墊
158:孔
159:捕獲襯墊
160:接地饋送接腳
170:共用寄生貼片
180:第一寄生貼片
182:第一寄生貼片
184:第一寄生貼片
186:第一寄生貼片
188:第一寄生貼片
190:第二寄生貼片
192:第二寄生貼片
194:第二寄生貼片
196:第二寄生貼片
198:第二寄生貼片
200:RF前端積體電路
201:微凸塊
300:多層印刷電路板
DA
:距離
D1-3:捕獲襯墊直徑
D1-4:直徑
D2-1:直徑
D2-2:直徑
D2-3:捕獲襯墊直徑
D2-4:直徑
E1:介電層
E2:介電層
E3:介電層
E4:介電層
E5:介電層
E6:介電層
E7:介電層
E8:介電層
E9:介電層
H1:第一距離
H2:第二距離
H3:距離
L1-1:寄生貼片距離
L1-2:寄生貼片寬度
L2-1:寄生貼片距離
L2-2:寄生貼片寬度
M1:第三金屬層
M2:第二金屬層
M3:第一金屬層
M4:RF接地平面
M5:金屬層
M6:層
M7:金屬層
M8:金屬層
M9:金屬層
R1-5:捕獲襯墊半徑
R1-6:捕獲孔半徑
R2-5:捕獲襯墊半徑
R2-6:捕獲孔半徑
W1:長度
W2:長度
W3:長度
λ0
:自由空間波長
相對於以下描述及圖式,將更佳地理解本文中揭示之各種具體實例的此等及其他特徵與優點,在圖式中相同編號始終係指相同部分,且其中:
[圖1]為根據本發明之一具體實例之雙重頻帶橫向極化天線的平面視圖;
[圖2]為沿著圖1中之線2-2截取之橫截面視圖,其展示包含雙重頻帶橫向極化天線之天線模組;
[圖3]為圖2之近距視圖;
[圖4]為包含雙重頻帶橫向極化天線之二乘二陣列之陣列天線的平面視圖;
[圖5]為二乘二陣列之輸入回波損耗的圖形表示;
[圖6]為二乘二陣列之低頻帶輻射場型的圖形表示;
[圖7]為二乘二陣列之高頻帶輻射場型的圖形表示;且
[圖8]為包含雙重頻帶橫向極化天線之四乘一陣列之另一陣列天線的平面視圖。
2-2:線
10:雙重頻帶橫向極化天線
100:天線元件
110:第一驅動貼片
112:饋送點
114:饋送點
116:第一孔
117:第一捕獲襯墊
118:第二孔
119:第二捕獲襯墊
120:第二驅動貼片
122:饋送點
124:饋送點
132:第一饋送接腳
134:第二饋送接腳
136:第三饋送接腳
138:第四饋送接腳
152:孔
153:捕獲襯墊
160:接地饋送接腳
170:共用寄生貼片
182:第一寄生貼片
184:第一寄生貼片
186:第一寄生貼片
188:第一寄生貼片
192:第二寄生貼片
194:第二寄生貼片
196:第二寄生貼片
198:第二寄生貼片
D1-3:捕獲襯墊直徑
D1-4:直徑
D2-1:直徑
D2-2:直徑
L1-1:寄生貼片距離
L1-2:寄生貼片寬度
L2-1:寄生貼片距離
L2-2:寄生貼片寬度
W1:長度
W2:長度
W3:長度
Claims (20)
- 一種雙重頻帶橫向極化天線,其包含: 一第一金屬層,其與一射頻(RF)接地平面相距一第一距離,該第一金屬層界定經組態成以一第一頻率輻射之一第一驅動貼片; 一第二金屬層,其與該RF接地平面相距一第二距離,該第二金屬層界定經組態成以大於該第一頻率之一第二頻率輻射之一第二驅動貼片; 一第一饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第一饋送線連接至該第一驅動貼片; 一第二饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之正交於該第一極化的一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第一饋送線連接至該第一驅動貼片; 一第三饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第二饋送線連接至該第二驅動貼片,該第三饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第一孔,以將該第三饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片;及 一第四饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第二饋送線連接至該第二驅動貼片,該第四饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第二孔,以將該第四饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片。
- 如請求項1之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第一驅動貼片之該第一饋送點及該第二饋送點與該第一驅動貼片之一中心等距,且該第二驅動貼片之該第一饋送點及該第二饋送點與該第二驅動貼片之一中心等距。
- 如請求項1之雙重頻帶橫向極化天線,其進一步包含與該RF接地平面相距一第三距離之一第三金屬層,該第三金屬層界定一共用寄生貼片,該共用寄生貼片經組態以根據由該共用寄生貼片與該第一驅動貼片及該第二驅動貼片之間的電感及電容耦合誘發之一電流來輻射。
- 如請求項2之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第一驅動貼片、該第二驅動貼片及該共用寄生貼片為正方形的。
- 如請求項4之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第一驅動貼片之一長度為2.5 mm至3.0 mm,該第二驅動貼片之一長度為1.5 mm至2.0 mm,且該共用寄生貼片之一長度為1.5 mm至2.0 mm。
- 如請求項1之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第一金屬層進一步界定一或多個第一寄生貼片,該一或多個第一寄生貼片經組態以根據由一或多個第二寄生貼片與該第一驅動貼片之間的電感及電容耦合誘發之一電流來輻射。
- 如請求項6之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第一驅動貼片為正方形的,且該一或多個第一寄生貼片包含四個第一寄生貼片,該四個第一寄生貼片分別經配置成鄰近該第一驅動貼片之四個側面。
- 如請求項1之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第二金屬層進一步界定一或多個第二寄生貼片,該一或多個第二寄生貼片經組態以根據由該一或多個第二寄生貼片與該第二驅動貼片之間的電感耦合誘發之一電流來輻射。
- 如請求項8之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第二驅動貼片為正方形的,且該一或多個第二寄生貼片包含四個第二寄生貼片,該四個第二寄生貼片分別經配置成鄰近該第二驅動貼片之四個側面。
- 如請求項1之雙重頻帶橫向極化天線,其進一步包含: 一第一捕獲襯墊,其安置於該第三饋送接腳延伸通過之該第一孔中;及 一第二捕獲襯墊,其安置於該第四饋送接腳延伸通過之該第二孔中; 其中該第一捕獲襯墊之一直徑、該第一孔之一直徑、該第二捕獲襯墊之一直徑及該第二孔之一直徑經調諧,以在該第二頻率處來實現小於-10dB之一輸入回波損耗。
- 如請求項1之雙重頻帶橫向極化天線,其進一步包含一接地饋送接腳,其將該RF接地平面連接至該第一驅動貼片及該第二驅動貼片。
- 如請求項1之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第一饋送線及該第二饋送線形成於包含該RF接地平面之一多層印刷電路板(PCB)之一或多個金屬層中。
- 如請求項12之雙重頻帶橫向極化天線,其中該第一饋送接腳、該第二饋送接腳、該第三饋送接腳及該第四饋送接腳延伸通過該RF接地平面中之各別孔。
- 如請求項12之雙重頻帶橫向極化天線,其進一步包含一RF前端積體電路,其安置在該多層PCB之與該第一金屬層及該第二金屬層對立之一側面上,該RF前端積體電路之一或多個信號輸出接腳連接至該第一饋送線及該第二饋送線。
- 一種天線模組,其包含: 一多層印刷電路板(PCB),其包括一射頻(RF)接地平面; 一第一金屬層,其與該RF接地平面相距一第一距離,該第一金屬層界定經組態成以一第一頻率輻射之一第一驅動貼片; 一第二金屬層,其與該RF接地平面相距一第二距離,該第二金屬層界定經組態成以大於該第一頻率之一第二頻率輻射之一第二驅動貼片; 一第一饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第一饋送線連接至該第一驅動貼片,該第一饋送線形成於該多層PCB之一或多個金屬層中; 一第二饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之正交於該第一極化的一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第一饋送線連接至該第一驅動貼片; 一第三饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第二饋送線連接至該第二驅動貼片,該第二饋送線形成於該多層PCB之該一或多個金屬層中,該第三饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第一孔,以將該第三饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片;及 一第四饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第二饋送線連接至該第二驅動貼片,該第四饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第二孔,以將該第四饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片; 一RF前端積體電路,其安置在該多層PCB之與該第一金屬層及該第二金屬層對立之一側面上,該RF前端積體電路之一或多個信號輸出接腳連接至該第一饋送線及該第二饋送線;及 一封裝,其含有該第一金屬層及該第二金屬層、該第一饋送接腳、該第二饋送接腳、該第三饋送接腳及該第四饋送接腳,及包括該RF接地平面及形成該第一饋送線以及該第二饋送線之該一或多個金屬層的該多層PCB,該RF前端積體電路安裝在該封裝上,且該封裝之一外表面具有導電接點,其用於通過該多層PCB將輸入信號路由至該RF前端積體電路之一或多個信號輸入接腳。
- 一種雙重頻帶橫向極化相位陣列天線,其包含: 兩個或多於兩個天線元件,其經配置成一陣列,該些天線元件中之每一者包含: 一第一驅動貼片,其經組態成以一第一頻率輻射,該第一驅動貼片經界定在與一射頻(RF)接地平面相距一第一距離之一第一金屬層中; 一第二驅動貼片,其經組態成以大於該第一頻率之一第二頻率輻射,該第二驅動貼片經界定在與該RF接地平面相距一第二距離之一第二金屬層中; 一第一饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第一饋送線連接至該第一驅動貼片; 一第二饋送接腳,其在該第一驅動貼片之與該第一驅動貼片之正交於該第一極化的一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第一饋送線連接至該第一驅動貼片; 一第三饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之一第一極化相關聯的一第一饋送點處,將一第二饋送線連接至該第二驅動貼片,該第三饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第一孔,以將該第三饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片;及 一第四饋送接腳,其在該第二驅動貼片之與該第二驅動貼片之正交於該第一極化之一第二極化相關聯的一第二饋送點處,將該第二饋送線連接至該第二驅動貼片,該第四饋送接腳延伸通過該第一驅動貼片中之一第二孔,以將該第四饋送接腳電容耦合至該第一驅動貼片。
- 如請求項16之雙重頻帶橫向極化相位陣列天線,其中該些天線元件之中心之間的一距離DA 係在該第一頻率之一自由空間波長λ0 的0.3倍與0.4倍之間。
- 如請求項16之雙重頻帶橫向極化相位陣列天線,其中該兩個或多於兩個天線元件經配置成一二乘二陣列。
- 如請求項16之雙重頻帶橫向極化相位陣列天線,其中該兩個或多於兩個天線元件經配置成一四乘一陣列。
- 如請求項16之雙重頻帶橫向極化相位陣列天線,其進一步包含: 一多層印刷電路板(PCB),其包括該RF接地平面,及形成該第一饋送線及該第二饋送線之一或多個金屬層; 一RF前端積體電路,其安置在該多層PCB之與該兩個或多於兩個天線元件對立的一側面上,該RF前端積體電路之一或多個信號輸出接腳連接至該第一饋送線及該第二饋送線;及 一封裝,其含有該兩個或多於兩個天線元件及該多層PCB,該RF前端積體電路安裝在該封裝上; 其中該封裝之一外表面具有導電接點,其用於通過該多層PCB將輸入信號路由至該RF前端積體電路之一或多個信號輸入接腳。
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