TW202200476A - 接著膜製造裝置及捲軸體 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種接著膜製造裝置（11），其製造在基材層（2）上具有接著層（3）之接著膜（1），前述接著膜製造裝置（11）具備：送出輥（12），送出接著膜（1）的母材（B）；切割部（13），將接著膜（1）的母材切出預定寬度的複數個接著膜（1）；及複數個捲芯（14），捲取複數個接著膜（1）中的各者，複數個捲芯（14）中的各者具有比捲取對象的接著膜（1）的寬度大的寬度。

Description

接著膜製造裝置及捲軸體

本揭示係有關一種接著膜製造裝置及捲軸體。

先前的半導體封裝包括接著於模墊（die pad）上之半導體元件和藉由導線（wire）與該半導體元件接合之引線框架，並且具有除了外部連接用的外部引線以外整體藉由樹脂密封之結構。近年來，隨著半導體封裝的高密度化、小面積化、薄型化等要求的不斷增加，開發有僅密封了封裝的單面（半導體元件側）之結構的半導體封裝，例如如QFN（Quad Flat Non-leaded：四方形扁平無引腳）封裝。

在僅密封了封裝的單面之結構的半導體封裝中，引線框架不從密封樹脂突出，因此可以實現封裝的小面積化及薄型化。然而，在密封時，有時會出現密封樹脂繞入引線框架的背面等故障。作為防止這樣的故障之方法，例如如專利文獻1，存在在引線框架的背面黏貼作為暫時保護膜的接著膜之方法。在該方法中，在藉由接著膜暫時保護引線框架的背面之狀態下進行半導體元件的密封，之後從引線框架的背面剝離接著膜。

[專利文獻1]國際公開第2001/035460號

關於用作暫時保護膜之接著膜，例如藉由將從送出輥送出之母材切出任意寬度而形成。所切出之各寬度的接著膜分別藉由捲芯進行捲取並作為捲軸體處理。在使用接著膜的現場，從捲軸體拉出接著膜，並將接著膜黏貼於引線框架的背面。

在該接著膜中，依據成為黏貼對象之引線框架的形狀來使用各種寬度的接著膜。因此，認為在使捲芯的寬度分別與所捲取之接著膜的寬度相應而不同之情況下，接著膜製造裝置中的捲芯的安裝變得繁瑣。又，需要準備多個寬度不同之捲芯，存在捲軸體的製作成本增加之慮。

本揭示係為了解決上述課題而完成者，其目的為提供一種接著膜製造裝置及捲軸體，前述接著膜製造裝置能夠應對寬度不同之接著膜的捲取，從而能夠減少捲軸體的製作成本。

本揭示的一方面之接著膜製造裝置製造在基材層上具有接著層之接著膜，前述接著膜製造裝置具備：送出輥，送出接著膜的母材；切割部，將接著膜的母材切出預定寬度的複數個接著膜；及複數個捲芯，捲取複數個接著膜中的各者，複數個捲芯中的各者具有比捲取對象的接著膜的寬度大的寬度。

在該接著膜製造裝置中，捲取接著膜之複數個捲芯中的各者具有比捲取對象的接著膜的寬度大的寬度。藉此，能夠使用相同寬度的捲芯來實施寬度小於捲芯的寬度的接著膜的捲取。因此，在該接著膜製造裝置中，能夠減少要準備之捲芯的種類，從而能夠減少捲軸體的製作成本。又，捲芯的邊緣部從捲取對象的接著膜突出，因此藉由利用捲芯的突出部分，在使用捲繞在捲芯上之接著膜時，容易進行該接著膜的位置對準。

複數個捲芯中的各者可以配置成該捲芯的邊緣部從捲取對象的接著膜僅向軸向的單突出。此時，在使用捲繞在捲芯上之接著膜時，更加容易進行該接著膜的位置對準。

本揭示的一方面之捲軸體為將在基材層上具有接著層之接著膜捲繞在捲芯上而成之捲軸體，捲芯具有比接著膜的寬度大的寬度。

在該捲軸體中，捲芯的寬度大於接著膜的寬度。藉此，能夠使用相同寬度的捲芯來實施寬度小於捲芯的寬度的接著膜的捲取。因此，在該捲軸體中，能夠減少要準備之捲芯的種類，從而能夠減少製作成本。又，捲芯的邊緣部從捲取對象的接著膜突出，因此藉由利用捲芯的突出部分，在使用捲繞在捲芯上之接著膜時，容易進行該接著膜的位置對準。

捲芯的邊緣部可以從接著膜的捲繞體僅向軸向的單突出。此時，在使用捲繞在捲芯上之接著膜時，更加容易進行該接著膜的位置對準。

捲芯的邊緣部可以從接著膜的捲繞體的側面向軸向的兩側突出，並且軸向的一側的突出量可以大於另一側的突出量。此時，在使用捲繞在捲芯上之接著膜時，更加容易進行該接著膜的位置對準。 [發明效果]

依據本揭示，能夠應對寬度不同之接著膜的捲取，從而能夠減少捲軸體的製作成本。

以下，參閱圖式，並對本揭示的一方面之接著膜製造裝置及捲軸體的較佳實施形態進行詳細說明。 [接著膜]

首先，對用接著膜製造裝置製造之接著膜的結構進行說明。圖1係表示接著膜的一實施形態之概略剖面圖。例如在密封搭載於引線框架上之半導體元件之密封步驟中，圖1所示之接著膜1為用於暫時保護引線框架之薄膜。在密封步驟中，接著膜1黏貼於引線框架的背面（與半導體元件的形成面相反的一側的面）以在形成密封半導體元件之密封層期間暫時保護引線框架。在密封步驟結束之後，接著膜1從引線框架的背面剝離。

接著膜1例如在捲繞在捲芯14（參閱圖3）上之捲軸體的狀態下進行處理。接著膜1可以在將該捲軸體收納於包裝袋中之狀態下進行處理。此時，在包裝袋中，可以收納有單個的捲軸體，亦可以收納有複數個捲軸體。包裝袋可以由樹脂薄膜形成，亦可以由具有鋁層之複合樹脂薄膜形成。作為包裝袋的具體例，可以舉出經鋁塗層之塑膠製的袋等。作為樹脂薄膜的材料，可以舉出聚乙烯、聚酯、氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等塑膠。捲軸體例如可以在經真空包裝之狀態下收納於包裝袋中。在包裝袋中，可以與捲軸體一起收納乾燥劑。作為乾燥劑，例如可以舉出矽膠。包裝體可以進一步藉由緩衝材料包裹。包裝體例如可以收納於如瓦楞紙的包裝箱中。

如圖1所示，接著膜1由基材層2和設置於基材層2的一面側之接著層3構成為兩層。接著膜1的寬度例如為50mm以上。接著膜1的寬度可以為100mm以上，亦可以為200mm以上。接著膜1的寬度可以為600mm以下。接著膜1的寬度例如可以為50mm以上且600mm以下，可以為100mm以上且600mm以下，亦可以為200mm以上且600mm以下。

接著膜1在平面方向上的30℃～200℃下之線膨脹係數例如為16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。平面方向例如可以為MD（Machine Direction：縱向）方向及TD（Transverse Direction：橫向）方向中的任一個。MD方向通常為接著膜1的長度方向。TD方向為與MD方向正交之方向（寬度方向）。關於線膨脹係數的測量，能夠藉由熱機械分析裝置（例如Seiko Instruments Inc.製：SSC5200）進行測量。關於接著膜1在平面方向上的30℃～200℃下之線膨脹係數，例如能夠藉由改變接著層3的厚度來進行調整。

接著膜1在30℃下之彈性模數例如為9GPa以下。接著膜1在30℃下之彈性模數可以為8GPa以下，亦可以為7GPa以下。接著膜1在30℃下之彈性模數可以為4GPa以上，亦可以為5GPa以上。關於接著膜1在30℃下之彈性模數，能夠藉由動態黏彈性測量裝置（例如Universal Building Materials Co.,Ltd.製：Rheogel-E4000）進行測量。此時，將接著膜1切割成例如4mm×30mm尺寸而獲得之試驗片以夾頭間距離20mm安裝於動態黏彈性測量裝置中。然後，在正弦波、溫度範圍30℃（一定）、頻率10Hz的條件下測量試驗片的拉伸彈性模數，從而能夠求出接著膜1在30℃下之彈性模數。

基材層2由對接著層3的形成步驟、半導體封裝的組裝步驟等各步驟中的熱具有耐熱性之材料構成。作為該材料，例如可以舉出選自由芳香族聚醯亞胺、芳香族聚醯胺、芳香族聚醯胺醯亞胺、芳香族聚碸、芳香族聚醚碸、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二酯組成的組中之至少一種聚合物。

從提高耐熱性之觀點考慮，基材層2的玻璃轉移溫度可以為200℃以上，亦可以為250℃以上。藉此，在將半導體元件接著於模墊上之步驟、導線接合步驟、密封步驟、將暫時保護膜從密封成形體剝離之步驟等加熱步驟中，抑制基材層2的軟化，可以實現作業效率的提高。又，基材層2在230℃下之彈性模數高於接著層3在230℃下之彈性模數（後述）。

基材層2充分具有對接著層3之密接性為較佳。在基材層2充分具有對接著層3之密接性之情況下，例如在100℃～300℃的溫度下將接著膜1從引線框架及密封材料剝離時，能夠抑制在接著層3與基材層2的界面上產生剝離。藉此，能夠抑制樹脂殘留在引線框架及密封材料上。

從充分具有耐熱性及對接著層3之密接性這兩者之觀點考慮，基材層2可以由聚醯亞胺構成。由聚醯亞胺構成之基材層2在30℃～200℃下之線膨脹係數可以為3.0×10^-5 /℃以下，可以為2.5×10^-5 ℃以下，亦可以為2.0×10^-5 /℃以下。在200℃下加熱了2小時時的基材層2的加熱收縮率可以為0.15%以下，可以為0.1%以下，亦可以為0.05%以下。

構成基材層2之材料並不限於上述樹脂，亦能夠選自由銅、鋁、不鏽鋼及鎳組成的組中。在由該等金屬構成基材層2之情況下，能夠使接著膜1的線膨脹係數接近引線框架的線膨脹係數，從而能夠較佳地減少將接著膜1黏貼於引線框架時的引線框架的翹曲。

對基材層2可以實施表面處理。作為表面處理的種類，例如可以舉出鹼處理、矽烷偶合處理等化學處理、砂墊處理等物理處理、電漿處理、電暈處理等。藉由實施表面處理，能夠更加充分地提高對接著層3之密接性。

從減少將接著膜1黏貼於引線框架時的引線框架的翹曲之觀點考慮，基材層2的厚度例如可以為100μm以下，可以為50μm以下，亦可以為25μm以下。基材層2的厚度可以為5μm以上，亦可以為10μm以上。

接著層3例如由具有醯胺基（-NHCO-）、酯基（-CO-O-）、醯亞胺基（-NR₂ ，其中，R分別為-CO-）、醚基（-O-）或碸基（-SO₂ -）之熱塑性樹脂構成。該等樹脂可以為具有醯胺基、酯基、醯亞胺基或醚基之熱塑性樹脂。具體而言，作為這樣的熱塑性樹脂，可以舉出芳香族聚醯胺、芳香族聚酯、芳香族聚醯亞胺、芳香族聚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚、芳香族聚醚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚醯胺、芳香族聚酯醯亞胺及芳香族聚醚醯亞胺等。從耐熱性及接著性的觀點考慮，熱塑性樹脂可以為選自由芳香族聚醚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚醯亞胺及芳香族聚醚醯胺組成的組中之至少一種樹脂。

上述樹脂均能夠使作為鹼成分之芳香族二胺或雙酚等與作為酸成分之二羧酸、三羧酸、四羧酸或芳香族氯化物或者它們的反應性衍生物縮聚而製作。亦即，關於上述樹脂的製作，能夠藉由用於胺與酸的反應之通常的方法進行，對各條件等亦並無特別限制。對芳香族二羧酸、芳香族三羧酸或它們的反應性衍生物與二胺的縮聚反應，亦使用通常的方法。

作為用於合成芳香族聚醚醯亞胺、芳香族聚醚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚醯胺之鹼成分，例如可以使用2,2-雙[4-（4-胺基苯氧基）苯基]丙烷、雙[4-（4-胺基苯氧基）苯基]碸、4,4’-二胺基二苯醚、雙[4-（4-胺基苯氧基）苯基]醚、2,2-雙[4-（4-胺基苯氧基）]六氟丙烷等具有醚基之芳香族二胺；4,4’-亞甲基雙（2,6-二異丙胺）等不具有醚基的芳香族二胺；1,3-雙（3-胺基丙基）-四甲基二矽氧烷等矽氧烷二胺；及1,12-二胺基十二烷、1,6-二胺基己烷等α,ω-二胺基烷烴。

鹼成分總量中，可以以40～100莫耳%或50～97莫耳%的量使用上述具有醚基之芳香族二胺，以0～60莫耳%或3～50莫耳%的量使用選自不具有醚基的芳香族二胺、矽氧烷二胺及α，ω-二胺基烷烴中之至少一種。作為鹼成分的具體例，可以舉出（1）由具有醚基之芳香族二胺60～89莫耳%或68～82莫耳%、矽氧烷二胺1～10莫耳%或3～7莫耳%、α,ω-二胺基烷烴10～30莫耳%或15～25莫耳%組成之鹼成分、（2）由具有醚基之芳香族二胺90～99莫耳%或93～97莫耳%、矽氧烷二胺1～10莫耳%或3～7莫耳%組成之鹼成分、（3）由具有醚基之芳香族二胺40～70莫耳%或45～60莫耳%、不具有醚基的芳香族二胺30～60莫耳%或40～55莫耳%組成之鹼成分。

作為用於合成芳香族聚醚醯亞胺、芳香族聚醚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚醯胺之酸成分，例如可以舉出（A）偏苯三甲酸酐、偏苯三甲酸酐氯化物等偏苯三甲酸酐的反應性衍生物、均苯四甲酸二酐等單核芳香族三羧酸酐、單核芳香族四羧酸二酐、（B）雙酚A雙偏苯三酸酯二酐、氧二鄰苯二甲酸酐等多核芳香族四羧酸二酐、（C）對苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸氯化物、間苯二甲酸氯化物等鄰苯二甲酸的反應性衍生物等的芳香族二羧酸等。其中，可以使用使上述鹼成分（1）或鹼成分（2）每1莫耳與上述酸成分（A）0.95～1.05莫耳或0.98～1.02莫耳進行反應而獲得之芳香族聚醚醯胺醯亞胺及使上述鹼成分（3）每1莫耳與上述酸成分（B）0.95～1.05莫耳或0.98～1.02莫耳進行反應而獲得之芳香族聚醚醯亞胺。

接著層3可以含有除了上述樹脂以外的其他成分。作為其他成分，例如可以舉出陶瓷粉、玻璃粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、橡膠粒子等填料、抗氧化劑、偶合劑。在接著層3含有填料作為其他成分之情況下，填料的含量相對於樹脂100質量份可以為1～30質量份，亦可以為5～15質量份。

作為偶合劑，例如可以使用乙烯基矽烷、環氧矽烷、胺基矽烷、巰基矽烷、鈦酸鹽、鋁螯合物、鋁酸鋯（Zircoaluminate）等。偶合劑可以為矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，可以使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）矽烷、β-（3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-β-（胺基乙基）-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等在末端具有有機反應性基的矽烷偶合劑，在該等中，可以使用具有環氧基之環氧矽烷偶合劑。

有機反應性基為環氧基、乙烯基、胺基、巰基等官能基。矽烷偶合劑的添加提高接著層3對基材層2之密接性，在100～300℃的溫度下進行剝離時，發揮抑制在基材層2與接著層3的界面上產生剝離之效果。在接著層3含有偶合劑之情況下，偶合劑的含量相對於樹脂100質量份可以為1～15質量份，亦可以為2～10質量份。

接著層3的厚度例如為20μm以下。接著層3的厚度可以為18μm以下、16μm以下、14μm以下、12μm以下、10μm以下、9μm以下、8μm以下。接著層3的厚度例如為1μm以上。接著層3的厚度可以為2μm以上、3μm以上、4μm以上、5μm以上、6μm以上、7μm以上、8μm以上。接著層3的厚度可以為1μm以上且20μm以下，可以為1μm以上且15μm以下，亦可以為1μm以上且8μm以下。

在接著層3的厚度為1μm以上之情況下，能夠確保充分的接著性，並且能夠抑制密封時的密封材料的漏出。在接著層3的厚度為20μm以下之情況下，可以抑制接著膜1的整體的層厚度，並且可以抑制成本，除此以外，亦能夠抑制進行300℃以上的熱處理時產生空隙。又，在接著層3的厚度為20μm以下之情況下，能夠抑制熱處理時的潤濕性的上升。藉此，抑制接著層3以過於牢固的接著強度黏貼於引線框架，從而能夠確保剝離性。

接著層3的厚度與基材層2的厚度之比例如為0.2以下。接著層3的厚度與基材層2的厚度之比可以為0.1以下，亦可以為0.05以下。藉此，抑制由在將接著層3塗佈於基材層2上之後去除溶劑時的體積減少引起之翹曲，從而能夠提高將接著膜1黏貼於引線框架時的作業性。

接著層3的玻璃轉移溫度（Tg）高於常溫（例如25℃）。接著層3的玻璃轉移溫度（Tg）例如可以為100℃以上，亦可以為150℃以上。接著層3的玻璃轉移溫度例如可以為300℃以下，亦可以為250℃以下。在接著層3的玻璃轉移溫度為100℃以上之情況下，當將接著膜1從引線框架及密封材料剝離時，抑制在基材層2與接著層3的界面上產生剝離，並且抑制破壞接著層3的凝集。

在接著層3的玻璃轉移溫度為100℃以上之情況下，能夠抑制接著層3殘留在引線框架及密封材料上。又，能夠抑制由導線接合步驟中的熱引起之接著層3的軟化，從而能夠減少發生導線的接合不良。再者，能夠抑制由密封步驟中的熱引起之接著層3的軟化，從而能夠抑制發生密封材料進入引線框架與接著層3之間等故障。在接著層3的玻璃轉移溫度在300℃以內的情況下，充分地抑制接著時的接著層3的軟化。又，在常溫（例如25℃）下，能夠充分地確保接著膜1與引線框架之間的剝離角度為90°時的剝離強度。

關於接著層3的玻璃轉移溫度，能夠藉由熱機械分析裝置（Seiko Instruments Inc.製：SSC5200型）進行測量。關於測量條件，例如能夠設為夾頭間距離10mm、溫度範圍30℃～300℃、升溫速度10℃/分鐘的拉伸模式。

接著層3的5%重量減少溫度可以為300℃以上，可以為350℃以上，亦可以為400℃以上。在接著層3的5重量%減少溫度為300℃以上之情況下，不易產生由將接著膜1黏貼於引線框架時的熱及導線接合步驟中的熱引起之逸氣，從而能夠抑制引線框架、導線等的污染。關於5%重量減少溫度，能夠藉由示差熱天秤（例如Seiko Instruments Inc.製：SSC5200型）進行測量。關於測量條件，例如能夠設為在空氣環境下、升溫速度10℃/分鐘。

接著層3在230℃下之彈性模數例如為1MPa以上。接著層3在230℃下之彈性模數可以為3MPa以上。在半導體封裝的製造步驟中，導線接合步驟中的溫度（導線接合溫度）並無特別限制，但是通常為200～260℃左右，且約為230℃。因此，在接著層3在230℃下之彈性模數為1MPa以上之情況下，抑制由導線接合步驟中的熱引起之接著層3的軟化，從而能夠抑制發生導線的接合不良。接著層3在230℃下之彈性模數例如為2000MPa以下。接著層3在230℃下之彈性模數可以為1500MPa以下，亦可以為1000MPa以下。

關於接著層3在230℃下之彈性模數，能夠藉由動態黏彈性測量裝置（例如Universal Building Materials Co.,Ltd.製：Rheogel-E4000）進行測量。此時，關於測量條件，能夠設為夾頭間距離20mm、正弦波、頻率10Hz、升溫速度5℃/分鐘的拉伸模式。

將接著層3形成於基材層2上之方法並無特別限制，但是例如可以使用如下方法，亦即，將樹脂溶解於溶劑中而獲得之樹脂清漆塗佈於基材層2的表面上，之後進行加熱處理來去除溶劑。作為溶劑，可以使用N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、環己酮、甲基乙基酮、二甲基甲醯胺等。亦能夠使用如下方法，亦即，將樹脂的前體溶解於溶劑中而獲得之前體清漆塗佈於基材層2的表面上，之後進行加熱處理來去除溶劑。在構成接著層3之樹脂為聚醯亞胺樹脂之情況下，前體例如為聚醯胺酸。

加熱處理的溫度在使用樹脂清漆之情況和使用前體清漆之情況下可以不同。在為樹脂清漆的情況下，加熱處理的溫度為能夠去除溶劑之溫度即可。在為前體清漆的情況下，由前體形成樹脂（例如醯亞胺化），因此加熱處理的溫度可以為接著層3的玻璃轉移溫度以上。

作為將樹脂清漆或前體清漆塗佈於基材層2的表面上之方法，並無特別限制，但是例如可以使用輥塗、逆輥塗、凹版塗佈、棒塗、缺角輪塗、模塗、減壓模塗。又，可以藉由將基材層2浸漬於樹脂清漆或前體清漆中來將樹脂清漆或前體清漆塗佈於基材層2的表面上。

如圖2所示，接著膜1在基材層2的另一面側（與接著層3相反的一面側）還具備非接著層4，可以為三層結構。非接著層4為在0℃～270℃下實質上不具有對引線框架之接著性（或感壓接著性）的樹脂層。

在非接著層4的形成中，例如可以使用熱塑性樹脂或熱固化性樹脂。作為熱塑性樹脂，例如可以舉出醯胺基、酯基、醯亞胺基或具有醚基之樹脂。熱塑性樹脂可以為使前述鹼成分1莫耳與前述酸成分0.95～1.05莫耳或0.98～1.02莫耳進行反應而獲得之芳香族聚醚醯胺醯亞胺。

作為熱固化性樹脂，例如可以舉出環氧樹脂、酚樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂（例如，將雙（4-馬來醯亞胺苯基）甲烷作為單體之雙馬來醯亞胺樹脂）。可以組合使用熱塑性樹脂和熱固化性樹脂。在組合使用熱塑性樹脂和熱固化性樹脂之情況下，熱固化性樹脂相對於熱塑性樹脂100質量份可以設為5～100質量份，亦可以設為20～70質量。

非接著層4可以含有除了上述樹脂以外的其他成分。作為其他成分，例如可以舉出填料、偶合劑。在非接著層4含有填料作為其他成分之情況下，填料的含量相對於樹脂100質量份可以為1～30質量份，亦可以為5～15質量份。在非接著層4含有偶合劑作為其他成分之情況下，偶合劑的含量相對於樹脂100質量份可以為1～20質量份，亦可以為5～15質量份。

非接著層4的厚度例如為10μm以下。非接著層4的厚度可以為9μm以下、8μm以下、7μm以下。非接著層4的厚度例如為1μm以上。非接著層4的厚度可以為2μm以上、3μm以上、4μm以上、5μm以上、6μm以上。非接著層4的厚度例如可以為1μm以上且10μm以下，亦可以為1μm以上且8μm以下。接著層3的厚度與非接著層4的厚度之比可以為1.0～2.0，亦可以為1.3～2.0。

非接著層4在230℃下之彈性模數例如為10MPa以上。非接著層4在230℃下之彈性模數可以為100MPa以上，亦可以為1000MPa以上。在非接著層4在230℃下之彈性模數為10MPa以上之情況下，能夠抑制導線接合步驟等加熱步驟中的非接著層4的軟化，從而能夠防止黏貼於模具及治具等上。非接著層4在230℃下之彈性模數可以為2000MPa以下，亦可以為1800MPa以下。關於非接著層4在230℃下的彈性模數，能夠藉由與上述接著層3在230℃下之彈性模數的情況相同的方法進行測量。

在常溫（例如25℃）下，非接著層4與模具及治具之間的剝離角度為90°時的剝離強度可以小於5N/m，亦可以為1N/m以下。關於該剝離強度的測量，例如在黃銅製的模具內以溫度250℃、壓力8MPa進行10秒鐘的壓接之後進行。

非接著層4的玻璃轉移溫度例如為150℃以上。非接著層4的玻璃轉移溫度可以為200℃以上，亦可以為250℃以上。在非接著層4的玻璃轉移溫度為150℃以上之情況下，在將半導體元件接著於模墊上之步驟、導線接合步驟、密封步驟、將接著膜1從密封體剝離之步驟等中，能夠抑制非接著層4的軟化。又，能夠抑制非接著層4黏貼於模具及治具上。非接著層4的玻璃轉移溫度可以為350℃以下，亦可以為300℃以下。

非接著層4形成於基材層2上之方法並無特別限制，但是與上述接著層3的情況相同，可以採用將樹脂清漆或前體清漆塗佈於基材層2上之方法。在使用熱固化性樹脂作為非接著層4的結構材料之情況或組合使用熱塑性樹脂和熱固化性樹脂之情況下，亦能夠藉由在塗佈後進行加熱處理來使熱固化性樹脂固化，並使非接著層4的彈性模數成為10MPa以上。該加熱處理可以與溶劑的去除或醯亞胺化同時進行，亦可以另行進行。

在將如上所述之非接著層4設置於基材層2上之情況下，藉由去除溶劑時的非接著層4的體積減少、非接著層4的醯亞胺化、熱固化性樹脂的固化等時的非接著層4的收縮，能夠抵銷由接著層3的體積減少引起之接著膜1的翹曲。 [接著膜製造裝置]

接著，對用於製造接著膜1之接著膜製造裝置進行詳細說明。

圖3係表示接著膜製造裝置的一實施形態之概略立體圖。在圖3中，將左右方向設為水平方向，並將上下方向設為垂直方向。圖3所示之接著膜製造裝置11構成為如下裝置，亦即，從接著膜1的母材B切出複數個接著膜1，並將所切出之接著膜1中的各者捲取而形成捲軸體R。如圖3所示，接著膜製造裝置11具備送出輥12、切割部13及複數個捲芯14。在此，例示出圖1所示之兩層結構的接著膜1的製造。

送出輥12為送出接著膜1的母材B之部分。如圖4所示，在送出輥12上以接著層3朝外的方式捲繞有接著膜1的母材B。亦即，在送出輥12上以接著層3彎曲成山形的方式捲繞有接著膜1的母材B。從送出輥12送出之接著膜1的母材B以預定速度朝向切割部13水平輸送。

切割部13為從接著膜1的母材B切出預定寬度的複數個接著膜1之部分。如圖5所示，切割部13具有夾著母材B配置成上下一對之上軸16及下軸17、設置於上軸16上之複數個圓盤狀的上葉片18及設置於下軸17上之複數個圓盤狀的下葉片19。在圖5的態樣中，上葉片18與接著層3對置，下葉片19與基材層2對置。上葉片18及下葉片19例如處於各自的刀刃的側面彼此滑接之狀態，並以剪切切割方式切割母材B。關於藉由切割部13切出之複數個接著膜1的寬度，藉由改變上葉片18及下葉片19在軸向上的間隔來進行調整。在本實施形態中，藉由切割部13從接著膜1的母材B切出寬度不同之複數個接著膜1。

複數個捲芯14為捲取複數個接著膜1中的各者之部分。在捲芯14上以接著層3朝外的方式捲取接著膜1。捲芯14可以藉由捲取圖1所示之兩層結構的接著膜1之情況和捲取圖2所示之三層結構的接著膜1之情況來進行顏色區分。複數個捲芯14具有位於第1軸G1上之第1捲芯14A和位於第2軸G2上之第2捲芯14B。第1軸G1和第2軸G2至少位於在水平方向上相互錯開之位置上，第1捲芯14A和第2捲芯14B在軸向上交替配置。

在此，在從切割部13朝向捲芯14之接著膜1的輸送路徑中，接著膜1的接著層3彎曲成凸狀之次數為彎曲成凹狀之次數以上。在圖3所示之形態中，第1捲芯14A所在之第1軸G1配置成從切割部13朝向第1捲芯14A之接著膜1的輸送方向與母材B的輸送方向相同地保持水平。另一方面，如圖3及圖5所示，第2捲芯14B所在之第2軸G2比第1軸G1更靠下方配置，以使從切割部13朝向第2捲芯14B之接著膜1的接著層3彎曲成凸狀。結果，從切割部13朝向第1捲芯14A之接著膜1的接著層3不彎曲成凸狀及凹狀中的任一種而藉由第1捲芯14A捲取，並且從切割部13朝向第2捲芯14B之接著膜1的接著層3僅彎曲成凸狀而藉由第2捲芯14B捲取。

又，如圖6所示，第1捲芯14A及第2捲芯14B中的各者具有大於捲取對象的接著膜1的寬度W1的寬度W2。藉此，在藉由第1捲芯14A及第2捲芯14B中的各者捲取接著膜1而獲得之捲軸體R中，捲芯14的邊緣部14a從接著膜1的捲繞體21的側面21a突出。作為一例，在捲取對象的接著膜1的寬度W1為50mm以上且小於55mm之情況下，能夠將捲取該接著膜1之捲芯14的寬度W2設為55mm。又，在圖6的例中，捲芯14在軸向上的中心位置相對於接著膜1在寬度方向上的中心位置處於錯開之狀態。藉此，在捲軸體R中，捲芯14的邊緣部14a僅從接著膜1的捲繞體21中之一個側面21a突出，另一個側面21a與捲芯14的邊緣部14a在同一平面上。

對從送出輥12經由切割部13到達捲芯14之母材B及複數個接著膜1施加捲取張力。在對母材B及複數個接著膜1施加捲取張力時，可以使用張力輥，亦可以使用調整送出輥12及捲芯14的軸位置之調整機構。對母材B及複數個接著膜1施加之捲取張力並無特別限制，但是例如為60N/m以上。捲取張力可以為70N/m以上，亦可以為80N/m以上。捲取張力例如為150N/m以下。捲取張力可以為140N/m以下，亦可以為130N/m以下。 [接著膜製造方法]

圖7係表示接著膜製造方法的一實施形態之流程圖。在本實施形態中，使用上述接著膜製造裝置11來實施接著膜製造方法。在該接著膜製造方法中，首先，從送出輥12送出接著膜1的母材B（步驟S01：送出步驟）。在送出步驟中，將接著膜1的母材B以接著層3朝外的方式預先捲繞在送出輥12上。亦即，在送出輥12上以接著層3彎曲成凸狀的方式預先捲繞接著膜1的母材B。然後，將從送出輥12送出之接著膜1的母材B以預定速度朝向切割部13水平輸送。

接著，藉由切割部13從接著膜1的母材B切出預定寬度的複數個接著膜1（步驟S02：切割步驟）。在切割步驟中，藉由切割部13從接著膜1的母材B切出寬度不同之複數個接著膜1。

在切出複數個接著膜1之後，藉由複數個捲芯14分別捲取該等接著膜1中的各者（步驟S03：捲取步驟）。在捲取步驟中，將從切割部13朝向第2捲芯14B之接著膜1以接著層3彎曲成凸狀的方式輸送並捲取。又，當藉由第1捲芯14A及第2捲芯14B中的各者捲取接著膜1時，將捲芯14在軸向上的中心位置相對於接著膜1在寬度方向上的中心位置錯開配置。藉此，在藉由第1捲芯14A及第2捲芯14B中的各者捲取接著膜1而獲得之捲軸體R中，捲芯14的邊緣部14a處於從接著膜1的捲繞體21的一個側面21a突出之狀態。 [作用效果]

如上所述，在該接著膜製造裝置11中，捲取接著膜1之複數個捲芯14中的各者具有比捲取對象的接著膜1的寬度大的寬度。藉此，能夠使用相同寬度的捲芯14來實施寬度小於捲芯14的寬度的接著膜1的捲取。因此，在該接著膜製造裝置11中，能夠減少要準備之捲芯14的種類，從而能夠減少捲軸體R的製作成本。又，捲芯14的邊緣部14a從捲取對象的接著膜1突出，因此藉由利用捲芯14的突出部分，在使用捲繞在捲芯14上之接著膜1時，容易進行該接著膜1的位置對準。

又，在接著膜製造裝置11中，複數個捲芯14中的各者配置成該捲芯14的邊緣部14a從捲取對象的接著膜1僅向軸向的單突出。此時，當使用捲繞在捲芯14上之接著膜1時，例如將捲軸體R安裝於使用側的裝置中時更加容易進行該接著膜1的位置對準。 [變形例]

本揭示並不限於上述實施形態。圖8係表示接著膜製造裝置的另一實施形態之概略立體圖。在圖3的例中，從送出輥12送出之母材B朝向切割部13沿水平方向輸送，但是如圖8的例，可以將對母材B施加張力的輥31配置於送出輥12與切割部13之間，以使母材B藉由該輥31彎曲成凸狀。可以配置複數個與輥31相同的輥而使母材B在送出輥12與切割部13之間以凸狀及凹狀彎曲複數次。此時，在從送出輥12朝向切割部13之母材B的輸送路徑中，母材B的接著層3彎曲成凸狀之次數可以為彎曲成凹狀之次數以上。在使母材B彎曲複數次之情況下，最後的彎曲（最靠切割部13側的彎曲）可以為凸狀的彎曲。

又，在圖3的例中，僅從切割部13朝向第2捲芯14B之接著膜1的接著層3彎曲成山形，但是如圖8的例，可以將對母材B施加捲取張力的輥32配置於送出輥12與切割部13之間，以使接著膜1藉由該輥32彎曲成凸狀。可以配置複數個與輥32相同的輥，以使母材B在切割部13與捲芯14之間以凸狀及凹狀彎曲複數次。此時，在從切割部13朝向捲芯14之接著膜1的輸送路徑中，接著膜1的接著層3彎曲成凸狀之次數為彎曲成凹狀之次數以上即可。在使接著膜1彎曲複數次之情況下，最後的彎曲（最靠捲芯14側的彎曲）可以為凸狀的彎曲。

在圖8的例中，第1捲芯14A所在之第1軸G1和第2捲芯14B所在之第2軸G2在垂直方向上位於相同位置。第1捲芯14A配置成從切割部13朝向第1捲芯14A之接著膜1的輸送方向在輥32上彎曲成大致直角，第2捲芯14B配置成從切割部13朝向第2捲芯14B之接著膜1的輸送方向在輥32上彎曲成銳角。結果，從切割部13朝向第1捲芯14A之接著膜1及從切割部13朝向第2捲芯14B之接著膜1中的各者的接著層3僅彎曲成凸狀而藉由捲芯14捲取。

又，例如在圖6的例中，捲芯14的邊緣部14a僅從接著膜1的捲繞體21中之一個側面21a突出，另一個側面21a與捲芯14的邊緣部14a在同一平面上，但是捲芯14的邊緣部14a亦可以分別從接著膜1的捲繞體21中之一個及另一個側面21a突出。亦即，捲芯14的邊緣部14a可以從接著膜1的捲繞體21的側面21a向軸向的兩側突出。

此時，在接著膜1的捲繞體21中，捲芯14的邊緣部14a從一個側面21a的突出量和捲芯14的邊緣部14a從另一個側面21a的突出量可以相等。又，捲芯14的邊緣部14a從接著膜1的捲繞體21中之一個側面21a的突出量可以大於捲芯14的邊緣部14a從另一個側面21a的突出量。即使在這樣的結構中，在使用捲繞在捲芯14上之接著膜1時，亦更加容易進行該接著膜1的位置對準。捲芯14的邊緣部14a從一個側面21a的突出量與捲芯14的邊緣部14a從另一個側面21a的突出量之比率例如可以為0.02～5.00，亦可以為0.04～3.00。

1:接著膜 2:基材層 3:接著層 11:接著膜製造裝置 12:送出輥 13:切割部 14:捲芯 14a:邊緣部 B:母材 R:捲軸體 W1:接著膜的寬度 W2:捲芯的寬度

圖1係表示接著膜的一實施形態之概略剖面圖。 圖2係表示接著膜的另一實施形態之概略剖面圖。 圖3係表示接著膜製造裝置的一實施形態之概略立體圖。 圖4係表示送出輥上之接著膜的母材的捲繞狀態之概略剖面圖。 圖5係表示從切割部朝向捲芯之接著膜的輸送狀態之概略剖面圖。 圖6係表示捲芯上之接著膜的捲繞狀態之俯視圖。 圖7係表示接著膜製造方法的一實施形態之概略立體圖。 圖8係表示接著膜製造裝置的另一實施形態之概略立體圖。

1:接著膜

11:接著膜製造裝置

12:送出輥

13:切割部

14A(14):第1捲芯

14B(14):第2捲芯

16:上軸

17:下軸

18:上葉片

B:母材

R:捲軸體

G1:第1軸

G2:第2軸

Claims (5)

1. 一種接著膜製造裝置，其製造在基材層上具有接著層之接著膜，前述接著膜製造裝置具備： 送出輥，送出前述接著膜的母材； 切割部，將前述接著膜的母材切出預定寬度的複數個接著膜；及 複數個捲芯，捲取前述複數個接著膜中的各者， 前述複數個捲芯中的各者具有比捲取對象的接著膜的寬度大的寬度。
2. 如請求項1所述之接著膜製造裝置，其中 前述複數個捲芯中的各者配置成該捲芯的邊緣部從前述捲取對象的接著膜僅向軸向的單突出。
3. 一種捲軸體，其係將在基材層上具有接著層之接著膜捲繞在捲芯上而成者， 前述捲芯具有比前述接著膜的寬度大的寬度。
4. 如請求項3所述之捲軸體，其中 前述捲芯的邊緣部從前述接著膜的捲繞體的側面僅向軸向的單突出。
5. 如請求項3所述之捲軸體，其中 前述捲芯的邊緣部從前述接著膜的捲繞體的側面向軸向的兩側突出，並且前述軸向的一側的突出量大於另一側的突出量。

Images