TW202147468A

TW202147468A - 使用導電性組成物之電磁波屏蔽封裝體之製造方法

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Publication number: TW202147468A
Application number: TW110106761A
Authority: TW
Inventors: 野口英俊; 津田剛志
Original assignee: 日商拓自達電線股份有限公司
Priority date: 2020-06-10
Filing date: 2021-02-25
Publication date: 2021-12-16
Also published as: TWI819278B; JPWO2021250963A1; JP7328453B2; WO2021250963A1

Abstract

本發明課題係提供一種電磁波屏蔽封裝體之製造方法，其藉由使對形成在密封層之槽部填充的導電性組成物硬化，而可形成與密封層上面呈平滑的間隔屏蔽層。解決手段係一種電磁波屏蔽封裝體之製造方法，具有以下步驟：密封步驟，於基板上搭載複數個電子零件，於該基板上填充密封材且使之硬化，藉此形成用以將上述電子零件密封之密封層；槽形成步驟，於上述複數個電子零件間切削上述密封層，形成槽部；遮蔽步驟，於上述密封層上面，以至少覆蓋上述槽部上面開口部之方式形成保護膜；填充步驟，將用以吐出導電性組成物之裝置之噴嘴前端部刺穿上述保護膜而插入上述槽部內，於上述槽部內填充相當於上述槽部體積之導電性組成物；及硬化步驟，使上述導電性組成物硬化，藉以獲得間隔屏蔽層。

Description

使用導電性組成物之電磁波屏蔽封裝體之製造方法

本發明係關於使用導電性組成物之電磁波屏蔽封裝體之製造方法。

背景技術

於行動電話或平板電腦等電子設備中，由於小型化、高功能化的要求，而尋求將複數個半導體晶片收納於一個封裝體中、作為一個系統來運作的封裝體系(System in Package，SIP)。

於如此的封裝體系中，為了兼具電子設備之小型輕量化與高功能化，而提高電子零件之安裝密度。然而，若提高安裝密度，則有相鄰之電子零件間因為電磁波干擾而發生錯誤動作之虞。

針對上述問題，關於防止電子零件之錯誤動作之方法，已知有如下方法：於利用密封材密封後的電子零件間形成槽部(溝槽)，以導電性組成物填埋該槽部，藉此以於電子零件與電子零件之間設置分隔之方式形成屏蔽層(所謂間隔屏蔽)。

關於在槽部填充導電性組成物之方法，可使用真空印刷工法或分配工法。於此，所謂真空印刷工法係指使用化學纖維的網來製作版，於真空下經由版摩擦墨水，藉此於設置於版下之被印刷物之印刷面進行印刷的方法。又，所謂分配工法係指將導電性組成物從注射器形狀的噴嘴前端擠出進行塗佈的方法。

為了藉由上述方法獲得充分的屏蔽特性，必須使導電性組成物毫無空隙地從槽部底面填充至上面開口部。又，由封裝體系之低高度化等觀點，而要求導電性組成物不要從槽部溢出，且密封層與間隔屏蔽層之表面呈平滑。

然而，使用真空印刷工法時，於印刷時會有導電性組成物從槽部上面開口部溢出之情形。另一方面，於分配工法中，雖然將分配裝置之噴嘴前端部一面沿著槽部於水平方向移動，一面吐出導電性組成物，但於基板有翹曲時，難以使基板與噴嘴前端部之距離保持固定，難以以固定吐出量對槽填充導電性組成物。又，由於所形成之槽部之槽寬或深度存在誤差，故導電性組成物之吐出位置所需要的填充量存在偏差。因此，或因已填充的導電性組成物從槽部上面開口部溢出、或因填充量不足，而難以形成與密封層上面呈平滑的間隔屏蔽層。先行技術文獻專利文獻

[專利文獻1]日本特開平8-153738號公報 [專利文獻2]日本特開2018-56186號公報 [專利文獻3]日本特開平3-269514號公報 [專利文獻4]日本特開平8-124813號公報

發明概要發明欲解決之課題

本發明係鑑於上述而完成者，目的係提供一種電磁波屏蔽封裝體之製造方法，其藉由將導電性組成物對形成在密封層之槽部毫無空隙地從槽部底面填充至上面開口部，且使之硬化，而可形成與密封層上面呈平滑的間隔屏蔽層。

又，於專利文獻1~4中雖然記載有塗佈導電性組成物之方法，但並未記載如本發明般，以覆蓋形成於密封層之槽部上面開口部之方式形成保護膜之方法。用以解決課題之手段

本發明之電磁波屏蔽封裝體之製造方法具有以下步驟：密封步驟，於基板上搭載複數個電子零件，於該基板上填充密封材且使之硬化，藉此形成用以將上述電子零件密封之密封層；槽形成步驟，於上述複數個電子零件間切削上述密封材，形成槽部；遮蔽步驟，於上述密封層上面，以至少覆蓋上述槽部上面開口部之方式形成保護膜；填充步驟，將用以吐出導電性組成物之裝置之噴嘴前端部刺穿上述保護膜而插入上述槽部內，於上述槽部內填充相當於上述槽部體積之導電性組成物；及硬化步驟，使上述導電性組成物硬化，藉以獲得間隔屏蔽層。

本發明之電磁波屏蔽封裝體之製造方法亦可在位於上述槽部末端部之上述保護膜設置有用以排氣之孔。

本發明之電磁波屏蔽封裝體之製造方法亦可為於上述填充步驟中，在吐出相當於上述槽部體積之導電性組成物後，一面將上述噴嘴前端部從上述槽部拉出，一面吐出相當於曾插入至上述槽部之噴嘴前端部體積的導電性組成物。發明效果

根據本發明之電磁波屏蔽封裝體之製造方法，可獲得屏蔽性優異、具有與密封層上面呈平滑的間隔屏蔽層之電磁波屏蔽封裝體。

用以實施發明之形態

本發明之一實施形態之電磁波屏蔽封裝體之製造方法，如上所述，具有以下步驟：密封步驟，於基板上搭載複數個電子零件，於該基板上填充密封材使之硬化，藉此形成用以將上述電子零件密封之密封層；槽形成步驟，於上述複數個電子零件間切削上述密封層，形成槽部；遮蔽步驟，於上述密封層上面，以至少覆蓋上述槽部上面開口部之方式形成保護膜；填充步驟，將用以吐出導電性組成物之裝置之噴嘴前端部刺穿上述保護膜而插入上述槽部內，於上述槽部內填充相當於上述槽部體積之導電性組成物；及硬化步驟，使上述導電性組成物硬化，藉此獲得間隔屏蔽層。

上述密封步驟並無特別限定，可依照常法實施。於此所使用之密封材可使用一般所使用者，並無特別限定。

上述槽形成步驟並無特別限定，可依照常法實施。於先前之真空印刷工法或分配工法中，由防止導電性組成物從槽部上面開口部溢出之觀點，槽部形狀採用槽部上面開口部的槽寬比槽部底面的槽寬更寬的形狀(所謂的二段溝槽)，但根據本實施形態之製造方法，並不限定於此，可採用各種多樣形狀。

上述遮蔽步驟只要以至少上述槽部上面開口部獲覆蓋之方式形成保護膜即可。

保護膜可根據導電性組成物之組成或導電性組成物之硬化溫度、填充導電性組成物時之裝置設定、填充體積、槽部之設計而適當選擇。關於保護膜之材質，可使用一般所使用者，並無特別限定，可列舉：聚乙烯、聚酯、聚矽氧橡膠、聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二酯、尼龍、聚伸苯硫醚、氟樹脂、聚醚醚酮等。關於此種的保護膜，例如可使用3M日本股份有限公司製「7414」等。

使用圖1說明上述填充步驟。圖1係顯示採用已於基板10上形成接地電路11、且基板10及接地電路11已藉密封層12所密封、並於密封層12形成有槽部13者，而於該槽部13內填充導電性組成物15之步驟的圖。於本實施形態中，由於使用圓錐台狀的噴嘴前端部16，故若欲一次刺穿保護膜14，恐會有保護膜14拉伸而於保護膜14與噴嘴前端部16之間產生間隙，導電性組成物15從該間隙洩漏之虞。因此，首先如圖1(a)、(b)所示，將噴嘴前端部16對已形成有保護膜14的槽部13一鼓作氣壓入，於保護膜14賦型。此時的壓入量或壓入速度可根據噴嘴前端部16的形狀或槽部13的形狀、保護膜14的種類而適當調整。然後，將噴嘴前端部16暫時離開基板10。再者，於本說明書中所謂「壓入量」係指密封層上面與插入至槽部之噴嘴前端部的距離。

接著，如圖1(c)、(d)所示，將噴嘴前端部16對槽部13慢慢地壓入，刺穿保護膜14。藉由如此分二次壓入，可於保護膜14與噴嘴前端部16之間不產生間隙地將噴嘴前端部16刺穿保護膜14。此時的壓入量或壓入速度可根據噴嘴前端部16的形狀或槽部13的形狀、保護膜14的種類而適當調整，但宜為壓入量比第一次的壓入大、壓入速度比第一次的壓入慢。

如圖1(e)所示，吐出相當於槽部13體積的導電性組成物15。吐出的導電性組成物15填充至由槽部13與覆蓋槽部13開口部的保護膜14所劃出的空間的每個角落。於先前的分配工法中，在槽部13之縱橫比(深度/槽寬)較大時，難以無空隙地填充導電性組成物15，但根據本實施形態之填充方法，即使對例如縱橫比為10~20之槽部13亦可無空隙地填充導電性組成物15。

如圖1(e)所示，填充導電性組成物15時，根據噴嘴前端部16的形狀或噴嘴前端部16對槽部13的壓入量等的不同，有產生相當於插入槽部13的噴嘴前端部16的體積的凹部之情形。此時，視需要如圖1(f)所示，藉由一面將噴嘴前端部16從槽部13拔出，一面吐出相當於曾插入至槽部13之噴嘴前端部16體積的導電性組成物15，藉此可填埋相當於所插入的噴嘴前端部16體積的凹部。

吐出導電性組成物15時使用的裝置，只要為可使用於分配工法者，則並無特別限定，可例舉：於Nordson ASYMTEK公司製的分配器「S2-920N-P」使用閥「DV-8000」者。吐出導電性組成物15時之裝置設定，例如閥溫度、基板溫度可根據導電性組成物15之組成或黏度等而適當調整。

吐出導電性組成物15的速度(每1秒的吐出量)可根據形成在密封層12之槽部13的形狀或導電性組成物15的黏度等而適當調整。

導電性組成物15只要為可用於形成間隔(compartment)屏蔽層20者即可，並無特別限定，但宜為不包含溶劑者。包含溶劑時，恐有溶劑在導電性組成物15硬化時揮發而產生空隙之虞。

又，於先前之分配工法中，由填充性等觀點，需要將導電性組成物之25℃下的黏度調整至600dPa･s以下，但根據本實施形態之填充方法，即使具有更高黏度之導電性組成物亦可使用。具體而言，可根據所使用之裝置之種類、或形成於密封層12之槽部13之形狀等而適當調整，但作為一般的標準，導電性組成物15在25℃下的黏度宜為1500dPa･s以下、較佳為1000dPa･s以下。為1500dPa･s以下時，可從插入之噴嘴前端部16沿著槽部13流入導電性組成物15，容易獲得朝槽部13的優異的填充性。再者，黏度之測定方法可根據JIS K7117-1，利用單一圓筒形旋轉黏度計(所謂B型或BH型黏度計)使用轉子No.7以10rpm進行測定。只要為可利用單一圓筒形旋轉黏度計測定的黏度，再低也沒有問題。

上述硬化步驟只要根據所使用的導電性組成物15適當設定硬化條件即可，並無特別限定。再者，保護膜14宜於硬化步驟後剝離。

根據本實施形態之電磁波屏蔽封裝體之製造方法，可將導電性組成物15無空隙地填充至槽部13的每個角落，導電性組成物15亦不會從槽部13上面開口部溢出或產生凹陷，藉由使導電性組成物15硬化，可不進行研磨等即獲得與密封層12上面沒有階差的平滑的間隔屏蔽層20。

又，於先前之分配工法中，例如對於放射狀延伸的形狀或S字等彎曲形狀般具有複雜形狀的槽部13，填充導電性組成物15時，需要以較高的位置精度來控制噴嘴前端部16。於本實施形態之電磁波屏蔽封裝體之製造方法中，與先前之分配工法不同，由於只要使噴嘴前端部16相對於基板10上下地移動即可，不需要沿著槽部13水平方向地移動，故即使槽部13具有如上述般複雜形狀時，亦可簡單且無空隙地填充導電性組成物15、使之硬化，藉此，可獲得具有優異屏蔽性、且與密封層12上面呈平滑的間隔屏蔽層20。

＜變化例＞於上述實施形態中，說明藉由分二次壓入噴嘴前端部16，而於保護膜14與噴嘴前端部16之間不產生間隙地將噴嘴前端部16刺穿保護膜14之例，但並不限定於此，可使用預先開孔的保護膜14，又，亦可具有使用針等於保護膜14開孔的步驟。

又，由於使用噴嘴前端部16之形狀為圓錐台狀者，故有保護膜14拉伸、於保護膜14與噴嘴前端部16之間產生間隙之虞，但根據噴嘴前端部16形狀的不同，亦有保護膜14與噴嘴前端部16之間無產生間隙之虞的情形。具體而言，可舉例：噴嘴前端部16之形狀如注射針般地前端部傾斜地切斷，切斷面具有刀面。使用如此的噴嘴時，由於容易將噴嘴前端部16刺穿保護膜14，故保護膜14與噴嘴前端部16之間無產生間隙之虞，因此，不需要將噴嘴前端部16分二次壓入。

本發明之電磁波屏蔽封裝體之製造方法亦可為於位於槽部13末端部的保護膜14設置用以排氣的孔。即使槽部13只在密封層12上面開口(槽部13於密封層12之側面不連通)，且槽部13上面開口部被保護膜14完全地密閉時，藉由如此於保護膜14設置用以排氣的孔，可將伴隨著填充導電性組成物15而無處可去的空氣排出到槽部13外，而可將導電性組成物15無空隙地填充至槽部13之各個角落。

本發明之電磁波屏蔽封裝體之製造方法亦可為具有以下步驟者：將保護膜14剝除後，於封裝體表面塗佈導電性組成物並使之硬化，而於封裝體表面形成屏蔽層的步驟；及使各電子零件之封裝體單片化的步驟。

具體而言，根據封裝體系之設計，如於圖2(a)中箭頭所示，於未形成有間隔屏蔽層20之電子零件30間切削密封層12而形成槽部，藉由此等槽部使基板10之電子零件30之封裝體個別化。符號A表示分別經個別化的封裝體。接地電路11之至少一部分從構成槽的壁面露出，槽底部並未完全地貫通基板10。

接著，如圖2(b)所示，藉由周知的噴槍等霧狀地噴射導電性組成物，均勻地塗佈於封裝體表面。然後，進行加熱使導電性組成物充分地硬化，於封裝體表面形成屏蔽層23。塗佈導電性組成物之方法並不限定於噴霧塗佈，可為真空印刷工法等方法，且亦可為藉由金屬鍍覆法等形成金屬層作為屏蔽層23。

接著，如於圖2(c)中箭頭所示，藉由切割機(dicing saw)等沿著單片化前的封裝體的槽底部將基板10切斷，獲得經單片化的封裝體B。

於圖2中，顯示接地電路11與屏蔽層23連接的電磁波屏蔽封裝體的構造，但亦可為接地電路11與間隔屏蔽層20連接的構造、接地電路11與間隔屏蔽層20及屏蔽層23兩者連接的構造。

再者，於圖2(a)中，雖然切削接地電路11與密封層12而形成槽部，但並不限定於此，亦可僅切削密封層12而形成槽部。藉由如此形成槽部，可使接地電路11從經單片化的封裝體B的側面露出。

＜導電性組成物＞關於適合作為間隔屏蔽用的導電性組成物，可舉例：包含二聚酸型環氧樹脂5~20質量份且相對於環氧樹脂100質量份含有導電性填料400~800質量份者。

二聚酸型環氧樹脂以外的環氧樹脂可為於分子內具有1個以上環氧基者，亦可併用2種以上。關於具體例，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、溴化環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、環氧丙基醚型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、雜環式環氧樹脂等，此等之中，較佳為含有環氧丙基胺型環氧樹脂或環氧丙基醚型環氧樹脂者。

二聚酸型環氧樹脂以外的環氧樹脂的環氧當量並無特別限定，宜為1500g/eq以下、較佳為20~1000g/eq。環氧當量為上述範圍內時，容易獲得耐熱性、黏性、密著性之平衡良好的導電性組成物。

二聚酸型環氧樹脂可為於分子內具有1個以上環氧基之環氧樹脂且二聚酸經改質者，可舉二聚酸之環氧丙基改質化合物等為例，亦可併用2種以上。關於此等樹脂，例如可使用下述通式(1)、(2)所示者。

[化學式1]

式(1)、(2)中的n1~n5分別獨立地表示3~9的整數。

n1表示3~9的整數、以4~8的整數為佳、較佳為5~7、更佳為7。n2表示3~9的整數、以5~9的整數為佳、較佳為7或8、更佳為7。n3表示3~9的整數、以4~8的整數為佳、較佳為6或7、更佳為6。n4表示3~9的整數。n5表示3~9的整數、以4~8的整數為佳、較佳為5或6、更佳為5。

藉由含有如此的二聚酸型環氧樹脂，導電性組成物的黏度或觸變指數(TI值)容易變低，容易獲得朝形成在密封層12的槽部13的優異填充性。

二聚酸型環氧樹脂之環氧當量並無特別限定，宜為80~1500g/eq、較佳為200~1000g/eq。環氧當量為上述範圍內時，容易獲得耐熱性、黏性、密著性之平衡良好的導電性組成物。

導電性填料之含量只要相對於環氧樹脂100質量份為400~800質量份即可，並無特別限定，但較佳為450~600質量份。為上述範圍內時，容易獲得屏蔽特性或朝形成在密封層12的槽部13的填充性優異的導電性組成物。

導電性填料宜為銅粉、銀粉、金粉、銀被覆銅粉或銀被覆銅合金粉，此等之中可單獨使用一種，亦可併用二種以上，由降低成本之觀點，較佳為銅粉、銀被覆銅粉或銀被覆銅合金粉。

銀被覆銅粉係具有銅粉、與被覆該銅粉粒子至少一部分的銀層或含銀層者，銀被覆銅合金粉係具有銅合金粒子、與被覆該銅合金粒子至少一部分的銀層或含銀層者。銅合金粒子例如鎳含量為0.5~20質量%、且鋅含量為1~20質量%、剩餘部分由銅構成，剩餘部分的銅亦可包含不可避免的雜質。藉由如此使用具有銀被覆層的銅合金粒子，可獲得屏蔽性及耐變色性優異的電磁波屏蔽封裝體。

關於導電性填料的形狀，例如可列舉：片狀(鱗片狀)、樹枝狀、球狀、纖維狀、不規則形狀(多面體)等，由獲得電阻值較低、屏蔽性更加提高的屏蔽層且提高填充性之觀點，較佳為球狀。

關於導電性填料，宜為平均粒徑為1~8μm的導電性填料、較佳為併用平均粒徑為4~8μm的導電性填料(A)與平均粒徑較導電性填料(A)小2μm以上的導電性填料(B)。於此，所謂平均粒徑係指利用雷射繞射散射式粒度分布測定法測得的以個數為基準的平均粒徑D50(中值粒徑)。

導電性填料(A)藉由平均粒徑為4~8μm，分散性為良好且可防止凝集，封裝體與接地電路之連接性及屏蔽特性容易為良好。

藉由導電性填料(B)之平均粒徑比導電性填料(A)小2μm以上，由於可填充導電性填料(A)彼此之間隙，故可使對於100MHz~1GHz的電磁波的屏蔽性提高，且可獲得低黏度的導電性組成物。

導電性填料(A)與導電性填料(B)之含有比率((A)：(B))，以質量比計宜為97：3~50：50、較佳為95：5~70：30。

又，導電性填料(A)為球狀時，導電性填料(A)之振實密度宜為3.5~7.0g/cm³ 。振實密度為上述範圍內時，屏蔽層的導電性更容易為良好。

又，導電性填料(B)為球狀時，導電性填料(B)之振實密度宜為3.5~7.0g/cm³ 。振實密度為上述範圍內時，屏蔽層的導電性更容易為良好。

較佳之一實施形態的導電性組成物亦可為含有環氧樹脂硬化劑者。關於環氧樹脂硬化劑，可列舉：酚系硬化劑、咪唑系硬化劑、胺系硬化劑、陽離子系硬化劑等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。

關於酚系硬化劑，例如可列舉：苯酚酚醛、萘酚系化合物等。

關於咪唑系硬化劑，例如可列舉：咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-苯基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基-咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑。

關於胺系硬化劑，例如可列舉：二伸乙三胺、三伸乙四胺等脂肪族多胺、間苯二胺、二胺基二苯甲烷、二胺基二苯基碸等芳香族多胺。

關於陽離子系硬化劑之例，可列舉以下列諸等為代表的鎓系化合物：三氟化硼的胺鹽、對甲氧基苯重氮鎓六氟磷酸鹽、二苯基錪六氟磷酸鹽、三苯基鋶鹽、四正丁基鏻四苯硼酸鹽、四正丁基鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸鹽。

硬化劑的含量宜相對於環氧樹脂100質量份為0.3~40質量份、較佳為0.5~35質量份。硬化劑之含量為0.3質量份以上時，導電性組成物可充分地硬化，容易獲得導電性為良好且屏蔽效果優異的屏蔽層，硬化劑之含量為40質量份以下時，容易獲得保存穩定性優異的導電性組成物。

較佳一實施形態的導電性組成物亦可為含有消泡劑、增稠劑、黏著劑、填充劑、阻燃劑、著色劑等周知的添加劑。 [實施例]

以下，基於實施例詳細地說明本發明之內容，但本發明並不限定於以下實施例。又，於以下，除非另有說明，「份」或「%」為質量基準。

[導電性組成物之調製] 將以下所示之環氧樹脂(a)48質量份、環氧樹脂(b)42質量份、二聚酸型環氧樹脂10質量份、導電性填料(A)450質量份、導電性填料(B)50質量份、硬化劑(a)6質量份及硬化劑(b)11質量份混合，獲得導電性組成物。使用的各成分的細節如下。

･環氧樹脂(a)：環氧丙基胺型環氧樹脂、(股)ADEKA製「EP-3905S」、環氧當量=95g/eq ･環氧樹脂(b)：環氧丙基醚型環氧樹脂、(股)ADEKA製「ED502」、環氧當量=320g/eq ･二聚酸型環氧樹脂：使用於上述式(2)中n1=7、n2=7、n4=4、n5=5者。･導電性填料(A)：銀粒子、D50=4μm、球狀･導電性填料(B)：銀粒子、D50=2μm、球狀･硬化劑(a)：咪唑系硬化劑、四國化成工業(股)製「2E4MZ」･硬化劑(b)：苯酚酚醛系硬化劑、荒川化學工業(股)製「Tamanol 758」

依循JIS K7117-1，利用單一圓筒形旋轉黏度計(所謂B型黏度計)使用轉子No.7以10rpm測定上述所獲得之導電性組成物於25℃下的黏度，結果黏度為780dPa･s。

[實施例] 使用圖3所示之樣本基板，藉由本發明之電磁波屏蔽封裝體之製造方法製作樣本1。作為樣本基板，使用於基板10上形成有接地電路11、且基板10及接地電路11已藉密封層12所密封並於密封層12形成有槽部13者。

將3M日本股份有限公司製的「7414」以覆蓋上述樣本基板之槽部13上面之方式黏貼。然後，使用Nordson ASYMTEK公司製的分配器「S2-920N-P」及閥「DV-8000」，首先以壓入速度300mm/秒、壓入量0.05mm將噴嘴前端部壓入槽部13，維持0.1秒，將噴嘴前端部暫時離開槽部13後，再度以壓入速度5mm/秒、壓入量0.08mm將噴嘴前端部壓入槽部13，刺穿保護膜14。接著，將上述獲得之導電性組成物以如下條件填充於槽部13。

＜分配裝置之設定＞吐出量：1.3×10^-4 cm³ /秒噴嘴內徑：75μm 樣本基板與噴嘴前端部之距離：0.08mm(噴嘴前端部插入於槽部13)

＜比較例＞使用圖3所示之樣本基板，利用先前之分配工法將上述獲得之導電性組成物朝槽部13填充。裝置使用與上述實施例相同者。裝置設定如下。

＜分配裝置之設定＞吐出量：1.3×10^-4 cm³ /秒噴嘴內徑：75μm 樣本基板與噴嘴前端部之距離：0.05mm(噴嘴前端部不插入槽部13) 噴嘴進給速度：1.2mm/秒

將獲得之樣本1、2於80℃加熱60分鐘，進而於160℃加熱60分鐘，藉此使導電性組成物硬化。就獲得之樣本1、2，於硬化後使用YXLON International公司製的X射線透過裝置「Y.Cheetah μHD」按以下的測定條件觀察槽部13，確認有無空隙。

於實施例中，如圖4~6所示，可知導電性組成物無空隙地從槽部底面填充至上面開口部，且間隔屏蔽層上面部21不進行研磨等即獲得了與密封層上面呈平滑的間隔屏蔽層。

另一方面，於比較例中，如圖7、8所示，於間隔屏蔽層上面部21中，導電性組成物從槽部溢出，導電性組成物不能充分地填充於槽部，產生凹部。

又，如圖8、9所示，導電性組成物未充分地填充於間隔屏蔽層底面部22，產生空隙。於圖9之X射線照片中，可知間隔屏蔽層20之上側表示上面部21、下側表示底面部22，由於底面部22並非直線狀，故於底面部22大範圍地產生空隙。

10:基板 11:接地電路 12:密封層 13:槽部 14:保護膜 15:導電性組成物 16:噴嘴前端部 20:間隔屏蔽層 21:間隔屏蔽層上面部 22:間隔屏蔽層底面部 23:屏蔽層 30:電子零件 A:於基板上經個別化的封裝體 B:經單片化的屏蔽封裝體

圖1係顯示本發明一實施形態之製造方法之填充步驟的示意圖。圖2係顯示本發明一實施形態之製造方法之於封裝體表面形成屏蔽層之步驟的示意圖。圖3係於實施例中使用的樣本基板的密封層所形成的槽部的示意剖面圖。圖4係於實施例中作成之樣本1的俯視照片。圖5係於實施例中作成之樣本1的剖面照片。圖6係從斜45°上方拍攝於實施例中作成之樣本1的X射線照片。圖7係於比較例中作成之樣本2的俯視照片。圖8係於比較例中作成之樣本2的剖面照片。圖9係從斜45°上方拍攝於比較例中作成之樣本2的X射線照片。

10:基板

11:接地電路

12:密封層

13:槽部

14:保護膜

15:導電性組成物

16:噴嘴前端部

Claims

一種電磁波屏蔽封裝體之製造方法，具有以下步驟：密封步驟，於基板上搭載複數個電子零件，於該基板上填充密封材且使之硬化，藉此形成用以將前述電子零件密封之密封層；槽形成步驟，於前述複數個電子零件間切削前述密封層，形成槽部；遮蔽步驟，於前述密封層上面，以至少覆蓋前述槽部上面開口部之方式形成保護膜；填充步驟，將用以吐出導電性組成物之裝置之噴嘴前端部刺穿前述保護膜而插入前述槽部內，於前述槽部內填充相當於前述槽部體積之導電性組成物；及硬化步驟，使前述導電性組成物硬化，藉以獲得間隔屏蔽層。
如請求項1之電磁波屏蔽封裝體之製造方法，其在位於前述槽部末端部之前述保護膜設置有用以排氣之孔。
如請求項1或2之電磁波屏蔽封裝體之製造方法，其中前述填充步驟中，在吐出相當於前述槽部體積之導電性組成物後，一面將前述噴嘴前端部從前述槽部拉出，一面吐出相當於曾插入至前述槽部之前述噴嘴前端部體積的導電性組成物。