TW202146684A - 具有雙可旋轉護套的多陰極處理腔室 - Google Patents
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Abstract
此處提供在處理腔室中使用的處理套件的實施例。在某些實施例中,在多陰極處理腔室中使用的處理套件包括:第一可旋轉護套,耦合至第一桿,其中第一可旋轉護套包括底座,從底座向下且徑向向外延伸的錐形部分,及穿過錐形部分形成的一或更多孔洞,其中一或更多孔洞並無直徑上相對的兩個孔洞;及第二可旋轉護套,耦合至與第一桿同心的第二桿,其中第二可旋轉護套佈置於第一可旋轉護套中,且其中第一可旋轉護套配置成獨立於第一可旋轉護套而旋轉。
Description
本揭露案的實施例大致關於基板處理裝備。
已知用於半導體設備移除或建立材料層的各種方法及裝置。物理氣相沉積(PVD)腔室常常在半導體工業中使用。在半導體製作中的PVD通常以所欲膜材料製成的標靶實行。在合金的情況中,標靶通常以合金組成以濺射。在新的非揮發性記憶體的情況中,使用不同成分的合金。如此,在多陰極(例如,多標靶)PVD腔室中的多重標靶經利用以沉積不同材料。
為了在低壓(例如,<1 mTorr)下於多陰極PVD腔室中沉積處理,可增加壓力以點燃電漿,且接著減少用於沉積處理。然而,於減少壓力佔用的時間期間在基板上可發生非所欲的沉積。再者,來自多重標靶的不同材料可在相同時間沉積(例如,共同濺射)。此外,多陰極PVD腔室可能需要開啟以移除或替換硬體,用於後續不同材料的沉積至基板上。
因此,發明人已提供處理基板的強化的裝置及方法的實施例。
此處提供在處理腔室中使用的雙可旋轉護套的實施例。在某些實施例中,在多陰極處理腔室中使用的雙可旋轉護套包括:第一可旋轉護套,耦合至第一桿,其中第一可旋轉護套包括底座,從底座向下且徑向向外延伸的錐形部分,及穿過錐形部分形成的一或更多孔洞,其中一或更多孔洞並無直徑上相對的兩個孔洞;及第二可旋轉護套,耦合至與第一桿同心的第二桿,其中第二可旋轉護套佈置於第一可旋轉護套中,且其中第一可旋轉護套配置成獨立於第一可旋轉護套而旋轉。
在某些實施例中,一種在多陰極處理腔室中使用的處理套件,包括:第一可旋轉護套,耦合至第一桿,其中第一可旋轉護套包括具有管狀主體的底座,從管狀主體向下且徑向向外延伸的錐形部分,及穿過錐形部分形成的一或更多孔洞;及第二可旋轉護套,耦合至與第一桿同心的第二桿,其中第二可旋轉護套包括佈置於第一可旋轉護套的底座的管狀主體中的第二底座,及從第二底座向下且徑向向外延伸的錐形部分,且其中第一可旋轉護套配置成獨立於第一可旋轉護套而旋轉。
在某些實施例中,一種多陰極處理腔室包括:基板支撐件,以支撐基板;複數個陰極,耦合至多陰極處理腔室的上部部分,且具有待濺射至基板上的相對應複數個標靶;及處理套件,佈置於多陰極處理腔室之中,其中處理套件包含:第一可旋轉護套,耦合至第一桿,其中第一可旋轉護套包括錐形部分,及穿過錐形部分形成的一或更多孔洞;及第二可旋轉護套,佈置於第一可旋轉護套的錐形部分中,其中第二可旋轉護套包括第二底座,及從第二底座向下且徑向向外延伸的錐形部分,其中第二可旋轉護套耦合至與第一桿同心的第二桿,且其中第一可旋轉護套配置成獨立於第一可旋轉護套而旋轉,以將基板支撐件選擇性暴露至複數個陰極的一或更多陰極。
以下說明本揭露案的其他及進一步實施例。
此處提供在具有多重標靶的多陰極PVD腔室中使用的處理套件的實施例。此處所揭露的處理套件可有利地最小化或消除標靶之間的交叉污染。在某些實施例中,多陰極PVD腔室包括複數個陰極或標靶(例如,5個陰極)附接至頂部配接器。基於所使用的標靶材料,各個陰極可具有DC/脈衝、DC或RF電源供應器,及相關聯的磁控管。各個陰極亦具有罩管(為長的管子),而不會阻擋從標靶至晶圓的視線。處理套件包括在腔室的中心中提供而藉由所有陰極共享的第一可旋轉護套。取決於在相同時間需要濺射的標靶的數量,第一可旋轉護套可具有一或更多孔洞。環繞各個標靶的罩管有利地捕獲並非意圖朝向晶圓且因此可能會落在晶圓上的大多數標靶通量,因此顯著地最小化標靶交叉污染。在某些實施例中,罩管材料及表面處置可訂製為待濺射的特定標靶材料,因此強化缺陷表現。
在某些實施例中,處理套件包括第二可旋轉護套,以充當屏蔽層,以在多陰極PVD腔室中減少壓力的同時降低或避免非所欲的沉積至基板上。在某些實施例中,第二可旋轉護套包括與第一可旋轉護套的一或更多孔洞選擇性對齊或不對齊(即,偏移)的一或更多孔洞,以從多重標靶選擇性共同濺射所欲的材料至基板上。
第1圖根據本揭露案的某些實施例,描繪多陰極PVD腔室(處理腔室100)的概要剖面視圖。處理腔室100包括耦合至處理腔室100的上部部分115的複數個陰極102(例如,五個陰極),處理腔室100具有處理套件150及基板支撐件110佈置於處理腔室100的內部空間125之中在複數個陰極102下方。在某些實施例中,基板支撐件110可為旋轉基座。在某些實施例中,基板支撐件110可垂直地可移動。
複數個陰極102可用於在基板108上濺射不同材料。在某些實施例中,基板108為具有用於製作積體電路的半導體材料的結構。舉例而言,基板108可代表半導體結構,包括晶圓。
在某些實施例中,處理套件150包括第一可旋轉護套106,以選擇性覆蓋複數個陰極102的一或更多者。在某些實施例中,第一可旋轉護套106包括底座109,從底座109向下且徑向向外延伸的錐形部分111,及穿過錐形部分形成的一或更多孔洞104。在某些實施例中,錐形部分111線性地向下且徑向向外延伸。陰極102之各者藉由第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104而暴露,第一可旋轉護套106佈置於基板支撐件110上的基板108上方。來自陰極102的材料可藉由一或更多孔洞104沉積至基板108上。在某些實施例中,第一可旋轉護套106以鋁製成。
電源供應器112可耦合至複數個陰極102之各者。電源供應器112可包括直流(DC)、脈衝的DC或射頻(RF)電源。第一可旋轉護套106可暴露複數個陰極102的二或更多者,且遮護其餘陰極在濺射期間避免交叉污染。交叉污染來自從陰極102之一者至陰極102之另一者的沉積材料的物理運動或傳送。各個陰極102定位於相對應標靶114上。為了濺射選擇的標靶,旋轉第一可旋轉護套106以暴露待濺射的選擇的標靶。標靶114可為所欲待濺射至基板108上的任何材料的形式。
處理套件150包括佈置於第一可旋轉護套106及基板支撐件110之間的第二可旋轉護套107。在某些實施例中,第二可旋轉護套107佈置於第一可旋轉護套106的錐形部分111中。第二可旋轉護套107包括第二底座162,及從底座向下且徑向向外延伸的錐形部分164。在某些實施例中,錐形部分164以類似於第一可旋轉護套106的錐形部分111的角度延伸。在某些實施例中,第二底座162佈置於底座109中。在某些實施例中,如第1圖中所顯示,第二可旋轉護套107的錐形部分164延伸至介於第二底座162及穿過第一可旋轉護套106的錐形部分111形成的一或更多孔洞104之間的地點。在某些實施例中,第二可旋轉護套107包括從錐形部分164的部分徑向向外且向下延伸的閉板部分168,其中閉板部分168經尺寸設計以覆蓋第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104之一者。在某些實施例中,第二可旋轉護套107以鋁製成。
第一馬達131透過第一桿132耦合至第一可旋轉護套106,以促進第一可旋轉護套106的旋轉。第二馬達141透過與第一桿132同心的第二桿142耦合至第二可旋轉護套107。在某些實施例中,第二桿142佈置於第一桿132的中心開口之中。第二可旋轉護套107配置成獨立於第一可旋轉護套106而旋轉。
在某些實施例中,處理套件150進一步包括相對應至各個陰極102的罩管126(為長的管子),而不會阻擋從標靶114至佈置於基板支撐件110上的基板的視線。各個罩管126相對於基板支撐件110的平面具有角度,而以約20至90度的角度130提供陰極102。不同值的角度130在基板的表面上提供不同的均勻性輪廓。角度130在標靶114之一者的平面及基板支撐件110的平面之間量測。在某些實施例中,角度130為約30度。在某些實施例中,角度130替代地為約40度。各個罩管配置成捕獲並非意圖朝向且因此可能會落在基板108上的大多數標靶通量。如此,各個罩管126顯著地最小化標靶交叉污染。此外,罩管材料及罩管的表面處置可訂製為特定標靶材料,因此強化缺陷表現。
在某些實施例中,處理套件150進一步包括錐形護套118及覆蓋環120。如第1圖中所描繪,錐形護套118的頂部區段配置成環繞第一可旋轉護套106的下部部分,且錐形護套118的底部區段配置成環繞基板支撐件110。在基板108移動進出腔室之前,基板108可在佈置於處理腔室100的下部部分上的錐形護套118下方移動。覆蓋環120佈置於錐形護套118的頂部上,且環繞基板108。當基板支撐件110向下移動時,在基板108移動離開腔室之前可以機械手臂(未顯示)向上舉升基板108。
覆蓋環120可包括向上彎曲的環部分122,且具有預定厚度以形成盤或碗,其中可佈置基板而具有環部分122環繞且佈置於基板108上方。覆蓋環120亦可包括相對於錐形護套118的預定間隙124及預定長度。因此,當材料沉積於基板108上時,避免或實質上避免材料沉積於基板支撐件110下方或錐形護套118的外側。如所述地控制材料的沉積有利地避免或降低至基板108或在處理腔室之中污染物的散佈。
第2A及2B圖根據本揭露案的實施例,分別描繪在第一位置及第二位置中的第二可旋轉護套107。為了在處理腔室100之中點燃用於低壓沉積處理的電漿,在內部空間125中的壓力可初始增加(例如,藉由流動更多處理氣體)以在罩管126中或靠近罩管126點燃電漿,且接著壓力可降低至所欲壓力(例如,< 1 mTorr)用於低壓沉積處理。然而,在降低壓力至所欲壓力佔用的時間期間,於基板108上可能發生非所欲的沉積。在某些實施例中,第二可旋轉護套107有利地可旋轉至第一位置,以選擇性覆蓋第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104,以在處理腔室100下降壓力的同時避免非所欲的沉積至基板108上。第二可旋轉護套107可旋轉至第二位置,以藉由第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104將基板108暴露至陰極102。
在某些實施例中,如第2A及2B圖中所顯示,第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104包含單一孔洞。在某些實施例中,第二可旋轉護套107配置成在中心軸202四周旋轉,以覆蓋一或更多孔洞104的單一孔洞。中心軸202為第一桿132及第二桿142的旋轉軸。第二可旋轉護套107相對於中心軸202以角度204旋轉,以從第一位置行進至第二位置。在某些實施例中,角度204為約80度至約120度。
在某些實施例中,第二可旋轉護套107的閉板部分168經尺寸設計以選擇性覆蓋第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104的單一一者。在某些實施例中,隨著閉板部分168從錐形部分164徑向向外且向下延伸,閉板部分168在寬度206上增加。在某些實施例中,從錐形部分164至閉板部分168的徑向最外部分,閉板部分168在寬度206上增加且接著在寬度206上減少。
第3圖根據本揭露案的某些實施例,描繪多陰極PVD腔室(處理腔室100)的概要側視圖。在某些實施例中,第二可旋轉護套107包括與第一可旋轉護套的一或更多孔洞104選擇性對齊或不對齊(即,偏移)的二或更多孔洞302,以從多重標靶114選擇性共同濺射所欲材料至基板108上。在某些實施例中,第二可旋轉護套107的一或更多孔洞302穿過錐形部分164而形成。在某些實施例中,如第3圖中所顯示,第二可旋轉護套107的錐形部分164從第二底座162延伸至超過穿過第一可旋轉護套106的錐形部分111形成的一或更多孔洞104的地點。
在某些實施例中,第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104並非對稱地安排。亦即,當第一可旋轉護套106相對於中心軸202旋轉180度時,一或更多孔洞104的位置不會匹配在旋轉之前的位置。在某些實施例中,一或更多孔洞302並無兩個孔洞為直徑上相對的。在某些實施例中,第二可旋轉護套107的一或更多孔洞302並非對稱地安排。亦即,當第二可旋轉護套107相對於中心軸202旋轉180度時,一或更多孔洞302的位置不會匹配在旋轉之前的位置。在某些實施例中,一或更多孔洞302並無兩個孔洞為直徑上相對的。
第4圖根據本揭露案的某些實施例,描繪第一可旋轉護套106的等距視圖。在某些實施例中,第一可旋轉護套106包括底座109及從底座109向下且徑向向外延伸的錐形部分111。在某些實施例中,底座109包括上部部分400,具有以蓋406覆蓋的管狀主體410。在某些實施例中,孔洞402形成於蓋406中,以允許第二桿142通過蓋406且促進第二可旋轉護套107的旋轉。在某些實施例中,蓋406包括在孔洞402四周的凹槽的表面404,以容納第一桿132。在某些實施例中,凹槽的表面404包括複數個孔洞,以將第一可旋轉護套106緊固至第一桿132,以從第一桿132施加旋轉至第一可旋轉護套106。
在某些實施例中,底座109包括從管狀主體410的下部表面徑向向外延伸的壁架414。在某些實施例中,底座109包括從壁架414的外部邊緣向下延伸至第一可旋轉護套106的錐形部分111的腿部420。在某些實施例中,腿部420的外部表面與管狀主體410的外部表面408同心。在某些實施例中,管狀主體410包括延伸通過外部表面408的切口416,以提供對管狀主體410之中的空間的側面進出。
在某些實施例中,第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104為蛋形,以相對應至罩管126的形狀。在某些實施例中,第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104為圓形或橢圓形。在某些實施例中,第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104為三個孔洞。在某些實施例中,一或更多孔洞104的三個孔洞安排成與三個鄰接陰極102相對應。
第5圖根據本揭露案的某些實施例,描繪第二可旋轉護套107的等距視圖。在某些實施例中,第二可旋轉護套107經尺寸設計以覆蓋第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104的二或更多孔洞。在某些實施例中,第二可旋轉護套107的一或更多孔洞302可為兩個或三個孔洞,以暴露一或更多陰極102。在某些實施例中,如第5圖中所顯示,第二可旋轉護套107的一或更多孔洞302包含三個孔洞。在某些實施例中,一或更多孔洞302的三個孔洞安排成與三個鄰接陰極102相對應。在某些實施例中,第二可旋轉護套107的一或更多孔洞302為與第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104相同的形狀。在某些實施例中,第一可旋轉護套106的一或更多孔洞104包含與第二可旋轉護套107的一或更多孔洞302相同數量的孔洞。
在某些實施例中,第二可旋轉護套107包括第二底座162及從第二底座162向下且徑向向外延伸的錐形部分164。在某些實施例中,第二底座162包括上部部分510。在某些實施例中,上部部分510塑形以符合在第一可旋轉護套106的管狀主體410之中。在某些實施例中,上部部分510具有圓柱形的形狀。在某些實施例中,於上部部分510的上部表面506上形成配合開口502,以容納第二桿142,以促進第二可旋轉護套107的旋轉。在某些實施例中,配合開口502僅部分延伸通過第二底座162。在某些實施例中,配合開口502具有相對應至第二桿142的形狀,且配置成從第二桿142施加旋轉至第二可旋轉護套107。在某些實施例中,配合開口502塑形以避免第二桿142在配合開口502之中滑動及相對於第二可旋轉護套107旋轉。
在某些實施例中,第二底座162包括從上部部分510的下部表面徑向向外延伸的壁架514。在某些實施例中,第二底座162包括從壁架514的外部邊緣向下延伸至第二可旋轉護套107的錐形部分164的腿部520。在某些實施例中,腿部520的外部表面與上部部分510的外部表面同心。在某些實施例中,上部部分510包括從外部表面508延伸至配合開口502的一或更多孔洞516,以將第二桿142緊固至第二可旋轉護套107。在某些實施例中,第一可旋轉護套106的切口416與一或更多孔洞516有利地對齊,已提供對穿過第一可旋轉護套106的一或更多孔洞516的進出。
在某些實施例中,第二可旋轉護套107包括從錐形部分164的底部徑向向外延伸的領圈部分518。在某些實施例中,領圈部分518的上部表面包括環狀凹槽522,而在第二可旋轉護套107及第一可旋轉護套106的下部表面之間維持間隙。
在使用中,第一可旋轉護套106的複數個孔洞104及第二可旋轉護套107的複數個孔洞302有利地可以任何方式定向,以暴露陰極102之一或更多者。第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107促進在處理腔室100之中的多重濺射或空銅濺射處理,而無須排出處理腔室100或替換任何部件,而增加產量且減少基板108的污染。在某些實施例中,第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107配置成在第一配置中暴露一個陰極102,在第二配置中暴露兩個陰極102,或在第三配置中暴露三個陰極102。
第6A圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在範例第一配置600中的處理套件的概要視圖。在某些實施例中,處理腔室100包括五個陰極102(例如,陰極102A-102E)。在某些實施例中,第一可旋轉護套106定向以暴露陰極102A、102B及102C(例如,定向以將孔洞104與陰極102A、102B及102C對齊),且第二可旋轉護套107定向以暴露陰極102C、102D及102E(例如,定向以將孔洞302與陰極102C、102D及102E對齊)。在此等實施例中,第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107重疊以在範例第一配置600中暴露陰極102C(例如,在各個護套中僅一個孔洞對齊,以提供單一連續的開口完全通過第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107)。類似地,藉由控制護套的旋轉位置,第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107可定向以暴露陰極102A-102E的任何一者。
第6B圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在範例第二配置610中的處理套件的概要視圖。在某些實施例中,第一可旋轉護套106定向以暴露陰極102A、102B及102C(例如,定向以將孔洞104與陰極102A、102B及102C對齊),且第二可旋轉護套107定向以暴露陰極102B、102C及102D(例如,定向以將孔洞302與陰極102B、102C及102D對齊)。在此等實施例中,第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107重疊以在範例第二配置610中暴露陰極102B及102C(例如,在各個護套中對齊兩個孔洞,以提供單一連續的開口完全通過第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107)。類似地,藉由控制護套的旋轉位置,第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107可定向以暴露陰極102A-102E的任何兩個鄰接陰極,以共同濺射兩個材料。
第6C圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在範例第三配置620中的處理套件的概要視圖。在某些實施例中,第一可旋轉護套106定向以暴露陰極102A、102B及102C(例如,定向以將孔洞104與陰極102A、102B及102C對齊),且第二可旋轉護套107定向以暴露陰極102A、102B及102C(例如,定向以將孔洞302與陰極102A、102B及102C對齊)。在此等實施例中,第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107重疊以在範例第三配置620中暴露陰極102A、102B及102C(例如,在各個護套中對齊三個孔洞,以提供單一連續的開口完全通過第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107)。類似地,藉由控制護套的旋轉位置,在第三配置620中,第一可旋轉護套106及第二可旋轉護套107可定向以暴露陰極102A-102E的任何三個鄰接陰極,以共同濺射三個材料。
儘管以上導向本揭露案的實施例,可衍生本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇。
100:處理腔室
102a-c:陰極
104:孔洞
106:護套
107:護套
108:基板
109:底座
110:支撐件
112:電源供應器
114:標靶
118:護套
120:環
122:部分
124:間隙
125:空間
126:罩管
130:角度
131:馬達
132:桿
141:馬達
142:桿
150:處理套件
162:底座
164:部分
168:部分
202:軸
204:角度
206:寬度
302:孔洞
400:部分
402:孔洞
404:表面
406:蓋
408:表面
410:主體
414:壁架
416:切口
420:腿部
502:開口
506:表面
508:表面
510:部分
514:壁架
516:孔洞
518:領圈部分
520:腿部
522:凹槽
610:配置
620:配置
以上簡要概述且以下更詳細討論的本揭露案的實施例,可藉由參考隨附圖式中描繪的本揭露案的圖示實施例而理解。然而,隨附圖式僅圖示本揭露案的通常實施例,且因此不應考量為範疇之限制,因為本揭露案可認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據本揭露案的某些實施例,描繪多陰極PVD腔室的概要側視圖。
第2A圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在第一位置中的處理套件部件。
第2B圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在第二位置中的處理套件部件。
第3圖根據本揭露案的某些實施例,描繪多陰極PVD腔室的概要側視圖。
第4圖根據本揭露案的某些實施例,描繪第一可旋轉護套的等距視圖。
第5圖根據本揭露案的某些實施例,描繪第二可旋轉護套的等距視圖。
第6A圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在第一配置中的處理套件的概要視圖。
第6B圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在第二配置中的處理套件的概要視圖。
第6C圖根據本揭露案的某些實施例,描繪在第三配置中的處理套件的概要視圖。
為了促進理解,已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照比例繪製,且為了清楚可簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:處理腔室
102a-c:陰極
104:孔洞
106:護套
107:護套
108:基板
109:底座
110:支撐件
112:電源供應器
114:標靶
118:護套
120:環
122:部分
124:間隙
125:空間
126:罩管
130:角度
131:馬達
132:桿
141:馬達
142:桿
150:處理套件
162:底座
164:部分
168:部分
Claims (20)
- 一種在一多陰極處理腔室中使用的處理套件,包含: 一第一可旋轉護套,耦合至一第一桿,其中該第一可旋轉護套包括一底座,從該底座向下且徑向向外延伸的一錐形部分,及穿過該錐形部分形成的一或更多孔洞,其中該一或更多孔洞並無直徑上相對的兩個孔洞;及 一第二可旋轉護套,耦合至與該第一桿同心的一第二桿,其中該第二可旋轉護套佈置於該第一可旋轉護套中,且其中該第一可旋轉護套配置成獨立於該第一可旋轉護套而旋轉。
- 如請求項1所述之處理套件,其中該第二可旋轉護套經尺寸設計以選擇性覆蓋該第一可旋轉護套的該一或更多孔洞的一單一者。
- 如請求項1所述之處理套件,其中該第二可旋轉護套經尺寸設計以覆蓋該第一可旋轉護套的該一或更多孔洞的一或更多孔洞。
- 如請求項1所述之處理套件,其中該第二可旋轉護套包括一第二底座,及從該第二底座向下且徑向向外延伸的一錐形部分。
- 如請求項4所述之處理套件,其中該第二可旋轉護套包括穿過該錐形部分形成的一或更多孔洞。
- 如請求項5所述之處理套件,其中該第一可旋轉護套的該一或更多孔洞包含與該第二可旋轉護套的該一或更多孔洞一相同數量的孔洞。
- 如請求項6所述之處理套件,其中該第一可旋轉護套的該一或更多孔洞為非對稱安排的三個孔洞。
- 如請求項1至7任一項所述之處理套件,其中該底座包括一上部部分,具有以一蓋覆蓋的一管狀主體,且其中該第二桿延伸通過該蓋中的一孔洞。
- 如請求項1至7任一項所述之處理套件,其中該第二可旋轉護套包括一領圈部分,從該第二可旋轉護套的該錐形部分的一底部徑向向外延伸。
- 一種在一多陰極處理腔室中使用的處理套件,包含: 一第一可旋轉護套,耦合至一第一桿,其中該第一可旋轉護套包括具有一管狀主體的一底座,從該管狀主體向下且徑向向外延伸的一錐形部分,及穿過該錐形部分形成的一或更多孔洞;及 一第二可旋轉護套,耦合至與該第一桿同心的一第二桿,其中該第二可旋轉護套包括佈置於該第一可旋轉護套的該底座的該管狀主體中的一第二底座,及從該第二底座向下且徑向向外延伸的一錐形部分,且其中該第一可旋轉護套配置成獨立於該第一可旋轉護套而旋轉。
- 如請求項10所述之處理套件,其中該第二可旋轉護套包括一閉板(shutter)部分,該閉板部分從該錐形部分的一部分徑向向外且向下延伸,其中該閉板部分經尺寸設計以覆蓋該第一可旋轉護套的該一或更多孔洞之一者。
- 如請求項11所述之處理套件,其中該第一可旋轉護套的該一或更多孔洞為一單一孔洞。
- 如請求項10所述之處理套件,其中該第二可旋轉護套包括一或更多孔洞,配置成與該第一可旋轉護套的一相對應一或更多孔洞選擇性對齊。
- 如請求項10至13任一項所述之處理套件,其中該第二可旋轉套件的該錐形部分從該第二底座延伸至一地點,該地點超過穿過該第一可旋轉護套的該錐形部分形成的該一或更多孔洞。
- 一種多陰極處理腔室,包含: 一基板支撐件,以支撐一基板; 複數個陰極,耦合至該多陰極處理腔室的一上部部分,且具有待濺射至該基板上的一相對應複數個標靶;及 一處理套件,佈置於該多陰極處理腔室之中,其中該處理套件包含: 一第一可旋轉護套,耦合至一第一桿,其中該第一可旋轉護套包括一錐形部分,及穿過該錐形部分形成的一或更多孔洞;及 一第二可旋轉護套,佈置於該第一可旋轉護套的該錐形部分中,其中該第二可旋轉護套包括一第二底座,及從該第二底座向下且徑向向外延伸的一錐形部分,其中該第二可旋轉護套耦合至與該第一桿同心的一第二桿,且其中該第一可旋轉護套配置成獨立於該第一可旋轉護套而旋轉,以將該基板支撐件選擇性暴露至該複數個陰極的一或更多陰極。
- 如請求項15所述之多陰極處理腔室,進一步包含複數個罩管(shroud),配置成佈置於該複數個標靶四周,且在該複數個標靶及該第一可旋轉護套之間。
- 如請求項15所述之多陰極處理腔室,進一步包含一錐形護套,其中該錐形護套的一頂部區段配置成環繞該第一可旋轉護套的一下部部分,且其中該錐形護套的一底部區段配置成環繞該基板支撐件。
- 如請求項17所述之多陰極處理腔室,進一步包含一覆蓋環,配置成放置在該錐形護套的該底部區段上。
- 如請求項15至17任一項所述之多陰極處理腔室,其中該第二可旋轉護套包括複數個孔洞,該複數個孔洞包含三個孔洞,而配置成與該第一可旋轉護套的二或三個孔洞選擇性對齊,以選擇性暴露該複數個陰極的二或三個鄰接陰極。
- 如請求項15至17任一項所述之多陰極處理腔室,其中該第二可旋轉護套包括穿過該錐形部分形成的一或更多孔洞。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/849,910 | 2020-04-15 | ||
US16/849,910 US11361950B2 (en) | 2020-04-15 | 2020-04-15 | Multi-cathode processing chamber with dual rotatable shields |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202146684A true TW202146684A (zh) | 2021-12-16 |
Family
ID=78082141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110113501A TW202146684A (zh) | 2020-04-15 | 2021-04-15 | 具有雙可旋轉護套的多陰極處理腔室 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11361950B2 (zh) |
JP (1) | JP2023521267A (zh) |
KR (1) | KR20230007306A (zh) |
CN (1) | CN114981469A (zh) |
TW (1) | TW202146684A (zh) |
WO (1) | WO2021211612A1 (zh) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3864239A (en) | 1974-04-22 | 1975-02-04 | Nasa | Multitarget sequential sputtering apparatus |
US4952295A (en) | 1988-04-15 | 1990-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing a deposition film of composite material |
US6051113A (en) * | 1998-04-27 | 2000-04-18 | Cvc Products, Inc. | Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure using target indexing |
JP5584409B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2014-09-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびその制御方法 |
JP2012149339A (ja) | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法 |
CN103635604B (zh) | 2011-06-30 | 2015-09-30 | 佳能安内华股份有限公司 | 镀膜装置 |
JP5662583B2 (ja) | 2011-09-09 | 2015-02-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
WO2013136387A1 (ja) | 2012-03-14 | 2013-09-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置 |
JP5922795B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-05-24 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置および基板処理装置 |
JP6423290B2 (ja) | 2015-03-06 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US11043364B2 (en) * | 2017-06-05 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Process kit for multi-cathode processing chamber |
JP7001448B2 (ja) | 2017-12-05 | 2022-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Pvd処理方法およびpvd処理装置 |
-
2020
- 2020-04-15 US US16/849,910 patent/US11361950B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-13 CN CN202180008926.3A patent/CN114981469A/zh active Pending
- 2021-04-13 KR KR1020227023987A patent/KR20230007306A/ko active Search and Examination
- 2021-04-13 JP JP2022542175A patent/JP2023521267A/ja active Pending
- 2021-04-13 WO PCT/US2021/027126 patent/WO2021211612A1/en active Application Filing
- 2021-04-15 TW TW110113501A patent/TW202146684A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114981469A (zh) | 2022-08-30 |
JP2023521267A (ja) | 2023-05-24 |
US11361950B2 (en) | 2022-06-14 |
US20210327692A1 (en) | 2021-10-21 |
WO2021211612A1 (en) | 2021-10-21 |
KR20230007306A (ko) | 2023-01-12 |
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