TW202144822A - 面狀光源 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種抑制發光區域之亮度不均之面狀光源。 面狀光源100具備：光源130；導光構件120，其具有於內部供光源配置之光源配置部121、及包含包圍光源配置部之槽122之區劃規定部123；以及配置於區劃規定部的光反射性之區劃構件140；且於俯視下，區劃規定部中距光源C之中心最遠之第1部分124之透過率，高於區劃規定部中距光源之中心最近之第2部分125之透過率。

Description

面狀光源
實施形態係關於一種面狀光源。
將光源與導光板組合而成之面狀光源，例如廣泛地用於液晶顯示器之背光中。於專利文獻1中，揭示如下者：為了就每一光源對發光區域進行區劃，而於導光板設置槽，並於該槽內設置反射構件。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第7997771號說明書
[發明所欲解決之問題]
因此，本實施形態之目的在於提供一種抑制發光區域之亮度不均之面狀光源。 [解決問題之技術手段]
實施形態之面狀光源具備：光源；導光構件，其具有於內部供前述光源配置之光源配置部、及包含包圍前述光源配置部之槽之區劃規定部；以及配置於前述區劃規定部的光反射性之區劃構件；且於俯視下，前述區劃規定部中距前述光源之中心最遠之第1部分之透過率，高於前述區劃規定部中距前述光源之中心最近之第2部分之透過率。
實施形態之面狀光源具備：光源；及外周部，其包圍前述光源，具有光反射性之區劃構件；且前述光源係由導光構件覆蓋，於俯視下，前述外周部中距前述光源之中心最遠之第1部分之透過率，高於前述外周部中距前述光源之中心最近之第2部分之透過率。 [發明之效果]
根據本實施形態，可實現抑制發光區域之亮度不均之面狀光源。
以下，為了便於說明，於本說明書中，採用XYZ正交座標系。例如如圖1所示般，將自配線基板110朝嚮導光構件120之方向稱為「Z方向」。又，亦將Z方向稱為「上方向」。又，亦將Z方向之相反方向稱為「下方向」。將與Z方向正交之一個方向稱為「X方向」。又，將與Z方向及X方向正交之方向稱為「Y方向」。
＜第1實施形態＞ 首先，對於第1實施形態之面狀光源100進行說明。 圖1係顯示本實施形態之面狀光源之立體圖。 圖2係將本實施形態之面狀光源放大後之平面圖。 圖3A係顯示圖2之3-3線之剖面之一例之圖。 圖3B係顯示圖2之3-3線之剖面之又一例之圖。 圖4A係顯示圖2之4-4線之剖面之一例之圖。 圖4B係顯示圖2之4-4線之剖面之又一例之圖。
如圖1所示般，面狀光源100具備：一塊配線基板110、導光構件120、光源130、及光反射性之區劃構件140。面狀光源100如圖3A及圖4A所示般，更具備：光反射性構件150、第1透光性構件160、及第1光調整構件170。面狀光源100更具備：光反射性片材180、及接著片材190。再者，有時將光反射性之區劃構件140簡稱為「區劃構件140」。
以下，對於面狀光源100之各部分進行詳述。以下，如圖1所示般，說明在面狀光源100中複數個光源130於X方向及Y方向上排列之例子。惟，所排列之光源130之數目只要為1個以上即可，並不限定於圖1所示之數目。又，以下，對於在面狀光源100中，於一塊配線基板110上配置具有與光源130相同之數目之光源配置部121之一個導光構件120之例子進行說明。惟，於面狀光源100中，亦可配置為於一塊配線基板110上，排列複數個與配線基板110相比俯視下之尺寸較小之導光構件。在需要大尺寸之面狀光源時，可製作將面狀光源100排列複數個而成之面狀光源裝置。
如圖3A及圖4A所示般，配線基板110具有：配線層111；第1被覆層112，其覆蓋配線層111之上表面，包含樹脂材料；及第2被覆層113，其覆蓋配線層111之下表面，包含樹脂材料。於配線層111之上表面，可在經由導電性之接合構件135與光源130之電極131b、131c連接之區域，設置墊114。墊114例如可設為包含Ni層與Au層之鍍覆層。
配線基板110之構成並不限定於此。例如，亦可於配線層111與被覆層112、113之間設置接著層(省略圖示)。又，於圖3A及圖4A中，顯示配線層111為一層之例，但配線層111亦可於第1被覆層112與第2被覆層113之間在Z方向上設置複數層。又，當配線層111在Z方向上設置複數層時，亦可在Z方向上相鄰之2個配線層111之間設置絕緣層及接著層。
配線基板110之表面包含上表面110a、及下表面110b。上表面110a及下表面110b例如係平坦面，與X方向及Y方向大致平行。
於配線基板110之上方，設置導光構件120。導光構件120具有對自光源130出射之光之透光性。作為導光構件120之材料，例如可使用丙烯酸、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯等之熱塑性樹脂、環氧、或矽等之熱固性樹脂、或玻璃等。
如圖1所示般，導光構件120例如係板狀之構件。然而，導光構件120亦可不是板狀之構件而是層。在導光構件120係層時，導光構件120可為單層，亦可為複數層。在將導光構件120由複數層構成時，亦可將各層間由透光性之接著片材貼合地構成。作為透光性之接著片材之材料，較佳的是使用與導光構件120相同之材料，以便可減輕在層間產生界面。
導光構件120之表面包含：上表面120a、及位於上表面120a之相反側之下表面120b。上表面120a及下表面120b例如係平坦面，與配線基板110之上表面110a大致平行。
於導光構件120設置光源配置部121。如圖3A及圖4A所示般，光源配置部121於厚度方向(Z方向)上貫通導光構件120。然而，光源配置部121亦可為設置於導光構件120之下表面120b之凹部。光源配置部121之俯視下之形狀可如圖2所示般為圓形，亦可為矩形。在為矩形時，矩形之角部可為直角，亦可為曲線。
於光源配置部121配置有光源130。光源130載置於配線基板110之上表面110a。光源130例如具有：發光元件131、第2透光性構件132、第2光調整構件133、及被覆構件134。
發光元件131具有發光部131a、以及正負之一對電極131b、131c。發光部131a例如包含半導體成長用基板與半導體積層構造，半導體成長用基板位於半導體積層構造之上側。半導體積層構造包含Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x、0≦y、x+y≦1)層，從發光元件131出射藍色光。各電極131b、131c藉由導電性之接合構件135與配線基板110接合。
發光部131a包含n型半導體層及p型半導體層、以及夾於其等之間之發光層。發光層可具有雙異質接合或單一量子井(SQW)等之構造，亦可具有如多重量子井(MQW)般具有一個群組之活性層群之構造。發光部131a構成為可發出可見光或紫外光。含有如此之發光層之發光部131a例如可包含Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x、0≦y、x+y≦1)。
發光部131a可具有於n型半導體層與p型半導體層之間包含1個以上之發光層之構造，亦可具有將依序包含n型半導體層與發光層及p型半導體層之構造重複複數次之構造。在發光部131a包含複數個發光層時，可包含發光峰值波長不同之發光層，亦可包含發光峰值波長相同之發光層。再者，所謂發光峰值波長相同，亦包含具有數nm左右之偏差之情形。複數個發光層之間之發光峰值波長之組合可適當選擇。例如在發光部131a包含2個發光層時，可藉由藍色光與藍色光、綠色光與綠色光、紅色光與紅色光、紫外光與紫外光、藍色光與綠色光、藍色光與紅色光、或綠色光與紅色光等之組合而選擇發光層。各發光層可包含發光峰值波長不同之複數個活性層，亦可包含發光峰值波長相同之複數個活性層。
第2透光性構件132例如覆蓋發光部131a之上表面及側面。第2透光性構件132具有對發光部131a所出射之光之透光性。第2透光性構件132例如包含：含有透光性材料之母材、及分散於母材中之複數個波長轉換粒子。
作為母材之材料，例如可使用矽樹脂、環氧樹脂、玻璃等。作為波長轉換粒子，例如可使用螢光體。螢光體被發光元件131發出之光激發，發出與發光元件131發出之光之波長不同波長之光。例如，作為螢光體，可使用釔·鋁·石榴石(YAG)系螢光體(例如，Y3 (Al, Ga)5 O12 ：Ce)、β賽隆螢光體(例如，(Si, Al)3 (O, N)4 ：Eu)、鑥·鋁·石榴石系螢光體(例如，Lu3 (Al, Ga)5 O12 ：Ce)、鋱·鋁·石榴石系螢光體(例如，Tb3 (Al, Ga)5 O12 ：Ce))、α系賽隆螢光體(例如，Ca(Si, Al)12 (O, N)16 ：Eu)、KSF系螢光體(例如，K2 SiF6 ：Mn)、KSAF系螢光體(例如，K2 (Si, Al)F6 ：Mn)或MGF系螢光體等氟化物系螢光體、氮化物螢光體(CASN系螢光體(例如，CaAlSiN3 ：Eu)或者SCASN系螢光體(例如，(Sr, Ca)AlSiN3 ：Eu)等)、具有鈣鈦礦構造之螢光體(例如，CsPb(F, Cl, Br, I)3 )、量子點螢光體(例如，CdSe、InP、AgInS2 或AgInSe2 )等。再者，第2透光性構件132亦可包含複數種螢光體。可藉由第2透光性構件132所含之螢光體、與發出藍色光之發光元件131之組合而自光源130放出白色光。又，當在第2透光性構件132未含有螢光體時，可將來自發光元件之藍色光作為來自光源130之光而放出。
第2光調整構件133將從發光元件131出射之光之一部分予以反射，且使從發光元件131出射之光之其他一部分透過。第2光調整構件133覆蓋第2透光性構件132之上表面。第2光調整構件133例如係包含光反射性材料之樹脂。具體而言，作為第2光調整構件133，可使用包含氧化鈦作為光反射性材料之矽樹脂或環氧樹脂等。第2光調整構件133可為一層，亦可為二層以上。
被覆構件134覆蓋第2透光性構件132之下表面及發光部131a之下表面。被覆構件134例如係包含光反射性材料之樹脂。具體而言，作為被覆構件134，可使用包含氧化鈦作為光反射性材料之矽樹脂或環氧樹脂等。
如圖2所示般，俯視下之光源130之形狀例如係四角形。以下，將俯視下之光源130之中心C亦簡稱為「中心C」。於本實施形態中，中心C在俯視下位於光源130之對角線之交點。又，中心C於俯視下與光源配置部121之中心大致一致。
光源130亦可為不設置第2光調整構件133之構成。又，光源130亦可為不設置被覆構件134之構成。又，光源130可為僅發光元件131之構成，亦可為於發光元件131上表面設置有第2光調整構件133之構成。
光源130可為包含透光性構件之構成，該透光性構件覆蓋包圍發光元件131之側面之包含光反射性材料之樹脂、及包含發光元件131之上表面及光反射性材料之樹脂之上表面。該透光性構件可包含螢光體。該情形下，可於發光元件131與透光性構件之間，設置將發光元件131與透光性構件予以接著之透光性之接合構件。
於上述光源130，發光元件131為1個，但亦可包含複數個發光元件。複數個發光元件可為峰值波長相同者，亦可為不同者。作為峰值波長不同者之組合，例如可使用發出紅色光之發光元件、發出藍色光之發光元件、及發出綠色之發光元件。
於圖2之4-4線之剖視圖(圖4A、圖4B)中，光源130之X方向之寬度可設為700 μm以上1000 μm以下，光源130之Z方向之厚度可設為300 μm以上400 μm以下。藉此，可將光源130薄型化。藉由將光源130之厚度與寬度之比設為0.4以上而可抑制伴隨著薄型化之光取出效率之降低。
又，發光元件131之X方向之寬度可設為350 μm以上550 μm以下，發光元件131之發光部131a之Z方向之厚度可設為100 μm以上200 μm以下。於第2透光性構件132中，發光元件131之從發光部131a之側面至第2透光性構件132之側面之X方向之寬度，可設為75 μm以上325 μm以下。該寬度更佳的是可設為150 μm以上250 μm以下。該寬度進一步更佳的是可設為180 μm以上210 μm以下。藉此，可增大相對於自光源130之中心C之偏移的發光元件131之從發光部131a之側面至第2透光性構件132之側面之X方向之寬度。因此，即便發光元件131自光源130之中心C朝X方向偏移，但仍可減小自發光元件131之兩側面出射之光之色度差。又，從發光部131a之上表面至第2透光性構件132之上表面之Z方向之厚度，可設為15 μm以上215 μm以下。該厚度更佳的是可設為50 μm以上150 μm以下。該厚度進一步更佳的是可設為90 μm以上120 μm以下。藉此，設為薄型之同時亦可確保可自光源130之側方出射之區域，因此來自發光元件131之光取出效率提高。
於導光構件120，以於俯視下包圍光源配置部121之方式設置槽122。
如圖3A及圖4A所示般，槽122例如係設置於上表面120a之凹部。槽122之剖面形狀具有梯形。具體而言，槽122具有相對於Z方向傾斜、且相互對向之一對側面126a、126b；以及位於一對側面126a、126b之間之底面126c。藉由一對側面126a、126b各者傾斜，而來自光源130之光中之由導光構件120之下表面120b反射而來之光易於通過。易於使光透過之原因在於：在一對側面126a、126b各者傾斜時，與槽之一對側面各者為垂直之情形相比，來自光源130之光中之由導光構件120之下表面120b反射之光入射至槽122之側面126a、126b之入射角變小。將一對側面126a、126b各者與底面126c予以連接之面成為曲面。然而，槽122之剖面形狀並不限定於此。例如槽122之剖面形狀亦可為矩形，亦可為大致V字狀或大致U字狀，亦可為開口部側縮窄之形狀。又，槽122可於Z方向上貫通導光構件120，亦可為設置於導光構件120之下表面120b之凹部。
又，如圖3B及圖4B所示般，在槽122於Z方向上貫通導光構件120時，可於光反射性片材180中位於槽122之正下方之區域設置凹部181。而且，槽122之側面與凹部181之側面可為同一平面。亦即，可藉由在Z方向上貫通導光構件120之槽122與凹部181，而自導光構件120遍及光反射性片材180地形成一個槽。 於圖4B中，自槽122遍及凹部181填充區劃構件140，但並不限定於此，亦可將槽122及凹部181之各表面層狀地被覆。
面狀光源100之配線層111之圖案較佳的是以於俯視下減小與槽122重合之面積之方式形成。具體而言，與配線層111與槽122之延伸部以於俯視下在同一方向上重合之方式配置相比，配線層111與槽122之延伸部以於俯視下交叉之方式配置更為理想。藉此，在藉由切割機等切削具形成槽122時，可降低損傷配線層111之風險。
如圖2所示般，於面狀光源100中，槽122例如設為格子狀。因此，導光構件120之上表面120a被槽122區劃成複數個發光區域S。各發光區域S之形狀例如與光源130之形狀相似，為四角形。於俯視下，中心C位於發光區域S之對角線之交點。然而，槽122亦可不設為格子狀，各發光區域S之形狀亦可不是四角形。例如，槽122亦可以各發光區域S成為三角形或六角形等多角形之方式設置。又，中心C亦可不位於發光區域S之對角線之交點。以下，將發光區域S之對角線延伸之方向亦稱為「對角方向W」。對角方向W於圖2之情形下，係在XY平面上自X方向(或Y方向)傾斜45度之方向。
槽122於一個光源130之周圍例如具有：於Y方向上延伸之2個第1槽部122a、於X方向上延伸之2個第2槽部122b、及將第1槽部122a與第2槽部122b予以結合之4個結合槽部122c。
以下，於導光構件120中將包含槽122、且於俯視下包圍發光區域S之部分稱為「區劃規定部123」。於本實施形態中，槽122係連續性地包圍發光區域S、且設置於導光構件120之上表面120a之凹部。因此，區劃規定部123如圖3A及圖4A所示般，包含槽122及於導光構件120中位於槽122之正下方之部分。
再者，在槽122係連續性地包圍發光區域S、且設置於導光構件120之下表面120b之凹部時，區劃規定部123包含槽122、及在導光構件120中位於槽122之正上方之部分。又，在槽122連續性地包圍發光區域S，且於厚度方向上貫通導光構件120時，區劃規定部123包含槽122。再者，對於槽不連續性地包圍發光區域之形態，將於後述之第2實施形態進行說明。
如圖2所示般，區劃規定部123具有：第1延伸部123a、第2延伸部123b、及結合部123c。第1延伸部123a在Y方向上延伸，第2延伸部123b在X方向上延伸。結合部123c係與第1延伸部123a及第2延伸部123b結合、在X方向及Y方向上延伸之部分(於一個區劃規定部123中，係如圖2所示之L字狀，在區劃規定部123排列複數個之情形下，係十字狀)。再者，結合部123c亦可作為第1延伸部123a與第2延伸部123b各者假想性地延長而重合之矩形狀之部分。
第1延伸部123a包含第1槽部122a及於導光構件120中第1槽部122a之正下方之部分。第2延伸部123b包含第2槽部122b及於導光構件120中第2槽部122b之正下方之部分。結合部123c包含結合槽部122c及於導光構件120中結合槽部122c之正下方之部分。
又，區劃規定部123具有最遠離中心C之第1部分124、及最靠近中心C之第2部分125。
於區劃規定部123中，最遠離中心C之位置P1位於結合部123c。更具體而言，最遠之位置P1在俯視下位於在對角方向W上鄰接之其他面狀光源100之發光區域S之角Sc。因此，第1部分124係區劃規定部123中之包含最遠之位置P1、且於在與對角方向W及Z方向正交之方向上具有厚度之部分。
於區劃規定部123中最靠近中心C之位置P2，例如位於第1延伸部123a或第2延伸部123b。更具體而言，最近之位置P2於俯視下位於發光區域S之外周緣上，且於俯視下位於與通過中心C之X方向(或Y方向)平行之直線上。第2部分125係區劃規定部123中之包含最近之位置P2、且於Y方向上具有厚度之部分。
於區劃規定部123之槽122，設置光反射性之區劃構件140。再者，於圖2中，為了易於理解說明，而將設置有區劃構件140之範圍，以點狀圖案示出。區劃構件140例如係包含光反射性材料之樹脂。具體而言，作為區劃構件140，可使用包含氧化鈦作為光反射性材料之矽樹脂或環氧樹脂等。氧化鈦之含有量可設為1重量%以上70重量%以下。區劃構件140可藉由印刷法、噴霧法、噴墨法或灌注法形成。若為噴墨法，則可精度良好地進行區劃構件140之配置。
在灌注法之情形下，可於相鄰之結合槽部122c間之中點之區域(亦即，與第1槽部122a或第2槽部122b中之自光源之中心朝X方向或Y方向延伸之直線交叉之區域)灌注區劃構件140之原料。在區劃構件140之原料包含粒子狀之光反射性材料與液狀之樹脂之情形下，藉由降低樹脂之黏度，而可將灌注後之樹脂在第1槽部122a或第2槽部122b內塗開。又，由於樹脂之黏度低，因此光反射性材料易於下沉，而不易分散。藉此，可使所灌注之區域(亦即，相鄰之結合槽部122c間之中點附近)之光反射性材料之濃度高於結合槽部122c之區域之光反射性材料之濃度。為了將區劃構件140配置於特定之區域，可於未配置區劃構件140之區域設置遮罩。
再者，區劃構件140可在第1槽部122a及第2槽部122b之延伸方向之中央被覆導光構件120之上表面120a。在結合槽部122c間之中點之區域之亮度高於結合槽部122c間之中點之區域以外(例如，結合槽部122c之區域)之亮度之情形下，藉由在相鄰之結合槽部122c間之中點之區域於導光構件之上表面配置區劃構件140，而可抑制亮度。另一方面，於第1槽部122a及第2槽部122b之延伸方向之端部，區劃構件140可被覆導光構件120之上表面120a，亦可不被覆。又，區劃構件140被覆導光構件120之上表面120a之寬度，可自第1槽部及第2槽部之延伸方向之中央朝向端部相同，亦可逐漸或階段性地變窄。區劃構件140被覆導光構件120之上表面120a之寬度，可設為相鄰之第1槽部122a間之間隔(或相鄰之第2槽部122b間之間隔)之10分之1以內之值。
於本實施形態中，第1部分124中之區劃構件140之剖面積小於第2部分125中之區劃構件140之剖面積。所謂「第1部分124中之區劃構件140之剖面積」，意指包含中心C及最遠離光源之位置P1之剖面(圖2之3-3線之剖面)處之區劃構件140之面積。同樣地，所謂「第2部分125中之區劃構件140之剖面積」，意指包含中心C及最靠近光源之位置P2之剖面(圖2之4-4線之剖面)處之區劃構件140之面積。所謂「剖面積小」，包含第1部分124中之區劃構件140之剖面積為0(零)之情形。
具體而言，如圖2所示般，區劃構件140設置於與第1延伸部123a對應之第1槽部122a及與第2延伸部123b對應之第2槽部122b。因此，如圖4A所示般，於第2部分125之槽122，設置區劃構件140。可以填滿第2部分125之槽122之方式填充區劃構件140。藉由將區劃構件140填充於槽122，而可使光反射性提高。在填充區劃構件140時，區劃構件140之上表面可為平面、凸面、及凹面之任一者。區劃構件140可設置於第1槽部122a之Y方向之整個區域及第2槽部122b之X方向之整個區域。區劃構件140於俯視下可將第1槽部122a或第2槽部122b之表面層狀地覆蓋。藉由將區劃構件140層狀地設置，而可使一部分光透過。在將區劃構件140層狀地設置之情形下，設置於槽122之底面126c之區劃構件140，可厚於設置於槽122之側面126a、126b之區劃構件140。又，區劃構件140可較導光構件120之上表面120a更朝上方突出。
相對於此，如圖2所示般，於結合槽部122c內，未設置區劃構件140。亦即，於與結合部123c對應之結合槽部122c上，未設置區劃構件140，而區劃規定部123之結合部123c僅由導光構件120構成。如圖3A所示般，於結合槽部122c內例如存在空氣層K，結合槽部122c之表面之整個區域與空氣層K相接。如此般，設置於第1部分124之區劃構件140之剖面積係0(零)，而小於設置於第2部分125之區劃構件140之剖面積。然而，只要第1部分124之區劃構件140之剖面積小於第2部分125之區劃構件140之剖面積即可，亦可不於第1部分124設置區劃構件140。再者，於第1部分124中，亦可於導光構件120之槽122表面被覆如不妨礙來自光源130之光透過之防反射膜。防反射膜例如可使用矽。
如此般，第1部分124中之設置於槽122之區劃構件140之剖面積小於第2部分125中之設置於槽122之區劃構件140之剖面積。因此，第1部分124之透過率高於第2部分125之透過率。所謂「第1部分124之透過率」，係指在與Z方向正交之方向上自中心C側朝向最遠之位置P1側行進之光LA通過第1部分124之比例。同樣地，所謂「第2部分125之透過率」是指，在與Z方向正交之方向上自中心C側朝向最近之位置P2側行進之光LB通過第2部分125之比例。
再者，當在第1部分124與第2部分125兩者配置區劃構件140時，為了使第1部分124之透過率高於第2部分125，可使第1部分124之區劃構件140所含之光反射性材料之濃度小於第2部分125之區劃構件140所含之光反射性材料之濃度。
又，區劃構件140可為，其Y方向之端部之透過率大於Y方向之中央之透過率，且設置於第1延伸部123a。區劃構件140可於Y方向之中央將塗佈量增多或提高光反射材料之濃度，在Y方向之端部將塗佈量減少或降低光反射材料之濃度。區劃構件140可自Y方向之中央朝向Y方向之端部，連續性或階段性地減少塗佈量或降低光反射性材料之濃度。第2延伸部123b亦相同。
藉由在導光構件120設置包圍光源配置部121之槽122，且於槽122內設置區劃構件140，而可將發光區域S予以區劃。然而，由於距光源130之中心C最遠之第1部分124與光源130之距離變長，因此與最靠近中心C之第2部分125與相比容易變暗。因此，例如，在將槽122內一律以區劃構件140填充時，最遠離中心C之第1部分124之附近為較暗之狀態，作為暗部而變得顯眼。特別是，當使位於與一個第1部分124相鄰之4個發光區域S之光源130同時點亮時，上述之一個第1部分124作為暗部而更加容易顯眼。
相對於此，於本實施形態中，最遠離光源130之第1部分124之透過率高於最靠近光源130之第2部分125之透過率。藉由提高第1部分124之透過率，可增加通過第1部分124之光，因此可使第1部分124之附近變亮。藉此，可抑制第1部分124之附近作為暗部而變得顯眼之情形，而獲得抑制發光區域之亮度不均之面狀光源。特別是，在將相鄰之4個發光區域S二維配置之情形下，可有效地抑制當使位於與一個第1部分124相鄰之4個發光區域S之光源130同時點亮時作為暗部而顯眼之情形，而獲得抑制發光區域之亮度不均之面狀光源。
如圖3A所示般，於配線基板110與導光構件120之間，設置光反射性片材180。光反射性片材180將自光源130出射之光之一部分反射。對於光反射性片材180，可使用包含多數個空隙之樹脂片材(例如發泡樹脂片材)、或包含氧化鈦等光反射性材料之樹脂片材等。於光反射性片材180中，於俯視下與光源配置部121重合之位置，設置貫通孔180a。
於配線基板110與光反射性片材180之間，設置接著片材190。接著片材190與配線基板110及光反射性片材180接著。於接著片材190，於俯視下與光源配置部121重合之位置，設置貫通孔190a。又，亦可於導光構件120與光反射性片材180之間亦設置接著片材。
於配線基板110之上表面110a中位於光源配置部121內且位於光源130與接著片材190之間之區域上，例如設置有光反射性構件150。藉此，可抑制自光源130出射之光之一部分被配線基板110吸收，而可減輕光源130之周圍之亮度之降低。
亦可使光反射性片材180延伸至導光構件120之光源配置部121內，而取代設置光反射性構件150。可減輕光源130之周圍之亮度之降低並且因不設置光反射性構件150而可削減構件數。光反射性片材180較佳的是於俯視下延伸至與光源130重合之位置、亦即於俯視下延伸至光源130與配線基板110之間。
光反射性構件150包圍光源130。光反射性構件150例如係包含光反射性材料之樹脂。具體而言，作為光反射性構件150，可使用包含氧化鈦作為光反射性材料之矽樹脂或環氧樹脂等。
光源配置部121例如係由第1透光性構件160填充。第1透光性構件160具有對自光源130出射之光之透光性。作為第1透光性構件160之材料，例如可使用環氧、矽等之熱固性樹脂。特別是以自光源130出射之光易於朝導光構件120入射之方式，第1透光性構件160之材料較佳的是使用與導光構件120相同之材料、或對於自光源130出射之光之折射率小於導光構件120之折射率之材料。再者，第1透光性構件160亦可包含波長轉換粒子。當在配線基板110搭載光源130與導光構件120之後對來自光源130之發光色進行測定時，即便自所期望之發光色偏移，但藉由設置包含波長轉換粒子之第1透光性構件160，而可以成為所期望之發光色之方式進行調整。藉此，無需更換光源130，而可抑制成本。又，光源配置部121亦可不由第1透光性構件160填充，而為中空。
第1透光性構件160之上表面係由第1光調整構件170覆蓋。於圖3A及圖4A中，第1光調整構件170例如與第1透光性構件160及導光構件120相接，但亦可僅與第1透光性構件160相接。
第1光調整構件170將自光源130出射之光之一部分予以反射，並使自光源130出射之光之其他一部分透過。第1光調整構件170例如係包含光反射性材料之樹脂。具體而言，作為第1光調整構件170，可使用包含氧化鈦作為光反射性材料之矽樹脂或環氧樹脂等。
如圖2所示般，俯視下之第1光調整構件170之形狀係與發光區域S為大致相似形狀，為四角形。然而，第1光調整構件170之形狀並不限定於此。例如，俯視下之第1光調整構件170之形狀亦可不是與發光區域S為大致相似形狀。又，俯視下之第1光調整構件170之形狀亦可為三角形或六角形等多角形，亦可為圓形。
接著，對於本實施形態之面狀光源100之動作進行說明。 圖5係圖2之4-4線之剖視圖，係顯示自光源出射之光之一例之剖視圖。 圖6係圖2之3-3線之剖視圖，係顯示自光源出射之光之一例之剖視圖。
如圖5及圖6所示般，自發光元件131之上表面出射之光L1中之第1光L1a，例如透過第2光調整構件133及第1光調整構件170。又，光L1中之第2光L1b例如在透過第2光調整構件133之後，被第1光調整構件170反射，而往導光構件120之下表面120b或光反射性構件150。又，光L1中之第3光L1c例如被第2光調整構件133反射，而往導光構件120之下表面120b或光反射性構件150。
如此般，第2光調整構件133及第1光調整構件170將光L1之一部分予以反射。藉此，於面狀光源100之光之照射區域中，可抑制位於光源130之正上方之區域之亮度高於其他區域之亮度。其結果為，可抑制產生亮度不均。
如圖5所示般，光L1之第2光L1b之一部分、光L1之第3光L1c之一部分、及自發光元件131之側面出射之光L2之一部分，例如被光反射性構件150、第1光調整構件170、及光反射性片材180中之1個以上之構件反射之後，到達區劃規定部123之第2部分125。到達第2部分125之光之大部分被區劃構件140反射。
如圖6所示般，光L1之第2光L1b之其他一部分、光L1之第3光L1c之其他一部分、及自發光元件131之側面出射之光L2之其他一部分，例如被光反射性構件150、第1光調整構件170、及光反射性片材180中之1個以上之構件反射之後，到達區劃規定部123之第1部分124。區劃規定部123之第1部分124之透過率高於區劃規定部123之第2部分125之透過率。因此，透過第1部分124之光量與透過第2部分125之光量相比較多。藉此，可抑制第1部分124之附近作為暗部而顯眼之情形。
面狀光源100例如可應用於液晶顯示器之背光。於就每複數個光源130將發光區域S予以區劃之背光中，藉由對各光源130之輸出進行個別地調整而可高精度地進行區域調光。
接著，對於本實施形態之效果進行說明。 本實施形態之面狀光源100具備：光源130、導光構件120、及區劃構件140。導光構件120具有：光源配置部121，其於內部供光源130配置；及區劃規定部123，其包含包圍光源配置部121之槽122。區劃構件140設置於區劃規定部123。於俯視下，區劃規定部123中之最遠離光源130之中心C之第1部分124之透過率，高於區劃規定部123中之最靠近光源130之中心C之第2部分125之透過率。藉此，可抑制第1部分124之附近作為暗部而顯眼之情形。其結果為，可抑制在區劃規定部123中之最遠離光源之區域暗部顯眼之情形，而可實現抑制發光區域之亮度不均之面狀光源100。
又，於第1部分124中設置於槽122之區劃構件140之剖面積，小於在第2部分125中設置於槽122之區劃構件140之剖面積。因此，可使第1部分124之透過率高於第2部分125之透過率。
又，於第1部分124未設置區劃構件140。亦即，第1部分124僅由導光構件120構成。因此，可抑制第1部分124之附近作為暗部而顯眼之情形。
又，區劃規定部123具有：第1延伸部123a，其在第1方向(Y方向)上延伸；第2延伸部123b，其在與第1方向交叉之第2方向(X方向)上延伸；及結合部123c，其將第1延伸部123a與第2延伸部123b予以結合。第1部分124位於結合部123c。第2部分125位於第1延伸部123a。因此，可抑制結合部123c之附近作為暗部而顯眼之情形。
又，在第1延伸部123a及第2延伸部123b設置區劃構件140，相對於此，於結合部123c未設置區劃構件140。因此，可使結合部123c之附近變得明亮，而可廣範圍地抑制作為暗部而顯眼之情形。
於本實施形態中，於圖2中，對於可抑制位於區劃規定部123之4個結合部123c中之右上(自光源130+X方向、+Y方向)之結合部123c之附近作為暗部而顯眼之情形進行了說明，但若4個結合部123c全部為在區劃規定部123中最遠離光源之部位，則可抑制在全部4個結合部123c之附近，作為暗部而顯眼之情形。以下之實施形態亦同樣。
＜第1實施形態之第1變化例＞ 接著，對於第1實施形態之第1變化例進行說明。 圖7係顯示本變化例之面狀光源之平面圖。 本變化例之面狀光源200於區劃構件240之構成上與第1實施形態之面狀光源100不同。再者，於以下之說明中，原則上僅對於與第1實施形態之相異點進行說明。除了以下所說明之事項以外，與第1實施形態同樣。
如圖7所示般，第1槽部122a具有：相互對向之第1側面226a、第2側面226b、及位於第1側面226a與第2側面226b之間之底面226c。於第1槽部122a，設置區劃構件240。區劃構件240例如係包含光反射性材料之樹脂。
區劃構件240具有：第1光反射部241，其於第1側面226a上設置複數個第1間隙D1地排列；及第2光反射部242，其於第2側面226b上設置複數個第2間隙D2地排列。複數個第1間隙D1與第2光反射部242對向。又，複數個第2間隙D2與第1光反射部241對向。於第2槽部122b亦同樣地，可具有第1光反射部241與第2光反射部242。 區劃構件240如圖7所示般，亦設置於底面226c，且第1光反射部241與第2光反射部242可一體化。亦可為區劃構件240不配置於底面226c，且第1光反射部241經由第1間隙D1被分割成複數個。同樣地，第2光反射部242可經由第2間隙D2被分割成複數個。 第1間隙D1之Y方向上之長度，可如圖7所示般短於第2光反射部242之Y方向上之長度，亦可與第2光反射部242之Y方向上之長度相同。同樣地，第2間隙D2之Y方向上之長度，可如圖7所示般短於第1光反射部241之Y方向上之長度，亦可與第1光反射部241之Y方向上之長度相同。
接著，對於本變化例之面狀光源200之動作進行說明。以下，對於面狀光源200具有第1發光區域S1、及與第1發光區域S1在X方向上相鄰之第2發光區域S2之例子進行說明。
首先，以下對於將位於第1發光區域S1之光源130、或位於第2發光區域S2之光源130之任一者點亮時之作用效果進行說明。此處，對於使位於第1發光區域S1之光源130點亮之情形進行說明。
自位於第1發光區域S1之光源130出射之光之一部分L4在導光構件120內前進，例如通過第1間隙D1。通過第1間隙D1後之光L4，被第2光反射部242反射。因此，可抑制使自光源130出射之光L4透過槽122，而入射至第2面狀光源200b。藉此，藉由槽122之側面126b予以區劃，且亦可使槽122中變亮。亦可使槽122中變亮。因此，可使第1發光區域S1之外周之亮度提高。
接著，對於將位於第1發光區域S1之光源130與位於第2發光區域S2之光源130同時點亮時之作用效果進行說明。
自位於第1發光區域S1之光源130出射之光之一部分L4在導光構件120內前進，例如通過第1間隙D1。通過第1間隙D1後之光L4，被第2光反射部242反射。
同樣地，自位於第2發光區域S2之光源130出射之光之一部分L5，在導光構件120內前進，例如通過第2間隙D2。通過第2間隙D2之光L5，被第1光反射部241反射。
在將位於第1發光區域S1之光源130與位於第2發光區域S2之光源130同時點亮時，要求亦使第1發光區域S1與第2發光區域S2之間之區域(槽122)變亮(抑制槽122作為暗部而顯眼之情形)，而設為將第1發光區域S1與第2發光區域S2一體化之發光區域。於本實施形態中，可使位於第1發光區域S1與第2發光區域S2之間之槽122變亮(抑制槽122作為暗部而顯眼之情形)，而可獲得將第1發光區域S1與第2發光區域S2一體化之發光區域。
以上，若為本實施形態之變化例之面狀光源200，則在僅使位於相鄰之發光區域S中之一者之發光區域S之光源130點亮時，可藉由槽122以光不朝相鄰之發光區域S入射之方式進行區劃。又，在使複數個發光區域S之光源130同時點亮時，亦可使位於發光區域S之間之槽122變亮以不會成為暗部。
各第1間隙D1之Y方向之尺寸可不同。同樣地，各第2間隙D2之Y方向之尺寸可不同。例如，第1間隙D1可愈朝向第1槽部122a之Y方向之端部愈變大。同樣地，第2間隙D2亦可愈朝向第1槽部122a之Y方向之端部愈變大。藉此，可於槽122中使易於成為暗部之區域(第1槽部122a之Y方向之端部)變亮。
接著，對於本變化例之效果進行說明。 於本變化例中，區劃規定部123之槽122具有相互對向之第1側面126a及第2側面126b。區劃構件240具有：複數個第1光反射部241，其等於第1側面126a上於其間設置第1間隙D1地排列；及複數個第2光反射部242，其等於第2側面126b上於其間設置第2間隙D2地排列。第1間隙D1與複數個第2光反射部242中之一個對向。第2間隙D2與複數個第1光反射部241中之一個對向。藉此，在使複數個發光區域S之光源130同時點亮時，可使位於發光區域S之間之槽122變亮以不會成為暗部。又，在僅使位於相鄰之發光區域S中之一者之發光區域S之光源130點亮時，可藉由槽122以光不朝相鄰之發光區域S入射之方式進行區劃。
＜第1實施形態之第2變化例＞ 接著，對於第1實施形態之第2變化例進行說明。 圖8係顯示本變化例之面狀光源之平面圖。 本變化例之面狀光源300於槽322之構成上與第1實施形態之面狀光源100不同。
於導光構件120之上表面120a，設置包圍光源配置部121之槽322。槽322於一個光源130之周圍例如具有：於Y方向上延伸之2個第1槽部322a、於X方向上延伸之2個第2槽部322b、及將第1槽部322a與第2槽部322b予以結合之4個結合槽部322c。
將第1延伸部323a之槽之側面326a與第2延伸部323b之槽之側面326b予以連接之結合部323c之槽之側面326c，於俯視下彎曲。第1槽部322a之側面326a與第2槽部322b之側面326b被結合槽部322c之側面326c連接，結合槽部322c之側面326c係朝向遠離光源130之方向凸狀之彎曲面。因此，俯視下之發光區域S之形狀係角部帶有圓角之大致四角形。再者，於本變化例中，結合槽部322c係與第1槽部322a及第2槽部322b結合、且在X方向及Y方向上延伸之部分(於一個區劃規定部323中，係如圖8所示之L字狀，在區劃規定部323排列複數個之情形下，係十字狀)。
由於結合槽部322c之側面326c彎曲，因此通過結合槽部322c之側面326c之光折射、並集光。因此，使結合槽部322c之附近之亮度提高，而可抑制結合槽部322c之附近作為暗部而顯眼之情形。
區劃規定部323包含槽322、及於導光構件120中位於槽322之正下方之部分。具體而言，區劃規定部323具有：第1延伸部323a、第2延伸部323b、及結合部323c。第1延伸部323a包含第1槽部322a及於導光構件320中第1槽部322a之正下方之部分。第2延伸部323b包含第2槽部322b及於導光構件120中第2槽部322b之正下方之部分。結合部323c包含結合槽部322c及於導光構件120中結合槽部322c之正下方之部分。
又，區劃規定部323具有最遠離中心C之第1部分324、及最靠近中心C之第2部分325。
於區劃規定部323中最遠離中心C之位置P1，位於在對角方向W上鄰接之其他面狀光源300之發光區域S之角之頂點St。因此，第1部分324係區劃規定部323中之包含最遠之位置P1、且於與對角方向W及Z方向正交之方向上具有厚度之部分。
於區劃規定部323中最靠近中心C之位置P2，位於發光區域S之外周緣上，且於俯視下位於與通過中心C之X方向(或Y方向)平行之直線上。因此，第2部分325係區劃規定部323中之包含最近之位置P2、且於Y方向上具有厚度之部分。
區劃構件140例如設置於第1槽部322a之除了Y方向之兩端部以外之部分、及第2槽部322b之除了X方向之兩端部以外之部分。於結合槽部322c未設置區劃構件140。因此，第1部分324之透過性高於第2部分325之透過性。
接著，對於本變化例之效果進行說明。 與第1實施形態同樣地，本變化例中亦為第1部分324之透過率高於第2部分325之透過率。因此，可抑制面狀光源300之光之照射區域中之第1部分之附近作為暗部而顯眼之情形。
又，將第1延伸部323a之槽322之側面326a與第2延伸部323b之槽322之側面326b予以連接之結合槽部322c之側面326c，於俯視下彎曲。因此，自面326c出射之光被集光。因此，可進一步抑制結合部323c之附近作為暗部而顯眼之情形。
＜第2實施形態＞ 接著，對於第2實施形態進行說明。 圖9係顯示本實施形態之面狀光源之平面圖。 本實施形態之面狀光源400於槽422之構成上與第1實施形態之面狀光源100不同。
於導光構件120之上表面120a，設置不連續地包圍光源配置部121之槽422。槽422於一個光源配置部121之周圍，例如具有於Y方向上延伸之2個第1槽部422a、及於X方向上延伸之2個第2槽部422b。於第1槽部422a之Y方向之端部與第2槽部422b之X方向之端部之間，未設置槽。亦即，於本實施形態中於導光構件120未設置結合槽部122c。
藉由槽422而將導光構件120之上表面120a區劃成複數個發光區域S。發光區域S係上表面120a中的由2個第1槽部422a、2個第2槽部422b、及延長部422c包圍之區域，該延長部422c係使第1槽部422a之Y方向之端面於Y方向上假想性地延長，且使第2槽部422b之X方向之端面於X方向上假想性地延長，而由兩者交叉而成者。
區劃規定部423包含：槽422、及導光構件120中位於槽422之正下方之部分、即於導光構件120中在俯視下與延長部422c重合之部分。又，區劃規定部423具有最遠離中心C之第1部分424、及最靠近中心C之第2部分425。
於區劃規定部423中最遠離中心C之位置P1，位於在對角方向上鄰接之其他面狀光源100之發光區域S之角Sc上。因此，第1部分424係區劃規定部423中之包含最遠之位置P1、且於與對角方向W及Z方向正交之方向上具有厚度之部分。
於區劃規定部423中最靠近中心C之位置P2，位於發光區域S之外周緣上，且於俯視下位於與通過中心C之X方向(或Y方向)平行之直線上。因此，第2部分425係區劃規定部423中之包含最近之位置P2、且於Y方向上具有厚度之部分。
區劃構件140例如填充於第1槽部422a及第2槽部422b內。於結合部423c內，未設置槽422及區劃構件140。因此，第1部分424之透過率高於第2部分425之透過率。
接著，對於本變化例之效果進行說明。 於本變化例中，於第1部分424未設置槽122。因此，可進一步抑制第1部分之附近作為暗部而顯眼之情形。
＜第3實施形態＞ 接著，對於第3實施形態進行說明。 圖10係顯示本實施形態之面狀光源之平面圖。 圖11係將圖10之一部分放大地顯示之平面圖。 圖12係圖11之12-12線之剖視圖。 圖13係圖11之13-13線之剖視圖。 圖14係圖11之14-14線之剖視圖。 本實施形態之面狀光源500於槽522之構成上與第1實施形態之面狀光源100不同。
如圖10所示般，於導光構件120之上表面120a，設置將光源配置部121連續地包圍之槽522。槽522於一個光源配置部121之周圍，例如具有：於Y方向上延伸之2個第1槽部522a、於X方向上延伸之2個第2槽部522b、及將第1槽部522a與第2槽部522b結合之4個結合槽部522c。
如圖11所示般，第1槽部522a之寬度(X方向之尺寸)，於例如Y方向上之位置成為與最靠近光源130之位置P2相同之位置處為最大，於Y方向上之兩端為最小。同樣地，第2槽部522b之寬度(Y方向之尺寸)於X方向上之位置成為與最靠近光源130之位置相同之位置處為最大，於X方向上之兩端為最小。
如圖12所示般，槽522之深度(Z方向之尺寸)，例如在第1槽部522a內或第2槽部522b內成為最大。更具體而言，槽522之深度在第1槽部522a之Y方向之中心位置或第2槽部522b之X方向之中心位置處成為最大。又，槽522之深度例如在結合槽部522c內成為最小。更具體而言，槽522之深度在結合槽部522c之X方向或Y方向之中心位置處成為最小。如此般，槽522之寬度及深度可非為一定。槽522之寬度及深度例如可藉由調整錐形之切割機等切削具朝導光構件120插入之深度而變更。
如此般，若槽522之深度在X方向之各位置及Y方向之各位置處不同，則配線基板110之配線層111亦可設置為避開在槽522中深度成為最大之部分之正下方。根據如此之構成，在藉由切割機等切削具形成槽522時，可抑制配線層111損傷。
如圖11所示般，區劃規定部523包含槽522、及在導光構件120中位於槽522之正下方之部分。區劃規定部523具有：第1延伸部523a、第2延伸部523b、及結合部523c。第1延伸部423a包含第1槽部522a及在導光構件120中第1槽部522a之正下方之部分。第2延伸部523b包含第2槽部522b及於導光構件120中第2槽部522b之正下方之部分。結合部523c包含結合槽部522c及結合槽部522c之正下方之部分。
又，區劃規定部523具有最遠離中心C之第1部分524、及最靠近中心C之第2部分525。
區劃規定部523中距中心C最遠之位置P1，位於在對角方向W上鄰接之其他面狀光源500之發光區域S之角Sc上。因此，第1部分524係區劃規定部523中包含最遠之位置P1、且於與對角方向及Z方向正交之方向上具有厚度之部分。
區劃規定部523中之最靠近中心C之位置P2，位於發光區域S之外周緣上，且於俯視下位於與通過中心C之X方向(或Y方向)平行之直線上。因此，第2部分525係區劃規定部523中之包含最近之位置P2、且於Y方向上具有厚度之部分。
如圖13及圖14所示般，第1部分524之剖面上之槽522之深度，小於第2部分525之剖面上之槽522之深度。所謂「第1部分524之剖面上之槽522之深度」，係指圖13所示之第1部分524之剖面上之槽522之深度之最大值d1。所謂「第2部分525之剖面上之槽522之深度」，係指圖14所示之第1部分524之剖面上之槽522之深度之最大值d2。 所謂「第1部分524之剖面」，意指包含與光源130之中心C最遠之位置P1之剖面(圖11之13-13線之剖面)。所謂「第2部分525之剖面」，意指包含光源130之中心C與最近之位置P2之剖面(圖11之14-14線之剖面)。
又，如圖13及圖14所示般，第1部分524之槽522之對向之側面彼此之距離W1，小於第2部分525之槽522之對向之側面彼此之距離W2。「第1部分524之槽522之對向之側面彼此之距離W1」如圖13所示般，係第1部分524之槽522之對向之側面彼此間之距離成為最大之距離。「第2部分525之槽522之對向之側面彼此之距離W2」如圖14所示般，係第2部分525之槽522之對向之側面彼此間之距離成為最大之距離。所謂距離，意指與Z方向正交之方向上之距離。
因此，第1部分524之槽522之剖面積小於第2部分525之槽522之剖面積。因此，例如即便由區劃構件140填充第1槽部522a、第2槽部522b、及結合槽部522c，但第1部分524之透過率仍高於第2部分525之透過率。所謂「第1部分524之槽522之剖面積」，意指包含中心C與最靠近光源之位置P1之剖面(圖11之13-13線之剖面)處之槽522之面積。所謂「第2部分525之槽522之剖面積」，意指包含中心C與最靠近光源之位置P2之剖面(圖11之14-14線之剖面)處之槽522之面積。
接著，對於本實施形態之效果進行說明。 於本實施形態中，第1部分524之剖面上之槽522之深度小於第2部分525之剖面上之槽522之深度。因此，可抑制第1部分524之附近作為暗部而顯眼之情形。
又，第1部分524之剖面上之槽522之對向之側面彼此之距離W1，小於第2部分525之剖面上之槽522之對向之側面彼此之距離W2。因此，可抑制第1部分524之附近作為暗部而顯眼之情形。
又，第1部分524之槽522之剖面積小於第2部分525之槽522之剖面積。藉此，可使第1部分524之透過率高於第2部分525之透過率。
再者，於上述實施形態中，係變更槽522之寬度及深度之兩者，但亦可僅變更寬度，還可僅變更深度。
＜第4實施形態＞ 接著，對於第4實施形態進行說明。 圖15係顯示本實施形態之面狀光源之平面圖。 圖16係圖15之16-16線之剖視圖。 本實施形態之面狀光源600在不具備區劃規定部之點上與第1實施形態之面狀光源100相異。
如圖15所示般，於面狀光源600中，以不連續地包圍安裝於配線基板110之光源130之方式設置區劃構件641。如圖16所示般，區劃構件641例如設置於光反射性片材180之上，與光反射性片材180相接。
如圖15所示般，區劃構件641於一個光源130之周圍具有：在Y方向上延伸之2個第1反射部641a、及在X方向上延伸之2個第2反射部641b。第1反射部641a與第2反射部641b相離，於第1反射部641a之Y方向之端部與第2反射部641b之X方向之端部之間未設置區劃構件641。以下，將由在Y方向上相鄰之第1反射部641a與在X方向上相鄰之第2反射部641b包圍、且未設置區劃構件641之部分亦稱為「區劃構件641之間隙」。
區劃構件641例如係包含光反射性材料之樹脂。具體而言，作為區劃構件641，可使用包含氧化鈦作為光反射性材料之矽樹脂或環氧樹脂等。
如圖15及圖16所示般，以覆蓋光源130及區劃構件641之方式設置導光構件620。導光構件620填充於包含後述之區劃構件641之外周部640之內側(亦即，與後述之發光區域S對應之區域)，而密封光源130。又，導光構件620亦填充於區劃構件641之間隙。又，導光構件620設置於區劃構件641之正上方。然而，導光構件620亦可不填充於區劃構件641之間隙，亦可不設置於區劃構件641之正上方。
以下，將包含區劃構件641、且包圍光源130之框狀之部分稱為「外周部640」，將由外周部640包圍之區域稱為「發光區域S」。於本實施形態中，區劃構件641不連續地包圍光源130。因此，外周部640包含：第1反射部641a、第2反射部641b、及延長部641c，該延長部641c係將第1反射部641a之Y方向之端面在Y方向上假想性地延長，且將第2反射部641b之X方向之端面在X方向上假想性地延長，而由兩者交叉而成者。於本實施形態中，於延長部641c填充有導光構件620。
又，外周部640具有最遠離中心C之第1部分624、及最靠近中心C之第2部分625。
於外周部640中最遠離中心C之位置P1，位於延長部641c之角Sc上。因此，第1部分624係外周部640中之包含最遠之位置P1、且於與對角方向W及Z方向正交之方向上具有厚度之部分。
於外周部640中最靠近中心C之位置P2，在第1反射部641a中位於與導光構件620相接之面上，且於俯視下位於與通過中心C之X方向(或Y方向)平行之直線上。因此，第2部分625係區劃規定部640中之包含最近之位置P2、且於Y方向上具有厚度之部分。
在第1部分624未設置區劃構件641，相對於此，在第2部分625設置區劃構件641。因此，第1部分424之透過率高於第2部分625之透過率。
接著，對於本實施形態之效果進行說明。 本實施形態之面狀光源600具備：光源130、及包圍光源130且包含區劃構件641之外周部640。光源130係由導光構件620覆蓋。於俯視下，外周部640中之最遠離光源130之中心C之第1部分624之透過率，高於外周部640中之最靠近光源130之中心C之第2部分625之透過率。藉此，可抑制面狀光源600之光之照射區域中之第1部分624之附近作為暗部而顯眼之情形。其結果為，可實現可抑制在外周部640中之最遠離光源130之部分處暗部顯眼之面狀光源600。
又，於外周部640中，在第1部分624未設置區劃構件641。因此，可抑制第1部分624之附近作為暗部而顯眼之情形。
＜第4實施形態之變化例＞ 接著，對於第4實施形態之變化例進行說明。 圖17係顯示本變化例之面狀光源之平面圖。 圖18A係圖17之18A-18A線之剖視圖。 圖18B係圖17之18B-18B線之剖視圖。 本實施形態之面狀光源700在區劃構件741之構成上與第4實施形態之面狀光源600相異。
如圖16所示般，於面狀光源700中，設置包圍光源130之區劃構件741。於區劃構件741之正上方，設置導光構件620。然而，亦可於區劃構件741之正上方不設置導光構件620。
區劃構件741具有：複數個第1反射部741a，其等在Y方向上延伸、與導光構件620相接；連接部741c，其將在Y方向上相鄰之第1反射部741a彼此予以連接；及複數個第2反射部741b，其等在X方向上延伸。
如圖18A所示般連接部741c之厚度(Z方向之尺寸)小於第1反射部741a之厚度。如圖18B所示般，第2反射部741b例如配置於相鄰之連接部741c之間。連接部741c之厚度小於第2反射部741b之厚度。第1反射部741a之厚度與第2反射部741b之厚度大致相同。
區劃構件741例如係包含光反射性材料之樹脂。具體而言，作為區劃構件741，可使用包含氧化鈦作為光反射性材料之矽樹脂或環氧樹脂等。
如圖17所示般，外周部740包含2個第1反射部741a、2個第2反射部641b、及延長部，該延長部包含4個連接部741c，係將第1反射部741a之Y方向之端面於Y方向上假想性地延長，且將第2反射部741b之X方向之端面在X方向上假想性地延長，而由兩者交叉而成者。於本實施形態中，於延長部設置連接部741c及導光構件620。
又，外周部640具有最遠離中心C之第1部分724、及最靠近中心C之第2部分725。
外周部740中之最遠離中心C之位置P1位於連接部741c之角。因此，第1部分724係包含最遠之位置P1、且在與對角方向及Z方向正交之方向上具有厚度之部分。
外周部740中之最靠近中心C之位置P2，在第1反射部741a中位於與導光構件620相接之面上，且於俯視下位於與通過中心C之X方向(或Y方向)平行之直線上。因此，第2部分725例如係外周部740中之包含最近之位置P2、且於Y方向上具有厚度之部分。
如前述般，連接部741c之厚度小於第1反射部741a之厚度及第2反射部741b之厚度。因此，第1部分724中之區劃構件741之厚度小於第2部分725中之區劃構件741之厚度。因此，包含中心C及最遠之位置P1之剖面上之區劃構件741之剖面積，小於包含中心C及最近之位置P2之剖面上之區劃構件741之剖面積。因此，第1部分724之透過率高於第2部分725之透過率。
接著，對於本變化例之效果進行說明。 於本變化例之面狀光源700中，第1部分724之區劃構件741之厚度小於第2部分725之區劃構件741之厚度。藉此，可抑制第1部分724之附近作為暗部而顯眼之情形。
又，包含中心C及最遠之位置P1之剖面上之區劃構件741之剖面積，小於包含中心C及最近之位置P2之剖面上之區劃構件741之剖面積。藉此，可使第1部分724之透過率高於第2部分725之透過率。
再者，於上述複數個實施形態及變化例中，對區劃規定部或外周部為格子狀之例子進行了說明。然而，區劃規定部或外周部可非為格子狀。例如，區劃規定部或外周部可以發光區域成為三角形或六角形等四角形以外之多角形之方式設置。 [產業上之可利用性]
本發明例如可於背光中利用。
100,200,300,400,500,600,700:面狀光源 110:配線基板 110a:上表面 110b:下表面 111:配線層 112,113:被覆層 114:墊 120,320,620:導光構件 120a:上表面 120b:下表面 121:光源配置部 122,322,422,522:槽 122a,322a,422a,522a:第1槽部 122b,322b,422b,522b:第2槽部 122c,322c,522c:結合槽部 123,323,423,523:區劃規定部 123a,323a,423a,523a:第1延伸部 123b,323b,423b,523b:第2延伸部 123c,323c,423c,523c:結合部 124,324,424,524,624,724:第1部分 125,325,425,525,625,725:第2部分 126a,226a:側面/第1側面 126b,226b:側面/第2側面 126c,226c:底面 130:光源 131:發光元件 131a:發光部 131b,131c:電極 132:第2透光性構件 133:第2光調整構件 134:被覆構件 135:接合構件 140,240,641,741:區劃構件 150:光反射性構件 160:第1透光性構件 170:第1光調整構件 180:光反射性片材 180a:貫通孔 181:凹部 190:接著片材 190a:貫通孔 241:第1光反射部 242:第2光反射部 326a,326b,326c:側面 422c:延長部 640,740:外周部 641a,741a:第1反射部 641b,741b:第2反射部 641c:延長部 741c:連接部 3-3,4-4,12-12,13-13,14-14,16-16,18A-18A,18B-18B:線 C:光源之中心 d1:第1部分之剖面上之槽之深度之最大值 d2:第2部分之剖面上之槽之深度之最大值 D1:第1間隙 D2:第2間隙 K:空氣層 L1,L2,LA,LB:光 L1a:第1光 L1b:第2光 L1c:第3光 L4,L5:光之一部分/光 P1,P2:位置 S:發光區域 S1:第1發光區域 S2:第2發光區域 Sc:角 St:頂點 W:對角方向 W1:第1部分之剖面上之槽之對向之側面彼此之距離 W2:第2部分之剖面上之槽之對向之側面彼此之距離 X,Y,Z:方向
圖1係顯示第1實施形態之面狀光源之立體圖。 圖2係將第1實施形態之面狀光源放大後之平面圖。 圖3A係顯示圖2之3-3線之剖面之一例之圖。 圖3B係顯示圖2之3-3線之剖面之又一例之圖。 圖4A係顯示圖2之4-4線之剖面之一例之圖。 圖4B係顯示圖2之4-4線之剖面之又一例之圖。 圖5係圖2之4-4線之剖視圖，係顯示自光源出射之光之一例之剖視圖。 圖6係圖2之3-3線之剖視圖，係顯示自光源出射之光之一例之剖視圖。 圖7係顯示第1實施形態之第1變化例之面狀光源之平面圖。 圖8係顯示第1實施形態之第2變化例之面狀光源之平面圖。 圖9係顯示第2實施形態之面狀光源之平面圖。 圖10係顯示第3實施形態之面狀光源之平面圖。 圖11係將圖10之一部分放大地顯示之平面圖。 圖12係圖11之12-12線之剖視圖。 圖13係圖11之13-13線之剖視圖。 圖14係圖11之14-14線之剖視圖。 圖15係顯示第4實施形態之面狀光源之平面圖。 圖16係圖15之16-16線之剖視圖。 圖17係顯示第4實施形態之變化例之面狀光源之平面圖。 圖18A係圖17之18A-18A線之剖視圖。 圖18B係圖16之18B-18B線之剖視圖。
100:面狀光源
120a:上表面
121:光源配置部
122:槽
122a:第1槽部
122b:第2槽部
122c:結合槽部
123:區劃規定部
123a:第1延伸部
123b:第2延伸部
123c:結合部
124:第1部分
125:第2部分
130:光源
140:區劃構件
170:第1光調整構件
3-3,4-4:線
C:光源之中心
LA,LB:光
P1,P2:位置
S:發光區域
Sc:角
W:對角方向
X,Y,Z:方向

Claims (13)

  1. 一種面狀光源，其具備： 光源； 導光構件，其具有：於內部供前述光源配置之光源配置部、及包含包圍前述光源配置部之槽之區劃規定部；以及 配置於前述區劃規定部的光反射性之區劃構件；且 於俯視下，前述區劃規定部中距前述光源之中心最遠之第1部分之透過率，高於前述區劃規定部中距前述光源之中心最近之第2部分之透過率。
  2. 如請求項1之面狀光源，其中前述第1部分中之前述區劃構件之剖面積小於前述第2部分中之前述區劃構件之剖面積。
  3. 如請求項1或2之面狀光源，其中於前述第1部分未設置前述區劃構件。
  4. 如請求項1至3中任一項之面狀光源，其中前述區劃規定部具有： 第1延伸部，其在第1方向上延伸； 第2延伸部，其在與前述第1方向交叉之第2方向上延伸；及 結合部，其將前述第1延伸部與前述第2延伸部結合；且 前述第1部分位於前述結合部， 前述第2部分位於前述第1延伸部或前述第2延伸部。
  5. 如請求項4之面狀光源，其中於前述結合部未設置前述區劃構件。
  6. 如請求項4或5之面狀光源，其中將前述第1延伸部之前述槽之側面與前述第2延伸部之前述槽之側面連接之前述結合部之槽之側面，於俯視下彎曲。
  7. 如請求項1至6中任一項之面狀光源，其中前述第1部分之剖面上之前述槽之深度，小於前述第2部分之剖面上之前述槽之深度。
  8. 如請求項1至7中任一項之面狀光源，其中前述第1部分之剖面上之前述槽之對向之側面彼此之距離，小於前述第2部分之剖面上之前述槽之對向之側面彼此之距離。
  9. 如請求項1至8中任一項之面狀光源，其中前述第1部分中之槽之剖面積小於前述第2部分中之槽之剖面積。
  10. 如請求項1至9中任一項之面狀光源，其中於前述第1部分未設置前述槽。
  11. 如請求項1至10中任一項之面狀光源，其中前述區劃規定部之槽具有相互對向之第1側面及第2側面， 前述區劃構件具有： 第1光反射部，其於前述第1側面上設置複數個第1間隙地排列； 第2光反射部，其於前述第2側面上設置複數個第2間隙地排列；且 前述複數個第1間隙與前述第2光反射部對向， 前述複數個第2間隙與前述第1光反射部對向。
  12. 一種面狀光源，其具備： 光源；及 外周部，其包圍前述光源，具有光反射性之區劃構件；且 前述光源係由導光構件覆蓋， 於俯視下，前述外周部中距前述光源之中心最遠之第1部分之透過率，高於前述外周部中距前述光源之中心最近之第2部分之透過率。
  13. 如請求項12之面狀光源，其中於前述外周部，在前述第1部分未設置前述區劃構件。
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