TW202142843A - 插件式同軸熱輻射影像量測系統 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種插件式同軸熱輻射影像量測系統，其包括：籠式(Cage)系統支架、第一籠式系統可移動鏡架、第二籠式系統可移動鏡架、籠式系統固定座以及光偵測器；第一籠式系統可移動鏡架，於籠式系統支架上移動，用以固定第一透鏡，具有微調光路功能；第二籠式系統可移動鏡架，於籠式系統支架上移動，用以固定光偵測器；其中藉由移動第一透鏡來形成共軛焦的架構，將高功率紅外光雷射照射區所產生的熱輻射以固定比例成像到光偵測器。

Description

插件式同軸熱輻射影像量測系統
本發明係有關於一種熱輻射影像量測系統，更詳而言之，尤指一種插件式同軸熱輻射影像量測系統。
在雷射積層工過程(Selective Laser Melting)中熔池狀態的監測是提升加工品質以及降低加工成本最重要的條件。傳統技術主要透過三個方法來達到熔池狀態的監測的目的。
第一個方法為透過單個或是多個CCD或CMOS量測熱影像方式取得即時熔池影像，透過3D影像處理估計熔池狀態。雖然此方法可以得到即時全3D熱影像，然而受到非同調影像以及熱像儀解析度影響，對加熱點無法有效解析出加熱點的熔池溫度。此外高解析度熱像儀的價格昂貴，尤其是高反應強度之中紅外感應器技術仍以進口為主，並且為管制進口，因此方法不具價格競爭力以及自主性。
第二個方法為在同軸(雷射路徑上)裝置光偵測器，量測高溫熔池發出的熱輻射。具有即時熔融池熱輻射功率量測系統(MPM-Device)的雷射積層加工系統(第1圖左側)。即時熔融池熱輻射功率量測結果圖(第1圖右上側)，其中深藍色 實線1和深綠色實線2為以軸上兩個不同感測面積之光電二極體量測之功率，橫軸為相對時間，另外淺藍色實線4和紅色實線3分別代表雷射輸出為開與關。以即時熔融熱輻射功率量測配合振鏡控制信號重建二維平面上之溫度分布(第1圖右下側)。SLM Solutions GmbH公司在其開發之積層加工系統中裝置高溫熔池，熱輻射影像可透過後處理產生，並且可以即時量測加熱點的高溫熔池熱輻射強度，作為高溫熔池狀態的判斷準則。光學架構方法的中需要一特別設計之分光分鏡，除了將高功率紅外光(1微米)雷射分光外還必須將熱輻射反射。此外架構中使用之偵測器(Photodiode)感應強度可能不足。Chivel Y.於2013年提出在同軸(雷射路徑上)裝置雙色高溫計，量測高溫熔池發出的熱輻射的架構並搭配掃描振鏡以產生熱影像。此方法的需要比色高溫計，價格昂貴，較不具產品競爭力。同時溫度的決定是以黑體輻射論之，可能與實際加工的材料有出入。
第三個方法為以電漿光譜監測熔池狀態。
緣是，發明人有鑑於此，秉持多年該相關行業之豐富設計開發及實際製作經驗，針對現有之結構及缺失予以研究改良，提供一種插件式同軸熱輻射影像量測系統，以期達到更佳實用價值性之目的者。
鑒於上述習知技術之缺點，本發明主要之目的在 於提供一種插件式同軸熱輻射影像量測系統，利用共軛焦的架構，將高功率紅外光雷射照射區所產生的熱輻射以固定比例成像到光偵測器。
為達上述目的，本發明係提供一種插件式同軸熱輻射影像量測系統，其包括：一籠式(Cage)系統支架、一第一籠式系統可移動鏡架、一第二籠式系統可移動鏡架、一籠式系統固定座以及一光偵測器；一第一籠式系統可移動鏡架，於該籠式系統支架上移動，用以固定一第一透鏡，具有微調一光路功能；一第二籠式系統可移動鏡架，於該籠式系統支架上移動，用以固定一光偵測器；以及一籠式系統固定座，用以固定該籠式系統支架於一光學底板上，且該第一籠式系統可移動鏡架於該籠式系統固定座中移動；其中該第一透鏡與一金屬積層製造系統之一第二透鏡形成共軛焦的架構，將一高功率紅外光雷射照射區所產生的一熱輻射以固定比例成像到該光偵測器。
較佳地，可進一步包括一連接環，可用以連接該光偵測器至該第二籠式系統可移動鏡架上。
較佳地，可進一步包括一光圈，可設置於該籠式系統支架上及該光偵測器前方，用以阻止背景光干擾量測，提高系統成像之橫向解析度。
較佳地，該固定比例可為第二透鏡之焦距與第一透鏡之焦距的比值，而第一透鏡之焦距小於或等於第二透鏡 之焦距。
較佳地，可進一步包括一陷波濾光片，其中心波長可為1064nm、陷波帶寬可為36nm，可設置於該第一透鏡前方，用以阻止一加工雷射波長之能量經該插件式同軸熱輻射影像量測系統進入該光偵器。
較佳地，光偵器可為雪崩式光電二極體，用以建構比色式感測。
較佳地，光學底板可連接該籠式系統固定座及一積層系統連接板，並使該插件式同軸熱輻射影像量測系統高度對齊該光路中心。
較佳地，可進一步包括一電腦系統，透過一類比數位轉換器連接該光偵器，且可具有一材料熱發光譜資料庫。
以上之概述與接下來的詳細說明及附圖，皆是為了能進一步說明本發明達到預定目的所採取的方式、手段及功效。而有關本發明的其他目的及優點，將在後續的說明及圖式中加以闡述。
1-4:實線
5:籠式系統支架
6:籠式系統固定座
7、8:透鏡
9:第一籠式系統可移動鏡架
10:第二籠式系統可移動鏡架
11:光學底板
12:積層系統連接板
13:光偵測器
14:光圈
15:連接環
16:插件式同軸熱輻射影像量測系統
17:振鏡
18:積層製造工作區
19:陷波濾光片
20:熱輻射
21:雷射
22、23:分光鏡
24:類比數位轉換器
25:電腦系統
f1、f2:焦距
第1圖係為習知具有即時熔融池熱輻射功率量測系統的雷射積層加工系統以及即時熔融池熱輻射功率量測結果圖。
第2圖係為本發明配合現有的雷射積層系統之插件式同軸熱輻射量測系統並包含電腦系統架構圖。
第3圖係為本發明插件式同軸熱輻射影像量測系統架構圖。
第4圖係為本發明實現同軸系統中共軛焦的架構示意圖。
以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容瞭解本發明之其他優點與功效。
請參閱第2圖、第3圖、第4圖，第2圖係為本發明配合現有的雷射積層系統之插件式同軸熱輻射量測系統並包含電腦系統架構圖、第3圖係為本發明插件式同軸熱輻射影像量測系統架構圖、第4圖係為本發明實現同軸系統中共軛焦的架構示意圖。如圖所示，一般金屬積層製造系統包括雷射21、分光鏡22、23、振鏡17、透鏡8(可為平場聚焦鏡)及積層製造工作區18，而金屬積層製造系統之高功率紅外光雷射21(加工雷射21)藉由分光鏡22、23射至振鏡17，當掃描振鏡17改變角度時，高功率紅外光雷射21將照射積層製造工作區18之待燒結區域，加工過程中的雷射21融化金屬粉材後產生之熱輻射 20強度直接透過振鏡17導入本發明的插件式同軸熱輻射影像量測系統16，而本發明的插件式同軸熱輻射影像量測系統16主要由一透鏡7(焦距f1為250mm)與一傳阻放大矽基光偵測器13以籠式(cage)系統組成，藉由調整透鏡7與光偵測器13的位置，來調整透鏡7與金屬積層製造系統之透鏡8(可為平場聚焦鏡)的相對距離，來實現同軸系統中共軛焦的架構，使得高功率紅外光雷射照射區所產生的熱輻射20以固定比例成像到光偵測器13，而固定比例為透鏡8之焦距f2與透鏡7之焦距f1的比值，在本實施方式中透鏡7之焦距f1數值應小於等於透鏡8之焦距f2。
請參閱第3圖，一種插件式同軸熱輻射影像量測系統16包括：籠式系統支架5、第一籠式系統可移動鏡架9、第二籠式系統可移動鏡架10、籠式系統固定座6以及光偵測器13。第一籠式系統可移動鏡架9設置於籠式系統支架5上移動，用以固定第一透鏡7，具有微調光路功能。第二籠式系統可移動鏡架10設置於籠式系統支架5上移動，用以固定光偵測器13，光偵測器13藉由連接環15連接至第二籠式系統可移動鏡架10上，隨著第二籠式系統可移動鏡架10做移動。籠式系統固定座6，用以固定籠式系統支架5於光學底板11上，且第一籠式系統可移動鏡架9於籠式系統固定座6中移動。本發明藉由在籠式系統支架5上移動第一籠式系統可移動鏡架9來調整第一透鏡7與金屬積層製造系統之第二透鏡8(可為平場聚焦鏡)的 相對距離，使得第一透鏡7及第二透鏡8形成共軛焦的架構，將高功率紅外光雷射21照射區所產生的熱輻射20以固定比例成像到光偵測器13，而固定比例為第二透鏡8之焦距f2與第一透鏡7之焦距f1的比值，在本實施方式中第一透鏡7之焦距f1應小於等於第二透鏡8之焦距f2。即雷射照射點以外的任何輻射無法通過共軛焦光學系統到達光偵測器13，因此可掃描方式成像。亦就是說，雷射照射區路徑上的熱輻射20所形成之光強度分布經後處理，配合掃描振鏡17的轉動，換算出實際位置即完成影像，而此影像之範圍與掃描範圍相同。同時共軛焦光學系統建立，具有濾除空間中其他雜訊的能力。在技術上可以降低雜訊的影響。環境的所造的影響則待實測後再行處理校正問題。
在本實施方式中，可於籠式系統支架5上設置光圈14於光偵測器13前方，用以阻止背景光干擾量測，提高系統成像之橫向解析度。
在本實施方式中，第一透鏡7及第二透鏡8之焦距f1、f2可為250mm，但不限於此，第一透鏡7之焦距f1數值可小於第二透鏡8之焦距f2，可用以將進入插件式同軸熱輻射影像量測系統16上的熱輻射20聚焦到光偵測器13。
在本實施方式中，可進一步包括陷波濾光片19，陷波濾光片19的中心波長可為1064nm、陷波帶寬可為36nm，陷波濾光片19可設置於第一透鏡7前方，用以阻止加工雷射波 長之能量經插件式同軸熱輻射影像量測系統16進入光偵測器13，以避免干擾量測甚至損壞光偵測器13。
在本實施方式中，光偵測器13可為雪崩式光電二極體(Avalanche Photodiode)，用以建構比色式感測。
在本實施方式中，光學底板11可連接籠式系統固定座6及客製化的積層系統連接板12，並使插件式同軸熱輻射影像量測系統16高度對齊光路中心。
在本實施方式中，光偵測器13可透過類比數位轉換器24連接至電腦系統25，電腦系統25具有材料熱發光譜資料庫，因此本發明之插件式同軸熱輻射影像量測系統16搭配材料熱發光譜資料庫，來進行熱影像合成及記錄。
綜上所述，本發明採用共軛焦的架構，可以透過振鏡17掃描同時將熱輻射20信號成像，影像具有同時橫向以及緃向解析度。此外，以籠式(Cage)架構之插件式系統(籠式系統支架5、第一籠式系統可移動鏡架9、第二籠式系統可移動鏡架10、籠式系統固定座6)可以方便架設與調整於多數國產之金屬積層製造系統架構。再者，以高感度的雪崩式光電二極體可以更進一步建構比色式感測。另外，本發明架構除了可以取得熱輻射20(通常在紅外光波長範圍)之外，也可以用來量測加工過程中產生的電漿發光(通常在可見光波長範圍)。亦就是說，本發明可以提高對熔池狀態的監測的精確度、有效增加積層加工之效率，並且降低製造成本，而插件式同軸熱輻射影像 量測系統16可以容易安裝國產之金屬積層製造系統架構。
上述之實施例僅為例示性說明本發明之特點及其功效，而非用於限制本發明之實質技術內容的範圍。任何熟習此技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與變化。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
5:籠式系統支架
6:籠式系統固定座
7:透鏡
9:第一籠式系統可移動鏡架
10:第二籠式系統可移動鏡架
11:光學底板
12:積層系統連接板
13:光偵測器
14:光圈
15:連接環
19:陷波濾光

Claims (8)

  1. 一種插件式同軸熱輻射影像量測系統，其包括：
    一籠式(Cage)系統支架；
    一第一籠式系統可移動鏡架，於該籠式系統支架上移動，用以固定一第一透鏡，具有微調一光路功能；
    一第二籠式系統可移動鏡架，於該籠式系統支架上移動，用以固定一光偵測器；以及
    一籠式系統固定座，用以固定該籠式系統支架於一光學底板上，且該第一籠式系統可移動鏡架於該籠式系統固定座中移動；
    其中該第一透鏡與一金屬積層製造系統之一第二透鏡形成共軛焦的架構，將一高功率紅外光雷射照射區所產生的一熱輻射以固定比例成像到該光偵測器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之插件式同軸熱輻射影像量測系統，進一步包括一連接環，用以連接該光偵測器至該第二籠式系統可移動鏡架上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之插件式同軸熱輻射影像量測系統，進一步包括一光圈，設置於該籠式系統支架上及該光偵測器前方，用以阻止背景光干擾量測，提高系統成像之橫向解析度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之插件式同軸熱輻射影像量測系統，其中該固定比例為該第二透鏡之焦距與該第一透鏡 之焦距的比值，而該第一透鏡之焦距小於或等於該第二透鏡之焦距。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之插件式同軸熱輻射影像量測系統，進一步包括一陷波濾光片，其中心波長為1064nm、陷波帶寬為36nm，設置於該第一透鏡前方，用以阻止一高功率紅外光雷射波長之能量經該插件式同軸熱輻射影像量測系統進入該光偵器。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之插件式同軸熱輻射影像量測系統，其中該光偵器為雪崩式光電二極體，用以建構比色式感測。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之插件式同軸熱輻射影像量測系統，其中該光學底板連接該籠式系統固定座及一積層系統連接板，並使該插件式同軸熱輻射影像量測系統高度對齊該光路中心。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之插件式同軸熱輻射影像量測系統，進一步包括一電腦系統，透過一類比數位轉換器連接該光偵器，且具有一材料熱發光譜資料庫。
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