TW202133180A - 記憶體檢測方法與記憶體檢測系統 - Google Patents

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Abstract

一種記憶體檢測方法與記憶體檢測系統。此記憶體檢測系統包含測試機台以及電腦系統。此記憶體檢測方法包含：對記憶體晶片進行第一資料維持時間測試，以獲得第一合格記憶體晶片；對第一合格記憶體晶片進行第二資料維持時間測試，以獲得第二合格記憶體晶片；對第二合格記憶體晶片進行第三資料維持時間測試，以獲得第三合格記憶體晶片。根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二資料維持時間以及第三資料維持時間來對第三合格記憶體晶片進行統計分析步驟，以獲得最終合格記憶體晶片。

Description

記憶體檢測方法與記憶體檢測系統
本發明是有關於一種記憶體檢測方法與記憶體檢測系統。特別是有關於一種適用於變保存時間(Variable Retention Time；VRT)問題的記憶體檢測方法與記憶體檢測系統。
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)係透過電晶體來將電荷(資料)儲存於電容器中。隨著時間的推移，儲存在電容器中的資料可能會消失。動態隨機存取記憶體晶片有可變保存時間(Variable Retention Time；VRT)的問題。傳統上，通過向動態隨機存取記憶體晶片寫入資料，並於經過一段時間之後進行多次測試資料是否丟失來檢測動態隨機存取記憶體晶片是否有可變保存時間的問題。
然而，即使在第一次測試週期中DRAM晶片被判定為正常的晶片，也可能在第二次測試週期中由於資料丟失而被判定為具有VRT問題的晶片。因此，難以有效率地 檢測出具有VRT問題的晶片。
本發明之實施例提出一種記憶體檢測方法與記憶體檢測系統，其可有效率地檢測出具有VRT問題之記憶體晶片。
根據本發明之一實施例，在此記憶體檢測方法中，首先對記憶體晶片進行第一資料維持時間測試，以獲得第一合格記憶體晶片。接著，對第一合格記憶體晶片進行第二資料維持時間測試，以獲得第二合格記憶體晶片。然後，對第二合格記憶體晶片進行第三資料維持時間測試，以獲得第三合格記憶體晶片，其中每一第三合格記憶體晶片具有第一資料維持時間、第二資料維持時間以及第三資料維持時間，第一資料維持時間從第一資料維持時間測試獲得，第二資料維持時間從第二資料維持時間測試獲得，第三資料維持時間從第三資料維持時間測試獲得。接著，根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二資料維持時間以及第三資料維持時間來對該些第三合格記憶體晶片進行統計分析步驟，以獲得至少一最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值。然後，判斷第三合格記憶體 晶片之一者之資料維持時間差值之絕對值是否大於預設閥值。接著，若資料維持時間差值之絕對值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若資料維持時間差值之絕對值小於或等於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值。然後，根據每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根值。接著，判斷第三合格記憶體晶片之一者之方均根值是否大於預設閥值。然後，若方均根值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若方均根值小於或等於預設閥值則判定此第三合格記憶體晶片為該至少最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、該第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根值。然後，判斷第三合格記憶體晶片之一者之方均根值是否大於預設閥值。接著，若方均根值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若方均根值小於或等於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先 根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間平均值。然後，根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根值。然後，計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間平均值與該方均根值之比值。接著，判斷第三合格記憶體晶片之一者之比值是否大於預設閥值。然後，若比值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若比值小於或等於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，第一資料維持時間測試與第二資料維持時間測試之間的第一時間間隔大於或等於6小時，而第二資料維持時間測試與第三資料維持時間測試之第二時間間隔大於或等於6小時。
根據本發明之一實施例，前述之記憶體檢測系統包含測試機台以及電腦系統。測試機台係用以：對記憶體晶片進行第一資料維持時間測試，以獲得第一合格記憶體晶片。接著，對第一合格記憶體晶片進行第二資料維持時間測試，以獲得第二合格記憶體晶片。然後，對第二合格記憶體晶片進行第三資料維持時間測試，以獲得第三合格記憶體晶片，其中每一第三合格記憶體晶片具有第一資料維持時間、第二資料維持時間以及第三資料維持時間，第一資料維持時間從第一資料維持時間測試獲得，第二資料維 持時間從第二資料維持時間測試獲得，第三資料維持時間從第三資料維持時間測試獲得。電腦系統係用以根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二資料維持時間以及第三資料維持時間來對該些第三合格記憶體晶片進行統計分析步驟，以獲得至少一最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值。然後，判斷第三合格記憶體晶片之一者之資料維持時間差值之絕對值是否大於預設閥值。接著，若資料維持時間差值之絕對值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若資料維持時間差值之絕對值小於或等於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值。然後，根據每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根值。接著，判斷第三合格記憶體晶片之一者之方均根值是否大於預設閥值。然後，若方均根值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若方均根值小於或等於預設閥值則判定此第三合格記憶體晶片為該至少最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、該第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根值。然後，判斷第三合格記憶體晶片之一者之方均根值是否大於預設閥值。接著，若方均根值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若方均根值小於或等於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，在前述之統計分析步驟中，首先根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間平均值。然後，根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根值。然後，計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間平均值與該方均根值之比值。接著，判斷第三合格記憶體晶片之一者之比值是否大於預設閥值。然後，若比值大於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片不合格。若比值小於或等於預設閥值，則判定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。
在一些實施例中，第一資料維持時間測試與第二資料維持時間測試之間的第一時間間隔大於或等於6小時，而第二資料維持時間測試與第三資料維持時間測試之第二時間間隔大於或等於6小時。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100:記憶體檢測系統
110:測試機台
112:晶圓
114:探針裝置
120:電腦系統
200:記憶體檢測方法
210-240:步驟
342-344:步驟
344a-344c:步驟
442-444:步驟
444a-444c:步驟
542-548:步驟
548a-548c:步驟
600:記憶體檢測方法
640:步驟
圖1係繪示根據本發明實施例之記憶體檢測系統。
圖2係繪示根據本發明一實施例之記憶體檢測方法的流程示意圖。
圖3係繪示根據本發明一實施例之統計分析步驟的流程示意圖。
圖4係繪示根據本發明一實施例之統計分析步驟的流程示意圖。
圖5係繪示根據本發明一實施例之統計分析步驟的流程示意圖。
圖6係繪示根據本發明一實施例之記憶體檢測方法的流程示意圖。
請參照圖1，其係繪示根據本發明實施例之記憶體檢測系統100。記憶體檢測系統100包含測試機台110以及電腦系統120。測試機台110係用以對晶圓112上的複數個記憶體晶片進行測試，以獲得每一記憶體晶片的測試資料。在本發明之實施例中，晶圓112上的記憶體晶片為動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)晶片。電腦系統120係電性連接至測試機台110，以取得記憶體晶片的測試資料，並對其進行分析。
在本實施例中，測試機台110包含探針裝置114，其可施加電子訊號至晶圓112的記憶體晶片上，並獲取這些記憶體晶片的測試資料。測試資料可包含但不限定於記憶體晶片的位置以及記憶體晶片的資料維持時間。
請參照圖2，其係繪示根據本發明一實施例之記憶體檢測方法200的流程示意圖。在記憶體檢測方法200，首先進行步驟210，以對晶圓112上的記憶體晶片進行第一資料維持時間測試，而獲得複數個第一合格記憶體晶片。在步驟210中，測試機台110係量測每一記憶體晶片的資料維持時間，接著，再根據預設之資料維持時間閥值來判斷記憶體晶片是否通過測試，以從中挑選出第一合格記憶體晶片。然而，本發明之實施例並不受限於此，其他合適的資料維持時間測試方法亦可應用於步驟210中。
接著，進行步驟220，以對晶圓112上的第一合格記憶體晶片進行第二資料維持時間測試而獲得複數個第二合格記憶體晶片。類似地，在步驟220中，測試機台110係量測每一第一合格記憶體晶片的資料維持時間。接著，再根據預設之資料維持時間閥值來判斷第一記憶體晶片是否通過測試，以從中挑選出第二合格記憶體晶片。然而，本發明之實施例並不受限於此，其他合適的資料維持時間測試方法亦可應用於步驟220中。
然後，進行步驟230，以對晶圓112上的第二合格記憶體晶片進行第三資料維持時間測試，而獲得複數個第三合格記憶體晶片。類似地，在步驟230中，測試機台110係量測每一第二合格記憶體晶片的資料維持時間。接著，再根據預設之資料維持時間閥值來判斷第二記憶體晶片是否通過測試，以從中挑選出第三合格記憶體晶片。然而，本發明之實施例並不受限於此，其他合適的資料維持時間測試方法亦可應用於步驟230中。
在本發明之實施例中，第一資料維持時間測試與第二資料維持時間測試的時間間隔為至少6小時，第二資料維持時間測試與第三資料維持時間測試的時間間隔也為至少6小時。例如，當第一資料維持時間測試結束後，經過至少6小時後才會進行第二資料維持時間測試。又例如，當第二資料維持時間測試結束後，經過至少6小時後才會進行第三資料維持時間測試。在本實施例中，第一資料維持時間測試與第二資料維持時間測試的時間間隔為24小時，而第二資料維持時間測試與第三資料維持時間測試的時間間隔也為24小時。
接著，進行步驟240，以利用電腦系統120來對第三合格記憶體晶片進行統計分析，以獲得最終合格記憶體晶片。在本發明之實施例中，步驟240係根據第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來對第三合格記憶體晶片進行一統計分析步驟，以從中獲得至少一個最終合格記憶體晶片。
請參照圖3，其係繪示根據本發明一實施例之步驟240的流程示意圖。在本實施例中，步驟240係利用資料維持時間的差值來進行統計分析。如圖3所示，首先進行步驟342，以根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值。例如，計算第一資料維持時間與第二維持時間之差值；計算第二資料維持時間與第三維持時間之差值；以及計算第一資料維持時間與第三維持時間之差值。如此，步驟342可獲得每一第三合格記憶體晶片的三筆資料維持時間差值。
接著，進行步驟344，以判斷一待分析之第三合格記憶體晶片是否可為最終合格記憶體晶片。在步驟344中，首先，進行步驟344a，以判斷此第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值之絕對值是否大於預設閥值。在本實施例中，預設閥值為30毫秒(ms)，但本發明之實施例並不受限於此。若此第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值未大於預設閥值，則進行步驟344b，以決定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。若此第三合格記憶體晶片之資料維持時間差值大於預設閥值，則進行步驟344c，以決定此第三合格記憶體晶片為不合格晶片。
在本實施例中，步驟344a係判斷待分析之第三合格記憶體晶片的三個資料維持時間差值是否皆大於預設閥值。然而，本發明之實施例並不受限於此。
在本發明之另一實施例中，步驟344a判斷三個資 料維持時間差值中的一個是否大於預設閥值。若判斷結果為否，則進行步驟344b，以決定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。若判斷結果為是，則進行步驟344c，以決定此第三合格記憶體晶片為不合格晶片。
在本發明之又一實施例中，步驟344a判斷三個資料維持時間差值中的兩個是否皆大於預設閥值。若判斷結果為否，則進行步驟344b，以決定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。若判斷結果為是，則進行步驟344c，以決定此第三合格記憶體晶片為不合格晶片。
請參照圖4，其係繪示根據本發明一實施例之步驟240的流程示意圖。在本實施例中，步驟240係利用資料維持時間的方均根值來進行統計分析。如圖4所示，首先進行步驟442，以根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根(Root Mean Square；RMS)值。第三合格記憶體晶片之方均根值的計算公式如下：
Figure 109105044-A0101-12-0011-1
其中，R為一第三合格記憶體晶片之方均根值，而D1、D2、D3則分別為此第三合格記憶體晶片的三筆資料維持時間差值。
然後，進行步驟444，以判斷一待分析之第三合格記憶體晶片是否可為最終合格記憶體晶片。在步驟444 中，首先，進行步驟444a，以判斷此第三合格記憶體晶片之方均根值是否大於預設閥值。在本實施例中，此預設閥值為45，但本發明之實施例並不受限於此。若此第三合格記憶體晶片之方均根值未大於預設閥值，則進行步驟444b，以決定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。若此第三合格記憶體晶片之方均根值大於預設閥值，則進行步驟444c，以決定此第三合格記憶體晶片為不合格晶片。
請參照圖5，其係繪示根據本發明一實施例之步驟240的流程示意圖。在本實施例中，步驟240係利用資料維持時間的AR值來進行統計分析，其中AR值為資料維持時間的平均值與方均根值的比值。如圖5所示，首先進行步驟542，以根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間平均值。接著，進行步驟544，以根據每一第三合格記憶體晶片之第一資料維持時間、第二維持時間以及第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之方均根值。步驟544係類似於前述之步驟442，故不在此贅述。
然後，進行步驟546，以計算每一第三合格記憶體晶片之資料維持時間平均值與均方根值之比值(AR)，其中AR值的計算方式如下：
Figure 109105044-A0101-12-0012-2
其中，T1、T2、T3分別為第三合格記憶體晶片於第一資料維持時間測試、第二資料維持時間測試以及第三 資料維持時間測試所測得之資料維持時間。
接著，進行步驟548，以判斷一待分析之第三合格記憶體晶片是否可為最終合格記憶體晶片。在步驟548中，首先，進行步驟548a，以判斷此第三合格記憶體晶片之方AR值是否大於預設閥值。在本實施例中，此預設閥值為3，但本發明之實施例並不受限於此。若此第三合格記憶體晶片之AR值未大於預設閥值，則進行步驟548b，以決定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。若此第三合格記憶體晶片之AR值大於預設閥值，則進行步驟548c，以決定此第三合格記憶體晶片為不合格晶片。
請參照圖6，其係繪示根據本發明一實施例之記憶體檢測方法600的流程示意圖。記憶體檢測方法600係類似於前述之記憶體檢測方法200，不同之處在於記憶體檢測方法600之步驟640係整合複數個統計分析步驟來對第三合格記憶體晶片進行分析。例如，步驟640可整合圖3和圖4之實施例(例如步驟344和444)，來對第三合格記憶體晶片進行分析。具體而言，若一第三合格記憶體晶片者通過步驟344和444其中一者的判斷，則判定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。又例如，步驟640可整合圖3、圖4和圖5之實施例(例如步驟344、444以及548)，來對第三合格記憶體晶片進行分析。具體而言，若一第三合格記憶體晶片者通過步驟344、444以及548其中一者的判斷，則判定此第三合格記憶體晶片為最終合格記憶體晶片。
由上述說明可知，本發明實施例之記憶體檢測系統與記憶體檢測方法係對通過多次資料維持時間測試的記憶體晶片進行統計分析，如此可有效率地檢測出具有VRT問題之記憶體晶片。另外，雖然上述實施例之統計分析步驟採用資料維持時間差值、方均根植以及AR值來進行分析，但本發明之實施例並不受限於此。其他合適的統計分析方法亦可適用於本發明之實施例。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
200:記憶體檢測方法
210-240:步驟

Claims (10)

  1. 一種記憶體檢測方法，包含：
    對複數個記憶體晶片進行一第一資料維持時間測試，以獲得複數個第一合格記憶體晶片；
    對該些第一合格記憶體晶片進行一第二資料維持時間測試，以獲得複數個第二合格記憶體晶片；
    對該些第二合格記憶體晶片進行一第三資料維持時間測試，以獲得複數個第三合格記憶體晶片，其中每一該些第三合格記憶體晶片具有一第一資料維持時間、一第二資料維持時間以及一第三資料維持時間，該第一資料維持時間從該第一資料維持時間測試獲得，該第二資料維持時間從該第二資料維持時間測試獲得，該第三資料維持時間從該第三資料維持時間測試獲得；以及
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二資料維持時間以及該第三資料維持時間來對該些第三合格記憶體晶片進行一統計分析步驟，以獲得至少一最終合格記憶體晶片。
  2. 如請求項1所述之記憶體檢測方法，其中該統計分析步驟包含：
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一該些第三合格記憶體晶片之一資料維持時間差值；以及
    判斷該些第三合格記憶體晶片之一者之該資料維持時間 差值之絕對值是否大於一預設閥值；
    若該資料維持時間差值之絕對值大於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者不合格；
    若該資料維持時間差值之絕對值小於或等於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者為該至少一最終合格記憶體晶片。
  3. 如請求項1所述之記憶體檢測方法，其中該統計分析步驟包含：
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一該些第三合格記憶體晶片之一方均根值；以及
    判斷該些第三合格記憶體晶片之一者之該方均根值是否大於一預設閥值；
    若該方均根值大於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者不合格；
    若該方均根值小於或等於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者為該至少一最終合格記憶體晶片。
  4. 如請求項1所述之記憶體檢測方法，其中該統計分析步驟包含：
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一該些第三合格記憶體晶片之一資料維持時間平均值；
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一該些第三合格記憶體晶片之一方均根值；
    計算每一該些第三合格記憶體晶片之該資料維持時間平均值與該方均根值之一比值；以及
    判斷該些第三合格記憶體晶片之一者之該比值是否大於一預設閥值；
    若該比值大於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者不合格；
    若該比值小於或等於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者為該至少一最終合格記憶體晶片。
  5. 如請求項1所述之記憶體檢測方法，其中該第一資料維持時間測試與該第二資料維持時間測試之間的一第一時間間隔大於或等於6小時，而該第二資料維持時間測試與該第三資料維持時間測試之一第二時間間隔大於或等於6小時。
  6. 一種記憶體檢測系統，包含：
    一測試機台，用以：
    對複數個記憶體晶片進行一第一資料維持時間測試，以獲得複數個第一合格記憶體晶片；
    對該些第一合格記憶體晶片進行一第二資料維持時間測試，以獲得複數個第二合格記憶體晶片；以及
    對該些第二合格記憶體晶片進行一第三資料維持時間測試，以獲得複數個第三合格記憶體晶片，其中每一該些第三合格記憶體晶片具有一第一資料維持時間、一第二資料維持時間以及一第三資料維持時間，該第一資料維持時間從該第一資料維持時間測試獲得，該第二資料維持時間從該第二資料維持時間測試獲得，該第三資料維持時間從該第三資料維持時間測試獲得；以及
    一電腦系統，用以根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二資料維持時間以及該第三資料維持時間來對該些第三合格記憶體晶片進行一統計分析步驟，以獲得至少一最終合格記憶體晶片。
  7. 如請求項6所述之記憶體檢測系統，其中該統計分析步驟包含：
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一該些第三合格記憶體晶片之一資料維持時間差值；以及
    判斷該些第三合格記憶體晶片之一者之該資料維持時間差值之絕對值是否大於一預設閥值；
    若該資料維持時間差值之絕對值大於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者不合格；
    若該資料維持時間差值之絕對值小於或等於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者為該至少一最終合格記憶體晶片。
  8. 如請求項6所述之記憶體檢測系統，其中該統計分析步驟包含：
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一第三合格記憶體晶片之一方均根值；以及
    判斷該些第三合格記憶體晶片之一者之該方均根值是否大於一預設閥值；
    若該方均根值大於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者不合格；
    若該方均根值小於或等於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者為該至少一最終合格記憶體晶片。
  9. 如請求項6所述之記憶體檢測系統，其中該統計分析步驟包含：
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一該些第三合格記憶體晶片之一資料維持時間平均值；
    根據每一該些第三合格記憶體晶片之該第一資料維持時間、該第二維持時間以及該第三資料維持時間來計算每一該些第三合格記憶體晶片之一方均根值；
    計算每一該些第三合格記憶體晶片之該資料維持時間平均值與該方均根值之一比值；以及
    判斷該些第三合格記憶體晶片之一者之該比值是否大於 一預設閥值；
    若該比值大於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者不合格；
    若該比值小於或等於該預設閥值，則判定該些第三合格記憶體晶片之該者為該至少一最終合格記憶體晶片。
  10. 如請求項6所述之記憶體檢測系統，其中該第一資料維持時間測試與該第二資料維持時間測試之間的一第一時間間隔大於或等於6小時，而該第二資料維持時間測試與該第三資料維持時間測試之一第二時間間隔大於或等於6小時。
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