TW202132835A - 單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法 - Google Patents

單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202132835A
TW202132835A TW110105141A TW110105141A TW202132835A TW 202132835 A TW202132835 A TW 202132835A TW 110105141 A TW110105141 A TW 110105141A TW 110105141 A TW110105141 A TW 110105141A TW 202132835 A TW202132835 A TW 202132835A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductor
transmission device
signal
photosensitive element
light source
Prior art date
Application number
TW110105141A
Other languages
English (en)
Inventor
顏俊強
沈帛寬
林聖富
尤秋林
韓凱倫
張正陽
伍茂仁
Original Assignee
合聖科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 合聖科技股份有限公司 filed Critical 合聖科技股份有限公司
Publication of TW202132835A publication Critical patent/TW202132835A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
    • H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
    • H04B10/802—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections for isolation, e.g. using optocouplers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q20/00—Payment architectures, schemes or protocols
    • G06Q20/38—Payment protocols; Details thereof
    • G06Q20/40—Authorisation, e.g. identification of payer or payee, verification of customer or shop credentials; Review and approval of payers, e.g. check credit lines or negative lists
    • G06Q20/401—Transaction verification
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/11—Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
    • H04B10/114—Indoor or close-range type systems
    • H04B10/1141—One-way transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/61—Coherent receivers
    • H04B10/64—Heterodyne, i.e. coherent receivers where, after the opto-electronic conversion, an electrical signal at an intermediate frequency [IF] is obtained
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04Q—SELECTING
    • H04Q11/00—Selecting arrangements for multiplex systems
    • H04Q11/0001—Selecting arrangements for multiplex systems using optical switching
    • H04Q11/0062—Network aspects
    • H04Q11/0071—Provisions for the electrical-optical layer interface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Accounting & Taxation (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • General Business, Economics & Management (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Strategic Management (AREA)
  • Finance (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本案揭露一種單向傳輸裝置，此單向傳輸裝置包含至少一基板、至少一光源以及至少一感光元件。至少一基板包含至少一凹槽。至少一光源用以將一電信號轉換為一光信號，並對光信號進行傳遞。至少一感光元件用以接收到光信號，並將光信號轉換為電信號。至少一凹槽用以設置至少一光源，或用以設置至少一感光元件，或用以反射光信號。

Description

單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法
本案係有關於一種隔離裝置及信號傳輸方法，且特別是有關於一種單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法。
隨著網路的發展，生活日益便利。為了更便利且及時地取得資訊，萬物皆聯網(IoT)的趨勢日漸形成，但也衍生出需多資訊安全的問題。
網路暨行動裝置的普及，金融科技(Financial technology, FinTech)、行動支付及網路銀行…等等，皆須使用大量個人資訊(諸如生物特徵)作為交易認證，每日龐大的交易量使個資暴露在高風險中。
若以電路來進行交易認證，由於電路具有雙向傳輸之特性，即便使用防火牆等軟體作來提升交易認證的安全性，亦存在一定風險，且十分影響傳輸速度，拖累系統效能。
本案內容之一技術態樣係關於一種單向傳輸裝置，單向傳輸裝置包含至少一基板、至少一光源以及至少一感光元件。至少一基板包含至少一凹槽。至少一光源用以將一電信號轉換為一光信號，並對光信號進行傳遞。至少一感光元件用以接收到光信號，並將光信號轉換為電信號。至少一凹槽用以設置至少一光源，或用以設置至少一感光元件，或用以反射光信號。
本案內容之又一技術態樣係關於一種信號單向傳輸方法，信號單向傳輸方法包含以下步驟：透過至少一光源以將電信號轉換為光信號，並對光信號進行傳遞；以及透過至少一感光元件以接收到光信號，並將光信號轉換為電信號，其中至少一基板之至少一凹槽以設置至少一光源，或用以設置至少一感光元件，或用以反射光信號。
因此，根據本案之技術內容，若電子裝置採用本案之單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法來進行交易認證，由於單向傳輸裝置具有單向傳輸之特性，因此，交易認證的安全性更高。由於交易相關的資料僅能單向傳輸，無法反向擷取交易相關的資料，因此更能確保交易認證的安全性。
為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本案的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本案具體實施例的唯一形式。實施方式中涵蓋了多個具體實施例的特徵以及用以建構與操作這些具體實施例的方法步驟與其順序。然而，亦可利用其他具體實施例來達成相同或均等的功能與步驟順序。
除非本說明書另有定義，此處所用的科學與技術詞彙之含義與本案所屬技術領域中具有通常知識者所理解與慣用的意義相同。此外，在不和上下文衝突的情形下，本說明書所用的單數名詞涵蓋該名詞的複數型；而所用的複數名詞時亦涵蓋該名詞的單數型。
第1圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100的示意圖。如圖所示，單向傳輸裝置100包含至少一基板110、至少一光源120以及至少一感光元件130。至少一基板110包含至少一凹槽111。在一實施例中，至少一凹槽111包含第一反光面113及第二反光面115。在一實施例中，上述光源120可採用任何可發光之元件來加以實現。
在一實施例中，單向傳輸裝置100更包含第一導體140及第二導體150。如圖所示，至少一光源120以覆晶(flip bonding)方式連接第一導體140，且至少一感光元件130以覆晶方式連接第二導體150。在另一實施例中，第一導體140獨立於第二導體150。舉例而言，第一導體140並未實體連接於第二導體150，此外，第一導體140亦未直接或間接電性連接於第二導體150。在一實施例中，至少一光源120及至少一感光元件130以覆晶方式連接第一導體140及第二導體150的連接點(圖中圓形點)之材質可為金、錫、合金或石墨。
單向傳輸裝置100之操作方式說明如後。至少一光源120接收由第一導體140傳來的電信號，並將電信號轉換為光信號(例如具有光相位與光強弱之信號)，再將光信號傳遞至第一反光面113，由第一反光面113反射來自至少一光源120的光信號。接著，第二反光面115反射來自第一反光面113的光信號，並將光信號傳遞到至少一感光元件130。隨後，至少一感光元件130接收到光信號，並將光信號轉換為電信號，再由第二導體150傳遞電信號。
如此一來，若電子裝置採用本案之單向傳輸裝置100來進行交易認證，由於單向傳輸裝置100具有單向傳輸之特性，因此，交易認證的安全性更高。由於交易相關的資料僅能單向傳輸，無法反向擷取交易相關的資料，因此更能確保交易認證的安全性。
在一實施例中，單向傳輸裝置100可為光隔離裝置。在一實施例中，第一導體140與第二導體150貫穿至少一基板110以分別與至少一光源120與至少一感光元件130連接。在另一實施例中，至少一凹槽111更包含介質160，此介質160用以傳遞光信號，上述介質包含空氣、矽、二氧化矽、聚合物及光波長750nm~1650nm可穿透之物質的其中一者。在一實施例中，光信號亦可不依靠介質而於真空中傳遞。
在一實施例中，光信號之波長介於850 nm(奈米)至1550nm。在另一實施例中，光信號之波長介於750nm至1650nm。在一實施例中，至少一基板110之材料可為矽、玻璃、陶瓷、氧化鋁、氮化矽或聚合物(polymer)。然本案不以第1圖所示之實施例為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第2圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100A的示意圖。相較於第1圖所示之單向傳輸裝置100，第2圖之單向傳輸裝置100A之第一導體140A及第二導體150A的配置不同。
如第2圖所示，第一導體140A與第二導體150A包覆於至少一基板110A之外側以分別與至少一光源120A與至少一感光元件130A連接。在一實施例中，第一導體140A與第二導體150A可以塗佈的方式形成於至少一基板110A之外側。需說明的是，於第2圖之實施例中，元件標號類似於第1圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第2圖所示之實施例為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第3圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100B的示意圖。相較於第1圖所示之單向傳輸裝置100，第3圖之單向傳輸裝置100B之第一導體140B及第二導體150B的配置不同。
如第3圖所示，第一導體140B及第二導體150B位於至少一基板110B之表面上，並分別與至少一光源120B與至少一感光元件130B連接。在一實施例中，至少一基板110B更包含另一凹槽117B，至少一光源120B與至少一感光元件130B可設置於凹槽117B內。需說明的是，於第3圖之實施例中，元件標號類似於第1圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第3圖所示之實施例為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第4圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100C的示意圖。相較於第1圖所示之單向傳輸裝置100，第4圖之單向傳輸裝置100C更包含反光層170C，且部分結構的配置不同。
如第4圖所示，反光層170C設置於至少一基板上方110C。此外，至少一光源120C設置於凹槽111C內，並連接該第一導體140C。至少一感光元件130C設置於凹槽111C內，並連接第二導體150C。詳細而言，至少一光源120C透過連接線141C連接第一導體140C，而至少一感光元件130C透過連接線143C連接第二導體150C。
相較於將光源及感光元件設置於平面基板上，本案之至少一光源120C及至少一感光元件130C係設置於凹槽111C內，使得至少一光源120C及至少一感光元件130C的頂部更靠近第一導體140C及第二導體150C，因此，連接第一導體140C與至少一光源120C的連接線141C可有效地被縮短，進而降低損耗。同樣的，連接第二導體150C與至少一感光元件130C的連接線143C亦可有效地被縮短，進而降低損耗。
單向傳輸裝置100C之操作方式說明如後。至少一光源120C接收由第一導體140C傳來的電信號，並將電信號轉換為光信號，再將光信號傳遞至反光層170C，由反光層170C將光信號反射到至少一感光元件130C。隨後，至少一感光元件130C接收到光信號，並將光信號轉換為電信號，再由第二導體150C傳遞電信號。需說明的是，於第4圖之實施例中，元件標號類似於第1圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第4圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第5圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100D的示意圖。相較於第4圖所示之單向傳輸裝置100C，第5圖之單向傳輸裝置100D之第一導體140D與第二導體150D的配置不同。
如第5圖所示，第一導體140D與第二導體150D包覆於至少一基板110D之外側以分別與至少一光源120D與至少一感光元件130D連接。需說明的是，於第5圖之實施例中，元件標號類似於第4圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第5圖所示之實施例為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第6圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100E的示意圖。相較於第4圖所示之單向傳輸裝置100C，第6圖之單向傳輸裝置100E之反光層170E更包含曲面171E。
如第6圖所示，至少一光源120E將光信號傳遞至反光層170E之曲面171E，並由反光層170E之曲面171E將光信號反射到至少一感光元件130E。如此一來，由於反光層170E更包含上述曲面171E，因此，可藉由設定曲面171E之彎曲弧度，以增加光信號之反射效率。需說明的是，於第6圖之實施例中，元件標號類似於第4圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第6圖所示之實施例為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。在不脫離本案之精神的狀況下，當可使用其餘形狀的反光層170E來實施本案，以增進光信號之反射效率。
第7圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100F的示意圖。相較於第1圖所示之單向傳輸裝置100，第7圖之單向傳輸裝置100F包含第一基板110F及第二基板180F，且部分結構的配置不同。
如第7圖所示，第一基板110F包含至少一凹槽111F。至少一感光元件130F設置於至少一凹槽111F內，且至少一光源120F設置於第二基板180F上。在一實施例中，第一基板110F與第二基板180F可採用相同或不相同的材料來加以實現。
此外，第一導體140F貫穿第一基板110F並透過第三導體190F以連接於至少一光源120F，第二導體150F貫穿第一基板110F以連接於至少一感光元件130F。再者，第一導體140F與第三導體190F間可由導電材料121F來進行連接。另有導電材料131F設置於第一基板110F及第二基板180F之間。在一實施例中，導電材料121F、131F之材料可為金、錫、合金、石墨等。
單向傳輸裝置100F之操作方式說明如後。至少一光源120F接收由第一導體140F透過第三導體190F所傳來的電信號，並將電信號轉換為光信號，再將光信號直接傳遞到至少一感光元件130F。至少一感光元件130F接收到光信號，並將光信號轉換為電信號，再由第二導體150F傳遞電信號。
相較於需要透過反射來進行光信號之傳遞的方式，第7圖之至少一光源120F可將光信號直接傳遞到至少一感光元件130F，因此，光信號的傳遞路徑可有效地被縮短，進而降低損耗。需說明的是，於第7圖之實施例中，元件標號類似於第1圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第7圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第8圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100G的示意圖。相較於第7圖所示之單向傳輸裝置100F，第8圖之單向傳輸裝置100G的第二基板180G包含凹槽181G。
如第8圖所示，至少一光源120G設置於凹槽181G內，而至少一感光元件130G設置於凹槽111G內。在一實施例中，凹槽111G與凹槽181G面對面配置。需說明的是，於第8圖之實施例中，元件標號類似於第7圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第8圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第9圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第8圖所示之單向傳輸裝置100G的集成裝置示意圖。如圖所示，第9圖繪示了多個單向傳輸裝置併排在一起的實施例，這些單向傳輸裝置形成了第9圖的集成裝置100H。需說明的是，於第9圖之實施例中，元件標號類似於第8圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第9圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第10圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100I的示意圖。如圖所示，單向傳輸裝置100I包含至少一基板110I、至少一光源120I、至少一感光元件130I以及反光層170I。至少一光源120I設置於至少一基板110I上。至少一感光元件130I設置於至少一基板上110I。反光層170I設置於至少一基板110I上方。
在一實施例中，單向傳輸裝置100I包含第一導體140I及第二導體150I。如圖所示，第一導體140I連接至少一光源120I，且第二導體150I連接至少一感光元件130I。在另一實施例中，第一導體140I獨立於第二導體150I。舉例而言，第一導體140I並未實體連接於第二導體150I，此外，第一導體140I亦未直接或間接電性連接於第二導體150I。
單向傳輸裝置100I之操作方式說明如後。至少一光源120I接收由第一導體140I傳來的電信號，並將電信號轉換為光信號，再將光信號傳遞至反光層170I，由反光層170I將光信號反射到至少一感光元件130I。隨後，至少一感光元件130I接收到光信號，並將光信號轉換為電信號，再由第二導體150I傳遞電信號。然本案不以第10圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
在一實施例中，第一導體140I與第二導體150I貫穿至少一基板110I以分別與至少一光源120I與至少一感光元件130I連接。在另一實施例中，反光層170I可為一曲面，至少一光源120I將光信號傳遞至反光層170I之曲面，並由反光層170I之曲面將光信號反射到至少一感光元件130I。
在一實施例中，至少一光源120I可為垂直腔面發射雷射器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,  VCSEL)。相較於側發光型雷射器，本案之至少一光源120I以用電較小的垂直腔面發射雷射器來加以實現，因此，本案之至少一光源120I相較之下更為省電。然本案不以第10圖所示之實施例為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。在不脫離本案之精神的狀況下，當可使用其餘類型的雷射器來實施本案，端視實際需求而定。
第11圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100J的示意圖。相較於第10圖所示之單向傳輸裝置100I，第11圖之單向傳輸裝置100J之第一導體140J及第二導體150J的配置不同。
如第11圖所示，第一導體140J與第二導體150J包覆於至少一基板110J之外側以分別與至少一光源120J與至少一感光元件130J連接。在一實施例中，第一導體140J與第二導體150J可以塗佈的方式形成於至少一基板110J之外側。需說明的是，於第11圖之實施例中，元件標號類似於第10圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第11圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第12圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100K的示意圖。相較於第11圖所示之單向傳輸裝置100J，第12圖之單向傳輸裝置100K之反光層170K的配置不同。
如第12圖所示，單向傳輸裝置100K之反光層170K係為一平面型的反光層。需說明的是，於第12圖之實施例中，元件標號類似於第11圖中的元件標號者，具備類似的結構及電性操作特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第12圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。在不脫離本案之精神的狀況下，當可使用其餘形狀的反光層170K來實施本案，端視實際需求而定。
第13圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置100L的示意圖。如圖所示，至少一光源120L發出的光信號，僅能單向傳輸到至少一感光元件130L。關於信號傳遞的詳細方法將於後續第14圖中說明。
第14圖係依照本揭露一實施例繪示一種信號單向傳輸方法1400的示意圖。如圖所示，信號單向傳輸方法1400包含以下步驟。於步驟1410中，透過至少一光源以將電信號轉換為光信號，並對光信號進行傳遞。於步驟1420中，透過至少一感光元件以接收到光信號，並將光信號轉換為電信號，其中至少一基板之至少一凹槽用以設置至少一光源，或用以設置至少一感光元件，或用以反射光信號。
為使第14圖所示之信號單向傳輸方法1400更易於理解，請一併參閱第1圖。於步驟1410中，透過至少一光源120以將電信號轉換為光信號，並對光信號進行傳遞。於步驟1420中，透過至少一感光元件130以接收到光信號，並將光信號轉換為電信號。至少一基板110之至少一凹槽111用以反射光信號。
在一實施例中，信號單向傳輸方法1400更包含以下步驟：透過第一導體傳遞電信號予至少一光源，以及透過第二導體接收來自至少一感光元件的電信號，並傳遞電信號。舉例而言，請一併參閱第1圖，本案可透過第一導體140傳遞電信號給至少一光源120。經由至少一光源120進行光電轉換，並將光信號傳遞給至少一感光元件130後，由至少一感光元件130進行光電轉換以產生電信號，再透過第二導體150接收來自至少一感光元件130的電信號，並傳遞電信號。
在一實施例中，第一導體140獨立於第二導體150。舉例而言，請一併參閱第1圖，第一導體140並未實體連接於第二導體150，此外，第一導體140亦未直接或間接電性連接於第二導體150。在另一實施例中，光信號經過兩次反射而被至少一感光元件130接收。舉例而言，請一併參閱第1圖，至少一光源120輸出光信號後，光信號經過第一反光面113及第二反光面115的兩次反射而被至少一感光元件130接收。
在一實施例中，信號單向傳輸方法1400更包含以下步驟：透過至少一光源將光信號傳遞至反光層，以及透過反光層將光信號反射至至少一感光元件。舉例而言，請一併參閱第4圖，本案可透過至少一光源120C將光信號傳遞至反光層170C，並透過反光層170C將光信號反射到至少一感光元件130C。
在另一實施例中，信號單向傳輸方法1400更包含以下步驟：透過反光層之一曲面將光信號反射到至少一感光元件。舉例而言，請一併參閱第6圖，本案可透過反光層170E之一曲面171E將光信號反射至至少一感光元件130E。
由上述本案實施方式可知，應用本案具有下列優點。若電子裝置採用本案之單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法來進行交易認證，由於單向傳輸裝置具有單向傳輸之特性，因此，交易認證的安全性更高。由於交易相關的資料僅能單向傳輸，無法反向擷取交易相關的資料，因此更能確保交易認證的安全性。
100、100A~100L:單向傳輸裝置 110、110A~110K:至少一基板 111、111A~111G:至少一凹槽 113、113A~113B:第一反光面 115:第二反光面 117B:凹槽 120、120A~120L:至少一光源 121、121A、121B、121F~121H:導電材料 130、130A~130L:至少一感光元件 131、131A、131B、131F~131H:導電材料 140、140A~140K:第一導體 141C、143C:連接線 150、150A~150K:第二導體 160、160A~160E、160I~160K:介質 170C、170D、170E、170I、170J、170K:反光層 171E:曲面 180F、180G、180H:基板 181G:凹槽 190F:導體 1400:方法 1410~1420:步驟
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第2圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第3圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第4圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第5圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第6圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第7圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第8圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第9圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第10圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第11圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第12圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第13圖係依照本揭露一實施例繪示一種單向傳輸裝置的示意圖。 第14圖係依照本揭露一實施例繪示一種信號單向傳輸方法的示意圖。 根據慣常的作業方式，圖中各種特徵與元件並未依比例繪製，其繪製方式是為了以最佳的方式呈現與本揭露相關的具體特徵與元件。此外，在不同圖式間，以相同或相似的元件符號來指稱相似的元件/部件。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:單向傳輸裝置
110:至少一基板
111:至少一凹槽
113:第一反光面
115:第二反光面
120:至少一光源
121:導電材料
130:至少一感光元件
131:導電材料
140:第一導體
150:第二導體
160:介質

Claims (32)

  1. 一種單向傳輸裝置，包含： 至少一基板，包含至少一凹槽； 至少一光源，用以將一電信號轉換為一光信號，並對該光信號進行傳遞；以及 至少一感光元件，用以接收到該光信號，並將該光信號轉換為該電信號，其中該至少一凹槽用以設置該至少一光源，或用以設置該至少一感光元件，或用以反射該光信號。
  2. 如請求項1所述之單向傳輸裝置，更包含： 一第一導體，其中該至少一光源以覆晶方式連接該第一導體；以及 一第二導體，其中該至少一感光元件以覆晶方式連接該第二導體。
  3. 如請求項2所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體獨立於該第二導體。
  4. 如請求項2所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體與該第二導體貫穿該至少一基板以分別與該至少一光源與該至少一感光元件連接。
  5. 如請求項2所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體與該第二導體包覆於該至少一基板以分別與該至少一光源與該至少一感光元件連接。
  6. 如請求項2所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體與該第二導體位於該至少一基板之一表面上，並分別與該至少一光源與該至少一感光元件連接。
  7. 如請求項1所述之單向傳輸裝置，其中該光信號經過兩次反射而被該至少一感光元件接收。
  8. 如請求項1所述之單向傳輸裝置，其中該至少一凹槽包含： 一第一反光面，用以反射該來自該至少一光源的該光信號；以及 一第二反光面，用以反射來自該第一反光面的該光信號，並將該光信號傳遞到該至少一感光元件。
  9. 如請求項1所述之單向傳輸裝置，其中該至少一凹槽更包含： 一介質，用以傳遞該光信號，其中該介質包含空氣、矽、二氧化矽、聚合物及光波長750nm~1650nm可穿透之物質的其中一者。
  10. 如請求項1所述之單向傳輸裝置，更包含： 一反光層，設置於該至少一基板上方，其中該至少一光源將該光信號傳遞至該反光層，並由該反光層將該光信號反射至該至少一感光元件。
  11. 如請求項10所述之單向傳輸裝置，更包含： 一第一導體，其中該至少一光源設置於該至少一凹槽內，並連接該第一導體；以及 一第二導體，其中該至少一感光元件設置於該至少一凹槽內，並連接該第二導體。
  12. 如請求項11所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體獨立於該第二導體。
  13. 如請求項11所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體與該第二導體貫穿該至少一基板以分別與該至少一光源與該至少一感光元件連接。
  14. 如請求項11所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體與該第二導體包覆於該至少一基板以分別與該至少一光源與該至少一感光元件連接。
  15. 如請求項10所述之單向傳輸裝置，其中該反光層包含一曲面，其中該至少一光源將該光信號傳遞至該反光層之該曲面，並由該反光層之該曲面將該光信號反射至該至少一感光元件。
  16. 如請求項1所述之單向傳輸裝置，其中該至少一基板包含： 一第一基板，包含一第一凹槽，其中該至少一感光元件設置於該第一凹槽內；以及 一第二基板，包含一第二凹槽，其中該至少一光源設置於該第二凹槽內。
  17. 如請求項16所述之單向傳輸裝置，其中該第一凹槽與該第二凹槽面對面配置。
  18. 如請求項1所述之單向傳輸裝置，其中該至少一基板包含： 一第一基板，包含該至少一凹槽，其中該至少一感光元件設置於該至少一凹槽內；以及 一第二基板，其中該至少一光源設置於該第二基板上。
  19. 如請求項18所述之單向傳輸裝置，更包含： 一第一導體，貫穿該第一基板並透過一第三導體以連接於該至少一光源；以及 一第二導體，貫穿該第一基板以連接於該至少一感光元件。
  20. 如請求項19所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體獨立於該第二導體。
  21. 一種單向傳輸裝置，包含： 至少一基板； 一反光層，設置於該至少一基板上方； 至少一光源，設置於該基板上，用以將一電信號轉換為一光信號，並將該光信號傳遞至該反光層；以及 至少一感光元件，設置於該基板上，用以自該反光層接收該光信號，並將該光信號轉換為該電信號。
  22. 如請求項21所述之單向傳輸裝置，更包含： 一第一導體，連接該至少一光源；以及 一第二導體，連接該至少一感光元件。
  23. 如請求項22所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體獨立於該第二導體。
  24. 如請求項22所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體與該第二導體貫穿該至少一基板以分別與該至少一光源與該至少一感光元件連接。
  25. 如請求項22所述之單向傳輸裝置，其中該第一導體與該第二導體包覆於該至少一基板以分別與該至少一光源與該至少一感光元件連接。
  26. 如請求項21所述之單向傳輸裝置，其中該反光層包含一曲面，其中該至少一光源將該光信號傳遞至該反光層之該曲面，並由該反光層之該曲面將該光信號反射至該至少一感光元件。
  27. 一種信號單向傳輸方法，包含： 透過至少一光源以將一電信號轉換為一光信號，並對該光信號進行傳遞；以及 透過至少一感光元件以接收到該光信號，並將該光信號轉換為該電信號，其中至少一基板之至少一凹槽用以設置該至少一光源，或用以設置該至少一感光元件，或用以反射該光信號。
  28. 如請求項27所述之信號單向傳輸方法，更包含： 透過一第一導體傳遞該電信號予該至少一光源；以及 透過一第二導體接收來自該至少一感光元件的該電信號，並傳遞該電信號。
  29. 如請求項28所述之信號單向傳輸方法，其中該第一導體獨立於該第二導體。
  30. 如請求項27所述之信號單向傳輸方法，其中該光信號經過兩次反射而被該至少一感光元件接收。
  31. 如請求項27所述之信號單向傳輸方法，更包含： 透過該至少一光源將該光信號傳遞至一反光層； 透過該反光層將該光信號反射至該至少一感光元件。
  32. 如請求項31所述之信號單向傳輸方法，其中透過該反光層將該光信號反射至該至少一感光元件包含： 透過該反光層之一曲面將該光信號反射至該至少一感光元件。
TW110105141A 2020-02-21 2021-02-09 單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法 TW202132835A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062979441P 2020-02-21 2020-02-21
US62/979,441 2020-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202132835A true TW202132835A (zh) 2021-09-01

Family

ID=77319114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110105141A TW202132835A (zh) 2020-02-21 2021-02-09 單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210263244A1 (zh)
CN (1) CN113300782A (zh)
TW (1) TW202132835A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100770853B1 (ko) * 2006-02-09 2007-10-26 삼성전자주식회사 광 모듈
JP2011181647A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Omron Corp 光結合装置及びその製造方法
US9618712B2 (en) * 2012-02-23 2017-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical bench on substrate and method of making the same
JP5865216B2 (ja) * 2012-09-12 2016-02-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 フォトカプラ
TWI594033B (zh) * 2013-08-28 2017-08-01 趙寶龍 光耦合器
CN107407782A (zh) * 2015-03-20 2017-11-28 奥林巴斯株式会社 光传送模块、内窥镜以及所述光传送模块的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210263244A1 (en) 2021-08-26
CN113300782A (zh) 2021-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021248957A1 (zh) 一种光模块
US6243509B1 (en) Packaging enhanced board level opto-electronic interconnects
CN214278498U (zh) 一种光模块
JP5647565B2 (ja) 光学伝送モジュール
CN214278497U (zh) 一种光模块
TW200400652A (en) Silicon and silicon/germanium light-emitting device, methods and systems
CN101876732B (zh) 具有光波导结构的发射端模块和接收端模块
US20240012215A1 (en) Coupling microleds to optical communication channels
KR20200131184A (ko) 커넥터 플러그 및 이를 이용한 액티브 광 케이블 조립체
TW202132835A (zh) 單向傳輸裝置及信號單向傳輸方法
TWI246612B (en) Structure having embedded optical electronic components
CN113484960A (zh) 一种光模块
KR20220129800A (ko) 광학 모듈 패키지
CN204989556U (zh) 发光组件和高速光电转换模块
JP2001042171A (ja) アクティブ光配線装置
CN108333679B (zh) 面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法
TW200819806A (en) Optical-electrical circuit board
CN210775922U (zh) 一种光模块
US20210096298A1 (en) Optical waveguide circuit substrate and manufacturing method thereof
CN113488832A (zh) 一种具有调制器的激光器及光模块
WO2020186862A1 (zh) 一种光模块
US20230296835A1 (en) Embedding leds with waveguides
CN218549071U (zh) 一种电吸收调制激光器和光模块
TWI831270B (zh) 電子裝置
US20230314738A1 (en) Electronic device