TW202132544A - 液晶介質及含彼之液晶顯示器 - Google Patents

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康斯坦斯 布洛克
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Abstract

本發明係關於一種較佳具有向列相及0.5或更大之介電各向異性的液晶介質，其包含一或多種式T及L化合物

Description

液晶介質及含彼之液晶顯示器
本發明係關於特定而言用於液晶顯示器中之新穎化合物、新穎液晶介質，且關於此等液晶顯示器，尤其關於使用IPS (平面切換)或較佳FFS (邊緣電場切換)效應之液晶顯示器，其使用介電正性液晶。
介質之特點係在各別顯示器中具有尤高透射率及較短響應時間，該等特點係藉由其物理特性之罕見組合實現，尤其藉由其較高彈性常數值實現，特定而言藉由高k11 及其旋轉黏度(γ1 )與彈性常數(k11 )之極佳較低比率(γ1 /k11 )實現。此亦使其在根據本發明之顯示器中具有極佳性能。
使用介電正性液晶之IPS及FFS顯示器係本領域中所熟知的，且其已廣泛用於各種類型之顯示器，例如筆記型電腦、桌上型電腦顯示器及電視套組，亦用於行動應用。
然而，近來廣泛採用使用介電負性液晶之IPS顯示器及特定而言FFS顯示器。FFS顯示器亦常稱為UB-FFS (超亮FFS)。此類顯示器係揭示於例如US 2013/0207038 A1中。此等顯示器之特點在於，相較於先前使用之已採用介電正性液晶之IPS及FFS顯示器，透射率顯著提高。然而，此等使用介電負性液晶之顯示器具有嚴重缺陷，即所需操作電壓高於使用介電正性液晶之各別顯示器。用於UB-FFS之液晶介質具有-0.5或更小且較佳-1.5或更小之介電各向異性。
然而，根據本申請案，具有呈均勻配向之介電正性液晶介質的IPS或FFS效應係較佳的。
此效應在電光顯示器元件中的工業應用需要必須滿足許多要求之LC相。此處尤其重要的是對水分、空氣及物理影響(諸如紅外線、可見光及紫外線區域及直接(DC)電場及交變(AC)電場中之熱量、輻射)的化學抗性。
此外，工業上可用之LC相需要在合適溫度範圍內及低黏度下具有液晶中間相。
迄今已揭示之具有液晶中間相之一系列化合物均不包括滿足所有此等要求之單一化合物。因此，通常製備2至25、較佳3至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相之物質。
已知矩陣式液晶顯示器(MLC顯示器)。可用於單獨切換單個像素之非線性元件係例如主動元件(亦即，電晶體)。隨後使用術語「主動矩陣」，其中一般而言使用薄膜電晶體(TFT)，其一般配置於作為基板之玻璃板上。
兩種技術間存在差異：包含例如CdSe或如ZnO之金屬氧化物之化合物半導體的TFT，或基於多晶及尤其非晶矽之TFT。第二種技術當前在全球範圍內具有最重要之商業性。
將TFT矩陣應用於顯示器之一個玻璃板內部，而另一玻璃板在其內部載有透明相對電極。與像素電極之尺寸相比，TFT極小且對圖像無實際不良影響。此技術亦可擴展至全彩色顯示器，其中以使得濾光器元件與各可切換像素相對之方式配置紅光、綠光及藍光濾光器之鑲嵌體。
迄今最常用之TFT顯示器通常使用透射之正交偏光鏡操作且係背光的。對於TV應用，使用ECB (或VAN)單元或FFS單元，而監視器通常使用IPS單元或TN (扭轉向列)單元，且筆記型電腦、膝上型電腦及行動應用通常使用TN、VA或FFS單元。
此處術語MLC顯示器涵蓋任何具有一體化非線性元件之矩陣式顯示器，亦即，除主動矩陣外，亦涵蓋具有諸如變阻器或二極體(MIM =金屬-絕緣體-金屬)之被動元件的顯示器。
此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用、監視器及筆記型電腦或適用於具有較高資訊密度之顯示器，例如用於汽車製造或飛機建造中。除與對比度之視角依賴性及響應時間相關之問題外，MLC顯示器中亦出現因液晶混合物之比電阻不夠高而導致的困難[TOGASHI, S., SEKIGUCHI, K., TANABE, H., YAMAMOTO, E., SORIMACHI, K., TAJIMA, E., WATANABE, H., SHIMIZU, H., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月: A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings, 第141頁及以後各頁, 巴黎; STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月: Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays, 第145頁及以後各頁, 巴黎]。當電阻減小，MLC顯示器之對比度降低。因液晶混合物之比電阻通常因與顯示器之內表面相互作用而在MLC顯示器之壽命內降低，故而較高(初始)電阻對必須在較長操作時間內具有可接受之電阻值的顯示器而言極其重要。
一般情況下，技術係在例如Souk, Jun, SID研討會2004, 研討會M-6: 「Recent Advances in LCD Technology」, 研討會演講稿, M-6/1至M-6/26及Miller, Ian, SID研討會2004, 研討會M-7: 「LCD-Television」, 研討會演講稿, M-7/1至M-7/32中進行比較。儘管已經藉由使用超速裝置之定址方法顯著提昇當代ECB顯示器之響應時間，例如Kim, Hyeon Kyeong等人, 文章9.1: 「A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」, SID 2004國際學術研討會, Digest of Technical Papers, XXXV, 第I冊, 第106-109頁，但特定而言在灰度之切換中實現與視訊兼容之響應時間仍係尚未圓滿解決之問題。
在此類液晶顯示器中，液晶係用作介電體，其光學特性在施加電壓時發生可逆改變。
因為在一般顯示器中，亦即亦在根據此等提及之效應的顯示器中，操作電壓應儘可能低，故而使用通常主要由液晶化合物組成之液晶介質，其全部具有相同介電各向異性訊號且具有最高潛在介電各向異性值。一般而言，至多相對較小部分之中性化合物且(若可能)沒有化合物具有介電各向異性之訊號，其係與所用介質之情況相反。因此，在具有負介電各向異性之液晶介質的情況下，例如針對ECB或UB-FFS顯示器，主要採用具有負介電各向異性之化合物。所採用之各別液晶介質通常主要由具有負介電各向異性之液晶化合物組成且通常甚至基本上由具有負介電各向異性之液晶化合物組成。
在根據本申請案所使用之介質中，通常採用大量介電正性液晶化合物且一般僅採用極少量或甚至不採用介電負性化合物，此係因為一般而言液晶顯示器意欲具有最低合理定址電壓。同時在一些情況下，可有利地使用少量介電中性化合物。
已經揭示用於IPS及FFS顯示器之具有正介電各向異性之液晶介質。在下文中將給出一些實例。
公開之DE 102016003902.3、EP 3 081 620及EP 3 095 834係關於分別應用於各別顯示器中之液晶介質的液晶化合物。
本申請案之申請人尚未公開之申請案EP 17164891.8、EP 16190393.5、EP 16194162.0、EP 16197206.2及EP 16199580.8亦關於分別應用於各別顯示器中之液晶介質的液晶化合物。
下式化合物係揭示於DE 10 2010 027 099 A1中。
Figure 02_image008
尚未公開之EP申請案第19185360.5號揭示一種液晶介質，其包含下式化合物
Figure 02_image010
(PUS-n-T，其中n=3)及下式化合物
Figure 02_image012
(CLP-V-n，其中n=1)，且另一者另外包含
Figure 02_image014
(CLP-n-T，其中n=3)。
明顯地，對於顯示器之預期應用，液晶混合物之向列相範圍必須足夠廣。
亦必須改善(亦即，縮短)顯示器中液晶介質之響應時間。對於用於電視或多媒體應用及用於顯示屏遊戲及筆記型電腦遊戲之顯示器，此尤其重要。為了改善響應時間，過去已反覆建議使液晶介質之旋轉黏度(γ1 )最優化，亦即，以獲得具有最低合理旋轉黏度之介質。然而，此處所獲得之結果對許多應用而言係不充分的，且因此似乎需要尋找其他最佳化方法。
尤其重要的是，介質針對極端負荷、特定而言針對UV曝露及熱量具有充分穩定性。特定而言，在應用於行動設備(例如行動電話)中之顯示器的情況下，此至關重要。
迄今揭示之MLC顯示器除其相對較差之透射率及其相對較長之響應時間以外，具有其他缺點。此等顯示器中之此等缺點係例如其對比度相對較低，其視角依賴性相對較高且難以再次產生灰度(自傾斜視角觀察時尤其如此)以及其VHR不足且其使用壽命不足。需要對顯示器之透射率及其響應時間進行所需改善以改善其能效，相應地使其能夠迅速地顯現動畫。
因此，仍十分需要具有極高比電阻，同時具有較大工作溫度範圍、較短響應時間及較低臨限電壓之MLC顯示器，藉助於該等顯示器，可產生各種灰度，且特定而言該等顯示器具有良好且穩定的VHR。
本發明之目的係提供不僅用於監視器及TV應用，而且用於遊戲及行動應用之MLC顯示器，遊戲及行動應用諸如電話及導航系統，該等應用係基於ECB、IPS或FFC效應，不具有上文所示之缺點，或僅在較低程度上具有該等缺點，且同時具有極高比電阻值。特定而言，對於行動電話及導航系統而言，必須確保其亦在極高及極低溫度下工作。
已驚人地發現，特定而言在IPS及FFS顯示器中，若在此等顯示器元件中使用包含以下之向列液晶混合物，則可能實現具有較低臨界電壓及較短響應時間、足夠廣之向列相、較佳相對較高之雙折射率(Δn)及同時較高之透射率、針對因熱量及UV曝露產生之分解的良好穩定性及穩定較高之VHR的液晶顯示器：至少一種式T化合物、較佳兩種或更多種式T化合物，其較佳選自子式T-1及T-2化合物之群；及一或多種式L化合物，其較佳選自子式L-1及L-2化合物之群；且較佳另外包含至少一種、較佳兩種或更多種選自式II及III化合物之群的化合物，式II較佳係式II-1及/或II-2；及/或至少一種、較佳兩種或更多種選自式IV及/或V之群的化合物(所有化學式均如本文下文中所定義)。
特定而言，此類型之介質可用於IPS顯示器或FFS顯示器中具有主動矩陣定址之電光顯示器。
根據本發明之介質較佳另外包含一或多種選自式II及III化合物之群的化合物，較佳包含一或多種式II化合物，更佳另外包含一或多種式III化合物，且最佳另外包含一或多種選自式IV及V化合物之群的化合物，且再次較佳包含一或多種選自式VI至IX化合物之群的化合物(所有化學式均定義於下文中)。
根據本發明之混合物呈現極廣向列相範圍與≥ 70℃之澄清點、極佳電容臨界值、相對較高之保持比率值，且同時在-20℃及-30℃下具有良好低溫穩定性，且具有極低旋轉黏度。根據本發明之混合物的特點進一步在於澄清點與旋轉黏度之較佳比率及相對較高之正介電各向異性。
現已出人意料地發現，使用具有正介電各向異性之液晶的FFS型LC可使用專門選擇之液晶介質實現。此等介質係以特定物理性質組合表徵。其中最具決定性的是，其具有較高彈性常數值，特定而言具有較高k11 ，且其極佳具有較低旋轉黏度(γ1 )與彈性常數(k11 )之比(γ1 /k11 )。
根據本發明之液晶介質較佳具有正介電各向異性，其較佳在1.5或更大至20.0或更小之範圍內，更佳在2.0或更大至8.0或更小之範圍內，最佳在2.5或更大至7.0或更小之範圍內。
本發明之液晶介質較佳具有0.5或更大之介電各向異性(Δε)且包含： a) 一或多種式T化合物，其具有垂直於導向器及平行於導向器之較高介電常數，濃度較佳在1%至60%範圍內，更佳在5%至40%範圍內，尤佳在8%至35%範圍內，
Figure 02_image016
其中各別環及較佳該伸苯基環，視情況可各自經一或兩個烷基、較佳經甲基及/或乙基、較佳經一個甲基取代， RS1 及RS2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示烯基、烯氧基或烷氧基烷基，且較佳表示烷基或烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊烯基置換， 另外RS1 表示較佳具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基， 另外RS2 表示XS XS 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，後四種基團較佳具有1至4個、較佳1或2個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示F、CF3 或OCF3 ，最佳表示CF3 或OCF3 ，且 YS1 及YS2 彼此獨立地表示H或F，較佳其中之一者、最佳兩者均表示F，且 其中芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代，及 b) 一或多種式L化合物
Figure 02_image018
其中 RL1 及RL2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示烯基、烯氧基或烷氧基烷基，且較佳表示烷基或烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊烯基置換， 另外RL1 表示較佳具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基， 另外RL2 表示XL XL 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，後四種基團較佳具有1至4個、較佳1或2個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示F、CF3 或OCF3 ，最佳表示CF3 或OCF3 ，最佳表示CF3 ，且 YL1 及YL2 彼此獨立地表示H或F，較佳其中之一者、最佳兩者均表示H，且 其中芳環可視情況經烷基、較佳經甲基取代，及 c) 視情況、較佳強制性地包含一或多種選自式II及III化合物之群的化合物，其較佳係介電正性的，較佳各自具有3或更大之介電各向異性：
Figure 02_image020
其中 R2 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳表示烷基或烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換，
Figure 02_image022
在每次出現時，彼此獨立地表示
Figure 02_image024
， 較佳表示
Figure 02_image026
Figure 02_image028
， L21 及L22 彼此獨立地表示H或F，L21 較佳表示F， X2 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基，較佳表示F、Cl、-OCF3 、-O-CH2 CF3 、-O-CH=CH2 、-O-CH=CF2 或-CF3 ，極佳表示F、Cl、-O-CH=CF2 或-OCF3 ， m 表示0、1、2或3，較佳表示1或2，且尤佳表示1， R3 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳表示烷基或烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換，
Figure 02_image030
在每次出現時彼此獨立地係
Figure 02_image032
Figure 02_image034
Figure 02_image036
， 較佳係
Figure 02_image038
， L31 及L32 ，   彼此獨立地表示H或F，L31 較佳表示F， X3 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基、F、Cl、-OCF3 、-OCHF2 、-O-CH2 CF3 、-O-CH=CF2 、-O-CH=CH2 或-CF3 ，極佳表示F、Cl、-O-CH=CF2 、-OCHF2 或-OCF3 ， Z3 表示-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-COO-、反-CH=CH-、反- CF=CF-、-CH2 O-或單鍵，較佳表示-CH2 CH2 -、-COO-、反- CH=CH-或單鍵，且極佳表示-COO-、反- CH=CH-或單鍵，且 n 表示0、1、2或3，較佳表示1、2或3且尤佳表示1，且 其中芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代，及 d) 視情況、較佳強制性地包含一或多種選自式IV及V之群的化合物，其較佳係介電中性的：
Figure 02_image040
其中 R41 及R42 ，   彼此獨立地具有上文針對式II下R2 所指示之含義，較佳地，R41 表示烷基且R42 表示烷基或烷氧基，或R41 表示烯基且R42 表示烷基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換，
Figure 02_image042
彼此獨立且若
Figure 02_image044
出現兩次，則此等亦彼此獨立地表示
Figure 02_image046
， 較佳地，
Figure 02_image048
中之一或多者表示
Figure 02_image050
， Z41 及Z42 ，   彼此獨立地且若Z41 出現兩次，則此等亦彼此獨立地表示-CH2 CH2 -、-COO-、反- CH=CH-、反- CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-、-C≡C-或單鍵，較佳地，其中之一或多者表示單鍵，且 p 表示0、1或2，較佳表示0或1，且 R51 及R52 ，   彼此獨立地具有針對R41 及R42 所給出之含義中之一者，且較佳表示具有1至7個C原子之烷基，較佳表示正烷基，尤佳表示具有1至5個C原子之正烷基、具有1至7個C原子之烷氧基，較佳表示正烷氧基，尤佳表示具有2至5個C原子之正烷氧基、具有2至7個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基，較佳表示烯氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換，
Figure 02_image052
至
Figure 02_image054
，若存在，則各自彼此獨立地表示
Figure 02_image056
， 較佳表示
Figure 02_image058
， 較佳地，
Figure 02_image060
 表示
Figure 02_image062
，
且，若存在，則
Figure 02_image064
 較佳表示
Figure 02_image066
，
Z51 至Z53 各自彼此獨立地表示-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，較佳表示-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-或單鍵，且尤佳表示單鍵， i及j   各自彼此獨立地表示0或1， (i + j)           較佳表示0、1或2，更佳表示0或1，且最佳表示1，且 其中存在之芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代。
在此申請案全文中，1,3-伸環戊烯基係選自下式之群的部分：
Figure 02_image068
， 較佳選自
Figure 02_image070
， 最佳選自
Figure 02_image072
。
根據本申請案之液晶介質較佳具有向列相。
本發明亦關於如上文所示之式T及L化合物之同步使用，其中參數具有上文及下文所給出之各別含義，包括各別較佳含義。
較佳地，根據本申請案之液晶介質中所使用之式T化合物係選自式T-1及T-2、較佳式T-1化合物之群：
Figure 02_image074
Figure 02_image076
其中參數具有上文式T下所給出之各別含義，但式T-1中之RS2 可能不表示XS ，且 其中 RS 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；且較佳表示烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳表示烷氧基或烯氧基，且 XS 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，後四種基團較佳具有1至4個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示CF3 或OCF3 。
較佳地，根據本申請案之液晶介質中所使用之式T-1化合物係選自式T-1-1至T-1-3、較佳式T-1-2及T-1-3、最佳式T-1-3化合物之群：
Figure 02_image078
其中參數具有上文所給出之各別含義，包括各別較佳含義。
較佳地，根據本申請案之液晶介質中所使用之式T-2化合物係選自式T-2-1至T-2-3、較佳式T-2-2及T-2-3、最佳式T-2-3化合物之群：
Figure 02_image080
其中參數具有上文所給出之各別含義，包括各別較佳含義。
根據已知合成途徑製備式T化合物，例如式PPS-n-m、PGS-n-m、PUS-n-m、PPS-n-X、PGS-n-X及PUS-n-X化合物，其中X係F、CF3 或OCF3 。
較佳地，根據本申請案之液晶介質中所使用之式L化合物係選自式L-1及L-2、較佳式L-1、更佳式L-1及式L-2兩者化合物之群：
Figure 02_image082
其中參數具有上文式L下所給出之各別含義，但式L-1中之RL2 可能不表示XL ，且 其中 RL 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；且較佳表示烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳表示烷氧基或烯氧基， XL 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，後四種基團較佳具有1至4個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示CF3 或OCF3 ，最佳表示CF3 。且較佳地， RL1 係烯基，最佳係乙烯基或1-E -丙烯基，且/或 RL2 係烷基，更佳係正烷基，且最佳係甲基、乙基或丙基。
較佳地，根據本申請案之液晶介質中所使用之式L-1化合物係選自式L-1-1至L-1-3、較佳式L-1-1及L-1-2、最佳式L-1-1化合物之群：
Figure 02_image084
Figure 02_image086
其中參數具有上文所給出之各別含義，包括各別較佳含義。
較佳地，根據本申請案之液晶介質中所使用之式L-2化合物係選自式L-2-1至L-2-3、較佳式L-2-2及L-2-3、最佳式L-2-3化合物之群：
Figure 02_image088
其中參數具有上文所給出之各別含義，包括各別較佳含義，且較佳地， RL 係烷基或烯基，較佳係烷基，較佳係乙基、丙基或戊基，最佳係乙基或丙基， 且較佳地， 在式L-2-1中， XL 係OCF3 或CF3 ，最佳係CF3 ， 在式L-2-2中， XL 係F、OCF3 或CF3 ，最佳係OCF3 ，且 在式L-2-3中， XL 係F、OCF3 或CF3 ，最佳係F。
根據已知合成途徑製備式L化合物，例如式CLP-V-n、CLP-1V-n及CLP-n-T。
本發明進一步係關於一種含有根據本發明之液晶介質的液晶顯示器，特定而言係IPS或FFS顯示器，尤佳係FFS或SG-FFS顯示器。
本發明進一步係關於一種IPS或FFS類型之液晶顯示器，其包含由兩個基板組成之液晶單元，其中至少一個基板係透光的，且至少一個基板具有電極層；及位於基板之間的液晶介質層，其包含聚合組分及低分子量組分，其中聚合組分係藉由較佳在施加電壓時使液晶單元之基板之間的液晶介質中之一或多種可聚合化合物聚合而獲得，且其中低分子量組分係如上文及下文所述之根據本發明之液晶混合物。
根據本發明之顯示器較佳係藉由主動矩陣(簡稱主動矩陣LCD、AMD)、較佳藉由薄膜電晶體(TFT)之矩陣定址。然而，根據本發明之液晶亦可以有利方式用於使用其他已知定址方式之顯示器中。
本發明進一步係關於一種用於製備根據本發明之液晶介質的製程，其係藉由混合一或多種較佳選自式T-1及/或T-2化合物之群及一或多種式L-1及/或L-2化合物的式T及L化合物以及一或多種低分子量液晶化合物或液晶混合物以及視情況存在之其他液晶化合物及/或添加劑而製備。
以下含義適用於上文及下文： 術語「液晶原基」係熟習此項技術者所已知的且描述於文獻中，且表示因其吸引及排斥相互作用之各向異性而在根本上導致低分子量液晶(LC)相或聚合物質之產生的基團。含有液晶原基之化合物(液晶原基化合物)自身不必具有液晶相。液晶原基化合物亦有可能僅在與其他化合物混合之後及/或在聚合反應之後呈現液晶相行為。典型液晶原基係例如堅硬棒狀或盤狀單元。與液晶原基化合物或液晶化合物結合使用之術語及定義之概述係給出於Pure Appl. Chem. 73(5), 888 (2001)及C. Tschierske, G. Pelzl, S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368中。
在上文及下文中，亦稱為「Sp」之術語「間隔基」或簡稱「間隔物」係熟習此項技術者所已知的，且描述於參見例如Pure Appl. Chem. 73(5), 888 (2001)及C. Tschierske, G. Pelzl, S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368之文獻中。除非另外表示，否則上文及下文之術語「間隔基」或「間隔物」表示使可聚合液晶原基化合物中之液晶原基與可聚合基團彼此連接之可撓性基團。
出與本發明之目的，術語「液晶介質」意欲表示包含液晶混合物及一或多種可聚合化合物(例如反應性液晶原)之介質。術語「液晶混合物」 (或「主體混合物」)意欲表示僅由非可聚合、低分子量化合物組成、較佳由兩種或更多種液晶化合物及視情況存在之其他添加劑(例如，對掌性摻雜劑或穩定劑)組成之液晶混合物。
尤佳係特定而言在室溫下具有向列相之液晶混合物及液晶介質。
在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種較佳具有3或更大之介電各向異性的較佳介電正性化合物，該化合物係選自式II-1及II-2化合物之群：
Figure 02_image090
其中參數具有上文式II下所指示之各別含義，且L23 及L24 彼此獨立地表示H或F，較佳地，L23 表示F，且
Figure 02_image092
 具有針對
Figure 02_image094
所給出之含義中之一者，
且在式II-1及II-2之情況下，X2 較佳表示F或OCF3 ，尤其較佳表示F，且在式II-2之情況下，
Figure 02_image096
及		   
Figure 02_image098
 彼此獨立地較佳表示
  
Figure 02_image100
，
且/或選自式III-1及III-2化合物之群：
Figure 02_image102
其中參數具有式III下所給出之含義， 且作為式III-1及/或III-2化合物之替代方案或除該等化合物外，根據本發明之介質可包含一或多種式III-3化合物：
Figure 02_image104
其中參數具有上文所指示之各別含義，且參數L31 及L32 彼此獨立地且獨立於其他參數表示H或F。
液晶介質較佳包含選自式II-1及II-2化合物之群的化合物，其中L21 及L22 及/或L23 及L24 均表示F。
在一較佳實施例中，液晶介質包含選自式II-1及II-2化合物之群的化合物，其中L21 、L22 、L23 及L24 均表示F。
液晶介質較佳包含一或多種式II-1化合物。式II-1化合物較佳選自式II-1a至II-1e、較佳一或多種式II-1a及/或II-1b及/或II-1d化合物、較佳式II-1a及/或II-1d或II-1b及/或II-1d、最佳式II-1d化合物之群：
Figure 02_image106
Figure 02_image108
其中參數具有上文所指示之各別含義，且L25 及L26 彼此獨立地且獨立於其他參數表示H或F，且較佳地， 在式II-1a及II-1b中， L21 及L22 均表示F， 在式II-1c及II-1d中， L21 及L22 均表示F，且/或L23 及L24 均表示F，且 在式II-1e中， L21 、L22 及L23 表示F。
液晶介質較佳包含一或多種式II-2化合物，其較佳選自式II-2a至II-2k化合物之群，較佳選自一或多種式II-2a及/或II-2h及/或II-2j中之各者的化合物：
Figure 02_image110
Figure 02_image112
其中參數具有上文所指示之各別含義，且L25 至L28 彼此獨立地表示H或F，較佳地，L27 及L28 均表示H，尤佳地，L26 表示H。
液晶介質較佳包含選自式II-1a至II-1e化合物之群的化合物，其中L21 及L22 均表示F，且/或L23 及L24 均表示F。
在一較佳實施例中，液晶介質包含選自式II-2a至II-2k化合物之群的化合物，其中L21 、L22 、L23 及L24 均表示F。
尤佳式II-2化合物係下式、尤佳式II-2a-1及/或II-2h-1及/或II-2k-2化合物：
Figure 02_image114
Figure 02_image116
Figure 02_image118
其中R2 及X2 具有上文所指示之含義，且X2 較佳表示F。
液晶介質較佳包含一或多種式III-1化合物。式III-1化合物較佳選自式III-1a至III-1j、較佳式III-1c、III-1f、III-1g及III-1j化合物之群：
Figure 02_image120
Figure 02_image122
Figure 02_image124
其中參數具有上文所給出之含義，且較佳地，其中參數具有上文所指示之各別含義，參數L35 及L36 彼此獨立地且獨立於其他參數表示H或F，且參數L35 及L36 彼此獨立地且獨立於其他參數表示H或F。
液晶介質較佳包含一或多種式III-1c化合物，其較佳選自式III-1c-1至III-1c-5、較佳式III-1c-1及/或III-1c-2、最佳式III-1c-1化合物之群：
Figure 02_image126
Figure 02_image128
其中R3 具有上文所指示之含義。
液晶介質較佳包含一或多種式III-1f化合物，其較佳選自式III-1f-1至III-1f-6、較佳式III-1f-1及/或III-1f-2及/或III-1f-3及/或III-1f-6、更佳式III-1f-3及/或III-1f-6、更佳式III-1f-6化合物之群：
Figure 02_image130
Figure 02_image132
其中R3 具有上文所指示之含義。
液晶介質較佳包含一或多種式III-1g化合物，其較佳選自式III-1g-1至III-1g-5、較佳式III-1g-3化合物之群：
Figure 02_image134
其中R3 具有上文所指示之含義。
液晶介質較佳包含一或多種式III-1h化合物，其較佳選自式III-1h-1至III-1h-3、較佳式III-1h-3化合物之群：
Figure 02_image136
其中參數具有上文所給出之含義，且X3 較佳表示F。
液晶介質較佳包含一或多種式III-1i化合物，其較佳選自式III-1i-1及III-1i-2、較佳式III-1i-2化合物之群：
Figure 02_image138
Figure 02_image140
其中參數具有上文所給出之含義，且X3 較佳表示F。
液晶介質較佳包含一或多種式III-1j化合物，其較佳選自式III-1j-1及III-1j-2、較佳式III-1j-1化合物之群：
Figure 02_image142
其中參數具有上文所給出之含義。
液晶介質較佳包含一或多種式III-2化合物。式III-2化合物較佳選自式III-2a及III-2b、較佳式III-2b化合物之群：
Figure 02_image144
其中參數具有上文所指示之各別含義，且參數L33 及L34 彼此獨立地且獨立於其他參數表示H或F。
液晶介質較佳包含一或多種式III-2a化合物，其較佳選自式III-2a-1至III-2a-6化合物之群：
Figure 02_image146
Figure 02_image148
其中R3 具有上文所指示之含義。
液晶介質較佳包含一或多種式III-2b化合物，其較佳選自式III-2b-1至III-2b-4、較佳III-2b-4化合物之群：
Figure 02_image150
其中R3 具有上文所指示之含義。
作為式III-1及/或III-2化合物之替代方案或除該等化合物外，根據本發明之介質可包含一或多種式III-3化合物：
Figure 02_image152
其中參數具有上文式III下所指示之各別含義。
此等化合物較佳選自式III-3a及III-3b之群：
Figure 02_image154
其中R3 具有上文所指示之含義。
根據本發明之液晶介質較佳包含一或多種介電中性化合物，其較佳具有-1.5至3範圍內之介電各向異性，其較佳選自式VI、VII、VIII及IX化合物之群。
在本申請案中，元素均包括其各別同位素。特定而言，化合物中之一或多個H可經D置換，且在一些實施例中，此亦係尤佳的。相應化合物之相應高度氘化能夠例如偵測且識別化合物。在一些情況下，此係極有幫助的，特定而言在式I化合物之情況下極有幫助。
在本申請案中， alkyl 尤佳表示直鏈烷基，特定而言表示CH3 -、C2 H5 -、n -C3 H7 -、n -C4 H9 -或n -C5 H11 -，且 alkenyl   尤佳表示CH2 =CH-、E -CH3 -CH=CH-、CH2 =CH-CH2 -CH2 -、E -CH3 -CH=CH-CH2 -CH2 -或E -(n -C3 H7 )-CH=CH-。
在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式IV化合物，較佳 包含一或多種式IV-A化合物：
Figure 02_image156
其中 R41 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有2至7個C原子之未經取代之烯基；較佳表示正烷基，其尤佳具有2、3、4或5個C原子，且 R42 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基；具有2至7個C原子之未經取代之烯基或具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基，二者較佳具有2至5個C原子；具有2至7個C原子之未經取代之烯基，其較佳具有2、3或4個C原子；更佳表示乙烯基或1-丙烯基；且特定而言表示乙烯基。
在一尤佳實施例中，介質包含一或多種式IV-A化合物，其係選自式IV-1至IV-4、較佳式IV-1化合物之群：
Figure 02_image158
其中 alkyl及alkyl' 彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基， alkenyl及alkenyl'    彼此獨立地表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳2個C原子之烯基， alkenyl'  表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳具有2至3個C原子之烯基，且 alkoxy    表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基。
在一尤佳實施例中，根據本發明之介質包含一或多種式IV-1化合物及/或一或多種式IV-2化合物。
在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式V化合物。
根據本發明之介質較佳以如下所指示之總濃度包含以下化合物： 5 - 60重量% 一或多種選自式T化合物之群的化合物及 5 - 60重量% 較佳10 - 50重量%之一或多種選自式L化合物之群的化合物及/或 5 - 60重量% 一或多種較佳選自式II-1及II-2化合物之群的式II化合物及/或 5 - 25重量% 一或多種式III化合物及/或 5 - 45重量% 一或多種式IV化合物及/或 5 - 25重量% 一或多種式V化合物， 其中存在於介質中之所有式T、L及II至V化合物之總含量較佳係95%或更大，且更佳係100%。
對於根據本申請案之所有介質，後一情況較佳。
在另一較佳實施例中，除式T化合物或其較佳子式外，根據本發明之介質較佳包含一或多種較佳介電中性之化合物，其係選自式IV及V化合物之群，其總濃度較佳在5%或更大至90%或更小、較佳10%或更大至80%或更小、尤佳20%或更大至70%或更小之範圍內。
在一尤佳實施例中，根據本發明之介質係以5%或更大至50%或更小之範圍、較佳10%或更大至40%或更小之範圍內的總濃度包含一或多種式II化合物。
較佳地，根據本發明之介質中式T化合物之濃度係在1%或更大至60%或更小、更佳5%或更大至50%或更小、最佳8%或更大至45%或更小之範圍內。
較佳地，根據本發明之介質中式L化合物之濃度係在1%或更大至60%或更小、更佳5%或更大至40%或更小、最佳8%或更大至35%或更小之範圍內。
在本發明之一較佳實施例中，介質中式II化合物之濃度係在3%或更大至60%或更小、更佳5%或更大至55%或更小、更佳10%或更大至50%或更小且最佳15%或更大至45%或更小之範圍內。
本發明亦關於含有根據本發明之液晶介質的電光顯示器或電光組件。較佳係基於VA、ECB、IPS或FFS效應、較佳基於VA、IPS或FFS效應之電光顯示器，且特定而言係藉助於主動矩陣定址裝置定址之彼等顯示器。
相應地，本發明同樣關於根據本發明之液晶介質在電光顯示器或在電光組件中之用途，且關於一種用於製備根據本發明之液晶介質的製程，其特徵在於一或多種式T、較佳子式T-1及/或T-2化合物係與以下混合：一或多種式L化合物、較佳一或多種子式L-1及/或L-2化合物、及/或一或多種選自式IV及V之化合物、及/或一或多種式II-1、II-2化合物及一或多種較佳選自式IV及V化合物之群的其他化合物、更佳一或多種式IV及式V二者之化合物。
在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式IV化合物，其選自式IV-2及IV-3化合物之群：
Figure 02_image160
其中 alkyl及alkyl'，  彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基， alkoxy    表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基。
在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式V化合物，其選自式V-1及V-2、較佳式V-1化合物之群：
Figure 02_image162
其中參數具有上文式V下所給出之含義，且較佳地， R51 表示具有1至7個C原子之烷基或具有2至7個C原子之烯基，且 R52 表示具有1至7個C原子之烷基、具有2至7個C原子之烯基或具有1至6個C原子之烷氧基，較佳表示烷基或烯基，尤佳表示烷基。
在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式V-1化合物，其選自式V-1a及V-1b化合物之群：
Figure 02_image164
其中 alkyl及alkyl'，  彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基，且 alkenyl   表示具有2至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烯基。
此外，本發明係關於一種用於減小液晶介質之雙折射的波長色散之方法，該液晶介質包含一或多種式II化合物、視情況存在之一或多種選自式IV化合物之群的化合物及/或一或多種式V化合物，其特徵在於介質中使用一或多種式T及L中之各者的化合物。
除式T、L及II至V化合物外，亦可存在其他成分，其量例如係混合物整體之至多35%，但較佳係至多25%，特定而言係至多10%。
根據本發明之介質亦可視情況包含介電正性組分，以總介質計，組分之總濃度係較佳20%或更小、更佳10%或更小。
在一較佳實施例中，以混合物整體計，根據本發明之液晶介質總計包含： 1%或更大至50%或更小、較佳2%或更大至35%或更小、尤佳3%或更大至25%或更小之式T化合物， 1%或更大至20%或更小、較佳2%或更大至15%或更小、尤佳3%或更大至12%或更小之式L化合物， 20%或更大至50%或更小、較佳25%或更大至45%或更小、尤佳30%或更大至40%或更小之式II及/或III化合物，及 0%或更大至35%或更小、較佳2%或更大至30%或更小、尤佳3%或更大至25%或更小之式IV及/或V化合物，且 根據本發明之液晶介質可包含一或多種對掌性化合物。
本發明之尤其較佳實施例滿足以下條件中之一或多者： 其中首字母縮寫詞(縮寫)係解釋於表A至C中且以表D中之實例說明。在本申請案之一較佳實施例中，其中YS1 係F且YS2 係H之式T化合物本身係較佳的且較佳用於液晶介質中，或者係其中YS1 及YS2 均係F之式T化合物。
較佳地，根據本發明之介質滿足以下條件中之一或多者。 i. 液晶介質具有0.060或更大、尤佳0.070或更大之雙折射率。 ii. 液晶介質具有0.250或更小，尤佳0.220或更小之雙折射率。 iii. 液晶介質包含一或多種尤佳式I-4化合物。 iv. 總體上，混合物中之式IV化合物之總濃度係25%或更大、較佳30%或更大，且較佳在25%或更大至49%或更小之範圍內，尤佳在29%或更大至47%或更小之範圍內，且極尤佳在37%或更大至44%或更小之範圍內。 v. 液晶介質包含一或多種選自下式化合物之群的式IV化合物：CC-n-V及/或CC-n-Vm及/或CC-V-V及/或CC-V-Vn及/或CC-nV-Vn、尤佳CC-3-V，其濃度較佳係至多60%或更小，尤佳係至多50%或更小；且視情況另外係CC-3-V1，濃度較佳係至多15%或更小；及/或CC-4-V，濃度較佳係至多24%或更小，尤佳係至多30%或更小。 vi. 介質較佳包含式CC-n-V、較佳式CC-3-V化合物，濃度較佳係1%或更大至60%或更小，濃度更佳係20%或更大至55%或更小，濃度更佳係30%或更大至50%或更小。 vii. 總體上，混合物中之式CLY-n-Om化合物之總濃度係5%或更大至40%或更小，較佳係10%或更大至30%或更小。 viii. 液晶介質包含一或多種式IV、較佳式IV-1及/或IV-2化合物，總濃度較佳係1%或更大，特定而言係2%或更大，且極尤佳係3%或更大至50%或更小，較佳係35%或更小。 ix. 液晶介質包含一或多種式V、較佳式V-1及/或V-2化合物，總濃度較佳係1%或更大，特定而言係2%或更大，且極尤佳係15%或更大至35%或更小，較佳係30%或更小。 x. 總體上，混合物中式CCP-V-n、較佳式CCP-V-1化合物之總濃度較佳係5%或更大至30%或更小，較佳係15%或更大至25%或更小。 xi. 總體上，混合物中式CCP-V2-n、較佳式CCP-V2-1化合物之總濃度較佳係1%或更大至15%或更小，較佳係2%或更大至10%或更小。
本發明進一步關於一種具有基於VA、ECB、IPS、FFS或UB-FFS效應之主動矩陣定址的電光顯示器，其特徵在於其含有根據本發明之液晶介質作為介電質。
液晶混合物之向列相範圍較佳具有至少70度之寬度。
旋轉黏度γ1 係較佳200 mPa·s或更小、較佳150 mPa·s或更小及特定而言120 mPa·s或更小。
根據本發明之混合物適用於所有使用介電正性液晶介質之IPS及FFS-TFT應用。
根據本發明之液晶介質較佳幾乎完全由4至18種、特定而言5至15種及尤佳12或更少種化合物組成。此等化合物較佳選自式T、L、II、III、IV及V化合物之群。
根據本發明之液晶介質亦可視情況包含多於18種化合物。在此情況下，其較佳包含18至25種化合物。
在一較佳實施例中，根據本發明之液晶介質主要由不包含氰基之化合物組成，較佳基本上由不包含氰基之化合物組成，且最佳幾乎完全由不包含氰基之化合物組成。
在一較佳實施例中，根據本發明之液晶介質包含之化合物係選自式T、L、II及III、IV及V化合物之群，較佳選自下式化合物之群：較佳選自T-1及T-2之式T、較佳選自式L-1及L-2之式L、較佳選自II-1及II-2之式II、較佳選自III-1及III-2之式III、式IV及式V。其較佳主要、尤佳基本上且極尤佳幾乎完全由該等化學式之化合物組成。
在各情況下，根據本發明之液晶介質較佳具有至少-10℃或更低至70℃或更高、尤佳-20℃或更低至80℃或更高、極尤佳-30℃或更低至85℃或更高及最佳-40℃或更低至90℃或更高之向列相。
表述「具有向列相」在本文中意謂：一方面，在相應溫度下用於低溫下未觀測到近晶相及結晶，且另一方面，在自向列相加熱時不出現澄清。低溫下的研究係在相應溫度下於流式黏度計中進行，且藉由儲存於具有與電光應用對應之單元厚度的測試單元中持續至少100小時進行檢測。若在相應測試單元中於-20℃之溫度下的儲存穩定性係1000小時或更長，則將介質視為在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，相應時間分別係500小時及250小時。在高溫下，藉由習知方法在毛細管中量測澄清點。
根據本發明之液晶介質較佳具有相對較低之臨界電壓值(V0 )，該等值係在1.0 V或更大至2.7 V或更小、較佳1.2 V或更大至2.5 V或更小、尤佳1.3 V或更大至2.2 V或更小之範圍內。
此外，根據本發明之液晶介質在液晶單元中具有較高VHR值。
在於20℃下剛填充之單元內，此等單元內VHR值係大於或等於95%，較佳大於或等於97%，尤佳大於或等於98%且極尤佳大於或等於99%，且在於100℃下置於爐中5分鐘後，此等單元內VHR值大於或等於90%，較佳大於或等於93%，尤佳大於或等於96%且極尤佳大於或等於98%。
一般而言，相較於具有較高定址電壓或臨界電壓之彼等介質，此處具有較低定址電壓或臨界電壓之液晶介質之VHR更低，且反之亦然。個別物理性質之此等較佳值較佳亦在各情況下係藉由根據本發明之介質彼此組合來維持。
在本申請案中，除非明確指示，否則術語「化合物(compounds/compound(s))」意謂一種以及複數種化合物。
在一較佳實施例中，根據本發明之液晶介質包含： 一或多種式T-1化合物，及 一或多種式T-2化合物，及/或 一或多種式L-1及/或L-2化合物，較佳一或多種式L-1及L-2化合物，及/或 一或多種式II化合物，其較佳選自式PUQU-n-F、CDUQU-n-F、APUQU-n-F及PGUQU-n-F之群，及/或 一或多種式III化合物，其較佳選自式CCP-n-OT、CLP-n-T、CGG-n-F及CGG-n-OD之群，及/或 一或多種式IV化合物，其較佳選自式CC-n-V、CC-n-Vm、CC-n-m及CC-V-V之群，及/或 一或多種式V化合物，其較佳選自式CCP-n-m、CCP-V-n、CCP-V2-n、CLP-V-n、CCVC-n-V及CGP-n-m之群，及/或 視情況、較佳強制性地包含式IV化合物，其較佳選自式CC-n-V、CC-n-Vm及CC-nV-Vm、較佳CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V、CC-5-V及CC-V-V化合物之群，尤佳選自CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V及CC-V-V化合物、極尤佳化合物CC-3-V之群，且視情況另外包含化合物CC-4-V及/或CC-3-V1及/或CC-V-V，及/或 視情況、較佳強制性地，包含式V、較佳式CCP-V-1及/或CCP-V2-1之一或多種化合物。
對於本發明，除非在個別情況下另外指示，否則結合組合物各成分之說明應用以下定義： - 「包含」：組合物中相關成分之濃度較佳係5%或更大，尤佳係10%或更大，極尤佳係20%或更大， - 「主要由…組成」：組合物中相關成分之濃度較佳係50%或更大，尤佳係55%或更大且極尤佳係60%或更大， - 「基本上由…組成」：組合物中相關成分之濃度較佳係80%或更大，尤佳係90%或更大且極尤佳係95%或更大，且 - 「幾乎完全由…組成」：組合物中相關成分之濃度較佳係98%或更大，尤佳係99%或更大且極尤佳係100.0%。
此同時適用於呈具有其成分之組合物形式的介質，該等組合物可為組分及化合物，且亦適用於具有其成分之組分、化合物。僅在結合相對於介質整體之個別化合物的濃度時，術語包含才意謂：相關化合物之濃度較佳係1%或更大，尤佳係2%或更大，極尤佳係4%或更大。對於本發明，「≤」意謂小於或等於，較佳意謂小於，且「≥」意謂大於或等於，較佳意謂大於。
對於本發明，
Figure 02_image166
表示反-1,4-伸環己基，
Figure 02_image168
表示1,4-伸環己基，較佳表示反-1,4-伸環己基，且
Figure 02_image170
表示1,4-伸苯基。
對於本發明，表述「介電正性化合物」意謂具有＞ 1.5之Δε的化合物，表述「介電中性化合物」通常意謂其中-1.5 ≤ Δε ≤ 1.5之彼等化合物，且表述「介電負性化合物」意謂其中Δε ＜ -1.5之彼等化合物。此處化合物之介電各向異性係藉由以下測定：將10%之化合物溶解於液晶主體中，且在各情況下在20℃之溫度下且在1 kHz之頻率下在至少一個使用直列式且使用均勻表面配向之具有20 µm單元厚度的測試單元中測定所得混合物之電容。量測電壓通常係1.0 V，但始終低於所研究之各別液晶混合物之電容臨界值。
用於介電正性及介電中性化合物之主體混合物係ZLI-4792，且用於介電負性化合物之主體混合物係ZLI-2857，二者均來自德國Merck KGaA。待研究之各別化合物的值係由以下獲得：在添加待研究之化合物且外推至所用化合物之100%後，主體混合物之介電常數發生改變。以10%之量將待研究之化合物溶解於主體混合物中。出於此目的，若物質之溶解度過低，則在步驟中使濃度減半直至可在所需溫度下進行研究。
若必要，則根據本發明之液晶介質亦以常規量包含其他添加劑，例如穩定劑及/或多色摻雜劑，例如雙色、染料及/或對掌性摻雜劑。以總混合物之量計，此等所用添加劑之量係較佳總計0%或更大至10%或更小，尤佳係0.1%或更大至6%或更小。所用個別化合物之濃度較佳係0.1%或更大至3%或更小。當詳述液晶介質中液晶化合物之濃度及濃度範圍時，通常不考慮此等及類似添加劑之濃度。
在一較佳實施例中，根據本發明之液晶介質包含聚合物前體，該前體以常規量包含一或多種反應性化合物，較佳包含反應性液晶原，且若必要，則亦進一步包含例如聚合引發劑及/或聚合調節劑之添加劑。以總混合物之量計，此等所用添加劑之量係總計0%或更大至10%或更小，較佳係0.1%或更大至2%或更小。當詳述液晶介質中液晶化合物之濃度及濃度範圍時，不考慮此等及類似添加劑之濃度。
該等組合物係由以習知方式混合之複數種化合物、較佳3或更多種至30或更少種、尤佳6或更多種至20或更少種且極尤佳10或更多種至16或更少種化合物組成。一般而言，將以較少量使用之組分的所需量溶解於構成混合物之主要成分的組分中。此有利地在高溫下進行。若所選溫度高於主要成分之澄清點，則特別容易觀察到溶解操作之完成。然而，亦有可能以其他習知方式，例如使用預混物，或由所謂的「多瓶系統(multi-bottle system)」製備液晶混合物。
根據本發明之混合物呈現極廣向列相範圍，其具有65℃或更高之澄清點，其電容臨界值極佳，其電壓保持比率(VHR)值相對較高，且同時在-30℃及-40℃下具有極佳低溫穩定性。此外，根據本發明之混合物之特徵係較低旋轉濃度γ1 。
熟習此項技術者理所當然知曉用於VA、IPS、FFS或PALC顯示器之根據本發明之介質亦可包含其中例如H、N、O、Cl、F已經相應同位素置換之化合物。
如例如EP-A 0 240 379中所描述，根據本發明之液晶顯示器之結構與普通幾何形狀對應。
根據本發明之液晶相可藉助於合適添加劑改質，以此方式使得其可用於例如迄今已揭示的任何類型之IPS及FFS LCD顯示器。
下文表E表示可能添加至根據本發明之混合物中之摻雜劑。若混合物包含一或多種摻雜劑，則其使用量係0.01%至4%，較佳係0.1%至1.0%。
下文表F中顯示可例如添加至根據本發明之混合物中之穩定劑，其量較佳係0.01%至6%，特定而言係0.1%至3%。
出於本發明之目的，除非另外明確指出，否則所有濃度均以重量百分比指示，且除非另外明確指示，否則該等濃度係關於作為整體之相應混合物或關於同樣作為整體之各別混合物組分。在此上下文中，術語「混合物」描述液晶介質。
除非另外明確指示，否則本申請案中所指示之所有溫度值，例如熔點T(C,N)、近晶(S)至向列(N)相轉移T(S,N)及澄清點T(N,I)係以攝氏度(℃)指示且所有溫度差均相應地以度數差(°或度)指示。對於本發明，除非另外明確指示，否則術語「臨界電壓」係關於電容臨界值(V0 )，亦已知為弗雷德里克臨界值(Freedericks threshold)。
在各情況下，除非另外明確指示，否則已根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, 狀態1997年11月, 德國Merck KGaA測定所有物理特性且應用於20℃之溫度，且在436 nm、589 nm且在633 nm下測定Δn，且在1 kHz下測定Δε。
電光特性、例如臨界電壓(V0 )(電容量測值)，以及切換行為，均係在Merck Japan製造之測試單元中測定。量測單元具有鹼石灰玻璃基板且係以具有聚醯亞胺配向層(SE-1211與稀釋劑**26 (混合比1:1)，均來自日本Nissan Chemicals)之ECB或VA構形構建，該等層已彼此垂直摩擦且實現液晶之垂直配向。透明之近似方形的ITO電極之表面積係1 cm2 。除非另外指示，否則不將對掌性摻雜劑添加至所用液晶混合物中，但液晶混合物亦尤其適用於需要此類型之摻雜的應用。
旋轉黏度係使用旋轉永久磁鐵方法測定，且流動黏度係在經改良之烏氏黏度計(Ubbelohde viscometer)中測定。對於液晶混合物ZLI-2293、ZLI-4792及MLC-6608、所有來自德國達姆城Merck KGaA之產品，在20℃下測定之旋轉黏度值分別係161 mPa·s、133 mPa·s及186 mPa·s，且流動黏度值(ν)分別係21 mm2 ·s-1 、14 mm2 ·s-1 及27 mm2 ·s-1 。
除非另外明確規定，否則出於實用目的，該等材料之折射率之色散可方便地以貫穿本申請案使用的以下方式表徵。雙折射率值係使用在與材料接觸之稜鏡側上具有垂直配向表面的經改良之阿貝折射儀(Abbé refractometer)在若干固定波長下於20℃之溫度下測定。在436 nm (低壓汞燈之各別所選光譜線)、589 nm (鈉「D」線)及633 nm (HE-Ne雷射之波長(與衰減器/擴散器組合使用以防止傷害觀測者之眼睛))之特定波長值下測定雙折射率值。在下表中，在589 nm下給出Δn，且Δ(Δn)係給出為Δ(Δn) = Δn (436 nm) - Δn (633 nm)。
除非另外明確指示，否則使用以下符號： V0 20℃下之電容性臨界電壓[V]， ne 在20℃及589 nm下量測之非常折射率， no 在20℃及589 nm下量測之尋常折射率， Δn                 在20℃及589 nm下量測之光學各向異性， λ                   波長λ [nm]， Δn(λ)             在20℃及波長λ下量測之光學各向異性， Δ(Δn)             定義如下之光學各向異性變化： Δn (20℃, 436 nm) - Δn (20℃, 633 nm)， Δ(Δn*)           定義如下之「光學各向異性相對變化」： Δ(Δn)/Δn (20℃,589 nm)， ε ⊥ 在20℃及1 kHz下垂直於導向器之介電極化率， εII 在20℃及1 kHz下平行於導向器之介電極化率， Δε                 20℃及1 kHz下的介電各向異性(Δε = εII -ε ⊥ )， εav. 20℃及1 kHz下的平均介電極化率(εav. = 1/3[εII +2ε ⊥ ])， T(N,I)或cl.p.   澄清點[℃]， Ν                  在20℃下量測之流動黏度[mm2 ·s-1 ]， γ1 在20℃下量測之旋轉黏度[mPa·s]， k11 20℃下「伸展」變形的彈性常數 [pN]， k22 20℃下「扭曲」變形的彈性常數 [pN]， k33 20℃下「彎曲」變形的彈性常數 [pN]， LTS               在測試單元中測定之相的低溫穩定性， VHR              電壓保持率， ΔVHR            電壓保持率之降低值，及 Srel VHR之相對穩定性。
以下實例解釋本發明而不對其進行限制。然而，其向熟習此項技術者展示較佳混合物概念與較佳使用之化合物及其各別濃度及其彼此之組合。此外，實例說明可獲得之特性及特性組合。
對於本發明及在以下實例中，藉助於首字母縮寫詞指示液晶化合物之結構，其中根據下表A至表C進行化學式之轉化。所有基團Cn H2n+1 、Cm H2m+1 及Cl H2l+1 或Cn H2n 、Cm H2m 及Cl H2l 均係直鏈烷基或烯基，在各情況下，其分別具有n、m及l個C原子。較佳地，n、m及l彼此獨立地係1、2、3、4、5、6或7。表A顯示化合物核之環元素的代碼，表B列出橋連單元，且表C列出分子之左側及右側端基之符號的含義。首字母縮寫詞係由以下組成：具有視情況存在之連接基團的環元素之代碼，隨後係第一連字符及左側端基之代碼，及第二連字符及右側端基之代碼。表D顯示化合物之說明性結構以及其各別縮寫。
表 A ：環形元素
Figure 02_image172
Figure 02_image174
Figure 02_image176
表 B ：橋接單元
E -CH2 -CH2 -      
V -CH=CH-      
T -C≡C-      
W -CF2 -CF2 -      
B -CF=CF-      
Z -CO-O- ZI -O-CO-
X -CF=CH- XI -CH=CF-
O -CH2 -O- OI -O-CH2 -
Q -CF2 -O- QI -O-CF2 -
表 C ：端基
單獨或以組合方式位於左側 單獨或以組合方式位於右側
-n- Cn H2n+1 - -n -Cn H2n+1
-nO- Cn H2n+1 -O- -On -O- Cn H2n+1
-V- CH2 =CH- -V -CH=CH2
-nV- Cn H2n+1 -CH=CH- -nV -Cn H2n -CH=CH2
-Vn- CH2 =CH- Cn H2n - -Vn -CH=CH-Cn H2n+1
-nVm- Cn H2n+1 -CH=CH-Cm H2m - -nVm - Cn H2n -CH=CH-Cm H2m+1
-N- N≡C- -N -C≡N
-S- S=C=N- -S -N=C=S
-F- F- -F -F
-CL- Cl- -CL -Cl
-M- CFH2 - -M -CFH2
-D- CF2 H- -D -CF2 H
-T- CF3 - -T -CF3
-MO- CFH2 O - -OM -OCFH2
-DO- CF2 HO - -OD -OCF2 H
-TO- CF3 O - -OT -OCF3
-A- H-C≡C- -A -C≡C-H
-nA- Cn H2n+1 -C≡C- -An -C≡C-Cn H2n+1
-NA- N≡C-C≡C- -AN -C≡C-C≡N
     
僅以組合方式位於左側 僅以組合方式位於右側
- … n … - -Cn H2n - - … n … -Cn H2n -
- … M … - -CFH- - … M … -CFH-
- … D … - -CF2 - - … D … -CF2 -
- … V … - -CH=CH- - … V … -CH=CH-
- … Z … - -CO-O- - … Z … -CO-O-
- … ZI … - -O-CO- - … ZI … -O-CO-
- … K … - -CO- - … K … -CO-
- … W … - -CF=CF- - … W … -CF=CF-
其中n及m各自係整數，且三點「…」係此表之其他縮寫之占位符。
除式T及L化合物外，根據本發明之混合物較佳包含一或多種下文所提及之化合物的化合物。
使用以下縮寫： (n、m及l各自彼此獨立地係整數，較佳係1至6，l亦可能係0且較佳係0或2)。
表 D 例示性、較佳使用之式T化合物
Figure 02_image178
Figure 02_image180
包含噻吩環之額外化合物
Figure 02_image182
Figure 02_image184
例示性、較佳使用之式L化合物
Figure 02_image186
其他化合物
Figure 02_image188
Figure 02_image190
具有高ε⊥ 之例示性、較佳式I-S-02化合物：
Figure 02_image192
Figure 02_image194
Figure 02_image196
以及
Figure 02_image198
Figure 02_image200
例示性、較佳介電正性化合物
Figure 02_image202
Figure 02_image204
Figure 02_image206
Figure 02_image208
Figure 02_image210
Figure 02_image212
Figure 02_image214
Figure 02_image216
例示性、較佳的介電中性化合物
Figure 02_image218
Figure 02_image220
Figure 02_image222
Figure 02_image224
Figure 02_image226
Figure 02_image228
表E顯示較佳用於根據本發明之混合物中之對掌性摻雜劑。
表 E
Figure 02_image230
Figure 02_image232
Figure 02_image234
在本發明之一較佳實施例中，根據本發明之介質包含一或多種選自表E中之化合物之群的化合物。
表F顯示除式I化合物外可較佳用於根據本發明之混合物中的穩定劑。此處參數n表示1至12範圍內之整數。特定而言，所示酚類衍生物可因其充當抗氧化劑而用作額外穩定劑。
表 F
Figure 02_image236
Figure 02_image238
Figure 02_image240
Figure 02_image242
Figure 02_image244
在本發明之一較佳實施例中，根據本發明之介質包含選自表F之化合物之群的一或多種化合物，特定而言選自下式化合物之群的一或多種化合物
Figure 02_image246
Figure 02_image248
。
實例 以下實例解釋本發明而不以任何方式對其進行限制。然而，物理特性使得熟習此項技術者瞭解可實現何種特性及其可在什麼範圍內進行改良。特定而言，熟習此項技術者由此充分定義可較佳獲得之各種特性之組合。
化合物實例 式T化合物係例如
Figure 02_image250
此化合物(PGS-3-T)具有61℃之熔點、172℃之澄清點、61℃ SB 98℃ N 172℃ I之相範圍及+ 13.7之Δε。
Figure 02_image252
此化合物(PUS-3-T)具有67℃之熔點、102℃之澄清點、K 67℃ N 102℃ I之相範圍及+ 17.4之Δε。
Figure 02_image254
此化合物(PUS-3-F)具有67℃之熔點、102℃之澄清點、67℃ Sa 76℃ N 102℃ I之相範圍及+ 10.6之Δε。
類似地，製備以下式T-2-2化合物
Figure 02_image256
RS XS 相範圍 Δε
C3 H7 F K 64 S? 81 SA 139 I 7.4
C3 H7 (參見上文) CF3 K 61 SB 98 SA 172 I 13.7
類似地，製備以下式T-2-3化合物
Figure 02_image258
RS XS 相範圍 Δε
C3 H7 (參見上文) F K 67 SA 76 N 102 I 10.6
C3 H7 (參見上文) CF3 K 39 SA 137 I 17.4
其他化合物實例
Figure 02_image260
Figure 02_image262
混合物實例 以下揭示例示性混合物。
實例 1 製備且研究以下混合物(M-1)。
混合物M-1   
組成 物理特性
化合物 濃度 T(N, I) = 74.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6171   
1 PUS-3-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1222   
2 CLP-V-1 11.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.5   
3 CC-3-V 50.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 4.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 1.9   
5 PP-1-2V1 8.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.2   
6 PGP-1-2V 4.0 γ1 (20℃) = 47 mPa·s
7 PGP-2-2V 5.0 k11 (20℃) = 15.1 pN
8 PGU-3-F 3.0 k33 (20℃) = 14.0 pN
9 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.98 V
10 DGUQU-4-F     3.0 γ1 /k11 (20℃) = 3.11 *
Σ    100.0            
注：*：在此申請案中係γ1 /k11 [mPa·s/pN]。
此混合物M-1之特徵係3.11 mPa·s/pN之較低切換參數γ1 /k11 (20℃)。
實例 2 製備且研究以下混合物(M-2)。
混合物M-2   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 76.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6178   
1 PUS-3-2 12.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1253   
2 CLP-3-T 6.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.2   
3 CC-3-V 49.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 6.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.6   
5 CCP-V-1 4.0 εav. (20℃, 1 kHz)    3.5   
6 PP-1-2V1 2.0 γ1 (20℃) = 45 mPa·s
7 PGP-1-2V 4.0 k11 (20℃) = 15.6 pN
8 PGP-2-2V 8.0 k33 (20℃) = 13.4 pN
9 PGU-2-F 3.0 V0 (20℃) = 2.61 V
10 PGU-3-F 2.0 γ1 /k11 (20℃) = 2.88 *
11 PPGU-3-F 1.0            
12 PGUQU-4-F     2.5            
Σ    100.0            
此混合物M-2顯示較短響應時間。
實例 3 製備且研究以下混合物(M-3)。
混合物M-3   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 75.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6181   
1 PUS-3-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1239   
2 CLP-3-T 4.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.7   
3 CLP-V-1 3.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V 49.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.1   
5 CC-3-V1 4.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.3   
6 CCP-V-1 5.5 γ1 (20℃) = 45 mPa·s
7 PP-1-2V1 5.0 k11 (20℃) = 15.4 pN
8 PGP-1-2V 4.0 k33 (20℃) = 13.7 pN
9 PGP-2-2V 8.0 V0 (20℃) = 2.83 V
10 PGU-2-F 2.0 γ1 /k11 (20℃) = 2.92 *
11 PGU-3-F 3.0            
12 PPGU-3-F 0.5            
13 PGUQU-4-F     4.0            
Σ    100.0            
此混合物M-3顯示較短響應時間。
實例 4 製備且研究以下混合物(M-4)。
混合物M-4   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 75.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6156   
1 PUS-3-2 7.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1244   
2 CLP-3-T 4.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.7   
3 CLP-V-1 4.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V 49.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.1   
5 CC-3-V1 7.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.3   
6 CCP-V-1 6.5 γ1 (20℃) = 44 mPa·s
7 PP-1-2V1 4.5 k11 (20℃) = 15.1 pN
8 PGP-1-2V 2.0 k33 (20℃) = 14.1 pN
9 PGP-2-2V 8.0 V0 (20℃) = 2.81 V
10 PGU-2-F 2.0 γ1 /k11 (20℃) = 2.91 *
11 PGU-3-F 3.5            
12 PPGU-3-F 0.5            
13 APUQU-2-F     2.0            
Σ    100.0            
此混合物M-4顯示較短響應時間。
實例 5 製備且研究以下混合物(M-5)。
混合物M-5   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 74.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6186   
1 PUS-2-2 6.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1255   
2 PUS-3-2 9.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.2   
3 CLP-3-T 6.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V 49.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.6   
5 CC-3-V1 6.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.5   
6 CCP-V-1 4.0 γ1 (20℃) = 43 mPa·s
7 PP-1-2V1 2.0 k11 (20℃) = 15.6 pN
8 PGP-1-2V 3.0 k33 (20℃) = 13.0 pN
9 PGP-2-2V 6.0 V0 (20℃) = 2.60 V
10 PGU-2-F 2.0 γ1 /k11 (20℃) = 2.76 *
11 PGU-3-F 3.0            
12 PPGU-3-F 1.0            
13 PGUQU-4-F     2.5            
Σ    100.0            
此混合物M-5顯示較短響應時間。
實例 6 製備且研究以下混合物(M-6)。
混合物M-6   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 78.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6193   
1 PUS-3-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1272   
2 CLP-3-T 6.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.3   
3 CLP-V-1 2.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
4 CC-3-V 48.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.5   
5 CC-3-V1 6.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.9   
6 CCP-V-1 2.0 γ1 (20℃) = 47 mPa·s
7 PGP-1-2V 4.0 k11 (20℃) = 16.0 pN
8 PGP-2-2V 8.0 k33 (20℃) = 13.5 pN
9 PGU-2-F 4.0 V0 (20℃) = 2.24 V
10 PGU-3-F 4.0 γ1 /k11 (20℃) = 2.94 *
11 PPGU-3-F 1.0            
12 PGUQU-3-F 1.5            
13 PGUQU-4-F   2.5            
Σ    100.0            
此混合物M-6顯示較短響應時間。
實例 7 製備且研究以下混合物(M-7)。
混合物M-7   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 75.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6186   
1 PUS-3-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1242   
2 CLP-V-1 3.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.6   
3 CC-3-V 49.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 8.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.0   
5 PP-1-2V1 4.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.3 ???
6 CPP-3-2 5.0 γ1 (20℃) = 43 mPa·s
7 PGP-1-2V 3.0 k11 (20℃) = 14.8 pN
8 PGP-2-2V 9.0 k33 (20℃) = 13.1 pN
9 PGU-2-F 5.0 V0 (20℃) = 2.89 V
10 DPGU-4-F   3.5 γ1 /k11 (20℃) = 2.91 *
Σ    100.0            
此混合物M-7顯示較短響應時間。
實例 8 製備且研究以下混合物(M-8)。
混合物M-8   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 76.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6210   
  1 PUS-2-2 7.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1272   
  2 PUS-3-2 11.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.1   
  3 CLP-3-T 5.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
  4 CC-3-V 48.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.5   
  5 CC-3-V1 7.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.4   
  6 CCP-V-1 5.0 k11 (20℃) = 15.8 pN
  7 PGP-1-2V 2.0 k33 (20℃) = 13.1 pN
  8 PGP-2-2V 5.5 V0 (20℃) = 2.64 V
  9 PGU-2-F 3.0            
  10 PGU-3-F 2.0          *
  11 PPGU-3-F 1.0            
  12 PGUQU-4-F     2.5            
  Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-8之特徵係良好特性。
實例 9 製備且研究以下混合物(M-9)。
混合物M-9   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 77.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6348   
1 PUS-3-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1408   
2 PUS-4-5 15.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.0   
3 PUS-6-5 15.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CLP-3-T 6.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.4   
5 CC-3-V 41.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.8   
6 CC-3-V1 2.0 k11 (20℃) = 16.6 pN
7 PPGU-3-F 0.5 k33 (20℃) = 11.6 pN
8 CCQU-3-F 5.0 V0 (20℃) = 2.34 V
9 APUQU-3-F 1.5            
10 DGUQU-4-F     4.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-9之特徵係良好特性。
實例 10 製備且研究以下混合物(M-10)。
混合物M-10   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 76.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6349   
1 PUS-4-5 15.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1379   
2 CLP-3-T 5.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.2   
3 CLP-V-1 4.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.8   
4 CC-3-V 44.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.4   
5 CC-3-V1 3.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.9   
6 PP-1-2V1 3.0 k11 (20℃) = 16.0 pN
7 PGP-1-2V 3.5 k33 (20℃) = 12.5 pN
8 PGP-2-2V 9.0 V0 (20℃) = 2.28 V
9 PGU-2-F 6.0            
10 PGU-3-F 3.0            
11 PPGU-3-F 1.0            
12 PGUQU-4-F     3.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-10之特徵係良好特性。
實例 11 製備且研究以下混合物(M-11)。
混合物M-11   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 73.4 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6274   
1 PUS-2-2 15.5 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1333   
2 CLP-3-T 7.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.6   
3 CC-3-V 36.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 11.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.9   
5 CC-3-2V1 5.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.6   
6 PP-1-2V1 10.0 k11 (20℃) = 16.9 pN
7 PGP-1-2V 5.0 k33 (20℃) = 14.0 pN
8 PGP-2-2V 2.5 V0 (20℃) = 2.52 V
9 PPGU-3-F 1.0            
10 DGUQU-4-F 2.0            
11 PGUQU-3-F     4.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-11之特徵係良好特性。
實例 12 製備且研究以下混合物(M-12)。
混合物M-12   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 73.6 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6283   
1 PUS-2-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1337   
2 PUS-3-2 4.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.6   
3 CLP-3-T 7.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
4 CC-3-V 37.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.9   
5 CC-3-V1 11.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.6   
6 CC-3-2V1 3.0 k11 (20℃) = 16.7 pN
7 PP-1-2V1 10.0 k33 (20℃) = 13.9 pN
8 PGP-1-2V 3.5 V0 (20℃) = 2.51 V
9 PGP-2-2V 6.5            
10 PPGU-3-F 1.0            
11 DGUQU-4-F 4.0            
12 PGUQU-3-F     2.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-12之特徵係良好特性。
實例 13 製備且研究以下混合物(M-13)。
混合物M-13   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 73.4 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6272   
1 PUS-2-2 5.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1334   
2 PUS-3-2 12.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.5   
3 CLP-3-T 7.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
4 CC-3-V 37.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.8   
5 CC-3-V1 11.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.6   
6 CC-3-2V1 4.0 k11 (20℃) = 17.0 pN
7 PP-1-2V1 10.0 k33 (20℃) = 14.0 pN
8 PGP-1-2V 2.5 V0 (20℃) = 2.54 V
9 PGP-2-2V 4.5            
10 PPGU-3-F 1.0            
11 DGUQU-4-F 4.0            
12 PGUQU-3-F     2.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-13之特徵係良好特性。
實例 14 製備且研究以下混合物(M-14)。
混合物M-14   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 73.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6278   
1 PUS-2-2 9.5 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1338   
2 PUS-3-2 5.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.4   
3 PUS-4-5 5.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
4 CLP-3-T 7.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 CC-3-V 35.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.6   
6 CC-3-V1 11.0 k11 (20℃) = 16.9 pN
7 CC-3-2V1 5.0 k33 (20℃) = 13.8 pN
8 PP-1-2V1 10.0 V0 (20℃) = 2.58 V
9 PGP-1-2V 5.5            
10 PPGU-3-F 1.0            
11 DGUQU-4-F 4.0            
12 PGUQU-3-F     1.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-14之特徵係良好特性。
實例 15 製備且研究以下混合物(M-15)。
混合物M-15   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 73.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6293   
1 PUS-2-2 17.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1346   
2 CLP-3-T 7.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.5   
3 CC-3-V 35.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 11.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.9   
5 CC-3-2V1 10.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.6   
6 PP-1-2V1 7.0 k11 (20℃) = 17.0 pN
7 PGP-1-2V 7.0 k33 (20℃) = 14.0 pN
8 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.55 V
9 DGUQU-4-F 3.5            
10 PGUQU-3-F     2.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-15之特徵係良好特性。
實例 16 製備且研究以下混合物(M-16)。
混合物M-16   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 73.7 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6292   
1 PUS-2-2 20.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1348   
2 CLP-3-T 7.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.5   
3 CC-3-V 35.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 11.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.8   
5 CC-3-2V1 6.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.6   
6 PP-1-2V1 8.5 k11 (20℃) = 17.1 pN
7 PGP-1-2V 5.5 k33 (20℃) = 13.9 pN
8 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.59 V
9 DGUQU-4-F 4.0            
10 PGUQU-3-F     1.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-16之特徵係良好特性。
實例 17 製備且研究以下混合物(M-17)。
混合物M-17   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 71.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6167   
1 PUS-3-2 11.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1227   
2 CLP-3-T 3.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.0   
3 CLP-V-1 8.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.5   
4 CC-3-V 49.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.5   
5 CC-3-V1 5.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.4   
6 PP-1-2V1 11.0 k11 (20℃) = 15.1 pN
7 PGP-2-2V 5.0 k33 (20℃) = 13.7 pN
8 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.59 V
9 PGUQU-3-F    7.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-17之特徵係良好特性。
實例 18 製備且研究以下混合物(M-18)。
混合物M-18   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 71.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6159   
1 PUS-2-2 25.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1228   
2 CLP-V-1 6.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.5   
3 CC-3-V 52.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.5   
4 CC-3-V1 10.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 2.1   
5 PPGU-3-F 1.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.2   
6 PGUQU-3-F 3.0 k11 (20℃) = 14.4 pN
7 PGUQU-4-F     3.0 k33 (20℃) = 12.4 pN
Σ    100.0 V0 (20℃) = 2.78 V
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-18之特徵係良好特性。
實例 19 製備且研究以下混合物(M-19)。
混合物M-19   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 104.1 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6026   
1 PUS-3-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1142   
2 CLP-3-T 6.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 7.3   
3 CC-3-V 28.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.8   
4 CC-3-V1 9.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 4.6   
5 CCP-V-1 14.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 4.3   
6 CCP-V2-1 1.5 γ1 (20℃) = 83 mPa·s
7 CCVC-3-V 6.0 k11 (20℃) = 18.6 pN
8 PP-1-2V1 3.0 k33 (20℃) = 18.6 pN
9 PGP-2-2V 2.0 V0 (20℃) = 2.13 V
10 CCG-V-F 4.0 γ1 /k11 (20℃) = 4.46 *
1 CCP-3-OT 5.0            
12 DPGU-4-F 2.0            
13 CDUQU-3-F 3.0            
14 DGUQU-4-F 4.0            
15 PGUQU-4-F     2.5            
Σ    100.0            
此混合物M-19之特徵係極短響應時間且顯示較高澄清點。
實例 20 製備且研究以下混合物(M-20)。
混合物M-20   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 75.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6288   
1 PUS-3-2 10.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1343   
2 CLP-3-T 7.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.7   
3 CC-3-V 47.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
4 CC-3-V1 4.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.0   
5 PP-1-2V1 7.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.7   
6 PGP-1-2V 5.5 k11 (20℃) = 15.8 pN
7 PGP-2-2V 10.0 k33 (20℃) = 13.5 pN
8 PGU-2-F 1.0 V0 (20℃) = 2.43 V
9 PPGU-3-F 1.0            
10 PGUQU-3-F 4.0            
11 PGUQU-4-F     2.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-20之特徵係良好特性。
實例 21 將500 ppm之下式化合物添加至前述實例之混合物M-20中：
Figure 02_image264
， 其中與N原子連接之兩個O原子表示基團。研究所得混合物M-21。其呈現針對光照曝露之良好穩定性，且同時維持其他物理特性。
實例 22 製備且研究以下混合物(M-22)。
混合物M-22   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 74.2 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6290   
1 PUS-3-2 15.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1350   
2 CLP-3-T 6.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.1   
3 CC-3-V 40.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.9   
4 CC-3-V1 11.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.3   
5 PP-1-2V1 8.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 4.0   
6 PGP-2-2V 10.5 k11 (20℃) = 16.3 pN
7 PPGU-3-F 1.0 k33 (20℃) = 13.2 pN
8 DGUQU-4-F 4.0 V0 (20℃) = 2.36 V
9 PGUQU-4-F     3.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-22之特徵係良好特性。
實例 23 製備且研究以下混合物(M-23)。
混合物M-23   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 74.6 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6289   
1 PUS-3-2 15.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1349   
2 CLP-3-T 7.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.9   
3 CC-3-V 40.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.8   
4 CC-3-V1 11.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.1   
5 PP-1-2V1 8.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.8   
6 PGP-2-2V 11.0 k11 (20℃) = 16.6 pN
7 PPGU-3-F 1.0 k33 (20℃) = 13.1 pN
8 DGUQU-4-F 4.0 V0 (20℃) = 2.46 V
9 PGUQU-3-F     2.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-23之特徵係良好特性且顯示較高彈性常數(亦即k11 )。
實例 24 製備且研究以下混合物(M-24)。
混合物M-24   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 77.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6081   
1 PUS-3-T 15.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1181   
2 CLP-V-1 10.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.7   
3 CLP-3-T 4.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
4 CC-3-V 51.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.0   
5 CC-3-V1 6.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.7   
6 PP-1-2V1 2.0 k11 (20℃) = 17.1 pN
7 PGP-1-2V 3.0 k33 (20℃) = 14.4 pN
8 PGP-2-2V 8.0 V0 (20℃) = 2.51 V
9 PPGU-3-F     1.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-24之特徵係良好特性且顯示較高彈性常數(亦即k11 )。
實例 25 製備且研究以下混合物(M-25)。
混合物M-25   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 74.0 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6212   
1 PUS-3-T 4.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1248   
2 CLP-V-1 10.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.6   
3 CC-3-V 49.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 4.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 1.6   
5 PP-1-2V1 12.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.1   
6 PGP-1-2V 8.0 k11 (20℃) = 15.1 pN
7 PGP-2-2V 10.0 k33 (20℃) = 14.5 pN
8 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 3.20 V
9 DGUQU-4-F     2.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-25之特徵係良好特性。
實例 26 製備且研究以下混合物(M-26)。
混合物M-26   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 76.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6212   
1 PUS-3-T 9.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1235   
2 CLP-V-1 12.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.4   
3 CC-3-V 48.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
4 CC-3-V1 7.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 1.8   
5 PP-1-2V1 12.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.2   
6 PGP-1-2V 7.0 k11 (20℃) = 16.1 pN
7 PGP-2-2V 8.0 k33 (20℃) = 14.7 pN
8 PPGU-3-F     1.0 V0 (20℃) = 3.14 V
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-26之特徵係良好特性。
實例 27 製備且研究以下混合物(M-27)。
混合物M-27   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 74.5 ℃
編號 縮寫 /重量% ne (20℃, 589 nm) = 1.6157   
1 PUS-2-3 5.0 Δn (20℃, 589 nm) = 0.1222   
2 PUS-3-2 5.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 4.2   
3 PUS-3-T 8.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.5   
4 CLP-V-1 15.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 1.8   
5 CC-3-V 49.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.1   
6 CC-3-V1 7.0 k11 (20℃) = 17.1 pN
7 PP-1-2V1 5.0 k33 (20℃) = 14.3 pN
8 PPGU-3-F     1.0 V0 (20℃) = 3.28 V
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-27之特徵係良好特性且顯示較高彈性常數(亦即k11 )。
實例 28 製備且研究以下混合物(M-28)。
混合物M-28   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = t.b.d. ℃
編號 縮寫 /重量%            
1 PUS-3-2 6.0            
2 PUS-3-T 4.0            
3 CLP-V-1 8.0            
4 CLP-3-T 4.0            
5 CC-3-V 51.0            
6 CC-3-V1 7.0            
7 PP-1-2V1 8.0            
8 PGP-2-2V 8.0            
9 PPGU-3-F 0.5            
10 PGUQU-3-F     3.5            
Σ    100.0            
註：t.b.d. 待測定。
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-28之特徵係良好特性。
實例 29 製備且研究以下混合物(M-29)。
混合物M-29   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = t.b.d. ℃
編號 縮寫 /重量%            
1 PGS-3-T 5.0            
2 PUS-3-2 12.0            
3 CLP-3-T 7.0            
4 CC-3-V 37.0            
5 CC-3-V1 11.0            
6 CC-3-2V1 4.0            
7 PP-1-2V1 10.0            
8 PGP-1-2V 2.5            
9 PGP-2-2V 4.5            
10 PPGU-3-F 1.0            
11 DGUQU-4-F 4.0            
12 PGUQU-3-F     2.0            
Σ    100.0            
註：t.b.d. 待測定。
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-29之特徵係良好特性。
實例 30 製備且研究以下混合物(M-30)。
混合物M-30   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = t.b.d. ℃
編號 縮寫 /重量%            
1 PGS-2-2 8.0            
2 PGS-3-2 9.0            
3 CLP-3-T 7.0            
4 CC-3-V 37.0            
5 CC-3-V1 11.0            
6 CC-3-2V1 4.0            
7 PP-1-2V1 10.0            
8 PGP-1-2V 2.5            
9 PGP-2-2V 4.5            
10 PPGU-3-F 1.0            
11 DGUQU-4-F 4.0            
12 PGUQU-3-F     2.0            
Σ    100.0            
註：t.b.d. 待測定。
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-30之特徵係良好特性。
實例 31 製備且研究以下混合物(M-31)。
混合物M-31   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 76.9 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1581   
1 PUS-2-2 10.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6589   
2 PUS-3-2 20.0 no (20℃, 589 nm) = 1.5008   
3 CLP-3-T 5.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.6   
4 CC-3-V 34.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 CC-3-V1 3.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.0   
6 CC-3-5 5.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.7   
7 PP-1-2V1 7.0 k11 (20℃) = 12.7 pN
8 PGP-1-2V 4.0 k33 (20℃) = 2.61 pN
9 PGP-2-2V 4.5 V0 (20℃) = 2.61 V
10 DPGU-4-F 2.0            
11 DGUQU-4-F     2.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-31之特徵係良好特性。
實例 32 製備且研究以下混合物(M-32)。
混合物M-32   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 80.9 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1350   
1 PUS-3-2 10.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6290   
2 CLP-3-T 8.5 no (20℃, 589 nm) = 1.4940   
3 CC-3-V 43.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.7   
4 CC-3-V1 8.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 PP-1-2V1 7.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.0   
6 PGP-1-2V 7.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.7   
7 PGP-2-2V 8.0 k11 (20℃) = 16.3 pN
8 DLGU-3-F 1.5 k33 (20℃) = 13.8 pN
9 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.6 V
10 PGUQU-3-F     1.5 γ1 (20℃) = 55 mPa s
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-32之特徵係良好特性。
實例 33 製備且研究以下混合物(M-33)。
混合物M-33   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 86.1 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1538   
1 PUS-3-2 25.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6530   
2 CLP-3-T 3.0 no (20℃, 589 nm) = 1.4992   
3 CLP-V-1 3.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 7.4   
4 CC-3-V 30.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.8   
5 CC-3-V1 8.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 4.6   
6 CCP-V-1 5.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 4.3   
7 CCP-V2-1 4.0 k11 (20℃) = 18.9 pN
8 PP-1-2V1 5.5 k33 (20℃) = 15.7 pN
9 PGP-2-2V 3.0 V0 (20℃) = 2.13 V
10 PGU-3O-F 3.0 γ1 (20℃) = 69 mPa s
11 PPGU-3-F 0.5            
12 DGUQU-4-F 5.0            
13 PGUQU-3-F     5.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-33之特徵係良好特性。
實例 34 製備且研究以下混合物(M-34)。
混合物M-34   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 82.8 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1545   
1 PUS-3-2 19.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6564   
2 CLP-3-T 2.0 no (20℃, 589 nm) = 1.5019   
3 CLP-V-1 2.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.8   
4 CC-3-V 9.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.9   
5 CC-3-V1 9.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.9   
6 CC-3-5 5.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 4.2   
7 CCP-V-1 4.0 k11 (20℃) = 18.8 pN
8 CCP-V2-1 5.0 k33 (20℃) = 16.2 pN
9 PP-1-2V1 8.5 V0 (20℃) = 2.31 V
10 PGP-1-2V 6.0 γ1 (20℃) = 65 mPa s
11 PGP-2-2V 7.5            
12 PPGU-3-F 1.0            
13 PZU-V2-N     6.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-34之特徵係良好特性。
實例 35 製備且研究以下混合物(M-35)。
混合物M-35   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 74.9 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1345   
1 PUS-3-2 13.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6320   
2 CLP-3-T 2.0 no (20℃, 589 nm) = 1.4975   
3 CC-3-V 37.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.7   
4 CC-3-V1 8.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 CCP-V-1 8.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.0   
6 CCP-V2-1 3.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.7   
7 PP-1-2V1 11.0 k11 (20℃) = 15.2 pN
8 PGP-2-2V 10.0 k33 (20℃) = 14.0 pN
9 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.36 V
10 PZU-V2-N 3.0 γ1 (20℃) = 53 mPa s
11 PGUQU-3-F     3.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-35之特徵係良好特性。
實例 36 製備且研究以下混合物(M-36)。
混合物M-36   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 82.3 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1554   
1 PUS-3-2 20.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6565   
2 PUS-3-V 5.0 no (20℃, 589 nm) = 1.5011   
3 CLP-3-T 3.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.6   
4 CLP-V-1 3.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 CC-3-V 27.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.9   
6 CC-3-V1 9.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 4.0   
7 CCP-V-1 5.0 k11 (20℃) = 18.2 pN
8 CCP-V2-1 5.0 k33 (20℃) = 15.1 pN
9 PP-1-2V1 12.0 V0 (20℃) = 2.27 V
10 DGUQU-4-F 5.0 γ1 (20℃) = 68 mPa s
11 PPGU-3-F 1.0            
12 PGUQU-3-F     4.5            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-36之特徵係良好特性。
實例 37 製備且研究以下混合物(M-37)。
混合物M-37   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 76.2 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1347   
1 PUS-3-2 19.5 ne (20℃, 589 nm) = 1.6292   
2 CLP-3-T 4.5 no (20℃, 589 nm) = 1.4945   
3 CLP-V-1 7.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.7   
4 CC-3-V 29.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.6   
5 CC-3-V1 13.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.1   
6 CC-2-3 5.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.6   
7 PP-1-2V1 12.5 k11 (20℃) = 18.5 pN
8 DPGU-4-F 3.0 k33 (20℃) = 14.1 pN
9 DGUQU-4-F 4.5 V0 (20℃) = 2.57 V
10 DPGU-4-F 3.0 γ1 (20℃) = 53 mPa s
11 PPGU-3-F 1.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-37之特徵係良好特性。
實例 38 製備且研究以下混合物(M-38)。
混合物M-38   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 72.5 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1377   
1 PUS-3-2 10.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6326   
2 CLP-3-T 8.5 no (20℃, 589 nm) = 1.4949   
3 CC-3-V 43.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.8   
4 PP-1-2V1 7.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.8   
5 PGP-1-2V 7.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 4.0   
6 PGP-2-2V 8.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 4.1   
7 CLP-3-T 8.0 k11 (20℃) = 18.1 pN
8 DLGU-3-F 5.0 k33 (20℃) = 13.8 pN
9 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.26 V
10 PGUQU-3-F     1.5 γ1 (20℃) = 54 mPa s
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-38之特徵係良好特性。
實例 39 製備且研究以下混合物(M-39)。
混合物M-39   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 75 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1332   
1 PUS-3-2 10.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6277   
2 CLP-3-T 3.0 no (20℃, 589 nm) = 1.4945   
3 CC-3-V 47.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.8   
4 CC-3-V1 4.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.8   
5 PP-1-2V1 7.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.0   
6 PGP-1-2V 7.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.8   
7 PGP-2-2V 10.0 k11 (20℃) = 14.9 pN
8 PPGU-3-F 1.0 k33 (20℃) = 13.6 pN
9 CDUQU-3-F 5.0 V0 (20℃) = 2.33 V
10 PGUQU-3-F 2.0 γ1 (20℃) = 51 mPa s
11 PGUQU-4-F     2.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-39之特徵係良好特性。
實例 40 製備且研究以下混合物(M-40)。
混合物M-40   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 75.5 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1359   
1 PUS-3-2 10.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6302   
2 CLP-3-T 6.0 no (20℃, 589 nm) = 1.4943   
3 CC-3-V 47.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 6.0   
4 CC-3-V1 4.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.8   
5 PP-1-2V1 7.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.3   
6 PGP-1-2V 6.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.9   
7 PGP-2-2V 6.0 k11 (20℃) = 16.3 pN
8 PGU-20-F 6.0 k33 (20℃) = 13.6 pN
9 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.35 V
10 PGUQU-3-F 2.0 γ1 (20℃) = 49 mPa s
11 PGUQU-4-F 2.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-40之特徵係良好特性。
實例 41 製備且研究以下混合物(M-41)。
混合物M-41   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 76 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1350   
1 PUS-3-2 10.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6272   
2 CLP-3-T 6.0 no (20℃, 589 nm) = 1.4922   
3 CC-3-V 47.5 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.8   
4 CC-3-V1 4.5 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 PP-1-2V1 7.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.2   
6 PGP-1-2V 6.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.8   
7 PGP-2-2V 6.0 k11 (20℃) = 16.4 pN
8 CPU-3-AT 7.0 k33 (20℃) = 13.8 pN
9 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.39 V
10 PGUQU-4-F     2.0 γ1 (20℃) = 49 mPa s
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-41之特徵係良好特性。
實例 42 製備且研究以下混合物(M-42)。
混合物M-42   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 75.5 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1359   
1 PUS-3-2 21.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6299   
2 CLP-3-T 5.0 no (20℃, 589 nm) = 1.4940   
3 CC-3-V 51.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.7   
4 CC-3-V1 2.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 PP-1-2V1 1.0 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.1   
6 PGP-2-2V 9.0 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.7   
7 CCP-3-OT 2.0 k11 (20℃) = 15.8 pN
8 PGU-2-F 2.0 k33 (20℃) = 12.8 pN
9 PPGU-3-F 1.0 V0 (20℃) = 2.38 V
10 PGUQU-3-F 5.0 γ1 (20℃) = 46 mPa s
11 PGUQU-4-F     1.0            
Σ    100.0            
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-42之特徵係良好特性。
實例 43 製備且研究以下混合物(M-43)。
混合物M-43   
組成 物理特性
化合物 濃度 T (N, I) = 81 ℃
編號 縮寫 /重量% Δn (20℃, 589 nm) = 0.1349   
1 PUS-3-2 10.0 ne (20℃, 589 nm) = 1.6292   
2 CLP-3-T 8.5 no (20℃, 589 nm) = 1.4943   
3 CC-3-V 43.0 ε|| (20℃, 1 kHz) = 5.7   
4 CC-3-V1 8.0 ε⊥ (20℃, 1 kHz) = 2.7   
5 PP-1-2V1 7.5 Δε (20℃, 1 kHz) = 3.0   
6 PGP-1-2V 7.5 εav. (20℃, 1 kHz) = 3.7   
7 PGP-2-2V 8.0 k11 (20℃) = 18.2 pN
8 DLGU-3-F 8.5 k33 (20℃) = 14.9 pN
9 PPGU-3-F 1.0 γ1 (20℃) = 57 mPa s
10 PGUQU-3-F     1.5 LTS散裝(-20) = 240 小時
Σ    100.0 LTS散裝(-30) = 168 小時
如前述實例之彼等混合物，此混合物M-43之特徵係良好特性。
Figure 109144873-A0101-11-0003-3

Claims (16)

  1. 一種液晶介質，其特徵在於其包含一或多種式T化合物
    Figure 03_image004
    其中 RS1 及RS2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳表示烷基或烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換， 另外R'' 1 表示較佳具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基， 另外RS2 表示XS XS 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，該等後四種基團較佳具有1至4個、較佳1或2個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示F、CF3 或OCF3 ，最佳表示CF3 或OCF3 ，及 YS1 及YS2 彼此獨立地表示H或F，較佳其中之一者、最佳其兩者均表示F，及 其中該等芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代，及 一或多種式L化合物
    Figure 03_image006
    其中 RL1 及RL2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示烯基或烯氧基、烷氧基烷基，且較佳表示烷基或烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換， 另外RL1 表示較佳具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基， 另外RL2 表示XL XL 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，該等後四種基團較佳具有1至4個、較佳1或2個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示F、CF3 或OCF3 ，更佳表示CF3 或OCF3 ，最佳表示CF3 ，及 YL1 及YL2 彼此獨立地表示H或F，較佳其中之一者、最佳其兩者均表示H，及 其中該芳環可視情況經烷基、較佳經甲基取代。
  2. 如請求項1之介質，其中其包含一或多種式T化合物，該等化合物係選自式T-1及T-2化合物之群：
    Figure 03_image268
    其中該等參數具有上文式T下所給出之各別含義，但式T-1中之RS2 可能不表示XS ，及 其中 RS 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；且較佳表示烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳表示烷氧基或烯氧基，及 XS 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，該等後四種基團較佳具有1至4個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示CF3 或OCF3 ，及 其中該等芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代。
  3. 如請求項2之介質，其中其包含一或多種式T-1化合物。
  4. 如請求項1之介質，其中其包含一或多種式L化合物，該等化合物係選自式L-1及L-2化合物之群：
    Figure 03_image270
    其中該等參數具有請求項1中式L下所給出之各別含義，但式L-1中之RL2 可能不表示XL ，且其中 RL 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；表示具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，其中一個-CH2 -基團可經伸環丙基、1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,3-伸環戊烯基、較佳經伸環丙基或1,3-伸環戊基置換；且較佳表示烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳表示烷氧基或烯氧基， XL 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，該等後四種基團較佳具有1至4個C原子，較佳表示F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳表示CF3 或OCF3 ，最佳表示CF3 ，及 其中該等芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代。
  5. 如請求項4之介質，其中其包含一或多種式L-2化合物。
  6. 如請求項4之介質，其中其包含一或多種式L-1化合物。
  7. 如請求項1至6中任一項之介質，其中其包含一或多種選自式II及III化合物之群的化合物：
    Figure 03_image272
    其中 R2 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，
    Figure 03_image274
    在每次出現時彼此獨立地表示
    Figure 03_image276
    L21 及L22 表示H或F， X2 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基， m 表示0、1、2或3， R3 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，
    Figure 03_image278
    在每次出現時彼此獨立地係
    Figure 03_image280
    L31 及L32 彼此獨立地表示H或F， X3 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基、F、Cl、-OCF3 、-OCHF2 、-O-CH2 CF3 、-O-CH=CF2 、-O-CH=CH2 或-CF3 ， Z3 表示CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-COO-、反-CH=CH-、反- CF=CF-、-CH2 O-或單鍵，及 n 表示0、1、2或3，及 其中該等芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代， 前提是式III不包括該等式L化合物。
  8. 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中其包含一或多種選自式IV及V之群的化合物：
    Figure 03_image282
    其中 R41 及R42 彼此獨立地具有請求項4中式II下針對R2 所指示之含義，
    Figure 03_image284
    彼此獨立地且若
    Figure 03_image286
    出現兩次， 則此等亦彼此獨立地表示
    Figure 03_image288
    Figure 03_image290
    ， Z41 及Z42 彼此獨立地且若Z41 出現兩次，則此等亦彼此獨立地表示-CH2 CH2 -、-COO-、反- CH=CH-、反- CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-、-C≡C-或單鍵， p 表示0、1或2， R51 及R52 彼此獨立地具有請求項4中針對R41 及R42 所給出之含義中之一者
    Figure 03_image292
    至
    Figure 03_image294
    若存在，則各自彼此獨立地表示
    Figure 03_image296
    Figure 03_image298
    ， Z51 至Z53 各自彼此獨立地表示-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，及 i及j   各自彼此獨立地表示0或1 其中該等芳環中之一或多者、較佳一者可視情況經烷基、較佳經甲基取代，前提是式IV不包括該等式L化合物。
  9. 如請求項8之介質，其中該介質整體中該等式T化合物之總濃度係3%或更大至60%或更小，較佳係5至40%或更小。
  10. 如請求項1至6中任一項之介質，其中其另外包含一或多種對掌性化合物。
  11. 一種電光顯示器或電光組件，其特徵在於其包含如請求項1至10中任一項之液晶介質。
  12. 如請求項11之顯示器，其中其係基於IPS模式或FFS模式。
  13. 如請求項11或12之顯示器，其中其含有主動矩陣定址裝置。
  14. 如請求項11或12之顯示器，其中其係用於遊戲之顯示器或行動顯示器。
  15. 一種如請求項1至10中任一項之介質在電光顯示器中或在電光組件中之用途。
  16. 一種用於製備如請求項1至10中任一項之液晶介質的製程，其特徵在於一或多種式T化合物係與一或多種式L化合物且與一或多種額外液晶原基化合物混合。
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