TW202128580A - 基板切割方法以及劃線用工作台 - Google Patents

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日商三星鑽石工業股份有限公司
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Abstract

[課題] 提供一種基板切割方法,該基板切割方法係一面避免對從基板所切割出之製品區域的損害,一面穩定地切割出製品區域。 [解決手段] 在工作台面上直接配置玻璃基板11,而該工作台面係具有:第1支撐面,係由具有3GPa以上之楊氏係數的第1材料所構成;及第2支撐面,係由具有比第1材料之楊氏係數更小之楊氏係數的第2材料所構成。沿著第1支撐面上之第1虛擬線ML1在玻璃基板11上形成第1劃線SL1。藉在玻璃基板11上之刀尖的滑動,形成沿著第2虛擬線ML2之第1深溝線TLx,該第2虛擬線ML2係具有第1支撐面上的第1部分、第2支撐面上的第2部分以及與第1虛擬線ML1交叉的第1交叉點XP1。將第1劃線SL1與第1深溝線TLx在第1交叉點XP1交叉作為開端,破壞第1深溝線TLx之無龜裂狀態。

Description

基板切割方法以及劃線用工作台
本發明係有關於一種基板切割方法以及劃線用工作台。
在平面顯示面板或太陽能電池面板等之電性機器的製造,常常需要切割脆性基板。在典型之切割方法,係首先,在脆性基板上形成龜裂線。在本專利說明書,「龜裂線」係意指在脆性基板之厚度方向已局部性或完全地進行的龜裂在脆性基板之表面上成線狀地延伸。接著,進行所謂的分離步驟。具體而言,係藉由對脆性基板施加應力,龜裂線之龜裂在厚度方向完全地進行。藉此,沿著龜裂線切割脆性基板。
若依據日本特開平9-188534號公報(專利文獻1),在劃線時發生位於玻璃板之上面的凹處。在該公報,係將該凹處稱為「劃線」。又,在與該劃線之刻設同時地發生從劃線向正下方向延伸的龜裂。依此方式,在以往之典型的技術,係與劃線之形成同時地形成龜裂線。
相對地,若依據日本特開2018-69536號公報(專利文獻2),提議一種與上述之典型的切割技術係顯著地相異的切割技術。若依據此技術,首先,藉在脆性基板上之刀尖的滑動,產生塑性變形,藉此,形成被稱為深溝線的溝形狀。在深溝線之形成所進行的時間點,在其下方係未形成龜裂。然後,使龜裂沿著深溝線伸展,藉此,形成龜裂線。即,與上述之典型的切割技術係相異,一度形成不伴隨龜裂的深溝線,然後,沿著深溝線形成龜裂線。接著,沿著龜裂線進行一般之分離步驟。
該日本特開2018-69536號公報之技術係尤其圖謀對厚度100μm以下的基板亦可圓滑地形成切割用的溝。若依據本方法,首先,藉由刀尖以約0.05N之小的負載在基板上移動,而在基板上,形成塑性變形所造成之溝。在此時間點,係在溝的下方,在基板之內部進展的龜裂係未形成。此線狀的溝係被稱為深溝線。刀尖到達深溝線之形成範圍的終端位置時,將刀尖向接近載置基板之工作台的方向推入僅既定量。藉此,在基板發生龜裂,此龜裂在深溝線進展。然後,藉由進行被稱為分離步驟之應力的施加,該龜裂在厚度方向完全地延伸,藉此,切割基板。
一般,在劃線動作,係考慮基板及支撐基板之工作台面的起伏,進行將刀尖定位於工作台側,而不是在工作台面所載置之基板的表面,並使刀尖與基板相對地移動的控制。若基板的厚度薄至例如100μm以下,在劃線動作時,需要將刀尖定位於距離工作台之表面極微小的高度範圍。因此,基板的厚度愈薄,工程之難易度愈高。
若依據該日本特開2018-69536號公報之記載,向工作台所載置之基板的背面排出空氣,而基板浮起至與刀尖可抵接的高度。然後,使基板與刀尖相對地移動,而在浮起之基板的表面形成溝。在形成深溝線時,因為工作台所載置之基板被抬高至與刀尖可抵接的高度,所以不必將刀尖定位於距離工作台之表面微小的高度範圍。又,因為利用藉壓力給與部所給與的壓力,基板之表面被刀尖壓住,所以藉刀尖與基板的相對移動,在基板之表面可適當地形成切割用的溝。因此,對厚度極薄之基板亦可圓滑地形成切割用的溝。 [先行專利文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平9-188534號公報 [專利文獻2] 日本特開2018-69536號公報
[發明所欲解決之課題]
在該公報所記載之技術,係需要精密地控制對在工作台所載置之基板的背面之空氣的排出。為了這種精密的控制,複雜之劃線用工作台與所需之專用的控制裝置是必要。進而,只要未得到該控制所需之最佳的條件,穩定地劃線是困難。因此,期望不需要這種複雜的控制之更簡單的方法。可是,在無對基板的背面之空氣的排出下對基板劃線的情況,不僅易受到工作台面之起伏的影響,而且因應於工作台面的材料,具有如以下所示的問題。
在工作台面硬的情況,基板從工作台面易受到損害。因此,擔心對從基板所切割出之被用作製品區域之部分的損害。另一方面,在工作台面柔軟的情況,在劃線時,基板易變形,若基板的厚度變薄,變形之程度係成為更大。因該變形的影響,難穩定地進行劃線。因此,難穩定地切割出製品區域。根據以上,一面避免對從基板所切割出之製品區域的損害,一面穩定地切割出製品區域係困難。
本發明係為了解決如以上所示之課題所開發者,其目的在於提供一種基板切割方法,該基板切割方法係可一面避免對從基板所切割出之製品區域的損害,一面穩定地切割出製品區域。 [解決課題之手段]
本發明之基板切割方法係包括:直接配置步驟,係在工作台面上直接配置基板,該工作台面係具有:第1支撐面,係由具有3GPa以上之楊氏係數的第1材料所構成;及第2支撐面,係由具有比該第1材料之楊氏係數更小之楊氏係數的第2材料所構成;第1劃線形成步驟,係沿著該第1支撐面上之第1虛擬線在該基板上形成第1劃線;第1深溝線形成步驟,係藉在該基板上之刀尖的滑動,形成沿著第2虛擬線之第1深溝線,該第2虛擬線係具有該第1支撐面上的第1部分、該第2支撐面上的第2部分以及與該第1虛擬線交叉的第1交叉點;以及第1龜裂線伸展步驟,係將該第1劃線與該第1深溝線在該第1交叉點交叉作為開端,在從該第1交叉點往該第2部分的方向,使破壞該第1深溝線之無龜裂狀態的第1龜裂線伸展。 [發明之效果]
若依據本發明之基板切割方法,第1龜裂線係包含基板中位於工作台面中相對地柔軟之第2支撐面所支撐之區域的第2部分。因此,基板之該區域係與被硬之支撐面支撐的情況相比,從工作台面難承受損害。因此,藉由將該區域用作製品區域,可一面避免對製品區域的損害,一面使用第1龜裂線切割出製品區域。另一方面,第1劃線係被形成於基板中工作台面中被相對地硬之第1支撐面支撐的區域。因此,基板之該區域係與被柔軟之支撐面支撐的情況相比,在形成第1劃線時難變形。因此,可穩定地形成第1劃線,結果,將第1劃線作為開端所形成的第1龜裂線亦穩定地被形成。根據以上,可一面避免對從基板所切割出之製品區域的損害,一面穩定地切割出製品區域。
以下,根據圖面,說明本發明之實施形態。此外,在以下之圖面,對相同或相當之部分係附加相同的參照編號,其說明係不重複。
在具體地說明本發明的實施形態之前,首先,在以下說明本專利說明書中之深溝線、龜裂線以及劃線之詞的意義。
圖1係表示在玻璃基板11的上面SF1上延伸之深溝線TL的平面圖,圖2係沿著圖1之線Ⅱ-Ⅱ之示意的端面圖。形成深溝線TL之步驟係以在深溝線TL的正下可得到無龜裂狀態之方式所進行,該無龜裂狀態係玻璃基板11在與深溝線TL交叉之方向DC連續地連接的狀態。在無龜裂狀態,雖然由刀尖之滑動引起的塑性變形所產生之深溝線TL係形成,但是沿著該深溝線TL之龜裂係未形成。為了得到無龜裂狀態,被施加於刀尖之負載係小至不會發生龜裂的程度,且大至發生塑性變形的程度。
圖3係表示在玻璃基板11的上面SF1上延伸之劃線SL的平面圖,圖4係沿著圖3之線Ⅳ-Ⅳ之示意的端面圖。劃線SL係具有:深溝線TL;及龜裂線CL,係在深溝線TL的正下,沿著深溝線TL延伸。在深溝線TL的正下,玻璃基板11係在與深溝線TL交叉之方向DC,連續的連接被龜裂線CL切斷。此處,「連續的連接」係換言之,是未被龜裂遮斷的連接。此外,如上述所示在連續的連接被切斷之狀態,亦可經由龜裂線CL之龜裂,玻璃基板11之一部分彼此接觸。又,深溝線TL與龜裂線CL係如圖4所示,典型上係彼此連接,但是亦可深溝線TL與龜裂線CL在厚度方向DT稍微地分開。
劃線SL之形成方法係大致上有2種。第1種方法係以往廣為使用之進行典型之劃線的方法。在此情況,因為同時形成深溝線TL與龜裂線CL,所以上述之位於無龜裂狀態的深溝線TL係無法得到。第2種方法係在形成位於無龜裂狀態之深溝線TL(圖1及圖2)後,使破壞深溝線TL之無龜裂狀態的龜裂線CL伸展的方法。關於龜裂線CL之伸展現象的結構,係被推測為伴隨在位於無龜裂狀態之深溝線TL的附近所儲存之應力被開放而龜裂線CL伸展。
在該應力之開放,係一般需要某種開端。作為開端之第1例,在無龜裂狀態使深溝線TL延伸的步驟,深溝線TL與既有之劃線SL交叉時,這成為開端,深溝線TL之無龜裂狀態被破壞。具體而言,係將與劃線SL交叉之處作為起點,龜裂線CL沿著深溝線TL逐漸地延伸。因此,在此情況,深溝線TL之形成方向、與沿著深溝線TL之龜裂線CL的形成方向係彼此反向。作為開端之第2例,以與既有之深溝線TL交叉的方式形成劃線時,這成為開端,深溝線TL之無龜裂狀態被破壞。
圖5係示意地表示對圖4的龜裂線CL之分離步驟的端面圖。藉由對玻璃基板11施加應力FB,龜裂線CL之龜裂沿著厚度方向DT,如箭號EB所示,完全地進行。藉此,沿著龜裂線CL切割脆性基板。藉由無龜裂狀態被破壞而產生的龜裂線CL係一般如圖4所示,至玻璃基板11之背面SF2係未到達。因此,為了切割玻璃基板11,係一般,需要上述之分離步驟。此外,在玻璃基板11的厚度極薄的條件下,係有時藉由無龜裂狀態被破壞而產生的龜裂線CL到達至玻璃基板11之背面SF2,在此情況,分離步驟係可省略。
圖6係示意地表示在藉刀尖的滑動之深溝線TL(圖1及2)的形成所使用之切割器具50的構成之側視圖。圖7係根據圖6之箭號Ⅵ之視點的底視圖。切割器具50係具有刀尖51及刀身52。刀尖51係被固定於作為其支架的刀身52。因此,刀尖51係被固定於刀身52,係無法滾動。
在刀尖51,係設置頂面SD1與包圍頂面SD1之複數個面。這些複數個面係包含側面SD2及側面SD3。頂面SD1、側面SD2以及側面SD3係朝向彼此相異的方向,且彼此相鄰。刀尖51係具有頂面SD1、側面SD2以及側面SD3所匯流之頂點,藉該頂點構成刀尖51的突起部PP。又,側面SD2及側面SD3係形成構成刀尖51之側部PS的稜線。側部PS係從突起部PP成線狀地延伸。又,側部PS係因為如上述所示是稜線,所以具有成線狀地延伸的凸形。刀身52係沿著軸向AX延伸。刀尖51係以頂面SD1之法線方向大致沿著軸向AX的方式被安裝於刀身52較佳。
刀尖51係鑽石尖較佳。即,刀尖51係從硬度及可使表面粗糙度變小之觀點由鑽石所製作較佳。刀尖51係由單結晶鑽石所製作更佳。最佳係在結晶學上而言,頂面SD1是{001}面,側面SD2及SD3各自為{111}面。在此情況,側面SD2及SD3係雖然具有相異之方向,但是在結晶學上是彼此等價的結晶面。此外,亦可使用不是單結晶之鑽石,例如亦可使用根據CVD(Chemical Vapor Deposition)法所合成的多結晶體鑽石。或者,亦可使用燒結鑽石,該燒結鑽石係從微粒之石墨或非石墨狀碳,藉鐵族元素等之結合材料將不含鐵族元素等之結合材料地燒結之多結晶體鑽石、或鑽石粒子結合。
其次,在以下說明使用切割器具50之深溝線TL之形成方法的例子。
將刀尖51壓在玻璃基板11的上面SF1。具體而言,係向玻璃基板11所具有之厚度方向DT壓住刀尖51之突起部PP及側部PS。接著,被壓住之刀尖51在上面SF1上向方向DA滑動。方向DA係將從突起部PP沿著側部PS所延伸之方向投影於上面SF1上者,大致對應於將軸向AX向上面SF1上所投影的方向。滑動時,刀尖51係藉刀身52在上面SF1上被拖拉。藉該滑動,在玻璃基板11的上面SF1上產生塑性變形。藉此,形成深溝線TL。只要對刀尖51之負載不過度地提高,能以無龜裂狀態形成深溝線TL。若在可得到無龜裂狀態的範圍內儘量提高負載,藉上述之開端破壞無龜裂狀態這件事成為更容易。無龜裂狀態被破壞時,龜裂線CL(圖4)係沿著深溝線TL向方向DB逐漸地延伸。
其次,在以下說明在藉刀尖的滾動之劃線的形成所使用之刀尖的構成及其使用方法的概要。
圖8係示意地表示在藉刀尖的滾動之劃線SL的形成所使用之切割器具150的構成之側視圖。圖9係根據圖8之箭號Ⅸ之視點的正視圖。切割器具150係具有劃線輪151(刀尖)、銷152以及支架153。劃線輪151係具有大致圓盤形的形狀,其直徑係典型上是約數mm。劃線輪151係經由銷152被支架153固持成可繞轉軸AR轉動。因此,劃線輪151係可在基板11之上面SF1上滾動。
劃線輪151係具有設置刀尖的外周部PF。外周部PF係繞轉軸AR延伸成圓環狀。外周部PF係如圖9所示,在目視水平係峭立成稜線狀,藉此,構成由稜線與傾斜面所構成的刀尖。此外,亦可沿著外周部PF重複地形成凹凸圖案。劃線輪151係使用超硬合金、燒結鑽石、多結晶鑽石或單結晶鑽石等之硬質材料所形成。
劃線輪151係在玻璃基板11的緣ED1與緣ED2之間沿著從這些緣離開之軌跡滾動的情況,亦易確實地形成劃線SL。換言之,藉劃線輪151之劃線,即藉刀尖之滾動的劃線係即使無法將刀尖與玻璃基板11之緣的接觸作為開端來利用,亦易確實地形成劃線SL。此外,若刀尖51(圖6)以相同之軌跡滑動,即使深溝線TL係形成,亦龜裂線CL係難形成。
以下,說明應用上述之技術的實施形態1~8。 <實施形態1>
參照圖10及圖11,本實施形態之劃線用工作台121係使用保護構件22(圖12及圖13)局部地支撐被劃線之玻璃基板11。工作台121具有直接支撐面SS1與間接支撐面SS2。間接支撐面SS2(圖11)係參照圖15,經由保護構件22支撐玻璃基板11。直接支撐面SS1係參照圖15,比間接支撐面SS2向玻璃基板11更突出,並直接支撐玻璃基板11。為了得到此構成,工作台121係具有基部20(間接支撐部)與直接支撐構件21。直接支撐構件21係被支撐於基部20之平坦的表面上。亦可直接支撐構件21係具有固定的厚度之片狀的構件。直接支撐構件21之材料(在本實施形態之第1材料)係具有3GPa以上的楊氏係數,例如是金屬或比較硬的樹脂。作為比較硬的樹脂,係使用例如丙烯酸樹脂或聚氯化乙烯樹脂。以下,說明使用工作台121之基板切割方法。
參照圖12及圖13,在工作台121之基部20(間接支撐部)所形成的間接支撐面SS2上支撐保護構件22。藉此,構成由工作台121與保護構件22所構成的工作台面SP。工作台面SP係具有:第1支撐面SP1,係工作台121之直接支撐構件21所形成;及第2支撐面SP2,係由保護構件22所構成。第1支撐面SP1係在本實施形態,對應於直接支撐構件21所形成的直接支撐面SS1(圖11)。第1支撐面SP1係由具有3GPa以上之楊氏係數的第1材料所構成。第1支撐面SP1係具有0.04μm以下之算術平均粗糙度Ra較佳,具有0.02μm以下之算術平均粗糙度Ra更佳。亦可保護構件22係具有固定的厚度之片狀的構件。第2支撐面SP2係由具有比第1材料的楊氏係數更小之楊氏係數的第2材料所構成。換言之,保護構件22之楊氏係數係比直接支撐構件21之楊氏係數更小。保護構件22之材料係楊氏係數為2GPa以下的材料較佳,例如是比較柔軟的樹脂或紙。作為比較柔軟的樹脂,係使用例如聚對苯二甲酸乙脂(PET)。保護構件22的厚度係0.005mm以上且0.2mm以下較佳。
參照圖14及圖15,在工作台面SP上直接配置玻璃基板11。亦可玻璃基板11係具有100μm以下的厚度。
參照圖16,沿著第1支撐面SP1(圖15)上之第1虛擬線ML1在玻璃基板11上形成第1劃線SL1。又,沿著第1支撐面SP1(參照圖15)上之第3虛擬線ML3在玻璃基板11上形成第2劃線SL2。第1劃線SL1及第2劃線SL2係藉在玻璃基板11上之刀尖的滾動所形成。作為所需之刀尖,係可使用劃線輪151(圖8及圖9)。
參照圖17,第2虛擬線ML2係具有與第1虛擬線ML1交叉之第1交叉點XP1、第1支撐面SP1(圖15)上之第1部分(圖15中,右部分)、以及第2支撐面SP2(圖15)上之第2部分(圖15中,左部分)。藉在玻璃基板11上之刀尖的滑動,向以箭號所示之方向形成沿著第2虛擬線ML2之第1深溝線TLx。作為所需之刀尖,可使用刀尖51(圖6及圖7)。
參照圖18,將第1劃線SL1與第1深溝線TLx(圖17)在第1交叉點XP1交叉作為開端,在從第1交叉點XP1往左部分的方向,破壞第1深溝線TLx之無龜裂狀態的第1龜裂線CLx向以箭號所示之方向伸展。參照圖19,藉由重複此步驟,形成複數條第1龜裂線CLx。
參照圖20,第4虛擬線ML4係具有與第3虛擬線ML3交叉之第2交叉點XP2、第1支撐面SP1(圖15)上之第3部分(圖15中,上部分)、以及第2支撐面SP2(圖15)上之第4部分(圖15中,下部分)。藉由在玻璃基板11上使固定刀尖滑動,向以箭號所示之方向形成沿著第4虛擬線ML4之第2深溝線TLy。作為所需之刀尖,可使用刀尖51(圖6及圖7)。
參照圖21,將第1龜裂線CLx與第2深溝線TLy(圖20)交叉作為開端,在從交叉點往下部分的方向,破壞第2深溝線TLy之無龜裂狀態的第2龜裂線CLy向以箭號所示之方向伸展。隨著第2深溝線TLy之形成進行,因應於第1龜裂線CLx之條數,重複破壞無龜裂狀態之現象。為了確實地產生此現象,在形成第2深溝線TLy(圖20)時被施加於刀尖的負載係比在形成第1深溝線TLx(圖17)時被施加於刀尖的負載更大較佳。根據此觀點,在形成第1深溝線TLx(圖17)時被施加於刀尖的負載係在後來可誘發破壞無龜裂狀態之現象的範圍內,小較佳。在本實施形態,破壞第1深溝線TLx(圖17)之無龜裂狀態的係只有藉刀尖之滾動所形成的第1劃線SL1,在此情況,負載比較小亦易發生破壞無龜裂狀態之現象。
參照圖22,藉由在玻璃基板11上刀尖進一步滑動,向以箭號所示之方向形成沿著第4虛擬線ML4之第2深溝線TLy。進而,參照圖23,將第2劃線SL2與第2深溝線TLy在第2交叉點XP2交叉作為開端,在從第2交叉點XP2往下部分的方向,破壞第2深溝線TLy之無龜裂狀態的第2龜裂線CLy向以箭號所示之方向伸展。參照圖24,藉由重複此步驟,形成複數條第2龜裂線CLy。
根據以上,對玻璃基板11之劃線結束。參照圖24,被位於最外側之一對第1龜裂線CLx與一對第2龜裂線CLy所包圍的區域是製品區域RP,其外側是周緣區域RN。周緣區域RN係未用於製品用途的區域。製品區域RP係被周緣區域RN包圍,是用於製品用途的區域。然後,因應於需要,藉由進行上述之分離步驟,基板切割方法結束。藉此,可從製品區域RP切割出複數個製品(或半製品)。
若依據本實施形態之劃線用工作台121(圖11),設置:間接支撐面SS2(圖11),係經由保護構件22支撐玻璃基板11(圖15);及直接支撐面SS1(圖11),係比間接支撐面SS2向玻璃基板11更突出,並直接支撐玻璃基板11。藉此,可構成工作台面SP(圖13),該工作台面SP係具有由直接支撐面SS1所構成之第1支撐面SP1、與由保護構件22所構成之第2支撐面SP2。作為保護構件22之材料,藉由選擇比直接支撐面SS1更柔軟之材料,可將第2支撐面SP2作成比第1支撐面SP1更柔軟。因此,使用此工作台面SP,可進行上述之基板切割方法。
若依據本實施形態之基板切割方法,第1龜裂線CLx(圖24)係包含玻璃基板11中位於被工作台面SP中相對地柔軟之第2支撐面SP2支撐之區域的部分。因此,玻璃基板11之該區域係與被硬之支撐面支撐的情況相比,從工作台面SP難承受損害。因此,藉由將該區域用作製品區域RP,可一面避免對製品區域RP的損害,一面使用第1龜裂線CLx切割出製品區域RP。另一方面,第1劃線SL1係被形成於玻璃基板11中被工作台面SP中相對地硬之第1支撐面SP1上支撐的區域。因此,玻璃基板11之該區域係與被柔軟之支撐面支撐的情況相比,在形成第1劃線SL1時難變形。因此,可穩定地形成第1劃線SL1,結果,將第1劃線SL1作為開端所形成的第1龜裂線CLx亦穩定地被形成。根據以上,可一面避免對從玻璃基板11所切割出之製品區域RP的損害,一面穩定地切割出製品區域RP。
此外,在製品區域RP內所形成的劃線係藉由在形成位於無龜裂狀態之深溝線TL(圖4)後破壞該無龜裂狀態所形成。在形成位於無龜裂狀態之深溝線TL的情況,對刀尖之負載係作成比較小。因此,支撐製品區域RP之第2支撐面SP2柔軟,亦步驟難成為不穩定。因此,可穩定地切割出製品區域RP。
在玻璃基板11的厚度是100μm以下的情況,因為玻璃基板11之剛性低,所以若在柔軟之支撐面上形成了第1劃線SL1,玻璃基板11易大為變形。在此情況,特別難穩定地形成第1劃線SL1。若依據本實施形態,因為在硬之支撐面上形成第1劃線SL1,所以可避免此問題。
第1支撐面SP1(圖15)係具有0.04μm以下之算術平均粗糙度Ra較佳。因此,可更穩定地形成在第1支撐面SP1上之第1劃線SL1。
劃線用工作台121(圖13)係具有構成第1支撐面SP1(圖13)之直接支撐構件21、與支撐保護構件22之基部20(間接支撐部),保護構件22係比直接支撐構件21更柔軟。因此,使用保護構件22,可構成比第1支撐面SP1更柔軟的第2支撐面SP2。
形成第1劃線SL1之步驟(圖16),係藉在玻璃基板11上之刀尖的滾動所進行。藉此,易確實地形成第1劃線SL1。尤其,在抑制對玻璃基板11的緣之刀尖之接觸的情況,與刀尖滑動的情況相比,刀尖之滾動的情況可顯著地易於確實地形成第1劃線SL1。藉由抑制對玻璃基板11的緣之刀尖之接觸,例如,可防止玻璃基板11之緣的破損,或刀尖超過玻璃基板11之緣而與工作台面SP接觸這件事所引起之對工作台面SP的損害。
藉由第2龜裂線CLy(圖24)伸展,可得到與第1龜裂線CLx交叉的第2龜裂線CLy。藉此,可使用彼此交叉之第1龜裂線CLx與第2龜裂線CLy切割出製品區域RP。 <實施形態2>
參照圖25及圖26,本實施形態之作為劃線用工作台122的基部20係具有平坦面(圖26中之上面)。藉由在此平坦面的一部分之上載置保護構件22,構成由基部20與保護構件22所構成之工作台面SP。工作台面SP係具有基部20所形成之第1支撐面SP1、與由保護構件22所構成之第2支撐面SP2。換言之,平坦面係具有支撐形成第2支撐面SP2之保護構件22的部分、與形成第1支撐面SP1之部分。基部20之材料(在本實施形態之第1材料)係具有3GPa以上的楊氏係數,係例如金屬或比較硬的樹脂。作為比較硬的樹脂,係使用例如丙烯酸樹脂或聚氯化乙烯樹脂。保護構件22之材料(第2材料)的楊氏係數係比基部20之材料(本實施形態之第1材料)的楊氏係數小。因此,與上述之實施形態1一樣,第2支撐面SP2係由具有比構成第1支撐面SP1之第1材料的楊氏係數更小之楊氏係數的第2材料所構成。基部20的材料係可與上述之直接支撐構件21(圖12及圖13,實施形態1)的材料相同。
參照圖27及圖28,在工作台面SP上直接配置玻璃基板11。以後,藉由進行與實施形態1一樣的步驟,進行基板切割方法。
此外,第1支撐面SP1與第2支撐面SP2之段差小,在這些之邊界附近的劃線成為比較穩定。若依據使用厚度50μm之玻璃基板11的實驗,至少至段差0.2mm,係大致穩定之劃線是有可能的。因此,若保護構件22之厚度是0.2mm以下,可認為段差所造成之不良影響係小。
若依據本實施形態,因為省略直接支撐構件21(圖12及圖13,實施形態1),所以不需要將直接支撐構件21與保護構件22配置成鄰接的作業。因此,可提高作業效率。 <實施形態3>
參照圖29及圖30,本實施形態之劃線用工作台123係與實施形態1一樣,具有形成直接支撐面SS1之直接支撐構件21、與形成間接支撐面SS2之間接支撐部。在本實施形態,間接支撐部係不僅具有基部20,而且具有板構件23。板構件23係直接支撐直接支撐構件21,並形成間接支撐面SS2。因此,在本實施形態,係板構件23直接支撐保護構件22(圖31及圖32)。基部20係可拆裝地支撐板構件23。板構件23的材料係具有3GPa以上的楊氏係數,例如是金屬或比較硬的樹脂。作為金屬,係使用例如鋁。作為比較硬的樹脂,係使用例如丙烯酸樹脂或聚氯化乙烯樹脂。
參照圖31及圖32,在工作台123之間接支撐面SS2上支撐保護構件22。藉此,構成由工作台123與保護構件22所構成之工作台面SP。工作台面SP係與實施形態1一樣,具有工作台123之直接支撐構件21所形成的第1支撐面SP1、與由保護構件22所構成之第2支撐面SP2。因此,可進行與實施形態1或2大致一樣的基板切割方法。
若依據本實施形態,藉由從基部20拆裝板構件23,可與板構件23一起搬運玻璃基板11。因此,可使玻璃基板11之搬運成為容易。尤其,因為厚度100μm以下之玻璃基板11係搬運之難易度高,所以本實施形態之效果是顯著。又,亦可預先準備複數種具有彼此被固定之板構件23與直接支撐構件21的單元,再從這些單元,選擇適合基板切割方法之規格者來使用。藉此,可易於且迅速地應付基板切割方法之各種的規格。 <實施形態4>
參照圖33及圖34,本實施形態之劃線用工作台124係具有板構件23、與拆裝自如地支撐板構件23的基部20。板構件23係形成平坦面(在圖34之上面)。藉由在此平坦面的一部分之上載置保護構件22,構成由板構件23與保護構件22所構成之工作台面SP。工作台面SP係具有板構件23所形成之第1支撐面SP1、與由保護構件22所構成之第2支撐面SP2。換言之,平坦面係具有支撐形成第2支撐面SP2之保護構件22的部分、與形成第1支撐面SP1之部分。板構件23之材料(在本實施形態之第1材料)係如上述所示,具有3GPa以上的楊氏係數,例如是金屬或比較硬之樹脂。保護構件22之材料(第2材料)的楊氏係數係比板構件23之材料(本實施形態之第1材料)的楊氏係數小。因此,與上述之實施形態2一樣,第2支撐面SP2係由具有比構成第1支撐面SP1之第1材料的楊氏係數更小之楊氏係數的第2材料所構成。可進行與實施形態1~3幾乎一樣的基板切割方法。
若依據本實施形態,因為省略直接支撐構件21(圖12及圖13,實施形態1),所以不需要將直接支撐構件21與保護構件22配置成鄰接的作業。因此,可提高作業效率。又,藉由從基部20拆裝板構件23,可與板構件23一起搬運玻璃基板11。因此,可使玻璃基板11之搬運成為容易。尤其,因為厚度100μm以下之玻璃基板11係搬運之難易度高,所以本實施形態之效果是顯著。 <實施形態5>
在本實施形態,係首先,進行在實施形態1之圖14及圖15所示的步驟。
參照圖35,接著,如圖35中之箭號所示,藉在玻璃基板11上之刀尖的滑動,分別沿著第1虛擬線ML1及第3虛擬線ML3,形成第1輔助深溝線TLa1及第2輔助深溝線TLa2。
參照圖36,接著,藉在玻璃基板11上之刀尖的滾動,形成與第1虛擬線ML1及第3虛擬線ML3各自交叉的第3劃線SL3。具體而言,藉在玻璃基板11上之刀尖的滾動,形成與第1輔助深溝線TLa1及第2輔助深溝線TLa2各自交叉的第3劃線SL3。將第3劃線SL3與第1輔助深溝線TLa1交叉作為開端,破壞第1輔助深溝線TLa1(圖35)之無龜裂狀態的龜裂線在與形成第1輔助深溝線TLa1之方向相反的方向(與在圖35的箭號方向相反之在圖36的箭號方向)伸展。換言之,包含龜裂線之第1劃線SL1在圖36的箭號方向伸展。藉此,形成第1劃線SL1。又,將第3劃線SL3與第2輔助深溝線TLa2交叉作為開端,破壞第2輔助深溝線TLa2(圖35)之無龜裂狀態的龜裂線在與形成第2輔助深溝線TLa2之方向相反的方向(與在圖35的箭號方向相反之在圖36的箭號方向)伸展。換言之,包含龜裂線之第2劃線SL2在圖36的箭號方向伸展。藉此,形成第2劃線SL2。
根據以上,可得到與在實施形態1之圖16的步驟大致相同的構成。然後,可與實施形態1幾乎一樣地進行基板切割方法。
若依據本實施形態,在得到第1劃線SL1及第2劃線SL2之目的,不是藉刀尖的滾動而是藉刀尖的滑動來形成第1輔助深溝線TLa1及第2輔助深溝線TLa2(圖35)。藉刀尖的滾動之第3劃線SL3(圖36)的形成係僅用作破壞第1輔助深溝線TLa1及第2輔助深溝線TLa2(圖35)之無龜裂狀態的開端。因此,與如上述之實施形態1所示沿著刀尖之滾動的軌跡形成第1劃線SL1及第2劃線SL2的情況係相異,可抑制進行刀尖之滾動的長度。在藉刀尖之滾動所形成的龜裂線周邊,係因為意外之龜裂易發生,所以藉由抑制進行刀尖之滾動的長度,可抑制意外之龜裂的發生。
此外,在上述,係使用在實施形態1所詳述的工作台121,但是作為變形例,亦可使用在實施形態2所詳述的工作台122(圖37)、在實施形態3所詳述的工作台123(圖38)或在實施形態4所詳述的工作台124(圖39)。
又,在上述,係在形成第3劃線SL3(圖36)之前形成第1輔助深溝線TLa1及第2輔助深溝線TLa2(圖35),但是作為變形例,亦可在形成第1輔助深溝線TLa1及第2輔助深溝線TLa2之前形成第3劃線SL3。在任一種的情況,都是第1輔助深溝線TLa1及第2輔助深溝線TLa2各自與第3劃線SL3交叉,並將其作為開端,第1劃線SL1及第2劃線SL2伸展。 <實施形態6>
在本實施形態,係首先,進行在實施形態1之圖19所示的步驟。
參照圖40,如在上述之實施形態1的說明所示,第1劃線SL1及第2劃線SL2係分別沿著第1虛擬線ML1及第3虛擬線ML3。第1虛擬線ML1及第3虛擬線ML3係與製品區域RP分開並被配置於周緣區域RN。藉在玻璃基板11之周緣區域RN上之刀尖的滑動,在製品區域RP與第3虛擬線ML3之間向圖40中之箭號所示的方向形成第1虛擬深溝線TLd1。
參照圖41,將第1劃線SL1與第1虛擬深溝線TLd1(圖40)交叉作為開端,破壞第1虛擬深溝線TLd1之無龜裂狀態的第1虛擬龜裂線CLd1在與形成第1虛擬深溝線TLd1之方向相反的方向伸展。此外,形成第1深溝線TLx及第1龜裂線CLx之步驟、與形成第1虛擬深溝線TLd1及第1虛擬龜裂線CLd1之步驟的順序係任意。
參照圖42,藉由進行與圖20~圖24(實施形態1)一樣的步驟,形成複數條第2龜裂線CLy。接著,藉在玻璃基板11的周緣區域RN上之刀尖的滑動,在製品區域RP與第1虛擬線ML1之間形成第2虛擬深溝線TLd2。
參照圖43,將第2劃線SL2與第2虛擬深溝線TLd2(圖42)交叉作為開端,破壞第2虛擬深溝線TLd2之無龜裂狀態的第2虛擬龜裂線CLd2在與形成第2虛擬深溝線TLd2之方向相反的方向伸展。此外,形成第2深溝線TLy及第2龜裂線CLy之步驟、與形成第2虛擬深溝線TLd2及第2虛擬龜裂線CLd2之步驟的順序係任意。
若依據本實施形態,藉第1虛擬龜裂線CLd1及第2虛擬龜裂線CLd2將製品區域RP與第1劃線SL1及第2劃線SL2之間分別隔開。從藉刀尖之滾動所形成的第1劃線SL1及第2劃線SL2,係易發生意外之龜裂的位置,藉由此龜裂之進行在第1虛擬龜裂線CLd1及第2虛擬龜裂線CLd2停止,可避免在製品區域RP之意外的龜裂。
此外,在上述,係使用在實施形態1所詳述的工作台121,但是作為變形例,亦可使用在實施形態2所詳述的工作台122(圖44)、在實施形態3所詳述的工作台123(圖45)或在實施形態4所詳述的工作台124(圖46)。
又,作為變形例,如在實施形態5之詳述所示,亦可第1劃線SL1及第2劃線SL2係使用第3劃線SL3(圖47)所形成。進而,亦可在第3劃線SL3與製品區域RP之間形成第3虛擬龜裂線CLd3。第3虛擬龜裂線CLd3與第3劃線SL3係可平行。第3虛擬龜裂線CLd3係藉刀尖的滑動來形成第3虛擬深溝線(未圖示),然後,藉由破壞其無龜裂狀態所得到。無龜裂狀態被破壞的開端係藉由第3虛擬深溝線與第1劃線SL1或第2劃線SL2交叉所得到。 <實施形態7>
在本實施形態,係首先,進行在實施形態3之圖31及圖32所示的步驟。
參照圖48,接著,與上述之實施形態1一樣,藉刀尖的滾動,形成第1劃線SL1。然後,藉在玻璃基板11上之刀尖的滑動,形成輔助深溝線TL2。
參照圖49,將第1劃線SL1與輔助深溝線TL2(圖48)交叉作為開端,破壞輔助深溝線TL2之無龜裂狀態的龜裂線在與形成輔助深溝線TL2之方向相反的方向(與在圖48的箭號方向相反之在圖49的箭號方向)伸展。換言之,第2劃線SL2在圖49的箭號方向伸展。藉此,形成第2劃線SL2。然後,藉由進行與在實施形態1之圖17以後一樣的步驟,可進行基板切割方法。
參照圖50,藉由進行與圖17~圖19(實施形態1)類似的步驟,形成複數條第1龜裂線CLx。接著,藉由進行與圖20~圖24(實施形態1)相同的步驟,形成複數條第2龜裂線CLy。然後,藉在玻璃基板11的周緣區域RN上之刀尖的滑動,在製品區域RP與第1虛擬線ML1之間形成第2虛擬深溝線TLd2。此外,在本實施形態,第1虛擬深溝線TLd1(圖40,實施形態6)係可不形成。
參照圖51,將第2劃線SL2與第2虛擬深溝線TLd2(圖50)交叉作為開端,破壞第2虛擬深溝線TLd2之無龜裂狀態的第2虛擬龜裂線CLd2在與形成第2虛擬深溝線TLd2之方向相反的方向伸展。在如上述所示省略第1虛擬深溝線TLd1(圖40,實施形態6)之形成的情況,第1虛擬龜裂線CLd1(圖41,實施形態6)亦未被形成。此外,形成第2深溝線TLy(參照圖22)及第2龜裂線CLy之步驟、與形成第2虛擬深溝線TLd2(參照圖50)及第2虛擬龜裂線CLd2(圖51)之步驟的順序係任意。
然後,因應於需要,藉由進行上述之分離步驟,基板切割方法結束。
若依據本實施形態,藉第2虛擬龜裂線CLd2將製品區域RP與第1劃線SL1之間隔開。從藉刀尖之滾動所形成的第1劃線SL1,係易發生意外之龜裂的位置,藉由此龜裂之進行在第2虛擬龜裂線CLd2停止,可避免在製品區域RP之意外的龜裂。又,在本實施形態,第2劃線SL2係沿著不是刀尖之滾動而是刀尖之滑動的軌跡所形成。因此,從第2劃線SL2,係因為意外之龜裂難發生,所以第1虛擬龜裂線CLd1之必要性低。因此,省略第1虛擬龜裂線CLd1(圖41)所造成之不良影響係小。
又,若依據本實施形態,藉與第2龜裂線CLy類似的方法形成第2劃線SL2。因此,可提高作業效率。
此外,在上述,係使用在實施形態3所詳述的工作台123,但是作為變形例,亦可使用在實施形態4所詳述的工作台124(圖52)。又,替代之,亦可使用在實施形態1或2所說明的工作台。 <實施形態8>
在本實施形態,係首先,進行在實施形態1之圖14及圖15所示的步驟。參照圖53,接著,形成第1深溝線TLx。
參照圖54,接著,藉刀尖的滾動,形成第1劃線SL1。將第1劃線SL1與第1深溝線TLx(圖53)交叉作為開端,破壞第1深溝線TLx之無龜裂狀態的第1龜裂線CLx在與形成第1深溝線TLx之方向相反的方向(與在圖53的箭號方向相反之在圖54的箭號方向)伸展。藉此,形成第1龜裂線CLx。
參照圖55,接著,形成第2深溝線TLy。參照圖56,接著,藉刀尖的滾動,形成第2劃線SL2。將第2劃線SL2與第2深溝線TLy(圖54)交叉作為開端,破壞第2深溝線TLy之無龜裂狀態的第2龜裂線CLy在與形成第2深溝線TLy之方向相反的方向(與在圖55的箭號方向相反之在圖56的箭號方向)伸展。藉此,形成第2龜裂線CLy。
然後,因應於需要,藉由進行上述之分離步驟,基板切割方法結束。
依據本實施形態,亦可得到與實施形態1幾乎一樣之效果。此外,在本實施形態,係使用在實施形態1所詳述的工作台121,但是替代之,亦可使用在實施形態2~4所詳述的工作台。
11:玻璃基板 20:基部 21:支撐構件 22:保護構件 23:板構件 51:刀尖 121~124:劃線用工作台 151:劃線輪(刀尖) CL:龜裂線 CLd1:第1虛擬龜裂線 CLd2:第2虛擬龜裂線 CLx:第1龜裂線 CLy:第2龜裂線 ML1:第1虛擬線 ML2:第2虛擬線 ML3:第3虛擬線 ML4:第4虛擬線 RN:周緣區域 RP:製品區域 SL:劃線 SL1:第1劃線 SL2:第2劃線 SL3:第3劃線 SP:工作台面 SP1:第1支撐面 SP2:第2支撐面 SS1:直接支撐面 SS2:間接支撐面 TL:深溝線 TL2:輔助深溝線 TLa1:第1輔助深溝線 TLa2:第2輔助深溝線 TLd1:第1虛擬深溝線 TLd2:第2虛擬深溝線 TLx:第1深溝線 TLy:第2深溝線
[圖1] 係表示深溝線的平面圖。 [圖2] 係沿著圖1之線Ⅱ-Ⅱ之示意的端面圖。 [圖3] 係表示劃線之平面圖。 [圖4] 係沿著圖3之線Ⅳ-Ⅳ之示意的端面圖。 [圖5] 係示意地表示對圖4之龜裂線之分離步驟的端面圖。 [圖6] 係示意地表示在藉刀尖的滑動之深溝線的形成所使用之器具的構成之側視圖。 [圖7] 係根據圖6之箭號Ⅵ之視點的底視圖。 [圖8] 係示意地表示在藉刀尖的滾動之劃線的形成所使用之器具的構成之側視圖。 [圖9] 係根據圖8之箭號Ⅸ之視點的正視圖。 [圖10] 係示意地表示實施形態1之劃線用工作台之構成的平面圖。 [圖11] 係沿著圖10之線ⅩⅠ-ⅩⅠ之示意的端面圖。 [圖12] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖13] 係沿著圖12之線ⅩⅢ-ⅩⅢ之示意的剖面圖。 [圖14] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖15] 係沿著圖14之線ⅩⅤ-ⅩⅤ之示意的剖面圖。 [圖16] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖17] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖18] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖19] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖20] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖21] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖22] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖23] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖24] 係示意地表示實施形態1之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖25] 係示意地表示實施形態2之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖26] 係沿著圖25之線ⅩⅩⅥ-ⅩⅩⅥ之示意的剖面圖。 [圖27] 係示意地表示實施形態2之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖28] 係沿著圖27之線ⅩⅩⅤⅢ-ⅩⅩⅤⅢ之示意的剖面圖。 [圖29] 係示意地表示實施形態3之劃線用工作台之構成的平面圖。 [圖30] 係沿著圖29之線ⅩⅩⅩ-ⅩⅩⅩ之示意的端面圖。 [圖31] 係示意地表示實施形態3之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖32] 係沿著圖31之線ⅩⅩⅩⅡ-ⅩⅩⅩⅡ之示意的剖面圖。 [圖33] 係示意地表示實施形4之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖34] 係沿著圖33之線ⅩⅩⅩⅣ-ⅩⅩⅩⅣ之示意的剖面圖。 [圖35] 係示意地表示實施形態5之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖36] 係示意地表示實施形態5之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖37] 係示意地表示實施形態5之第1變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖38] 係示意地表示實施形態5之第2變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖39] 係示意地表示實施形態5之第3變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖40] 係示意地表示實施形態6之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖41] 係示意地表示實施形態6之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖42] 係示意地表示實施形態6之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖43] 係示意地表示實施形態6之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖44] 係示意地表示實施形態6之第1變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖45] 係示意地表示實施形態6之第2變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖46] 係示意地表示實施形態6之第3變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖47] 係示意地表示實施形態6之第4變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖48] 係示意地表示實施形態7之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖49] 係示意地表示實施形態7之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖50] 係示意地表示實施形態7之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖51] 係示意地表示實施形態7之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖52] 係示意地表示實施形態7之變形例的基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖53] 係示意地表示實施形態8之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖54] 係示意地表示實施形態8之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖55] 係示意地表示實施形態8之基板切割方法之步驟的平面圖。 [圖56] 係示意地表示實施形態8之基板切割方法之步驟的平面圖。
11:玻璃基板
20:基部
21:支撐構件
22:保護構件
ML1:第1虛擬線
ML2:第2虛擬線
SL1:第1劃線
SL2:第2劃線
TLx:第1深溝線
XP1:第1交叉點

Claims (15)

  1. 一種基板切割方法,其係包括: 直接配置步驟,係在工作台面上直接配置基板,該工作台面係具有:第1支撐面,係由具有3GPa以上之楊氏係數的第1材料所構成;及第2支撐面,係由具有比該第1材料之楊氏係數更小之楊氏係數的第2材料所構成; 第1劃線形成步驟,係沿著該第1支撐面上之第1虛擬線在該基板上形成第1劃線; 第1深溝線形成步驟,係藉在該基板上之刀尖的滑動,形成沿著第2虛擬線之第1深溝線,該第2虛擬線係具有該第1支撐面上的第1部分、該第2支撐面上的第2部分以及與該第1虛擬線交叉的第1交叉點;以及 第1龜裂線伸展步驟,係將該第1劃線與該第1深溝線在該第1交叉點交叉作為開端,在從該第1交叉點往該第2部分的方向,使破壞該第1深溝線之無龜裂狀態的第1龜裂線伸展。
  2. 如請求項1之基板切割方法,其中該基板係具有100μm以下的厚度。
  3. 如請求項1之基板切割方法,其中該第1支撐面係具有0.04μm以下之算術平均粗糙度Ra。
  4. 如請求項1~3中任一項之基板切割方法,其中 該工作台面係由劃線用工作台與保護構件所構成; 該工作台係包含: 直接支撐構件,係形成該第1支撐面,並由第1材料所構成;及 間接支撐部,係支撐該保護構件及該直接支撐構件; 該保護構件係由該第2材料所構成。
  5. 如請求項4之基板切割方法,其中該間接支撐部係包含: 板構件,係直接支撐該保護構件及該直接支撐構件;及 基部,係可拆裝地支撐該板構件。
  6. 如請求項1~3中任一項之基板切割方法,其中該工作台面係由具有平坦面之劃線用工作台與保護構件所構成,該平坦面係具有支撐該保護構件的部分、與形成該第1支撐面的部分。
  7. 如請求項6之基板切割方法,其中該工作台係包含: 板構件,係形成該平坦面;及 基部,係可拆裝地支撐該板構件。
  8. 如請求項1~3中任一項之基板切割方法,其中形成該第1劃線之步驟係藉在該基板上之刀尖的滾動所進行。
  9. 如請求項1~3中任一項之基板切割方法,其中更包括: 第2劃線形成步驟,係沿著該第1支撐面上之第3虛擬線在該基板上形成第2劃線; 第2深溝線形成步驟,係藉由在該基板上使固定刀尖滑動,形成沿著第4虛擬線之第2深溝線,該第4虛擬線係具有該第1支撐面上的第3部分、該第2支撐面上的第4部分以及與該第3虛擬線交叉的第2交叉點;以及 第2龜裂線伸展步驟,係將該第2劃線與該第2深溝線在該第2交叉點交叉作為開端,在從該第2交叉點往該第4部分的方向,使破壞該第2深溝線之無龜裂狀態的第2龜裂線伸展。
  10. 如請求項9之基板切割方法,其中形成該第1劃線之步驟係藉在該基板上之刀尖的滾動所進行。
  11. 如請求項10之基板切割方法,其中 該基板係具有在製品用途未使用之周緣區域、與被該周緣區域包圍並在製品用途使用之製品區域,該第1虛擬線係與該製品區域分開並被配置於該周緣區域; 更包括: 虛擬深溝線形成步驟,係藉在該基板的周緣區域上之刀尖的滑動,在該製品區域與該第1虛擬線之間形成虛擬深溝線;及 虛擬龜裂線伸展步驟,係將該第2劃線與該虛擬深溝線交叉作為開端,在與形成該虛擬深溝線之方向相反的方向,使破壞該虛擬深溝線之無龜裂狀態的虛擬龜裂線伸展。
  12. 如請求項10之基板切割方法,其中形成該第2劃線之步驟係包含: 輔助深溝線形成步驟,係藉在該基板上之刀尖的滑動,形成輔助深溝線;及 第2劃線伸展步驟,係將該第1劃線與該輔助深溝線交叉作為開端,在與形成該輔助深溝線之方向相反的方向,使破壞該輔助深溝線之無龜裂狀態的該第2劃線伸展。
  13. 如請求項10之基板切割方法,其中 形成該第2劃線之步驟係藉在該基板上之刀尖的滾動所進行; 該基板係具有在製品用途未使用之周緣區域、與被該周緣區域包圍並在製品用途使用之製品區域,該第1虛擬線及該第3虛擬線係與該製品區域分開並被配置於該周緣區域; 更包括: 第1虛擬深溝線形成步驟,係藉在該基板的該周緣區域上之刀尖的滑動,在該製品區域與該第3虛擬線之間形成第1虛擬深溝線; 第1虛擬龜裂線伸展步驟,係將該第1劃線與該第1虛擬深溝線交叉作為開端,在與形成該第1虛擬深溝線之方向相反的方向,使破壞該第1虛擬深溝線之無龜裂狀態的第1虛擬龜裂線伸展; 第2虛擬深溝線形成步驟,係藉在該基板的該周緣區域上之刀尖的滑動,在該製品區域與該第1虛擬線之間形成第2虛擬深溝線;以及 第2虛擬龜裂線伸展步驟,係將該第2劃線與該第2虛擬深溝線交叉作為開端,在與形成該第2虛擬深溝線之方向相反的方向,使破壞該第2虛擬深溝線之無龜裂狀態的第2虛擬龜裂線伸展。
  14. 如請求項9之基板切割方法,其中形成該第1劃線與該第2劃線之步驟係包含: 輔助深溝線形成步驟,係藉在該基板上之刀尖的滑動,分別沿著該第1虛擬線及該第2虛擬線,形成第1輔助深溝線及第2輔助深溝線; 第3劃線形成步驟,係藉在該基板上之刀尖的滾動,形成各自與該第1虛擬線及該第2虛擬線交叉的第3劃線; 第1劃線伸展步驟,係將該第3劃線與該第1輔助深溝線交叉作為開端,在與形成該第1輔助深溝線之方向相反的方向,使破壞該第1輔助深溝線之無龜裂狀態的該第1劃線伸展;以及 第2劃線伸展步驟,係將該第3劃線與該第2輔助深溝線交叉作為開端,在與形成該第2輔助深溝線之方向相反的方向,使破壞該第2輔助深溝線之無龜裂狀態的該第2劃線該第2劃線伸展。
  15. 一種劃線用工作台,係使用保護構件局部地支撐被劃線之基板的劃線用工作台,其係包括: 間接支撐面,係經由該保護構件支撐該基板;及 直接支撐面,係比該間接支撐面向該基板更突出,並直接支撐該基板。
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