TW202126768A - 高溫型熱解膠帶 - Google Patents

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Abstract

一種高溫型熱解膠帶，係適用於電路基板、陶瓷基板、IC載板以及半導體基板等製程用相關載體，以及電子元件製造過程中的各種臨時固定，並可作為基板製程中之保護膠帶使用，熱解膠帶包含有沿長度方向連續延伸之熱解膠帶體，熱解膠帶體至少具有熱解膠層，熱解膠層包含有壓克力膠混合複數熱膨脹性發泡粒子，在壓克力膠中含有矽氧烷與耐高溫液晶樹脂，矽氧烷與耐高溫液晶樹脂之含量分別為壓克力膠之2~5重量%，且熱解膠層之解膠溫度為攝氏200至300度，使熱解膠帶可作為基板用載體，並通過攝氏180度的熱壓貼合基板步驟，而在後續基板製程中利用加熱到攝氏200至300度，使熱解膠層產生解膠且失去黏性後，即可從基板製程中輕易剝離取出已解膠的膠帶體。

Description

高溫型熱解膠帶
本發明係有關於熱解膠帶技術領域，尤指一種解膠溫度達到攝氏200至300度之高溫型熱解膠帶。
按，一般的電路基板、陶瓷基板、IC載板以及半導體基板等製程中，大多使用熱解膠片作為載體，並利用熱解膠層黏貼電路基板、陶瓷基板、IC載板以及半導體基板進行製程加工，而在後續基板製程中利用加熱產生高溫解膠，使熱解膠層失去黏性，而可從基板製程中剝離取出熱解膠片。
目前的熱解膠層係使用壓克力膠混合熱膨脹性發泡粒子，但是壓克力膠(聚甲基丙烯酸甲酯，簡稱PMMA)熔點較低，約在攝氏130~140度，即使加入耐熱劑(矽橡膠類)也只能達到攝氏180度，而且壓克力膠與發泡粒子不易均勻混合，無法達到更高的解膠溫度。因此要如何解決上述問題，即為此行業相關業者所亟欲研究之課題所在。
本發明之主要目的在於，高溫型熱解膠帶可作為電路基板、陶瓷基板、IC載板以及半導體基板等製程用相關載體，以及電子 元件製造過程中的各種臨時固定，並可作為基板製程中之保護膠帶使用，而且熱解膠層之解膠溫度達到攝氏200至300度，使熱解膠帶可作為基板用載體，並通過攝氏180度的熱壓貼合基板步驟，而在後續基板製程中利用加熱到攝氏200至300度，使熱解膠層產生解膠且失去黏性後，即可從基板製程中輕易剝離取出已解膠的膠帶體。
為達上述目的，本發明之高溫型熱解膠帶，包含有一沿長度方向連續延伸之熱解膠帶體，熱解膠帶體具有一熱解膠層，熱解膠層具有一第一表面及一相對第二表面，熱解膠層包含有壓克力膠混合複數熱膨脹性發泡粒子，在壓克力膠中含有矽氧烷與耐高溫液晶樹脂，且矽氧烷與耐高溫液晶樹脂之含量分別為壓克力膠之2~5重量%，使熱解膠層之解膠溫度為攝氏200至300度。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層在第一表面覆設結合一基材。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層在第二表面覆設有一離型層。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該基材於遠離熱解膠層之表面覆設結合一黏膠層，且黏膠層於遠離基材之表面上覆設有一離型層。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該黏膠層為熱解膠層。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該黏膠層為非熱解膠層。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層在第一表面與第二 表面分別覆設一離型層。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層之解膠溫度為攝氏280至300度。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠帶體經過核輻照射在熱解膠層上。
前述之高溫型熱解膠帶，其中該基材為聚醯亞胺，離型層為聚對苯二甲酸乙二酯材料。
1‧‧‧熱解膠帶體
2‧‧‧熱解膠層
3‧‧‧第一表面
4‧‧‧第二表面
5‧‧‧基材
6‧‧‧離型層
7‧‧‧黏膠層
8‧‧‧熱解膠層
9‧‧‧非熱解膠層
第一圖係本發明第一實施例高溫型熱解膠帶之剖視圖。
第二圖係本發明第二實施例高溫型熱解膠帶之剖視圖。
第三圖係本發明第三實施例高溫型熱解膠帶之剖視圖。
第四圖係本發明第四實施例高溫型熱解膠帶之剖視圖。
第五圖係本發明第五實施例高溫型熱解膠帶之剖視圖。
有關本發明為達成上述目的，所採用之技術手段及其功效，茲舉出可行實施例，並且配合圖式說明如下：
首先，請參閱第一圖所示之第一實施例，由圖中可清楚看出，本發明之高溫型熱解膠帶之構造中，包含有一沿長度方向連續延伸之熱解膠帶體1，熱解膠帶體1具有一熱解膠層2，熱解膠層2具有一第一表面3及一相對第二表面4，而熱解膠層2包含有壓克力膠(聚甲基丙烯酸甲酯，簡稱PMMA)混合複數熱膨脹性發泡粒子，使熱解膠帶能夠作為電路基板、陶瓷基板、IC載板以及 半導體基板等製程用相關載體等製程用載體，以及電子元件製造過程中的各種臨時固定，並可作為基板製程中之保護膠帶使用。
請再參閱第一圖所示，熱解膠帶體1在熱解膠層2之第一表面3覆設結合一基材5，基材5可採用聚醯亞胺(簡稱PI)材料，而壓克力膠中含有矽氧烷與耐高溫液晶樹脂，且矽氧烷與耐高溫液晶樹脂之含量分別為壓克力膠之2~5重量%，使熱解膠層2之解膠溫度達到攝氏200至300度，並且解膠溫度可再提高到攝氏280至300度。
本發明之高溫型熱解膠帶在壓克力膠中添加有矽氧烷與耐高溫液晶樹脂，且壓克力膠中可添加有架橋劑與催化劑。矽氧烷是以矽-氧-矽鍵為骨架的一類化合物，矽氧烷為類以H(OSiH2) n OH母體(鏈矽氧烷)，或者是環狀的(OSiH2)n的衍生物(環矽氧烷)，或者是含有單個矽原子的官能團R3Si-O-則稱烷氧矽基(siloxy)，矽氧烷除了耐高溫、耐酸鹼的特性外，也不容易有逸氣(outgasing)的情況。而耐高溫液晶樹脂(LCP LIQUID CRYSTAL POLYMER)除了可以耐熱到攝氏300度外，並可達到較穩定的尺寸安定性，且熱膨脹率也較低。然後熱解膠帶體1經過核輻照射在熱解膠層2上，可以延長熱解膠帶體1的壽命，不易衰退，可增加耐磨性，而且在半導體高溫熱模流製程中不易受到模流的影響而變形，並使熱解膠帶體1可以延長發泡時間以及縮短壓克力膠水的熟成時間，一般的壓克力膠水之熟成時間要7天，而透過核輻照射後，可降低為1~2天。
本發明之高溫型熱解膠帶構造中，由於壓克力膠中含有矽氧烷與耐高溫液晶樹脂，使熱解膠層2之解膠溫度達到攝氏200至300度，且解膠溫度可再提高到攝氏280至300度，因此熱解膠帶可作為基板用載體，並通過攝氏180度的熱壓貼合基板步驟，而在後續基板製程中利用加熱到攝氏200至300度，使熱解膠層2產生解膠且失去黏性後，即可從基板製程中輕易剝離取出已解膠的膠帶體。
請參閱第二圖所示之第二實施例，此第二實施例之熱解膠帶體1同樣具有熱解膠層2，而其主要差異處在於，熱解膠層2在第一表面3與第二表面4分別覆設一離型層6，而離型層6可為聚對苯二甲酸乙二酯(簡稱PET)材料。
請參閱第三圖所示之第三實施例，此第三實施例之熱解膠帶體1同樣具有熱解膠層2，而其主要差異處在於，熱解膠層2在第二表面4覆設有一離型層6，而離型層6可為聚對苯二甲酸乙二酯(簡稱PET)材料。
請參閱第四圖所示之第四實施例，此第四實施例之熱解膠帶體1同樣具有熱解膠層2，熱解膠帶體1在熱解膠層2之第一表面3覆設結合一基材5，並在第二表面4覆設有一離型層6，而其主要差異處在於，基材5於遠離熱解膠層2之表面覆設結合一黏膠層7，而黏膠層7於遠離基材5之表面上覆設有一離型層6，並且黏膠層7則設為熱解膠層8。
請參閱第五圖所示之第五實施例，此第五實施例之熱解膠帶 體1同樣具有熱解膠層2，熱解膠帶體1在熱解膠層2之第一表面3覆設結合一基材5，並在第二表面4覆設有一離型層6，而其主要差異處在於，基材5於遠離熱解膠層2之表面覆設結合一黏膠層7，而黏膠層7於遠離基材5之表面上覆設有一離型層6，並且黏膠層7則設為非熱解膠層9。
以上所舉實施例僅用為方便說明本發明，而並非加以限制，在不離本發明精神範疇，熟悉此一行業技藝人士所可作之各種簡易變化與修飾，均仍應含括於以下申請專利範圍中。
1‧‧‧熱解膠帶體
2‧‧‧熱解膠層
3‧‧‧第一表面
4‧‧‧第二表面
5‧‧‧基材

Claims (10)

  1. 一種高溫型熱解膠帶，包含有一沿長度方向連續延伸之熱解膠帶體，熱解膠帶體具有一熱解膠層，熱解膠層具有一第一表面及一相對第二表面，熱解膠層包含有壓克力膠混合複數熱膨脹性發泡粒子，在壓克力膠中含有矽氧烷與耐高溫液晶樹脂，且矽氧烷與耐高溫液晶樹脂之含量分別為壓克力膠之2~5重量%，使熱解膠層之解膠溫度為攝氏200至300度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層在第一表面覆設結合一基材。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層在第二表面覆設有一離型層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之高溫型熱解膠帶，其中該基材於遠離熱解膠層之表面覆設結合一黏膠層，且黏膠層於遠離基材之表面上覆設有一離型層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之高溫型熱解膠帶，其中該黏膠層為熱解膠層。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之高溫型熱解膠帶，其中該黏膠層為非熱解膠層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層在第一表面與第二表面分別覆設一離型層。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠層之解膠溫度為攝氏280至300度。
  9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之高溫型熱解膠帶，其中該熱解膠帶體經過核輻照射在熱解膠層上。
  10. 如申請專利範圍第3至6項中任一項所述之高溫型熱解膠帶，其中該基材為聚醯亞胺，離型層為聚對苯二甲酸乙二酯材料。
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